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JP2000348583A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents

合金型温度ヒュ−ズ

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Publication number
JP2000348583A
JP2000348583A JP11160060A JP16006099A JP2000348583A JP 2000348583 A JP2000348583 A JP 2000348583A JP 11160060 A JP11160060 A JP 11160060A JP 16006099 A JP16006099 A JP 16006099A JP 2000348583 A JP2000348583 A JP 2000348583A
Authority
JP
Japan
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melting point
alloy
low melting
temperature fuse
point fusible
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Granted
Application number
JP11160060A
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English (en)
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JP4209549B2 (ja
Inventor
Mitsuaki Uemura
充明 植村
Tomokuni Mitsui
朋晋 三井
Toshiaki Kawanishi
俊朗 川西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Uchihashi Estec Co Ltd
Original Assignee
Uchihashi Estec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Uchihashi Estec Co Ltd filed Critical Uchihashi Estec Co Ltd
Priority to JP16006099A priority Critical patent/JP4209549B2/ja
Publication of JP2000348583A publication Critical patent/JP2000348583A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4209549B2 publication Critical patent/JP4209549B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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Abstract

(57)【要約】 【課題】リチウムイオン二次電池のような高エネルギ−
密度の二次電池の異常昇温の未然防止に好適に使用でき
る合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】電極2の表面が研磨されその研磨面に低融
点可溶合金片4の端部が溶着され、リ−ド導体3がニッ
ケル導体とされている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は合金型温度ヒュ−ズ
に関し、リチウムイオン二次電池等の異常昇温の未然防
止に有用なものである。
【0002】
【従来の技術】近来、携帯電話、PHS、携帯型のパ−
ソナルコンピュ−タ等の携帯型電子機器の電源として、
繰返し充放電が可能な電池、すなわち二次電池が使用さ
れている。この二次電池としては、リチウムイオン二次
電池が高いエネルギ−密度、長いライフサイクル、高い
作動電圧等のために注目されている。このリチウムイオ
ン二次電池等においては、何らかの原因でエネルギ−が
一挙に放出されると、電池が異常高温になって爆裂する
畏れがある。そこで、温度ヒュ−ズをリチウムイオン二
次電池等の缶体に密接させ、かつ当該電池の+極と−極
との間に直列に挿入するようにして取付け、当該電池が
所定の上限温度に達したときに電池回路を電気的に遮断
することが提案されている。
【0003】この二次電池用温度ヒュ−ズに要求される
一の条件は、薄型・小型であり、かかる薄型・小型温度
ヒュ−ズとして、図6に示す合金型温度ヒュ−ズが公知
である。図6の(イ)に示す合金型温度ヒュ−ズにおい
ては、導電ペ−ストの印刷・焼付けによりセラミックス
板1’等の絶縁基板に対向電極2’,2’が設けられ、
各電極2’にリ−ド導体3’が接合され、両電極2’,
2’間に低融点可溶合金片4’が接続され、低融点可溶
合金片4’にフラックス5’が塗布され、フラックス塗
布低融点可溶合金片が樹脂層6’で封止されいる。
【0004】図6の(ロ)に示す合金型温度ヒュ−ズに
おいては、一対の帯状リ−ド導体3’,3’の先端部が
プラスチックベ−スフィルム11’の表面に熱融着さ
れ、その導体先端部間に低融点可溶合金片4’が接続さ
れ、この低融点可溶合金片4’にフラックス5’が塗布
され、フラックス塗布低融点可溶合金片がプラスチック
カバ−フィルム12’で封止されている。
【0005】図6の(ハ)に示す合金型温度ヒュ−ズに
おいては、一対の帯状リ−ド導体3’,3’の先端部が
プラスチックベ−スフィルム11’の裏面より表面に水
密に現出され、かつリ−ド導体3’とプラスチックベ−
スフィルム11’との間が熱融着され、現出導体3
1’,31’間に低融点可溶合金片4’が接続され、こ
の低融点可溶合金片4’にフラックス5’が塗布され、
フラックス塗布低融点可溶合金片がプラスチックカバ−
フィルム12’で封止されている。
【0006】更に、二次電池用温度ヒュ−ズに要求され
る他の条件は、リ−ド導体が二次電池の缶体に容易に溶
接できるようにその缶体と同材質とすること、例えばニ
ッケルとすることが挙げられる。しかしながら、ニツケ
ルははんだ接合が困難な金属であり、図6の(イ)に示
す合金型温度ヒュ−ズにおいて、リ−ド導体3’をニッ
ケル導体とするとリ−ド導体3’と導電ペ−スト焼付け
電極2’とのはんだ接合が困難となる。また、図6の
(ロ)や図6の(ハ)に示す合金型温度ヒュ−ズにおい
ては、ニッケルリ−ド導体の先端部での低融点可溶合金
片端の溶着が困難となる。
【0007】そこで、図6の(イ)に示す合金型温度ヒ
ュ−ズに対しては、ニッケルリ−ド導体3’の先端部を
錫めっきし、この錫めっき面と導電ペ−スト焼付け電極
2’とを接合することが提案されている。また、図6の
(ロ)や図6の(ハ)に示す合金型温度ヒュ−ズに対し
ては、ニッケルリ−ド導体の先端部表面に銅箔のクラッ
ド、銅めっき等によって銅導体を設け、この銅導体に低
融点可溶合金片端を溶着することが提案されている(特
開平11−40026号)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記リチウムイオン二
次電池等においては、その高いエネルギ−密度のために
定格電流を高く設定することが可能である。しかしなが
ら、本発明者等の図6の(イ)の合金型温度ヒュ−ズの
検討結果によれば、電極表面に焼付け時に雰囲気ガスと
の反応で生成された異質薄膜(厚み10nm程度)が存
在するために導電ペ−スト焼付け電極と低融点可溶合金
片との溶着界面が高抵抗となり、この高抵抗部位の平常
時電流による発熱が原因で温度ヒュ−ズの動作誤差の惹
起が避けられない。すなわち、この平常時電流による発
熱に基づく低融点可溶合金片の温度上昇をΔTとする
と、前記の上限温度(Tx)より低い温度(Tx−ΔT)
で合金型温度ヒュ−ズが作動してしまい、合金型温度ヒ
ュ−ズの作動精度の低下が避けられない
【0009】また、リ−ド導体の先端部をプラスチック
ベ−スフィルムに加熱融着している図6の(ロ)や図6
の(ハ)に示す合金型温度ヒュ−ズにおいても、リ−ド
導体先端部の銅導体表面の酸化が加熱のために促進され
たり、プラスチックベ−スフィルムから加熱により発生
する気化物の附着が生じるため、それだけ銅導体表面と
低融点可溶合金片との溶着界面の抵抗値が高くなる結
果、前記導電ペ−スト焼付け電極の場合より軽度であっ
ても、その高抵抗部位の平常時電流による発熱が原因し
ての動作誤差は無視し難い。
【0010】従って、図6示す薄型・小型の合金型温度
ヒュ−ズにおいて、リ−ド導体を二次電池の缶体と同材
質にして溶接取付けの容易化を図り、そのリ−ド導体の
先端部に易はんだ付け導体を設けてリ−ド導体と導電ペ
−スト焼付け電極とのはんだ接合やリ−ド導体と低融点
可溶合金片との溶着の容易化を図っただけでは、リチウ
ムイオン二次電池の高エネルギ−密度に基づく高い定格
電流のもとで、その二次電池の異常発熱の適確な未然防
止を保証することは困難である。
【0011】本発明の目的は、リチウムイオン二次電池
のような高エネルギ−密度の二次電池の異常昇温の未然
防止に好適に使用できる合金型温度ヒュ−ズを提供する
ことにある。より詳しくは、リ−ド導体を二次電池の缶
体と同材質にして二次電池への溶接取付けを容易に行い
得、定格電流を二次電池の高エネルギ−密度に応じて高
く設定しても高精度で作動させ得る薄型・小型の合金型
温度ヒュ−ズを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る一の合金型
温度ヒュ−ズは、金属粒体を導電性成分とする導電ペ−
ストの焼付けにより絶縁基板に対向電極が設けられ、各
電極にリ−ド導体が接合され、両電極間に低融点可溶合
金片が接続され、低融点可溶合金片にフラックスが塗布
され、フラックス塗布低融点可溶合金片が封止されてな
る温度ヒュ−ズであり、電極表面が研磨されその研磨面
に低融点可溶合金片端が溶着され、リ−ド導体がニッケ
ル導体とされていることを特徴とする構成であり、フラ
ックス塗布低融点可溶合金片の封止を絶縁基板を包囲す
るプラスチックフィルムにより行なうこと、電極の研磨
表面における金属粒体の占める割合を80%以上とする
こと、ニッケルリ−ド導体を帯状としでそのビッカ−ス
硬度を100〜280、厚みを50〜850μmとする
こと、定格電流値を0.1A〜15A、好ましくは1.
5A〜15Aとすること、リ−ド導体を電池の缶体に溶
接して使用すること、ニッケルリ−ド導体に代え、ステ
ンレスリ−ド導体、アルミリ−ド導体または鉄リ−ド導
体の何れかを使用することが可能である。
【0013】本発明に係る他の合金型温度ヒュ−ズは、
一対の帯状リ−ド導体の先端部がプラスチックベ−スフ
ィルムの裏面より表面に水密に現出され、かつリ−ド導
体とプラスチックベ−スフィルムとの間が融着され、現
出導体間に低融点可溶合金片が接続され、低融点可溶合
金片にフラックスが塗布され、フラックス塗布低融点可
溶合金片が封止されてなる温度ヒュ−ズであり、帯状リ
−ド導体が先端部表面が銅または銀または金導体とされ
ニッケル導体であり、その銅または銀または金導体表面
が研磨され該研磨面に低融点可溶合金片端が溶着されて
いることを特徴とする構成であり、本発明に係る他の別
の合金型温度ヒュ−ズは、一対の帯状リ−ド導体の先端
部がプラスチックベ−スフィルムの表面に融着され、そ
の先端部間に低融点可溶合金片が接続され、低融点可溶
合金片にフラックスが塗布され、フラックス塗布低融点
可溶合金片が封止されてなる温度ヒュ−ズであり、帯状
リ−ド導体が先端部表面が銅または銀または金導体とさ
れニッケル導体であり、その銅または銀導体表面が研磨
され該研磨面に低融点可溶合金片端が溶着されているこ
とを特徴とする構成であり、何れの構成においても、ニ
ッケル帯状リ−ド導体のビッカ−ス硬度を100〜28
0、厚みを50〜850μmとすること、定格電流値を
0.1A〜15A好ましくは1.5A〜15Aとするこ
と、帯状リ−ド導体を電池の缶体に溶接して使用するこ
と、ニッケル帯状リ−ド導体に代え、ステンレス帯状リ
−ド導体、アルミ帯状リ−ド導体または鉄帯状リ−ド導
体の何れかを使用することが可能である。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図1の(イ)は本発明に
係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す図面、図1の
(ロ)は図1の(イ)におけるロ−ロ断面図である。図
1において、1は耐熱性及び良熱伝導性の絶縁板、例え
ばセラミックス板である。2,2は絶縁板1上に設けた
導電ペ−ストの焼付け電極、3,3は各電極2,2に接
続したニッケル帯状リ−ド導体、4は電極2,2間に接
続した低融点可溶合金片であり、各電極2の表面を研磨
したうえで各電極2とリ−ド導体3との接続、電極2,
2間への低融点可溶合金片4の接続を行っている。5は
低融点可溶合金片4上に塗布したフラツクス、6はフラ
ックス塗布低融点可溶合金片を封止した樹脂層である。
この樹脂層6の表面に機械的強度の大なる補強板を固着
して封止層全体の厚みを薄くすることもできる。
【0015】図2の(イ)は本発明に係る合金型温度ヒ
ュ−ズの別例を示す図面、図2の(ロ)は図2の(イ)
におけるロ−ロ断面図である。図2において、1は耐熱
性及び良熱伝導性の絶縁板、例えばセラミックス板であ
る。2,2は絶縁板1上に設けた導電ペ−ストの焼付け
電極、3,3は各電極2,2に接続したニッケル帯状リ
−ド導体、4は電極2,2間に接続した低融点可溶合金
片であり、各電極2の表面を研磨したうえで各電極2と
リ−ド導体3との接続、電極2,2間への低融点可溶合
金片4の接続を行っている。5は低融点可溶合金片上に
塗布したフラツクスである。61はフラックス塗布低融
点可溶合金片を封止したプラスチックフィルムであり、
絶縁基板1を挾み周辺部をヒ−トシ−ル等により封止し
てある。これらのプラスチックフィルムの使用に代え、
熱収縮性のプラチチックチュ−ブを絶縁板に挿通し、こ
れを熱収縮させることもできる。また、フラックス塗布
低融点可溶合金片を樹脂塗布層で覆ったうえで、プラス
チックフィルムまたは熱収縮性プラチチックチュ−ブに
よる最終的な封止を行うことも可能である。
【0016】上記電極2への低融点可溶合金片4の端部
の溶着には、接合箇所とこの箇所から隔たった電極部分
とにピン電極を当接しパルス電流を流して溶接する抵抗
溶接法、接合箇所を加熱ピンで加圧する熱圧着法、接合
箇所にホ−ンチップを当接する超音波加熱法等を使用で
きる。上記導電ペ−ストには導電性金属粉末(粒径は通
常0.4〜6μm)とガラス粉末と金属酸化物粉末との
混合物を溶媒(例えばエチルセルロ−ス)でペ−スト状
にしたものが使用される。例えば、導電性金属粉末とし
てAg、Ag−Pd、Ag−Ptを用いたAg系ぺ−ス
ト、Cu系ペ−スト、Au系ぺ−スト等を用いることが
できる。上記電極は導電ペ−ストをセラミックス板に印
刷・焼付けることにより設け、焼付けは通常空気雰囲気
中で行うが、窒素等の不活性ガス雰囲気中で行うことも
できる。この電極の厚みは5μm〜100μmとされ、
その焼付けにおいては、雰囲気ガスと印刷導電ペ−スト
表面との反応やバインダ−の分解生成物の析出等により
電極表面に厚み数10nmの高電気抵抗の異質薄膜が形
成される。
【0017】しかしながら、本発明に係る合金型温度ヒ
ュ−ズにおいては、異質薄膜を研削除去して(研磨代は
1μm程度で充分である)電極に低融点可溶合金片の端
部を溶着しているから、低融点可溶合金片と電極との溶
着界面の抵抗値を充分に低くでき、また、溶着性の向上
により界面溶着強度を高くでき、低融点可溶合金片の断
面積を安定に維持できる。従って、溶着部を含めた低融
点可溶合金片の抵抗値を充分に低くでき、定格電流値を
大きく設定しても、低融点可溶合金片の自己発熱を防止
して所定の温度で適確に作動させ得る。また、樹脂層等
による封止とフラックス塗布との二重の酸化防止機構に
より、電極の研磨表面の後発的酸化がよく防止されるか
ら、溶融した低融点可溶合金の電極表面への濡れをよく
保証でき、温度ヒュ−ズの作動時、溶融した低融点可溶
合金が溶融フラックスとの共存下で電極によく濡れて迅
速に分断され得る。
【0018】上記電極表面の研磨は全面にわたり行うこ
とが望ましいが、低融点可溶合金片の溶着箇所のみを研
磨するようにしてもよい。
【0019】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズにおい
て、電極とニッケル帯状リ−ド導体との接合は、抵抗溶
接、レザ−溶接等により行うが、電極表面から前記の異
質薄膜を除去してあるから、溶接部への異質物質の巻き
込みを排除でき、電極とニッケル帯状リ−ド導体との接
合も低抵抗値、優れた機械的強度で行うことができる。
上記電極の研磨表面における金属粒体が占める割合α
(膜電極試料の面積をS、その面中金属粒体によって占
められる面積をS’とすれば、α=S’/S×100%
で与えられる)は、電極と低融点可溶合金片との接合部
及び電極とニッケルリ−ド導体との接合部の機械的強度
や電気導通性を高めるために80%以上、好ましくは9
0%以上とすることが望ましい。この割合αは電子顕微
鏡による観測や蛍光X線分析法によって測定でき、例え
ばαが80%の膜電極試料を作成し、この膜電極試料の
表面に白色Xを照射したときのその金属粒体の金属の固
有X線強度をzとすれば、固有X線強度がz以上の膜電
極であれば、膜電極表面における金属粒体が占める割合
を80%以上と判定できる。
【0020】上記ニッケル帯状リ−ド導体には、ビッカ
−ス硬度100〜280好ましくは130〜220、厚
み50〜300μm好ましくは80〜160μmのもの
を使用することが望ましい。而して、ビッカ−ス硬度1
00以上であるために、厚み50μmという薄い厚みの
もとでもニッケル帯状リ−ド導体に充分な剛直性を付与
でき、低融点可溶合金片の接合時や機器への溶接接合時
にリ−ド導体を安定に保持してそれらの溶接を容易に行
うことができ、またビッカ−ス硬度280以下であるた
めに、300μmという比較的厚いリ−ド導体を溶接上
折り曲げても、その折り曲げ部位でのクラック発生を排
除して容易に溶接できる。かかるビッカ−ス硬度、厚み
のリ−ド導体では、その端部の中央部に孔を開けたり一
部切り欠いて機器への溶接接合することも可能である。
【0021】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズは二次電
池、特にリチウムイオン二次電池の異常発熱の防止に好
適に使用できる。図3は、図2に示した合金型温度ヒュ
−ズの使用状態の一例を示し、cは正極であるキャツプ
aに対して部位bで絶縁分離された負極のでニッケル缶
体を示し、この缶体c上の絶縁膜iを局部的に剥離し、
その露出缶体面に合金型温度ヒュ−ズの本体Aと一方の
ニッケルリ−ド導体31を接触させ、そのリ−ド導体3
1と缶体cとを抵抗溶接等で接合し、キャツプaの正極
端子と合金型温度ヒュ−ズの他方のリ−ド導体32とを
二端子として携帯機器の負荷に電気的に接続する構成で
あり、一方のリ−ド導体31と缶体bとの溶接がニッケ
ル同士の溶接であるために容易であり、大なる定格電流
で使用しても前記した通り低融点可溶合金片の融点で規
制された正確な温度で作動させ得、温度ヒュ−ズの薄型
・小型のために温度ヒュ−ズ装着電池の外形寸法もほぼ
元のままに維持でき、リチウムイオン二次電池の異常発
熱の防止に好適である。この使用形態では、二次電池の
内部短絡などにより異常電流が流れると、その異常電流
による低融点可溶合金片のジュ−ル発熱・溶断で通電を
遮断させること、すなわち電流温度ヒュ−ズとしても機
能させることができる。
【0022】上記定格電流は、0.1A〜15Aに設定
され、この場合、低融点可溶合金片には抵抗値45mΩ
以下、好ましくは15mΩ以下、特に好ましくは2mΩ
以下のものが使用され、上記電極表面の研磨のために、
低融点可溶合金片の断面寸法(丸線の場合は直径、リボ
ンの場合は厚み)50μm〜800μmのもとでリ−ド
導体と電極及び低融点可溶合金片を経る抵抗値を充分に
低くでき(低融点可溶合金片の抵抗値45mΩ以下に対
しては20mΩ以下、低融点可溶合金片の抵抗値15m
Ω以下に対しては20mΩ以下、低融点可溶合金片の抵
抗値2mΩ以下に対しては12mΩ以下)、低融点可溶
合金片の自己発熱をよく防止して合金型温度ヒュ−ズを
低融点可溶合金片の融点で規制された正確な温度で作動
させ得る。また、低融点可溶合金片の断面寸法(丸線の
場合は直径、リボンの場合は厚み)を350μm以下に
して合金型温度ヒュ−ズの一層の薄厚化を図ることも可
能となる。
【0023】上記低融点可溶合金片には、固相線温度が
80℃〜120℃、固相線温度が80℃〜120℃であ
る合金、例えばIn30〜75重量%、Sn5〜50重
量%、Cd0.5〜25重量%の合金、更にこの合金組
成にAu、Ag、Cu、Al、Biのうちの1種または
2種以上を合計0.1〜5重量%添加した合金、Bi4
8〜53重量%、Pb28〜33重量%、Sn13〜1
9重量%の合金、In0.5〜4重量%、Bi50〜5
4重量%、Pb30〜34重量%、Sn14〜18重量
%の合金等を使用できる。
【0024】上記低融点可溶合金片に塗布するフラック
スは、研磨した電極表面を無酸化状態に保持して溶融し
た低融点可溶合金片の電極への濡れを促しつつ球状化分
断を促進する作用を呈し、天然ロジン、変性ロジン(水
添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン等)及びこれらの
精製ロジンにジエチルアミンの塩酸塩、ジエチルアミン
の臭化水素酸塩等を添加したものを使用できる。
【0025】上記絶縁板には、例えば、厚さ100μm
〜1000μmのアルミナセラミックス板や窒化アルミ
ニウム基板等のセラミックス板、ガラス板、ガラスエポ
キシ板、紙フェノ−ル板等を使用できる。また、未焼成
のセラミックスシ−ト(グリ−ンシ−ト)に導電ペ−ス
トを電極パタ−ンに印刷し、セラミックスシ−トと導電
ペ−スト電極パタ−ンとを加熱して一挙に焼成すること
もできる。
【0026】上記の塗布タイプの封止用樹脂塗料には、
粘度50,000〜600,000cpsの硬化性樹脂
液を使用できる。例えば、ビスフェノ−ルAとエピクロ
ロヒドリンとから得られるビスフェノ−ル系エポキシ樹
脂、ノボラック形エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
多価アルコ−ル等にエピクロロヒドリンを反応させてエ
ポキシ基を導入したエポキシ樹脂等に硬化剤(ジアミ
ン、ポリアミン、ポリアミド、無水有機酸、ビニルフェ
ノ−ル等)を混合し、アルミナ、炭酸カルシウム等のフ
ィラ−を添加したものを使用できる。その外、不飽和ポ
リエステル、ジアリルフタレ−ト樹脂、シリコ−ン、ポ
リウレタンを硬化性樹脂とする硬化性樹脂液を使用する
こともできる。
【0027】上記プラスチックフィルムには、厚み5μ
m〜260μm好ましくは160μm〜210μmの熱
可塑性樹脂フィルムを使用できる。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレ−ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリブチ
レンテレフタレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリエ
チレンサルファイド、ポリサルホン等のエンジニアリン
グプラスチック、ホリアセタ−ル、ポリカ−ボネ−ト、
ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポ
リエ−テルエ−テルレトン、ポリエ−テルイミド等のエ
ンジニアリングプラスチックやポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンポリテト
ラフルオロエチレン共重合体、エチレン酢酸ビニル共重
合体(EVA、AS樹脂、ABS樹脂、アイオノマ−、
AAS樹脂、ACS樹脂等)の中から選択される。
【0028】上記実施例においては、リ−ド導体にニッ
ケルを使用しているがリ−ド導体の溶接接合される金属
面がステンレス、アルミまたは鉄の場合は、ステンレス
リ−ド導体、アルミリ−ド導体または鉄リ−ド導体が使
用される。これらのリ−ド導体の場合も、低融点可溶合
金片の接合時や機器への溶接接合時にリ−ド導体を安定
に保持してそれらの溶接を容易に行うことができるよう
に、またリ−ド導体を溶接上折り曲げても、その折り曲
げ部位でのクラック発生を排除して容易に溶接できるよ
うに厚みが設定され、例えばステンレスリ−ド導体の場
合、50μm〜300μmに設定される。
【0029】上記何れの実施例においても、絶縁板に抵
抗体を取付け、温度以外の異常例えば二次電池過充電時
の電圧上昇を検知して抵抗体を通電発熱させ、この通電
発熱で低融点可溶合金片を溶断させること、すなわち異
常昇温とこれ以外の異常との双方で温度ヒュ−ズを作動
させることもできる。
【0030】上記何れの実施例に係る合金型温度ヒュ−
ズを製造するには、通常、導電ペ−ストの焼付け電極を
研磨したのち、リ−ド導体の接合及び低融点可溶合金片
の溶着を行うが、研磨前に導電ペ−ストの焼付け電極に
リ−ド導体を接合し、而るのち、電極表面を研磨し、該
研磨面に低融点可溶合金片を溶着することもできる。
【0031】図4の(イ)は本発明に係る合金型温度ヒ
ュ−ズの他の別例を示す図面、図4の(ロ)は図4の
(イ)におけるロ−ロ断面図である。図4において、1
1はプラスチックベ−スフィルムである。3,3はニッ
ケル帯状リ−ド導体であり、先端部を銅箔(銅合金箔も
含まれる)のクラッドまたは銅めっきにより銅導体と
し、その先端部裏面をプラスチックベ−スフィルム11
の上面に熱プレスで融着してある。4は低融点可溶合金
片であり、リ−ド導体先端部の銅導体表面を研磨しその
研磨銅導体表面に低融点可溶合金片端を溶着してある。
5は低融点可溶合金片に塗布したフラックス、12はプ
ラスチックベ−スフィルム11の表面上に配したプラス
チックカバ−フィルムであり、プラスチックカバ−フィ
ルムの周辺のフィルム間及びプラスチックカバ−フィル
ムと帯状リ−ド導体との間を熱プレスや超音波融着或い
は接着剤等で封止してある。
【0032】図5の(イ)は、本発明に係る温度ヒュ−
ズの上記とは別の例を示す図面、図5の(ロ)は図5の
(イ)におけるロ−ロ断面図であり、ニッケル帯状リ−
ド導体3,3の先端部を銅箔(銅合金箔も含まれる)の
クラッドまたは銅めっきにより銅導体とし、その先端部
を熱プレス等でプラスチックベ−スフィルム11にその
裏面側から表面側に表出させて融着し、次いで、これら
の帯状リ−ド導体先端部の表出部(銅面)31,31を
研磨し、その研磨銅導体面に低融点可溶合金片4を溶着
し、低融点可溶合金片4にフラックス5を塗布し、プラ
スチックカバ−フィルム12でフラックス塗布低融点可
溶合金片を封止してある。
【0033】上記何れの実施例においても、研磨範囲は
低融点可溶合金片の被溶着箇所を完全に含む領域であ
る。また、ニッケル帯状リ−ド導体3,3の先端部を銀
めっきまたは金めっきにより銀導体または金導体とする
こともできる。
【0034】図4及び図5に示す実施例においては、ニ
ッケルリ−ド導体の先端部表面をリ−ド導体の材質であ
るニッケルよりもはんだ付け性に優れた銅または銀また
は金導体にしてあるが、その先端部をプラスチックベ−
スフィルム11に融着する際の加熱で銅または銀または
金導体表面に形成される酸化膜や加熱によってプラスチ
ックベ−スフィルムから発生する気化物の附着を残存さ
せると、折角付与された良はんだつけ性が毀損されるこ
とになる。
【0035】しかしながら、本発明に係る合金型温度ヒ
ュ−ズにおいては、銅または銀または金導体表面を研磨
したうえでその研磨面に低融点可溶合金片端を溶着して
いるから、低融点可溶合金片の溶着界面の抵抗値を充分
に低くでき、また、溶着性の向上により界面溶着強度を
高くでき、低融点可溶合金片の断面積を安定に維持でき
る。従って、溶着部を含めた低融点可溶合金片の抵抗値
を充分に低くでき、定格電流値を大きく設定しても、低
融点可溶合金片の自己発熱を防止して所定の温度で適確
に作動させ得る。また、封止とフラックス塗布との二重
の酸化防止機構により、銅または銀または金導体の研磨
表面の後発的酸化をよく防止できるから、溶融した低融
点可溶合金の銅または銀導体表面への濡れをよく保証で
き、温度ヒュ−ズの作動時、溶融した低融点可溶合金が
溶融フラックスとの共存下で銅または銀または金導体表
面によく濡れて迅速に分断され得る。従って、図4や図
5に示す実施例において、定格電流値を高く設定して
も、低融点可溶合金片の自己発熱をよく抑えて低融点可
溶合金片の融点で規制された温度で適確に作動させるこ
とができる。
【0036】これらの実施例においても、低融点可溶合
金片やフラックスには前記実施例と同じものを使用でき
る。また、前記実施例と同様に、ニッケル帯状リ−ド導
体のビッカ−ス硬度を100〜280、厚みを50〜8
50μmにすることが好ましい。また、前記実施例と同
様に、二次電池の缶体に一方のリ−ド導体を溶接して使
用でき、リ−ド導体が溶接接合される金属面がステンレ
ス、アルミまたは鉄の場合は、ステンレスリ−ド導体、
アルミリ−ド導体または鉄リ−ド導体を使用できる。こ
れらのリ−ド導体の場合も、低融点可溶合金片の接合時
や機器への溶接接合時にリ−ド導体を安定に保持してそ
れらの溶接を容易に行うことができるように、またリ−
ド導体を溶接上折り曲げても、その折り曲げ部位でのク
ラック発生を排除して容易に溶接できるように厚みが設
定され、例えばステンレスリ−ド導体の場合、50μm
〜300μmに設定される。さらに、上記プラスチック
ベ−スフィルムやプラスチックカバ−フィルムには前記
実施例において使用したプラスチックフィルムを使用す
ることができる。
【0037】
【実施例】〔実施例1〕図1に示す構成の合金型温度ヒ
ュ−ズであり、導電ペ−ストには銀ペ−ストで銀/バイ
ンダ−の重量比が100/20であり、銀粒体の平均粒
子径がほぼ10μm、バインダ−用粒体の平均粒子径が
ほぼ5μmのものを使用した。この導電ペ−ストをスク
リ−ンメツシュとスキ−ジを用いて厚み500μm×巾
5.0mm×長さ80mmのアルミナセラミックス板上
に電極形状に印刷し、さらに温度120℃×15分で乾
燥し、次いでピ−ク温度850℃×10分、60分サイ
クルで焼成し、その電極表面を砥石車で研磨し、各電極
にニッケル帯状リ−ド導体を抵抗溶接により接合し、更
に、電極間にに直径0.5mm、共晶点温度94℃の低
融点可溶合金線を溶接した。低融点可溶合金線を溶接し
たのちの電極間の抵抗値を測定したところ2mΩであっ
た。更に、低融点可溶合金線にフラックスを塗布し、エ
ポキシ樹脂で封止を行って本発明に係る合金型温度ヒュ
−ズを得た。この合金型温度ヒュ−ズにつき(試料数2
0箇)、2Aの電流を流しつつオイル浴に浸漬し、オイ
ルを加熱速度1℃/分で昇温したところ、オイル温度9
3℃(20個の平均値)で溶断作動した。
【0038】〔比較例1〕電極表面の研磨を省略した以
外、実施例1に同じとした。実施例1と同様に2A通電
下での溶断試験を行ったところ、オイル温度91.5℃
(20個の平均値)で溶断作動した。この溶断作動温度
は実施例1の場合に較べ1.5℃低く、低融点可溶合金
線の自己発熱による作動誤差が認められた。
【0039】〔実施例2〕図5に示す構成であり、プラ
スチックベ−スフィルム及びプラスチックカバ−フィル
ムに厚み150μm、平面寸法5mm×11mmのポリ
エチレンテレフタレ−トフィルムを使用し、帯状リ−ド
導体には厚み100μm、ビッカ−ス硬度190(ビッ
カ−ス硬度は島津製作所製合金型温度ヒュ−ズMV−2
000で測定した)、巾3.5mm、長さ13mmのニ
ッケル帯状体の先端部に銅箔をクラッドしたものを使用
した。プラスチックベ−スフィルムに裏面より表面にリ
−ド導体の先端部を加熱プレスに現出させ、その現出銅
箔面を砥石車で研磨のうえ、直径0.3mm、共晶点温
度94℃の低融点可溶合金線を溶接した。低融点可溶合
金線を溶接したのちの現出銅箔面間の抵抗値を測定した
ところ10mΩであった。更に、低融点可溶合金線にフ
ラックスを塗布し、プラスチックカバ−フィルムの周辺
をヒ−トシ−ルにより封止して本発明に係る合金型温度
ヒュ−ズを得た。この合金型温度ヒュ−ズにつき(試料
数20箇)、3Aの電流を流しつつオイル浴に浸漬し、
オイルを加熱速度0.5℃/分で昇温したところ、オイ
ル温度93.4℃(20個の平均値)で溶断作動した。
【0040】〔比較例2〕現出銅箔面の研磨を省略した
以外、実施例2に同じとした。実施例2と同様に2 通
電下での溶断試験を行ったところ、オイル温度91.1
℃(20個の平均値)で溶断作動した。この溶断作動温
度は実施例1の場合に較べ2.3℃低く、低融点可溶合
金線の自己発熱による作動誤差が認められた。
【0041】
【発明の効果】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズは、二
次電池、特にリチウムイオン二次電池の異常昇温防止用
プロテクタ−として使用するにあたり、薄型・小型を施
用し、リ−ド導体を電池缶体との溶接性に優れた材質と
するにとどまらず、その二次電池の高いエネルギ−密度
にみあう高い定格電流のもとでも上記二次電池の異常昇
温防止を適確に行い得る構成としてあり、二次電池、特
にリチウムイオン二次電池の異常昇温防止に極めて有用
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの一実施例を
示す図面である。
【図2】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは異
なる実施例を示す図面である。
【図3】図2に示す合金型温度ヒュ−ズの使用状態の一
例を示す図面である。
【図4】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは異
なる実施例を示す図面である。
【図5】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは異
なる実施例を示す図面である。
【図6】異なる従来例を示す図面である。
【符号の説明】
1 絶縁板 11 プラスチックベ−スフィルム 2 導電ペ−スト焼付け電極 3 ニツケルリ−ド導体 4 低融点可溶合金片 5 フラックス 6 樹脂層 12 プラスチックカバ−フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川西 俊朗 大阪市中央区島之内1丁目11番28号 内橋 エステック株式会社内 Fターム(参考) 5G502 AA02 BA03 BB10 BB13 BC02 BC08 CC01 FF08 5H022 AA09 BB11 CC09 CC12 EE03 EE04 KK01

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属粒体を導電性成分とする導電ペ−スト
    の焼付けにより形成された対向電極を有し、各電極にリ
    −ド導体が接合され、両電極間に低融点可溶合金片が接
    続され、低融点可溶合金片にフラックスが塗布され、フ
    ラックス塗布低融点可溶合金片が封止されてなる温度ヒ
    ュ−ズであり、電極表面が研磨されその研磨面に低融点
    可溶合金片端が溶着され、リ−ド導体がニッケル導体と
    されていることを特徴とする合金型温度ヒュ−ズ。
  2. 【請求項2】金属粒体を導電性成分とする導電ペ−スト
    の焼付けにより絶縁基板に対向電極が設けられ、各電極
    にリ−ド導体が接合され、両電極間に低融点可溶合金片
    が接続され、低融点可溶合金片にフラックスが塗布さ
    れ、フラックス塗布低融点可溶合金片が封止されてなる
    温度ヒュ−ズであり、電極表面が研磨されその研磨面に
    低融点可溶合金片端が溶着され、リ−ド導体がニッケル
    導体とされていることを特徴とする合金型温度ヒュ−
    ズ。
  3. 【請求項3】フラックス塗布低融点可溶合金片の封止
    が、絶縁基板を包囲するプラスチックフィルムにより行
    われている請求項2記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  4. 【請求項4】電極の研磨表面における金属粒体の占める
    割合が80%以上である請求項1〜3何れか記載の合金
    型温度ヒュ−ズ。
  5. 【請求項5】ニッケルリ−ド導体が帯状であり、そのビ
    ッカ−ス硬度が100〜280、厚みが50〜850μ
    mである請求項1〜4何れか記載の合金型温度ヒュ−
    ズ。
  6. 【請求項6】定格電流値が0.1A〜15Aである請求
    項1〜5何れか記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  7. 【請求項7】リ−ド導体が電池の缶体に溶接される請求
    項1〜6何れか記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  8. 【請求項8】ニッケルリ−ド導体に代え、ステンレスリ
    −ド導体、アルミリ−ド導体または鉄リ−ド導体の何れ
    かが使用されている請求項1〜7何れか記載の合金型温
    度ヒュ−ズ。
  9. 【請求項9】一対の帯状リ−ド導体の先端部がプラスチ
    ックベ−スフィルムの裏面より表面に水密に現出され、
    かつリ−ド導体とプラスチックベ−スフィルムとの間が
    融着され、現出導体間に低融点可溶合金片が接続され、
    低融点可溶合金片にフラックスが塗布され、フラックス
    塗布低融点可溶合金片が封止されてなる温度ヒュ−ズで
    あり、帯状リ−ド導体が先端部表面が銅または銀または
    金導体とされたニッケル導体であり、その銅または銀ま
    たは金導体表面が研磨され該研磨面に低融点可溶合金片
    端が溶着されていることを特徴とする合金型温度ヒュ−
    ズ。
  10. 【請求項10】一対の帯状リ−ド導体の先端部がプラス
    チックベ−スフィルムの表面に融着され、その先端部間
    に低融点可溶合金片が接続され、低融点可溶合金片にフ
    ラックスが塗布され、フラックス塗布低融点可溶合金片
    が封止されてなる温度ヒュ−ズであり、帯状リ−ド導体
    が先端部表面が銅または銀または金導体とされたニッケ
    ル導体であり、その銅または銀または金導体表面が研磨
    され該研磨面に低融点可溶合金片端が溶着されているこ
    とを特徴とする合金型温度ヒュ−ズ。
  11. 【請求項11】ニッケル帯状リ−ド導体のビッカ−ス硬
    度が100〜280、厚みが50〜850μmである請
    求項9または10記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  12. 【請求項12】定格電流値が0.1A〜15Aである請
    求項9〜11何れか記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  13. 【請求項13】帯状リ−ド導体が電池の缶体に溶接され
    る請求項9〜12何れか記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  14. 【請求項14】ニッケル帯状リ−ド導体に代え、ステン
    レス帯状リ−ド導体、アルミ帯状リ−ド導体または鉄帯
    状リ−ド導体の何れかが使用されている請求項9〜13
    何れか記載の合金型温度ヒュ−ズ。
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