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JP2000342668A - Deodorant sheet - Google Patents

Deodorant sheet

Info

Publication number
JP2000342668A
JP2000342668A JP11160153A JP16015399A JP2000342668A JP 2000342668 A JP2000342668 A JP 2000342668A JP 11160153 A JP11160153 A JP 11160153A JP 16015399 A JP16015399 A JP 16015399A JP 2000342668 A JP2000342668 A JP 2000342668A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deodorant
formula
positive number
represented
zirconium oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11160153A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Yamada
芳範 山田
Toshiro Hirukawa
敏郎 蛭川
Kotaro Yoneda
耕太郎 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
Priority to JP11160153A priority Critical patent/JP2000342668A/en
Publication of JP2000342668A publication Critical patent/JP2000342668A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Disinfection, Sterilisation Or Deodorisation Of Air (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive sheet as small as it is mountable within various devices in a manufacturing process by supporting a deodorant consisting of at least one compound selected from a water-insoluble or hardly soluble tetravalent metal phosphate represented by either one of two specified formulae and a specified material represented by a specified formula on a low dust generating material. SOLUTION: In this deodorant sheet, a deodorant consisting of at least one compound selected from a water-soluble or hardly soluble tetravalent metal phosphate represented by formula I or II, and aluminum silicate, a hydrotalcite compound or baked matter thereof, hydrated zirconium oxide, zirconium oxide and polyamine supported amorphous silicon dioxide, which are represented by formula III, is supported on a low dust generating material. In formula I, M is a tetravalent metal, (a)-(d) each are a positive number satisfying the equation (a+4b=2c+3d), and (n) is 0 or an integer. In formula II, A is a monovalent metal, B is a divalent metal, M is a 4-valent metal, (a')-(e') and (n) each are 0 or a positive number. In formula III, (n) is an integer of n>=6, and (m) is an integer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造関連施
設において、半導体製品の機能に悪影響を与える有害ガ
スを雰囲気から除去することのできる消臭シートに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deodorizing sheet capable of removing harmful gases that adversely affect the function of a semiconductor product from an atmosphere in a facility related to semiconductor manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体製造工場では、現像、
エッチング、研磨、洗浄などの製造工程において酸、ア
ルカリ、酸化剤等の様々な化学薬品が大量に使用される
一方で、化学増感レジストなど、化学汚染に非常に敏感
な工程も混在している。このため、半導体製造工場のい
わゆるクリーンルームでは空気中の粒子状物質を取り除
く除塵設備の他に、空気中の化学汚染の除去が必須とさ
れ、ケミカルフィルター装置と呼ばれる化学汚染の除去
装置を備えているのが普通である。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing plant, development,
Various chemicals such as acids, alkalis, and oxidizing agents are used in large quantities in manufacturing processes such as etching, polishing, and cleaning, while processes that are extremely sensitive to chemical contamination, such as chemically sensitized resists, are also mixed. . For this reason, in a so-called clean room of a semiconductor manufacturing plant, in addition to dust removal equipment for removing particulate matter in the air, it is essential to remove chemical contamination in the air, and a chemical filter device called a chemical filter device is provided. Is common.

【0003】ケミカルフィルターには活性炭に過マンガ
ン酸カリを含浸させたものなどが一般的に用いられてい
るが、除塵装置に比べて体積あたりの処理容量が低い事
からクリーンルームの大型化に伴ってフィルター装置自
体が著しく巨大なものになってきており、また、その設
置運転のコストも膨大になってきたため、代替技術が求
められていた。
[0003] As a chemical filter, one obtained by impregnating activated carbon with potassium permanganate is generally used. However, since the processing capacity per volume is lower than that of a dust removing device, the size of a clean room is increased. As the filter device itself has become extremely large and the cost of installation and operation has become enormous, alternative technologies have been required.

【0004】このような問題に対して、半導体工場全体
を清浄空気で覆う事は効率が悪いので止め、個々の製造
装置とそれらをつなぐ搬送装置の内部雰囲気だけを清浄
化することにより空気清浄化のコストを下げようとする
方法が一般的になりつつある。この時問題になるのが、
個々の装置内部の空気清浄化方法である。除塵装置は比
較的容易に小型化されて各装置に付属させることができ
るのに比べて、ケミカルフィルター装置は大きな体積を
とるため、装置本体の大きさを変えずに内部に取り付け
る事には無理があり、装置自体が無用に大型化したり、
装置外に飛び出したケミカルフィルター装置との干渉を
避けるために装置間の搬送路が長くなったりして非効率
なばかりでなく、製品歩留まりにも悪影響を与える恐れ
があった。
[0004] In order to solve such a problem, covering the entire semiconductor factory with clean air is inefficient, so it is stopped, and only the internal atmosphere of each manufacturing apparatus and the transporting apparatus connecting them is cleaned to purify the air. Methods that try to lower the cost of employment are becoming more common. The problem at this time is
This is a method of purifying the air inside each device. The dust filter can be relatively easily miniaturized and attached to each device, but the chemical filter device takes up a large volume, making it impossible to install it inside the device without changing its size. And the equipment itself becomes unnecessarily large,
In order to avoid interference with the chemical filter device that has protruded out of the device, the transport path between the devices becomes longer, which is not only inefficient, but also has a risk of adversely affecting the product yield.

【0005】[0005]

【本発明が解決しようとする課題】半導体製造工程にお
いて、化学物質によるケミカル汚染が製品に悪影響を及
ぼすのを避けるため、従来はケミカルフィルター装置が
使用されてきたが、大きくて高コストであることが問題
になっていた。そこで、製造工程の個々の装置内部に装
備できるほど小型で、なおかつ安価なケミカル汚染除去
の方法が必要とされていた。
In the semiconductor manufacturing process, a chemical filter device has conventionally been used in order to prevent chemical contamination by a chemical substance from adversely affecting a product, but it is large and expensive. Was in question. Therefore, there has been a need for a method of removing chemical contamination which is small enough to be installed inside each device in the manufacturing process and is inexpensive.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決するため鋭意検討した結果、特定の無機系消臭剤
を、低発塵性の材料に担持し、有害ガスの影響を避けた
い場所の近傍等、任意の場所に取り付けて有害ガスを捕
捉除去できる消臭性シートを完成させた。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems, and as a result, a specific inorganic deodorant is supported on a low-dusting material to avoid the influence of harmful gases. We have completed a deodorant sheet that can be attached to an arbitrary location, such as near a desired location, and can capture and remove harmful gases.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 ○消臭剤 本発明において、有害ガスを捕捉する機能を持つ物質
は、一般的な用途として悪臭物質を捕捉する消臭剤と本
質的に同じ物であるので、一般的な名称にならって消臭
剤と呼ぶ。当該目的に用いられる消臭剤としては、以下
に列記するものの中から少なくとも1種が選ばれるが、
対象とする有害ガスの種類によってこれらの内の複数あ
るいは多数を同時に使用する事も差し支えない。これら
の消臭剤は、いずれも人体に対する毒性が極めて低い化
合物である。下記一般式〔1〕で表される水に対して不
溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩、または一般式
〔3〕で表される珪酸アルミニウム
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. ○ Deodorant In the present invention, a substance having a function of trapping harmful gases is essentially the same as a deodorant that traps malodorous substances for general use. Called odorant. As the deodorant used for the purpose, at least one is selected from those listed below,
Depending on the type of the harmful gas to be targeted, a plurality or a large number of them may be used at the same time. All of these deodorants are compounds having extremely low toxicity to the human body. A water-insoluble or hardly soluble tetravalent metal phosphate represented by the following general formula [1], or aluminum silicate represented by the general formula [3]

【0008】[0008]

【化4】 Ha b c (PO4 d ・nH2 O 〔1〕 〔Mは4価金属であり、a、b、c及びdは式(a+4
b=2c+3d)を満たす正数であり(但し、cは0で
あっても良い)、nは0又は正数である。〕
Embedded image H a M b O c (PO 4) d · nH 2 O (1) [M is a tetravalent metal, a, b, c and d are the formula (a + 4
b = 2c + 3d) is a positive number (however, c may be 0), and n is 0 or a positive number. ]

【0009】[0009]

【化5】 Al23・nSiO2・mH2O 〔3〕Embedded image Al 2 O 3 .nSiO 2 .mH 2 O [3]

【0010】但し、式中、nはn≧6の整数であり、m
は整数を示す。
Where n is an integer of n ≧ 6, and m
Represents an integer.

【0011】下記一般式〔2〕で示される水に対して不
溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩。
A water-insoluble or sparingly soluble tetravalent metal phosphate represented by the following general formula [2]:

【0012】[0012]

【化6】 Ha' b' c' d'e' (PO4 f' ・nH2 O 〔2〕Embedded image H a 'A b' B c 'M d' O e '(PO 4) f' ・ NH 2 O [2]

【0013】〔Aは1価金属であり、Bは2価金属であ
り、Mは4価金属であり、a'、b'、c'、e'及びnは
0又は正数であって、bとcが共に0であることはな
く、d'及びf'は正数であり、a'、b'、c'、d'、
e'及びf'は式(a'+b'+2c'+4d'=2e'+3
f')を満たす。〕
[A is a monovalent metal, B is a divalent metal, M is a tetravalent metal, and a ', b', c ', e', and n are 0 or a positive number; b and c are not both 0, d 'and f' are positive numbers, and a ', b', c ', d',
e ′ and f ′ are given by the formula (a ′ + b ′ + 2c ′ + 4d ′ = 2e ′ + 3
f ′). ]

【0014】ハイドロタルサイト化合物又はその焼成
物、水和酸化ジルコニウム、及び酸化ジルコニウムより
選ばれる少なくとも1種。非晶質二酸化ケイ素にポリア
ミン化合物又を担持させたもの。
At least one selected from a hydrotalcite compound or a calcined product thereof, hydrated zirconium oxide, and zirconium oxide. A material in which a polyamine compound or the like is supported on amorphous silicon dioxide.

【0015】上記一般式〔1〕で表される水に対して不
溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩または一般式〔3〕
で表される珪酸アルミニウムは、半導体製造工程で最も
問題となっているアンモニアの他、トリメチルアミン、
トリエチルアミン及びピリジン等のアミン類化合物等の
塩基性ガスに対して優れた捕捉効果を発揮するものであ
る。上式〔1〕におけるMの好ましい具体例として、ジ
ルコニウム、チタン、スズ、セリウム、ハフニウム等が
あり、ジルコニウム、チタンがより好ましい。また、好
ましいa、b、c及びdの各係数は以下の数である。 a=1、b=1、c=1、d=1 a=1、b=2、c=0、d=3 a=2、b=1、c=0、d=2
The water-insoluble or hardly soluble tetravalent metal phosphate represented by the general formula [1] or the general formula [3]
Aluminum silicate represented by is the most problematic in the semiconductor manufacturing process, ammonia, trimethylamine,
It exhibits an excellent capturing effect on basic gases such as amine compounds such as triethylamine and pyridine. Preferred specific examples of M in the above formula [1] include zirconium, titanium, tin, cerium, hafnium and the like, with zirconium and titanium being more preferred. The preferred coefficients a, b, c and d are the following numbers. a = 1, b = 1, c = 1, d = 1 a = 1, b = 2, c = 0, d = 3 a = 2, b = 1, c = 0, d = 2

【0016】a=1、b=1、c=1、d=1で示され
る4価金属リン酸塩は、平均粒径が1μm以下の非晶質
微粒子として得やすい化合物であり、a=1、b=2、
c=0、d=3で示される4価金属リン酸塩は、ナシコ
ン型結晶質化合物又は非晶質化合物であり、a=2、b
=1、c=0、d=2で示される4価金属リン酸塩は、
1水塩であるα型結晶、無水塩であるβ型結晶及び2水
塩であるγ型結晶等の層状構造を有する結晶質化合物又
は非晶質化合物である。このうち、特に好ましいもの
は、結晶の層間距離が最も大きく、消臭速度が大きいこ
とから、a=2、b=1、c=0、d=2の係数を有す
るγ型結晶である。
The tetravalent metal phosphate represented by a = 1, b = 1, c = 1, and d = 1 is a compound which is easily obtained as amorphous fine particles having an average particle diameter of 1 μm or less. , B = 2,
The tetravalent metal phosphate represented by c = 0 and d = 3 is a NASICON-type crystalline compound or an amorphous compound, and a = 2, b
= 1, c = 0, d = 2, a tetravalent metal phosphate represented by
It is a crystalline compound or an amorphous compound having a layered structure, such as an α-type crystal which is a monohydrate, a β-type crystal which is an anhydrous salt, and a γ-type crystal which is a dihydrate. Among them, a particularly preferable one is a γ-type crystal having coefficients of a = 2, b = 1, c = 0, and d = 2 since the interlayer distance between the crystals is the largest and the deodorizing speed is high.

【0017】珪酸アルミニウムは結晶質であっても非晶
質であって良いが、非晶質であることが消臭効果が高い
ことから好ましい。又、本発明の珪酸アルミニウムの比
表面積は20〜800m2/gであり、より好ましく
は、200〜800m2/gである。比表面積が小さす
ぎると悪臭ガスの消臭性能が小さくなる為好ましくな
い。なお、比表面積は、窒素吸着量から算出するBET
法により、容易に測定できる。
The aluminum silicate may be crystalline or amorphous, but is preferably amorphous because it has a high deodorizing effect. The specific surface area of the aluminum silicate of the present invention is 20~800m 2 / g, more preferably 200~800m 2 / g. If the specific surface area is too small, the deodorizing performance of the offensive odor gas becomes small, which is not preferable. The specific surface area is calculated by BET calculated from the amount of adsorbed nitrogen.
It can be easily measured by the method.

【0018】式[1]及び[3]で示される消臭剤の好
ましい具体例としては以下の化合物がある。 HTiO(PO4 ) HZrO(PO4 ) HZr2 (PO4 3 ・H2 O HTi2 (PO4 3 ・H2 O HSn2 (PO4 3 ・3H2 O H2 Zr(PO4 22 Ti(PO4 2 ・2H2 O H2 Sn(PO4 2 ・H2 O Al23・9SiO2・9H2
Preferred specific examples of the deodorants represented by the formulas [1] and [3] include the following compounds. HTiO (PO 4) HZrO (PO 4) HZr 2 (PO 4) 3 · H 2 O HTi 2 (PO 4) 3 · H 2 O HSn 2 (PO 4) 3 · 3H 2 O H 2 Zr (PO 4) 2 H 2 Ti (PO 4) 2 · 2H 2 O H 2 Sn (PO 4) 2 · H 2 O Al 2 0 3 · 9SiO 2 · 9H 2 O

【0019】一般式〔2〕で表される水に対して不溶性
又は難溶性の4価金属リン酸塩は、半導体製造工程中の
洗浄、エッチング、レジスト剥離工程等で発生する低級
有機酸ガスや、硫化水素やメチルメルカプタン等の含硫
黄系ガスに対して優れた消臭性を発揮する。上式〔2〕
におけるMの好ましい具体例として、ジルコニウム、チ
タン、スズ、セリウム、ハフニウム等があり、ジルコニ
ウム、チタンがより好ましい。1価又は2価の金属の好
ましい具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウム、銅、鉄、亜鉛、ニッケル、マンガン及
びコバルト等がある。これらの中でも、ナトリウム、カ
リウム、銅、亜鉛及びマンガンが好ましい。式[2]に
おける好ましいa'、b'、c'、d'、e'及びf'の各係
数は以下の式を満たす数である(但し、a',b'及び
c'は0であっても良く、b'とc'が共に0であること
はない)。 a'+b'+2c'=1、d'=1、e'=1、f'=1 a'+b'+2c'=1、d'=2、e'=0、f'=3 a'+b'+2c'=2、d'=1、e'=0、f'=2 式〔2〕で表される4価金属リン酸塩は、式〔1〕で表
される化合物の水素の一部又は全部を、1価又は2価の
金属で置換した構造を有する化合物であり、特に好まし
いものは、式(a'+b'+2c'=2、d'=1、e'=
0、f'=2)を満たす係数(但し、a,b及びcは0
であっても良く、bとcが共に0であることはない)を
有するγ型の層状構造を有する結晶質化合物である。
The water-insoluble or sparingly soluble tetravalent metal phosphate represented by the general formula [2] can be used to remove lower organic acid gas generated in washing, etching, resist stripping steps, etc. in the semiconductor manufacturing process. It exhibits excellent deodorizing properties against sulfur-containing gases such as hydrogen sulfide and methyl mercaptan. The above equation [2]
Specific examples of M in the above include zirconium, titanium, tin, cerium, hafnium, and the like, and zirconium and titanium are more preferable. Preferred specific examples of the monovalent or divalent metal include lithium, sodium, potassium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, copper, iron, zinc, nickel, manganese, and cobalt. Among these, sodium, potassium, copper, zinc and manganese are preferred. The preferable coefficients of a ′, b ′, c ′, d ′, e ′ and f ′ in the formula [2] are numbers satisfying the following formulas (provided that a ′, b ′ and c ′ are 0). And b ′ and c ′ are not both 0). a ′ + b ′ + 2c ′ = 1, d ′ = 1, e ′ = 1, f ′ = 1 a ′ + b ′ + 2c ′ = 1, d ′ = 2, e ′ = 0, f ′ = 3 a ′ + b ′ + 2c ′ = 2, d ′ = 1, e ′ = 0, f ′ = 2 The tetravalent metal phosphate represented by the formula [2] is a part of the hydrogen of the compound represented by the formula [1] or Compounds having a structure in which all are substituted with a monovalent or divalent metal are particularly preferable. The compounds having the formula (a ′ + b ′ + 2c ′ = 2, d ′ = 1, e ′ =
0, f ′ = 2) (where a, b and c are 0)
And both of b and c are not 0) is a crystalline compound having a γ-type layered structure.

【0020】ハイドロタルサイト化合物とは下記一般式
〔4〕で表わされるハイドロタルサイト構造を有する化
合物であり、最も好ましい化合物としてマグネシウム−
アルミニウムハイドロタルサイトがある。
The hydrotalcite compound is a compound having a hydrotalcite structure represented by the following general formula [4].
There is aluminum hydrotalcite.

【0021】[0021]

【化7】 M1 (1-x)2 x(OH)2n- (x/n)・mH2 O 〔4〕Embedded image M 1 (1-x) M 2 x (OH) 2 A n- (x / n) · mH 2 O [4]

【0022】(M1 は2価の金属であり、M2 は3価の
金属であり、xは0より大きく0.5以下の数であり、
An−は炭酸イオン、硫酸イオン等のn価の陰イオンで
あり、mは正数である。) ハイドロタルサイト焼成物とは、ハイドロタルサイト化
合物を約500℃以上で焼成し、炭酸根や水酸基が脱離
することにより得られる化合物である。水和酸化ジルコ
ニウムは、結晶質及び非晶質のいずれであっても良く、
オキシ水酸化ジルコニウム、水酸化ジルコニウム、含水
酸化ジルコニウム及び酸化ジルコニウム水和物と同義の
化合物である。
(M 1 is a divalent metal, M 2 is a trivalent metal, x is a number greater than 0 and 0.5 or less,
An- is an n-valent anion such as a carbonate ion or a sulfate ion, and m is a positive number. The calcined product of hydrotalcite is a compound obtained by calcining a hydrotalcite compound at about 500 ° C. or higher and eliminating carbonate groups and hydroxyl groups. The hydrated zirconium oxide may be either crystalline or amorphous,
It is a compound having the same meaning as zirconium oxyhydroxide, zirconium hydroxide, hydrous zirconium oxide and zirconium oxide hydrate.

【0023】酸化ジルコニウムは、結晶質及び非晶質の
いずれであっても良いが、高い消臭性を発揮させるには
非晶質が好ましい。本発明における酸化ジルコニウムと
しては、市販品をそのまま使用してもよく、又上記水和
酸化ジルコニウムを焼成した無水物を用いても良い。水
和酸化ジルコニウムを焼成して非晶質の酸化ジルコニウ
ムを得る際の好ましい焼成温度は150 ℃〜350 ℃であ
る。
The zirconium oxide may be either crystalline or amorphous, but is preferably amorphous in order to exhibit high deodorizing properties. As the zirconium oxide in the present invention, a commercially available product may be used as it is, or an anhydride obtained by calcining the above hydrated zirconium oxide may be used. The preferred firing temperature for firing amorphous hydrated zirconium oxide to obtain amorphous zirconium oxide is 150 ° C to 350 ° C.

【0024】ハイドロタルサイト、ハイドロタルサイト
焼成物、水和酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム等
は、半導体製造工程で発生するふっ化水素酸やフェノー
ル等の酸性ガスを捕捉する効果が高い。
Hydrotalcite, calcined hydrotalcite, hydrated zirconium oxide, zirconium oxide and the like have a high effect of trapping acidic gases such as hydrofluoric acid and phenol generated in the semiconductor manufacturing process.

【0025】非晶質二酸化ケイ素(以下、単に二酸化ケ
イ素という)に、ポリアミンを担持させたものは、耐熱
性が高く、半導体製造工場の内装塗料や接着剤等から発
生して半導体製造工程に悪影響を及ぼすホルムアルデヒ
ド等のアルデヒドガスの捕捉に効果が高い。その構成と
して、まず好ましい二酸化ケイ素としては、比表面積が
50〜900m2/gであり、平均細孔径が0.1〜10nm
であり、且つ平均粒径が0.1mm〜100mmである。特に好ま
しい比表面積は、100〜800m2/gであり、平均
細孔径は、1〜8nmである。
An amorphous silicon dioxide (hereinafter simply referred to as silicon dioxide) having a polyamine supported thereon has a high heat resistance and is generated from an interior paint, an adhesive or the like in a semiconductor manufacturing plant and adversely affects the semiconductor manufacturing process. It is highly effective in trapping aldehyde gas such as formaldehyde, which causes aldehyde gas. As its composition, first, as preferred silicon dioxide, the specific surface area is
50 to 900 m 2 / g, average pore size of 0.1 to 10 nm
And the average particle size is 0.1 mm to 100 mm. A particularly preferred specific surface area is 100 to 800 m 2 / g, and an average pore diameter is 1 to 8 nm.

【0026】比表面積が小さ過ぎると、アミン化合物と
アルデヒドガスとの接触面積が減少し、ガス吸着量が損
なわれる。また、比表面積が大きすぎるものは、細孔径
が小さくなりすぎて、常圧下ではアルデヒドガスが細孔
内に入ることができない。比表面積は、窒素吸着量から
算出するBET法により、容易に測定できる。また、平
均細孔径が大きすぎると、比表面積が減り、ポリアミン
化合物の担持量が少なくなり、アルデヒド類のガス吸着
性能が低下する。平均細孔径が大きすぎるにも係らず比
表面積を充分な大きさにしようとすると、多孔質体にお
ける空隙率が大きくなりすぎ、機械的強度が小さくなっ
たり、ポリアミン化合物を担持する能力が弱くなり、僅
かな熱によりアミン化合物を放出してしまうという問題
があるため好ましくない。
If the specific surface area is too small, the contact area between the amine compound and the aldehyde gas decreases, and the gas adsorption amount is impaired. On the other hand, if the specific surface area is too large, the pore diameter becomes too small, and aldehyde gas cannot enter the pores under normal pressure. The specific surface area can be easily measured by the BET method calculated from the nitrogen adsorption amount. On the other hand, when the average pore diameter is too large, the specific surface area decreases, the amount of the polyamine compound supported decreases, and the gas adsorption performance of aldehydes decreases. If an attempt is made to make the specific surface area sufficiently large despite the fact that the average pore diameter is too large, the porosity of the porous body becomes too large, the mechanical strength becomes small, or the ability to support the polyamine compound becomes weak. However, there is a problem that the amine compound is released by a slight heat, which is not preferable.

【0027】本発明における二酸化ケイ素の好ましい含
水率は0.01重量%(以下、単に%という)以上であり、
より好ましくは、0.1〜10%である。含水率が0.01%未
満の場合、表面のシラノール基が少ないため、本発明に
おけるアミン化合物に対する担持力が小さい。
The preferred water content of silicon dioxide in the present invention is at least 0.01% by weight (hereinafter simply referred to as%).
More preferably, it is 0.1 to 10%. When the water content is less than 0.01%, since the surface has few silanol groups, the supporting force for the amine compound in the present invention is small.

【0028】二酸化ケイ素と共に本発明の消臭剤を構成
するポリアミン化合物は、分子内に第1級アミノ基を2
個以上有しているものであり、好ましくは、下記式
[5]で表わされるポリアミン化合物が好ましい。
The polyamine compound constituting the deodorant of the present invention together with silicon dioxide has two primary amino groups in the molecule.
And a polyamine compound represented by the following formula [5] is preferable.

【0029】[0029]

【化8】H2N−(CH2−CH2−NH)n−H 〔5〕 (nは0以上の整数)Embedded image H 2 N— (CH 2 —CH 2 —NH) n —H [5] (n is an integer of 0 or more)

【0030】塩基性ガス、含硫黄系ガス、アルデヒド類
ガス、及び低級脂肪酸ガスなどの性質の異なるガスを同
時に消臭するために、上記の消臭剤を2種以上を併用す
ることができる。例えば、各種の消臭剤を担持させた複
数の低発塵性材料を、それらの端部又は中央部を線又は
面で接触させてバインダーを介して共有させて複合化し
たり、複数種の消臭剤を1つの低発塵性材料に担持させ
ることができる。2種以上の消臭剤を併用する際の各消
臭剤の併用割合に特に制限はなく、消臭の対象とするガ
スの種類によって適宜混合比を調整すればよい。
In order to simultaneously deodorize gases having different properties such as a basic gas, a sulfur-containing gas, an aldehyde gas, and a lower fatty acid gas, two or more of the above-mentioned deodorants can be used in combination. For example, a plurality of low-dusting materials loaded with various deodorants are compounded by bringing their ends or the center into contact with a line or surface and sharing them via a binder, or a plurality of deodorizing materials. The odorant can be carried on one low dusting material. When two or more deodorants are used in combination, there is no particular limitation on the combination ratio of each deodorant, and the mixing ratio may be appropriately adjusted depending on the type of gas to be deodorized.

【0031】本発明における消臭剤は、いずれも通常粉
体状で得られ、好ましい平均粒径は0.01〜20μm
であり、より好ましくは0.01〜10μであり、さら
に好ましくは0.01〜5μmである。平均粒径が0.
01μm未満では再凝集しやすく、取扱いが困難になる
恐れがあり、又平均粒径が20μm より大きくなると、
消臭剤粒子が低発塵性材料から脱落し易くなる恐れがあ
る。
The deodorant in the present invention is usually obtained in powder form, and preferably has an average particle size of 0.01 to 20 μm.
And more preferably 0.01 to 10 μm, and still more preferably 0.01 to 5 μm. The average particle size is 0.
If the average particle size is less than 01 μm, it is likely to be re-agglomerated and difficult to handle.
The deodorant particles may easily fall off from the low dust-producing material.

【0032】本発明における消臭剤は、200〜300
℃で加熱したり、紫外光に暴露しても、構造及び組成が
全く変化せず、又何等変色を起こさず、安定である。従
って、本発明の消臭シートを製造する際の加工や保存、
さらには使用時において、消臭剤の劣化を防止するため
の温度制御及び遮光等の制約をうけることがない。
In the present invention, the deodorant is 200 to 300.
It is stable when heated at ℃ or exposed to ultraviolet light without any change in structure and composition, and no discoloration. Therefore, processing and storage when producing the deodorant sheet of the present invention,
Further, at the time of use, there are no restrictions such as temperature control and light shielding for preventing deterioration of the deodorant.

【0033】○担持材料 本発明において、消臭剤を担持する材料としては、その
材質等に特別な制限はなく、金属、木材、樹脂、紙、繊
維等、或いはこれらの複合物が使えるが、クリーンルー
ム内等での使用を考慮し、材料自体からの発塵性は低い
方が良く、一方消臭剤と有害ガスとの接触面積をできる
だけ大きく取りたいので、好ましい具体例としては、金
属板、紙、不織布、布、樹脂フィルム等があり、特に好
ましいものは薄くて柔軟性があり、表面積の大きい布、
不織布、紙等であり、構成する繊維長の長いものや、発
塵性を抑えるためにバインダー処理をしたものは特に好
ましい。
○ Supporting Material In the present invention, the material for supporting the deodorant is not particularly limited in terms of its material and the like, and metals, woods, resins, papers, fibers and the like, or composites thereof can be used. Considering the use in a clean room, etc., it is better that the dust emission from the material itself is low, while the contact area between the deodorant and the harmful gas should be as large as possible. There are paper, non-woven fabric, cloth, resin film, etc., and particularly preferable one is thin, flexible, and has a large surface area.
Nonwoven fabrics, papers, and the like, particularly those having a long fiber length and those subjected to a binder treatment to suppress dust generation, are particularly preferable.

【0034】より具体的には、木材パルプ、靱皮繊維、
葦パルプ、バガスパルプ、ワラパルプ、竹パルプ、ポリ
プロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、アルミナ繊維、炭
素繊維、ガラス繊維、ジルコニア繊維、アルミナ・シリ
カ繊維等からなる合成繊維等がある。
More specifically, wood pulp, bast fiber,
There are reed pulp, bagasse pulp, straw pulp, bamboo pulp, polypropylene, polyethylene, polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride, polystyrene, alumina fiber, carbon fiber, glass fiber, zirconia fiber, synthetic fiber composed of alumina / silica fiber, and the like.

【0035】天然パルプの場合は、発塵性が高いので防
塵バインダー等による防塵処理を施す事が好ましく、こ
の時消臭剤も同時に繊維表面に付着固定させる事もでき
る。合成繊維を使用する時は、同様にバインダーを使っ
た消臭剤の固定方法の他に消臭粉体を表面に付着させて
おいて繊維の一部を溶融し、粉末と繊維との間の付着力
を増加させたり、あらかじめ繊維原料に消臭剤を練り込
んでおく事もできる。防塵バインダーとしては、市販の
バインダーの中から材料に合わせ適当なものを使用する
事ができる。その具体例としては水系としてSBR,N
BR,ポリウレタン等のゴム系ラテックス、ポリアクリ
レート、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニルコポリマ
ー等の樹脂系ラテックスなど、溶剤系ではEVA,SB
R,NBR,アルキッド樹脂、アミノアルキッド樹脂、
ポリ酢酸ビニル、ウレタン、ポリアクリレート等が挙げ
られる。
In the case of natural pulp, it is preferable to apply a dust-proofing treatment with a dust-proof binder or the like because of its high dust-generating property. At this time, a deodorant can be simultaneously adhered and fixed to the fiber surface. When using synthetic fibers, in addition to the method of fixing the deodorant using a binder, deodorant powder is attached to the surface and a part of the fiber is melted, The adhesive force can be increased, or a deodorant can be previously kneaded into the fiber material. As the dustproof binder, an appropriate binder can be used from commercially available binders according to the material. Specific examples include SBR and N as water systems.
Rubber-based latex such as BR and polyurethane, resin-based latex such as polyacrylate, polyvinyl acetate and ethylene-vinyl acetate copolymer, etc.
R, NBR, alkyd resin, amino alkyd resin,
Examples thereof include polyvinyl acetate, urethane, and polyacrylate.

【0036】また、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、アルキド樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、塩化ビニル・
酢酸ビニル共重合樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、塩素化ポリプロピレ
ン、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン及びセ
ルロース誘導体等の合成樹脂に消臭剤を練り込んで、あ
るいは上記と同様の方法で担持させてシート、フィル
ム、発泡体、成形品などの形にする事もできる。又、消
臭剤を塗料の中に混ぜることにより、上記の材料に限ら
ず、適当な材料の表面に塗膜を形成させて使用する事も
できる。
In addition, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, alkyd resin, polyamide resin, polyvinyl chloride, acrylic resin, vinyl chloride
A vinyl acetate copolymer resin, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, chlorinated polypropylene, styrene resin, epoxy resin, kneading a deodorant in a synthetic resin such as a polyurethane and a cellulose derivative, or in the same manner as described above They can be carried to form sheets, films, foams, molded products, and the like. In addition, by mixing a deodorant in a coating material, a coating film can be formed on the surface of an appropriate material, not limited to the above materials, and used.

【0037】これらの低発塵材料への消臭剤の担持量と
しては、一般に、担持量を増やせば、消臭性をより強力
に発揮させ、またより長期に持続させることができる
が、ある程度以上に担持させても消臭性の効果に大きな
差が生じないので、消臭剤の好ましい担持量は、担持材
料に練り込む場合は100重量部当たり0.1〜100
重量部であり、塗布等、材料の表面に消臭剤を担持させ
る場合、0.05〜50g/m2である。
The amount of the deodorant carried on these low dusting materials can be generally increased by increasing the amount of the deodorant, and the deodorant can be more strongly exerted and maintained for a longer period of time. Even if carried on the above, there is no significant difference in the effect of the deodorant, so the preferred amount of the deodorant carried is 0.1 to 100 parts by weight per 100 parts by weight when kneaded into the carried material.
Parts by weight, and 0.05 to 50 g / m2 when a deodorant is carried on the surface of the material such as by application.

【0038】本発明の消臭シートは、半導体製造設備な
どにおいて、有害ガスの影響を除去したい場所で有効井
に利用する事ができるが、本発明の消臭シートの取りつ
け方法として好ましいのは、該消臭シートに粘着剤を塗
布し、必要に応じて離型紙等で粘着面を保護する事によ
りシール形状とする事であるが、粘着剤や離型紙は一般
的なものを何れも使用する事ができ、粘着剤の塗布、乾
燥、離型紙の張り合わせなどの工程についても一般的な
ものの中から適当な方法を組み合わせて使用する事がで
きる。また、本発明に粘着剤は必須ではなく、該消臭シ
ートに市販の両面テープあるいは片面粘着テープ、マグ
ネット、フック、ボタン等一般的な簡便な取り付け方法
は何れでも使用する事ができる。
The deodorizing sheet of the present invention can be used as an effective well at a place where it is desired to remove the influence of a harmful gas in a semiconductor manufacturing facility or the like. An adhesive is applied to the deodorizing sheet, and if necessary, the adhesive surface is protected with a release paper or the like to form a seal shape, but any general adhesive or release paper is used. The steps such as application of the adhesive, drying, and bonding of release paper can be performed by combining appropriate methods from general ones. Further, the pressure-sensitive adhesive is not essential in the present invention, and any common simple mounting method such as a commercially available double-sided tape or a single-sided pressure-sensitive adhesive tape, a magnet, a hook, and a button can be used for the deodorant sheet.

【0039】以下、本発明を実施例によりさらに具体的
に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

【実施例】(実施例1〜9及び比較例1)下記表1に示
す特定の消臭剤を、ポリアクリレート水系バインダーの
固形分に対して10wt%添加した。これを、長繊維ポ
リエステル布に対し消臭剤が1.0g/m2となるよう
に塗布し、150℃で乾燥して消臭性のコーティング加
工布を得た。また、比較として消臭剤を担持させないコ
ーティング布も作製した(比較例1)。そして、各々の
一方の面にアクリル系粘着剤を塗工し、20μm厚の粘
着層を形成し、粘着シートステッカーとし、A6版に切
断したもの1枚を消臭試験に供した。
EXAMPLES (Examples 1 to 9 and Comparative Example 1) A specific deodorant shown in Table 1 below was added in an amount of 10 wt% based on the solid content of a polyacrylate aqueous binder. This was applied to a long-fiber polyester cloth so that the deodorant became 1.0 g / m 2, and dried at 150 ° C. to obtain a deodorant coated cloth. As a comparison, a coated cloth not carrying a deodorant was also prepared (Comparative Example 1). Then, an acrylic pressure-sensitive adhesive was applied to one surface of each, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm was formed, a pressure-sensitive adhesive sheet sticker was cut, and one piece cut into an A6 plate was subjected to a deodorizing test.

【0040】○消臭性試験 実施例及び比較例で得た各試料について、表2に示した
5種の有害ガスに対する消臭性を以下のようにして評価
した。即ち、試料をテドラーバッグ(1リットル)に入れ密
封し、ついでガスを注入し、ガスを注入し終えた時から
24時間後に、テドラーバッグ中のガス濃度を検知管
(ガステック株式会社製)又はガスクロマトグラフィー
(島津製作所株式会社製)により測定した。尚、テドラ
ーバッグにガスを注入した時のガス初期濃度は表2の通
りである。但し、ガス発生源が液体である場合、約2時
間放置して完全にガス化した後に試料をガスと接触させ
た。ガス濃度の測定方法は、ガスの種類によって適宜選
択し、硫黄系悪臭ガスはガスクロマトグラフィーを用
い、その他のガスについては、検知管を用いた。尚、測
定機器の制限から、100ppmを越える高濃度の場合は、測
定可能な濃度に適宜希釈してガスクロマトグラフィーを
行い、得られた測定値を希釈倍率に従って原濃度に換算
した。上記のようにして得られた消臭性試験の結果を下
記表2に示した(表中にNDとあるのは検出限界以下で
あることを示す)。
O Deodorizing Test Each sample obtained in Examples and Comparative Examples was evaluated for deodorizing properties against the five harmful gases shown in Table 2 as follows. That is, the sample was placed in a Tedlar bag (1 liter), sealed, and then gas was injected. After 24 hours from the completion of the gas injection, the gas concentration in the Tedlar bag was measured using a detector tube (manufactured by Gastech Co., Ltd.) or a gas chromatograph. It was measured by graphy (manufactured by Shimadzu Corporation). Table 2 shows the initial gas concentration when the gas was injected into the Tedlar bag. However, when the gas generation source was a liquid, the sample was allowed to stand for about 2 hours to completely gasify, and then the sample was brought into contact with the gas. The measurement method of the gas concentration was appropriately selected according to the type of gas, gas chromatography was used for the sulfur-based malodorous gas, and the detection tube was used for the other gases. In the case of a high concentration exceeding 100 ppm, gas chromatography was performed by appropriately diluting the concentration to a measurable concentration due to the limitation of the measuring instrument, and the measured value was converted to the original concentration according to the dilution ratio. The results of the deodorizing test obtained as described above are shown in Table 2 below (ND in the table indicates that the value is below the detection limit).

【0041】[0041]

【表1】 [Table 1]

【0042】[0042]

【表2】 [Table 2]

【0043】[0043]

【表3】 [Table 3]

【0044】上記表3の実施例1,2の結果から、リン
酸ジルコニウムからなる消臭剤を含有する消臭シートは
アンモニア等の塩基性ガスに対する消臭性が優れている
ことがわかる。上記表3の実施例3 〜5 の結果から、2
価金属含有四価金属リン酸塩からなる消臭剤を含有する
消臭シートは、硫化水素、メチルメルカプタン等の含硫
黄系ガスに対する消臭性が特に優れており、アンモニア
等の塩基性ガスに対しても優れた消臭性を有しているこ
とがわかる。上記表4の実施例6 〜8の結果からは、ハ
イドロタルサイト又はその焼成物及び水和酸化ジルコニ
ウムからなる消臭剤を含有する消臭シートは、アセトア
ルデヒド等のアルデヒド類ガス及び酢酸等の低級脂肪酸
ガスに対する消臭性が優れていることがわかる。また、
実施例9から、ポリアミン担持非晶質二酸化ケイ素から
なる消臭剤はアルデヒドに対して特に優れた捕捉性能を
有している事がわかる。
From the results of Examples 1 and 2 in Table 3 above, it can be seen that the deodorant sheet containing the deodorant made of zirconium phosphate has excellent deodorizing properties against basic gases such as ammonia. From the results of Examples 3 to 5 in Table 3 above, 2
A deodorant sheet containing a deodorant composed of a tetravalent metal phosphate containing a valent metal is particularly excellent in deodorizing properties against sulfur-containing gases such as hydrogen sulfide and methyl mercaptan, and is suitable for a basic gas such as ammonia. It can be seen that they also have excellent deodorizing properties. From the results of Examples 6 to 8 in Table 4 above, it can be seen that the deodorizing sheet containing the deodorant composed of hydrotalcite or its calcined product and hydrated zirconium oxide is suitable for aldehyde gas such as acetaldehyde and lower grade such as acetic acid. It turns out that the deodorizing property with respect to the fatty acid gas is excellent. Also,
Example 9 shows that the deodorant composed of polyamine-supported amorphous silicon dioxide has particularly excellent trapping performance for aldehyde.

【0045】○発塵性試験 実施例1及び比較例1で製造した布サンプルのA5版試
験片を各4枚用意し、粘着面を内側にして2枚づつ張り
合わせて粘着剤の影響が出ないようにする。そして、外
部から塵の進入しない条件下でグローブボックス式のク
リーンベンチ内で2秒に1回の割合で2組の布をこすり
合わせ、クリーンベンチ内に発生した0.3μm以下の
粒子を光散乱粒子計測器(パーティクルカウンター)で
測定し、該粒子の1立方フィート中の総個数でクリーン
度を表した。また、実施例で用いた布でバインダー処理
を施さないものを無処理布として同じく粘着剤を塗工し
て、同じ発塵試験を行った。結果は表4に示した。
○ Dust generation test Four A5 size test specimens of the fabric samples prepared in Example 1 and Comparative Example 1 were prepared, and two sheets were stuck together with the adhesive surface inside so that the influence of the adhesive was not exerted. To do. Then, two sets of cloths are rubbed once every two seconds in a glove box type clean bench under conditions where dust does not enter from the outside, and light scattering of 0.3 μm or less particles generated in the clean bench is performed. The cleanliness was measured by a particle counter (particle counter), and the total number of the particles in one cubic foot was expressed. In addition, the same dust generation test was performed by applying the same pressure-sensitive adhesive as the non-treated cloth which was not subjected to the binder treatment to the cloth used in the examples. The results are shown in Table 4.

【0046】[0046]

【表4】 [Table 4]

【0047】表4の結果は、消臭シートから発生する塵
はわずかなものであって、環境のクリーン度に与える影
響は無視できる程小さい事を示している。
The results in Table 4 show that the dust generated from the deodorizing sheet is very small and has a negligible effect on the cleanliness of the environment.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明の消臭性シートは、小片でも各種
の有害ガスに対して優れた捕捉効果を有し、特別な装置
なしに使用する事ができるうえ、半導体製造設備で問題
となる発塵性も低く抑えられている。低コストで必用な
場所の有害ガスを除去してケミカル汚染の影響を無くす
事ができるので、半導体製造現場においては半導体の物
性を安定させ、歩留まりを向上させるのに極めて有用で
ある。
The deodorant sheet of the present invention has an excellent trapping effect on various harmful gases even with small pieces, can be used without special equipment, and poses a problem in semiconductor manufacturing equipment. Dust generation is also kept low. Since it is possible to remove the harmful gas at a necessary place at a low cost and eliminate the influence of chemical contamination, it is extremely useful in a semiconductor manufacturing site for stabilizing the physical properties of the semiconductor and improving the yield.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4C002 AA03 BB05 CC04 DD12 HH10 4C080 AA03 BB02 BB10 CC12 HH05 HH09 JJ06 KK08 LL10 MM01 MM02 MM03 MM06 NN24 QQ03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4C002 AA03 BB05 CC04 DD12 HH10 4C080 AA03 BB02 BB10 CC12 HH05 HH09 JJ06 KK08 LL10 MM01 MM02 MM03 MM06 NN24 QQ03

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式〔1〕または〔2〕で示される
水に対して不溶性又は難溶性の4価金属リン酸塩、一般
式〔3〕で示される珪酸アルミニウム、ハイドロタルサ
イト化合物又はその焼成物、水和酸化ジルコニウム、酸
化ジルコニウム、及びポリアミン担持非晶質二酸化ケイ
素の中から選ばれる少なくとも一種の化合物からなる消
臭剤を低発塵性の材料に担持させることを特徴とする消
臭シート。 【化1】 Ha b c (PO4 d ・nH2 O 〔1〕 〔Mは4価金属であり、a、b、c及びdは式(a+4
b=2c+3d)を満たす正数であり(但し、cは0で
あっても良い)、nは0又は正数である。〕 【化2】 Ha' b' c' d'e' (PO4 f' ・nH2 O 〔2〕 〔Aは1価金属であり、Bは2価金属であり、Mは4価
金属であり、a'、b'、c'、e'及びnは0又は正数で
あって、bとcが共に0であることはなく、d'及びf'
は正数であり、a'、b'、c'、d'、e'及びf'は式
(a'+b'+2c'+4d'=2e'+3f')を満た
す。〕 【化3】 Al23・nSiO2・mH2O 〔3〕 但し、式中、nはn≧6の整数であり、mは整数を示
す。
1. A water-insoluble or hardly soluble tetravalent metal phosphate represented by the following general formula [1] or [2], an aluminum silicate represented by the general formula [3], a hydrotalcite compound or A deodorant comprising at least one compound selected from the calcined product, hydrated zirconium oxide, zirconium oxide, and polyamine-supported amorphous silicon dioxide on a low-dusting material. Odor sheet. ## STR1 ## H a M b O c (PO 4) d · nH 2 O (1) [M is a tetravalent metal, a, b, c and d are the formula (a + 4
b = 2c + 3d) is a positive number (however, c may be 0), and n is 0 or a positive number. ] ## STR2 ## H a 'A b' B c 'M d' O e '(PO 4) f' NH 2 O [2] [A is a monovalent metal, B is a divalent metal, M is a tetravalent metal, and a ′, b ′, c ′, e ′ and n are 0 or a positive number Where b and c are not both 0 and d ′ and f ′
Is a positive number, and a ′, b ′, c ′, d ′, e ′, and f ′ satisfy the expression (a ′ + b ′ + 2c ′ + 4d ′ = 2e ′ + 3f ′). ] Embedded image Al 2 0 3 · nSiO 2 · mH 2 O (3) In the formula, n is an integer of n ≧ 6, m is an integer.
【請求項2】請求項1記載の低発塵性の材料が発塵防止
バインダーで発塵防止処理された繊維または紙であるこ
とを特徴とする消臭シート。
2. The deodorizing sheet according to claim 1, wherein the material having low dust generation is a fiber or paper which has been subjected to a dust prevention treatment with a dust prevention binder.
【請求項3】請求項1または請求項2記載の消臭シート
の片面に粘着剤を塗布した貼付可能な消臭シート。
3. A deodorizable sheet according to claim 1 or 2, wherein one side of the deodorant sheet is coated with an adhesive.
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