JP2000340708A - 多層配線基板及びその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層配線基板において、サイドエッチングや
エレクトロマイグレーション等の不都合を招くことな
く、また高度な工程管理を必要とすることなく、接続信
頼性の高い微細配線を実現することを目的とする。 【解決手段】 第１の配線１１が形成されたコア基材１
０の上に絶縁層１３，１４を形成し、該絶縁層上に、第
２の配線のパターン形状に従う開口部又は凹部１６をも
つようにフォトレジスト層１５を形成し、開口部又は凹
部１６内に第１の配線１１に到達するビア・ホール１７
を形成し、ビア・ホール１７と開口部又は凹部１６とを
埋め込むように絶縁層１４及びフォトレジスト層１５の
上に金属膜１８，１９を形成して層間接続部２０と第２
の配線２１を形成し、以降、必要な配線の層数となるま
で上記の処理を繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板及び
その製造方法並びに半導体装置に関し、特に、半導体パ
ッケージとして供されるビルドアップ多層配線基板にお
いて微細配線を実現するのに有用な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プリント配線基板は軽量化が要求
され、かつ、小型・多ピン化されたＰＧＡ（ピン・グリ
ッド・アレイ）やＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）
等を搭載すべく、配線の微細化及び高密度化が要求され
ている。しかし、従来のプリント配線基板は、ビア・ホ
ールの形成に多くの面積を必要としていたため、設計自
由度が制限され、配線の微細化が困難であった。そこ
で、近年実用化が進んできたのが、ビルドアップ工法を
用いたプリント配線基板（ビルドアップ多層配線基板）
である。

【０００３】ビルドアップ多層配線基板は、層間絶縁層
の材料とビア・ホール形成プロセスの組合せにより多種
類のものが作製可能であり、その製造プロセスは、一般
的には、絶縁層の形成、絶縁層におけるビア・ホールの
形成、及び、ビア・ホールの内部を含めた導体パターン
（配線）の形成を順次繰り返して積み上げていくもので
ある。

【０００４】かかる製造プロセスにおいて、配線を形成
する際、主として、サブトラクティブ法、セミアディテ
ィブ法又はフルアディティブ法が用いられる。サブトラ
クティブ法とは、従来から知られている工法であり、一
般的には、平坦な絶縁層上に形成された配線（導体層）
上に感光性エッチングレジスト膜等を形成し、エッチン
グにより配線部分以外の導体層を除去することで配線を
形成する手法である。

【０００５】また、セミアディティブ法とは、一般的に
は、穴明け加工した配線基板（絶縁基板）上に全面無電
解銅めっきを施した後、めっきレジストにより配線パタ
ーンを形成し、露出した銅めっき膜を電極とし、この部
分のみ電解めっきを成長させることで配線を形成する手
法である。また、フルアディティブ法とは、一般的に
は、めっきレジストを露光及び現像することにより、配
線部分のみ開口し、開口した部分のみ無電解銅めっきを
成長させることで配線を形成する手法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、サブ
トラクティブ法では、配線（導体層）上に形成されたレ
ジスト膜をマスクにして配線部分以外の導体層をエッチ
ング除去するようにしているため、例えば等方性エッチ
ングを行った場合、レジスト膜のエッジ部分に近い導体
層の部分の方が遠い方の部分よりもエッチングの進行が
早いため、その部分が余計にエッチングされ、導体層の
断面形状がはぼ台形状となる状態（サイドエッチング）
が発生するという問題があった。これは、導体層の膜厚
が厚くなればなるほど一層顕著に現れ、また導体層に対
するレジスト膜の密着性が不良の場合には特に発生し易
い。

【０００７】また、配線パターンを画定する導体層にこ
のようなサイドエッチングされた部分が存在すると、後
の工程で行われる洗浄処理の際にシャワーの圧力が原因
で当該部分が欠損してしまう（つまり配線層の一部が取
れてしまう）、いわゆる「配線飛び」が発生するという
問題もあった。また、サブトラクティブ法では、配線パ
ターンの最小線幅が１００μｍ程度以下になると歩留ま
りが低下し、量産することが難しくなる。そのため、現
状の技術では微細配線を実現するのは困難であった。

【０００８】これに対しフルアディティブ法では、めっ
きレジストとして例えばドライフィルムを用いた場合、
ドライフィルムの現像精度がそのままパターン精度とな
るため、微細配線を実現することが可能である。しかし
ながらフルアディティブ法では、セミアディティブ法と
同様に、配線パターンの形成に際して無電解めっきを行
っているため、絶縁層の表面に残っためっきの種（残存
イオン）がエレクトロマイグレーションに対し悪影響を
及ぼす可能性があった。

【０００９】また、従来の技術では平坦な絶縁層上に配
線（導体層）を形成する手法が一般的であったため、配
線の膜厚が厚いと配線を微細化するのは技術的に困難で
あった。そのため、従来の手法による微細配線形成で
は、配線の膜厚を薄くする方法をとらなくてはならず、
そのために高度な工程管理と配線の接続信頼性を保証す
る必要があり、製造に大きな負担がかかるといった課題
があった。

【００１０】本発明は、上述した従来技術における課題
に鑑み創作されたもので、サイドエッチングやエレクト
ロマイグレーション等の不都合を招くことなく、また高
度な工程管理を必要とすることなく、接続信頼性の高い
微細配線を実現することができる多層配線基板及びその
製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の課題
を解決するため、本発明の一形態によれば、表面に第１
の配線が形成されたコア基材の上に絶縁層を形成する第
１の工程と、前記絶縁層の上に、該絶縁層上に形成され
るべき第２の配線のパターン形状に従う開口部又は凹部
をもつようにフォトレジスト層を形成する第２の工程
と、前記開口部又は凹部内に前記第１の配線に到達する
ビア・ホールを形成する第３の工程と、前記ビア・ホー
ルと前記開口部又は凹部とを埋め込むように前記絶縁層
及び前記フォトレジスト層の上に金属膜を形成して層間
接続部及び前記第２の配線を形成する第４の工程と、前
記第１〜第４の工程と同様の工程を必要な配線の層数と
なるまで繰り返す第５の工程とを含むことを特徴とする
多層配線基板の製造方法が提供される。

【００１２】本発明に係る多層配線基板の製造方法によ
れば、絶縁層の上に形成したフォトレジスト層を、配線
（第２の配線）パターンを形成するために用いている。
ここに、フォトレジスト層は一般的に露光表面（つまり
表層部分）においてのみかなり微細で正確なパターニン
グが可能であるため、フォトレジスト層に形成される開
口部又は凹部の深さ（これは、配線の膜厚を規定する）
を浅くしても、十分に微細且つ正確な配線パターンの形
成に対応することができる。これは言い換えると、正確
な微細配線の形成に際して、従来のような高度な工程管
理を必要とすることなく、配線の膜厚を薄くできること
を意味する。

【００１３】また、配線（第２の配線）の形成に際し
て、従来のように平坦な絶縁層上に配線を形成するので
はなく、絶縁層上のフォトレジスト層に形成された開口
部又は凹部を金属膜で埋め込むように（つまり配線を埋
め込むように）しているので、従来のパターン形成方法
で見られたような問題点を解消することができる。すな
わち、サブトラクティブ法で用いられるようなエッチン
グ処理を行っておらず、またセミアディティブ法やフル
アディティブ法で用いられるような無電解めっきを行っ
ていないので、サイドエッチングやエレクトロマイグレ
ーション等の不都合は生じない。

【００１４】また、フォトレジスト層に形成された開口
部又は凹部に微細配線を埋め込むことができるので、こ
の微細配線に包含されるビア・ホールの径もそれに応じ
て微小化することができ、これによってアスペクト比の
高いビア・ホールを形成することが可能となる。また、
本発明の他の形態によれば、上述した多層配線基板の製
造方法によって製造された多層配線基板が提供される。

【００１５】さらに、本発明の他の形態によれば、上述
した多層配線基板の製造方法によって製造された多層配
線基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする
半導体装置が提供される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
ビルドアップ多層配線基板について、その製造工程を順
に示す図１〜図３を参照しながら説明する。先ず最初の
工程では（図１（ａ）参照）、配線基板のベースとなる
絶縁性のコア基材（本実施形態ではコア基板１０）の両
面に所要形状にパターニングされた配線（導体層）１１
を形成する。コア基板１０の材料としては、例えばガラ
ス−エポキシ樹脂、ガラスＢＴ（ビスマレイミド−トリ
アジン）樹脂等が用いられ、配線１１の材料としては、
典型的には銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、１２はコア
基板１０に設けられたスルーホールに充填された絶縁体
を示す。コア基板１０は、スルーホールの内壁を含めて
その表面に形成された導体層（配線１１）と共に、ビル
ドアップ多層配線基板のコア層（１層目）を構成する。

【００１７】このコア層を作製する工程については、本
発明の要旨と直接関連しないので図示はしていないが、
例えば以下のようにして作製され得る。先ずコア基板１
０の両面に銅（Ｃｕ）箔を形成し、次にコア基板１０の
必要箇所にスルーホールを形成し、次に電解めっきによ
りスルーホールの内壁を含めて表面全体にＣｕめっき膜
を形成し、更に後の工程で形成される膜との密着性を高
めるために基板表面を粗化した後、スルーホールの内壁
をエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂（絶
縁体１２）で充填し、更に基板表面を研磨して平坦化し
た後、基板の両面に感光性ポリイミド樹脂等のフォトレ
ジストを形成し、次に所要形状にパターニングされたマ
スクを用いて露光及び現像（レジストのパターニング）
を行い、レジストに開口部を形成した後、この開口部の
領域に対応する部分のＣｕめっき膜をエッチングにより
除去し、最後にレジストをマスクと共に除去する。これ
によって、図示のようにコア基板１０の両面にパターニ
ングされた配線（導体層）１１が形成されたコア層が作
製される。

【００１８】次の工程では（図１（ｂ）参照）、コア層
の両面にそれぞれ層間絶縁層としての絶縁層１３を厚さ
２０〜２５μｍ程度に形成する。絶縁層１３について
は、配線間容量を小さくする観点から低誘電率の材料で
構成されること、更にその膜厚の制御が安定に行えるこ
と（膜厚制御安定性）が望ましい。このために、絶縁層
１３の材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド
樹脂等の熱硬化性樹脂、或いは紫外線等の光照射によっ
て硬化する性質をもつ樹脂が用いられる。また、形態と
しては高度に膜厚管理されたラミネートシートが用いら
れる。このラミネートシートをコア層の両面にそれぞれ
熱プレス接着することで、絶縁層１３が形成される。

【００１９】次の工程では（図１（ｃ）参照）、絶縁層
１３の上に更に絶縁層１４を厚さ５〜１０μｍ程度に形
成した後、その上にフォトレジスト層１５を厚さ５〜１
０μｍ程度に形成し、このフォトレジスト層を所要形状
にパターニングする。このフォトレジスト層１５は２層
目の配線パターンを形成するために用いられる。絶縁層
１４は、絶縁層１３に要求される条件（低誘電率、膜厚
制御安定性）を調整するために設けられており、例え
ば、絶縁層１３が層間絶縁層として要求される規定の誘
電率を満たしていない場合にその誘電率を矯正する役割
を果たす。つまり、絶縁層１４は絶縁層１３の役割を補
足するためのものである。絶縁層１４の材料としては、
絶縁層１３と同様にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の
熱硬化性樹脂を用いてもよいし、或いは配線パターン形
成時の露光及び現像の際に溶解しないで残存するネガ型
のフォトレジストを用いてもよい。

【００２０】一方、フォトレジスト層１５についてはポ
ジ型のレジストを用い、２層目の配線のパターン形状に
従うようにパターニングされたマスク（図示せず）を用
いて露光及び現像（レジストのパターニング）を行うこ
とで、配線パターンの形状に応じた開口部１６（破線で
表示）をもつフォトレジスト層１５を形成する。図示の
例では、開口部１６は絶縁層１４に到達するように形成
されているので、その深さは、フォトレジスト層１５の
膜厚と同じであり、言い換えると、２層目の配線の膜厚
を規定する。

【００２１】次の工程では（図２（ａ）参照）、レーザ
による穴明け処理により、開口部１６においてコア基板
１０上のＣｕ配線１１の位置に対応する部分の絶縁層１
３及び１４にビア・ホール１７を直径２５μｍ程度に形
成する。レーザとしてはＹＡＧレーザ、エキシマレーザ
又はＣＯ₂ レーザが用いられる。この後、穴明け処理に
よって生じた樹脂片や汚れ等を除去するための処理（デ
バリング、デスミア等）を行う。

【００２２】次の工程では（図２（ｂ）参照）、蒸着に
より、ビア・ホール１７及び開口部１６の内壁を覆うよ
うに絶縁層１４及びフォトレジスト層１５の上に金属膜
１８を形成する。この金属膜１８については、配線抵抗
を小さくする観点から低抵抗材料で形成されることが望
ましい。低抵抗材料としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等が用いられる。

【００２３】次の工程では（図２（ｃ）参照）、さらに
蒸着により、ビア・ホール１７及び開口部１６を埋め込
むように金属膜１８の上にＣｕ等の金属膜１９を形成す
る。これによって、層間接続部（ビア・ホールの導通部
分）２０と２層目の配線部分２１が形成される。但し、
この段階では単に蒸着の処理が行われているにすぎない
ので、図示のように金属膜１９の表面は平坦とはなって
おらず、凹凸部分が残っている。

【００２４】次の工程では（図３（ａ）参照）、機械研
磨により、金属膜１９の表面を研磨して平坦化する。図
中、２２は研磨に用いる微細砥粒を示しており、この微
細砥粒２２の機械的な押込み及び引掻き作用により金属
膜１９の表面を加工することで平坦化を行う。本実施形
態では機械研磨を用いているが、これに代えて、化学作
用を伴う化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いることも可能で
ある。

【００２５】次の工程では（図３（ｂ）参照）、ウエッ
トエッチングにより、２層目の配線部分２１が露出する
まで金属膜１９の表面部分を除去する。図中、破線で示
す部分は、エッチングによって除去された部分を表して
いる。この段階で、最終的な２層目の配線（導体層）２
３が形成されたことになる。最後の工程では（図３
（ｃ）参照）、図１（ｂ）に示した工程と同様にして、
２層目の配線（導体層）２３の上に３層目の絶縁層２４
を形成する。この後、図１（ｃ）〜図３（ｂ）に示した
工程と同様の工程を繰り返す。

【００２６】そして、必要な層数となるまで上記の工程
を適宜繰り返し、ビア・ホールを含む絶縁層と配線（導
体層）とを交互に積み重ねていく。以上説明したよう
に、本実施形態に係るビルドアップ多層配線基板の製造
方法によれば、絶縁層１４の上に形成したフォトレジス
ト層１５を、２層目の配線パターンを形成するために用
いている。かかるフォトレジスト層１５はその表層部分
においてのみ微細で正確なパターニングが可能であるた
め、フォトレジスト層１５に形成される開口部１６の深
さ（これは、配線の膜厚を規定する）を仮に浅くして
も、微細で正確な配線パターンの形成に十分に対応する
ことができる。これは言い換えると、正確な微細配線の
形成に際して、従来のような高度な工程管理を必要とす
ることなく、配線の膜厚を薄くできることを意味する。

【００２７】また、微細配線の形成に際して、サブトラ
クティブ法で用いられるようなエッチング処理、或いは
セミアディティブ法やフルアディティブ法で用いられる
ような無電解めっきを行わずに、蒸着や電解めっきによ
り、当該配線をフォトレジスト層１５における開口部１
６に埋め込むようにしているので、従来のパターン形成
方法で見られたような問題点（サイドエッチング、配線
飛び、エレクトロマイグレーション等）を解消すること
ができる。

【００２８】また、フォトレジスト層１５に形成された
開口部１６に微細配線を埋め込んで形成することができ
るので、かかる微細配線に包含されるビア・ホールの小
径化を図ることができる。これは、高アスペクト比のビ
ア・ホールの形成に寄与するものである。さらに、穴埋
め（ビア・ホールの埋め込み）と平坦化を行っているの
で、穴埋めされたビア・ホールの上に別のビア・ホール
を積み重ねた構造、いわゆる「ビア・オン・ビア構造」
を作ることが可能となる。現状の技術では、このような
ビア・オン・ビア構造により、配線ルールが１．５倍程
度になったのと同じくらいの効果が得られる。これは、
微細配線の高密度化に寄与するものである。

【００２９】なお、上述した実施形態では図１（ｃ）の
工程においてフォトレジスト層１５における開口部１６
をその下層の絶縁層１４に到達するように形成している
が、開口部の形態はこれに限定されないことはもちろん
である。かかる開口部は、必ずしも絶縁層１４に到達す
るように形成する必要はなく、その終端がフォトレジス
ト層１５の中途で止まるような形態、例えばＶ字形状の
溝等の凹部であってもよい。

【００３０】特に、フォトレジスト層１５の膜厚が比較
的厚い場合には、開口部の形態としてＶ字形状の溝等の
凹部を採用した方が有利である。なぜなら、配線パター
ン形成に用いるフォトレジスト層１５の膜厚が厚い場合
には、仮に絶縁層１４に到達するように開口部を形成し
ようとすると露光及び現像に相当の時間を要し、また高
度な工程管理も必要となるが、開口部の形態としてＶ字
形状の溝等を採用すれば、このような不利を回避できる
からである。また、上述したようにフォトレジスト層は
特にその表層部分においてのみ微細で正確なパターニン
グが可能であるため、Ｖ字形状の溝のように深さが浅い
凹部の形態としても、十分に微細且つ正確な配線パター
ンの形成に対応できるからである。

【００３１】また、上述した実施形態では図２（ｃ）の
工程において金属膜１９（層間接続部２０と２層目の配
線部分２１）を形成するための成膜方法として蒸着を用
いているが、成膜方法はこれに限定されず、例えば電解
めっきを用いてもよい。この場合、金属膜１９を形成す
る前の工程（図２（ｂ）参照）において基板表面全体に
金属膜１８が既に形成されているので、この金属膜１８
を電解めっきのベース膜として利用することで、金属膜
１９を効果的に形成することができる。

【００３２】また、上述した実施形態ではコア層の配線
（導体層）１１の上に形成される絶縁層を２層構造（絶
縁層１３及び１４）とした場合について説明したが、絶
縁層の構造はこれに限定されないことはもちろんであ
る。要は、上述したように絶縁層が全体として低誘電率
及び膜厚制御安定性を有していれば、単層構造（つまり
絶縁層１３のみとする構造）としてもよいし、或いは２
層以外の他の多層構造とすることも可能である。

【００３３】さらに、上述した実施形態では配線基板の
ベースとなるコア基材にコア基板１０を用いているが、
これに代えて、ポリイミド樹脂等からなるフィルムを用
いてもよい。この場合、コア層は、例えばポリイミド樹
脂フィルムの表面にポリイミド系の熱可塑性接着剤を塗
布し、その上に銅（Ｃｕ）箔を熱プレス接着し、フォト
エッチング等を行って配線パターンを形成することによ
り、作製され得る。

【００３４】図４は上述した実施形態に係るビルドアッ
プ多層配線基板の一適用例を例示したものである。図示
の例は、上述した実施形態のビルドアップ多層配線基板
を、プラスチックタイプの半導体パッケージの外部接続
端子となるピンが基板の一方の面に多数立設されたＰＧ
Ａ型配線基板の形態で実現した場合の一構成例を模式的
に示したもので、当該配線基板において、ピン３０が設
けられている側と反対側の面に半導体素子（図示の例で
は半導体チップ３１）が搭載されている半導体装置の構
成を示している。

【００３５】図中、ハッチングで示される部分は、蒸着
等により形成されたＣｕ等の配線又は層間接続部（ビア
・ホールの導通部分）を表しており、特に、２５及び２
６で示される層間接続部は「ビア・オン・ビア構造」を
形成している。また、２７は３層目の絶縁層２４に要求
される条件（低誘電率、膜厚制御安定性）を調整するた
めに設けられた絶縁層、２８は３層目の配線パターンを
形成するために設けられたフォトレジスト層、２９は３
層目の配線（導体層）、３２は半導体チップ３１上に設
けられたはんだバンプ、３３はエポキシ樹脂等のアンダ
ーフィル剤、３４は紫外線（ＵＶ）照射によって硬化す
る性質をもつ樹脂からなるソルダレジスト層、３５はは
んだを示す。

【００３６】ピン３０の接合は、例えば、以下のように
して行われる。先ずソルダレジスト層３４の、ピン３０
が接合されるべきパッド（パッドとして画定された導体
層）の領域に対応する部分にＵＶ照射を行い、露光及び
現像処理を行って開口部を形成し、次にこの開口部にお
いて当該パッドの上に適量のはんだ３５を載せ、その上
に径大の頭部を有するＴ字状のピン３０の頭部を配置
し、更にリフローを行ってはんだ３５を固め、ピン３０
を固定する。他方、半導体チップ３１と配線基板の接続
は、はんだバンプ３２を配線基板のパッド（導体層）に
熱圧着等により押し付けることで行われる。

【００３７】図４に示す構成例では、上述した実施形態
のビルドアップ多層配線基板をＰＧＡ型配線基板の形態
で実現した場合について説明したが、かかるビルドアッ
プ多層配線基板は、ＢＧＡ型配線基板の形態で実現する
場合にも同様に適用され得ることは当業者には明らかで
あろう。なお、前述した実施形態ではビア・ホール１７
の形成（図２（ａ）参照）に際してビルドアップ多層配
線基板の１層分の絶縁層１３，１４を貫通するように当
該ビア・ホールを形成しているが、ビア・ホールの形態
はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、
ビルドアップ多層配線基板の２層分もしくはそれ以上の
絶縁層を貫通するようにビア・ホールを形成してもよ
い。その一例は図５及び図６に例示される。

【００３８】図５及び図６は本発明の他の実施形態に係
るビルドアップ多層配線基板の製造工程の一部を示した
ものである。本実施形態の製造工程では、基本的には図
１（ａ）〜図３（ｃ）の工程と同様の工程を経て２層目
の配線（導体層）２３を形成した後、図１（ｃ）の工程
で行った処理と同様にして、図５（ａ）に示すように配
線（導体層）２３の上に３層目の絶縁層１３ａ及び１４
ａを形成し、更にその上に３層目の配線パターンの形状
に応じた開口部１６ａ（破線で表示）を有するフォトレ
ジスト層１５ａを形成する。

【００３９】次に、図２（ａ）の工程で行った処理と同
様にして、図５（ｂ）に示すように開口部１６ａにおい
て２層目の配線２３の位置に対応する部分の絶縁層１３
ａ，１４ａにビア・ホール１７ａを形成すると共に、開
口部１６ａにおいてコア基板１０上のＣｕ配線１１の位
置に対応する部分の絶縁層１３，１４、フォトレジスト
層１５及び絶縁層１３ａ，１４ａにビア・ホール１７ｂ
を形成する。つまり、ビア・ホール１７ｂについては２
層目と３層目の絶縁層を貫通するように形成されてい
る。

【００４０】更に、図２（ｂ）〜図３（ｂ）の工程で行
った処理と同様にして、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示
すように金属膜１８ａを形成し、更にその上に金属膜１
９ａを形成して層間接続部（ビア・ホールの導通部分）
２０ａ及び２０ｂと３層目の配線部分２１ａを形成した
後、機械研磨とウエットエッチングを施して、最終的な
３層目の配線（導体層）２３ａを形成する。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、配
線パターンを形成するためにフォトレジスト層を用い、
蒸着や電解めっきにより、フォトレジスト層に形成され
た開口部に配線を埋め込むようにしているので、従来の
パターン形成方法で見られたような問題点（サイドエッ
チング、エレクトロマイグレーション等）を解消するこ
とができ、また従来のような高度な工程管理を必要とす
ることなく、接続信頼性の高い微細配線を実現すること
ができる。

【００４２】これによって、かかる微細配線に包含され
るビア・ホールの小径化を図ることができ、アスペクト
比の高いビア・ホールを形成することが可能となる。ま
た、ビア・オン・ビア構造を作ることができるので、微
細配線の高密度化を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るビルドアップ多層配
線基板の製造工程（その１）を示す断面図である。

【図２】図１の製造工程に続く製造工程（その２）を示
す断面図である。

【図３】図２の製造工程に続く製造工程（その３）を示
す断面図である。

【図４】本発明の一実施形態に係るビルドアップ多層配
線基板の一適用例を示す断面図である。

【図５】本発明の他の実施形態に係るビルドアップ多層
配線基板の製造工程の一部（その１）を示す断面図であ
る。

【図６】図５の製造工程に続く製造工程（その２）を示
す断面図である。

【符号の説明】

１０…コア基板（配線基板のベースとなるコア基材） １１，２１，２１ａ，２３，２３ａ，２９…配線（導体
層） １２…（スルーホールに充填された）絶縁体 １３，１４，１３ａ，１４ａ，２４，２７…絶縁層 １５，１５ａ，２８…フォトレジスト層 １６，１６ａ…開口部（凹部） １７，１７ａ，１７ｂ…ビア・ホール １８，１８ａ，１９，１９ａ…金属膜 ２０，２０ａ，２０ｂ，２５，２６…層間接続部（ビア
・ホールの導通部分） ３０…ピン ３１…半導体チップ ３２…はんだバンプ ３３…アンダーフィル剤 ３４…ソルダレジスト層 ３５…はんだ

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Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に第１の配線が形成されたコア基材
   の上に絶縁層を形成する第１の工程と、 前記絶縁層の上に、該絶縁層上に形成されるべき第２の
   配線のパターン形状に従う開口部又は凹部をもつように
   フォトレジスト層を形成する第２の工程と、 前記開口部又は凹部内に前記第１の配線に到達するビア
   ・ホールを形成する第３の工程と、 前記ビア・ホールと前記開口部又は凹部とを埋め込むよ
   うに前記絶縁層及び前記フォトレジスト層の上に金属膜
   を形成して層間接続部及び前記第２の配線を形成する第
   ４の工程と、 前記第１〜第４の工程と同様の工程を必要な配線の層数
   となるまで繰り返す第５の工程とを含むことを特徴とす
   る多層配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第４の工程は、前記ビア・ホールと
   前記開口部又は凹部とを埋め込むように前記絶縁層及び
   前記フォトレジスト層の表面全体に前記金属膜を形成す
   る工程と、該金属膜の表面を平坦化する工程と、前記第
   ２の配線が露出するまで該金属膜の表面部分を除去する
   工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の多層配
   線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第４の工程における金属膜を形成す
   る工程は、蒸着により前記ビア・ホールと前記開口部又
   は凹部との内壁を覆うように前記絶縁層及び前記フォト
   レジスト層の上に第１の金属膜を形成する工程と、蒸着
   又は電解めっきにより前記ビア・ホールと前記開口部又
   は凹部とを埋め込むように前記第１の金属膜の上に第２
   の金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求
   項２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第１の工程において、前記絶縁層
   を、低誘電率及び膜厚制御安定性を有する材料で形成す
   ることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製
   造方法。
5. 【請求項５】 前記第１の工程において、前記絶縁層
   を、第１の絶縁層と、該第１の絶縁層に要求される低誘
   電率及び膜厚制御安定性の条件を調整するための第２の
   絶縁層との２層構造で形成することを特徴とする請求項
   １に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第２の工程において、前記フォトレ
   ジスト層は、前記絶縁層の上に形成されたフォトレジス
   ト層に対し、前記第２の配線のパターン形状に従うよう
   にパターニングされたマスクを用いて露光及び現像を行
   うことにより形成されることを特徴とする請求項１に記
   載の多層配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれか一項に記載の
   多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基
   板。
8. 【請求項８】 請求項１から６のいずれか一項に記載の
   多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基
   板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導
   体装置。