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JP2000340702A - Solder ball transfer sheet and manufacture thereof - Google Patents

Solder ball transfer sheet and manufacture thereof

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Publication number
JP2000340702A
JP2000340702A JP11146865A JP14686599A JP2000340702A JP 2000340702 A JP2000340702 A JP 2000340702A JP 11146865 A JP11146865 A JP 11146865A JP 14686599 A JP14686599 A JP 14686599A JP 2000340702 A JP2000340702 A JP 2000340702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
layer
transfer sheet
solder ball
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11146865A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Aoki
仁 青木
Hidetaka Hara
英貴 原
Kensuke Nakamura
謙介 中村
Takeshi Hozumi
猛 八月朔日
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP11146865A priority Critical patent/JP2000340702A/en
Publication of JP2000340702A publication Critical patent/JP2000340702A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/012

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置に、信頼性の高い銅コアはんだは
んだボールを一括転写可能で、様々な構造のはんだボー
ルを形成可能なはんだボール転写シートを、低コストで
製造、提供する。 【解決手段】 ベース樹脂2上に、2つ以上の層からな
る導体端子3が形成されているはんだボール転写シート
1であって、金属板6にベース樹脂2を形成する工程、
メッキマスク8を金属板6に形成する工程、電解メッキ
または無電解メッキにより金属板6上に導体端子のはん
だ層5を形成する工程、メッキマスク8を除去する工
程、および、形成したはんだ層5をエッチングマスクと
して金属板6をエッチングすることにより導体端子3の
金属層4を形成する工程、から成る各工程をこの順に遂
行して製造する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To produce and provide a low-cost solder ball transfer sheet that can transfer a highly reliable copper core solder solder ball onto a semiconductor device at a time and can form solder balls of various structures. I do. SOLUTION: A solder ball transfer sheet 1 in which a conductor terminal 3 composed of two or more layers is formed on a base resin 2, wherein a step of forming the base resin 2 on a metal plate 6,
A step of forming the plating mask 8 on the metal plate 6, a step of forming the solder layer 5 of the conductor terminal on the metal plate 6 by electrolytic plating or electroless plating, a step of removing the plating mask 8, and a step of removing the formed solder layer 5. Forming the metal layer 4 of the conductor terminal 3 by etching the metal plate 6 using the as an etching mask.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、はんだボール搭載
工程を必要とする半導体装置に対して、はんだボールを
一括転写することにより搭載するはんだボール転写シー
トと、その製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder ball transfer sheet mounted on a semiconductor device requiring a solder ball mounting step by transferring solder balls at once, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】半導体装置はその小型化に伴って、従来の
ようなリードフレームを使用した形態の装置では、小型
化に限界がきているため、最近では回路基板上に半導体
チップを実装したものとして、BGA(Ball Gr
id Array)やCSP(Chip Scale
Package)と言った、エリア実装型の新しい装置
方式が提案されている。BGAは、半導体チップを半導
体搭載用基板(インターポーザ)にマウントし、ワイヤ
ーボンディング方式、TAB(Tape Automa
ted Bonding)方式などにより、半導体チッ
プとインターポーザを電気的に接続し、トランスファー
モールド方式などで樹脂封止し、インターポーザ外面
(半導体チップを搭載していない面)に、グリッドアレ
イ配置ではんだボールを搭載した半導体装置である。イ
ンターポーザ外面には、はんだボールを搭載させるため
のパッドが、グリッドアレイ状に形成されている。
[0003] With the miniaturization of semiconductor devices, the size of a conventional device using a lead frame has reached its limit in miniaturization. Recently, a semiconductor device mounted on a circuit board has been described as: BGA (Ball Gr
id Array) and CSP (Chip Scale)
A new device method of area mounting type, such as "Package", has been proposed. The BGA mounts a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate (interposer), and uses a wire bonding method, TAB (Tape Automa).
The semiconductor chip and the interposer are electrically connected by the ted bonding method, etc., resin-sealed by the transfer molding method, etc., and the solder balls are mounted on the outer surface of the interposer (the surface on which the semiconductor chip is not mounted) in a grid array arrangement. Semiconductor device. Pads for mounting solder balls are formed in a grid array on the outer surface of the interposer.

【0004】はんだボールの搭載方法としては、既製の
はんだボールをインターポーザ外面の所定の位置(パッ
ド上)に配列させ、リフローさせることにより搭載させ
る方法がある。はんだボールを整列させるには、インタ
ーポーザ外面のパッド配列と同じ配列の孔を有する治具
を使用する。その治具の孔は、はんだボールの直径より
も小さく、治具の片面にはんだボールを載せ、孔の反対
側から吸引することにより、はんだボールが孔に整列す
る。治具の孔にはんだボールを整列させた状態で、整列
されたはんだボールとインターポーザ外面のパッドを対
向させ、正確に位置合わせし、パッド上に配列した後、
リフローさせることにより、はんだボールをインターポ
ーザ外面のパッドに搭載する。
As a method for mounting solder balls, there is a method in which ready-made solder balls are arranged at predetermined positions (on pads) on the outer surface of the interposer, and are mounted by reflow. To align the solder balls, a jig having holes in the same arrangement as the pad arrangement on the outer surface of the interposer is used. The hole of the jig is smaller than the diameter of the solder ball. The solder ball is placed on one side of the jig and sucked from the opposite side of the hole, whereby the solder ball is aligned with the hole. With the solder balls aligned with the holes in the jig, the aligned solder balls and the pads on the outer surface of the interposer are opposed to each other, aligned correctly, and arranged on the pads.
The solder balls are mounted on the pads on the outer surface of the interposer by reflow.

【0005】はんだボールを整列させるこの方法では、
特にはんだボールが微小になってくると、はんだボール
の汚れやゴミ、静電気の影響によって、吸着ミスや余分
のはんだボール付着が生じたり、一つの孔に複数個のは
んだボールがぶどう状に吸着される場合があり、はんだ
ボールを確実に搭載するのが困難になるという問題があ
る。
In this method of aligning solder balls,
In particular, when the solder balls become very small, due to the effects of dirt, dust and static electricity on the solder balls, suction errors or extra solder ball adhesion may occur, or multiple solder balls may be adsorbed in a single hole in a grape shape. In some cases, it is difficult to securely mount the solder balls.

【0006】そこで、はんだボールを整列させて搭載す
るのではなく、はんだボールを一括転写することにより
はんだボールを搭載する、はんだボール転写方式が考え
られる。これは、半導体チップをフリップチップ接続す
るためのバンプを、一括転写することにより搭載する、
転写バンプシートを応用したものである。すなわち、シ
ート状のベースにはんだボールを形成したはんだボール
転写シートと、インターポーザ外面のパッドとを位置合
わせし、加熱・加圧することにより、はんだボール転写
シート側のはんだボールが、インターポーザ外面のパッ
ドに一括転写されると言うものである。
Therefore, a solder ball transfer method in which the solder balls are mounted by transferring the solder balls at once, instead of aligning and mounting the solder balls, is considered. This is to mount bumps for flip chip connection of semiconductor chips by batch transfer,
This is an application of a transfer bump sheet. That is, by aligning the solder ball transfer sheet with the solder balls formed on the sheet-like base and the pads on the outer surface of the interposer, and applying heat and pressure, the solder balls on the solder ball transfer sheet side are transferred to the pads on the outer surface of the interposer. That is, they are collectively transferred.

【0007】従来より知られている転写バンプシート
は、転写バンプシートのベースとなるベース金属に、は
んだバンプを形成するものである。製造工程は、ベース
金属にメッキマスクを形成し、電解メッキによりはんだ
バンプを形成した後、メッキマスクを除去すると言うも
のである。この方法では、バンプをはんだだけで所望の
大きさに形成するため、製造時間および製造コストがか
かってしまう。また、電解メッキでは、メッキ槽の電流
分布を完全に均一にするのは困難であるため、形成した
バンプの大きさにばらつきが生じてしまう。バンプの大
きさのばらつきはメッキ時間が長いほど顕著になるた
め、バンプをはんだのみで形成する方法では解決が困難
である。また、バンプ接続部分の耐湿信頼性を得るため
には、バンプをはんだだけで構成するのではなく、銅コ
アはんだバンプのように金属コアを有するバンプを採用
する方法があるが、この方法では製造時間および製造コ
ストがさらにかかってしまう。したがって、従来より知
られている転写バンプシートをはんだボール転写シート
にそのまま利用することは困難である。
Conventionally known transfer bump sheets are formed by forming solder bumps on a base metal serving as a base of the transfer bump sheet. In the manufacturing process, a plating mask is formed on a base metal, a solder bump is formed by electrolytic plating, and then the plating mask is removed. In this method, the bumps are formed to a desired size only by soldering, so that the manufacturing time and the manufacturing cost are increased. Further, in the electrolytic plating, it is difficult to make the current distribution in the plating tank completely uniform, so that the formed bumps vary in size. Variations in the size of the bumps become more pronounced as the plating time increases, and it is difficult to solve the problem by forming the bumps only with solder. In addition, in order to obtain the moisture resistance reliability of the bump connection part, there is a method of employing a bump having a metal core like a copper core solder bump, instead of using only a solder for the bump. Additional time and manufacturing costs are incurred. Therefore, it is difficult to use a conventionally known transfer bump sheet as it is for a solder ball transfer sheet.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の転写
バンプシートの構造および製造方法のこのような問題点
に鑑み、鋭意研究をした結果なされたもので、インター
ポーザ外面のパッドに、信頼性の高い銅コアはんだボー
ルを転写可能なはんだボール転写シートを、低コストで
製造提供することができるだけでなく、様々な構造のは
んだボールを形成可能なはんだボール転写シートを提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made as a result of intensive studies in view of the above problems of the structure and manufacturing method of the conventional transfer bump sheet. The purpose of the present invention is to provide a solder ball transfer sheet capable of transferring a high-cost copper core solder ball at a low cost as well as providing a solder ball transfer sheet capable of forming solder balls of various structures. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、はんだボ
ール搭載工程を必要とする半導体装置に対して、はんだ
ボールを一括転写することにより搭載するはんだボール
転写シートであって、該はんだボール転写シートのベー
スとなるベース樹脂上に、2つ以上の層からなる導体端
子が形成されていることを特徴とするはんだボール転写
シート、および、金属板面にベース樹脂を形成する工
程、メッキマスクを金属板に形成する工程、電解メッキ
または無電解メッキにより金属板上に導体端子の1部と
なるはんだ層を形成する工程、メッキマスクを除去する
工程、および、形成したはんだ層をエッチングマスクと
して金属板をエッチングすることにより導体端子の金属
層を形成する工程などの、各工程から成ることを特徴と
する、はんだボール転写シートの製造方法である。
That is, the present invention relates to a solder ball transfer sheet which is mounted on a semiconductor device which requires a solder ball mounting step by collectively transferring solder balls. A solder ball transfer sheet, characterized in that conductor terminals composed of two or more layers are formed on a base resin serving as a base of the sheet, and a step of forming the base resin on a metal plate surface, a plating mask. A step of forming a metal plate, a step of forming a solder layer to be a part of a conductor terminal on the metal plate by electrolytic plating or electroless plating, a step of removing a plating mask, and a step of removing the metal by using the formed solder layer as an etching mask. A solder ball, comprising a step of forming a metal layer of a conductor terminal by etching a plate. A copy sheet method of manufacturing.

【0010】本発明のはんだボール転写シートは、導体
端子が、ベース樹脂側から順に金属層、はんだ層の2層
で形成されたものを基本とし、好ましくは、導体端子
が、ベース樹脂側から順にはんだ層、金属層、はんだ層
の3層で構成され、あるいは、さらにベース樹脂と該ベ
ース樹脂に接するはんだ層との間に、接着金属層が設け
られた構成とする。またさらには、導体端子の表面に
は、電解メッキまたは無電解メッキによりはんだの被膜
を形成するのが好ましい。
[0010] The solder ball transfer sheet of the present invention is based on one in which the conductor terminals are formed of two layers of a metal layer and a solder layer in order from the base resin side, and preferably, the conductor terminals are sequentially formed from the base resin side. It has a three-layer structure of a solder layer, a metal layer, and a solder layer, or a structure in which an adhesive metal layer is provided between a base resin and a solder layer in contact with the base resin. Furthermore, it is preferable to form a solder coating on the surface of the conductor terminal by electrolytic plating or electroless plating.

【0011】導体端子の金属層(はんだボールのコアと
なる)は、エッチング可能な金属または合金であればど
のようなものでも良いが、一般的には、銅板のような金
属板が用いられる。銅を用いることにより、電気抵抗を
大幅に低減することができ、さらには、はんだボール接
合部の耐湿信頼性が向することが期待できる。銅以外の
金属または合金でも、エッチング可能ではんだボールの
コアとして適したものであれば、本発明のはんだボール
転写シートの製造方法を適用することができる。
The metal layer of the conductor terminal (which becomes the core of the solder ball) may be any metal or alloy that can be etched, but generally, a metal plate such as a copper plate is used. By using copper, the electrical resistance can be significantly reduced, and furthermore, it can be expected that the reliability of the solder ball joint at the moisture resistance is improved. The method for manufacturing a solder ball transfer sheet of the present invention can be applied to metals or alloys other than copper, as long as they can be etched and are suitable for a solder ball core.

【0012】また、はんだ層に用いられるはんだは、電
解メッキまたは無電解メッキ可能なものであればどのよ
うなものでも良く、例えば、Sn−Pb共晶はんだが挙
げられる。さらに、近年急速に開発が進められている、
Sn−Sb,Sn−Cu,Sn−Ag系などの、いわゆ
る鉛フリーはんだも、メッキ可能なものであれば使用で
きる。
The solder used for the solder layer may be any solder that can be electroplated or electrolessly plated, and includes, for example, a Sn-Pb eutectic solder. Furthermore, development has been progressing rapidly in recent years.
So-called lead-free solders such as Sn-Sb, Sn-Cu, Sn-Ag, etc. can also be used as long as they can be plated.

【0013】本発明に係るはんだボール転写シートの製
造方法は、工程の内容と順序により幾つかの方法が可能
であるが、その第1の製造方法は、金属板の一方の面に
ベース樹脂を形成する工程、金属板のもう一方の面にメ
ッキマスクを形成する工程、電解メッキまたは無電解メ
ッキにより金属板上に導体端子の1部となるはんだ層を
形成する工程、メッキマスクを除去する工程、および、
形成したはんだ層をエッチングマスクとして金属板をエ
ッチングすることにより導体端子の金属層を形成する工
程から成り、各工程をこの順に遂行することを特徴とす
る。
The method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to the present invention can be any of several methods depending on the contents and order of the steps. The first manufacturing method uses a base resin on one side of a metal plate. Forming, forming a plating mask on the other surface of the metal plate, forming a solder layer to be a part of the conductor terminal on the metal plate by electrolytic plating or electroless plating, and removing the plating mask. ,and,
The method is characterized by comprising a step of forming a metal layer of a conductor terminal by etching a metal plate using the formed solder layer as an etching mask, and performing each step in this order.

【0014】本発明に係るはんだボール転写シートの第
2の製造方法は、金属板の両面にメッキマスクを形成す
る工程、電解メッキまたは無電解メッキにより金属板上
に導体端子の1部となるはんだ層を形成する工程、はん
だ層を形成した金属板の一方の面にベース樹脂を形成す
る工程、メッキマスクを除去する工程、および、形成し
たはんだ層をエッチングマスクとして金属板をエッチン
グすることにより導体端子の金属層を形成する工程から
成り、各工程をこの順に遂行することを特徴とする。
In a second method of manufacturing a solder ball transfer sheet according to the present invention, a step of forming plating masks on both surfaces of a metal plate, a solder to be a part of a conductor terminal on the metal plate by electrolytic plating or electroless plating. A step of forming a layer, a step of forming a base resin on one surface of a metal plate on which a solder layer is formed, a step of removing a plating mask, and a step of etching the metal plate using the formed solder layer as an etching mask to form a conductor. The method comprises the steps of forming a metal layer of a terminal, wherein each step is performed in this order.

【0015】また、本発明に係るはんだボール転写シー
トの第3の製造方法は、金属板の片面にメッキマスクを
形成する工程、電解メッキまたは無電解メッキにより金
属板の両面に導体端子の1部となるはんだ層を形成する
工程、はんだ層を形成した金属板のメッキマスクを形成
していない方の面にベース樹脂を形成する工程、メッキ
マスクを除去する工程、および、形成したはんだ層をエ
ッチングマスクとして金属板をエッチングすることによ
り導体端子の金属層を形成する工程から成り、各工程を
この順に遂行することを特徴とする。
In a third method of manufacturing a solder ball transfer sheet according to the present invention, there is provided a step of forming a plating mask on one side of a metal plate, and forming a portion of a conductor terminal on both sides of the metal plate by electrolytic plating or electroless plating. Forming the solder layer, forming the base resin on the surface of the metal plate on which the solder layer is not formed with the plating mask, removing the plating mask, and etching the formed solder layer The method comprises the steps of forming a metal layer of a conductor terminal by etching a metal plate as a mask, and performing each step in this order.

【0016】さらに、近年開発が進められている新しい
組成の鉛フリーはんだの中には、銅などの金属層と同様
に、エッチング可能なものもある。本発明に係るはんだ
ボール転写シートの第4の製造方法は、このエッチング
可能なはんだを使用するもので、電解メッキまたは無電
解メッキにより金属板の両面(全面)に導体端子の1部
となるはんだ層を形成する工程、はんだ層を形成した金
属板の一方の面にベース樹脂を形成する工程、はんだ層
を形成した金属板のもう一方の面にエッチングマスクを
形成する工程、金属板および2つのはんだ層をエッチン
グすることにより導体端子を形成する工程、および、エ
ッチングマスクを除去する工程から成ることを特徴とす
る。
Further, some of the lead-free solders having a new composition which have been developed in recent years can be etched similarly to metal layers such as copper. A fourth method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to the present invention uses this etchable solder. Solder that becomes one part of a conductor terminal on both surfaces (entire surface) of a metal plate by electrolytic plating or electroless plating. Forming a layer, forming a base resin on one surface of the metal plate on which the solder layer is formed, forming an etching mask on the other surface of the metal plate on which the solder layer is formed, It is characterized by comprising a step of forming a conductor terminal by etching a solder layer and a step of removing an etching mask.

【0017】さらに、前記第1〜第4の製造方法により
形成された導体端子の表面に、電解メッキまたは無電解
メッキによりはんだの被膜を形成する工程を加えるのが
好ましい。本発明のはんだボール転写シートは、前記第
1〜第4のいずれかの方法により製造されたものであ
る。
Further, it is preferable to add a step of forming a solder coating on the surface of the conductor terminal formed by the first to fourth manufacturing methods by electrolytic plating or electroless plating. The solder ball transfer sheet of the present invention is manufactured by any one of the first to fourth methods.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

【0019】図1は、本発明の第1の実施形態であるは
んだボール転写シートの製造方法を説明するための図
で、図1(e)は、第1の製造方法により得られるはん
だボール転写シートの構造を示す断面図である。はんだ
ボール転写シート1は、ベース樹脂2および導体端子3
から構成され、導体端子3は、金属層4およびはんだ層
5から構成されている。
FIG. 1 is a view for explaining a method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1E shows a solder ball transfer sheet obtained by the first manufacturing method. It is sectional drawing which shows the structure of a sheet. Solder ball transfer sheet 1 includes base resin 2 and conductor terminals 3
, And the conductor terminal 3 includes a metal layer 4 and a solder layer 5.

【0020】第1の製造方法では、まず、ベース樹脂2
および金属板6からなる2層シートを用意する(a)。
2層シートは、ベース樹脂2上に金属板6を、加熱加圧
し積層して得ることができる。また、金属板6上に樹脂
ワニスを均一に塗工した後、乾燥して得る方法もある。
次に、金属板6上にメッキマスク8を形成し(b)、続
いて、電解メッキまたは無電解メッキにより、金属板6
上に、導体端子3の1部を構成するはんだ層5を形成す
る(c)。その後、メッキマスク8を剥離し(d)、形
成されたはんだ層5をエッチングマスクとして、金属板
6をエッチングし、導体端子3の1部を構成する金属層
4を形成して(e)、本発明のはんだボール転写シート
1が得られる。
In the first manufacturing method, first, the base resin 2
And a two-layer sheet composed of a metal plate 6 is prepared (a).
The two-layer sheet can be obtained by laminating the metal plate 6 on the base resin 2 by applying heat and pressure. There is also a method in which a resin varnish is uniformly applied on the metal plate 6 and then dried.
Next, a plating mask 8 is formed on the metal plate 6 (b), and subsequently, the metal plate 6 is formed by electrolytic plating or electroless plating.
A solder layer 5 constituting a part of the conductor terminal 3 is formed thereon (c). Thereafter, the plating mask 8 is peeled off (d), and the metal plate 6 is etched using the formed solder layer 5 as an etching mask to form a metal layer 4 constituting a part of the conductor terminal 3 (e). The solder ball transfer sheet 1 of the present invention is obtained.

【0021】図2は、第1の製造方法で得られたはんだ
ボール転写シート1を用いて、半導体装置10へはんだ
ボール12を一括転写する、転写方法を説明するための
図である。まず、はんだボール転写シート1を、ボンデ
ィング装置の基板受け台22の所定の位置に置き、吸着
孔21を有する加熱加圧ツール20に、半導体装置10
を吸着する。半導体装置10は、インターポーザ13上
に半導体チップ15をマウントし、続いて、ワイヤーボ
ンディングなどの工法で、インターポーザ13の配線と
半導体チップ15の電極を接続した後、封止樹脂16で
モールドしたものである。インターポーザ13には、は
んだボール12を搭載するためのパッド11(以下、半
導体装置10のパッド11)が形成されている。
FIG. 2 is a view for explaining a transfer method in which the solder balls 12 are collectively transferred to the semiconductor device 10 using the solder ball transfer sheet 1 obtained by the first manufacturing method. First, the solder ball transfer sheet 1 is placed at a predetermined position on a substrate receiving table 22 of a bonding apparatus, and the semiconductor device 10 is placed on a heating and pressing tool 20 having suction holes 21.
To adsorb. The semiconductor device 10 is obtained by mounting the semiconductor chip 15 on the interposer 13, connecting the wiring of the interposer 13 and the electrode of the semiconductor chip 15 by a method such as wire bonding, and then molding with a sealing resin 16. is there. On the interposer 13, pads 11 for mounting the solder balls 12 (hereinafter, pads 11 of the semiconductor device 10) are formed.

【0022】次に、はんだボール転写シート1および半
導体装置10に、予め形成されている位置決めマーク
を、画像認識装置により読み取り、はんだボール転写シ
ート1の導体端子3と、半導体装置10のパッド11と
を対向させ、正確に位置合わせする(a)。続いて、加
熱加圧ツール20を降下させ、半導体装置10をはんだ
ボール転写シート1に、所定の温度および圧力で平行に
押し付ける(b)。はんだ層5が溶融温度に到達した時
点で、はんだ層5の一部が金属層4の側面に回り込み、
表面張力の均衡がとれた形状に変化する(c)。所定の
時間だけ加熱加圧した後、加熱加圧ツール20を上昇さ
せ、半導体装置10およびはんだボール転写シート1を
加熱加圧ツール20から取り外す。はんだ層5が凝固し
た後に、ベース樹脂2を除去することにより、はんだボ
ール12を一括転写した半導体装置10が得られる
(d)。
Next, the positioning marks formed in advance on the solder ball transfer sheet 1 and the semiconductor device 10 are read by an image recognition device, and the conductor terminals 3 of the solder ball transfer sheet 1 and the pads 11 of the semiconductor device 10 are read. Are opposed to each other and accurately positioned (a). Subsequently, the heating / pressing tool 20 is lowered, and the semiconductor device 10 is pressed in parallel to the solder ball transfer sheet 1 at a predetermined temperature and pressure (b). When the solder layer 5 reaches the melting temperature, a part of the solder layer 5 wraps around the side of the metal layer 4,
The surface tension changes to a balanced shape (c). After heating and pressing for a predetermined time, the heating and pressing tool 20 is raised, and the semiconductor device 10 and the solder ball transfer sheet 1 are removed from the heating and pressing tool 20. After the solder layer 5 is solidified, the base resin 2 is removed to obtain the semiconductor device 10 in which the solder balls 12 are collectively transferred (d).

【0023】第1の実施形態によるはんだボール転写シ
ート1では、導体端子3を構成する金属層4の側面に
は、はんだの被膜が形成されないため、はんだ層5が溶
融温度に到達した時点で、はんだ層5の一部が金属層4
の側面に回り込むようにする必要がある。印加する圧力
が小さい場合や、金属層4に対するはんだの濡れ性が悪
い場合には、金属層4の側面には回り込まないが、これ
は圧力や温度の最適化、濡れ性の向上、または、はんだ
層5のはんだ量の最適化を図ることにより、容易に解決
できる。逆に言えば、それらを適切に調整すれば、金属
層4の側面にはんだ層5の1部が回り込まないようにす
ることもできる。
In the solder ball transfer sheet 1 according to the first embodiment, since the solder coating is not formed on the side surfaces of the metal layer 4 constituting the conductor terminals 3, when the solder layer 5 reaches the melting temperature, Part of the solder layer 5 is a metal layer 4
It is necessary to go around the side of the. When the applied pressure is small or when the wettability of the solder to the metal layer 4 is poor, it does not go around the side surface of the metal layer 4, but this is achieved by optimizing the pressure and temperature, improving the wettability, or This can be easily solved by optimizing the amount of solder in the layer 5. Conversely, if they are properly adjusted, it is possible to prevent a part of the solder layer 5 from going around the side surface of the metal layer 4.

【0024】また、導体端子3の大部分を占める金属層
4は、厚みの均一な金属板6をエッチングする方法で形
成されるため、各導体端子3の金属層4の厚みは非常に
均一である。また、はんだ層5を無電解メッキにより形
成する場合には、はんだ層5の厚みは非常に均一にな
る。従って、導体端子3の厚みは非常に均一であり、導
体端子3の厚みばらつきによるはんだボールの転写ミス
は発生しない。これに対して、はんだ層5を電解メッキ
により形成する場合には、はんだ層5の厚みばらつきが
多少発生はするが、電解メッキだけではんだボールを形
成する従来の技術と比較すれば、無視できるくらいに小
さい。
Since the metal layer 4 occupying most of the conductor terminals 3 is formed by etching a metal plate 6 having a uniform thickness, the thickness of the metal layer 4 of each conductor terminal 3 is very uniform. is there. When the solder layer 5 is formed by electroless plating, the thickness of the solder layer 5 becomes very uniform. Therefore, the thickness of the conductor terminal 3 is very uniform, and no transfer error of the solder ball due to the thickness variation of the conductor terminal 3 occurs. On the other hand, when the solder layer 5 is formed by electrolytic plating, the thickness of the solder layer 5 varies somewhat, but can be ignored compared to the conventional technique of forming solder balls only by electrolytic plating. About as small.

【0025】第1の実施形態によるはんだボール転写シ
ート1を用いた場合、図2(d)から分かるように、転
写されたはんだボール12の端面(図では下面)に、は
んだボール12のコアとなる金属層4が露出している。
はんだ層5のはんだの量が少ない場合には、半導体装置
10を基板に実装する際に、はんだによる接合が困難に
なることもある。これは、実装時に金属層4の露出面に
はんだが回り込むように、はんだの量を調整することで
容易に解決できる。
When the solder ball transfer sheet 1 according to the first embodiment is used, as can be seen from FIG. 2D, the core of the solder ball 12 is attached to the end face (the lower face in the figure) of the transferred solder ball 12. Metal layer 4 is exposed.
If the amount of solder in the solder layer 5 is small, it may be difficult to join the semiconductor device 10 to the substrate when mounting the semiconductor device 10 on a substrate. This can be easily solved by adjusting the amount of solder so that the solder goes around the exposed surface of the metal layer 4 during mounting.

【0026】図3は、本発明の第2の実施形態であるは
んだボール転写シートの製造方法を説明するための図
で、図3(f)は、第2の製造方法により得られるはん
だボール転写シートの構造を示す断面図である。はんだ
ボール転写シート31は、ベース樹脂32および導体端
子33から構成され、導体端子33が、金属層34、は
んだ層35および第2のはんだ層39の、3層で構成さ
れているのが特徴である。
FIG. 3 is a view for explaining a method of manufacturing a solder ball transfer sheet according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3 (f) shows a solder ball transfer sheet obtained by the second manufacturing method. It is sectional drawing which shows the structure of a sheet. The solder ball transfer sheet 31 is composed of a base resin 32 and conductor terminals 33, and the conductor terminals 33 are characterized by being composed of three layers of a metal layer 34, a solder layer 35 and a second solder layer 39. is there.

【0027】第2の製造方法では、まず、金属板36の
両面にメッキマスク38を形成する(a)。その際、金
属板36の表裏のメッキマスク38を正確に位置合わせ
しておくことが重要である。次に、電解メッキまたは無
電解メッキにより、金属板36の両面に、導体端子33
の1部を構成するはんだ層35および第2のはんだ層3
9を形成し(b)、続いて、金属板36の第2のはんだ
層39が形成された方の面にベース樹脂32を積層する
(c)。または、金属板36の第2のはんだ層39が形
成された方の面に、樹脂ワニスを均一に塗工した後、乾
燥する方法もある。その後、ベース樹脂32に接してい
ない側のメッキマスク38を剥離し(d)、形成された
はんだ層35をエッチングマスクとして、金属板36を
エッチングし、導体端子33の1部を構成する金属層3
4を形成する(e)。最後に、ベース樹脂32に接して
いるメッキマスク38を除去して(f)、本発明のはん
だボール転写シート31が得られる。
In the second manufacturing method, first, plating masks 38 are formed on both sides of a metal plate 36 (a). At this time, it is important that the plating masks 38 on the front and back of the metal plate 36 be accurately positioned. Next, the conductor terminals 33 are provided on both surfaces of the metal plate 36 by electrolytic plating or electroless plating.
Solder layer 35 and second solder layer 3 constituting a part of
9 is formed (b), and then the base resin 32 is laminated on the surface of the metal plate 36 on which the second solder layer 39 is formed (c). Alternatively, there is a method in which a resin varnish is uniformly applied to the surface of the metal plate 36 on which the second solder layer 39 is formed, and then dried. Thereafter, the plating mask 38 on the side not in contact with the base resin 32 is peeled off (d), and the metal plate 36 is etched by using the formed solder layer 35 as an etching mask to form a metal layer constituting a part of the conductor terminal 33. 3
4 is formed (e). Finally, the plating mask 38 in contact with the base resin 32 is removed (f) to obtain the solder ball transfer sheet 31 of the present invention.

【0028】導体端子33とベース樹脂32との密着性
が低い場合には、メッキマスク38を除去する工程
(f)を省略することにより、ベース樹脂32と残され
たメッキマスク38とで密着性を確保し、ベース樹脂3
2から導体端子33が剥離するのを防ぐことができる。
また、第2のはんだ層39とベース樹脂32の、双方ま
たは一方に表面処理を施し、密着性を向上させてもよ
い。さらには、第2のはんだ層39の表面に、ベース樹
脂32との密着性の高い接着金属層を形成し、その接着
金属層にベース樹脂32を形成すれば、密着性を向上す
ることができる。この接着金属層としては、例えばニッ
ケルが挙げられ、電解メッキまたは無電解メッキにより
形成することができる。この場合には、導体端子33の
構成は、ベース樹脂32側から順に接着金属層、第2の
はんだ層39、金属層34、はんだ層35の4層構造に
なる。
When the adhesion between the conductor terminal 33 and the base resin 32 is low, the step (f) of removing the plating mask 38 is omitted, and the adhesion between the base resin 32 and the remaining plating mask 38 is reduced. Secure the base resin 3
2 can prevent the conductor terminal 33 from peeling off.
Alternatively, both or one of the second solder layer 39 and the base resin 32 may be subjected to a surface treatment to improve the adhesion. Furthermore, if a bonding metal layer having high adhesion to the base resin 32 is formed on the surface of the second solder layer 39 and the base resin 32 is formed on the bonding metal layer, the adhesion can be improved. . The adhesive metal layer includes, for example, nickel, and can be formed by electrolytic plating or electroless plating. In this case, the configuration of the conductor terminal 33 has a four-layer structure of an adhesive metal layer, a second solder layer 39, a metal layer 34, and a solder layer 35 in this order from the base resin 32 side.

【0029】図4は、第2の製造方法で得られたはんだ
ボール転写シート31を用いて、半導体装置10へはん
だボール42を一括転写する、転写方法を説明するため
の図である。転写方法は、前記第1の実施形態によるは
んだボール転写シート用いる場合と同様であるが、転写
時のはんだ層の挙動が異なる。すなわち、はんだボール
転写シート31と半導体装置10を加熱加圧する(b)
ことにより、はんだ層35および第2のはんだ層39が
溶融温度に到達した時点で、両はんだ層35,39の一
部が金属層34の側面に回り込む。また、このようにし
て形成、転写されたはんだボール42では、金属層34
がはんだボール42の内部に包み込まれ、表面に露出し
ない。
FIG. 4 is a view for explaining a transfer method of collectively transferring the solder balls 42 to the semiconductor device 10 using the solder ball transfer sheet 31 obtained by the second manufacturing method. The transfer method is the same as the case of using the solder ball transfer sheet according to the first embodiment, but the behavior of the solder layer at the time of transfer is different. That is, the solder ball transfer sheet 31 and the semiconductor device 10 are heated and pressed (b).
Thereby, when the solder layer 35 and the second solder layer 39 reach the melting temperature, a part of both the solder layers 35 and 39 goes around the side surface of the metal layer 34. Further, the solder ball 42 formed and transferred in this manner includes the metal layer 34.
Is wrapped inside the solder ball 42 and is not exposed on the surface.

【0030】図5は、本発明の第3の実施形態であるは
んだボール転写シートの製造方法を説明するための図
で、図5(e)は、第3の製造方法により得られるはん
だボール転写シートの構造を示す断面図である。はんだ
ボール転写シート51は、ベース樹脂52および導体端
子53から構成され、導体端子53が、金属層54、は
んだ層55、および全ての導体端子53に渡ってつなが
っている第2のはんだ層59の、3層で構成されている
のが特徴である。
FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing a solder ball transfer sheet according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5E shows a solder ball transfer sheet obtained by the third manufacturing method. It is sectional drawing which shows the structure of a sheet. The solder ball transfer sheet 51 is composed of a base resin 52 and a conductor terminal 53. The conductor terminal 53 is formed of a metal layer 54, a solder layer 55, and a second solder layer 59 connected to all the conductor terminals 53. It is characterized by being composed of three layers.

【0031】第3の製造方法では、まず、金属板56の
片面にメッキマスク58を形成する(a)。次に、電解
メッキまたは無電解メッキにより、金属板56の両面
に、導体端子53の1部となる、はんだ層55および第
2のはんだ層59を形成し(b)、続いて、第2のはん
だ層59が形成された方の面に、ベース樹脂52を積層
する(c)。または、第2のはんだ層59が形成された
方の面に、樹脂ワニスを均一に塗工した後、乾燥する方
法もある。その後、メッキマスク58を剥離し(d)、
形成されたはんだ層55をエッチングマスクとして、金
属板56をエッチングし、導体端子53を構成する金属
層54を形成して(e)、本発明のはんだボール転写シ
ート51が得られる。
In the third manufacturing method, first, a plating mask 58 is formed on one surface of a metal plate 56 (a). Next, a solder layer 55 and a second solder layer 59 to be a part of the conductor terminal 53 are formed on both surfaces of the metal plate 56 by electrolytic plating or electroless plating (b). The base resin 52 is laminated on the surface on which the solder layer 59 is formed (c). Alternatively, there is a method in which a resin varnish is uniformly applied to the surface on which the second solder layer 59 is formed and then dried. Thereafter, the plating mask 58 is peeled off (d),
Using the formed solder layer 55 as an etching mask, the metal plate 56 is etched to form the metal layer 54 constituting the conductor terminal 53 (e), and the solder ball transfer sheet 51 of the present invention is obtained.

【0032】図6は、第3の製造方法で得られたはんだ
ボール転写シート51を用いて、半導体装置10へはん
だボール62を一括転写する、転写方法を説明するため
の図である。転写方法は、前記第1の実施形態によるは
んだボール転写シートを用いる場合と同様であるが、転
写時のはんだ層の挙動が異なる。すなわち、第2のはん
だ層59が全ての導体端子53に渡ってつながっている
ため、転写時に隣り合う導体端子53が、第2のはんだ
層59によりブリッジを発生するように思えるが、第2
のはんだ層59のはんだ量を適正に調整すれば、ブリッ
ジは発生しない。また、半導体装置10のパッド11周
辺には、一般にソルダーレジストが形成されており、は
んだの濡れ性が悪いため、ブリッジが発生しにくくなっ
ている。
FIG. 6 is a view for explaining a transfer method in which the solder balls 62 are collectively transferred to the semiconductor device 10 using the solder ball transfer sheet 51 obtained by the third manufacturing method. The transfer method is the same as the case of using the solder ball transfer sheet according to the first embodiment, but the behavior of the solder layer at the time of transfer is different. That is, since the second solder layer 59 is connected to all the conductor terminals 53, the adjacent conductor terminals 53 appear to generate a bridge due to the second solder layer 59 at the time of transfer.
If the amount of solder in the solder layer 59 is properly adjusted, no bridge occurs. In addition, a solder resist is generally formed around the pads 11 of the semiconductor device 10, and the wettability of the solder is poor, so that the bridge is hardly generated.

【0033】第2のはんだ層59のはんだ量(厚み)を
調整するのは容易である。例えば、第2のはんだ層59
のはんだ量(厚み)を、はんだ層55のはんだ量(厚
み)より少なくする方法について説明する。図5(a)
において、金属板56の片面にメッキマスク58を形成
する際に、反対側の面にも全面にメッキマスクを形成し
ておく。そして、電解メッキまたは無電解メッキによ
り、所定の時間だけはんだ層55を形成する。このとき
には、はんだ層55は目標の厚みまで形成されていな
い。全面に形成したメッキマスクを剥離し、電解メッキ
または無電解メッキにより、はんだ層55を目標の厚み
まで形成する。このようにして、第2のはんだ層59の
はんだ量(厚み)を、はんだ層55より少なくすること
ができる。全面に形成したメッキマスクを除去するまで
の時間を調整することにより、第2のはんだ層59のは
んだ量(厚み)を調整することができる。一方、第2の
はんだ層59のはんだ量(厚み)を、はんだ層55より
多くしたい場合には、上述の方法とは逆に、金属板56
のはんだ層55を形成する面に、全面にメッキマスクを
形成し、その後は同様な方法ではんだ層55および第2
のはんだ層59を形成していけばよい。
It is easy to adjust the amount of solder (thickness) of the second solder layer 59. For example, the second solder layer 59
The method of making the solder amount (thickness) of the solder layer 55 smaller than the solder amount (thickness) of the solder layer 55 will be described. FIG. 5 (a)
In the above, when the plating mask 58 is formed on one surface of the metal plate 56, the plating mask is also formed on the entire surface on the opposite surface. Then, the solder layer 55 is formed for a predetermined time by electrolytic plating or electroless plating. At this time, the solder layer 55 has not been formed to the target thickness. The plating mask formed on the entire surface is peeled off, and the solder layer 55 is formed to a target thickness by electrolytic plating or electroless plating. Thus, the amount of solder (thickness) of the second solder layer 59 can be smaller than that of the solder layer 55. The amount of solder (thickness) of the second solder layer 59 can be adjusted by adjusting the time until the plating mask formed on the entire surface is removed. On the other hand, if the amount of solder (thickness) of the second solder layer 59 is desired to be larger than that of the solder layer 55, the metal plate 56
A plating mask is formed on the entire surface on which the solder layer 55 is to be formed, and then the solder layer 55 and the second
The solder layer 59 may be formed.

【0034】第2のはんだ層59とベース樹脂52との
密着性が低い場合には、第2のはんだ層59またはベー
ス樹脂52に表面処理を施し、密着性を向上させてもよ
い。また、第2のはんだ層59に、ベース樹脂52との
密着性の高い接着金属層を形成し、その接着金属層にベ
ース樹脂52を形成すれば、密着性を向上することがで
きる。その接着金属層としては、例えばニッケルがあげ
られ、電解メッキまたは無電解メッキにより形成するこ
とができる。この場合には、導体端子53の構成は、ベ
ース樹脂52側から順に接着金属層、第2のはんだ層5
9、金属層54、はんだ層55の4層構造になる。
When the adhesion between the second solder layer 59 and the base resin 52 is low, the second solder layer 59 or the base resin 52 may be subjected to a surface treatment to improve the adhesion. Further, if an adhesive metal layer having high adhesion to the base resin 52 is formed on the second solder layer 59 and the base resin 52 is formed on the adhesive metal layer, the adhesion can be improved. The adhesive metal layer is, for example, nickel, and can be formed by electrolytic plating or electroless plating. In this case, the configuration of the conductor terminal 53 is such that the adhesive metal layer, the second solder layer 5
9, a four-layer structure of a metal layer 54 and a solder layer 55.

【0035】図7は、本発明の第4の実施形態であるは
んだボール転写シートの製造方法を説明するための図
で、図7(e)は、第4の製造方法により得られるはん
だボール転写シートの構造を示す断面図である。はんだ
ボール転写シート71は、ベース樹脂72および導体端
子73から構成され、導体端子73が、金属層74、は
んだ層75および第2のはんだ層79の3層で構成され
ているが、基本的な構成は、図3に示した第2の製造方
法により得られるはんだボール転写シート31と同じで
ある。
FIG. 7 is a view for explaining a method of manufacturing a solder ball transfer sheet according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 7 (e) shows a solder ball transfer sheet obtained by the fourth manufacturing method. It is sectional drawing which shows the structure of a sheet. The solder ball transfer sheet 71 is composed of a base resin 72 and conductor terminals 73, and the conductor terminals 73 are composed of three layers of a metal layer 74, a solder layer 75, and a second solder layer 79. The configuration is the same as that of the solder ball transfer sheet 31 obtained by the second manufacturing method shown in FIG.

【0036】第4の製造方法では、エッチング可能なは
んだを使用するが、まず、電解メッキまたは無電解メッ
キにより、金属板76の両面(全面)に導体端子の1部
となる2つのはんだ層を形成する(a)。次に、はんだ
層を形成した金属板76の一方の面にベース樹脂72を
形成し(b)、続いて、もう一方の面にエッチングマス
ク77を形成する(c)が、この2つの工程は、順序が
逆になっても差し支えない。また、ベース樹脂72の形
成方法は、シート状のベース樹脂を積層する方法でも、
樹脂ワニスを均一に塗工した後、乾燥する方法でもかま
わない。その後、エッチングマスク77を介して、金属
板および2つのはんだ層をエッチングすることにより、
金属層74、はんだ層75および第2のはんだ層79か
らなる導体端子73を形成する(d)。この時、金属層
および2つのはんだ層を、同時にエッチングできるエッ
チング液を用いることは勿論である。最後に、エッチン
グマスク77を除去して(e)、本発明のはんだボール
転写シート71が得られる。
In the fourth manufacturing method, an etchable solder is used. First, two solder layers to be a part of the conductor terminal are formed on both surfaces (entire surface) of the metal plate 76 by electrolytic plating or electroless plating. (A). Next, a base resin 72 is formed on one surface of the metal plate 76 on which the solder layer is formed (b), and then an etching mask 77 is formed on the other surface (c). The order can be reversed. Further, the method of forming the base resin 72 may be a method of laminating a sheet-like base resin,
A method in which the resin varnish is uniformly applied and then dried may be used. Then, by etching the metal plate and the two solder layers via the etching mask 77,
A conductor terminal 73 including the metal layer 74, the solder layer 75, and the second solder layer 79 is formed (d). At this time, of course, an etching solution that can simultaneously etch the metal layer and the two solder layers is used. Finally, the etching mask 77 is removed (e) to obtain the solder ball transfer sheet 71 of the present invention.

【0037】導体端子73とベース樹脂72との密着性
が低い場合に、第2のはんだ層79とベース樹脂72の
双方または一方に表面処理を施し、あるいは、第2のは
んだ層79の表面に接着金属層を形成することは、第2
および第3の製造方法と同様である。また、得られたは
んだボール転写シート71の使用方法は、第2の製造方
法により得られるはんだボール転写シート31の場合と
同じである。
When the adhesion between the conductor terminal 73 and the base resin 72 is low, a surface treatment is applied to both or one of the second solder layer 79 and the base resin 72, or the surface of the second solder layer 79 is Forming the adhesive metal layer is a second step.
And the third manufacturing method. The method of using the obtained solder ball transfer sheet 71 is the same as that of the solder ball transfer sheet 31 obtained by the second manufacturing method.

【0038】第1〜第4の実施形態によるはんだボール
転写シートはいずれも、金属層4,34,54,74の側
面には、はんだの被膜は形成されていない。はんだ層の
はんだ量の調整、転写時の温度および圧力の最適化、金
属層のはんだ濡れ性の向上などを図ることにより、転写
後のはんだボール12,42,62の金属コアの側面には
んだが回り込む。しかしながら、転写時の温度および圧
力には制限があり、転写後のはんだボールの金属コアの
側面にはんだを回り込ませるのが困難な場合には、はん
だボール転写シートを作製した後に、導体端子3,33,
53,73の表面(側面)に、電解メッキまたは無電解
メッキによりはんだの被膜を形成すればよい。これによ
り、金属層の側面にもはんだが形成されるため、転写時
の温度および圧力に制限があっても、転写後のはんだボ
ールの金属コアは、はんだ層で包まれた形になる。
In each of the solder ball transfer sheets according to the first to fourth embodiments, no solder coating is formed on the side surfaces of the metal layers 4, 34, 54, and 74. By adjusting the amount of solder in the solder layer, optimizing the temperature and pressure during transfer, and improving the solder wettability of the metal layer, the solder is transferred to the side surfaces of the metal cores of the transferred solder balls 12, 42 and 62. Wrap around. However, the temperature and pressure at the time of transfer are limited, and when it is difficult to make the solder wrap around the side surface of the metal core of the solder ball after transfer, after the solder ball transfer sheet is prepared, the conductor terminals 3 and 33,
A solder coating may be formed on the surfaces (side surfaces) of the 53 and 73 by electrolytic plating or electroless plating. As a result, the solder is also formed on the side surfaces of the metal layer. Therefore, even if the temperature and pressure at the time of transfer are limited, the metal core of the solder ball after transfer has a shape surrounded by the solder layer.

【0039】以上のように、本発明によるはんだボール
転写シートは、はんだボールのコアとなる金属層を、エ
ッチングで形成するため、電解メッキまたは無電解メッ
キだけではんだボールを形成する場合よりも、製造時間
および製造コストを大幅に低減することができる。ま
た、はんだボールの大きさや信頼性の観点から判断し
て、金属板の厚みを可能な限り大きくすることにより、
エッチング工程の割合を増加させることができれば、製
造時間および製造コストのさらなる低減が可能である。
As described above, in the solder ball transfer sheet according to the present invention, the metal layer serving as the core of the solder ball is formed by etching. Manufacturing time and manufacturing cost can be significantly reduced. Also, judging from the viewpoint of the size and reliability of the solder ball, by increasing the thickness of the metal plate as much as possible,
If the rate of the etching step can be increased, the manufacturing time and the manufacturing cost can be further reduced.

【0040】金属層は厚みの均一な金属板からエッチン
グ工程により得られるため、厚みばらつきのない均一な
金属層が得られ、無電解メッキで形成されたはんだ層
は、厚みばらつきがなく均一である。また、電解メッキ
で形成されたはんだ層には、厚みばらつきが多少発生は
するが、電解メッキだけではんだボールを形成する従来
の技術と比較して、厚みばらつきは無視できるくらいに
小さい。
Since the metal layer is obtained from a metal plate having a uniform thickness by an etching process, a uniform metal layer having no thickness variation is obtained, and a solder layer formed by electroless plating is uniform without thickness variation. . In addition, although the solder layer formed by electrolytic plating has some thickness variation, the thickness variation is so small as to be negligible as compared with the conventional technique of forming solder balls only by electrolytic plating.

【0041】[0041]

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれによって何ら限定されるものでは
ない。
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which should not be construed as limiting the present invention.

【0042】厚み0.25mmの圧延銅板(金属板6)
に、シリコーン変性ポリイミド(ベース樹脂2)を積層
し、銅板と樹脂層からなる2層シートを得た。この2層
シートの銅板面に対して、ドライフィルムレジストを積
層し、露光、現像した後、Sn−Pb共晶はんだを電解
メッキすることにより、厚み20μmのはんだ(はんだ
層5)を形成した。さらに、ドライフィルムを剥離し、
銅板エッチングの工程を経て、ピッチ0.5mm、直径
0.25mmの銅円柱(金属層4)を4096個形成
し、本発明の第1の実施形態によるはんだボール転写シ
ート1を作製した。
Rolled copper plate 0.25 mm thick (metal plate 6)
Was laminated with a silicone-modified polyimide (base resin 2) to obtain a two-layer sheet composed of a copper plate and a resin layer. A dry film resist was laminated on the copper plate surface of the two-layer sheet, exposed and developed, and then Sn-Pb eutectic solder was electroplated to form a 20 μm-thick solder (solder layer 5). In addition, peel off the dry film,
Through a copper plate etching process, 4096 copper cylinders (metal layer 4) having a pitch of 0.5 mm and a diameter of 0.25 mm were formed, and a solder ball transfer sheet 1 according to the first embodiment of the present invention was produced.

【0043】実施例2 厚み0.25mmの圧延銅板(金属板36)の両面に、
ドライフィルムレジストを積層し、露光、現像した後、
Sn−Pb共晶はんだを電解メッキすることにより、厚
み20μmのはんだ(はんだ層35,39)を両面に形
成した。はんだを形成した銅板に、シリコーン変性ポリ
イミド(ベース樹脂32)を積層した後、ベース樹脂3
2に接していない側のドライフィルムを剥離し、銅板エ
ッチングの工程を経て、ピッチ0.5mm、直径0.25
mmの銅円柱(金属層34)を4096個形成し、本発
明の第2の実施形態によるはんだボール転写シート31
を作製した。ベース樹脂に接しているドライフィルムは
剥離しなかった。
Example 2 On both sides of a rolled copper plate (metal plate 36) having a thickness of 0.25 mm,
After laminating dry film resist, exposing and developing,
A 20 μm thick solder (solder layers 35 and 39) was formed on both sides by electroplating Sn—Pb eutectic solder. After laminating silicone-modified polyimide (base resin 32) on the copper plate on which the solder is formed, the base resin 3
The dry film on the side not in contact with No. 2 was peeled off, and after a copper plate etching step, the pitch was 0.5 mm and the diameter was 0.25.
4096 mm copper columns (metal layer 34) are formed, and the solder ball transfer sheet 31 according to the second embodiment of the present invention is formed.
Was prepared. The dry film in contact with the base resin did not peel off.

【0044】実施例3 厚み0.25mmの圧延銅板(金属板56)の片面に、
ドライフィルムレジストを積層し、露光、現像した後、
Sn−Pb共晶はんだを電解メッキすることにより、厚
み20μmのはんだ(はんだ層55)と、厚み10μm
のはんだ(第2のはんだ層59,全面はんだメッキ)を
形成した。全面はんだメッキされた銅板の面に、シリコ
ーン変性ポリイミド(ベース樹脂52)を積層した。ド
ライフィルムを剥離し、銅板エッチングの工程を経て、
ピッチ0.5mm、直径0.25mmの銅円柱(金属層5
4)を4096個形成し、本発明の第3の実施形態によ
るはんだボール転写シート51を作製した。
Example 3 One side of a 0.25 mm thick rolled copper plate (metal plate 56)
After laminating dry film resist, exposing and developing,
Electroplating of Sn-Pb eutectic solder allows solder having a thickness of 20 μm (solder layer 55) and a thickness of 10 μm
(The second solder layer 59, solder plating on the entire surface) was formed. Silicone-modified polyimide (base resin 52) was laminated on the entire surface of the copper plate that was solder-plated. Peel the dry film, through the copper plate etching process,
A copper cylinder with a pitch of 0.5 mm and a diameter of 0.25 mm (metal layer 5
4) were formed to form a solder ball transfer sheet 51 according to the third embodiment of the present invention.

【0045】実施例1〜3で作製したはんだボール転写
シートを用いて、半導体装置10に対するはんだボール
の転写を行なった。転写条件は、加熱加圧ツール20の
温度:150℃、基板受け台22の温度:250℃、荷
重:6kgf/4096ボール、加熱および加圧時間:
10秒、とした。各実施例について10サンプルを作製
し、上記の条件により転写実験を実施したところ、全サ
ンプルにおいて4096個のはんだボールが、完全に半
導体装置側に転写されていることが確認された。半導体
装置に搭載されたはんだボールは、ピッチ0.5mm、
直径0.3mmであった。はんだボールの高さは、実施
例1の場合は0.26mm、実施例2および3の場合は
0.27mmであった。
The solder balls were transferred to the semiconductor device 10 using the solder ball transfer sheets prepared in Examples 1 to 3. The transfer conditions are as follows: the temperature of the heating / pressing tool 20: 150 ° C., the temperature of the substrate support 22: 250 ° C., the load: 6 kgf / 4096 balls, the heating and pressing time:
10 seconds. Ten samples were prepared for each example, and a transfer experiment was performed under the above conditions. As a result, it was confirmed that 4096 solder balls were completely transferred to the semiconductor device side in all the samples. The solder balls mounted on the semiconductor device have a pitch of 0.5 mm,
The diameter was 0.3 mm. The height of the solder ball was 0.26 mm in Example 1 and 0.27 mm in Examples 2 and 3.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明によれば、半導体装置にはんだボ
ールを一括搭載可能なはんだボール転写シートを、低コ
ストで製造提供することができ、かつ生産性を大幅に向
上することができる。また、本発明のはんだボール転写
シートを利用することにより、半導体装置にはんだボー
ルを容易に搭載することができるだけでなく、転写した
はんだボールは金属コアを有しているため耐湿信頼性を
大幅に向上できる上、金属層(はんだボールのコア)に
銅を使用した場合には、電気抵抗も大幅に低減できる。
According to the present invention, a solder ball transfer sheet on which solder balls can be collectively mounted on a semiconductor device can be manufactured and provided at low cost, and productivity can be greatly improved. In addition, by using the solder ball transfer sheet of the present invention, not only can the solder balls be easily mounted on the semiconductor device, but also the transferred solder balls have a metal core so that the moisture resistance reliability is greatly improved. In addition, when copper is used for the metal layer (the core of the solder ball), the electric resistance can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態によるはんだボール
転写シートの製造方法を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1の実施形態によるはんだボール
転写シートを用いて、半導体装置へはんだボールを一括
転写する転写方法を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a transfer method of collectively transferring solder balls to a semiconductor device using the solder ball transfer sheet according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第2の実施形態によるはんだボール
転写シートの製造方法を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第2の実施形態によるはんだボール
転写シートを用いて、半導体装置へはんだボールを一括
転写する転写方法を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a transfer method for collectively transferring solder balls to a semiconductor device using a solder ball transfer sheet according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第3の実施形態によるはんだボール
転写シートの製造方法を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第3の実施形態によるはんだボール
転写シートを用いて、半導体装置へはんだボールを一括
転写する転写方法を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a transfer method for collectively transferring solder balls to a semiconductor device using a solder ball transfer sheet according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第4の実施形態によるはんだボール
転写シートの製造方法を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,31,51,71 はんだボール転写シート 2,32,52,72 ベース樹脂 3,33,53,73 導体端子 4,34,54,74 金属層 5,35,55,75 はんだ層 6,36,56,76 金属板 8,38,58 メッキマスク 10 半導体装置 11 パッド 12,42,62 はんだボール 13 インターポーザ 15 半導体チップ 16 封止樹脂 20 加熱加圧ツール 21 吸着孔 22 基板受け台 39,59,79 第2のはんだ層 77 エッチングマスク 1,31,51,71 Solder ball transfer sheet 2,32,52,72 Base resin 3,33,53,73 Conductor terminal 4,34,54,74 Metal layer 5,35,55,75 Solder layer 6,36 , 56, 76 Metal plate 8, 38, 58 Plating mask 10 Semiconductor device 11 Pad 12, 42, 62 Solder ball 13 Interposer 15 Semiconductor chip 16 Sealing resin 20 Heating / pressing tool 21 Suction hole 22 Substrate support 39, 59, 79 Second solder layer 77 Etching mask

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八月朔日 猛 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Takeshi August Shuto 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 はんだボール搭載工程を必要とする半導
体装置に対して、はんだボールを一括転写することによ
り搭載するはんだボール転写シートであって、該はんだ
ボール転写シートのベースとなるベース樹脂上に、2つ
以上の層からなる導体端子が形成されていることを特徴
とするはんだボール転写シート。
1. A solder ball transfer sheet to be mounted on a semiconductor device requiring a solder ball mounting step by collectively transferring solder balls, wherein the solder ball transfer sheet is mounted on a base resin serving as a base of the solder ball transfer sheet. 2. A solder ball transfer sheet, wherein a conductor terminal comprising two or more layers is formed.
【請求項2】 導体端子が2層で構成され、ベース樹脂
側から、金属層、はんだ層の順に形成されていることを
特徴とする、請求項1記載のはんだボール転写シート。
2. The solder ball transfer sheet according to claim 1, wherein the conductor terminals are composed of two layers, and a metal layer and a solder layer are formed in this order from the base resin side.
【請求項3】 導体端子が3層で構成され、ベース樹脂
側から、はんだ層、金属層、はんだ層の順に形成されて
いることを特徴とする、請求項1記載のはんだボール転
写シート。
3. The solder ball transfer sheet according to claim 1, wherein the conductor terminals are formed of three layers, and are formed in the order of a solder layer, a metal layer, and a solder layer from the base resin side.
【請求項4】 ベース樹脂と導体端子を構成するはんだ
層との間に、接着金属層を設けたことを特徴とする、請
求項3記載のはんだボール転写シート。
4. The solder ball transfer sheet according to claim 3, wherein an adhesive metal layer is provided between the base resin and the solder layer forming the conductor terminal.
【請求項5】 導体端子の表面に、電解メッキまたは無
電解メッキによるはんだの被膜が形成されていることを
特徴とする、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
のはんだボール転写シート。
5. The solder ball transfer sheet according to claim 1, wherein a solder coating is formed on the surface of the conductor terminal by electrolytic plating or electroless plating.
【請求項6】 金属層が銅であることを特徴とする、請
求項2ないし請求項5のいずれかに記載のはんだボール
転写シート。
6. The solder ball transfer sheet according to claim 2, wherein the metal layer is copper.
【請求項7】 金属板の一方の面にベース樹脂を形成す
る工程、金属板のもう一方の面にメッキマスクを形成す
る工程、電解メッキまたは無電解メッキにより金属板上
に導体端子の1部となるはんだ層を形成する工程、メッ
キマスクを除去する工程、および、形成したはんだ層を
エッチングマスクとして金属板をエッチングすることに
より導体端子の金属層を形成する工程から成り、各工程
をこの順に遂行することを特徴とする、はんだボール転
写シートの製造方法。
7. A step of forming a base resin on one side of the metal plate, a step of forming a plating mask on the other side of the metal plate, and a portion of the conductor terminal on the metal plate by electrolytic plating or electroless plating. A step of forming a solder layer to be formed, a step of removing a plating mask, and a step of forming a metal layer of a conductor terminal by etching a metal plate using the formed solder layer as an etching mask. A method for producing a solder ball transfer sheet.
【請求項8】 金属板の両面にメッキマスクを形成する
工程、電解メッキまたは無電解メッキにより金属板上に
導体端子の1部となるはんだ層を形成する工程、はんだ
層を形成した金属板の一方の面にベース樹脂を形成する
工程、メッキマスクを除去する工程、および、形成した
はんだ層をエッチングマスクとして金属板をエッチング
することにより導体端子の金属層を形成する工程から成
り、各工程をこの順に遂行することを特徴とする、はん
だボール転写シートの製造方法。
8. A step of forming a plating mask on both sides of the metal plate, a step of forming a solder layer to be a part of a conductor terminal on the metal plate by electrolytic plating or electroless plating, A step of forming a base resin on one surface, a step of removing a plating mask, and a step of forming a metal layer of a conductor terminal by etching a metal plate using the formed solder layer as an etching mask. A method for producing a solder ball transfer sheet, wherein the method is performed in this order.
【請求項9】 金属板の片面にメッキマスクを形成する
工程、電解メッキまたは無電解メッキにより金属板の両
面に導体端子の1部となるはんだ層を形成する工程、は
んだ層を形成した金属板のメッキマスクを形成していな
い方の面にベース樹脂を形成する工程、メッキマスクを
除去する工程、および、形成したはんだ層をエッチング
マスクとして金属板をエッチングすることにより導体端
子の金属層を形成する工程から成り、各工程をこの順に
遂行することを特徴とする、はんだボール転写シートの
製造方法。
9. A step of forming a plating mask on one side of a metal plate, a step of forming a solder layer to be a part of a conductor terminal on both sides of the metal plate by electrolytic plating or electroless plating, and a metal plate having a solder layer formed thereon. Forming a base resin on the side where the plating mask is not formed, removing the plating mask, and forming a metal layer of the conductor terminal by etching the metal plate using the formed solder layer as an etching mask A method of manufacturing a solder ball transfer sheet, wherein the steps are performed in this order.
【請求項10】 電解メッキまたは無電解メッキにより
金属板の両面(全面)に導体端子の1部となるはんだ層
を形成する工程、はんだ層を形成した金属板の一方の面
にベース樹脂を形成する工程、はんだ層を形成した金属
板のもう一方の面にエッチングマスクを形成する工程、
金属板および2つのはんだ層をエッチングすることによ
り導体端子を形成する工程、および、エッチングマスク
を除去する工程から成ることを特徴とする、はんだボー
ル転写シートの製造方法。
10. A step of forming a solder layer to be a part of a conductor terminal on both sides (entire surface) of a metal plate by electrolytic plating or electroless plating, and forming a base resin on one surface of the metal plate on which the solder layer is formed. Forming an etching mask on the other surface of the metal plate on which the solder layer is formed,
A method for manufacturing a solder ball transfer sheet, comprising: a step of forming conductor terminals by etching a metal plate and two solder layers; and a step of removing an etching mask.
【請求項11】 ベース樹脂を形成する工程の前に、電
解メッキまたは無電解メッキにより、ベース樹脂が形成
されるはんだ層の表面に接着金属層を形成する工程を設
けることを特徴とする、請求項8ないし請求項10のい
ずれかに記載のはんだボール転写シートの製造方法。
11. A method for forming an adhesive metal layer on a surface of a solder layer on which a base resin is formed by electrolytic plating or electroless plating before the step of forming a base resin. A method for producing a solder ball transfer sheet according to any one of claims 8 to 10.
【請求項12】 導体端子を形成した後、該導体端子の
表面に電解メッキまたは無電解メッキによりはんだの被
膜を形成することを特徴とする、請求項7ないし請求項
11のいずれかに記載のはんだボール転写シートの製造
方法。
12. The method according to claim 7, wherein after forming the conductor terminal, a solder coating is formed on the surface of the conductor terminal by electrolytic plating or electroless plating. Manufacturing method of solder ball transfer sheet.
【請求項13】 金属層が銅であることを特徴とする、
請求項7ないし請求項12のいずれかに記載のはんだボ
ール転写シートの製造方法。
13. The method according to claim 13, wherein the metal layer is copper.
A method for manufacturing a solder ball transfer sheet according to any one of claims 7 to 12.
【請求項14】 はんだボール搭載工程を必要とする半
導体装置に対して、はんだボールを一括転写することに
より搭載するはんだボール転写シートであって、請求項
7ないし請求項13のいずれかに記載の方法で、製造さ
れたものであることを特徴とするはんだボール転写シー
ト。
14. A solder ball transfer sheet mounted on a semiconductor device requiring a solder ball mounting step by batch-transferring solder balls, according to claim 7, wherein A solder ball transfer sheet produced by the method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349110A (en) * 1999-06-03 2000-12-15 Nec Corp Bump sheet, bump forming apparatus and bump forming method using the same
JP3336999B2 (en) 1999-06-03 2002-10-21 日本電気株式会社 Bump sheet, bump forming apparatus and bump forming method using the same

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