JP2000239391A - 側鎖不飽和基含有ポリシランの製造方法 - Google Patents
側鎖不飽和基含有ポリシランの製造方法Info
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- JP2000239391A JP2000239391A JP11040040A JP4004099A JP2000239391A JP 2000239391 A JP2000239391 A JP 2000239391A JP 11040040 A JP11040040 A JP 11040040A JP 4004099 A JP4004099 A JP 4004099A JP 2000239391 A JP2000239391 A JP 2000239391A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】側鎖にオレフィン性不飽和基を含有するポリシ
ランの製造方法。 【解決手段】 オレフィン性不飽和基含有のジハロシラ
ン及びトリハロシラン、オレフィン性不飽和基を有さな
いジハロシラン、トリハロシラン及びテトラハロシラン
を、アルカリ金属と反応することにより安定なラジカル
アニオン種を形成し得る電子移動反応剤の存在下でウル
ツ反応を行う。 【効果】 導電性物質、光導電性物質、非線形光学物質
などとして有用な側鎖にオレフィン性不飽和基を含有す
るポリシランを工業的有利に製造できる。
ランの製造方法。 【解決手段】 オレフィン性不飽和基含有のジハロシラ
ン及びトリハロシラン、オレフィン性不飽和基を有さな
いジハロシラン、トリハロシラン及びテトラハロシラン
を、アルカリ金属と反応することにより安定なラジカル
アニオン種を形成し得る電子移動反応剤の存在下でウル
ツ反応を行う。 【効果】 導電性物質、光導電性物質、非線形光学物質
などとして有用な側鎖にオレフィン性不飽和基を含有す
るポリシランを工業的有利に製造できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性物質、光導
電性物質、非線形光学物質などとして有用な側鎖にオレ
フィン性不飽和基を含有するポリシランを製造する方法
に関する。特に、他のポリシラン類との相溶性が高く、
架橋により光学的あるいは化学的にポリシランとしての
性質を残したまま、架橋物を得るのに適した側鎖にオレ
フィン性不飽和基を含有するポリシランの製造方法に関
する。
電性物質、非線形光学物質などとして有用な側鎖にオレ
フィン性不飽和基を含有するポリシランを製造する方法
に関する。特に、他のポリシラン類との相溶性が高く、
架橋により光学的あるいは化学的にポリシランとしての
性質を残したまま、架橋物を得るのに適した側鎖にオレ
フィン性不飽和基を含有するポリシランの製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ポリシラン材料は、その特異な化学的、光学的性質
が注目されており、導電性物質、光導電性物質、非線形
光学物質などとして期待されているものの、物理的な強
度不足や他の物質との相溶性に問題があり、十分な展開
を得るには至っていない。近年、Si−H含有のポリシ
ラン類とオレフィン性不飽和基含有の架橋剤との組み合
わせによる架橋物の生成が報告されているが、強固な架
橋物を得るために架橋剤の組成を増加するにつれて、ポ
リシランとの相溶性が問題となる上に、ポリシランが本
来有している化学的、光学的性質を減退させてしまう問
題があった。
り、ポリシラン材料は、その特異な化学的、光学的性質
が注目されており、導電性物質、光導電性物質、非線形
光学物質などとして期待されているものの、物理的な強
度不足や他の物質との相溶性に問題があり、十分な展開
を得るには至っていない。近年、Si−H含有のポリシ
ラン類とオレフィン性不飽和基含有の架橋剤との組み合
わせによる架橋物の生成が報告されているが、強固な架
橋物を得るために架橋剤の組成を増加するにつれて、ポ
リシランとの相溶性が問題となる上に、ポリシランが本
来有している化学的、光学的性質を減退させてしまう問
題があった。
【0003】側鎖にビニル基を有するポリシランの製造
は、セラミック前駆体のポリシランとして、ビニルメチ
ルジクロロシランを含むクロロシラン類の金属ナトリウ
ムによる還元反応についての報告(特開昭59−210
940号公報)があるが、通常のウルツ反応条件ではビ
ニル基の分解が起こり、ポリシラン−カルボシラン的な
ゲル状物を得ることが多かった。トルエン/ジオキサン
溶媒を用いたり(Makromol.Chem.19
1,2727−2734(1990))、低温での精密
合成によりビニル基の分解を抑えた製造方法も提案され
ているが、反応を精密にコントロールできないとビニル
基の分解による副生成物の生成も見られており、このよ
うな発熱の多い反応を低温で精密に温度制御された条件
で行うことは工業化するにおいては非常な困難を伴う。
は、セラミック前駆体のポリシランとして、ビニルメチ
ルジクロロシランを含むクロロシラン類の金属ナトリウ
ムによる還元反応についての報告(特開昭59−210
940号公報)があるが、通常のウルツ反応条件ではビ
ニル基の分解が起こり、ポリシラン−カルボシラン的な
ゲル状物を得ることが多かった。トルエン/ジオキサン
溶媒を用いたり(Makromol.Chem.19
1,2727−2734(1990))、低温での精密
合成によりビニル基の分解を抑えた製造方法も提案され
ているが、反応を精密にコントロールできないとビニル
基の分解による副生成物の生成も見られており、このよ
うな発熱の多い反応を低温で精密に温度制御された条件
で行うことは工業化するにおいては非常な困難を伴う。
【0004】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、ビニル基等のオレフィン性不飽和基を側鎖に有する
ポリシランを、該オレフィン性不飽和基の分解を生じさ
せることなく工業的有利に製造する方法を提供すること
を目的とする。
で、ビニル基等のオレフィン性不飽和基を側鎖に有する
ポリシランを、該オレフィン性不飽和基の分解を生じさ
せることなく工業的有利に製造する方法を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、オレフィン性不飽和基含有のジハロシラン類及び
/又はトリハロシラン類のウルツ反応を行うに際し、ナ
フタレンなどのアルカリ金属と反応することにより安定
なラジカルカチオン種を形成し得る電子移動反応剤を組
み合わせることにより、還元剤であるアルカリ金属の還
元力を低減化し、ビニル基などのオレフィン性不飽和基
の分解を引き起こすことなく、ハロシランの縮合のみ選
択的に行うことができることを見出した。特に、ナフタ
レンを電子移動反応剤とし、金属ナトリウムを還元剤と
する組み合わせでは、THF(テトラヒドロフラン)溶
媒中、0℃以下の低温条件からTHF還流条件までの温
度範囲で、側鎖にビニル基及びアリル基などのオレフィ
ン性不飽和基含有のハロシラン類より相当するポリシラ
ンの製造を側鎖オレフィン性不飽和基の分解を引き起こ
すことなく行うことができることを知見した。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、オレフィン性不飽和基含有のジハロシラン類及び
/又はトリハロシラン類のウルツ反応を行うに際し、ナ
フタレンなどのアルカリ金属と反応することにより安定
なラジカルカチオン種を形成し得る電子移動反応剤を組
み合わせることにより、還元剤であるアルカリ金属の還
元力を低減化し、ビニル基などのオレフィン性不飽和基
の分解を引き起こすことなく、ハロシランの縮合のみ選
択的に行うことができることを見出した。特に、ナフタ
レンを電子移動反応剤とし、金属ナトリウムを還元剤と
する組み合わせでは、THF(テトラヒドロフラン)溶
媒中、0℃以下の低温条件からTHF還流条件までの温
度範囲で、側鎖にビニル基及びアリル基などのオレフィ
ン性不飽和基含有のハロシラン類より相当するポリシラ
ンの製造を側鎖オレフィン性不飽和基の分解を引き起こ
すことなく行うことができることを知見した。
【0006】また、本方法によれば、オレフィン性不飽
和基含有のハロシランからのホモポリマーのみならず、
メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシ
ラン、ジメチルジクロロシランなどとのコポリマーにつ
いても同様に相当するポリシランの製造を側鎖オレフィ
ン性不飽和基の分解を引き起こすことなく行うことがで
きることを知見し、本発明をなすに至った。
和基含有のハロシランからのホモポリマーのみならず、
メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシ
ラン、ジメチルジクロロシランなどとのコポリマーにつ
いても同様に相当するポリシランの製造を側鎖オレフィ
ン性不飽和基の分解を引き起こすことなく行うことがで
きることを知見し、本発明をなすに至った。
【0007】即ち、本発明は、下記一般式(1)及び/
又は一般式(2)で示されるオレフィン性不飽和基含有
のハロシラン、又はこの式(1)及び/又は式(2)の
ハロシランと、下記一般式(3),(4),(5)で示
される少なくとも1種のオレフィン性不飽和基を含有し
ないハロシランとのハロシラン混合物を、アルカリ金属
と反応することにより安定なラジカルアニオン種を形成
し得る電子移動反応剤の存在下でウルツ反応を行うこと
を特徴とする下記一般式(6)で示される側鎖にオレフ
ィン性不飽和基を含有するポリシランの製造方法を提供
する。
又は一般式(2)で示されるオレフィン性不飽和基含有
のハロシラン、又はこの式(1)及び/又は式(2)の
ハロシランと、下記一般式(3),(4),(5)で示
される少なくとも1種のオレフィン性不飽和基を含有し
ないハロシランとのハロシラン混合物を、アルカリ金属
と反応することにより安定なラジカルアニオン種を形成
し得る電子移動反応剤の存在下でウルツ反応を行うこと
を特徴とする下記一般式(6)で示される側鎖にオレフ
ィン性不飽和基を含有するポリシランの製造方法を提供
する。
【0008】
【化4】 (式中、R1は水素原子又は一価炭化水素基、R2〜R7
は水素原子又は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水
素基を示し、R2〜R4及びR5〜R7はそれぞれ互いに同
一でも異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を示し、
n,mはそれぞれ0又は正の整数である。)
は水素原子又は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水
素基を示し、R2〜R4及びR5〜R7はそれぞれ互いに同
一でも異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を示し、
n,mはそれぞれ0又は正の整数である。)
【0009】
【化5】 (式中、R8〜R10は水素原子又は脂肪族不飽和結合を
有さない一価炭化水素基を示し、R8とR9とは互いに同
一であっても異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を
示す。)
有さない一価炭化水素基を示し、R8とR9とは互いに同
一であっても異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を
示す。)
【0010】
【化6】 (式中、R1〜R10,n,mは上記と同じ。a,b,
c,d,eは組成比を表し、0又は正数で、0<a+c
≦1、a+b+c+d+e=1、pは4〜10000
で、かつ(a+c)×p≧2を満足する数を示す。)
c,d,eは組成比を表し、0又は正数で、0<a+c
≦1、a+b+c+d+e=1、pは4〜10000
で、かつ(a+c)×p≧2を満足する数を示す。)
【0011】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明で製造される側鎖にオレフィン性不飽和基を含有
するポリシランは、下記一般式(6)で示されるもの
で、これは下記一般式(1)で示されるオレフィン性不
飽和基を含有するジハロシラン及び下記一般式(2)で
示されるオレフィン性不飽和基を含有するトリハロシラ
ンから選ばれる少なくとも1種のオレフィン性不飽和基
含有ハロシラン(以下、これを総称してハロシランAと
いう)、又はこのハロシランAと、下記一般式(3),
(4)及び(5)で示されるジハロシラン、トリハロシ
ラン及びテトラハロシランから選ばれる少なくとも1種
のオレフィン性不飽和基を含有しないハロシラン(以
下、これを総称してハロシランBという)とのハロシラ
ン混合物を用いて得られる。
本発明で製造される側鎖にオレフィン性不飽和基を含有
するポリシランは、下記一般式(6)で示されるもの
で、これは下記一般式(1)で示されるオレフィン性不
飽和基を含有するジハロシラン及び下記一般式(2)で
示されるオレフィン性不飽和基を含有するトリハロシラ
ンから選ばれる少なくとも1種のオレフィン性不飽和基
含有ハロシラン(以下、これを総称してハロシランAと
いう)、又はこのハロシランAと、下記一般式(3),
(4)及び(5)で示されるジハロシラン、トリハロシ
ラン及びテトラハロシランから選ばれる少なくとも1種
のオレフィン性不飽和基を含有しないハロシラン(以
下、これを総称してハロシランBという)とのハロシラ
ン混合物を用いて得られる。
【0012】
【化7】
【0013】ここで、R1は、水素原子又は炭素数1〜
20、特に1〜10の一価炭化水素基で、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ter
t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチ
ル基、デシル基等の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキ
ル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル
基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリ
ル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニ
ルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基など
が挙げられ、またこれらの炭化水素基の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子、アミノ基等で置換した基であ
ってもよい。
20、特に1〜10の一価炭化水素基で、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ter
t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチ
ル基、デシル基等の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキ
ル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル
基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリ
ル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニ
ルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基など
が挙げられ、またこれらの炭化水素基の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子、アミノ基等で置換した基であ
ってもよい。
【0014】R2〜R10は、それぞれ水素原子又はアル
ケニル基等の脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1〜2
0、特に1〜10の一価炭化水素基で、上記R1と同様
のもの(但し、アルケニル基を除く)を例示することが
できる。
ケニル基等の脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1〜2
0、特に1〜10の一価炭化水素基で、上記R1と同様
のもの(但し、アルケニル基を除く)を例示することが
できる。
【0015】n,mは0又は正の整数であり、好ましく
は0〜4、より好ましくは0又は1である。XはCl,
Br等のハロゲン原子である。
は0〜4、より好ましくは0又は1である。XはCl,
Br等のハロゲン原子である。
【0016】また、上記式(6)において、a,b,
c,d,eは組成比を表し、それぞれ0又は正数である
が、0<a+c≦1、a+b+c+d+e=1、pは4
〜10000、好ましくは10〜500で、かつ(a+
c)×p≧2、好ましくは(a+c)×p≧5を満足す
る数を示す。
c,d,eは組成比を表し、それぞれ0又は正数である
が、0<a+c≦1、a+b+c+d+e=1、pは4
〜10000、好ましくは10〜500で、かつ(a+
c)×p≧2、好ましくは(a+c)×p≧5を満足す
る数を示す。
【0017】本発明において、上記式(1)及び/又は
式(2)のハロシランA、又はこのハロシランAと、式
(3)〜(5)の少なくとも1種のハロシランBとのハ
ロシラン混合物を金属ナトリウム、金属リチウム等のア
ルカリ金属を用いてウルツ反応させるものであるが、こ
の場合、アルカリ金属と反応することにより安定なラジ
カルアニオン種を形成し得る電子移動反応剤の存在下で
ウルツ反応を行うものである。
式(2)のハロシランA、又はこのハロシランAと、式
(3)〜(5)の少なくとも1種のハロシランBとのハ
ロシラン混合物を金属ナトリウム、金属リチウム等のア
ルカリ金属を用いてウルツ反応させるものであるが、こ
の場合、アルカリ金属と反応することにより安定なラジ
カルアニオン種を形成し得る電子移動反応剤の存在下で
ウルツ反応を行うものである。
【0018】ここで、電子移動反応剤としては、ナフタ
レン、ビフェニル、アントラセン等が好適に使用され
る。この場合、これら電子移動反応剤とアルカリ金属と
の組み合わせとしては、ナフタレンと金属ナトリウム、
ビフェニルと金属リチウム、アントラセンと金属ナトリ
ウムとの組み合わせが好ましい。
レン、ビフェニル、アントラセン等が好適に使用され
る。この場合、これら電子移動反応剤とアルカリ金属と
の組み合わせとしては、ナフタレンと金属ナトリウム、
ビフェニルと金属リチウム、アントラセンと金属ナトリ
ウムとの組み合わせが好ましい。
【0019】上記電子移動反応剤の添加量は、アルカリ
金属1モルに対して0.9〜2モル、特に1〜1.2モ
ルが好ましい。また、アルカリ金属の添加量は、ハロシ
ランの総計1モルに対して0.9〜2モル、特に1〜
1.2モルが好ましい。
金属1モルに対して0.9〜2モル、特に1〜1.2モ
ルが好ましい。また、アルカリ金属の添加量は、ハロシ
ランの総計1モルに対して0.9〜2モル、特に1〜
1.2モルが好ましい。
【0020】上記電子移動反応剤を用いるに際しては、
予めテトラヒドロフラン(THF)等の非プロトン性極
性溶媒に電子移動反応剤を溶解し、これにアルカリ金属
を加えて、電子移動反応剤にアルカリ金属を反応させた
ものを反応系に加えるものである。なお、この反応は、
−80℃〜100℃、より好ましくは0〜70℃で行う
ことが好ましく、通常、反応熟成時間は0〜5時間であ
る。
予めテトラヒドロフラン(THF)等の非プロトン性極
性溶媒に電子移動反応剤を溶解し、これにアルカリ金属
を加えて、電子移動反応剤にアルカリ金属を反応させた
ものを反応系に加えるものである。なお、この反応は、
−80℃〜100℃、より好ましくは0〜70℃で行う
ことが好ましく、通常、反応熟成時間は0〜5時間であ
る。
【0021】なお、ハロシランAにハロシランBを併用
する場合、ハロシランBは、上記式(6)において、a
〜e,pを満足するように使用されるが、好ましくは
(a+c)×p≧5を満足するように使用される。
する場合、ハロシランBは、上記式(6)において、a
〜e,pを満足するように使用されるが、好ましくは
(a+c)×p≧5を満足するように使用される。
【0022】本発明において、ウルツ反応は非プロトン
性極性溶媒中、例えばテトラヒドロフラン(THF)等
を用いて行うことが好ましい。この場合、反応温度は適
宜選定されるが、0℃乃至溶媒の沸点とすることができ
る。反応時間は制限されないが、通常0〜5時間であ
る。
性極性溶媒中、例えばテトラヒドロフラン(THF)等
を用いて行うことが好ましい。この場合、反応温度は適
宜選定されるが、0℃乃至溶媒の沸点とすることができ
る。反応時間は制限されないが、通常0〜5時間であ
る。
【0023】反応終了後は、後処理におけるオレフィン
性不飽和基の分解を抑えるために、R3SiCl(Rは
一価炭化水素基で、好ましくはR2〜R10と同様の脂肪
族不飽和結合を含有しない一価炭化水素基を示す)で示
されるトリオルガノクロロシランで残存する活性な電子
移動反応剤及び反応末端を失活させることが好ましい。
性不飽和基の分解を抑えるために、R3SiCl(Rは
一価炭化水素基で、好ましくはR2〜R10と同様の脂肪
族不飽和結合を含有しない一価炭化水素基を示す)で示
されるトリオルガノクロロシランで残存する活性な電子
移動反応剤及び反応末端を失活させることが好ましい。
【0024】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
【0025】〔実施例1〕300mlのフラスコ中にナ
フタレン56g(0.44モル)とTHF200mlを
入れて溶解させ、次いで金属ナトリウム10g(0.4
3モル)を細かく切って加え、一晩室温にて撹拌するこ
とにより、ナトリウムナフタレニドを調製した。別のフ
ラスコにビニルメチルジクロロシラン14.1g(0.
10モル)、メチルフェニルジクロロシラン19.1g
(0.10モル)とTHF200mlを仕込み、水冷し
ながら先に調製したナトリウムナフタレニドの溶液をゆ
っくり加えた。ナトリウムナフタレニドの色が直ちに消
失し、発熱反応が確認された。ナトリウムナフタレニド
の色の消失がなくなったのを確認したところで滴下を止
め、トリメチルクロロシランを添加し、ナトリウムナフ
タレニドを失活させた。水洗、メタノール再沈により、
下記式で示されるMW=2140,MN=1150のポ
リシランが70%の収率で得られた。このポリシラン
は、NMR分析により、ビニルメチルユニットとフェニ
ルメチルユニットがほぼ1:1で含有され、またビニル
基の分解によるアルキレン由来のピークがほとんどない
ことが確認された。
フタレン56g(0.44モル)とTHF200mlを
入れて溶解させ、次いで金属ナトリウム10g(0.4
3モル)を細かく切って加え、一晩室温にて撹拌するこ
とにより、ナトリウムナフタレニドを調製した。別のフ
ラスコにビニルメチルジクロロシラン14.1g(0.
10モル)、メチルフェニルジクロロシラン19.1g
(0.10モル)とTHF200mlを仕込み、水冷し
ながら先に調製したナトリウムナフタレニドの溶液をゆ
っくり加えた。ナトリウムナフタレニドの色が直ちに消
失し、発熱反応が確認された。ナトリウムナフタレニド
の色の消失がなくなったのを確認したところで滴下を止
め、トリメチルクロロシランを添加し、ナトリウムナフ
タレニドを失活させた。水洗、メタノール再沈により、
下記式で示されるMW=2140,MN=1150のポ
リシランが70%の収率で得られた。このポリシラン
は、NMR分析により、ビニルメチルユニットとフェニ
ルメチルユニットがほぼ1:1で含有され、またビニル
基の分解によるアルキレン由来のピークがほとんどない
ことが確認された。
【0026】
【化8】
【0027】〔実施例2〕実施例1と同様の反応をアリ
ルフェニルジクロロシラン43.4g(0.20モル)
を用いて行い、下記式で示されるMW=1030,MN
=690のポリシランを80%の収率で得た。
ルフェニルジクロロシラン43.4g(0.20モル)
を用いて行い、下記式で示されるMW=1030,MN
=690のポリシランを80%の収率で得た。
【0028】
【化9】
【0029】〔実施例3〕実施例1に従い調製したナト
リウムナフタレニドを用いて、ビニルメチルジクロロシ
ラン14.1g(0.10モル)、ジメチルジクロロシ
ラン12.9g(0.10モル)及びTHF200ml
の混合物に水冷しながら滴下し、ナトリウムナフタレニ
ドの色の消失がなくなったのを確認した後、更に全量を
滴下した。反応混合物を2時間加熱還流を行い、反応を
熟成させた。この間に反応液の脱色はなく、ナトリウム
ナフタレニドが活性を保っていることが確認された。室
温まで冷却の後、トリメチルクロロシランでナトリウム
ナフタレニドを失活させ、水洗、メタノール再沈によ
り、下記式で示されるMW=4890,MN=2690
のポリマーを収率56%で得た。
リウムナフタレニドを用いて、ビニルメチルジクロロシ
ラン14.1g(0.10モル)、ジメチルジクロロシ
ラン12.9g(0.10モル)及びTHF200ml
の混合物に水冷しながら滴下し、ナトリウムナフタレニ
ドの色の消失がなくなったのを確認した後、更に全量を
滴下した。反応混合物を2時間加熱還流を行い、反応を
熟成させた。この間に反応液の脱色はなく、ナトリウム
ナフタレニドが活性を保っていることが確認された。室
温まで冷却の後、トリメチルクロロシランでナトリウム
ナフタレニドを失活させ、水洗、メタノール再沈によ
り、下記式で示されるMW=4890,MN=2690
のポリマーを収率56%で得た。
【0030】
【化10】
【0031】〔実施例4〕ナトリウムナフタレニドの代
わりにTHF中でビフェニルと金属リチウムから調製し
たビフェニルリチウムアダクトを使用し、ビニルメチル
ジクロロシランとジフェニルジクロロシランの混合物の
THF溶液に0℃以下で撹拌しながら滴下した。ビフェ
ニルリチウムアダクトの色の消失が止まったところで直
ちに滴下を中止し、トリメチルクロロシランでクエンチ
し、水洗、メタノール再沈により、下記式で示されるM
W=6230,MN=1260のポリマーを収率85%
で得た。このポリマーのNMR分析より、ごく一部のア
ルキレン性のプロトンの吸収が確認されたが、90%以
上のビニル基は分解することなくポリマーに導入されて
いた。
わりにTHF中でビフェニルと金属リチウムから調製し
たビフェニルリチウムアダクトを使用し、ビニルメチル
ジクロロシランとジフェニルジクロロシランの混合物の
THF溶液に0℃以下で撹拌しながら滴下した。ビフェ
ニルリチウムアダクトの色の消失が止まったところで直
ちに滴下を中止し、トリメチルクロロシランでクエンチ
し、水洗、メタノール再沈により、下記式で示されるM
W=6230,MN=1260のポリマーを収率85%
で得た。このポリマーのNMR分析より、ごく一部のア
ルキレン性のプロトンの吸収が確認されたが、90%以
上のビニル基は分解することなくポリマーに導入されて
いた。
【0032】
【化11】
【0033】〔実施例5〕300mlのフラスコ中にナ
フタレン56g(0.44モル)とTHF200mlを
入れて溶解させ、次いで金属ナトリウム10g(0.4
3モル)を細かく切って加え、一晩室温にて撹拌するこ
とにより、ナトリウムナフタレニドを調製した。別のフ
ラスコにビニルトリクロロシラン10.8g(0.07
モル)、メチルフェニルジクロロシラン19.1g
(0.10モル)とTHF200mlを仕込み、水冷し
ながら先に調製したナトリウムナフタレニドの溶液をゆ
っくり加えた。ナトリウムナフタレニドの色が直ちに消
失し、発熱反応が確認された。ナトリウムナフタレニド
の色の消失がなくなったのを確認したところで滴下を止
め、トリメチルクロロシランを添加し、ナトリウムナフ
タレニドを失活させた。水洗、メタノール再沈により、
下記式で示されるMW=1240,MN=850のポリ
シランが68%の収率で得られた。このポリシランは、
NMR分析により、ビニル基の分解によるアルキレン由
来のピークがほとんどないことが確認された。
フタレン56g(0.44モル)とTHF200mlを
入れて溶解させ、次いで金属ナトリウム10g(0.4
3モル)を細かく切って加え、一晩室温にて撹拌するこ
とにより、ナトリウムナフタレニドを調製した。別のフ
ラスコにビニルトリクロロシラン10.8g(0.07
モル)、メチルフェニルジクロロシラン19.1g
(0.10モル)とTHF200mlを仕込み、水冷し
ながら先に調製したナトリウムナフタレニドの溶液をゆ
っくり加えた。ナトリウムナフタレニドの色が直ちに消
失し、発熱反応が確認された。ナトリウムナフタレニド
の色の消失がなくなったのを確認したところで滴下を止
め、トリメチルクロロシランを添加し、ナトリウムナフ
タレニドを失活させた。水洗、メタノール再沈により、
下記式で示されるMW=1240,MN=850のポリ
シランが68%の収率で得られた。このポリシランは、
NMR分析により、ビニル基の分解によるアルキレン由
来のピークがほとんどないことが確認された。
【0034】
【化12】
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、導電性物質、光導電性
物質、非線形光学物質などとして有用な側鎖にオレフィ
ン性不飽和基を含有するポリシラン、特に他のポリシラ
ン類との相溶性が高く、架橋により光学的あるいは化学
的にポリシランとしての性質を残したまま、架橋物を得
るのに適した側鎖にオレフィン性不飽和基を含有するポ
リシランを、該オレフィン性不飽和基の分解を引き起こ
すことなく、工業的有利に製造できる。
物質、非線形光学物質などとして有用な側鎖にオレフィ
ン性不飽和基を含有するポリシラン、特に他のポリシラ
ン類との相溶性が高く、架橋により光学的あるいは化学
的にポリシランとしての性質を残したまま、架橋物を得
るのに適した側鎖にオレフィン性不飽和基を含有するポ
リシランを、該オレフィン性不飽和基の分解を引き起こ
すことなく、工業的有利に製造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J035 JA01 JB01 JB02 JB03 LA05 LB20
Claims (6)
- 【請求項1】 下記一般式(1)及び(2) 【化1】 (式中、R1は水素原子又は一価炭化水素基、R2〜R7
は水素原子又は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水
素基を示し、R2〜R4及びR5〜R7はそれぞれ互いに同
一でも異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を示し、
n,mはそれぞれ0又は正の整数である。)で示される
オレフィン性不飽和基含有のジハロシラン及びトリハロ
シランから選ばれる少なくとも1種のハロシラン、又は
上記式(1)及び(2)で示されるオレフィン性不飽和
基含有のジハロシラン及びトリハロシランから選ばれる
少なくとも1種のハロシランと、下記一般式(3),
(4)及び(5) 【化2】 (式中、R8〜R10は水素原子又は脂肪族不飽和結合を
有さない一価炭化水素基を示し、R8とR9とは互いに同
一であっても異なっていてもよい。Xはハロゲン原子を
示す。)で示されるジハロシラン、トリハロシラン及び
テトラハロシランから選ばれる少なくとも1種のハロシ
ランとのハロシラン混合物を、アルカリ金属と反応する
ことにより安定なラジカルアニオン種を形成し得る電子
移動反応剤の存在下でウルツ反応を行うことを特徴とす
る下記一般式(6)で示される側鎖にオレフィン性不飽
和基を含有するポリシランの製造方法。 【化3】 (式中、R1〜R10,n,mは上記と同じ。a,b,
c,d,eは組成比を表し、0又は正数で、0<a+c
≦1、a+b+c+d+e=1、pは4〜10000
で、かつ(a+c)×p≧2を満足する数を示す。) - 【請求項2】 電子移動反応剤がナフタレンで、還元剤
に金属ナトリウムを使用する請求項1記載の製造方法。 - 【請求項3】 電子移動反応剤がビフェニルで、還元剤
に金属リチウムを使用する請求項1記載の製造方法。 - 【請求項4】 電子移動反応剤がアントラセンで、還元
剤に金属ナトリウムを使用する請求項1記載の製造方
法。 - 【請求項5】 反応を非プロトン性極性溶媒中で行う請
求項1乃至4のいずれか1項記載の製造方法。 - 【請求項6】 反応後、トリオルガノクロロシランで残
存する電子移動反応剤及び反応末端を失活させる請求項
1乃至5のいずれか1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040040A JP2000239391A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 側鎖不飽和基含有ポリシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040040A JP2000239391A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 側鎖不飽和基含有ポリシランの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239391A true JP2000239391A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=12569809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11040040A Pending JP2000239391A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 側鎖不飽和基含有ポリシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000239391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014009553A1 (de) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Sgl Carbon Se | Verfahren zur herstellung eines polysilans |
| WO2014090932A1 (de) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Sgl Carbon Se | Hochmolekulares polysilan und dessen herstellungsverfahren zur produktion präkeramischer formkörper |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11040040A patent/JP2000239391A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014009553A1 (de) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Sgl Carbon Se | Verfahren zur herstellung eines polysilans |
| JP2015531797A (ja) * | 2012-07-13 | 2015-11-05 | ベーヨットエス・セラミクス・ゲーエムベーハー | ポリシランの製造方法 |
| US9302915B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-04-05 | Bjs Ceramics Gmbh | Method for producing polysilane, polysilane, and silicon carbide produced therefrom |
| WO2014090932A1 (de) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Sgl Carbon Se | Hochmolekulares polysilan und dessen herstellungsverfahren zur produktion präkeramischer formkörper |
| JP2016509077A (ja) * | 2012-12-14 | 2016-03-24 | ベーヨットエス・セラミクス・ゲーエムベーハー | プレセラミック成形体を製造するための高分子ポリシラン及びその製造方法 |
| KR20180001568A (ko) * | 2012-12-14 | 2018-01-04 | 비제이에스 세라믹스 게엠베하 | 프리-세라믹 성형체를 제조하기 위한 고분자 폴리실란 및 그의 제조 방법 |
| KR101898839B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2018-09-13 | 비제이에스 세라믹스 게엠베하 | 프리-세라믹 성형체를 제조하기 위한 고분자 폴리실란 및 그의 제조 방법 |
| US10201924B2 (en) | 2012-12-14 | 2019-02-12 | Bjs Ceramics Gmbh | High-molecular polysilane and method for the production thereof for producing pre-ceramic molded bodies |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040820 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041215 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050720 |