JP2000233360A

JP2000233360A - ポリッシング装置

Info

Publication number: JP2000233360A
Application number: JP3564099A
Authority: JP
Inventors: Teruhiko Ichimura; 照彦市村
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-02-15
Filing date: 1999-02-15
Publication date: 2000-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ポリッシング対象基板の研磨面を全面に渡り
均等に研磨し、高精度の平坦度を実現できるポリッシン
グ装置を提供すること。【解決手段】ポリッシング装置において、トップリン
グ１のポリッシング対象基板保持面に直接又は所定のバ
ッキング部材４を介して少なくとも外周部に所定量突出
した外周段差部を形成し、該ポリッシング対象基板保持
面に該ポリッシング対象基板（半導体ウエハ６）を保持
した状態で該ポリッシング対象基板保持面と該ポリッシ
ング対象基板の間に空間部９ｂが形成されるようにし、
トップリング１をターンテーブル１０の研磨布１１面に
押圧した状態で空間部９ａに加圧流体を供給し、該空間
部９ａ内を加圧する加圧手段を設け、ターンテーブル１
０上面に貼付た研磨布１１の上面に溝を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのポ
リッシング対象基板を研磨し平坦化するポリッシング装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間隔もより狭くな
りつつある。特に、線幅が０．５μｍ以下の溝を半導体
ウエハ面上に光リソグラフィで形成する場合は、許容さ
れる焦点深度が浅くなるため、ステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を高精
度で平坦化する必要がある。この平坦化の１手段として
ポリッシング装置による研磨が行われている。

【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、ター
ンテーブルとトップリングを具備し、該トップリングが
一定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルと
トップリングとの間にポリッシング対象物を介在させ、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。

【０００４】上記ポリッシング装置において、ポリッシ
ング対象物の保持面に弾性を有する、例えばポリウレタ
ン等の弾性マット（バッキング部材）を貼り付け、トッ
プリングからポリッシング対象物に印加する押圧力を均
一にしようとする試みがなされている。これは押圧力を
均一化することでポリッシング対象物が局部的に研磨さ
れることを緩和し、ポリッシング対象物の平坦度を向上
させることを目的としている。

【０００５】図１は従来のポリッシング装置の主要部を
示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布１０
２を貼った回転するターンテーブル１０１と、回転及び
押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ１０
３を保持するトップリング１０５と、研磨布１０２に砥
液Ｑを供給する砥液供給ノズル１０８を備えている。ト
ップリング１０５はトップリングシャフト１０９に連結
されており、またトップリング１０５はその下面にポリ
ウレタン等の弾性を有するバッキング部材１０７を備え
ており、該バッキング部材１０７に接触させて半導体ウ
エハ１０３を保持する。

【０００６】更に、トップリング１０５は、研磨中に半
導体ウエハ１０３がトップリング１０５の下面から外れ
ないようにするため、円筒状のガイドリング１０６を外
周部に備えている。ここでガイドリング１０６はトップ
リング１０５に対して固定されており、その下端面はト
ップリング１０５の保持面から突出するように形成され
ている。これによりポリッシング対象物である半導体ウ
エハ１０３が研磨中に研磨布１０２との摩擦力によって
保持面から離脱して、トップリング１０５の外へ飛び出
さないようにしている。

【０００７】半導体ウエハ１０３をトップリング１０５
の下面のバッキング部材１０７の下部に保持し、ターン
テーブル１０１上の研磨布１０２に半導体ウエハ１０３
をトップリング１０５によって押圧するとともに、ター
ンテーブル１０１及びトップリング１０５を回転させて
研磨布１０２と半導体ウエハ１０３を相対運動させて研
磨する。このとき、砥液供給ノズル１０８から研磨布１
０２上に砥液Ｑを供給する。該砥液は、例えばアルカリ
溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アル
カリによる化学研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用
との複合作用によって半導体ウエハ１０３を研磨する。

【０００８】上記従来のポリッシング装置では、トップ
リング１０５の下面にバッキング部材１０７を貼り付
け、その下面に半導体ウエハ１０３を接触させながら保
持し、ポリッシングを行なっているため、その研磨量に
はバッキング部材１０７の弾性の影響を受け易く、その
ためこれら弾性体の面内の剛性の違いが半導体ウエハ１
０３の研磨（ポリッシング）むらとなって現れる。

【０００９】また、ターンテーブル１０１上の研磨布
も、例えばロデールニッタ製のＩＣ１０００／ＳＵＢＡ
４００（ＩＣ１０００の研磨面にパンチ孔が形成された
もの）等はポリウレタンからなる弾性体であるため、ポ
リッシング中に半導体ウエハ１０３の端部により圧縮さ
れたものが回復したときには半導体ウエハに強く接触す
るため、この部分の研磨が他の部分に比べて速く進むた
め、図２に示すように、半導体ウエハ１０３の端部が過
剰に研磨され平坦でなくなる（縁垂れが起こる）。

【００１０】図３は表面に酸化被膜を形成した６インチ
の半導体ウエハについて、上記ポリッシング装置でポリ
ッシングした場合の半径方向位置に対する膜厚の測定値
と、有限要素法で求めた半径方向位置に対する圧力の計
算値を示す図である。図３において、Ａは膜厚の測定
値、Ｂは圧力の計算値を示す。図３から明らかなよう
に、有限要素法で求めた半径方向位置に対する圧力の計
算値と半径方向位置に対する膜厚の測定値は略一致す
る。なお、この傾向は８インチの半導体ウエハについて
も同じであった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、ポリッシング対象基板の研磨面を
全面に渡り均等に研磨し、高精度の平坦度を実現できる
ポリッシング装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、上面に研磨布を貼ったタ
ーンテーブルと、ポリッシング対象基板を保持するトッ
プリングとを具備し、該トップリングに所定の圧力を加
えて該ポリッシング対象基板をターンテーブルの研磨布
面に押圧すると共に、該トップリングとターンテーブル
との相対運動により該ポリッシング対象基板を研磨し平
坦化するポリッシング装置において、トップリングのポ
リッシング対象基板保持面に直接又は所定の部材を介し
て少なくとも外周部に所定量突出した外周段差部を形成
し、該ポリッシング対象基板保持面に該ポリッシング対
象基板を保持した状態で該ポリッシング対象基板保持面
と該ポリッシング対象基板の間に空間部が形成されるよ
うにし、トップリングをターンテーブルの研磨布面に押
圧した状態で空間部に加圧流体を供給し、該空間内を加
圧する加圧手段を設け、ターンテーブル上面に貼付た研
磨布の上面に溝を設けたことを特徴とする。

【００１３】上述のように従来のポリッシング装置で
は、ポリッシング対象基板の端部により圧縮した研磨布
が回復して強く該ポリッシング対象基板に接触する部分
がバッキング部材により固定されているため、その位置
の研磨量が大きくなったが、ここでは上記のように、ト
ップリングのポリッシング対象基板保持面と該ポリッシ
ング対象基板の間に空間部に加圧流体を供給して加圧
し、更にターンテーブル上面に貼付た研磨布上面に溝を
設けるので、この空間部が緩衝帯となり、且つ加圧を均
一にすることにより、均一な研磨を実現できる。

【００１４】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のポリッシング装置において、トップリングをタ
ーンテーブルに押圧する加圧手段と、該空間部に加圧流
体を供給する加圧手段は互いに独立した構成であること
を特徴とする。

【００１５】上記のように、トップリングをターンテー
ブルに押圧する加圧手段と、空間部に加圧流体を供給す
る加圧手段を互いに独立した構成とすることにより、ト
ップリングをターンテーブルに押圧する力と空間部を加
圧する力を均衡させることにより、ポリッシング対象物
のより高精度の平坦度を得ることができる。

【００１６】また、請求項３に記載の発明は、上面に研
磨布を貼ったターンテーブルと、ポリッシング対象基板
を保持するトップリングとを具備し、該トップリングに
所定の圧力を加えて該ポリッシング対象基板をターンテ
ーブルの研磨布面に押圧すると共に、該トップリングと
ターンテーブルとの相対運動により該ポリッシング対象
基板を研磨し平坦化するポリッシング装置において、ト
ップリングのポリッシング対象基板保持面に直接又は所
定の部材を介して少なくとも外周部に幅１０〜２０ｍｍ
で所定量突出した外周段差部を形成し、該ポリッシング
対象基板保持面に該ポリッシング対象基板を保持した状
態で該ポリッシング対象基板保持面と該ポリッシング対
象基板の間に空間部が形成されるようにし、トップリン
グをターンテーブルの研磨布面に押圧した状態で空間部
に加圧流体を供給し、該空間部内を加圧する加圧手段を
設けたことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図４は本発明に係るポリッシン
グ装置に用いるトップリングの構成例を示す図で、図４
（ａ）は断面図、図４（ｂ）は底面図である。トップリ
ング１はフランジ２、通気板３、バッキング部材４、ガ
イドリング５を具備する。

【００１８】フランジ２の下面外周にはガイドリング５
が固定され、フランジ２の下面でガイドリング５の内周
側には通気板３が固定され、該通気板３の下面の外周部
に円環状のバッキング部材４が固定されている。トップ
リング１の下面にはターンテーブル１０が位置し、該タ
ーンテーブル１０の上面に研磨布１１が貼り付けられて
いる。トップリング１のバッキング部材４とターンテー
ブル１０の研磨布１１の間に半導体ウエハ６を介在さ
せ、トップリング１をターンテーブル１０に押し付け、
且つ該トップリング１と該ターンテーブル１０とを互い
に回転させることにより、半導体ウエハ６の下面（研磨
布１１との接触面）を研磨する。

【００１９】ガイドリング５は研磨中に半導体ウエハ６
がトップリング１の下面から離脱し、外に飛び出すのを
防止するためのものであるから、ガイドリング５の下面
は半導体ウエハ６を保持する保持面から所定寸法突出し
ている。また、ガイドリング５の下面と研磨布１１の間
には所定の隙間ができるようになっている。トップリン
グ１に半導体ウエハ６を保持した状態で、半導体ウエハ
６の上面と通気板３の下面の間には該半導体ウエハ６の
上面と通気板３の下面とバッキング部材４に囲まれた空
間部９ａが形成される。

【００２０】また、通気板３には該通気板３とフランジ
２で囲まれた空間部９ｂと上記空間部９ａを連通する多
数の通気孔３ａが設けられている。また、フランジ２に
は空間部９ｂに圧縮空気を供給したり、空間部９ｂ内を
真空排気するための通気口２ａが設けられている。該通
気口２ａにより空間部９ｂ内を真空排気することによ
り、通気孔３ａを介して空間部９ａも真空排気されるか
ら、半導体ウエハ６は真空吸着される。また、トップリ
ング１とターンテーブル１０の間に半導体ウエハ６を介
在させトップリング１をターンテーブル１０に押し付け
た状態で、通気口２ａから圧縮空気を導入すると、空間
部９ｂ内は加圧されるようになっている。

【００２１】通気口２ａはバッキング部材４に近い位置
で環状に配列して複数個設けることが望ましい。これは
中心部にのみ設けた場合は図２に示す半導体ウエハ１０
３の端部が過剰に研磨されるという縁垂れが生じるため
で、通気口２ａをバッキング部材４に近い位置に設けた
場合はこれが無くなる。また、通気口２ａはバッキング
部材４に近い位置に複数列環状に配列しても良い。

【００２２】研磨の均一性はバッキング部材４のリング
幅、トップリング１の押圧力、空間部９ａ内の流体圧力
等の研磨パラメータにより変化するが、その一例として
リング幅の依存性を様々な条件で実験を行いその結果を
図１１に示す。本実験に使用した半導体ウエハは８イン
チで、研磨量の測定は半導体ウエハ面内で均等に６９点
測定してウエハの研磨の均一性（研磨量のバラツキの程
度）を図示した。なお、ウエハの周辺部３ｍｍは除外し
てある。

【００２３】図１１より、バッキング部材４のリング幅
が１０〜２０ｍｍの時、リング幅の依存性が少なくな
り、５％を切る良好な半導体ウエハ面内研磨の均一性が
得られた。よってこの範囲を最適なバッキング部材４の
リング幅とした。なお、この時のトップリング１の押圧
力は、従来の半導体ウエハと同形状のバッキング部材で
半導体ウエハの上側全面をトップリングシャフトにより
押し付けた場合の全荷重を、リング状のバッキング部材
４の面積に換算すると０．８〜２ｋｇ／ｃｍ²である。

【００２４】図５はターンテーブルの上面に貼付た研磨
布の構成例を示す図であり、図５（ａ）は研磨布の全外
観図、図５（ｂ）は研磨布の一部外観図である。図示す
るように、本実施形態例に用いた研磨布１１の表面には
格子状に、例えば幅１ｍｍ、ピッチ５ｍｍ、深さ約１ｍ
ｍの溝１１ａを設けている。また、この溝のサイズは幅
０．３〜２ｍｍ、ピッチ３〜１５ｍｍ、深さ０．１ｍｍ
以上の範囲とすることが望ましい。また、溝１１ａの形
状についても本実施形態例では格子状としたが、例えば
円周状の溝等、他の形状であっても良い。

【００２５】図６はトップリングに図４に示す構成のト
ップリングを用い、研磨布に図５に示す構成の研磨布を
用いたポリッシング装置の構成例を示す図である。トッ
プリングシャフト８はトップリングヘッド１２に固定さ
れトップリング用エアシリンダ１３に連結されており、
このトップリング用エアシリンダ１３によってトップリ
ングシャフト８は上下動し、トップリング１の下端面に
保持された半導体ウエハ６をターンテーブル１０の研磨
布１１に押圧するようになっている。また、トップリン
グ１の上面とトップリングシャフト８の下面にはボール
７を収容するボール軸受を形成しており、トップリング
１はボール７を介して研磨布１１の面に対してボール７
を中心に傾動可能になっている。

【００２６】また、トップリングシャフト８はキー（図
示せず）を介して回転筒１４に連結されており、この回
転筒１４はその外周にタイミングプーリー１５を備えて
いる。そして、該タイミングプーリー１５は、タイミン
グベルト１６を介して、トップリングヘッド１２に固定
されたトップリング用モータ１７に設けられたタイミン
グプーリー１５に接続されている。従って、トップリン
グ用モータ１７を回転駆動することによってタイミング
プーリー１８、タイミングベルト１６及びタイミングプ
ーリー１８を介して回転筒１４及びトップリングシャフ
ト８が一体に回転し、トップリング１が回転する。トッ
プリングヘッド１２は、フレーム（図示せず）に揺動
（旋回）自在に支持されたトップリングヘッドシャフト
１９によって支持されている。

【００２７】トップリング用エアシリンダ１３はパイプ
２０、バルブＶ₁及びレギュレータＲ１を介して圧縮空
気源２２に接続され、トップリング１のフランジ２の通
気口２ａはパイプ２１、バルブＶ₂及びレギュレータＲ
２を介して圧縮空気源２２に接続され、更にパイプ２１
及びバルブＶ₀を介して真空排気源２６に接続してい
る。そして、レギュレータＲ１によってトップリング用
エアシリンダ１３へ供給する空気圧を調整することによ
り、トップリング１が半導体ウエハ６を研磨布１１に押
圧する押圧力を調整することができる。また、レギュレ
ータＲ２によって上記通気板３と半導体ウエハ６の間に
ある空間部９ａに供給される空気圧を制御することによ
り、該半導体ウエハ６を押圧する押圧力を調整すること
ができるようになっている。

【００２８】レギュレータＲ１及びＲ２は図示しないコ
ントローラによって独立に制御されるようになってい
る。また、ターンテーブル１０の上方には砥液供給ノズ
ル２３が設置されており、該砥液供給ノズル２３によっ
てターンテーブル１０上の研磨布１１上に砥液Ｑが供給
されるようになっている。

【００２９】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング１の下面に半導体ウエハ６を保持させトップ
リング用モータ１７によって回転させると共に、トップ
リング用エアシリンダ１３を作動させて該トップリング
１を回転しているターンテーブル１０の研磨布１１に押
圧する。一方、砥液供給ノズル２３から研磨布１１上面
に砥液Ｑを流すことにより、該研磨布１１に砥液Ｑが保
持され、半導体ウエハ６はその研磨面と研磨布１１の間
に砥液が残存した状態で研磨される。

【００３０】この時、トップリング１は上記のようにト
ップリング用エアシリンダ１３によって、ターンテーブ
ル１０の上面に押圧されると同時にトップリング１の上
記空間部９ａには、圧縮空気源２２からレギュレータＲ
２を介して圧縮空気が供給されている。この空間部９ａ
の流体圧力をトップリング１の押圧力（即ち、半導体ウ
エハと同形の円板状バッキング材を介して半導体ウエハ
トップリングシャフト８により機械的に押圧した時の半
導体ウエハの付与圧力）に対して１割少ない値〜２倍の
範囲内で決定する。また、空間部９ａに供給された圧縮
空気はバッキング部材４によりシールされ、更に連続し
て圧縮空気を供給することにより略設定値が確保され
る。

【００３１】図７乃至図１０は８インチの半導体ウエハ
の表面に形成した酸化被膜を研磨した場合の研磨結果を
示す図である。図７はトップリングに図４に示す本発明
のトップリングを用い研磨布に表面にパンチ孔が形成さ
れたものを用いたポリッシング装置で研磨した場合を示
し、図８はトップリングに従来のものを用い研磨布に図
５に示すような表面に格子状の溝が形成されたものを用
いたポリッシング装置で研磨した場合を示し、図９はト
ップリングに図４に示す本発明のトップリングを用い研
磨布に図５に示すような表面に格子状の溝が形成された
ものを用いたポリッシング装置で研磨した場合を示し、
図１０は図１の従来のポリッシング装置で研磨した場合
を示す。

【００３２】図７乃至図１０において、縦軸は研磨（ポ
リッシング）後の酸化被膜の厚さ（Å）を示し、横軸は
半導体ウエハの中心（０）からの距離を示す。ここでは
砥液としてシリカ系研磨材を含んだアルカリ溶液を用い
ている。図９に示すように、トップリングに図４に示す
本発明のトップリングを用い研磨布に図５に示すような
表面に格子状の溝が形成されたものを用いた場合は、他
の図７及び図８に比べて、中心から端部まで高い平坦度
で研磨され、且つ研磨むらが少なく研磨されることが明
らかである。特に、図１０の従来のポリッシング装置に
比べて平坦度及び研磨が著しく改善される。

【００３３】これは上述のように、研磨時に半導体ウエ
ハ６の端部により圧縮した研磨布１１が回復して強く半
導体ウエハ６に接触する部分が従来はバッキング部材に
より固定されているためその位置の研磨量が大きかっ
た。これに対して、本発明では半導体ウエハ６の上面
（研磨面の反対側）が空間部９ａに圧縮空気を供給して
いるため、半導体ウエハ６の上面を均一に加圧した状態
としているため、この空間部９ａが緩衝帯となり、研磨
むらが無く均一に研磨することが可能となった。

【００３４】また、研磨布１１の表面に格子状の溝１１
ａを形成しているため、砥液供給ノズル２３から流れ出
た砥液Ｑの内余剰の砥液Ｑはこの溝１１ａに流れ込ん
で、半導体ウエハ６の研磨面（下面）と研磨布１１の上
面の間に均一に砥液Ｑが行き渡り、上記トップリングの
作用と協調し均一な研磨が可能となる。

【００３５】ターンテーブル１０上の研磨布１１は、そ
の材質等は特に限定しない。また、バッキング部材４の
材質についてもポリウレタンやゴム等の軟質な物からテ
フロン（登録商標）、プラスチック等の硬質な物まで使
用が可能である。また、トップリング１の下面自身をバ
ッキング部材４のような形状、即ち外周部にバッキング
部材４のように所定量突出した外周段差部を形成しても
良い。要は、半導体ウエハ６をトップリング１の保持面
に保持した状態で該保持面と半導体ウエハ６との間に空
間部が形成されるように構成されていれば良い。

【００３６】なお、上記実施の形態例では、ポリッシン
グ対象基板として半導体ウエハを例に説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、高精度の平坦度を
要求される基板の研磨に利用できることは当然である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が得られる。

【００３８】請求項１及び３に記載の発明によれば、ト
ップリングのポリッシング対象基板保持面と該ポリッシ
ング対象基板の間に空間部に加圧流体を供給して加圧
し、更にターンテーブル上面に貼付た研磨布上面に溝を
設けるので、この空間部が緩衝帯となり、且つ加圧を均
一にすることにより、均一な研磨を実現できる。

【００３９】請求項２に記載の発明によれば、トップリ
ングをターンテーブルに押圧する加圧手段と、空間部に
加圧流体を供給する加圧手段を互いに独立した構成とす
ることにより、トップリングをターンテーブルに押圧す
る力と空間部を加圧する力を均衡させることにより、ポ
リッシング対象物のより高精度の平坦度を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のポリッシング装置の主要部を示す図であ
る。

【図２】従来のポリッシング装置で半導体ウエハを研磨
した場合の端部の研磨状態を説明するための図である。

【図３】従来のポリッシング装置で半導体ウエハを研磨
した場合の膜厚の測定値と半径径方向位置に対する圧力
の計算値を示す図である。

【図４】本発明に係るポリッシング装置に用いるトップ
リングの構成例を示す図で、図４（ａ）は断面図、図４
（ｂ）は底面図である。

【図５】本発明に係るポリッシング装置のターンテーブ
ル上面に貼付る研磨布の構成例を示す図で、図５（ａ）
は研磨布の全外観図、図５（ｂ）は研磨布の一部外観図
である。

【図６】本発明に係るポリッシング装置の構成例を示す
図である。

【図７】ポリッシング装置で半導体ウエハの表面に形成
した酸化被膜を研磨した場合の研磨結果例を示す図であ
る。

【図８】ポリッシング装置で半導体ウエハの表面に形成
した酸化被膜を研磨した場合の研磨結果例を示す図であ
る。

【図９】本発明に係るポリッシング装置で半導体ウエハ
の表面に形成した酸化被膜を研磨した場合の研磨結果例
を示す図である。

【図１０】従来のポリッシング装置で半導体ウエハの表
面に形成した酸化被膜を研磨した場合の研磨結果例を示
す図である。

【図１１】バッキング部材のリング幅と研磨結果を示す
図である。

【符号の説明】

１トップリング２フランジ３通気板４バッキング部材５ガイドリング６半導体ウエハ７ボール８トップリングシャフト９ａ，ｂ空間部１０ターンテーブル１１研磨布１２トップリングヘッド１３トップリング用エアシリンダ１４回転筒１５タイミングプーリー１６タイミングベルト１７トップリング用モータ１８タイミングプーリー１９トップリングヘッドシャフト２０パイプ２１パイプ２２圧縮空気源２３砥液供給ノズル２６真空排気源Ｒ１レギュレータＲ２レギュレータＶ₀ バルブＶ₁ バルブＶ₂ バルブ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に研磨布を貼ったターンテーブル
と、ポリッシング対象基板を保持するトップリングとを
具備し、該トップリングに所定の圧力を加えて該ポリッ
シング対象基板を前記ターンテーブルの研磨布面に押圧
すると共に、該トップリングとターンテーブルとの相対
運動により該ポリッシング対象基板を研磨し平坦化する
ポリッシング装置において、前記トップリングのポリッシング対象基板保持面に直接
又は所定の部材を介して少なくとも外周部に所定量突出
した外周段差部を形成し、該ポリッシング対象基板保持
面に該ポリッシング対象基板を保持した状態で該ポリッ
シング対象基板保持面と該ポリッシング対象基板の間に
空間部が形成されるようにし、前記トップリングを前記ターンテーブルの研磨布面に押
圧した状態で前記空間部に加圧流体を供給し、該空間部
内を加圧する加圧手段を設け、前記ターンテーブル上面に貼付た研磨布の上面に溝を設
けたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】請求項１に記載のポリッシング装置にお
いて、前記トップリングをターンテーブルに押圧する加圧手段
と、前記の空間部に加圧流体を供給する加圧手段は互い
に独立した構成であることを特徴とするポリッシング装
置。
【請求項３】上面に研磨布を貼ったターンテーブル
と、ポリッシング対象基板を保持するトップリングとを
具備し、該トップリングに所定の圧力を加えて該ポリッ
シング対象基板を前記ターンテーブルの研磨布面に押圧
すると共に、該トップリングとターンテーブルとの相対
運動により該ポリッシング対象基板を研磨し平坦化する
ポリッシング装置において、前記トップリングのポリッシング対象基板保持面に直接
又は所定の部材を介して少なくとも外周部に幅１０〜２
０ｍｍで所定量突出した外周段差部を形成し、該ポリッ
シング対象基板保持面に該ポリッシング対象基板を保持
した状態で該ポリッシング対象基板保持面と該ポリッシ
ング対象基板の間に空間部が形成されるようにし、前記トップリングを前記ターンテーブルの研磨布面に押
圧した状態で前記空間部に加圧流体を供給し、該空間部
内を加圧する加圧手段を設けたことを特徴とするポリッ
シング装置。