JP2000228160A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- -1 transition metal nitride Chemical class 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、膜総数が３層であっても、
反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽について優れた能力を
有し、しかも耐熱性に優れた導電性反射防止膜を提供す
ることである。 【構成】 基体側から順に第１、第２、第３の層と呼ぶ
時、第１の層は、遷移金属窒化物を主成分とする層で、
０．５〜２００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の層
は、アルミニウムの窒化物とシリコンの窒化物を主成分
とする層で、１〜３０ｎｍの幾何学的厚みを有し、第３
の層は、シリコンの酸化物の層で、７０〜１２０ｎｍの
幾何学的厚みを有することを特徴とする。
反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽について優れた能力を
有し、しかも耐熱性に優れた導電性反射防止膜を提供す
ることである。 【構成】 基体側から順に第１、第２、第３の層と呼ぶ
時、第１の層は、遷移金属窒化物を主成分とする層で、
０．５〜２００ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の層
は、アルミニウムの窒化物とシリコンの窒化物を主成分
とする層で、１〜３０ｎｍの幾何学的厚みを有し、第３
の層は、シリコンの酸化物の層で、７０〜１２０ｎｍの
幾何学的厚みを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性反射防止膜に関
し、特に成膜後に４００℃以上の熱処理が施される陰極
線管パネルの前面に形成するのに適した導電性反射防止
膜に関するものである。
し、特に成膜後に４００℃以上の熱処理が施される陰極
線管パネルの前面に形成するのに適した導電性反射防止
膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、陰極線管の表示面であるパネ
ル前面には、反射低減や帯電防止が要求されており、最
近では、人体に悪影響を及ぼす極低周波の電磁波を遮断
することも求められるようになってきている。
ル前面には、反射低減や帯電防止が要求されており、最
近では、人体に悪影響を及ぼす極低周波の電磁波を遮断
することも求められるようになってきている。
【０００３】そのため陰極線管のパネル前面に各種の多
層膜を形成することによって、陰極線管に、反射低減、
帯電防止及び電磁波遮蔽の機能を付与することが試みら
れており、これらの特性を満足させる導電性反射防止膜
として、酸化物や窒化物を用いた多層膜が提案されてい
る。
層膜を形成することによって、陰極線管に、反射低減、
帯電防止及び電磁波遮蔽の機能を付与することが試みら
れており、これらの特性を満足させる導電性反射防止膜
として、酸化物や窒化物を用いた多層膜が提案されてい
る。
【０００４】従来から提案されている導電性反射防止膜
で、優れた反射低減能力、具体的には０．５％以下の視
感反射率を有するものとしては、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｓ
ｎＯ 2等の層からなる多層膜があるが、このような多層
膜は、膜総数が４〜７層と多いため、生産コストが高く
なるという問題がある。
で、優れた反射低減能力、具体的には０．５％以下の視
感反射率を有するものとしては、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｓ
ｎＯ 2等の層からなる多層膜があるが、このような多層
膜は、膜総数が４〜７層と多いため、生産コストが高く
なるという問題がある。
【０００５】また近年では、窒化物からなる吸収膜を含
み、膜総数を少なくした多層膜も提案されており、例え
ば特表平６−５１０３８２号公報には、基体側から順
に、窒化ニオブを含む層と、二酸化チタンを含む層と、
二酸化ケイ素を含む層からなる導電性反射防止膜が提案
されている。
み、膜総数を少なくした多層膜も提案されており、例え
ば特表平６−５１０３８２号公報には、基体側から順
に、窒化ニオブを含む層と、二酸化チタンを含む層と、
二酸化ケイ素を含む層からなる導電性反射防止膜が提案
されている。
【０００６】また特開平９−１５６９６４号公報には、
基体側から順に、チタン、ジルコニアおよびハフニウム
から選択された金属の窒化物を主成分とする層と、シリ
カ層からなる導電性反射防止膜が提案されている。
基体側から順に、チタン、ジルコニアおよびハフニウム
から選択された金属の窒化物を主成分とする層と、シリ
カ層からなる導電性反射防止膜が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで陰極線管の場
合、基体となるパネル上に成膜した後に、ファンネルと
のフリットシール工程や排気工程が存在し、これらの工
程で４００℃以上の熱処理が施される。
合、基体となるパネル上に成膜した後に、ファンネルと
のフリットシール工程や排気工程が存在し、これらの工
程で４００℃以上の熱処理が施される。
【０００８】しかしながら特表平６−５１０３８２号公
報や特開平９−１５６９６４号公報に開示された導電性
反射防止膜は、耐熱性が十分でないため、成膜後に４０
０℃以上の高温で加熱されると、膜の反射特性や抵抗値
が大きく変化しやすいという欠点を有している。
報や特開平９−１５６９６４号公報に開示された導電性
反射防止膜は、耐熱性が十分でないため、成膜後に４０
０℃以上の高温で加熱されると、膜の反射特性や抵抗値
が大きく変化しやすいという欠点を有している。
【０００９】本発明の目的は、膜総数が３層であって
も、反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽について優れた能
力を有し、しかも耐熱性に優れた導電性反射防止膜を提
供することである。
も、反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽について優れた能
力を有し、しかも耐熱性に優れた導電性反射防止膜を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、基体上に形成される３つの層を含み、基体側から
順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は、遷移
金属窒化物を主成分とする層で、０．５〜２００ｎｍの
幾何学的厚みを有し、第２の層は、アルミニウムの窒化
物とシリコンの窒化物を主成分とする層で、１〜３０ｎ
ｍの幾何学的厚みを有し、第３の層は、シリコンの酸化
物の層で、７０〜１２０ｎｍの幾何学的厚みを有するこ
とを特徴とする。
膜は、基体上に形成される３つの層を含み、基体側から
順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層は、遷移
金属窒化物を主成分とする層で、０．５〜２００ｎｍの
幾何学的厚みを有し、第２の層は、アルミニウムの窒化
物とシリコンの窒化物を主成分とする層で、１〜３０ｎ
ｍの幾何学的厚みを有し、第３の層は、シリコンの酸化
物の層で、７０〜１２０ｎｍの幾何学的厚みを有するこ
とを特徴とする。
【００１１】また本発明の導電性反射防止膜は、第１の
層の遷移金属酸化物を主成分とする層が、チタンの窒化
物を主成分とする層であることを特徴とし、さらにチタ
ンの窒化物を主成分とする層が、チタンに対する原子割
合が０．５以下の酸素を含む層であることを特徴とす
る。
層の遷移金属酸化物を主成分とする層が、チタンの窒化
物を主成分とする層であることを特徴とし、さらにチタ
ンの窒化物を主成分とする層が、チタンに対する原子割
合が０．５以下の酸素を含む層であることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】本発明において、最も基体側に形成される第１
の層である遷移金属窒化物を主成分とする層は、低反射
と導電性を付与する作用を有している。
の層である遷移金属窒化物を主成分とする層は、低反射
と導電性を付与する作用を有している。
【００１３】この第１の層としては、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウムから選択される金属の窒化物を主成分
とする膜が使用でき、特にチタンの窒化物を主成分とす
る膜を使用すると、可視光領域での低反射領域が広くな
るため好ましい。尚、チタンの窒化物を主成分とする膜
を使用する場合には、反射防止の点から、膜中における
チタンに対する窒素の原子割合が０．７５〜１．３０で
あることが望ましい。またこの膜中に酸素を、チタンに
対する原子割合が０．５以下となるように含ませると、
導電性がより向上するため好ましい。
ウム、ハフニウムから選択される金属の窒化物を主成分
とする膜が使用でき、特にチタンの窒化物を主成分とす
る膜を使用すると、可視光領域での低反射領域が広くな
るため好ましい。尚、チタンの窒化物を主成分とする膜
を使用する場合には、反射防止の点から、膜中における
チタンに対する窒素の原子割合が０．７５〜１．３０で
あることが望ましい。またこの膜中に酸素を、チタンに
対する原子割合が０．５以下となるように含ませると、
導電性がより向上するため好ましい。
【００１４】また第２の層であるアルミニウムの窒化物
とシリコンの窒化物を主成分とする層は、耐熱性を付与
する作用を有している。尚、アルミニウムの窒化物とシ
リコンの窒化物の割合は、ＡｌとＳｉの原子割合が１：
９〜９：１となるようにすれば良い。
とシリコンの窒化物を主成分とする層は、耐熱性を付与
する作用を有している。尚、アルミニウムの窒化物とシ
リコンの窒化物の割合は、ＡｌとＳｉの原子割合が１：
９〜９：１となるようにすれば良い。
【００１５】この第２の層として、シリコンの窒化物の
みからなる層を使用しても、多層膜の耐熱性は向上する
が、上記したアルミニウムの窒化物とシリコンの窒化物
からなる複合層とする方が、多層膜の耐熱性を向上する
効果がより大となり、この層の存在によって、特表平６
−５１０３８２号公報や特開平９−１５６９６４号公報
に開示された多層膜よりも優れた耐熱性が得られること
になる。
みからなる層を使用しても、多層膜の耐熱性は向上する
が、上記したアルミニウムの窒化物とシリコンの窒化物
からなる複合層とする方が、多層膜の耐熱性を向上する
効果がより大となり、この層の存在によって、特表平６
−５１０３８２号公報や特開平９−１５６９６４号公報
に開示された多層膜よりも優れた耐熱性が得られること
になる。
【００１６】さらに第３の層であるシリコンの酸化物の
層は、反射防止を付与する作用を有している。
層は、反射防止を付与する作用を有している。
【００１７】本発明においては、上記したような第１〜
第３の膜層以外にも、膜の密着性を向上させたり、色調
を調整する目的で、付加的な薄膜層を適宜設けることも
可能である。
第３の膜層以外にも、膜の密着性を向上させたり、色調
を調整する目的で、付加的な薄膜層を適宜設けることも
可能である。
【００１８】本発明の導電性反射防止膜の成膜方法とし
ては、一般的な薄膜形成手段が使用できる。例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート
法、ゾルゲル法等が適用可能であるが、大面積化が容易
であることや膜厚を制御しやすいこと等を考慮すると、
スパッタリング法が最も好ましい。
ては、一般的な薄膜形成手段が使用できる。例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート
法、ゾルゲル法等が適用可能であるが、大面積化が容易
であることや膜厚を制御しやすいこと等を考慮すると、
スパッタリング法が最も好ましい。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の導電性反射防止膜を実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００２０】表１は、実施例の導電性反射防止膜（試料
Ｎｏ．１、２）と比較例の導電性反射防止膜（試料Ｎ
ｏ．３）を示すものである。尚、試料Ｎｏ．１、２の第
２層はＡｌとＳｉの原子割合が、２：８となるように、
ＡｌＮとＳｉ3Ｎ4を混合したものである。
Ｎｏ．１、２）と比較例の導電性反射防止膜（試料Ｎ
ｏ．３）を示すものである。尚、試料Ｎｏ．１、２の第
２層はＡｌとＳｉの原子割合が、２：８となるように、
ＡｌＮとＳｉ3Ｎ4を混合したものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】表中の導電性反射防止膜は、次のようにし
て作製した。
て作製した。
【００２３】まず１７インチサイズの陰極線管パネルガ
ラスを準備し、その前面にマグネトロンスパッタコート
装置を用いて、表に示すような３層構造の導電性反射防
止膜を形成した。表中の膜構成の欄には、各膜層の材料
と、幾何学的厚みを示した。
ラスを準備し、その前面にマグネトロンスパッタコート
装置を用いて、表に示すような３層構造の導電性反射防
止膜を形成した。表中の膜構成の欄には、各膜層の材料
と、幾何学的厚みを示した。
【００２４】こうして得られた各試料を箱型電気炉に入
れ、４５０℃、６０分間の熱処理を行い、熱処理前後の
波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍ、波長６２０ｎｍにお
ける反射率と、抵抗値を測定した。
れ、４５０℃、６０分間の熱処理を行い、熱処理前後の
波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍ、波長６２０ｎｍにお
ける反射率と、抵抗値を測定した。
【００２５】その結果、実施例であるＮｏ．１、２の各
試料に比較して、比較例であるＮｏ．３の試料は、熱処
理前に比べ、熱処理後の反射率の変動が大きく、抵抗値
も大きく変動した。
試料に比較して、比較例であるＮｏ．３の試料は、熱処
理前に比べ、熱処理後の反射率の変動が大きく、抵抗値
も大きく変動した。
【００２６】尚、表中の反射率は、瞬間マルチ反射率測
定器を用いて、１５°正反射を測定したものである。
定器を用いて、１５°正反射を測定したものである。
【００２７】また抵抗値は、パネル短辺側の中央部に超
音波ハンダで電極を取り付け、電極間の抵抗をテスター
で測定したものである。
音波ハンダで電極を取り付け、電極間の抵抗をテスター
で測定したものである。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性反射防止膜
は、膜総数が３層であっても、反射低減、帯電防止、電
磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に優
れているため、陰極線管パネル上に成膜される導電性反
射防止膜として好適である。またこれ以外にも、成膜後
に高温の熱処理が施される液晶ディスプレイ基板やプラ
ズマディスプレイ基板等の各種ディスプレイにも適用可
能である。
は、膜総数が３層であっても、反射低減、帯電防止、電
磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に優
れているため、陰極線管パネル上に成膜される導電性反
射防止膜として好適である。またこれ以外にも、成膜後
に高温の熱処理が施される液晶ディスプレイ基板やプラ
ズマディスプレイ基板等の各種ディスプレイにも適用可
能である。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K009 AA06 BB02 CC02 CC03 DD04 EE03 5C032 AA02 DD02 DE01 DE03 DF01 DF03 DF05 DG01 DG02
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上に形成される３つの層を含み、基
体側から順に第１、第２、第３の層と呼ぶ時、第１の層
は、遷移金属窒化物を主成分とする層で、０．５〜２０
０ｎｍの幾何学的厚みを有し、第２の層は、アルミニウ
ムの窒化物とシリコンの窒化物を主成分とする層で、１
〜３０ｎｍの幾何学的厚みを有し、第３の層は、シリコ
ンの酸化物の層で、７０〜１２０ｎｍの幾何学的厚みを
有することを特徴とする導電性反射防止膜。 - 【請求項２】 第１の層の遷移金属窒化物を主成分とす
る層が、チタンの窒化物を主成分とする層であることを
特徴とする請求項１記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項３】 チタン窒化物を主成分とする層が、チタ
ンに対する原子割合が０．５以下の酸素を含む層である
ことを特徴とする請求項２記載の導電性反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028358A JP2000228160A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 導電性反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028358A JP2000228160A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 導電性反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228160A true JP2000228160A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12246405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11028358A Pending JP2000228160A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458073B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2004-11-20 | 청화 픽처 튜우브스 리미티드 | 음극선관 디스플레이 스크린을 위한 높은 콘트라스트,방습 정전기 방지/반사 방지 코팅 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP11028358A patent/JP2000228160A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458073B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2004-11-20 | 청화 픽처 튜우브스 리미티드 | 음극선관 디스플레이 스크린을 위한 높은 콘트라스트,방습 정전기 방지/반사 방지 코팅 |
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