JP2000208458A - Substrate cleaning unit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄装置に関
し、特に、半導体ウエハやＬＣＤ用基板を少量の洗浄液
で高速洗浄することを可能とする超小型洗浄装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and, more particularly, to a microminiature cleaning apparatus capable of high-speed cleaning of a semiconductor wafer or an LCD substrate with a small amount of a cleaning liquid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ世代の進展とともに、ウエハおよ
びデバイス表面の洗浄プロセスの重要性がますます増大
し、今や洗浄プロセスがプロセス全体のステップ数にお
いて最大のプロセスになっている。2. Description of the Related Art With the development of the LSI generation, the importance of a cleaning process for a wafer and a device surface is increasing, and the cleaning process is now the largest in the number of steps of the whole process.
【０００３】現在のウェット洗浄方式は「バッチ式洗浄
方式」が主流であるが、バッチ式の並列洗浄ではウエハ
およびデバイス表面を均一に清浄化することは本質的に
困難であり、３００ｍｍウエハ時代ではますますこの問
題は顕在化している。[0003] Currently, the "batch-type cleaning method" is the mainstream of the wet cleaning method. However, it is essentially difficult to uniformly clean the wafer and the device surface by the batch-type parallel cleaning. This problem is becoming increasingly apparent.
【０００４】新しい世代のウェット洗浄は、「枚葉式洗
浄方式」に移行し、製造プロセスチャンバーに直結して
配置されなければならない。しかし、製造プロセスチャ
ンバーに直結して配置するためには、「枚葉式洗浄装
置」の小型化が必要となる。[0004] The new generation of wet cleaning has shifted to the "single wafer cleaning system" and must be located directly in the manufacturing process chamber. However, in order to directly connect to the manufacturing process chamber, it is necessary to reduce the size of the “single wafer cleaning apparatus”.
【０００５】これまで、本出願の発明者らは、前記「枚
葉式洗浄装置」の技術開発を行い、高応答性を有して各
種薬液の切り替えが速く、一連の洗浄を高速に行える高
スループットの洗浄装置を提供することを目的として、
以下の装置を発明した。Until now, the inventors of the present application have developed the technology of the above-mentioned "single-wafer cleaning apparatus", and have high responsiveness, quick switching of various chemicals, and high-speed cleaning of a series. In order to provide a high-throughput cleaning device,
The following device was invented.
【０００６】前記「枚葉式洗浄装置」は、超純水流路に
洗浄液の原液または原ガスを注入して所望の濃度の洗浄
液とする洗浄原液注入手段と、超純水流路に連結され、
所望の濃度に調整された洗浄液、または超純水を基板の
表裏面に同時に供給する洗浄液供給手段と、洗浄液を介
して基板に超音波または、０．５ＭＨｚ以上の高周波を
重畳する高周波重畳手段と、基板を回転させる回転手
段、または基板および洗浄液供給手段のいずれか１つを
一方向に移動させる移動手段とを有し、超純水流路への
原液または原ガスの注入を制御して、洗浄液による基板
の洗浄と超純水による洗浄とを連続して行えることを特
徴としている。[0006] The "single-wafer cleaning apparatus" is connected to an ultrapure water flow path, and a cleaning stock solution injection means for injecting a stock solution or gas of the cleaning liquid into the ultrapure water flow path to obtain a cleaning liquid having a desired concentration.
Cleaning liquid supply means for simultaneously supplying a cleaning liquid adjusted to a desired concentration, or ultrapure water to the front and back surfaces of the substrate, and high-frequency superimposing means for superimposing ultrasonic waves or a high frequency of 0.5 MHz or more on the substrate via the cleaning liquid; Rotating means for rotating the substrate, or moving means for moving any one of the substrate and the cleaning liquid supply means in one direction, and controlling the injection of the raw liquid or raw gas into the ultrapure water flow path, It is characterized in that the cleaning of the substrate by the method and the cleaning by the ultrapure water can be performed continuously.
【０００７】前述ような洗浄装置としては、特願平８−
１７４００５号、特願平８−２１１５５７号等がある。
また、基板の表面側は、洗浄液供給手段のみで、高周波
を重畳する手段は裏面からのみとすることで構造を単純
化した枚葉式洗浄装置も提案した（特願平９−２５２７
５０号）。[0007] Japanese Patent Application No. Hei 8-
No. 174005, Japanese Patent Application No. 8-21557, and the like.
Further, a single-wafer cleaning apparatus having a simplified structure has been proposed in which only the cleaning liquid supply means is provided on the front surface side of the substrate, and the means for superimposing the high frequency wave is provided only from the back side (Japanese Patent Application No. 9-2527).
No. 50).
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】これまで、基板の表面
をクリーンルーム内の雰囲気に曝されないように窒素ガ
ス等の不活性ガスを充填して洗浄を行う方法が好ましく
用いられていた。しかし、洗浄チャンバーの小型化に伴
い、洗浄時すなわち基板の高速回転時に洗浄チャンバー
内のエアーを効率良く排気することができず、洗浄チャ
ンバー内にケミカルミストが滞在してしまう問題が生じ
ていた。前記ケミカルミストの滞在は、エアーボーンパ
ーティクルとしてのウエハ表面上にパーティクル吸着問
題を誘発する問題があった。Heretofore, a method of cleaning the substrate by filling it with an inert gas such as nitrogen gas so as not to expose the surface of the substrate to the atmosphere in the clean room has been preferably used. However, with the downsizing of the cleaning chamber, air in the cleaning chamber cannot be efficiently exhausted at the time of cleaning, that is, at the time of high-speed rotation of the substrate, and there has been a problem that chemical mist stays in the cleaning chamber. The stay of the chemical mist has a problem of causing a particle adsorption problem on a wafer surface as an airborne particle.
【０００９】前記の問題点を解決するためには、洗浄チ
ャンバー内を乱れのない流れにする、いわゆるラミナー
フローを形成することが望ましい。そのようにするため
には、洗浄チャンバー上部より垂直に気体を供給するこ
とが必要である。In order to solve the above-mentioned problems, it is desirable to form a so-called laminar flow in which the flow in the cleaning chamber is free from disturbance. To do so, it is necessary to supply gas vertically from the top of the cleaning chamber.
【００１０】上部より気体を供給し、下部の排気口への
気流の流れを形成できるよう構成するためには、ある程
度は供給量を大きくすることが必要であり、これを窒素
ガス等の不活性ガスのような気体で行うには、コスト面
からあまり現実的ではない。In order to supply gas from the upper part and to form a gas flow to the lower exhaust port, it is necessary to increase the supply amount to some extent. Performing with a gas such as a gas is not very realistic in terms of cost.
【００１１】一方、クリーンルーム内の洗浄チャンバー
内に取り入れる方法は、低コストで、簡易にラミナーフ
ローに近い状態が得られる。しかしながら、クリーンル
ーム内の空気には、多量の有機不純物が存在し、ウエハ
表面への有機不純物汚染が問題となる。On the other hand, the method of taking into a cleaning chamber in a clean room can easily obtain a state close to a laminar flow at low cost. However, a large amount of organic impurities are present in the air in the clean room, and there is a problem that organic impurities are contaminated on the wafer surface.
【００１２】最近、特に半導体デバイスの高密度、高集
積化に伴い、環境中の有機不純物の制御が重要になって
きている。これは、枚葉式洗浄装置内の雰囲気について
も例外ではない。In recent years, control of organic impurities in the environment has become important, especially with the increase in the density and integration of semiconductor devices. This is not an exception for the atmosphere in the single wafer cleaning apparatus.
【００１３】つまり、枚葉式洗浄装置において、ウエハ
表面上に汚染物を残存させないためには、以下の２つの
条件を同時に満たさなければならない。すなわち、第１
の条件として、基板の高速回転による乱気流を制卸し、
洗浄チャンバー内のエアーを効率よく排気し、ケミカル
ミストを滞在させないようにすることである。第２の条
件として、洗浄チャンバー内の雰囲気に（クリーンルー
ムエアーを導入する際）有機不純物等の不鈍物を存在さ
せないことである。That is, in the single-wafer cleaning apparatus, the following two conditions must be satisfied simultaneously in order to prevent contaminants from remaining on the wafer surface. That is, the first
As a condition, the turbulence caused by the high-speed rotation of the substrate is controlled,
The purpose is to efficiently exhaust the air in the cleaning chamber so that the chemical mist does not stay. The second condition is that there should be no dull substances such as organic impurities in the atmosphere in the cleaning chamber (when introducing clean room air).
【００１４】本発明は前述の問題点にかんがみ、洗浄チ
ャンバー内にクリーンルームエアーを導入する際に有機
不純物等の不鈍物が入り込まないようにするとともに、
基板を高速回転させているときでも洗浄チャンバー内の
エアーを効率良く排気できるようにすることを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above-described problems, and is intended to prevent indulgences such as organic impurities from entering when introducing clean room air into a cleaning chamber.
It is an object of the present invention to efficiently exhaust air in a cleaning chamber even when a substrate is rotating at high speed.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の基板洗浄装置
は、洗浄チャンバー内に被洗浄基板を配置し、フィルタ
ーを透過させてクリーンルームエアーを導入すること
で、前記洗浄チャンバー内が清浄化されている雰囲気に
して前記被洗浄基板の洗浄を行う基板洗浄装置であっ
て、前記被洗浄基板を少なくとも水平状態で保持すると
ともに、回転可能に保持する回転保持手段と、前記被洗
浄基板に向けて上方及び下方から洗浄液を噴射する洗浄
液供給手段と、前記洗浄液供給手段のいずれか一方に高
周波音波を照射する高周波音波照射手段とを具備するこ
とを特徴としている。また、本発明の基板洗浄装置の他
の特徴とするところは、前記フィルターは、有機不純物
除去を目的としたフィルターと塵芥除去を目的としたフ
ィルターとを少なくとも含み、これら複数のフィルター
が直列に重ねられていることを特徴としている。また、
本発明の基板洗浄装置のその他の特徴とするところは、
前記有機不純物除去を目的とするフィルターは、有機不
純物を吸着する材料を少なくとも含んでおり、また、前
記塵芥除去を目的とするフィルターは、塵芥のろ過が可
能であり、且つＰＴＦＥを含む耐ケミカル性に富む材料
で構成されていることを特徴としている。また、本発明
の基板洗浄装置のその他の特徴とするところは、前記基
板洗浄装置には、清浄化された空気を前記洗浄チャンバ
ー内に供給するクリーンルームエアー供給手段と、前記
洗浄チャンバー内の空気を外部に排気するクリーンルー
ムエアー排気手段とを更に有し、前記クリーンルームエ
アー供給手段およびクリーンルームエアー排気手段のそ
れぞれに流量調整手段が具備されていることを特徴とし
ている。According to the present invention, a substrate cleaning apparatus is provided in which a substrate to be cleaned is disposed in a cleaning chamber, and a cleaning room air is introduced through a filter to thereby clean the inside of the cleaning chamber. A substrate cleaning apparatus for cleaning the substrate to be cleaned in an atmosphere, wherein the substrate to be cleaned is held at least in a horizontal state, and rotatable holding means for rotatably holding the substrate to be cleaned; And a cleaning liquid supply means for injecting a cleaning liquid from below, and a high-frequency sound wave irradiation means for irradiating one of the cleaning liquid supply means with a high-frequency sound wave. Another feature of the substrate cleaning apparatus of the present invention is that the filter includes at least a filter for removing organic impurities and a filter for removing dust, and these filters are stacked in series. It is characterized by being. Also,
Other features of the substrate cleaning apparatus of the present invention include:
The filter for removing organic impurities contains at least a material that adsorbs organic impurities, and the filter for removing dust is capable of filtering dust, and has chemical resistance including PTFE. It is characterized by being composed of a material rich in odor. Another feature of the substrate cleaning apparatus of the present invention is that, in the substrate cleaning apparatus, clean room air supply means for supplying purified air into the cleaning chamber and air in the cleaning chamber are provided. A clean room air exhaust means for exhausting air to the outside is further provided, and each of the clean room air supply means and the clean room air exhaust means is provided with a flow rate adjusting means.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の基板洗浄装置の実施の形態を説明する。図１にフィル
ターを設置した枚葉式洗浄装置の構成図を示す。以下、
これを用いて本発明を具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a substrate cleaning apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration diagram of a single-wafer cleaning apparatus provided with a filter. Less than,
Using this, the present invention will be described specifically.
【００１７】図１において、１０１は洗浄チャンバー、
１０２はシリコンウエハ等の基板、１０３は表面洗浄用
のノズル、１０４は裏面洗浄用のノズル、１０５はウエ
ハ保持部材、１０６はウエハ回転機構、１０７は超音波
発振子、１０８は回転体部材、１０９は洗浄原液注入
器、１１０は超純水流路、１１１はＨＥＰＡフィルタ
ー、１１２は有機不純物吸着（除去）フィルター、１１
３はガス排気口、１１４は排気流量調整装置、１１５は
廃液流路である。In FIG. 1, 101 is a cleaning chamber,
102 is a substrate such as a silicon wafer, 103 is a nozzle for cleaning the front surface, 104 is a nozzle for cleaning the back surface, 105 is a wafer holding member, 106 is a wafer rotating mechanism, 107 is an ultrasonic oscillator, 108 is a rotating member, 109 Is a cleaning stock solution injector, 110 is an ultrapure water channel, 111 is a HEPA filter, 112 is an organic impurity adsorption (removal) filter, 11
Reference numeral 3 denotes a gas exhaust port, 114 denotes an exhaust flow rate adjusting device, and 115 denotes a waste liquid flow path.
【００１８】ウエハは、ウエハの端部を３点、またはそ
れ以上で保時するウエハ保持部材１０５によリ保持さ
れ、回転体部材１０８により回転する。The wafer is held by a wafer holding member 105 that holds the end of the wafer at three or more points, and is rotated by a rotating member 108.
【００１９】ノズル１０３、１０４には、超純水路１１
０が接続され、さらにこの超純水路１１０には洗浄液の
原液または原ガスを所定量注入し、所定の濃度の洗浄液
とする洗浄原液注入器１０９が接続されており、所望の
濃度に調整された洗浄液がノズル１０３、１０４からウ
エハ表裏面に同時に供給される。The nozzles 103 and 104 have an ultrapure water channel 11
0 is further connected to the ultrapure water channel 110, and a cleaning stock solution injector 109 for injecting a predetermined amount of a stock solution or raw gas of the cleaning solution into a cleaning solution having a predetermined concentration is connected to the ultrapure water channel 110, and the concentration is adjusted to a desired concentration. The cleaning liquid is simultaneously supplied from the nozzles 103 and 104 to the front and back surfaces of the wafer.
【００２０】洗浄チャンバーの上部に有機不純物吸着フ
ィルター１１２、塵芥等を除去するフィルター１１１
（耐ケミカル対応として、ＰＴＦＥ製）が直列に配置さ
れていて、洗浄チャンバー１０１内の雰囲気が清浄化さ
れたクリーンルームエアーとなっている。At the top of the cleaning chamber, an organic impurity adsorption filter 112 and a filter 111 for removing dust etc.
(Made of PTFE for chemical resistance) are arranged in series, and the atmosphere in the cleaning chamber 101 is clean room air.
【００２１】このフィルターを通過したクリーンルーム
エアーは、洗浄チャンバー上部より入り、ガス排気口１
１３に向けて、上から下への流れを形成する。そして、
排気流量調整装置１１４によって、その上から下への空
気の流れ（速度）を制御し、基板が高速回転している時
でも、その流れを維持させて効率良く排気することがで
きるようにしている。The clean room air that has passed through the filter enters from the upper part of the cleaning chamber, and the gas exhaust port 1
A flow from top to bottom is formed towards 13. And
The flow rate (velocity) of air from above to below is controlled by the exhaust flow rate adjusting device 114, so that even when the substrate is rotating at high speed, the flow can be maintained and the air can be efficiently exhausted. .
【００２２】つまり、本実施の形態においては前述した
２つの課題を同時に解決するために、第１の手段とし
て、洗浄チャンバー内雰囲気にクリーンルームエアーを
導入し、上部から下部（排気口）方向への流れを形成さ
せ、かつ排気流量制御機構により、洗浄チャンバーの気
流の流れを制御することにより、洗浄チャンバー内にラ
ミナーフロー、またはそれに近い流れを形成するように
している。That is, in the present embodiment, in order to simultaneously solve the two problems described above, as a first means, clean room air is introduced into the atmosphere in the cleaning chamber, and the clean room air is introduced from the upper part to the lower part (exhaust port). A laminar flow or a flow close to the laminar flow is formed in the cleaning chamber by forming a flow and controlling the flow of the airflow in the cleaning chamber by the exhaust flow control mechanism.
【００２３】このようにするには、清浄化されたクリー
ンルームエアーを洗浄チャンバー上部より導入し、排気
ファンにより、下部へ一様な流れを形成する。そして、
排気流量の制御、すなわち、洗浄チャンバー内の気流が
上から下へ流れる（速度）を制御することにより、基板
の高速回転時においても効率よく排気できるようにして
いる。In order to do this, purified clean room air is introduced from the upper part of the cleaning chamber, and a uniform flow is formed in the lower part by the exhaust fan. And
By controlling the exhaust flow rate, that is, by controlling the air flow in the cleaning chamber from top to bottom (speed), the exhaust can be efficiently exhausted even during high-speed rotation of the substrate.
【００２４】また、第２の手段として、洗浄チャンバー
上部にフィルターを設け、洗浄チャンバー内雰囲気の有
機不純物、塵芥等を除去するようにしている。フィルタ
ーの構成は、第一のフィルタとして有機不純物を除去す
る有機不純物吸着（除去）フィルターを配設する。次
に、第２のフィルタとして、前記フィルタに吸着された
不純物が再離脱したりして起こる発塵の対策として、チ
ャンバー側（有機不純物除去フィルターの下部）に塵芥
除去用のフィルターを直列に配置することを特徴とす
る。As a second means, a filter is provided above the cleaning chamber to remove organic impurities, dust and the like in the atmosphere in the cleaning chamber. In the configuration of the filter, an organic impurity adsorption (removal) filter for removing organic impurities is provided as a first filter. Next, as a second filter, a filter for dust removal is arranged in series on the chamber side (lower part of the organic impurity removal filter) as a countermeasure against dust generation caused by the impurities adsorbed on the filter being detached again. It is characterized by doing.
【００２５】また、これらのフィルターは、低圧力損失
（各フィルター：１ｍ／ｓｅｃ時、＜５０Ｐａ）である
のが望ましい。更に、塵芥除去用のフィルタに関して
は、ＰＴＦＥなど耐ケミカル性に富む材質であることが
望ましい。Further, it is desirable that these filters have low pressure loss (<50 Pa at 1 m / sec for each filter). Further, as for the filter for removing dust, it is preferable that the filter is made of a material having high chemical resistance such as PTFE.
【００２６】（実施例１：洗浄チャンバー内の気流の流
れ）洗浄チャンバー内に上から下への流れを形成した。
図２は基板を回転させないときの気流の流れを示し、図
３は基板を高速に回転させている時の気流の流れを示し
ている。本実施例における洗浄チャンバーの容積：３３
０×３３０×５５０ｍｍ3 、排気流量：２ｍ3 ／ｍｉ
ｎ、気流速度：３０ｃｍ／ｓｅｃであった。Example 1 Flow of Air Flow in Cleaning Chamber A flow from top to bottom was formed in the cleaning chamber.
FIG. 2 shows an airflow when the substrate is not rotated, and FIG. 3 shows an airflow when the substrate is rotated at a high speed. Cleaning chamber volume in this example: 33
0 × 330 × 550 mm 3 , exhaust flow rate: 2 m 3 / mi
n, airflow velocity: 30 cm / sec.
【００２７】（実施例２：有機不純物吸着除去フィルタ
ー十塵芥除去フィルターの実施データ）有機不純物除去
のための吸着剤には、活性炭系、ゼオライト系の２種類
の吸着剤がある。吸着特性は、活性炭系一低分子有機ガ
ス成分に吸着容量が大きい特性があり、ゼオライト系
は、高分子ガス成分に吸着容量が大きい特性がある。(Example 2: Organic Impurity Adsorption Removal Filter Data on Implementation of Dust Removal Filter) There are two types of adsorbents for removing organic impurities: activated carbon-based and zeolite-based. Regarding the adsorption characteristics, the activated carbon-based one low molecular weight organic gas component has a large adsorption capacity, and the zeolite-based polymer gas component has a large adsorption capacity.
【００２８】有機不純物除去フィルターの効果として、
一般的な、ＵＬＰＡフィルターと有機不純物フィルター
（活性炭系）下でのシリコンウエハの曝露試験結果を下
記の表１に示す。As an effect of the organic impurity removing filter,
Table 1 below shows the results of an exposure test of a silicon wafer under a general ULPA filter and an organic impurity filter (activated carbon type).
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明は前述したように、本発明によれ
ば、枚葉式洗浄装置の小型化、特に、洗浄チャンバーの
小型化に伴い、従来より問題となっていた基板高速回転
時の排気を高効率で行うことができる。特に、本発明に
おいては、有機不純物除去フィルタと塵芥除去フィルタ
とを直列に配置するようにしたので、有機不純物および
塵芥を入り込ますことなく、クリーンルームエアー内の
空気を洗浄チャンバー内に導入することができた。ま
た、本発明の他の特徴によれば、排気流量調整手段を設
けたので、洗浄チャンバー内の気流の流れおよび速度を
高精度で制御することができ、基板を高速に回転させて
いる時でも効率よく排気することができ、洗浄チャンバ
ー内にケミカルミストが滞在する問題を良好に解消する
ことができる。As described above, according to the present invention, according to the present invention, the downsizing of the single-wafer type cleaning apparatus, especially the high-speed rotation of the substrate, which has conventionally been a problem with the downsizing of the cleaning chamber, has been a problem. Exhaust can be performed with high efficiency. In particular, in the present invention, since the organic impurity removal filter and the dust removal filter are arranged in series, the air in the clean room air can be introduced into the cleaning chamber without entering the organic impurities and dust. did it. Further, according to another feature of the present invention, since the exhaust flow rate adjusting means is provided, the flow and speed of the air flow in the cleaning chamber can be controlled with high precision, and even when the substrate is rotated at high speed. Exhaust can be efficiently performed, and the problem that the chemical mist stays in the cleaning chamber can be satisfactorily solved.
【図１】本発明の実施の形態を示し、フィルターを設置
した枚葉式洗浄装置の構成を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of the present invention and illustrating a configuration of a single wafer cleaning apparatus provided with a filter.
【図２】基板が回転していない状態における洗浄チャン
バー内の気流の流れを示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an airflow in a cleaning chamber when the substrate is not rotating.
【図３】基板が高速に回転している状態における洗浄チ
ャンバー内の気流の流れの概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of an air flow in a cleaning chamber when a substrate is rotating at a high speed.
１０１ 洗浄チャンバー １０２ シリコンウエハ等の基板 １０３ 表面洗浄用のノズル １０４ 裏面洗浄用のノズル １０５ ウエハ保持部材 １０６ ウエハ回転機構 １０７ 超音波発振子 １０８ 回転体部材 １０９ 洗浄原液注入器 １１０ 超純水流路 １１１ ＨＥＰＡフィルター １１２ 有機不純物吸着（除去）フィルター １１３ ガス排気口 １１４ 排気流量調整装置 １１５ 廃液流路 Reference Signs List 101 Cleaning chamber 102 Substrate such as silicon wafer 103 Front surface cleaning nozzle 104 Back surface cleaning nozzle 105 Wafer holding member 106 Wafer rotating mechanism 107 Ultrasonic oscillator 108 Rotating body member 109 Cleaning stock solution injector 110 Ultrapure water channel 111 HEPA Filter 112 Organic impurity adsorption (removal) filter 113 Gas exhaust port 114 Exhaust flow control device 115 Waste liquid flow path
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷４丁目１番４号 株式会 社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究 所内 (72)発明者 三木 正博 東京都文京区本郷４丁目１番４号 株式会 社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究 所内 Ｆターム(参考） 3H075 AA09 AA18 BB01 CC23 CC25 CC34 DA28 DB40 DB49 DB50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuhisa Nitta 4-1-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo Inside the Ultra Clean Technology Development Laboratory (72) Inventor Masahiro Miki 4-1-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo No. 4 Ultra Clean Technology Development Research Institute F-term (reference) 3H075 AA09 AA18 BB01 CC23 CC25 CC34 DA28 DB40 DB49 DB50
Claims (4)
し、フィルターを透過させてクリーンルームエアーを導
入することで、前記洗浄チャンバー内が清浄化されてい
る雰囲気にして前記被洗浄基板の洗浄を行う基板洗浄装
置であって、 前記被洗浄基板を少なくとも水平状態で保持するととも
に、回転可能に保持する回転保持手段と、 前記被洗浄基板に向けて上方及び下方から洗浄液を噴射
する洗浄液供給手段と、 前記洗浄液供給手段のいずれか一方に高周波音波を照射
する高周波音波照射手段とを具備することを特徴とする
基板洗浄装置。1. A substrate to be cleaned is placed in a cleaning chamber, and a clean room air is introduced through a filter, thereby cleaning the substrate to be cleaned in an atmosphere in which the inside of the cleaning chamber is cleaned. A substrate cleaning apparatus, comprising: a rotation holding unit that holds the substrate to be cleaned at least in a horizontal state, and rotatably holds the cleaning substrate; and a cleaning liquid supply unit that sprays a cleaning liquid from above and below toward the substrate to be cleaned. A high frequency sound wave irradiating means for irradiating high frequency sound wave to one of the cleaning liquid supply means.
的としたフィルターと塵芥除去を目的としたフィルター
とを少なくとも含み、これら複数のフィルターが直列に
重ねられていることを特徴とする請求項１に記載の基板
洗浄装置。2. The filter according to claim 1, wherein the filter includes at least a filter for removing organic impurities and a filter for removing dust, and the plurality of filters are stacked in series. A substrate cleaning apparatus as described in the above.
ターは、有機不純物を吸着する材料を少なくとも含んで
おり、また、前記塵芥除去を目的とするフィルターは、
塵芥のろ過が可能であり、且つＰＴＦＥを含む耐ケミカ
ル性に富む材料で構成されていることを特徴とする請求
項１または２に記載の基板洗浄装置。3. The filter for removing organic impurities includes at least a material that adsorbs organic impurities, and the filter for removing dust is:
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the substrate cleaning apparatus is made of a material that is capable of filtering dust and has high chemical resistance including PTFE.
気を前記洗浄チャンバー内に供給するクリーンルームエ
アー供給手段と、 前記洗浄チャンバー内の空気を外部に排気するクリーン
ルームエアー排気手段とを更に有し、 前記クリーンルームエアー供給手段およびクリーンルー
ムエアー排気手段のそれぞれに流量調整手段が具備され
ていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記
載の基板洗浄装置。4. The apparatus for cleaning a substrate further comprises: a clean room air supply means for supplying purified air into the cleaning chamber; and a clean room air exhaust means for exhausting air in the cleaning chamber to the outside. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the clean room air supply unit and the clean room air exhaust unit includes a flow rate adjustment unit.
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