JP2000206310A - レンズアレイ - Google Patents
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Abstract
ことができ、液晶表示素子に使用時には画面の輝度を向
上させることができ、かつ製造しやすい形状のレンズア
レイを提供する。 【解決手段】 画素領域内に形成された凸レンズ形状を
有する集光レンズ111を、レンズ面と垂直な方向より見
た平面形状が略八角形で、隣り合わない4つの辺は直
線、他の4つの辺は前記略八角形の略中心を中心点とす
る略円の1部である形状とする。画素領域における集光
レンズの占める面積割合が向上するので、集光レンズに
入る光線が増加し、集光に必要な曲率も得られるので、
受光素子などに光線が効率よくあつまる。さらに、製造
しやすい形状でもある。
Description
子あるいは液晶表示装置などに用いられるレンズアレイ
に関する。
略を示した断面図である。
うに、n型半導体基板312、pウェル層311、受光
部310、電荷転送部309、シリコン酸化膜あるいは
窒化膜307、ポリシリコン電極308、メタル遮光層
306、素子表面保護層305、平坦膜304、カラー
フィルター層303、中間透明膜302、レンズアレイ
(オンチップレンズ)301から成っている。なおカラ
ーフィルター層303は3板式撮像装置や白黒撮像装置
の場合、あるいはその他の波長選別手段によって色分け
される場合には必要ではない。
10のみで受け、それ以外にあたった光線は感度に寄与
しない。そのため、高感度化の技術のひとつとして、レ
ンズアレイ301を受光部310上の透明表面層に形成
し、受光部310により多く光を集めることが知られて
いる。
310に対応させて配置し、その集光作用を用いて、レ
ンズに入射する光を各受光部310に効率よく導く。
図7(a)はレンズアレイ301を上から見た平面図で
あり、図7(b)は図7(a)のV−V線での矢印方向
から見た断面図である。1画素に対応する領域(以下、
「画素領域」ということがある)は、縦の辺355と横
の辺354で囲まれた領域であり、このほぼ中央部にレ
ンズ301を配置し、感度向上に貢献している。ここ
で、隣り合うレンズの間には、製造上の理由から、隙間
353を持たせてある。なお、図7では、図面を簡素化
するために4画素のみを示したが、実際には図7(a)
に示した各画素が縦横方向にそれぞれ所定個数配列され
ている。
は、各レンズはレンズ形状が略円形または略楕円形のた
め、レンズ直径が画素に対応する領域の1辺を越えるこ
とがない。したがって、各レンズの整列方向には、製造
プロセス上発生する隙間353の空間が存在する。更
に、四角い画素領域のうち、レンズ301が形成されて
いない角部にも隙間が生じる。これらの部分に入射する
光についてはほとんど受光素子に入ることがなく、感度
に寄与しないという問題があった。
れる液晶表示素子においても、各画素に対応するように
図7に示したような隙間を有するレンズアレイが積層さ
れるが、上記隙間に入射する光は液晶表示装置の画面の
輝度に寄与しないという問題があった。
開口を拡げ、かつ光線の集光に十分な曲率のレンズを構
成すること等により、例えば固体撮像装置に使用した場
合には感度を向上させることができ、また液晶表示素子
に使用した場合には画面の輝度を向上させることができ
るレンズアレイを提供することを目的とする。
めに、本発明のレンズアレイは以下の構成とする。
ンズアレイは、縦横方向に集光レンズが複数個配列され
てなり、個々の前記集光レンズは2次元平面に配列され
た各画素に1対1に対応するように設置して使用される
レンズアレイであって、前記集光レンズの配列面と垂直
な方向より見た前記集光レンズの平面形状は、4つ直線
状の辺と、前記直線状の各辺を順に結ぶ4つの略円弧と
を有し、前記4つの略円弧の中心は前記画素に対応する
領域の中心と略一致することを特徴とする。
よれば、画素領域を有効に使用できるので、集光レンズ
の開口が拡大し、画素領域を通る光線の無駄を少なくす
ることができる。この結果、例えば固体撮像装置に使用
した場合には感度を向上させることができ、また液晶表
示素子に使用した場合には画面の輝度を向上させること
ができる。更に、このようなレンズ形状は製造が比較的
容易である。
応する領域が矩形状(長方形又は正方形)であり、前記
略円弧の直径は、前記領域の対角線よりも短く、前記領
域の短い方の一辺(前記領域が正方形の場合は縦又は横
の一辺)よりも長いことが好ましい。かかる好ましい構
成によれば、画素領域のうち集光レンズが配置された領
域の割合を高くすることができ、集光レンズの開口をよ
り大きくすることができる。
素に対応する領域が矩形状(長方形又は正方形)であ
り、前記集光レンズは、前記領域の対角線方向のレンズ
の曲率と、前記領域の辺方向のレンズ曲率とが略等しい
ことが好ましい。かかる好ましい構成によれば、縦横方
向に集光レンズが多数配列されたレンズアレイを後述す
る簡易な方法で形成することができる。
素に対応する領域は矩形状(長方形又は正方形)であ
り、前記領域の縦方向及び横方向の長さの内、短い方を
X、長い方をY(前記領域が正方形の場合はY=X)と
したとき、前記集光レンズの曲率半径Rが下記式(1)
を満足することが好ましい。
うち集光レンズが配置された領域の割合を高くすること
ができ、集光レンズの開口をより大きくすることができ
る。
は、縦横方向に集光レンズが複数個配列されてなり、個
々の前記集光レンズは2次元平面に配列された各画素に
1対1に対応するように設置して使用されるレンズアレ
イであって、前記画素に対応する領域は長方形であり、
前記領域の短辺は長辺の1/2以下の長さであり、前記
集光レンズの配列面と垂直な方向より見た前記集光レン
ズの平面形状は、2つの略平行な向かい合う直線状の辺
と、前記直線状の辺を結ぶ2つの略円弧とを有し、前記
2つの略円弧の中心は前記画素に対応する領域の中心と
略一致することを特徴とする。
よれば、画素の縦横方向の配列間隔が異なるような場合
において、画素領域を有効に使用できるので、集光レン
ズの開口が拡大し、画素領域を通る光線の無駄を少なく
することができる。この結果、例えば固体撮像装置に使
用した場合には感度を向上させることができ、また液晶
表示素子に使用した場合には画面の輝度を向上させるこ
とができる。更に、このようなレンズ形状は製造が比較
的容易である。
集光レンズの平面形状における直線状の辺を含む前記集
光レンズの壁面が、前記集光レンズの配列面に対して垂
直でないことが好ましい。かかる好ましい構成によれ
ば、例えば個体撮像素子に適用する場合には該壁面に入
射する光線も効率よく受光素子に導くことができる。ま
た、該壁面の傾斜角度を製造方法を考慮して選択するこ
とにより、製造しやすいレンズアレイとすることができ
る。
て、前記集光レンズは、その形状を階段状に近似したバ
イナリー形状で形成されていることが好ましい。かかる
好ましい構成によれば、レンズアレイの製造方法の選択
肢が増し、工程の簡略化と低コスト化を図ることができ
る。
次元平面に配列された受光部と、前記受光部上に積層さ
れた上記第1又は第2の構成にかかるレンズアレイとを
有する固体撮像素子であって、前記レンズアレイの個々
の集光レンズは個々の前記受光部に1対1に対応するこ
とを特徴とする。かかる構成によれば、高感度で鮮明な
画像が得られる個体撮像素子を得ることができる。
点距離が、前記受光部までの距離に略等しいことが好ま
しい。かかる好ましい構成によれば、集光レンズを通過
した光を無駄なく受光部に集光でき、集光レンズの実質
的な開口を拡大することができる。その結果、鮮明な画
像が得られる。
次元平面に配列された画素と、前記画素上に積層された
請求項1〜7のいずれかに記載のレンズアレイとを有す
る液晶表示素子であって、前記レンズアレイの個々の集
光レンズは個々の前記画素に1対1に対応することを特
徴とする。かかる構成によれば、画面の輝度を向上し、
鮮明な画像が得られる液晶表示素子を得ることができ
る。
点距離が、前記画素までの距離に略等しいことが好まし
い。かかる好ましい構成によれば、集光レンズの実質的
な開口を拡大することができる。その結果、鮮明な画像
が得られる。
いて、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。
態1にかかるレンズアレイの概念図であって、図1
(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線で
の矢印方向から見た断面図、図1(c)は図1(a)の
Ic−Ic線での矢印方向から見た断面図である。
4画素のみを示したが、実際には図1(a)に示した各
画素が縦横方向にそれぞれ所定個数配列されている。
に配列された矩形状の画素領域に凸レンズ形状を有する
集光レンズ111が、一つの画素領域に一つの集光レン
ズが対応するように配置されている。
より見た集光レンズ111の平面形状は図1(a)に示
すように略八角形であり、画素領域の境界の4辺と平行
な隣り合わない4つの辺は直線であり、該4辺の間を順
に連結する他の4つの辺は、前記略八角形の略中心(こ
れは、画素領域の中心とほぼ一致する)を中心点とする
略円の1部である。該略円の直径は、画素領域の対角線
の長さより短く、前記画素領域の一辺(画素領域が長方
形の場合はその短辺)よりも長い。
な構成により、従来レンズに比べて、画素領域における
集光レンズ111で覆われている部分の面積が増加す
る。また、同時に、集光に必要な集光レンズ111の曲
率を、画素領域の対角線の長さなどに制限されることな
く自由に選択することができる。
設け、その表層部に1辺約2.5μmの受光部310を
構成し、次に厚さ約0.1μmのシリコン酸化膜あるい
は窒化膜307を構成し、屈折率1.55、厚さ約0.
9μmの素子表面保護膜305と、屈折率1.47、厚
さ約1μmの平坦膜304と、屈折率1.52で厚さ約
2μmのカラーフィルター層303を構成し、その受光
素子に対応する画素領域の範囲が縦横約4.5μmの正
方形である固体撮像素子を仮定する。その画素領域の上
部に、屈折率が1.5の集光レンズ301を置いて、シ
ミュレーションした。
4.3×横4.3μm、曲率半径3.4μm、レンズ厚
1.8μmのとき、集光率は90%であった。一方、従
来の一般的なレンズアレイでは、レンズ径4.3μm、
曲率3μmとして、集光率は72%であった。即ち、本
実施の形態の集光率は従来に比べて約25%向上したこ
とがわかる。
施したとき、1つの受光素子に対応する画素領域を通る
光線の本数の内、受光素子に入射する光線の本数であ
る。ただし、本シミュレーションでは、画素領域への入
射光線角度は、0度から15度の範囲で任意である。
従来のレンズよりも画素領域を広く覆うためには最短で
も矩形状の画素領域の短い方の1辺の長さの半分以上が
必要となる。また、曲率半径が大きくなりすぎても集光
力が弱まり、感度の低下を引き起こす。このため、画素
領域の短い方の長さをX、長い方の長さをYとすると、
集光レンズの曲率半径Rが下記式(1)を満足すること
が好ましい。
ズは画素領域広く覆うことができ、かつ十分な集光力を
得ることができる。曲率半径Rが式(1)の下限を下回
ると、レンズは画素領域を広く覆うことができない。一
方、曲率半径Rが式(1)の上限を上回ると、十分な集
光力が得られない。
態2にかかるレンズアレイの概念図であって、図2
(a)は平面図、図2(b)は図2(a)のIIb−IIb線
での矢印方向から見た断面図、図2(c)は図2(a)
のIIc−IIc線での矢印方向から見た断面図、図2(d)
は図2(a)のIId−IId線での矢印方向から見た断面図
である。
4画素のみを示したが、実際には図2(a)に示した各
画素が縦横方向にそれぞれ所定個数配列されている。
は、図2(a)から明らかなように長方形であり、その
短辺(図2(a)では縦方向の辺)の長さが長辺(図2
(a)では横方向の辺)の長さの1/2以下である。こ
のような画素領域に、凸レンズ形状を有する集光レンズ
121が、一つの画素領域に一つの集光レンズが対応す
るように配置されている。
より見た集光レンズ121の平面形状は図2(a)に示
したように略四角形であり、画素領域の長辺と平行な向
かい合う2辺は直線であり、該2辺を結ぶ他の2辺は、
前記略四角形の略中心(これは、画素領域の中心とほぼ
一致する)を中心点とする略円の一部である。
な構成により、画素の縦横方向の配列間隔が異なるよう
な場合において、従来レンズに比べて、画素領域におけ
る集光レンズ121で覆われている部分の面積が増加す
るので、例えば固体撮像素子に適用した場合には集光率
が向上し、感度向上に寄与する。
態3にかかるレンズアレイの概念図であって、図3
(a)は平面図、図3(b)は図3(a)のIIIb−IIIb
線での矢印方向から見た断面図、図3(c)は図3
(a)のIIIc−IIIc線での矢印方向から見た断面図であ
る。
4画素のみを示したが、実際には図3(a)に示した各
画素が縦横方向にそれぞれ所定個数配列されている。
の形態1で説明した集光レンズ111において、矩形状
の画素領域の4辺と平行な4つのレンズ壁面132が、
集光レンズ配列面に対して垂直でなく、画素領域の中央
部方向に傾く所定の傾斜角をもつ。
な構成により、例えば固体撮像素子に適用した場合に
は、壁面132に入射した光線も効率よく受光素子に導
くことができる。また、壁面132を垂直に形成する必
要が無くなるために、製造しやすいレンズアレイが実現
する。
レイを例にしたが、実施の形態2のレンズアレイに同様
に傾斜した壁面を形成しても良く、その場合は上記と同
様の効果を奏する。
態4にかかるレンズアレイの概念図であって、図4
(a)は平面図、図4(b)は図4(a)のIV−IV線で
の矢印方向から見た断面図である。
4画素のみを示したが、実際には図4(a)に示した各
画素が縦横方向にそれぞれ所定個数配列されている。
方向に配列された矩形状の画素領域に、実施の形態1で
示したレンズアレイの集光レンズ111の形状を階段状
に近似したバイナリーレンズとしたものである。
イナリー形状(階段形状)を形成する。この場合、階段
のステップ数が多いほど、本来のレンズ形状の持つ性能
に近づく。
ことで、レンズアレイの製造上の選択肢を拡げることが
できる。具体的には、例えばフォトリソグラフィー技術
を用いて製造することができる。
レイを例にしたが、実施の形態2又は3のレンズアレイ
を同様に階段状に近似したバイナリーレンズとしても良
く、その場合は上記と同様の効果を奏する。
イは、固体撮像素子に使用する場合には、レンズアレイ
を構成する集光レンズの焦点距離が固体撮像素子の受光
部までの距離に略等しくなるように形成するのが好まし
い。また、液晶表示素子に使用する場合には、レンズア
レイを構成する集光レンズの焦点距離が液晶表示素子の
画素までの距離に略等しくなるように形成するのが好ま
しい。いずれの場合も、そのような構成とすることによ
り、鮮明な画像を得ることができる。
レイの製造方法の一例を説明する。
アレイを形成する場合について、図5を用いて説明す
る。
る合成樹脂層421を回転塗布で形成する(図5
(a))。合成樹脂層421に用いられる材料として
は、例えばフェノール系樹脂、スチレン系樹脂、アクリ
ル系樹脂が使用できるが、その他従来から用いられてき
た材料も使用できる。合成樹脂層421の材料として
は、具体的には、ポリパラビニルフェノール系樹脂にナ
フトキノンジアジドを添加した感光性樹脂が好ましい。
この樹脂は、ポジ型レジストとして用いることができ、
熱処理すると熱可塑性により液状化して形状が半球状に
変形し、その後熱硬化性による形状固定と固化が進行
し、硬化したレンズ形状が実現される。また、上記感光
性樹脂は、現像直後の工程において紫外線照射により可
視光透過率を90%以上にまで向上させ、この透明化し
た状態でレンズ形状へと変形させることができる。
を選択露光する。上記ポリパラビニルフェノール樹脂の
ようなポジ型のレジストを用いる場合には、除去すべき
部分にのみ紫外光423を照射し、現像する。このよう
な紫外線ステッパを用いたパターニングにより、合成樹
脂層421を各受光部と1対1に対応する合成樹脂部分
422に分割する(図5(b))。
ブリーチングする。すなわち、紫外光を照射して不透明
な材料を透明化する。この後、断面矩形の合成樹脂部分
422を回転塗布等の方法でオーバーコート層425に
より被覆する(図5(c))。
合成樹脂部分422は加熱されることにより軟化して、
上方に凸となった曲線により断面が構成されるドーム型
レンズ形状401へと変形する(図5(d))。この変
形の際、オーバーコート層425が形成されているため
に、隣接する各合成樹脂部分は互いに接触しにくくな
る。換言すれば、オーバーコート層425は、合成樹脂
部分が急速に接近しないように緩衝作用を発揮する。オ
ーバーコート層425の材料は、上記の緩衝作用を奏し
得る材料であれば特に制限することなく使用することが
できる。一方、オーバーコート層425には、合成樹脂
部分422が加熱される温度において合成樹脂部分42
2の変形を完全に制限してしまわないことが要求され
る。
おくことで、縦横方向に隣り合う集光レンズと相互に接
触して形成されたレンズアレイを形成することができ
る。また、画素に対応する領域全域にレンズを形成する
場合も上記と同様の方法で作成することが可能である。
い場合には、図5(e)のように、オーバーコート層を
取り除いても、隣り合う集光レンズ401がほぼ接触し
たレンズアレイを得ることができる。
調節、又は加熱温度の調節により、矩形状の画素領域の
4辺と平行な4つのレンズ壁面を、レンズ配列面に対し
て垂直ではなく、傾斜させることができる。
レイによれば、画素領域を有効に使用できるので、集光
レンズの開口が拡大し、画素領域を通る光線の無駄を少
なくすることができる。この結果、例えば固体撮像装置
に使用した場合には感度を向上させることができ、また
液晶表示素子に使用した場合には画面の輝度を向上させ
ることができる。更に、比較的容易に製造することが可
能である。
の概念図であって、図1(a)は平面図、図1(b)は
図1(a)のIb−Ib線での矢印方向から見た断面図、図
1(c)は図1(a)のIc−Ic線での矢印方向から見た
断面図である。
の概念図であって、図2(a)は平面図、図2(b)は
図2(a)のIIb−IIb線での矢印方向から見た断面図、
図2(c)は図2(a)のIIc−IIc線での矢印方向から
見た断面図、図2(d)は図2(a)のIId−IId線での
矢印方向から見た断面図である。
の概念図であって、図3(a)は平面図、図3(b)は
図3(a)のIIIb−IIIb線での矢印方向から見た断面
図、図3(c)は図3(a)のIIIc−IIIc線での矢印方
向から見た断面図である。
の概念図であって、図4(a)は平面図、図4(b)は
図4(a)のIV−IV線での矢印方向から見た断面図であ
る。
の製造方法の概略を工程順に示した断面図である。
断面図である。
て、図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)のV
−V線での矢印方向から見た断面図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 縦横方向に集光レンズが複数個配列され
てなり、個々の前記集光レンズは2次元平面に配列され
た各画素に1対1に対応するように設置して使用される
レンズアレイであって、 前記集光レンズの配列面と垂直な方向より見た前記集光
レンズの平面形状は、4つ直線状の辺と、前記直線状の
各辺を順に結ぶ4つの略円弧とを有し、前記4つの略円
弧の中心は前記画素に対応する領域の中心と略一致する
ことを特徴とするレンズアレイ。 - 【請求項2】 前記画素に対応する領域が矩形状であ
り、前記略円弧の直径は、前記領域の対角線よりも短
く、前記領域の短い方の一辺よりも長い請求項1に記載
のレンズアレイ。 - 【請求項3】 前記画素に対応する領域が矩形状であ
り、前記集光レンズは、前記領域の対角線方向のレンズ
の曲率と、前記領域の辺方向のレンズ曲率とが略等しい
請求項1に記載のレンズアレイ - 【請求項4】 前記画素に対応する領域は矩形状であ
り、前記領域の縦方向及び横方向の長さの内、短い方を
X、長い方をYとしたとき、前記集光レンズの曲率半径
Rが下記式(1)を満足する請求項1に記載のレンズア
レイ。 【数1】 X/2≦R≦(1/2)×(X2+Y2)1/2 ・・(1) - 【請求項5】 縦横方向に集光レンズが複数個配列され
てなり、個々の前記集光レンズは2次元平面に配列され
た各画素に1対1に対応するように設置して使用される
レンズアレイであって、 前記画素に対応する領域は長方形であり、前記領域の短
辺は長辺の1/2以下の長さであり、 前記集光レンズの配列面と垂直な方向より見た前記集光
レンズの平面形状は、2つの略平行な向かい合う直線状
の辺と、前記直線状の辺を結ぶ2つの略円弧とを有し、
前記2つの略円弧の中心は前記画素に対応する領域の中
心と略一致することを特徴とするレンズアレイ。 - 【請求項6】 前記集光レンズの平面形状における直線
状の辺を含む前記集光レンズの壁面が、前記集光レンズ
の配列面に対して垂直でない請求項1又は5に記載のレ
ンズアレイ。 - 【請求項7】 前記集光レンズは、その形状を階段状に
近似したバイナリー形状で形成されている請求項1又は
5に記載のレンズアレイ。 - 【請求項8】 2次元平面に配列された受光部と、前記
受光部上に積層された請求項1〜7のいずれかに記載の
レンズアレイとを有する固体撮像素子であって、前記レ
ンズアレイの個々の集光レンズは個々の前記受光部に1
対1に対応することを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項9】 前記集光レンズの焦点距離が、前記受光
部までの距離に略等しい請求項8に記載の固体撮像素
子。 - 【請求項10】 2次元平面に配列された画素と、前記
画素上に積層された請求項1〜7のいずれかに記載のレ
ンズアレイとを有する液晶表示素子であって、前記レン
ズアレイの個々の集光レンズは個々の前記画素に1対1
に対応することを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項11】 前記集光レンズの焦点距離が、前記画
素までの距離に略等しい請求項10に記載の液晶表示素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US20100157609A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Wu Yii-Der | Brightness enhancement film |
| GB2482193A (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Microlens array and mould for fabricating the array |
| US9398272B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-07-19 | Google Inc. | Low-profile lens array camera |
| JP6340807B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2018-06-13 | 株式会社リコー | 画像表示装置及び移動体 |
| US10115757B2 (en) * | 2014-08-22 | 2018-10-30 | SK Hynix Inc. | Image sensor and electronic device having the same |
| KR20220043556A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2566087B2 (ja) * | 1992-01-27 | 1996-12-25 | 株式会社東芝 | 有色マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
| JP3251150B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2002-01-28 | 日本板硝子株式会社 | 平板マイクロレンズアレイおよびその製造方法 |
| US5948281A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-07 | Sony Corporation | Microlens array and method of forming same and solid-state image pickup device and method of manufacturing same |
-
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-
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030039618A (ko) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | 김정화 | 접착이 용이한 미니 볼록 렌즈 |
| KR100907158B1 (ko) | 2007-10-11 | 2009-07-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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| KR101016547B1 (ko) | 2008-09-04 | 2011-02-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US8686337B2 (en) | 2009-09-29 | 2014-04-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, solid-state imaging device manufacturing method, electronic device, and lens array |
| JP2013007970A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Sharp Corp | 撮像レンズ、レンズアレイ、撮像レンズの製造方法、および撮像モジュール |
| WO2015045914A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | ソニー株式会社 | レンズアレイおよびその製造方法、固体撮像装置、並びに電子機器 |
| JP2015065268A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ソニー株式会社 | レンズアレイおよびその製造方法、固体撮像装置、並びに電子機器 |
| KR20160061999A (ko) * | 2013-09-25 | 2016-06-01 | 소니 주식회사 | 렌즈 어레이 및 그 제조 방법, 고체 촬상 장치, 및 전자 기기 |
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