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JP2000200948A - Wiring structure of parallel circuit - Google Patents

Wiring structure of parallel circuit

Info

Publication number
JP2000200948A
JP2000200948A JP11002076A JP207699A JP2000200948A JP 2000200948 A JP2000200948 A JP 2000200948A JP 11002076 A JP11002076 A JP 11002076A JP 207699 A JP207699 A JP 207699A JP 2000200948 A JP2000200948 A JP 2000200948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
parallel
wiring structure
parallel circuit
branch portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11002076A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Kotani
和也 小谷
Tomotsugu Ishizuka
智嗣 石塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11002076A priority Critical patent/JP2000200948A/en
Publication of JP2000200948A publication Critical patent/JP2000200948A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring structure of a parallel circuit, wherein currents of parallel connected elements are made equal without increasing the wiring inductance. SOLUTION: In a wiring structure of a parallel circuit having parallel connected elements, the elements are so disposed that a first, and third conductors 1, 2, 3 have negative mutual inductances, so that the voltage drops due to self/ mutual inductances at parallel branches are equal, thereby equalizing the currents flowing in elements 4 connected between the second and third conductors 2, 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、能動素子或いは受
動素子(以下、単に素子と称す)を並列接続する並列回
路の配線構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring structure of a parallel circuit for connecting active elements or passive elements (hereinafter simply referred to as elements) in parallel.

【0002】[0002]

【従来の説明】一般に、素子を並列接続する場合、各素
子を流れる電流が不均一になるため、素子の耐量か並列
数に冗長度が必要となる。しかしこのような構成では、
不経済であるため、各々の素子を流れる電流を均一にす
るため、並列に接続された導体に対して、磁性体コアを
配置することで、電流アンバランスを抑制する方法があ
る。
2. Description of the Related Art In general, when elements are connected in parallel, the current flowing through each element becomes non-uniform, so that the tolerance of the elements or the number of parallel elements requires redundancy. However, in such a configuration,
Since it is uneconomical, there is a method of suppressing current imbalance by disposing a magnetic core to conductors connected in parallel in order to equalize the current flowing through each element.

【0003】その一例として、特開平9−117125
号公報に記載された方法が挙げられる。この方法では、
上記公報の図1に示されるように、母線1から分岐した
並列回路配線2a,2b,2c,2dには、それぞれ半
導体素子4が接続され、各半導体素子4を流れる電流は
母線5で合流して流出する。このとき、並列回路配線2
a,2dには、並列回路配線2a,2dとがそれぞれ貫
通する磁性体3が設けられている。
As one example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-117125 discloses
The method described in Unexamined Japanese Patent Publication No. H10-260, No. 1 is cited. in this way,
As shown in FIG. 1 of the above publication, semiconductor elements 4 are respectively connected to parallel circuit wirings 2a, 2b, 2c, 2d branched from bus 1, and currents flowing through each semiconductor element 4 join at bus 5. Outflow. At this time, the parallel circuit wiring 2
A magnetic body 3 is provided in a and 2d through which the parallel circuit wirings 2a and 2d respectively penetrate.

【0004】磁性体3が設けられていない場合には、母
線1および並列回路配線2a,2b,2c,2dに流れ
る交流電流により発生する磁界は、両外側の並列回路配
線2a,2dに比べ内側の並列回路配線2b,2cに対
してより大きく影響する。この結果、内側の並列回路配
線2b,2cには上記影響による反抗起電力が生じ、こ
れによるループ電流が流れるが、内側の並列回路配線2
b,2cとに流れる反抗起電力によるループ電流は互い
に方向が逆方向であるため相殺される。これに対し、外
側の並列回路配線2a,2dでは、他の並列回路配線を
流れる交流電流による磁界の影響によるループ電流の方
向が母線1から流れ込む電流の方向と同一であることか
ら、並列回路配線2a,2dに多くの電流が流れ、電流
のアンバランスが生じる。
When the magnetic body 3 is not provided, the magnetic field generated by the alternating current flowing through the bus 1 and the parallel circuit wirings 2a, 2b, 2c, 2d is more inward than the outer parallel wirings 2a, 2d. Of the parallel circuit wirings 2b and 2c. As a result, a counter-electromotive force is generated in the inner parallel circuit wirings 2b and 2c due to the above-described effect, and a loop current flows due to this.
The loop currents due to the counter-electromotive force flowing to b and 2c are canceled because the directions are opposite to each other. On the other hand, in the outer parallel circuit wirings 2a and 2d, since the direction of the loop current due to the influence of the magnetic field due to the alternating current flowing through the other parallel circuit wirings is the same as the direction of the current flowing from the bus 1, the parallel circuit wirings A large amount of current flows through 2a and 2d, and current imbalance occurs.

【0005】これに対し、磁性体3を設けた構成では、
磁性体3を適当な断面積及び周長に選ぶことにより、並
列回路配線2a,2dの自己インダクタンスは増加し、
並列回路配線2a,2dのインダクタンス成分が増加
し、並列回路配線2a,2dのインピーダンスが大きく
なり、並列回路配線2a,2dにおける交流電流の増加
を抑制し、各並列回路配線の電流アンバランスを防ぐこ
とができる。
On the other hand, in the configuration in which the magnetic body 3 is provided,
By selecting the magnetic material 3 to have an appropriate sectional area and perimeter, the self-inductance of the parallel circuit wirings 2a and 2d increases,
The inductance components of the parallel circuit wirings 2a, 2d increase, the impedance of the parallel circuit wirings 2a, 2d increases, the increase of the alternating current in the parallel circuit wirings 2a, 2d is suppressed, and the current imbalance of each parallel circuit wiring is prevented. be able to.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、並列接
続した導体に対し、磁性体コアを配置することにより、
電流のアンバランスを抑制することができるが、大電流
を流すような場合には、飽和しやすくなるという問題が
あり、また、磁性体コアによる配線インダクタンスの増
加も大きくなる。
As described above, by arranging a magnetic core on conductors connected in parallel,
Although current imbalance can be suppressed, when a large current flows, there is a problem that saturation is likely to occur, and an increase in wiring inductance due to the magnetic core also increases.

【0007】よって、本発明は、配線インダクタンスを
増加させることなく、並列接続された各々の素子の電流
が均等となる並列回路の配線構造を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a wiring structure of a parallel circuit in which the currents of the respective elements connected in parallel are equal without increasing the wiring inductance.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に係る並列回路の配線構造では、
第1の導体と第2の導体と第3の導体が負の相互インダ
クタンスを持ち、且つ並列分岐部分の自己/相互インダ
クタンスによる電圧降下が等しくなるように配置するこ
とにより、第2の導体と第3の導体の間に接続された各
素子に流れる電流を均等にすることができる。
To achieve the above object, a wiring structure for a parallel circuit according to claim 1 of the present invention comprises:
By arranging the first conductor, the second conductor, and the third conductor so as to have a negative mutual inductance and to equalize the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch portion, the second conductor and the third conductor are arranged. The current flowing through each element connected between the three conductors can be equalized.

【0009】本発明の請求項2に係る並列回路の配線構
造では、第1の導体と第2の導体とを、給電側と受電側
の反対側で接続することにより、第1の導体と第2の導
体と第3の導体が負の相互インダクタンスを持つことが
できる。
In the wiring structure for a parallel circuit according to a second aspect of the present invention, the first conductor and the second conductor are connected on the side opposite to the power supply side and the power reception side, so that the first conductor and the second conductor are connected to each other. The second conductor and the third conductor can have a negative mutual inductance.

【0010】本発明の請求項3に係る並列回路の配線構
造では、第2の導体と第3の導体の導体幅を、各々の並
列分岐部分で異ならせることにより、自己/相互インダ
クタンス及び抵抗による電圧降下を等しくなるように調
整することができる。
[0010] In the wiring structure of the parallel circuit according to claim 3 of the present invention, the conductor width of the second conductor and the third conductor is made different in each parallel branch portion, so that the self / mutual inductance and resistance are used. The voltage drops can be adjusted to be equal.

【0011】本発明の請求項4に係る並列回路の配線構
造では、第1の導体と第2の導体と第3の導体の導体間
隔を、各々の並列分岐部分で異ならせることにより、自
己/相互インダクタンス及び抵抗による電圧降下を等し
くなるように調整することができる。
In the wiring structure for a parallel circuit according to a fourth aspect of the present invention, the conductor spacing between the first conductor, the second conductor, and the third conductor is made different in each parallel branch portion, so that the self / The voltage drop due to mutual inductance and resistance can be adjusted to be equal.

【0012】本発明の請求項5に係る並列回路の配線構
造では、第2の導体と第3の導体の導体経路長を、各々
の並列分岐部分で異ならせることにより、自己/相互イ
ンダクタンス及び抵抗による電圧降下を等しくなるよう
に調整することができる。
In the wiring structure for a parallel circuit according to a fifth aspect of the present invention, the conductor path lengths of the second conductor and the third conductor are made different at each parallel branch portion, thereby providing self / mutual inductance and resistance. Can be adjusted to be equal.

【0013】本発明の請求項6に係る並列回路の配線構
造では、第2の導体と第3の導体の導体厚を、各々の並
列分岐部分で異ならせることにより、抵抗による電圧降
下を等しくなるように調整することができる。
In the wiring structure for a parallel circuit according to claim 6 of the present invention, the thickness of the second conductor and the thickness of the third conductor are made different in each parallel branch portion, so that the voltage drop due to the resistance becomes equal. Can be adjusted as follows.

【0014】本発明の請求項7に係る並列回路の配線構
造では、第1の導体と第2の導体と第3の導体の導体隙
間に、磁性体を備えることにより、自己/相互インダク
タンスによる電圧降下を等しくなるように調整すること
ができる。
In the wiring structure of the parallel circuit according to the present invention, a magnetic material is provided in a conductor gap between the first conductor, the second conductor, and the third conductor, so that a voltage due to self / mutual inductance is provided. The descent can be adjusted to be equal.

【0015】本発明の請求項8に係る並列回路の配線構
造では、第1の導体と第2の導体と第3の導体の導体隙
間に、絶縁体を備えることにより、負の相互インダクタ
ンスを増加させ、給電側から受電側までのインダクタン
スを減少させることができる。
In the wiring structure for a parallel circuit according to claim 8 of the present invention, by providing an insulator in a conductor gap between the first conductor, the second conductor and the third conductor, a negative mutual inductance is increased. As a result, the inductance from the power supply side to the power receiving side can be reduced.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実
施の形態の模式斜視図であり、図2は、その模式回路図
である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic circuit diagram thereof.

【0017】図1、図2は、例えばIGBTやダイオー
ドなどの半導体チップや、IGBTモジュールやダイオ
ードモジュールなどの半導体モジュールや、コンデンサ
や抵抗などの2個の素子を並列接続するものであり、第
1の導体1と、並列分岐部分の第2、第3の導体2、3
が、負の相互インダクタンスを持ち、且つ並列分岐部分
の自己/相互インダクタンスによる電圧降下を等しくな
るように配置して構成される。
FIGS. 1 and 2 show, for example, a semiconductor chip such as an IGBT and a diode, a semiconductor module such as an IGBT module and a diode module, and two elements such as a capacitor and a resistor connected in parallel. And the second and third conductors 2 and 3 of the parallel branch portion
Are arranged so that they have a negative mutual inductance and equalize the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch part.

【0018】第1の導体1の一端には、給電端子6が設
けられており、第1の導体1の他端には接続導体5が接
続され、第2の導体2との接続を行っている。第2の導
体2は、第1の導体1に対して平行に配置され、第1の
導体1の反対側に配置された第3の導体3に素子4を介
して接続される。第3の導体3は、第1の導体1に対し
て平行に配置され、第1の導体1の給電端子6と同じ側
に受電端子7が設けられる。
A power supply terminal 6 is provided at one end of the first conductor 1, a connection conductor 5 is connected to the other end of the first conductor 1, and a connection with the second conductor 2 is made. I have. The second conductor 2 is arranged in parallel with the first conductor 1 and is connected via an element 4 to a third conductor 3 arranged on the opposite side of the first conductor 1. The third conductor 3 is arranged in parallel with the first conductor 1, and a power receiving terminal 7 is provided on the same side of the first conductor 1 as the power supply terminal 6.

【0019】この構成において電流は、給電端子6、第
1の導体1、接続導体5、第2の導体2、素子4、第3
の導体3、受電端子7を流れる。このとき、第1の導体
1を流れる電流をI1、そのインダクタンスをL1、抵
抗をR1とし、第2の導体2を流れる電流をI2、その
インダクタンスをL2、抵抗をR2とし、第3の導体3
を流れる電流をI3、そのインダクタンスをL3、抵抗
をR3とし、相互インダクタンスM12(<0)、M1
3(<0)、M23(>0)とすると、次式を満たすよ
うに、第1の導体と第2の導体2と第3の導体3の配置
を決定する。
In this configuration, the current flows through the power supply terminal 6, the first conductor 1, the connection conductor 5, the second conductor 2, the element 4, the third
Flows through the conductor 3 and the power receiving terminal 7. At this time, the current flowing through the first conductor 1 is I1, the inductance is L1, the resistance is R1, the current flowing through the second conductor 2 is I2, the inductance is L2, the resistance is R2, and the third conductor 3 is
, The inductance is L3, the resistance is R3, and the mutual inductances M12 (<0), M1
3 (<0) and M23 (> 0), the arrangement of the first conductor, the second conductor 2, and the third conductor 3 is determined so as to satisfy the following expression.

【0020】[0020]

【数1】 (Equation 1)

【0021】つまり、大きな電流変化のある場合、並列
分岐部分の自己/相互インダクタンスによる電圧降下を
等しくすることによって、各々の素子4を流れる電流を
均等にできる。
That is, when there is a large change in current, the current flowing through each element 4 can be equalized by equalizing the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch portion.

【0022】電流変化のない場合、並列分岐部分の自己
抵抗による電圧降下を等しくすることによって、各々の
素子4を流れる電流を均等にできる。このとき接続導体
5は、給電端子6と受電端子7の反対側にすることによ
って、第11の導体1と第2の導体2と第3の導体3が
負の相互インダクタンスを持つことができる。
When there is no current change, the current flowing through each element 4 can be equalized by equalizing the voltage drop due to the self-resistance of the parallel branch portion. At this time, the eleventh conductor 1, the second conductor 2, and the third conductor 3 can have a negative mutual inductance by setting the connection conductor 5 on the opposite side of the power supply terminal 6 and the power reception terminal 7.

【0023】図3は、本発明の第2の実施の形態の模式
斜視図であり、図4は、その模式回路図である。図3、
図4は、例えばIGBTやダイオードなどの半導体チッ
プや、IGBTモジュールやダイオードモジュールなど
の半導体モジュールや、コンデンサや抵抗などの3個の
素子を並列接続するものであり、第1の導体1と、並列
分岐部分の第2、第3の導体2、3が、負の相互インダ
クタンスを持ち、且つ並列分岐部分の自己/相互インダ
クタンスによる電圧降下を等しくなるように配置して構
成される。
FIG. 3 is a schematic perspective view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic circuit diagram thereof. FIG.
FIG. 4 shows a configuration in which a semiconductor chip such as an IGBT or a diode, a semiconductor module such as an IGBT module or a diode module, or three elements such as a capacitor or a resistor are connected in parallel. The second and third conductors 2 and 3 of the branch portion are arranged so as to have a negative mutual inductance and to equalize the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch portion.

【0024】第1の導体1の一端には、給電端子6が設
けられており、第1の導体1の他端には接続導体5が接
続され、第2の導体2との接続を行っている。第2の導
体2は、第1の導体1に対して平行に配置され、第1の
導体1の反対側に配置された第3の導体3に素子4を介
して接続される。第3の導体3は、第1の導体1に対し
て平行に配置され、第1の導体1の給電端子6と同じ側
に受電端子7が設けられる。
A power supply terminal 6 is provided at one end of the first conductor 1, a connection conductor 5 is connected to the other end of the first conductor 1, and a connection with the second conductor 2 is made. I have. The second conductor 2 is arranged in parallel with the first conductor 1 and is connected via an element 4 to a third conductor 3 arranged on the opposite side of the first conductor 1. The third conductor 3 is arranged in parallel with the first conductor 1, and a power receiving terminal 7 is provided on the same side of the first conductor 1 as the power supply terminal 6.

【0025】この構成において電流は、給電端子6、第
1の導体1、接続導体5、第2の導体2、素子4、第3
の導体3、受電端子7を流れる。このとき、第1の導体
1を流れる電流をI1a,I1b、そのインダクタンス
をL1a,L1b、抵抗をR1a,R1bとし、第2の
導体2を流れる電流をI2a,I2b、そのインダクタ
ンスをL2a,L2b、抵抗をR2a,R2bとし、第
3の導体3を流れる電流をI3a,I3b、そのインダ
クタンスをL3a,L3b、抵抗をR3a,R3bと
し、相互インダクタンスM12a,M12b(<0)、
M13a,M13b(<0)、M23a,M23b(>
0)とすると、次式を満たすように、第1の導体と第2
の導体2と第3の導体3の配置を決定する。
In this configuration, the current flows through the power supply terminal 6, the first conductor 1, the connection conductor 5, the second conductor 2, the element 4, the third
Flows through the conductor 3 and the power receiving terminal 7. At this time, currents flowing through the first conductor 1 are I1a and I1b, inductances thereof are L1a and L1b, resistances are R1a and R1b, currents flowing through the second conductor 2 are I2a and I2b, and inductances thereof are L2a and L2b. The resistances are R2a and R2b, the current flowing through the third conductor 3 is I3a and I3b, the inductance is L3a and L3b, the resistance is R3a and R3b, and the mutual inductances M12a and M12b (<0).
M13a, M13b (<0), M23a, M23b (>)
0), the first conductor and the second conductor
Of the second conductor 3 and the third conductor 3 are determined.

【0026】[0026]

【数2】 (Equation 2)

【0027】つまり、大きな電流変化のある場合、並列
分岐部分の自己/相互インダクタンスによる電圧降下を
等しくすることによって、各々の素子4を流れる電流を
均等にできる。
That is, when there is a large current change, the current flowing through each element 4 can be made uniform by equalizing the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch portion.

【0028】電流変化のない場合、並列分岐部分の自己
抵抗による電圧降下を等しくすることによって、各々の
素子4を流れる電流を均等にできる。このとき接続導体
5は、給電端子6と受電端子7の反対側にすることによ
って、第11の導体1と第2の導体2と第3の導体3が
負の相互インダクタンスを持つことができる。
When there is no change in current, the current flowing through each element 4 can be equalized by equalizing the voltage drop due to the self-resistance of the parallel branch portion. At this time, the eleventh conductor 1, the second conductor 2, and the third conductor 3 can have a negative mutual inductance by setting the connection conductor 5 on the opposite side of the power supply terminal 6 and the power reception terminal 7.

【0029】これらは、3個以上の素子を並列接続した
場合でも同様である。図5は、本発明の第3の実施の形
態の模式斜視図であり、ここでは、図3と異なる点につ
いてのみ説明する。
The same applies to a case where three or more elements are connected in parallel. FIG. 5 is a schematic perspective view of the third embodiment of the present invention. Here, only points different from FIG. 3 will be described.

【0030】本実施の形態では、第2の導体2と第3の
導体3の導体幅を、各々の並列分岐部分で異ならせるこ
とによって、自己/相互インダクタンスによる電圧降下
及び抵抗による電圧降下を等しくなるように調整してい
る。
In the present embodiment, by making the conductor widths of the second conductor 3 and the third conductor 3 different at each parallel branch portion, the voltage drop due to self / mutual inductance and the voltage drop due to resistance are equalized. It has been adjusted to be.

【0031】このとき、導体幅と導体間隔(導体隙間)
の比が、約2:1以上であれば、各々の並列分岐部分の
導体幅を、その場所を流れる電流に比例させることによ
って、自己/相互インダクタンス及び抵抗による電圧降
下をおおよそ等しくすることができる。尚、約20:1
以上であれば、ほぼ完全に比例させることができる。例
えば、3並列の場合は、2:1で、5並列の場合は、
4:3:2:1などになる。
At this time, the conductor width and the conductor interval (conductor gap)
Is greater than about 2: 1, the voltage drop due to self / mutual inductance and resistance can be approximately equal by making the conductor width of each parallel branch proportional to the current flowing therethrough. . In addition, about 20: 1
Above, it can be made almost completely proportional. For example, in the case of three parallels, 2: 1, and in the case of five parallels,
4: 3: 2: 1.

【0032】これは、導体単体では、導体幅が2倍にな
っても自己インダクタンスは1/2にはならないが、往
復線路導体では、導体幅と導体間隔(導体隙間)の比
が、約2:1以上であれば、導体幅と自己/相互インダ
クタンスがほぼ反比例の関係になることを利用してい
る。つまり、導体幅が2倍になれば、抵抗、自己/相互
インダクタンスが共にほぼ1/2になる。
This is because the self-inductance of a single conductor does not become っ て も even if the conductor width is doubled, but the ratio of the conductor width to the conductor interval (conductor gap) is about 2 in a round-trip line conductor. : 1 or more, the fact that the conductor width and the self / mutual inductance have a substantially inversely proportional relationship is used. In other words, if the conductor width is doubled, both the resistance and the self / mutual inductance will be almost halved.

【0033】図6は、2種類の従来の配線構造と本発明
の配線構造の計算結果であり、それぞれ3並列の素子に
流れる電流値を示したものである。結果から明らかなよ
うに、(a)のように給電端子と受電端子が同一方向に
ある構成では、給電端子と受電端子がある側の素子に大
きな電流が流れ、給電端子と受電端子と反対側の素子に
はあまり電流が流れない。(b)のように給電端子と受
電端子が別方向にある構成では、給電端子に近い素子と
受電端子に近い素子に多く電流が流れる。(c)の本発
明の構成では、ほぼ理想的な電流バランスとなってい
る。
FIG. 6 shows the calculation results of two types of conventional wiring structures and the wiring structure of the present invention, each showing the value of current flowing through three parallel elements. As is clear from the results, in the configuration in which the power supply terminal and the power receiving terminal are in the same direction as in (a), a large current flows through the element where the power supply terminal and the power receiving terminal are located, and the opposite side of the power supply terminal and the power receiving terminal. A small amount of current flows through the element. In the configuration in which the power supply terminal and the power receiving terminal are in different directions as in (b), a large amount of current flows through an element near the power supply terminal and an element near the power receiving terminal. In the configuration of the present invention (c), almost ideal current balance is achieved.

【0034】図7は、本発明の第4の実施の形態の模式
斜視図であり、ここでは、図3と異なる点についてのみ
説明する。本実施の形態では、第1の導体1と第2の導
体2と第3の導体3の導体間隔を、各々の並列分岐部分
で異ならせることによって、自己/相互インダクタンス
による電圧降下及び抵抗による電圧降下を等しくなるよ
うに調整している。
FIG. 7 is a schematic perspective view of a fourth embodiment of the present invention. Here, only points different from FIG. 3 will be described. In the present embodiment, the first conductor 1, the second conductor 2, and the third conductor 3 have different conductor spacings at the respective parallel branch portions, so that the voltage drop due to self / mutual inductance and the voltage due to resistance are caused. The descent is adjusted to be equal.

【0035】ここでは、第2の導体2と第3の導体3の
導体形状を変更したが、第1の導体1の導体形状を変更
しても同様の効果を得ることができる。図8は、本発明
の第5の実施の形態の模式斜視図であり、ここでは、図
3と異なる点についてのみ説明する。
Although the conductor shapes of the second conductor 3 and the third conductor 3 are changed here, the same effect can be obtained by changing the conductor shape of the first conductor 1. FIG. 8 is a schematic perspective view of a fifth embodiment of the present invention. Here, only points different from FIG. 3 will be described.

【0036】本実施の形態では、第2の導体2と第3の
導体3の導体経路長を、導体経路を蛇行させることで各
々の並列分岐部分で異ならせることによって、自己/相
互インダクタンスによる電圧降下及び抵抗による電圧降
下を等しくなるように調整している。
In the present embodiment, the length of the conductor path of the second conductor 2 and the third conductor 3 is made different in each parallel branch portion by meandering the conductor path, so that the voltage due to self / mutual inductance is obtained. The voltage drop due to the drop and the resistance is adjusted to be equal.

【0037】図9は、本発明の第6の実施の形態の模式
斜視図であり、ここでは、図3と異なる点についてのみ
説明する。本実施の形態では、第2の導体2と第3の導
体3の導体厚を、各々の並列分岐部分で異ならせること
によって、抵抗による電圧降下を等しくなるように調整
している。
FIG. 9 is a schematic perspective view of a sixth embodiment of the present invention. Here, only differences from FIG. 3 will be described. In the present embodiment, the conductor thicknesses of the second conductor 3 and the third conductor 3 are made different in each parallel branch portion, so that the voltage drop due to the resistance is adjusted to be equal.

【0038】図10は、本発明の第7の実施の形態の模
式斜視図であり、ここでは、図3と異なる点についての
み説明する。本実施の形態では、第1の導体1と第2の
導体2と第3の導体3の導体隙間に、異形状の磁性体8
を存在させることによって、自己/相互インダクタンス
による電圧降下を等しくなるように調整している。
FIG. 10 is a schematic perspective view of a seventh embodiment of the present invention. Here, only points different from FIG. 3 will be described. In the present embodiment, the differently shaped magnetic material 8 is provided in the conductor gap between the first conductor 1, the second conductor 2, and the third conductor 3.
, The voltage drop due to self / mutual inductance is adjusted to be equal.

【0039】図11は、本発明の第8の実施の形態の模
式斜視図であり、ここでは、図3と異なる点についての
み説明する。本実施の形態では、第1の導体1と第3の
導体3の導体隙間に、絶縁体9を存在させることによっ
て、負の相互インダクタンスを増加させ、給電端子6か
ら受電端子7までのインダクタンスが低減している。
FIG. 11 is a schematic perspective view of an eighth embodiment of the present invention. Here, only points different from FIG. 3 will be described. In the present embodiment, the presence of the insulator 9 in the conductor gap between the first conductor 1 and the third conductor 3 increases the negative mutual inductance, and reduces the inductance from the power supply terminal 6 to the power reception terminal 7. Has been reduced.

【0040】図12は、本発明の第9の実施の形態の模
式斜視図である。図12は、3個の半導体素子10を並
列接続する電力変換装置において、第1の導体1と並列
分岐部分の第2の導体2、第3の導体3が、負の相互イ
ンダクタンスを持ち、且つ並列分岐部分の自己/相互イ
ンダクタンスによる電圧降下を等しくなるように配置し
て構成される電力変換装置である。
FIG. 12 is a schematic perspective view of a ninth embodiment of the present invention. FIG. 12 shows a power converter in which three semiconductor elements 10 are connected in parallel, wherein the first conductor 1 and the second and second conductors 2 and 3 of the parallel branch portion have a negative mutual inductance, and This is a power converter configured and arranged so that voltage drops due to self / mutual inductance of parallel branch portions are equalized.

【0041】このように、重要なことは、負の相互イン
ダクタンスを持つこと、並列分岐部分の自己/相互イン
ダクタンス、抵抗による電圧降下を等しくすることであ
るから、導体配置はできるだけ平行・近接配置が望まし
いが、各々の導体の位置関係は比較的自由である。
As described above, what is important is to have a negative mutual inductance, equalize the self / mutual inductance of the parallel branch portion, and equalize the voltage drop due to the resistance. Although desirable, the positional relationship between the conductors is relatively free.

【0042】図13は、本発明の第10の実施の形態の
構成図であり、図14は、そこで使用される導体の構成
図である。図13は、3個の半導体素子10を並列接続
する電力変換装置において、第1の導体1と並列分岐部
分の第2の導体2、第3の導体3が、負の相互インダク
タンスを持ち、且つ並列分岐部分の自己/相互インダク
タンスによる電圧降下を等しくなるように配置して構成
される電力変換装置である。
FIG. 13 is a configuration diagram of a tenth embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a configuration diagram of a conductor used therein. FIG. 13 shows a power converter in which three semiconductor elements 10 are connected in parallel, wherein the first conductor 1 and the second and third conductors 2 and 3 of the parallel branch portion have negative mutual inductance, and This is a power converter configured and arranged so that voltage drops due to self / mutual inductance of parallel branch portions are equalized.

【0043】このように、重要なことは、負の相互イン
ダクタンスを持つこと、並列分岐部分の自己/相互イン
ダクタンス、抵抗による電圧降下を等しくすることであ
るから、導体配置はできるだけ平行・近接配置が望まし
いが、各々の導体の位置関係は比較的自由である。
As described above, what is important is to have a negative mutual inductance, to equalize the self / mutual inductance of the parallel branch portion, and to make the voltage drop due to the resistance equal. Although desirable, the positional relationship between the conductors is relatively free.

【0044】図15は、本発明の第11の実施の形態の
構成図であり、図16は、そこで使用される導体の構成
図である。図15は、3×4個のコンデンサ11を並列
接続するコンデンサバンクにおいて、第1の導体1と並
列分岐部分の第2の導体2、第3の導体3が、負の相互
インダクタンスを持ち、且つ並列分岐部分の自己/相互
インダクタンスによる電圧降下を等しくなるように配置
して構成されるコンデンサバンクである。
FIG. 15 is a configuration diagram of an eleventh embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a configuration diagram of a conductor used therein. FIG. 15 shows that, in a capacitor bank in which 3 × 4 capacitors 11 are connected in parallel, the first conductor 1 and the second and third conductors 2 and 3 of the parallel branch portion have a negative mutual inductance, and This is a capacitor bank configured so that the voltage drops due to the self / mutual inductance of the parallel branch portions are equalized.

【0045】ここでは、縦4個のコンデンサに適用した
ものであるが、横3列にも適用することで、12個のコ
ンデンサの並列分岐部分の自己/相互インダクタンスに
よる電圧降下を等しくすることもできる。
Although the present embodiment is applied to four vertical capacitors, it is also applicable to three horizontal rows to equalize the voltage drop due to self / mutual inductance in the parallel branch portion of 12 capacitors. it can.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の並列回路
の配線構造によれば、配線インダクタンスを増加させる
ことなく、並列接続された各々の素子の電流を均等にで
きるため、素子の冗長度を減少でき、装置の小型、低コ
スト化に貢献できる。
As described above in detail, according to the wiring structure of the parallel circuit of the present invention, the currents of the respective elements connected in parallel can be made uniform without increasing the wiring inductance. This can contribute to reduction in size and cost of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態の模式斜視図。FIG. 1 is a schematic perspective view of a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1の実施の形態の模式回路図。FIG. 2 is a schematic circuit diagram of the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第2の実施の形態の模式斜視図。FIG. 3 is a schematic perspective view of a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第2の実施の形態の模式回路図。FIG. 4 is a schematic circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第3の実施の形態の模式斜視図。FIG. 5 is a schematic perspective view of a third embodiment of the present invention.

【図6】 従来の配線構造と本発明の配線構造の素子に
流れる電流値の計算結果。
FIG. 6 shows a calculation result of a current value flowing through an element having a conventional wiring structure and an element having a wiring structure according to the present invention.

【図7】 本発明の第4の実施の形態の模式斜視図。FIG. 7 is a schematic perspective view of a fourth embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第5の実施の形態の模式斜視図。FIG. 8 is a schematic perspective view of a fifth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第6の実施の形態の模式斜視図。FIG. 9 is a schematic perspective view of a sixth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第7の実施の形態の模式斜視図。FIG. 10 is a schematic perspective view of a seventh embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の第8の実施の形態の模式斜視図。FIG. 11 is a schematic perspective view of an eighth embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の第9の実施の形態の模式斜視図。FIG. 12 is a schematic perspective view of a ninth embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の第10の実施の形態の構成図。FIG. 13 is a configuration diagram according to a tenth embodiment of the present invention.

【図14】 第10の実施の形態に用いられる導体の構
成図。
FIG. 14 is a configuration diagram of a conductor used in the tenth embodiment.

【図15】 本発明の第11の実施の形態の構成図。FIG. 15 is a configuration diagram according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図16】 第11の実施の形態に用いられる導体の構
成図。
FIG. 16 is a configuration diagram of a conductor used in the eleventh embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・第1の導体 2・・・第2の導体 3・・・第3の導体 4・・・素子 5・・・接続導体 6・・・給電端子 7・・・受電端子 8・・・磁性体 9・・・絶縁体 10・・・半導体素子 11・・・コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st conductor 2 ... 2nd conductor 3 ... 3rd conductor 4 ... Element 5 ... Connection conductor 6 ... Feeding terminal 7 ... Power receiving terminal 8 ...・ Magnetic material 9 ・ ・ ・ Insulator 10 ・ ・ ・ Semiconductor element 11 ・ ・ ・ Capacitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E338 AA03 BB75 CC04 CC05 CC06 CD02 CD08 CD13 CD14 CD22 EE13 5H740 BA11 BB02 MM18 PP03 PP04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E338 AA03 BB75 CC04 CC05 CC06 CD02 CD08 CD13 CD14 CD22 EE13 5H740 BA11 BB02 MM18 PP03 PP04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 素子を並列接続する並列回路の配線構造
において、給電側に接続される第1の導体と、並列分岐
部分の第2の導体と、並列分岐部分で受電側に接続され
る第3の導体とを具備し、第1の導体と第2の導体と第
3の導体が負の相互インダクタンスを持ち、且つ並列分
岐部分の自己/相互インダクタンスによる電圧降下が等
しくなるように配置したことを特徴とする並列回路の配
線構造。
In a wiring structure of a parallel circuit in which elements are connected in parallel, a first conductor connected to a power supply side, a second conductor of a parallel branch portion, and a second conductor connected to a power receiving side at the parallel branch portion. 3 conductors, and the first conductor, the second conductor, and the third conductor are arranged so as to have a negative mutual inductance and to equalize the voltage drop due to the self / mutual inductance of the parallel branch portion. The wiring structure of a parallel circuit characterized by the above.
【請求項2】 第1の導体と第2の導体とは、給電側と
受電側の反対側で接続されたことを特徴とする請求項1
記載の並列回路の配線構造。
2. The power supply system according to claim 1, wherein the first conductor and the second conductor are connected on a power supply side and a power reception side.
The wiring structure of the described parallel circuit.
【請求項3】 第2の導体と第3の導体の導体幅が、各
々の並列分岐部分で異なることを特徴とする請求項1記
載の並列回路の配線構造。
3. The wiring structure of a parallel circuit according to claim 1, wherein the conductor widths of the second conductor and the third conductor are different at each parallel branch portion.
【請求項4】 第1の導体と第2の導体と第3の導体の
導体間隔が、各々の並列分岐部分で異なることを特徴と
する請求項1記載の並列回路の配線構造。
4. The wiring structure of a parallel circuit according to claim 1, wherein the conductor spacing between the first conductor, the second conductor, and the third conductor is different at each parallel branch portion.
【請求項5】 第2の導体と第3の導体の導体経路長
が、各々の並列分岐部分で異なることを特徴とする請求
項1記載の並列回路の配線構造。
5. The wiring structure of a parallel circuit according to claim 1, wherein the conductor path lengths of the second conductor and the third conductor are different at each parallel branch portion.
【請求項6】 第2の導体と第3の導体の導体厚が、各
々の並列分岐部分で異なることを特徴とする請求項1記
載の並列回路の配線構造。
6. The wiring structure of a parallel circuit according to claim 1, wherein the conductor thicknesses of the second conductor and the third conductor are different at each parallel branch portion.
【請求項7】 第1の導体と第2の導体と第3の導体の
導体隙間に、磁性体を備えたことを特徴とする請求項1
記載の並列回路の配線構造。
7. The semiconductor device according to claim 1, wherein a magnetic material is provided in a conductor gap between the first conductor, the second conductor, and the third conductor.
The wiring structure of the described parallel circuit.
【請求項8】 第1の導体と第2の導体と第3の導体の
導体隙間に、絶縁体を備えたことを特徴とする請求項1
記載の並列回路の配線構造。
8. An insulator is provided in a conductor gap between the first conductor, the second conductor, and the third conductor.
The wiring structure of the described parallel circuit.
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