JP2000298119A

JP2000298119A - 電気回路一体型複合圧電体超音波探触子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000298119A
Application number: JP11108195A
Authority: JP
Inventors: Tomoki Funakubo; 朋樹舟窪; Katsuhiro Wakabayashi; 勝裕若林; Yukihiko Sawada; 之彦沢田; Norihiro Yamada; 典弘山田; Masaki Esashi; 正喜江刺
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1999-04-15
Filing date: 1999-04-15
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】感度が高く小型化が可能な電気回路一体型複
合圧電体超音波探触子およびその製造方法を提供する。【解決手段】背面負荷材、複合圧電体および整合層を
備えた超音波探触子と、該超音波探触子と一体化された
シリコン基材と、該シリコン基材上に載置された電気回
路とを備えることを特徴とする電気回路一体型複合圧電
体超音波探触子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気回路を一体的
に設けた複合圧電体超音波探触子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、超音波探触子を用いて体腔内を画
像化し検査を行う超音波診断装置がよく使用されてい
る。一般に、超音波探触子が受信するのは体内からの微
弱な反射音波であるため、信号を増幅するために増幅器
を設ける必要がある。しかし、増幅器がケーブルを介し
て探触子と接続されている場合には、ケーブルにより信
号が減衰するだけでなく、ノイズの混入が避けられな
い。

【０００３】このような問題を解決するために、超音波
探触子と増幅器とをケーブルを介さずに一体化すること
が試みられている。このような一体型の超音波探触子
は、例えば、特表平２−５０２０７８号公報「小型空洞
部をイメージ化するための装置および方法」に開示され
ている。

【０００４】図６に、上記文献に開示されている超音波
探触子を示す。超音波探触子の本体４２は、アルミナ材
からなる角柱部４２ａ、円筒部４２ｂ、両者を連結する
連結部４２ｃからなる。円筒部４２ｂの外周には可とう
性圧電材料（高分子圧電体）からなるリング４４が載置
されている。リング４４は６４個に分割された内面の電
極（図示せず）を有し、各電極は、連結部４２ｃ上の配
線パターン４６を介して、角柱部４２ａ上の電極パター
ンと連結されている。角柱部４２ａの電極パターン上に
は、電極パターンに対応して複数のチップ５４が載置さ
れ、各チップ５４は電極パターンを通して互いに電気的
に接続されている。一つのチップ５４からケーブル２８
が引き出されている。図６の超音波探触子は以下のよう
に動作する。ケーブル２８からの電圧は、チップ５４に
よって選択的にリング４４の一つの内面電極に印加され
る。電圧印加された内面電極の圧電素子部は、逆圧電効
果により振動して超音波を外部に放出する。放出された
超音波は図示しない外部反射体により反射されて、再度
リング４４に入射する。入射した超音波により、圧電リ
ング４４の一つの内面電極に圧電効果による電圧が励起
される。励起電圧による信号は、チップ５４で増幅され
てケーブル２８に電送される。チップ５４はマルチプレ
クサーと増幅器の両方の機能を果たす。伝送された信号
は、図示しない観測装置に入力されて画像化される。

【０００５】しかしながら、上記超音波探触子において
は、圧電体としてフレキシブルな高分子圧電体を用いて
いるため、感度が小さいという問題点があった。また、
感度を上げるために圧電体として複合圧電体を用いて
も、本体と圧電体とが別体で製造されるために、探触子
が大型になるという問題点があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、感度が高く
小型化が可能な電気回路一体型複合圧電体超音波探触子
およびその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、背面負
荷材、複合圧電体、および整合層を備えた超音波探触子
と、該超音波探触子と一体化されたシリコン基材と、該
シリコン基材上に載置された電気回路とを備えることを
特徴とする電気回路一体型複合圧電体超音波探触子が提
供される。

【０００８】また、本発明によれば、シリコン基材の一
部にエッチングを施し、エッチングされたシリコン基材
を型として圧電体を注型して焼成する工程、シリコン型
の部分を除去して圧電体を露出させ、露出した圧電体間
に樹脂を注入して複合圧電体を作製する工程、複合圧電
体の一方の面へ電極および背面負荷材を形成し、他方の
面へ電極および整合層を形成して、複合圧電体超音波探
触子を作製する工程、残存するシリコン基材の表面に電
気回路を形成する工程の各工程を含むことを特徴とする
電気回路一体型複合圧電体超音波探触子の製造方法が提
供される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。

【００１０】（第１の実施形態）図1は、本発明に係る
電気回路一体型複合圧電体超音波探触子の第1の実施形
態の一例を示す図であって、図１（ａ）はその概略斜視
図であり、図１（ｂ）はその上面図である。本実施形態
の超音波探触子1は、超音波探触子部2と電気回路部3と
からなる。

【００１１】超音波探触子部２は、背面負荷材４、第１
電極５、複合圧電体部６、第２電極７、整合層８、およ
びレンズ層９がこの順に積層された構造をなす。レンズ
層９はなくても良い。複合圧電体部６は、複数の例えば
互いに平行なロッド状の圧電体１０と圧電体１０の隙間
を埋める樹脂１１とからなる。圧電体１０には、ＰＺＴ
（チタン酸ジルコン酸塩）のほか、ぺロブスカイト構造
の他の圧電セラミクス、またはチタン酸バリウム等の鉛
を含まない圧電セラミクスなどを用いることができる。

【００１２】電気回路部３は、シリコン基材１９、シリ
コン基材１９表面に形成された絶縁膜２０、絶縁膜２０
の１つの表面（上面）に設けられた配線電極２１〜２
４、これらの配線電極の上に載置されたチップ２５から
なる。

【００１３】シリコン基材１９は、少なくとも超音波探
触子部２の背面負荷材４、第１電極５、および複合圧電
体部６の各側面に接触して、これらの部材と一体化して
形成されている。

【００１４】絶縁膜２０は、超音波探触子部２と接触し
ないシリコン基材１９の各表面に形成されている。配線
電極２１および２２は外部と連絡するケーブルと接続す
るための電極であり、例えば、電極２１がＧＮＤ（アー
ス）電極、電極２２が信号電極である。配線電極２３
は、超音波探触子部２の第２電極７と電気的に接続され
ているＧＮＤ電極である。配線電極２４は、第１電極５
と電気的に接続されている信号電極である。配線電極２
４は、シリコン基材１９の上面から側面にかけて絶縁膜
２０上に連続して形成され、その先端部は半田、ペース
トなどの接合部材２６を介して第１電極５の露出する側
面と接続されている。チップ２５は内部に増幅器または
マルチプレクサなどの電気回路を有しており、チップ２
５底部の入出力端子（図示せず）を介して配線電極２１
〜２４と電気的に接続されている。

【００１５】次に、図１の一体型超音波探触子１の動作
の一例について説明する。外部からケーブル（図示せ
ず）を介して電極２１、２２にパルス電圧が印加され
る。パルス電圧はチップ２５をそのまま通過したのち、
配線電極２４を通って超音波探触子部２の第１電極５に
印加される。電圧が印加された複合圧電体部６は逆圧電
効果により振動し、振動により発生した超音波が整合層
８を通ってレンズ９表面から放射される。放射された超
音波は、図示しない反射体により反射されて再度レンズ
９表面に入射する。入射した超音波により、今度は圧電
効果により複合圧電体６に電圧が励起される。励起電圧
は再び配線電極２４を介してチップ２５に入力する。チ
ップ２５において励起電圧は増幅されたのち、電極２２
を介してケーブルに（図示せず）伝達される。伝達され
た電圧信号は、最終的に図示しない超音波診断装置に入
力される。そして、例えば、図１の探触子１を回転軸
（図示せず）に取り付けて回転させながら、超音波を逐
次放射させることにより、軸に垂直な全方位についての
画像を表示させることができる。

【００１６】次に、図１の一体型超音波探触子１の製造
方法の一例について説明する。図２〜４は、本製造方法
の工程を説明するための概略側面図である。（１）まず、図２（ａ）に示したように、バルクのシリ
コン基材３０を用意する。シリコン基材３０は、例えば
長さ１０ｍｍ、奥行き５ｍｍ、厚み（高さ）１ｍｍの板
状体である。シリコン基材３０は、例えばシリコンウェ
ハーからダイシングソーを用いて切り出して用意する。

【００１７】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、シ
リコン基材３０の上面の一部（例えば上面の約半分）に
プラズマエッチングを施して多数の穴５０を形成する。
穴５０が形成された部分のシリコン基材３０は、次工程
において圧電体を注型するための型となる。

【００１８】エッチングは例えば以下のようにして行
う。まず、シリコン基材３０上にフォトレジスト材（例
えば、ポジレジスト材、厚み約６μｍ）を塗布する。フ
ォトレジスト材に複数の例えば円形のパターン（例えば
直径１６μｍ）を露光したのち現像して、レジスト材の
パターニングを行う。次に、ディープＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）法によりシリコンのエッチングを行
う。ディープＲＩＥ法とは弗化物のデポジットとエッチ
ング処理を繰り返し行うことによりアスペクト比の高い
穴構造を得るエッチング方法である。デポジット用ガス
としては例えばＣ₄Ｆ₈を用い、エッチング用ガスとし
て例えばＳＦ₆を用いる。エッチングにより、シリコン
基材３０上に例えば直径が１６μｍ、深さが１４０μｍ
の穴をピッチ間隔２０μｍで形成する。ディープＲＩＥ
法を用いているため、シリコン基材３０面に対して十分
垂直な側面を有する穴形状を得ることができる。エッチ
ング後、フォトレジストを除去する。

【００１９】（３）図２（ｃ）に示すように、工程
（２）で作製したシリコン型に、圧電セラミクスのスラ
リー３１を加振しながら流し込む。以下、スラリー３１
としてＰＺＴスラリー３１を用いた例について説明す
る。ＰＺＴスラリー３１は、ＰＺＴ粉末（Ｐｂ（Ｚｒ
_0.52Ｔｉ_0.48）Ｏ₃)とＰＶＡ（ポリビニルアルコール)
と水とを混合して作製する。また、ＰＺＴ粉末の平均粒
子サイズは例えば０．３μｍである。ＰＺＴスラリー３
１を流し込んだのち、１２時間以上自然乾燥させて水分
を蒸発させ、ＰＺＴスラリー３１をグリーン状態とす
る。次に、ＰＺＴグリーン３１を２時間以上空気中で５
００℃で加熱して脱脂する。ここで脱脂とはＰＺＴ粉体
のバインダーであるＰＶＡを除去することである。

【００２０】次に、シリコン型中のＰＺＴ粉体３１をそ
の密度を大きくした状態で焼結するために、脱脂した試
料にＨＩＰ(ホットアイソスタティックプレシング)処理
を行う。ＨＩＰ処理は、以下のようにして行う。まず、
試料をＢＮ(窒化ボロン)粉末で包み込んでゴムチュー
ブ、テープで保持したのち、水中で約１００ＭＰａの等
方圧をかけてＣＩＰ(コールドアイソスタティックプレ
シング）処理を行う。ＢＮ粉末は、後述するガラス管へ
の封じ込め時およびＨＩＰ処理時に、試料とガラスとの
間の反応を防ぐために用いる。ＣＩＰ処理によりＰＺＴ
粉体３１はかなり密に圧縮される。次に、ＢＮ粉末で包
み込んだ試料をパイレックスガラスチューブに入れ、チ
ューブ内の圧力が約１０^-3Ｐａとなるまで真空引きす
る。その後、ガラスチューブの口をガラスの軟化点（約
７５０℃）まで加熱してシールする。加熱は、ＢＮ粉末
中の試料を密に包み込むために、ガスフレームバーナー
を用いて行う。次に、試料をガラス管に封入した状態
で、以下のようにしてＨＩＰ処理を行う。まず、ガラス
に封入した試料をＡｒガス中で加熱しながら等方圧を印
加する。例えば、最初に約１ＭＰａの低い圧力をかけな
がら温度をパイレックスガラスの軟化点まで上昇させ
る。次に、温度と圧力を同時に上昇させて、ＰＺＴ粉末
３１が焼結（焼成）する温度１０００℃および圧力７０
ＭＰａのもとで約２時間保持する。ＨＩＰ処理の後、試
料をガラス管およびＢＮ粉末から取り出す。

【００２１】（４）図２（ｄ）に示すように、シリコン
基材３０のエッチングされなかった部分の背面、すなわ
ちシリコン型としてＰＺＴスラリー３１を注型しなかっ
たシリコン基材３０の背面に、フォトレジスト材３２を
塗布する。

【００２２】（５）図３（ａ）に示すように、例えばＸ
ｅＦ₂ガスを用いてシリコン基材３０の背面をエッチン
グしてシリコン基材３０のシリコン型の部分のみを除去
し、その後、フォトレジスト３２を除去する。エッチン
グにより、シリコン型によって成型された複数の林立し
た円柱形状の圧電セラミクス３３が露出する。各円柱形
状の圧電セラミクス３３は、試料の上面に残っているＰ
ＺＴ板３１とそれぞれつながっている。

【００２３】（６）図３（ｂ）に示すように、圧電セラ
ミクス３３ロッドの間隙にエポキシ樹脂などの樹脂３４
を充填する。充填は、例えば試料を密閉容器の中に置い
た後、容器内を真空引きしながら容器に別に設けた注入
口から樹脂３４を注入して、セラミクス３３の隙間に樹
脂３４を充填して行う。樹脂３４を硬化させたのち背面
から研磨を行って、不要な樹脂３４を除去して圧電セラ
ミクス３３を露出させる。その後、圧電体セラミクス３
３が露出した面の全面に蒸着法などにより金などからな
る電極３５を設ける。電極３５が図１に示す第１電極５
となる。

【００２４】（７）図３（ｃ）に示すように、電極３５
上に背面負荷材として例えばアルミナが含浸されたエポ
キシ樹脂３６を充填して硬化させる。樹脂３６は、例え
ばコの字型の枠を試料の側面にあてがって電極３５上に
充填する。

【００２５】（８）図３（ｄ）に示すように、試料の上
面を研磨して、上面に残っているＰＺＴ３１板を除去
し、圧電セラミクス３３と樹脂３４、およびシリコン基
材３０を露出させる。その後、圧電セラミクス３３と樹
脂３４とが露出する面の全面に蒸着法などにより金など
からなる電極３７を設ける。電極３７が図１に示す第２
電極７となる。

【００２６】（９）電極３７および背面負荷材３６など
の、シリコン基材３０以外の試料の表面に、フォトレジ
ストを塗布する。その後、図４（ａ）に示すように、Ｃ
ＶＤ法などによってＳｉＯ₂等の絶縁膜３８をシリコン
基材３０の表面に形成する。絶縁膜３８の形成は、樹脂
３４および３６に影響が出ない程度の低温（例えば２５
℃）で行う。その後、フォトレジストを除去する。

【００２７】（１０）図４（ｂ）に示すように、マスク
を介したスパッタリングまたは印刷法などによって、図
１に示した配線電極２１、２２、２３、および２４を絶
縁膜３８上に形成する（電極２１は図示せず）。電極２
３は、第２電極３７の表面の一部にもかかるように形成
する。試料の側面に形成された電極２４の先端部を、半
田などの接合部材２６によって第１電極３５の露出部と
接続する。次に、電極３５および３７にＤＣ電圧を印加
して圧電セラミクス３３の分極を行い、圧電セラミクス
３３に圧電性を付与する。

【００２８】（１１）図４（ｃ）に示すように、電極３
７の上に例えば２層のエポキシ樹脂からなる整合層３９
を設け、その上に例えばシリコーン材からなるレンズ４
０を接合する。前述したように、レンズ４０はなくても
良い。

【００２９】（１２）次に、図４（ｄ）に示すように、
ＩＣチップ２５を配線電極２１〜２４の上に載置する。
載置は、チップ２５の底部の入出力端子（図示せず）と
電極２１〜２４とが合致するように位置決めした後、ボ
ール半田等を用いて両者を接合して行う。

【００３０】以上の工程（１）〜（１２）によって、図
１に示した電気回路一体型複合圧電体超音波探触子１を
製造することができる。

【００３１】本実施形態の電気回路一体型超音波探触子
は、複合圧電体超音波探触子の製造工程で用いるシリコ
ン基材３０を、ＩＣチップ等の電気回路の基台としても
用いている。従って、シリコン基材３０にエッチング処
理等を施すことによって微細な構造の超音波探触子を作
製した後に、残りの基材上に電気回路を載置するだけで
一体型の超音波探触子を製造することができる。そのた
め、小型の電気回路一体型超音波探触子を作製すること
ができる。また、複合圧電体を用いているため、高分子
圧電体などのバルクの圧電体を用いた場合と比べて高感
度な超音波探触子を実現することができる。

【００３２】なお、本実施形態の変形例として、上述の
工程（７）において（図３（ｃ））、電極３５上に背面
負荷材３６を接合する代わりに整合層３９およびレンズ
４０を設け、工程（１１）において（図４（ｃ））電極
３７上に背面負荷材３６を設けても良い。このように構
成した場合、超音波が放射される音響放射面は、図１に
示した超音波探触子のそれとは反対の方向、すなわちチ
ップ２５が載置された上面と反対側の背面を向くことに
なるが、探触子の動作としては問題ない。

【００３３】また、本実施形態の各構成は当然、各種の
変形、変更が可能である。

【００３４】例えば、工程（３）において、シリコン基
材３０に作製した穴５０にスラリー３１を流し込む前
に、酸化珪素や窒化珪素等の保護膜を穴５０の内面に形
成することが好ましい。保護膜を形成することにより、
シリコン基材３０と圧電体スラリー３１とが焼成時に反
応することを防ぐことができる。これらの保護薄膜を残
したまま超音波探触子を動作させても、複合圧電体の有
する良好な圧電特性を得ることは可能であるが、除去し
た方がより高い圧電特性をもたらす電気―機械の変換効
率を得ることができる。上記保護膜を除去するために
は、例えば、工程（５）において（図３（ａ））、シリ
コン基材３０をエッチング除去して保護膜を露出させた
後に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエ
ッチングによって、これらの保護膜をエッチング除去す
るなどすれば良い。

【００３５】また、本実施形態での製造方法は、圧電セ
ラミクスとしてＰＺＴを用いた場合について説明した
が、前述したその他の圧電セラミクスを用いても同様に
行えることは言うまでもない。特に、圧電体セラミクス
にチタン酸バリウム等の鉛を含まない圧電材料を用いた
場合には、シリコン基材３０と鉛との間で相互拡散が起
こらないため、上述のような保護膜を形成する必要がな
い。そのため、製造工程が省略できるとともに高温での
焼成が可能となる。

【００３６】また、圧電体３１とシリコン型との間で熱
膨張係数が異なるために焼成時に反りが発生し、試料の
形状によってはシリコン型にクラックが入ることがあ
る。このような場合には、以下のようにして解決するこ
とができる。例えば、シリコン基材３０として０．５ｍ
ｍ以上の厚い物を用いる。または、工程（２）において
エッチングによってシリコン基材３０の両面に穴を形成
し、圧電体スラリーをシリコン型の両面に注型したサン
ドイッチ構造として焼成する。または、注型した圧電体
スラリー３１の上に別のシリコン基材を載せて、圧電体
３１をシリコン基材で挟んだサンドイッチ構造として焼
成する。

【００３７】また、工程（２）において、エッチングに
よってシリコン基材３０に貫通孔を形成し、この貫通孔
にシリコン型の両面から圧電体スラリー３１を充填する
ようにすれば、孔の径が小さくても良好に充填が行える
ため、微細な圧電構造体を歩留り良く作製することがで
きる。

【００３８】また、上述のようにシリコン基材３０上に
ＩＣチップをマウントする代わりに、シリコン基材３０
上にＩＣ製造プロセスを用いてＩＣを直接作製し、それ
を電気回路として用いても良い。

【００３９】（第２の実施形態）図５は、本発明に係る
一体型超音波探触子の第２の実施形態の一例を示す図で
あって、図５（ａ）はその製造工程の一部を示す概略側
面図であり、図５（ｂ）は完成した探触子の一例を示す
上面図である。

【００４０】第２の実施形態の超音波探触子は、図１に
示した探触子部２の信号電極である第１電極５が複合圧
電体部６の全面に形成されておらず、離間に配置された
互いに平行な複数の帯状（長方形状）に形成された構造
をなす。このような構造により、各帯状電極５に対応す
る圧電体エレメントごとに電圧を印加することが可能に
なるため、各電極５に順次電圧を印加して電子走査型リ
ニア超音波振動子として動作させることができる。

【００４１】本実施形態の超音波探触子の製造方法は、
前述の第１の実施形態の超音波探触子の製造方法と比べ
て、図３（ｂ）に示す電極３５の形成の仕方が異なるだ
けである。すなわち、前述の工程（６）において（図３
（ｂ））、不要な樹脂３４を除去して円柱の圧電セラミ
クス３３を露出させた後に、圧電セラミクス３３が露出
した面に複数の帯状の電極３５を蒸着法などにより形成
する（図５（ａ））。図５（ａ）の各電極３５は、紙面
に垂直な方向に細長い長方形をなしており、それぞれ１
または２以上の圧電セラミクス３３（圧電体エレメン
ト）と接触している。

【００４２】図５（ｂ）に示した上面図において、電極
４５は図５（ａ）に示した各帯状電極３５と接続される
信号電極であり、電極４６は図１（ａ）に示した第２電
極７と接続されるＧＮＤ電極である。また、電極４７は
外部と連絡するケーブルと接続される信号電極であり、
電極４８は外部のケーブルと接続されるＧＮＤ電極であ
る。電極４５および４７の数は帯状電極３５の数と同じ
である。図５では、一例として電極３５、４５、４７お
よび圧電体エレメントがそれぞれ８個の場合を示してい
るが、これ以外の数の場合にも同様にして、本実施形態
を実施できることは言うまでもない。

【００４３】図５（ｂ）の各信号電極４５は、図１に示
した電極２４と同様にシリコン基材３０の上面から側面
にかけて絶縁膜２０上に形成され、その先端部はリード
線なｓどによって図５（ａ）の各帯状電極３５と接続さ
れる。なお、図５（ｂ）においては、見やすくするため
にシリコン基材３０の側面の電極４５、４７およびリー
ド線などは省略してある。

【００４４】図５（ｂ）のチップ２５は、図１のチップ
２５と同様に、チップの底部の入出力端子と電極４５〜
４８とが一致するように位置決めした後、配線電極４５
〜４８の上に載置して接合する。なお、図５に示した超
音波探触子は、チャンネル数が増えた以外は図１の超音
波探触子と同様に動作する。

【００４５】本実施形態のように電子走査型リニア超音
波探触子を構成した場合でも、複合圧電体超音波探触子
の製造工程で用いるシリコン基材３０をＩＣチップをマ
ウントする基台として用いている。そのため、第１の実
施形態のところで述べた理由と同様にして、小型の電気
回路一体電子走査型複合圧電体超音波探触子を作製で
き、また高感度な探触子が実現できる。

【００４６】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によって
感度が高く小型化が可能な電気回路一体型複合圧電体超
音波探触子およびその製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施形態の超音波探触子の
一例を示す概略斜視図および上面図。

【図２】本発明に係る第１の実施形態の超音波探触子の
製造工程の一例を示すための概略側面図。

【図３】本発明に係る第１の実施形態の超音波探触子の
製造工程の一例を示すための概略側面図。

【図４】本発明に係る第１の実施形態の超音波探触子の
製造工程の一例を示すための概略側面図。

【図５】本発明に係る第２の実施形態の超音波探触子の
製造工程の一部を示すための概略側面図および完成した
超音波探触子を示すための上面図。

【図６】従来の一体型超音波探触子を示す図。

【符号の説明】

１…超音波探触子２…超音波探触子部３…電気回路部４…背面負荷材５、７、３５、３７、４５、４６、４７、４８…電極６…複合圧電体部８、３９…整合層９、４０…レンズ層１０…圧電体１１、３４、３６…樹脂２０、３８…絶縁膜２１、２２、２３、２４…配線電極２５…チップ２６…接合部材１９、３０…シリコン基材３１…圧電セラミクスのスラリー３２…フォトレジスト３３…圧電セラミクス５０…穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沢田之彦東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者山田典弘東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者江刺正喜宮城県仙台市太白区八木山南一丁目11番９号Ｆターム(参考） 2G047 AC13 CA01 GB11 GB21 GB23 GB28 GB32 GB33 GH06 4C301 AA01 EE06 EE16 GB03 GB20 GB22 GB27 GB33 GB36 GB37 GB40 5D019 AA21 AA23 AA25 BB02 BB09 BB17 BB26 EE06 FF04 GG11 HH01 HH02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】背面負荷材、複合圧電体、および整合層
を備えた超音波探触子と、該超音波探触子と一体化され
たシリコン基材と、該シリコン基材上に載置された電気
回路とを備えることを特徴とする電気回路一体型複合圧
電体超音波探触子。
【請求項２】シリコン基材の一部にエッチングを施
し、エッチングされたシリコン基材を型として圧電体を
注型して焼成する工程、シリコン型の部分を除去して圧
電体を露出させ、露出した圧電体間に樹脂を注入して複
合圧電体を作製する工程、複合圧電体の一方の面へ電極
および背面負荷材を形成し、他方の面へ電極および整合
層を形成して、複合圧電体超音波探触子を作製する工
程、残存するシリコン基材の表面に電気回路を形成する
工程の各工程を含むことを特徴とする電気回路一体型複
合圧電体超音波探触子の製造方法。