JP2000295062A - 表面波フィルタ - Google Patents
表面波フィルタInfo
- Publication number
- JP2000295062A JP2000295062A JP11101945A JP10194599A JP2000295062A JP 2000295062 A JP2000295062 A JP 2000295062A JP 11101945 A JP11101945 A JP 11101945A JP 10194599 A JP10194599 A JP 10194599A JP 2000295062 A JP2000295062 A JP 2000295062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass substrate
- wave filter
- electrodes
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02984—Protection measures against damaging
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/09—Elastic or damping supports
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the SAW device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半田収縮応力によるガラス基板のクラック発生
を防止できる表面波フィルタを提供する。 【解決手段】ガラス基板１の表面にＩＤＴ電極よりなる
入出力電極３，４を設け、入出力電極３，４が設けられ
たガラス基板１上に圧電膜２を付着させるとともに、圧
電膜２の外部へ露出した入出力電極３，４の端子電極部
にリード端子６ａ〜６ｄを半田付けする。端子電極部は
少なくとも２層以上の多層構造よりなり、その最下層３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは入出力電極３，４と同質の金属
で形成され、最上層９は最下層より半田ぬれ性の良好な
金属で形成される。最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂの周
辺部は最上層９の周辺部より外部へ突出している。
を防止できる表面波フィルタを提供する。 【解決手段】ガラス基板１の表面にＩＤＴ電極よりなる
入出力電極３，４を設け、入出力電極３，４が設けられ
たガラス基板１上に圧電膜２を付着させるとともに、圧
電膜２の外部へ露出した入出力電極３，４の端子電極部
にリード端子６ａ〜６ｄを半田付けする。端子電極部は
少なくとも２層以上の多層構造よりなり、その最下層３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは入出力電極３，４と同質の金属
で形成され、最上層９は最下層より半田ぬれ性の良好な
金属で形成される。最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂの周
辺部は最上層９の周辺部より外部へ突出している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面波フィルタ、特
に入出力電極の端子電極部の構造に関するものである。
に入出力電極の端子電極部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、テレビ受像機用の映像ＩＦフ
ィルタとして、表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）が広
く用いられている。表面波フィルタは、基板の上にＩＤ
Ｔ電極よりなる入出力電極を形成し、入力電極に電圧変
化信号を与えることで表面波を発生させ、これを出力電
極で電圧変化として取り出すようにしたものである。表
面波フィルタとしては、ＰＺＴ系セラミックスやＬｉＴ
ａＯ3 単結晶のような圧電基板の上にＩＤＴ電極を形成
したもの（例えば特開昭６０−２６４１１２号公報参
照）と、ガラス基板の上にＩＤＴ電極を形成し、その上
にＺｎＯなどを圧電膜として付着させたものなどがあ
る。
ィルタとして、表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）が広
く用いられている。表面波フィルタは、基板の上にＩＤ
Ｔ電極よりなる入出力電極を形成し、入力電極に電圧変
化信号を与えることで表面波を発生させ、これを出力電
極で電圧変化として取り出すようにしたものである。表
面波フィルタとしては、ＰＺＴ系セラミックスやＬｉＴ
ａＯ3 単結晶のような圧電基板の上にＩＤＴ電極を形成
したもの（例えば特開昭６０−２６４１１２号公報参
照）と、ガラス基板の上にＩＤＴ電極を形成し、その上
にＺｎＯなどを圧電膜として付着させたものなどがあ
る。
【０００３】図１〜図４は従来の表面波フィルタの一例
を示す。１はガラス基板、２はガラス基板１上に付着さ
れたＺｎＯなどからなる圧電膜であり、圧電膜２で覆わ
れたガラス基板１上にはＩＤＴ電極よりなる入力電極３
および出力電極４（図２参照）が形成されている。ガラ
ス基板１の両端部には不要波を吸収するためのダンピン
グ剤５が塗布されている。入力電極３および出力電極４
にはリード端子６ａ〜６ｄを半田７付けするための入力
側の端子電極部３ａ，３ｂおよび出力側の端子電極部４
ａ，４ｂが一体に形成され、これら端子電極部は圧電膜
２の外部へ露出している。なお、ガラス基板１の裏面に
はシールド電極（図示せず）が形成され、このシールド
電極に接続されたリード端子６ｅが上記リード端子６ａ
〜６ｄと平行に配列されている。ガラス基板１の周囲は
エポキシ樹脂などの外装樹脂８で覆われている。
を示す。１はガラス基板、２はガラス基板１上に付着さ
れたＺｎＯなどからなる圧電膜であり、圧電膜２で覆わ
れたガラス基板１上にはＩＤＴ電極よりなる入力電極３
および出力電極４（図２参照）が形成されている。ガラ
ス基板１の両端部には不要波を吸収するためのダンピン
グ剤５が塗布されている。入力電極３および出力電極４
にはリード端子６ａ〜６ｄを半田７付けするための入力
側の端子電極部３ａ，３ｂおよび出力側の端子電極部４
ａ，４ｂが一体に形成され、これら端子電極部は圧電膜
２の外部へ露出している。なお、ガラス基板１の裏面に
はシールド電極（図示せず）が形成され、このシールド
電極に接続されたリード端子６ｅが上記リード端子６ａ
〜６ｄと平行に配列されている。ガラス基板１の周囲は
エポキシ樹脂などの外装樹脂８で覆われている。
【０００４】ＩＤＴ電極３，４には一般にアルミニウム
が使用され、端子電極部３ａ，３ｂおよび４ａ，４ｂも
アルミニウムで形成されている。アルミニウムは半田付
け性がよくないので、端子電極部３ａ，３ｂおよび４
ａ，４ｂの上にはＮｉ／Ａｇのような半田ぬれ性のよい
金属よりなる被膜９が形成され、その上にリード端子６
ａ〜６ｄが半田付けされる。
が使用され、端子電極部３ａ，３ｂおよび４ａ，４ｂも
アルミニウムで形成されている。アルミニウムは半田付
け性がよくないので、端子電極部３ａ，３ｂおよび４
ａ，４ｂの上にはＮｉ／Ａｇのような半田ぬれ性のよい
金属よりなる被膜９が形成され、その上にリード端子６
ａ〜６ｄが半田付けされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の表面波フィルタ
の場合、被膜９は端子電極部３ａ，３ｂおよび４ａ，４
ｂの全面を覆うように、広い範囲に形成されている。し
かし、被膜６上にリード端子を半田付けする際、半田の
固相温度から常温に戻る温度差で半田収縮による応力が
発生し、この応力のためにガラス基板１にクラックＣ
（図４参照）が発生するという問題があった。特に、半
田収縮応力は、半田が固い場合（Ｓｎ系、Ｐｂフリー半
田）や高温半田になれば、より大きくなる傾向がある。
の場合、被膜９は端子電極部３ａ，３ｂおよび４ａ，４
ｂの全面を覆うように、広い範囲に形成されている。し
かし、被膜６上にリード端子を半田付けする際、半田の
固相温度から常温に戻る温度差で半田収縮による応力が
発生し、この応力のためにガラス基板１にクラックＣ
（図４参照）が発生するという問題があった。特に、半
田収縮応力は、半田が固い場合（Ｓｎ系、Ｐｂフリー半
田）や高温半田になれば、より大きくなる傾向がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、半田収縮応力に
よるガラス基板のクラック発生を防止できる表面波フィ
ルタを提供することにある。
よるガラス基板のクラック発生を防止できる表面波フィ
ルタを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、ガラス基板の表面にＩＤ
Ｔ電極よりなる入出力電極を設け、入出力電極が設けら
れたガラス基板上に圧電膜を付着させるとともに、圧電
膜の外部へ露出した入出力電極の端子電極部にリード端
子を半田付けしてなる表面波フィルタにおいて、上記端
子電極部は少なくとも２層以上の多層構造よりなり、そ
の最下層は入出力電極と同質の金属で形成され、最上層
は最下層より半田ぬれ性の良好な金属で形成され、最下
層の周辺部は最上層の周辺部より外部へ突出しているこ
とを特徴とする表面波フィルタを提供する。
め、請求項１に記載の発明は、ガラス基板の表面にＩＤ
Ｔ電極よりなる入出力電極を設け、入出力電極が設けら
れたガラス基板上に圧電膜を付着させるとともに、圧電
膜の外部へ露出した入出力電極の端子電極部にリード端
子を半田付けしてなる表面波フィルタにおいて、上記端
子電極部は少なくとも２層以上の多層構造よりなり、そ
の最下層は入出力電極と同質の金属で形成され、最上層
は最下層より半田ぬれ性の良好な金属で形成され、最下
層の周辺部は最上層の周辺部より外部へ突出しているこ
とを特徴とする表面波フィルタを提供する。
【０００８】本発明では、端子電極部の最下層を最上層
よりも広げることにより、最上層がガラス基板に直接接
触することがない。そのため、最上層に作用する半田収
縮応力が最下層で吸収され、ガラス基板に直接作用する
のが防止され、ガラス基板のクラック発生を防止でき
る。最下層を構成する金属材料としては、アルミニウム
を用いることができる。最上層としては、Ｎｉ／Ａｇの
ほか、金などを用いることが可能である。また、最下層
と最上層との間に、ニッケルなどの中間層を設けてもよ
い。
よりも広げることにより、最上層がガラス基板に直接接
触することがない。そのため、最上層に作用する半田収
縮応力が最下層で吸収され、ガラス基板に直接作用する
のが防止され、ガラス基板のクラック発生を防止でき
る。最下層を構成する金属材料としては、アルミニウム
を用いることができる。最上層としては、Ｎｉ／Ａｇの
ほか、金などを用いることが可能である。また、最下層
と最上層との間に、ニッケルなどの中間層を設けてもよ
い。
【０００９】請求項２のように、最上層の周辺部に比べ
て最下層の周辺部を１０μｍ以上広げれば、ガラス基板
に作用する半田収縮応力が従来に比べて約１／２にな
り、良好な結果が得られる。
て最下層の周辺部を１０μｍ以上広げれば、ガラス基板
に作用する半田収縮応力が従来に比べて約１／２にな
り、良好な結果が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図５〜図７は本発明にかかる表面
波フィルタの一例を示す。この表面波フィルタは、図１
〜図４に示す従来の表面波フィルタと比べて端子電極部
を除く他の構造は同一のため、同一符号を付して説明を
省略する。
波フィルタの一例を示す。この表面波フィルタは、図１
〜図４に示す従来の表面波フィルタと比べて端子電極部
を除く他の構造は同一のため、同一符号を付して説明を
省略する。
【００１１】ＩＤＴ電極よりなる入出力電極３，４に
は、リード端子６ａ〜６ｄを半田７付けするための入力
側の端子電極部（最下層）３ａ，３ｂおよび出力側の端
子電極部（最下層）４ａ，４ｂが一体に形成されてい
る。ＩＤＴ電極はスパッタリングや蒸着などの薄膜形成
法により形成されている。上記端子電極部３ａ，３ｂ，
４ａ，４ｂはガラス基板１の長手方向両端部まで延びて
おり、圧電膜２の外部へ露出している。端子電極部３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂの上には、半田ぬれ性のよい金属
よりなる被膜（最上層）９がメッキなどの手法で形成さ
れており、この被膜９は端子電極部３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂより狭範囲に形成されている。被膜９の上にリード
端子６ａ〜６ｄが半田７付けされ、その後、表面波フィ
ルタの周囲が外装樹脂８によって覆われる。
は、リード端子６ａ〜６ｄを半田７付けするための入力
側の端子電極部（最下層）３ａ，３ｂおよび出力側の端
子電極部（最下層）４ａ，４ｂが一体に形成されてい
る。ＩＤＴ電極はスパッタリングや蒸着などの薄膜形成
法により形成されている。上記端子電極部３ａ，３ｂ，
４ａ，４ｂはガラス基板１の長手方向両端部まで延びて
おり、圧電膜２の外部へ露出している。端子電極部３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂの上には、半田ぬれ性のよい金属
よりなる被膜（最上層）９がメッキなどの手法で形成さ
れており、この被膜９は端子電極部３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂより狭範囲に形成されている。被膜９の上にリード
端子６ａ〜６ｄが半田７付けされ、その後、表面波フィ
ルタの周囲が外装樹脂８によって覆われる。
【００１２】図７は本発明にかかる端子電極部の構造を
示す。図に示すように、ガラス基板１上には、最下層３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと最上層９とが多層状に形成さ
れ、最上層９上に半田７が形成されている。最上層６は
最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂより狭範囲に形成され、
最下層と最上層との間に隙間δが形成される。
示す。図に示すように、ガラス基板１上には、最下層３
ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと最上層９とが多層状に形成さ
れ、最上層９上に半田７が形成されている。最上層６は
最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂより狭範囲に形成され、
最下層と最上層との間に隙間δが形成される。
【００１３】この実施例では、最下層３ａ，３ｂ，４
ａ，４ｂをアルミニウム（厚み０．５μｍ）で形成し、
最上層９をＮｉ／Ａｇ（厚み１μｍ）で形成した。そし
て、最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと最上層９との隙間
δを約１０μｍ以上とした。また、ガラス基板１として
厚みが約１ｍｍのガラス板を用いた。
ａ，４ｂをアルミニウム（厚み０．５μｍ）で形成し、
最上層９をＮｉ／Ａｇ（厚み１μｍ）で形成した。そし
て、最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと最上層９との隙間
δを約１０μｍ以上とした。また、ガラス基板１として
厚みが約１ｍｍのガラス板を用いた。
【００１４】最上層９に対してリード端子を半田付けす
ると、半田７の固相温度から常温に戻る温度差で半田収
縮による応力が発生するが、最下層３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂが最上層９より広いので、最上層９に作用する半田
収縮応力が最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂで吸収され、
ガラス基板１に直接作用するのが防止される。そのた
め、ガラス基板１のクラック発生を防止できる。ＦＥＭ
解析を行なったところ、隙間δを１０μｍ以上にすれ
ば、ガラス基板１に作用する収縮応力を従来に比べて約
１／２に低減できることが実証された。
ると、半田７の固相温度から常温に戻る温度差で半田収
縮による応力が発生するが、最下層３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂが最上層９より広いので、最上層９に作用する半田
収縮応力が最下層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂで吸収され、
ガラス基板１に直接作用するのが防止される。そのた
め、ガラス基板１のクラック発生を防止できる。ＦＥＭ
解析を行なったところ、隙間δを１０μｍ以上にすれ
ば、ガラス基板１に作用する収縮応力を従来に比べて約
１／２に低減できることが実証された。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、端子電極部の最下層を入出力電極と同質の金属
で形成し、最上層を最下層より半田ぬれ性の良好な金属
で形成するとともに、最下層を最上層より広げたので、
最上層がガラス基板に直接接触することがない。そのた
め、最上層に作用する半田収縮応力が最下層で吸収さ
れ、ガラス基板のクラック発生を確実に防止できる。ま
た、本発明では端子電極部を構成する最下層と最上層の
面積を従来に比べて変更するだけでよいので、製造が簡
単であり、コスト上昇を招くことがない。
よれば、端子電極部の最下層を入出力電極と同質の金属
で形成し、最上層を最下層より半田ぬれ性の良好な金属
で形成するとともに、最下層を最上層より広げたので、
最上層がガラス基板に直接接触することがない。そのた
め、最上層に作用する半田収縮応力が最下層で吸収さ
れ、ガラス基板のクラック発生を確実に防止できる。ま
た、本発明では端子電極部を構成する最下層と最上層の
面積を従来に比べて変更するだけでよいので、製造が簡
単であり、コスト上昇を招くことがない。
【図１】従来の表面波フィルタの斜視図である。
【図２】図１の表面波フィルタのガラス基板の平面図で
ある。
ある。
【図３】図１の表面波フィルタの平面図である。
【図４】図３の表面波フィルタの一部拡大側面図であ
る。
る。
【図５】本発明にかかる表面波フィルタの一例の平面図
である。
である。
【図６】図５の表面波フィルタの一部拡大側面図であ
る。
る。
【図７】本発明にかかる端子電極部の拡大断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 圧電膜 ３ 入力電極 ４ 出力電極 ３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ 端子電極部（最下層） ６ａ〜６ｅ リード端子 ７ 半田 ９ 被膜（最上層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森井 春雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA00 AA24 FF02 HA02 JJ04 JJ08
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス基板の表面にＩＤＴ電極よりなる入
出力電極を設け、入出力電極が設けられたガラス基板上
に圧電膜を付着させるとともに、圧電膜の外部へ露出し
た入出力電極の端子電極部にリード端子を半田付けして
なる表面波フィルタにおいて、上記端子電極部は少なく
とも２層以上の多層構造よりなり、その最下層は入出力
電極と同質の金属で形成され、最上層は最下層より半田
ぬれ性の良好な金属で形成され、最下層の周辺部は最上
層の周辺部より外部へ突出していることを特徴とする表
面波フィルタ。 - 【請求項２】最上層の周辺部に比べて最下層の周辺部は
１０μｍ以上外部へ突出していることを特徴とする請求
項１に記載の表面波フィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11101945A JP2000295062A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 表面波フィルタ |
| US09/536,967 US6369673B1 (en) | 1999-04-09 | 2000-03-28 | Surface acoustic wave filter with terminal electrode coating film |
| CNB001064800A CN1178386C (zh) | 1999-04-09 | 2000-04-07 | 声表面波滤波器 |
| EP00400959A EP1043836A3 (en) | 1999-04-09 | 2000-04-07 | Surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11101945A JP2000295062A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000295062A true JP2000295062A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14314048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11101945A Pending JP2000295062A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 表面波フィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6369673B1 (ja) |
| EP (1) | EP1043836A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000295062A (ja) |
| CN (1) | CN1178386C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566980B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-05-20 | Sawtek, Inc. | Die layout for SAW devices and associated methods |
| CN100511999C (zh) * | 2003-07-30 | 2009-07-08 | 松下电器产业株式会社 | 表面声波滤波器 |
| CN100536330C (zh) * | 2005-10-10 | 2009-09-02 | 台达电子工业股份有限公司 | 平衡至非平衡转换器 |
| JP6155551B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55112019A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave device |
| JPH01141054A (ja) | 1987-11-28 | 1989-06-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 印刷機におけるインキング装置のプリセット方法 |
| JPH0332211A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JPH0349308A (ja) | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フイルタ |
| JP3328102B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH10163800A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH10178330A (ja) | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH1141054A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および接続装置 |
| JP3196693B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波装置およびその製造方法 |
| JP3123477B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP11101945A patent/JP2000295062A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-28 US US09/536,967 patent/US6369673B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-07 CN CNB001064800A patent/CN1178386C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-07 EP EP00400959A patent/EP1043836A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1272722A (zh) | 2000-11-08 |
| CN1178386C (zh) | 2004-12-01 |
| US6369673B1 (en) | 2002-04-09 |
| EP1043836A3 (en) | 2003-03-26 |
| EP1043836A2 (en) | 2000-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6792656B2 (en) | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor | |
| US6731046B2 (en) | Surface acoustic wave element and manufacturing method of the same | |
| JPH08162357A (ja) | セラミック電子部品 | |
| US12176879B2 (en) | Acoustic wave device, filter and multiplexer | |
| WO2007072668A1 (ja) | 圧電振動片、及び圧電振動デバイス | |
| US11233026B2 (en) | Electronic component | |
| JPS62173813A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP7370146B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2014104110A1 (ja) | 圧電部品 | |
| JP2000295062A (ja) | 表面波フィルタ | |
| JP2020182091A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP2000195753A (ja) | スタック型セラミックコンデンサ | |
| JPH0582383A (ja) | チツプ型電子部品 | |
| JP3841278B2 (ja) | 圧電部品 | |
| JP3175503B2 (ja) | チップ型圧電共振部品 | |
| JP7577535B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP4529894B2 (ja) | 圧電振動片、及び圧電振動デバイス | |
| JP2020174332A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP2991837B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH04275715A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3870487B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JPH07106910A (ja) | チップ型圧電共振子およびその製造方法 | |
| JPH0730357A (ja) | チップ型圧電共振子 | |
| JPH07307638A (ja) | 圧電部品の引き出し電極構造 | |
| JPH04151884A (ja) | 積層型圧電素子 |