JP2000292362A - Wafer inspection device - Google Patents
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成されたウエハの被検査面の欠陥を例えばCAD(Compu
ter Aided Design) 装置等を用いて表示するウエハ検査
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting defects on a surface to be inspected of a wafer having a circuit pattern formed thereon, for example, by CAD (Compu
The present invention relates to a wafer inspection apparatus that displays data using an apparatus or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2は、従来のウエハ検査装置の一例を
示す概略の構成図である。このウエハ検査装置は、パタ
ーン付きウエハ欠陥検査部1を有している。パターン付
きウエハ欠陥検査部1は、回路の配線情報に基づいて回
路パターンが各チップ毎に形成されたウエハの被検査面
の画像を該各チップ毎に取り込み、該被検査面上に存在
する欠陥の位置及び大きさを表す座標値データS1を該各
チップ毎に生成して出力する機能を有している。パター
ン付きウエハ欠陥検査部1の出力側には、ウエハマップ
表示部2が接続されている。ウエハマップ表示部2は、
座標値データS1を入力し、前記各チップの被検査面上に
存在する欠陥の位置及び大きさ等をウエハマップを用い
て表示するものである。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a conventional wafer inspection apparatus. This wafer inspection apparatus has a wafer defect inspection unit 1 with a pattern. The patterned wafer defect inspection unit 1 captures, for each chip, an image of the inspection surface of the wafer on which a circuit pattern is formed for each chip based on the wiring information of the circuit, and detects a defect existing on the inspection surface. Has a function of generating and outputting coordinate value data S1 representing the position and size of each chip. A wafer map display unit 2 is connected to the output side of the patterned wafer defect inspection unit 1. The wafer map display unit 2
The coordinate value data S1 is input, and the position and size of a defect existing on the inspection surface of each chip are displayed using a wafer map.
【0003】このウエハ検査装置では、検査の対象とな
るウエハがウエハ欠陥検査部1で検査され、該ウエハ欠
陥検査部1から座標値データS1が出力される。座標値デ
ータS1はウエハマップ表示部2に入力され、該ウエハマ
ップ表示部2で該座標値データS1に対応したウエハマッ
プが表示される。図3は、図2中のウエハマップ表示部
2における表示画面の一例を示す模式図である。In this wafer inspection apparatus, a wafer to be inspected is inspected by a wafer defect inspection unit 1, and coordinate value data S1 is output from the wafer defect inspection unit 1. The coordinate value data S1 is input to the wafer map display unit 2, and a wafer map corresponding to the coordinate value data S1 is displayed on the wafer map display unit 2. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a display screen on the wafer map display unit 2 in FIG.
【0004】この表示画面では、欠陥の数が対応する場
所に数字で表示され、欠陥の形状が例えば“○”印等で
表示されている。そして、このウエハ検査装置では、担
当者の目視によって図3のウエハマップにおける欠陥分
布、欠陥数及び欠陥の大きさの欠陥管理が行われ、サン
プリング手法を用いて欠陥解析が行われる。[0004] On this display screen, the number of defects is indicated by a numeral at a corresponding location, and the shape of the defect is indicated by, for example, a mark "O". Then, in this wafer inspection apparatus, the defect management of the defect distribution, the number of defects, and the size of the defects in the wafer map of FIG. 3 is performed visually by a person in charge, and the defect analysis is performed using a sampling method.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
図2のウエハ検査装置では、次の(i),(ii)のよう
な課題があった。 (i) 図2のウエハ検査装置では、表示画面に欠陥が
表示されるのみであり、欠陥と回路パターンとの相関を
考慮した欠陥解析が不可能である。However, the conventional wafer inspection apparatus shown in FIG. 2 has the following problems (i) and (ii). (I) In the wafer inspection apparatus of FIG. 2, only a defect is displayed on the display screen, and it is impossible to perform a defect analysis in consideration of a correlation between the defect and the circuit pattern.
【0006】(ii) 図2のウエハ検査装置では、回路
パターンと欠陥位置及び欠陥の大きさとの相関関係を表
現することができない。そのため、例えば2本のパター
ンが短絡している場合、致命的な欠陥になるか否かの判
別が不可能であった。(Ii) The wafer inspection apparatus shown in FIG. 2 cannot express a correlation between a circuit pattern, a defect position and a defect size. Therefore, for example, when two patterns are short-circuited, it is impossible to determine whether or not a fatal defect occurs.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの請求項1に係る発明は、ウエハ検査
装置において、回路の配線情報に基づいて回路パターン
が各チップ毎に形成されたウエハの被検査面の画像を該
各チップ毎に取り込み、該被検査面上に存在する欠陥の
位置及び大きさを表す座標値データを該各チップ毎に生
成して出力するウエハ検査手段と、前記各座標値データ
に基づいて前記各欠陥を表す図形を前記各チップ毎に作
成して該図形に対応した画像データを生成する画像デー
タ生成手段と、前記画像データを入力し、該画像データ
に対応した第1の画像と前記配線情報に基づいた回路パ
ターンを表す第2の画像のうちの前記座標値データに対
応する部分とを共通画面に重ねて表示する表示手段と
を、備えている。According to a first aspect of the present invention, a circuit pattern is formed for each chip in a wafer inspection apparatus based on circuit wiring information. Wafer inspection means for capturing an image of the inspected surface of the wafer for each of the chips, and generating and outputting coordinate value data representing the position and size of a defect existing on the inspected surface for each of the chips Image data generating means for generating, for each of the chips, a graphic representing each of the defects based on each of the coordinate value data and generating image data corresponding to the graphic; Display means for displaying a first image corresponding to data and a portion corresponding to the coordinate value data of a second image representing a circuit pattern based on the wiring information on a common screen in a superimposed manner. I have.
【0008】このような構成を採用したことにより、ウ
エハがウエハ検査手段にかけられて該ウエハの被検査面
の画像が各チップ毎に取り込まれ、該ウエハ検査手段か
ら欠陥の位置及び大きさを表す座標値データが出力され
る。座標値データは画像データ生成手段に入力され、該
画像データ生成手段から画像データが出力される。画像
データは表示手段に入力され、該画像データに対応した
第1の画像と回路パターンを表す第2の画像のうちの前
記座標値データに対応する部分とが重ねて表示される。By adopting such a configuration, the wafer is subjected to the wafer inspection means, an image of the inspected surface of the wafer is taken in for each chip, and the position and size of the defect are indicated from the wafer inspection means. The coordinate value data is output. The coordinate value data is input to the image data generating means, and the image data generating means outputs image data. The image data is input to the display means, and a first image corresponding to the image data and a portion corresponding to the coordinate value data of the second image representing the circuit pattern are displayed in an overlapping manner.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態を示す
ウエハ検査装置の概略の構成図である。このウエハ検査
装置は、ウエハ検査手段(例えば、パターン付きウエハ
欠陥検査部)11を有している。パターン付きウエハ欠陥
検査部11は、例えば、走査型電子顕微鏡(Scanning Ele
ctronic Microscope、以下、「SEM」という)等を備
え、回路の配線情報に基づいて回路パターンが各チップ
毎に形成されたウエハの被検査面の画像を該各チップ毎
に取り込み、該被検査面上に存在する欠陥の位置及び大
きさを表す座標値データS11 を該各チップ毎に生成して
出力する機能を有している。パターン付きウエハ欠陥検
査部11の出力側には、画像データ生成手段(例えば、画
像データ生成部)12が接続されている。画像データ生成
部12は、例えばCAD装置等で構成され、各座標値デー
タS11 に基づいて前記各欠陥を表す図形を前記各チップ
毎に作成して画像データS12 を生成するものである。画
像データ生成部12の出力側には、表示手段(例えば、表
示部)13が接続されている。表示部13は、例えばCAD
装置等で構成され、画像データS12 を入力して該画像デ
ータS12 に対応した第1の画像と前記配線情報に基づい
た回路パターンを表す第2の画像のうちの座標値データ
S11 に対応する部分とを共通画面に重ねて表示する機能
を有している。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a wafer inspection apparatus showing an embodiment of the present invention. This wafer inspection apparatus has wafer inspection means (for example, a wafer defect inspection unit with a pattern) 11. The patterned wafer defect inspection unit 11 is, for example, a scanning electron microscope (Scanning Ele
ctronic Microscope (hereinafter referred to as “SEM”), etc., and captures an image of a surface to be inspected of a wafer on which a circuit pattern is formed for each chip based on circuit wiring information for each of the chips. It has a function of generating and outputting coordinate value data S11 representing the position and size of the defect existing above for each chip. An image data generating means (for example, an image data generating unit) 12 is connected to the output side of the patterned wafer defect inspection unit 11. The image data generating unit 12 is formed of, for example, a CAD device, and generates a graphic representing each defect for each chip based on each coordinate value data S11 to generate image data S12. A display unit (for example, a display unit) 13 is connected to an output side of the image data generation unit 12. The display unit 13 is, for example, a CAD
And image data S12. The coordinate value data of the first image corresponding to the image data S12 and the second image representing the circuit pattern based on the wiring information.
It has a function of displaying a portion corresponding to S11 on a common screen in a superimposed manner.
【0010】次に、図1の動作を説明する。このウエハ
検査装置では、検査の対象となるウエハがウエハ欠陥検
査部11で検査され、該ウエハ欠陥検査部11から座標値デ
ータS11 が出力される。座標値データS11 は画像データ
生成部12に入力され、該画像データ生成部12でウエハの
欠陥を表す図形(例えば、CAD図形)が各チップ毎に
作成されて画像データS12 が生成される。画像データS1
2 は表示部13に入力され、該表示部13で該画像データS1
2 に対応した第1の画像が回路パターンを表す第2の画
像のうちの座標値データS11 に対応する部分に重ねられ
て表示される。Next, the operation of FIG. 1 will be described. In this wafer inspection apparatus, a wafer to be inspected is inspected by a wafer defect inspection unit 11, and coordinate value data S11 is output from the wafer defect inspection unit 11. The coordinate value data S11 is input to the image data generation unit 12, and a figure (for example, a CAD figure) representing a defect of the wafer is created for each chip by the image data generation unit 12, and the image data S12 is generated. Image data S1
2 is input to the display unit 13 and the image data S1 is displayed on the display unit 13.
2 is superimposed and displayed on a portion corresponding to the coordinate value data S11 in the second image representing the circuit pattern.
【0011】図4は、図1中の表示部13における表示画
面の一例を示す模式図である。この表示画面では、回路
パターンP1と回路パターンP2とが異物Qによって短絡さ
れていることが表示され、この短絡された部分が○印で
囲まれている。そのため、微細な回路パターンと欠陥と
の相関関係が半導体製造装置の精度のレベルで表示され
る。又、この表示画面に、回路パターンP1,P2が形成さ
れた後の工程で形成される図示しない回路パターンを重
ねて表示すれば、異物Qによる影響が予測される。例え
ば、異物Qがあることにより、上に形成されるパターン
が切れることが予想される。そのため、ウエハの製造工
程の途中でこのウエハ検査装置を用いてウエハを検査す
れば、次工程の製造作業の可否が判定される。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a display screen on the display unit 13 in FIG. On this display screen, it is displayed that the circuit pattern P1 and the circuit pattern P2 are short-circuited by the foreign matter Q, and the short-circuited portion is surrounded by a circle. Therefore, the correlation between the fine circuit pattern and the defect is displayed at the level of the accuracy of the semiconductor manufacturing apparatus. In addition, if the circuit pattern (not shown) formed in the process after the formation of the circuit patterns P1 and P2 is superimposed on the display screen, the influence of the foreign matter Q is predicted. For example, the presence of the foreign matter Q is expected to break the pattern formed thereon. Therefore, if the wafer is inspected using the wafer inspection apparatus during the wafer manufacturing process, it is determined whether or not the next step of the manufacturing operation is possible.
【0012】以上のように、この実施形態では、回路パ
ターンP1,P2と異物Qの位置及び大きさとの相関関係を
表示画面で表示するようにしたので、例えば回路パター
ンP1,P2が異物Qを介して短絡している場合、致命的な
欠陥になるか否かの判別が可能になる。そして、致命的
な欠陥が判別された場合は、次工程の製造作業が行われ
ないので、ウエハの歩留まりが向上し、効率的な製造作
業が行われる。As described above, in this embodiment, the correlation between the circuit patterns P1 and P2 and the position and size of the foreign matter Q is displayed on the display screen. When short-circuiting occurs, it becomes possible to determine whether or not a fatal defect occurs. Then, when a fatal defect is determined, the manufacturing operation in the next step is not performed, so that the yield of the wafer is improved and the efficient manufacturing operation is performed.
【0013】尚、本発明は上記実施形態に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 (a) パターン付きウエハ欠陥検査部11は、SEMの
他、ウエハの被検査面の画像を取り込んで欠陥の座標値
データS11 を出力するものであれば、任意の装置でよ
い。The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible. For example, there are the following modifications. (A) In addition to the SEM, the patterned wafer defect inspection unit 11 may be any device as long as it captures an image of the inspection surface of the wafer and outputs defect coordinate data S11.
【0014】(b) 画像データ生成部12は、CAD装
置に限らず、画像データS12 を生成するものであれば、
任意の装置でよい。 (c) 表示部13は、CAD装置に限らず、第1の画像
と第2の画像のうちの座標値データS11 に対応する部分
とを共通画面に重ねて表示するものであれば、任意の装
置でよい。(B) The image data generating unit 12 is not limited to a CAD device, but may be any device that generates image data S12.
Any device may be used. (C) The display unit 13 is not limited to the CAD device, and may be any display device that displays the first image and the portion of the second image corresponding to the coordinate value data S11 on the common screen. A device is sufficient.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項1に
係る発明によれば、複数の回路パターンと欠陥の位置及
び大きさとの相関関係を表示手段で表示するようにした
ので、例えば2本の回路パターンが異物を介して短絡し
ている場合、致命的な欠陥になるか否かを判別できる。
そして、致命的な欠陥になる場合は、次工程の製造作業
が行われないので、ウエハの歩留まりを向上でき、効率
的な製造作業を行うことができる。As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the correlation between a plurality of circuit patterns and the position and size of a defect is displayed on the display means. When the circuit pattern of the book is short-circuited through a foreign substance, it is possible to determine whether or not a fatal defect occurs.
If the defect is fatal, the next step of the manufacturing operation is not performed, so that the yield of the wafer can be improved and the efficient manufacturing operation can be performed.
【図1】本発明の実施形態のウエハ検査装置の構成図で
ある。FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来のウエハ検査装置の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional wafer inspection apparatus.
【図3】図2における表示画面の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a display screen in FIG. 2;
【図4】図1における表示画面の模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a display screen in FIG. 1;
11 パターン付きウエハ(欠陥検査部ウエハ
検査手段) 12 画像データ生成部(画像データ生成手
段) 13 表示部(表示手段)11 Wafer with pattern (defect inspection part wafer inspection means) 12 Image data generation part (image data generation means) 13 Display part (display means)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA49 BB02 BB03 CC19 DD00 FF04 FF67 JJ03 PP24 QQ24 QQ25 RR08 SS02 SS13 2G051 AA51 AB07 AC22 CA04 EA12 EA14 EC01 ED11 FA02 GC04 GD02 GD06 4M106 AA01 AA02 BA02 CA39 DA15 DB05 DJ15 DJ18 DJ23 5B057 AA03 CE08 DA03 DA16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F term (reference) 2F065 AA49 BB02 BB03 CC19 DD00 FF04 FF67 JJ03 PP24 QQ24 QQ25 RR08 SS02 SS13 2G051 AA51 AB07 AC22 CA04 EA12 EA14 EC01 ED11 FA02 GC04 GD02 GD06 4M106 AA01 DJA23 5B057 AA03 CE08 DA03 DA16
Claims (1)
が各チップ毎に形成されたウエハの被検査面の画像を該
各チップ毎に取り込み、該被検査面上に存在する欠陥の
位置及び大きさを表す座標値データを該各チップ毎に生
成して出力するウエハ検査手段と、 前記各座標値デー
タに基づいて前記各欠陥を表す図形を前記各チップ毎に
作成して該図形に対応した画像データを生成する画像デ
ータ生成手段と、 前記画像データを入力し、該画像デ
ータに対応した第1の画像と前記配線情報に基づいた回
路パターンを表す第2の画像のうちの前記座標値データ
に対応する部分とを共通画面に重ねて表示する表示手段
とを、備えたことを特徴とするウエハ検査装置。An image of a surface to be inspected of a wafer on which a circuit pattern is formed for each chip based on circuit wiring information is fetched for each chip, and the position and size of a defect present on the surface to be inspected. A wafer inspection means for generating and outputting coordinate value data representing the size of each chip, and generating a figure representing each defect for each of the chips based on the respective coordinate value data to correspond to the figure. Image data generating means for generating image data; and the coordinate value data of the first image corresponding to the image data and the second image representing a circuit pattern based on the wiring information. And a display means for displaying a portion corresponding to (a) on a common screen in a superimposed manner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09685299A JP3267950B2 (en) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | Wafer inspection equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09685299A JP3267950B2 (en) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | Wafer inspection equipment |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2000292362A true JP2000292362A (en) | 2000-10-20 |
| JP3267950B2 JP3267950B2 (en) | 2002-03-25 |
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ID=14176029
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09685299A Expired - Lifetime JP3267950B2 (en) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | Wafer inspection equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3267950B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518110B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-04-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measuring method and pattern measuring device |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP09685299A patent/JP3267950B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518110B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-04-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measuring method and pattern measuring device |
| US8507856B2 (en) | 2005-02-25 | 2013-08-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measuring method and pattern measuring device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3267950B2 (en) | 2002-03-25 |
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