JP2000286362A - Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package - Google Patents
Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic packageInfo
- Publication number
- JP2000286362A JP2000286362A JP11089782A JP8978299A JP2000286362A JP 2000286362 A JP2000286362 A JP 2000286362A JP 11089782 A JP11089782 A JP 11089782A JP 8978299 A JP8978299 A JP 8978299A JP 2000286362 A JP2000286362 A JP 2000286362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed wiring
- wiring board
- plastic package
- glass cloth
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W72/884—
-
- H10W90/754—
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 極薄で反りが殆どなく、耐熱性、吸湿後の電
気絶縁性、耐マイグレーション性などに優れたBGAタイ
プ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板を作
成する。
【解決手段】 半導体プラスチックパッケージのサブス
トレートとして、厚さ0.04〜0.15mmのガラス布基材両面
銅張積層板を用いて回路板を作成し、表面処理したもの
の両面に同一厚みのガラス布基材熱硬化性樹脂組成物e
のプリプレグを積層成形し、サンドブラスト法にてボン
ディングパッドf、ボールパッドgの部分を除去後、貴
金属メッキを施し、プリント配線板とする。更には該銅
バリ積層板及びプリプレグの樹脂として、多官能性シア
ン酸エステル樹脂組成物を用いる。
(57) [Abstract] (with correction) [Problem] To produce a printed wiring board for a BGA type semiconductor plastic package which is extremely thin, hardly warps, and has excellent heat resistance, electrical insulation after moisture absorption, migration resistance, and the like. . SOLUTION: As a substrate of a semiconductor plastic package, a circuit board is formed using a glass cloth base material double-sided copper-clad laminate having a thickness of 0.04 to 0.15 mm, and a glass cloth base material having the same thickness is formed on both surfaces after surface treatment. Thermosetting resin composition e
Is laminated and molded, and after removing portions of the bonding pad f and the ball pad g by a sand blast method, a noble metal plating is applied to obtain a printed wiring board. Further, a polyfunctional cyanate resin composition is used as the resin for the copper burr laminate and the prepreg.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを1
個、ほぼ同じ大きさの小型プリント配線板に搭載した形
態の、チップスケールパッケージ(CSP)用プリント
配線板に関する。得られたプリント配線板は、半導体チ
ップを搭載し、マイクロコントローラ、ASIC、メモリー
等の用途に使用される。本パッケージはハンダボールを
用いてマザーボードプリント配線板に接続され、電子機
器等として使用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a printed wiring board for a chip scale package (CSP), which is mounted on a small printed wiring board having substantially the same size. The obtained printed wiring board has a semiconductor chip mounted thereon and is used for applications such as microcontrollers, ASICs, and memories. This package is connected to a motherboard printed wiring board using solder balls, and is used as an electronic device or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、チップスケールパッケージ(CSP)
の基材としては、ガラスエポキシ材、ポリイミドフィル
ム材、セラミック材等の薄い板が主に使用されている。
これらのパッケージ類は、ハンダボール間隔が0.8m
m以上であるが、薄型、小型、軽量化を図るために近年
ますますハンダボールピッチ及び回路のライン/スペー
スが狭くなって来ており、基板の耐熱性、多層板とした
時の吸湿後の電気絶縁性、耐マイグレーション性等が問
題となっていた。また、従来のプラスチックボールグリ
ッドアレイ(P-BGA)、CSP等のハンダボールの基材への密
着性は、ハンダボールパッドの大きさが小さくなるに従
い、弱くなって、不良の原因となっていた。更には、基
板が薄いため表裏のソルダーレジストの厚みのばらつき
や銅箔の残存率の違いにより反りの発生は避けられない
ものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, a chip scale package (CSP)
As the base material, a thin plate such as a glass epoxy material, a polyimide film material, and a ceramic material is mainly used.
These packages have a solder ball spacing of 0.8m
m or more, but the solder ball pitch and circuit line / space are becoming increasingly narrower in recent years in order to achieve thinner, smaller, and lighter weight. Electrical insulation, migration resistance, etc., have become problems. In addition, conventional plastic ball grid arrays (P-BGA), the adhesion of solder balls such as CSP to the base material became weaker as the size of the solder ball pad became smaller, and this was the cause of failure. . Further, since the substrate is thin, warpage is unavoidable due to variations in the thickness of the solder resist on the front and back and differences in the residual ratio of the copper foil.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を大きく改善したCSP用プリント配線板を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a printed circuit board for CSP in which the above problems are greatly improved.
【0004】[0004]
【発明が解決するための手段】本発明は、半導体チップ
スケールパッケージのサブストレートとして、厚さ15
0μmから40μmの絶縁層を有するガラス布基材両面銅
張積層板を用い、少なくとも半導体チップボンディング
用端子、ハンダボール接続用パッド及びボンディング端
子と該パッドを接続する銅箔回路及びスルーホール導体
を配置してなる回路板を作成した後、表裏全面をガラス
布基材熱硬化性樹脂プリプレグを重ねて、加熱、加圧、
好ましくは真空下に積層成形した後、少なくともボンデ
ィング用端子の表面の一部及びハンダボール接続用パッ
ドの一部のガラス布、熱硬化性樹脂を除去して回路を露
出させ、ついでニッケルメッキ、金メッキを施してプリ
ント配線板とする極薄BGAタイプ半導体プラスチック
パッケージ用プリント配線板を提供する。更に本発明
は、両面銅張積層板に使用する樹脂として、多官能性シ
アン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリマーを必
須成分とする熱硬化性樹脂組成物を使用することによ
り、耐熱性、吸湿後の電気絶縁性、耐マイグレーション
性等の特性に優れたCSP用プリント配線板を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a semiconductor chip scale package having a thickness of 15 mm.
A glass cloth substrate double-sided copper-clad laminate having an insulating layer of 0 μm to 40 μm is used, and at least a semiconductor chip bonding terminal, a solder ball connection pad, a bonding terminal, a copper foil circuit connecting the pad and a through-hole conductor are arranged. After making a circuit board made of, a glass cloth base thermosetting resin prepreg is laminated on the entire front and back, heating, pressing,
Preferably, after lamination molding under vacuum, at least a part of the surface of the bonding terminal and a part of the solder ball connection pad, the glass cloth and the thermosetting resin are removed to expose the circuit, and then nickel plating and gold plating are performed. To provide a printed wiring board for an ultra-thin BGA type semiconductor plastic package. Further, the present invention provides heat resistance and moisture absorption by using a polyfunctional cyanate ester and a thermosetting resin composition containing the cyanate ester prepolymer as an essential component as a resin used for the double-sided copper-clad laminate. Provided is a printed wiring board for CSP having excellent properties such as electrical insulation and migration resistance.
【0005】[0005]
【発明の実施の形態】本発明は、半導体チップスケール
パッケージ用サブストレートとして、厚さ150μm〜60μ
mの絶縁層を有するガラス布基材両面銅張積層板を用
い、少なくとも半導体ボンディング用端子、ハンダボー
ル接続用パッド及びボンディング端子と該パッドを配置
した回路板を作成後、表裏全面をガラス布基材熱硬化性
樹脂プリプレグを重ねて加熱、加圧、好ましくは真空下
に積層成形し、ついで、少なくともボンディング用端子
の表面の一部及びハンダボール接続用パッド表面の一部
のガラス布、熱硬化性樹脂を除去して回路を露出させ、
この端子銅箔表面を必要により前処理し、ニッケルメッ
キ、金メッキを施したプリント配線板である。半導体チ
ップを上記のプリント配線板の上に熱伝導性接着剤で接
着固定してワイヤボンディングで接続し、表面を封止樹
脂で封止するか、またはフリップチップボンディングに
より半導体下面のバンプをプリント配線板の端子に溶融
接合し、アンダーフィルレジンで半導体チップ下面を接
着固定した後、裏面にハンダボールを溶融接合し、半導
体プラスチックパッケージとする。また、両面銅張積層
板の熱硬化性樹脂組成物としては、多官能性シアン酸エ
ステル樹脂組成物を使用することにより、耐熱性、プレ
ッシャークッカー後の電気絶縁性、耐マイグレーション
性などに優れたプリント配線板が得られる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a substrate for a semiconductor chip scale package having a thickness of 150 μm to 60 μm.
Using a glass cloth substrate double-sided copper-clad laminate having an m insulating layer, at least a semiconductor bonding terminal, a solder ball connection pad, and a circuit board on which the bonding terminal and the pad are arranged are prepared, and the entire front and back surfaces are made of a glass cloth base. The thermosetting resin prepregs are laminated and molded by heating, pressurizing, preferably under vacuum, and then a glass cloth of at least a part of the surface of the bonding terminal and a part of the surface of the solder ball connecting pad is heat-cured. Remove the conductive resin to expose the circuit,
This is a printed wiring board in which the surface of the terminal copper foil is pre-treated as necessary and plated with nickel and gold. A semiconductor chip is bonded and fixed on the above-mentioned printed wiring board with a heat conductive adhesive and connected by wire bonding, and the surface is sealed with a sealing resin, or bumps on the lower surface of the semiconductor are printed by flip chip bonding. After being melt-bonded to the terminals of the board and the lower surface of the semiconductor chip is bonded and fixed with an underfill resin, a solder ball is melt-bonded to the back surface to form a semiconductor plastic package. In addition, as the thermosetting resin composition of the double-sided copper-clad laminate, by using a polyfunctional cyanate ester resin composition, heat resistance, electrical insulation after pressure cooker, excellent migration resistance, etc. A printed wiring board is obtained.
【0006】本発明の両面銅張積層板としては、一般に
公知のガラス織布に熱硬化性樹脂を含浸、乾燥して得ら
れた両面銅張板が挙げられ、その多層板も挙げられる。
ガラス繊維としては、一般に公知のガラス繊維、例えば
E、S、Dガラス繊維などの織布が挙げられ、厚みは一般
に30〜150μmが使用される。このガラス布は樹脂
組成物を付着させて加熱下にB−ステージとした後、積
層成形後に厚さが40〜150μmとなるように作成す
る。またこれらの糸を用いた混抄も使用し得る。基材で
は、薄いものは密度の高いものが好ましい。厚みは50
±10μm、重量35〜60g/m2で、通気度5〜25cm
3/cm2・sec.のものを1枚以上使用するのが好ましい。
又厚みが40〜150μmのガラス織布を1枚使用する
こともできる。織り方についても特に限定はしないが、
平織りが好ましい。±Examples of the double-sided copper-clad laminate of the present invention include a double-sided copper-clad board obtained by impregnating a generally known glass woven fabric with a thermosetting resin and drying, and a multilayer board thereof.
As glass fiber, generally known glass fiber, for example,
Woven fabrics such as E, S, and D glass fibers are used, and the thickness is generally 30 to 150 μm. This glass cloth is prepared such that the resin composition is adhered to the B-stage under heating, and then the thickness becomes 40 to 150 μm after lamination. Also, a blending using these yarns can be used. In the base material, a thin material is preferably a material having a high density. The thickness is 50
± 10μm, weight 35-60g / m 2 , air permeability 5-25cm
It is preferable to use one or more sheets of 3 / cm 2 · sec.
Alternatively, a single glass woven fabric having a thickness of 40 to 150 μm may be used. There is no particular limitation on the weave,
Plain weave is preferred. ±
【0007】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が
組み合わせて使用される。耐熱性、耐マイグレーション
性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シアン酸エ
ステル樹脂組成物が好適である。[0007] As the resin of the thermosetting resin composition used in the present invention, generally known thermosetting resins are used. Specifically, an epoxy resin, a polyfunctional cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide-cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide resin, an unsaturated group-containing polyphenylene ether resin, and the like, and one or more kinds Are used in combination. From the viewpoints of heat resistance, migration resistance, electrical properties after moisture absorption, and the like, a polyfunctional cyanate ester resin composition is preferred.
【0008】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。The polyfunctional cyanate compound which is a preferred thermosetting resin component of the present invention is a compound having two or more cyanato groups in a molecule. Specific examples include 1,3- or 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2 , 6- or 2,7-
Dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, bis (4-dicyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2- Bis (3,5-dibromo-4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cy (Anatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reacting novolak with cyanogen halide.
【0009】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。In addition to these, Japanese Patent Publication Nos. 41-1928 and 43-1846
8, polyfunctional cyanate compounds described in JP-A-44-4791, JP-A-45-11712, JP-A-46-41112, JP-A-47-26853 and JP-A-51-63149 can also be used. Further, a prepolymer having a molecular weight of 400 to 6,000 and having a triazine ring formed by trimerization of a cyanato group of these polyfunctional cyanate compounds is used. This prepolymer is obtained by polymerizing the above-mentioned polyfunctional cyanate ester monomer with a catalyst such as an acid such as a mineral acid or a Lewis acid; a base such as a tertiary amine such as sodium alcoholate; or a salt such as sodium carbonate. It can be obtained by: The prepolymer also contains some unreacted monomers and is in the form of a mixture of the monomer and the prepolymer, and such a raw material is suitably used for the purpose of the present invention. Generally, it is used after being dissolved in a soluble organic solvent.
【0010】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。As the epoxy resin, generally known epoxy resins can be used. Specifically, liquid or solid bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin; butadiene, pentadiene, vinylcyclohexene, dicyclopentyl ether, etc. And polyglycidyl compounds obtained by reacting a polyol, a hydroxyl-containing silicone resin with an epohalohydrin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【0011】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。As the polyimide resin, generally known ones can be used. Specific examples include a reaction product of a polyfunctional maleimide and a polyamine, and a polyimide having a terminal triple bond described in JP-B-57-005406. These thermosetting resins may be used alone, but it is preferable to use them in an appropriate combination in consideration of the balance of properties.
【0012】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、
ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-
6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリ
フェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポ
リフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若
しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使
用される。また、その他、公知の有機の充填剤、染料、
顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、
光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与
剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用
いられる。必要により、反応基を有する化合物は硬化
剤、触媒が適宜配合される。無機の絶縁性充填剤として
は、一般に公知のものが使用できる。具体的には、天然
シリカ、焼成シリカ、アモルファスシリカ等のシリカ類
やホワイトカーボン、チタンホワイト、アエロジル、ク
レー、タルク、ウォラストナイト、天然マイカ、合成マ
イカ、カオリン、アルミナ、パーライト、水酸化アルミ
ニウム、水酸化マグネシウム等が挙げられる。添加量
は、全組成物中の10〜80重量%、好適には20〜7
0重量%である。粒子径は、1μm以下が好ましい。本
発明においては、水酸化アルミニウムと水酸化マグネシ
ウムの混合物が、耐燃性付与、CO2レーザー孔あけ用
等として適しており、好適に使用される。Various additives can be added to the thermosetting resin composition of the present invention, if desired, as long as the inherent properties of the composition are not impaired. These additives include polymerizable double bond-containing monomers such as unsaturated polyesters and prepolymers thereof; polybutadiene, epoxidized butadiene, maleated butadiene, butadiene-
Low molecular weight liquid to high molecular weight elastic rubbers such as acrylonitrile copolymer, polychloroprene, butadiene-styrene copolymer, polyisoprene, butyl rubber, fluororubber, natural rubber; polyethylene, polypropylene, polybutene, poly-4-methyl Penten, polystyrene, AS
Resin, ABS resin, MBS resin, styrene-isoprene rubber,
Polyethylene-propylene copolymer, 4-fluoroethylene-
6-fluorinated ethylene copolymers; high molecular weight prepolymers or oligomers such as polycarbonate, polyphenylene ether, polysulfone, polyester, and polyphenylene sulfide; and polyurethane are exemplified and used as appropriate. In addition, other known organic fillers, dyes,
Pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents,
Various additives such as a photosensitizer, a flame retardant, a brightener, a polymerization inhibitor, and a thixotropy-imparting agent are used in an appropriate combination as required. If necessary, the compound having a reactive group is appropriately blended with a curing agent and a catalyst. As the inorganic insulating filler, generally known ones can be used. Specifically, natural silica, calcined silica, silica such as amorphous silica and white carbon, titanium white, aerosil, clay, talc, wollastonite, natural mica, synthetic mica, kaolin, alumina, pearlite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide and the like. The addition amount is 10 to 80% by weight of the total composition, preferably 20 to 7%.
0% by weight. The particle diameter is preferably 1 μm or less. In the present invention, a mixture of aluminum hydroxide and magnesium hydroxide is suitable for imparting flame resistance, for CO2 laser drilling, and the like, and is preferably used.
【0013】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating itself, but has a low curing rate and is inferior in workability and economic efficiency. Can be used. The amount used is 0.005 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the thermosetting resin.
【0014】ガラス基材補強銅張積層板は、まず上記補
強基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBステ
ージとし、プリプレグを作成する。次に、このプリプレ
グの両面に銅箔を配置して、加熱、加圧、好適には真空
下に積層成形し、銅張積層板とする。両面の銅箔の厚み
は、好適には3〜18μmである。厚さ40〜150μ
mのガラス布基材銅張積層板は、薄いために腰がなく、
上下のソルダーレジストの厚みバラツキにより、更には
銅箔残存率の差異により、反りが発生する確率が高く、
プリント配線板として作業性に劣り、不良発生率が高い
ものであった。本発明は、このソルダーレジストの代わ
りに、回路が形成され、スルーホールが形成され、必要
により表面化学処理されたプリント基板の表裏に、ガラ
ス布基材熱硬化性樹脂プリプレグを配置し、その外側に
離型フィルムを配置し、加熱、加圧、好ましくは真空下
に積層成形して一体化することにより、反りが大幅に改
善されたプリント配線板を提供することができた。The glass substrate-reinforced copper-clad laminate is first impregnated with a thermosetting resin composition and dried to form a B-stage to prepare a prepreg. Next, copper foils are arranged on both sides of the prepreg, and are laminated under heat, pressure, or preferably under vacuum to form a copper-clad laminate. The thickness of the copper foil on both sides is preferably 3 to 18 μm. Thickness 40 ~ 150μ
m glass cloth-based copper-clad laminate is thin,
Due to the thickness variation of the upper and lower solder resists, and furthermore, the difference in the residual ratio of copper foil, the probability of warpage is high,
The workability was poor as a printed wiring board, and the defect occurrence rate was high. In the present invention, instead of this solder resist, a glass cloth base thermosetting resin prepreg is disposed on the front and back of a printed circuit board on which a circuit is formed, a through hole is formed, and surface chemical treatment is performed as necessary, and By disposing a release film on the substrate and laminating and integrating them under heat, pressure, and preferably under vacuum, a printed wiring board with significantly improved warpage could be provided.
【0015】ボンディング用端子の表面の一部、及び裏
面のハンダボール接続用パッド表層のガラス布基材熱硬
化性樹脂層を、好適にはサンドブラスト法にて除去し、
その後、必要により銅箔表面をソフトエッチングなどで
処理し、定法にてニッケルメッキ、金メッキを行う。[0015] A part of the front surface of the bonding terminal and the thermosetting resin layer of the glass cloth base material on the surface layer of the solder ball connection pad on the back surface are preferably removed by sandblasting.
Thereafter, if necessary, the surface of the copper foil is treated by soft etching or the like, and nickel plating and gold plating are performed by a standard method.
【0016】[0016]
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Unless otherwise specified, “parts” indicates parts by weight.
【0017】実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃で溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、ワニスAを得た。これに無機充
填剤(商品名:焼成タルク、日本タルク<株>製)500部、
及び黒色顔料8部を加え、均一撹拌混合してワニスBを得
た。このワニスを厚さ50μm(重量:53g/m2,通気度:
7cm3/cm2・sec.)のガラス織布に含浸し150℃で乾燥し
て、ゲル化時間(at170℃)120秒、樹脂組成物含有量が51
wt%のプリプレグC1及びゲル化時間103秒、樹脂組成物含
有量60wt%のプリプレグC2を作成した。Example 1 900 parts of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane,
100 parts of (maleimidophenyl) methane are melted at 150 ° C.
The mixture was reacted for 4 hours with stirring to obtain a prepolymer. This was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. Add bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
) And 600 parts of a cresol novolac type epoxy resin (trade name: ESCN-220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed and dissolved. Further, as a catalyst, zinc octylate 0.4
Was added and dissolved and mixed to obtain Varnish A. To this, 500 parts of inorganic filler (trade name: calcined talc, manufactured by Nippon Talc Co., Ltd.)
And 8 parts of a black pigment were added, and the mixture was uniformly stirred and mixed to obtain Varnish B. This varnish is 50 μm thick (weight: 53 g / m 2 , air permeability:
7 cm 3 / cm 2 · sec.) Impregnated in glass woven fabric and dried at 150 ° C., gelation time (at 170 ° C.) 120 seconds, resin content 51%
A prepreg C1 of wt% and a prepreg C2 having a gelation time of 103 seconds and a resin composition content of 60 wt% were prepared.
【0018】厚さ12μmの電解銅箔(図1、a)を、2枚
重ねた上記プリプレグC1(図1、b)の上下に配置し、200
℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形
し,絶縁層の厚み121μmの両面銅張積層板Dを得た(図
1(1)の工程)。これを用い、孔径150μmのスルーホ
ール用貫通孔(図1、d)をドリルであけ、全体を銅メッ
キした。この両面に回路(図1、c)を形成し、黒色酸化
銅処理を施し、プリント配線板Eとした(図1(2)の
工程)。このプリント配線板Eの両面に上記プリプレグC
2を置き、その外側に離型フィルムを配置し、同様に積
層成形(図1(3)(4)の工程)してから離型フィル
ムを剥離し、この表裏全面に液状UV選択熱硬化型塗料を
塗布、乾燥した。ついで、表面のボンディングパッド部
分(図1,f)、裏面のボールパッド部分(図1,g)以外を
UV照射して硬化させてからアルカリ水溶液で現像してボ
ンディングパッッド部分及びボールパッド部分のレジス
トを除去し、サンドブラスト法にてガラス布基材熱硬化
性樹脂組成物を研削除去してボンディングパッド及びハ
ンダボールパッドを露出させた(図1(5)の工程)。その
後、露出した銅箔表面をソフトエッチングし、定法にて
ニッケルメッキ、金メッキを施して25mm角のプリント
配線板Fとした。このプリント配線板Fの評価結果を表1
に示す。このプリント配線板Fの表面に15mm角の半導
体チップ(図1、j)を銀ペースト(図1、k)で接着し、
ワイヤボンディング後、エポキシ樹脂コンパウンド(図
1、h)で全面を樹脂封止し、半導体プラスチックパッ
ケージGとした(図1(6)の工程)。An electrolytic copper foil (FIG. 1, a) having a thickness of 12 μm is arranged above and below the two prepregs C1 (FIG. 1, b) which are stacked on each other.
Laminate molding was performed for 2 hours under a vacuum of 20 kgf / cm 2 , 30 mmHg or less at ℃ to obtain a double-sided copper-clad laminate D having an insulating layer thickness of 121 μm (step of FIG. 1 (1)). Using this, a through hole for a through hole (FIG. 1, d) having a hole diameter of 150 μm was drilled, and the whole was plated with copper. A circuit (FIG. 1, c) was formed on both surfaces, and a black copper oxide treatment was performed to obtain a printed wiring board E (step of FIG. 1 (2)). The prepreg C on both sides of this printed wiring board E
2 and then place a release film on the outside of it, perform laminate molding in the same way (steps in FIGS. 1 (3) and (4)), and peel off the release film. The paint was applied and dried. Then, except for the bonding pad portion on the front surface (Fig. 1, f) and the ball pad portion on the back surface (Fig. 1, g),
After curing by UV irradiation, developing with an alkaline aqueous solution to remove the resist in the bonding pad portion and ball pad portion, and removing the glass cloth base thermosetting resin composition by sandblasting to remove the bonding pad Then, the solder ball pad was exposed (step of FIG. 1 (5)). Thereafter, the exposed surface of the copper foil was soft-etched and nickel-plated and gold-plated by a conventional method to obtain a printed wiring board F of 25 mm square. Table 1 shows the evaluation results of the printed wiring board F.
Shown in A 15 mm square semiconductor chip (FIG. 1, j) is adhered to the surface of the printed wiring board F with a silver paste (FIG. 1, k).
After wire bonding, the entire surface was resin-sealed with an epoxy resin compound (FIG. 1, h) to obtain a semiconductor plastic package G (step of FIG. 1 (6)).
【0019】実施例2 実施例1のワニスAに水酸化アルミニウムと水酸化マグ
ネシウム(平均粒径10.8μm)をそれぞれ3290
部、1410部の混合物として加え、よく撹拌混合して
ワニスHとした。これを実施例1のガラス織布に含侵、
乾燥し、ゲル化時間150秒、樹脂組成物含量71重量
%のプリプレグIを得た。又ゲル化時間35秒、樹脂組
成物含量60重量%のプリプレグJを得た。プリプレグJ
を2枚使用し、実施例1と同様にして、12μmの電解
銅箔を表裏に配置し、積層成形して絶縁層の厚みが11
9μmの両面銅張積層板を作成した。この上に、酸化銅
粉(平均粒径:0.8μm)を40体積%含む水溶性ポ
リエーテル樹脂組成物の水とメタノールの混合溶液を厚
さ40μmとなるように塗布、乾燥して塗膜とし、この
上からエネルギー35mJ/パルスの炭酸ガスレーザーを
4ショット照射して、孔径100μmの貫通孔をあけ、
孔部に発生した銅箔バリ及び銅箔表面をエッチングによ
り溶解除去して、銅箔厚みを3μmとすると共に、バリ
をも除去した。この全体に銅メッキを15μm付着さ
せ、回路を表裏に形成した。この表裏面に同様にUVレジ
ストを全面塗布、乾燥し、布表面の半導体フリップチッ
プバンプ部分、裏面のボールパッド部分以外をUV照射
し、同様にアルカリ水溶液で現像し、サンドブラスト法
でガラス布基材及び熱硬化性樹脂組成物を除去し、同様
にニッケルメッキ、金メッキを施し、プリント配線板K
とした。この評価結果を表1に示す。この16mm角のプ
リント配線板Kの上にフリップチップボンディング法に
て15mm角の半導体チップを搭載し、半導体下側をアン
ダーフィルレジン(図2、m)で充填固定し、裏面にハ
ンダボールを溶融固定して半導体プラスチックパッケー
ジLとした(図2)。EXAMPLE 2 Aluminum varnish and magnesium hydroxide (average particle size: 10.8 μm) were added to varnish A of Example 1 for 3290 minutes each.
And 1410 parts as a mixture, and thoroughly stirred and mixed to obtain Varnish H. This was impregnated into the glass woven fabric of Example 1,
After drying, prepreg I having a gelation time of 150 seconds and a resin composition content of 71% by weight was obtained. Prepreg J having a gelation time of 35 seconds and a resin composition content of 60% by weight was obtained. Prepreg J
And 12 μm electrolytic copper foils were placed on the front and back sides in the same manner as in Example 1.
A 9 μm double-sided copper-clad laminate was prepared. On this, a mixed solution of water and methanol of a water-soluble polyether resin composition containing 40% by volume of copper oxide powder (average particle size: 0.8 μm) is applied to a thickness of 40 μm, and dried to form a coating film. Then, a carbon dioxide gas laser having an energy of 35 mJ / pulse was irradiated from above on it by four shots to form a through hole having a hole diameter of 100 μm.
The copper foil burr generated in the hole and the copper foil surface were dissolved and removed by etching to make the copper foil thickness 3 μm and also remove the burr. A copper plating of 15 μm was adhered to the whole to form a circuit on both sides. Similarly, apply UV resist to the entire surface and dry the surface, dry the surface, irradiate UV light on the surface of the cloth other than the semiconductor flip chip bumps and the ball pad on the back, and develop with an alkaline aqueous solution in the same manner. And the thermosetting resin composition is removed, and similarly plated with nickel and gold, and the printed wiring board K
And Table 1 shows the evaluation results. A 15 mm square semiconductor chip is mounted on the 16 mm square printed wiring board K by flip chip bonding, the lower side of the semiconductor is filled and fixed with an underfill resin (FIG. 2, m), and the solder balls are melted on the back surface. It was fixed to form a semiconductor plastic package L (FIG. 2).
【0020】比較例1 実施例1において、プリント配線板Cの表裏にUV選択熱
硬化レジストを50μmとなるように2回塗布、乾燥を繰
り返して、露光後に半導体チップボンディングパッド及
び裏面のハンダボールパッド部分を現像除去し、熱硬化
後、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリント配線板
Mとした。これに同様に半導体チップを搭載、ワイヤボ
ンディング、樹脂封止し、半導体プラスチックパッケー
ジNとした。評価結果を表1に示す。Comparative Example 1 In Example 1, a UV selective thermosetting resist was applied to the front and back surfaces of the printed wiring board C twice so as to have a thickness of 50 μm, and dried repeatedly. After exposure, the semiconductor chip bonding pads and the solder ball pads on the back surface were exposed. After developing and removing the part, and after thermosetting, apply nickel plating and gold plating to the printed wiring board
M. Similarly, a semiconductor chip was mounted, wire-bonded, and resin-sealed to obtain a semiconductor plastic package N. Table 1 shows the evaluation results.
【0021】比較例2 実施例1において、熱硬化性樹脂組成物として、エポキ
シ樹脂(商品名:エピコート5045)700部、及びエポキシ
樹脂(商品名:ESCN-220F)300部、ジシアンジアミド35
部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、均
一に攪拌、混合したものを使用した。これを重量48g/
m2,厚さ51μm、及び通気度50cm3/cm2・sec.以上糸
の隙間の多いガラスクロスに含浸させ、乾燥して、ゲル
化時間150秒のプリプレグOを作成した。このプリプレグ
Oを2枚使用し、両面に12μmの電解銅箔を配置し、190
℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で積層成形し、両
面銅張積層板を作成した。後は比較例1と同様に加工し
てプリント配線板Pを作成し、表面は半導体チップ搭
載、ワイヤボンディング、樹脂封止を行い、裏面はハン
ダボールを接合し、半導体プラスチックパッケージQと
した。評価結果を表1に示す。Comparative Example 2 In Example 1, 700 parts of an epoxy resin (trade name: Epicoat 5045), 300 parts of an epoxy resin (trade name: ESCN-220F), and dicyandiamide 35 were used as the thermosetting resin composition.
And 1 part of 2-ethyl-4-methylimidazole was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide, and the mixture was uniformly stirred and mixed. 48g /
A prepreg O having a gelling time of 150 seconds was prepared by impregnating a glass cloth having m 2 , a thickness of 51 μm, and an air permeability of 50 cm 3 / cm 2 · sec. This prepreg
Use two O, place 12μm electrolytic copper foil on both sides, 190
Laminate molding was performed under a vacuum of 20 kgf / cm 2 , 30 mmHg or less at 20 ° C. to produce a double-sided copper-clad laminate. Thereafter, processing was performed in the same manner as in Comparative Example 1 to produce a printed wiring board P, and a semiconductor chip was mounted, wire-bonded, and resin-sealed on the front surface, and a solder ball was bonded on the back surface to obtain a semiconductor plastic package Q. Table 1 shows the evaluation results.
【0022】 表1 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 ガラス転移温度(℃) 235 235 235 160 粘弾性 (x1010dyne/cm2) 2.0 1.9 ー 1.2 プレッシャークッカー 処理後の絶縁抵抗(Ω) 常態 4x1014 ー ー 6x1014 200hrs.処理後 6x1012 2x1011 500hrs.処理後 6x1011 ー ー <1x108 700hrs.処理後 4x1010 ー ー ー 1,000hrs.処理後 2x1010 ー ー ー 耐マイグレーション性Ω) 常態 6x1013 ー ー 2x1013 200hrs.処理後 5x1011 ー ー 7x109 300hrs.処理後 3x1011 ー ー <1x108 500hrs.処理後 1x1011 ー ー ー 1,000hrs.処理後 9x1010 ー ー ー 耐燃性(UL94) ー V-0 ー ー[0022] Table 1 Item implementation example comparisons Example 1 2 1 2 Glass transition temperature (℃) 235 235 235 160 Viscoelastic (x10 10 dyne / cm 2) 2.0 1.9 over 1.2 insulation resistance after pressure cooker treatment (Omega ) Normal 4x10 14ー ー 6x10 14 200hrs.After treatment 6x10 12 2x10 11 500hrs.After treatment 6x10 11ー ー <1x10 8 700hrs.After treatment 4x10 10ー ー 1,000hrs.After treatment 2x10 10ー ー ーNormal 6x10 13ー ー 2x10 13 200hrs.After treatment 5x10 11ー ー 7x10 9 300hrs.After treatment 3x10 11ー ー <1x10 8 500hrs.After treatment 1x10 11ー ー ー 1,000hrs.After treatment 9x10 10ー ー ー(UL94) ー V-0 ー ー
【0023】 表1(続) 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 反り(250x250mm) プリント配線板(mm) F 0.6 K 0.5 M 9 P 15 半導体プラスチックパッケージ(μm) G <150 L <150 N 850 Q 1020[0023] Table 1 (Continued) Item implementation example comparisons Example 1 2 1 2 warpage (250X250mm) printed circuit board (mm) F 0.6 K 0.5 M 9 P 15 semiconductor plastic package (μm) G <150 L < 150 N 850 Q 1020
【0024】<測定方法> 1)ガラス転移温度:DMA法にて測定した。 2)粘弾性:銅箔をエッチング除去した積層板を用いてDM
Aにて測定した。 3)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値:ライン/
スペース=50/50μmの櫛形パターンを作成し、この上
に、それぞれ使用したプリプレグを配置し、積層成形し
たものを、121℃・2気圧で所定時間処理した後、25℃・
60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを印加60秒後に、そ
の端子間の絶縁抵抗値を測定した。 4)耐マイグレーション性:上記3)の試験片を85℃・85%R
H、50VDC印加して端子間の絶縁抵抗値を測定した。 5)反り: ・プリント配線板 ワークサイズの250x250mmを定盤上に置いて、反りの最
大値を測定した。 ・半導体プラスチックパッケージ 半導体チップ15mm角を16mm角及び25mm角ののプリント配
線板に搭載した場合の最大反りを測定した。 6)耐燃性 銅箔をエッチングで除去し、UL94に準じて試験した。<Measurement method> 1) Glass transition temperature: measured by a DMA method. 2) Viscoelasticity: DM using a laminated board with copper foil etched away
Measured at A. 3) Insulation resistance after pressure cooker treatment: line /
A comb-shaped pattern having a space of 50/50 μm was created, and the prepregs used were arranged on each of the patterns, and the laminated and molded products were treated at 121 ° C. and 2 atm for a predetermined time, and then heated at 25 ° C.
Post-treatment was performed at 60% RH for 2 hours, and the insulation resistance between the terminals was measured 60 seconds after 500 VDC was applied. 4) Migration resistance: 85 ° C, 85% R for the test piece of 3) above
H, 50 VDC was applied and the insulation resistance value between the terminals was measured. 5) Warpage:-Printed wiring board The maximum value of the warpage was measured by placing a work size of 250 x 250 mm on the surface plate.・ Semiconductor plastic package The maximum warpage when a semiconductor chip of 15 mm square was mounted on a 16 mm square or 25 mm square printed wiring board was measured. 6) Flame resistance The copper foil was removed by etching and tested according to UL94.
【0025】[0025]
【発明の効果】半導体チップスケールパッケージのサブ
ストレートとして、厚さ0.15mm以下、0.04mm以上のガラ
ス布基材両面銅張積層板を用いて、少なくとも半導体チ
ップボンディング用端子、ハンダボール接続用パッド及
びボンディング端子と該パッドを接続する銅箔回路及び
スルーホール導体を配置してなる回路板を作成した後、
表裏全面をガラス布基材プリプレグを重ねて加熱、加
圧、好ましくは真空下に積層成形した後、少なくとも、
ボンディング用端子の表面の一部、及びハンダボール接
続用パッドの表面の一部のガラス布、熱硬化性樹脂組成
物をサンドブラスト法などで除去し、貴金属メッキを行
なってプリント配線板を製造することにより、プリント
配線板の反りが少なく、ワイヤボンディングまたはフリ
ップチップボンディングで半導体チップを搭載した半導
体プラスチックパッケージも反りが少ないものを得るこ
とができた。更には熱硬化性樹脂組成物として多官能性
シアン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリマーを
必須成分として用いることにより、耐熱性、プレッシャ
ークッカー処理後の電気絶縁性、耐マイグレーション性
などに優れたものを得ることができ、且つ大量生産にも
適したものを得ることができた。According to the present invention, at least a semiconductor chip bonding terminal, a solder ball connection pad, and a glass cloth substrate double-sided copper-clad laminate having a thickness of 0.15 mm or less and 0.04 mm or more are used as a substrate of a semiconductor chip scale package. After creating a circuit board on which bonding terminals and copper foil circuits connecting the pads and through-hole conductors are arranged,
Heating and pressing the glass cloth substrate prepreg on the entire front and back surfaces, preferably after laminating under vacuum, at least,
A part of the surface of the bonding terminal and a part of the surface of the solder ball connection pad, the glass cloth and the thermosetting resin composition are removed by a sandblast method or the like, and the printed wiring board is manufactured by performing noble metal plating. As a result, the printed wiring board was less warped, and a semiconductor plastic package having a semiconductor chip mounted thereon by wire bonding or flip chip bonding could be obtained with less warpage. Furthermore, by using a polyfunctional cyanate ester as the thermosetting resin composition and the cyanate ester prepolymer as an essential component, it is excellent in heat resistance, electric insulation after pressure cooker treatment, migration resistance and the like. Was obtained, and a product suitable for mass production was obtained.
【図1】実施例1のプリント配線板及び半導体プラスチ
ックパッケージの製造工程図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board and a semiconductor plastic package of Example 1.
【図2】実施例2のプリント配線板を用いた半導体プラ
スチックパッケージの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a semiconductor plastic package using a printed wiring board according to a second embodiment.
a 銅箔 b ガラス布基材熱硬化性樹脂層 c 回路 d スルーホール e プリプレグC2 f 半導体チップボンディングパッド部分 g ハンダボールパッド部分 h 封止樹脂 i ボンディングワイヤ j 半導体チップ k 銀ペースト l ハンダボール m アンダーフィルレジン n バンプ a copper foil b glass cloth base thermosetting resin layer c circuit d through hole e prepreg C2 f semiconductor chip bonding pad part g solder ball pad part h sealing resin i bonding wire j semiconductor chip k silver paste l solder ball m under Fill resin n bump
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 K Q T H01L 21/92 602L (72)発明者 小松 勝次 東京都葛飾区新宿6丁目1番1号 三菱瓦 斯化学株式会社東京工場内 Fターム(参考) 5E346 AA06 AA12 AA15 AA26 BB01 BB16 CC12 CC16 DD02 EE06 EE09 GG15 GG28 HH08 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H05K 3 / 46K Q T H01L 21/92 602L (72) Inventor Katsuji Komatsu Katsushika Tokyo 6-1-1 Shinjuku-ku, Tokyo Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. Tokyo factory F-term (reference) 5E346 AA06 AA12 AA15 AA26 BB01 BB16 CC12 CC16 DD02 EE06 EE09 GG15 GG28 HH08
Claims (6)
するガラス布基材両面銅張積層板を用いて、少なくとも
半導体チップボンディング用端子、ハンダボール接続用
パッド及びボンディング端子と該パッドを接続する銅箔
回路及びスルーホール導体を配置した回路板を作成した
後、表裏全面にガラス布基材熱硬化性樹脂プリプレグを
重ねて加圧、加熱下に積層成形した後、少なくとも、ボ
ンディング用端子の表面の一部、及びハンダボール接続
用パッドの表面の一部のガラス布、熱硬化性樹脂を除去
して回路を露出させたことを特徴とする極薄BGAタイプ
半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板。At least a semiconductor chip bonding terminal, a solder ball connection pad, and a copper for connecting a bonding terminal to the pad using a glass cloth substrate double-sided copper-clad laminate having an insulating layer having a thickness of 150 μm to 40 μm. After preparing a circuit board on which a foil circuit and a through-hole conductor are arranged, a glass cloth base thermosetting resin prepreg is superimposed on the entire front and back surfaces, pressed, and laminated and formed under heating. A printed wiring board for an ultra-thin BGA type semiconductor plastic package, wherein a part of the circuit board is exposed by removing a part of the glass cloth and a thermosetting resin on a surface of a solder ball connection pad.
るガラス布が、厚み50±10μm、重量35〜50g/
m2,かつ通気度が5〜25cm3/cm2・secの織布を1枚以
上組み合わせたものである請求項1記載の極薄BGAタイ
プ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板。2. The glass cloth used for the glass-clad base material double-sided copper-clad laminate has a thickness of 50 ± 10 μm and a weight of 35 to 50 g / g.
2. The printed wiring board for an ultra-thin BGA type semiconductor plastic package according to claim 1, wherein one or more woven fabrics having m 2 and air permeability of 5 to 25 cm 3 / cm 2 · sec are combined.
ブラスト法で除去して製造する請求項1又は2記載の極
薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント
配線板。3. The printed wiring board for an ultra-thin BGA type semiconductor plastic package according to claim 1, which is produced by removing a glass cloth and a thermosetting resin composition by a sandblast method.
組成物が、多官能性シアン酸エステル、該シアン酸エス
テルプレポリマーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物
である請求項1記載の極薄BGAタイプ半導体プラスチッ
クパッケージ用プリント配線板。4. The thermosetting resin composition of a glass cloth substrate double-sided copper-clad board is a thermosetting resin composition containing a polyfunctional cyanate ester and the cyanate ester prepolymer as essential components. The printed wiring board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package according to 1.
充填剤を10〜80重量%含有する請求項1〜4のいず
れかに記載の極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケ
ージ用プリント配線板。5. The printed wiring board for an ultra-thin BGA type semiconductor plastic package according to claim 1, wherein the resin composition of the copper-clad laminate contains 10 to 80% by weight of an insulating inorganic filler. .
ム又は水酸化マグネシウムである請求項5記載の極薄BG
Aタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線
板。6. The ultra-thin BG according to claim 5, wherein the insulating inorganic filler is aluminum hydroxide or magnesium hydroxide.
Printed wiring board for A type semiconductor plastic package.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11089782A JP2000286362A (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package |
| US09/498,482 US6362436B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-04 | Printed wiring board for semiconductor plastic package |
| EP00102116A EP1030366B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-04 | Printed wiring board for semiconductor plastic package |
| DE60023202T DE60023202T2 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-04 | Circuit board for plastic semiconductor housing |
| TW089102305A TW454312B (en) | 1999-02-15 | 2000-02-11 | Printed wiring board for semiconductor plastic package |
| KR1020000006763A KR100630482B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-14 | Printed wiring board for semiconductor plastic package |
| US09/973,688 US6479760B2 (en) | 1999-02-15 | 2001-10-11 | Printed wiring board for semiconductor plastic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11089782A JP2000286362A (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286362A true JP2000286362A (en) | 2000-10-13 |
Family
ID=13980263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11089782A Pending JP2000286362A (en) | 1999-02-15 | 1999-03-30 | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286362A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016193A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Package type semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2002265646A (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Prepreg and method for producing the same |
| JP2002305374A (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Printed wiring board |
| JP2002319764A (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Fujitsu Ltd | Multilayer printed wiring board |
| EP1928220A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board and method of manufacturing the same |
| JP2011054666A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Cmk Corp | Multilayer printed-wiring board and double-sided printed-wiring board |
| JP2011146648A (en) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Cmk Corp | Method of manufacturing printed circuit board |
| JP2012004440A (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board |
| JP2012009606A (en) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board |
| KR101409048B1 (en) * | 2007-02-16 | 2014-06-18 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | Circuit board manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, circuit board and semiconductor device |
| JP2018006476A (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日立化成株式会社 | Method of manufacturing wiring board |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11089782A patent/JP2000286362A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016193A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | Package type semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2002265646A (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Prepreg and method for producing the same |
| JP2002305374A (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Printed wiring board |
| JP2002319764A (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Fujitsu Ltd | Multilayer printed wiring board |
| US8222532B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-07-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method for manufacturing a wiring board |
| EP1928220A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board and method of manufacturing the same |
| US8037596B2 (en) | 2006-11-30 | 2011-10-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method for manufacturing a wiring board |
| KR101409048B1 (en) * | 2007-02-16 | 2014-06-18 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | Circuit board manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, circuit board and semiconductor device |
| JP2011054666A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Cmk Corp | Multilayer printed-wiring board and double-sided printed-wiring board |
| KR101376391B1 (en) * | 2009-08-31 | 2014-03-20 | 씨엠케이 가부시키가이샤 | Multilayer printed wiring board and double-sided printed wiring board |
| JP2011146648A (en) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Cmk Corp | Method of manufacturing printed circuit board |
| JP2012004440A (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board |
| JP2012009606A (en) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board |
| JP2018006476A (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日立化成株式会社 | Method of manufacturing wiring board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100630482B1 (en) | Printed wiring board for semiconductor plastic package | |
| JP2000286362A (en) | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package | |
| JP2001038836A (en) | High modulus glass cloth base thermosetting resin copper clad laminate | |
| JP2001102491A (en) | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package | |
| JP2005183599A (en) | B-stage resin composition sheet and method for producing flip-chip mounted printed wiring board using the same. | |
| JP2000286365A (en) | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package | |
| JP2000294678A (en) | High heat dissipation ball grid array type printed wiring board for semiconductor plastic package | |
| JP2000150714A (en) | Printed wiring board for semiconductor plastic package | |
| JP2000315750A (en) | Manufacturing method of ball grid array type printed wiring board excellent in heat dissipation | |
| JP2001007533A (en) | Manufacture of ball grid array printed wiring board excellent in heat dissipating property | |
| JPH11214572A (en) | Method for producing double-sided metal foil-clad multilayer board with metal core | |
| JP2000260901A (en) | Multilayer printed wiring board for semiconductor plastic package with metal core | |
| JP4022972B2 (en) | Semiconductor plastic package | |
| JP2000315749A (en) | Printed wiring board for ball grid array type semiconductor plastic package with metal core | |
| JP2001007240A (en) | High heat dissipation type ball grid array type printed wiring board for semiconductor plastic package | |
| JP3852510B2 (en) | Semiconductor plastic package | |
| JP2000077567A (en) | Manufacturing method of printed wiring board | |
| JPH11238827A (en) | Manufacturing method of metal core | |
| JP2000236041A (en) | Printed wiring board for chip scale package with excellent solder ball adhesion | |
| JPH11214563A (en) | Semiconductor plastic package | |
| JPH11330304A (en) | Semiconductor plastic package | |
| JP2000286361A (en) | Multilayer printed wiring board for flip chip mounting | |
| JPH11195745A (en) | Multi-chip plastic package | |
| JP2005079516A (en) | Cavity type semiconductor plastic package with metal core | |
| JP2001196492A (en) | Printed circuit board for ultra-thin BGA type semiconductor plastic package |