JP2000281993A - Adhesive sheet for semiconductor wafer processing - Google Patents
Adhesive sheet for semiconductor wafer processingInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに対して優れた粘着力を示し、
かつ耐チッピング特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエ
ハへの糊残りが少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを
提供すること。
【解決手段】 紫外線及び/又は電子線に対し透過性を
有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物
と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布して
なる半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、粘着剤層
がベースポリマー100重量部に対してアクリロイル基
を5〜6個有する放射線重合性化合物が5〜50重量部
含有されており、保持力がJISZ0237において3
600秒後のズレの距離が5mm以下であり、且つ、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上である半導体ウエハ加工用粘着シート。(57) [Summary] [PROBLEMS] To exhibit excellent adhesion to semiconductor wafers,
To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer which has excellent chipping resistance and has little adhesive residue on a wafer after ultraviolet irradiation peeling. SOLUTION: The pressure-sensitive adhesive for processing a semiconductor wafer is obtained by applying a pressure-sensitive adhesive layer comprising a base polymer, a radiation-polymerizable compound and a radiation-polymerizable polymerization initiator on a substrate surface having transparency to ultraviolet rays and / or electron beams. In the sheet, the pressure-sensitive adhesive layer contains 5 to 50 parts by weight of a radiation polymerizable compound having 5 to 6 acryloyl groups based on 100 parts by weight of the base polymer, and has a holding power of 3 in JISZ0237.
The displacement distance after 600 seconds is 5 mm or less, and the gel fraction after ultraviolet irradiation and / or electron beam irradiation is 90 wt.
% Or more.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基材と粘着剤層と
を備える半導体ウエハ加工用粘着シートに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers, comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシン
グ、エキスパンティング等を行い、次いで該半導体ウエ
ハをピックアップすると同時にマウンティングする際に
用いる半導体ウエハ加工用シートとして、紫外線及び/
又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び/
又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布さ
れた粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び/又
は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応
をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハ(チップ)
をピックアップする方法が知られている。例えば、特開
昭60−196956号公報、特開昭60−22313
9号公報には、粘着剤層を構成する光重合性化合物とし
て、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等の
分子内に紫外線及び/又は電子線重合性炭素−炭素二重
結合を少なくとも2個以上有するアクリル樹脂系化合物
を用いることが提案されている。2. Description of the Related Art Heretofore, a semiconductor wafer processing sheet used for attaching a semiconductor wafer, performing dicing, expanding, and the like, picking up the semiconductor wafer and mounting the semiconductor wafer at the same time has been used.
Alternatively, ultraviolet rays and / or
Or, using a pressure-sensitive adhesive sheet coated with a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization-curing reaction by an electron beam, irradiates the pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet rays and / or an electron beam after dicing, and causes the pressure-sensitive adhesive layer to undergo a polymerization-curing reaction to reduce the adhesive force. Semiconductor wafer (chip)
A method of picking up is known. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 60-199696 and 60-22313
No. 9 discloses that a photopolymerizable compound constituting the pressure-sensitive adhesive layer contains, in a molecule such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, polyethylene glycol diacrylate, or oligoester acrylate, an ultraviolet and / or electron beam polymerizable compound. It has been proposed to use an acrylic resin-based compound having at least two or more carbon-carbon double bonds.
【0003】しかしながら、前記の化合物を用いた粘着
剤層では、化合物の粘度が低いため層全体の粘度が低下
し凝集力が不十分となり、ダイシングジ時にチップの位
置ズレや浮きが生じやすく、その結果チッピング(チッ
プ欠け)やチップ飛びが発生しやすくなるという欠点が
ある。ここで凝集力とは粘着剤層中の分子同士の寄り集
まろうとする力であり、外部応力による塑性変形に対す
る抵抗力である。通常JISZ0237保持力で評価さ
れる。However, in the pressure-sensitive adhesive layer using the above compound, the viscosity of the entire compound is reduced due to the low viscosity of the compound, the cohesive force becomes insufficient, and the chip is likely to be misaligned or lifted during dicing. There is a drawback that chipping (chip chipping) and chip fly are likely to occur. Here, the cohesive force is a force of molecules in the pressure-sensitive adhesive layer to gather together, and is a resistance to plastic deformation due to external stress. It is usually evaluated by JISZ0237 holding power.
【0004】特開昭62−153376号公報には、分
子量3000〜10000程度の多官能ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを使用することが提案されている
が、このような範囲の分子量を持つ多官能ウレタンアク
リレート系オリゴマーを使用した粘着剤層では、ダイシ
ングラインの粘着剤が剥離脱落してチップを汚染した
り、粘着剤層の凝集力が不十分であるため、ダイシング
時のチッピング、チップ飛散という問題が発生しやすい
という欠点がある。Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-153376 proposes to use a polyfunctional urethane acrylate oligomer having a molecular weight of about 3,000 to 10,000, but a polyfunctional urethane acrylate oligomer having a molecular weight in such a range. In the pressure-sensitive adhesive layer using oligomers, the pressure-sensitive adhesive on the dicing line peels off and contaminates the chip, and the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is insufficient, causing problems such as chipping and chip scattering during dicing. There is a disadvantage that it is easy.
【0005】また、現在これら光重合性化合物を重合さ
せる紫外線条件が、積算光量50mJ以下と低照度で行
われることが多くなり、紫外線照射後の重合反応が不十
分となり結果、シート剥離後の半導体ウエハへの粘着剤
層の転写(糊残り)を引き起こすという問題がある。[0005] Further, at present, the ultraviolet conditions for polymerizing these photopolymerizable compounds are often performed at a low illuminance with an integrated light amount of 50 mJ or less, and the polymerization reaction after the ultraviolet irradiation becomes insufficient. There is a problem in that the pressure-sensitive adhesive layer is transferred to the wafer (adhesive residue).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウエハに対して優れた粘着力を示し、かつ耐チッピン
グ特性に優れ、紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが
少ない半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an adhesive for processing semiconductor wafers which exhibits excellent adhesive strength to a semiconductor wafer, has excellent chipping resistance, and has little adhesive residue on the wafer after peeling off by ultraviolet irradiation. To provide a seat.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、紫外線及び/
又は電子線に対し透過性を有する基材面上にベースポリ
マーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤か
らなる粘着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着
シートにおいて、粘着剤層がベースポリマー100重量
部に対して、アクリロイル基を5〜6個有する放射線重
合性化合物が5〜50重量部含有されており、保持力が
JISZ0237において3600秒後のズレの距離が
5mm以下であり、且つ、紫外線照射及び/又は電子線
照射後のゲル分率が90wt%以上である半導体ウエハ
加工用粘着シートである。ここでゲル分率とは、溶剤浸
漬前後の粘着剤層の重量比率で表し、紫外線重合反応の
反応率の目安となる。好ましくは、前記放射線重合重合
開始剤のモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
である前記半導体ウエハ加工用粘着シートである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to ultraviolet and / or ultraviolet radiation.
Or in a pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers obtained by applying a pressure-sensitive adhesive layer comprising a base polymer, a radiation-polymerizable compound and a radiation-polymerizable polymerization initiator on a substrate surface having transparency to an electron beam, the pressure-sensitive adhesive layer is Based on 100 parts by weight of the base polymer, 5 to 50 parts by weight of a radiation-polymerizable compound having 5 to 6 acryloyl groups is contained, and the distance of deviation after 3600 seconds in JISZ0237 is 5 mm or less, In addition, the adhesive sheet for processing a semiconductor wafer has a gel fraction of 90 wt% or more after ultraviolet irradiation and / or electron beam irradiation. Here, the gel fraction is represented by the weight ratio of the pressure-sensitive adhesive layer before and after immersion in the solvent, and is a measure of the reaction rate of the ultraviolet polymerization reaction. Preferably, the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer has a molar extinction coefficient of the radiation polymerization polymerization initiator in the range of 1,000 to 20,000 (1 / mol · cm) at a wavelength of 280 to 340 nm.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明において、基材上に設けら
れる粘着剤層は、紫外線及び/又は電子線により重合硬
化反応を起こせばよく、粘着剤層には、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤等を含有しており、該粘
着剤層の凝集力がJISZ0237において保持力で3
600秒後のズレの距離が5mm以下(好ましくは3m
m以下より好ましくは1mm以下)と高いのでダイシン
グ時にチップの位置ズレや浮きが生じにくい。その結果
チッピング(チップ欠け)やチップ飛びが発生しにく、
紫外線及び/又は電子線を照射することにより重合硬化
反応し、塑性流動性が低下するので粘着力が低下し、チ
ップのピックアップを容易に行うことができる。更に、
硬化後も一定以上の破断伸度を有しているので、エキス
パンディング時に粘着剤層の割れを防ぐことができ、チ
ップ間隔の整列性を均一に保つことができる。また、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上と高く紫外線照射剥離後にウエハへの糊残りが少
ない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, a pressure-sensitive adhesive layer provided on a substrate may be subjected to a polymerization and curing reaction by ultraviolet rays and / or an electron beam. And the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 in JISZ0237.
The displacement distance after 600 seconds is 5 mm or less (preferably 3 m
m or less, and preferably 1 mm or less), so that the chip is less likely to be displaced or lifted during dicing. As a result, chipping (chip chipping) and chip fly hardly occur.
Irradiation with ultraviolet rays and / or an electron beam causes a polymerization and curing reaction, and the plastic fluidity is reduced, so that the adhesive strength is reduced and the chip can be easily picked up. Furthermore,
Since it has a certain degree of elongation at break even after curing, it is possible to prevent cracking of the pressure-sensitive adhesive layer at the time of expanding, and to maintain uniform alignment of chip intervals. The gel fraction after UV irradiation and / or electron beam irradiation is 90 wt.
% Or more, and the adhesive residue on the wafer after ultraviolet irradiation peeling is small.
【0009】本発明において用いられる基材としては、
紫外線及び/又は電子線に対して透過性を有するもので
あれば特に限定されず、例えば、塩化ビニル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン
−ヘキセン共重合体、エチレン−ブテン共重合体または
エチレン−プロピレン−ブテン共重合体等が挙げられ
る。The substrate used in the present invention includes:
There is no particular limitation as long as it has transparency to ultraviolet rays and / or electron beams. For example, vinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene,
Examples include polyurethane, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-hexene copolymer, ethylene-butene copolymer, and ethylene-propylene-butene copolymer.
【0010】本発明において用いられるベースポリマー
としては、特に限定されるものではなく、例えば、アク
リル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルからなるポ
リマー、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステ
ルと共重合可能な不飽和単量体、例えば、酢酸ビニル、
スチレン、アクリロニトリルなどとの共重合体が用いら
れる。また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるために
ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール
樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油
樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等
を添加しても構わない。The base polymer used in the present invention is not particularly limited. For example, a polymer comprising acrylic acid, methacrylic acid and their esters, and a copolymer copolymerizable with acrylic acid, methacrylic acid and their esters Unsaturated monomers such as vinyl acetate,
A copolymer with styrene, acrylonitrile, or the like is used. In addition, the pressure-sensitive adhesive of the present invention includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, and an aliphatic aromatic A tackifier such as a resin may be added.
【0011】本発明において用いられる放射線重合性化
合物は、紫外線及び/又は電子線による硬化反応前には
半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後
には粘着力が低下し半導体ウエハ(チップ)のピックア
ップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つ
ことが必要である。このために好ましくは5000以
上、更に好ましくは8000以上、最も好ましくは10
000以上の分子量を持つ多官能ウレタンアクリレート
と好ましくは1000以下の分子量を持つ多官能アクリ
レートモノマーまたは2種類以上のアクリレートモノマ
ーとを混合することが好ましい。The radiation-polymerizable compound used in the present invention has a sufficient adhesive strength to a semiconductor wafer before a curing reaction by ultraviolet rays and / or an electron beam, and has a reduced adhesive strength after the curing reaction, and It is necessary to easily pick up (chips) and to maintain a high cohesive force. For this purpose, it is preferably 5000 or more, more preferably 8000 or more, and most preferably 10 or more.
It is preferable to mix a polyfunctional urethane acrylate having a molecular weight of 000 or more and preferably a polyfunctional acrylate monomer having a molecular weight of 1000 or less or two or more acrylate monomers.
【0012】5000以上の分子量を持つ多官能ウレタ
ンアクリレートを用いることで、硬化反応前の粘着剤層
に十分な凝集力を付与することができ、エキスパンディ
ング時にアルミリング等の専用治具から粘着シートが剥
離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯下に長時間
暴露しても粘着力を安定することができ、更に硬化反応
後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与することができ、
ダイシング時にチッピングやチップの飛散を抑えること
ができる。分子量が5000未満であると粘度が低くな
り、粘着剤層の凝集力が不足し、官能基数が1であると
硬化後の粘着剤層の架橋密度が十分に上がらず、粘着力
の低下が不十分となる。[0012] By using a polyfunctional urethane acrylate having a molecular weight of 5000 or more, a sufficient cohesive force can be imparted to the pressure-sensitive adhesive layer before the curing reaction. There is no danger of peeling and falling off. Moreover, the adhesive strength can be stabilized even when exposed for a long time under a fluorescent lamp, and the adhesive layer after the curing reaction can be given a sufficient cohesive force,
Chipping and chip scattering during dicing can be suppressed. If the molecular weight is less than 5000, the viscosity becomes low, the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer becomes insufficient, and if the number of functional groups is 1, the cross-linking density of the pressure-sensitive adhesive layer after curing is not sufficiently increased, and the pressure-sensitive adhesive strength is not reduced. Will be enough.
【0013】一方5000以上の分子量を持つ多官能の
ウレタンアクリレートのみでは粘度が高く取扱が困難
で、硬化後の粘着力の低下が十分でなくチップのピック
アップが困難になる。これを調整するために1000以
下の分子量を持つ多官能のアクリレートモノマーを併用
すると粘着物性のバランスが好適になる。多官能のアク
リレートモノマーを使用するのは硬化後の粘着剤層の架
橋密度を上げ、粘着力を十分に低下させるためのであ
り、これらの組み合わせ以外では硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になる等とい
う問題が発生する。On the other hand, if only a polyfunctional urethane acrylate having a molecular weight of 5,000 or more is used, it is difficult to handle because it has a high viscosity, and the adhesive strength after curing is not sufficiently reduced, making it difficult to pick up a chip. When a polyfunctional acrylate monomer having a molecular weight of 1,000 or less is used in combination to adjust this, the balance of adhesive properties becomes suitable. The use of a polyfunctional acrylate monomer is to increase the crosslink density of the pressure-sensitive adhesive layer after curing and to sufficiently reduce the adhesive force. This makes it difficult to pick up the data.
【0014】本発明に用いられる多官能ウレタンアクリ
レートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒ
ドロキシ(メタ)アクリレートとにより合成される化合
物であり、好ましくは2個のアクリロイル基を有するウ
レタンアクリレートである。前記のイソシアネートとし
ては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメ
タンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テ
トラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイ
ソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオー
ルとしては、例えばエチレングリコール、プロピレング
リコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げ
ることができる。前記のヒドロキシ(メタ)アクリレー
トとしては、例えば、2−ヒドルキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドルキシプロピル(メタ)アクリレ
ート等を挙げることができる。The polyfunctional urethane acrylate used in the present invention is a compound synthesized from diisocyanate, polyol and hydroxy (meth) acrylate, and is preferably a urethane acrylate having two acryloyl groups. Examples of the isocyanate include toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, dicyclohexyl methane diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethyl xylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Examples of the polyol include ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, and hexanediol. Examples of the hydroxy (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like.
【0015】本発明に用いられる多官能アクリレートモ
ノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げるこ
とができるが、官能基数としては5〜6を有する必要が
あり、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタア
クリレート又はジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ートが好ましい。4官能以下であると、反応後の架橋密
度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発生
するため好ましくない。7官能以上は合成することが困
難である。アクリロイル基を5〜6個有する多官能アク
リレートモノマーの配合量はベースポリマー100重量
部に対して、5〜50重量部含有されていることが必要
である。5重量部未満であると紫外線照射後の後の架橋
密度が不十分であり、ゲル分率も低く、結果糊残りが発
生するため好ましくなく、50重量部を超えると紫外線
後の糊残りはないものの、粘着剤層の凝集力が低くな
り、チッピングが多く発生するため好ましくない。The polyfunctional acrylate monomer used in the present invention includes, for example, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate,
Pentaerythritol tetrahydroxyacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate and the like can be mentioned, but it is necessary to have 5 to 6 functional groups, and dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate or dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate Erythritol hexaacrylate is preferred. If it is less than 4 functional groups, the crosslink density after the reaction is insufficient, the gel fraction is low, and as a result, glue residue occurs, which is not preferable. It is difficult to synthesize more than 7 functions. It is necessary that the compounding amount of the polyfunctional acrylate monomer having 5 to 6 acryloyl groups is 5 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. If the amount is less than 5 parts by weight, the crosslinking density after ultraviolet irradiation is insufficient, and the gel fraction is low. As a result, adhesive residue is not preferable, and if it exceeds 50 parts by weight, there is no adhesive residue after ultraviolet irradiation. However, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is low, and chipping often occurs, which is not preferable.
【0016】放射線重合性化合物の2官能のウレタンア
クリレートと5〜6官能のアクリレートモノマーの重量
比は、10:90〜90:10の範囲が好ましく、更に
好ましくは30:70〜70:30の範囲である。5〜
6官能ウレタンアクリレートの重量比が10未満になる
と粘着剤層の凝集力が不足し、90を越えると硬化後の
粘着力の低下が十分でなくチップのピックアップが困難
になるという問題が生じる。放射線重合性化合物の配合
割合は、ベースポリマー100重量部に対して50〜2
00重量部である。放射線重合性化合物の割合が50重
量部未満であると硬化後の粘着力の低下が十分でなくチ
ップのピックアップが困難になり、200重量部を越え
ると粘着剤層の凝集力が不足し好ましくない。The weight ratio of the bifunctional urethane acrylate of the radiation polymerizable compound to the 5- to 6-functional acrylate monomer is preferably in the range of 10:90 to 90:10, more preferably in the range of 30:70 to 70:30. It is. 5-
If the weight ratio of the 6-functional urethane acrylate is less than 10, the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is insufficient, and if it exceeds 90, there is a problem that the adhesive strength after curing is not sufficiently reduced and the chip becomes difficult to pick up. The mixing ratio of the radiation polymerizable compound is 50 to 2 with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
00 parts by weight. When the proportion of the radiation-polymerizable compound is less than 50 parts by weight, the adhesive strength after curing is not sufficiently reduced, making it difficult to pick up a chip. When the proportion exceeds 200 parts by weight, the cohesive strength of the adhesive layer is insufficient, which is not preferable. .
【0017】本発明に用いられる放射線重合重合開始剤
は、そのモル吸光係数が280〜340nmの波長にお
いて1000〜20000(1/mol・cm)の範囲
のものが好ましい。1000(1/mol・cm)未満
であると紫外線照射及び/又は電子線照射における放射
線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり糊残りの原因と
なり、20000(1/mol・cm)を超えると熱あ
るいは蛍光灯下での安定性が悪くなり好ましくない。放
射線重合性重合開始剤の混合割合は放射線重合性重合化
合物に対し0.03〜22.5重量部割合が好ましい。
0.03重量部未満であると紫外線及び/又は電子線照
射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり
粘着力の低下が不十分となり好ましくなく、22.5重
量部を越えると反応が促進されすぎ、反応時に放射線重
合性重合化合物の短鎖成分が多く生成され糊残りの原因
となり好ましくない。The radiation polymerization polymerization initiator used in the present invention preferably has a molar extinction coefficient in the range of 1,000 to 20,000 (1 / mol · cm) at a wavelength of 280 to 340 nm. When it is less than 1000 (1 / mol · cm), the curing reaction of the radiation-polymerizable compound in ultraviolet irradiation and / or electron beam irradiation becomes poor and causes adhesive residue, and when it exceeds 20,000 (1 / mol · cm), heat or It is not preferable because the stability under a fluorescent lamp is deteriorated. The mixing ratio of the radiation-polymerizable polymerization initiator is preferably 0.03 to 22.5 parts by weight based on the radiation-polymerizable polymer compound.
If the amount is less than 0.03 parts by weight, the curing reaction of the radiation-polymerizable compound upon irradiation with ultraviolet rays and / or electron beams becomes poor, and the decrease in adhesive strength becomes insufficient. If it exceeds 22.5 parts by weight, the reaction is accelerated. This is not preferred because a large amount of short-chain components of the radiation-polymerizable polymer compound is generated during the reaction, causing adhesive residue.
【0018】本発明において、粘着剤層の厚さは特に限
定されるものではないが、5〜35μmであるのが好ま
しい。本発明において、粘着剤層を基材上に形成し、半
導体ウエハ加工用粘着紙とを製造するには、粘着剤層を
構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により
溶液化し、塗布又は散布等により基材上に塗工し、例え
ば80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等によ
り乾燥させることにより得ることができる。In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 35 μm. In the present invention, in order to form an adhesive layer on a base material and produce an adhesive paper for processing a semiconductor wafer, the components constituting the adhesive layer are used as they are or in a solution with an appropriate organic solvent, and then applied or sprayed. It can be obtained by applying the composition on a base material by, for example, drying at 80 to 100 ° C. for 30 seconds to 10 minutes.
【0019】本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートを
使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半
導体ウエハ加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付け
て固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを素子小片(以
下チップという)に切断する。その後、前記加工用粘着
シートの基材側から紫外線及び/又は電子線を照射し、
次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シート放
射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップを
ニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エア
ピンセット等で吸着する方法等によりピックアップする
と同時にマウンティングすればよい。A known method can be used to use the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention. For example, after the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer is attached to a semiconductor wafer and fixed, the semiconductor wafer is rotated with a rotary round blade. Is cut into element pieces (hereinafter referred to as chips). Thereafter, ultraviolet rays and / or an electron beam are irradiated from the substrate side of the pressure-sensitive adhesive sheet for processing,
Then, using a dedicated jig, the wafer processing adhesive sheet is radially expanded and the interval between the chips is expanded at a constant interval.Then, the chips are pushed up with a needle or the like, and are picked up by a method such as suction using a vacuum collet, air tweezers or the like. Just mount it.
【0020】[0020]
【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定するものではない。 《実施例1》アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部
とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量
部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共
重合して得られた重量平均分子量500000のアクリ
ル共重合体100重量部に対し、放射線重合化合物とし
て分子量が11000の2官能ウレタンアクリレート3
5重量部、及び5官能アクリレートモノマー(ジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート)3
5重量部、光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメ
チルアミノ−1−(4−モルフォニルフェニル)−ブタ
ノン[モル吸光係数(340nm):10000(1/mol・
cm)]を放射性重合化合物100重量部に対して8.
3重量部、ポリイソシアネート系架橋剤をアクリル共重
合体100重量部に対して、6重量部を配合した樹脂溶
液を、剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィル
ムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80
℃5分間乾燥した。その後、基材として厚さ80μmの
ポリ塩化ビニル(PVC)フィルムをラミネートし、半
導体加工用粘着シートを作製した。得られた半導体加工
用粘着シートを室温で7日以上成熟後、JIS Z−0
237に準じて粘着力及び凝集力を測定するためのサン
プルを作製し、各項目の評価を行った。その結果を表1
に示す。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto. Example 1 A copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. Bifunctional urethane acrylate 3 having a molecular weight of 11,000 was used as a radiation polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer.
5 parts by weight, and a pentafunctional acrylate monomer (dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate) 3
5 parts by weight, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morphonylphenyl) -butanone as a photopolymerization initiator [molar extinction coefficient (340 nm): 10000 (1 / mol ·
cm)] to 100 parts by weight of the radioactive polymerized compound.
3 parts by weight, a resin solution containing 6 parts by weight of a polyisocyanate-based cross-linking agent with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer, and a 38 μm-thick polyester film having been subjected to a peeling treatment, having a thickness of 10 μm after drying. Coated as above, 80
C. and dried for 5 minutes. Thereafter, a polyvinyl chloride (PVC) film having a thickness of 80 μm was laminated as a base material to produce an adhesive sheet for semiconductor processing. The obtained pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing is matured at room temperature for 7 days or more, and then subjected to JIS Z-0.
Samples for measuring adhesive strength and cohesive strength were prepared according to 237, and each item was evaluated. Table 1 shows the results.
Shown in
【0021】《実施例2》実施例1で用いた2官能ウレ
タンアクリレートの分子量が6000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《実施例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が1
重量部であること以外は、実施例1と同様の方法で試料
を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。そ
の結果を表1に示す。 《実施例4》実施例1で用いた光開始剤が2−メチル−
1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプ
ロバン[モル吸光係数(340nm):2000(1/mol・
cm)]であること以外は、実施例1と同様の方法で試
料を作製し、実施例1と同様の項目について試験した。
その結果を表1に示す。Example 2 A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the molecular weight of the bifunctional urethane acrylate used in Example 1 was 6,000, and the same items as in Example 1 were tested. did. Table 1 shows the results. Example 3 The photoinitiator used in Example 1 was 1 part by weight.
A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was part by weight, and the same items as in Example 1 were tested. Table 1 shows the results. Example 4 The photoinitiator used in Example 1 was 2-methyl-
1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane [molar extinction coefficient (340 nm): 2000 (1 / mol ·
cm)], a sample was prepared in the same manner as in Example 1, and the same items as in Example 1 were tested.
Table 1 shows the results.
【0022】《比較例1》実施例1で用いた2官能ウレ
タンアクリレートの分子量が3000であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。 《比較例2》アクリル共重合体100重量部に対し2官
能ウレタンアクリレートが5重量部、5官能アクリレー
トモノマーが95重量部であること以外は、実施例1と
同様の方法で試料を作製し、実施例1と同様の項目につ
いて試験した。その結果を表1に示す。 《比較例3》実施例1で用いた光開始剤の重量部数が
0.01重合部であること以外は、実施例1と同様の方
法で試料を作製し、実施例1と同様の項目について試験
した。その結果を表1に示す。 《比較例4》実施例1で用いた光開始剤が2,2−ジメ
トキシ−2−フェニルアセトフェノン[モル吸光係数(34
0nm):100(1/mol・cm)]であること以外
は、実施例1と同様の方法で試料を作製し、実施例1と
同様の項目について試験した。その結果を表1に示す。Comparative Example 1 A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the molecular weight of the bifunctional urethane acrylate used in Example 1 was 3000, and the same items as in Example 1 were tested. did. Table 1 shows the results. Comparative Example 2 A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that bifunctional urethane acrylate was 5 parts by weight and pentafunctional acrylate monomer was 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer. The same items as in Example 1 were tested. Table 1 shows the results. << Comparative Example 3 >> A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the number of parts by weight of the photoinitiator used in Example 1 was 0.01 polymerization part. Tested. Table 1 shows the results. << Comparative Example 4 >> The photoinitiator used in Example 1 was 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone [molar extinction coefficient (34
0 nm): 100 (1 / mol · cm)], except that the sample was prepared in the same manner as in Example 1, and the same items as in Example 1 were tested. Table 1 shows the results.
【0023】[0023]
【表1】 [Table 1]
【0024】実施例及び比較例の評価は、以下の評価方
法を用いた。 ・初期粘着力(UV照射前) 半導体加工用粘着シートから25mm×250mmの測
定用シートを作成し、23℃湿度50%の環境下でシリ
コンウエハに2kgのゴムロールを1往復させて圧着す
る。20分以上放置した後、300mm/minの引張
速度で180度剥離を行い、粘着力を測定した。 ・UV照射後粘着力 上記方法で作成した試料に、基材面より10cmの距離
から80W/cmの高圧水銀ランプを用いて積算光量が
50mJになるように紫外線を照射し、粘着剤層を硬化
させた後、上記と同様の方法で粘着力を測定した。 ・保持力 半導体加工用粘着シートから25mm×75mmの測定
用シートを作成し、23℃、湿度50%の環境下でステ
ンレス板に接着面積が25mm×25mmになるように
2kgのゴムロールを1往復させて圧着する。20分以
上放置した後、40℃の恒温槽に入れ、更に20分後に
セン断方向に1kgの荷重をかけ、1時間後のズレを測
定した。 ・チッピング特性 半導体ウエハを、粘着シートに保持固定し、ダイシング
ソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数3
0,000rpm、カッティングスピード120mm/
minでチップサイズにカット後、チップを粘着シート
より剥離しその裏面の欠けの状態を実体顕微鏡で観察す
ることにより評価した。 ・ゲル分率 上記のように硬化させた粘着剤層を10cm×10cm
に切り出し、24時間トルエン溶液に浸漬し、浸漬前後
の重量変化より算出した。 ゲル分率(%)=(浸漬後の重量)/(浸漬前の重量)×1
00 ・糊残り 粘着シートをシリコンウエハ鏡面に貼着後、前記条件に
て紫外線を照射した後、シートを剥離し、その表面を光
学顕微鏡にて糊残り(シリコンウエハへの粘着剤層の転
写)の有無を評価した。 ○:糊残り無し ×:糊残り有りThe following evaluation methods were used to evaluate the examples and comparative examples. -Initial adhesive strength (before UV irradiation) A 25 mm x 250 mm measuring sheet is prepared from the adhesive sheet for semiconductor processing, and a 2 kg rubber roll is reciprocated on the silicon wafer by one reciprocation under an environment of 23 ° C and 50% humidity. After standing for 20 minutes or more, peeling was performed at 180 ° at a tensile speed of 300 mm / min, and the adhesive strength was measured. -Adhesion after UV irradiation The sample prepared by the above method is irradiated with ultraviolet rays from a distance of 10 cm from the substrate surface using a high-pressure mercury lamp of 80 W / cm so that the integrated light quantity becomes 50 mJ, and the adhesive layer is cured. After that, the adhesive strength was measured in the same manner as described above.・ Holding force A 25 mm × 75 mm measuring sheet is prepared from the semiconductor processing adhesive sheet, and a 2 kg rubber roll is reciprocated once on a stainless steel plate in an environment of 23 ° C. and 50% humidity so that the adhesive area becomes 25 mm × 25 mm. And crimp. After standing for 20 minutes or more, the sample was placed in a constant temperature bath at 40 ° C., and after a further 20 minutes, a load of 1 kg was applied in the shearing direction, and the displacement after 1 hour was measured. -Chipping characteristics A semiconductor wafer is held and fixed on an adhesive sheet, and the number of spindle rotations is 3 using a dicing saw (DISCO DAD-2H6M).
000rpm, cutting speed 120mm /
After cutting to a chip size in min, the chip was peeled off from the adhesive sheet, and the chipped state on the back surface was evaluated by observing with a stereoscopic microscope. -Gel fraction 10 cm x 10 cm of the pressure-sensitive adhesive layer cured as described above
And immersed in a toluene solution for 24 hours, and calculated from the change in weight before and after immersion. Gel fraction (%) = (weight after immersion) / (weight before immersion) × 1
00. Adhesive residue After adhering the adhesive sheet to the mirror surface of the silicon wafer, irradiating with ultraviolet light under the above conditions, the sheet is peeled off, and the surface is left with an optical microscope for adhesive residue (transfer of the adhesive layer to the silicon wafer). Was evaluated. ○: No adhesive residue ×: Adhesive residue
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ加工用シートは、
紫外線及び/又は電子線の照射前には十分な粘着力と凝
集力を有し、ダイシング時にのチッピングやチップ飛散
防止に優れ、照射後にはピックアップ等を行う際の最適
値まで粘着力を低下させることにより安定したピックア
ップが可能となる。且つ、ウエハに対する糊残りが少な
い。The sheet for processing a semiconductor wafer according to the present invention comprises:
It has sufficient adhesion and cohesion before irradiation with ultraviolet rays and / or electron beams, is excellent in preventing chipping and chip scattering at the time of dicing, and lowers adhesion to the optimal value for picking up after irradiation. This enables stable pickup. In addition, there is little adhesive residue on the wafer.
Claims (2)
有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物
と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布して
なる半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、粘着剤層
がベースポリマー100重量部に対してアクリロイル基
を5〜6個有する放射線重合性化合物が5〜50重量部
含有されており、保持力がJISZ0237において3
600秒後のズレの距離が5mm以下であり、且つ、紫
外線照射及び/又は電子線照射後のゲル分率が90wt
%以上であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着
シート。1. A semiconductor wafer processing method comprising applying a pressure-sensitive adhesive layer comprising a base polymer, a radiation-polymerizable compound and a radiation-polymerizable polymerization initiator on a substrate surface having transparency to ultraviolet rays and / or electron beams. In the pressure-sensitive adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive layer contains 5 to 50 parts by weight of a radiation polymerizable compound having 5 to 6 acryloyl groups based on 100 parts by weight of the base polymer, and has a holding power of 3 in JISZ0237.
The displacement distance after 600 seconds is 5 mm or less, and the gel fraction after ultraviolet irradiation and / or electron beam irradiation is 90 wt.
% Of the adhesive sheet for processing a semiconductor wafer.
280〜340nmの波長において1000〜2000
0(1/mol・cm)の範囲である請求項1記載の半
導体ウエハ加工用粘着シート。2. The radiation polymerization initiator having a molar extinction coefficient of 1,000 to 2,000 at a wavelength of 280 to 340 nm.
The pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet has a range of 0 (1 / mol · cm).
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11090171A JP2000281993A (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
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