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JP2000280165A - ポリシング装置 - Google Patents

ポリシング装置

Info

Publication number
JP2000280165A
JP2000280165A JP2000074510A JP2000074510A JP2000280165A JP 2000280165 A JP2000280165 A JP 2000280165A JP 2000074510 A JP2000074510 A JP 2000074510A JP 2000074510 A JP2000074510 A JP 2000074510A JP 2000280165 A JP2000280165 A JP 2000280165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
polishing pad
rinse
arm
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000074510A
Other languages
English (en)
Inventor
Gee Hoey
ホイ ギー
Manoocher Birang
ビラング マヌーチャー
Doyle E Bennett
イー． ベネット ドイル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2000280165A publication Critical patent/JP2000280165A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効果的でコスト効果の高いパッド洗浄を可能
にするポリシングシングシステムを提供する。 【解決手段】 スラリが研摩パッドの中心から離間した
位置から研摩パッドに供給されるポリシング位置と、リ
ンス流体が研摩パッドの中心の上方または近接する位置
から供給されるリンス位置との間で移動するデュアルポ
ジションスラリ／リンスアームを有するケミカルメカニ
カルポリシングシステムである。リンス流体は、研摩パ
ッドの端部から研摩パッドの中心へ延在する一つ以上の
ノズルから噴霧されることが好ましい。好ましくは、ポ
リシング位置においてスラリ／リンスアームは、研摩パ
ッドの中心から離間して水平に位置決めされて水平方向
に角度を付けられたスラリ供給ラインを介して研摩パッ
ドへスラリを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられるポリシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の形成中において、種々の層
（例えば酸化物層）は、後続層の形成前に、段差または
起伏を除去するように平担化を必要とする。平担化は、
通常、研摩剤（すなわちスラリ）を含ませた半多孔質研
摩パッドに半導体基板Ｓを下向きに押し付け、研摩パッ
ドを基板Ｓに対して回転させることによって、機械的に
行われる。スラリは、基板表面と反応して基板表面の除
去を容易にし、研摩パッドと基板Ｓとの間の回転運動
は、機械的に中間酸化物層を除去し、酸化物の段差また
は起伏が除去されるまで続けられる。このプロセスは、
一般に、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）と呼
ばれる。
【０００３】図１は、従来のケミカルメカニカルポリシ
ング装置１１の概略平面図である。ポリシング装置１１
は、半導体基板Ｓを研磨するための溝付研摩パッド１７
が取りつけられた回転プラテン１５を備える。研摩パッ
ド１７は、少なくとも一つの溝１９を有しており、通
常、研摩パッド１７の外側部分に沿って配設される複数
の同心周方向溝１９を有する。
【０００４】ポリシング装置１１は更に、ピボットアー
ム２１、ピボットアーム２１の一端に取り付けられたホ
ルダまたはコンディショニングヘッド２３、スラリ／リ
ンスアーム２５等のスラリソース、コンディショニング
ヘッド２３の下側に取り付けられ、結晶ダイヤモンドが
埋め込まれたパッド等のパッドコンディショナ２７ａ、
および基板Ｓを研摩パッド１７の溝１９へ押し付けるよ
うに動作可能にプラテン１５に連結された基板取付ヘッ
ド２９を備えている。
【０００５】ピボットアーム２１は、プラテン１５に動
作可能に連結されており、後述するように、ピボットア
ーム２１が研摩パッド１７の半径を横切って前後に弧を
描いてスイープするとき、コンディショニングヘッド２
３を研摩パッドに押しつけて保持する。スラリ／リンス
アーム２５は、ピボットアーム２１およびそれに連結さ
れたコンディショニングヘッド２３のスイープ運動の外
側に固定して位置決めされる。
【０００６】動作時には、基板Ｓが基板取付ヘッド２９
の下側で下向きに配置され、基板取付ヘッド２９が基板
Ｓを研摩パッド１７の溝付き部分にしっかりと押し付け
る。スラリ／リンスアーム２５を介してスラリが研摩パ
ッド１７へ導入され、プラテン１５が矢印Ｒ1で示すよ
うに回転する。ピボットアーム２１は、矢印Ｓ1で示す
ように弧運動で左右に走査し、コンディショニングヘッ
ド２３は、矢印Ｒ2で示すように回転する。
【０００７】溝１９は、研摩パッド１７と基板Ｓとの間
にスラリ（図示せず）を流す。研磨パッド１７の半多孔
質面は、スラリが含まされた状態になる。このスラリ
は、基板取付ヘッド２９の下向きの力とプラテン１５の
回転を用いて、基板Ｓの表面を研磨して平坦化する。回
転コンディショナ２７ａに埋め込まれた結晶ダイヤモン
ド（図示せず）は、一貫した研磨レートを確保するため
に、研摩パッド１７の表面を絶えず粗面化する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】スラリで充填された溝
が基板取付ヘッド２９の下側を移動するとき、基板取付
ヘッド２９及びその下の基板Ｓの下向きの力は、ｐＨ、
温度、およびポリシング自体の作用など他の要因も加わ
って、溝１９内のスラリ粒子を固化させ、および／また
は乾燥させ、基板Ｓを押しのけたり引っかき傷を付ける
おそれのある硬質の粒塊を形成する傾向がある。従っ
て、パッド洗浄ステップを頻繁に行って、研磨屑および
固化スラリを研磨パッド１７から洗い流さなければなら
ない。
【０００９】研摩パッド１７を洗うために、基板取付ヘ
ッド２９が、研摩パッド１７との接触から外され、スラ
リ／リンスアーム２５からのスラリ供給が停止され、純
水などのリンス流体がスラリ／リンスアーム２５を介し
て供給される。最大の欠陥低減を達成するには、各基板
Ｓをポリシングした後に、パッド洗浄ステップを行うこ
とが好ましい。しかし、そのような頻繁に行なうリンス
作業は、リンス流体消費コストを上昇させ、かつポリシ
ング装置１１の全体的なスループットを低下させる。
【００１０】従って、より効果的で、よりコスト効果の
あるパッド洗浄を提供する改良ポリシングシステムが要
望されている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板Ｓ
をポリシングする装置を提供する。この装置は、回転プ
ラテンと、回転プラテンに取り付けられた研摩パッド
と、デュアルポジションスラリ／リンスアームとを備え
ている。スラリ／リンスアームは、スラリ流出口を有す
るスラリ供給ラインと、リンス流体流出口を有するリン
ス流体供給ラインとを有する。スラリ／リンスアーム
は、研摩パッドの中心から離れた場所から研摩パッドま
でスラリを供給するようにスラリ／リンスアームが位置
決めされるポリシング位置と、研摩パッドの中心にリン
ス流体を供給するようにスラリ／リンスアームが位置決
めされるリンス位置との間でアームを動かす機構を介し
て、回転プラテンに動作可能に連結される。好ましく
は、リンス位置において、スラリ／リンスアームは、リ
ンス流体が研摩パッドの中心に噴霧されるように、研磨
パッドの中心の上方または中心付近に配置される（すな
わち、研摩パッドの中心に直接リンス流体を供給するよ
うに位置決めされる）。好ましくは、スラリ供給ライン
に水平方向に角度が付けられ、アームは、ポリシング位
置にあるときには、研磨パッドの中心から水平距離を隔
てて位置決めされる。
【００１２】スラリ／リンスアームのデュアルポジショ
ン能力によって、アームは、コンディショニングヘッド
または基板取付ヘッドの何れの経路による制約を受ける
ことなく、最適なリンス作業のために構成し、かつ位置
決めすることができる。従って、本発明のポリシング装
置のスラリ／リンスアームは、研摩パッドの半径全体に
わたってリンス流体を供給するように構成され、固定式
のスラリ／リンスアームが研摩パッドの中心まで延在で
きない従来のポリシング装置に比べて優れたリンス作業
を提供する。
【００１３】第１の態様では、リンス流体流出口は、研
摩パッドの端部から研磨パッドの中心まで延びるスプレ
ーを出力するラインタイプノズルを備えるか、あるいは
研磨パッドの端部から研磨パッドの少なくとも中心まで
（好ましくは均一に）延びるスプレーを噴霧する複数の
リンス流体ノズルを備える。従って、研摩パッドが回転
するのにともなって、研摩パッド全体がリンスされる。
別の態様では、リンス時間を短くするために複数のリン
スノズルが研摩パッドの直径全体にわたって延在しても
よく、あるいはリンス流体流出口を研磨パッドの端部と
中心との間で走査させてもよい。
【００１４】第２の態様では、スラリ／リンスアーム
は、アームがリンス位置にあるときに研磨パッドと接触
するようにアームに連結されたパッドブラシを備えてい
る。従って、リンス位置にあるときのアームは、ポリシ
ング位置にあるときよりも低い。パッドブラシは、リン
スノズル単独では粒子を除去することができないか、あ
るいは相当に長いリンス時間および／または多量のリン
ス流体が粒子を除去するために必要になる場合に、粒子
除去率を高め、固化した粒子を研摩パッド溝から解放す
る。磨耗にもかかわらず基板との均一な接触を保つため
には、パッドブラシがジンバルを介してアームに連結さ
れることが好ましい。
【００１５】別の態様は、一つ以上のリンス流体ノズル
を使用する。これらのノズルは、リンス流体をパッドブ
ラシ内に向け、これによりパッドブラシ内での粒子の望
ましくない集積を防ぐ（すなわちブラシノズル）か、あ
るいはパッドブラシの前方にリンス流体を向け、これに
よりパッド面を予め濡らしてパッドブラシによる洗浄を
容易にする（すなわちプリウェッティングノズル）。ブ
ラシノズルとプリウェッティングノズルは、それぞれ鉛
直線から７０度の角度でパッドブラシへ向かうかパッド
ブラシから離れるように角度を付けられていることが好
ましい。そして、ブラシ剛毛は、最も小さい溝（例えば
コンディショニングヘッドによってつくられる溝）に入
るような寸法を有していることが好ましい。現在では、
０．００５インチ径の剛毛を持つ高密度ナイロンブラシ
が、その洗浄能力に関して好適である。
【００１６】従って、デュアルポジションスラリ／リン
スアームと、オプションのパッドブラシと、オプション
のブラシノズルとを備える本発明の半導体ポリシング装
置は、パッドの中心からもパッド溝からも、従来の半導
体ポリシング装置よりも迅速に、より完全に、そしてよ
り少ないリンス流体で粒子を除去する。
【００１７】本発明の他の目的、特長、および利点は、
以下の好適な実施形態の詳細な説明、特許請求の範囲、
および添付する図面からより十分に明らかになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図２（ａ）および図２（ｂ）はそ
れぞれ、本発明の好適なデュアルポジションスラリ／リ
ンスアーム２１１の正面図および側面図であり、図３は
平面図である。スラリ／リンスアーム２１１はアーム２
１３を備えており、第１のスラリ供給ライン２１５ａと
第２のスラリ供給ライン２１５ｂとがアーム２１３を通
って延在している。第１のスラリ供給ライン２１５ａは
第１のスラリ流出口２１７ａを有しており、第２のスラ
リ供給ライン２１５ｂは第２のスラリ流出口２１７ｂを
有している。第１および第２の両スラリ供給ラインは、
図４および図５に示すように、研摩パッド１７の中心に
向かってスラリを内側に向けるように水平方向に角度が
付けられている。リンス流体ノズル２２１等のリンス流
体流出口を有するリンス流体供給ライン２１９も、アー
ム２１３に連結される。オプショナルブラシ２２３は、
アーム２１３の底部に沿って延在するように連結され
る。オプショナルブラシ２２３は、ジンバル２２４を介
してアーム２１３に連結されることが好ましい。ジンバ
ル２２４は、パッドの外形またはブラシの外形の違いに
かかわらず、ブラシの表面がパッド１７（図１）との均
一な接触を維持するようにブラシが旋回できるようにす
る。オプショナルリンス流体ノズル２２５は、リンス流
体をオプショナルブラシ２２３に向けるようにアーム２
１３に連結される（すなわち、ブラシノズルである）。
【００１９】アーム２１３は、作動中にポリシング位置
とリンス位置との間でアーム２１３を動かす自動制御ヒ
ンジ２２９を介してベース２２７に連結される。好まし
くは、以下で更に説明するように、ポリシング位置は、
リンス位置と水平方向で近接しており、従って、図４お
よび図５に関して以下で更に記載する通り、ポリシング
中、アーム２１３を研摩パッドの中心から水平距離を隔
てて配置する（好ましくは、研摩パッド半径の中心の上
方、または中心付近）。
【００２０】図４および図５は、図２（ａ）〜図３の本
発明のスラリ／リンスアーム２１１を用いるケミカルメ
カニカルポリッシャ等のポリシング装置２３１の平面図
である。図４および図５はそれぞれ、ポリシング位置お
よびリンス位置におけるスラリ／リンスアーム２１１を
示す。ポリシング装置２３１は、スラリ／リンスアーム
２１１を除いて、図１の従来のポリシング装置１１と同
じように構成され、同様の動作をする。従って、図１と
同様の構成要素は図１の符号と同一であり、それらの構
成の詳細な説明は繰り返さない。
【００２１】動作時は、自動化ヒンジ２２９が回転し、
アーム２１３をポリシング位置に配置する。ポリシング
位置にあるときは、アーム２１３は、研摩パッド１７の
中心から離間している。このように、基板取付ヘッド２
９およびコンディショニングヘッド２３は、アーム２１
３によって阻まれることなく研摩パッド１７の端部と中
心との間を自由に走査できる。ポリシング位置では、ア
ーム２１３は、基板取付ヘッド２９とコンディショニン
グヘッド２３の両方に最大の走査自由度を提供する一方
で、溝１９にスラリを送るようにスラリ／リンスアーム
２１１を位置決めすることが好ましい。第１のスラリ供
給ライン２１５ａおよび第２のスラリ供給ライン２１５
ｂは、研摩パッド１７の端部からより遠方にスラリを送
るように研摩パッド１７の中心へ向かって水平方向内向
きに角度が付けられている。スラリは、溝１９の中心領
域へ供給されることが好ましい。
【００２２】プラテン１５およびその上に位置決めされ
た研摩パッド１７は、その後、回転を開始する。基板Ｓ
は、基板取付ヘッド２９の下面に取り付けられ、回転す
る研摩パッド１７に押し付けられる。基板取付ヘッド２
９が研摩パッド１７の端部と中心との間を走査し、溝１
９およびその内部を流れるスラリの上で基板Ｓを前後に
運ぶにつれて、スラリが第１のスラリ流出口２１７ａお
よび／または第２のスラリ流出口２１７ｂを介して研摩
パッド１７に導入される。スラリと研摩パッド１７の回
転面との組合せは、基板Ｓの表面から材料を研磨し、そ
れによって基板Ｓを平坦化またはポリシングする。一
方、ピボットアーム２１は、弧運動で前後に走査し、研
摩パッド１７の表面を再び粗面化する。
【００２３】基板Ｓから除去される材料と、基板取付ヘ
ッド２９が加える圧力のもとで固化するスラリは、定期
的に研摩パッド１７から洗浄して、これらの粒子が基板
Ｓの表面に傷を付けることを防がなければならない。よ
って、研摩パッド１７は、各基板Ｓをポリシングした
後、リンスされるのが好ましい。このような頻繁なリン
スが実行可能である。というのも、本発明のスラリ／リ
ンスアーム２１１は、リンス位置では基板５の半径全体
にわたって延在し、好ましくは、より短い時間およびよ
り少ないリンス流体消費量でより完全な洗浄を可能にす
るオプショナルブラシ２２３を含んでいるからである。
【００２４】ポリシング終了後、ピボットアーム２１お
よび基板取付ヘッド２９の双方が研摩パッド１７の表面
から持ち上げられ、ヒンジ２２９が回転し、アーム２１
３が研摩パッド１７の端部から研摩パッド１７の中心ま
で延在するようにアーム２１３をリンス位置に位置決め
する。ヒンジ２２９は、その後、アーム２１３を下げ
て、オプショナルブラシ２２３が研摩パッド１７と接触
するようにする。パッド１７の表面およびオプショナル
ブラシ２２３の表面が平行でない場合、オプショナルブ
ラシ２２３はジンバル２２４の周りを旋回する。このよ
うに、オプショナルブラシ２２３は、パッド１７の端部
から中心までの均一な接触を維持する。
【００２５】リンス流体は、スラリ／リンスアーム２１
１に連結されるリンス流体供給ライン２１９から研摩パ
ッド１７へ供給される。好ましくは、研摩パッド１７の
表面がブラシ２２３に達したときに、研磨パッド表面が
リンス流体ノズル２２１によって供給されるリンス流体
で濡れるように、プラテン１５がスラリ／リンスアーム
２１１へ向かって回転する。スラリ／リンスアーム２１
１から噴霧されるリンス流体のエネルギーおよびオプシ
ョナルブラシ２２３からのエネルギーは、プラテン１５
が回転する際に、粒子および固化スラリを研摩パッド１
７の表面全体（端部から中心）および溝１９から押し流
す。
【００２６】ブラシノズル２２５は、リンス流体をリン
ス流体供給ライン２１９または追加の供給ラインからブ
ラシ２２３へ向ける。ブラシノズル２２５からのリンス
流体は、ブラシ２２３から、その内部にたまる粒子およ
びスラリを洗浄する。ブラシ２２３から解放される粒子
およびスラリは、向心力によって研摩パッド１７から流
れ落ちる。従って、研摩パッド１７の表面全体から望ま
しくない粒子およびスラリ粒塊が迅速かつ効率よく洗浄
される。優れた欠陥レベルを提供することが証明された
別の実施形態を図６に示す。
【００２７】図６は、プリウェッティングノズル２３３
を用いる本発明のスラリリンスアーム２１１の一実施形
態の側面図である。プリウェッティングノズル２３３
は、図２〜図５のブラシノズル２２５と置き換わり、ス
ラリリンスアーム２１１から離れる方向／スラリリンス
アーム２１１の前方を向くように角度が付けられている
（例えば７０°）ことが好ましい。動作時において、ス
ラリ／リンスアーム２１１がポリシング位置にある間
は、プリウェッティングノズル２３３が使用される。プ
リウェッティングノズル２３３は、短時間（例えば５秒
間）にわたってパッド１７上にリンス流体を噴霧し、そ
の後、リンス流体ノズル２２１が使用されるリンス位置
にスラリ／リンスアーム２１１が移動すると停止させら
れる。このようにしてパッドをプリウェッティングする
ことにより、後続でポリシングされたウェーハ内で発生
が確認された欠陥はより少なくなった。
【００２８】上記の説明は、本発明の好ましい実施形態
のみを開示するが、本発明の範囲に含まれる前記開示装
置および方法の変形例は、当業者にとって明白である。
たとえば、スラリ／リンスアームの構成は、本発明を依
然として実施しつつ相当に変更することができる。スラ
リ／リンスアームは、アームの下部から研摩パッドへ供
給されるスラリを用いたポリシングの間、垂直方向に回
転して垂直位置をとってもよい。リンス流出口は、リン
ス工程の間、研摩パッドの半径にわたって走査される一
つ以上のノズルを備えていてもよく、また、アームが、
リンスの間、研摩パッドの直径全体にわたってより長く
延在し、これによってリンスサイクル時間を更に低減さ
せてもよい。また、スラリ／リンスアームのベースとア
ーム部分との間のヒンジ式継手の代わりに、ベースとア
ーム部分が固定的に連結され、ベース部分自体がアーム
部分を回転および昇降させてもよい。パッドまたはブラ
シを均一にリンスするのに十分なスプレーを提供する任
意の種類のノズル（例えば、ラインタイプノズルや複数
の扇形ノズル）を使用することができ、これを上述のよ
うに、直線または角度付きスプレーに合わせて設計して
もよい。最後に、本明細書に記載のポリッシャは単に例
示的なものであり、他のポリッシャの構成（例えば、並
進バンドの形の研摩パッドを用いるもの）もまた、本発
明の利益を享受する。
【００２９】以上のように、本発明をその好適な実施形
態との関連で開示したが、他の実施形態も特許請求の範
囲によって定まる本発明の趣旨と範囲に含まれる可能性
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来のケミカルメカニカルポリシング
装置の概略平面図である。
【図２】（ａ）は、本発明のデュアルポジションスラリ
／リンスアームの正面図であり、（ｂ）は、その側面図
である。
【図３】図２（ａ）及び（ｂ）の本発明に係るスラリ／
リンスアームの平面図である。
【図４】図２及び図３の本発明に係るスラリ／リンスア
ームを用いた半導体基板Ｓをポリシングする装置の概略
平面図であり、ポリシング位置におけるスラリ／リンス
アームを示している。
【図５】図２及び図３の本発明に係るスラリ／リンスア
ームを用いた、半導体基板Ｓをポリシングする装置の概
略平面図であり、リンス位置におけるスラリ／リンスア
ームを示している。
【図６】プリウェッティングノズルを用いた本発明のス
ラリ／リンスアームの一実施形態の側面図である。
【符号の説明】
５…基板、１１…ポリシング装置、１５…回転プラテ
ン、１７…研摩パッド、１９…同心周方向溝、２１…ピ
ボットアーム、２３…コンディショニングヘッド、２５
…リンスアーム、２７ａ…パッドコンディショナ、２９
…基板取付ヘッド、２１１…スラリリンスアーム、２１
３…アーム、２１５ａ、ｂ…スラリ供給ライン、２１７
ａ、ｂ…スラリ流出口、２１９…リンス流体供給ライ
ン、２２１…リンス流体ノズル。
フロントページの続き (72)発明者 マヌーチャー ビラング アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， ファーヴル リッジー ロード 18836 (72)発明者 ドイル イー． ベネット アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， マッキンレイ ドライ ヴ 3107

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アームと、 前記アームに連結された少なくとも一つのスラリ供給ラ
    インであって、スラリ流出口を有するスラリ供給ライン
    と、 前記アームに連結されたリンス流体供給ラインであっ
    て、リンス流体流出口を有するリンス供給ラインと、 前記アームが前記研摩パッドの中心から離間して位置決
    めされるポリシング位置と、前記アームが前記研摩パッ
    ドの中心にリンス流体を供給するよう位置決めされるリ
    ンス位置との間で前記アームを移動させる機構と、を備
    えるスラリ／リンスアーム。
  2. 【請求項２】 前記スラリ供給ラインが水平角を有して
    いる、請求項１記載のスラリ／リンスアーム。
  3. 【請求項３】 リンス流体流出口が一つ以上のノズルを
    有している、請求項１記載のスラリ／リンスアーム。
  4. 【請求項４】 前記アームに連結され、研摩パッドと接
    触することができるブラシを更に備える、請求項１記載
    のスラリ／リンスアーム。
  5. 【請求項５】 前記リンス流体流出口が、前記パッドを
    プリウェッティングするために、前記ブラシの前方へ流
    体を向けるように角度が付けられた少なくとも一つのノ
    ズルを備えている、請求項４記載のスラリ／リンスアー
    ム。
  6. 【請求項６】 リンス流体を前記ブラシ内に向けること
    ができる一つ以上のノズルを更に備える請求項４記載の
    スラリ／リンスアーム。
  7. 【請求項７】 前記ブラシと研摩パッドとの間の均一な
    接触を促すために前記アームと前記ブラシとの間に連結
    されたジンバルを更に備える請求項４記載のスラリ／リ
    ンスアーム。
  8. 【請求項８】 リンス流体を前記ブラシ内に向けること
    ができる一つ以上のノズルを更に備える請求項７記載の
    スラリ／リンスアーム。
  9. 【請求項９】 前記スラリ供給ラインが水平角を有して
    いる、請求項４記載のスラリ／リンスアーム。
  10. 【請求項１０】 前記スラリ供給ラインが水平角を有し
    ている、請求項６記載のスラリ／リンスアーム。
  11. 【請求項１１】 半導体基板をポリシングする装置であ
    って、 回転プラテンと、 前記回転プラテンに取り付けられた研摩パッドと、 前記請求項１記載のスラリ／リンスアームと、を備える
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記スラリ供給ラインが水平角を有
    し、前記研摩パッドの中心から離間した位置が、前記研
    摩パッドの中心と水平方向で近接している、請求項１１
    記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記リンス流体流出口が少なくとも一
    つのノズルを備えている、請求項１１記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記リンス流体流出口は、前記スラリ
    ／リンスアームが前記リンス位置にあるとき、前記研摩
    パッドの端部から少なくとも前記研摩パッドの中心まで
    延在する、請求項１３記載の装置。
  15. 【請求項１５】 前記アームに連結され、前記研摩パッ
    ドと接触することができるブラシを更に備える請求項１
    ３記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記アームに連結され、前記研摩パッ
    ドと接触することができるブラシを更に備えており、こ
    のブラシは、前記研摩パッドの端部から少なくとも前記
    研摩パッドの中心まで延在している、請求項１４記載の
    装置。
  17. 【請求項１７】 前記研摩パッドは、少なくとも一つの
    溝を有しており、前記ブラシは、最小の研摩パッド溝に
    入るような寸法の剛毛を有している、請求項１５記載の
    装置。
  18. 【請求項１８】 リンス流体を前記ブラシ内に向けるよ
    うに位置決めされた一つ以上のノズルを更に備える、請
    求項１５記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記リンス流体流出口が、前記パッド
    をプリウェッティングするために、前記ブラシの前方に
    リンス流体を均一に供給するように角度が付けられた少
    なくとも一つのノズルを備えている、請求項１５記載の
    装置。
  20. 【請求項２０】 前記アームに連結され、前記研摩パッ
    ドと接触することができるブラシを更に備える請求項１
    ２記載の装置。
  21. 【請求項２１】 リンス流体を前記ブラシ内に向けるこ
    とができる一つ以上のノズルを更に備える請求項２０記
    載の装置。
  22. 【請求項２２】 半導体基板をポリシングする方法であ
    って、 半導体基板を研摩パッド上に配置するステップと、 スラリ供給ラインとリンス流体供給ラインとを有するス
    ラリ／リンスアームをポリシング位置に配置するステッ
    プであって、このポリシング位置では、前記スラリ供給
    ラインの流出口が、前記研摩パッドの中心から離間した
    位置から前記研摩パッドへスラリを供給するように位置
    決めされるステップと、 前記研摩パッドにスラリを供給するステップと、 前記半導体基板をポリシングするステップと、 前記研摩パッドから前記半導体基板を除去するステップ
    と、 前記リンス流体供給ラインの流出口が、前記研摩パッド
    の中心へリンス流体を供給するように位置決めされるリ
    ンス位置に前記スラリ／リンスアームを配置するステッ
    プと、 前記スラリ／リンスアームを介して前記研摩パッドにリ
    ンス流体を供給するステップと、を備える、 前記ポリシング位置に前記スラリ／リンスアームを配置
    するステップと前記リンス位置に前記スラリ／リンスア
    ームを配置するステップとが自動化されている方法。
  23. 【請求項２３】 前記研摩パッドにリンス流体を供給す
    るステップが、前記研摩パッドの半径に沿ってリンス流
    体を一斉に噴霧するステップを有する、請求項２２記載
    の方法。
  24. 【請求項２４】 前記研摩パッドへリンス流体を供給す
    るステップが、前記研摩パッドの端部と前記研摩パッド
    の中心との間で前記リンス流体流出口を走査させるステ
    ップを含んでいる、請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記スラリ／リンスアームをポリシン
    グ位置に配置するステップが、前記研摩パッドの中心か
    ら離れるように前記スラリ／リンスアームを水平に回転
    させるステップを含んでいる、請求項２２記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記研摩パッドへリンス流体を供給す
    るステップが、前記研摩パッドの半径に沿ってリンス流
    体を一斉に噴霧するステップを含んでいる、請求項２５
    記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記スラリ／リンスアームをリンス位
    置に配置するステップが、前記研摩パッドを前記スラリ
    ／リンスアームに連結されたブラシと接触させるととも
    に、前記研摩パッドにリンス流体を供給するステップを
    含んでいる、請求項２２記載の方法。
  28. 【請求項２８】 リンス流体スプレーを前記ブラシ内に
    向けるステップを更に備える請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記研摩パッド上に噴霧されたリンス
    流体が前記ブラシに向かって回転されるように前記回転
    プラテンを回転させるステップを更に備える請求項２７
    記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記リンス位置に前記スラリ／リンス
    アームを配置する前に、前記スラリ／リンスアームを介
    して前記パッドへリンス流体を供給するステップを更に
    備える請求項２２記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記スラリ／リンスアームをリンス位
    置に配置するステップが、前記研摩パッドを前記スラリ
    ／リンスアームに連結されたブラシと接触させるととも
    に、前記研摩パッドにリンス流体を供給するステップを
    含んでいる、請求項３０記載の方法。
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