JP2000278120A - DLL circuit having mislock prevention function - Google Patents
DLL circuit having mislock prevention functionInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のDLL回路においては、正常にロック
している状態の遅延時間から設計される値である事か
ら、ミスロック(正常ロックでない状態)している状態
での入力から出力までの遅延時間では、位相差が定まら
ないためクロック生成回路として使用する場合には問題
があった。従って、一般的にDLL回路を使用する時に
は、DLL回路をミスロック状態にしない、或はミスロ
ック状態に陥った時にロック状態に復帰させるミスロッ
ク防止回路が求められていた。
【解決手段】 DLL回路に用いられる電圧制御遅延回
路(3)の入力部に、外部クロック(CKext)の入
力を制限するマスク回路(4)を使用する。
(57) [Problem] In a conventional DLL circuit, since it is a value designed based on a delay time of a normally locked state, it is possible to prevent the DLL circuit from being locked in a mislocked state (a state in which it is not normally locked). Since the phase difference is not determined in the delay time from input to output, there is a problem when using as a clock generation circuit. Therefore, in general, when a DLL circuit is used, there is a need for a mislock prevention circuit that does not cause the DLL circuit to be in a mislocked state, or that returns to a locked state when the DLL circuit falls into a mislocked state. SOLUTION: A mask circuit (4) for limiting the input of an external clock (CKext) is used for an input portion of a voltage control delay circuit (3) used in a DLL circuit.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ・コンピ
ュータ(MCU)やデジタル・シグナル・プロセッサ(DS
P)等のLSI の動作スピードを向上させる等の働きをす
るDLL(Delay Locked Loop) 回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microcomputer (MCU) and a digital signal processor (DS).
The present invention relates to a DLL (Delay Locked Loop) circuit that functions to improve the operation speed of an LSI such as P).
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路においては、構造
の微細化、LSI の動作スピードを向上させたり、さらな
る処理性能の向上が求められてきている。2. Description of the Related Art In recent years, in semiconductor integrated circuits, there has been a demand for miniaturization of the structure, improvement of the operation speed of LSI, and further improvement of processing performance.
【0003】以下に従来の技術を図10から図16を用
いて説明する。A conventional technique will be described below with reference to FIGS.
【0004】図10には基本的なDelay Locked Loop
(以下DLLと略す)回路を示した。位相比較器101
(以下PCと略す)の一方の入力端子に基準となる外部
クロック(CKext)の反転信号を入力し、他の入力
端子には電圧制御遅延回路103(以下VCDと略す)
に上記外部クロック(CKext)を入力させ遅延させ
たクロック(CKout)を入力する。FIG. 10 shows a basic Delay Locked Loop.
(Hereinafter abbreviated as DLL) circuit. Phase comparator 101
An inverted signal of a reference external clock (CKext) is inputted to one input terminal of a PC (hereinafter abbreviated as PC), and a voltage control delay circuit 103 (hereinafter abbreviated as VCD) is inputted to another input terminal.
And the delayed clock (CKout) is input to the external clock (CKext).
【0005】前記VCD103は、多数の遅延回路を縦
続に接続した回路で構成されており、この遅延回路は入
力される制御電圧に応じて遅延時間が変化する。The VCD 103 is formed of a circuit in which a number of delay circuits are connected in cascade, and the delay time of this delay circuit changes according to an input control voltage.
【0006】前記のように、入力される制御電圧に応じ
て遅延時間が変化すると、VCD103は制御電圧に応
じて遅延クロック(CKout)の伝播時間を変化さ
せ、遅延クロック(CKout)の位相を変化させる事
が出来る。As described above, when the delay time changes according to the input control voltage, the VCD 103 changes the propagation time of the delay clock (CKout) according to the control voltage, and changes the phase of the delay clock (CKout). I can do it.
【0007】ここで、PC101は、遅延クロック(C
Kout)が外部クロック(CKext)より位相が遅
れているとすると、位相が遅れている期間だけ高レベル
を出力するものとする。Here, the PC 101 operates with a delay clock (C
Assuming that Kout) is delayed in phase from the external clock (CKext), a high level is output only during the period in which the phase is delayed.
【0008】この高レベルのパルスが低域通過フィルタ
102(以下LPFと略す)で積分されDCレベルにな
る。前記LPFは、一般的に抵抗と容量で構成され、ラ
グタイプやラグリードタイプのパッシブタイプの低域通
過フィルタ102が用いられる。The high-level pulse is integrated by a low-pass filter 102 (hereinafter abbreviated as LPF) to a DC level. The LPF is generally composed of a resistor and a capacitor, and a lag-type or lag-lead-type passive low-pass filter 102 is used.
【0009】以上から、LPF102の出力レベルは前
の状態と比べて高くなる。この結果VCD103は前の
伝播時間より伝播時間が短くなり、遅延クロック(CK
out)の位相は進む事になる。As described above, the output level of the LPF 102 is higher than in the previous state. As a result, the propagation time of the VCD 103 becomes shorter than the previous propagation time, and the delay clock (CK)
The phase of (out) is advanced.
【0010】この遅延クロック(CKout)が外部ク
ロック(CKext)よりまだ位相が遅れているとする
と前と同様の過程をたどり、さらに位相を進める事にな
る。If the phase of the delayed clock (CKout) is still behind the phase of the external clock (CKext), the same process as before is followed, and the phase is further advanced.
【0011】この結果逆に遅延クロック(CKout)
が外部クロック(CKext)より位相が進みすぎる
と、前とは逆にPC101は位相差と同じ期間だけ低レ
ベルを出力する。As a result, on the contrary, the delay clock (CKout)
If the phase is too advanced from the external clock (CKext), the PC 101 outputs a low level for the same period as the phase difference, contrary to the previous case.
【0012】前記低レベルのパルスはLPF102で積
分されDCレベルになる。そして、LPF102の出力
レベルは前の状態と比べて低くなる。この結果VCD1
03は前の伝播時間より伝播時間が長くなり、遅延クロ
ック(CKout)の位相は遅れる事になる。The low-level pulse is integrated by the LPF 102 to a DC level. Then, the output level of the LPF 102 becomes lower than in the previous state. As a result, VCD1
In 03, the propagation time is longer than the previous propagation time, and the phase of the delay clock (CKout) is delayed.
【0013】以上の様にして何回か遅延クロック(CK
out)と外部クロック(CKext)が比較され、た
えず位相誤差を無くすようにループが動作する。そして
最後には遅延クロック(CKout)と外部クロック
(CKext)の位相差が0 になる。As described above, several times of the delayed clock (CK)
out) and the external clock (CKext) are compared, and the loop operates so as to eliminate the phase error constantly. Finally, the phase difference between the delay clock (CKout) and the external clock (CKext) becomes zero.
【0014】この結果PC101の出力はハイ・インピ
ーダンスの状態になり、LPF102の出力レベルは前
の状態と同じレベルを保持することになり、VCD10
3も前記と同じ伝播時間を維持する。As a result, the output of the PC 101 becomes a high impedance state, and the output level of the LPF 102 maintains the same level as the previous state.
3 also maintains the same propagation time.
【0015】以上のような状態は正常に機能している状
態であり、これをDLL回路がロックしている状態とい
う。The above state is a state in which the DLL circuit is functioning normally, and is called a state in which the DLL circuit is locked.
【0016】ここで、DLL回路について説明する。Here, the DLL circuit will be described.
【0017】VCD103を構成している遅延回路の個
数をN個とすると、DLL回路がロックしている状態で
は、VCD103の入力から出力までの遅延時間(Tt
d)が一定に保たれている事から、遅延回路1個あたり
の遅延時間Tdは、 Td=Ttd/N となり、Ttdは
遅延クロック(CKout)と外部クロック(CKex
t)の比較周期に依存し、比較周期を外部クロック(C
Kext)の半周期(又は1周期)で行うと、Ttdは
外部クロック(CKext)の半周期(又は1周期)と
同じになる。Assuming that the number of delay circuits constituting the VCD 103 is N, the delay time (Tt) from the input to the output of the VCD 103 when the DLL circuit is locked.
Since d) is kept constant, the delay time Td per delay circuit is Td = Ttd / N, where Ttd is the delay clock (CKout) and the external clock (CKex).
t) depends on the comparison cycle, and the comparison cycle is determined by the external clock (C
Ttd is the same as the half cycle (or one cycle) of the external clock (CKext) if it is performed in a half cycle (or one cycle) of Kext).
【0018】そして、VCD103を構成している遅延
回路の任意のM番目から第2の遅延クロック信号である
出力クロック(CKMO)を取り出したとすると、M番
目から第2の遅延クロック(CKMO)は、外部クロッ
ク(CKext)に対する位相差がTtd×M/Nで、
外部クロック(CKext)に同期した特徴を持つ出力
クロックを生成できる。If an output clock (CKMO), which is a second delayed clock signal, is taken from an arbitrary Mth of the delay circuit constituting the VCD 103, the second delayed clock (CKMO) from the Mth is The phase difference with respect to the external clock (CKext) is Ttd × M / N,
An output clock having characteristics synchronized with the external clock (CKext) can be generated.
【0019】これは、外部クロック(CKext)に対
して、任意の位相差を持つクロック出力を内部クロック
として生成でき、多相クロック等を容易に生成する事が
出来る。With this configuration, a clock output having an arbitrary phase difference with respect to an external clock (CKext) can be generated as an internal clock, and a polyphase clock or the like can be easily generated.
【0020】また、任意の位相差を持つクロック出力ど
うしを組み合わせる事により、外部クロック(CKex
t)よりも高い周波数を生成したりする事も出来る。Further, by combining clock outputs having an arbitrary phase difference, an external clock (CKex
It is also possible to generate frequencies higher than t).
【0021】この様にDLL回路は、LSI 内部のクロッ
ク生成等の応用回路に使用する事が出来る回路である。As described above, the DLL circuit is a circuit that can be used for application circuits such as clock generation in the LSI.
【0022】次に、DLL回路のミスロック回路を示
す。前述の任意の位相差とは、通常、正常にロックして
いる状態のVCD103の入力から出力までの遅延時間
(Ttd)から設計される値である事から、ミスロック
(後述)している状態での入力から出力までの遅延時間
(Ttd)では、位相差が定まらないためクロック生成
回路として使用する場合には問題がある。Next, a mislock circuit of the DLL circuit will be described. The above-mentioned arbitrary phase difference is usually a value designed from the delay time (Ttd) from input to output of the VCD 103 in a normally locked state. In the delay time (Ttd) from the input to the output in the above, the phase difference is not determined, so that there is a problem when used as a clock generation circuit.
【0023】従って、一般的にDLL回路を使用する時
には、DLL回路をミスロック状態にしない、或はミス
ロック状態に陥った時にロック状態に復帰させるミスロ
ック防止回路が必要になっている。Therefore, in general, when a DLL circuit is used, it is necessary to provide a mislock prevention circuit that does not cause the DLL circuit to be in a mislocked state, or restores the locked state when the DLL circuit enters a mislocked state.
【0024】次に、DLL回路が持っている問題点であ
る、ミスロックについて説明する。Next, mislock, which is a problem of the DLL circuit, will be described.
【0025】図11に、正常にロックしている状態のD
LL回路の動作波形を示している。比較周期を外部クロ
ック(CKext)の半周期で行っているため、VCD
103の入力から出力までの遅延時間(Ttd)は外部
クロック(CKext)の半周期と同じになっている。FIG. 11 shows D in a normally locked state.
4 shows operation waveforms of the LL circuit. Since the comparison cycle is performed in a half cycle of the external clock (CKext), VCD
The delay time (Ttd) from the input to the output of 103 is the same as the half cycle of the external clock (CKext).
【0026】次に図12に、ミスロックしている状態の
DLL回路の動作波形を示している。FIG. 12 shows operation waveforms of the DLL circuit in the state of mislock.
【0027】VCD103の入力から出力までの遅延時
間(Ttd)は外部クロック(CKext)の1.5周
期と同じになっていて、VCD103の遅延時間は正常
にロックしている状態の3倍の遅延時間となっている。The delay time (Ttd) from the input to the output of the VCD 103 is the same as 1.5 cycles of the external clock (CKext), and the delay time of the VCD 103 is three times as long as the normally locked state. It's time.
【0028】しかしながら、遅延クロック(CKou
t)と外部クロック(CKext)の位相が合っている
ために、PC101は位相差が無いために動作せず、D
LL回路は正常では無いもののロックしている状態とな
っている(位相差なしで正常と見なされてしまい、ロッ
クしてしまっている)。However, the delayed clock (CKou)
t) and the external clock (CKext) are in phase with each other, and the PC 101 does not operate because there is no phase difference.
The LL circuit is not normal but is locked (it is considered normal without a phase difference and locked).
【0029】以上のように、図11に示す正常にロック
している状態とは異なるロック状態を、ミスロック状態
になっているという。As described above, a locked state different from the normally locked state shown in FIG. 11 is called a mislocked state.
【0030】正常ロック状態では、VCD103の入力
から出力の間(Ttd)に1つの波形しか存在しない
(図11参照)ものが、ミスロック状態は、複数の波形
が存在(図12参照)しており、複数の波形がVCD1
03の入力から出力の間に蓄積きれている状態とも言い
換える事が出来る。In the normally locked state, only one waveform exists between the input and output of the VCD 103 (Ttd) (see FIG. 11). In the mislocked state, a plurality of waveforms exist (see FIG. 12). And multiple waveforms are VCD1
In other words, it can be rephrased as a state where the data is completely accumulated between the input and the output of No. 03.
【0031】蓄積される波形の数は、VCD103の遅
延回路の個数Nに依存するために、入力から出力の間の
遅延時間は、比較周期を外部クロック(CKext)の
半周期で行っている場合には、3倍、5倍、7 倍、〜
N/2倍の奇数倍の遅延時間が存在可能となる(1倍時
が正常ロック状態で、それ以上はすべてミスロック状態
となる。図16参照)。Since the number of stored waveforms depends on the number N of delay circuits of the VCD 103, the delay time between input and output is determined when the comparison cycle is set to a half cycle of the external clock (CKext). 3 times, 5 times, 7 times, ~
An odd-numbered delay time of N / 2 times can be present (normal time is in the normal lock state at the time of 1 time, and all other times are in the mislock state; see FIG. 16).
【0032】また、比較周期を外部クロック(CKex
t)の1周期で行っている場合には、2倍、4 倍、6
倍、〜N/2倍の偶数倍の遅延時間が存在可能となる。Further, the comparison cycle is set to an external clock (CKex
If the operation is performed in one cycle of t), it is doubled, quadrupled, and 6 times.
The delay time can be an even multiple of N times or N times.
【0033】図13に前記ミスクロックを防ぐための従
来のミスロック防止回路を示した。FIG. 13 shows a conventional mislock prevention circuit for preventing the misclock.
【0034】図13、図16に示すように、立ち上がり
エッジを比較するPC101の場合に、外部クロック
(CKext)の立ち下がりのタイミングでVCD10
3の入力から出力の間の4 点(図13中、CK1D、
CK2D、CK3D、CK4D)を検出し、1カ所でも
低レベルの状態を検出したらPC101の出力を高レベ
ルに引き上げる動作を行う。As shown in FIGS. 13 and 16, in the case of the PC 101 comparing the rising edges, the VCD 10 is output at the falling timing of the external clock (CKext).
Four points between input 3 and output 3 (CK1D,
CK2D, CK3D, and CK4D), and the operation of raising the output of the PC 101 to a high level is performed when a low level state is detected in any one place.
【0035】図14は正常ロック状態のミスロック防止
回路の動作波形を示している。FIG. 14 shows operation waveforms of the mislock prevention circuit in the normally locked state.
【0036】正常ロック状態では、VCD103の入力
から出力の間の4 つの検出点(図13中のCK1D、
CK2D、CK3D、CK4D)は高レベルのために、
このミスロック防止回路は動作せず、DLL回路には何
ら影響を与えない(図16のmodel1参照)。In the normal lock state, four detection points (CK1D, CK1D,
CK2D, CK3D, CK4D)
This mislock prevention circuit does not operate, and has no effect on the DLL circuit (see model 1 in FIG. 16).
【0037】次に図15にロックしていない状態のミス
ロック防止回路の動作波形を示している。ロックしてい
ない状態では、VCD103の入力から出力の間に複数
の波形が蓄積されているために、4 つの検出点は低レ
ベルと高レベルが混在した状態となっている。FIG. 15 shows the operation waveforms of the unlocked circuit in the unlocked state. In the unlocked state, since a plurality of waveforms are accumulated between the input and the output of the VCD 103, the four detection points are in a state where the low level and the high level are mixed.
【0038】すると外部クロック(CKext)の立ち
下がりのタイミングでPON 信号が低レベルとなり、P
MOS1がON状態となって、PC101の出力を高レ
ベルに引き上げる動作を行う。Then, the PON signal goes low at the falling timing of the external clock (CKext),
When the MOS1 is turned on, the operation of raising the output of the PC 101 to a high level is performed.
【0039】するとLPF102の出力レベルも高レベ
ルになり、この結果VCD103は前の伝播時間より伝
播時間が短くなり、遅延クロック(CKout)の位相
は進む事になる。Then, the output level of the LPF 102 also becomes high. As a result, the propagation time of the VCD 103 becomes shorter than the previous propagation time, and the phase of the delay clock (CKout) is advanced.
【0040】そして、VCD103の入力から出力の間
に蓄積されていた複数の波形は、遅延時間が短くなるに
従つて出力されていき、遅延クロック(CKout)と
外部クロック(CKext)の位相差Ttdが、半周期
以内になるとミスロック防止回路の動作が停止して、通
常のPC101の出力によるフィードバック制御にな
り、正常なロック状態に引き込まれる(図16のMod
e1参照)。The plurality of waveforms stored between the input and output of the VCD 103 are output as the delay time becomes shorter, and the phase difference Ttd between the delay clock (CKout) and the external clock (CKext) is output. However, within a half cycle, the operation of the mislock prevention circuit stops, the feedback control is normally performed by the output of the PC 101, and the normal lock state is drawn (Mod in FIG. 16).
e1).
【0041】図16に、DLL回路のロック状態におけ
るVCD103の入力から出力までの動作状態を示し
た。FIG. 16 shows an operation state from input to output of the VCD 103 in the locked state of the DLL circuit.
【0042】図16に示すように、Mode1からMo
de15の7つのモードの動作状態を示している。As shown in FIG. 16, from Mode 1 to Mo
The operation states of seven modes of de15 are shown.
【0043】この動作状態においては、比較周期を外部
クロック(CKext)の半周期で行っているために奇
数個のモードとなり(図16参照。Mode1において
は半周期が1つ、Mode3においては半周期が3つの
ようになっている)、比較周期を1周期で行うと偶数個
のモードとなる(図示せず)。In this operation state, since the comparison cycle is performed in a half cycle of the external clock (CKext), an odd number of modes are provided (see FIG. 16. Mode 1 has one half cycle, and Mode 3 has a half cycle). Are three), and when the comparison cycle is performed in one cycle, an even number of modes are provided (not shown).
【0044】従来のDLL回路では、Mode1の状態
を想定して設計を行っているために、Mode1を正常
にロックしている状態といい、Mode3以上をミスロ
ックしている状態という。In the conventional DLL circuit, since the design is performed assuming the state of Mode 1, it is called a state in which Mode 1 is normally locked, and a state in which Mode 3 or more is mislocked.
【0045】このとき、Mode1においては半周期
が、前記遅延クロック(CKout)と外部クロック
(CKext)の位相差Ttdと同じ長さであるので、
ロックしている。しかし、前記位相差Ttdと同じ長さ
に半周期が3以上の奇数個入った状態(mode3以
上)においても、ロックしてしまう問題があった。At this time, in Mode 1, a half cycle has the same length as the phase difference Ttd between the delayed clock (CKout) and the external clock (CKext).
Locked. However, there is a problem that locking occurs even when an odd number of half-cycles of 3 or more are included in the same length as the phase difference Ttd (mode 3 or more).
【0046】ここで、図13の従来のミスロック防止回
路における4 つの検出点CK1DからCK4Dを、図
16に示す様にVCD103の入力から出力までの間に
配置したとすると、Mode15では4 つの検出点が
全て高レベルであるために、mode1と同様(正常な
状態)と判断されてしまい、従来のミスロック防止回路
では検出できていない事が解る(mode1以外はすべ
て正常な状態ではない)。If four detection points CK1D to CK4D in the conventional mislock prevention circuit of FIG. 13 are arranged between the input and output of the VCD 103 as shown in FIG. Since all the points are at the high level, it is determined that the state is the same as in the mode 1 (normal state), and it is understood that the conventional mislock prevention circuit has not been able to detect the state (other than the mode 1 is not in a normal state).
【0047】前記、VCD103の入力から出力までの
間に配置する4 つの検出点の配置方法は、通常はミス
ロック(図16における低レベルの状態)検出の感度を
向上させるために、等間隔には配置せずに、ミスロック
状態のときに比較的に低レベルになり易い場所へ配置し
ている。The method of arranging the four detection points between the input and the output of the VCD 103 is usually performed at regular intervals in order to improve the sensitivity of mislock (low-level state in FIG. 16) detection. Are not arranged, but are arranged in a place where the level tends to be relatively low in the mislock state.
【0048】しかしながら、図16の配置ではMode
13がミスロック状態を検出可能かどうか徹妙なところ
で、Mode15以降は完全に検出できていない。However, in the arrangement of FIG.
It is delicate whether or not 13 can detect the mislock state.
【0049】従って、Mode15以降のミスロック状
態を防止するためには、VCD103の入力から出力ま
での間に配置する検出点の数を増やす必要があり、ミス
ロック防止世路の回路規模を大きくする必要性があっ
た。Therefore, in order to prevent a mislock state after Mode 15, it is necessary to increase the number of detection points arranged between the input and the output of the VCD 103, thereby increasing the circuit scale of the mislock prevention circuit. There was a need.
【0050】また、ミスロック状態のモード数の最大値
は、VCD103を構成している遅延回路の個数Nに依
存しており、理論上mode(N/2)まで存在すると
考えられるため、全てのミスロック状態を検出するため
には、VCD103の入力から出力までの間に配置する
検出点の数を(N/2)個とする必要性がある。Further, the maximum value of the number of modes in the mislock state depends on the number N of delay circuits constituting the VCD 103, and it is considered that the number of modes is theoretically up to mode (N / 2). In order to detect a mislock state, it is necessary to set the number of detection points arranged between the input and output of the VCD 103 to (N / 2).
【0051】これは、遅延回路の個数Nを多くすると、
ミスロック防止回路の回路規模が大きくなり、コスト的
な問題を生じる。遅延回路の個数Nを増やさないと、微
小な位相差を生成する事が出来なくなるために、機能的
に問題があった。This is because if the number N of delay circuits is increased,
The circuit scale of the mislock prevention circuit becomes large, which causes a cost problem. Unless the number N of the delay circuits is increased, it becomes impossible to generate a minute phase difference, and there is a functional problem.
【0052】また、その他のミスロック状態を回避する
手法としては、遅延回路の最大遅延時間を制限する方法
が考えられるが、通常の遅延回路では、制御電圧(VC
D)3が接地電位になるとトランジスタがカットオフす
るために、停止状態となってしまう。As another method of avoiding the mislock state, a method of limiting the maximum delay time of the delay circuit can be considered. However, in a normal delay circuit, the control voltage (VC
D) When 3 becomes the ground potential, the transistor is cut off, so that the transistor is stopped.
【0053】つまり、遅延回路の最大遅延時間は無限大
となり、ミスロック状態のモード数の最大値も、VCD
103を構成している遅延回路の個数Nに依存してMo
de(N/2)まで存在する事となる。That is, the maximum delay time of the delay circuit becomes infinite, and the maximum value of the number of modes in the mislock state is also VCD
Mo depending on the number N of delay circuits constituting
There will be up to de (N / 2).
【0054】そこで、遅延回路の最大遅延時間を制限す
ると、VCD103の入力から出力までの遅延時間(T
td)の最大値(TtdMAX)と外部クロック(CK
ext)の周波数(FCKext)でミスロック状態の
モード数の最大値は、 2×(TtdMAX)×(FC
Kext)で制限される。従って、従来のミスロック防
止回路でもVCD103の入力から出力までの間に配置
する検出点の数を増やさずに使用する事が出来る。Therefore, if the maximum delay time of the delay circuit is limited, the delay time (T
td) and the external clock (CK)
ext) at the frequency (FCKext), the maximum number of modes in the mislock state is 2 × (TtdMAX) × (FC
Kext). Therefore, the conventional mislock prevention circuit can be used without increasing the number of detection points arranged between the input and output of the VCD 103.
【0055】この場合の問題点は、遅延回路の最大遅延
時間を制限する方法において、遅延回路に回路を追加す
るか、制御回路に回路を追加するかの違いはあるものの
いずれにしても回路が増える点と、遅延回路の遅延時間
を制限している事などから、御範囲の低減によるアプリ
ケーション上の制約や動作マージンの低減等の問題点が
考えられる。The problem in this case is that in the method of limiting the maximum delay time of the delay circuit, there is a difference whether a circuit is added to the delay circuit or a circuit is added to the control circuit. From the point of increase and the limitation of the delay time of the delay circuit, there may be problems such as restrictions on applications due to reduction of the control range and reduction of operation margin.
【0056】[0056]
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
においては、構造の微細化、LSI の動作スピードを向上
させたり、さらなる処理性能の向上が求められてきてい
る。このことにより、メモリやCPU等の動作クロック
の高速化の要求が高くなってきている。In recent years, in semiconductor integrated circuits, there has been a demand for miniaturization of the structure, improvement of the operation speed of the LSI, and further improvement of the processing performance. As a result, there is an increasing demand for faster operation clocks for memories and CPUs.
【0057】このことから、前記メモリやCPU、DS
Pなどに用いられているDLL回路の信頼性の向上が求
められてきており、従来のDLL回路においては、正常
にロックしている状態の遅延時間(Ttd)から設計さ
れる値である事から、ミスロック(正常ロックでない状
態)している状態での入力から出力までの遅延時間(T
td)では、位相差が定まらないためクロック生成回路
として使用する場合には問題があった。From this, the memory, CPU, DS,
It is required to improve the reliability of the DLL circuit used for the P and the like. In the conventional DLL circuit, the value is designed based on the delay time (Ttd) in a normally locked state. , The delay time from input to output (T
In the case of td), there is a problem when used as a clock generation circuit because the phase difference is not determined.
【0058】従って、一般的にDLL回路を使用する時
には、DLL回路をミスロック状態にしない、或はミス
ロック状態に陥った時にロック状態に復帰させるミスロ
ック防止回路が必要であった。Therefore, in general, when a DLL circuit is used, it is necessary to provide a mislock prevention circuit for preventing the DLL circuit from being in a mislocked state or for returning to the locked state when the DLL circuit is in a mislocked state.
【0059】本発明は前記のことに鑑み、ミスロックを
起こさない信頼性の高いミスロック防止機能を有するD
LL回路を提供することにある。In view of the above, the present invention provides a D having a highly reliable mislock prevention function that does not cause mislock.
An LL circuit is provided.
【0060】[0060]
【課題を解決するための手段】本発明によるミスロック
防止機能を有するDLL回路は、基準クロック信号に対
し所定の遅延時間を有する第1の遅延クロック信号を出
力する電圧制御遅延回路と、ここで前記電圧制御遅延回
路は制御電圧により遅延時間が制御され、さらに前記遅
延時間より短い遅延時間す有する第2の遅延クロック信
号を出力し、前記第1の遅延クロック信号と前記基準ク
ロック信号間の位相差に対応する誤差信号を出力する位
相比較器と、前記誤差信号に応じて前記電圧制御遅延回
路の遅延時間を制御する前記制御電圧を生成する制御電
圧生成手段と、前記第2の遅延クロック信号に応じて前
記基準クロック信号の前記電圧制御遅延回路への通過を
制限するマスク回路とを具備するDLL回路である。According to the present invention, there is provided a DLL circuit having a mislock prevention function, comprising: a voltage control delay circuit for outputting a first delay clock signal having a predetermined delay time with respect to a reference clock signal; The voltage control delay circuit has a delay time controlled by a control voltage, outputs a second delay clock signal having a delay time shorter than the delay time, and outputs a second delay clock signal between the first delay clock signal and the reference clock signal. A phase comparator that outputs an error signal corresponding to the phase difference, control voltage generation means that generates the control voltage that controls a delay time of the voltage control delay circuit in accordance with the error signal, and the second delay clock signal And a mask circuit that restricts passage of the reference clock signal to the voltage control delay circuit in accordance with
【0061】そして、本発明の前記マスク回路は、前記
基準クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)と前記第
2の遅延クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)を検
出するRSフリップフロップと、前記RSフリップフロ
ップの出力と前記基準クロック信号を入力し、前記RS
フリップフロップの出力信号に応じて、入力された前記
基準クロック信号をそのまま出力して前記電圧制御遅延
回路へ入力させるか、または高レベルか低レベルの固定
信号を出力して前記電圧制御遅延回路へ入力させること
により、入力された前記基準クロック信号を通過させな
いように動作する回路とを具備するDLL回路である。The mask circuit according to the present invention further comprises an RS flip-flop for detecting a rising (falling) of the reference clock signal and a rising (falling) of the second delayed clock signal; Output and the reference clock signal,
According to the output signal of the flip-flop, the input reference clock signal is directly output and input to the voltage control delay circuit, or a high-level or low-level fixed signal is output to the voltage control delay circuit. And a circuit that operates so as not to pass the input reference clock signal by inputting the same.
【0062】また、本発明の前記マスク回路は、前記第
2の遅延クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)を検
出してパルスを出力する遅延クロツク検出回路と、前記
基準クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)と前記遅
延クロック検出回路の出力パルスの立ち上がり(立ち下
がり)を検出するRSフリップフロップと、前記RSフ
リップフロップの出力と前記基準クロック信号を入力
し、前記RSフリップフロップの出力信号に応じて入力
された前記基準クロツク信号をそのまま出力して前記電
圧制御遅延回路へ入力させるか、または高レベルか低レ
ベルの固定信号を出力して前記電圧制御遅延回路へ入力
させて入力された前記基準クロツク信号を通過させない
ように動作する回路とを具備するDLL回路である。Further, the mask circuit of the present invention includes a delay clock detecting circuit for detecting a rise (fall) of the second delay clock signal and outputting a pulse, and a rise (fall) of the reference clock signal. And an RS flip-flop for detecting a rising (falling) edge of an output pulse of the delay clock detection circuit; an output of the RS flip-flop and the reference clock signal being input, and input according to an output signal of the RS flip-flop. The reference clock signal is output as it is and input to the voltage control delay circuit, or a high or low level fixed signal is output and input to the voltage control delay circuit, and the input reference clock signal is input to the voltage control delay circuit. And a circuit that operates so as not to pass through.
【0063】また、本発明の前記マスク回路は、前記第
2の遅延クロック信号を入力し、片側のエッジが前記基
準クロック信号に同期し、もう一方のエッジが前記第2
の遅延クロック信号に同期したクロックパルスを出力し
て前記電圧制御遅延回路に入力するDLL回路である。Further, the mask circuit of the present invention receives the second delayed clock signal, and has one edge synchronized with the reference clock signal and the other edge synchronized with the second clock signal.
And a DLL circuit that outputs a clock pulse synchronized with the delayed clock signal and inputs the clock pulse to the voltage control delay circuit.
【0064】また、本発明の前記マスク回路は、前記第
2の遅延クロック信号を入力し、入力された前記基準ク
ロック信号の立ち上がり(立ち下がり)に同期した立ち
上がリ(立ち下がり)エッジと、入力された前記第2の
遅延クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)に同期し
た立ち下がり(立ち上がり)エッジとからなる出力パル
スを生成し、この生成された出力パルスを前記電圧制御
遅延回路に入力するDLL回路である。Further, the mask circuit of the present invention receives the second delayed clock signal, and sets a rising edge (falling edge) in synchronization with a rising edge (falling edge) of the input reference clock signal. Generates an output pulse composed of a falling (rising) edge synchronized with a rising (falling) edge of the input second delayed clock signal, and inputs the generated output pulse to the voltage control delay circuit. DLL circuit.
【0065】また、本発明の前記マスク回路は、前記第
2の遅延クロック信号を入力し、入力された前記基準ク
ロック信号の立ち上がり(立ち下がり)エッジを検出す
る前記基準クロック信号用フリップフロップと、入力さ
れた前記第2の遅延クロック信号の立ち上がり(立ち下
がり)エッジを検出する前記第2の遅延クロック信号用
フリップフロップとを具備し、前記基準クロック信号用
フリップフロップは入力された前記基準クロック信号の
立ち上がり(立ち下がり)エッジを検出して出力をセツ
トし、前記第2の遅延クロック用フリップフロップは入
力された前記第2の遅延クロック信号の立ち上がり(立
ち下がり)エッジを検出して前記基準クロック信号用フ
リップフロップの出力をリセットし、そしてこの前記基
準クロック信号用フリツプフロップの出力パルスを前記
電圧制御遅延回路に入力するDLL回路である。The mask circuit of the present invention further comprises: the reference clock signal flip-flop for receiving the second delayed clock signal and detecting a rising (falling) edge of the input reference clock signal; A second delayed clock signal flip-flop for detecting a rising (falling) edge of the input second delayed clock signal, wherein the reference clock signal flip-flop is connected to the input reference clock signal. The second delayed clock flip-flop detects the rising (falling) edge of the input second delayed clock signal and detects the rising (falling) edge of the reference clock. Reset the output of the signal flip-flop, and The output pulse of Ritsupufuroppu a DLL circuit for inputting to the voltage controlled delay circuit.
【0066】また、本発明の前記基準クロック信号は、
外部クロック信号を2分の1分周器により分周したクロ
ック信号であるDLL回路であり、前記位相比較器は前
記第1の遅延クロック信号と前記基準クロック信号間の
各立ち上がりエッジの位相差を比較するDLL回路であ
り、前記電圧制御遅延回路は、複数の遅延回路を従属接
続した構成を有し、前記第2の遅延クロック信号は前記
複数の遅延回路のうちのいずれかの遅延回路から出力さ
れるDLL回路である。Further, the reference clock signal of the present invention is:
A DLL circuit that is a clock signal obtained by dividing an external clock signal by a half frequency divider, wherein the phase comparator determines a phase difference between each rising edge between the first delayed clock signal and the reference clock signal. A DLL circuit for comparison, wherein the voltage control delay circuit has a configuration in which a plurality of delay circuits are cascaded, and the second delay clock signal is output from any one of the plurality of delay circuits. Is a DLL circuit.
【0067】また本発明の前記マスク回路は、前記基準
クロック信号の立上がりエッジによりその出力を高レベ
ルに保持することにより前記基準クロック信号をマスク
し、高レベルとなった前記マスク回路の出力が前記電圧
制御遅延回路の中を伝搬し前記第2の遅延クロック信号
が高レベルになるとマスクを解除して前記基準クロック
信号を通過させるDLL回路である。The mask circuit of the present invention masks the reference clock signal by holding its output at a high level at the rising edge of the reference clock signal, and outputs the high level output of the mask circuit to the mask circuit. A DLL circuit that propagates through the voltage control delay circuit and releases the mask when the second delayed clock signal goes high, and passes the reference clock signal.
【0068】[0068]
【発明の実施の形態】本発明は以下の実施の形態を図面
を用いて説明するが、本発明はここで説明する実施の形
態に限定されるものではない。下記実施の形態は発明の
目的を逸脱しない限りにおいて多様に変形することがで
きる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the embodiments described here. The following embodiments can be variously modified without departing from the object of the invention.
【0069】本発明の実施の形態を以下に図1から図9
を用いて説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【0070】図1に本発明の基本的なDLLの回路図を
示す。FIG. 1 shows a basic DLL circuit diagram of the present invention.
【0071】本発明は、比較周期を外部クロック(CK
ext)の半周期で行っているために、外部クロック
(CKext)のデューティ(1周期におけるハイレベ
ルとローレベルの比)を50 %にするために、外部クロ
ック(CKext)の入力部に2分の1の分周器5を入
れている。According to the present invention, the comparison cycle is set to an external clock (CK).
ext), so that the duty of the external clock (CKext) (the ratio of the high level to the low level in one cycle) is 50%. 1 frequency divider 5 is inserted.
【0072】この分周器5の出力(CK2)は、基準ク
ロック信号としてミスロック防止の機能を持つマスク回
路4に入力され、マスク回路4の出力が電圧制御遅延回
路(VCD)3に入力される。The output (CK2) of the frequency divider 5 is input as a reference clock signal to a mask circuit 4 having a function of preventing mislock, and the output of the mask circuit 4 is input to a voltage control delay circuit (VCD) 3. You.
【0073】位相比較器1(以下PCとする)は、入力
クロックの立ち上がりエッジのみを比較するタイプのも
のを使用する事から、電圧制御遅延回路(VCD)3に
入力された入力クロックの立ち上がりエッジを遅延させ
た出力クロック(CKout)と分周期5の出力(CK
2)の反転信号(CKref)を比較して、両者の位相
差に応じた誤差信号(Verr)を出力する。Since the phase comparator 1 (hereinafter referred to as PC) is of a type that compares only the rising edge of the input clock, the rising edge of the input clock input to the voltage control delay circuit (VCD) 3 is used. Output clock (CKout) and output (CK
The inverted signal (CKref) of 2) is compared, and an error signal (Verr) corresponding to the phase difference between the two is output.
【0074】この誤差信号(Verr)は制御電圧生成
手段である低域通過フィルタ(LPF)2で積分され、
電圧制御遅延回路(VCD)3の遅延時間を制御する制
御信号(VcoNt)を出力する。This error signal (Verr) is integrated by a low-pass filter (LPF) 2 which is a control voltage generating means.
A control signal (VcoNt) for controlling the delay time of the voltage control delay circuit (VCD) 3 is output.
【0075】以上のフィードバックループと呼ばれる制
御により、電圧制御遅延回路(VCD)3の遅延時間
が、入力クロックの半周期になるように保たれ、DLL
回路として機能する事が出来る。By the above-described control called a feedback loop, the delay time of the voltage control delay circuit (VCD) 3 is maintained to be a half cycle of the input clock, and the DLL is controlled.
It can function as a circuit.
【0076】図2は本発明で使用しているミスロック防
止の機能を持つマスク回路4の実施例を示している。FIG. 2 shows an embodiment of a mask circuit 4 having a function of preventing mislock used in the present invention.
【0077】図1、図2に示すように、2分の1の分周
器5の出力(CK2)と電圧制御遅延回路(VCD)3
の入力から出力の間の途中の第2の遅延クロック(CK
MO)を2入力NORで構成されるRSフリップフロッ
プ23に入力し、RSフリップフロップの出力(RS
O)と2分の1の分周器5の出力(CK2)を入力した
2入力NORの出力を反転した信号(CKiN)をマス
ク回路4の出力として取り出す構成となっている。As shown in FIGS. 1 and 2, the output (CK2) of the half frequency divider 5 and the voltage control delay circuit (VCD) 3
Of the second delay clock (CK
MO) is input to an RS flip-flop 23 composed of a two-input NOR, and the output (RS
O) and a signal (CKiN) obtained by inverting the output of the two-input NOR which receives the output (CK2) of the half frequency divider 5 as an output of the mask circuit 4.
【0078】PC1は、入力クロックの立ち上がりエッ
ジのみを比較するタイプのものを使用する事から、2分
の1の分周器5の出力(CK2)の立ち上がりエッジを
マスク回路4中のRSフリップフロップが検出すると、
RSフリップフロップの出力(RSO)(図示せず)
は、高レベルとなり、マスク回路4の出力(CKiN)
は、2分の1の分周器5の出力(CK2)の信号に関係
無く高レベルを保持する。Since the PC 1 is of a type that compares only the rising edge of the input clock, the rising edge of the output (CK 2) of the half frequency divider 5 is used as the RS flip-flop in the mask circuit 4. Is detected,
Output of RS flip-flop (RSO) (not shown)
Becomes a high level, and the output (CKiN) of the mask circuit 4
Holds a high level regardless of the signal of the output (CK2) of the half frequency divider 5.
【0079】前記高レベルとなったマスク回路4の出力
(CKiN)は、電圧制御遅延回路(VCD)3に入力
されて、電圧制御遅延回路(VCD)3の中を伝播して
いき、途中の出力端子から第2の遅延クロック(CKM
O)として出力されマスク回路4に戻ってくる(図1参
照)。The high level output (CKiN) of the mask circuit 4 is input to the voltage control delay circuit (VCD) 3 and propagates through the voltage control delay circuit (VCD) 3. From the output terminal, the second delay clock (CKM
O) and returns to the mask circuit 4 (see FIG. 1).
【0080】前記戻ってきた第2の遅延クロック(CK
MO)が高レベルになると、マスク回路4中のRSフリ
ップフロップの出力(RSO)をリセットし、低レベル
とする。The returned second delayed clock (CK)
When MO) goes high, the output (RSO) of the RS flip-flop in the mask circuit 4 is reset to low.
【0081】RSフリップフロップの出力(RSO)が
低レベルとなるとマスク回路4の出力(CKiN)には
2分の1の分周器5の出力(CK2)がスルーして出力
される。When the output (RSO) of the RS flip-flop goes low, the output (CK2) of the half frequency divider 5 passes through the output (CKiN) of the mask circuit 4 and is output.
【0082】従って、高レベルとなったマスク回路4の
出力(CKiN)は、電圧制御遅延回路(VCD)3に
入力されて、電圧制御遅延回路(VCD)3の中を伝播
していき、途中の出力端子から第2の遅延クロック(C
KMO)として出力きれマスク回路4に戻ってくる間
は、2分の1の分周器5の出力(CK2)をマスク回路
4は2分の1の分周器の出力(CK2)を電圧制御遅延
回路(VCD)3へ通さずにマスクする。Therefore, the output (CKiN) of the mask circuit 4 which has become high level is input to the voltage control delay circuit (VCD) 3 and propagates through the voltage control delay circuit (VCD) 3 and From the output terminal of the second delay clock (C
(KMO), the output of the half frequency divider 5 (CK2) is controlled by the masking circuit 4 while the output (CK2) of the half frequency divider 5 is voltage controlled while returning to the output cutoff mask circuit 4 as KMO). Mask without passing through the delay circuit (VCD) 3.
【0083】この動作により、電圧制御遅延回路(VC
D)3の入力から第2の遅延クロック(CKMO)を出
力する途中の出力端子までの間には1つの波形しか入力
されないために、ミスロックの状態である複数の波形が
電圧制御遅延回路(VCD)3内に蓄積されるという問
題を回避する事が可能となる。By this operation, the voltage control delay circuit (VC
D) Since only one waveform is input between the input of 3 and the output terminal on the way to output the second delay clock (CKMO), a plurality of mislocked waveforms are output from the voltage-controlled delay circuit ( VCD) 3 can be avoided.
【0084】また、このDLL回路の位相比較器の比較
周期を基準クロック信号の半周期で行っている場合に
は、第2の遅延クロック(CKMO)を取り出す途中の
出力端子の位置は、図1中のVCD3の動作状態におい
てMode3以降を回避できれば良い事から(図16参
照。Mode3以降のMode5,7, 9はミスロック
状態である)、電圧制御遅延回路(VCD)3を構成す
る遅延回路の個数Nに対してN/3個以上後から第2の
遅延クロック信号(CKMO)の出力端子を取り出せば
良い事が解る。When the comparison cycle of the phase comparator of the DLL circuit is performed by a half cycle of the reference clock signal, the position of the output terminal in the middle of extracting the second delay clock (CKMO) is as shown in FIG. Since it is only necessary to avoid Mode 3 and later in the operation state of VCD 3 in the middle (see FIG. 16; Modes 5, 7, and 9 after Mode 3 are in the mislock state), the delay circuit constituting the voltage control delay circuit (VCD) 3 It can be understood that the output terminal of the second delayed clock signal (CKMO) should be taken out after N / 3 or more with respect to the number N.
【0085】図3、図4に本発明のミスロック防止回路
を使用したときのDLL回路の動作波形を示す。FIGS. 3 and 4 show operation waveforms of the DLL circuit when the mislock prevention circuit of the present invention is used.
【0086】また、図3は、正常にロックしている状態
の動作波形を示し、マスク回路4(図1参照)中のRS
フリップフロップの出力(以下RSOとする)がDLL
回路のフィードバック制御に何ら影響を与えていない事
がわかる。FIG. 3 shows an operation waveform in a normally locked state, in which the RS in the mask circuit 4 (see FIG. 1) is shown.
The output of the flip-flop (hereinafter referred to as RSO) is DLL
It can be seen that there is no influence on the feedback control of the circuit.
【0087】次に図4は、電圧制御遅延回路(VCD)
3の遅延時間が正常動作時の3倍時の動作波形を示して
いる。FIG. 4 shows a voltage control delay circuit (VCD).
3 shows operation waveforms when the delay time of 3 is three times that of normal operation.
【0088】正常ロック状態(図3参照)での遅延時間
(Ttd)が、図4の正常動作時の3倍になっているの
がわかる。It can be seen that the delay time (Ttd) in the normal lock state (see FIG. 3) is three times that in the normal operation in FIG.
【0089】このとき、マスク回路4(図1参照)が無
い状態では、ミスロックを生ずる状態(例えば図4の状
態)においても、マスク回路4により、CKout側の
信号がマスクされるために(Ttdにおいて立ち上が
り、立ち下がりをマスクして波形が現れないようにして
いる。)PC1は、高レベルの誤差信号(Verr)を
出力、マスクし、正常に動作している事が解る。At this time, if there is no mask circuit 4 (see FIG. 1), the signal on the CKout side is masked by the mask circuit 4 even in a state where a mislock occurs (for example, the state of FIG. 4). The rising and falling edges are masked at Ttd to prevent the waveform from appearing.) PC1 outputs and masks a high-level error signal (Verr), indicating that it is operating normally.
【0090】また、図1において、電圧制御遅延回路
(VCD)3の遅延時間(Ttd)の精度を厳密に議論
する必要性がある場合には、図5に示すようにDLL回
路のPC1の基準クロック側にセレクタ回路22を挿入
し、マスク回路4中のRSフリップフロップの出力(R
SO)で制御させ、前記RSO信号が高レベル(このと
きにマスク回路が動作し、低レベルと同じ状態にマスク
する)時には2分の1の分周器5の出力(CK2)を基
準クロック(CKref)として選択する。In FIG. 1, when it is necessary to strictly discuss the precision of the delay time (Ttd) of the voltage control delay circuit (VCD) 3, as shown in FIG. The selector circuit 22 is inserted on the clock side, and the output of the RS flip-flop in the mask circuit 4 (R
SO), and when the RSO signal is at a high level (the mask circuit operates at this time and masks to the same state as the low level), the output (CK2) of the 1/2 frequency divider 5 is used as a reference clock (CK). CKref).
【0091】また、前記RSO信号が低レベル時(この
とき、マスク回路は解除状態になる)にはマスク回路4
の出力(CKiN)を基準クロック(CKref)とし
て選択する。When the RSO signal is low (at this time, the mask circuit is released), the mask circuit 4
(CKiN) is selected as a reference clock (CKref).
【0092】これにより、マスク回路4の遅延時間(T
td)による電圧制御遅延回路(VCD)3の遅延時間
(Ttd)の誤差要因を回避する事が可能となる。As a result, the delay time (T
It is possible to avoid an error factor of the delay time (Ttd) of the voltage control delay circuit (VCD) 3 due to the time td).
【0093】次に図6を用いて本発明の第2の実施の形
態を説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0094】図6は本発明で使用しているミスロック防
止の機能を持つマスク回路4の詳細な回路である。FIG. 6 is a detailed circuit diagram of the mask circuit 4 having the function of preventing mislock used in the present invention.
【0095】図6に示すように、2分の1の分周器5の
出力(CK2)と電圧制御遅延回路(VCD)3の入力
から出力の間の途中の遅延クロック(CKMO)に遅延
回路61、NOR24を通った2入力NOR25で構成
されるRSフリップフロップ62(NOR25,NOR
26から構成される)に入力し、RSフリップフロップ
62の出力(RSO)と2分の1の分周器5の出力(C
K2)を入力した2入力NOR27の出力をインバータ
28で反転させた信号(CKiN)をマスク回路4(図
5参照)の出力として取り出す。As shown in FIG. 6, a delay circuit (CKMO) on the way between the output (CK2) of the half frequency divider 5 and the input to the output of the voltage control delay circuit (VCD) 3 is used as a delay circuit. 61, an RS flip-flop 62 composed of a two-input NOR 25 passing through a NOR 24 (NOR 25, NOR 25)
26, and the output (RSO) of the RS flip-flop 62 and the output (C
A signal (CKiN) obtained by inverting the output of the 2-input NOR 27 to which K2) has been input by the inverter 28 is extracted as the output of the mask circuit 4 (see FIG. 5).
【0096】図6に示した回路では、図2と同様に、2
分の1の分周器5の出力(CK2)の立ち上がりエッジ
をマスク回路4(図5参照)が検出すると、マスク回路
4の出力(KiN)は高レベルに変化し、2分の1の分
周器5の出力(CK2)の信号に関係無く高レベルを保
持する。In the circuit shown in FIG. 6, as in FIG.
When the masking circuit 4 (see FIG. 5) detects the rising edge of the output (CK2) of the 1/2 frequency divider 5, the output (KiN) of the masking circuit 4 changes to a high level, and The high level is maintained regardless of the signal of the output (CK2) of the frequency divider 5.
【0097】次に、電圧制御遅延回路(VCD)3の途
中の出力端子から出力される遅延クロック(CKMO)
の立ち上がりエッジをマスク回路4が検出すると、マス
ク回路4の出力(CKiN)は低レベルに変化し、マス
ク状態が解除されて、2分の1の分周器5の出力(CK
2)がスルーしてマスク回路4の出力(CKiN)から
出力される。Next, a delayed clock (CKMO) output from an output terminal in the middle of the voltage control delay circuit (VCD) 3
When the mask circuit 4 detects the rising edge of the signal (CKiN), the output (CKiN) of the mask circuit 4 changes to low level, the mask state is released, and the output (CKK) of the half frequency divider 5 is released.
2) is passed through and output from the output (CKiN) of the mask circuit 4.
【0098】図7 には、正常状態の3倍の遅延時間T
tdの状態を示した。FIG. 7 shows a delay time T that is three times the normal state.
The state of td is shown.
【0099】図7に示すように、遅延クロック(CKM
O)の信号が低レベルの時にだけマスク回路4がマスク
動作をする。As shown in FIG. 7, the delay clock (CKM
The mask circuit 4 performs a mask operation only when the signal O) is at a low level.
【0100】また、遅延クロック(CKMO)の信号が
高レベルの時には、マスク回路4のマスク動作が解除さ
れている。When the signal of the delayed clock (CKMO) is at a high level, the mask operation of the mask circuit 4 is released.
【0101】従って、従来のミスロック防止の機能は、
遅延クロック(CKMO)の信号が低レベルの時にだけ
しか作動しないのに対して、本回路では遅延クロック
(CKMO)の信号が高レベルでも低レベルでも同様に
作動する。Therefore, the conventional function of preventing mislocking is as follows.
The circuit operates only when the signal of the delayed clock (CKMO) is at a low level, whereas the circuit operates similarly when the signal of the delayed clock (CKMO) is at a high or low level.
【0102】以上の動作により、電圧制御遅延回路(V
CD)3の入力から遅延クロック(CKMO)を出力す
る途中の出力端子までの間には1つの波形しか入力され
ないために、ミスロックの状態である複数の波形が電圧
制御遅延回路(VCD)3内に蓄積される問題を回避す
る事が可能となる。By the above operation, the voltage control delay circuit (V
Since only one waveform is input between the input of the CD) 3 and the output terminal on the way of outputting the delayed clock (CKMO), a plurality of mislocked waveforms are output from the voltage control delay circuit (VCD) 3. It is possible to avoid the problem accumulated in the inside.
【0103】次に、図8を用いて本発明の第3の実施の
形態を説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0104】図8に示すように、本発明で使用している
ミスロック防止の機能を持つマスク回路4(図5参照)
のこの回路では、図7と同様に2分の1の分周器5の出
力(CK2)の立ち上がりエッジをマスク回路4が検出
すると、マスク回路4の出力(CKiN)は高レベルに
変化し、2分の1の分周器5の出力(CK2)の信号に
関係無く高レベルを保持する。As shown in FIG. 8, a mask circuit 4 having a function of preventing mislock used in the present invention (see FIG. 5).
In this circuit, when the mask circuit 4 detects the rising edge of the output (CK2) of the half frequency divider 5 as in FIG. 7, the output (CKiN) of the mask circuit 4 changes to a high level, The high level is held regardless of the signal of the output (CK2) of the half frequency divider 5.
【0105】次に、電圧制御遅延回路(VCD)3の途
中の出力端子から出力される遅延クロック(CKMO)
の立ち上がりエッジをマスク回路が検出すると、マスク
回路4の出力(CKiN)は低レベルに変化し、遅延ク
ロック(CKMO)の信号に関係無く低レベルを保持す
る。Next, a delayed clock (CKMO) output from an output terminal in the middle of the voltage control delay circuit (VCD) 3
When the mask circuit detects the rising edge of, the output (CKiN) of the mask circuit 4 changes to a low level, and keeps the low level regardless of the signal of the delay clock (CKMO).
【0106】以上の動作により、図7と同様に電圧制御
遅延回路(VCD)3の入力から遅延クロック(CKM
O)を出力する途中の出力端子までの間には1つの波形
しか入力されないために、ミスロックの状態である複数
の波形が電圧制御遅延回路(VCD)3内に蓄積される
問題を回避する事が可能となる。With the above operation, the delay clock (CKM) is input from the input of the voltage control delay circuit (VCD) 3 as in FIG.
Since only one waveform is input to the output terminal in the middle of outputting O), the problem that a plurality of mislocked waveforms are accumulated in the voltage control delay circuit (VCD) 3 is avoided. Things become possible.
【0107】次に図9、図10は本発明の第4、第5の
実施の形態を示している。Next, FIGS. 9 and 10 show the fourth and fifth embodiments of the present invention.
【0108】本発明の第4、第5の実施の形態ともに、
図8の本発明の第1の実施の形態と同様の役割を果たす
ものである。In both the fourth and fifth embodiments of the present invention,
This plays a role similar to that of the first embodiment of the present invention shown in FIG.
【0109】以上の動作により、図7と同様に電圧制御
遅延回路(VCD)3の入力から遅延クロック(CKM
O)を出力する途中の出力端子までの間には1つの波形
しか入力されないために、ミスロックの状態である複数
の波形が電圧制御遅延回路(VCD)3内に蓄積される
問題を回避する事が可能となる。With the above operation, the delayed clock (CKM) is input from the input of the voltage control delay circuit (VCD) 3 as in FIG.
Since only one waveform is input to the output terminal in the middle of outputting O), the problem that a plurality of mislocked waveforms are accumulated in the voltage control delay circuit (VCD) 3 is avoided. Things become possible.
【0110】以上の回路は、立ち上がりエッジに限定し
たものではなく、位相比較器PC1(図1参照)を入力
クロックの立ち下がりエッジのみを比較するタイプのも
のを使用する場合には、図2、図6、図8のNOR回路
をNAND回路に置き換えて、立ち下がりエッジを検出
してマスク回路4を動作させる用途にも使用出来る。The circuit described above is not limited to the rising edge. If the phase comparator PC1 (see FIG. 1) is of a type that compares only the falling edge of the input clock, the circuit shown in FIG. The NOR circuit shown in FIGS. 6 and 8 can be replaced with a NAND circuit to detect the falling edge and operate the mask circuit 4.
【0111】[0111]
【発明の効果】本発明を用いることにより、半導体装置
のDLL回路に用いられる電圧制御遅延回路(VCD)
3の入力部に、外部クロック(CKext)の入力を制
限するマスク回路4を使用する事により、このDLL回
路のミスロック状態を防ぐことができる。According to the present invention, a voltage control delay circuit (VCD) used in a DLL circuit of a semiconductor device can be provided.
The use of the mask circuit 4 for limiting the input of the external clock (CKext) to the input section 3 can prevent the DLL circuit from being locked.
【0112】また、低コストで信頼性の高いDLL回路
を実現することができる。Further, a low-cost and highly reliable DLL circuit can be realized.
【図1】本発明の第1の実施形態に係るDLL回路の概
略を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram schematically showing a DLL circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態に係るDLL回路のミ
スロック防止回路を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating a mislock prevention circuit of the DLL circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態に係る正常にロックし
ているDLL回路のミスロック防止回路の動作波形を示
す図。FIG. 3 is a diagram showing operation waveforms of the mislock prevention circuit of the normally locked DLL circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施形態に係る正常にロックし
ている状態の3倍の遅延時間状態を表している動作波形
を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an operation waveform representing a delay time state three times that of a normally locked state according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第2の実施形態に係るDLL回路の概
略を示すブロック図。FIG. 5 is a block diagram schematically showing a DLL circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第2の実施形態に係るDLL回路のミ
スロック防止回路を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a mislock prevention circuit of a DLL circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第2の実施形態に係る正常にロックし
ている状態の3倍の遅延時間状態を表している動作波形
を示す図。FIG. 7 is a view showing an operation waveform representing a delay time state three times as long as a normally locked state according to the second embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第3の実施形態に係るDLL回路のミ
スロック防止回路を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a mislock prevention circuit of a DLL circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第4の実施形態に係るDLL回路のミ
スロック防止回路を示す図。FIG. 9 is a diagram illustrating a mislock prevention circuit of a DLL circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図10】従来の技術におけるDLL回路の概略を示す
ブロック図。FIG. 10 is a block diagram schematically showing a DLL circuit according to a conventional technique.
【図11】従来の技術における正常にロックしているD
LL回路のミスロック防止回路の動作波形を示す図。FIG. 11 shows a normally locked D according to the related art.
FIG. 4 is a diagram showing operation waveforms of a mislock prevention circuit of the LL circuit.
【図12】従来の技術におけるDLL回路のミスロック
防止回路を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a mislock prevention circuit of a DLL circuit according to a conventional technique.
【図13】従来の技術におけるDLL回路のミスロック
防止回路を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a mislock prevention circuit of a DLL circuit according to a conventional technique.
【図14】従来の技術における正常にロックしているD
LL回路のミスロック防止回路の動作波形を示す図。FIG. 14 shows a normally locked D in the related art.
FIG. 4 is a diagram showing operation waveforms of a mislock prevention circuit of the LL circuit.
【図15】従来の技術におけるロックしていない状態の
ミスロック防止回路の動作波形を示す図。FIG. 15 is a diagram showing an operation waveform of a mislock prevention circuit in an unlocked state according to the related art.
【図16】従来の技術におけるDLL回路のロック状態
における電圧制御遅延回路の入力から出力までの動作状
態を表した図。FIG. 16 is a diagram showing an operation state from input to output of a voltage control delay circuit in a lock state of a DLL circuit according to a conventional technique.
1、101…位相比較器(PC) 2、102…低域通過フィルタ(LPF) 3、103…電圧制御遅延回路(VCD) 4…マスク回路 22…セレクタ回路 23、62…RSフリップフロップ 24、25、26、27…NOR回路 28…インバータ 61…遅延回路 1, 101 phase comparator (PC) 2, 102 low-pass filter (LPF) 3, 103 voltage control delay circuit (VCD) 4 mask circuit 22 selector circuit 23, 62 RS flip-flop 24, 25 , 26, 27: NOR circuit 28: Inverter 61: Delay circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03K 5/13 G06F 1/04 330A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H03K 5/13 G06F 1/04 330A
Claims (10)
であって、 基準クロック信号に対し所定の遅延時間を有する第1の
遅延クロック信号を出力する電圧制御遅延回路と、ここ
で前記電圧制御遅延回路は制御電圧により遅延時間が制
御され、さらに前記遅延時間より短い遅延時間す有する
第2の遅延クロック信号を出力し、 前記第1の遅延クロック信号と前記基準クロック信号間
の位相差に対応する誤差信号を出力する位相比較器と、 前記誤差信号に応じて前記電圧制御遅延回路の遅延時間
を制御する前記制御電圧を生成する制御電圧生成手段
と、 前記第2の遅延クロック信号に応じて前記基準クロック
信号の前記電圧制御遅延回路への通過を制限するマスク
回路と、 を具備することを特徴とするDLL回路。1. A DLL circuit having a mislock prevention function, comprising: a voltage-controlled delay circuit that outputs a first delayed clock signal having a predetermined delay time with respect to a reference clock signal; Outputs a second delay clock signal having a delay time controlled by a control voltage and further having a delay time shorter than the delay time, and an error corresponding to a phase difference between the first delay clock signal and the reference clock signal. A phase comparator that outputs a signal; a control voltage generation unit that generates the control voltage that controls a delay time of the voltage control delay circuit in accordance with the error signal; and a reference voltage in accordance with the second delay clock signal. And a mask circuit for restricting passage of a clock signal to the voltage control delay circuit.
号の立ち上がり(立ち下がり)と前記第2の遅延クロッ
ク信号の立ち上がり(立ち下がり)を検出するRSフリ
ップフロップと、 前記RSフリップフロップの出力と前記基準クロック信
号を入力し、前記RSフリップフロップの出力信号に応
じて、入力された前記基準クロック信号をそのまま出力
して前記電圧制御遅延回路へ入力させるか、または高レ
ベルか低レベルの固定信号を出力して前記電圧制御遅延
回路へ入力させることにより、入力された前記基準クロ
ック信号を通過させないように動作する回路とを具備す
ることを特徴とする請求項1記載のDLL回路。2. An RS flip-flop for detecting a rise (fall) of the reference clock signal and a rise (fall) of the second delayed clock signal; and an output of the RS flip-flop. A reference clock signal is input, and in response to the output signal of the RS flip-flop, the input reference clock signal is directly output and input to the voltage control delay circuit, or a high-level or low-level fixed signal is output. 2. The DLL circuit according to claim 1, further comprising: a circuit which operates so as not to pass the inputted reference clock signal by outputting the inputted reference clock signal to the voltage control delay circuit.
ック信号の立ち上がり(立ち下がり)を検出してパルス
を出力する遅延クロツク検出回路と、 前記基準クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)と前
記遅延クロック検出回路の出力パルスの立ち上がり(立
ち下がり)を検出するRSフリップフロップと、 前記RSフリップフロップの出力と前記基準クロック信
号を入力し、前記RSフリップフロップの出力信号に応
じて入力された前記基準クロツク信号をそのまま出力し
て前記電圧制御遅延回路へ入力させるか、または高レベ
ルか低レベルの固定信号を出力して前記電圧制御遅延回
路へ入力させて入力された前記基準クロツク信号を通過
させないように動作する回路を具備することを特徴とす
る請求項1記載のDLL回路。3. The delay circuit according to claim 2, wherein the mask circuit detects a rise (fall) of the second delay clock signal and outputs a pulse, a rise (fall) of the reference clock signal and the delay. An RS flip-flop for detecting a rising edge (falling edge) of an output pulse of the clock detection circuit; an input of the output of the RS flip-flop and the reference clock signal; and the reference input according to an output signal of the RS flip-flop. The clock signal is output as it is and input to the voltage control delay circuit, or a high or low level fixed signal is output and input to the voltage control delay circuit so that the input reference clock signal is not passed. 2. The DLL circuit according to claim 1, further comprising a circuit that operates.
ック信号を入力し、片側のエッジが前記基準クロック信
号に同期しもう一方のエッジが前記第2の遅延クロック
信号に同期したクロックパルスを出力して前記電圧制御
遅延回路に入力することを特徴とする請求項1記載のD
LL回路。4. The mask circuit receives the second delayed clock signal, and outputs a clock pulse having one edge synchronized with the reference clock signal and the other edge synchronized with the second delayed clock signal. 2. The D according to claim 1, wherein the signal is output and input to the voltage control delay circuit.
LL circuit.
ック信号を入力し、入力された前記基準クロック信号の
立ち上がり(立ち下がり)に同期した立ち上がり(立ち
下がり)エッジと、入力された前記第2の遅延クロック
信号の立ち上がり(立ち下がり)に同期した立ち下がり
(立ち上がり)エッジとからなる出力パルスを生成し、
この生成された出力パルスを前記電圧制御遅延回路に入
力することを特徴とする請求項1記載のDLL回路。5. The mask circuit receives the second delayed clock signal, and outputs a rising (falling) edge synchronized with a rising (falling) edge of the input reference clock signal and the input second input clock signal. 2 to generate an output pulse consisting of a falling (rising) edge synchronized with the rising (falling) edge of the delayed clock signal,
2. The DLL circuit according to claim 1, wherein the generated output pulse is input to the voltage control delay circuit.
ック信号を入力し、入力された前記基準クロック信号の
立ち上がり(立ち下がり)エッジを検出する前記基準ク
ロック信号用フリップフロップと、 入力された前記第2の遅延クロック信号の立ち上がり
(立ち下がり)エッジを検出する前記第2の遅延クロッ
ク信号用フリップフロップとを具備し、 ここで、前記基準クロック信号用フリップフロップは入
力された前記基準クロック信号の立ち上がり(立ち下が
り)エッジを検出して出力をセツトし、前記第2の遅延
クロック用フリップフロップは入力された前記第2の遅
延クロック信号の立ち上がり(立ち下がり)エッジを検
出して前記基準クロック信号用フリップフロップの出力
をリセットし、そしてこの前記基準クロック信号用フリ
ップフロップの出力パルスを前記電圧制御遅延回路に入
力することを特徴とする請求項1記載のDLL回路。6. The reference clock signal flip-flop that receives the second delayed clock signal, detects a rising (falling) edge of the input reference clock signal, and inputs the second delayed clock signal. A second delayed clock signal flip-flop for detecting a rising (falling) edge of the second delayed clock signal, wherein the reference clock signal flip-flop receives the inputted reference clock signal. The second delayed clock flip-flop detects the rising (falling) edge of the input second delayed clock signal and detects the rising (falling) edge of the reference clock. Resetting the output of the signal flip-flop and flipping the reference clock signal. DLL circuit of claim 1, wherein the inputting the output pulse of flop to the voltage controlled delay circuit.
を2分の1分周器により分周したクロック信号であるこ
とを特徴とする請求項1記載のDLL回路。7. The DLL circuit according to claim 1, wherein said reference clock signal is a clock signal obtained by dividing an external clock signal by a half frequency divider.
信号と前記基準クロック信号間の各立ち上がりエッジの
位相差を比較することを特徴とする請求項1記載のDL
L回路。8. The DL according to claim 1, wherein the phase comparator compares a phase difference between each rising edge between the first delayed clock signal and the reference clock signal.
L circuit.
縦続接続した構成を有し、前記第2の遅延クロック信号
は前記複数の遅延回路のうちのいずれかの遅延回路から
出力されることを特徴とする請求項1記載のDLL回
路。9. The voltage controlled delay circuit has a configuration in which a plurality of delay circuits are cascaded, and the second delayed clock signal is output from any one of the plurality of delay circuits. The DLL circuit according to claim 1, wherein:
の立上がりエッジによりその出力を高レベルに保持する
ことにより前記基準クロック信号をマスクし、高レベル
となった前記マスク回路の出力が前記電圧制御遅延回路
の中を伝搬し前記第2の遅延クロック信号が高レベルに
なるとマスクを解除して前記基準クロック信号を通過さ
せることを特徴とする請求項1記載のDLL回路。10. The masking circuit masks the reference clock signal by holding its output at a high level at the rising edge of the reference clock signal, and the output of the masking circuit that has gone to a high level is the voltage control delay. 2. The DLL circuit according to claim 1, wherein when the second delay clock signal propagates through the circuit and becomes high, the mask is released and the reference clock signal is passed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075718A JP2000278120A (en) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | DLL circuit having mislock prevention function |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075718A JP2000278120A (en) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | DLL circuit having mislock prevention function |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278120A true JP2000278120A (en) | 2000-10-06 |
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ID=13584327
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11075718A Pending JP2000278120A (en) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | DLL circuit having mislock prevention function |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000278120A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399941B1 (en) * | 2001-06-30 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | Register controlled delay locked loop in ddr sdram |
| KR100423012B1 (en) * | 2001-09-28 | 2004-03-16 | 주식회사 버카나와이어리스코리아 | DLL with False Lock Protector |
| KR100543202B1 (en) * | 2003-10-31 | 2006-01-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor devices with adjustable clock-related specifications by controlling delay locked loops at the package level |
| JP2015508599A (en) * | 2011-12-30 | 2015-03-19 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated | Method for locking a delay lock loop |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11075718A patent/JP2000278120A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399941B1 (en) * | 2001-06-30 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | Register controlled delay locked loop in ddr sdram |
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| JP2015508599A (en) * | 2011-12-30 | 2015-03-19 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated | Method for locking a delay lock loop |
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