JP2000269383A - Mounting structure and mounting method of high frequency circuit element - Google Patents
Mounting structure and mounting method of high frequency circuit elementInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 MMICチップを実装基板に接合するときに
位置ずれに起因して発生するインピーダンスのずれを極
力低減する。
【解決手段】 実装基板11のMMICチップ12を搭
載する部分に、信号ライン13とは断線した状態に接合
用パターン14を形成する。インピーダンスを調整する
必要のない場合には信号ライン13aのようにそのまま
設ける。Auバンプ16などを介してMMICチップ1
2を加熱圧着で固定し、このときのインピーダンスのず
れ量に応じてワイヤ導体17の接続位置を目盛りパター
ン15により調整する。これにより、インピーダンス整
合の良好な接続構造を得る。
(57) Abstract: To minimize an impedance shift caused by a positional shift when an MMIC chip is bonded to a mounting substrate. SOLUTION: A bonding pattern 14 is formed on a portion of a mounting substrate 11 on which an MMIC chip 12 is mounted, while being disconnected from a signal line 13. When it is not necessary to adjust the impedance, it is provided as it is, as in the signal line 13a. MMIC chip 1 via Au bump 16 or the like
2 is fixed by heat compression, and the connection position of the wire conductor 17 is adjusted by the scale pattern 15 in accordance with the amount of impedance deviation at this time. Thereby, a connection structure with good impedance matching is obtained.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、実装基板上に形成
された信号ラインと実装された高周波回路素子とを電気
的に接続する部分における高周波回路素子の実装構造お
よびその実装方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mounting structure of a high-frequency circuit element in a portion for electrically connecting a signal line formed on a mounting substrate and a mounted high-frequency circuit element, and a mounting method thereof.
【0002】[0002]
【発明が解決しようとする課題】ミリ波に代表される高
周波領域で用いられる素子である例えばMMIC(Micr
owave/milliwave Monolithic IC )チップを基板に接合
する技術は、ミリ波デバイスの実装技術上においてきわ
めて重要なことである。従来、複数のミリ波MMICチ
ップを基板に接合して相互間の電気的接続を図る代表的
な技術として、Auワイヤに代表されるワイヤボンディ
ングによる方法あるいはリボン状導体などのリボンボン
ディングによる方法などの2つの方法のいずれかを用い
て行なうことが提案されてきている。An element used in a high frequency region represented by a millimeter wave, for example, an MMIC (Micr
The technology of bonding an owave / milliwave monolithic IC) chip to a substrate is extremely important in the mounting technology of a millimeter wave device. 2. Description of the Related Art Conventionally, as a typical technique for bonding a plurality of millimeter-wave MMIC chips to a substrate to establish electrical connection therebetween, a wire bonding method typified by Au wire or a ribbon bonding method such as a ribbon-shaped conductor is used. It has been proposed to do so using one of two methods.
【0003】このうち、例えば図13に示すように、M
MICチップ1と信号ライン2とをワイヤボンディング
により接続する場合、金属もしくはセラミック製の実装
基板3に対するMMICチップ1の接合の位置精度が問
題となる。通常、MMICチップ1の基板3への接合
は、Auバンプ4もしくははんだなどを用いて行なう
が、このとき接合時の位置ずれは避けられない。この位
置ずれは、程度の差こそあれ必ず発生するものであり、
ミリ波のような高周波領域では、わずかな位置ずれがイ
ンピーダンスのずれとして顕著に現れるため、接合構造
における整合性の点で困難な面がある。Among them, for example, as shown in FIG.
When the MIC chip 1 and the signal line 2 are connected by wire bonding, the positional accuracy of the joining of the MMIC chip 1 to the metal or ceramic mounting substrate 3 becomes a problem. Normally, the MMIC chip 1 is bonded to the substrate 3 using Au bumps 4, solder, or the like. At this time, displacement at the time of bonding is inevitable. This displacement always occurs to some degree,
In a high-frequency region such as a millimeter wave, a slight positional shift is conspicuously expressed as an impedance shift.
【0004】このような位置ずれを少なくするために
は、MMICチップ1を実装基板3に接合する場合にお
ける位置決め精度を高めることがまず考えられるが、通
常の装置を用いる場合の位置決め精度をさらに向上させ
るためには、コスト的に非常に高くついてしまうことか
ら、実用上においては採用することが難しい点が多くな
っているのが実情である。In order to reduce such a displacement, it is first conceivable to increase the positioning accuracy when the MMIC chip 1 is joined to the mounting substrate 3; however, the positioning accuracy when an ordinary device is used is further improved. In practice, it is very expensive in terms of cost, and in practice, it is difficult to employ this in practice.
【0005】そこで、このような不具合に対して、従来
では、次のようなものが考えられている。例えば、特開
平8‐316368号公報には、接合時のインピーダン
ス乱れを小さくするため、信号ラインとバンプを同じ高
さにするよう工夫されている。この例では、さらに、高
さだけでなく横方向の位置ずれを低減するためにバンプ
に切り欠きを設けている。しかしこの方法ではインピー
ダンスずれを低減できるほどの位置ずれの低減効果を期
待できないため、MMICチップを基板に接合する際の
横方向の位置ずれは解決することができない。In view of the above, the following problems have been considered in the related art. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-316368 discloses a technique in which a signal line and a bump are set at the same height in order to reduce impedance disturbance at the time of bonding. In this example, notches are provided in the bumps to reduce not only the height but also the lateral displacement. However, this method cannot expect the effect of reducing the positional deviation enough to reduce the impedance deviation, and therefore cannot solve the lateral positional deviation when joining the MMIC chip to the substrate.
【0006】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、MMICチップなどの高周波回路素子
を実装する際に、接合の位置ずれが生ずる場合でも、そ
の位置ずれに起因して発生したインピーダンスのずれを
接続部分において低減することができるようにした高周
波回路素子の実装構造および実装方法を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for mounting a high-frequency circuit element such as an MMIC chip even if a positional displacement of a junction occurs. An object of the present invention is to provide a mounting structure and a mounting method of a high-frequency circuit element capable of reducing generated impedance deviation at a connection portion.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば、実装基板上に形成されている接合用パターンの部分
に高周波回路素子を固定し、この接合用パターンと電気
的に絶縁状態に形成されている信号ラインとの間を接続
手段により目盛りパターンに基づいて調整しながら接続
するので、例えば、高周波回路素子をフリップチップ接
続などにより固定する際に、装置の組み付け精度などに
起因して位置ずれを起こしその結果接合部分でインピー
ダンスずれが生じた場合において、高周波回路素子が接
続された接合用パターン部分と信号ラインとの間に接続
手段を接続するときに、そのインピーダンスずれを解消
するように調整して接続することができ、インピーダン
ス整合を確保した接続構造を得ることができるようにな
る。According to the first aspect of the present invention, a high-frequency circuit element is fixed to a portion of a bonding pattern formed on a mounting board, and is electrically insulated from the bonding pattern. Since the connection with the formed signal line is performed by the connection means while adjusting based on the scale pattern, for example, when fixing the high-frequency circuit element by flip chip connection or the like, due to the assembling accuracy of the device, etc. In a case where a positional shift occurs and as a result, an impedance shift occurs at a joint portion, the impedance shift is eliminated when connecting means is connected between the joining pattern portion to which the high-frequency circuit element is connected and the signal line. And a connection structure that ensures impedance matching can be obtained.
【0008】請求項2の発明によれば、接合用パターン
および信号ラインパターンの少なくとも一方に、複数個
のインピーダンス調整パターンを配置し前記接続手段を
選択的に接続できるように構成しているので、あらかじ
め高周波回路素子の固定の際の位置ずれに起因したイン
ピーダンスのずれ量の程度に応じてそれを調整するイン
ピーダンス調整パターンを設けておくことで、接続手段
の接続時に適切なインピーダンス調整パターンを選択し
て接続することで簡単にインピーダンス調整を行なうこ
とができるようになる。According to the second aspect of the present invention, a plurality of impedance adjustment patterns are arranged on at least one of the joining pattern and the signal line pattern so that the connection means can be selectively connected. By providing in advance an impedance adjustment pattern that adjusts according to the degree of impedance shift due to positional shift when fixing the high-frequency circuit element, an appropriate impedance adjustment pattern is selected when connecting the connection means Connection makes it possible to easily perform impedance adjustment.
【0009】請求項4の発明によれば、接続手段とし
て、信号ラインと接合用パターンとの間に接続導体を接
続する構成としているので、その接続の際に接続位置や
形状あるいは長さ寸法などを調整することでインピーダ
ンスの調整を行なうことができる。According to the fourth aspect of the present invention, since the connection means is configured to connect the connection conductor between the signal line and the joining pattern, the connection position, the shape, the length, and the like at the time of the connection. Can be adjusted to adjust the impedance.
【0010】請求項5の発明によれば、接続手段とし
て、実装基板の信号ラインと接合用パターンとの間の領
域に導電性の金属粒子を導入して形成する接続導電層を
用いる構成としているので、その接続導電層のパターン
の大きさや位置あるいは形成の際に導入する金属粒子の
濃度などを調整することによりインピーダンスの調整を
行なうことができる。According to the fifth aspect of the present invention, the connection means uses a connection conductive layer formed by introducing conductive metal particles into a region between the signal line of the mounting board and the bonding pattern. Therefore, the impedance can be adjusted by adjusting the size and position of the pattern of the connection conductive layer or the concentration of the metal particles introduced during the formation.
【0011】請求項6の発明によれば、接続手段を、信
号ラインと高周波回路素子との間のインピーダンスを調
整するために、信号ラインと接合用パターンとの間の接
続位置を調整するので、接続導体や接続導電層の接続位
置をパラメータとしてインピーダンスの調整量をあらか
じめ求めておくことで、特別な構造や部材などを用いる
ことなく簡単且つ安価にインピーダンスの調整を行なう
ことができる。According to the sixth aspect of the present invention, the connection means adjusts the connection position between the signal line and the joining pattern in order to adjust the impedance between the signal line and the high-frequency circuit element. By previously obtaining the adjustment amount of the impedance using the connection position of the connection conductor or the connection conductive layer as a parameter, the impedance can be easily and inexpensively adjusted without using a special structure or member.
【0012】請求項7の発明によれば、実装基板を導電
性の金属で構成しているので、実装基板に電位をもたせ
たりあるいはグランド電位に設定するなどの電気的構成
を採用することができ、回路構成上で所望の電位に設定
することができる。また、請求項8の発明では、実装基
板を絶縁性のセラミックから構成するので、プリント基
板などとの間の絶縁を必要とする構成の場合に適してい
る。According to the seventh aspect of the present invention, since the mounting substrate is made of a conductive metal, it is possible to adopt an electrical configuration such as giving a potential to the mounting substrate or setting it to the ground potential. , Can be set to a desired potential on the circuit configuration. According to the invention of claim 8, since the mounting substrate is made of an insulating ceramic, it is suitable for a configuration that requires insulation from a printed circuit board or the like.
【0013】請求項9の発明によれば、高周波回路素子
は、実装基板との接合部分に金バンプを形成しているの
で、実装基板への固定時に接合用パターンとの接続をフ
リップチップ接続で簡単に接続することができるように
なる。According to the ninth aspect of the present invention, since the high-frequency circuit element has gold bumps formed at the bonding portion with the mounting substrate, the connection with the bonding pattern at the time of fixing to the mounting substrate is made by flip-chip connection. You will be able to connect easily.
【0014】また、請求項10の発明によれば、高周波
回路素子を実装基板にはんだにより接合するので、リフ
ロー処理などで簡単に固定することができると共に、リ
フロー処理時のセルフアライン効果を利用することで接
続位置のずれを抑制することができ、接続手段によるイ
ンピーダンス調整の範囲を絞り込んだ状態としてインピ
ーダンス調整の範囲を狭くすることでその範囲内での調
整精度を高めることができるようになる。According to the tenth aspect of the present invention, since the high-frequency circuit element is joined to the mounting board by soldering, it can be easily fixed by a reflow process or the like, and utilizes a self-aligning effect at the time of the reflow process. Thus, the displacement of the connection position can be suppressed, and the range of the impedance adjustment by the connection unit is narrowed, and the range of the impedance adjustment is narrowed, so that the adjustment accuracy within the range can be improved.
【0015】請求項11の発明によれば、接続導体とし
てワイヤ導体を用いるので、通常の半導体製造プロセス
で用いるワイヤボンディング技術を利用することで簡単
にインピーダンスの調整を行なうことができる。According to the eleventh aspect of the present invention, since the wire conductor is used as the connection conductor, the impedance can be easily adjusted by using a wire bonding technique used in a normal semiconductor manufacturing process.
【0016】請求項12の発明によれば、接続導体とし
てリボン状導体を用いるので、リボン状導体の幅寸法を
信号ラインや接合用パターンの幅寸法と近いものを採用
してインピーダンスの調整範囲を絞り込むことができ、
これによって接続位置の調整精度を高めることができる
ようになる。According to the twelfth aspect of the present invention, since the ribbon-shaped conductor is used as the connection conductor, the width of the ribbon-shaped conductor is set to a value close to the width of the signal line or the joining pattern so that the impedance adjustment range can be adjusted. You can narrow down,
Thereby, the adjustment accuracy of the connection position can be improved.
【0017】請求項13の発明によれば、実装基板上に
高周波回路素子を固定すると共に信号ラインと電気的に
接続する実装において、実装基板に信号ラインパターン
とは電気的に絶縁された状態に接合用パターンを設け、
高周波回路素子を接合用パターンの部分に接合し、この
とき接合位置のずれによって生ずるインピーダンスのず
れ量に対応してこれを調整するように接合用パターンと
信号ラインパターンとを接続導体により接続するので、
半導体製造工程で用いる一般的な装置を用いることで簡
単に位置ずれに起因したインピーダンスのずれを調整す
ることができるようになる。According to the thirteenth aspect of the present invention, in the mounting in which the high-frequency circuit element is fixed on the mounting substrate and is electrically connected to the signal line, the mounting substrate is electrically insulated from the signal line pattern. Provide a joining pattern,
Since the high-frequency circuit element is joined to the joining pattern portion, the joining pattern and the signal line pattern are connected by the connection conductor so as to adjust the impedance deviation caused by the displacement of the joining position. ,
By using a general device used in the semiconductor manufacturing process, it is possible to easily adjust the impedance shift caused by the position shift.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態について、図1ないし図4を参照しな
がら説明する。図1において、実装基板11としては、
例えば金属製の基板を用いており、材質は例えばKOV
AL(Fe54%,Ni29%,Co17%)あるいは
銅タングステン合金(Cu90%,W10%)などであ
る。実装基板11の材質は、これに実装する高周波回路
素子としてのMMIC(Microwave/milliwave Monolith
ic IC )チップ12の材質を考慮したものである。すな
わち、MMICチップ12は、化合物半導体である例え
ばGaAs(ガリウム砒素)やInP(インジウムリ
ン)などの材料を用いており、実装基板11はそのMM
ICチップ12の熱膨張係数と近いものを採用する関係
から、上述のようなものが好適である。なお、熱膨張係
数の値は、次のようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIG. 1, as the mounting substrate 11,
For example, a metal substrate is used, and the material is, for example, KOV.
AL (54% of Fe, 29% of Ni, 17% of Co) or a copper-tungsten alloy (90% of Cu, 10% of W). The material of the mounting substrate 11 is a MMIC (Microwave / milliwave Monolith) as a high-frequency circuit element mounted on the mounting substrate 11.
ic IC) The material of the chip 12 is considered. That is, the MMIC chip 12 uses a compound semiconductor such as GaAs (gallium arsenide) or InP (indium phosphide), and the mounting substrate 11
The above-described one is preferable because the one having a thermal expansion coefficient close to that of the IC chip 12 is adopted. The value of the coefficient of thermal expansion is as follows.
【0019】[0019]
【表1】 [Table 1]
【0020】また、実装基板11は、金属板に代えて必
要に応じてセラミック基板を用いることができる。この
場合、実装基板11を金属板として用いる場合には、電
位を所定電位に設定したりあるいはグランドレベルに設
定するなどの目的で使用することができ、セラミック基
板を用いる場合には、電位を設定しない構成で絶縁性を
重視する回路などに使用することができる。Further, as the mounting substrate 11, a ceramic substrate can be used as necessary instead of the metal plate. In this case, when the mounting substrate 11 is used as a metal plate, it can be used for the purpose of setting the potential to a predetermined potential or a ground level, and when using a ceramic substrate, the potential can be set. It can be used for a circuit that emphasizes insulation with a configuration that does not.
【0021】実装基板11の表面には信号ライン13が
形成されると共に、MMICチップ12の実装位置に対
応してこの信号ライン13とは電気的に分離した状態に
接合用パターン14が形成されている。この接合用パタ
ーン14は、後述するインピーダンス調整作業を行なう
必要がある信号ライン13に対応した位置に形成されて
いる。また、接合用パターン14は、具体的には信号ラ
イン13とほぼ同じ幅寸法で形成されている。信号ライ
ン13が接合用パターン14と対向する部分の実装基板
11表面には、インピーダンス調整用の目盛りパターン
15が付されている。A signal line 13 is formed on the surface of the mounting substrate 11, and a bonding pattern 14 is formed in a state electrically separated from the signal line 13 corresponding to the mounting position of the MMIC chip 12. I have. The bonding pattern 14 is formed at a position corresponding to the signal line 13 where the impedance adjustment operation described later needs to be performed. Further, the bonding pattern 14 is specifically formed to have substantially the same width as the signal line 13. A scale pattern 15 for impedance adjustment is provided on the surface of the mounting substrate 11 where the signal line 13 faces the bonding pattern 14.
【0022】また、実装基板11のMMICチップ12
の接合領域部分に、各信号ライン13a,各接合用パタ
ーン14に接続用のAuバンプ16が形成されている。
このAuバンプ16は、加熱圧着によりMMICチップ
12のボンディングパッドの部分と電気的に接続され、
且つMMICチップ12を実装基板11と接合するもの
である。The MMIC chip 12 of the mounting substrate 11
Au bumps 16 for connection to the respective signal lines 13a and the respective bonding patterns 14 are formed in the bonding region portion of FIG.
The Au bumps 16 are electrically connected to bonding pad portions of the MMIC chip 12 by heat compression.
Further, the MMIC chip 12 is joined to the mounting substrate 11.
【0023】なお、上記したAuバンプ16を用いる代
わりに、はんだを用いて同様にMMICチップ12を実
装基板11に接合するようにすることができる。この場
合には、はんだをリフロー処理することにより溶かして
接続する関係で、セルフアライン効果を期待することが
でき、位置ずれに起因したインピーダンスのずれ量を少
なくすることができるという利点がある。Instead of using the Au bumps 16 described above, the MMIC chip 12 can be similarly joined to the mounting substrate 11 by using solder. In this case, there is an advantage that a self-alignment effect can be expected because the solder is melted and connected by reflow processing, and the amount of impedance shift due to the position shift can be reduced.
【0024】接合用パターン14と信号ライン13との
間は、接続手段および接続導体としてのワイヤ導体17
によりボンディングされている。ワイヤ導体17のボン
ディング位置は、MMICチップ12の接合位置のずれ
量により発生したインピーダンスのずれを調整するよう
に目盛りパターン15を指標として決められた位置に設
定されている。これにより、MMICチップ12と信号
ライン13との間のインピーダンスのずれを極力低減し
て整合性の高い実装を実現している。Between the joining pattern 14 and the signal line 13, a wire conductor 17 as a connection means and a connection conductor is provided.
Bonding. The bonding position of the wire conductor 17 is set at a position determined by using the scale pattern 15 as an index so as to adjust the impedance deviation caused by the deviation amount of the bonding position of the MMIC chip 12. As a result, the impedance deviation between the MMIC chip 12 and the signal line 13 is reduced as much as possible, and a highly consistent mounting is realized.
【0025】次に、上記構成をなすための実装工程につ
いて図2ないし図4も参照して説明する。実装基板11
は、図2にも示すように、搭載するMMICチップ12
の接合に対応して信号ライン13および接合用パターン
14が、導体薄膜をエッチングすることにより所定の形
状に形成されている。信号ライン13と接合用パターン
14との間には所定のギャップが設けられ、電気的に絶
縁した状態に形成されている。この信号ライン13と直
交する方向にも信号ライン13aが形成されているが、
これは、MMICチップ12の幅寸法よりも広い幅寸法
に形成されており、接合用パターン14は設けられてお
らず、直接MMICチップ12と電気的接続を図るよう
になっている。Next, a mounting process for forming the above configuration will be described with reference to FIGS. Mounting board 11
Is the MMIC chip 12 to be mounted, as shown in FIG.
The signal line 13 and the bonding pattern 14 are formed in a predetermined shape by etching the conductive thin film corresponding to the bonding. A predetermined gap is provided between the signal line 13 and the bonding pattern 14, and is formed in an electrically insulated state. A signal line 13a is also formed in a direction orthogonal to the signal line 13,
This is formed so as to have a width larger than the width of the MMIC chip 12, and the bonding pattern 14 is not provided, so that electrical connection with the MMIC chip 12 is made directly.
【0026】信号ライン13と接合用パターン14とが
対向している部分の信号ライン13側には、実装基板1
1の表面に調整用の目盛りパターン15が所定位置に印
刷されており、ワイヤ導体17のボンディング位置を設
定するための指標を示すように所定間隔で目盛り線が描
かれている。On the signal line 13 side where the signal line 13 and the bonding pattern 14 face each other, the mounting substrate 1
A scale pattern 15 for adjustment is printed at a predetermined position on the front surface of the device 1, and scale lines are drawn at predetermined intervals to indicate an index for setting a bonding position of the wire conductor 17.
【0027】次に、図3に示すように、実装基板11の
信号ライン13aおよび接合用パターン14のMMIC
チップ12を搭載する部分に対応してAuバンプ16を
設ける(図中では6個)。続いて、この実装基板11
に、MMICチップ12をフリップチップ接続する。M
MICチップ12は、電極パッド部分がAuバンプ16
に対向するように位置決めされた状態で加熱圧着され、
実装基板11に接合されると共に、電気的に接続された
状態となる(図4参照)。なお、はんだによる接合を行
なう場合には、はんだ片を設けた上で、リフロー処理を
行なうことで接合をする。Next, as shown in FIG. 3, the MMIC of the signal line 13a of the mounting substrate 11 and the bonding pattern 14
Au bumps 16 are provided (six in the figure) corresponding to the portion where the chip 12 is mounted. Subsequently, the mounting substrate 11
Then, the MMIC chip 12 is flip-chip connected. M
The MIC chip 12 has an Au pad 16
Heat-pressed in a state where it is positioned to face the
It is joined to the mounting board 11 and is electrically connected (see FIG. 4). When joining with solder, joining is performed by performing a reflow process after providing a solder piece.
【0028】この後、信号ライン13と接合用パターン
14との間をワイヤ導体17により電気的に接続する。
このとき、ワイヤ導体17の接続位置は、次のようにし
て決められる。まず、MMICチップ12を実装基板1
1上に接合した状態でインピーダンスを測定し、信号ラ
イン13のインピーダンスに対して接合時の位置ずれに
伴うインピーダンスのずれ量を求める。次に、そのイン
ピーダンスのずれ量を解消するようにワイヤ導体17の
接続位置を決める。このとき、接続位置とインピーダン
ス調整量との関係はあらかじめ計算されているので、接
続位置を調整用目盛りパターン15の位置に対応させて
設定する。After that, the signal line 13 and the bonding pattern 14 are electrically connected by the wire conductor 17.
At this time, the connection position of the wire conductor 17 is determined as follows. First, the MMIC chip 12 is mounted on the mounting substrate 1.
The impedance is measured in a state where the signal lines 13 are joined to each other, and the amount of deviation of the impedance of the signal line 13 due to the positional deviation at the time of joining is determined. Next, the connection position of the wire conductor 17 is determined so as to eliminate the impedance deviation. At this time, since the relationship between the connection position and the impedance adjustment amount is calculated in advance, the connection position is set corresponding to the position of the adjustment scale pattern 15.
【0029】上述の場合において、信号ライン13への
ワイヤ導体17の接続位置を、接合用パターン14と離
れる方の位置に設定すると、それによってその位置から
信号ライン13の先端部までの部分が余分な導体として
付加されたことになり、これは電気的にはスタブとして
機能することになる。したがって、そのスタブとしての
効果を考慮にいれてインピーダンス調整に必要な接続位
置をあらかじめ計算により求め、適切な位置に設定する
のである。In the above case, if the connection position of the wire conductor 17 to the signal line 13 is set to a position away from the bonding pattern 14, a portion from that position to the tip of the signal line 13 becomes extra. And thus electrically function as a stub. Therefore, taking into account the effect of the stub, the connection position required for impedance adjustment is calculated in advance and set to an appropriate position.
【0030】上記構成によれば、信号ライン13と電気
的に絶縁した状態に接合用パターン14を設けて、MM
ICチップ12の接合後に信号ライン13と接合用パタ
ーン14とをワイヤ導体17によりインピーダンス調整
をした位置に接続する接続構造を採用したので、MMI
Cチップ12の接合の位置ずれに起因したインピーダン
スのずれをより小さくして整合性の良好な接続構造を得
ることができる。According to the above configuration, the bonding pattern 14 is provided in a state of being electrically insulated from the signal line 13 so that the MM
Since the connection structure for connecting the signal line 13 and the bonding pattern 14 to the position where the impedance is adjusted by the wire conductor 17 after the bonding of the IC chip 12 is adopted, the MMI
It is possible to further reduce the impedance shift due to the positional shift of the junction of the C chip 12 and obtain a connection structure with good matching.
【0031】また、上記構成においては、信号ライン1
3の端部にワイヤ導体17の接続位置を決める目安とな
る調整用目盛りパターン15を印刷により設けたので、
簡単且つ安価に成し得、しかも高精度のインピーダンス
調整作業を簡単に行なうことができるようになる。In the above configuration, the signal line 1
Since the adjustment graduation pattern 15 serving as a guide for determining the connection position of the wire conductor 17 was provided at the end of No. 3 by printing,
Simple and inexpensive, and high-precision impedance adjustment can be easily performed.
【0032】なお、上記実施形態においては、信号ライ
ン13側で接続位置を調整する構成としたが、これに代
えて、接合用パターン14との接続位置を調整してイン
ピーダンス調整をする構成とすることもできる。この場
合には、接合用パターン14の長さを調整に必要な分を
確保すべく長く設定して形成し、その部分に調整用の目
盛りパターン15を形成することで上述同様の作用効果
を得ることができるようになる。また、信号ライン13
および接合用パターン14の双方の接続位置を調整する
ことによりインピーダンス調整を行なう構成とすること
もできる。In the above embodiment, the connection position is adjusted on the signal line 13 side. Instead, the connection position with the bonding pattern 14 is adjusted to adjust the impedance. You can also. In this case, the same effect as described above can be obtained by forming the length of the joining pattern 14 so as to be long enough to secure an amount necessary for adjustment, and forming the scale pattern 15 for adjustment in that portion. Will be able to do it. Also, the signal line 13
It is also possible to adopt a configuration in which the impedance adjustment is performed by adjusting the connection positions of both the bonding patterns 14.
【0033】(第2の実施形態)図5および図6は、本
発明の第2の実施形態を示すもので、第1の実施形態と
異なるところは、実装基板11に、インピーダンス調整
のための複数個のインピーダンス調整用パターン18a
〜18cを設けたところである。すなわち、図5に示す
ように、実装基板11の信号ライン13の先端部の接合
用パターン14と対向している部分に、複数個例えば3
個のインピーダンス調整用パターン18a,18b,1
8cを櫛歯状に配列して形成している。ワイヤ導体17
は、一方が接合用パターン14の端部に接続され、他方
がインピーダンス調整用パターン18a〜18cのいず
れかに接続され、その調整用パターン18a〜18cを
介して信号ライン13と接続される。(Second Embodiment) FIGS. 5 and 6 show a second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that a mounting board 11 for adjusting impedance is provided. A plurality of impedance adjustment patterns 18a
To 18c. That is, as shown in FIG. 5, a plurality of, for example, 3
Impedance adjustment patterns 18a, 18b, 1
8c are arranged in a comb shape. Wire conductor 17
Is connected to one end of the joining pattern 14, the other is connected to any of the impedance adjustment patterns 18a to 18c, and is connected to the signal line 13 via the adjustment patterns 18a to 18c.
【0034】インピーダンス調整用パターン18a〜1
8cは、接合用パターン14に対して櫛歯状に並べた状
態に配置され、反対側は信号ライン13に電気的に接続
されている。各インピーダンス調整用パターン18a〜
18cは、MMICチップ12を接合したときにその位
置ずれに起因して発生するインピーダンスのずれ量を解
消するように、それぞれが幅寸法および長さ寸法が異な
るように設定されており、ワイヤ導体17を接続する際
に適切なものを選択して図示のように接続されるように
なっている。The impedance adjusting patterns 18a-1
8 c are arranged in a comb-tooth shape with respect to the joining pattern 14, and the other side is electrically connected to the signal line 13. Each impedance adjustment pattern 18a-
The wire conductors 18c are set to have different widths and lengths so as to eliminate the amount of impedance shift caused by the positional shift when the MMIC chip 12 is bonded. Are connected to each other as shown in the figure.
【0035】この場合、インピーダンス調整用パターン
18bがインピーダンスのずれが発生していない基準と
なるパターンとして設けられているのに対して、インピ
ーダンス調整用パターン18aは幅寸法を広くすると共
に長さ寸法を短く設定しており、インピーダンス調整用
パターン18cは幅寸法のみを広く設定したものとして
形成されている。In this case, while the impedance adjusting pattern 18b is provided as a reference pattern in which no impedance shift occurs, the impedance adjusting pattern 18a has a wider width and a shorter length. The width is set to be short, and the impedance adjusting pattern 18c is formed such that only the width is set wide.
【0036】図6はMMICチップ12を接合する間の
状態の実装基板11を示しており、信号ライン13の先
端部にはインピーダンス調整用パターン18a〜18c
が櫛歯状に配置形成されている。図中左右に位置するイ
ンピーダンス調整用パターン18a〜18cの間では、
互いに配列順序が逆となるように形成されており、イン
ピーダンス調整用パターン18aと18c、18bと1
8b、18cと18aとが高周波回路素子12の実装領
域を介して対向している。FIG. 6 shows the mounting substrate 11 in a state in which the MMIC chip 12 is being bonded. The tip of the signal line 13 has impedance adjustment patterns 18a to 18c.
Are arranged and formed in a comb shape. Between the impedance adjustment patterns 18a to 18c located on the left and right in the figure,
The impedance adjustment patterns 18a and 18c, 18b and 1
8b, 18c and 18a face each other via the mounting area of the high-frequency circuit element 12.
【0037】これは、インピーダンス調整を行なう場合
に、高周波回路素子12の搭載位置が信号ライン13の
信号伝搬方向に位置ずれを起こしたときに一方のインピ
ーダンスが増加すると他方のインピーダンスが減少する
ことを想定しているものである。いずれの方向にずれる
場合においても、左右2本のワイヤ導体17をボンディ
ングする場合に両者共に上側に位置するインピーダンス
調整用パターン18a,18cを選択するか、あるいは
中間位置のインピーダンス調整用パターン18b,18
bを選択するか、もしくは下側に位置するインピーダン
ス調整用パターン18c,18aを選択するかにより調
整することができるようにしているのである。This is because, when performing impedance adjustment, when one of the impedances increases when the mounting position of the high-frequency circuit element 12 is displaced in the signal propagation direction of the signal line 13, the other impedance decreases. It is assumed. In either case, when bonding the two wire conductors 17 on the left and right sides, either of the impedance adjustment patterns 18a and 18c located on the upper side is selected, or the impedance adjustment patterns 18b and 18 at the intermediate position are selected.
The adjustment can be made by selecting either “b” or the lower impedance adjustment patterns 18c and 18a.
【0038】なお、上述のように3つのインピーダンス
調整パターン18a〜18cのうちのいずれか一つを選
択してワイヤ導体17を接続する場合に、選択されない
残りの2つは、その部分のインピーダンスに影響を与え
る。そして、実際には接続されない場合にそのインピー
ダンス調整パターン18a〜18cが接続部分に与える
インピーダンスを考慮して各パターン形状や寸法が設定
されている。When any one of the three impedance adjustment patterns 18a to 18c is selected and the wire conductor 17 is connected as described above, the remaining two unselected impedance adjustment patterns 18a to 18c have the impedance of the portion. Affect. Each pattern shape and dimensions are set in consideration of the impedance given to the connection by the impedance adjustment patterns 18a to 18c when they are not actually connected.
【0039】このような第2の実施形態によれば、信号
ライン13の先端部にあらかじめ3つのインピーダンス
調整パターン18a〜18cを設け、ワイヤ導体17を
接続する際に、そのいずれかを選択して接続することに
よりインピーダンスのずれを調整することができるの
で、簡単な構成で特殊な技術や装置を用いることなく、
高周波回路素子の位置ずれに対応してインピーダンス調
整を行なうことができるようになる。According to the second embodiment, three impedance adjustment patterns 18a to 18c are provided at the end of the signal line 13 in advance, and when connecting the wire conductor 17, any one of them is selected. By connecting, you can adjust the impedance deviation, so with a simple configuration without using special technology or equipment,
Impedance adjustment can be performed in accordance with the displacement of the high-frequency circuit element.
【0040】上記実施形態においては、3つのインピー
ダンス調整パターン18a〜18cを設ける構成とした
場合について説明したが、4つ以上のインピーダンス調
整パターンを設ける構成とすることは勿論可能である。
さらに、インピーダンス調整パターン18a〜18c
は、信号ライン13側に設ける場合に限らず、接合用パ
ターン14側に設けても良いし、あるいは必要に応じて
双方に設ける構成とすることもできる。In the above embodiment, the case where three impedance adjustment patterns 18a to 18c are provided has been described. However, it is needless to say that four or more impedance adjustment patterns can be provided.
Further, the impedance adjustment patterns 18a to 18c
Is provided not only on the signal line 13 side but also on the joining pattern 14 side, or may be provided on both sides as needed.
【0041】また、インピーダンス調整パターン18a
〜18cのいずれかを選択して接続する場合に、信号伝
搬方向に対する位置についても必要に応じて調整するこ
とによりさらに細かいインピーダンス調整を行なうよう
にすることもできる。この場合には、インピーダンス調
整パターン18a〜18cのそれぞれに調整用の目盛り
パターン15を印刷して設けるようにすることもでき
る。The impedance adjustment pattern 18a
When any one of .about.18c is selected and connected, the position with respect to the signal propagation direction may be adjusted as needed, so that finer impedance adjustment can be performed. In this case, the scale pattern 15 for adjustment may be printed and provided on each of the impedance adjustment patterns 18a to 18c.
【0042】(第3の実施形態)図7は、本発明の第3
の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるとこ
ろは、ワイヤ導体17に代えて接続導体としてリボン状
導体19を用いたところである。すなわち、同図に示し
ているように、偏平なリボン状の導体を接続導体として
用いる構成としたもので、そのリボン状導体19は、幅
寸法が信号ライン13の幅寸法に対応させた寸法のもの
で、これを前述同様にして目盛りパターン15により決
められた位置に接続するようにした構成である。(Third Embodiment) FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention.
This embodiment is different from the first embodiment in that a ribbon conductor 19 is used as a connection conductor instead of the wire conductor 17. That is, as shown in the figure, a flat ribbon-shaped conductor is used as a connection conductor, and the ribbon-shaped conductor 19 has a width corresponding to the width of the signal line 13. This is connected to the position determined by the scale pattern 15 in the same manner as described above.
【0043】そして、このような構成によっても前述同
様の作用効果を得ることができ、さらに、リボン状導体
19を接続する際に、インピーダンス調整の程度に応じ
て例えばリボン状導体19の幅寸法や厚さ寸法などを適
宜のものを選択して接続することにより、インピーダン
ス調整の範囲を絞り込んでその調整範囲内において、位
置決めによる調整作業をより精度の高いものとすること
ができる。With such a configuration, the same operation and effect as described above can be obtained. Further, when the ribbon-shaped conductor 19 is connected, for example, the width of the ribbon-shaped conductor 19, By selecting and connecting thicknesses and the like as appropriate, the range of impedance adjustment can be narrowed, and the adjustment work by positioning can be performed with higher accuracy within the adjustment range.
【0044】(第4の実施形態)図8は、本発明の第4
の実施形態を示すもので、第2の実施形態と異なるとこ
ろは、ワイヤ導体17に代えて接続導体としてリボン状
導体19を用いたところである。すなわち、同図に示し
ているように、偏平なリボン状の導体を接続導体として
用いることにより構成したもので、そのリボン状導体1
9は、幅寸法が信号ライン13の幅寸法に対応させた寸
法のもので、これを前述同様にして接合用パターン14
と選択されたインピーダンス調整パターン18a〜18
cのいずれかとの間に接続することによりインピーダン
ス整合を図るものである。(Fourth Embodiment) FIG. 8 shows a fourth embodiment of the present invention.
This embodiment is different from the second embodiment in that a ribbon-shaped conductor 19 is used as a connection conductor instead of the wire conductor 17. That is, as shown in the figure, a flat ribbon-shaped conductor is used as a connection conductor, and the ribbon-shaped conductor 1 is used.
Reference numeral 9 denotes a dimension whose width corresponds to the width of the signal line 13.
And the selected impedance adjustment patterns 18a to 18
The impedance matching is achieved by connecting to any one of the components c.
【0045】そして、このような構成によっても前述同
様の作用効果を得ることができ、さらに、第3の実施形
態と同様に、接続導体としてのリボン状導体19の幅寸
法を選ぶことによりインピーダンスの調整範囲を絞り込
んでその調整範囲内において精度の高い調整をすること
ができるようになる。With such a configuration, the same operation and effect as described above can be obtained. Further, similarly to the third embodiment, by selecting the width of the ribbon-shaped conductor 19 as the connection conductor, the impedance can be reduced. It is possible to narrow down the adjustment range and perform highly accurate adjustment within the adjustment range.
【0046】(第5の実施形態)図9および図10は、
本発明の第5の実施形態を示すもので、第1の実施形態
と異なるところは、接続手段として導体ではなく導電層
20を形成するようにしたところである。すなわち、信
号ライン13と接合用パターン14との間を電気的に接
続する接続手段として、それらの間の領域に導電金属を
打ち込んで導電層20を形成し、これによって接続する
ものである。(Fifth Embodiment) FIG. 9 and FIG.
The fifth embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that a conductive layer 20 is formed as a connecting means instead of a conductor. That is, as a connecting means for electrically connecting between the signal line 13 and the bonding pattern 14, a conductive metal is implanted into a region between them to form a conductive layer 20, and the connection is made by this.
【0047】高周波回路素子12を実装基板11に接着
固定した後に、そのときの位置ずれの程度によって発生
するインピーダンスをずれ量を求め、そのインピーダン
スずれ量を解消するように導電層20を形成する。イン
ピーダンス調整用の目盛りパターン15は、その導電層
20を形成するための導電金属の打ち込み領域を設定す
る指標となるものである。After the high-frequency circuit element 12 is adhered and fixed to the mounting substrate 11, the amount of impedance generated depending on the degree of positional deviation at that time is determined, and the conductive layer 20 is formed so as to eliminate the amount of impedance deviation. The scale pattern 15 for impedance adjustment serves as an index for setting a conductive metal implant region for forming the conductive layer 20.
【0048】図10は高周波回路素子12を接合する前
の状態で示す実装基板11の平面図で、第1の実施形態
と同様に信号ライン13および接合用パターン14が形
成されており、それらの間の間隔寸法gは所定の寸法に
設定されている。これに対して、高周波回路素子12を
実装基板11上に接合した場合に、その位置ずれに起因
してインピーダンスのずれが発生する。FIG. 10 is a plan view of the mounting substrate 11 before the high-frequency circuit element 12 is joined. The signal line 13 and the joining pattern 14 are formed in the same manner as in the first embodiment. The distance g between them is set to a predetermined size. On the other hand, when the high-frequency circuit element 12 is bonded on the mounting board 11, a displacement of the impedance occurs due to the displacement.
【0049】このインピーダンスのずれを解消するよう
に導電金属の打ち込み領域を設定し、例えば信号伝搬方
向でdだけの距離の範囲に設定して導電層20を形成す
る。この場合、導電金属の打ち込み工程では、例えば、
目的とする導電金属のイオン(例えばAsイオンなど)
を収束イオンビーム装置を用いて所望領域に打ち込むこ
とで導電層20を形成する。The conductive layer 20 is formed by setting a region where the conductive metal is implanted so as to eliminate the deviation of the impedance, for example, by setting the region to a distance of d in the signal propagation direction. In this case, in the step of implanting the conductive metal, for example,
Target conductive metal ions (eg, As ions)
Is implanted into a desired region using a focused ion beam apparatus to form a conductive layer 20.
【0050】このような第5の実施形態によっても、前
述の実施形態と同様の作用効果が得られると共に、接続
手段を導電層20を形成することで接続するので、接続
不良を発生するなどの不具合が減り、信頼性の高い接続
構造を得ることができるようになる。According to the fifth embodiment, the same operation and effect as those of the above-described embodiment can be obtained. In addition, since the connection means is formed by forming the conductive layer 20, the connection is poor. Inconvenience is reduced, and a highly reliable connection structure can be obtained.
【0051】(第6の実施形態)図11および図12
は、本発明の第6の実施形態を示すもので、第2の実施
形態と異なるところは、接続手段として導体ではなく導
電層20を形成するようにしたところである。すなわ
ち、信号ライン13の先端部に設けたインピーダンス調
整用パターン18a〜18cのいずれかと接合用パター
ン14との間を電気的に接続する接続手段として、第5
の実施形態と同様に、それらの間の領域に導電金属を打
ち込んで導電層20を形成し、これによって接続するも
のである。(Sixth Embodiment) FIGS. 11 and 12
Shows a sixth embodiment of the present invention. The difference from the second embodiment is that a conductive layer 20 is formed instead of a conductor as a connecting means. In other words, a fifth connecting means for electrically connecting any one of the impedance adjusting patterns 18a to 18c provided at the end of the signal line 13 and the joining pattern 14 is used.
In the same manner as in the first embodiment, a conductive layer is formed by implanting a conductive metal into a region between them, and connection is made by this.
【0052】高周波回路素子12を実装基板11に接着
固定した後に、そのときの位置ずれの程度によって発生
するインピーダンスをずれ量を求め、そのインピーダン
スずれ量を解消するように導電層20を形成する。導電
層20の形成領域は、選択されたインピーダンス調整用
パターン18a〜18cのいずれかと接合用パターン1
4との間に設定され、導電金属の打ち込み処理が行なわ
れる。After the high-frequency circuit element 12 is adhered and fixed to the mounting substrate 11, the amount of impedance generated depending on the degree of positional displacement at that time is determined, and the conductive layer 20 is formed so as to eliminate the amount of impedance deviation. The formation region of the conductive layer 20 is formed by selecting one of the selected impedance adjustment patterns 18 a to 18 c and the bonding pattern 1.
4, and a conductive metal implantation process is performed.
【0053】図12は高周波回路素子12を固定する前
の状態で示す実装基板11の平面図で、第2の実施形態
と同様に信号ライン13の先端部にインピーダンス調整
用パターン18a〜18cが形成されると共に、接合用
パターン14が形成されている。図示のように、例えば
インピーダンス調整様パターン18bが選択された場合
には、接合用パターン14との間を直線的に接続するよ
うに導電層20が形成される。FIG. 12 is a plan view of the mounting board 11 before the high-frequency circuit element 12 is fixed. Similar to the second embodiment, impedance adjustment patterns 18a to 18c are formed at the tip of the signal line 13. At the same time, a bonding pattern 14 is formed. As shown in the figure, for example, when the impedance adjustment-like pattern 18b is selected, the conductive layer 20 is formed so as to linearly connect with the bonding pattern 14.
【0054】このような第6の実施形態によっても、前
述の実施形態と同様の作用効果が得られると共に、接続
手段を導電層20を形成することで接続するので、接続
不良を発生するなどの不具合が減り、信頼性の高い接続
構造を得ることができるようになる。According to the sixth embodiment, the same operation and effect as those of the above-described embodiment can be obtained. In addition, since the connecting means is connected by forming the conductive layer 20, the connection failure such as the occurrence of connection failure can be obtained. Inconvenience is reduced, and a highly reliable connection structure can be obtained.
【0055】なお、上記実施形態においても、選択され
たインピーダンス調整用パターン18a〜18cとの間
の長さについても調整を行なってインピーダンス調整を
行なうようにすることができ、これによってさらに高精
度な調整作業を行なうことができるようになる。In the above embodiment, the length between the selected impedance adjusting patterns 18a to 18c can also be adjusted to adjust the impedance, thereby achieving higher accuracy. Adjustment work can be performed.
【0056】本発明は上記実施形態にのみ限定されるも
のではなく、以下のように変形して実施することができ
る。すなわち、上記各実施形態においては、高周波回路
素子としてのMMICチップ12をフリップチップ接続
する場合について説明したが、接合方法についてはこれ
に限らず、ワイヤボンディングなどの方法でMMICチ
ップ12のボンディングパッドとの電気的接続を形成
し、この後、チップとのワイヤボンディングにより生じ
たインピーダンスのずれを解消するように信号ライン1
3と接合用パターン14との間を接続手段により接続す
ることでインピーダンス調整を図るようにしても良い。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified as follows. That is, in each of the above embodiments, the case where the MMIC chip 12 as the high-frequency circuit element is flip-chip connected is described. However, the bonding method is not limited to this, and the bonding pad of the MMIC chip 12 is connected to the bonding pad by a method such as wire bonding. After that, the signal line 1 is connected so as to eliminate the deviation of the impedance caused by the wire bonding with the chip.
The impedance may be adjusted by connecting the connection pattern 3 and the bonding pattern 14 by connecting means.
【0057】また、第1の実施形態においては、目盛り
パターン15を設けてワイヤ導体17をボンディングす
る位置を設定する目安としているが、この目盛りパター
ン15は必要に応じて設ければ良く、目盛りパターン1
5をなくした場合でも十分に実施することができる。さ
らには、目盛りパターン15に相当する形状に信号ライ
ン13を目盛り付きのパターンにしたり、あるいは、パ
ターンの幅寸法や形成方向などに違いをもたせて位置決
めをする目安となるように形成することもできる。In the first embodiment, the scale pattern 15 is provided as a guide for setting the position where the wire conductor 17 is bonded. However, the scale pattern 15 may be provided as needed. 1
Even if 5 is lost, it can be implemented sufficiently. Further, the signal line 13 may be formed into a pattern with a scale in a shape corresponding to the scale pattern 15, or may be formed so as to be used as a guide for positioning by giving a difference in the width dimension or the forming direction of the pattern. .
【図1】本発明の第1の実施形態を示すMMICチップ
の実装状態における平面図および断面図FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a mounted state of an MMIC chip according to a first embodiment of the present invention.
【図2】実装基板に信号ラインおよび接合用パターンを
設けた状態で示す平面図および断面図FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view showing a state where signal lines and bonding patterns are provided on a mounting board.
【図3】実装基板にAuバンプを設けた状態で示す平面
図および断面図FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view showing a state where an Au bump is provided on a mounting substrate.
【図4】実装基板にMMICチップを固定した状態で示
す平面図および断面図FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view showing a state in which an MMIC chip is fixed to a mounting board.
【図5】本発明の第2の実施形態を示す図1相当図FIG. 5 is a view corresponding to FIG. 1, showing a second embodiment of the present invention;
【図6】図3相当図FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 3;
【図7】本発明の第3の実施形態を示す図1相当図FIG. 7 is a view corresponding to FIG. 1, showing a third embodiment of the present invention;
【図8】本発明の第4の実施形態を示す図1相当図FIG. 8 is a view corresponding to FIG. 1, showing a fourth embodiment of the present invention;
【図9】本発明の第5の実施形態を示す図1相当図FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 1, showing a fifth embodiment of the present invention;
【図10】図3相当図FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG. 3;
【図11】本発明の第6の実施形態を示す図1相当図FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 1, showing a sixth embodiment of the present invention;
【図12】図3相当図FIG. 12 is a diagram corresponding to FIG. 3;
【図13】従来例を示す図1相当図FIG. 13 is a diagram corresponding to FIG. 1 showing a conventional example.
【符号の説明】 11は実装基板、12はMMICチップ(高周波回路素
子)、13,13aは信号ライン、14は接合用パター
ン、15は目盛りパターン、16はAuバンプ、17は
ワイヤ導体(接続手段、接続導体)、18a〜18cは
インピーダンス調整用パターン、19はリボン状導体
(接続手段、接続導体)、20は導電層(接続手段)で
ある。[Description of Signs] 11 is a mounting board, 12 is an MMIC chip (high-frequency circuit element), 13 and 13a are signal lines, 14 is a bonding pattern, 15 is a scale pattern, 16 is an Au bump, and 17 is a wire conductor (connection means). , Connection conductors), 18a to 18c are impedance adjustment patterns, 19 is a ribbon-shaped conductor (connection means, connection conductor), and 20 is a conductive layer (connection means).
Claims (13)
周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号
ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造
において、 前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信
号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高
周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、 前記信号ラインと前記接合用パターンとの間を電気的に
接続する接続手段と、前記接続手段を接続する部分の位
置を調整する部分に形成された接続位置設定用の目盛り
パターンとを備えたを設けた構成としたことを特徴とす
る高周波回路素子の実装構造。1. A mounting structure of a high-frequency circuit element for fixing a high-frequency circuit element on a mounting substrate on which a signal line is formed and electrically connecting the high-frequency circuit element and the signal line. In the mounting region of the high-frequency circuit element, the signal line is formed in an electrically insulated state and is electrically connected to the high-frequency circuit element, and a bonding pattern is formed between the signal line and the bonding pattern. A high-frequency circuit comprising: a connection means for electrically connecting; and a scale pattern for setting a connection position formed on a portion for adjusting the position of the portion for connecting the connection means. Device mounting structure.
周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号
ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造
において、 前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信
号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高
周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、 前記信号ラインと前記接合用パターンとの間を電気的に
接続する接続手段と、前記接続手段を接続する部分に複
数個のインピーダンス調整パターンを配置し前記接続手
段を選択的に接続できるように構成したことを特徴とす
る高周波回路素子の実装構造。2. A mounting structure of a high-frequency circuit element for fixing a high-frequency circuit element on a mounting substrate on which a signal line is formed, and electrically connecting the high-frequency circuit element and the signal line. In the mounting region of the high-frequency circuit element, the signal line is formed in an electrically insulated state and is electrically connected to the high-frequency circuit element, and a bonding pattern is formed between the signal line and the bonding pattern. A mounting structure for a high-frequency circuit element, comprising: connecting means for electrically connecting, and a plurality of impedance adjustment patterns arranged at a portion connecting the connecting means so that the connecting means can be selectively connected. .
構造において、 前記複数個のインピーダンス調整パターンは、櫛歯状に
配列されていることを特徴とする高周波回路素子の実装
構造。3. The mounting structure for a high-frequency circuit element according to claim 2, wherein the plurality of impedance adjustment patterns are arranged in a comb shape.
周波回路素子の実装構造において、 前記接続手段は、前記信号ラインと前記接合用パターン
との間に接続される接続導体であることを特徴とする高
周波回路素子の実装構造。4. The mounting structure for a high-frequency circuit device according to claim 1, wherein said connection means is a connection conductor connected between said signal line and said joining pattern. Characteristic high-frequency circuit element mounting structure.
周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号
ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造
において、 前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信
号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高
周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、 前記実装基板の前記信号ラインと前記接合用パターンと
の間の領域に金属粒子を導入して両者の間を電気的に接
続するように形成した導電層領域からなる接続手段とを
設けて構成したことを特徴とする高周波回路素子の実装
構造。5. A mounting structure of a high-frequency circuit element for fixing a high-frequency circuit element on a mounting substrate on which a signal line is formed and electrically connecting the high-frequency circuit element and the signal line. A bonding pattern formed in a mounting area of the high-frequency circuit element so as to be electrically insulated from the signal line and electrically connected to the high-frequency circuit element; and the signal line and the bonding pattern on the mounting board. And a connection means comprising a conductive layer region formed so as to introduce metal particles into a region between the two and electrically connect the two.
周波回路素子の実装構造において、 前記接続手段は、前記信号ラインと高周波回路素子との
間のインピーダンスを調整するように前記信号ラインお
よび前記接合用パターンのそれぞれの間との少なくとも
一方の接続位置を調整するように設けられていることを
特徴とする高周波回路素子の実装構造。6. The mounting structure for a high-frequency circuit element according to claim 1, wherein the connection unit adjusts an impedance between the signal line and the high-frequency circuit element. A mounting structure for a high-frequency circuit element, wherein the mounting structure is provided so as to adjust at least one connection position between each of the joining patterns.
周波回路素子の実装構造において、 前記実装基板は、導電性の金属からなることを特徴とす
る高周波回路素子の実装構造。7. The mounting structure for a high-frequency circuit device according to claim 1, wherein the mounting substrate is made of a conductive metal.
周波回路素子の実装構造において、 前記実装基板は、セラミックからなることを特徴とする
高周波回路素子の実装構造。8. The mounting structure for a high-frequency circuit device according to claim 1, wherein the mounting substrate is made of ceramic.
周波回路素子の実装構造において、 前記高周波回路素子は、前記実装基板との接合部分に金
バンプが形成されていることを特徴とする高周波回路素
子の実装構造。9. The mounting structure for a high-frequency circuit element according to claim 1, wherein the high-frequency circuit element has a gold bump formed at a joint portion with the mounting substrate. Mounting structure of high-frequency circuit elements.
高周波回路素子の実装構造において、 前記高周波回路素子は、前記実装基板にはんだにより接
合されていることを特徴とする高周波回路素子の実装構
造。10. The mounting structure of a high-frequency circuit element according to claim 1, wherein the high-frequency circuit element is joined to the mounting board by soldering. Construction.
装構造において、 前記接続導体は、ワイヤ導体であることを特徴とする高
周波回路素子の実装構造。11. The mounting structure for a high-frequency circuit element according to claim 4, wherein the connection conductor is a wire conductor.
装構造において、 前記接続導体は、リボン状導体であることを特徴とする
高周波回路素子の実装構造。12. The mounting structure for a high-frequency circuit element according to claim 4, wherein the connection conductor is a ribbon-shaped conductor.
ると共に信号ラインと電気的に接続する高周波回路素子
の実装方法において、 前記実装基板に、前記信号ラインパターンとは電気的に
絶縁された状態に前記高周波回路素子の実装部分に接合
用パターンを設ける工程と、 前記高周波回路素子を前記実装基板の前記接合用パター
ンの部分に接合する工程と、 前記接合用パターンと前記信号ラインパターンとを接続
導体により接続する工程とからなる高周波回路素子の実
装方法。13. A method for mounting a high-frequency circuit element on a mounting board and electrically connecting the high-frequency circuit element to a signal line, wherein the mounting board is electrically insulated from the signal line pattern. Providing a bonding pattern on the mounting portion of the high-frequency circuit element; bonding the high-frequency circuit element to the bonding pattern portion of the mounting board; connecting the bonding pattern and the signal line pattern A method for mounting a high-frequency circuit element, comprising the steps of connecting with a conductor.
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| JP07019999A JP3899724B2 (en) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | High-frequency circuit element mounting structure |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008232883A (en) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Yokogawa Electric Corp | Semiconductor inspection equipment |
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