JP2000269242A - Chip-bonding device and calibration method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に半導体チッ
プをボンディングするチップボンディング装置及びそれ
におけるキャリブレーション方法に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a chip bonding apparatus for bonding a semiconductor chip to a substrate and a calibration method in the chip bonding apparatus.
【従来の技術】従来、周知のように、チップボンディン
グは、上方のボンディングツールが保持している半導体
チップに対して、その下方のボンディングステージに支
持されている基板(例えば、液晶基板等)のボンディン
グ位置を精密に位置決めせしめた状態においてボンディ
ングツールを降下させてボンディングする。その為、か
かるボンディングに先立って、例えば、半導体チップ及
び基板に設けられているアライメントマークを二視野カ
メラで認識し、両アライメントマークの位置ずれを無く
するようにボンディングステージを所定に移動制御する
ことによって半導体チップと基板との位置合わせを行っ
ているが、その際、二視野カメラは、退避位置からアラ
イメントマーク認識位置へ移動せしめられたり或いはそ
れと反対方向へ移動せしめられて退避せしめられる。と
ころが、そのような工程を経て次々とボンディングして
行くうちに、作業室内の温度が上昇するといった環境条
件の変化により、装置各部の寸法変化が生じるので、二
視野カメラの移動制御を永続的に同一条件で実施して行
くと、アライメントマークの位置認識に誤差が発生し、
これに起因して高精度のボンディングが困難になる。そ
こで、μm単位のボンディング精度を保つ為に、必要に
応じてカメラ移動制御系のキャリブレーションが随時行
われていると共に、既に各種のキャリブレーションが提
案されている。例えば、特開平9−8104号公報の段
落[0036]〜[0042]おいては、ボンディング
ツールが装着されているZテーブルに昇降装置を介して
マーク用テーブルを装着し、かかる昇降装置を駆動して
マーク用テーブルを、ボンディングツールに真空吸着保
持されている半導体チップと同一レベルの位置へ移動さ
せると共に、それの下方へ二視野カメラを移動させてマ
ーク用テーブルに設けられているキャリブレーション用
マークを認識し、次いで、二視野カメラをそこから退避
させた後、昇降装置を駆動してマーク用テーブルを、下
方のボンディングステージに支持されている回路基板と
同一レベルの位置へ移動させると共に、それの上方へ二
視野カメラを移動させて前記マークを認識し、もって、
両認識によって得られる所定の制御パラメータに基づい
て前記カメラの移動制御系に入力されている先行の制御
パラメータを補正更新するキャリブレーション方法が提
案されている。2. Description of the Related Art As is well known, in chip bonding, a semiconductor chip held by an upper bonding tool is attached to a substrate (for example, a liquid crystal substrate) supported by a bonding stage below the semiconductor chip. In a state where the bonding position is precisely positioned, bonding is performed by lowering the bonding tool. Therefore, prior to such bonding, for example, the alignment marks provided on the semiconductor chip and the substrate are recognized by a two-view camera, and the bonding stage is controlled to move in a predetermined manner so as to eliminate the displacement between the two alignment marks. In this case, the position of the semiconductor chip and the substrate is adjusted, and at this time, the dual-view camera is moved from the retracted position to the alignment mark recognition position or moved in the opposite direction to the retracted position. However, as the bonding proceeds one after another through these processes, changes in environmental conditions such as an increase in the temperature in the working room cause dimensional changes in each part of the device. Under the same conditions, errors occur in the alignment mark position recognition,
This makes high-precision bonding difficult. Therefore, in order to maintain the bonding accuracy in units of μm, calibration of the camera movement control system is performed as needed, and various calibrations have already been proposed. For example, in paragraphs [0036] to [0042] of JP-A-9-8104, a mark table is mounted on a Z table on which a bonding tool is mounted via a lifting device, and the lifting device is driven. The mark table is moved to the same level as the semiconductor chip held in vacuum by the bonding tool, and the two-view camera is moved below the mark table to adjust the calibration mark provided on the mark table. Then, after retreating the dual-view camera from there, the lifting device is driven to move the mark table to the same level as the circuit board supported by the lower bonding stage, and Recognize the mark by moving the two-view camera upwards,
There has been proposed a calibration method for correcting and updating preceding control parameters input to the movement control system of the camera based on predetermined control parameters obtained by both recognitions.
【発明が解決しようとする課題】ところが、このキャリ
ブレーション方法は、半導体チップ及び基板夫々に設け
られているアライメントマークを認識する位置から大き
く離れた位置でキャリブレーション用マークを認識する
ようにしている為、二視野カメラが、それらのうちの一
方のマーク(例えば、キャリブレーション用マーク)を
認識する位置へ移動せしめられたときと、他方のマーク
(例えば、アライメントマーク)を認識する位置へ移動
せしめられたときとでは、かかるカメラを移動させるX
Yテーブル若しくはXYZテーブルに作用する荷重(曲
げモーメント)が相異し、その為による撓み量の差が、
キャリブレーション用マークの位置認識誤差になって、
より一段と高精度にキャリブレーションすることが妨げ
られていた。そこで、本発明者等は、他の特許出願にお
いて、ボンディングツールの加圧面に開口されている半
導体チップ吸着保持用の吸気孔と、透明板を装着したボ
ンディングステージの前記透明板に設けられているキャ
リブレーション用下マークとを、二視野カメラで認識す
ることに加えて、ボンディングツールを上方の待機位置
から降下させて前記吸気孔をキャリブレーション用下マ
ークに接近せしめた状態において前記透明板の下方から
一視野カメラで前記吸気孔及び前記キャリブレーション
用下マークを認識するようにすることによって、より一
段と高精度にキャリブレーションすることができること
を提案したが、このようなキャリブレーション方法にお
いては、二視野カメラの上側の光軸と下側の光軸とのず
れが生じる為、それの補正が必要とされていた。ところ
が、その為に必要とされる補正パラメータが、二視野カ
メラの精度測定結果等から経験的に決定される一方にお
いて季節の変化(環境温度の変化)等の影響を受け易い
為に、キャリブレーション精度を一定に維持することの
困難性を有していると共に、キャリブレーション精度を
一定に維持しようとすると、キャリブレーション時間が
長くなって効率が低下し、そうかといって、時間短縮の
為にキャリブレーション回数を減らすと、一定精度に維
持することが困難になってしまうといった相反する解決
し難い欠点があった。本発明は、このよう欠点に着目
し、それを解決すべく鋭意検討の結果、二視野カメラの
上下光軸のずれ量とカメラ温度とが相関関係にあること
を見出し、この点に基づいて本発明を完成し得たもので
ある。However, in this calibration method, the calibration mark is recognized at a position far apart from the position at which the alignment mark provided on each of the semiconductor chip and the substrate is recognized. Therefore, the two-field camera is moved to a position where one of the marks (for example, a calibration mark) is recognized, and is moved to a position where the other mark (for example, an alignment mark) is recognized. When the camera is moved X
The load (bending moment) acting on the Y table or the XYZ table is different, and the difference in the amount of bending due to this is
Calibration mark position recognition error
Calibration with even higher precision was hindered. In view of the above, the inventors of the present invention, in another patent application, provide a suction hole for holding and holding a semiconductor chip which is opened on a pressing surface of a bonding tool and a transparent plate of a bonding stage on which a transparent plate is mounted. In addition to recognizing the calibration lower mark with the two-field camera, the bonding tool is lowered from the upper standby position to bring the air intake hole closer to the calibration lower mark, and the lower side of the transparent plate. Proposed that the single-view camera recognizes the air intake hole and the lower mark for calibration, so that calibration can be performed with higher precision.However, in such a calibration method, Since the upper optical axis and the lower optical axis of the field-of-view camera are shifted, it is necessary to correct it. It has been considered. However, while the correction parameters required for this are empirically determined from the accuracy measurement results of the two-view camera, etc., they are susceptible to the effects of seasonal changes (changes in environmental temperature). In addition to the difficulty of maintaining a constant accuracy, trying to maintain the calibration accuracy at a constant level results in a longer calibration time and lower efficiency. If the number of calibrations is reduced, it is difficult to maintain constant accuracy, and there is a contradictory problem that cannot be solved. The present invention pays attention to such drawbacks, and as a result of intensive studies to solve the drawbacks, as a result, it has been found that there is a correlation between the shift amount of the upper and lower optical axes of the two-view camera and the camera temperature. The invention has been completed.
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
チップボンディング装置は、請求項1に記載するよう
に、半導体チップを吸着保持する為の吸気孔を加圧面に
開口せしめ、かつ、上下動し得るように装着されたボン
ディングツールと、前記ボンディングツールの下方にお
いて水平面内において移動し得るように装着されたボン
ディングステージと、前記ボンディングステージに装着
されている透明板に設けられたキャリブレーション用下
マークと、前記ボンディングステージがキャリブレーシ
ョン実行位置に位置決めせしめられた状態において退避
位置から前記ボンディングツールと前記透明板との間へ
移動して前記吸気孔と前記キャリブレーション用上下両
マークとを認識する二視野カメラと、前記ボンディング
ツールが上方の待機位置から下方へ移動せしめられて前
記透明板に接近若しくは当接した状態において前記透明
板の下方から前記吸気孔と前記キャリブレーション用下
マークとを認識する一視野カメラとを備えたチップボン
ディング装置において、前記二視野カメラに温度検出手
段を装着し、かつ、前記温度検出手段が許容以上の温度
変化を検出したときのみにおいてキャリブレーションを
行うようにしたことを特徴とするものである。また、本
発明に係るチップボンディング装置におけるキャリブレ
ーション方法は、請求請7に記載するように、半導体チ
ップを吸着保持する為の吸気孔を開口せしめたボンディ
ングツールの下方に配されているボンディングステージ
を水平面内において移動せしめてキャリブレーション実
行位置に位置決めさせた状態において退避位置から前記
ボンディングツールと前記ボンディングステージに装着
されている透明板との間へ二視野カメラを移動せしめて
前記吸気孔と前記透明板に設けられているキャリブレー
ション用下マークとを認識することによって得られる所
定の制御パラメータに基づいてカメラ移動制御系に入力
されている先行の制御パラメータを補正更新すること
と、前記ボンディングツールを上方の待機位置から下方
へ移動させて前記透明板に接近若しくは当接せしめた状
態において前記透明板の下方から一視野カメラで前記吸
気孔と前記キャリブレーション用下マークとを認識する
ことによって得られる所定の制御パラメータに基づいて
前記カメラ移動制御系に入力されている先行の制御パラ
メータを補正更新することとを行うチップボンディング
装置におけるキャリブレーション方法において、前記二
視野カメラの温度を検出し、かつ、許容以上の温度変化
を検出したときのみにおいて、前記二視野カメラによる
前記吸気孔及び前記キャリブレーション用下マークの認
識に基づく制御パラメータの補正更新と、前記一視野カ
メラによる前記吸気孔及び前記キャリブレーション用下
マークの認識に基づく制御パラメータの補正更新とを行
うことを特徴とするものである。That is, according to a first aspect of the present invention, there is provided a chip bonding apparatus in which a suction hole for sucking and holding a semiconductor chip is opened in a pressurizing surface, and a vertical movement is performed. A bonding tool mounted so as to be able to move in a horizontal plane below the bonding tool, and a calibration tool provided on a transparent plate mounted on the bonding stage. When the bonding stage is positioned at the calibration execution position, the mark moves from the retracted position to between the bonding tool and the transparent plate to recognize the suction hole and the upper and lower calibration marks. Dual view camera and the bonding tool is on standby And a single-view camera that recognizes the air intake hole and the calibration lower mark from below the transparent plate in a state where the single-view camera is moved downward from the device and approaches or contacts the transparent plate. Temperature sensor is mounted on the two-view camera, and calibration is performed only when the temperature detector detects a temperature change exceeding an allowable level. Further, according to the calibration method in the chip bonding apparatus according to the present invention, as set forth in claim 7, a bonding stage disposed below a bonding tool having an intake hole for sucking and holding a semiconductor chip is provided. In the state where the camera is moved in the horizontal plane and positioned at the calibration execution position, the dual-view camera is moved from the retracted position to between the bonding tool and the transparent plate mounted on the bonding stage, so that the suction hole and the transparent glass are moved. Correcting and updating the preceding control parameter input to the camera movement control system based on the predetermined control parameter obtained by recognizing the lower mark for calibration provided on the board, and From the upper standby position to the lower position The camera movement based on predetermined control parameters obtained by recognizing the intake hole and the calibration lower mark with a one-view camera from below the transparent plate in a state of approaching or abutting on the transparent plate. In a calibration method in a chip bonding apparatus for correcting and updating a preceding control parameter input to a control system, a temperature of the two-view camera is detected, and only when a temperature change exceeding an allowable level is detected. The correction and update of the control parameters based on the recognition of the intake hole and the lower mark for calibration by the two-view camera, and the control parameters based on the recognition of the intake hole and the lower mark for calibration by the single-view camera. And performing a correction update. .
【発明の実施の形態】斜視図である図1及び図2におい
て、下方のボンディングステージ1と上方のボンディン
グツール2との間へ二視野カメラ3が移動せしめられた
姿が示されているが、この二視野カメラ3でキャリブレ
ーション用下マーク4及び吸気孔10が共に認識され
る。なお、キャリブレーション用下マーク4は、ボンデ
ィングステージ1に装着されている透明板6(例えば、
ガラス板)の上面6aに設けられていると共に吸気孔1
0は、ボンディングツール2の先端部を形成している加
圧ヘッド2aの加圧面2bに設けられている。また、ボ
ンディングステージ1は、XYθテーブル7の最上段を
形成しているθテーブル7a上に装着されており、従っ
て、XYθテーブル7の駆動によって水平面内において
X軸方向、Y軸方向又はXY両軸方向に移動(以下、単
に平行移動という。)され得ると共に所定方向に回転さ
れ得る。一方、ボンディングツール2は、図示されてい
ない機構によって水平方向へは移動し得ないが、Z軸方
向(垂直方向)に上下動自在に装着され、かつ、加圧ヘ
ッド2aを所定温度に加熱する為のヒータ(図示されて
いない)を内蔵していると共に加圧ヘッド2aの加圧面
2bに、半導体チップを吸着保持する為の吸気孔10を
開口せしめている。なお、吸気孔10は、ボンディング
ツール2の垂直軸心B−B上に位置されているが、この
孔10と連通せしめられるように耐圧ホース11の一端
がボンディングツール2に取り付けられていると共に、
その他端が図示されていない真空ポンプに取り付けられ
ている。また、二視野カメラ3は、図示されていないX
YZテーブルに装着されている。その為、このカメラ3
は、前記XYZテーブルの駆動によって退避位置からボ
ンディングツール2と透明板6との間へ移動され得ると
共に、反対にそこから前記退避位置へ移動され得る。そ
の際、二視野カメラ3の高さ位置がZテーブルの駆動に
よって所定に調整される。更に、二視野カメラ3に温度
検出手段8(例えば、熱電対)が装着されていると共に
XYθテーブル7のθテーブル7a上に一視野カメラ9
(例えば、CCDカメラ)が装着されている。なお、一
視野カメラ9は、その撮像ヘッドを常時、透明板6の下
方に位置せしめている。また、ボンディングステージ1
の上面1aと透明板6の上面6aは、連なった平面を形
成するように(段差を形成しないように)設けられてい
る。また、ボンディングステージ1の上面1a中央部
に、基板(例えば、液晶基板)を吸着保持する為の吸気
孔12が開口されている。この吸気孔12は、その一端
がボンディングステージ1に取り付けられている耐圧ホ
ース13と連通され、かつ、かかるホース11の他端
(図示されていない)は真空ポンプに取り付けられてい
る。よって、XYθテーブル7を平行移動及び回転せし
めてボンディングステージ1を図示のようにキャリブレ
ーション実行位置に位置決めさせることができるが、か
かるキャリブレーション実行位置は、二視野カメラ3及
び一視野カメラ9の視野範囲内、すなわち、両カメラ
3,9が、キャリブレーション用上下マーク5,4の両
マークを認識することができる範囲内の所定位置に設定
されている。なお、ボンディングステージ1がキャリブ
レーション実行位置に位置決めされた状態においては、
ボンディングツール2の下方に透明板6が位置される
が、この透明板6に設けられているキャリブレーション
下マーク4の位置は、ボンディングツール2に設けられ
ている吸気孔10の位置とボンディングステージ平面に
対して同一の垂直線上には位置されていない。以下、こ
の状態において、上方の待機位置へ移動せしめられてい
るボンディングツール2とその下方の透明板6との間に
二視野カメラ3が移動され、次いで、このカメラ3で吸
気孔10及びキャリブレーション用下マーク4が認識さ
れると共に、これによって得られる所定の制御パラメー
タに基づいてカメラ移動制御系に入力されている先行の
制御パラメータが補正更新される。その際、半導体チッ
プを吸着保持する為の吸気孔10を認識するので、ボン
ディング(熱圧着)に先立って、ボンディングツール2
が吸着保持している半導体チップのアライメントマーク
と、その下方のボンディングステージ1が支持している
基板のアライメントマークとを二視野カメラ3で認識す
る場合と同一ストロークに二視野カメラ3が移動制御さ
れる。このように、同一ストローク位置ですべてのマー
クを認識する為、荷重差による撓みの影響を受けない。
そして、続いて、二視野カメラ3が、ボンディングツー
ル2と透明板6との間のマーク認識位置から右側の退避
位置へ移動されると、ボンディングツール2が上方の待
機位置から降下され、これにより、ボンディングツール
2の加圧ヘッド2aが、透明板6に接近若しくは軽く当
接せしめられる。すると、透明板6の下方から一視野カ
メラ9で吸気孔10及びキャリブレーション用下マーク
4が認識されると共に、これによって得られる所定の制
御パラメータに基づいて前記カメラ移動制御系に入力さ
れている先行の制御パラメータが更に補正更新される。
なお、前記一連のキャリブレーション用下マーク及び吸
気孔の認識を通じて、例えば、二視野カメラ3の上側光
軸3a及び下側光軸3b同士のずれ量等が求められ、得
られた所定の制御パラメータに基づいて先行の制御パラ
メータが補正更新される。一視野カメラ9を用いてのキ
ャリブレーションは、ステージ又はヘッド位置の熱変形
に対するものであり、光学系の変形頻度の多い二視野カ
メラを用いてのそれよりも少ない頻度で必要に応じて行
えばよい。このように、本発明においては、二視野カメ
ラ3を用いてのキャリブレーションと、一視野カメラ9
を用いてのキャリブレーションとの二段階にキャリブレ
ーションを行うようにしている。その為、カメラの移動
制御の煩雑化を防止しながら、従来のキャリブレーショ
ンよりも、より一段と高精度にキャリブレーションする
ことができる。また、上述のように、本発明において
は、カメラの移動制御をより少ない回数で完了できるよ
うにした為、キャリブレーションに要する時間を短縮す
ることができる。なお、このようなキャリブレーション
は、ボンディングステージ1に支持せしめられている液
晶基板等の基板(図示されていない)に半導体チップを
次々とボンディング(熱圧着)して行く途中において必
要に応じて適宜に行われる。その際、キャリブレーショ
ンは、二視野カメラ3に装着されている温度検出手段8
が許容以上の温度変化を検出したときのみに行われる。
従って、ボンディングツール2と透明板4間へ二視野カ
メラ3が移動しても、温度検出手段8が許容以上の温度
変化を検出しないときにおいては、上述のキャリブレー
ションは行われない。その為、最適なタイミングでキャ
リブレーションを行うことができてキャリブレーション
回数を減らすことができるから、効率的にキャリブレー
ションを行うことができ、しかも、キャリブレーション
精度を一定に維持、すなわち、環境雰囲気の温度が変化
するような場合においても高精度に維持することができ
る。このよに、本発明においては、二視野カメラ3の上
側の光軸3aと下側の光軸3bとのずれ量αとカメラ温
度とが相関関係にあることに基づいて許容温度変化を設
定するから、上述のような効果を得ることができるので
ある。なお、かかる許容温度変化の設定に関し、複数の
二視野カメラ3について加熱テストを行って、カメラ温
度差tと光軸のずれ量αとを求めた結果、少しのばらつ
きはあるけれども、平均して1℃当りの変化により光軸
のずれ量が、約2〜6μmであることが確認された。従
って、このデータに基づいて光軸のずれ許容精度を外れ
る温度変化を計算し、それを許容温度変化として設定す
るのも一例である。周知のように、二視野カメラ3は、
その周囲雰囲気等の温度影響を受けると、上側の光軸3
aと下側の光軸3bとのずれ量αが生じる。従って、そ
れを予め測定し、測定ずれ量αの許容値から温度変化許
容値を算出することができる為、カメラ温度を熱電対等
の温度検出手段8で測定して、その温度変化が許容精度
以上になった場合においてのみキャリブレーションを行
うことができるように設けることができる。なお、上述
のボンディングに際し、キャリブレーション実行位置と
は異なった位置、すなわち、ボンディング実行位置へボ
ンデイングステージ1が移動せしめられる。これは、X
Yθテーブル7の駆動制御によって行われ、そして、ボ
ンディング実行位置へ移動されると、二視野カメラ3に
よってボンディングステージ1の吸気孔12を介して真
空吸着保持されている基板のアライメントマークと、ボ
ンディングツール2の吸気孔10を介して真空吸着保持
されている半導体チップ(図示されていない)のアライ
メントマークとが認識される。以下、両マークの位置ず
れを無くするように、ボンディングステージ1がXY軸
方向へ移動、すなわち、平行移動せしめられると共に回
転せしめられ、これによって、基板のボンディング個所
に半導体チップが精密に位置決めせしめられ、従って、
その後、ボンデイングツール2を降下させることによっ
て所定にボンディングすることができる。以上、一実施
形態について述べたが、本発明においては、一視野カメ
ラ9を用いてのキャリブレーションと、二視野カメラ3
を用いてのそれとは、どちらを先に実施しても構わな
い。また、二視野カメラ3を用いてのキャリブレーショ
ンと、一視野カメラ9を用いてのキャリブレーションと
を並行させるだけでなく、二視野カメラ3を用いてのキ
ャリブレーションの前若しくは後において、一視野カメ
ラ9を用いてのキャリブレーションを間欠的に行っても
よい。また、キャリブレーション用下マーク4について
も、いかなる形態のものであってもよいが、一般にはカ
メラでの認識が容易で、かつ、ヒータに対する耐熱性の
樹脂印刷マーク又はマーク用に孔を設けたものが選択さ
れる。また、ボンディングツール2についても、ヒータ
を備えた所謂、ヒートツールのみならず、ヒータを備え
ていないものであってもよい。更に、ボンディングステ
ージ1とボンディングツール2は、相対的な位置関係が
水平方向とその水平面内の回転方向において移動制御可
能であればよく、その意味においては、ボンデングステ
ージ1についても、水平面内において移動し得る限りに
おいては、X軸方向若しくはY軸方向だけに移動し得る
ように装着してもよく、その場合においては、ボンディ
ングツール2をY軸方向若しくはX軸方向に移動し得る
ように装着すればよく、かつ、更には、それに加えて回
転し得るように装着すればよい。また、ボンディングス
テージ1は、基板を所定に支持し得る限りにおいては、
吸気孔12のような基板固定手段に代えて他の態様の基
板固定手段を設けてもよいと共に、このステージ1に対
する透明板6の装着は、その下方から一視野カメラ9が
キャリブレーション用下マーク4及び吸気孔10を認識
し得る限りにおいては、いかなる態様に設けてもよい。
また、二視野カメラ5は、一般には、XYZテーブルに
装着されるが、必要に応じて、Xテーブル、Yテーブ
ル、XYテーブル又はXYθテーブル等、他のテーブル
に装着してもよい。また、ボンディングステージ1の移
動手段は、XYテーブルだけ、又はθテーブルだけの場
合もあると共に、XテーブルとYテーブルとθテーブル
との組み合わせは、いずれが上下に配されても構わな
い。また、ボンディングツール2のそれについても、Z
テーブルに限定されず、XYZθ、XYZ、Zθ、YZ
等、各種のテーブル組み合わせを選択することができる
と共に一視野カメラ9も、CCDカメラ以外のものであ
ってもよい。また、二視野カメラ9に装着される温度検
出手段に関し、熱電対、測温抵抗体等を選択することが
できるなお、機構を簡単にできる為、ボンディングステ
ージ1及び一視野カメラ9を一緒に(一体に)水平面内
において移動し得るように装着するのが好ましいが、そ
れらを互いに独立して個別に移動或いはボンディングス
テージ1だけを移動し得るように装着してもよい。ま
た、ボンディングステージ1を装着しないで、カメラ通
路を形成するように門型状の透明板だけを装着し、これ
をボンディングステージとして使用(その上面に基板を
セット)すると共に、門型状の透明板の上面に設けられ
ているキャリブレーション用下マーク及びボンディング
ツールに設けられている吸気孔を、その下方から(前記
カメラ通路に撮像ヘッドを位置せしめた)一視野カメラ
で認識するようにしてもよく、かつ、その場合におい
て、一視野カメラは、固定又は移動自在に装着してもよ
い。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In FIGS. 1 and 2 which are perspective views, a view in which a two-view camera 3 is moved between a lower bonding stage 1 and an upper bonding tool 2 is shown. The lower mark 4 for calibration and the air inlet 10 are both recognized by the two-field camera 3. Note that the calibration lower mark 4 is provided on the transparent plate 6 (for example,
(A glass plate) on the upper surface 6a and the intake hole 1
Numeral 0 is provided on the pressing surface 2b of the pressing head 2a forming the tip of the bonding tool 2. The bonding stage 1 is mounted on the θ table 7a forming the uppermost stage of the XYθ table 7. Therefore, by driving the XYθ table 7, the X-axis direction, the Y-axis direction, or the XY-axis Direction (hereinafter, simply referred to as parallel movement) and rotated in a predetermined direction. On the other hand, the bonding tool 2 cannot be moved in the horizontal direction by a mechanism not shown, but is mounted so as to be vertically movable in the Z-axis direction (vertical direction), and heats the pressure head 2a to a predetermined temperature. In addition, a heater (not shown) is built-in, and an intake hole 10 for adsorbing and holding the semiconductor chip is opened in the pressing surface 2b of the pressing head 2a. The suction hole 10 is located on the vertical axis BB of the bonding tool 2, and one end of a pressure-resistant hose 11 is attached to the bonding tool 2 so as to communicate with the hole 10.
The other end is attached to a vacuum pump (not shown). In addition, the dual-view camera 3 has an X (not shown).
It is mounted on the YZ table. Therefore, this camera 3
Can be moved from the retreat position to between the bonding tool 2 and the transparent plate 6 by driving the XYZ table, and conversely from the retreat position to the retreat position. At this time, the height position of the two-view camera 3 is adjusted to a predetermined value by driving the Z table. Further, a temperature detection means 8 (for example, a thermocouple) is attached to the two-view camera 3 and a one-view camera 9
(For example, a CCD camera). The one-field camera 9 always has its imaging head positioned below the transparent plate 6. Also, bonding stage 1
And the upper surface 6a of the transparent plate 6 are provided so as to form a continuous plane (without forming a step). At the center of the upper surface 1a of the bonding stage 1, an intake hole 12 for adsorbing and holding a substrate (for example, a liquid crystal substrate) is opened. One end of the suction hole 12 communicates with a pressure-resistant hose 13 attached to the bonding stage 1, and the other end (not shown) of the hose 11 is attached to a vacuum pump. Therefore, the XYθ table 7 can be translated and rotated to position the bonding stage 1 at the calibration execution position as shown in the figure. However, such a calibration execution position depends on the visual field of the two-field camera 3 and the one-field camera 9. It is set at a predetermined position within the range, that is, within a range in which both cameras 3 and 9 can recognize both of the upper and lower calibration marks 5 and 4. In a state where the bonding stage 1 is positioned at the calibration execution position,
The transparent plate 6 is located below the bonding tool 2. The position of the calibration lower mark 4 provided on the transparent plate 6 is determined by the position of the air inlet 10 provided on the bonding tool 2 and the plane of the bonding stage. Are not located on the same vertical line. Hereinafter, in this state, the bi-view camera 3 is moved between the bonding tool 2 being moved to the upper standby position and the transparent plate 6 therebelow, and then the intake port 10 and the calibration The use mark 4 is recognized, and the preceding control parameter input to the camera movement control system is corrected and updated based on the predetermined control parameter obtained thereby. At this time, since the suction hole 10 for adsorbing and holding the semiconductor chip is recognized, the bonding tool 2 is attached prior to bonding (thermocompression bonding).
The two-view camera 3 is controlled to move in the same stroke as when the two-view camera 3 recognizes the alignment mark of the semiconductor chip held by suction and the alignment mark of the substrate supported by the bonding stage 1 therebelow. You. As described above, since all the marks are recognized at the same stroke position, there is no influence of the bending due to the load difference.
Subsequently, when the two-view camera 3 is moved from the mark recognition position between the bonding tool 2 and the transparent plate 6 to the retreat position on the right side, the bonding tool 2 is lowered from the upper standby position, thereby The pressing head 2a of the bonding tool 2 is brought close to or lightly against the transparent plate 6. Then, the intake hole 10 and the calibration lower mark 4 are recognized from below the transparent plate 6 by the one-field camera 9, and are input to the camera movement control system based on predetermined control parameters obtained thereby. The preceding control parameter is further corrected and updated.
Note that, through the recognition of the series of lower marks for calibration and the air holes, for example, the amount of deviation between the upper optical axis 3a and the lower optical axis 3b of the two-view camera 3 is obtained, and the obtained predetermined control parameters are obtained. , The preceding control parameter is corrected and updated. Calibration using the single-view camera 9 is for thermal deformation of the stage or head position, and can be performed as necessary at a lower frequency than that using a two-view camera with a high frequency of optical system deformation. Good. As described above, in the present invention, the calibration using the two-view camera 3 and the single-view camera 9 are performed.
Calibration is performed in two stages, that is, calibration using. Therefore, the calibration can be performed with higher accuracy than the conventional calibration while preventing the movement of the camera from being complicated. Further, as described above, in the present invention, since the movement control of the camera can be completed with a smaller number of times, the time required for calibration can be reduced. Note that such calibration is appropriately performed as necessary during the course of bonding (thermocompression bonding) semiconductor chips one after another to a substrate (not shown) such as a liquid crystal substrate supported by the bonding stage 1. Done in At this time, the calibration is performed by the temperature detecting means 8 attached to the two-view camera 3.
Is performed only when a temperature change exceeding an allowable level is detected.
Therefore, even if the two-field camera 3 moves between the bonding tool 2 and the transparent plate 4, the above-mentioned calibration is not performed when the temperature detecting means 8 does not detect a temperature change exceeding an allowable level. Therefore, the calibration can be performed at the optimal timing, and the number of times of the calibration can be reduced. Therefore, the calibration can be performed efficiently, and the calibration accuracy is kept constant, that is, the environment atmosphere Can be maintained with high accuracy even in the case where the temperature changes. As described above, in the present invention, the allowable temperature change is set based on the fact that there is a correlation between the shift amount α between the upper optical axis 3a and the lower optical axis 3b of the two-field camera 3 and the camera temperature. Therefore, the above-described effects can be obtained. Regarding the setting of the allowable temperature change, a heating test was performed on a plurality of two-view cameras 3 to determine the camera temperature difference t and the shift amount α of the optical axis. It was confirmed from the change per 1 ° C. that the deviation amount of the optical axis was about 2 to 6 μm. Therefore, it is also an example to calculate a temperature change that deviates from the allowable deviation of the optical axis based on this data and set the calculated temperature change as the allowable temperature change. As is well known, the two-view camera 3
When affected by the temperature of the surrounding atmosphere, the upper optical axis 3
a from the lower optical axis 3b. Therefore, since the temperature can be measured in advance and the temperature change allowable value can be calculated from the allowable value of the measurement deviation amount α, the camera temperature is measured by the temperature detecting means 8 such as a thermocouple, and the temperature change is higher than the allowable accuracy. It can be provided so that calibration can be performed only when At the time of the above-described bonding, the bonding stage 1 is moved to a position different from the calibration execution position, that is, the bonding execution position. This is X
Is performed by the drive control of the Yθ table 7 and, when it is moved to the bonding execution position, the alignment mark of the substrate held by the two-view camera 3 through the suction hole 12 of the bonding stage 1 by vacuum suction and the bonding tool. The alignment mark of the semiconductor chip (not shown) held by vacuum suction through the second suction hole 10 is recognized. Hereinafter, the bonding stage 1 is moved in the X and Y axis directions, that is, is moved in parallel and rotated so as to eliminate the displacement between the two marks, whereby the semiconductor chip is precisely positioned at the bonding portion of the substrate. And therefore,
Thereafter, the bonding tool 2 can be lowered by lowering to perform predetermined bonding. As described above, one embodiment has been described. In the present invention, the calibration using the single-view camera 9 and the two-view camera 3 are performed.
It does not matter which one is performed first. In addition to performing the calibration using the two-view camera 3 and the calibration using the single-view camera 9 in parallel, one view before or after the calibration using the two-view camera 3 is performed. The calibration using the camera 9 may be performed intermittently. Also, the calibration lower mark 4 may be in any form, but is generally easily recognized by a camera, and is provided with a heat-resistant resin printed mark or a hole for the mark for the heater. Things are selected. Further, the bonding tool 2 is not limited to a so-called heat tool provided with a heater, and may be a tool not provided with a heater. Further, the bonding stage 1 and the bonding tool 2 only need to be able to control the relative positional relationship between the horizontal direction and the rotation direction in the horizontal plane. In that sense, the bonding stage 1 is also required to be movable in the horizontal plane. As long as it can move, it may be mounted so that it can move only in the X-axis direction or the Y-axis direction. In that case, the mounting tool 2 is mounted so that it can move in the Y-axis direction or the X-axis direction. What is necessary is just to mount it further, and also to be able to rotate in addition to it. In addition, as long as the bonding stage 1 can support the substrate in a predetermined manner,
In place of the substrate fixing means such as the suction hole 12, another type of substrate fixing means may be provided, and the mounting of the transparent plate 6 on the stage 1 is performed by the one-field camera 9 from below the stage by the calibration lower mark. As long as it can recognize 4 and the intake hole 10, it may be provided in any form.
Further, the dual-view camera 5 is generally mounted on an XYZ table, but may be mounted on another table such as an X table, a Y table, an XY table, or an XYθ table as needed. The moving means of the bonding stage 1 may be only the XY table or only the θ table, and any combination of the X table, the Y table, and the θ table may be arranged vertically. The bonding tool 2 also has a Z
Not limited to tables, XYZθ, XYZ, Zθ, YZ
For example, various table combinations can be selected, and the one-field camera 9 may be other than a CCD camera. Further, as for the temperature detecting means mounted on the two-view camera 9, a thermocouple, a resistance temperature detector, and the like can be selected. Since the mechanism can be simplified, the bonding stage 1 and the single-view camera 9 are combined together ( It is preferable to mount them so that they can move in a horizontal plane (integrally), but they may be mounted so that they can be moved independently and independently of each other or only the bonding stage 1 can be moved. In addition, without mounting the bonding stage 1, only a gate-shaped transparent plate is mounted so as to form a camera path, and this is used as a bonding stage (a substrate is set on the upper surface thereof). The lower mark for calibration provided on the upper surface of the plate and the air inlet provided in the bonding tool may be recognized from below by a one-field camera (an imaging head is positioned in the camera passage). Often, and in that case, the single-view camera may be fixedly or movably mounted.
【発明の効果】上述のように、本発明によると、カメラ
の移動制御工程の削減及びキャリブレーションの間欠化
により、キャリブレーション時間が短縮できると共に二
視野カメラのアライメントとキャリブレーション時の位
置的違いから生ずるモーメントによるメカ的な変形に影
響されずに高精度にキャリブレーションすることがで
き、更に、最適なタイミングでキャリブレーションを行
うことができてキャリブレーション回数を減らすことが
できるから、効率的にキャリブレーションを行うことが
できると共にキャリブレーション精度を一定に維持、す
なわち、環境雰囲気の温度が変化するような場合におい
ても高精度に維持することができる。なお、高精度に維
持しながらもキャリブレーション回数を減らすことがで
きる為、生産効率を上げることもできる。As described above, according to the present invention, the reduction of the camera movement control process and the intermittent calibration can shorten the calibration time, and also the alignment of the two-field camera and the positional difference at the time of calibration. Calibration can be performed with high accuracy without being affected by mechanical deformation due to moments generated from the robot. Furthermore, calibration can be performed at the optimal timing, and the number of calibrations can be reduced. Calibration can be performed, and the calibration accuracy can be kept constant, that is, high accuracy can be maintained even when the temperature of the environmental atmosphere changes. Since the number of calibrations can be reduced while maintaining high accuracy, production efficiency can be increased.
【図1】チップボンディング装置におけるキャリブレー
ション用下マークの認識態様を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a recognition mode of a calibration lower mark in a chip bonding apparatus.
【図2】チップボンディング装置における吸気孔の認識
態様を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a recognition mode of an intake hole in the chip bonding apparatus.
1:ボンディングステージ 2:ボンディングツール 2b:加圧面 3:二視野カメラ 4:キャリブレーション用下マーク 6:透明板 7:XYθテーブル 8:温度検出手段 9:一視野カメラ 10:吸気孔 1: Bonding stage 2: Bonding tool 2b: Pressing surface 3: Two-view camera 4: Lower mark for calibration 6: Transparent plate 7: XYθ table 8: Temperature detection means 9: Single-view camera 10: Inlet hole
Claims (8)
を加圧面に開口せしめ、かつ、上下動し得るように装着
されたボンディングツールと、前記ボンディングツール
の下方において水平面内において移動し得るように装着
されたボンディングステージと、前記ボンディングステ
ージに装着されている透明板に設けられたキャリブレー
ション用下マークと、前記ボンディングステージがキャ
リブレーション実行位置に位置決めせしめられた状態に
おいて退避位置から前記ボンディングツールと前記透明
板との間へ移動して前記吸気孔と前記キャリブレーショ
ン用下マークとを認識する二視野カメラと、前記ボンデ
ィングツールが上方の待機位置から下方へ移動せしめら
れて前記透明板に接近若しくは当接した状態において前
記透明板の下方から前記吸気孔と前記キャリブレーショ
ン用下マークとを認識する一視野カメラとを備えたチッ
プボンディング装置において、前記二視野カメラに温度
検出手段を装着し、かつ、前記温度検出手段が許容以上
の温度変化を検出したときのみにおいてキャリブレーシ
ョンを行うようにしたことを特徴とするチップボンディ
ング装置。An air inlet for holding a semiconductor chip by suction is opened in a pressurized surface, and a bonding tool mounted so as to be able to move up and down, and to be movable in a horizontal plane below the bonding tool. A bonding stage, a lower mark for calibration provided on a transparent plate mounted on the bonding stage, and the bonding tool from a retracted position in a state where the bonding stage is positioned at a calibration execution position. And a two-view camera that moves between the transparent plate and the suction hole and the lower mark for calibration, and the bonding tool is moved downward from the upper standby position to approach the transparent plate. Or from below the transparent plate in the abutting state In a chip bonding apparatus provided with a one-view camera for recognizing the intake hole and the lower mark for calibration, a temperature detection unit is mounted on the two-view camera, and the temperature detection unit is configured to allow a temperature change exceeding an allowable range. A chip bonding apparatus characterized in that the calibration is performed only when the signal is detected.
ことを特徴とする請求項1に記載のチップボンデンディ
ング装置。2. The chip bonding apparatus according to claim 1, wherein the bonding tool includes a heater.
得ないように装着されていることを特徴とする請求項1
又は2に記載のチップボンディング装置。3. The apparatus according to claim 1, wherein the bonding tool is mounted so as not to move in a horizontal direction.
Or the chip bonding apparatus according to 2.
ように装着されていることを特徴とする請求項1,2又
は3に記載のチップボンディング装置。4. The chip bonding apparatus according to claim 1, wherein the bonding stage is mounted so as to be able to move in parallel.
に装着されていることを特徴とする請求項4に記載のチ
ップボンディング装置。5. The chip bonding apparatus according to claim 4, wherein the bonding stage is mounted so as to be rotatable.
一体に移動し得るように装着されていることを特徴とす
る請求項1,2,3,4又は5に記載のチップボンディ
ング装置。6. The chip bonding apparatus according to claim 1, wherein the one-view camera is mounted so as to move integrally with the bonding stage.
を加圧面に開口せしめたボンディングツールの下方に配
されているボンディングステージを水平面内において移
動せしめてキャリブレーション実行位置に位置決めさせ
た状態において退避位置から前記ボンディングツールと
前記ボンディングステージに装着されている透明板との
間へ二視野カメラを移動せしめて前記吸気孔と前記透明
板に設けられているキャリブレーション用下マークとを
認識することによって得られる所定の制御パラメータに
基づいてカメラ移動制御系に入力されている先行の制御
パラメータを補正更新することと、前記ボンディングツ
ールを上方の待機位置から下方へ移動させて前記透明板
に接近若しくは当接せしめた状態において前記透明板の
下方から一視野カメラで前記吸気孔と前記キャリブレー
ション用下マークとを認識することによって得られる所
定の制御パラメータに基づいて前記カメラ移動制御系に
入力されている先行の制御パラメータを補正更新するこ
ととを行うチップボンディング装置におけるキャリブレ
ーション方法において、前記二視野カメラの温度を検出
し、かつ、許容以上の温度変化を検出したときのみにお
いて、前記二視野カメラによる前記吸気孔及び前記キャ
リブレーション用下マークの認識に基づく制御パラメー
タの補正更新と、前記一視野カメラによる前記吸気孔及
び前記キャリブレーション用下マークの認識に基づく制
御パラメータの補正更新とを行うことを特徴とするチッ
プボンディング装置におけるキャリブレーション方法。7. A state in which a bonding stage disposed below a bonding tool having an air suction hole for holding a semiconductor chip by suction opened in a pressing surface is moved in a horizontal plane to be positioned at a calibration execution position. A bi-view camera is moved from the retracted position to between the bonding tool and the transparent plate mounted on the bonding stage to recognize the suction hole and the calibration lower mark provided on the transparent plate. Correcting and updating the preceding control parameter input to the camera movement control system based on the predetermined control parameter obtained by moving the bonding tool downward from the upper standby position and approaching the transparent plate Or, in the abutted state, one field of view camera from under the transparent plate A chip that corrects and updates the preceding control parameter input to the camera movement control system based on a predetermined control parameter obtained by recognizing the intake hole and the lower mark for calibration with the camera. In the calibration method in the bonding apparatus, the temperature of the two-view camera is detected, and only when a temperature change exceeding an allowable range is detected, the recognition of the intake hole and the lower mark for calibration by the two-view camera is performed. And updating the control parameters based on the recognition of the air inlet and the calibration lower mark by the one-field camera.
レーション用下マークの認識に基づく制御パラメータの
補正更新の前若しくは後において、一視野カメラによる
前記吸気孔及び前記キャリブレーション用下マークの認
識に基づく制御パラメータの補正更新を間欠的に行うこ
とを特徴とする請求項7に記載のチップボンディング装
置におけるキャリブレーション方法。8. Before or after correcting and updating control parameters based on recognition of an intake hole and a lower mark for calibration by a two-view camera, based on recognition of the intake hole and the lower mark for calibration by a single-view camera. The calibration method according to claim 7, wherein the correction update of the control parameter is performed intermittently.
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