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JP2000266951A - Waveguide passage type polarizer and forming method thereof - Google Patents

Waveguide passage type polarizer and forming method thereof

Info

Publication number
JP2000266951A
JP2000266951A JP11070902A JP7090299A JP2000266951A JP 2000266951 A JP2000266951 A JP 2000266951A JP 11070902 A JP11070902 A JP 11070902A JP 7090299 A JP7090299 A JP 7090299A JP 2000266951 A JP2000266951 A JP 2000266951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal film
optical waveguide
waveguide
polarizer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11070902A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Miyama
靖之 深山
Toru Sugamata
徹 菅又
Hirotoshi Nagata
裕俊 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Osaka Cement Co Ltd filed Critical Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority to JP11070902A priority Critical patent/JP2000266951A/en
Publication of JP2000266951A publication Critical patent/JP2000266951A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain a metal film from peeling from a buffer layer by providing a metal film continuously formed extending over the upper face and/or the bottom face of a stereostructure part and the side parts of the stereostructure part, so as to include a part acting as a polarizer. SOLUTION: A resist pattern is lifted off, and a Ti mask opening a rectangular territory over a light waveguide passage 12 is formed. A buffer layer exposed in the opening part is removed by dry etching, and after exposing the surface of a X base plate 10, the Ti mask is removed by chemical etching, and the X base plate 10 having a buffer layer 14a forming a metal film forming scheduled territory part into a rectangular opening is obtained. Thereafter, photoresist is spread on the whole surface, a resist pattern having a rectangular opening formed so as to include a recessed part therein by photolithography is formed as a polarizer pattern, an Al film as a metal film is formed on the whole surface by a sputtering method, and the resist pattern is removed to obtain a waveguide passage type polarizer provided with the metal film 20a covering a square pillar like recessed part is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型偏光子及
びその形成方法に関し、特に、光導波路型変調器などに
おいて、偏波変動の影響を除くために用いられる導波路
型偏光子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide polarizer and a method of forming the same, and more particularly, to a waveguide polarizer used in an optical waveguide modulator or the like to eliminate the influence of polarization fluctuation.

【0002】[0002]

【従来の技術】ニオブ酸リチウム等の電気光学効果を有
する基板上に光導波路やバッファ層、進行波型電極を形
成して構成したチップに、光ファイバを接続して作成さ
れる光導波路型変調器などの光デバイスは、長距離、広
帯域の光通信システムにおけるキーデバイスとして、開
発が進められ、実システムへの導入が始まっている。
2. Description of the Related Art An optical waveguide type modulation device formed by connecting an optical fiber to a chip formed by forming an optical waveguide, a buffer layer, and a traveling-wave electrode on a substrate having an electro-optical effect such as lithium niobate. Optical devices such as optical devices have been developed as key devices in long-distance, broadband optical communication systems, and have been introduced into actual systems.

【0003】このような光デバイスとして使用される光
導波路型変調器においては、通常、光導波路を伝播する
光波のうち、基板に対して垂直或いは水平方向にのみ振
動する振動波成分の一方のみを選択して用いる。そのた
め、光導波路型変調器の入射側に偏波面保持ファイバを
設けて、基板に対して垂直又は水平に振動する直線偏光
を選択的に入射する構成とすることが多い。
In an optical waveguide type modulator used as such an optical device, usually, only one of the oscillating wave components of the light wave propagating through the optical waveguide, which vibrates only vertically or horizontally with respect to the substrate, is used. Select and use. For this reason, a polarization maintaining fiber is often provided on the incident side of the optical waveguide type modulator to selectively input linearly polarized light oscillating vertically or horizontally to the substrate.

【0004】しかしながら、偏波面保持ファイバに外部
から応力がかかった場合や、入射する光が直線偏光でな
い場合などにおいては、出射側のファィバにおける消光
比が低下するという問題が生じる。
However, when stress is applied to the polarization maintaining fiber from the outside, or when the incident light is not linearly polarized light, there arises a problem that the extinction ratio in the fiber on the output side decreases.

【0005】このような問題点を解決するため、特開平
4−282608号公報では、入力導波路端面に若しく
は入出力導波路両端面に微小偏光子を貼り付けることに
より、余分な偏波成分をカットして消光比の低下を防止
することが提案されている。
To solve such a problem, Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-282608 discloses a method in which a superpolarizer is attached to an end face of an input waveguide or both end faces of an input / output waveguide to reduce an extra polarization component. It has been proposed to cut to prevent the extinction ratio from decreasing.

【0006】また、特開昭62−99913号公報で
は、光導波路の近傍に、導波光の透過屈折率と等しい
(若しくは、ほぼ等しい)屈折率を持つ膜を配置し、こ
の膜を光導波路に作用させて、光導波路を伝播する2種
類の光波の一方を選択的に取り出すことが開示されてい
る。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-99913, a film having a refractive index equal to (or substantially equal to) the transmission refractive index of guided light is arranged near an optical waveguide, and this film is used as an optical waveguide. It is disclosed to operate and selectively take out one of two types of light waves propagating through the optical waveguide.

【0007】ところで、光導波路を伝播する2種類の光
波の一方を選択する導波路型偏光子において、最も構成
が簡単なものとして、図15に示すように、基板10に
形成した光導波路12の上方に矩形状の金属膜30を装
荷した構成の金属装荷型の導波路型偏光子がある。
By the way, in a waveguide type polarizer for selecting one of two types of light waves propagating through an optical waveguide, the simplest configuration is shown in FIG. There is a metal-loaded waveguide polarizer having a configuration in which a rectangular metal film 30 is loaded above.

【0008】この金属装荷型の導波路型偏光子は、金属
膜の光の偏波方向に対する吸収効率の差を利用したもの
であり、Suematsu et. al:Appl.Phys.Lett.,Vol.21,No
6(1972)にその原理が示されいてる。
This metal-loaded waveguide polarizer utilizes the difference in the absorption efficiency of a metal film with respect to the polarization direction of light. Suematsu et. Al: Appl. Phys. Lett., Vol. , No
6 (1972) shows the principle.

【0009】簡単に述べると、光導波路上に装荷した金
属膜が基板に対して水平方向に振動する偏波(以下、T
Eモード光と称す。)を透過し、垂直方向に振動する偏
波(以下、TMモード光と称す。)を選択的に吸収する
という作用を利用したものであり、構造が簡単で、比較
的高い消光比が得られるという特徴を有する。
Briefly, a metal film loaded on an optical waveguide vibrates horizontally (hereinafter referred to as T
It is called E-mode light. ) And selectively absorbs a vertically oscillating polarized wave (hereinafter, referred to as TM mode light), and has a simple structure and a relatively high extinction ratio. It has the feature of.

【0010】この金属装荷型の導波路型偏光子は、基板
の表面に平行な光導波路の上方に矩形状の金属膜を装荷
して構成したものが一般的であり、このような構成の金
属装荷型の導波路型偏光子では、常にTMモード光が吸
収されるため、TEモード光を用いるXカットのニオブ
酸リチウムを基板(以下、X基板と称す。)として用い
た光導波路型変調器等に使用されている。
[0010] This metal-loaded waveguide polarizer is generally constructed by loading a rectangular metal film above an optical waveguide parallel to the surface of a substrate. Since a loaded waveguide polarizer always absorbs TM mode light, an optical waveguide modulator using X-cut lithium niobate using TE mode light as a substrate (hereinafter, referred to as an X substrate). Etc. are used.

【0011】このような構成の導波路型偏光子は、TM
モード光を用いるZカットのニオブ酸リチウム基板(以
下、Z基板と称す。)を使用した光導波路型変調器等に
対しては偏光子として作用しない。そのため、例えば、
特公平6−85006号公報では、図16に示すよう
に、光導波路12に隣接してZ基板11に垂直な方向の
壁面を有する溝50を形成し、この溝の壁面のみに光導
波路中を伝播する不所望な光を吸収するフィルタ作用を
有する光吸収性物質、即ち、矩形状の金属膜30を形成
したものが提案されている。
The waveguide type polarizer having such a configuration is TM
It does not act as a polarizer for an optical waveguide type modulator using a Z-cut lithium niobate substrate (hereinafter, referred to as a Z substrate) using mode light. So, for example,
In Japanese Patent Publication No. 6-85006, as shown in FIG. 16, a groove 50 having a wall surface in a direction perpendicular to the Z substrate 11 is formed adjacent to the optical waveguide 12, and only the wall surface of the groove is formed in the optical waveguide. A light-absorbing substance having a filter function of absorbing undesired light that propagates, that is, a light-absorbing substance having a rectangular metal film 30 has been proposed.

【0012】一般に、このような金属装荷型の導波路型
偏光子は、進行波電極などを用いた光導波路型変調器と
モノシリックに集積化されるが、近年、電極を伝播する
マイクロ波を高速化するために、基板表面にバッファ層
を形成した構成の光導波路型変調器が提案されている。
Generally, such a metal-loaded waveguide polarizer is monolithically integrated with an optical waveguide modulator using a traveling-wave electrode or the like. In order to achieve this, an optical waveguide modulator having a configuration in which a buffer layer is formed on a substrate surface has been proposed.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属装
荷型の導波路型偏光子は、通常誘電体材料よりなる基板
に形成された光導波路上に矩形状の金属膜を装荷した構
成、若しくは先に示した特公平6−85006号公報の
ように光導波路近傍に設置された溝の壁面に矩形状の金
属膜を装荷した構成であるが、いずれにしろ、装荷する
矩形状の金属膜の基板に対する付着力は弱いので、その
後のプロセスにおいて矩形状の金属膜が剥がれる恐れが
ある。
However, a metal-loaded waveguide polarizer has a structure in which a rectangular metal film is loaded on an optical waveguide formed on a substrate usually made of a dielectric material. As shown in Japanese Patent Publication No. 6-85006, the configuration is such that a rectangular metal film is loaded on the wall surface of the groove provided near the optical waveguide. Since the adhesive force is weak, the rectangular metal film may be peeled off in a subsequent process.

【0014】例えば、金属装荷型の導波路型偏光子を備
えた光導波路型変調器は、光導波路に作用させる矩形状
の金属膜を基板表面に形成した後に、超音波などで基板
を洗浄し、電界メッキなどによって電極部を形成して製
造するが、矩形状の金属膜の形成後に行う超音波などに
よる洗浄時に矩形状の金属膜が剥がれる場合がある。
For example, in an optical waveguide modulator having a metal-loaded waveguide polarizer, a rectangular metal film acting on an optical waveguide is formed on the substrate surface, and then the substrate is cleaned with ultrasonic waves or the like. An electrode is formed by electroplating or the like, and the electrode is formed. However, the rectangular metal film may be peeled off during cleaning by ultrasonic waves or the like performed after the formation of the rectangular metal film.

【0015】また、矩形状の金属膜を付着させる基板、
若しくは基板上に形成されたバッファ層と、矩形状の金
属膜とは異なる材質であるため熱応力に差がある。その
ため、矩形状の金属膜の形成後などに生じる大きな温度
変化により金属膜が熱応力の差によって基板から剥がれ
る恐れもある。
A substrate on which a rectangular metal film is adhered;
Alternatively, since the buffer layer formed on the substrate and the rectangular metal film are made of different materials, there is a difference in thermal stress. Therefore, there is a possibility that the metal film may be separated from the substrate due to a difference in thermal stress due to a large temperature change occurring after the formation of the rectangular metal film.

【0016】このような恐れをなくすために、バッファ
層を備える高速型の光導波路型変調器の場合では、光導
波路に作用させる金属膜を形成してから、バッファ層を
形成する構成とすることも考えられる。
In order to eliminate such a fear, in the case of a high-speed type optical waveguide type modulator having a buffer layer, a structure in which a metal film acting on the optical waveguide is formed and then the buffer layer is formed. Is also conceivable.

【0017】しかしながら、一般にバッファ層は、Si
2等の誘電体を成膜後、膜の機械強度向上や、酸欠部
分の酸素補償などを目的として、600℃程度の高温で
アニールする必要があり、このアニール時に、基板とバ
ッファ層との間に設けた金属膜が酸化して変質し、消光
比が劣化してしまうという別の問題が生じる。もちろ
ん、バッファ層を備えていない光導波路型変調器につい
ても何の解決策はないのが現状である。
However, in general, the buffer layer is made of Si
After forming a dielectric such as O 2, it is necessary to anneal at a high temperature of about 600 ° C. for the purpose of improving the mechanical strength of the film and compensating for oxygen in the oxygen-deficient portion, and the like. Another problem arises in that the metal film provided therebetween is oxidized and deteriorates, and the extinction ratio is deteriorated. Of course, at present, there is no solution for an optical waveguide modulator without a buffer layer.

【0018】さらに、特公平6−85006号公報のよ
うに、溝の壁面に矩形状の金属膜を形成する場合は、精
度の高いパターニングが必要であり、製造効率が悪いと
いう難点もある。
Further, when a rectangular metal film is formed on the wall surface of a groove as in Japanese Patent Publication No. 6-85006, there is a problem that high-precision patterning is required and the manufacturing efficiency is low.

【0019】以上のことから本発明は、比較的簡単に製
造することができ、光導波路に作用する金属膜が基板や
基板表面に形成されたバッファ層等から剥がれにくい導
波路型偏光子及びその形成方法を提供することを目的と
する。
From the above, the present invention provides a waveguide type polarizer which can be manufactured relatively easily, and in which a metal film acting on an optical waveguide is hardly peeled off from a substrate or a buffer layer formed on the substrate surface. It is an object to provide a forming method.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、電気光学効果を有する基
板と、前記基板に形成された光導波路とを含む導波路型
偏光子において、前記光導波路の上方又は側方の少なく
とも一方に面が形成されるように前記光導波路の近傍に
設けられた立体構造部と、偏光子として作用する部分を
含むように、前記立体構造部の上面又は底面の少なくと
も一方の面と前記立体構造部の側面部分とに連続して形
成された金属膜と、からなる。
According to one aspect of the present invention, there is provided a waveguide polarizer including a substrate having an electro-optic effect and an optical waveguide formed on the substrate. Wherein the three-dimensional structure portion includes a three-dimensional structure portion provided near the optical waveguide such that a surface is formed on at least one of the upper side and the side surface of the optical waveguide, and a portion that functions as a polarizer. And a metal film formed continuously on at least one of the upper surface or the bottom surface and the side surface portion of the three-dimensional structure.

【0021】即ち、請求項1の発明では、光導波路の上
方又は側方の少なくとも一方に面が形成されるように光
導波路の近傍に立体構造部を形成することによって、前
記光導波路近傍に偏光子として作用する部分を含むよう
に形成される金属膜が、立体構造部の側面部分と前記立
体構造部の上面部分又は底面部分とに連続して形成され
ることとなるため、基板に対する付着力が少なくとも異
なる2方向から掛かり、剥がれにくいものとなる。
That is, according to the first aspect of the present invention, the three-dimensional structure is formed near the optical waveguide such that a surface is formed at least on one side or the upper side of the optical waveguide. Since the metal film formed so as to include the portion acting as a child is formed continuously on the side surface portion of the three-dimensional structure portion and the upper surface portion or the bottom surface portion of the three-dimensional structure portion, the adhesive force to the substrate Are applied from at least two different directions, and are hardly peeled off.

【0022】また、この金属膜が作用するのは立体構造
部の側面を被覆する部分と立体構造部の上面又は底面を
被覆する部分のうちの一方だけであり、作用しない面を
備えている分、基板に付着する領域の面積が増大し、基
板に対する付着力が強固なものとなる。
The metal film acts only on one of the portion covering the side surface of the three-dimensional structure portion and the portion covering the top surface or the bottom surface of the three-dimensional structure portion. As a result, the area of the region that adheres to the substrate increases, and the adhesion to the substrate becomes stronger.

【0023】この金属膜は、請求項2に記載したよう
に、前記立体構造部の側面を被覆する部分の膜厚が前記
立体構造部の上面又は底面を被覆する部分の膜厚より薄
くなるように形成することによって、膜厚の薄い部分は
膜厚の厚い部分に比べて熱応力が小さくなるため、金属
膜全体としての熱応力が小さくなり、より一層剥がれに
くいものとなる。
As described in claim 2, the thickness of the metal film at the portion covering the side surface of the three-dimensional structure is smaller than the thickness at the portion covering the top or bottom surface of the three-dimensional structure. In this case, since the thermal stress is smaller in the thinner portion than in the thicker portion, the thermal stress of the entire metal film is reduced, and the metal film becomes more difficult to be peeled off.

【0024】なお、請求項2の導波路型偏光子において
は、立体構造部の側面を被覆する部分の膜厚が立体構造
部の上面又は底面を被覆する部分の膜厚より薄くなるよ
うに、立体構造部の側面部分と前記立体構造部の上面部
分又は底面部分とに連続して形成された金属膜が有れば
よく、この金属膜がさらに別の領域に連続して形成され
た部分を有していてもよい。
In the waveguide polarizer of the second aspect, the thickness of the portion covering the side surface of the three-dimensional structure is made smaller than the thickness of the portion covering the top or bottom surface of the three-dimensional structure. It suffices if there is a metal film continuously formed on the side surface portion of the three-dimensional structure portion and the upper surface portion or the bottom surface portion of the three-dimensional structure portion, and a portion where this metal film is continuously formed in another region is used. You may have.

【0025】また、請求項1及び請求項2の発明におい
て、光導波路の上方又は側方の少なくとも一方に面が形
成されるように光導波路の近傍に設けられた立体構造部
とは、請求項3に記載した発明のように、光導波路の上
方に形成された面を底面とする凹部、請求項5に記載し
た発明のように、内部に光導波路を含むように、かつ、
対向する側面が光導波路の側方に位置するように光導波
路の長手方向に沿って形成された凸部、請求項6に記載
した発明のように、一方の側面が光導波路の側方に位置
するように光導波路の長手方向に沿って設けられた凹
部、光導波路の上方領域を上段とし光導波路の長手方向
に沿って形成された段差、及び光導波路の上方領域を下
段とし光導波路の長手方向に沿って形成された段差等の
立体的な構造のもの全てを含んでいる。
In the first and second aspects of the present invention, the three-dimensional structure provided near the optical waveguide such that a surface is formed on at least one of the upper side and the side of the optical waveguide is defined as the claim As in the invention described in 3, the concave portion having the surface formed above the optical waveguide as a bottom surface, as in the invention described in claim 5, so as to include the optical waveguide therein, and
A convex portion formed along the longitudinal direction of the optical waveguide such that the opposing side surface is located on the side of the optical waveguide. One side is located on the side of the optical waveguide as in the invention described in claim 6. A concave portion provided along the longitudinal direction of the optical waveguide, a step formed along the longitudinal direction of the optical waveguide with the upper region of the optical waveguide as the upper stage, and a longitudinal portion of the optical waveguide with the upper region of the optical waveguide as the lower stage. All three-dimensional structures such as steps formed along the direction are included.

【0026】また、請求項3に記載した発明のように、
立体構造部を光導波路の上方に形成された面を底面とす
る凹部とした場合、この凹部の底面及び側面に金属膜を
形成した構成とすれば、簡単な製造工程で形成できると
いう利点がある。
Further, as in the third aspect of the present invention,
In the case where the three-dimensional structure portion is a concave portion having a bottom surface on the surface formed above the optical waveguide, if a metal film is formed on the bottom surface and side surfaces of the concave portion, there is an advantage that the three-dimensional structure portion can be formed by a simple manufacturing process. .

【0027】なお、請求項3において、請求項4のよう
に、基板を表面にバッファ層を備えた電気光学結晶基板
とし、凹部を電気光学結晶基板の表面が露出するように
バッファ層が一部除かれた部分で構成することによって
高速型の光導波路型変調器に使用可能な導波路型偏光子
となり、好ましい。
According to a third aspect of the present invention, as in the fourth aspect, the substrate is an electro-optic crystal substrate having a buffer layer on the surface, and the recess is partially formed so that the surface of the electro-optic crystal substrate is exposed. The configuration with the removed portions results in a waveguide-type polarizer usable for a high-speed optical waveguide-type modulator, which is preferable.

【0028】なお、基板としてX基板を用いる場合は、
請求項3に記載のように、光導波路の上方に形成した凹
部の底面を被覆する金属膜部分を光導波路に作用させる
ことによってTMモード光を吸収するように構成すれば
よい。
When an X substrate is used as the substrate,
As described in the third aspect, the structure may be such that the TM mode light is absorbed by causing the metal film portion covering the bottom surface of the concave portion formed above the optical waveguide to act on the optical waveguide.

【0029】また、基板としてZ基板を用いる場合は、
請求項5に記載のように、光導波路を内部に含むよう
に、かつ、対向する側面が光導波路の長手方向に沿って
形成された凸部の対向する側面の少なくとも一方に形成
された金属膜を光導波路に作用させることによってTE
モード光を吸収するように構成したり、請求項6に記載
のように、光導波路の側方に面が形成されるように光導
波路の長手方向に沿って凹部を形成し、この凹部の少な
くとも光導波路側の側面に形成された金属膜によってT
Eモード光を吸収するように構成すればよい。
When a Z substrate is used as the substrate,
A metal film formed on at least one of the opposing side surfaces of a convex portion formed along the longitudinal direction of the optical waveguide so as to include the optical waveguide therein, as described in claim 5. By acting on the optical waveguide,
It is configured to absorb the mode light, or as described in claim 6, a concave portion is formed along the longitudinal direction of the optical waveguide so that a surface is formed on the side of the optical waveguide, and at least the concave portion is formed. The metal film formed on the side surface on the side of the optical waveguide makes T
What is necessary is just to comprise so that E mode light may be absorbed.

【0030】また、請求項5に記載のように構成した場
合、製造工程上、凸部の上面にも金属膜が形成される場
合があるが、予め凸部の上面部分に、例えば、SiO2
等からなるバッファ層が設けられているため、上面の金
属膜が光導波路に作用するのを防ぐことができる。ま
た、請求項5に記載のように構成した場合、光導波路に
作用する金属膜を光導波路の両側に形成することができ
るので、TEモード光の吸収が効率よく行われて、性能
の良い導波路型偏光子が得られるという利点もある。
Further, in the case of the structure described in claim 5, a metal film may be formed on the upper surface of the convex portion in the manufacturing process, but the upper surface portion of the convex portion is made of, for example, SiO 2.
Since the buffer layer is provided, the metal film on the upper surface can be prevented from acting on the optical waveguide. Further, in the case of the configuration as described in claim 5, since the metal film acting on the optical waveguide can be formed on both sides of the optical waveguide, the TE mode light can be efficiently absorbed, and the conductive film with good performance can be obtained. There is also an advantage that a waveguide polarizer can be obtained.

【0031】また、請求項7の発明の導波路型偏光子の
形成方法は、予め電気光学結晶基板に形成した光導波路
の上方又は側方の少なくとも一方に面が形成されるよう
に前記光導波路の近傍に立体構造部を形成し、前記立体
構造部の上面又は側面の少なくとも1面が露出するよう
に偏光子パターンを形成し、前記立体構造部の側面に形
成する金属膜の膜厚が前記立体構造部の上面又は底面に
形成する金属膜の膜厚よりも薄くなるように金属膜を形
成した後、偏光子パターンを除去する工程を含んでい
る。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of forming a waveguide type polarizer, the optical waveguide is formed such that a surface is formed on at least one of an upper side and a side of the optical waveguide formed on the electro-optic crystal substrate in advance. Forming a three-dimensional structure in the vicinity of the three-dimensional structure, forming a polarizer pattern so that at least one of the top surface or side surface of the three-dimensional structure is exposed, the thickness of the metal film formed on the side surface of the three-dimensional structure is After forming the metal film so as to be thinner than the thickness of the metal film formed on the upper surface or the bottom surface of the three-dimensional structure, the method includes a step of removing the polarizer pattern.

【0032】すなわち、請求項7の発明の導波路型偏光
子の形成方法によれば、光導波路の上方又は側方の少な
くとも一方に面が形成されるように光導波路の近傍に立
体構造部を形成してから、この立体構造部の表面に金属
膜を形成することにより比較的容易に上記請求項1〜請
求項6に記載した導波路型偏光子を製造できる。
That is, according to the method of forming a waveguide type polarizer of the present invention, the three-dimensional structure is formed near the optical waveguide such that the surface is formed at least on one side or above the optical waveguide. By forming a metal film on the surface of the three-dimensional structure after formation, the waveguide polarizer according to any one of claims 1 to 6 can be manufactured relatively easily.

【0033】光導波路の上方又は側方の少なくとも一方
に面が形成されるように光導波路の近傍に立体構造部を
形成する方法としては、特に限定しないが、好ましく
は、基板を削って形成したり、予め基板表面に形成した
バッファ層などの他の層を削って形成するのがよい。な
お、基板を削って形成する場合は、光導波路を予め深い
位置に形成しておくとよい。
The method for forming the three-dimensional structure in the vicinity of the optical waveguide so that a surface is formed on at least one of the upper side and the side of the optical waveguide is not particularly limited, but is preferably formed by shaving the substrate. Alternatively, another layer such as a buffer layer formed in advance on the surface of the substrate may be shaved off. In the case where the optical waveguide is formed by shaving the substrate, the optical waveguide may be formed at a deep position in advance.

【0034】このとき、ドライエッチングにより立体構
造部を形成すれば、形成した立体構造部の表面には原子
レベルの荒れが生じるため、後の工程で立体構造部の表
面に形成した金属膜が立体構造部の表面の荒れた部分と
複雑に絡み合って付着力を増すというアンカー効果が生
じる。そのため、金属膜と立体構造部の表面との付着力
がより強固になるという利点がある。
At this time, if the three-dimensional structure is formed by dry etching, the surface of the formed three-dimensional structure is roughened at the atomic level, so that the metal film formed on the surface of the three-dimensional structure in a later step is three-dimensional. An anchor effect is generated in that the structure portion is intricately entangled with the rough portion of the surface of the structure to increase the adhesion. Therefore, there is an advantage that the adhesive force between the metal film and the surface of the three-dimensional structure part becomes stronger.

【0035】また、金属膜の形成方法としては、例え
ば、スパッタリング法や蒸着法などが挙げられるが、少
なくとも立体構造部の側面(即ち、基板表面とほぼ垂直
な面)に形成される金属膜の膜厚が、立体構造部の上面
又は底面(立体構造部が凹部であれば底面、立体構造部
が凸部であれば上面;即ち、基板表面と平行な面)に形
成される金属膜の膜厚よりも薄くなるように形成できれ
ばよい。
The method of forming the metal film includes, for example, a sputtering method and a vapor deposition method. The metal film formed on at least the side surface of the three-dimensional structure portion (that is, the surface substantially perpendicular to the substrate surface) can be used. The thickness of the metal film formed on the top surface or bottom surface of the three-dimensional structure portion (the bottom surface if the three-dimensional structure portion is a concave portion, or the top surface if the three-dimensional structure portion is a convex portion; that is, a surface parallel to the substrate surface). What is necessary is just to be able to form so that it may become thinner than thickness.

【0036】なお、基板がX基板である場合、予め深い
位置に光導波路を形成し、光導波路の上方が底面となる
ように基板を削って形成した凹部としたり、基板の表面
に予めバッファ層を設け、光導波路の上方の基板表面が
露出するまでバッファ層をエッチングして形成したもの
でもよい。なお、バッファ層は、金属膜の作用を遮断す
るような材質のものであればよく、例えば、SiO2
ような誘電体材料を使用することができる。
When the substrate is an X substrate, an optical waveguide is formed at a deep position in advance, and a concave portion formed by shaving the substrate so that the upper side of the optical waveguide is a bottom surface, or a buffer layer is previously formed on the surface of the substrate. May be formed by etching the buffer layer until the surface of the substrate above the optical waveguide is exposed. The buffer layer only needs to be made of a material that blocks the function of the metal film, and for example, a dielectric material such as SiO 2 can be used.

【0037】また、基板がZ基板である場合、光導波路
の長手方向に沿った上面をマスクして最大でも光導波路
の深さと同程度に達するまで前記基板をドライエッチン
グして内部に光導波路を含む凸部を形成し、マスク除去
後、少なくとも凸部の光導波路の長手方向に沿った側面
が露出するように偏光子パターンを形成し、全面に金属
膜を形成した後、偏光子パターンを除去するように形成
する。
When the substrate is a Z substrate, the substrate is dry-etched by masking the upper surface along the longitudinal direction of the optical waveguide until the substrate reaches at most the depth of the optical waveguide, and the optical waveguide is formed therein. After forming the convex portion including the mask and removing the mask, the polarizer pattern is formed so that at least the side surface along the longitudinal direction of the optical waveguide of the convex portion is exposed, and after forming the metal film on the entire surface, the polarizer pattern is removed. It is formed so that

【0038】すなわち、この形成方法は、上記請求項5
に記載したような導波路型偏光子を製造する方法であ
り、この場合、予め基板の表面にバッファ層を形成して
凸部の上面に形成される金属膜が光導波路に対して偏光
子作用を及ぼすのを防ぐとよい。
That is, this forming method is the same as the above-described claim 5.
In this case, a buffer layer is formed on the surface of the substrate in advance, and the metal film formed on the upper surface of the projection has a polarizer action on the optical waveguide. Should be prevented.

【0039】また、基板がZ基板である場合の別の形成
方法として、光導波路の長手方向に沿った位置に最大で
も光導波路の深さと同程度の深さに達するまで凹部を形
成した後、少なくとも前記凹部の底面と光導波路側の側
面とが露出する様に偏光子パターンを形成し、全面に金
属膜を形成した後、偏光子パターンを除去するように形
成する。
As another forming method when the substrate is a Z-substrate, a concave portion is formed at a position along the longitudinal direction of the optical waveguide until the concave portion reaches at least the same depth as the optical waveguide. A polarizer pattern is formed so that at least the bottom surface of the concave portion and the side surface on the optical waveguide side are exposed, and after forming a metal film on the entire surface, the polarizer pattern is removed.

【0040】すなわち、この形成方法は、上記請求項6
に記載したような導波路型偏光子を製造する方法であ
り、この場合、凹部が光導波路に沿った位置に最大でも
光導波路の深さと同程度に達する程の深さであり、表面
に形成した金属膜が凹部の少なくとも底面と光導波路側
の側面に残るようにする点以外は、上記と同様であるの
で、説明は省略する。
That is, this forming method is the same as in claim 6 above.
In this case, a method of manufacturing a waveguide-type polarizer as described in the above, in this case, the concave portion is located at a position along the optical waveguide at a depth of at most the same as the depth of the optical waveguide, formed on the surface Except that the formed metal film is left on at least the bottom surface of the concave portion and the side surface on the optical waveguide side, the description is omitted because it is the same as above.

【0041】なお、上記全ての請求項で述べた凹部と
は、内面形状が、例えば、四角柱状等の多角柱状、溝状
等を含むものであり、また、上記全ての請求項で述べた
凸部は、断面形状が、例えば、矩形状等や台形状等を含
むものである。
The recesses described in all of the above-mentioned claims are those whose inner surface shape includes, for example, polygonal pillars such as quadrangular pillars, grooves, and the like, and the protrusions described in all the above claims. The section has, for example, a rectangular shape or a trapezoidal shape in cross section.

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
から図14を参照しながら説明する。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG.

【0043】(第1の実施の形態)図1は、第1の実施
の形態における導波路型偏光子の製造工程を示すフロー
図である。以下、図1を参照しながら第1の実施の形態
を説明する。なお、本第1の実施の形態では、Xカット
のニオブ酸リチウム基板(X基板)10を使用してい
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a flow chart showing a manufacturing process of a waveguide polarizer according to a first embodiment. Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIG. In the first embodiment, an X-cut lithium niobate substrate (X substrate) 10 is used.

【0044】まず、Tiを熱拡散させて基板表面に光導
波路12を形成したX基板10の表面に、SiO2より
なるバッファ層14をスパッタリング法により厚さ0.
5μmとなるように形成し、600℃で5時間アニール
処理する。
First, a buffer layer 14 made of SiO 2 having a thickness of 0.1 mm is formed on the surface of the X substrate 10 having the optical waveguide 12 formed on the substrate surface by thermally diffusing Ti by sputtering.
It is formed so as to have a thickness of 5 μm, and is annealed at 600 ° C. for 5 hours.

【0045】次に、基板全面にフォトレジストを塗布し
た後、フォトリソグラフィにより光導波路12の上方の
フォトレジストが矩形状に残るようにパターニングし、
基板表面の偏光子として金属膜を形成する金属膜形成予
定領域を覆う矩形状のレジストパターン16aを形成す
る。その後、Tiを蒸着してX基板10の全面にTi膜
18を形成する(図1(a))。
Next, after a photoresist is applied to the entire surface of the substrate, patterning is performed by photolithography so that the photoresist above the optical waveguide 12 remains in a rectangular shape.
A rectangular resist pattern 16a is formed to cover a region where a metal film is to be formed as a polarizer on the substrate surface. Thereafter, Ti is deposited to form a Ti film 18 on the entire surface of the X substrate 10 (FIG. 1A).

【0046】その後、レジストパターン16aをリフト
オフして、光導波路12の上方の矩形状領域(すなわ
ち、金属膜形成予定領域)を開口とするTiマスク18
aを形成する(図1(b))。
Thereafter, the resist pattern 16a is lifted off, and a Ti mask 18 having an opening in a rectangular region (ie, a region where a metal film is to be formed) above the optical waveguide 12 is formed.
a is formed (FIG. 1B).

【0047】ECR(Electron cyclotron resonance)
プラズマ源を利用したドライエッチングにより、開口部
分に露出するバッファ層を除去してX基板10の表面を
露出させた後、ケミカルエッチングによりTiマスク1
8aを取り除く。これにより、金属膜形成予定領域部分
を矩形状開口としたバッファ層14aを備えたX基板1
0、言い換えると、金属膜形成予定領域部分を底面とす
る四角柱状の凹部を備えたX基板10が得られる(図1
(c))。
ECR (Electron cyclotron resonance)
The buffer layer exposed at the opening is removed by dry etching using a plasma source to expose the surface of the X substrate 10, and then the Ti mask 1 is removed by chemical etching.
Remove 8a. Thus, the X substrate 1 provided with the buffer layer 14a having a rectangular opening in the region where the metal film is to be formed is formed.
0, in other words, an X substrate 10 having a quadrangular prism-shaped concave portion whose bottom surface is the region where the metal film is to be formed is obtained (FIG. 1).
(C)).

【0048】その後、全面にフォトレジストを塗布し
て、フォトリソグラフィにより内部に凹部を含むように
形成された矩形状の開口を有するレジストパターン16
bを偏光子パターンとして形成する(図1(d))。
Thereafter, a photoresist is applied to the entire surface, and a resist pattern 16 having a rectangular opening formed therein so as to include a concave portion is formed by photolithography.
b is formed as a polarizer pattern (FIG. 1D).

【0049】さらに、スパッタリング法によって全面に
金属膜としてAl膜20を形成し(図1(e))、レジ
ストパターン16bを取り除くことによって、四角柱状
の凹部を被覆する金属膜20aを備えた導波路型偏光子
を得る(図1(f))。
Further, an Al film 20 is formed as a metal film on the entire surface by a sputtering method (FIG. 1E), and by removing the resist pattern 16b, a waveguide provided with a metal film 20a covering a rectangular column-shaped concave portion is formed. A polarizer is obtained (FIG. 1 (f)).

【0050】得られた導波路型偏光子は、図2に示すよ
うに、金属膜20aの凹部底面を被覆する部分がX基板
10に付着し、凹部側面を被覆する部分がバッファ層1
4aに付着しているため、従来の扁平な偏光子と比較し
て剥がれにくいという特徴を有している。
In the obtained waveguide type polarizer, as shown in FIG. 2, the portion covering the bottom surface of the concave portion of the metal film 20a adheres to the X substrate 10, and the portion covering the side surface of the concave portion is the buffer layer 1.
4A, it is characterized in that it is less likely to be peeled off than a conventional flat polarizer.

【0051】また、この凹部を被覆する金属膜20aは
スパッタリング法によって形成しているため、底面部分
の膜厚よりも側面部分の膜厚が薄く形成される。すなわ
ち、側面部分の膜厚が薄く形成されていることによっ
て、金属膜全体としての熱応力が小さくなっているの
で、より一層剥がれにくいものとなっている。
Further, since the metal film 20a covering the concave portion is formed by the sputtering method, the thickness of the side portion is smaller than that of the bottom portion. In other words, since the thermal stress of the entire metal film is reduced by forming the film thickness of the side surface portion to be thin, it is more difficult to peel off.

【0052】なお、本第1の実施の形態では、基板上に
形成したバッファ層を削って基板表面を底面とする凹部
を形成し、この凹部の内面を被覆する金属膜20aを備
えた導波路型偏光子について述べたが、例えば、図3に
示すように、基板自体を削って凹部としこの凹部の内面
を被覆する金属膜20aを備えた導波路型偏光子とする
こともできる。また、凹部の内面形状を四角柱状とする
場合について述べたが、凹部の内面形状は特に四角柱状
に限らず、例えば、光導波路に対して交差する方向に切
られた溝状等その他の構成としてもよい。
In the first embodiment, the buffer layer formed on the substrate is shaved to form a concave portion having the substrate surface as the bottom surface, and the waveguide provided with the metal film 20a covering the inner surface of the concave portion. Although the type polarizer has been described, for example, as shown in FIG. 3, a waveguide type polarizer including a metal film 20 a that is formed by shaving the substrate itself to form a concave portion and cover the inner surface of the concave portion can also be used. In addition, the case where the inner surface shape of the concave portion is a square pillar shape has been described, but the inner surface shape of the concave portion is not particularly limited to the square pillar shape. Is also good.

【0053】さらに、本第1の実施の形態では、凹部を
被覆する金属膜20aの形状が凹形状のものを挙げた
が、本発明は、特にこの形状に限らず、立体構造部の側
面を被覆する部分の金属膜の膜厚が、上面又は底面を被
覆する部分の金属膜の膜厚よりも薄く構成されていれば
よい。
Further, in the first embodiment, the shape of the metal film 20a covering the concave portion is described as being concave. However, the present invention is not particularly limited to this shape, and the side surface of the three-dimensional structure may be formed. It is only necessary that the thickness of the metal film to be covered be smaller than the thickness of the metal film to cover the top or bottom surface.

【0054】例えば、図4及び図5に示すように、基板
表面に形成した段差部分を被覆する断面略L字状の金属
膜20bを備えた導波路型偏光子とすることもできる。
なお、段差は、図4のように、基板表面にバッファ層を
形成してこのバッファ層14aを削って形成したり、図
5のように基板10自体を削って形成することができ
る。
For example, as shown in FIGS. 4 and 5, a waveguide-type polarizer including a metal film 20b having a substantially L-shaped cross section that covers a step formed on the surface of the substrate may be used.
The step can be formed by forming a buffer layer on the substrate surface and shaving the buffer layer 14a as shown in FIG. 4 or by shaving the substrate 10 itself as shown in FIG.

【0055】また、製造時のアライメント精度を高くし
て凹部の内面のみが露出するようにレジストパターン1
6bを形成し、図6及び図7のように、凹部の内面のみ
を被覆する金属膜20cを備えた導波路型偏光子として
もよい。この場合、金属膜20cの外縁部の膜厚が薄く
なるため、熱応力による伸び縮みの自由度が大きくなり
好ましい。もちろん、段差により形成した場合も同様
に、外縁部の膜厚が薄くなるように構成した断面がL字
状の金属膜とすることも可能である。
The resist pattern 1 is formed so that the alignment accuracy at the time of manufacturing is increased so that only the inner surface of the concave portion is exposed.
6b and a waveguide polarizer including a metal film 20c that covers only the inner surface of the concave portion as shown in FIGS. In this case, since the thickness of the outer edge portion of the metal film 20c becomes thin, the degree of freedom of expansion and contraction due to thermal stress increases, which is preferable. Of course, similarly, in the case of forming by a step, it is also possible to use a metal film having an L-shaped cross section configured to reduce the thickness of the outer edge portion.

【0056】なお、本第1の実施の形態では、スパッタ
リング法によってAl膜を形成したが、蒸着法によって
Al膜を形成しても底面部分の膜厚よりも側面部分の膜
厚が薄く形成されるのでよい。
In the first embodiment, the Al film is formed by the sputtering method. However, even when the Al film is formed by the evaporation method, the thickness of the side portion is smaller than that of the bottom portion. Good.

【0057】(第2の実施の形態)図8は、第2の実施
の形態における導波路型偏光子の製造工程を示すフロー
図である。以下、図8を参照しながら第2の実施の形態
を説明する。なお、本第2の実施の形態では、Zカット
のニオブ酸リチウム基板(Z基板)11を使用してい
る。
(Second Embodiment) FIG. 8 is a flow chart showing a manufacturing process of a waveguide polarizer according to a second embodiment. Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, a Z-cut lithium niobate substrate (Z substrate) 11 is used.

【0058】まず、Tiを熱拡散させて基板表面に光導
波路12を形成したZ基板11の表面に、SiO2より
なるバッファ層14を蒸着法により厚さ0.5μmとな
るように形成し、600℃で5時間アニール処理する。
First, a buffer layer 14 made of SiO 2 is formed to a thickness of 0.5 μm on a surface of a Z substrate 11 in which an optical waveguide 12 is formed on the substrate surface by thermally diffusing Ti, by vapor deposition. Anneal at 600 ° C. for 5 hours.

【0059】次に、基板全面にフォトレジストを塗布し
た後、フォトリソグラフィにより光導波路12の上方の
フォトレジストが矩形状に取り除かれる様にパターニン
グし、矩形状の開口を有するレジストパターン17aを
形成してから、Tiを蒸着してZ基板11の全面にTi
膜18を形成する(図8(a))。
Next, after a photoresist is applied to the entire surface of the substrate, patterning is performed by photolithography so that the photoresist above the optical waveguide 12 is removed in a rectangular shape, thereby forming a resist pattern 17a having a rectangular opening. And then deposit Ti on the entire surface of the Z substrate 11
A film 18 is formed (FIG. 8A).

【0060】その後、レジストパターン17aをリフト
オフして、Z基板11の表面の光導波路12の上方の領
域を矩形状に覆う矩形状のTiマスク18bを形成する
(図8(b))。
After that, the resist pattern 17a is lifted off to form a rectangular Ti mask 18b that covers a region above the optical waveguide 12 on the surface of the Z substrate 11 in a rectangular shape (FIG. 8B).

【0061】ECR(Electron cyclotron resonance)
プラズマ源を利用したドライエッチングにより、Tiマ
スク18bにより被覆されていないバッファ層及びその
下の基板をほぼ光導波路12が形成された深さまでエッ
チングした後、ケミカルエッチングによりTiマスク1
8bを取り除く。これにより、内部に光導波路12を含
む断面が矩形状の凸部を備えたZ基板11が得られる
(図8(c))。
ECR (Electron cyclotron resonance)
After the buffer layer not covered with the Ti mask 18b and the substrate thereunder are etched to a depth substantially at which the optical waveguide 12 is formed by dry etching using a plasma source, the Ti mask 1 is etched by chemical etching.
Remove 8b. As a result, the Z substrate 11 including the optical waveguide 12 and having a convex portion having a rectangular cross section is obtained (FIG. 8C).

【0062】その後、全面にフォトレジストを塗布し
て、フォトリソグラフィにより金属膜形成予定領域を内
部に含む矩形状の開口を有するレジストパターン17b
を偏光子パターンとして形成する。
Thereafter, a photoresist is applied to the entire surface, and a resist pattern 17b having a rectangular opening including a region where a metal film is to be formed is formed by photolithography.
Is formed as a polarizer pattern.

【0063】さらに、蒸着法によって全面に金属膜とし
てAl膜20を形成し(図8(d))、レジストパター
ン17bを取り除くことによって、断面が矩形状の凸部
を被覆するように形成された凸形状の金属膜21aを備
えた導波路型偏光子を得る(図8(e))。
Further, an Al film 20 was formed as a metal film on the entire surface by a vapor deposition method (FIG. 8D), and the resist pattern 17b was removed so that the cross-section covered the convex portion having a rectangular shape. A waveguide polarizer including the convex metal film 21a is obtained (FIG. 8E).

【0064】なお、以上は、金属膜部分を製造する説明
をわかりやすくするために、矩形状の凸部として説明し
ているが、実際には導波路型偏光子は、光導波路型変調
器などの一部として使用されるものであり、光導波路部
分は他の部品と光学的に接続されるため、エッチングな
どにより削ることはない。即ち、実際の光導波路型変調
器として使用する際には、図9(a)に示すように、光
導波路の側方に面が形成されるように光導波路に沿って
バッファ層及び基板がエッチングにより削られた構成と
なる。
Although the above description has been made as a rectangular projection for easy understanding of the description of the production of the metal film portion, the waveguide type polarizer is actually an optical waveguide type modulator or the like. Since the optical waveguide portion is optically connected to other components, it is not cut off by etching or the like. That is, when used as an actual optical waveguide modulator, as shown in FIG. 9A, the buffer layer and the substrate are etched along the optical waveguide so that a surface is formed on the side of the optical waveguide. This results in a configuration cut away.

【0065】即ち、図9は、第2の実施の形態の導波路
型偏光子を示す概略説明図であり、この導波路型偏光子
は、断面が矩形状の凸部40を被覆するように形成され
た凸形状の金属膜21aを備えている。
FIG. 9 is a schematic explanatory view showing a waveguide type polarizer according to the second embodiment. This waveguide type polarizer covers a convex portion 40 having a rectangular cross section. It has the formed convex-shaped metal film 21a.

【0066】この金属膜21aは、Z基板11に形成さ
れた凸部40の上面部分と光導波路に平行な対向する2
側面部分とに付着しているため、従来の扁平な偏光子と
比較して剥がれにくいという特徴を有している。
The metal film 21a is formed on the upper surface of the convex portion 40 formed on the Z substrate 11 and is opposed to the upper surface of the convex portion 40 in parallel with the optical waveguide.
Since it is attached to the side surface, it has a feature that it is less likely to be peeled off than a conventional flat polarizer.

【0067】また、蒸着法で金属膜21aを形成した場
合も、図9(b)の断面図に示されるように、凸部の側
面を被覆する金属膜の膜厚が凸部40の上面を被覆する
金属膜の膜厚よりも薄く形成されるので、この薄い部分
の熱応力が厚い部分よりも小さいために、大きな温度変
化が生じても基板や基板表面に形成されたバッファ層等
に対する付着力が良好であり、剥がれにくいものとなっ
ている。
When the metal film 21a is formed by the vapor deposition method, as shown in the cross-sectional view of FIG. Since the thin portion is formed to be thinner than the thickness of the metal film to be coated, the thermal stress of the thin portion is smaller than that of the thick portion. It has good adhesion and is difficult to peel off.

【0068】なお、本第2の実施の形態では、断面が矩
形状の凸部を形成しこれを被覆する金属膜21aを光導
波路に作用させる場合について述べたが、凸部は特に断
面が矩形状のものに限らず、例えば、図10に示すよう
な断面が台形状となるように構成し、これを被覆する金
属膜(図10では21b)の側面部分を光導波路に作用
させる構成とすることもできる。
In the second embodiment, a case has been described where a convex portion having a rectangular cross section is formed and the metal film 21a covering the convex portion acts on the optical waveguide. Not limited to the shape, for example, the cross section as shown in FIG. 10 may be configured to have a trapezoidal shape, and the side portion of the metal film (21b in FIG. 10) covering this may be configured to act on the optical waveguide. You can also.

【0069】なお、断面が台形状となる凸部を形成する
には、凸部の側面部分を形成する時のドライエッチング
時に基板をプラズマの引き出し方向に対して斜めとなる
ように配置すればよい。このような断面が台形状の凸部
に構成することによって光導波路中を伝播する光の損失
を低く抑えられるという利点がある。
In order to form a convex portion having a trapezoidal cross section, the substrate may be arranged so as to be oblique to the direction in which the plasma is drawn during dry etching when forming the side surface portion of the convex portion. . By forming such a cross section as a trapezoidal convex portion, there is an advantage that loss of light propagating in the optical waveguide can be suppressed low.

【0070】また、本第2の実施の形態では、凸部の光
導波路に平行な対向する2側面と上面、即ち、表面に露
出する全ての面に金属膜を形成する構成について述べた
が、これに限らず、少なくとも厚い膜が形成される上面
部分と薄い膜が形成される凸部の光導波路に平行な1面
とに形成されていれば良い。
Further, in the second embodiment, the configuration in which the metal film is formed on the two opposing side surfaces and the upper surface parallel to the optical waveguide of the convex portion, ie, all the surfaces exposed to the surface has been described. The present invention is not limited to this, and it suffices if it is formed at least on the upper surface where the thick film is formed and on one surface parallel to the optical waveguide of the convex portion where the thin film is formed.

【0071】また、レジストパターン17bの側面が凸
部の光導波路に平行な対向する2側面と近接するように
位置合わせしてレジストパターン17bを形成し、図1
1及び図12のように、凸部の外面のみを被覆する凸形
状の金属膜21c、21dを光導波路に作用させる構成
とすることもできる。
Also, a resist pattern 17b is formed by aligning the side surfaces of the resist pattern 17b so as to be close to the two opposing side surfaces parallel to the optical waveguide of the convex portion.
As shown in FIG. 1 and FIG. 12, it is also possible to adopt a configuration in which convex metal films 21c and 21d covering only the outer surfaces of the convex portions act on the optical waveguide.

【0072】なお、本第2の実施の形態では、蒸着法に
よってAl膜を形成したが、上記第1の実施の形態と同
様にスパッタリング法によってAl膜を形成してもよ
い。
In the second embodiment, the Al film is formed by the vapor deposition method. However, the Al film may be formed by the sputtering method as in the first embodiment.

【0073】(第3の実施の形態)図13は、第3の実
施の形態における導波路型偏光子の製造工程を示すフロ
ー図である。以下、図13を参照しながら第3の実施の
形態を説明する。なお、本第3の実施の形態では、Z基
板11を使用している。
(Third Embodiment) FIG. 13 is a flowchart showing a manufacturing process of a waveguide polarizer according to a third embodiment. Hereinafter, the third embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the Z substrate 11 is used.

【0074】まず、Tiを熱拡散させて基板表面に光導
波路12を形成したZ基板11の表面に、SiO2より
なるバッファ層14をスパッタリング法により厚さ0.
5μmとなるように形成し、600℃で5時間アニール
処理する。
First, a buffer layer 14 made of SiO 2 having a thickness of 0.1 mm is formed on the surface of a Z substrate 11 in which an optical waveguide 12 is formed on the substrate surface by thermally diffusing Ti.
It is formed so as to have a thickness of 5 μm, and is annealed at 600 ° C. for 5 hours.

【0075】次に、基板全面にフォトレジストを塗布し
た後、フォトリソグラフィにより光導波路12に沿った
位置のフォトレジストが矩形状に残るようにパターニン
グし、光導波路12に沿った位置に矩形状のレジストパ
ターン16aを形成する。その後、Tiを蒸着してZ基
板11の全面にTi膜18を形成する(図13
(a))。
Next, after a photoresist is applied to the entire surface of the substrate, the photoresist at the position along the optical waveguide 12 is patterned by photolithography so as to remain in a rectangular shape, and a rectangular shape is formed at a position along the optical waveguide 12. A resist pattern 16a is formed. After that, Ti is deposited to form a Ti film 18 on the entire surface of the Z substrate 11 (FIG. 13).
(A)).

【0076】その後、レジストパターン16aをリフト
オフして、光導波路12に沿った位置の矩形状領域を開
口とするTiマスク18cを形成する(図13
(b))。
Thereafter, the resist pattern 16a is lifted off to form a Ti mask 18c having an opening in a rectangular area along the optical waveguide 12 (FIG. 13).
(B)).

【0077】ECR(Electron cyclotron resonance)
プラズマ源を利用したドライエッチングにより、開口内
に露出するバッファ層を除去して、更に、バッファ層の
除去により露出したZ基板11をほぼ光導波路12の深
さ程度までエッチングした後、ケミカルエッチングによ
りTiマスク18cを取り除く。これにより、光導波路
12に沿った位置の矩形状領域を開口とし、バッファ層
14を貫通した四角柱状の凹部を備えたZ基板11が得
られる(図13(c))。
ECR (Electron cyclotron resonance)
The buffer layer exposed in the opening is removed by dry etching using a plasma source, and the Z substrate 11 exposed by the removal of the buffer layer is further etched to approximately the depth of the optical waveguide 12, and then chemically etched. The Ti mask 18c is removed. As a result, a Z substrate 11 having a rectangular column-shaped recess penetrating the buffer layer 14 with the rectangular region located along the optical waveguide 12 as an opening is obtained (FIG. 13C).

【0078】その後、全面にフォトレジストを塗布し
て、フォトリソグラフィにより内部に凹部を含むように
形成された矩形状の開口を有するレジストパターン16
cを偏光子パターンとして形成する(図13(d))。
Thereafter, a photoresist is applied to the entire surface, and a resist pattern 16 having a rectangular opening formed therein so as to include a concave portion is formed by photolithography.
c is formed as a polarizer pattern (FIG. 13D).

【0079】さらに、スパッタリング法によって全面に
金属膜としてAl膜20を形成し(図13(e))、レ
ジストパターン16cを取り除くことによって、四角柱
状の凹部を被覆するように形成された凹形状の金属膜2
2aを備えた導波路型偏光子を得る(図13(f))。
Further, an Al film 20 is formed as a metal film on the entire surface by sputtering (FIG. 13E), and the resist pattern 16c is removed to form a concave shape formed so as to cover the rectangular column-shaped concave portion. Metal film 2
A waveguide polarizer having 2a is obtained (FIG. 13 (f)).

【0080】この凹形状の金属膜22aは、バッファ層
14cを貫通してZ基板11に形成されており、その光
導波路12側の側面が光導波路に作用する。第3の実施
の形態の金属膜22aも第1及び第2の実施の形態と同
様に、バッファ層14cとZ基板11との両方に付着し
ているため、従来の扁平な偏光子と比較して剥がれにく
いという特徴を有している。
The concave metal film 22a penetrates the buffer layer 14c and is formed on the Z substrate 11, and the side surface on the optical waveguide 12 side acts on the optical waveguide. Since the metal film 22a of the third embodiment is attached to both the buffer layer 14c and the Z substrate 11 as in the first and second embodiments, the metal film 22a is compared with a conventional flat polarizer. It has the characteristic that it is hard to peel off.

【0081】なお、本第3の実施の形態も第1の実施の
形態と同様に、例えば、図14に示すように、基板の表
面に基板表面と垂直な段差をつけてその段差部分を被覆
する断面が略L字状の金属膜22bを備えた導波路型偏
光子としてもよい。この場合、基板表面と垂直な段差部
分が光導波路に作用するので、光導波路が形成されてい
ない部分を削って段差を形成する事は言うまでもない。
なお、段差は、図14のように基板表面にバッファ層を
形成しバッファ層と基板とを削って最大でも光導波路の
深さと同程度の深さとするとよい。なお、その他は、第
1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。
In the third embodiment, similarly to the first embodiment, for example, as shown in FIG. 14, a step perpendicular to the substrate surface is formed on the surface of the substrate to cover the step. A waveguide-type polarizer having a substantially L-shaped metal film 22b may be used. In this case, since a step portion perpendicular to the substrate surface acts on the optical waveguide, it is needless to say that a portion where the optical waveguide is not formed is shaved to form a step.
The step may be formed to a depth at most about the depth of the optical waveguide by forming a buffer layer on the substrate surface as shown in FIG. 14 and shaving the buffer layer and the substrate. The rest is the same as the first embodiment, and the description is omitted.

【0082】以上述べた全ての実施の形態において、A
l等の金属膜は誘電体材料に対する付着力が弱いため剥
がれやすいが、凹部または凸部をドライエッチングによ
り形成しているため、基板表面に適度な荒れが生じ、こ
の荒れた部分が装荷される金属膜との間にアンカー効果
を引き起こすため、金属膜が剥がれにくいものとなる。
In all the embodiments described above, A
The metal film such as 1 has a weak adhesion to the dielectric material and thus easily peels off. However, since the concave or convex portions are formed by dry etching, the substrate surface is appropriately roughened, and the roughened portion is loaded. Since an anchor effect is caused between the metal film and the metal film, the metal film is hardly peeled off.

【0083】また、この金属膜は、立体構造部が凹部の
場合は底面部分の金属膜の膜厚よりも側面部分の金属膜
の膜厚の方が薄くなるように設けられおり、また、立体
構造部が凸部の場合は上面部分の金属膜の膜厚よりも側
面部分の金属膜の膜厚の方が薄くなるように設けられて
いるので、この薄い金属膜部分の熱応力が厚い金属膜部
分よりも小さいために、大きな温度変化が生じても基板
や基板表面に形成されたバッファ層等に対する付着力が
良好であり、剥がれにくいという効果がある。
The metal film is provided such that when the three-dimensional structure is a concave portion, the thickness of the metal film on the side surface is smaller than the thickness of the metal film on the bottom surface. When the structural portion is a convex portion, the metal film on the side portion is provided to be thinner than the metal film on the upper surface portion. Since it is smaller than the film portion, even if a large temperature change occurs, it has good adhesion to the substrate and the buffer layer formed on the surface of the substrate, and has the effect of being hardly peeled off.

【0084】さらに、以上述べた全ての実施の形態にお
ける金属膜は、バッファ層上に比較的容易に形成するこ
とができ、また、バッファ層の材料として使用される誘
電体材料に対する付着力が良好なものとなるため、特
に、バッファ層が必要な高速型の光導波路型変調器に使
用する導波路型偏光子を構成するものとして好適なもの
となる。
Further, the metal films in all the embodiments described above can be formed relatively easily on the buffer layer, and have good adhesion to the dielectric material used as the material of the buffer layer. Therefore, it is particularly suitable as a component of a waveguide polarizer used for a high-speed optical waveguide modulator requiring a buffer layer.

【0085】また、以上述べたすべての実施の形態で
は、導波路型偏光子を構成する金属として最も電界吸収
率の良いAlを使用したが、電界吸収率の良いもので有
ればAlに限らない。例えば、Ti、Cr、Ni及びP
tや、Al、Ti、Cr、Ni及びPtのうち少なくと
も2つより成る合金を使用することができる。
In all of the embodiments described above, Al having the highest electric absorptivity is used as the metal constituting the waveguide type polarizer. Absent. For example, Ti, Cr, Ni and P
t or an alloy composed of at least two of Al, Ti, Cr, Ni and Pt can be used.

【0086】また、特に、ハイパワー光を光導波路に入
射する場合、金属膜に吸収された電界成分が熱エネルギ
ーに変わって偏光子を劣化させる恐れが大きいが、上記
第1から第3の実施の形態で述べた導波路型偏光子で
は、装荷する金属膜の基板に対する付着面積が従来の構
成の導波路型偏光子よりも大きいため、放熱効率が向上
したものとなっている。すなわち、吸収した電界成分が
熱エネルギーに変わっても効率よく放熱できるため、熱
エネルギーによる劣化の可能性を低くできる。
In particular, when high-power light is incident on the optical waveguide, the electric field component absorbed by the metal film is likely to change into thermal energy and degrade the polarizer. In the waveguide-type polarizer described in the embodiment, the attachment area of the loaded metal film to the substrate is larger than that of the waveguide-type polarizer having the conventional configuration, so that the heat radiation efficiency is improved. That is, even if the absorbed electric field component is converted into heat energy, heat can be efficiently radiated, so that the possibility of deterioration due to heat energy can be reduced.

【0087】また、上記第1から第3の実施の形態で述
べた導波路型偏光子の製造方法によれば、細かいパター
ニングが不用で、アライメント精度が低くても性能の良
い導波路型偏光子を形成できるので、製造効率及び製造
歩留まりが向上し、好ましいという利点もある。
Further, according to the method of manufacturing the waveguide type polarizer described in the first to third embodiments, fine patterning is unnecessary, and the waveguide type polarizer having good performance even if alignment accuracy is low. Can be formed, so that the manufacturing efficiency and the manufacturing yield are improved, and there is also an advantage that it is preferable.

【0088】[0088]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1及び請求
項2の発明によれば、光導波路に作用させる金属膜が基
板や基板表面に形成されたバッファ層等から剥がれにく
い導波路型偏光子が得られる、という効果がある。
As described above, according to the first and second aspects of the present invention, a waveguide type polarized light in which a metal film acting on an optical waveguide is hardly peeled off from a substrate or a buffer layer formed on the surface of the substrate. There is an effect that a child can be obtained.

【0089】また、請求項3から請求項6の発明によれ
ば、比較的簡単な構成で剥がれにくい導波路型偏光子が
得られる、という効果がある。
Further, according to the third to sixth aspects of the present invention, there is an effect that a waveguide type polarizer which is difficult to peel off can be obtained with a relatively simple structure.

【0090】請求項7の発明によれば、細かいパターニ
ングが不用で、アライメント精度が低くても性能の良い
導波路型偏光子を形成できる、という効果がある。
According to the invention of claim 7, there is an effect that fine patterning is unnecessary and a waveguide type polarizer having good performance can be formed even if alignment accuracy is low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態の導波路型偏光子の製造工程
を示すフロー図である。
FIG. 1 is a flowchart showing a manufacturing process of a waveguide polarizer according to a first embodiment.

【図2】(a)は、第1の実施の形態の導波路型偏光子の
概略を示す斜視図であり、(b)は(a)のA−A線断面
図である。
FIG. 2A is a perspective view schematically showing a waveguide polarizer according to the first embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】第1の実施の形態において、別の実施の形態を
示した断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment in the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態において、別の実施の形態を
示した断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment in the first embodiment.

【図5】第1の実施の形態において、別の実施の形態を
示した断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment in the first embodiment.

【図6】第1の実施の形態において、別の実施の形態を
示した断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment in the first embodiment.

【図7】第1の実施の形態において、別の実施の形態を
示した断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment in the first embodiment.

【図8】第2の実施の形態の導波路型偏光子の製造工程
を示すフロー図である。
FIG. 8 is a flowchart showing a manufacturing process of the waveguide polarizer of the second embodiment.

【図9】(a)は、第2の実施の形態の導波路型偏光子の
概略を示す斜視図であり、(b)は(a)のA−A線断面
図である。
9A is a perspective view schematically showing a waveguide polarizer according to a second embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 9A.

【図10】第2の実施の形態において、別の実施の形態
を示した断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing another embodiment in the second embodiment.

【図11】第2の実施の形態において、別の実施の形態
を示した断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing another embodiment in the second embodiment.

【図12】第2の実施の形態において、別の実施の形態
を示した断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing another embodiment in the second embodiment.

【図13】第3の実施の形態の導波路型偏光子の製造工
程を示すフロー図である。
FIG. 13 is a flowchart showing a manufacturing process of the waveguide polarizer of the third embodiment.

【図14】第3の実施の形態において、別の実施の形態
を示した断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing another embodiment in the third embodiment.

【図15】X基板に用いられる従来の金属装荷型偏光子
の一例を示す斜視説明図である。
FIG. 15 is a perspective explanatory view showing an example of a conventional metal-loaded polarizer used for an X substrate.

【図16】Z基板に用いられる従来の金属装荷型偏光子
の一例を示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional metal-loaded polarizer used for a Z substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 X基板 11 Z基板 12 光導波路 14 バッファ層 14a〜14c パターン形成済のバッファ層 16a〜16c、17a、17b レジストパター
ン 18 Ti膜 18a〜18c Tiマスク 20 金属膜 20a〜20c、22a、22b 凹形状の金属膜 21a〜21d 凸形状の金属膜 30 矩形状の金属膜 40 凸部 50 溝
REFERENCE SIGNS LIST 10 X substrate 11 Z substrate 12 optical waveguide 14 buffer layer 14 a to 14 c patterned buffer layer 16 a to 16 c, 17 a, 17 b resist pattern 18 Ti film 18 a to 18 c Ti mask 20 metal film 20 a to 20 c, 22 a, 22 b concave shape Metal film 21a to 21d Metal film of convex shape 30 Metal film of rectangular shape 40 Convex part 50 Groove

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 裕俊 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新規技術研究所内 Fターム(参考) 2H047 LA21 QA03 TA21 2H079 AA13 BA02 CA08 DA03 DA22 DA25 DA26 EA01 HA22  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Hirotoshi Nagata 585 Tomimachi, Funabashi-shi, Chiba F-term in the New Technology Research Laboratory, Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. 2H047 LA21 QA03 TA21 2H079 AA13 BA02 CA08 DA03 DA22 DA25 DA26 EA01 HA22

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気光学効果を有する基板と、前記基板
に形成された光導波路とを含む導波路型偏光子におい
て、 前記光導波路の上方又は側方の少なくとも一方に面が形
成されるように前記光導波路の近傍に設けられた立体構
造部と、 偏光子として作用する部分を含むように、前記立体構造
部の上面又は底面の少なくとも一方の面と前記立体構造
部の側面部分とに連続して形成された金属膜と、 からなる導波路型偏光子。
1. A waveguide polarizer including a substrate having an electro-optic effect and an optical waveguide formed on the substrate, such that a surface is formed on at least one of an upper side and a side of the optical waveguide. A three-dimensional structure provided in the vicinity of the optical waveguide; and a part continuous with at least one of the top surface or the bottom surface of the three-dimensional structure and a side surface of the three-dimensional structure so as to include a portion acting as a polarizer. A waveguide polarizer comprising a metal film formed by:
【請求項2】 前記金属膜は、前記立体構造部の側面を
被覆する部分の膜厚が前記立体構造部の上面又は底面を
被覆する部分の膜厚より薄くなるように形成されている
請求項1に記載の導波路型偏光子。
2. The metal film is formed such that a thickness of a portion covering a side surface of the three-dimensional structure is smaller than a thickness of a portion covering an upper surface or a bottom surface of the three-dimensional structure. 2. The waveguide polarizer according to 1.
【請求項3】 前記立体構造部は、前記光導波路の上方
に形成された面を底面とする凹部であり、 前記金属膜は、前記凹部の底面及び側面に形成されてい
る請求項1又は2に記載の導波路型偏光子。
3. The concave portion having a surface formed above the optical waveguide as a bottom surface, and the metal film is formed on a bottom surface and a side surface of the concave portion. 3. The waveguide polarizer according to 1.
【請求項4】 前記基板は、表面にバッファ層を備えた
電気光学結晶基板であり、 前記凹部は、前記電気光学結晶基板の表面が露出するよ
うにバッファ層が1部除かれた部分である請求項3に記
載の導波路型偏光子。
4. The substrate is an electro-optic crystal substrate provided with a buffer layer on the surface, and the recess is a portion where one portion of the buffer layer is removed so that the surface of the electro-optic crystal substrate is exposed. The waveguide type polarizer according to claim 3.
【請求項5】 前記立体構造部は、内部に前記光導波路
を含むように、かつ、対向する側面が光導波路の長手方
向に沿って形成された凸部であり、 前記金属膜は、前記凸部の上面と前記対向する側面の少
なくとも一方に形成されている請求項1に記載の導波路
型偏光子。
5. The three-dimensional structure part is a convex part formed so as to include the optical waveguide inside and a side surface facing the longitudinal direction of the optical waveguide. The waveguide polarizer according to claim 1, wherein the waveguide polarizer is formed on at least one of an upper surface of the portion and the side surface facing the portion.
【請求項6】 前記立体構造部は、前記光導波路の側方
に面が形成されるように前記光導波路の長手方向に沿っ
て設けられた凹部であり、 前記金属膜は、前記凹部の底面と少なくとも光導波路側
の側面とに形成されている請求項1に記載の導波路型偏
光子。
6. The concave portion provided along the longitudinal direction of the optical waveguide such that a surface is formed on a side of the optical waveguide. The metal film is a bottom surface of the concave portion. The waveguide type polarizer according to claim 1, wherein the waveguide type polarizer is formed on at least a side surface on an optical waveguide side.
【請求項7】 予め電気光学結晶基板に形成した光導波
路の上方又は側方の少なくとも一方に面が形成されるよ
うに前記光導波路の近傍に立体構造部を形成し、 前記立体構造部の上面又は側面の少なくとも1面が露出
するように偏光子パターンを形成し、 前記立体構造部の側面に形成する金属膜の膜厚が前記立
体構造部の上面又は底面に形成する金属膜の膜厚よりも
薄くなるように金属膜を形成した後、 偏光子パターンを除去する工程を含む導波路型偏光子の
形成方法。
7. A three-dimensional structure is formed in the vicinity of the optical waveguide such that a surface is formed above or at least on one side of the optical waveguide previously formed on the electro-optic crystal substrate, and an upper surface of the three-dimensional structure is formed. Alternatively, a polarizer pattern is formed such that at least one of the side surfaces is exposed, and the thickness of the metal film formed on the side surface of the three-dimensional structure portion is greater than the thickness of the metal film formed on the top surface or the bottom surface of the three-dimensional structure portion. A method of forming a waveguide-type polarizer, comprising a step of removing a polarizer pattern after forming a metal film so as to be thinner.
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