JP2000263545A - シリコンインゴットの切断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３００ｍｍ以上の直径のシリコンインゴット
から、高い平坦度のウエハを切出す。 【解決手段】 シリコンインゴットからウエハを切出す
切断にワイヤ放電加工機を用いる切断方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路用基板に
用いられる単結晶シリコンインゴットの切断方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、単結晶シリコンインゴットからウ
エハを切り出すシリコンインゴットの切断方法は、内周
刃切断とワイヤラッピング切断方法である。内周刃切断
では、ダイヤモンド砥粒を電着した内周刃ブレードを周
速１０００ｍ／ｍｉｎ程度で回転させて、インゴットに
押し当てブレード面と平行に移動させて切断する方法で
あり、切断精度が高い特徴がある。しかしながら内周刃
ブレードの地金には、切断切り口の材料損失を抑制する
ため板厚の薄いこと（０．３ｍｍ以下のものが多い）、
切断精度を実現するための張り上げに耐える高い抗張力
をもつこと、ブレード地金の幅は内周径（加工物直径よ
り大きい）の３倍以上は大きいことを満たさなければな
らない。このため、直径２００ｍｍ以下のウエハのスラ
イシングはこの方法によるが、直径３００ｍｍ以上のウ
エハのスライシングへの適用は困難視されている。すな
わち、切断できるシリコンインゴットの大きさに制限が
ある。一方、直径３００ｍｍウエハのスライシングに対
してワイヤラッピング切断が適用されている。走行する
ワイヤをラップ工具として砥粒スラリーをかけながらシ
リコンをラッピングして切断するこの方法では直径０．
１５ｍｍ程度のワイヤを用いるが、ラッピング抵抗のた
め切り進む方向にうねりを生じ、切断面の平坦度が低い
という問題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、より精密に
かつ高能率を発揮できる超精密切断法を提供しようとす
るものである。

【０００４】

【課題を解決するためのの手段】本発明は、直径３００
ｍｍ以上のシリコンインゴットにも適用できる平坦度の
良好な切断面の得られるワイヤ放電加工機を用いたこと
を特徴とするシリコンインゴットの切断方法の提供を目
的とするものである。

【０００５】

【発明の作用】ワイヤ放電加工の原理は、直線状に走行
する電導ワイヤを一方の電極として、電気絶縁性の液体
中で両者に適当な間隙を与えてパルス電圧を印荷すれ
ば、両者間で放電が生じて加工物の微小部分が溶融飛散
して除去されることを利用したものである。したがっ
て、ワイヤと加工物とは直接固体接触しないため、加工
物は走行ワイヤに倣った形に加工される。図１は、本発
明によるシリコンインゴットの切断状況を示す斜視図で
ある。（１）はシリコンインゴット、（２）は、ワイ
ヤ、（３）は、ワイヤ走行の向方である。シリコンイン
ゴット全体は、浴槽の電気絶縁性の液体に浸されてい
る。インゴットはワイヤに対して加工の進行した分だけ
送られる（図１において、インゴットは紙面に垂直上向
きに送られる）。ワイヤは直径０．２ｍｍ程度の黄銅線
を用いるので切口の材料損失は小さい。切断速度は小さ
いので、ワイヤを多条平行に走行させ複数箇所を同時切
断することで生産能率を実用可能に向上できる。シリコ
ンインゴットを放電加工の対象とする場合、加工物が鉄
鋼の場合に比べて、放電加工屑の比重が小さく、絶縁液
中に分散して沈澱しにくいので、シリコンに適用した加
工屑の濾過を必須条件とする。インゴットの直径の大き
さの制限は、４００ｍｍ程度まではとくにない。ワイヤ
の直線状走行部長を直径寸法より大きく設定する。

【０００６】

【発明の効果】本発明は、切断時にワイヤに力がかから
ないので切断面の精度が高く、切断できるインゴットの
直径寸法の大きさに制約がないので、３００ｍｍ以上の
直径のシリコンインゴットからウエハを切り出すことが
できる。

【０００７】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す斜視図

【符号の説明】

１ シリコンインゴット ２ ワイヤ ３ ワイヤ走行方向

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体シリコンインゴットをウエハにスラ
   イスする方法において、切断装置としてワイヤ放電加工
   機を用いたことを特徴とする半導体シリコンインゴット
   の切断方法。