JP2000260382A - Charged particle beam equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速ブランキングと電圧の高安定度を得れる
アライメント兼ブランキング機構を提供する。
【解決手段】 ブランキングオフの期間、スイッチング
素子24のスイッチ24Sがオフの状態となり、電極2
0Aへの印加電圧が0ボルトとなる。電極20Bには−
2Vaボルト若しくは+2Vaボルトの電圧が印加され
ている。電子ビーム27は、制限アパーチャ21を通過
してターゲットへ達する。ブランキングオンの期間、ス
イッチング素子24のスイッチ24Sがオンの状態とな
り、電極20Aに正電源22からの電圧(2Vbボル
ト)が印加される。電極20Bには−2Vaボルトの電
圧が印加される。電子ビーム27は電極20A側に偏向
され、制限アパーチャ21によりターゲット方向への通
過が遮断される。
(57) [Problem] To provide an alignment and blanking mechanism capable of obtaining high-speed blanking and high voltage stability. During a blanking-off period, a switch (24S) of a switching element (24) is turned off, and an electrode (2) is turned off.
The applied voltage to 0A is 0 volt. The electrode 20B has-
A voltage of 2 Va volts or +2 Va volts is applied. The electron beam 27 passes through the restriction aperture 21 and reaches the target. During the blanking-on period, the switch 24S of the switching element 24 is turned on, and the voltage (2 Vb volts) from the positive power supply 22 is applied to the electrode 20A. A voltage of -2 Va volt is applied to the electrode 20B. The electron beam 27 is deflected to the side of the electrode 20A, and is blocked from passing in the target direction by the restriction aperture 21.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する分野】本発明は、ブランキング機構を備
えた荷電粒子ビーム装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a charged particle beam apparatus provided with a blanking mechanism.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子ビーム描画装置は、被描画材料上の
所定の位置に電子ビームをショットする事により被描画
材料の所定の位置に所定のパターンを描く装置で、高密
度半導体素子製作手段として脚光を浴びている。2. Description of the Related Art An electron beam writing apparatus is an apparatus which draws a predetermined pattern at a predetermined position on a material to be drawn by shot with an electron beam at a predetermined position on the material to be drawn. It is in the spotlight.
【0003】又、半導体素子等が作成された被描画材料
を試料とし、該試料上を電子ビームで走査する事に基づ
いて、半導体素子等の観察,検査若しくは測長等を行う
走査型電子顕微鏡が、半導体製作過程において欠かせな
いものとなっている。Further, a scanning electron microscope for observing, inspecting, or measuring the length of a semiconductor device or the like based on a material to be drawn on which a semiconductor device or the like is formed as a sample and scanning the sample with an electron beam. However, they have become indispensable in the semiconductor fabrication process.
【0004】この様な電子ビーム描画装置や走査型電子
顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置においては、必要時以外
にビームが被描画材料若しくは試料等(以後ターゲット
と称す)へ照射されないように、高速にビームを遮断
(ブランキング)している。[0004] In such a charged particle beam apparatus such as an electron beam lithography apparatus or a scanning electron microscope, a high-speed operation is performed so that a beam is not irradiated onto a material or a sample (hereinafter referred to as a target) unless necessary. The beam is blocked (blanked).
【0005】図1は電子ビーム装置のブランキング機構
の一例を示したもので、図中1A,1Bはビーム光軸O
を挟んで対向配置されたブランキング用電極、2は制限
アパーチャである。3は正電圧源、4は負電圧電源、
5,6は抵抗で、正電圧源3と抵抗5,負電圧源4と抵
抗6の間にはそれぞれスイッチング素子7,8が接続さ
れている。FIG. 1 shows an example of a blanking mechanism of an electron beam apparatus. In FIG.
The blanking electrodes 2 and 2 are disposed opposite to each other with a limiting aperture. 3 is a positive voltage source, 4 is a negative voltage source,
Reference numerals 5 and 6 denote resistors. Switching elements 7 and 8 are connected between the positive voltage source 3 and the resistor 5 and the negative voltage source 4 and the resistor 6, respectively.
【0006】この様なブランキング機構において、スイ
ッチング素子7,8に図2に示す如きブランキング信号
を供給し、ターゲット(図示せず)上へのビームのオン
(非遮断),オフ(遮断)を行っている。即ち、ブラン
キング信号のローの期間(ブランキングオフの期間)、
スイッチング素子7,8のスイッチ7S,8Sがオフの
状態となるので、正電圧源3,負電圧源4からの電圧が
それぞれブランキング用電極1A,1Bへ印加されな
い。従って、ブランキング用電極1A,1Bへの印加電
圧は0ボルトとなり、電子発生源(図示せず)からの電
子ビーム9は実線に示す様に、制限アパーチャ2を通過
してターゲット(図示せず)へ達する。又、ブランキン
グ信号のハイの期間(ブランキングオンの期間)、スイ
ッチング素子7,8のスイッチ7S,8Sがオンの状態
となり、正電圧源3,負電圧源4からの電圧+Vbボル
ト,−Vbボルトがそれぞれブランキング用電極1A,
1Bへ印加される。従って、これらの電極間に大きい電
圧であるブランキング電圧(2Vbボルト)が掛かるこ
とになり、電子発生源(図示せず)からの電子ビーム9
は点線に示す様に電極1A側に偏向され、制限アパーチ
ャ2によりターゲット(図示せず)方向への通過が遮断
される。通常、前記スイッチング素子としてはトランジ
スタ等が使用され、前記の様にして、極めて高速にビー
ムのオン,オフが行われている。In such a blanking mechanism, a blanking signal as shown in FIG. 2 is supplied to the switching elements 7 and 8 to turn on (non-block) and off (block) a beam onto a target (not shown). It is carried out. That is, a low period of the blanking signal (a period of blanking off),
Since the switches 7S and 8S of the switching elements 7 and 8 are turned off, the voltages from the positive voltage source 3 and the negative voltage source 4 are not applied to the blanking electrodes 1A and 1B, respectively. Therefore, the voltage applied to the blanking electrodes 1A and 1B becomes 0 volt, and the electron beam 9 from the electron source (not shown) passes through the limiting aperture 2 and passes through the target (not shown) as shown by a solid line. ). Further, during a high period of the blanking signal (a blanking-on period), the switches 7S and 8S of the switching elements 7 and 8 are turned on, and the voltages from the positive voltage source 3 and the negative voltage source 4 + Vb volts and -Vb The bolts are respectively blanking electrodes 1A
1B. Therefore, a large blanking voltage (2 Vb volt) is applied between these electrodes, and an electron beam 9 from an electron source (not shown) is applied.
Is deflected to the electrode 1A side as shown by the dotted line, and the passage toward the target (not shown) is blocked by the restricting aperture 2. Usually, a transistor or the like is used as the switching element, and the beam is turned on and off at a very high speed as described above.
【0007】さて、荷電粒子ビーム装置には、通常、集
束レンズ等のレンズが設けられており、電子ビームは通
常、該レンズの軸中心を通るようにアライメントされて
いる。即ち、前記ブランキング機構とは別に、光軸Oの
周囲にアライメント機構(図示せず)が設けられてお
り、光軸Oに対し角度を持ってターゲット(図示せず)
へ向かう電子ビームを光軸Oを通る様に偏向(アライメ
ント)している。尚、この様なアライメント機構として
は、例えば、光軸Oを挟んでX,Y方向にそれぞれ対向
配置された2対電極を備え、各方向の電極間に適宜な電
圧が印加されるように成されたものが一般的である。[0007] A charged particle beam apparatus is usually provided with a lens such as a focusing lens, and the electron beam is usually aligned so as to pass through the axial center of the lens. That is, apart from the blanking mechanism, an alignment mechanism (not shown) is provided around the optical axis O, and a target (not shown) is formed at an angle with respect to the optical axis O.
The electron beam traveling toward the optical axis O is deflected (aligned) so as to pass through the optical axis O. Incidentally, such an alignment mechanism includes, for example, two counter electrodes which are arranged opposite to each other in the X and Y directions with the optical axis O interposed therebetween, and an appropriate voltage is applied between the electrodes in each direction. What is done is common.
【0008】しかし、この様に、ブランキング機構とア
ライメント機構を設けることは、広いスペースが必要と
なるばかりか、コストも著しく掛かる。又、少なくとも
6枚の電極が必要となり、ノイズの増加に繋がる。However, providing a blanking mechanism and an alignment mechanism as described above not only requires a large space but also significantly increases costs. Further, at least six electrodes are required, which leads to an increase in noise.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図3は、これらの問題
を解決したもので、アライメント機構にブランキングも
出来るようにしたアライメント兼ブランキング機構の一
例を示している。即ち、アライメント用電極にアライメ
ント用電圧とブランキング用電圧を重畳する方式の機構
である。FIG. 3 shows an example of an alignment and blanking mechanism which solves these problems and which enables the alignment mechanism to perform blanking. That is, this is a mechanism of a system in which the alignment voltage and the blanking voltage are superimposed on the alignment electrode.
【0010】図中10A,10Bはビーム光軸Oを挟ん
で対向配置されたアライメント兼ブランキング用電極、
11は制限アパーチャである。12可変電圧源、13は
正電圧源、14はスイッチング素子、15は加算器であ
る。該加算器と前記電極10A,10Bとの間にはそれ
ぞれ、非反転増幅器16,反転増幅器17が接続されて
いる。尚、図3では、電極10A,10Bしか図示して
いないが、アライメントはX,Y方向に必要となるの
で、実際には、前記電極10A,10BをX方向アライ
メント用とすれば、Y方向アライメント用の1対の電極
及びこれらの電極にアライメント用電圧を印加するため
の可変電圧源が設けられている。In FIG. 1, reference numerals 10A and 10B denote electrodes for alignment and blanking which are opposed to each other with the beam optical axis O interposed therebetween.
11 is a restriction aperture. 12 is a variable voltage source, 13 is a positive voltage source, 14 is a switching element, and 15 is an adder. A non-inverting amplifier 16 and an inverting amplifier 17 are connected between the adder and the electrodes 10A and 10B, respectively. Although only the electrodes 10A and 10B are shown in FIG. 3, the alignment is required in the X and Y directions. Therefore, if the electrodes 10A and 10B are used for the X direction alignment, the Y direction alignment is actually performed. And a variable voltage source for applying an alignment voltage to these electrodes.
【0011】この様なアライメント兼ブランキング機構
において、スイッチング素子14に図2に示す如きブラ
ンキング信号を供給し、ターゲット(図示せず)上への
ビームのオン(非遮断),オフ(遮断)を行っている。
即ち、ブランキング信号のローの期間(ブランキングオ
フの期間)、スイッチング素子14のスイッチ14Sが
オフの状態となり、可変電源12からの電圧Vaが、非
反転増幅器16,反転増幅器17を介してそれぞれアラ
イメント兼ブランキング用電極10A,10Bに印加さ
れる。即ち、電極10A,10Bそれぞれに、+Va,
−Vaボルト若しくは−Va,+Vaの電圧が印加され
る。その為、これらの電極間に2Vaボルトの電圧が掛
かることになる。この電圧(2Va)はアライメント用
電圧で、小さい電圧であり、電子ビームの光軸Oからの
ずれに応じて前記可変電圧源12をコントロールするこ
とにより、電圧Vaの正負及び絶対値をコントロール
し、該コントロールによって電子ビームがアライメント
される。従って、電子発生源(図示せず)からの電子ビ
ーム18は実線に示す様に、制限アパーチャ11を通過
してターゲット(図示せず)へ達する。In such an alignment and blanking mechanism, a blanking signal as shown in FIG. 2 is supplied to the switching element 14 to turn on (non-block) and off (block) a beam onto a target (not shown). It is carried out.
That is, the switch 14S of the switching element 14 is turned off during the low period of the blanking signal (the blanking off period), and the voltage Va from the variable power supply 12 is supplied via the non-inverting amplifier 16 and the inverting amplifier 17, respectively. The voltage is applied to the alignment and blanking electrodes 10A and 10B. That is, + Va,
A voltage of -Va volt or -Va, + Va is applied. Therefore, a voltage of 2 Va volts is applied between these electrodes. This voltage (2Va) is an alignment voltage and is a small voltage. By controlling the variable voltage source 12 according to the deviation of the electron beam from the optical axis O, the positive and negative and absolute value of the voltage Va are controlled. The electron beam is aligned by the control. Accordingly, the electron beam 18 from the electron source (not shown) passes through the limiting aperture 11 and reaches the target (not shown) as shown by the solid line.
【0012】又、ブランキング信号のハイの期間(ブラ
ンキングオンの期間)、スイッチング素子14のスイッ
チ14Sがオンの状態となり、可変電圧源12からの電
圧Vaと正電圧源13からの電圧Vbの電圧が加算され
た電圧(Va+Vb)ボルトが、非反転増幅器16,反
転増幅器17を介してそれぞれアライメント兼ブランキ
ング用電極10A,10Bに印加される。即ち、電極1
0A,10Bそれぞれに、+(Va+Va)ボルト,−
(Va+Va)の電圧が印加される。その為、これらの
電極間に2(Va+Vb)ボルトの電圧が掛かる。Vb
は極めて大きい電圧で、通常、Va≪Vbなので、ブラ
ンキング電圧2Vbにより、電子発生源(図示せず)か
らの電子ビーム19は点線に示す様に電極10A側に偏
向され、制限アパーチャ11によりターゲット(図示せ
ず)方向への通過が遮断される。しかし、この様なアラ
イメント兼ブランキング機構において、高速なブランキ
ングを行うためには、周波数特性の高い高速応答の非反
転増幅器15,反転増幅器16及び加算器14が必要と
なるが、そのような非反転増幅器,反転増幅器及び加算
器は極めて高価である。仮に高価な増幅器などを使用し
た場合、この様な周波数特性の高くした増幅器等を経た
電圧の安定度が損なわれてしまい、アライメントが精確
に行われない。Also, during a high period of the blanking signal (blanking-on period), the switch 14S of the switching element 14 is turned on, and the voltage Va from the variable voltage source 12 and the voltage Vb from the positive voltage source 13 are switched. The voltage (Va + Vb) volt to which the voltage is added is applied to the alignment and blanking electrodes 10A and 10B via the non-inverting amplifier 16 and the inverting amplifier 17, respectively. That is, the electrode 1
0 (Va + Va) volts,-
A voltage of (Va + Va) is applied. Therefore, a voltage of 2 (Va + Vb) volts is applied between these electrodes. Vb
Is an extremely large voltage, usually Va≪Vb, so that the electron beam 19 from an electron source (not shown) is deflected to the electrode 10A side as shown by a dotted line by the blanking voltage 2Vb, The passage in the direction (not shown) is blocked. However, in order to perform high-speed blanking in such an alignment and blanking mechanism, a non-inverting amplifier 15, an inverting amplifier 16, and an adder 14 having high frequency characteristics and high response speed are required. Non-inverting amplifiers, inverting amplifiers and adders are very expensive. If an expensive amplifier or the like is used, the stability of the voltage passing through the amplifier or the like having such a high frequency characteristic is impaired, and alignment cannot be performed accurately.
【0013】本発明はこの様な問題を解決する新規な荷
電粒子ビーム装置を提供することを目的としたものであ
る。An object of the present invention is to provide a novel charged particle beam apparatus which solves such a problem.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】 本発明に基づく荷電粒
子ビーム装置は、荷電粒子ビーム発生源を有し、該発生
源からの荷電粒子ビームをターゲット上の所定の位置に
照射出来るように成した荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子発生源とターゲットの間に、光軸を挟んで
少なくとも1対の電極を対向配置し、一方の電極に、ブ
ランキングオン,オフ信号からなるブランキング信号に
基づくブランキング用の電圧を印加し、他方の電極に、
アライメント用の電圧を印加するように成したブランキ
ング機構を設けたことを成した事を特徴とする。Means for Solving the Problems A charged particle beam apparatus according to the present invention has a charged particle beam generation source, and is capable of irradiating a predetermined position on a target with a charged particle beam from the generation source. In a charged particle beam device,
At least one pair of electrodes is disposed between the charged particle generation source and the target with the optical axis interposed therebetween, and a voltage for blanking based on a blanking signal including a blanking on / off signal is applied to one of the electrodes. To the other electrode,
A blanking mechanism for applying a voltage for alignment is provided.
【0015】本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、ブ
ランキング信号のブランキングオン,オフ信号に基づい
てオン,オフするスイッチを設け、該スイッチのオン,
オフに基づいて一方の電極にブランキング用の電圧を印
加するように成したことを特徴とする。The charged particle beam apparatus according to the present invention is provided with a switch that is turned on and off based on a blanking on / off signal of a blanking signal.
A blanking voltage is applied to one of the electrodes based on the OFF state.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0017】図4は本発明に基づく荷電粒子ビーム装置
の主要部を成すアライメント兼ブランキング機構の一例
を示している。FIG. 4 shows an example of an alignment and blanking mechanism which is a main part of the charged particle beam apparatus according to the present invention.
【0018】図中20A,20Bはビーム光軸Oを挟ん
で対向配置された電極、21は制限アパーチャである。
22は正電圧源、23は抵抗で、正電圧源22と抵抗2
3の間にはスイッチング素子24が接続されている。2
5は可変電圧源で、該可変電源25と前記電極20Bと
の間には反転増幅器26が接続されている。尚、前記し
た様に、アライメントはX,Y方向に必要となるので、
電極20A,20Bしか図示しなかったが、実際には、
前記電極20A,20BをX方向アライメント用とすれ
ば、Y方向アライメント用の1対の電極とこれらの電極
にアライメント用電圧を印加するための可変電圧源が設
けられている。In the figure, reference numerals 20A and 20B denote electrodes which are arranged to face each other with the beam optical axis O interposed therebetween, and reference numeral 21 denotes a limiting aperture.
22 is a positive voltage source, 23 is a resistor, and the positive voltage source 22 and the resistor 2
3, a switching element 24 is connected. 2
Reference numeral 5 denotes a variable voltage source, and an inverting amplifier 26 is connected between the variable power supply 25 and the electrode 20B. As described above, since the alignment is required in the X and Y directions,
Although only the electrodes 20A and 20B are shown, actually,
Assuming that the electrodes 20A and 20B are for X-direction alignment, a pair of electrodes for Y-direction alignment and a variable voltage source for applying an alignment voltage to these electrodes are provided.
【0019】この様な機構において、予め、前記反転増
幅器26の増幅率を2倍に設定しておく。又、前記正電
源22を、その出力電圧がブランキング電圧(2Vbボ
ルト)になるように設定しておく。In such a mechanism, the amplification factor of the inverting amplifier 26 is previously set to twice. The positive power supply 22 is set so that its output voltage becomes a blanking voltage (2 Vb volts).
【0020】この状態において、スイッチング素子24
に図2に示す如きブランキング信号を供給し、ターゲッ
ト(図示せず)上へのビームのオン(非遮断),オフ
(遮断)を行う。In this state, the switching element 24
2 to supply a blanking signal as shown in FIG. 2 to turn on (non-blocking) and turn off (blocking) a beam onto a target (not shown).
【0021】即ち、ブランキング信号のローの期間(ブ
ランキングオフの期間)、スイッチング素子24のスイ
ッチ24Sがオフの状態となり、電極20Aへの印加電
圧が0ボルトとなる。この時、可変電源25から電圧+
Vaボルト若しくは−Vaボルトが、反転増幅器26を
介して電極20Bに印加されているので、電極20Bに
は−2Vaボルト若しくは+2Vaボルトの電圧が印加
されている。この電圧は前記図3の機構の場合のブラン
キングオフ時と同じ電極間電圧で、このアライメント用
電圧(2Va)は、電子ビームの光軸Oからのずれに応
じて前記可変電圧源25をコントロールすることによ
り、その正負及び絶対値がコントロールされるので、電
子ビームがアライメントされる。従って、電子発生源
(図示せず)からの電子ビーム27は実線に示す様に、
制限アパーチャ21を通過してターゲット(図示せず)
へ達する。That is, during the low period of the blanking signal (the blanking off period), the switch 24S of the switching element 24 is turned off, and the voltage applied to the electrode 20A becomes 0 volt. At this time, the voltage +
Since Va volt or -Va volt is applied to the electrode 20B via the inverting amplifier 26, a voltage of -2Va volt or + 2Va volt is applied to the electrode 20B. This voltage is the same voltage between the electrodes as at the time of blanking off in the mechanism of FIG. 3, and this alignment voltage (2 Va) controls the variable voltage source 25 in accordance with the deviation of the electron beam from the optical axis O. By doing so, the positive / negative and absolute values are controlled, so that the electron beam is aligned. Therefore, the electron beam 27 from the electron source (not shown) is, as shown by the solid line,
Target (not shown) passing through restriction aperture 21
To reach.
【0022】又、ブランキング信号のハイの期間(ブラ
ンキングオンの期間)、スイッチング素子24のスイッ
チ24Sがオンの状態となり、電極20Aに正電源22
からの電圧(2Vbボルト)が印加される。この時、他
方の電極20Bには可変電源25からの+Vaボルトの
電圧が反転増幅器26を介して印加されているので、電
極20Bには−2Vaボルトの電圧が印加される。その
為に、これらの電極間に2(Va+Vb)ボルトの電圧
が掛かる。この電圧は前記図3の機構の場合のブランキ
ングオン時と同じ電圧で、通常、Va≪Vbなので、ブ
ランキング電圧2Vbにより、電子発生源(図示せず)
からの電子ビーム27は点線に示す様に電極20A側に
偏向され、制限アパーチャ21によりターゲット(図示
せず)方向への通過が遮断される。During the high period of the blanking signal (the blanking-on period), the switch 24S of the switching element 24 is turned on, and the positive power supply 22 is connected to the electrode 20A.
(2 Vb volts). At this time, since a voltage of + Va volt from the variable power supply 25 is applied to the other electrode 20B via the inverting amplifier 26, a voltage of -2Va volt is applied to the electrode 20B. Therefore, a voltage of 2 (Va + Vb) volts is applied between these electrodes. This voltage is the same as the voltage at the time of blanking ON in the case of the mechanism of FIG. 3 described above, and is generally Va≪Vb. Therefore, the electron generating source (not shown) is generated by the blanking voltage 2Vb.
The electron beam 27 is deflected toward the electrode 20A as shown by the dotted line, and is blocked from passing in the direction of the target (not shown) by the restriction aperture 21.
【0023】以上のように成せば、ブランキングが高速
に行われ、反転増幅器26の周波数特性を高くする必要
がないため、電圧の安定度が損なわれない。With the above arrangement, blanking is performed at a high speed, and it is not necessary to increase the frequency characteristics of the inverting amplifier 26, so that the voltage stability is not impaired.
【0024】尚、前記実施例では電子ビーム装置を例に
上げて説明したが、集束イオンビーム装置等のイオンビ
ーム装置にも応用可能であることは言うまでもない。Although the above embodiment has been described by taking an electron beam apparatus as an example, it is needless to say that the present invention can be applied to an ion beam apparatus such as a focused ion beam apparatus.
【図1】 従来の電子ビーム装置のブランキング機構の
一例を示したものである。FIG. 1 shows an example of a blanking mechanism of a conventional electron beam device.
【図2】 ブランキング信号の一例を示したものであ
る。FIG. 2 shows an example of a blanking signal.
【図3】 従来の電子ビーム装置の他のブランキング機
構の一例を示したものである。FIG. 3 shows an example of another blanking mechanism of a conventional electron beam device.
【図4】 本発明の電子ビーム装置のブランキング機構
の一例を示したものである。FIG. 4 shows an example of a blanking mechanism of the electron beam device of the present invention.
O…光軸 20A…電極 20B…電極 21…制限アパーチャ 22…正電圧源 23…抵抗 24…スイッチング素子 24S…スイッチ 25…可変電圧源 26…反転増幅器 27…電子ビーム O ... optical axis 20A ... electrode 20B ... electrode 21 ... limit aperture 22 ... positive voltage source 23 ... resistor 24 ... switching element 24S ... switch 25 ... variable voltage source 26 ... inverting amplifier 27 ... electron beam
Claims (2)
からの荷電粒子ビームをターゲット上の所定の位置に照
射出来るように成した荷電粒子ビーム装置において、前
記荷電粒子発生源とターゲットの間に、光軸を挟んで少
なくとも1対の電極を対向配置し、一方の電極に、ブラ
ンキングオン,オフ信号からなるブランキング信号に基
づくブランキング用の電圧を印加し、他方の電極に、ア
ライメント用の電圧を印加するように成したブランキン
グ機構を設けたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。1. A charged particle beam apparatus having a charged particle beam generation source, wherein a charged particle beam from the generation source can be irradiated to a predetermined position on a target. At least one pair of electrodes is disposed opposite to each other with the optical axis therebetween, and a voltage for blanking based on a blanking signal including a blanking on / off signal is applied to one electrode, and a voltage is applied to the other electrode. A charged particle beam device comprising a blanking mechanism for applying an alignment voltage.
オフ信号に基づいてオン,オフするスイッチを設け、該
スイッチのオン,オフに基づいて一方の電極にブランキ
ング用の電圧を印加するように成したことを特徴とする
請求項1記載の荷電粒子ビーム装置。2. A blanking signal of a blanking signal,
2. The charged particle according to claim 1, wherein a switch for turning on and off based on an off signal is provided, and a voltage for blanking is applied to one of the electrodes based on on and off of the switch. Beam device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064413A JP2000260382A (en) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | Charged particle beam equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064413A JP2000260382A (en) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | Charged particle beam equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260382A true JP2000260382A (en) | 2000-09-22 |
Family
ID=13257595
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11064413A Withdrawn JP2000260382A (en) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | Charged particle beam equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260382A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271502A3 (en) * | 2001-06-22 | 2006-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron beam recorder and method thereof |
| EP1632980A3 (en) * | 2004-09-03 | 2008-07-23 | Carl Zeiss SMT Limited | Scanning particle beam instrument |
| JP2008530785A (en) * | 2005-02-04 | 2008-08-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | Wafer scanning ion implanter with high speed beam deflector to recover beam glitch |
| JP2008536309A (en) * | 2005-04-02 | 2008-09-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | Method and apparatus for recovering from glitches in fixed beam ion implantation using fast ion beam control |
| JP2008235571A (en) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | Exposure apparatus and device manufacturing method |
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-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064413A patent/JP2000260382A/en not_active Withdrawn
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