JP2000258890A

JP2000258890A - 位相シフトマスクの製造方法および位相差測定方法

Info

Publication number: JP2000258890A
Application number: JP5839799A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kamo; 隆加茂; Hideki Kanai; 秀樹金井
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-03-05
Filing date: 1999-03-05
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、ハーフトーン・マスクの製造におい
て、ハーフトーン膜の位相差を実パターンにより正確に
測定できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、ハーフトーン・マスクを仕上げ
る前に、マスク本体の遮光膜パターン１３’の一部を除
去し、ハーフトーン膜マスク部１０ａと遮光膜マスク部
１０ｂとが混在する位相差測定用マスクを作成する。そ
して、このマスクの光学像を取得し、遮光膜マスク部１
０ｂのフォーカスの中心を原点としたときの、ハーフト
ーン膜マスク部１０ａのフォーカスの中心からのベスト
フォーカス位置のシフト量を導出して、実パターンでの
位相差の評価を行う。一方、光学像を取得した後に、マ
スク本体の遮光膜パターン１３’をすべて除去すること
で、ハーフトーン膜１２の位相差が明らかなハーフトー
ン・マスクを製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、位相シフトマス
クの製造方法および位相差測定方法に関するもので、特
に、ハーフトーン型の位相シフトマスク（以下、単にハ
ーフトーン・マスクと略記する）の製造に用いられるも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、クロム（Ｃｒ）・マスク（Chrome
On Glass マスク）に代わるものとして、ハーフトーン
・マスクが注目されている。ハーフトーン・マスクは、
遮光パターンの寸法以外に、ハーフトーン膜の透過率と
位相差とを精度よく制御する必要がある。ハーフトーン
膜の透過率や位相差を所望の値に制御できていないハー
フトーン・マスクでは、ステッパの露光性能が著しく悪
化する可能性がある。特に、位相差が１８０度からずれ
ると、ステッパ露光時にレンズの収差の影響が、Ｃｒ・
マスクよりも増幅される場合がある。

【０００３】ハーフトーン・マスクにおけるハーフトー
ン膜の透過率は、分光光度計などで直に測定することが
可能である。しかし、位相差は、ハーフトーン膜の膜厚
や光学定数によって決定され、さらには、下地の石英基
板がＲＩＥ（Reactive Ion Etching）加工の際などに掘
り込まれる場合には、その掘り込みの量によっても変化
する。このため、クオリティ・チェック（ＱＣ）として
の正確な位相差を求めることは困難であった。

【０００４】ハーフトーン・マスクにおけるハーフトー
ン膜の位相差については、遮光パターン（実パターン）
の寸法が１０μｍ程度の場合には、位相差測定装置を用
いることによって測定することが可能である。しかし、
寸法が１．５μｍ以下の遮光パターン（実パターン）の
場合には、たとえ、位相差測定装置を用いたとしても、
装置の構造上、不可能であった。

【０００５】この場合、マスク上に１０μｍ程度の寸法
のパターン（位相差ＱＣパターン）を形成しておき、そ
の位相差を位相差測定装置で測定することによって、寸
法が１．５μｍ以下の遮光パターン（実パターン）での
位相差を間接的に測定することが考えられる。

【０００６】しかしながら、ハーフトーン膜をＲＩＥ法
により加工する場合、１０μｍ程度の寸法のパターンに
おける下地の石英基板の掘り込み量と、１．５μｍ以下
の寸法のパターンにおける下地の石英基板の掘り込み量
とが、必ずしも一致するとは限らない。したがって、位
相差ＱＣパターンでの位相差と実パターンでの位相差と
で、測定の結果に違いが生じている可能性があった。

【０００７】また、ハーフトーン・マスクにおいては、
シフタの位相差が１８０度からずれると、ステッパ露光
時のベストフォーカス位置がフォーカスの中心からずれ
るという性質を利用して、ハーフトーン膜の位相差を見
積もることが可能である。ステッパ露光時のベストフォ
ーカス位置のずれは、像質検査装置によって観測するこ
とができる。

【０００８】しかしながら、シフタの位相差が１８０度
のときの、ハーフトーン・マスクにおけるベストフォー
カス位置、いわば原点のフォーカス位置（フォーカスの
原点）がどこにあるのかがわからなければ、シフタの位
相差が１８０度からずれたときの、フォーカスの中心の
変化量（フォーカスの中心からのベストフォーカス位置
のシフト量）を求めることはできない。

【０００９】特に、ベストフォーカス位置のシフト量
は、たとえば図６に示すように、０．２（×４）μｍ付
近と０．３（×４）μｍ付近のマスク寸法では、ベスト
フォーカス位置のシフト量から、ハーフトーン膜の位相
差を導出することは困難であった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、実パターンよりもパターンの大きな位相差
ＱＣパターンを測定することによって、または、ステッ
パ露光時のベストフォーカス位置のずれを観測すること
によって、ハーフトーン・マスクにおけるハーフトーン
膜の位相差を測定することが可能であるものの、いずれ
の場合も、実パターンにおける位相差を測定するもので
はなかったため、正確性にかけるという問題があった。

【００１１】そこで、この発明は、位相シフト膜の位相
差を実パターンにより正確に測定でき、特に、微小な実
パターンでの位相差の正確な測定が可能な、位相シフト
マスクの製造方法および位相差測定方法を提供すること
を目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の位相シフトマスクの製造方法にあって
は、基板上に位相シフト膜および遮光膜を順次積層形成
させる工程と、前記位相シフト膜および前記遮光膜をパ
ターニングする工程と、前記基板上の一部領域におい
て、前記位相シフト膜のパターン上の前記遮光膜を除去
し、遮光膜マスク部および位相シフト膜マスク部を形成
する工程と、前記遮光膜マスク部および前記位相シフト
膜マスク部の光学像を取得した後、前記遮光膜を除去す
る工程とを備えてなる。

【００１３】また、この発明の位相シフトマスクの位相
差測定方法にあっては、同一基板上に形成された、遮光
膜のパターンを有する遮光膜マスク部、および、位相シ
フト膜のパターンを有する位相シフト膜マスク部の光学
像を取得する工程と、前記光学像より、前記位相シフト
膜マスク部の、前記位相シフト膜のパターンの、露光時
のフォーカスの中心からのシフト量を算出する工程と、
前記シフト量にもとづく、デフォーカス時のパターンの
寸法変化量から、前記位相シフト膜のパターンの位相差
を評価する工程とを備えてなる。

【００１４】この発明の位相シフトマスクの製造方法お
よび位相差測定方法によれば、同一基板上に遮光膜マス
ク部と位相シフト膜マスク部とを混在できるようにな
る。これにより、位相シフト膜の位相差を実パターンに
よって直接的に測定することが可能となるものである。

【００１５】より具体的には、遮光膜マスク部では位相
シフト量（シフタの位相差）がなく、ステッパ露光時の
ベストフォーカス位置がフォーカスの中心からずれるこ
とはない。そこで、同一基板上に混在する遮光膜マスク
部および位相シフト膜マスク部の光学像をもとに、遮光
膜マスク部のフォーカスの中心をフォーカスの原点とし
たときの、このフォーカスの原点からの、位相シフト膜
マスク部のフォーカスの中心のずれ量（フォーカスの中
心からのベストフォーカス位置のシフト量）を導出する
ことで、実パターンでの位相差の測定が可能となる。

【００１６】しかも、遮光膜マスク部および位相シフト
膜マスク部の光学像を取得した後に、位相シフトマスク
の本体部分の遮光膜のパターンを除去することによっ
て、実パターンでの位相差が明らかな位相シフトマスク
を製造できる。

【００１７】なお、光学像の取得は、σ＝０．６以下の
低σの照明条件で行うことで、より大きなシフト量を得
ることができる。また、デフォーカスした際のパターン
寸法の変化量（ΔＣＤ／Δフォーカス）は１８０度から
の位相差のずれ量に比例するため、位相差を導出する際
の測定量として適している。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。

【００１９】図１は、本発明の実施の一形態にかかる、
ハーフトーン・マスクの製造方法を概略的に示すもので
ある。なお、ここでは、ＤＵＶ（Deep Ultra Violet ex
pose）ステッパ用のハーフトーン・マスクにおける、コ
ンタクトホールの形成について説明する。

【００２０】先ず、ハーフトーン・マスクを形成するた
めのブランクス（マスク材）１０を用意する。ブランク
ス１０は、たとえば、石英基板１１上に、ハーフトーン
膜（位相シフト膜）１２および遮光膜１３を介して、レ
ジスト膜１４ａが積層されてなる構成とされている（同
図（ａ）参照）。

【００２１】上記ハーフトーン膜１２としては、たとえ
ば、モリブデン・シリサイド（ＭｏＳｉ）の窒化物また
は酸化物または窒化酸化物、クロム・オキシ・ナイトラ
イド（ＣｒＯＮ）、Ｃｒのフッ化物またはＣｒのフッ化
酸化物、シリコン・ナイトライド（ＳｉＮ）、または、
タングステン・シリサイド（ＷＳｉ）の窒化物または酸
化物または窒化酸化物などが用いられる。

【００２２】上記遮光膜１３は、ステッパ露光時の漏れ
光を防止するためのもので、たとえば、Ｃｒと酸化Ｃｒ
との積層膜からなり、５５０オングストローム程度の膜
厚（５００〜１１００オングストローム厚程度が適当）
で設けられる。

【００２３】次いで、上記レジスト膜１４ａを、たとえ
ば、１．０μｍ程度のホールパターンを形成すべくパタ
ーニングした後、そのレジスト膜１４ａをマスクに上記
遮光膜１３をエッチングして、遮光膜パターン１３’を
形成する（同図（ｂ）参照）。

【００２４】次いで、上記レジスト膜１４ａおよび上記
遮光膜パターン１３’をマスクに上記ハーフトーン膜１
２をエッチングして、ハーフトーン膜パターン１２’を
形成する（同図（ｃ）参照）。

【００２５】次いで、上記レジスト膜１４ａを剥離した
後、再度、レジスト膜１４ｂを全面に塗布する。そし
て、マスク本体の一部に対応する部分の、上記レジスト
膜１４ｂを、レーザリペア装置などを用いて露光を行
い、その後、現像する（同図（ｄ）参照）。

【００２６】次いで、上記レジスト膜１４ｂをマスク
に、上記遮光膜パターン１３’の一部、つまり、マスク
本体の一部に対応する部分の、上記遮光膜１３をウェッ
トエッチングなどにより除去する。また、上記遮光膜１
３を除去した後、さらに、上記レジスト膜１４ｂをすべ
て除去する（同図（ｅ）参照）。

【００２７】これにより、同一の石英基板１１上に、上
記ハーフトーン膜パターン（実パターン）１２’からな
るハーフトーン膜マスク部（位相シフト膜マスク部）１
０ａと、上記遮光膜パターン（実パターン）１３’から
なる遮光膜マスク部１０ｂとを混在させて形成すること
ができる。

【００２８】こうして、ハーフトーン膜マスク部１０ａ
と遮光膜マスク部１０ｂとが形成されたブランクス１０
を位相差測定用のマスクとし、ステッパ露光をシミュレ
ートする顕微鏡により、このマスクに対する空間光学像
を直に取得することによって、上記ハーフトーン膜パタ
ーン１２’での位相差の評価が行われる。評価の具体的
な方法については、後述する。

【００２９】上記空間光学像を取得した後においては、
再度、レジスト膜１４ｃを全面に塗布する。そして、遮
光枠を描画した後に、現像処理を施すことにより、マス
ク本体に対応する部分の、上記レジスト膜１４ｃを除去
する（同図（ｆ）参照）。

【００３０】次いで、上記レジスト膜１４ｃをマスク
に、マスク本体に対応する部分の、上記遮光膜パターン
１３’をウェットエッチングなどによりすべて除去する
（同図（ｇ）参照）。この場合、上記遮光枠の部分に遮
光膜パターン１３’（または、遮光膜１３）を残すこと
で、ステッパにおいて、ショット範囲を決定する際の機
械的な精度の不良による、マスク本体外からの漏れ光を
も防止できる。

【００３１】次いで、上記レジスト膜１４ｃを剥離する
とともに、洗浄処理を行うことにより、上記ハーフトー
ン膜パターン１２’での位相差が明らかな、１．０μｍ
程度のコンタクトホールパターンを有する、ハーフトー
ン・マスクが完成する（同図（ｈ）参照）。

【００３２】次に、上記ハーフトーン膜パターン１２’
での位相差の評価の方法について、説明する。

【００３３】図２は、ハーフトーン膜マスク部１０ａと
遮光膜マスク部１０ｂとが形成されたブランクス１０を
位相差測定用のマスク（図１（ｅ）参照）とし、直接、
ステッパ露光をシミュレートする顕微鏡により取得され
た空間光学像（マスクの光強度プロファイル（フォーカ
ス依存性））を概略的に示すものである。

【００３４】なお、この空間光学像は、たとえば、図１
（ｅ）に示す範囲IIの部分に略対応している。

【００３５】また、上記空間光学像は、より大きなシフ
ト量を得るために、たとえば、σ＝０．３、および、Ｎ
Ａ（レンズの開口数）＝０．６の、低σ（σ＝０．６以
下）の照明条件下にて取得されたものとなっている。

【００３６】図３は、上記空間光学像より算出される、
位相差が１７５ｄｅｇ、１８０ｄｅｇ、１８５ｄｅｇの
ときの、それぞれの、フォーカスとウェーハ上でのコン
タクトホール寸法（Critical Dimension）との関係（６
％，１．０μm）を概略的に示すものである。

【００３７】なお、この場合、ウェーハ上のレジスト膜
が、マスク上でのコンタクトホール寸法と同じパターン
寸法（ホールサイズ）に仕上がるように、ステッパの閾
値（マスクバイアス＝０）が選択されるようになってい
る。

【００３８】また、この場合の、ウェーハ上でのパター
ン寸法は、マスク上でのコンタクトホール寸法の略１／
4倍（×４ on Mask）となっている。

【００３９】この図からも明らかなように、ベストフォ
ーカス位置のシフト量（各曲線におけるピーク位置）
は、１８０度（フォーカスの原点）からの位相差のずれ
量に応じて変化する。

【００４０】図４は、ウェーハ上でのコンタクトホール
寸法に対する、ΔＣＤとΔフォーカスとの比（ΔＣＤ／
Δフォーカス）の依存性を概略的に示すものである。

【００４１】なお、実線によって、位相差が１７０ｄｅ
ｇ、１７５ｄｅｇ、１８０ｄｅｇ、１８５ｄｅｇ、１９
０ｄｅｇのときの計算値を、また、破線によって、３０
％のオーバエッチングをかけてハーフトーン膜パターン
１２’の形成を行ったときの実測値と、４５％のオーバ
エッチングをかけてハーフトーン膜１２’の形成を行っ
たときの実測値とを、それぞれ示している。

【００４２】また、この場合の、ウェーハ上でのパター
ン寸法は、マスク上でのコンタクトホール寸法の略１／
4倍（×４ on Mask）となっている。

【００４３】この図から、デフォーカスした際のパター
ン寸法の変化量（ΔＣＤ／Δフォーカス）は、１８０度
からの位相差のずれ量に比例する量となり、いずれの場
合（オーバエッチング量が３０％の場合と４５％の場
合）も、ハーフトーン膜パターン１２’の位相差は１８
０度±５度以内にあることが見て取れる。

【００４４】このように、ステッパ露光時のベストフォ
ーカス位置がフォーカスの中心からずれることのない、
遮光膜マスク部１０ｂのフォーカスの中心をフォーカス
の原点としたときの、このフォーカスの原点からの、ハ
ーフトーン膜マスク部１０ａのフォーカスの中心からの
ベストフォーカス位置のシフト量を導出することによっ
て、ハーフトーン膜パターン１２’の位相差を実パター
ンにより正確に評価できる。したがって、下地の石英基
板１１の掘り込みの量にかかわらず、１．０μｍ程度の
実パターンでの位相差の測定が容易に可能となるもので
ある。

【００４５】また、空間光学像を取得した後に、マスク
本体の遮光膜パターン１３’をすべて除去することによ
り、ハーフトーン膜パターン１２’の位相差が明らかな
ハーフトーン・マスクを製造できるものである。

【００４６】上記したように、石英基板上に遮光膜マス
ク部とハーフトーン膜マスク部とを混在できるようにし
ている。

【００４７】すなわち、マスク本体の遮光膜パターンの
すべてを除去してハーフトーン・マスクを仕上げる前
に、マスク本体の遮光膜パターンの一部を除去すること
により、位相差測定用のマスクとして利用できるように
している。

【００４８】これにより、位相差測定用マスク上に、遮
光膜マスク部とハーフトーン膜マスク部とを混在させる
ことが可能となるため、遮光膜マスク部のフォーカスの
中心を原点としたときの、ハーフトーン膜マスク部のフ
ォーカスの中心からのベストフォーカス位置のシフト量
を導出することによって、実パターンでの位相差の評価
が行えるようになる。

【００４９】したがって、ハーフトーン膜の位相差を実
パターンによって直接的に測定することが可能となり、
微小な実パターンでの位相差をも正確に測定できるよう
になるものである。

【００５０】特に、位相差測定用マスクの、ウェーハ上
への転写を行うようにした場合には、たとえば、同一マ
スク上でハーフトーン膜パターンと遮光膜パターンとを
評価するのに有効である。

【００５１】なお、上記した実施の形態においては、レ
ジスト膜および遮光膜パターンをマスクにハーフトーン
膜をエッチングして、ハーフトーン膜パターンを形成し
た後にレジスト膜を剥離するようにした場合を例に説明
したが、これに限らず、たとえばレジスト膜を剥離した
後に、遮光膜パターンをマスクにしてハーフトーン膜パ
ターンを形成するようにすることも可能である。

【００５２】また、位相差測定用マスク上におけるハー
フトーン膜マスク部の位置は一箇所に限らず、たとえ
ば、複数の個所にランダムに設けることが可能である。

【００５３】さらに、ハーフトーン膜マスク部および遮
光膜マスク部のみに限らず、たとえば、位相差測定用マ
スク上に位相差ＱＣパターンを設けて、これを位相差測
定の際に併用するようにすることも可能である。

【００５４】ここで、たとえば図５を参照して、ＤＵＶ
ステッパ用のハーフトーン・マスクにおけるコンタクト
ホールパターン（位相差ＱＣパターン）を例として、そ
の製造工程について簡単に説明する。

【００５５】先ず、たとえば、石英基板１１上に、ハー
フトーン膜１２および遮光膜（５５０オングストローム
厚程度のＣｒと酸化Ｃｒとの積層膜）１３を介して、レ
ジスト膜１４ａが塗布されたブランクス１０を用意し
（同図（ａ）参照）、該レジスト膜１４ａをパターニン
グして、１．０μｍ程度のホールパターン（本体パター
ン）１５ａと、フォーカスの原点を決定するためのＱＣ
パターン（０．５μｍ〜２μｍ径程度のコンタクトホー
ル）１５ｂとを、同時に形成する（同図（ｂ）参照）。

【００５６】その後、上記レジスト膜１４ａをマスクに
遮光膜パターン１３’を、また、上記レジスト膜１４ａ
および上記遮光膜パターン１３’（または、上記遮光膜
パターン１３’のみ）をマスクにハーフトーン膜パター
ン１２’を、それぞれ形成する（同図（ｃ）参照）。

【００５７】次いで、上記レジスト膜１４ａを剥離した
後、再度、レジスト膜１４ｂを全面に塗布する。そし
て、マスク本体の一部に対応する部分の、上記レジスト
膜１４ｂを、レーザリペア装置などを用いて露光を行
い、その後、現像する（同図（ｄ）参照）。

【００５８】次いで、上記レジスト膜１４ｂをマスク
に、上記遮光膜パターン１３’の一部、つまり、マスク
本体の一部に対応する部分の、上記遮光膜１３をウェッ
トエッチングなどにより除去する。その後、上記遮光膜
１３を剥離，洗浄することによって、位相差測定用のマ
スクが完成する（同図（ｅ）参照）。

【００５９】こうして、ブランクス１０上にハーフトー
ン膜マスク部１０ａと遮光膜マスク部１０ｂとが形成さ
れたを位相差測定用のマスクを用いて、それぞれの空間
光学像を取得することによって、上述したように、上記
ハーフトーン膜パターン１２’での位相差の評価が同様
にして行われる。

【００６０】この場合、本体パターン外の、上記遮光枠
上の遮光膜パターン１３’部分の空間光学像より求めら
れる、該遮光膜パターン１３’でのフォーカスの中心を
フォーカスの原点として、ハーフトーン膜パターン１
２’部分の空間光学像の取得が行われる。

【００６１】上記空間光学像を取得した後においては、
再度、レジスト膜１４ｃを全面に塗布する。そして、遮
光枠を描画した後に、現像処理を施すことにより、マス
ク本体に対応する部分の、上記レジスト膜１４ｃを選択
的に除去する（同図（ｆ）参照）。

【００６２】次いで、上記レジスト膜１４ｃをマスク
に、マスク本体に対応する部分の、上記遮光膜パターン
１３’をウェットエッチングなどによりすべて除去する
（同図（ｇ）参照）。

【００６３】次いで、上記レジスト膜１４ｃを剥離する
とともに、洗浄処理を行うことにより、上記ハーフトー
ン膜パターン１２’での位相差が明らかな、１．０μｍ
程度のコンタクトホールパターンを有する、ハーフトー
ン・マスクが完成する（同図（ｈ）参照）。

【００６４】その他、この発明の要旨を変えない範囲に
おいて、種々変形実施可能なことは勿論である。

【００６５】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、位相シフト膜の位相差を実パターンにより正確に測
定でき、特に、微小な実パターンでの位相差の正確な測
定が可能な、位相シフトマスクの製造方法および位相差
測定方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の一形態にかかる、ハーフトー
ン・マスクの製造方法を概略的に示す工程断面図。

【図２】同じく、位相差測定用マスクの空間光学像を概
略的に示す光強度プロファイル。

【図３】同じく、フォーカス対寸法曲線を位相差ごとに
示す概略図。

【図４】同じく、ホールサイズに対する、ΔＣＤ／Δフ
ォーカスの依存性を示す概略図。

【図５】この発明の実施の他の形態にかかる、ハーフト
ーン・マスクの製造方法を概略的に示す工程断面図。

【図６】従来技術とその問題点を説明するために、ホー
ルサイズに対する、ベストフォーカス位置のシフト量を
示す概略図。

【符号の説明】

１０…ブランクス１０ａ…ハーフトーン膜マスク部１０ｂ…遮光膜マスク部１１…石英基板１２…ハーフトーン膜１２’…ハーフトーン膜パターン１３…遮光膜１３’…遮光膜パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…レジスト膜１５ａ…ホールパターン（本体パターン）１５ｂ…ＱＣパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に位相シフト膜および遮光膜を順
次積層形成させる工程と、前記位相シフト膜および前記遮光膜をパターニングする
工程と、前記基板上の一部領域において、前記位相シフト膜のパ
ターン上の前記遮光膜を除去し、遮光膜マスク部および
位相シフト膜マスク部を形成する工程と、前記遮光膜マスク部および前記位相シフト膜マスク部の
光学像を取得した後、前記遮光膜を除去する工程とを備
えてなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
【請求項２】前記位相シフト膜をパターニングする工
程は、前記遮光膜上に形成されたレジスト、または、そ
のレジストを除去した後の前記遮光膜をマスクとして行
うことを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスク
の製造方法。
【請求項３】前記遮光膜マスク部および前記位相シフ
ト膜マスク部を形成する工程は、全面に塗布したレジス
ト膜をパターニングし、このレジスト膜のパターンにし
たがって、前記遮光膜のパターンの一部を除去するもの
であることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。
【請求項４】前記遮光膜を除去する工程は、全面に塗
布したレジスト膜をパターニングし、遮光枠部分を除
く、位相シフトマスクの本体部分に対してのみ行うもの
であることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。
【請求項５】同一基板上に形成された、遮光膜のパタ
ーンを有する遮光膜マスク部、および、位相シフト膜の
パターンを有する位相シフト膜マスク部の光学像を取得
する工程と、前記光学像より、前記位相シフト膜マスク部の、前記位
相シフト膜のパターンの、露光時のフォーカスの中心か
らのシフト量を算出する工程と、前記シフト量にもとづく、デフォーカス時のパターンの
寸法変化量から、前記位相シフト膜のパターンの位相差
を評価する工程とを備えてなることを特徴とする位相シ
フトマスクの位相差測定方法。
【請求項６】前記光学像を取得する工程は、ステッパ
露光をシミュレートする顕微鏡により直接なされること
を特徴とする請求項５に記載の位相シフトマスクの位相
差測定方法。
【請求項７】前記光学像を取得する工程は、σ＝０．
６以下の低σの照明条件にて行われることを特徴とする
請求項５に記載の位相シフトマスクの位相差測定方法。
【請求項８】前記位相差を評価する工程は、フォーカ
スの原点からデフォーカスした際の、パターン寸法の変
化量により位相差を導出することによって行われること
を特徴とする請求項５に記載の位相シフトマスクの位相
差測定方法。
【請求項９】前記フォーカスの原点は、前記遮光膜マ
スク部の、前記遮光膜のパターンの、露光時のフォーカ
スの中心であることを特徴とする請求項８に記載の位相
シフトマスクの位相差測定方法。
【請求項１０】前記光学像を取得する工程は、前記基
板の外周の遮光枠部分に形成されたコンタクトホールの
クォリティ・チェック用パターンの、露光時のフォーカ
スの中心をフォーカスの原点とし、前記位相シフト膜マ
スク部の本体パターンの光学像を取得するものであるこ
とを特徴とする請求項５に記載の位相シフトマスクの位
相差測定方法。