JP2000247788A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JP2000247788A JP2000247788A JP11051782A JP5178299A JP2000247788A JP 2000247788 A JP2000247788 A JP 2000247788A JP 11051782 A JP11051782 A JP 11051782A JP 5178299 A JP5178299 A JP 5178299A JP 2000247788 A JP2000247788 A JP 2000247788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- magnetic field
- quartz crucible
- silicon single
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 110
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 33
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 石英ルツボ内表面の劣化を抑制してルツボの
寿命を延ばし、ルツボの劣化に伴って発生する有転位化
を防止して、引上げ単結晶棒１本当りのルツボ個数を減
少させ、かつルツボ交換に要する時間を削減して、歩留
りと生産性の向上を図り、工業的に安価で高品質なシリ
コン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 磁場を印加するチョクラルスキー法によ
り、単結晶棒を引上げて成長させるシリコン単結晶の製
造方法において、同一の石英ルツボを用いてシリコン単
結晶を製造する時間が１００時間以上で、印加する水平
磁場分布またはカスプ型磁場分布における水平成分磁場
強度が、シリコン融液面と石英ルツボ側壁との直交する
位置で５００Ｇａｕｓｓ以上であるシリコン単結晶の製
造方法。
寿命を延ばし、ルツボの劣化に伴って発生する有転位化
を防止して、引上げ単結晶棒１本当りのルツボ個数を減
少させ、かつルツボ交換に要する時間を削減して、歩留
りと生産性の向上を図り、工業的に安価で高品質なシリ
コン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 磁場を印加するチョクラルスキー法によ
り、単結晶棒を引上げて成長させるシリコン単結晶の製
造方法において、同一の石英ルツボを用いてシリコン単
結晶を製造する時間が１００時間以上で、印加する水平
磁場分布またはカスプ型磁場分布における水平成分磁場
強度が、シリコン融液面と石英ルツボ側壁との直交する
位置で５００Ｇａｕｓｓ以上であるシリコン単結晶の製
造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（Czochralski Method、ＣＺ法）による引上げ装置の
ルツボ内に収納したシリコン融液に磁場を印加しつつ、
融液からシリコン単結晶を引上げるＭＣＺ法（Magnetic
field applied Czochralski Method ）に関し、より詳
しくは、ＭＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いる石
英ルツボの内表面の劣化を防止してシリコン単結晶を製
造する方法に関する。
法（Czochralski Method、ＣＺ法）による引上げ装置の
ルツボ内に収納したシリコン融液に磁場を印加しつつ、
融液からシリコン単結晶を引上げるＭＣＺ法（Magnetic
field applied Czochralski Method ）に関し、より詳
しくは、ＭＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いる石
英ルツボの内表面の劣化を防止してシリコン単結晶を製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造に用いられるシリコン
単結晶ウエーハは、主に直径の大口径化に有効なＣＺ法
により製造されている。さらに近年では素子の高集積化
に伴うチップサイズの大型化への対応として大直径シリ
コン単結晶の製造が求められている（NIKKEI MICRODEVI
CES 1992,11 ）。ここで、ＣＺ法によるシリコン単結晶
の製造においては、石英ルツボ内に充填した多結晶シリ
コンを溶解し、その融液からシリコン単結晶を製造する
ので、石英ルツボの内表面は高温のシリコン融液に曝さ
れる。その結果、クリストバライトと呼ばれるシリコン
融液に対して難溶性の物質がルツボ内表面に形成され、
これがシリコン単結晶成長中に石英ルツボ内表面から剥
離し、シリコン融液中に放出される。この剥離した難溶
性物質が育成中のシリコン単結晶の成長界面に付着する
と、熱歪み等を緩和するために転位が導入され、結晶が
有転位化する原因となっている。
単結晶ウエーハは、主に直径の大口径化に有効なＣＺ法
により製造されている。さらに近年では素子の高集積化
に伴うチップサイズの大型化への対応として大直径シリ
コン単結晶の製造が求められている（NIKKEI MICRODEVI
CES 1992,11 ）。ここで、ＣＺ法によるシリコン単結晶
の製造においては、石英ルツボ内に充填した多結晶シリ
コンを溶解し、その融液からシリコン単結晶を製造する
ので、石英ルツボの内表面は高温のシリコン融液に曝さ
れる。その結果、クリストバライトと呼ばれるシリコン
融液に対して難溶性の物質がルツボ内表面に形成され、
これがシリコン単結晶成長中に石英ルツボ内表面から剥
離し、シリコン融液中に放出される。この剥離した難溶
性物質が育成中のシリコン単結晶の成長界面に付着する
と、熱歪み等を緩和するために転位が導入され、結晶が
有転位化する原因となっている。
【０００３】このため、同一の石英ルツボからシリコン
原料多結晶をリチャージすることにより複数本のシリコ
ン単結晶棒を連続的に製造するマルチプーリング法（Fu
mioShimura,Semiconductor Silicon Crystal Technolog
y,p.178〜ｐ179,1989）等では石英ルツボの寿命の点か
ら得られるシリコン単結晶棒の本数に限りがあった。
原料多結晶をリチャージすることにより複数本のシリコ
ン単結晶棒を連続的に製造するマルチプーリング法（Fu
mioShimura,Semiconductor Silicon Crystal Technolog
y,p.178〜ｐ179,1989）等では石英ルツボの寿命の点か
ら得られるシリコン単結晶棒の本数に限りがあった。
【０００４】また、最近では、例えば特開平６−５６５
８８号公報に開示されているように、シリコン単結晶中
のグローンイン欠陥低減のために、シリコン単結晶製造
中の育成速度を従来の１．０ｍｍ／ｍｉｎから０．８ｍ
ｍ／ｍｉｎ以下に低下させることによりシリコン単結晶
の品質を向上させる方法が開示されている。しかし、シ
リコン単結晶の成長速度を低下させることにより製造時
間が延び、従って、石英ルツボ内表面の劣化が進行して
しまう。そのために有転位トラブルが起こり易く、結晶
の歩留りが悪くなり、製造コストが高くなると言う問題
が発生してきた。
８８号公報に開示されているように、シリコン単結晶中
のグローンイン欠陥低減のために、シリコン単結晶製造
中の育成速度を従来の１．０ｍｍ／ｍｉｎから０．８ｍ
ｍ／ｍｉｎ以下に低下させることによりシリコン単結晶
の品質を向上させる方法が開示されている。しかし、シ
リコン単結晶の成長速度を低下させることにより製造時
間が延び、従って、石英ルツボ内表面の劣化が進行して
しまう。そのために有転位トラブルが起こり易く、結晶
の歩留りが悪くなり、製造コストが高くなると言う問題
が発生してきた。
【０００５】一方、ＭＣＺ法による石英ルツボ内表面の
劣化抑制については、例えば、特開平８−３３３１９１
号公報に開示されているように、水平磁場を印加して石
英ルツボ内のシリコン融液の対流を抑制することによ
り、融液が石英ルツボを溶解侵食し難くなり、ルツボの
寿命が伸びることが示唆されているが、その具体的な条
件等の記載はなされていない。
劣化抑制については、例えば、特開平８−３３３１９１
号公報に開示されているように、水平磁場を印加して石
英ルツボ内のシリコン融液の対流を抑制することによ
り、融液が石英ルツボを溶解侵食し難くなり、ルツボの
寿命が伸びることが示唆されているが、その具体的な条
件等の記載はなされていない。
【０００６】さらに、カスプ型ＭＣＺ法については、例
えば、特開平３−５０５４４２号公報等に開示されてい
るように、シリコンメルトと結晶成長界面の磁場強度を
弱くすることが記載されているに過ぎない。
えば、特開平３−５０５４４２号公報等に開示されてい
るように、シリコンメルトと結晶成長界面の磁場強度を
弱くすることが記載されているに過ぎない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこの
ような従来の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の
目的は、磁場を印加するＣＺ法によるシリコン単結晶の
製造において、石英ルツボの寿命を延ばし、マルチプリ
ングでの石英ルツボ１個における引上げ単結晶本数が増
えることにより石英ルツボの原単位を減少させ、かつ石
英ルツボの交換に要する時間を削減することにより、工
業的に安価なシリコン単結晶の製造方法を提供すること
にある。さらに、低速成長による高品質シリコン単結晶
の製造時に、石英ルツボの寿命を長くして高品質シリコ
ン単結晶を効率的に製造する方法を提供することも目的
とする。
ような従来の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の
目的は、磁場を印加するＣＺ法によるシリコン単結晶の
製造において、石英ルツボの寿命を延ばし、マルチプリ
ングでの石英ルツボ１個における引上げ単結晶本数が増
えることにより石英ルツボの原単位を減少させ、かつ石
英ルツボの交換に要する時間を削減することにより、工
業的に安価なシリコン単結晶の製造方法を提供すること
にある。さらに、低速成長による高品質シリコン単結晶
の製造時に、石英ルツボの寿命を長くして高品質シリコ
ン単結晶を効率的に製造する方法を提供することも目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の請求項１に記載した発明は、磁場を印加するチ
ョクラルスキー法により、単結晶棒を引上げて成長させ
るシリコン単結晶の製造方法において、同一の石英ルツ
ボを用いてシリコン単結晶を製造する時間が、１００時
間以上であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方
法である。
本発明の請求項１に記載した発明は、磁場を印加するチ
ョクラルスキー法により、単結晶棒を引上げて成長させ
るシリコン単結晶の製造方法において、同一の石英ルツ
ボを用いてシリコン単結晶を製造する時間が、１００時
間以上であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方
法である。
【０００９】このように、ＭＣＺ法により石英ルツボ内
のシリコン融液に対して磁場を印加すれば石英ルツボ内
表面の劣化が著しく抑制され、石英ルツボの寿命が長く
なり、石英ルツボを用いてシリコン単結晶を製造する時
間を１００時間以上に長期安定化することができる。従
って、有転位シリコン単結晶が発生することは殆ど無く
なり、無転位シリコン単結晶の歩留りと生産性の向上を
図るとともに、コストを著しく改善することができる。
のシリコン融液に対して磁場を印加すれば石英ルツボ内
表面の劣化が著しく抑制され、石英ルツボの寿命が長く
なり、石英ルツボを用いてシリコン単結晶を製造する時
間を１００時間以上に長期安定化することができる。従
って、有転位シリコン単結晶が発生することは殆ど無く
なり、無転位シリコン単結晶の歩留りと生産性の向上を
図るとともに、コストを著しく改善することができる。
【００１０】そしてこの場合、請求項２に記載したよう
に、引上げ装置の左右に電磁石を対象に配置することに
より印加する磁場を、ルツボ内のシリコン融液に対して
水平の磁場分布を形成するものとすることができる。こ
のようにルツボ内のシリコン融液に対して水平磁場を印
加すれば、融液の対流が抑制され、石英ルツボ内表面を
侵食する力が減殺され、劣化の進行が抑えられる。従っ
て、石英の劣化により剥離した難溶性物質が単結晶に付
着して単結晶が乱れ、有転位化して多結晶成長になって
しまう等の操業性の悪化を防止することができる。ま
た、石英ルツボの寿命が著しく改善されたため、石英ル
ツボの交換頻度が減少し、単結晶棒当りの石英ルツボ原
単位が低減し、コストダウンを図ることができる。
に、引上げ装置の左右に電磁石を対象に配置することに
より印加する磁場を、ルツボ内のシリコン融液に対して
水平の磁場分布を形成するものとすることができる。こ
のようにルツボ内のシリコン融液に対して水平磁場を印
加すれば、融液の対流が抑制され、石英ルツボ内表面を
侵食する力が減殺され、劣化の進行が抑えられる。従っ
て、石英の劣化により剥離した難溶性物質が単結晶に付
着して単結晶が乱れ、有転位化して多結晶成長になって
しまう等の操業性の悪化を防止することができる。ま
た、石英ルツボの寿命が著しく改善されたため、石英ル
ツボの交換頻度が減少し、単結晶棒当りの石英ルツボ原
単位が低減し、コストダウンを図ることができる。
【００１１】さらにこの石英ルツボの劣化防止の効果に
ついては、請求項３に記載したように、引上げ装置の周
囲に電磁石を上下に配置することにより印加する磁場
を、ルツボ内のシリコン融液に対してカスプ型の磁場分
布を形成するものとすることができる。このようにカス
プ型磁場によっても水平磁場とほぼ同等の石英ルツボ内
表面劣化防止効果が発揮され、無転位化シリコン単結晶
の歩留りと生産性の向上を図り、コストの大幅な改善が
可能となる。
ついては、請求項３に記載したように、引上げ装置の周
囲に電磁石を上下に配置することにより印加する磁場
を、ルツボ内のシリコン融液に対してカスプ型の磁場分
布を形成するものとすることができる。このようにカス
プ型磁場によっても水平磁場とほぼ同等の石英ルツボ内
表面劣化防止効果が発揮され、無転位化シリコン単結晶
の歩留りと生産性の向上を図り、コストの大幅な改善が
可能となる。
【００１２】そして、本発明の請求項４に記載した発明
は、水平の磁場分布またはカスプ型の磁場分布における
水平成分磁場強度を、シリコン融液面が石英ルツボ側壁
と直交する位置で５００Ｇａｕｓｓ（以下、Ｇと略すこ
とがある）以上とすることが望ましい。このように、水
平磁場を印加する場合も、あるいはカスプ型磁場を印加
する場合も、各水平成分磁場強度を、シリコン融液面が
石英ルツボ側壁と直交する位置で５００Ｇａｕｓｓ以上
とすることが望ましく、このようにすれば、石英ルツボ
内表面の劣化の進行を確実に抑制することができ、石英
ルツボの寿命を１００時間以上と長期安定化することが
できる。
は、水平の磁場分布またはカスプ型の磁場分布における
水平成分磁場強度を、シリコン融液面が石英ルツボ側壁
と直交する位置で５００Ｇａｕｓｓ（以下、Ｇと略すこ
とがある）以上とすることが望ましい。このように、水
平磁場を印加する場合も、あるいはカスプ型磁場を印加
する場合も、各水平成分磁場強度を、シリコン融液面が
石英ルツボ側壁と直交する位置で５００Ｇａｕｓｓ以上
とすることが望ましく、このようにすれば、石英ルツボ
内表面の劣化の進行を確実に抑制することができ、石英
ルツボの寿命を１００時間以上と長期安定化することが
できる。
【００１３】次に、本発明の請求項５に記載した発明
は、シリコン単結晶の製造方法において、引上げ速度を
０．２〜０．８ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。本発
明では、通常の引上げ速度である１ｍｍ／ｍｉｎ前後で
も所望の効果を挙げているが、引上げ速度をこのような
０．２〜０．８ｍｍ／ｍｉｎの低速範囲内に制御して単
結晶を製造しても、前記印加する適切な水平成分磁場強
度と相まって、石英ルツボ内表面の劣化が抑制され、操
業時間を長くすることができるので、無転位シリコン単
結晶棒が得られる本数率が向上し、生産性が大幅に改善
されると共に、結晶全面に亙って極低欠陥密度で、酸化
膜耐圧特性を向上させたシリコン単結晶を製造すること
ができる。
は、シリコン単結晶の製造方法において、引上げ速度を
０．２〜０．８ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。本発
明では、通常の引上げ速度である１ｍｍ／ｍｉｎ前後で
も所望の効果を挙げているが、引上げ速度をこのような
０．２〜０．８ｍｍ／ｍｉｎの低速範囲内に制御して単
結晶を製造しても、前記印加する適切な水平成分磁場強
度と相まって、石英ルツボ内表面の劣化が抑制され、操
業時間を長くすることができるので、無転位シリコン単
結晶棒が得られる本数率が向上し、生産性が大幅に改善
されると共に、結晶全面に亙って極低欠陥密度で、酸化
膜耐圧特性を向上させたシリコン単結晶を製造すること
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本
発明者らは、ＣＺ法によるシリコン単結晶の成長に際
し、石英ルツボの内表面が高温のシリコン融液によって
侵食され、クリストバライトを生成してこれが剥離し、
単結晶表面に付着して転位が発生し、無転位化本数率が
上がらない現象を調査、究明した所、ＭＣＺ法を適用し
た場合に、シリコン融液面に印加される磁場の種類や磁
場強度が深く関係していることを見出し、詳細に条件を
詰めて本発明を完成させた。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本
発明者らは、ＣＺ法によるシリコン単結晶の成長に際
し、石英ルツボの内表面が高温のシリコン融液によって
侵食され、クリストバライトを生成してこれが剥離し、
単結晶表面に付着して転位が発生し、無転位化本数率が
上がらない現象を調査、究明した所、ＭＣＺ法を適用し
た場合に、シリコン融液面に印加される磁場の種類や磁
場強度が深く関係していることを見出し、詳細に条件を
詰めて本発明を完成させた。
【００１５】（テスト１）先ず、図１に示したカスプ型
磁場装置を装備したシリコン単結晶の製造装置を使用し
て、マルチプーリング法により、複数の単結晶棒を引上
げ、石英ルツボの内表面の状態を観察した。口径２４イ
ンチ（６１０ｍｍ）の石英ルツボに多結晶１５０ｋｇを
仕込み、加熱溶融してシリコン融液を形成させた後、カ
スプ型磁場の水平成分磁場強度をシリコン融液面と石英
ルツボ側壁とが直交する位置で１５００Ｇとなるように
磁場発生装置制御盤によって設定した。不活性ガスとし
てＡｒを１００Ｌ／ｍｉｎ流し、シリコン融液に種結晶
を浸し、種絞りを経て直径２００ｍｍのシリコン単結晶
を育成した。出来た結晶棒を取り出した後、さらに育成
した単結晶と同量の原料多結晶を石英ルツボに仕込み、
単結晶の育成を繰り返し、同一の石英ルツボから４本の
単結晶棒を引上げた。
磁場装置を装備したシリコン単結晶の製造装置を使用し
て、マルチプーリング法により、複数の単結晶棒を引上
げ、石英ルツボの内表面の状態を観察した。口径２４イ
ンチ（６１０ｍｍ）の石英ルツボに多結晶１５０ｋｇを
仕込み、加熱溶融してシリコン融液を形成させた後、カ
スプ型磁場の水平成分磁場強度をシリコン融液面と石英
ルツボ側壁とが直交する位置で１５００Ｇとなるように
磁場発生装置制御盤によって設定した。不活性ガスとし
てＡｒを１００Ｌ／ｍｉｎ流し、シリコン融液に種結晶
を浸し、種絞りを経て直径２００ｍｍのシリコン単結晶
を育成した。出来た結晶棒を取り出した後、さらに育成
した単結晶と同量の原料多結晶を石英ルツボに仕込み、
単結晶の育成を繰り返し、同一の石英ルツボから４本の
単結晶棒を引上げた。
【００１６】こうして、カスプ型磁場を印加してシリコ
ン単結晶を製造した後の石英ルツボ内表面の状態を図２
（ａ）に示した。また、磁場を印加しなかった以外は上
記と同様の条件により単結晶棒１本を引上げた後の石英
ルツボの内表面の状態を図２（ｂ）に示した。図２
（ａ）では、シリコン単結晶を４本製造したにもかかわ
らず、石英ルツボの内表面は滑らかであり、劣化が抑制
されているのが判る。一方、図２（ｂ）では、単結晶を
１本製造しただけなのに、石英ルツボの内表面は凹凸が
激しく、劣化が進行している様子が明白である。
ン単結晶を製造した後の石英ルツボ内表面の状態を図２
（ａ）に示した。また、磁場を印加しなかった以外は上
記と同様の条件により単結晶棒１本を引上げた後の石英
ルツボの内表面の状態を図２（ｂ）に示した。図２
（ａ）では、シリコン単結晶を４本製造したにもかかわ
らず、石英ルツボの内表面は滑らかであり、劣化が抑制
されているのが判る。一方、図２（ｂ）では、単結晶を
１本製造しただけなのに、石英ルツボの内表面は凹凸が
激しく、劣化が進行している様子が明白である。
【００１７】（テスト２）次に、水平成分磁場強度の石
英ルツボ内表面の劣化に対する影響を調査した。ここ
で、石英ルツボ内表面の単位面積当りの滑らかな部分と
凹凸部分の面積を測定し、劣化度として凹凸部分の面積
比率を算出し指標とした。例えば、測定面積に対して半
分が凹凸部分であれば、劣化度は５０％である。
英ルツボ内表面の劣化に対する影響を調査した。ここ
で、石英ルツボ内表面の単位面積当りの滑らかな部分と
凹凸部分の面積を測定し、劣化度として凹凸部分の面積
比率を算出し指標とした。例えば、測定面積に対して半
分が凹凸部分であれば、劣化度は５０％である。
【００１８】シリコン融液面と石英ルツボ側壁とが直交
する位置での水平成分磁場強度を０〜６０００Ｇの範囲
として単結晶を製造した。水平磁場を印加した場合は、
１８０〜６０００Ｇとし、カスプ型磁場を印加した場合
は、３００〜１５００Ｇとした。水平成分磁場強度を上
記とした他、単結晶製造の操業時間を１００時間一定と
した以外は、テスト１と同じ条件下で単結晶を製造し、
操業後の石英ルツボ内表面の劣化度を評価した。
する位置での水平成分磁場強度を０〜６０００Ｇの範囲
として単結晶を製造した。水平磁場を印加した場合は、
１８０〜６０００Ｇとし、カスプ型磁場を印加した場合
は、３００〜１５００Ｇとした。水平成分磁場強度を上
記とした他、単結晶製造の操業時間を１００時間一定と
した以外は、テスト１と同じ条件下で単結晶を製造し、
操業後の石英ルツボ内表面の劣化度を評価した。
【００１９】評価の結果を図３に示した。図３より石英
ルツボ内表面の劣化度が１０％以下を基準とした場合、
水平磁場、カスプ型磁場ともに５００Ｇ以上となった。
これより、石英ルツボの劣化度が少ない、すなわち石英
ルツボの寿命が長い水平成分磁場強度の領域は、５００
Ｇ以上であることが判った。
ルツボ内表面の劣化度が１０％以下を基準とした場合、
水平磁場、カスプ型磁場ともに５００Ｇ以上となった。
これより、石英ルツボの劣化度が少ない、すなわち石英
ルツボの寿命が長い水平成分磁場強度の領域は、５００
Ｇ以上であることが判った。
【００２０】（テスト３）次いで、石英ルツボの内表面
の劣化度に対する操業時間の影響を調査した。石英ルツ
ボ側壁と融液面が直交する位置での水平成分磁場強度が
０〜４０００Ｇの範囲で単結晶製造試験を行った。水平
磁場を印加した場合は、単結晶製造時間が７５〜２５０
時間の範囲で実施し、カスプ型磁場を印加した場合は、
７０〜２００時間の範囲で単結晶を製造した以外は、テ
スト１と同じ条件下で単結晶を製造し、操業後の石英ル
ツボ内表面の劣化度を評価した。
の劣化度に対する操業時間の影響を調査した。石英ルツ
ボ側壁と融液面が直交する位置での水平成分磁場強度が
０〜４０００Ｇの範囲で単結晶製造試験を行った。水平
磁場を印加した場合は、単結晶製造時間が７５〜２５０
時間の範囲で実施し、カスプ型磁場を印加した場合は、
７０〜２００時間の範囲で単結晶を製造した以外は、テ
スト１と同じ条件下で単結晶を製造し、操業後の石英ル
ツボ内表面の劣化度を評価した。
【００２１】評価の結果を図４に示した。図４より磁場
を印加しない場合でも、５０時間以内では石英ルツボ内
表面の劣化度が３０％以下であるが、５０時間を越える
と急速に劣化が進行し、単結晶の製造が困難になった。
これに対して、水平磁場あるいはカスプ型磁場を印加し
た場合には、水平成分磁場強度が５００Ｇ以上の条件で
石英ルツボ内表面の劣化度が１０％以下と安定してお
り、製造時間を１８０時間まで操業しても劣化が見られ
なかった。従って、石英ルツボ側壁と融液面とが直交す
る位置での水平成分磁場強度を５００Ｇ以上とすること
により１００時間以上製造時間が経過しても石英ルツボ
内表面に劣化が起こらないことが判った。
を印加しない場合でも、５０時間以内では石英ルツボ内
表面の劣化度が３０％以下であるが、５０時間を越える
と急速に劣化が進行し、単結晶の製造が困難になった。
これに対して、水平磁場あるいはカスプ型磁場を印加し
た場合には、水平成分磁場強度が５００Ｇ以上の条件で
石英ルツボ内表面の劣化度が１０％以下と安定してお
り、製造時間を１８０時間まで操業しても劣化が見られ
なかった。従って、石英ルツボ側壁と融液面とが直交す
る位置での水平成分磁場強度を５００Ｇ以上とすること
により１００時間以上製造時間が経過しても石英ルツボ
内表面に劣化が起こらないことが判った。
【００２２】（テスト４）カスプ型磁場装置を装備した
シリコン単結晶の製造装置を用い、口径２４インチの石
英ルツボに多結晶を１５０ｋｇ仕込み、マルチプーリン
グ法により直径２００ｍｍのシリコン単結晶の製造を行
った。製造条件は、通常の定径部の成長速度が１．０ｍ
ｍ／ｍｉｎにて、磁場無し、３００Ｇ、５００Ｇ、１５
００Ｇの四水準にて実施した。また、水平成分磁場強度
が１５００Ｇの場合には、製造時間が長くなる定径部の
成長速度が０．４ｍｍ／ｍｉｎの低速成長の製造テスト
も実施した。
シリコン単結晶の製造装置を用い、口径２４インチの石
英ルツボに多結晶を１５０ｋｇ仕込み、マルチプーリン
グ法により直径２００ｍｍのシリコン単結晶の製造を行
った。製造条件は、通常の定径部の成長速度が１．０ｍ
ｍ／ｍｉｎにて、磁場無し、３００Ｇ、５００Ｇ、１５
００Ｇの四水準にて実施した。また、水平成分磁場強度
が１５００Ｇの場合には、製造時間が長くなる定径部の
成長速度が０．４ｍｍ／ｍｉｎの低速成長の製造テスト
も実施した。
【００２３】シリコン単結晶製造試験の結果を表１に示
した。表１より、水平成分磁場強度が５００Ｇ以上の場
合には無転位シリコン単結晶棒が得られる本数率が向上
し、生産性が大きく改善された。また、製造時間が長く
なる低速成長単結晶の製造においても、無転位シリコン
単結晶が得られる本数率が向上し、本発明の有効性を確
認することができた。
した。表１より、水平成分磁場強度が５００Ｇ以上の場
合には無転位シリコン単結晶棒が得られる本数率が向上
し、生産性が大きく改善された。また、製造時間が長く
なる低速成長単結晶の製造においても、無転位シリコン
単結晶が得られる本数率が向上し、本発明の有効性を確
認することができた。
【００２４】
【表１】
【００２５】以上、説明したように、本発明の水平磁場
あるいはカスプ型磁場を印加するＣＺ法により、単結晶
棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法における特徴
は、シリコン融液面とルツボ側壁とが直交する位置にお
いて、水平磁場分布あるいはカスプ型磁場分布における
水平成分磁場強度を５００Ｇ以上とすれば、石英ルツボ
内表面の劣化の進行が抑制されて石英ルツボの寿命が１
００時間以上にもなり、単結晶品質面においても、有転
位トラブルが殆ど発生せず、シリコン単結晶の歩留りと
生産性の向上を図ることができると共に、大幅なコスト
ダウンが可能になったことにある。
あるいはカスプ型磁場を印加するＣＺ法により、単結晶
棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法における特徴
は、シリコン融液面とルツボ側壁とが直交する位置にお
いて、水平磁場分布あるいはカスプ型磁場分布における
水平成分磁場強度を５００Ｇ以上とすれば、石英ルツボ
内表面の劣化の進行が抑制されて石英ルツボの寿命が１
００時間以上にもなり、単結晶品質面においても、有転
位トラブルが殆ど発生せず、シリコン単結晶の歩留りと
生産性の向上を図ることができると共に、大幅なコスト
ダウンが可能になったことにある。
【００２６】次に、本発明で使用するカスプ型磁場を印
加するＣＺ法による単結晶引上げ装置の構成例を図１に
より説明する。図１に示すように、この単結晶引上げ装
置は、チャンバー１と、チャンバー１中に設けられたシ
リコン融液（湯）４を収容する石英ルツボ６と、石英ル
ツボ６を支える黒鉛サセプター（ルツボ）７と、黒鉛サ
セプター７の周囲に配置された黒鉛ヒータ８と、石英ル
ツボ６を回転させるルツボ回転軸１０及びその回転機構
（図示せず）と、シリコンの種結晶１３を保持する種保
持具１２と、種保持具１２を引上げるワイヤー１１と、
ワイヤー１１を回転又は巻き取る巻取機構（図示せず）
を備えて構成されている。また、黒鉛ヒータ８の外側周
囲には断熱材９が配置されている。そして、チャンバー
１の外側に、カスプ型磁場発生装置用電磁石２ａ、２ｂ
をルツボ回転軸１０を中心として軸対称の上下に設置
し、電磁石コイルにはそれぞれ逆方向の電流を流してカ
スプ型磁場を発生させ、磁場発生装置制御盤３により磁
場強度を制御してもよい。
加するＣＺ法による単結晶引上げ装置の構成例を図１に
より説明する。図１に示すように、この単結晶引上げ装
置は、チャンバー１と、チャンバー１中に設けられたシ
リコン融液（湯）４を収容する石英ルツボ６と、石英ル
ツボ６を支える黒鉛サセプター（ルツボ）７と、黒鉛サ
セプター７の周囲に配置された黒鉛ヒータ８と、石英ル
ツボ６を回転させるルツボ回転軸１０及びその回転機構
（図示せず）と、シリコンの種結晶１３を保持する種保
持具１２と、種保持具１２を引上げるワイヤー１１と、
ワイヤー１１を回転又は巻き取る巻取機構（図示せず）
を備えて構成されている。また、黒鉛ヒータ８の外側周
囲には断熱材９が配置されている。そして、チャンバー
１の外側に、カスプ型磁場発生装置用電磁石２ａ、２ｂ
をルツボ回転軸１０を中心として軸対称の上下に設置
し、電磁石コイルにはそれぞれ逆方向の電流を流してカ
スプ型磁場を発生させ、磁場発生装置制御盤３により磁
場強度を制御してもよい。
【００２７】本発明では上記カスプ型磁場とは別に、水
平磁場の印加も有効であり、磁場発生装置用電磁石２
ａ、２ｂをルツボ回転軸１０に対して左右対称に設置
し、磁場発生装置制御盤３により磁場強度を制御してい
る。
平磁場の印加も有効であり、磁場発生装置用電磁石２
ａ、２ｂをルツボ回転軸１０に対して左右対称に設置
し、磁場発生装置制御盤３により磁場強度を制御してい
る。
【００２８】次に、上記のカスプ型磁場を印加するＣＺ
法の単結晶引上げ装置による単結晶育成方法について説
明する。まず、カスプ型磁場発生装置用電磁石２ａ、２
ｂを所定の位置に昇降機構（不図示）により配置する。
次に、石英ルツボ６内でシリコンの高純度多結晶原料を
融点（約１４２０°Ｃ）以上に加熱して融解する。そし
て、カスプ型磁場を印加し、不活性ガスとしてＡｒガス
を不活性ガス導入管１５より導入しチャンバー１内をガ
ス置換し排気管１６より排出させる。続いてワイヤー１
１を巻き出すことにより融液４の表面略中心部に種結晶
１３の先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ回転
軸１０を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤー１
１を回転させながら巻き取り、種結晶１３を引上げるこ
とにより、シリコン単結晶５の育成が開始される。以
後、引上げ速度と温度を適切に調節することにより略円
柱形状の単結晶棒を得ることができる。
法の単結晶引上げ装置による単結晶育成方法について説
明する。まず、カスプ型磁場発生装置用電磁石２ａ、２
ｂを所定の位置に昇降機構（不図示）により配置する。
次に、石英ルツボ６内でシリコンの高純度多結晶原料を
融点（約１４２０°Ｃ）以上に加熱して融解する。そし
て、カスプ型磁場を印加し、不活性ガスとしてＡｒガス
を不活性ガス導入管１５より導入しチャンバー１内をガ
ス置換し排気管１６より排出させる。続いてワイヤー１
１を巻き出すことにより融液４の表面略中心部に種結晶
１３の先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ回転
軸１０を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤー１
１を回転させながら巻き取り、種結晶１３を引上げるこ
とにより、シリコン単結晶５の育成が開始される。以
後、引上げ速度と温度を適切に調節することにより略円
柱形状の単結晶棒を得ることができる。
【００２９】以上のように、上記で説明した製造方法と
装置によって製造されたシリコン単結晶において、本発
明の水平磁場あるいはカスプ型磁場により適切な水平成
分磁場強度を印加するＣＺ法の適切な条件下に成長させ
れば、石英ルツボ内表面の劣化は殆ど進行せず、同一石
英ルツボを用いてシリコン単結晶を製造する時間が１０
０時間以上になり、複数本の単結晶棒を無転位で製造す
ることができ、生産性と歩留りの向上を図ることがで
き、工業的に安価に製造することができる。
装置によって製造されたシリコン単結晶において、本発
明の水平磁場あるいはカスプ型磁場により適切な水平成
分磁場強度を印加するＣＺ法の適切な条件下に成長させ
れば、石英ルツボ内表面の劣化は殆ど進行せず、同一石
英ルツボを用いてシリコン単結晶を製造する時間が１０
０時間以上になり、複数本の単結晶棒を無転位で製造す
ることができ、生産性と歩留りの向上を図ることがで
き、工業的に安価に製造することができる。
【００３０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３１】例えば、本発明の実施形態では、直径２０
０ｍｍ（８インチ）のシリコン単結晶棒を育成している
が、近年の２５０ｍｍ（１０インチ）〜４００ｍｍ（１
６インチ）あるいはそれ以上の大直径化にも十分対応す
ることができる。
０ｍｍ（８インチ）のシリコン単結晶棒を育成している
が、近年の２５０ｍｍ（１０インチ）〜４００ｍｍ（１
６インチ）あるいはそれ以上の大直径化にも十分対応す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の同一の石
英ルツボを用いる操業時間を１００時間以上に出来る水
平磁場あるいはカスプ型磁場により適切な水平成分磁場
強度を印加するＣＺ法によってシリコン単結晶棒を引上
げれば、石英ルツボ内表面の劣化は殆ど進行せず、ルツ
ボの寿命は長期安定化するので、複数本の単結晶棒を無
転位で連続的に製造することができ、生産性と歩留りの
向上を図ることが出来るとともに、大幅なコストダウン
を達成することができる。
英ルツボを用いる操業時間を１００時間以上に出来る水
平磁場あるいはカスプ型磁場により適切な水平成分磁場
強度を印加するＣＺ法によってシリコン単結晶棒を引上
げれば、石英ルツボ内表面の劣化は殆ど進行せず、ルツ
ボの寿命は長期安定化するので、複数本の単結晶棒を無
転位で連続的に製造することができ、生産性と歩留りの
向上を図ることが出来るとともに、大幅なコストダウン
を達成することができる。
【００３３】さらに、引上げ速度を０．２〜０．８ｍｍ
／ｍｉｎの低速範囲内に制御して単結晶を製造しても、
前記印加する適切な水平成分磁場強度と相まって、石英
ルツボ内表面の劣化が抑制され、ルツボの寿命が長くな
り、無転位シリコン単結晶棒が得られる本数率が向上
し、生産性が大幅に改善されると共に、結晶全面に亙っ
て極低欠陥密度で、高い酸化膜耐圧特性を有するシリコ
ン単結晶を製造することができる。
／ｍｉｎの低速範囲内に制御して単結晶を製造しても、
前記印加する適切な水平成分磁場強度と相まって、石英
ルツボ内表面の劣化が抑制され、ルツボの寿命が長くな
り、無転位シリコン単結晶棒が得られる本数率が向上
し、生産性が大幅に改善されると共に、結晶全面に亙っ
て極低欠陥密度で、高い酸化膜耐圧特性を有するシリコ
ン単結晶を製造することができる。
【図１】本発明で使用するカスプ型磁場装置を装備した
単結晶製造装置の要部構造を示す概略構成図である。
単結晶製造装置の要部構造を示す概略構成図である。
【図２】シリコン単結晶製造後の石英ルツボ内表面の劣
化状態を示す図である。 （ａ）カスプ型磁場を印加した場合、 （ｂ）磁場印加
なし。
化状態を示す図である。 （ａ）カスプ型磁場を印加した場合、 （ｂ）磁場印加
なし。
【図３】石英ルツボ内表面の劣化度と水平成分磁場強度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図４】石英ルツボ内表面の劣化度とシリコン単結晶製
造時間との関係を示す図である。
造時間との関係を示す図である。
１…チャンバー、２ａ、２ｂ…カスプ型磁場発生装置用
電磁石、３…磁場発生装置制御盤、４…シリコン融液、
５…シリコン単結晶、６…石英ルツボ、７…黒鉛サセプ
ター、８…黒鉛ヒータ、９…断熱材、１０…ルツボ回転
軸、１１…ワイヤー、１２…種保持具、１３…種結晶、
１４…シリコン融液表面、１５…不活性ガス導入管、１
６…排気管。
電磁石、３…磁場発生装置制御盤、４…シリコン融液、
５…シリコン単結晶、６…石英ルツボ、７…黒鉛サセプ
ター、８…黒鉛ヒータ、９…断熱材、１０…ルツボ回転
軸、１１…ワイヤー、１２…種保持具、１３…種結晶、
１４…シリコン融液表面、１５…不活性ガス導入管、１
６…排気管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布施川 泉 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 太田 友彦 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EH09 EJ02 PF42 RA03 5F053 AA12 AA13 AA14 BB04 BB08 BB13 DD01 FF04 GG01 HH10 RR03 RR07
Claims (5)
- 【請求項１】 磁場を印加するチョクラルスキー法によ
り、単結晶棒を引上げて成長させるシリコン単結晶の製
造方法において、同一の石英ルツボを用いてシリコン単
結晶を製造する時間が、１００時間以上であることを特
徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記印加する磁場が、ルツボ内のシリコ
ン融液に対して水平の磁場分布を形成するものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載したシリコン単結晶の製
造方法。 - 【請求項３】 前記印加する磁場が、ルツボ内のシリコ
ン融液に対してカスプ型の磁場分布を形成するものであ
ることを特徴とする請求項１に記載したシリコン単結晶
の製造方法。 - 【請求項４】 前記水平の磁場分布またはカスプ型の磁
場分布における水平成分磁場強度が、シリコン融液面と
石英ルツボ側壁との直交する位置で５００Ｇａｕｓｓ以
上であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のい
ずれか１項に記載したシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項
に記載したシリコン単結晶の製造方法において、引上げ
速度を０．２〜０．８ｍｍ／ｍｉｎとすることを特徴と
するシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051782A JP2000247788A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン単結晶の製造方法 |
| EP00905294A EP1076120A4 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | METHOD FOR PRODUCING SILICON CRYSTALS |
| JP2000602842A JP3760769B2 (ja) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | シリコン単結晶の製造方法 |
| KR1020007011598A KR20010042835A (ko) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | 실리콘 단결정의 제조방법 |
| PCT/JP2000/001037 WO2000052235A1 (fr) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Procede de production d'un monocristal de silicium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051782A JP2000247788A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000247788A true JP2000247788A (ja) | 2000-09-12 |
Family
ID=12896529
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11051782A Pending JP2000247788A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2000602842A Expired - Fee Related JP3760769B2 (ja) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | シリコン単結晶の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000602842A Expired - Fee Related JP3760769B2 (ja) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1076120A4 (ja) |
| JP (2) | JP2000247788A (ja) |
| KR (1) | KR20010042835A (ja) |
| WO (1) | WO2000052235A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005080647A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 単結晶半導体の製造方法 |
| WO2010061560A1 (ja) | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
| WO2016163602A1 (ko) * | 2015-04-06 | 2016-10-13 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법 |
| CN111742086A (zh) * | 2018-01-17 | 2020-10-02 | 胜高股份有限公司 | 原料供给方法及单晶硅的制造方法 |
| JP2021098622A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100840751B1 (ko) | 2005-07-26 | 2008-06-24 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼 |
| KR100831044B1 (ko) | 2005-09-21 | 2008-05-21 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 |
| CN101400834B (zh) | 2007-05-30 | 2012-06-27 | 胜高股份有限公司 | 硅单晶提拉装置 |
| KR100954291B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2010-04-26 | 주식회사 실트론 | 고품질의 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및 방법 |
| JP5509189B2 (ja) | 2011-12-26 | 2014-06-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JP5509188B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2014-06-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 単結晶シリコンの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8805478D0 (en) * | 1988-03-08 | 1988-04-07 | Secr Defence | Method & apparatus for growing semi-conductor crystalline materials |
| JPH03275586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP2940437B2 (ja) * | 1995-06-01 | 1999-08-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法及び装置 |
| JP4237280B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2009-03-11 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11051782A patent/JP2000247788A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000602842A patent/JP3760769B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-23 EP EP00905294A patent/EP1076120A4/en not_active Withdrawn
- 2000-02-23 WO PCT/JP2000/001037 patent/WO2000052235A1/ja not_active Ceased
- 2000-02-23 KR KR1020007011598A patent/KR20010042835A/ko not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005080647A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 単結晶半導体の製造方法 |
| WO2010061560A1 (ja) | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
| WO2016163602A1 (ko) * | 2015-04-06 | 2016-10-13 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법 |
| CN111742086A (zh) * | 2018-01-17 | 2020-10-02 | 胜高股份有限公司 | 原料供给方法及单晶硅的制造方法 |
| CN111742086B (zh) * | 2018-01-17 | 2022-04-15 | 胜高股份有限公司 | 原料供给方法及单晶硅的制造方法 |
| JP2021098622A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 |
| JP7184029B2 (ja) | 2019-12-20 | 2022-12-06 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010042835A (ko) | 2001-05-25 |
| JP3760769B2 (ja) | 2006-03-29 |
| EP1076120A1 (en) | 2001-02-14 |
| EP1076120A4 (en) | 2001-05-09 |
| WO2000052235A1 (fr) | 2000-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6159438A (en) | Method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal having few crystal defects, and a silicon single crystal and silicon wafers manufactured by the same | |
| US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
| JP4020987B2 (ja) | ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法 | |
| JP2000247788A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH10297994A (ja) | シリコン単結晶育成方法 | |
| JP2003002780A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
| JPWO2000052235A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH11268987A (ja) | シリコン単結晶およびその製造方法 | |
| JP2688137B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| CN101831695B (zh) | 硅单晶的生长装置 | |
| JP2004315289A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP4013324B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPS6168389A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JP2004189559A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP4422813B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| KR100800253B1 (ko) | 실리콘 단결정 제조방법 | |
| JP2007182373A (ja) | 高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハ | |
| JP4144060B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
| JP2001240494A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP2000239096A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| KR100581045B1 (ko) | 실리콘 단결정 제조방법 | |
| JP4146835B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2002234792A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP2769300B2 (ja) | 結晶引上げ装置 | |
| JPH0660080B2 (ja) | 単結晶成長装置 |