JP2000243630A - 皮膜型インダクタとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板への実装効率がよい皮膜型インダク
タとその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックスや少なくとも表面を絶縁性
にした磁性材料等の絶縁性の基材１２表面に導電体膜１
４を形成し、この基材１２の両端に電極２０，２２を有
し、電極２０，２２間の導電体膜１４には一方の電極２
０から他方の電極２２に至る螺旋状の溝１６を備える。
溝１６の両側の導電体膜１４はこの溝１６で分断されコ
イル部１８が形成され、コイル部１８の一部に溝１６で
区画されこのコイル部１８のインダクタンスを調整する
トリミング部２４を設ける。トリミング部２４は、電極
２０に接してコイル部１８の一端部に形成され、溝１６
の一端部とこの溝１６に電極２０の一方から延びた区画
用の溝２６とによって挟まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁性の基材の
表面に形成された導電層体膜によるコイルパターンを形
成した皮膜型インダクタとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、皮膜型インダクタは、特開平９−
５５３２１号公報や図１０に示すように、絶縁性の磁性
材料やその他少なくとも表面が絶縁材料の角型基材１の
表面に、導電体膜３を形成し、この導電体膜３に螺旋状
の溝２を形成してコイル部５を形成していた。そして、
コイル部５の両端部には電極４が設けられ、回路基板表
面に表面実装可能に形成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、溝２によるコイル部５はそのインダクタンス値を調
整することができず、回路基板表面の回路パターンにイ
ンダクタンス調整用のパターンを形成したりしてインダ
クタンス調整を行っていた。この場合、回路基板表面に
トリミング用のパターンが形成されているので、回路基
板の実装効率が落ち、回路基板の小型化の妨げとなって
いた。さらに、トリミングはレーザ等で行うので、回路
基板上の他の部品にも悪影響を及ぼす恐れもあった。

【０００４】さらに、上記従来の技術の場合、電子機器
の小型化薄型化の要請によりチップ基材の形状を小さく
薄くすると、コイル部のコイルの巻き数が少なくインダ
クタとしての必要な性能が得られない場合があった。ま
た、薄型化には薄膜インダクタも有効であるが、インダ
クタンス等の性能について十分なものが得られないもの
であった。

【０００５】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたもので、所望のインダクタンスを確実に得る
ことができ、小型化が容易であり、回路基板への実装効
率もよい皮膜型インダクタとその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の皮膜型インダ
クタは、セラミックスや少なくとも表面を絶縁性にした
磁性材料等の絶縁性の基材表面に導電体膜を形成し、こ
の基材の両端に電極を有し、上記電極間の導電体膜には
上記一方の電極から他方の電極に至る螺旋状の溝を備え
る。この溝の両側の上記導電体膜はこの溝で分断されコ
イル部が形成され、このコイル部の一部に上記溝で区画
されこのコイル部のインダクタンスを調整するトリミン
グ部を設けた皮膜型インダクタである。上記トリミング
部は、上記電極に接して上記コイル部の一端部に形成さ
れ、連続する上記溝と、上記螺旋状の溝に上記電極の一
方から延びた区画用の溝とによって挟まれ、上記コイル
部の導電路長を調整可能にしたものである。

【０００７】またこの発明は、絶縁性の基材の表面に導
電体膜を形成し、この導電体膜に螺旋状の溝を形成して
コイル部を設け、このコイル部の一部に上記溝で区画さ
れインダクタンスを調整するトリミング部を設ける皮膜
方インダクタの製造方法である。そして、このトリミン
グ部にトリミング溝を形成して、上記コイル部のインダ
クタンスを調整するものである。

【０００８】またこの発明の皮膜型インダクタは、セラ
ミックスや少なくとも表面を絶縁性にした磁性材料等の
絶縁性の平面状基材を設け、この基材に所定間隔で複数
対の透孔を形成し、この透孔内面及び上記透孔間に導電
体パターンを設けて、上記透孔間及び上記基材表裏面に
より螺旋状の導電体パターンを形成し、この導電体パタ
ーンの両端に電極を形成したものである。上記導電体パ
ターンは、上記基板表裏面で互い違いになるようにし
て、上記基材表裏面に複数の上記導電体パターンを多重
螺旋状に形成したものである。この多重螺旋状の導体パ
ターンは、互いに独立し絶縁された二重螺旋状に形成さ
れているものである。また、上記二重螺旋状の導体パタ
ーンは、螺旋の巻き数が互いに異なるものである。

【０００９】この発明の皮膜型インダクタの製造方法
は、セラミックスや少なくとも表面を絶縁性にした磁性
材料等の絶縁性の平面状基材を設け、この基材に所定間
隔で複数対の透孔を形成し、上記基材表面にコイルパタ
ーン形成部及び電極形成部を除いてメッキレジストを設
ける。この時、各コイルパターンは、多重螺旋状に各々
独立したコイルパターンが形成されるようにメッキレジ
ストが設けられていない部分を形成する。この後、上記
透孔及び所定のコイルパターン形成部及び電極形成部に
メッキにより導電体膜を形成し、上記基材表裏面に多重
螺旋状の導電体パターンを形成するチップインダクタの
製造方法である

【００１０】また、この発明のチップインダクタの製造
方法は、セラミックスや少なくとも表面を絶縁性にした
磁性材料等の絶縁性の平面状基材を設け、この基材に所
定間隔で複数対の透孔を形成し、この透孔内面を含む上
記基材表面に導電体膜を形成し、この基材表面の導電体
膜を、上記透孔内及び上記透孔間並びに上記基板表面の
所定範囲であって上記透孔間の近傍に上記導電体膜が残
るようにエッチングレジストで被覆し、上記エッチング
レジストが残った部分以外の上記導電体膜を除去して、
上記基材表裏面に螺旋状の導電体膜によるコイルパター
ンを形成するチップインダクタの製造方法である。

【００１１】このコイルパターンは、上記基材の表裏面
で互い違いに交差した複数本の多重螺旋状導電体パター
ンである。上記エッチングレジストは、印刷により形成
するものである。また上記エッチングレジストはフォト
レジストを用いても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１、図２は、この発明の
第一実施形態の皮膜型インダクタ１０を示し、絶縁性の
磁性材料その他絶縁材料であるセラミックスや、フェラ
イト等の磁性材料の表面に絶縁皮膜を施した基材１２か
らなる。基材１２の四方の側面には銅メッキ等による金
属薄膜の導電体膜１４が設けられている。この導電体膜
１４には、基材１２に達する深さ程度の溝１６が形成さ
れ、この溝１６によりにより隣接する導電体膜１４同士
が分断されている。溝１６は、基材１２の一方の端部か
ら他方の端部に至る螺旋状に形成され、この溝１６で仕
切られる導電体膜１４により、基材１２の表面にコイル
部１８が形成されている。

【００１３】また基材１２の溝１６によるコイル部１８
の両端部には、各々電極２０，２２が形成されている。
この皮膜型インダクタの４方の側面を、その表面側から
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとすると、コイル部１８の一端
部の側面４ａには、溝１６で区画されこのコイル部１６
のインダクタンスを調整するトリミング部２４が設けら
れている。このトリミング部２４は、電極２０側に接し
てコイル部１８の一端部に形成されている。トリミング
部２４を形成する部分は、溝１６の一端部が、このトリ
ミング部２４で導電体膜１４の一側部を囲むように形成
されている。溝１６はトリミング部２４をとるために、
基材１２の側面４ｄで電極２０側に分岐して接続し、溝
１６の他方は、基材１２の角部に達している。また、基
材１２の他方の側面４ｂでは、連続する螺旋状の溝１６
に電極２０の一方の側面から延びた区画用溝２６とによ
って挟まれ、コイル部の導電路長を調整可能な領域を形
成している。

【００１４】従って、この皮膜型インダクタ１０の側面
の展開図である図２に示すように、溝１６と区画用溝２
６とで囲まれるまれる領域は、電極２０に接続している
が、溝１６，２６により分断され、コイル部１８を構成
するものではない。一方、基材１２の表面側で、区画用
溝２６と溝１６とで２方が区画されたトリミング部２４
は、電極２２につながった導電体膜１４であるコイル部
１８に接続している。

【００１５】この実施形態の皮膜型インダクタの製造方
法は、まずセラミックス材料等を成形して焼成し、所望
形状の基材１２を形成する。そして、基材１２の各電極
１４部分及び側面にメッキや蒸着、スパッタリング等に
より導電体膜１４を形成する。次に、導電体膜１４の表
面に、基材１２に届く螺旋状の溝１６を形成する。溝１
６は、その溝１６を挟んで導電体膜１４同士を分断す
る。これにより電極２０，２２間にコイル部１８が形成
される。溝１６の形成は、レーザ光の他、カッターや砥
石円盤を用いることができる。溝１６の形成に際して、
溝１６の一端部１６ａを、電極２０につなげるととも
に、基材１２の表面側を挟んで一端部１６ａの反対側の
側面で、電極２０と溝１６を結ぶ区画用溝２６を形成す
る。これにより、区画用溝２６と溝１６とで２方が区画
されコイル部１８につながる部分がトリミング部２４と
なる。さらに、基材１２の両端部の電極２０，２２に
は、それぞれ導電体膜１６の両端部を覆うようにはんだ
メッキ等を施す。また、このコイル部１８が形成された
部分の表面を絶縁性の強磁性体であるフェライトの膜で
被覆しても良い。被覆方法は、磁性体材料を含有した磁
性体塗料を塗布する等により行う。

【００１６】この被膜型インダクタ１０は、これを回路
基板に表面実装した後、トリミング部２４に区画用溝２
６や、溝１６の一端部から延びたトリミング溝２８を形
成して、インダクタンスを調整する。このトリミング溝
２８の形成は、側面４ｂ，４ｄから側面４ａにかけて形
成するのが好ましいが、側面４ｂ，４ｄだけにに形成し
てもよい。トリミング溝２８の形成は、インダクタンス
の調整量に合わせて適宜の位置、形状および長さに形成
される。

【００１７】この実施形態の皮膜型インダクタ１０によ
れば、トリミング部２４を基材１２上に設けたので、回
路基板にインダクタンスを調整するトリミング部を設け
る必要がなく、実装密度を上げることができる。また、
インダクタ素子自体でトリミング可能であり、この皮膜
型インダクタ１０を取り付ける対象を選ばない。

【００１８】次にこの発明の皮膜型インダクタとその製
造方法の第二実施形態について図３、図４を基にして説
明する。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の
符号を付して説明を省略する。この実施形態の皮膜型イ
ンダクタは、溝１６の一端部１６ａを基材１２の角部に
沿って形成し、この角部の溝１６からトリミング溝２８
を形成するものである。同様に、区画用溝２６も他方の
角部に形成し、トリミング溝２８をこの角部から形成す
る。これにより、さらにトリミング溝２８の形成が容易
となる。

【００１９】次にこの発明の皮膜型インダクタとその製
造方法の第三実施形態について図５、図６を基にして説
明する。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の
符号を付して説明を省略する。この実施形態の皮膜型イ
ンダクタは、絶縁性の磁性材料その他絶縁材料であるセ
ラミックスや、フェライト等の磁性材料の表面に絶縁皮
膜を施した基板状の基材３２からなる。基材３２の両面
には銅メッキ等による金属薄膜の導電体膜３４が設けら
れ、基材３２の互いに平行な端縁部に沿って複数のスル
ーホール３６が形成されている。スルーホール３６内も
導電体膜３４により覆われている。導電体膜３４は、基
材３２の表面側でスルーホール３６を結ぶように互いに
平行なパターンとして形成され、基材３２の裏面側でも
同様に導電体膜３４がスルーホール３４を結ぶ図５に示
すように、各導電体膜３４は、スルーホール３６を結ん
で、互いに絶縁された２重螺旋状に形成されている。各
２重螺旋状の導電体膜３４は、コイルパターンを形成
し、各２重螺旋状の導電体膜３４は、各々両端部が基材
３２表面の電極３８，４０に接続している。一対の電極
３８が導電体膜３４により１本のコイルパターンに接続
し、他の一対の電極４０が他の導電体膜３４による１本
のコイルパターンに接続している。また、導電体膜３４
のコイルパターンは、絶縁性の磁性体塗料４２により被
覆されている。

【００２０】この実施形態の皮膜型インダクタの製造方
法は、基材３２に所定ピッチのスルーホール３６の列を
形成し、コイルパターン及び電極形成部分以外に印刷に
よりメッキレジストを塗布する。または、スルーホール
３６を除く全面にフォトレジスト材料を塗布し、電極及
びコイルパターン形状を露光し、この電極及びコイルパ
ターン形状部分のレジスト材料を除去する。フォトレジ
ストを用いることにより、より精密で細かいパターンが
可能である。

【００２１】この後、基材３２を無電解メッキ液中に浸
漬し、銅や、銅とニッケル等をメッキし、さらに電解メ
ッキにより導電体膜３４を形成する。メッキ液に浸漬
し、電極３８，４０及びコイルパターンの導電体膜３４
を形成する。またスルーホール３６内にもメッキにより
導電体膜が形成される。そして、磁性体塗料４２を所定
範囲に印刷又は塗布して乾燥硬化させる。

【００２２】また、他の製造方法として、基材３２及び
スルーホール３６内の全面に導電体膜３４を形成し、電
極３８，４０及びコイルパターン部分にメッキレジスト
を印刷又は塗布して基材３２をエッチング液に浸漬す
る。これによって所望のパターンの導電体膜３４を形成
することができる。

【００２３】この実施形態の皮膜型インダクタによれ
ば、多重螺旋状のコイルパターンを薄い基材３２に容易
に形成することができ、大型基材３２錠に多数のコイル
パターンを形成した後に分割しても良く、効率的にイン
ダクタを形成することができる。また、インダクタのコ
イル部分が２重螺旋状に形成されているので、コイルパ
ターンの電極３８，４０の接続方法により、単巻変圧器
又は複巻変圧器として何れにも用いることができ、回路
基板への実装も表面実装により簡単に行うことができ
る。

【００２４】次にこの発明の皮膜型インダクタとその製
造方法の第四実施形態について図７、図８を基にして説
明する。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の
符号を付して説明を省略する。この実施形態の皮膜型イ
ンダクタは、上記実施形態と同様の構造であって、電極
一対の電極４４が基材３２の表面側に形成され、導電体
膜３４による一つのコイルパターンの両端に位置してい
る。また、電極４６は、基材３２に裏面側に位置し、他
方補コイルパターンの両端に接続されている。この実施
形態の皮膜型インダクタも２重螺旋状のコイルパターン
の各螺旋状コイルが各々独立に形成されているものであ
る。

【００２５】この実施形態の皮膜型インダクタは、図８
に示すように、２枚の回路基板５０，５２の間に積層し
て配置可能なものである。回路基板５０，５２への取り
付けは、はんだによるほか、導電体塗料５６により回路
パターン５４に接続しても良い。

【００２６】この実施形態の皮膜型インダクタの製造方
法は上記実施形態と同様に形成される。また、図８は拡
大して示したものであり、この実施形態の皮膜型インダ
クタは多層基板の間に実装可能なものである。

【００２７】この実施形態の皮膜型インダクタによって
も上記実施形態と同様の効果を得ることができ、さら
に、多層基板への実装が可能であり、より実装密度を向
上させることができる。

【００２８】次にこの発明の皮膜型インダクタとその製
造方法の第五実施形態について図９を基にして説明す
る。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の符号
を付して説明を省略する。この実施形態の皮膜型インダ
クタは、上記実施形態と同様の構造であって、各電極間
のコイルパターンの巻き数が異なるようにしたものであ
る。基材３２の表面側の電極５８間のコイルパターン
は、巻き数の少ないものであり、図示しない裏面側の電
極間のコイルパターンの巻き数が多いものである。

【００２９】裏面側の電極間のコイルパターンの巻き数
は、機材３２の中央部に形成されたスルーホール６０を
利用し基材３２の一側縁部のスルーホール３６の数を増
加させて、スルーホール６０で折り返すようにして、巻
き数を増加させている。

【００３０】これにより、導電体膜３４が交差させるこ
となく一方の電極間のコイルパターンの巻き数を増加さ
せることができ、種々のインダクタ素子やトランスに利
用することができる。この実施形態の皮膜型インダクタ
のも上記実施形態と同様のものである。

【００３１】なおこの発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、コイルパターンの形状や巻き数は適宜
設定可能なものであり、トリミング方法は適宜選択可能
である。また、多重螺旋構造のコイル部を形成後にイン
ダクタンスを調整できるものでもよい。

【００３２】

【発明の効果】この発明の皮膜型インダクタとその製造
方法のトリミング部を設けたものは、回路基板にトリミ
ング用のパターンを設ける必要がなく、トリミングも容
易に可能であり、実装密度も向上させることができ、回
路の品質も向上させることができる。

【００３３】また、多重螺旋構造を持ったインダクタ
は、コイルパターンの接続方法により一つの素子で異な
るインダクタ回路を形成することができ、電子機器の実
装密度を上げるとともに、部品管理を容易にし、電子機
器の製造コストも削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施形態の皮膜型インダクタを
示す斜視図である。

【図２】この発明の第一実施形態の皮膜型インダクタの
側面の模式展開図である。

【図３】この発明の第二実施形態の皮膜型インダクタを
示す斜視図である。

【図４】この発明の第二実施形態の皮膜型インダクタの
側面の模式展開図である。

【図５】この発明の第三実施形態の皮膜型インダクタを
示す平面図である。

【図６】この発明の第三実施形態の皮膜型インダクタの
縦断面図である。

【図７】この発明の第四実施形態の皮膜型インダクタを
示す平面図である。

【図８】この発明の第四実施形態の皮膜型インダクタの
実装状態の縦断面図である。

【図９】この発明の第五実施形態の皮膜型インダクタを
示す平面図である。

【図１０】従来の皮膜型インダクタを示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１０ 皮膜型インダクタ １２ 基材 １４ 導電体膜 １６ 溝 １８ コイル部 ２０，２２ 電極 ２４ トリミング部 ２６ 区画用溝 ２８ トリミング溝

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性の基材の表面に導電体膜を形成
   し、この基材の両端に電極を有し、上記電極間の導電体
   膜には上記一方の電極から他方の電極に至る螺旋状の溝
   を形成し、この溝の両側の上記導電体膜をこの溝で分断
   してコイル部を形成し、このコイル部の一部に上記溝で
   区画されインダクタンスを調整するトリミング部を設け
   た皮膜型インダクタ。
2. 【請求項２】 上記トリミング部は、上記電極に接して
   上記コイル部の一端部に形成され、連続する上記螺旋状
   の溝と上記電極の一方から形成した区画用の溝とによっ
   て挟まれ、上記コイル部の導電路長を調整可能に設けた
   請求項１記載の皮膜型インダクタ。
3. 【請求項３】 絶縁性の基材の表面に導電体膜を形成
   し、この導電体膜に螺旋状の溝を形成してコイル部を設
   け、このコイル部の一部に上記溝で区画されインダクタ
   ンスを調整するトリミング部を設け、このトリミング部
   にトリミング溝を形成して上記コイル部のインダクタン
   スを調整する皮膜型インダクタの製造方法。
4. 【請求項４】 絶縁性の平面状基材を設け、この基材に
   所定間隔で複数対の透孔を形成し、この透孔内面及び上
   記透孔間に導電体パターンを設けて、上記透孔間及び上
   記基材表裏面により螺旋状の導電体パターンを形成し、
   この導電体パターンの両端に電極を形成した皮膜型イン
   ダクタ。
5. 【請求項５】 上記導電体パターンは、上記基板表裏面
   で互い違いになるようにして、上記基材表裏面に複数の
   上記導電体パターンを多重螺旋状に形成したものである
   請求項４記載の皮膜型インダクタ。
6. 【請求項６】 上記多重螺旋状の導体パターンは、互い
   に独立した二重螺旋状に形成されているものである請求
   項５記載の皮膜型インダクタ。
7. 【請求項７】 上記二重螺旋状の導体パターンは、螺旋
   の巻き数が互いに異なる請求項５または６記載の皮膜型
   インダクタ。
8. 【請求項８】 絶縁性の平面状基材を設け、この基材に
   所定間隔で複数対の透孔を形成し、上記基材表面にコイ
   ルパターン形成部及び電極形成部を除いてメッキレジス
   トを設け、この後、上記透孔及び所定のコイルパターン
   形成部及び電極形成部にメッキにより導電体膜を形成
   し、上記基材表裏面に多重螺旋状の導電体コイルパター
   ンを形成するチップインダクタの製造方法。
9. 【請求項９】 絶縁性の平面状基材を設け、この基材に
   所定間隔で複数対の透孔を形成し、この透孔内面を含む
   上記基材表面に導電体膜を形成し、この基材表面の導電
   体膜を、上記透孔内及び上記透孔間並びに上記基板表面
   の所定範囲であって上記透孔間の近傍に上記導電体膜が
   残るようにエッチングレジストで被覆し、上記エッチン
   グレジストが残った部分以外の上記導電体膜を除去し
   て、上記基材表裏面に螺旋状の導電体コイルパターンを
   形成するチップインダクタの製造方法。