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JP2000243272A - Manufacture of x-ray image intensifying tube - Google Patents

Manufacture of x-ray image intensifying tube

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Publication number
JP2000243272A
JP2000243272A JP2000040013A JP2000040013A JP2000243272A JP 2000243272 A JP2000243272 A JP 2000243272A JP 2000040013 A JP2000040013 A JP 2000040013A JP 2000040013 A JP2000040013 A JP 2000040013A JP 2000243272 A JP2000243272 A JP 2000243272A
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JP
Japan
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support member
light
material layer
ray image
deposition
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JP2000040013A
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Japanese (ja)
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Martinus A C Ligtenberg
アドリアヌス コルネリス リヒテンベルク マルチヌス
Augnot Leonard Herman Simons
レオナルド ヘルマン シモンス オフノト
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Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an X-ray image intensifying tube, capable of realizing a relatively high crack frequency in a luminescent material layer. SOLUTION: A feature of this manufacturing method of an X-ray image intensifying tube provided with an entrance screen having a support member 34 for arranging a luminescent material layer and a photocathode is that the luminescent material layer is deposited by vapor-depositing it at an inclination of θ deg. with respect to a center line 32 perpendicular to the screen, and the temperature of the support member is raised from room temperature to the maximum temperature during the deposition of the luminescent material layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光材料層及びホ
トカソードを配設する支持部材を有する入口スクリーン
を具えるX線像増強管の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an X-ray image intensifier having an entrance screen having a support member on which a light emitting material layer and a photocathode are provided.

【0002】[0002]

【従来の技術】斯様な方法は、米国特許第3821763号明
細書から既知である。これには、CsIから成るを可とす
る発光材料層を有し、該発光材料層において構体が形成
されるX線像増強管が記載されている。一方において、
構体は、この米国特許明細書に記載のCsIの層におい
て、基板の温度、蒸着速度等のこの目的に適用された蒸
着パラメータに起因して形成される。他方において、こ
の米国特許明細書に記載されるように、発光材料層の熱
処理により付加的な構造を形成することが可能である。
斯様な構造を有する層は、ひび割れ(クラックルド(cra
ckled))構造を有する層として既知である。斯様な構造
を有する発光材料層が設けられたX線像増強管は満足な
動作を行うことが証明されているが、特にX線像増強管
の解像度に対する要求が著しく高くなってきているた
め、前記構造をこの目的に最適化することが必要になっ
てきている。実際上、これは、発光材料層においてより
高いひび割れ頻度が実現されることを意味する。
Such a method is known from US Pat. No. 3,821,633. It describes an X-ray image intensifier tube having a luminescent material layer made of CsI, in which a structure is formed in the luminescent material layer. On the other hand,
Structures are formed in the layer of CsI described in this patent, due to the deposition parameters applied for this purpose, such as substrate temperature, deposition rate, and the like. On the other hand, as described in this patent, additional structures can be formed by heat treatment of the luminescent material layer.
The layer having such a structure is cracked (cracked).
ckled)) is known as a layer having a structure. An X-ray image intensifier provided with a light-emitting material layer having such a structure has been proved to perform satisfactorily, but in particular, the demand for the resolution of the X-ray image intensifier has been significantly increased. It has become necessary to optimize the structure for this purpose. In practice, this means that a higher crack frequency is achieved in the luminescent material layer.

【0003】[0003]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、これら
の要求を満足するX線像増強管の製造方法を提供するこ
とにあり、斯かる目的を達成するため、冒頭段落に記載
の方法が、前記スクリーンに垂直な中心線に対し斜めに
蒸着することによって前記発光材料層を堆積することを
特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for producing an X-ray image intensifier tube which satisfies these requirements, and in order to achieve this object, a method described in the opening paragraph. However, the light emitting material layer is deposited by vapor deposition obliquely to a center line perpendicular to the screen.

【0004】発光材料を支持部材に垂直な中心線に対し
斜めに蒸着する事実に起因して、当該層にわたって延在
し、例えば数μm乃至数十μmの断面を持つ、即ち言うな
らば、例えば1μmに対し10,000ライン/cm及び例えば5
0μmに対し200ライン/cmの間のひび割れ(クラック)
頻度を有するCsIの極微細カラムの構造が得られる。発
光材料層の上記構造は、スクリーン上の像ピクセル寸法
の現実的な小部分を呈す平均断面を持つカラムを構築す
ることにより所望の解像度に適応させることが可能であ
る。現実的な小部分は、許容可能な縁部解像度を伴って
結像するためにピクセルの直径当たり約5及び20カラム
直径の間にある。カラム間の間隔は、約0.25μm以上が
好適であり、その理由は、その値がより小さくなると光
学的分離が劣化するようになるからである。また、カラ
ム間の間隔は、約2μm以下が好適であり、その理由
は、それ以上の値になると発光材料層の阻止能力が低下
するからである。
Due to the fact that the luminescent material is deposited obliquely to a center line perpendicular to the support member, it extends over the layer and has a cross section of, for example, several μm to tens of μm, ie, for example, 10,000 lines / cm for 1 μm and for example 5
Crack between 200 lines / cm for 0μm
The structure of a very fine column of CsI with frequency is obtained. The above structure of the luminescent material layer can be adapted to the desired resolution by constructing a column with an average cross-section that represents a realistic fraction of the image pixel size on the screen. A practical fraction is between about 5 and 20 column diameters per pixel diameter to image with acceptable edge resolution. The spacing between columns is preferably greater than or equal to about 0.25 μm, since the smaller the value, the worse the optical separation. Further, the interval between columns is preferably about 2 μm or less, because the blocking ability of the light emitting material layer is reduced when the value is more than about 2 μm.

【0005】好ましい実施例においては、発光材料を堆
積すべき方向とスクリーンに垂直な中心線との間の角度
を意味する入射角が約30°以上である。発光材料層は、
例えば、発光材料が充填された加熱されるべきるつぼか
らの蒸着により得ると好ましい。蒸着された発光材料層
の均一性は、蒸着るつぼ及び支持部材を互いに関して回
転することにより促進され、該蒸着るつぼが該支持部材
の中心に対する円錐面上で円を描くようにすると好適で
ある。その場合、発光材料層の蒸着に当たり数回転させ
ると好適である。
In a preferred embodiment, the angle of incidence, which is the angle between the direction in which the luminescent material is to be deposited and the center line perpendicular to the screen, is greater than about 30 °. The luminescent material layer is
For example, it is preferably obtained by vapor deposition from a crucible to be heated filled with a luminescent material. The uniformity of the deposited luminescent material layer is promoted by rotating the deposition crucible and the support member with respect to each other, preferably such that the deposition crucible circles on a conical surface with respect to the center of the support member. In that case, it is preferable that the light emitting material layer be rotated several times in vapor deposition.

【0006】本発明によって製造されたX線像増強管
は、発光材料層がカラム構造を有し、このカラム構造の
カラムが最大で約25μmの平均横断寸法を有し、これら
カラムを0.5μm乃至3μmの間の範囲の幅を有する空所
によって離間し、多くても少数のカラムがかなり大きい
横断寸法を有することを特徴とする。カラム間の空所
(これ以降単に間隙と称す)について、この場合におい
ては、従来技術によるひび割れに対応する間隙の形式を
明瞭に意味しないことに注意されたい。間隙は、大体細
長いバブルの形態における一連のバブルによってしばし
ば形成され、好都合なことに、前記大体細長いバブルの
長手方向は、一連のバブルの方向に延びる。バブル間に
おいて、カラムは互いに接触することができるが、これ
は比較的小さな光学接触しかもたらさない。長手方向に
計測した場合、バブルは、大体において、直列長さの90
%をかなり越えるように占有し、一方、バブル間のノー
ドはまた、他の手段を講じなければ良好な光学接触を形
成せず、状況はむしろ逆である。本発明による斜めの蒸
着は、バブル形成に対し良好な影響を呈する。斯くして
得られた間隙は、ひび割れと、例えば原則的には個々の
結晶である蒸着鉱柱間の分離部との間の中間形態を多か
れ少なかれ示す。
The X-ray image intensifier manufactured according to the present invention is characterized in that the luminescent material layer has a column structure, and the columns of this column structure have an average transverse dimension of at most about 25 μm, and the columns have a width of 0.5 μm to Separated by cavities having a width in the range between 3 μm, at most a few columns are characterized by having rather large transverse dimensions. It should be noted that the voids between the columns (hereinafter simply referred to as gaps) in this case do not clearly imply the type of gap corresponding to the cracks according to the prior art. The gap is often formed by a series of bubbles in the form of a generally elongated bubble, and advantageously, the longitudinal direction of said generally elongated bubble extends in the direction of the series of bubbles. Between bubbles, the columns can come into contact with each other, but this results in relatively little optical contact. When measured in the longitudinal direction, the bubble is approximately 90% of the serial length.
%, While nodes between bubbles also do not make good optical contacts unless otherwise taken, and the situation is rather the opposite. The oblique deposition according to the invention has a good effect on bubble formation. The gap thus obtained shows more or less an intermediate morphology between the cracks and the separation between the deposited ore pillars, which are, for example, in principle individual crystals.

【0007】高解像度を得るべく良好に適合されたスク
リーン構造は、例えば、良好に選定した蒸着速度及びス
クリーンからの熱移動により実現される、約20°Cの基
板温度で開始し約200°Cを余り越えない最大温度に到
達させる本発明による蒸着により実現することが可能で
ある。
[0007] A well adapted screen structure for high resolution can be achieved, for example, with a substrate temperature of about 20 ° C starting at about 20 ° C, realized by a well chosen deposition rate and heat transfer from the screen. Can be realized by the vapor deposition according to the present invention, which reaches a maximum temperature not exceeding.

【0008】図面につき本発明の実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】図1には、入口窓2、出口窓4及
び鞘部6を有する外囲器内に収容される、本発明による
X線像増強管1の入口スクリーン8と、出口スクリーン
10と、第1電極14、第2電極16及び最終電極16を有す
る電子光学系12とが示されている。入口スクリーン8
は、本例の場合当該像増強管において別個のスクリーン
として配設されているが、入口窓上に直接設けられても
良い。入口スクリーン8は、例えば0.5μmの厚さを有す
る、例えば、アルミ箔から成る支持部材即ち基板20を具
え、その上にCsI(Na)又はCsI(Ti)から成るを可とする発
光層22が設けられ、その上にホトカソード21が分離層
(図示せず)を所要に応じて介して設けられる。入口窓
に入射したX線像25は、発光層において光・光学像に変
換され、その結果として、ホトカソードにおいて光電子
像26が生成される。光電子像26は、光電子を著しく加速
する電子光学系12により出口スクリーン上に結像され、
光・光学像28に変換される。光・光学像28は、当該像増
強管の外部から観察することが可能である。
FIG. 1 shows an entrance screen 8 of an X-ray image intensifier tube 1 according to the invention, housed in an envelope having an entrance window 2, an exit window 4 and a sheath 6, and an exit. screen
10 and an electron optical system 12 having a first electrode 14, a second electrode 16, and a final electrode 16 are shown. Entrance screen 8
Are arranged as separate screens in the image intensifier in this example, but may be provided directly on the entrance window. The entrance screen 8 comprises a support or substrate 20, for example made of aluminum foil, having a thickness of, for example, 0.5 μm, on which a light-emitting layer 22 made of CsI (Na) or CsI (Ti) is provided. A photocathode 21 is provided thereon with a separation layer (not shown) interposed as necessary. The X-ray image 25 incident on the entrance window is converted into a light / optical image in the light emitting layer, and as a result, a photoelectron image 26 is generated in the photocathode. The photoelectron image 26 is imaged on the exit screen by the electron optics 12 that significantly accelerates the photoelectrons,
It is converted into a light / optical image 28. The light / optical image 28 can be observed from outside the image intensifier tube.

【0010】満足な動作のため及び患者の線量を低減す
るために、発光層は比較的高いX線吸収度を有すること
が望ましい。発光スクリーンによって捕捉されないX線
は、像形成に寄与せず、患者に対する放射線負荷を形成
する。従って、発光スクリーンは、比較的厚く、例え
ば、200乃至400μmとなる必要があろう。一例として、3
00μmの厚さは、X線放射線の75%を確実に捕捉する。
相当に透明度が高いCsIの“通常”の蒸着層において
は、発光した光が、特に該層の入射側において発光中心
から著しく拡散するであろう。この状況は、構造化され
た層が得られるような蒸着条件を選択することにより改
善される。そのため、特に、基板温度、とりわけ、蒸着
の初めにおける支持部材の温度が重要である。前記層の
断面の(走査型電子顕微鏡により好ましくは撮像され
た)写真は、この構造が柱状結晶により形成され、その
長手方向が該層の厚さ方向と略々一致することを示して
いる。この構造に起因して、発光した光の拡散は低減さ
れるが、その程度は不十分である。なぜなら、種々の柱
間の遷移部における光学分離が不十分だからである。こ
れは、中断部の幅が不十分であり、発光した光の波長
(大まかに0.5μm)よりも平均してかなり小さい、と言
う事実に起因する。米国特許第3825763号明細書に記載
されるようにひび割れ構造が前記層に設けられる場合か
なりの改善が達成される。例えば、適応サーマル法によ
り、多数の柱毎を合体させカラムを形成する。このカラ
ムは、内部に明確な光学分離壁を持たないが、カラム間
では明確に作用する光学分離壁が存する。ひび割れ構造
の微細度は、熱処理の性質によりかなり影響を及ぼすこ
とができ、場合によっては、支持部材の表面において構
造化をなすことにより影響を及ぼすことができる。この
目的のために種々の方法が既知である。
[0010] For satisfactory operation and to reduce patient dose, it is desirable that the emissive layer have a relatively high X-ray absorption. X-rays that are not captured by the luminescent screen do not contribute to imaging and form a radiation load on the patient. Thus, the luminescent screen will need to be relatively thick, for example, 200-400 μm. For example, 3
A thickness of 00 μm reliably captures 75% of the X-ray radiation.
In a "normal" deposited layer of CsI which is considerably more transparent, the emitted light will diffuse significantly from the emission center, especially on the incident side of the layer. This situation is remedied by choosing the deposition conditions such that a structured layer is obtained. Therefore, in particular, the substrate temperature, especially the temperature of the support member at the beginning of the deposition, is important. A photograph (preferably imaged by a scanning electron microscope) of a cross section of the layer shows that the structure is formed by columnar crystals, the longitudinal direction of which is substantially coincident with the thickness direction of the layer. Due to this structure, the diffusion of the emitted light is reduced, but to a lesser extent. This is because the optical separation at the transition between the various columns is insufficient. This is due to the fact that the width of the interruption is insufficient and on average is much smaller than the wavelength of the emitted light (roughly 0.5 μm). Significant improvements are achieved when a cracked structure is provided in the layer as described in US Pat. For example, a column is formed by combining a large number of columns by an adaptive thermal method. This column does not have a clear optical separation wall inside, but there is a clear optical separation wall between the columns. The fineness of the crack structure can be significantly influenced by the nature of the heat treatment, and in some cases by structuring at the surface of the support member. Various methods are known for this purpose.

【0011】本発明によるX線像増強管のための入口ス
クリーンの製造に当たり、出発材料は、意図的に構造化
されていない支持部材であっても良い。図2は、本発明
による蒸着方法を実施する装置を非常に図的に示してい
る。排気されるべき空間30内に、支持部材即ち基板34
と、発光材料を含み且つ加熱素子38を具える蒸着るつぼ
36とを、本例では軸32を中心として回転自在に配設す
る。支持部材34は、挿通部材40を介して軸32を中心に回
転させることが可能である。また、代案として、蒸着る
つぼ36を、ブラケット44及び挿通部材46を介して軸32を
中心に回転させることが可能である。軸32は、支持部材
に垂直な中心線と一致すると好ましく、本例では、該支
持部材は、中心50を有する部分的球面である球面セグメ
ントである。斯かる支持部材の少なくとも中心点0にお
ける垂直蒸着のためには、蒸着るつぼはライン32上に配
設されるが、全スクリーンにわたる垂直蒸着のために
は、該蒸着るつぼは、点50に配設されなければならな
い。
In the production of the entrance screen for the X-ray image intensifier according to the invention, the starting material may be a support member which is intentionally unstructured. FIG. 2 shows very diagrammatically an apparatus for carrying out the deposition method according to the invention. In the space 30 to be evacuated, a support member or substrate 34
And a deposition crucible containing a luminescent material and comprising a heating element 38
36 are arranged rotatably about the shaft 32 in this example. The support member 34 can be rotated around the shaft 32 via the insertion member 40. Alternatively, the crucible 36 can be rotated about the shaft 32 via the bracket 44 and the insertion member 46. The axis 32 preferably coincides with a center line perpendicular to the support member, which in this example is a spherical segment that is a partial spherical surface with a center 50. For vertical deposition at least at the center point 0 of such a support member, the deposition crucible is located on line 32, but for vertical deposition over the entire screen, the deposition crucible is located at point 50. It must be.

【0012】本発明による蒸着処理においては、蒸着る
つぼが、軸32の側方に配設される。図示の蒸着るつぼ36
の位置により、蒸着角θ°が得られる。記号θ°は、こ
の角度がスクリーンの中心点0に適合することを示すた
めに使用されている。入射角が支持部材上の位置と共に
変化することは、図から明らかであろう。回転に当た
り、蒸着は、支持部材全体にわたって角度を変化しなが
ら行われる。しかしながら、正しく述べると、中心点0
を除いて、二つの蒸着角が関連する、即ち、傾斜、つま
り中心点0について回転に際し一定である局所主ライン
(ローカルメインライン)に対する角度と、360°にわ
たる回転に当たり中心点0について変化する方位角とが
関連する、と言うことを考慮されたい。
In the vapor deposition process according to the present invention, a vapor deposition crucible is disposed on the side of the shaft 32. The illustrated crucible 36
, A deposition angle θ ° is obtained. The symbol θ ° is used to indicate that this angle matches the center point 0 of the screen. It will be apparent from the figure that the angle of incidence varies with position on the support member. In the rotation, the deposition is performed while changing the angle over the entire support member. However, to state correctly, the center point 0
Except for the two deposition angles are related, ie, the slope, the angle to the local main line that is constant in rotation about the center point 0, and the azimuth that changes about the center point 0 during rotation over 360 °. Consider that corners are related.

【0013】発光層全体の蒸着に際しては、支持部材
が、多数回、例えば、数十乃至数千回転するようにする
と好適である。
When the entire light emitting layer is vapor-deposited, it is preferable that the support member is rotated many times, for example, several tens to several thousands.

【0014】その場合、蒸着るつぼは、常に一定位置を
占めることができるが、蒸着るつぼを、例えば、ブラケ
ット44を介して円運動させることにより相対運動を実現
しても良い。蒸着るつぼ及び点0間の結線は、中心法線
32と共に蒸着角θ°を囲む。蒸着るつぼが線52上に位置
し続ける限り、たとえ支持部材の残りの全ての点につい
ての蒸着角が変化しても、蒸着角θ°が関連する。好適
な蒸着角θ°は、例えば、約45°であるが、これはま
た、支持部材の温度、回転速度及び蒸着速度等の他の蒸
着パラメータに依存する。
In this case, the evaporation crucible can always occupy a fixed position. However, relative movement may be realized by circularly moving the evaporation crucible through the bracket 44, for example. The connection between the evaporation crucible and point 0 is the center normal
32 together with the deposition angle θ °. As long as the deposition crucible remains on line 52, the deposition angle θ ° is relevant even if the deposition angle for all remaining points on the support member changes. A suitable deposition angle θ ° is, for example, about 45 °, but this also depends on other deposition parameters such as the temperature of the support member, the rotation speed and the deposition speed.

【0015】支持部材の温度の好適値は、ほぼ室温から
開始し、蒸着速度を支持部材からの所定の熱流と適応さ
せてスクリーン温度が約200°Cを越えないようにこと
である。所要に応じて、蒸着は、複数のるつぼから順次
行うことができる。例えば、中心点50を通る軸32に直角
な平面54から測定した蒸着るつぼの高さは、支持部材の
中心外の蒸着角、更には、支持部材及び蒸着るつぼ間の
局所距離を決定する。また、斯様にして、一定蒸着角と
共に、スクリーン上の発光層の厚さの変化に影響を及ぼ
すことができる。別の見地から、スクリーンに対する蒸
着るつぼの最適位置を斯様にして決定することができる
と共に、最適位置を際だたせる場合は、蒸着に当たり支
持部材を蒸着るつぼに対して更に傾けることができる。
斯様にして、例えば、蒸着角度とスクリーンの縁点A及
びBとの間の距離を常に互いに等しくすることができ
る。その場合、蒸着角θ°は変化するが、最適入射角に
対する公称値は、十分に大きいならばそれ程厳密ではな
く、従って、ある程度の変化は許容することができ、ま
して、好適でさえあるかもしれないことが分かった。事
実、蒸着時の蒸着角の変化も発光層における構造の最適
化に少なくとも部分的に寄与する、と言うことは除外さ
れない。この仮定は、スクリーン中で測定される蒸着角
において比較的大きな差があるにも関わらず、(それが
重要である限り)満足の行く一様な構造を持つ発光層が
得られる、と言う事実により支援される。
A preferred value for the temperature of the support member is to start at about room temperature and adapt the deposition rate to a predetermined heat flow from the support member so that the screen temperature does not exceed about 200 ° C. If desired, the deposition can be performed sequentially from a plurality of crucibles. For example, the height of the deposition crucible measured from a plane 54 perpendicular to the axis 32 through the center point 50 determines the deposition angle outside the center of the support member, as well as the local distance between the support member and the deposition crucible. Also, in this way, a change in the thickness of the light-emitting layer on the screen can be affected together with the constant deposition angle. From another point of view, the optimum position of the evaporation crucible with respect to the screen can be determined in this way, and if the optimum position is highlighted, the support member can be further tilted with respect to the evaporation crucible during the evaporation.
In this way, for example, the distance between the deposition angle and the screen edges A and B can always be equal to each other. In that case, the deposition angle θ ° will vary, but the nominal value for the optimal angle of incidence is not so strict if large enough, so that some variation may be tolerable and even preferred. I knew it wasn't. In fact, it is not excluded that changes in the deposition angle during deposition also at least partially contribute to the optimization of the structure in the light-emitting layer. This assumption is based on the fact that, despite the relatively large differences in deposition angles measured in the screen, a luminescent layer with a satisfactory uniform structure is obtained (as long as it is important). Supported by

【0016】上述のことから明らかであるように、種々
のパラメータが発光層の構造に影響を及ぼし、技術的余
裕条件も蒸着における一要因をなすことは明らかであ
る。蒸着角の値は十分に大きいならばそれ程厳密ではな
いため、スクリーンにわたる層の厚さ及びその変化に対
する種々の要求及び支持部材の種々の幾何学的構成に対
し満足の行く妥協点を常に見出すことができる。本発明
による適応技術の付加的な利点は、層全体を単一操作で
被着できることであり、その結果、厚さ方向における小
さい中断も防止される。蒸着角が比較的小さい場合、ス
クリーンの構造は既知のスクリーンの構造に極めて近い
ものになり、これに対し、蒸着角が比較的大きくなる
と、CsIのカラムは互いに大きく離間して配設されると
共に、例えば、スクリーンの充填係数(フィリングファ
クタ)、故に、X線吸収度が減少する。更に、より大き
な角度での蒸着の場合には、CsIが効率良く用いられな
い等一層実用性に劣るであろう。
As is evident from the above, it is clear that various parameters affect the structure of the light emitting layer, and that the technical margin is also a factor in the deposition. Since the value of the deposition angle is not critical if sufficiently large, always find a satisfactory compromise between the different requirements for the layer thickness and its variation over the screen and the different geometrical configurations of the support members. Can be. An additional advantage of the adaptation technique according to the invention is that the entire layer can be applied in a single operation, so that small interruptions in the thickness direction are also prevented. If the deposition angle is relatively small, the structure of the screen will be very close to that of known screens, whereas if the deposition angle is relatively large, the columns of CsI will be placed far apart from each other and For example, the filling factor of the screen, and hence the X-ray absorption, is reduced. Furthermore, in the case of vapor deposition at a larger angle, it will be much less practical, such as inefficient use of CsI.

【0017】特殊な場合、例えば、特に非常に高い解像
度が要求される場合には、実質的に別個のカラムを含む
構造を用いることができる。その場合、光学的クロスト
ークは完全に防止される。間隙は、原理的には、X線吸
収非発光材料で充填することができる。
In special cases, for example, especially where very high resolution is required, structures comprising substantially separate columns can be used. In that case, optical crosstalk is completely prevented. The gap can in principle be filled with an X-ray absorbing non-emissive material.

【0018】相対的位置決め等に対し許容できる妥協点
を得ることができないような幾何学的構成の場合には、
例えば、発光材料の火炎溶射又はプラズマスプレーによ
って解決策を見出すことができる。比較的小さいノズル
で支持部材を効果的に走査する(両者の相対運動)一
方、支持部材からの距離を広い限界値内で自由に選択
し、かつ例えば、ノズルを傾斜することによりいずれか
の所望角度を局所的に調整することができる。更に、発
光材料の大部分が効果的に使用されるような手順を施す
ことができる。火炎溶射又はプラズマスプレーの場合、
支持部材の温度、堆積速度、堆積中の材料の性質等の如
き残りの要件は、蒸着中に用いられる値からのずれが過
大にならないようにする必要があり、その理由は、そう
しないと所望の鉱柱構造を有する層を得ることができな
いからである。
In the case of geometries where it is not possible to obtain an acceptable compromise for relative positioning etc.
For example, a solution can be found by flame spraying or plasma spraying the luminescent material. The support member is effectively scanned with a relatively small nozzle (relative movement of both), while the distance from the support member is freely selected within wide limits and, for example, by tilting the nozzle any desired The angle can be adjusted locally. In addition, procedures can be taken in which most of the luminescent material is used effectively. In the case of flame spraying or plasma spraying,
The remaining requirements, such as the temperature of the support member, the rate of deposition, the nature of the material being deposited, etc., must be such that they do not deviate too much from the values used during the deposition, because otherwise the desired This is because a layer having the ore column structure cannot be obtained.

【0019】比較のため、図3に既知の構造の層及び本
発明による試験層を走査型電子顕微鏡によって撮影した
写真を示す。これらはいずれも平面図、即ち、支持部材
から離れた方向から見た写真である。図3aに示される既
知の層は、比較的広い亀裂(クラック)60を明瞭に示し
(特に図3a1)参照)、従って、図3a3)から明らかな
ように、比較的大きいキャビティ62も示す。図3bに示さ
れる本発明により作製された層は、図3b1)から明らか
なように、極小さい幅の亀裂64を有し、従って、図3b
3)から明らかなように、比較的小さいキャビティ66を
有する。適応技術全体の最適化により、例えば、明らか
に0.5〜1μmを超える幅を有する亀裂は完全に防止す
ることができる。図3b1)及び図3b2)は、既知の層に
おいて生ずる広い間隙又はキャビティが存在しないこと
に起因する、極めて規則的な構造及び比較的大きい充填
係数を明瞭に示している。改善された構造に起因して、
所望の場合には、本発明による層は、解像度の低下を伴
うことなくより一層厚く、例えば、400〜500μmにする
ことができる。規則的構造であることにより、中間層を
付加するか又は付加することなく、層上により連続的な
ホトカソードを配設することができる。その結果、この
層の部分も、厳しい制限を斯様に導く広い間隙又はキャ
ビティを持つ粗い構造を伴うことなく最適化できる。
For comparison, FIG. 3 shows photographs taken by a scanning electron microscope of a layer having a known structure and a test layer according to the present invention. These are all plan views, that is, photographs taken from a direction away from the support member. The known layer shown in FIG. 3a clearly shows relatively wide cracks (cracks) 60 (see especially FIG. 3a1)), and therefore also shows relatively large cavities 62, as is evident from FIG. 3a3). The layers made according to the invention shown in FIG. 3b have very small width cracks 64, as can be seen from FIG.
As is clear from 3), it has a relatively small cavity 66. By optimizing the overall adaptation technique, for example, cracks having a width clearly greater than 0.5-1 μm can be completely prevented. Figures 3b1) and 3b2) clearly show a very regular structure and a relatively large filling factor due to the absence of wide gaps or cavities occurring in the known layers. Due to the improved structure,
If desired, the layers according to the invention can be even thicker, for example 400-500 μm, without loss of resolution. The regular structure allows a more continuous photocathode to be disposed on the layer with or without the addition of an intermediate layer. As a result, parts of this layer can also be optimized without a rough structure with wide gaps or cavities, thus leading to severe restrictions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明によるX線像増強管を示す。FIG. 1 shows an X-ray image intensifier according to the present invention.

【図2】 本発明による方法を実施する装置を図的に示
す。
FIG. 2 shows diagrammatically an apparatus for implementing the method according to the invention.

【図3】 図3aは従来の発光層の平面の3つの異なる倍
率における粒子構造を示し、図3bは本発明による発光層
の平面の3つの異なる倍率における粒子構造を示す。
FIG. 3a shows the grain structure at three different magnifications in the plane of the conventional light-emitting layer, and FIG. 3b shows the grain structure at three different magnifications in the plane of the light-emitting layer according to the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:X線像増強管 8:入口スクリーン 20、34:支持部材 22:発光材料層 21:ホトカソード 32:軸 36:蒸着るつぼ 38:加熱素子 0:中心点 θ°:蒸着角 1: X-ray image intensifier tube 8: Inlet screen 20, 34: Support member 22: Light emitting material layer 21: Photocathode 32: Axis 36: Evaporating crucible 38: Heating element 0: Center point θ °: Evaporation angle

フロントページの続き (71)出願人 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, Th e Netherlands (72)発明者 オフノト レオナルド ヘルマン シモン ス オランダ国 ヘールレン イェー カンペ ルトストラート5Continuation of the front page (71) Applicant 590000248 Groenewoodseweg 1, 5621 BA Eindhoven, The Netherlands (72) Inventor Offnot Leonard Hermann Simon's Netherlands Heerlen Jääm Camperstraatstraat 5

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光材料層及びホトカソードを配設する
支持部材を有する入口スクリーンを具えるX線像増強管
の製造方法において、前記発光材料層を、前記スクリー
ンに垂直な中心線に対し斜めに蒸着することによって堆
積し、前記発光材料層の堆積中、前記支持部材の温度を
室温から最高温度まで上昇させることを特徴とするX線
像増強管の製造方法。
1. A method of manufacturing an X-ray image intensifier having an entrance screen having a support member on which a light-emitting material layer and a photocathode are disposed, wherein the light-emitting material layer is oblique to a center line perpendicular to the screen. A method for manufacturing an X-ray image intensifier tube, comprising: depositing by vapor deposition; and raising the temperature of the support member from room temperature to a maximum temperature during the deposition of the light emitting material layer.
【請求項2】 前記最高温度を200°C未満とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のX線像増強
管の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the maximum temperature is less than 200 ° C.
【請求項3】 前記発光材料層を、前記スクリーンに垂
直な中心線に対し約40°〜50°の角度で蒸着することに
よって堆積することを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載のX線像増強管の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the luminescent material layer is deposited by vapor deposition at an angle of about 40 ° to 50 ° with respect to a center line perpendicular to the screen. 13. The method for producing an X-ray image intensifier tube according to the above item.
【請求項4】 前記発光材料層の被着過程に当たり、前
記支持部材が、発光材料源に対し、該支持部材に垂直な
中心線の周りで回転することを特徴とする特許請求の範
囲第1項、第2項または第3項に記載のX線像増強管の
製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the step of depositing the light-emitting material layer comprises rotating the support member about a center line perpendicular to the support member with respect to the light-emitting material source. Item 4. The method for producing an X-ray image intensifier tube according to item 2, item 2 or item 3.
【請求項5】 前記発光材料源が、前記支持部材に垂直
な中心線の周りで円運動を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第1項乃至第4項の何れか一項に記載のX線像
増強管の製造方法。
5. The light-emitting material source according to claim 1, wherein the light-emitting material source makes a circular motion around a center line perpendicular to the support member. A method for manufacturing an X-ray image intensifier tube.
【請求項6】 前記発光材料層の被着過程に当たり、前
記支持部材が、前記発光材料源に対し、傾斜運動を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項の何
れか一項に記載のX線像増強管の製造方法。
6. The light-emitting material layer according to claim 1, wherein the support member performs a tilting movement with respect to the light-emitting material source during the step of applying the light-emitting material layer. A method for producing the X-ray image intensifier tube according to claim 1.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198411A (en) * 1988-12-02 1993-03-30 Hewlett-Packard Company Chemical vapor phase method for forming thin films of high temperature oxide superconductors
NL9000267A (en) * 1990-02-05 1991-09-02 Philips Nv PROXIMITY ROENTGEN IMAGE AMPLIFIER TUBE.
US5171996A (en) * 1991-07-31 1992-12-15 Regents Of The University Of California Particle detector spatial resolution
DE4219347C2 (en) * 1992-06-12 1996-05-02 Siemens Ag Process for producing a structured alkali halide layer and phosphor layer produced therewith
DE19519775A1 (en) * 1995-05-30 1996-12-12 Siemens Ag Doped alkali-halogenide vapour deposition layer application system
US5904781A (en) * 1997-06-23 1999-05-18 Goodman; Claude Processing and apparatus for manufacturing auto-collimating phosphors
US6620252B2 (en) * 2001-10-29 2003-09-16 Thomson Licensing S.A. Metallization module for cathode-ray tube (CRT) applications

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652323A (en) * 1969-12-22 1972-03-28 Rca Corp Process for coating flatlike surfaces
US4011454A (en) * 1975-04-28 1977-03-08 General Electric Company Structured X-ray phosphor screen
US4052519A (en) * 1975-07-02 1977-10-04 Zenith Radio Corporation Non-settling process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a cathode ray tube faceplate
US4035524A (en) * 1976-04-01 1977-07-12 Zenith Radio Corporation Process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a color cathode ray tube faceplate
JPS5478074A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Toshiba Corp Production of input screen for image increasing tube
US4254160A (en) * 1979-12-17 1981-03-03 Rca Corporation Method for slurry coating a faceplate panel having a peripheral sidewall
US4437011A (en) * 1980-06-16 1984-03-13 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same
US4528210A (en) * 1980-06-16 1985-07-09 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a radiation excited input phosphor screen
US4529885A (en) * 1981-12-04 1985-07-16 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Direct current electroluminescent devices
FR2530367A1 (en) * 1982-07-13 1984-01-20 Thomson Csf SCINTILLATOR SCREEN RADIATION CONVERTER AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH SCREEN
JPS60207229A (en) * 1984-03-30 1985-10-18 Toshiba Corp Formation of phosphor screen of cathode-ray tube

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NL8502570A (en) 1987-04-16

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