[go: up one dir, main page]

JP2000138148A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number
JP2000138148A
JP2000138148A JP10308224A JP30822498A JP2000138148A JP 2000138148 A JP2000138148 A JP 2000138148A JP 10308224 A JP10308224 A JP 10308224A JP 30822498 A JP30822498 A JP 30822498A JP 2000138148 A JP2000138148 A JP 2000138148A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing liquid
liquid
processing
liquid discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10308224A
Other languages
English (en)
Inventor
Joichi Nishimura
讓一 西村
Shigehiro Goto
茂宏 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10308224A priority Critical patent/JP2000138148A/ja
Publication of JP2000138148A publication Critical patent/JP2000138148A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に衝撃を加えずに基板上全体に処理液を
均一に供給する。 【解決手段】 スピンチャック1に保持された基板W上
から外れた移動開始位置P1に処理液吐出ノズル6が位
置すると、吐出口20Bからの濡れ性向上液WQの吐出
を開始し、処理液吐出ノズル6を基板W側に移動開始
し、処理液供給ノズル6が位置P2に到達すると、濡れ
性向上液WQの吐出を停止するとともに、吐出口20A
から現像液Qの吐出を開始し、吐出口20Aから吐出さ
れた現像液Qで処理液供給ノズル6の先端面6aを濡ら
した状態にした後、処理液供給ノズル6から現像液Qを
吐出しながら、スピンチャック1に静止状態で保持され
た基板Wの一端側WSから基板W上を通過して基板Wの
他端側WEへ処理液供給ノズル6を移動させて基板W上
に現像液Qを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板の上に現像液などの
処理液を供給し、例えば、現像処理などの所定の基板処
理を行う基板処理方法及び基板処理装置に係り、特に
は、保持された基板上に向けて処理液を吐出する処理液
吐出ノズルから処理液を吐出しながら、保持された基板
の一端側から基板上を通過して基板の他端側へ処理液吐
出ノズルを移動させて基板上に処理液を供給する基板処
理方法及び基板処理装置の改良技術に関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に処理液を供給する基板処理装置
としては、例えば、基板上に現像液を供給して現像処理
を行う基板現像装置がある。この種の基板現像装置は、
通常、基板を水平姿勢で保持して鉛直方向の軸芯周りで
回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持さ
れた基板上面の中央部付近に現像液を供給する処理液吐
出ノズルとを備えている。この構成の装置は、スピンチ
ャックに保持され、回転されている基板の上面に処理液
吐出ノズルから現像液を供給し、遠心力で基板の上面全
体に現像液をひろげて液盛りした後、基板の回転を停止
させ、基板を一定時間静止させて基板上面に形成された
感光性膜の現像処理を行う。
【0003】しかしながら、上述した構成を有する装置
では、回転中の基板の上面に供給開始時の現像液が当た
ることによって基板上面の感光性膜が大きな衝撃を受
け、その衝撃で現像液中に気泡が生じて感光性膜上に残
留し、それが原因で現像欠陥が起きたり、上記衝撃によ
って感光性膜が損傷を受けたりするなどの問題が起きて
いた。
【0004】以上のような不都合を解消すべく、図10
に示すように、所定の吐出幅を有するスリット状の吐出
口100を備えた処理液吐出ノズル(以下、このノズル
を「スリットノズル」と称する)110を備え、このス
リットノズル110の吐出口100から現像液Qを吐出
しながら、スピンチャック120に静止状態で保持され
た基板Wの一端側WSから基板W上を通過して基板Wの
他端側WEへ上記スリットノズル110を直線状に移動
させて基板W上に現像液Qを供給する装置が提案されて
いる。この構成の装置によれば、基板Wに衝撃を加えず
に、基板W上に現像液Qを供給することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図10
に示す従来装置で基板W上に現像液Qを供給すると、図
11に示すように、基板W上への現像液Qの供給開始側
の上記基板Wの一端側WS付近に切り欠き状の液切れN
Qが発生することがあった。そのため、基板W上の上記
液切れNQ部分で部分的に現像ムラが生じ、基板W面内
での現像の均一性が低下し、現像後のパターン線幅の均
一性が低下したり、現像不良が生じたりするなどの問題
が起きている。
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板に衝撃を加えずに基板上全体に処
理液を均一に供給することができる基板処理方法及び基
板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、図10に
示す従来装置における上記不都合の発生原因を調査した
結果、基板W上への現像液Qの供給開始時にスリットノ
ズル110の先端面130(図10参照)が現像液Qで
充分に濡れておらず、そのため、基板W上への現像液Q
の供給開始側の上記基板Wの一端側WS付近で、基板W
の上面とスリットノズル110の先端面130との間の
隙間に現像液Qが充分に満たされず、その結果、上記液
切れNQが発生することが判明した。
【0008】上記調査の結果、本発明者らは以下のよう
な発明をなすに至った。すなわち、請求項1に記載の発
明は、基板上に処理液を供給する基板処理方法であっ
て、保持された基板上から外れた位置に、基板上に向け
て処理液を吐出する処理液吐出ノズルが位置した状態
で、前記処理液吐出ノズルの先端面に対する処理液の濡
れ性を向上させる液体を前記処理液吐出ノズルの先端面
に供給し、前記処理液吐出ノズルから吐出した処理液で
前記処理液吐出ノズルの先端面を濡らした状態にした
後、前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出しながら、
保持された基板の一端側から基板上を通過して基板の他
端側へ前記処理液吐出ノズルを移動させて基板上に処理
液を供給することを特徴とするものである。
【0009】請求項2に記載の発明は、基板上に処理液
を供給する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保
持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された
基板上に向けて処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
前記基板保持手段に保持された基板の一端側から基板上
を通過して基板の他端側へ前記処理液吐出ノズルを移動
させるノズル移動手段と、を備え、前記処理液吐出ノズ
ルは、前記処理液吐出ノズルの先端面に形成され、処理
液を吐出する処理液吐出口と、前記処理液吐出ノズルの
先端面に形成され、前記基板保持手段に保持された基板
上から外れた位置に前記処理液吐出ノズルが位置した状
態で、前記処理液吐出ノズルの先端面に対する処理液の
濡れ性を向上させる液体を吐出する液体吐出口と、を有
することを特徴とするものである。
【0010】請求項3に記載の発明は、上記請求項2に
記載の基板処理装置において、前記処理液吐出口と前記
液体吐出口とを、同等の吐出幅を有する複数の吐出口で
構成し、各吐出口を略平行に並べて配設したことを特徴
とするものである。
【0011】請求項4に記載の発明は、上記請求項2ま
たは3に記載の基板処理装置において、前記処理液吐出
口に処理液を供給する処理液供給手段と、前記液体吐出
口に前記濡れ性を向上させる液体を供給する液体供給手
段と、前記処理液吐出口からの処理液の吐出と前記液体
吐出口からの前記濡れ性を向上させる液体の吐出とを予
め決められた手順で行うように、前記処理液供給手段か
ら前記処理液吐出口への処理液の液供給と、前記液体供
給手段から前記液体吐出口への前記濡れ性を向上させる
液体の液供給とを制御する制御手段と、を備えたことを
特徴とするものである。
【0012】請求項5に記載の発明は、上記請求項2な
いし4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記
処理液吐出口から吐出される処理液を所定の温度に温調
する処理液温調手段と、前記液体吐出口から吐出される
前記濡れ性を向上させる液体を所定の温度に温調する液
体温調手段と、をさらに備えたことを特徴とするもので
ある。
【0013】
【作用】請求項1に記載の発明に係る基板処理方法によ
れば、保持された基板上から外れた位置に、基板上に向
けて処理液を吐出する処理液吐出ノズルが位置した状態
で、処理液吐出ノズルの先端面に対する処理液の濡れ性
を向上させる液体を処理液吐出ノズルの先端面に供給
し、処理液吐出ノズルから吐出した処理液で処理液吐出
ノズルの先端面を濡らした状態にしておく。そして、そ
の後、処理液吐出ノズルの先端面が処理液で濡らされた
状態で、処理液吐出ノズルから処理液を吐出しながら、
保持された基板の一端側から基板上を通過して基板の他
端側へ処理液吐出ノズルを移動させて基板上に処理液を
供給する。
【0014】濡れ性を向上させる液体を処理液吐出ノズ
ルの先端面に供給することによって、処理液吐出ノズル
から吐出した処理液が処理液吐出ノズルの先端面にひろ
がり易くなり、処理液吐出ノズルの先端面が確実に処理
液で濡らされた状態になる。
【0015】なお、処理液吐出ノズルからの処理液の吐
出は、処理液吐出ノズルが上記基板の一端側に到達する
までに開始させておく。この処理液吐出ノズルからの処
理液の吐出開始と、上記濡れ性を向上させる液体の処理
液吐出ノズルの先端面への供給開始のタイミングは、上
記濡れ性を向上させる液体の供給を、上記処理液の吐出
開始よりも先に開始することが好ましいが、両者を同時
に開始させてもよいし、上記濡れ性を向上させる液体の
供給を、上記処理液の吐出開始よりも若干後に開始する
ようにしてもよい。
【0016】請求項2に記載の発明に係る基板処理装置
は、上記請求項1に記載の基板処理方法を好適に実施す
る装置であって、その作用は次のとおりである。
【0017】すなわち、基板保持手段に保持された基板
上から外れた位置に処理液吐出ノズルが位置した状態
で、処理液吐出ノズルの先端面に形成された液体吐出口
から処理液吐出ノズルの先端面に対する処理液の濡れ性
を向上させる液体を吐出して、その液体を処理液吐出ノ
ズルの先端面にひろげて供給し、処理液吐出ノズルの先
端面に形成された処理液吐出口から吐出した処理液で処
理液吐出ノズルの先端面を濡らした状態としておく。そ
して、その後、処理液吐出ノズルの先端面が処理液で濡
らされた状態で、処理液吐出口から処理液を吐出しなが
ら、基板保持手段に保持された基板の一端側から基板上
を通過して基板の他端側へノズル移動手段によって処理
液吐出ノズルを移動させて基板上に処理液を供給する。
【0018】なお、処理液吐出口と液体吐出口は別々の
吐出口であってもよいし、同じ吐出口を兼用するもので
あってもよい。
【0019】請求項3に記載の発明に係る基板処理装置
によれば、同等の吐出幅を有し、略平行に並べて配設し
た複数の吐出口を処理液吐出口と液体吐出口として構成
し、これら吐出口から上述したタイミングで処理液や上
記濡れ性を向上させる液体を吐出させる。
【0020】なお、複数の吐出口の一部を処理液吐出口
にするとともに残りの吐出口を液体吐出口にするように
複数の各吐出口を処理液吐出口と液体吐出口に割り当て
てもよいし、複数の各吐出口を処理液吐出口と液体吐出
口とで兼用するようにしてもよい。
【0021】請求項4に記載の発明に係る基板処理装置
によれば、上記請求項1に記載の基板処理方法に従っ
て、処理液吐出口からの処理液の吐出と液体吐出口から
の上記濡れ性を向上させる液体の吐出とを予め決められ
た手順で行うように、制御手段は、処理液吐出口に処理
液を供給する処理液供給手段から処理液吐出口への処理
液の液供給と、液体吐出口に上記濡れ性を向上させる液
体を供給する液体供給手段から液体吐出口への上記濡れ
性を向上させる液体の液供給とを制御する。
【0022】請求項5に記載の発明に係る基板処理装置
によれば、処理液温調手段によって処理液吐出口から吐
出される処理液を所定の温度に温調するとともに、液体
温調手段によって液体吐出口から吐出される上記濡れ性
を向上させる液体を所定の温度に温調する。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明の一実施例に係る基
板処理装置の全体構成を示す平面図であり、図2は実施
例装置の縦断面図、図3は処理液吐出ノズルを下方から
見た図、図4は処理液吐出ノズルを側方から見た拡大縦
断面図である。
【0024】なお、以下で説明する実施例としては、半
導体ウエハ(基板)の上面に処理液である現像液を供給
して現像処理を行う基板現像装置を例に採るが、本発明
はこれに限定されるものではない。半導体ウエハ以外の
液晶表示器用のガラス基板やフォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などに処理液を供給する場合
や、各種の基板に現像液以外の処理液を供給する場合な
どにも本発明は同様に適用することができる。
【0025】図2に示すように、この装置は、基板Wを
水平姿勢で保持する基板保持手段に相当するスピンチャ
ック1を備えている。このスピンチャック1は、図示し
ない真空ラインにつながっていて基板Wを真空吸着保持
する。また、スピンチャック1は、回転軸2を介して電
動モーター3に連動連結されていて、電動モーター3の
回転駆動によって、基板Wを保持した状態で鉛直方向の
軸芯J周りで回転可能に構成されている。
【0026】スピンチャック1およびそれに保持された
基板Wの周囲には内側カップ4が配備されている。この
内側カップ4は、図示しない昇降機構によって昇降可能
に構成されている。基板Wの搬入搬出の際には、内側カ
ップ4は下降されて、スピンチャック1が内側カップ4
の上方に突出され、スピンチャック1と図示しない基板
搬送機構との間での基板Wの受渡しが許容される。ま
た、後述するように、基板Wが回転駆動される際には、
内側カップ4が上昇されて、スピンチャック1およびそ
れに保持された基板Wの周囲に内側カップ4を配置さ
せ、回転に伴って基板Wから周囲に飛散される現像液な
どを受け止めて回収するようになっている。内側カップ
4の周囲には、平面視で矩形の外側カップ5も配備され
ている。
【0027】図1に示すように、外側カップ5の両側に
はそれぞれ、処理液吐出ノズル6を待機させるための待
機ポット7A、7Bが配備されている。また、外側カッ
プ5の一方側の側部にはガイドレール8が配設されてい
る。処理液吐出ノズル6を支持する支持アーム9は、ノ
ズル移動手段に相当するノズル駆動機構10によって昇
降可能で、かつ、ガイドレール8に沿ってスライド移動
可能に構成されている。支持アーム9がガイドレール8
に沿ってスライド移動されることによって、処理液吐出
ノズル6を、外側カップ5内でX方向に直線状に移動さ
せることができる。さらに、外側カップ5の他方側の側
部には、純水などのリンス液を供給するリンス液供給ノ
ズル11が、支持アーム12の揺動によって図のR方向
に移動可能に配設されている。
【0028】図2、図4に示すように、支持アーム9の
内部には2本の送液管13A、13Bが設けられてい
る。各送液管13A、13Bの先端部は処理液吐出ノズ
ル6に連通接続され、基端部にはそれぞれ、現像液供給
ライン14Aと液体供給ライン14Bとが連通接続され
ている。現像液供給ライン14Aには現像液供給源15
Aが連通接続されている。また、現像液供給ライン14
Aのライン途中には開閉弁16Aも介装されていて、こ
の開閉弁16Aの開閉によって処理液吐出ノズル6に対
する現像液Qの供給とその停止が切り替えられるように
なっている。一方、液体供給ライン14Bには、後述す
る処理液供給ノズル6の先端面6aに対する現像液(処
理液)Qの濡れ性を向上させる液体(例えば、純水:以
下、この液体を「濡れ性向上液」と略す)WQを供給す
る液体供給源15Bが連通接続され、そのライン途中に
は開閉弁16Bも介装されていて、この開閉弁16Bの
開閉によって処理液吐出ノズル6に対する濡れ性向上液
WQの供給とその停止が切り替えられるようになってい
る。
【0029】図2に示すように、電動モーター3やノズ
ル駆動機構10の駆動制御、開閉弁16A、16Bの開
閉制御は、制御手段に相当する制御部17によって行わ
れる。制御部17は、その他、内側カップ4の昇降制御
や、スピンチャック1による基板Wの保持とその解除の
切替え制御、リンス液供給ノズル11のR方向の移動制
御、リンス液供給ノズル11からのリンス液の吐出とそ
の停止の切替え制御なども行い、装置全体の制御を統括
的に行う。
【0030】処理液吐出ノズル6は、その先端面(下端
面)6aに、現像液Qと濡れ性向上液WQとを吐出する
同じ大きさのスリット形状の2つの吐出口20A、20
Bが平行に並ぶように配設されている。本実施例では、
処理液吐出ノズル6の移動の際に先頭側になる一方の吐
出口20Aを現像液(処理液)Qの吐出専用の吐出口
(処理液吐出口)とし、処理液吐出ノズル6の移動の際
に後尾側になる他方の吐出口20Bを濡れ性向上液WQ
の吐出専用の吐出口(液体吐出口)としている。
【0031】各吐出口20A、20Bは、短手方向の幅
SWを、例えば、0.3〜1.0mmに形成し、長手方向
の吐出幅SLを、例えば、基板Wのサイズに応じた寸法
に形成している。図3に示すように、例えば、半導体ウ
エハのような円形基板Wに処理液を供給する場合には、
吐出幅SLは円形基板Wの直径Wrと同じ寸法か、ある
いは、それより長い寸法に設定される。また、液晶表示
器用のガラス基板のような角型基板Wに処理液を供給す
る場合には、吐出幅SLは保持された角型基板Wに対す
る処理液吐出ノズル6の走査方向(X方向)に直交する
方向(Y方向)の角型基板Wの幅Wwと同じ寸法か、あ
るいは、それより長い寸法に設定される。このような吐
出幅SLにすることで、処理液吐出ノズル6の1回の移
動(走査)で基板Wの上面全面に現像液Qを供給するこ
とができる。
【0032】図4に示すように、処理液吐出ノズル6の
内部には、送液管13Aを経て送液されてきた現像液Q
を貯留する液溜まり部21Aや、液溜まり部21A内の
現像液Qを(処理液)吐出口20Aに導く流路部22
A、送液管13Bを経て送液されてきた濡れ性向上液W
Qを貯留する液溜まり部21B、液溜まり部21B内の
濡れ性向上液WQを(液体)吐出口20Bに導く流路部
22Bなどが形成されている。これにより、開閉弁16
Aを開に切り替えることで、(処理液)吐出口20Aか
ら現像液Qが吐出され、また、開閉弁16Bを開に切り
替えることで、(液体)吐出口20Bから濡れ性向上液
WQが吐出される。
【0033】なお、現像液供給源15A、開閉弁16
A、現像液供給ライン14A、送液管13A、液溜まり
部21A、流路部22Aなどが、本発明における処理液
供給手段を構成し、液体供給源15B、開閉弁16B、
液体供給ライン14B、送液管13B、液溜まり部21
B、流路部22Bなどが、本発明における液体供給手段
を構成する。
【0034】また、流路部22Aや液溜まり部21Aな
どの周囲には温調水TQを循環させる循環路30Aが設
けられ、温調水循環器31Aによって循環路30A内に
所定温度に維持された温調水TQを循環させ、(処理
液)吐出口20Aから吐出される現像液Qを所定の温度
に温調するように構成されている。流路部22Bや液溜
まり部21Bなどの周囲にも温調水TQを循環させる循
環路30Bが設けられ、温調水循環器31Bによって循
環路30B内に所定温度に維持された温調水TQを循環
させ、(液体)吐出口20Bから吐出される濡れ性向上
液WQを所定の温度に温調するように構成されている。
このように温調水TQを循環させて現像液Qや濡れ性向
上液WQを温調する機構は、請求項5に記載の発明にお
ける処理液温調手段と液体温調手段とに相当する。
【0035】なお、上記説明では、流路部22Aや液溜
まり部21Aの周囲に循環させる温調水TQと流路部2
2Bや液溜まり部21Bの周囲に循環させる温調水TQ
とを分けてそれぞれ異なる温度の温調水TQを循環可能
に構成しているが、現像液Qと濡れ性向上液WQとの目
標温度が同じで、同じ温度の温調水TQを流路部22A
や液溜まり部21A、流路部22B、液溜まり部21B
の周囲に循環させればよい場合には、1つの循環路で流
路部22Aや液溜まり部21A、流路部22B、液溜ま
り部21Bの周囲に同じ温調水TQを循環させるように
構成してもよい。この場合には、温調水循環器は1つだ
け備えればよい。また、必要に応じて、送液管13A、
13Bや現像液供給ライン14A、液体供給ライン14
Bの周囲にも温調水を循環させるように構成してもよ
い。
【0036】次に、上記構成を有する実施例装置の動作
を、図5に示す動作説明図と図6に示すタイミングチャ
ートとを参照して説明する。
【0037】まず、開閉弁16A、16Bが閉で現像液
Qや濡れ性向上液WQが吐出されていない処理液吐出ノ
ズル6が一方側の待機ポット7Aに待機されているとと
もに、リンス液供給ノズル11が外側カップ5の外側に
待機され、内側カップ4が下降されている状態で、図示
しない基板搬送機構によって搬入されてきた基板Wをス
ピンチャック1で受け取って保持する。基板Wを保持す
ると、ノズル駆動機構10によって支持アーム9が上昇
されて処理液吐出ノズル6が待機ポット7aから引き上
げられ、さらに、支持アーム9をガイドレール8に沿っ
て基板W側に所定量移動させて処理液吐出ノズル6を移
動開始位置P1にまで移動させると、支持アーム9を下
降させて処理液吐出ノズル6を走査高さSHに位置させ
る。なお、この走査高さSHは、処理液吐出ノズル6の
先端面6aと保持された基板Wの上面との間の間隔B
を、例えば、0.2〜1.0mmにする高さである。
【0038】そして、まず、スピンチャック1に保持さ
れた基板W上から外れた位置である移動開始位置P1
に、処理液吐出ノズル6が位置した状態で、開閉弁16
Bを閉から開に切り替えて、(液体)供給口20Bから
濡れ性向上液WQの吐出を開始する。そして、ノズル駆
動機構10によって、上記走査高さSHを維持しつつ処
理液吐出ノズル6を、ガイドレール8に沿って基板W側
へ移動開始させる。なお、移動開始位置P1から後述す
る移動停止位置P4までの処理液吐出ノズル6の移動
は、一定の走査速度(例えば、10〜500mm/sec)で
行われる。
【0039】処理液吐出ノズル6の移動開始後、スピン
チャック1に静止状態で保持された基板Wの一端側WS
の手前の位置P2(上記移動開始位置P1と基板Wの一
端側WSとの間の位置)において、濡れ性向上液WQを
基板Wに供給しないようにするために、開閉弁16Bを
開から閉に切り替えて、(液体)供給口20Bからの濡
れ性向上液WQの吐出を停止し、それとともに、開閉弁
16Aを閉から開に切り替えて、(処理液)供給口20
Aからの現像液Qの吐出を開始する。そして、(処理
液)供給口20Aから現像液Qを吐出しながら、スピン
チャック1に静止状態で保持された基板Wの一端側WS
から基板W上を通過して他端側WEへ処理液吐出ノズル
6を移動させる。これにより、基板Wの上面に衝撃を加
えずに、基板Wの上面全面に現像液Qが均一に供給され
る。供給された現像液Qは、表面張力によって基板W上
に保持(液盛り)される。
【0040】処理液吐出ノズル6が、基板Wの他端側W
Eを過ぎて、基板W上から外れた位置P3まで来ると、
開閉弁16Aを開から閉に切り替えて、(処理液)供給
口20Aからの現像液Qの吐出を停止する。そして、処
理液吐出ノズル6が外側カップ5内の移動停止位置P4
に到達すると、ノズル駆動機構10によって処理液吐出
ノズル6の移動が停止され、その後、ノズル駆動機構1
0によって処理液吐出ノズル6が上昇され、他方の待機
ポット7Bの上方まで処理液吐出ノズル6が移動される
と、処理液吐出ノズル6を下降させて処理液吐出ノズル
6を待機ポット7B内に待機させる。
【0041】スピンチャック1は、基板W上に液盛りさ
れた現像液Qを、この状態のまま一定時間維持する。こ
のとき、基板W上では現像液Qによって現像処理が行わ
れる。一定時間が経過すると、内側カップ4を上昇させ
た後、電動モーター3によって基板Wが高速に回転さ
れ、基板W上の現像液Qが振り切られる。その後、リン
ス液供給ノズル11を基板W上に移動させてそのノズル
11からリンス液を回転中の基板W上に供給させて、基
板W上に残留する現像液Qを洗い流すリンス処理が行わ
れる。一定時間リンス処理を行うと、スピンチャック1
の回転を停止するとともに、内側カップ4を下降させ、
基板搬送機構によって基板Wが搬出されて、一連の基板
現像処理を終了する。
【0042】上述したように基板W上に現像液Q(処理
液)を供給する前に、スピンチャック1に保持された基
板W上から外れた、移動開始位置P1と位置P2の間の
位置で(液体)吐出口20Bから濡れ性向上液WQを吐
出しているので、処理液ノズル6が基板Wの一端側WS
に到達するまでに、濡れ性向上液WQが処理液吐出ノズ
ル6の先端面6aに充分にひろがり、位置P2において
(処理液)吐出口20Aから吐出開始した現像液Qが処
理液吐出ノズル6の先端面6aにひろがり易くなり、処
理液吐出ノズル6が基板Wの一端側WSに到達した時点
で、処理液吐出ノズル6の先端面6aが確実に現像液Q
で濡らされた状態になる。そして、処理液吐出ノズル6
の先端面6aが現像液Qで濡らされた状態で基板Wの一
端側WSからの基板W上への現像液Qの供給を開始させ
ているので、基板W上への現像液Qの供給の開始時点
で、処理液吐出ノズル6の先端面6aが現像液Qで充分
に濡れされており、基板W上への現像液Qの供給開始側
の上記基板Wの一端側WS付近で、基板Wの上面と処理
液吐出ノズル6の先端面6aとの間の隙間に現像液Qが
充分に満たされた状態で、基板Wの一端側WSからの基
板W上への現像液Qの供給を開始することができ、基板
W上への現像液Qの供給開始側の上記基板Wの一端側W
S付近に切り欠き状の液切れが発生することを確実に防
止することができる。
【0043】なお、上記濡れ性向上液WQは、純水に限
定されず、処理液の種類に応じて適宜の液体を用いるこ
とができる。例えば、処理液が現像液であれば、上記濡
れ性向上液としては、現像液を純水で希釈した液体や、
現像液自体であってもよい。
【0044】また、上記動作説明における位置P2は以
下のように決められる。すなわち、(処理液)吐出口2
0Aが基板Wの一端側WSに到達した時点で、処理液吐
出ノズル6の先端面6aが現像液Qで濡らされ、かつ、
(処理液)吐出口20Aから現像液Qが帯状に吐出され
ている状態になっている必要がある。一方で、(処理
液)吐出口20Aからの現像液Qの吐出を開始してか
ら、上記状態になるまでには僅かではあるがある程度の
時間が必要である。この時間は、(処理液)吐出口20
Aからの現像液Qの吐出流量や、処理液吐出ノズル6の
先端面6aの面積、(処理液)吐出口20Aの大きさな
どによって決まる。そして、上記時間と処理液吐出ノズ
ル6の走査速度が決まれば、少なくとも基板Wの一端側
WSの手前のどの位置で(処理液)吐出口20Aからの
現像液Qの吐出を開始しなければならないかが決まる。
上記位置P2としては、その位置、または、その位置よ
りも基板Wの一端側WSから離れた位置に設定すればよ
い。なお、位置P2が必要以上に長ければ、無駄な現像
液Qの使用量が増えるので、位置P2は可能な限り基板
Wの一端側WSに近い位置とすることが好ましい。
【0045】また、処理液吐出ノズル6が上記位置P2
に到達するまでに、濡れ性向上液WQを処理液吐出ノズ
ル6の先端面6aにひろげておくためには、(液体)吐
出口20Bからの濡れ性向上液WQの吐出流量や、(液
体)吐出口20Bからの濡れ性向上液WQの吐出の開始
から処理液吐出ノズル6が上記位置P2に到達するまで
に要する時間などによって調節することができる。例え
ば、後者による調節を行う場合、必要に応じて、処理液
吐出ノズル6が移動開始位置P1に停止した状態で、
(液体)吐出口20Bからの濡れ性向上液WQの吐出を
開始し、その後ある程度の時間が経過してから、処理液
吐出ノズル6を基板W側に向けて移動開始するようにし
てもよい。
【0046】また、従来発生していた基板Wの一端側W
S付近の液切れをより確実に防止するためには、処理液
吐出ノズル6が基板Wの一端側WSに到達した時点で、
処理液吐出ノズル6の先端面6aの全面が現像液Qで濡
らされた状態になっていることが好ましいが、処理液吐
出ノズル6の先端面6aの全面に満たないがある程度の
範囲が現像液Qで濡らされていれば、従来発生していた
基板Wの一端側WS付近の液切れを防止することが可能
である。処理液吐出ノズル6の先端面6aのどの程度の
範囲が現像液Qで濡らされていれば、従来発生していた
基板Wの一端側WS付近の液切れを防止することが可能
であるかは、実験などによって決めることができる。
【0047】なお、上記動作説明では、現像液Qの吐出
開始よりも濡れ性向上液WQの吐出を先に開始させてい
るが、処理液吐出ノズル6の先端面6aが現像液Qで濡
らされた状態にするためには、例えば、図7(a)のタ
イミングチャートに示すように、現像液Qの吐出と濡れ
性向上液WQの吐出とを同時に開始させてもよいし、ま
た、例えば、図7(b)のタイミングチャートに示すよ
うに、濡れ性向上液WQの吐出を現像液Qの吐出開始よ
りも若干後に開始させるようにしてもよい。ただし、図
6のタイミングチャートに示す手順で行えば、図7の各
タイミングチャートに示す手順で行うよりも、無駄な現
像液Qの使用量を低減することができるなどの利点があ
る。
【0048】また、濡れ性向上液WQの吐出開始は、処
理液供給ノズル6が移動開始位置P1に位置した状態で
行う手順に限らず、それより前、例えば、処理液供給ノ
ズル6が待機ポット7Aに待機している状態や、処理液
供給ノズル6が移動開始位置P1に移動している途中段
階から濡れ性向上液WQの吐出を開始するようにしても
よいし、処理液吐出ノズル6の先端面6aが現像液Qで
充分に濡らされる場合には、処理液供給ノズル6が移動
開始位置P1よりも基板Wに近い位置であっても、保持
された基板W上から外れた位置に処理液吐出ノズル6が
位置している適宜のタイミングで濡れ性向上液WQの吐
出を開始させてもよい。
【0049】ところで、基板現像処理では、現像液Qの
温度が変動すると現像結果に悪影響を与えることがある
が、上記実施例では、(処理液)吐出口20Aから吐出
される現像液Qを所定の温度に温調するように構成して
いるので、所定の温度の現像液Qを基板Wに供給して現
像処理を行うことができ、現像精度の低下を防止するこ
とができる。しかも、(液体)吐出口20Bから吐出さ
れる濡れ性向上液WQも所定の温度に温調するように構
成しているので、処理液吐出ノズル6の先端面6aにお
いて、濡れ性向上液WQによって現像液Qの温度が変動
することも防止でき、現像液Qの温度変動による基板現
像処理の処理精度の低下を確実に防止することもでき
る。
【0050】なお、基板Wに供給する処理液の温度が変
動しても処理に影響がない基板処理を行う場合には、処
理液や濡れ性向上液の温調を行う上記温調機構を省略し
てもよい。
【0051】また、上記実施例では、(処理液)吐出口
20Aと(液体)吐出口20Bとを、同等の吐出幅SL
を有し、かつ、各吐出口20A、20Bを略平行に並べ
て配設したが、例えば、図8に示すように、スリット状
の(処理液)吐出口20Aの周りに、スポット状の(液
体)吐出口20Bを並設するように構成してもよい。な
お、図8に示す構成に比べて、上記実施例のように構成
した方が、処理液吐出ノズル6の先端面6aの濡れ性向
上を広範囲にわたって速やかに実現することができ、処
理液吐出ノズル6の先端面6aを広範囲にわたってより
確実に現像液Q(処理液)で濡らした状態にすることが
できるので、上記実施例のように構成する方が好まし
い。また、(処理液)吐出口20Aと(液体)吐出口2
0Bとを、同等の吐出幅SLを有し、かつ、各吐出口2
0A、20Bを略平行に並べて配設した構成であれば、
各吐出口20A、20Bの短手方向の幅SWは同じであ
ってもよいし、必要に応じて、各幅SWを違えてもよ
い。
【0052】なお、上記実施例では、処理液供給ノズル
6に2つの吐出口20A、20Bを設けたが、吐出口の
数は2つに限定されず、3つ以上であってもよい。例え
ば、図9(a)に示すように、同等の吐出幅SLを有す
る3つの吐出口20C〜20Eを略平行に並べて配設
し、このうち、中央の吐出口20Dから処理液を吐出
し、(処理液)吐出口20Dの両側の2つの吐出口20
C、20Eから濡れ性向上液を吐出するように構成した
り、図9(b)に示すように、同等の吐出幅SLを有す
る5つの吐出口20F〜20Jを略平行に並べて配設
し、このうち、端から2つ目と4つ目の吐出口20G、
20Iから処理液を吐出し、各(処理液)吐出口20
G、20Iの各両側に位置する3つの吐出口20F、2
0H、20Jから濡れ性向上液を吐出するように構成し
たりするなど各種の構成を採ることができる。
【0053】また、本発明を実現するためには、必ずし
も処理液吐出ノズル6に複数の吐出口を設ける必要はな
い。例えば、処理液吐出ノズル6に吐出口を1つだけ設
け、その吐出口に処理液と濡れ性向上液とを選択的に切
替え供給可能に構成し、その吐出口を処理液の吐出と濡
れ性向上液の吐出とに兼用するようにしてもよい。この
ような構成であれば、例えば、図5の移動開始位置P1
において、処理液吐出ノズル6を停止させて、その吐出
口から、まず、濡れ性向上液を所定時間吐出した後、そ
の吐出口へ供給する液を処理液に切替え、その吐出口へ
の液の供給系内を処理液に置換してその吐出口から処理
液が吐出可能な状態にし、その後、処理液吐出ノズル6
を基板W側に移動開始させ、処理液吐出ノズル6が図5
の位置P2に到達すると、その吐出口から処理液の吐出
を開始するようにすれば、処理液吐出ノズル6が基板W
の一端側WSに到達した時点で、処理液吐出ノズル6の
先端面6aを処理液で濡らした状態にすることができ
る。
【0054】また、処理液吐出ノズル6に2つ以上の複
数の吐出口を設けた場合でも、例えば、各吐出口に処理
液と濡れ性向上液とを選択的に切替え供給可能に構成
し、各吐出口を処理液の吐出と濡れ性向上液の吐出とに
兼用するようにしてもよい。この構成でも、上述した吐
出口を1つ設けた場合と同様の動作で、処理液吐出ノズ
ル6が基板Wの一端側WSに到達した時点で、処理液吐
出ノズル6の先端面6aを処理液で濡らした状態にして
おくことができる。
【0055】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明に係る基板処理方法によれば、処理液吐
出ノズルから処理液を吐出しながら、保持された基板の
一端側から基板上を通過して基板の他端側へ処理液吐出
ノズルを移動させて基板上に処理液を供給するので、基
板上に衝撃を加えずに処理液を供給することができ、処
理液中に気泡が発生して処理欠陥を招いたり、基板上に
損傷を与えたりするなどの不都合を防止することができ
る。
【0056】そして、上述したように基板上に処理液を
供給する際に、保持された基板上から外れた位置に処理
液吐出ノズルが位置した状態で、処理液吐出ノズルの先
端面に対する処理液の濡れ性を向上させる液体を処理液
吐出ノズルの先端面に供給し、処理液吐出ノズルから吐
出した処理液で処理液吐出ノズルの先端面を濡らした状
態にした後、上記基板の一端側からの基板上への処理液
の供給を開始させるので、基板上への処理液の供給の開
始時点で、処理液吐出ノズルの先端面が処理液で充分に
濡れされており、基板上への処理液の供給開始側の上記
基板の一端側付近で、基板の上面と処理液吐出ノズルの
先端面との間の隙間に処理液が充分に満たされた状態
で、基板の一端側からの基板上への処理液の供給を開始
することができ、基板上への処理液の供給開始側の上記
基板の一端側付近に切り欠き状の液切れが発生すること
を確実に防止することができる。
【0057】請求項2に記載の発明によれば、上記請求
項1に記載の発明に係る基板処理方法を好適に実施する
基板処理装置を実現することができる。
【0058】請求項3に記載の発明によれば、上記請求
項2に記載の発明に係る基板処理装置において、処理液
吐出口と液体吐出口とを、同等の吐出幅を有する複数の
吐出口で構成し、各吐出口を略平行に並べて配設したの
で、処理液吐出ノズルの先端面の濡れ性向上を広範囲に
わたって速やかに実現することができ、処理液吐出ノズ
ルの先端面を広範囲にわたってより確実に処理液で濡れ
された状態にすることができる。従って、基板上への処
理液の供給開始側の上記基板の一端側付近に切り欠き状
の液切れが発生することをより確実に防止することがで
きる。
【0059】請求項4に記載の発明によれば、上記請求
項2または3に記載の発明に係る基板処理装置におい
て、請求項1に記載の基板処理方法に係る処理液と濡れ
性を向上させる液体との吐出制御を、制御手段が、処理
液供給手段から処理液吐出口への液供給制御と液体供給
手段から液体吐出口への液供給制御とで行うように構成
したので、請求項1に記載の基板処理方法を簡単な構成
で、かつ、自動的に行うことができる基板処理装置を実
現することができる。
【0060】請求項5に記載の発明によれば、上記請求
項2ないし4のいずれかに記載の発明に係る基板処理装
置において、処理液吐出口から吐出される処理液を所定
の温度に温調する処理液温調手段を備えているので、所
定の温度の処理液を基板に供給して所定の基板処理を行
う必要がある場合でも、基板処理の処理精度の低下を防
止することができる。しかも、液体吐出口から吐出され
る濡れ性を向上させる液体を所定の温度に温調する液体
温調手段も備えているので、処理液吐出ノズルの先端面
において、濡れ性を向上させる液体によって処理液の温
度が変動することも防止することができ、所定の温度の
処理液を基板に供給して所定の基板処理を行う場合に、
処理液の温度変動による基板処理の処理精度の低下を確
実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の全体構
成を示す平面図である。
【図2】実施例装置の縦断面図である。
【図3】処理液吐出ノズルを下方から見た図である。
【図4】処理液吐出ノズルを側方から見た拡大縦断面図
である。
【図5】実施例装置の動作説明図である。
【図6】実施例装置の動作を示すタイミングチャートで
ある。
【図7】実施例装置の別の動作を示すタイミングチャー
トである。
【図8】液体吐出口の変形例を示す図である。
【図9】処理液吐出口と液体吐出口との変形例を示す図
である。
【図10】従来装置の構成と動作を示す平面図と正面図
である。
【図11】従来装置の問題点を示す図である。
【符号の説明】 1:スピンチャック 6:処理液吐出ノズル 6a:処理液吐出ノズルの先端面 10:ノズル駆動機構 13A、13B:送液管 14A:現像液供給ライン 14B:液体供給ライン 15A:現像液供給源 15B:液体供給源 16A、16B:開閉弁 17:制御部 20A:(処理液)吐出口 20B:(液体)吐出口 21A、21B:液溜まり部 22A、22B:流路部 30A、30B:循環路 31A、31B:温調水循環器 W:基板 Q:現像液 WQ:濡れ性向上液 WS:基板の一端側 WE:基板の他端側 SL:吐出口の吐出幅
フロントページの続き (72)発明者 後藤 茂宏 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA24 AA25 AA27 GA02 GA29 GA30 GA31 5F046 LA03 LA04 LA13 LA14

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に処理液を供給する基板処理方法
    であって、 保持された基板上から外れた位置に、基板上に向けて処
    理液を吐出する処理液吐出ノズルが位置した状態で、前
    記処理液吐出ノズルの先端面に対する処理液の濡れ性を
    向上させる液体を前記処理液吐出ノズルの先端面に供給
    し、前記処理液吐出ノズルから吐出した処理液で前記処
    理液吐出ノズルの先端面を濡らした状態にした後、前記
    処理液吐出ノズルから処理液を吐出しながら、保持され
    た基板の一端側から基板上を通過して基板の他端側へ前
    記処理液吐出ノズルを移動させて基板上に処理液を供給
    することを特徴とする基板処理方法。
  2. 【請求項2】 基板上に処理液を供給する基板処理装置
    であって、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板上に向けて処理液を
    吐出する処理液吐出ノズルと、 前記基板保持手段に保持された基板の一端側から基板上
    を通過して基板の他端側へ前記処理液吐出ノズルを移動
    させるノズル移動手段と、 を備え、 前記処理液吐出ノズルは、 前記処理液吐出ノズルの先端面に形成され、処理液を吐
    出する処理液吐出口と、 前記処理液吐出ノズルの先端面に形成され、前記基板保
    持手段に保持された基板上から外れた位置に前記処理液
    吐出ノズルが位置した状態で、前記処理液吐出ノズルの
    先端面に対する処理液の濡れ性を向上させる液体を吐出
    する液体吐出口と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理液吐出口と前記液体吐出口とを、同等の吐出幅
    を有する複数の吐出口で構成し、 各吐出口を略平行に並べて配設したことを特徴とする基
    板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項2または3に記載の基板処理装置
    において、 前記処理液吐出口に処理液を供給する処理液供給手段
    と、 前記液体吐出口に前記濡れ性を向上させる液体を供給す
    る液体供給手段と、 前記処理液吐出口からの処理液の吐出と前記液体吐出口
    からの前記濡れ性を向上させる液体の吐出とを予め決め
    られた手順で行うように、前記処理液供給手段から前記
    処理液吐出口への処理液の液供給と、前記液体供給手段
    から前記液体吐出口への前記濡れ性を向上させる液体の
    液供給とを制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項2ないし4のいずれかに記載の基
    板処理装置において、 前記処理液吐出口から吐出される処理液を所定の温度に
    温調する処理液温調手段と、 前記液体吐出口から吐出される前記濡れ性を向上させる
    液体を所定の温度に温調する液体温調手段と、 をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
JP10308224A 1998-10-29 1998-10-29 基板処理方法及び基板処理装置 Pending JP2000138148A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10308224A JP2000138148A (ja) 1998-10-29 1998-10-29 基板処理方法及び基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10308224A JP2000138148A (ja) 1998-10-29 1998-10-29 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000138148A true JP2000138148A (ja) 2000-05-16

Family

ID=17978430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10308224A Pending JP2000138148A (ja) 1998-10-29 1998-10-29 基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000138148A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033054A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2009033052A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP2010087323A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
JP2011129953A (ja) * 2011-03-03 2011-06-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2012070003A (ja) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2012070002A (ja) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置及び記憶媒体
US8375963B2 (en) 2010-10-19 2013-02-19 Micro Engineering Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033054A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2009033052A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置及び記憶媒体
KR101308320B1 (ko) 2007-07-30 2013-09-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체
KR101347017B1 (ko) 2007-07-30 2014-01-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
JP2010087323A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
US8375963B2 (en) 2010-10-19 2013-02-19 Micro Engineering Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2011129953A (ja) * 2011-03-03 2011-06-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2012070003A (ja) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2012070002A (ja) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3635217B2 (ja) 液処理装置及びその方法
KR100375036B1 (ko) 반도체처리용도포막형성장치
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6332723B1 (en) Substrate processing apparatus and method
KR100676038B1 (ko) 액처리장치 및 그 방법
JP3605545B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP2000188251A (ja) 成膜装置及び成膜方法
WO2012011411A1 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP3616275B2 (ja) 液処理装置、それに用いる処理液供給ノズル、および液処理方法
US6076979A (en) Method of and apparatus for supplying developing solution onto substrate
JP3625752B2 (ja) 液処理装置
JP2000350955A (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
JPH1116830A (ja) 現像装置、現像方法および基板処理装置
JP2000138148A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US5984540A (en) Developing apparatus and developing method
US6241402B1 (en) Developing apparatus and method thereof
JP3824054B2 (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
JP5323374B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP2001239199A (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
JP2002025887A (ja) 基板処理装置
JP3479613B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP3913633B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP3585704B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP3652559B2 (ja) 液処理装置及びその方法
JP2001196300A (ja) 液処理装置