JP2000113923A - アダプター装置および回路基板の検査装置 - Google Patents
アダプター装置および回路基板の検査装置Info
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- JP2000113923A JP2000113923A JP10286726A JP28672698A JP2000113923A JP 2000113923 A JP2000113923 A JP 2000113923A JP 10286726 A JP10286726 A JP 10286726A JP 28672698 A JP28672698 A JP 28672698A JP 2000113923 A JP2000113923 A JP 2000113923A
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- electrodes
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 局所的に高密度の接続用電極と、広い領域に
分散された端子電極との電気的接続が容易で、小さいコ
ストで製造可能なアダプター装置の提供。 【解決手段】 コネクター板の上面に絶縁層が積層さ
れ、上面に接続用電極および下面に端子電極を有するア
ダプター本体と、異方導電性エラストマー層とを具え、
コネクター板の上面には、その領域が分割されて複数の
機能領域が形成され、機能領域の各々は格子点位置に配
置された互いに対応する中継電極を有し、機能領域の少
なくとも一つは隣接する他の機能領域における中継電極
に対応する副中継電極を有し、副中継電極は他の機能領
域における対応する中継電極に電気的に接続され、中継
電極は端子電極に電気的に接続され、接続用電極は中継
電極または副中継電極に電気的に接続され、異方導電性
エラストマー層は、接続用電極上に配置された導電部と
これらを相互に絶縁する絶縁部とを有する。
分散された端子電極との電気的接続が容易で、小さいコ
ストで製造可能なアダプター装置の提供。 【解決手段】 コネクター板の上面に絶縁層が積層さ
れ、上面に接続用電極および下面に端子電極を有するア
ダプター本体と、異方導電性エラストマー層とを具え、
コネクター板の上面には、その領域が分割されて複数の
機能領域が形成され、機能領域の各々は格子点位置に配
置された互いに対応する中継電極を有し、機能領域の少
なくとも一つは隣接する他の機能領域における中継電極
に対応する副中継電極を有し、副中継電極は他の機能領
域における対応する中継電極に電気的に接続され、中継
電極は端子電極に電気的に接続され、接続用電極は中継
電極または副中継電極に電気的に接続され、異方導電性
エラストマー層は、接続用電極上に配置された導電部と
これらを相互に絶縁する絶縁部とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
などの回路基板の電気的検査などに好適に用いることの
できるアダプター装置および回路基板の検査装置に関す
る。
などの回路基板の電気的検査などに好適に用いることの
できるアダプター装置および回路基板の検査装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に集積回路、その他の電子部品など
を搭載する回路基板については、電子部品などを搭載す
る以前に、当該回路基板の配線パターンが所期の性能を
有することを確認するためにその電気的特性を検査する
ことが必要である。従来、この回路基板の検査を実行す
る方法としては、(イ)被検査回路基板の被検査電極の
配置パターンに応じて配置された検査電極を有し、この
検査電極をワイア配線によりテスターの検査回路に電気
的に接続してなる個別対応型の検査電極装置を用いる方
法、並びに(ロ)ユニバーサル型と称される縦横に並ぶ
標準格子点位置に検査電極が形成されてなる検査電極装
置を、被検査回路基板の被検査電極とこの検査電極装置
の検査電極とを電気的に接続するアダプターと組合せて
用いる方法などが知られている。この(ロ)の方法にお
いて用いられるアダプターは、一面に被検査回路基板の
被検査電極に対応するパターンに従って配置された複数
の接続用電極を有し、他面に標準格子点位置に配置され
た複数の端子電極を有する多層配線板よりなるものであ
る。
を搭載する回路基板については、電子部品などを搭載す
る以前に、当該回路基板の配線パターンが所期の性能を
有することを確認するためにその電気的特性を検査する
ことが必要である。従来、この回路基板の検査を実行す
る方法としては、(イ)被検査回路基板の被検査電極の
配置パターンに応じて配置された検査電極を有し、この
検査電極をワイア配線によりテスターの検査回路に電気
的に接続してなる個別対応型の検査電極装置を用いる方
法、並びに(ロ)ユニバーサル型と称される縦横に並ぶ
標準格子点位置に検査電極が形成されてなる検査電極装
置を、被検査回路基板の被検査電極とこの検査電極装置
の検査電極とを電気的に接続するアダプターと組合せて
用いる方法などが知られている。この(ロ)の方法にお
いて用いられるアダプターは、一面に被検査回路基板の
被検査電極に対応するパターンに従って配置された複数
の接続用電極を有し、他面に標準格子点位置に配置され
た複数の端子電極を有する多層配線板よりなるものであ
る。
【0003】現在、集積回路においては、その高機能
化、高容量化に伴って電極数が増加し、電極の配置ピッ
チすなわち隣接する電極の中心間距離が小さくなって高
密度化が一層推進される傾向にある。例えば、CSP
(Chip Scale Package)型の半導体
集積回路においては、0.5mmの配置ピッチで表面電
極が形成されており、FC(Flip Chip)型の
半導体集積回路においては、0.25mmの配置ピッチ
で表面電極が形成されている。これらの半導体集積回路
は、フェースダウンボンディングによって回路基板に実
装されるため、当該半導体集積回路を搭載するための回
路基板においても、小さい配置ピッチで電極が形成され
る。従って、このような回路基板を検査するための検査
装置においても、検査電極の高密度化が必要とされてい
る。
化、高容量化に伴って電極数が増加し、電極の配置ピッ
チすなわち隣接する電極の中心間距離が小さくなって高
密度化が一層推進される傾向にある。例えば、CSP
(Chip Scale Package)型の半導体
集積回路においては、0.5mmの配置ピッチで表面電
極が形成されており、FC(Flip Chip)型の
半導体集積回路においては、0.25mmの配置ピッチ
で表面電極が形成されている。これらの半導体集積回路
は、フェースダウンボンディングによって回路基板に実
装されるため、当該半導体集積回路を搭載するための回
路基板においても、小さい配置ピッチで電極が形成され
る。従って、このような回路基板を検査するための検査
装置においても、検査電極の高密度化が必要とされてい
る。
【0004】しかしながら、個別対応型の検査電極装置
においては、被検査回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンの検査電極が必要であるため、検査回路をユニバ
ーサル型に比較して効率的に利用することができる利点
がある反面、結局、スプリングプローブなどを用いて被
検査電極と同様に高密度化された検査電極を形成しなけ
ればならず、従って当該検査電極装置の製作が困難であ
り、コストが非常に高いものとなる問題点がある。
においては、被検査回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンの検査電極が必要であるため、検査回路をユニバ
ーサル型に比較して効率的に利用することができる利点
がある反面、結局、スプリングプローブなどを用いて被
検査電極と同様に高密度化された検査電極を形成しなけ
ればならず、従って当該検査電極装置の製作が困難であ
り、コストが非常に高いものとなる問題点がある。
【0005】また、ユニバーサル型の検査電極装置にお
いては、テスターの検査回路と対をなす検査電極の隣接
するもの相互間における距離が一定とされており、高密
度化された被検査電極を有する被検査回路基板の検査の
ためには、アダプターによって、一部の被検査電極につ
いては検査電極装置における最も接近した位置の検査電
極に対して電気的な接続を達成すればよい。しかしなが
ら、他の一部の被検査電極については、検査電極装置に
おける相当に離隔した位置の検査電極に電気的に接続さ
せることが必要となる場合が多い。これは、被検査回路
基板における被検査電極領域の一部の個所、具体的には
CPS型或いはFC型の半導体集積回路が実装される個
所において、被検査電極の密度が検査電極装置における
検査電極の密度より相当に高いからである。
いては、テスターの検査回路と対をなす検査電極の隣接
するもの相互間における距離が一定とされており、高密
度化された被検査電極を有する被検査回路基板の検査の
ためには、アダプターによって、一部の被検査電極につ
いては検査電極装置における最も接近した位置の検査電
極に対して電気的な接続を達成すればよい。しかしなが
ら、他の一部の被検査電極については、検査電極装置に
おける相当に離隔した位置の検査電極に電気的に接続さ
せることが必要となる場合が多い。これは、被検査回路
基板における被検査電極領域の一部の個所、具体的には
CPS型或いはFC型の半導体集積回路が実装される個
所において、被検査電極の密度が検査電極装置における
検査電極の密度より相当に高いからである。
【0006】従って、用いられるアダプターにおいて
は、被検査回路基板の被検査電極に対応したパターンす
なわちピッチが小さくて高密度で配置された接続用電極
を、検査電極装置の検査電極に対応したパターン、すな
わち広い領域に分散された状態で配置された端子電極に
電気的に接続することが必要であることから、当該アダ
プターの配線設計に要する時間が多大なものとなると共
に、当該アダプターを層数が相当に多い多層配線板によ
り構成しなければならず、そのため、アダプターの製造
に要する時間が多大なものとなる。また、このようなア
ダプターは、検査すべき被検査回路基板に応じて個別的
に作製されるものであるため、大量生産されるものでは
ない。従って、アダプターの製造コストが極めて高いも
のとなり、延いては被検査回路基板の検査コストの増大
を招く、という問題がある。
は、被検査回路基板の被検査電極に対応したパターンす
なわちピッチが小さくて高密度で配置された接続用電極
を、検査電極装置の検査電極に対応したパターン、すな
わち広い領域に分散された状態で配置された端子電極に
電気的に接続することが必要であることから、当該アダ
プターの配線設計に要する時間が多大なものとなると共
に、当該アダプターを層数が相当に多い多層配線板によ
り構成しなければならず、そのため、アダプターの製造
に要する時間が多大なものとなる。また、このようなア
ダプターは、検査すべき被検査回路基板に応じて個別的
に作製されるものであるため、大量生産されるものでは
ない。従って、アダプターの製造コストが極めて高いも
のとなり、延いては被検査回路基板の検査コストの増大
を招く、という問題がある。
【0007】このような問題を解決するため、検査電極
装置の検査電極の配置ピッチを小さくして高密度化する
手段も考えられるが、以下のような理由により、検査電
極の高密度化にも限界がある。アダプターと検査電極装
置との間には、被検査回路基板の搬送機構を収容するス
ペースを確保するために、当該アダプターの端子電極と
当該検査電極装置の検査電極とを電気的に接続する、格
子点位置に配列された多数の導電ピンを有する仲介ピン
装置が配置されている。そして、検査電極装置における
検査電極の配置ピッチが小さくなると、それに応じて仲
介ピン装置の導電ピンを小さいピッチで配列することが
必要となるが、そのためには、径の小さい導電ピンを用
いなければならず、その結果、当該導電ピンに必要な強
度が得られず、所要の検査を実行することができない。
装置の検査電極の配置ピッチを小さくして高密度化する
手段も考えられるが、以下のような理由により、検査電
極の高密度化にも限界がある。アダプターと検査電極装
置との間には、被検査回路基板の搬送機構を収容するス
ペースを確保するために、当該アダプターの端子電極と
当該検査電極装置の検査電極とを電気的に接続する、格
子点位置に配列された多数の導電ピンを有する仲介ピン
装置が配置されている。そして、検査電極装置における
検査電極の配置ピッチが小さくなると、それに応じて仲
介ピン装置の導電ピンを小さいピッチで配列することが
必要となるが、そのためには、径の小さい導電ピンを用
いなければならず、その結果、当該導電ピンに必要な強
度が得られず、所要の検査を実行することができない。
【0008】一方、アダプターの接続用電極を被検査回
路基板における被検査電極に電気的に接続する際には、
当該接続用電極と被検査電極との安定な電気的接続状態
を確実に達成するため、或いは、接続用電極が接触する
ことによって被検査電極が損傷されることを回避するた
め、一般に、アダプターと被検査回路基板との間に異方
導電性エラストマーシートを介在させることが行われて
いる。この異方導電性エラストマーシートは、厚さ方向
にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたときに厚
さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有
するものであり、種々の構造のものが例えば特公昭56
−48951号公報、特開昭51−93393号公報、
特開昭53−147772号公報、特開昭54−146
873号公報などにより、知られている。そして、配置
ピッチの小さい被検査電極を有する被検査回路基板に対
しては、当該被検査回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンの導電部を有する異方導電性エラストマーシート
が、高い接続信頼性が得られる点で好ましい。
路基板における被検査電極に電気的に接続する際には、
当該接続用電極と被検査電極との安定な電気的接続状態
を確実に達成するため、或いは、接続用電極が接触する
ことによって被検査電極が損傷されることを回避するた
め、一般に、アダプターと被検査回路基板との間に異方
導電性エラストマーシートを介在させることが行われて
いる。この異方導電性エラストマーシートは、厚さ方向
にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたときに厚
さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有
するものであり、種々の構造のものが例えば特公昭56
−48951号公報、特開昭51−93393号公報、
特開昭53−147772号公報、特開昭54−146
873号公報などにより、知られている。そして、配置
ピッチの小さい被検査電極を有する被検査回路基板に対
しては、当該被検査回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンの導電部を有する異方導電性エラストマーシート
が、高い接続信頼性が得られる点で好ましい。
【0009】然るに、上記の異方導電性エラストマーシ
ートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単
独で取り扱われるものであって、電気的接続作業におい
ては回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定
することが必要である。しかしながら、独立した異方導
電性エラストマーシートを利用して被検査回路基板の電
気的接続を達成する手段においては、被検査回路基板に
おける被検査電極の配置ピッチが小さくなるに従って異
方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固
定が困難となる、という問題点がある。
ートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単
独で取り扱われるものであって、電気的接続作業におい
ては回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定
することが必要である。しかしながら、独立した異方導
電性エラストマーシートを利用して被検査回路基板の電
気的接続を達成する手段においては、被検査回路基板に
おける被検査電極の配置ピッチが小さくなるに従って異
方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固
定が困難となる、という問題点がある。
【0010】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検検査回路基板を構成する材料と異方導電
性エラストマーシートを構成する材料との間で異なるた
め、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持さ
れない、という問題点がある。
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検検査回路基板を構成する材料と異方導電
性エラストマーシートを構成する材料との間で異なるた
め、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持さ
れない、という問題点がある。
【0011】そして、従来、以上のような問題を解決す
るために、上面に検査対象回路装置の被検査電極に対応
するパターンに従って配置された接続用電極を有し、下
面に標準格子点上に配置された端子電極を有するアダプ
ター本体と、このアダプター本体の上面上に一体的に設
けられた異方導電性エラストマー層とよりなるアダプタ
ー装置が提案されている。
るために、上面に検査対象回路装置の被検査電極に対応
するパターンに従って配置された接続用電極を有し、下
面に標準格子点上に配置された端子電極を有するアダプ
ター本体と、このアダプター本体の上面上に一体的に設
けられた異方導電性エラストマー層とよりなるアダプタ
ー装置が提案されている。
【0012】このようなアダプター装置によれば、検検
査回路基板の被検査電極が、その配置ピッチが微小であ
り、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、当該被検査回路基板について所要の電気的接続
を確実に達成することができ、また温度変化による熱履
歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が
安定に維持され、従って高い接続信頼性が得られる。
査回路基板の被検査電極が、その配置ピッチが微小であ
り、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、当該被検査回路基板について所要の電気的接続
を確実に達成することができ、また温度変化による熱履
歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が
安定に維持され、従って高い接続信頼性が得られる。
【0013】しかしながら、上記のアダプター装置を使
用して配置ピッチが極めて小さい被検査電極を有する被
検査回路基板の電気的検査を行う場合には、以下のよう
な問題がある。従来、アダプター装置の製造において、
異方導電性エラストマー層の形成は例えば次のようにし
て行われる。先ず、図15に示すように、アダプター本
体90の上面に、硬化されて弾性高分子物質となる高分
子物質形成材料中に導電性磁性体粒子が分散されてなる
エラストマー用材料層95Aを形成する。
用して配置ピッチが極めて小さい被検査電極を有する被
検査回路基板の電気的検査を行う場合には、以下のよう
な問題がある。従来、アダプター装置の製造において、
異方導電性エラストマー層の形成は例えば次のようにし
て行われる。先ず、図15に示すように、アダプター本
体90の上面に、硬化されて弾性高分子物質となる高分
子物質形成材料中に導電性磁性体粒子が分散されてなる
エラストマー用材料層95Aを形成する。
【0014】次いで、図16に示すように、例えば被検
査回路基板の被検査電極と同一のパターンに従って強磁
性体部分81が配置されると共に、当該強磁性体部分8
1以外の部分に非磁性体部分82が配置されてなる一方
の型(以下、「上型」という。)80と、被検査回路基
板の被検査電極と対掌のパターンに従って強磁性体部分
86が配置されると共に、当該強磁性体部分86以外の
部分に非磁性体部分87が配置されてなる他方の型(以
下、「下型」という。)85とを用い、上型80と下型
85との間に、エラストマー用材料層95Aが形成され
たアダプター本体90を、その接続用電極91が当該上
型80の強磁性体部分81と下型85の強磁性体部分8
6との間に位置するよう配置し、更に、上型80の上面
および下型85の下面に一対の電磁石83,88を配置
する。
査回路基板の被検査電極と同一のパターンに従って強磁
性体部分81が配置されると共に、当該強磁性体部分8
1以外の部分に非磁性体部分82が配置されてなる一方
の型(以下、「上型」という。)80と、被検査回路基
板の被検査電極と対掌のパターンに従って強磁性体部分
86が配置されると共に、当該強磁性体部分86以外の
部分に非磁性体部分87が配置されてなる他方の型(以
下、「下型」という。)85とを用い、上型80と下型
85との間に、エラストマー用材料層95Aが形成され
たアダプター本体90を、その接続用電極91が当該上
型80の強磁性体部分81と下型85の強磁性体部分8
6との間に位置するよう配置し、更に、上型80の上面
および下型85の下面に一対の電磁石83,88を配置
する。
【0015】そして、電磁石83,88を作動させるこ
とにより、上型80の強磁性体部分81からこれに対応
する下型85の強磁性体部分86に向かう方向に平行磁
場を作用させる。その結果、エラストマー用材料層95
Aにおいては、当該エラストマー用材料層95A中に分
散されていた導電性磁性体粒子が、上型80の強磁性体
部分81と下型85の強磁性体部分86との間に位置す
る部分すなわちアダプター本体90の接続用電極91上
に位置する部分に集合し、更に厚み方向に並ぶよう配向
する。この状態で、エラストマー用材料層95Aに対し
て例えば加熱による硬化処理を行うことにより、図17
に示すように、厚み方向に伸びる多数の導電部96とこ
れらを相互に絶縁する絶縁部97とよりなる異方導電性
エラストマー層95が、当該導電部96が接続用電極9
1上に配置された状態でアダプター本体90の上面に一
体的に形成される。
とにより、上型80の強磁性体部分81からこれに対応
する下型85の強磁性体部分86に向かう方向に平行磁
場を作用させる。その結果、エラストマー用材料層95
Aにおいては、当該エラストマー用材料層95A中に分
散されていた導電性磁性体粒子が、上型80の強磁性体
部分81と下型85の強磁性体部分86との間に位置す
る部分すなわちアダプター本体90の接続用電極91上
に位置する部分に集合し、更に厚み方向に並ぶよう配向
する。この状態で、エラストマー用材料層95Aに対し
て例えば加熱による硬化処理を行うことにより、図17
に示すように、厚み方向に伸びる多数の導電部96とこ
れらを相互に絶縁する絶縁部97とよりなる異方導電性
エラストマー層95が、当該導電部96が接続用電極9
1上に配置された状態でアダプター本体90の上面に一
体的に形成される。
【0016】而して、極めて小さい配置ピッチで被検査
電極が配置された被検査回路基板に対応する異方導電性
エラストマー層95を形成する場合には、当然のことな
がら強磁性体部分81,86が極めて小さいピッチで配
置された上型80および下型85を用いることが必要で
ある。然るに、このような上型80および下型85を用
い、上述のようにして異方導電性エラストマー層95を
形成する場合には、図18に示すように、上型80およ
び下型85の各々において、或る強磁性体部分81a,
86aとこれに隣接する強磁性体部分81b,86bと
の離間距離が小さく、しかも、アダプター本体90が存
在することにより、その厚みによって上型80および下
型85の間隔が相当に大きいものとなるため、上型80
の強磁性体部分81aからこれに対応する下型85の強
磁性体部分86aに向かう方向(矢印Xで示す)のみな
らず、例えば上型80の強磁性体部分81aからこれに
対応する下型85の強磁性体部分86aに隣接する強磁
性体部分86bに向かう方向(矢印Yで示す)にも磁場
が作用することとなる。そのため、エラストマー用材料
層95Aにおいて、導電性磁性体粒子を、上型80の強
磁性体部分81aとこれに対応する下型85の強磁性体
部分86aとの間に位置する部分に集合させることが困
難となり、上型80の強磁性体部分81aと下型85の
強磁性体部分86bとの間に位置する部分にも導電性磁
性体粒子が集合してしまい、また、導電性磁性体粒子を
エラストマー用材料層95Aの厚み方向に十分に配向さ
せることが困難となり、その結果、所期の導電部および
絶縁部を有する異方導電性エラストマー層が得られな
い。
電極が配置された被検査回路基板に対応する異方導電性
エラストマー層95を形成する場合には、当然のことな
がら強磁性体部分81,86が極めて小さいピッチで配
置された上型80および下型85を用いることが必要で
ある。然るに、このような上型80および下型85を用
い、上述のようにして異方導電性エラストマー層95を
形成する場合には、図18に示すように、上型80およ
び下型85の各々において、或る強磁性体部分81a,
86aとこれに隣接する強磁性体部分81b,86bと
の離間距離が小さく、しかも、アダプター本体90が存
在することにより、その厚みによって上型80および下
型85の間隔が相当に大きいものとなるため、上型80
の強磁性体部分81aからこれに対応する下型85の強
磁性体部分86aに向かう方向(矢印Xで示す)のみな
らず、例えば上型80の強磁性体部分81aからこれに
対応する下型85の強磁性体部分86aに隣接する強磁
性体部分86bに向かう方向(矢印Yで示す)にも磁場
が作用することとなる。そのため、エラストマー用材料
層95Aにおいて、導電性磁性体粒子を、上型80の強
磁性体部分81aとこれに対応する下型85の強磁性体
部分86aとの間に位置する部分に集合させることが困
難となり、上型80の強磁性体部分81aと下型85の
強磁性体部分86bとの間に位置する部分にも導電性磁
性体粒子が集合してしまい、また、導電性磁性体粒子を
エラストマー用材料層95Aの厚み方向に十分に配向さ
せることが困難となり、その結果、所期の導電部および
絶縁部を有する異方導電性エラストマー層が得られな
い。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものである。本発明の第1の
目的は、接続すべき回路基板の電極が局所的に高密度で
配置されてなるものであっても、当該電極に対応したパ
ターンの接続用電極を、広い領域に分散された状態で配
置された端子電極に容易に電気的に接続することができ
ると共に、小さいコストで製造することのできるアダプ
ター装置を提供することにある。本発明の第2の目的
は、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても
良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信
頼性の高いアダプター装置を提供することにある。本発
明の第3の目的は、接続すべき回路基板の電極が、その
配置ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパ
ターンのものである場合にも、当該回路基板について所
要の電気的接続を確実に達成することができるアダプタ
ー装置を提供することにある。本発明の第4の目的は、
検査すべき回路基板の被検査電極が局所的に高密度に配
置されてなるものであっても、当該回路基板の電気的検
査を小さいコストで実行することのできる回路基板の検
査装置を提供することにある。本発明の第5の目的は、
高密度で配置された被検査電極を有する回路基板につい
て、テスターの検査回路に対する電気的な接続を高い効
率で容易に達成することができ、十分に高い信頼性をも
って所要の電気的検査を行うことのできる回路基板の検
査装置を提供することにある。
な事情に基づいてなされたものである。本発明の第1の
目的は、接続すべき回路基板の電極が局所的に高密度で
配置されてなるものであっても、当該電極に対応したパ
ターンの接続用電極を、広い領域に分散された状態で配
置された端子電極に容易に電気的に接続することができ
ると共に、小さいコストで製造することのできるアダプ
ター装置を提供することにある。本発明の第2の目的
は、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても
良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信
頼性の高いアダプター装置を提供することにある。本発
明の第3の目的は、接続すべき回路基板の電極が、その
配置ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパ
ターンのものである場合にも、当該回路基板について所
要の電気的接続を確実に達成することができるアダプタ
ー装置を提供することにある。本発明の第4の目的は、
検査すべき回路基板の被検査電極が局所的に高密度に配
置されてなるものであっても、当該回路基板の電気的検
査を小さいコストで実行することのできる回路基板の検
査装置を提供することにある。本発明の第5の目的は、
高密度で配置された被検査電極を有する回路基板につい
て、テスターの検査回路に対する電気的な接続を高い効
率で容易に達成することができ、十分に高い信頼性をも
って所要の電気的検査を行うことのできる回路基板の検
査装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明のアダプター装置
は、コネクター板およびその上面に一体的に積層された
少なくとも一層の絶縁層を有し、最上層の絶縁層の上面
に接続すべき回路基板の電極に対応するパターンに従っ
て配置された複数の接続用電極を有すると共に、コネク
ター板の下面に格子点位置に配置された複数の端子電極
を有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面
に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層とを具
えてなり、前記アダプター本体におけるコネクター板の
上面には、当該上面の領域が分割されて複数の機能領域
が形成され、当該機能領域の各々は、格子点位置に配置
された、互いに対応する複数の中継電極を有し、これら
の機能領域のうち少なくとも一つは、これに隣接する他
の機能領域における中継電極に対応して配置された複数
の副中継電極を有し、当該副中継電極の各々は、これに
対応する他の機能領域における中継電極に電気的に接続
されており、前記コネクター板における中継電極の各々
は、前記端子電極に電気的に接続され、前記接続用電極
の各々は、前記コネクター板における中継電極または副
中継電極に電気的に接続されており、前記異方導電性エ
ラストマー層は、前記アダプター本体の接続用電極上に
配置された、弾性高分子物質中に導電性粒子が充填され
てなる複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁す
る絶縁部とを有してなることを特徴とする。
は、コネクター板およびその上面に一体的に積層された
少なくとも一層の絶縁層を有し、最上層の絶縁層の上面
に接続すべき回路基板の電極に対応するパターンに従っ
て配置された複数の接続用電極を有すると共に、コネク
ター板の下面に格子点位置に配置された複数の端子電極
を有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面
に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層とを具
えてなり、前記アダプター本体におけるコネクター板の
上面には、当該上面の領域が分割されて複数の機能領域
が形成され、当該機能領域の各々は、格子点位置に配置
された、互いに対応する複数の中継電極を有し、これら
の機能領域のうち少なくとも一つは、これに隣接する他
の機能領域における中継電極に対応して配置された複数
の副中継電極を有し、当該副中継電極の各々は、これに
対応する他の機能領域における中継電極に電気的に接続
されており、前記コネクター板における中継電極の各々
は、前記端子電極に電気的に接続され、前記接続用電極
の各々は、前記コネクター板における中継電極または副
中継電極に電気的に接続されており、前記異方導電性エ
ラストマー層は、前記アダプター本体の接続用電極上に
配置された、弾性高分子物質中に導電性粒子が充填され
てなる複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁す
る絶縁部とを有してなることを特徴とする。
【0019】本発明のアダプター装置においては、アダ
プター本体のコネクター板には、それぞれ副中継電極を
有する二つ以上の機能領域が連続して形成されているこ
とが好ましい。また、副中継電極を有する機能領域にお
ける中継電極および副中継電極の合計密度が端子電極の
密度の2〜64倍であることが好ましい。また、アダプ
ター本体の接続用電極の少なくとも一部が磁性体により
構成されていることが好ましい。
プター本体のコネクター板には、それぞれ副中継電極を
有する二つ以上の機能領域が連続して形成されているこ
とが好ましい。また、副中継電極を有する機能領域にお
ける中継電極および副中継電極の合計密度が端子電極の
密度の2〜64倍であることが好ましい。また、アダプ
ター本体の接続用電極の少なくとも一部が磁性体により
構成されていることが好ましい。
【0020】本発明の回路基板の検査装置は、上記のア
ダプター装置と、上面に、前記アダプター装置における
アダプター本体の端子電極に電気的に接続された、当該
端子電極と同一のピッチの格子点位置に配置された複数
の検査電極を有する検査電極板装置とを具えてなること
を特徴とする。また、本発明の回路基板の検査装置にお
いては、前記検査電極板装置は、その上面の領域が分割
されて互いに同一の検査電極配置を有する複数の機能領
域が形成されてなり、これらの機能領域の各々における
検査電極が、互いに対応する位置に配置された他の機能
領域における検査電極と相互に電気的に接続されている
ことを特徴とする。
ダプター装置と、上面に、前記アダプター装置における
アダプター本体の端子電極に電気的に接続された、当該
端子電極と同一のピッチの格子点位置に配置された複数
の検査電極を有する検査電極板装置とを具えてなること
を特徴とする。また、本発明の回路基板の検査装置にお
いては、前記検査電極板装置は、その上面の領域が分割
されて互いに同一の検査電極配置を有する複数の機能領
域が形成されてなり、これらの機能領域の各々における
検査電極が、互いに対応する位置に配置された他の機能
領域における検査電極と相互に電気的に接続されている
ことを特徴とする。
【0021】
【作用】(1)アダプター本体において、或る接続用電
極を、これに接近した機能領域における副中継電極に電
気的に接続すると、当該接続用電極は、当該機能領域に
隣接する他の機能領域における中継電極にも電気的に接
続された状態となる。このように、接続用電極が、これ
に接近した位置の機能領域における副中継電極に対して
電気的に接続されることにより、これと同時に当該接続
用電極から離間した位置の機能領域における中継電極に
も電気的に接続された状態が達成される。従って、被検
査基板が局所的に高密度に配置された被検査電極を有す
るものであっても、当該被検査電極に対応したパターン
の接続用電極を、広い領域に分散された状態で配置され
た端子電極に容易に電気的に接続することができる。ま
た、接続用電極を、これに接近した位置の中継電極また
は副中継電極に電気的に接続すればよいため、コネクタ
ー板上に形成される絶縁層の数を少なくすることがで
き、しかも、コネクター板は、異なるパターンの接続用
電極を有するアダプター本体についても同様の構成のも
のを使用することができるために量産化が可能である。
その結果、小さいコストでアダプター装置を製造するこ
とができる。
極を、これに接近した機能領域における副中継電極に電
気的に接続すると、当該接続用電極は、当該機能領域に
隣接する他の機能領域における中継電極にも電気的に接
続された状態となる。このように、接続用電極が、これ
に接近した位置の機能領域における副中継電極に対して
電気的に接続されることにより、これと同時に当該接続
用電極から離間した位置の機能領域における中継電極に
も電気的に接続された状態が達成される。従って、被検
査基板が局所的に高密度に配置された被検査電極を有す
るものであっても、当該被検査電極に対応したパターン
の接続用電極を、広い領域に分散された状態で配置され
た端子電極に容易に電気的に接続することができる。ま
た、接続用電極を、これに接近した位置の中継電極また
は副中継電極に電気的に接続すればよいため、コネクタ
ー板上に形成される絶縁層の数を少なくすることがで
き、しかも、コネクター板は、異なるパターンの接続用
電極を有するアダプター本体についても同様の構成のも
のを使用することができるために量産化が可能である。
その結果、小さいコストでアダプター装置を製造するこ
とができる。
【0022】(2)アダプター本体おける接続用電極の
少なくとも一部を磁性体により構成することにより、当
該アダプター本体の上面に異方導電性エラストマー層を
形成する際に、厚み方向に平行磁場を作用させたときに
は、接続用電極を構成する磁性体が磁石として作用する
ため、当該接続用電極の上方位置には、それ以外の位置
より相当に大きい磁力線が集中して発生する。これによ
り、接続用電極の配置ピッチが極めて小さいものであっ
ても、当該接続用電極の上方位置に導電性粒子が集合
し、更に厚み方向に配向するので、接続用電極上に配置
され、かつ互いに絶縁部によって絶縁された複数の導電
部を有する所期の異方導電性エラストマー層を形成する
ことができる。従って、接続すべき回路基板の電極が、
その配置ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑
なパターンのものである場合にも、当該回路基板につい
て所要の電気的接続を確実に達成することができる。
少なくとも一部を磁性体により構成することにより、当
該アダプター本体の上面に異方導電性エラストマー層を
形成する際に、厚み方向に平行磁場を作用させたときに
は、接続用電極を構成する磁性体が磁石として作用する
ため、当該接続用電極の上方位置には、それ以外の位置
より相当に大きい磁力線が集中して発生する。これによ
り、接続用電極の配置ピッチが極めて小さいものであっ
ても、当該接続用電極の上方位置に導電性粒子が集合
し、更に厚み方向に配向するので、接続用電極上に配置
され、かつ互いに絶縁部によって絶縁された複数の導電
部を有する所期の異方導電性エラストマー層を形成する
ことができる。従って、接続すべき回路基板の電極が、
その配置ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑
なパターンのものである場合にも、当該回路基板につい
て所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 〈アダプター装置〉図1は、本発明に係るアダプター装
置の一例における構成を一部を破断して示す説明図であ
り、図2は、図1に示すアダプター装置を構成するアダ
プター本体におけるコネクター板の説明図である。この
アダプター装置は、例えば回路基板の電気的検査に用い
られるものであって、多層配線板よりなるコネクター板
11と、このコネクター板11の上面に一体的に積層さ
れた第1の絶縁層20および第2の絶縁層25とにより
構成されたアダプター本体10を有し、このアダプター
本体10の上面には、異方導電性エラストマー層30が
一体的に設けられている。アダプター本体10の下面す
なわちコネクター板11の下面には、格子点位置に従っ
て複数の端子電極12が配置されており、当該アダプタ
ー本体の上面すなわち最上層の第2の絶縁層25の上面
には、検査対象である回路基板の被検査電極に対応する
パターンに従って複数の接続用電極26が配置されてい
る。
て説明する。 〈アダプター装置〉図1は、本発明に係るアダプター装
置の一例における構成を一部を破断して示す説明図であ
り、図2は、図1に示すアダプター装置を構成するアダ
プター本体におけるコネクター板の説明図である。この
アダプター装置は、例えば回路基板の電気的検査に用い
られるものであって、多層配線板よりなるコネクター板
11と、このコネクター板11の上面に一体的に積層さ
れた第1の絶縁層20および第2の絶縁層25とにより
構成されたアダプター本体10を有し、このアダプター
本体10の上面には、異方導電性エラストマー層30が
一体的に設けられている。アダプター本体10の下面す
なわちコネクター板11の下面には、格子点位置に従っ
て複数の端子電極12が配置されており、当該アダプタ
ー本体の上面すなわち最上層の第2の絶縁層25の上面
には、検査対象である回路基板の被検査電極に対応する
パターンに従って複数の接続用電極26が配置されてい
る。
【0024】図3にも示すように、コネクター板11の
上面には、当該上面の領域が一点鎖線で示すように縦方
向(図3で上下方向)において4分割されて互いに等し
い矩形の4つの機能領域A,B,C,Dが、一側(図1
〜図3で左側)から他側に向かって並ぶよう形成されて
いる。機能領域A,B,C,Dの各々には、互いに対応
する複数の中継電極(図3において「○」で示す)15
が、縦j行、横k列で並ぶ格子点位置に従って配置され
ている。図3においては、各機能領域における中継電極
15の各々を特定するために、機能領域A,B,C,D
の各々における第j行第k列の位置にある中継電極15
が「(j,k)」の記号で表示され、さらに機能領域ま
でを特定するために、記号「(j,k)」の先頭に機能
領域を示す記号A〜Dが付されている。なお、この例に
おける中継電極15の配置ピッチは、端子電極12の配
置ピッチと同一であるが、端子電極12の配置ピッチと
異なる配置ピッチであってもよい。
上面には、当該上面の領域が一点鎖線で示すように縦方
向(図3で上下方向)において4分割されて互いに等し
い矩形の4つの機能領域A,B,C,Dが、一側(図1
〜図3で左側)から他側に向かって並ぶよう形成されて
いる。機能領域A,B,C,Dの各々には、互いに対応
する複数の中継電極(図3において「○」で示す)15
が、縦j行、横k列で並ぶ格子点位置に従って配置され
ている。図3においては、各機能領域における中継電極
15の各々を特定するために、機能領域A,B,C,D
の各々における第j行第k列の位置にある中継電極15
が「(j,k)」の記号で表示され、さらに機能領域ま
でを特定するために、記号「(j,k)」の先頭に機能
領域を示す記号A〜Dが付されている。なお、この例に
おける中継電極15の配置ピッチは、端子電極12の配
置ピッチと同一であるが、端子電極12の配置ピッチと
異なる配置ピッチであってもよい。
【0025】4つの機能領域のうち、一側から数えて1
番目、2番目および3番目の機能領域A,B,Cには、
その他側に隣接する機能領域B,C,Dにおける中継電
極15に対応する複数の副中継電極(図3において
「●」で示す)16が、格子点位置に従ってかつ中継電
極15の各々と互いに等間隔となる状態で配置されてい
る。そして、機能領域A,B,Cの各々における副中継
電極16は、当該機能領域の他側に隣接する機能領域
B,C,Dの各々における対応する中継電極15に配線
路13によって電気的に接続されている。このように互
いに電気的に接続された電極の組をこの明細書において
「共通化電極」という。すなわち、この例においては、
機能領域A,B,Cの各々における副中継電極16と、
これに隣接する他の機能領域B,C,Dの各々における
中継電極15との組よりなる共通化電極が形成されてい
る。
番目、2番目および3番目の機能領域A,B,Cには、
その他側に隣接する機能領域B,C,Dにおける中継電
極15に対応する複数の副中継電極(図3において
「●」で示す)16が、格子点位置に従ってかつ中継電
極15の各々と互いに等間隔となる状態で配置されてい
る。そして、機能領域A,B,Cの各々における副中継
電極16は、当該機能領域の他側に隣接する機能領域
B,C,Dの各々における対応する中継電極15に配線
路13によって電気的に接続されている。このように互
いに電気的に接続された電極の組をこの明細書において
「共通化電極」という。すなわち、この例においては、
機能領域A,B,Cの各々における副中継電極16と、
これに隣接する他の機能領域B,C,Dの各々における
中継電極15との組よりなる共通化電極が形成されてい
る。
【0026】以上において、副中継電極16を有する機
能領域A,B,Cにおける中継電極15および副中継電
極16の合計密度は、端子電極12の密度の2〜64
倍、すなわち中継電極15と副中継電極16との配置ピ
ッチL1が端子電極12の配置ピッチL2の2
-1/2(0.71)〜64-1/2(0.125)倍であるこ
とが好ましい。中継電極15および副中継電極16の合
計密度が過小である場合には、当該中継電極15または
副中継電極16に接続用電極26を電気的に接続するた
めに、コネクター板11上に相当な数の絶縁層を形成す
ることが必要となる結果、製造コストの小さい積層型コ
ネクター装置を得ることが困難となることがある。一
方、中継電極15および副中継電極16の合計密度が過
大である場合には、当該コネクター板11を層数の相当
に大きい多層配線板により構成することが必要となるた
め、コネクター板11の製造コストが高くなり、また、
コネクター板11それ自体の製造が困難となることがあ
る。
能領域A,B,Cにおける中継電極15および副中継電
極16の合計密度は、端子電極12の密度の2〜64
倍、すなわち中継電極15と副中継電極16との配置ピ
ッチL1が端子電極12の配置ピッチL2の2
-1/2(0.71)〜64-1/2(0.125)倍であるこ
とが好ましい。中継電極15および副中継電極16の合
計密度が過小である場合には、当該中継電極15または
副中継電極16に接続用電極26を電気的に接続するた
めに、コネクター板11上に相当な数の絶縁層を形成す
ることが必要となる結果、製造コストの小さい積層型コ
ネクター装置を得ることが困難となることがある。一
方、中継電極15および副中継電極16の合計密度が過
大である場合には、当該コネクター板11を層数の相当
に大きい多層配線板により構成することが必要となるた
め、コネクター板11の製造コストが高くなり、また、
コネクター板11それ自体の製造が困難となることがあ
る。
【0027】端子電極12の配置ピッチと、中継電極1
5と副中継電極16との配線ピッチとの好ましい組合せ
を示すと、例えば端子電極12の配列ピッチが2.54
mmである場合には、中継電極15と副中継電極16と
の配列ピッチが1.27mm(中継電極15および副中
継電極16の合計密度が端子電極12の密度の4倍)で
あり、端子電極12の配列ピッチが1.80mmである
場合には、中継電極15と副中継電極16との配列ピッ
チが1.27mm(中継電極15および副中継電極16
の合計密度が端子電極12の密度の2倍)または0.9
0mm(中継電極15および副中継電極16の合計密度
が端子電極12の密度の4倍)であり、端子電極12の
配列ピッチが1.5mmである場合には、中継電極15
と副中継電極16との配列ピッチが1.06mm(中継
電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極1
2の密度の2倍)または0.75mm(中継電極15お
よび副中継電極16の合計密度が端子電極12の密度の
4倍)であり、端子電極12の配列ピッチが1.27m
mである場合には、中継電極15と副中継電極16との
配列ピッチが0.90mm(中継電極15および副中継
電極16の合計密度が端子電極12の密度の2倍)また
は0.635mm(中継電極15および副中継電極16
の合計密度が端子電極12の密度の4倍)であり、端子
電極12の配列ピッチが1.06mmである場合には、
中継電極15と副中継電極16との配列ピッチが0.7
5mm(中継電極15および副中継電極16の合計密度
が端子電極12の密度の2倍)または0.53mm(中
継電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極
12の密度の4倍)であり、端子電極12の配列ピッチ
が0.90mmである場合には、中継電極15と副中継
電極16との配列ピッチが0.635mm(中継電極1
5および副中継電極16の合計密度が端子電極12の密
度の2倍)または0.45mm(中継電極15および副
中継電極16の合計密度が端子電極12の密度の4倍)
であり、端子電極12の配列ピッチが0.75mmであ
る場合には、中継電極15と副中継電極16との配列ピ
ッチが0.53mm(中継電極15および副中継電極1
6の合計密度が端子電極12の密度の2倍)または0.
375mm(中継電極15および副中継電極16の合計
密度が端子電極12の密度の4倍)であり、端子電極1
2の配列ピッチが0.53mmである場合には、中継電
極15と副中継電極16との配列ピッチが0.375m
m(中継電極15および副中継電極16の合計密度が端
子電極12の密度の2倍)または0.265mm(中継
電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極1
2の密度の4倍)である。
5と副中継電極16との配線ピッチとの好ましい組合せ
を示すと、例えば端子電極12の配列ピッチが2.54
mmである場合には、中継電極15と副中継電極16と
の配列ピッチが1.27mm(中継電極15および副中
継電極16の合計密度が端子電極12の密度の4倍)で
あり、端子電極12の配列ピッチが1.80mmである
場合には、中継電極15と副中継電極16との配列ピッ
チが1.27mm(中継電極15および副中継電極16
の合計密度が端子電極12の密度の2倍)または0.9
0mm(中継電極15および副中継電極16の合計密度
が端子電極12の密度の4倍)であり、端子電極12の
配列ピッチが1.5mmである場合には、中継電極15
と副中継電極16との配列ピッチが1.06mm(中継
電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極1
2の密度の2倍)または0.75mm(中継電極15お
よび副中継電極16の合計密度が端子電極12の密度の
4倍)であり、端子電極12の配列ピッチが1.27m
mである場合には、中継電極15と副中継電極16との
配列ピッチが0.90mm(中継電極15および副中継
電極16の合計密度が端子電極12の密度の2倍)また
は0.635mm(中継電極15および副中継電極16
の合計密度が端子電極12の密度の4倍)であり、端子
電極12の配列ピッチが1.06mmである場合には、
中継電極15と副中継電極16との配列ピッチが0.7
5mm(中継電極15および副中継電極16の合計密度
が端子電極12の密度の2倍)または0.53mm(中
継電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極
12の密度の4倍)であり、端子電極12の配列ピッチ
が0.90mmである場合には、中継電極15と副中継
電極16との配列ピッチが0.635mm(中継電極1
5および副中継電極16の合計密度が端子電極12の密
度の2倍)または0.45mm(中継電極15および副
中継電極16の合計密度が端子電極12の密度の4倍)
であり、端子電極12の配列ピッチが0.75mmであ
る場合には、中継電極15と副中継電極16との配列ピ
ッチが0.53mm(中継電極15および副中継電極1
6の合計密度が端子電極12の密度の2倍)または0.
375mm(中継電極15および副中継電極16の合計
密度が端子電極12の密度の4倍)であり、端子電極1
2の配列ピッチが0.53mmである場合には、中継電
極15と副中継電極16との配列ピッチが0.375m
m(中継電極15および副中継電極16の合計密度が端
子電極12の密度の2倍)または0.265mm(中継
電極15および副中継電極16の合計密度が端子電極1
2の密度の4倍)である。
【0028】また、後述する検査装置において、所要の
強度を有する外径の大きい導電ピンを用いることができ
る点で、コネクター板11の端子電極12の配置ピッチ
は、0.53mm以上であることが好ましく、例えば
2.54mm、1.80mm、1.50mm、1.27
mmである。
強度を有する外径の大きい導電ピンを用いることができ
る点で、コネクター板11の端子電極12の配置ピッチ
は、0.53mm以上であることが好ましく、例えば
2.54mm、1.80mm、1.50mm、1.27
mmである。
【0029】第1の絶縁層20の上面には、適宜のパタ
ーンに従って配線部21が形成されており、この配線部
21は、当該第1の絶縁層20をその厚み方向に貫通し
て伸びる短絡部22によって、コネクター板11の中継
電極15または副中継電極16に電気的に接続されてい
る。また、第2の絶縁層25の上面には、検査すべき被
検査回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って
複数の接続用電極26が形成されており、この接続用電
極26の各々は、当該第2の絶縁層25をその厚み方向
に貫通して伸びる短絡部27によって、第1の絶縁層2
0の上面に形成された配線部21に電気的に接続されて
いる。なお、配線部21は、図1において、紙面と交わ
る方向に伸びる状態に形成され得ることは勿論であっ
て、このような配線部を介して、全ての接続用電極26
がコネクター板11の中継電極15または副中継電極1
6に電気的に接続されている。
ーンに従って配線部21が形成されており、この配線部
21は、当該第1の絶縁層20をその厚み方向に貫通し
て伸びる短絡部22によって、コネクター板11の中継
電極15または副中継電極16に電気的に接続されてい
る。また、第2の絶縁層25の上面には、検査すべき被
検査回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って
複数の接続用電極26が形成されており、この接続用電
極26の各々は、当該第2の絶縁層25をその厚み方向
に貫通して伸びる短絡部27によって、第1の絶縁層2
0の上面に形成された配線部21に電気的に接続されて
いる。なお、配線部21は、図1において、紙面と交わ
る方向に伸びる状態に形成され得ることは勿論であっ
て、このような配線部を介して、全ての接続用電極26
がコネクター板11の中継電極15または副中継電極1
6に電気的に接続されている。
【0030】以上のように、接続用電極26は、第2の
絶縁層25の短絡部27、配線部21、第1の絶縁層2
0の短絡部22、中継電極15若しくは副中継電極16
および配線路13を介して、端子電極12に電気的に接
続されている。
絶縁層25の短絡部27、配線部21、第1の絶縁層2
0の短絡部22、中継電極15若しくは副中継電極16
および配線路13を介して、端子電極12に電気的に接
続されている。
【0031】この例における接続用電極26は、少なく
ともその一部が磁性体により構成されている。具体的に
は、図4に示すように、接続用電極26は、例えば銅、
金、銀などよりなる基層部分26Aと、磁性体よりなる
表層部分26Bとの多層構造により構成されている。但
し、接続用電極26を多層構造とすることは、本発明に
おいて必須のことではなく、例えば接続用電極26全体
が磁性体により構成されていてもよい。表層部分26B
を構成する磁性体としては、ニッケル、鉄、コバルトお
よびこれらの元素を含む合金などを用いることができ
る。また、磁性体よりなる表層部分26Bの厚みは、例
えば10〜500μmである。
ともその一部が磁性体により構成されている。具体的に
は、図4に示すように、接続用電極26は、例えば銅、
金、銀などよりなる基層部分26Aと、磁性体よりなる
表層部分26Bとの多層構造により構成されている。但
し、接続用電極26を多層構造とすることは、本発明に
おいて必須のことではなく、例えば接続用電極26全体
が磁性体により構成されていてもよい。表層部分26B
を構成する磁性体としては、ニッケル、鉄、コバルトお
よびこれらの元素を含む合金などを用いることができ
る。また、磁性体よりなる表層部分26Bの厚みは、例
えば10〜500μmである。
【0032】このような接続用電極26を形成する方法
としては、特に限定されるものではないが、基層部分2
6Aを銅により構成し、表層部分26Bをニッケルや鉄
などにより構成する場合には、第2の絶縁層25の上面
に、銅薄層を形成した後、フォトリソグラフィーおよび
エッチング処理を施すことにより、基層部分26Aを形
成し、次いで、基層部分26Aが形成された第2の絶縁
層25の上面に、フォトリソグラフィーや、ニッケル、
鉄などのメッキ処理などを施すことにより、表層部分2
6Bを形成する方法を利用することができる。
としては、特に限定されるものではないが、基層部分2
6Aを銅により構成し、表層部分26Bをニッケルや鉄
などにより構成する場合には、第2の絶縁層25の上面
に、銅薄層を形成した後、フォトリソグラフィーおよび
エッチング処理を施すことにより、基層部分26Aを形
成し、次いで、基層部分26Aが形成された第2の絶縁
層25の上面に、フォトリソグラフィーや、ニッケル、
鉄などのメッキ処理などを施すことにより、表層部分2
6Bを形成する方法を利用することができる。
【0033】このようなアダプター本体10の上面に
は、異方導電性エラストマー層30が一体的に接着乃至
密着した状態で形成されている。この異方導電性エラス
トマー層30は、図5に示すように、絶縁性の弾性高分
子物質E中に導電性粒子Pが密に充填されてなる多数の
導電部31がアダプター本体10の接続用電極26上に
位置された状態で、かつ、隣接する導電部31が相互に
絶縁部32によって絶縁された状態とされている。各導
電部31においては、導電性粒子Pが厚さ方向に並ぶよ
う配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成され
ている。この導電部31は、厚さ方向に加圧されて圧縮
されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加
圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部32
は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されな
いものである。
は、異方導電性エラストマー層30が一体的に接着乃至
密着した状態で形成されている。この異方導電性エラス
トマー層30は、図5に示すように、絶縁性の弾性高分
子物質E中に導電性粒子Pが密に充填されてなる多数の
導電部31がアダプター本体10の接続用電極26上に
位置された状態で、かつ、隣接する導電部31が相互に
絶縁部32によって絶縁された状態とされている。各導
電部31においては、導電性粒子Pが厚さ方向に並ぶよ
う配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成され
ている。この導電部31は、厚さ方向に加圧されて圧縮
されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加
圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部32
は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されな
いものである。
【0034】図示の例においては、異方導電性エラスト
マー層30の外面において、導電部31が絶縁部32の
表面から突出する突出部を形成している。このような例
によれば、加圧による圧縮の程度が絶縁部32より導電
部31において大きいために十分に抵抗値の低い導電路
が確実に導電部31に形成され、これにより、加圧力の
変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすることが
でき、その結果、異方導電性エラストマー層30に作用
される加圧力が不均一であっても、各導電部31間にお
ける導電性のバラツキの発生を防止することができる。
マー層30の外面において、導電部31が絶縁部32の
表面から突出する突出部を形成している。このような例
によれば、加圧による圧縮の程度が絶縁部32より導電
部31において大きいために十分に抵抗値の低い導電路
が確実に導電部31に形成され、これにより、加圧力の
変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすることが
でき、その結果、異方導電性エラストマー層30に作用
される加圧力が不均一であっても、各導電部31間にお
ける導電性のバラツキの発生を防止することができる。
【0035】このように導電部31が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さhは、異方導電性エラ
ストマー層40の全厚t(t=h+d、dは絶縁部32
の厚さである。)の8%以上であることが好ましい。ま
た、異方導電性エラストマー層30の全厚tは、接続用
電極26の配置ピッチpの300%以下、すなわちt≦
3pであることが好ましい。このような条件が充足され
ることにより、異方導電性エラストマー層30に作用さ
れる加圧力が変化した場合にも、それによる導電部31
の導電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
場合には、当該突出部の突出高さhは、異方導電性エラ
ストマー層40の全厚t(t=h+d、dは絶縁部32
の厚さである。)の8%以上であることが好ましい。ま
た、異方導電性エラストマー層30の全厚tは、接続用
電極26の配置ピッチpの300%以下、すなわちt≦
3pであることが好ましい。このような条件が充足され
ることにより、異方導電性エラストマー層30に作用さ
れる加圧力が変化した場合にも、それによる導電部31
の導電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
【0036】導電部31が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、配
置ピッチの20%以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部31間の離間距離rの
最小値は、当該導電部31の幅Rの10%以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部31同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上におい
て、導電部31の平面形状は接続用電極26と等しい幅
の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する円
形、その他の適宜の形状とすることができる。また、異
方導電性エラストマー層30の外面において、導電部3
1が絶縁部32の表面から突出する構成は、本発明にお
いて必須のことではなく、例えば絶縁部32が導電部3
1の表面から突出する構成(導電部31の位置に凹部が
形成された構成)、異方導電性エラストマー層30の外
面が平面である構成であってもよい。
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、配
置ピッチの20%以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部31間の離間距離rの
最小値は、当該導電部31の幅Rの10%以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部31同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上におい
て、導電部31の平面形状は接続用電極26と等しい幅
の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する円
形、その他の適宜の形状とすることができる。また、異
方導電性エラストマー層30の外面において、導電部3
1が絶縁部32の表面から突出する構成は、本発明にお
いて必須のことではなく、例えば絶縁部32が導電部3
1の表面から突出する構成(導電部31の位置に凹部が
形成された構成)、異方導電性エラストマー層30の外
面が平面である構成であってもよい。
【0037】導電部31を構成する絶縁性の弾性高分子
物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好まし
い。架橋高分子物質を得るために用いることのできる硬
化性の高分子物質用材料としては、種々のものを用いる
ことができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴ
ム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジ
エン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重
合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添
加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体
ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブ
ロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロ
プレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロ
ルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレ
ン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合
体ゴムなどが挙げられる。以上において、得られる異方
導電性エラストマー層30に耐候性が要求される場合に
は、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好まし
く、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリ
コーンゴムを用いることが好ましい。
物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好まし
い。架橋高分子物質を得るために用いることのできる硬
化性の高分子物質用材料としては、種々のものを用いる
ことができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴ
ム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジ
エン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重
合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添
加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体
ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブ
ロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロ
プレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロ
ルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレ
ン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合
体ゴムなどが挙げられる。以上において、得られる異方
導電性エラストマー層30に耐候性が要求される場合に
は、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好まし
く、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリ
コーンゴムを用いることが好ましい。
【0038】シリコーンゴムとしては、液状シリコーン
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度10-1secで105 ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度10-1secで105 ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
【0039】これらの中で、ビニル基を含有する液状シ
リコーンゴム(ビニル基含有ポリジメチルシロキサン)
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件(例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量)を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化n−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば80〜130℃で
ある。このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサン
は、その分子量Mw(標準ポリスチレン換算重量平均分
子量をいう。以下同じ。)が10000〜40000の
ものであることが好ましい。また、得られる導電路素子
の耐熱性の観点から、分子量分布指数(標準ポリスチレ
ン換算重量平均分子量Mwと標準ポリスチレン換算数平
均分子量Mnとの比Mw/Mnの値をいう。以下同
じ。)が2.0以下のものが好ましい。
リコーンゴム(ビニル基含有ポリジメチルシロキサン)
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件(例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量)を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化n−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば80〜130℃で
ある。このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサン
は、その分子量Mw(標準ポリスチレン換算重量平均分
子量をいう。以下同じ。)が10000〜40000の
ものであることが好ましい。また、得られる導電路素子
の耐熱性の観点から、分子量分布指数(標準ポリスチレ
ン換算重量平均分子量Mwと標準ポリスチレン換算数平
均分子量Mnとの比Mw/Mnの値をいう。以下同
じ。)が2.0以下のものが好ましい。
【0040】一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリ
コーンゴム(ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン)は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
(例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量)
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化n−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば80〜130℃である。この
ようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンは、
その分子量Mwが10000〜40000のものである
ことが好ましい。また、得られる導電路素子の耐熱性の
観点から、分子量分布指数が2.0以下のものが好まし
い。本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチ
ルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシ
ロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併
用することもできる。
コーンゴム(ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン)は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
(例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量)
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化n−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば80〜130℃である。この
ようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンは、
その分子量Mwが10000〜40000のものである
ことが好ましい。また、得られる導電路素子の耐熱性の
観点から、分子量分布指数が2.0以下のものが好まし
い。本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチ
ルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシ
ロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併
用することもできる。
【0041】上記のような高分子物質用材料を硬化させ
るためには、硬化触媒を用いることができる。このよう
な硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合
物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。硬
化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例として
は、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイ
ル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなど
が挙げられる。硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化
合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルな
どが挙げられる。ヒドロシリル化反応の触媒として使用
し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその
塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビ
ニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と1,
3−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレッ
クス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと
白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレ
ート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知
のものが挙げられる。硬化触媒の使用量は、高分子物質
形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条
件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成
材料100重量部に対して3〜15重量部である。
るためには、硬化触媒を用いることができる。このよう
な硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合
物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。硬
化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例として
は、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイ
ル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなど
が挙げられる。硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化
合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルな
どが挙げられる。ヒドロシリル化反応の触媒として使用
し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその
塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビ
ニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と1,
3−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレッ
クス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと
白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレ
ート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知
のものが挙げられる。硬化触媒の使用量は、高分子物質
形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条
件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成
材料100重量部に対して3〜15重量部である。
【0042】導電部31を構成する導電性粒子として
は、後述する異方導電性エラストマー層の形成方法によ
り当該粒子を容易に配向させることができる観点から、
導電性磁性体粒子を用いることが好ましい。この導電性
磁性体粒子の具体例としては、鉄、コバルトなどの磁性
を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこ
れらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒
子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジ
ウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、
あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無
機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒
子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体の
メッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体
および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが
挙げられる。これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子と
し、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッ
キを施したものを用いることが好ましく、特に、金およ
び銀の両方が被覆されているものが好ましい。芯粒子の
表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定さ
れるものではないが、例えば化学メッキまたは無電解メ
ッキにより行うことができる。
は、後述する異方導電性エラストマー層の形成方法によ
り当該粒子を容易に配向させることができる観点から、
導電性磁性体粒子を用いることが好ましい。この導電性
磁性体粒子の具体例としては、鉄、コバルトなどの磁性
を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこ
れらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒
子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジ
ウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、
あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無
機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒
子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体の
メッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体
および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが
挙げられる。これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子と
し、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッ
キを施したものを用いることが好ましく、特に、金およ
び銀の両方が被覆されているものが好ましい。芯粒子の
表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定さ
れるものではないが、例えば化学メッキまたは無電解メ
ッキにより行うことができる。
【0043】導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性
金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導
電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属
の被覆率(芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面
積の割合)が40%以上であることが好ましく、さらに
好ましくは45%以上、特に好ましくは47〜95%で
ある。また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の2.5〜
50重量%であることが好ましく、より好ましくは3〜
30重量%、さらに好ましくは3.5〜25重量%、特
に好ましくは4〜20重量%である。被覆される導電性
金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の3〜
30重量%であることが好ましく、より好ましくは3〜
20重量%、さらに好ましくは3.5〜15重量%、特
に好ましくは4.5〜10重量%である。また、被覆さ
れる導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯
粒子の3〜30重量%であることが好ましく、より好ま
しくは4〜25重量%、さらに好ましくは5〜23重量
%、特に好ましくは6〜20重量%である。更に、被覆
される導電性金属として金と銀の両方を用いる場合に
は、金の被覆量は、芯粒子の0.1〜5重量%であるこ
とが好ましく、より好ましくは0.2〜4重量%、さら
に好ましくは0.5〜3重量%であり、銀の被覆量は、
芯粒子の3〜30重量%であることが好ましく、より好
ましくは4〜25重量%、さらに好ましくは5〜20重
量%である。
金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導
電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属
の被覆率(芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面
積の割合)が40%以上であることが好ましく、さらに
好ましくは45%以上、特に好ましくは47〜95%で
ある。また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の2.5〜
50重量%であることが好ましく、より好ましくは3〜
30重量%、さらに好ましくは3.5〜25重量%、特
に好ましくは4〜20重量%である。被覆される導電性
金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の3〜
30重量%であることが好ましく、より好ましくは3〜
20重量%、さらに好ましくは3.5〜15重量%、特
に好ましくは4.5〜10重量%である。また、被覆さ
れる導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯
粒子の3〜30重量%であることが好ましく、より好ま
しくは4〜25重量%、さらに好ましくは5〜23重量
%、特に好ましくは6〜20重量%である。更に、被覆
される導電性金属として金と銀の両方を用いる場合に
は、金の被覆量は、芯粒子の0.1〜5重量%であるこ
とが好ましく、より好ましくは0.2〜4重量%、さら
に好ましくは0.5〜3重量%であり、銀の被覆量は、
芯粒子の3〜30重量%であることが好ましく、より好
ましくは4〜25重量%、さらに好ましくは5〜20重
量%である。
【0044】また、導電性粒子の粒子径は、1〜100
0μmであることが好ましく、より好ましくは2〜50
0μm、さらに好ましくは5〜300μm、特に好まし
くは10〜200μmである。また、導電性粒子の粒子
径分布(Dw/Dn)は、1〜10であることが好まし
く、より好ましくは1.01〜7、さらに好ましくは
1.05〜5、特に好ましくは1.1〜4である。この
ような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、
得られる導電部31は、加圧変形が容易なものとなり、
また、当該導電部31において導電性粒子間に十分な電
気的接触が得られる。また、導電性粒子の形状は、特に
限定されるものではないが、高分子物質用材料中に容易
に分散させることができる点で、球状のもの、星形状の
ものあるいはこれらが凝集した2次粒子による塊状のも
のであることが好ましい。
0μmであることが好ましく、より好ましくは2〜50
0μm、さらに好ましくは5〜300μm、特に好まし
くは10〜200μmである。また、導電性粒子の粒子
径分布(Dw/Dn)は、1〜10であることが好まし
く、より好ましくは1.01〜7、さらに好ましくは
1.05〜5、特に好ましくは1.1〜4である。この
ような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、
得られる導電部31は、加圧変形が容易なものとなり、
また、当該導電部31において導電性粒子間に十分な電
気的接触が得られる。また、導電性粒子の形状は、特に
限定されるものではないが、高分子物質用材料中に容易
に分散させることができる点で、球状のもの、星形状の
ものあるいはこれらが凝集した2次粒子による塊状のも
のであることが好ましい。
【0045】また、導電性粒子の含水率は、5%以下で
あることが好ましく、より好ましくは3%以下、さらに
好ましくは2%以下、とくに好ましくは1%以下であ
る。このような条件を満足する導電性粒子を用いること
により、後述する異方導電性エラストマー層の形成にお
いて、導電部形成用材料層を硬化処理する際に、当該導
電部形成用材料層内に気泡が生ずることが防止または抑
制される。
あることが好ましく、より好ましくは3%以下、さらに
好ましくは2%以下、とくに好ましくは1%以下であ
る。このような条件を満足する導電性粒子を用いること
により、後述する異方導電性エラストマー層の形成にお
いて、導電部形成用材料層を硬化処理する際に、当該導
電部形成用材料層内に気泡が生ずることが防止または抑
制される。
【0046】また、導電性粒子の表面がシランカップリ
ング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜用
いることができる。導電性粒子の表面がカップリング剤
で処理されることにより、当該導電性粒子と弾性高分子
物質との接着性が高くなり、その結果、得られる導電部
31は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとな
る。カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電性に
影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子表
面におけるカップリング剤の被覆率(導電性芯粒子の表
面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合)が5%
以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上
記被覆率が7〜100%、さらに好ましくは10〜10
0%、特に好ましくは20〜100%となる量である。
ング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜用
いることができる。導電性粒子の表面がカップリング剤
で処理されることにより、当該導電性粒子と弾性高分子
物質との接着性が高くなり、その結果、得られる導電部
31は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとな
る。カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電性に
影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子表
面におけるカップリング剤の被覆率(導電性芯粒子の表
面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合)が5%
以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上
記被覆率が7〜100%、さらに好ましくは10〜10
0%、特に好ましくは20〜100%となる量である。
【0047】このような導電性粒子は、高分子物質用材
料に対して体積分率で30〜60%、好ましくは35〜
50%となる割合で用いられることが好ましい。この割
合が30%未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい
導電部が得られないことがある。一方、この割合が60
%を超える場合には、得られる導電部は脆弱なものとな
りやすく、導電部として必要な弾性が得られないことが
ある。
料に対して体積分率で30〜60%、好ましくは35〜
50%となる割合で用いられることが好ましい。この割
合が30%未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい
導電部が得られないことがある。一方、この割合が60
%を超える場合には、得られる導電部は脆弱なものとな
りやすく、導電部として必要な弾性が得られないことが
ある。
【0048】導電部を形成するための導電部形成用材料
中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシ
リカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を
含有させることができる。このような無機充填材を含有
させることにより、当該導電部形成用材料のチクソトロ
ピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、導電
性粒子の分散安定性が向上すると共に、硬化処理されて
得られる導電部の強度が高くなる。このような無機充填
材の使用量は、特に限定されるものではないが、あまり
多量に使用すると、後述する異方導電性エラストマー層
の形成方法において、磁場による導電性粒子の配向を十
分に達成することができなくなるため、好ましくない。
中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシ
リカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を
含有させることができる。このような無機充填材を含有
させることにより、当該導電部形成用材料のチクソトロ
ピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、導電
性粒子の分散安定性が向上すると共に、硬化処理されて
得られる導電部の強度が高くなる。このような無機充填
材の使用量は、特に限定されるものではないが、あまり
多量に使用すると、後述する異方導電性エラストマー層
の形成方法において、磁場による導電性粒子の配向を十
分に達成することができなくなるため、好ましくない。
【0049】絶縁部32を構成する材料としては、導電
部31を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体10と密着状態または接着状態を保持してア
ダプター本体10と一体となるものを用いることが好ま
しい。
部31を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体10と密着状態または接着状態を保持してア
ダプター本体10と一体となるものを用いることが好ま
しい。
【0050】このような異方導電性エラストマー層30
を形成する方法としては、特に限定されるものではない
が、例えば以下の第1の方法および第2の方法を好まし
い方法として挙げることができる。
を形成する方法としては、特に限定されるものではない
が、例えば以下の第1の方法および第2の方法を好まし
い方法として挙げることができる。
【0051】〔第1の方法〕この第1の方法において
は、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高
分子物質用材料中に導電性磁性体粒子が分散された流動
性の混合物よりなるエラストマー用材料を調製する。こ
のエラストマー用用材料の粘度は、温度25℃において
100000〜1000000cpの範囲内であること
が好ましい。そして、エラストマー用材料を、図6に示
すように、アダプター本体10の上面に塗布することに
より、当該アダプター本体10の上面上にエラストマー
用材料層30Aを形成する。
は、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高
分子物質用材料中に導電性磁性体粒子が分散された流動
性の混合物よりなるエラストマー用材料を調製する。こ
のエラストマー用用材料の粘度は、温度25℃において
100000〜1000000cpの範囲内であること
が好ましい。そして、エラストマー用材料を、図6に示
すように、アダプター本体10の上面に塗布することに
より、当該アダプター本体10の上面上にエラストマー
用材料層30Aを形成する。
【0052】次いで、図7に示すように、被検査回路基
板の被検査電極と同一のパターンに従って強磁性体部分
Mが配置されると共に、当該強磁性体部分M以外の部分
に非磁性体部分Nが配置されてなる一方の型(以下、
「上型」という。)36と、被検査回路基板の被検査電
極と対掌のパターンに従って強磁性体部分Mが配置され
ると共に、当該強磁性体部分M以外の部分に非磁性体部
分Nが配置されてなる他方の型(以下、「下型」とい
う。)37とを用い、上型36と下型37との間に、エ
ラストマー用材料層30Aが形成されたアダプター本体
10を、その接続用電極26が当該上型36の強磁性体
部分Mと下型37の強磁性体部分Mとの間に位置するよ
う配置し、更に、上型36の上面および下型37の下面
に一対の電磁石38,39を配置する。このとき、上型
36の下面がエラストマー用材料層30Aから離間され
て間隙が形成された状態とする。
板の被検査電極と同一のパターンに従って強磁性体部分
Mが配置されると共に、当該強磁性体部分M以外の部分
に非磁性体部分Nが配置されてなる一方の型(以下、
「上型」という。)36と、被検査回路基板の被検査電
極と対掌のパターンに従って強磁性体部分Mが配置され
ると共に、当該強磁性体部分M以外の部分に非磁性体部
分Nが配置されてなる他方の型(以下、「下型」とい
う。)37とを用い、上型36と下型37との間に、エ
ラストマー用材料層30Aが形成されたアダプター本体
10を、その接続用電極26が当該上型36の強磁性体
部分Mと下型37の強磁性体部分Mとの間に位置するよ
う配置し、更に、上型36の上面および下型37の下面
に一対の電磁石38,39を配置する。このとき、上型
36の下面がエラストマー用材料層30Aから離間され
て間隙が形成された状態とする。
【0053】そして、電磁石38,39を作動させるこ
とにより、上型36の強磁性体部分Mからこれに対応す
る下型37の強磁性体部分Mに向かう方向に平行磁場を
作用させる。このとき、接続用電極26の少なくとも一
部が磁性体により構成されている場合、この例では、接
続用電極26が磁性体よりなる表層部分26Bを有する
場合には、当該表層部分26Bが磁石として作用するた
め、当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の位
置より相当に大きい磁力線が集中して発生する結果、図
8に示すように、エラストマー用材料層30Aにおいて
は、当該エラストマー用材料層30A中に分散されてい
た導電性磁性体粒子が、上型36の強磁性体部分Mとア
ダプター本体10の接続用電極26との間に位置する部
分に集合し、更に厚み方向に並ぶよう配向する。
とにより、上型36の強磁性体部分Mからこれに対応す
る下型37の強磁性体部分Mに向かう方向に平行磁場を
作用させる。このとき、接続用電極26の少なくとも一
部が磁性体により構成されている場合、この例では、接
続用電極26が磁性体よりなる表層部分26Bを有する
場合には、当該表層部分26Bが磁石として作用するた
め、当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の位
置より相当に大きい磁力線が集中して発生する結果、図
8に示すように、エラストマー用材料層30Aにおいて
は、当該エラストマー用材料層30A中に分散されてい
た導電性磁性体粒子が、上型36の強磁性体部分Mとア
ダプター本体10の接続用電極26との間に位置する部
分に集合し、更に厚み方向に並ぶよう配向する。
【0054】然るに、このとき、エラストマー用材料層
30Aの表面側には間隙が存在するため、導電性磁性体
粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動
する結果、接続用電極26上に位置する部分の高分子物
質用材料表面が隆起し、突出した状態となる。そして、
平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除いた
後、エラストマー用材料層30Aに対して硬化処理を行
うことにより、図1に示すような、厚み方向に伸びる多
数の導電部31とこれらを相互に絶縁する絶縁部32と
よりなる異方導電性エラストマー層30が、当該導電部
31が接続用電極26上に配置された状態でアダプター
本体10の上面に一体的に形成される。
30Aの表面側には間隙が存在するため、導電性磁性体
粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動
する結果、接続用電極26上に位置する部分の高分子物
質用材料表面が隆起し、突出した状態となる。そして、
平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除いた
後、エラストマー用材料層30Aに対して硬化処理を行
うことにより、図1に示すような、厚み方向に伸びる多
数の導電部31とこれらを相互に絶縁する絶縁部32と
よりなる異方導電性エラストマー層30が、当該導電部
31が接続用電極26上に配置された状態でアダプター
本体10の上面に一体的に形成される。
【0055】以上において、エラストマー用材料層30
Aに作用される平行磁場の強度は、平均で200〜10
000ガウスとなる大きさが好ましい。また、エラスト
マー用材料層30Aの硬化処理は、使用される材料によ
って適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われ
る。加熱によりエラストマー用材料層30Aの硬化処理
を行う場合には、電磁石38,39にヒーターを設けれ
ばよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、エラスト
マー用材料層30Aを構成する高分子物質用材料などの
種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮
して適宜選定される。
Aに作用される平行磁場の強度は、平均で200〜10
000ガウスとなる大きさが好ましい。また、エラスト
マー用材料層30Aの硬化処理は、使用される材料によ
って適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われ
る。加熱によりエラストマー用材料層30Aの硬化処理
を行う場合には、電磁石38,39にヒーターを設けれ
ばよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、エラスト
マー用材料層30Aを構成する高分子物質用材料などの
種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮
して適宜選定される。
【0056】〔第2の方法〕この第2の方法において
は、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高
分子物質用材料中に導電性磁性体粒子が分散された流動
性の混合物よりなる導電部形成用材料を調製する。この
導電部形成用材料の粘度は、温度25℃において100
000〜1000000cpの範囲内であることが好ま
しい。一方、アダフター本体の上面に、硬化処理によっ
て絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料を塗
布し、これを硬化処理することにより、図9(イ)に示
すように、アダフター本体10の上面上に絶縁部用シー
ト体32Aを一体的に形成する。次いで、絶縁部用シー
ト体32Aにおける接続用電極26上に位置する部分
に、例えばレーザーによる穴加工を施すことにより、図
9(ロ)に示すように、当該絶縁部用シート体32Aを
その厚み方向に貫通する導電部用孔31Hを形成する。
そして、絶縁部用シート体32Aに導電部形成用材料を
塗布することにより、図9(ハ)に示すように、絶縁部
用シート体32Aの導電部用孔31H内に導電部形成用
材料31Aを形成する。
は、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高
分子物質用材料中に導電性磁性体粒子が分散された流動
性の混合物よりなる導電部形成用材料を調製する。この
導電部形成用材料の粘度は、温度25℃において100
000〜1000000cpの範囲内であることが好ま
しい。一方、アダフター本体の上面に、硬化処理によっ
て絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料を塗
布し、これを硬化処理することにより、図9(イ)に示
すように、アダフター本体10の上面上に絶縁部用シー
ト体32Aを一体的に形成する。次いで、絶縁部用シー
ト体32Aにおける接続用電極26上に位置する部分
に、例えばレーザーによる穴加工を施すことにより、図
9(ロ)に示すように、当該絶縁部用シート体32Aを
その厚み方向に貫通する導電部用孔31Hを形成する。
そして、絶縁部用シート体32Aに導電部形成用材料を
塗布することにより、図9(ハ)に示すように、絶縁部
用シート体32Aの導電部用孔31H内に導電部形成用
材料31Aを形成する。
【0057】以上において、導電部形成用材料を塗布す
る手段としては、ロール塗布、ブレード塗布、スクリー
ン印刷などの印刷による手段などを用いることができ
る。また、導電部形成用材料層31Aの形成において
は、例えば1×10-3atm以下、好ましくは1×10
-4〜1×10-5atmに減圧された雰囲気下において、
絶縁部用シート体32Aに導電部形成用材料を塗布した
後、雰囲気圧を上昇させて例えば常圧にすることによ
り、導電部形成用材料層31Aを形成することが好まし
い。このような方法によれば、雰囲気圧を上昇させるこ
とにより、導電部用孔31H内の圧力との差により、導
電部形成用材料層31A中に気泡が生ずることを防止す
ることができる。
る手段としては、ロール塗布、ブレード塗布、スクリー
ン印刷などの印刷による手段などを用いることができ
る。また、導電部形成用材料層31Aの形成において
は、例えば1×10-3atm以下、好ましくは1×10
-4〜1×10-5atmに減圧された雰囲気下において、
絶縁部用シート体32Aに導電部形成用材料を塗布した
後、雰囲気圧を上昇させて例えば常圧にすることによ
り、導電部形成用材料層31Aを形成することが好まし
い。このような方法によれば、雰囲気圧を上昇させるこ
とにより、導電部用孔31H内の圧力との差により、導
電部形成用材料層31A中に気泡が生ずることを防止す
ることができる。
【0058】次いで、図10に示すように、前述の上型
36と、下型37とを用い、上型36と下型37との間
に、絶縁部用シート体32Aおよび導電部形成用材料層
31Aが形成されたアダプター本体10を、その接続用
電極26が当該上型36の強磁性体部分Mと下型37の
強磁性体部分Mとの間に位置するよう配置し、更に、上
型36の上面および下型37の下面に一対の電磁石3
8,39を配置する。
36と、下型37とを用い、上型36と下型37との間
に、絶縁部用シート体32Aおよび導電部形成用材料層
31Aが形成されたアダプター本体10を、その接続用
電極26が当該上型36の強磁性体部分Mと下型37の
強磁性体部分Mとの間に位置するよう配置し、更に、上
型36の上面および下型37の下面に一対の電磁石3
8,39を配置する。
【0059】そして、電磁石38,39を作動させるこ
とにより、上型36の強磁性体部分Mからこれに対応す
る下型37の強磁性体部分Mに向かう方向に平行磁場を
作用させる。このとき、磁性体により構成された接続用
電極26の表層部分26Bが磁石として作用するため、
当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の位置よ
り相当に大きい磁力線が集中して発生する結果、図11
に示すように、導電部形成用材料層31Aにおいては、
当該導電部形成用材料層31A中に分散されていた導電
性磁性体粒子が厚み方向に並ぶよう配向する。この状態
で、導電部形成用材料層31Aに対して例えば加熱によ
る硬化処理を行うことにより導電部が形成され、以て、
図1に示すような、厚み方向に伸びる多数の導電部31
とこれらを相互に絶縁する絶縁部32とよりなる異方導
電性エラストマー層30が、当該導電部31が接続用電
極26上に配置された状態でアダプター本体10の上面
に一体的に形成される。
とにより、上型36の強磁性体部分Mからこれに対応す
る下型37の強磁性体部分Mに向かう方向に平行磁場を
作用させる。このとき、磁性体により構成された接続用
電極26の表層部分26Bが磁石として作用するため、
当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の位置よ
り相当に大きい磁力線が集中して発生する結果、図11
に示すように、導電部形成用材料層31Aにおいては、
当該導電部形成用材料層31A中に分散されていた導電
性磁性体粒子が厚み方向に並ぶよう配向する。この状態
で、導電部形成用材料層31Aに対して例えば加熱によ
る硬化処理を行うことにより導電部が形成され、以て、
図1に示すような、厚み方向に伸びる多数の導電部31
とこれらを相互に絶縁する絶縁部32とよりなる異方導
電性エラストマー層30が、当該導電部31が接続用電
極26上に配置された状態でアダプター本体10の上面
に一体的に形成される。
【0060】以上において、導電部形成用材料層31A
に作用される平行磁場の強度、導電部形成用材料層31
Aの硬化処理条件は、第1の方法におけるエラストマー
用材料層と同様である。
に作用される平行磁場の強度、導電部形成用材料層31
Aの硬化処理条件は、第1の方法におけるエラストマー
用材料層と同様である。
【0061】以上のアダプター装置においては、以下に
説明するように、アダプター本体10において、局所的
に高密度に配置された接続用電極26を、広い領域に分
散された端子電極12に容易に電気的に接続することが
できる。例えばコネクター板11の一側から数えて1番
目の機能領域Aの上方に配置された或る接続用電極26
を、第2絶縁層30の短絡部27、第1絶縁層20の配
線部21および短絡部22によって、当該機能領域Aに
おける適宜の位置の副中継電極16に電気的に接続した
とする。この機能領域Aにおける副中継電極16は、そ
の他側に隣接する機能領域Bにおける中継電極15と共
通化電極を形成しているため、当該機能領域Bにおける
中継電極15に、機能領域Aの上方に配置された接続用
電極26が電気的に接続された状態となる。
説明するように、アダプター本体10において、局所的
に高密度に配置された接続用電極26を、広い領域に分
散された端子電極12に容易に電気的に接続することが
できる。例えばコネクター板11の一側から数えて1番
目の機能領域Aの上方に配置された或る接続用電極26
を、第2絶縁層30の短絡部27、第1絶縁層20の配
線部21および短絡部22によって、当該機能領域Aに
おける適宜の位置の副中継電極16に電気的に接続した
とする。この機能領域Aにおける副中継電極16は、そ
の他側に隣接する機能領域Bにおける中継電極15と共
通化電極を形成しているため、当該機能領域Bにおける
中継電極15に、機能領域Aの上方に配置された接続用
電極26が電気的に接続された状態となる。
【0062】また、コネクター板11の一側から数えて
2番目の機能領域Bの上方に配置された或る接続用電極
26を、第2絶縁層30の短絡部27、第1絶縁層20
の配線部21および短絡部22によって、当該機能領域
Bにおける適宜の位置の副中継電極16に電気的に接続
したとする。この機能領域Bにおける副中継電極16
は、その他側に隣接する機能領域Cにおける中継電極1
5と共通化電極を形成しているため、当該機能領域Cに
おける中継電極15に、機能領域Bの上方に配置された
接続用電極26が電気的に接続された状態となる。
2番目の機能領域Bの上方に配置された或る接続用電極
26を、第2絶縁層30の短絡部27、第1絶縁層20
の配線部21および短絡部22によって、当該機能領域
Bにおける適宜の位置の副中継電極16に電気的に接続
したとする。この機能領域Bにおける副中継電極16
は、その他側に隣接する機能領域Cにおける中継電極1
5と共通化電極を形成しているため、当該機能領域Cに
おける中継電極15に、機能領域Bの上方に配置された
接続用電極26が電気的に接続された状態となる。
【0063】以上のように、或る接続用電極26が、こ
れに接近した位置の機能領域における副中継電極16に
対して電気的に接続されることにより、これと同時に当
該接続用電極26から離間した位置の機能領域における
中継電極15にも電気的に接続された状態が達成され
る。
れに接近した位置の機能領域における副中継電極16に
対して電気的に接続されることにより、これと同時に当
該接続用電極26から離間した位置の機能領域における
中継電極15にも電気的に接続された状態が達成され
る。
【0064】このようなアダプター装置によれば、その
アダプター本体10の製造において、接続用電極26
を、これに接近した位置の機能領域における副中継電極
16に電気的に接続することにより、当該接続用電極2
6にそれから離間した位置の機能領域における中継電極
15にも電気的に接続した状態が達成されるので、被検
査基板が局所的に高密度に配置された被検査電極を有す
るものであっても、当該被検査電極に対応したパターン
すなわち局所的に高密度に配置された接続用電極26
を、広い領域に分散された状態で配置された端子電極1
2に容易に電気的に接続することができる。
アダプター本体10の製造において、接続用電極26
を、これに接近した位置の機能領域における副中継電極
16に電気的に接続することにより、当該接続用電極2
6にそれから離間した位置の機能領域における中継電極
15にも電気的に接続した状態が達成されるので、被検
査基板が局所的に高密度に配置された被検査電極を有す
るものであっても、当該被検査電極に対応したパターン
すなわち局所的に高密度に配置された接続用電極26
を、広い領域に分散された状態で配置された端子電極1
2に容易に電気的に接続することができる。
【0065】また、接続用電極26を、これに接近した
位置の中継電極15または副中継電極16に電気的に接
続すればよいため、コネクター板11上に形成される絶
縁層の数を少なくすることができ、しかも、コネクター
板11は、異なるパターンの接続用電極を有するアダプ
ター本体についても同様の構成のものを使用することが
できるために量産化が可能である。従って、小さいコス
トでアダプター装置を製造することができる。
位置の中継電極15または副中継電極16に電気的に接
続すればよいため、コネクター板11上に形成される絶
縁層の数を少なくすることができ、しかも、コネクター
板11は、異なるパターンの接続用電極を有するアダプ
ター本体についても同様の構成のものを使用することが
できるために量産化が可能である。従って、小さいコス
トでアダプター装置を製造することができる。
【0066】また、図示の例のように、副中継電極16
を有する機能領域A,B,Cが連続して形成されること
により、接続用電極26が、互いに離間した複数の個所
例えば機能領域Aの直上の個所および機能領域Bの直上
の個所において高密度に配置される場合でも、これらの
複数の個所の各々における接続用電極26を、広い領域
に分散された状態で配置された端子電極12に容易に電
気的に接続することができる。
を有する機能領域A,B,Cが連続して形成されること
により、接続用電極26が、互いに離間した複数の個所
例えば機能領域Aの直上の個所および機能領域Bの直上
の個所において高密度に配置される場合でも、これらの
複数の個所の各々における接続用電極26を、広い領域
に分散された状態で配置された端子電極12に容易に電
気的に接続することができる。
【0067】また、アダプター本体10の上面に異方導
電性エラストマー層30が一体的に形成されており、し
かもアダプター本体10の接続用電極26上に異方導電
性エラストマー層30の導電部31が配置されているた
め、電気的接続作業時に異方導電性エラストマー層30
の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であ
り、従って検検査回路装置の被検査電極の配置ピッチが
微小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達成す
ることができる。
電性エラストマー層30が一体的に形成されており、し
かもアダプター本体10の接続用電極26上に異方導電
性エラストマー層30の導電部31が配置されているた
め、電気的接続作業時に異方導電性エラストマー層30
の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であ
り、従って検検査回路装置の被検査電極の配置ピッチが
微小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達成す
ることができる。
【0068】更に、異方導電性エラストマー層40はア
ダプター本体10と一体であるため、温度変化による熱
履歴などの環境の変化に対しても、良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って常に高い接続信頼性を得る
ことができる。
ダプター本体10と一体であるため、温度変化による熱
履歴などの環境の変化に対しても、良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って常に高い接続信頼性を得る
ことができる。
【0069】また、アダプター本体10における接続用
電極26の表層部分26Bが磁性体により構成されてい
ることにより、当該アダプター本体10の上面に異方導
電性エラストマー層30を形成する際に、厚み方向に平
行磁場を作用させたときには、磁性体により構成された
接続用電極26の表層部分26Bが磁石として作用する
ため、当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の
位置より相当に大きい磁力線が集中して発生する。これ
により、接続用電極26の配置ピッチが極めて小さいも
のであっても、当該接続用電極26の上方位置に導電性
粒子が集合し、更に厚み方向に配向するので、接続用電
極26上に配置され、かつ互いに絶縁部32によって絶
縁された複数の導電部31を有する所期の異方導電性エ
ラストマー層30を形成することができる。従って、被
検査回路基板の被検査電極が、その配置ピッチが微小で
あり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである
場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確
実に達成することができる。
電極26の表層部分26Bが磁性体により構成されてい
ることにより、当該アダプター本体10の上面に異方導
電性エラストマー層30を形成する際に、厚み方向に平
行磁場を作用させたときには、磁性体により構成された
接続用電極26の表層部分26Bが磁石として作用する
ため、当該接続用電極26の上方位置には、それ以外の
位置より相当に大きい磁力線が集中して発生する。これ
により、接続用電極26の配置ピッチが極めて小さいも
のであっても、当該接続用電極26の上方位置に導電性
粒子が集合し、更に厚み方向に配向するので、接続用電
極26上に配置され、かつ互いに絶縁部32によって絶
縁された複数の導電部31を有する所期の異方導電性エ
ラストマー層30を形成することができる。従って、被
検査回路基板の被検査電極が、その配置ピッチが微小で
あり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである
場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確
実に達成することができる。
【0070】以上のアダプター装置は、アダプター本体
10におけるコネクター板11の上面の領域が4分割さ
れて4つの機能領域が形成された例であるが、本発明に
おいて、コネクター板の上面に形成される機能領域の数
は4つに限定されず、2つ若しくは3つまたは5つ以上
であってもよい。また、コネクター板の上面の分割され
る方向は同一の方向のみに限定されず、例えばコネクタ
ー板の上面が縦方向およびこれと垂直な横方向の各々に
おいて分割されて複数の機能領域が形成されていてもよ
い。
10におけるコネクター板11の上面の領域が4分割さ
れて4つの機能領域が形成された例であるが、本発明に
おいて、コネクター板の上面に形成される機能領域の数
は4つに限定されず、2つ若しくは3つまたは5つ以上
であってもよい。また、コネクター板の上面の分割され
る方向は同一の方向のみに限定されず、例えばコネクタ
ー板の上面が縦方向およびこれと垂直な横方向の各々に
おいて分割されて複数の機能領域が形成されていてもよ
い。
【0071】図12は、コネクター板の他の例における
中継電極および副中継電極の配置状態並びに機能領域を
示す説明図である。このコネクター板11の上面には、
当該上面の領域が一点鎖線で示すように縦方向(図12
で上下方向)において4分割されると共に横方向(図1
2で左右方向)において2分割されて互いに等しい矩形
の合計8つの機能領域A1,B1,C1,D1,A2,
B2,C2,D2が、一側(図12で左側)から他側に
向かって2列に並ぶよう形成されている。
中継電極および副中継電極の配置状態並びに機能領域を
示す説明図である。このコネクター板11の上面には、
当該上面の領域が一点鎖線で示すように縦方向(図12
で上下方向)において4分割されると共に横方向(図1
2で左右方向)において2分割されて互いに等しい矩形
の合計8つの機能領域A1,B1,C1,D1,A2,
B2,C2,D2が、一側(図12で左側)から他側に
向かって2列に並ぶよう形成されている。
【0072】機能領域A1〜D1,A2〜D2の各々に
は、互いに対応する複数の中継電極(図12において
「○」で示す)15が、縦j行、横k列で並ぶ格子点位
置に従って配置されている。図12においては、各機能
領域における中継電極15の各々を特定するために、機
能領域A1〜D1,A2〜D2の各々における第j行第
k列の位置にある中継電極15が「(j,k)」の記号
で表示され、さらに機能領域までを特定するために、記
号「(j,k)」の先頭に機能領域を示す記号A1〜D
1,A2〜D2が付されている。また、この例のコネク
ター板11においては、例えは中継電極の15の総数が
下面に形成された端子電極(図示省略)の総数の2倍と
され、中継電極15の密度が端子電極の密度の2倍とさ
れている。そして、縦方向に互いに隣接する機能領域
間、すなわち、機能領域A1および機能領域A2間、機
能領域B1および機能領域B2間、機能領域C1および
機能領域C2間並びに機能領域D1および機能領域D2
間の各々において、それぞれ対応する中継電極15同士
が電気的に接続されて共通化電極が形成されている。具
体的には、例えば中継電極A1(i,j)と中継電極A
2(i,j)とが電気的に接続されてこれらの中継電極
の組よりなる共通化電極が形成されている。この2つの
中継電極15の組よりなる共通化電極は、一つの端子電
極に電気的に接続されている。
は、互いに対応する複数の中継電極(図12において
「○」で示す)15が、縦j行、横k列で並ぶ格子点位
置に従って配置されている。図12においては、各機能
領域における中継電極15の各々を特定するために、機
能領域A1〜D1,A2〜D2の各々における第j行第
k列の位置にある中継電極15が「(j,k)」の記号
で表示され、さらに機能領域までを特定するために、記
号「(j,k)」の先頭に機能領域を示す記号A1〜D
1,A2〜D2が付されている。また、この例のコネク
ター板11においては、例えは中継電極の15の総数が
下面に形成された端子電極(図示省略)の総数の2倍と
され、中継電極15の密度が端子電極の密度の2倍とさ
れている。そして、縦方向に互いに隣接する機能領域
間、すなわち、機能領域A1および機能領域A2間、機
能領域B1および機能領域B2間、機能領域C1および
機能領域C2間並びに機能領域D1および機能領域D2
間の各々において、それぞれ対応する中継電極15同士
が電気的に接続されて共通化電極が形成されている。具
体的には、例えば中継電極A1(i,j)と中継電極A
2(i,j)とが電気的に接続されてこれらの中継電極
の組よりなる共通化電極が形成されている。この2つの
中継電極15の組よりなる共通化電極は、一つの端子電
極に電気的に接続されている。
【0073】8つの機能領域のうち、1列目(図12に
おいて上の列)の一側(図12において左側)から数え
て1番目、2番目および3番目の機能領域A1,B1,
C1および2列目の一側(図12において左側)から数
えて1番目、2番目および3番目の機能領域A2,B
2,C2には、中継電極15と同数の副中継電極(図1
2において「●」で示す)16が、格子点位置に従って
かつ中継電極15の各々と互いに等間隔となる状態で配
置されている。そして、機能領域A1,B1,C1,A
2,B2,C2の各々における副中継電極16は、当該
機能領域の他側に隣接する他の機能領域B1,C1,D
1,B2,C2,D2における対応する中継電極15に
電気的に接続され、これにより、或る機能領域における
副中継電極16と、隣接する他の機能領域における中継
電極15との組よりなる共通化電極が形成されている。
おいて上の列)の一側(図12において左側)から数え
て1番目、2番目および3番目の機能領域A1,B1,
C1および2列目の一側(図12において左側)から数
えて1番目、2番目および3番目の機能領域A2,B
2,C2には、中継電極15と同数の副中継電極(図1
2において「●」で示す)16が、格子点位置に従って
かつ中継電極15の各々と互いに等間隔となる状態で配
置されている。そして、機能領域A1,B1,C1,A
2,B2,C2の各々における副中継電極16は、当該
機能領域の他側に隣接する他の機能領域B1,C1,D
1,B2,C2,D2における対応する中継電極15に
電気的に接続され、これにより、或る機能領域における
副中継電極16と、隣接する他の機能領域における中継
電極15との組よりなる共通化電極が形成されている。
【0074】以上のコネクター板11を有するアダプタ
ー本体においては、例えばコネクター板11の1列目の
一側から数えて1番目の機能領域A1の上方に配置され
た或る接続用電極を、当該機能領域A1における適宜の
位置の副中継電極16に電気的に接続することにより、
この機能領域A1における副中継電極16は、その他側
に隣接する機能領域B1における中継電極15と共通化
電極を形成しているため、当該機能領域B1における中
継電極15に、機能領域A1の上方に配置された接続用
電極が電気的に接続された状態となる。
ー本体においては、例えばコネクター板11の1列目の
一側から数えて1番目の機能領域A1の上方に配置され
た或る接続用電極を、当該機能領域A1における適宜の
位置の副中継電極16に電気的に接続することにより、
この機能領域A1における副中継電極16は、その他側
に隣接する機能領域B1における中継電極15と共通化
電極を形成しているため、当該機能領域B1における中
継電極15に、機能領域A1の上方に配置された接続用
電極が電気的に接続された状態となる。
【0075】また、コネクター板11の2列目の一側か
ら数えて1番目の機能領域A2の上方に配置された或る
接続用電極を、当該機能領域A2における適宜の位置の
副中継電極16に電気的に接続することにより、この機
能領域A2における副中継電極16は、その他側に隣接
する機能領域B2における中継電極15と共通化電極を
形成しているため、当該機能領域B2における中継電極
15に、機能領域A1の上方に配置された接続用電極が
電気的に接続された状態となる。
ら数えて1番目の機能領域A2の上方に配置された或る
接続用電極を、当該機能領域A2における適宜の位置の
副中継電極16に電気的に接続することにより、この機
能領域A2における副中継電極16は、その他側に隣接
する機能領域B2における中継電極15と共通化電極を
形成しているため、当該機能領域B2における中継電極
15に、機能領域A1の上方に配置された接続用電極が
電気的に接続された状態となる。
【0076】このようなアダプター本体を有するアダプ
ター装置によれば、図1に示すアダプター装置と同様
に、複数の個所に被検査基板が局所的に高密度に配置さ
れた被検査電極を有するものであっても、当該被検査電
極に対応したパターンすなわち局所的に高密度に配置さ
れた接続用電極を、広い領域に分散された状態で配置さ
れた端子電極に容易に電気的に接続することができると
共に、当該アダプター装置を小さいコストで製造するこ
とができる。
ター装置によれば、図1に示すアダプター装置と同様
に、複数の個所に被検査基板が局所的に高密度に配置さ
れた被検査電極を有するものであっても、当該被検査電
極に対応したパターンすなわち局所的に高密度に配置さ
れた接続用電極を、広い領域に分散された状態で配置さ
れた端子電極に容易に電気的に接続することができると
共に、当該アダプター装置を小さいコストで製造するこ
とができる。
【0077】〈回路基板の検査装置〉図13は、本発明
に係る回路基板の検査装置の一例における構成を示す説
明図である。図13において、1は検査すべき被検査回
路基板であって、その両面に被検査電極2,3が形成さ
れている。そして、この被検査回路基板1の下方には、
図1に示すような構成の下部側アダプター装置40a、
第1の異方導電性シート41a、下部側仲介ピン装置4
5aおよび下部側検査ヘッド50aが上からこの順で配
置され、被検査回路基板1の上方には、図1に示すよう
な構成の上部側アダプター装置40b、第1の異方導電
性シート41b、上部側仲介ピン装置45bおよび上部
側検査ヘッド50bが下からこの順で配置されている。
ここで、第1の異方導電性シート41a,41bは、い
ずれもその厚み方向にのみ導電路を形成する導電路形成
部が形成されてなるものである。このような第1の異方
導電性シート41a,41bとしては、各導電路形成部
が少なくとも一面において厚み方向に突出するよう形成
されているものが、高い電気的な接触安定性を発揮する
点で好ましい。
に係る回路基板の検査装置の一例における構成を示す説
明図である。図13において、1は検査すべき被検査回
路基板であって、その両面に被検査電極2,3が形成さ
れている。そして、この被検査回路基板1の下方には、
図1に示すような構成の下部側アダプター装置40a、
第1の異方導電性シート41a、下部側仲介ピン装置4
5aおよび下部側検査ヘッド50aが上からこの順で配
置され、被検査回路基板1の上方には、図1に示すよう
な構成の上部側アダプター装置40b、第1の異方導電
性シート41b、上部側仲介ピン装置45bおよび上部
側検査ヘッド50bが下からこの順で配置されている。
ここで、第1の異方導電性シート41a,41bは、い
ずれもその厚み方向にのみ導電路を形成する導電路形成
部が形成されてなるものである。このような第1の異方
導電性シート41a,41bとしては、各導電路形成部
が少なくとも一面において厚み方向に突出するよう形成
されているものが、高い電気的な接触安定性を発揮する
点で好ましい。
【0078】下部側仲介ピン装置45aは、多数の導電
ピン46aと、これら多数の導電ピン46aの各々を、
アダプター装置40aの端子電極12に対応する格子点
位置に配列された状態で上下方向に伸びるよう支持する
ための導電ピン支持機構47aとにより構成されてい
る。導電ピン支持機構47aにおいては、各導電ピン4
6aをその下側の基端部分において挿通支持する水平な
基端側支持板48aが設けられ、この基端側支持板48
aの上方には、各導電ピン46aをその中央部分におい
て挿通支持する水平な中央支持板49aが設けられてい
る。
ピン46aと、これら多数の導電ピン46aの各々を、
アダプター装置40aの端子電極12に対応する格子点
位置に配列された状態で上下方向に伸びるよう支持する
ための導電ピン支持機構47aとにより構成されてい
る。導電ピン支持機構47aにおいては、各導電ピン4
6aをその下側の基端部分において挿通支持する水平な
基端側支持板48aが設けられ、この基端側支持板48
aの上方には、各導電ピン46aをその中央部分におい
て挿通支持する水平な中央支持板49aが設けられてい
る。
【0079】下部側検査ヘッド50aは、多層配線板よ
りなる検査電極板装置51aと、この検査電極板装置5
1aの上面に配置された弾性を有する第2の異方導電性
シート55aとにより構成されており、検査電極板装置
51aの上面には、アダプター装置40aの端子電極1
2と同一の配置ピッチの格子点位置に複数の検査電極5
2aが形成されている。第2の異方導電性シート55a
は、その厚み方向にのみ導電路を形成する導電路形成部
が形成されてなるものであり、第1の異方導電性シート
41aと同様に、導電路形成部が少なくともその一面に
おいて厚み方向に突出するよう形成されていることが好
ましい。
りなる検査電極板装置51aと、この検査電極板装置5
1aの上面に配置された弾性を有する第2の異方導電性
シート55aとにより構成されており、検査電極板装置
51aの上面には、アダプター装置40aの端子電極1
2と同一の配置ピッチの格子点位置に複数の検査電極5
2aが形成されている。第2の異方導電性シート55a
は、その厚み方向にのみ導電路を形成する導電路形成部
が形成されてなるものであり、第1の異方導電性シート
41aと同様に、導電路形成部が少なくともその一面に
おいて厚み方向に突出するよう形成されていることが好
ましい。
【0080】検査電極板装置51aにおいては、図14
に示すように、検査電極52aが形成された上面の領域
が例えば縦方向および横方向の各々において2分割され
て互いに同一の検査電極配置を有する4つの機能領域
F,G,H,Iが形成されており、機能領域F,G,
H,Iの各々においては、互いに対応する複数の検査電
極52aが、縦m行、横n列で並ぶ格子点位置に従って
配置されている。ここで、機能領域F,G,H,Iの各
々において、縦m行、横n列で並ぶ検査電極52aの特
定の位置にあるものを特定するために、第m行第n列の
位置にある検査電極52aの番地表示を(m,n)と
し、さらに機能領域までを特定する場合には、当該番地
表示の先頭に機能領域を示す記号F,G,H,Iを付し
て表わすこととする。例えば、機能領域Fにおける第1
行第1列にある検査電極52aはF(1,1)で表わさ
れる。
に示すように、検査電極52aが形成された上面の領域
が例えば縦方向および横方向の各々において2分割され
て互いに同一の検査電極配置を有する4つの機能領域
F,G,H,Iが形成されており、機能領域F,G,
H,Iの各々においては、互いに対応する複数の検査電
極52aが、縦m行、横n列で並ぶ格子点位置に従って
配置されている。ここで、機能領域F,G,H,Iの各
々において、縦m行、横n列で並ぶ検査電極52aの特
定の位置にあるものを特定するために、第m行第n列の
位置にある検査電極52aの番地表示を(m,n)と
し、さらに機能領域までを特定する場合には、当該番地
表示の先頭に機能領域を示す記号F,G,H,Iを付し
て表わすこととする。例えば、機能領域Fにおける第1
行第1列にある検査電極52aはF(1,1)で表わさ
れる。
【0081】そして、機能領域F,G,H,Iの各々に
おける対応関係にある検査電極52aは互いに電気的に
接続されて共通化電極が形成されている。すなわち、同
一の番地表示(m,n)を有する検査電極52aは機能
領域F,G,H,Iの各々にあって合計4つ存在する
が、これら同一の番地表示を有する4つの検査電極52
aを互いに電気的に接続させるのである。従って、図示
の例では、或る共通化電極は、電気的に接続されている
4つの分岐された端子としての検査電極F(m,n)、
G(m,n)、H(m,n)およびG(m,n)よりな
るものとなる。
おける対応関係にある検査電極52aは互いに電気的に
接続されて共通化電極が形成されている。すなわち、同
一の番地表示(m,n)を有する検査電極52aは機能
領域F,G,H,Iの各々にあって合計4つ存在する
が、これら同一の番地表示を有する4つの検査電極52
aを互いに電気的に接続させるのである。従って、図示
の例では、或る共通化電極は、電気的に接続されている
4つの分岐された端子としての検査電極F(m,n)、
G(m,n)、H(m,n)およびG(m,n)よりな
るものとなる。
【0082】以上の同一の番地表示(m,n)を有する
検査電極52aは、当該検査電極板装置50aを構成す
る多層配線板に形成された適宜のパターンの配線路53
a(破線で示す)によって互いに電気的に接続されてい
る。また、配線路53aの端部によって、検査電極板装
置50aの下面における一側(図13で左側)に、外部
引出し端子部54aが形成されており、この外部引出し
端子部54aは、着脱自在に接続されたコネクター56
aにより、テスターの検査回路60に電気的に接続され
ている。
検査電極52aは、当該検査電極板装置50aを構成す
る多層配線板に形成された適宜のパターンの配線路53
a(破線で示す)によって互いに電気的に接続されてい
る。また、配線路53aの端部によって、検査電極板装
置50aの下面における一側(図13で左側)に、外部
引出し端子部54aが形成されており、この外部引出し
端子部54aは、着脱自在に接続されたコネクター56
aにより、テスターの検査回路60に電気的に接続され
ている。
【0083】上部側仲介ピン装置45bは、多数の導電
ピン46bと、これら多数の導電ピン46bの各々を、
アダプター装置40bの端子電極12に対応する格子点
位置に配列された状態で上下方向に伸びるよう支持する
ための導電ピン支持機構47bとにより構成され、導電
ピン支持機構47bは、各導電ピン46bをその上側の
基端部分において挿通支持する水平な基端側支持板48
bと、各導電ピン46bをその中央部分において挿通支
持する水平な中央支持板49bとにより構成されてい
る。これらは、下部側仲介ピン装置45aにおける導電
ピン46aおよび導電ピン支持機構47aに対応するも
のである。
ピン46bと、これら多数の導電ピン46bの各々を、
アダプター装置40bの端子電極12に対応する格子点
位置に配列された状態で上下方向に伸びるよう支持する
ための導電ピン支持機構47bとにより構成され、導電
ピン支持機構47bは、各導電ピン46bをその上側の
基端部分において挿通支持する水平な基端側支持板48
bと、各導電ピン46bをその中央部分において挿通支
持する水平な中央支持板49bとにより構成されてい
る。これらは、下部側仲介ピン装置45aにおける導電
ピン46aおよび導電ピン支持機構47aに対応するも
のである。
【0084】上部側検査ヘッド50bは、下面にアダプ
ター装置41bの端子電極12と同一の配置ピッチの格
子点位置に形成された複数の検査電極52aを有する、
多層配線板よりなる検査電極板装置51bと、この検査
電極板装置51bの下面に配置された弾性を有する第2
の異方導電性シート55bとにより構成されている。こ
れらは、下部側検査ヘッド50aにおける検査電極板装
置51aおよび第2の異方導電性シート55aに対応す
るものである。すなわち、検査電極板装置51bにおい
ては、検査電極52bが形成された下面の領域が分割さ
れて互いに同一の検査電極配置を有する複数の機能領域
が形成されており、これらの機能領域の各々における対
応位置にある検査電極52bは、適宜のパターンの配線
路53b(破線で示す)によって互いに電気的に接続さ
れて共通化電極が形成されている。また、配線路53b
の端部によって、検査電極板装置50bの上面における
一側に、外部引出し端子部54bが形成されており、こ
の外部引出し端子部54bは、着脱自在に接続されたコ
ネクター56bにより、テスターの検査回路60に電気
的に接続されている。
ター装置41bの端子電極12と同一の配置ピッチの格
子点位置に形成された複数の検査電極52aを有する、
多層配線板よりなる検査電極板装置51bと、この検査
電極板装置51bの下面に配置された弾性を有する第2
の異方導電性シート55bとにより構成されている。こ
れらは、下部側検査ヘッド50aにおける検査電極板装
置51aおよび第2の異方導電性シート55aに対応す
るものである。すなわち、検査電極板装置51bにおい
ては、検査電極52bが形成された下面の領域が分割さ
れて互いに同一の検査電極配置を有する複数の機能領域
が形成されており、これらの機能領域の各々における対
応位置にある検査電極52bは、適宜のパターンの配線
路53b(破線で示す)によって互いに電気的に接続さ
れて共通化電極が形成されている。また、配線路53b
の端部によって、検査電極板装置50bの上面における
一側に、外部引出し端子部54bが形成されており、こ
の外部引出し端子部54bは、着脱自在に接続されたコ
ネクター56bにより、テスターの検査回路60に電気
的に接続されている。
【0085】このような回路基板の検査装置において
は、検査すべき被検査回路基板1が適宜の手段によっ
て、下部側アダプター装置40aと上部側アダプター装
置40bとの間に配置される。そして、押圧板65によ
って下部側検査ヘッド50aの検査電極板装置51aが
上方に押圧されることにより、下部側アダプター装置4
0a、第1の異方導電性シート41a、下部側仲介ピン
装置45aおよび下部側検査ヘッド50aの全体が上昇
し、これにより、被検査回路基板1が下部側アダプター
装置40aと上部側アダプター装置40bとによって挟
圧される。
は、検査すべき被検査回路基板1が適宜の手段によっ
て、下部側アダプター装置40aと上部側アダプター装
置40bとの間に配置される。そして、押圧板65によ
って下部側検査ヘッド50aの検査電極板装置51aが
上方に押圧されることにより、下部側アダプター装置4
0a、第1の異方導電性シート41a、下部側仲介ピン
装置45aおよび下部側検査ヘッド50aの全体が上昇
し、これにより、被検査回路基板1が下部側アダプター
装置40aと上部側アダプター装置40bとによって挟
圧される。
【0086】この状態においては、被検査回路基板1の
下面における被検査電極2は、下部側アダプター装置4
0aの接続用電極26に、当該異方導電性エラストマー
層の導電部31を介して電気的に接続され、この下部側
アダプター装置40aの端子電極12は、第1の異方導
電性シート41aを介して、下部側仲介ピン装置45a
における導電ピン46aの先端に電気的に接続され、こ
の導電ピン46aの基端は、第2の異方導電性シート5
5aを介して、検査電極板装置51aの検査電極52a
に電気的に接続されている。一方、被検査回路基板1の
上面における被検査電極3は、上部側アダプター装置4
0bの接続用電極26に、当該異方導電性エラストマー
層の導電部31を介して電気的に接続され、この下部側
アダプター装置40bの端子電極12は、第1の異方導
電性シート41bを介して、上部側仲介ピン装置45b
における導電ピン46bの先端に電気的に接続され、こ
の導電ピン46bの基端は、第2の異方導電性シート5
5bを介して、検査電極板装置51bの検査電極52b
に電気的に接続されている。
下面における被検査電極2は、下部側アダプター装置4
0aの接続用電極26に、当該異方導電性エラストマー
層の導電部31を介して電気的に接続され、この下部側
アダプター装置40aの端子電極12は、第1の異方導
電性シート41aを介して、下部側仲介ピン装置45a
における導電ピン46aの先端に電気的に接続され、こ
の導電ピン46aの基端は、第2の異方導電性シート5
5aを介して、検査電極板装置51aの検査電極52a
に電気的に接続されている。一方、被検査回路基板1の
上面における被検査電極3は、上部側アダプター装置4
0bの接続用電極26に、当該異方導電性エラストマー
層の導電部31を介して電気的に接続され、この下部側
アダプター装置40bの端子電極12は、第1の異方導
電性シート41bを介して、上部側仲介ピン装置45b
における導電ピン46bの先端に電気的に接続され、こ
の導電ピン46bの基端は、第2の異方導電性シート5
5bを介して、検査電極板装置51bの検査電極52b
に電気的に接続されている。
【0087】このようにして、被検査回路基板1の下面
および上面の両方の被検査電極2,3の各々が、下部側
検査ヘッド50aにおける検査電極板装置51aの検査
電極52aおよび上部側検査ヘッド50bにおける検査
電極板装置51bの検査電極52bと電気的に接続され
ることにより、テスターの検査回路60に電気的に接続
された状態が達成され、この状態で所要の電気的検査が
行われる。
および上面の両方の被検査電極2,3の各々が、下部側
検査ヘッド50aにおける検査電極板装置51aの検査
電極52aおよび上部側検査ヘッド50bにおける検査
電極板装置51bの検査電極52bと電気的に接続され
ることにより、テスターの検査回路60に電気的に接続
された状態が達成され、この状態で所要の電気的検査が
行われる。
【0088】上記の回路基板の検査装置によれば、本発
明に係る下部側アダプター装置40aおよび上部側アダ
プター装置40bを有するため、被検査回路基板1の被
検査電極2,3が高密度で配置されてなるものであって
も、当該被検査回路基板1の電気的検査を小さいコスト
で実行することができる。また、電気的接続作業時に異
方導電性エラストマー層30の位置合わせおよび保持固
定を行うことが全く不要であり、従って検検査回路装置
の被検査電極の配置ピッチが微小である場合にも、所要
の電気的接続を確実に達成することができる。更に、温
度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても、良好
な電気的接続状態が安定に維持され、従って常に高い接
続信頼性を得ることができる。
明に係る下部側アダプター装置40aおよび上部側アダ
プター装置40bを有するため、被検査回路基板1の被
検査電極2,3が高密度で配置されてなるものであって
も、当該被検査回路基板1の電気的検査を小さいコスト
で実行することができる。また、電気的接続作業時に異
方導電性エラストマー層30の位置合わせおよび保持固
定を行うことが全く不要であり、従って検検査回路装置
の被検査電極の配置ピッチが微小である場合にも、所要
の電気的接続を確実に達成することができる。更に、温
度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても、良好
な電気的接続状態が安定に維持され、従って常に高い接
続信頼性を得ることができる。
【0089】また、下部側検査ヘッド50aおよび上部
側検査ヘッド50bの検査電極板装置51a,51bに
おいて、その複数の機能領域において同一の配置状態で
検査電極52a,52bが形成されていると共に、各機
能領域における対応する位置にある検査電極52a,5
2bが配線路53a,53bによって互いに電気的に接
続されて共通化電極とされているため、被検査回路基板
1における或る被検査電極2,3と導通する検査電極5
2a,52bが各機能領域のいずれにも存在する。従っ
て、被検査回路基板1における被検査電極2,3とテス
ターの検査回路60との電気的接続を大きな自由度で行
うことができると共に、テスターの検査回路60に接続
すべき端子数は、共通化電極の数でよいから、検査電極
52a,52bの総数に比して大幅に減少する。その結
果、被検査回路基板1上の被検査電極2,3が特定の個
所に非常に高密度化された状態に形成されたものであっ
ても、当該個所とは離隔した機能領域の共通化電極を利
用して、すなわち、いわば当該共通化電極によって分散
された位置の検査電極52a,52bを利用することに
より、所要の電気的な接続を容易に達成することができ
ると共に、高い信頼性の検査を実行することができる。
側検査ヘッド50bの検査電極板装置51a,51bに
おいて、その複数の機能領域において同一の配置状態で
検査電極52a,52bが形成されていると共に、各機
能領域における対応する位置にある検査電極52a,5
2bが配線路53a,53bによって互いに電気的に接
続されて共通化電極とされているため、被検査回路基板
1における或る被検査電極2,3と導通する検査電極5
2a,52bが各機能領域のいずれにも存在する。従っ
て、被検査回路基板1における被検査電極2,3とテス
ターの検査回路60との電気的接続を大きな自由度で行
うことができると共に、テスターの検査回路60に接続
すべき端子数は、共通化電極の数でよいから、検査電極
52a,52bの総数に比して大幅に減少する。その結
果、被検査回路基板1上の被検査電極2,3が特定の個
所に非常に高密度化された状態に形成されたものであっ
ても、当該個所とは離隔した機能領域の共通化電極を利
用して、すなわち、いわば当該共通化電極によって分散
された位置の検査電極52a,52bを利用することに
より、所要の電気的な接続を容易に達成することができ
ると共に、高い信頼性の検査を実行することができる。
【0090】また、検査電極板装置51a,51bにお
いて、各機能領域における検査電極52a,52bを共
通化電極とすることにより、検査電極板装置51a,5
1b全体の検査電極52a,52bの利用効率が高くな
るため、無駄な検査電極が大幅に減少し、極めて高い効
率で検査を実施することができる。
いて、各機能領域における検査電極52a,52bを共
通化電極とすることにより、検査電極板装置51a,5
1b全体の検査電極52a,52bの利用効率が高くな
るため、無駄な検査電極が大幅に減少し、極めて高い効
率で検査を実施することができる。
【0091】以上、本発明のアダプター装置およびこれ
を具えた回路基板の検査装置について説明したが、本発
明のアダプター装置は、回路基板の検査用のものに限定
されず、種々の用途に使用することができる。
を具えた回路基板の検査装置について説明したが、本発
明のアダプター装置は、回路基板の検査用のものに限定
されず、種々の用途に使用することができる。
【0092】
【発明の効果】本発明のアダプター装置によれば、接続
すべき回路基板の電極が局所的に高密度で配置されてな
るものであっても、当該電極に対応したパターンの接続
用電極を、広い領域に分散された状態で配置された端子
電極に容易に電気的に接続することができると共に、当
該アダプター装置を小さいコストで製造することができ
る。また、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って
高い接続信頼性が得られる。更に、接続用電極の一部を
磁性体により構成することにより、接続すべき回路基板
の電極が、その配置ピッチが微小であり、かつ微細で高
密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路
基板について所要の電気的接続を確実に達成することが
できる。
すべき回路基板の電極が局所的に高密度で配置されてな
るものであっても、当該電極に対応したパターンの接続
用電極を、広い領域に分散された状態で配置された端子
電極に容易に電気的に接続することができると共に、当
該アダプター装置を小さいコストで製造することができ
る。また、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って
高い接続信頼性が得られる。更に、接続用電極の一部を
磁性体により構成することにより、接続すべき回路基板
の電極が、その配置ピッチが微小であり、かつ微細で高
密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路
基板について所要の電気的接続を確実に達成することが
できる。
【0093】本発明の回路基板の検査装置によれば、検
査すべき回路基板の被検査電極が高密度に配置されてな
るものであっても、当該回路基板の電気的検査を小さい
コストで実行することができる。また、本発明の回路基
板の検査装置によれば、高密度で配置された被検査電極
を有する回路基板について、テスターの検査回路に対す
る電気的な接続を高い効率で容易に達成することがで
き、十分に高い信頼性をもって所要の電気的検査を行う
ことができる。
査すべき回路基板の被検査電極が高密度に配置されてな
るものであっても、当該回路基板の電気的検査を小さい
コストで実行することができる。また、本発明の回路基
板の検査装置によれば、高密度で配置された被検査電極
を有する回路基板について、テスターの検査回路に対す
る電気的な接続を高い効率で容易に達成することがで
き、十分に高い信頼性をもって所要の電気的検査を行う
ことができる。
【図1】本発明に係るアダプター装置の一例における構
成を一部を破断して示す説明図である。
成を一部を破断して示す説明図である。
【図2】アダプター本体におけるコネクター板の構成を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図3】アダプター本体におけるコネクター板の中継電
極および副中継電極の配置状態並びに機能領域を示す説
明図である。
極および副中継電極の配置状態並びに機能領域を示す説
明図である。
【図4】接続用電極を拡大して示す説明用断面図であ
る。
る。
【図5】異方導電性エラストマー層の一部を拡大して示
す説明用断面図である。
す説明用断面図である。
【図6】アダプター本体の上面上にエラストマー用材料
層が形成された状態を示す説明用断面図である。
層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図7】エラストマー用材料層が形成されたアダプター
本体が一方の型および他方の型の間に配置された状態を
示す説明用断面図である。
本体が一方の型および他方の型の間に配置された状態を
示す説明用断面図である。
【図8】エラストマー用材料層に平行磁場を作用させた
状態を示す説明用断面図である。
状態を示す説明用断面図である。
【図9】アダプター本体の上面上に絶縁部用シート体お
よび導電部形成用材料層を形成する工程を示す説明図で
ある。
よび導電部形成用材料層を形成する工程を示す説明図で
ある。
【図10】絶縁部用シート体および導電部形成用材料層
が形成されたアダプター本体が一方の型および他方の型
の間に配置された状態を示す説明用断面図である。
が形成されたアダプター本体が一方の型および他方の型
の間に配置された状態を示す説明用断面図である。
【図11】導電部形成用材料層に平行磁場を作用させた
状態を示す説明用断面図である。
状態を示す説明用断面図である。
【図12】コネクター板の他の例における中継電極およ
び副中継電極の配置状態並びに機能領域を示す説明図で
ある。
び副中継電極の配置状態並びに機能領域を示す説明図で
ある。
【図13】本発明に係る回路基板の検査装置の一例にお
ける構成を示す説明図である。
ける構成を示す説明図である。
【図14】検査電極板装置における検査電極の配置状態
および機能領域を示す説明図である。
および機能領域を示す説明図である。
【図15】従来のアダプター装置の製造において、アダ
プター本体の上面上にエラストマー用材料層が形成され
た状態を示す説明用断面図である。
プター本体の上面上にエラストマー用材料層が形成され
た状態を示す説明用断面図である。
【図16】エラストマー用材料層が形成されたアダプタ
ー本体が一方の型および他方の型の間に配置された状態
を示す説明用断面図である。
ー本体が一方の型および他方の型の間に配置された状態
を示す説明用断面図である。
【図17】アダプター本体の上面上に異方導電性エラス
トマー層が形成されてアダプター装置が製造された状態
を示す説明用断面図である。
トマー層が形成されてアダプター装置が製造された状態
を示す説明用断面図である。
【図18】従来のアダプター装置の製造において、エラ
ストマー用材料層に作用される磁場の方向を示す説明用
断面図である。
ストマー用材料層に作用される磁場の方向を示す説明用
断面図である。
1 被検査回路基板 2,3 被検査電極 10 アダプター本体 11 コネクター板 12 端子電極 13 配線路 15 中継電極 16 副中継電極 20 第1の絶縁層 21 配線部 22 短絡部 25 第2の絶縁層 26 接続用電極 26A 基層部分 26B 表層部分 27 短絡部 30 異方導電性エラストマー層 30A エラストマー用材料層 31 導電部 A,B,C,D 機能領域 A1,B1,C1,D1,A2,B2,C2,D2 機
能領域 L1 中継電極と副中継電極との配置ピッチ L2 端子電極の配置ピッチ 31A 導電部形成用材料層 E 弾性高分子物質 P 導電性粒子 31H 導電部用孔 32 絶縁部 32A 絶縁部用シート体 36 一方の型(上型) 37 他方の型(下型) 38,39 電磁石 40a 下部側アダプター装置 40b 上部側アダプター装置 41a,41b 第1の異方導電性シート 45a 下部側仲介ピン装置 45b 上部側仲介ピン装置 46a,46b 導電ピン 47a,47b 導電ピン支持機構 48a,48b 基端側支持板 49a,49b 中央支持板 50a 下部側検査ヘッド 50b 下部側検査ヘッド 51a,51b 検査電極板装置 52a,52b 検査電極 53a,53b 配線路 54a,54b 外部引出し端子部 55a,55b 第2の異方導電性シート 56a,56b コネクター 60 押圧板 65 受け板 F,G,H,I 機能領域
能領域 L1 中継電極と副中継電極との配置ピッチ L2 端子電極の配置ピッチ 31A 導電部形成用材料層 E 弾性高分子物質 P 導電性粒子 31H 導電部用孔 32 絶縁部 32A 絶縁部用シート体 36 一方の型(上型) 37 他方の型(下型) 38,39 電磁石 40a 下部側アダプター装置 40b 上部側アダプター装置 41a,41b 第1の異方導電性シート 45a 下部側仲介ピン装置 45b 上部側仲介ピン装置 46a,46b 導電ピン 47a,47b 導電ピン支持機構 48a,48b 基端側支持板 49a,49b 中央支持板 50a 下部側検査ヘッド 50b 下部側検査ヘッド 51a,51b 検査電極板装置 52a,52b 検査電極 53a,53b 配線路 54a,54b 外部引出し端子部 55a,55b 第2の異方導電性シート 56a,56b コネクター 60 押圧板 65 受け板 F,G,H,I 機能領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC14 AE01 AE03 AF04 2G014 AA01 AB51 AB59 AC09 AC10 5E023 AA04 AA05 AA16 AA26 BB22 BB28 CC22 EE18 FF07 HH05 HH06 HH08 HH16 HH25 HH28 HH30
Claims (6)
- 【請求項1】 コネクター板およびその上面に一体的に
積層された少なくとも一層の絶縁層を有し、最上層の絶
縁層の上面に接続すべき回路基板の電極に対応するパタ
ーンに従って配置された複数の接続用電極を有すると共
に、コネクター板の下面に格子点位置に配置された複数
の端子電極を有するアダプター本体と、このアダプター
本体の上面に一体的に設けられた異方導電性エラストマ
ー層とを具えてなり、 前記アダプター本体におけるコネクター板の上面には、
当該上面の領域が分割されて複数の機能領域が形成さ
れ、当該機能領域の各々は、格子点位置に配置された、
互いに対応する複数の中継電極を有し、 これらの機能領域のうち少なくとも一つは、これに隣接
する他の機能領域における中継電極に対応して配置され
た複数の副中継電極を有し、当該副中継電極の各々は、
これに対応する他の機能領域における中継電極に電気的
に接続されており、 前記コネクター板における中継電極の各々は、前記端子
電極に電気的に接続され、前記接続用電極の各々は、前
記コネクター板における中継電極または副中継電極に電
気的に接続されており、 前記異方導電性エラストマー層は、前記アダプター本体
の接続用電極上に配置された、弾性高分子物質中に導電
性粒子が充填されてなる複数の導電部と、これらの導電
部を相互に絶縁する絶縁部とを有してなることを特徴と
するアダプター装置。 - 【請求項2】 アダプター本体のコネクター板には、そ
れぞれ副中継電極を有する二つ以上の機能領域が連続し
て形成されていることを特徴とする請求項1に記載のア
ダプター装置。 - 【請求項3】 副中継電極を有する機能領域における中
継電極および副中継電極の合計密度が端子電極の密度の
2〜64倍であることを特徴とする請求項1または請求
項2に記載のアダプター装置。 - 【請求項4】 アダプター本体の接続用電極の少なくと
も一部が磁性体により構成されていることを特徴とする
請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のアダプター
装置。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記
載のアダプター装置と、 上面に、前記アダプター装置におけるアダプター本体の
端子電極に電気的に接続された、当該端子電極と同一の
ピッチの格子点位置に配置された複数の検査電極を有す
る検査電極板装置とを具えてなることを特徴とする回路
基板の検査装置。 - 【請求項6】 検査電極板装置は、その上面の領域が分
割されて互いに同一の検査電極配置を有する複数の機能
領域が形成されてなり、これらの機能領域の各々におけ
る検査電極が、互いに対応する位置に配置された他の機
能領域における検査電極と相互に電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項5に記載の回路基板の検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286726A JP2000113923A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | アダプター装置および回路基板の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286726A JP2000113923A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | アダプター装置および回路基板の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000113923A true JP2000113923A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17708230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10286726A Withdrawn JP2000113923A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | アダプター装置および回路基板の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000113923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244127B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-07-17 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| US7465491B2 (en) | 2002-03-20 | 2008-12-16 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10286726A patent/JP2000113923A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244127B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-07-17 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| US7465491B2 (en) | 2002-03-20 | 2008-12-16 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
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