JP2000100781A - Etching device and manufacture of the semiconductor device - Google Patents
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造に用いられるエッチング装置（ドライエッチング装
置）および半導体デバイスの製造方法に関し、特にプロ
セスチャンバおよび装置構成部品に堆積した反応生成物
を容易に除去することができ、プロセスチャンバおよび
装置構成部品の耐久性の向上を図ることができ、プロセ
スチャンバ内の塵埃の減少を図ることができるエッチン
グ装置、およびエッチングにおけるパターン不良を低減
できる半導体デバイスの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus (dry etching apparatus) used for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to easily remove a reaction product deposited in a process chamber and an apparatus component. Apparatus capable of improving the durability of a process chamber and apparatus components, reducing dust in the process chamber, and a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing pattern defects in etching It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のドライエッチング装置のプロセス
チャンバおよび装置構成部品には、アルミ（Ａｌ）、ア
ルミ表面にアルマイト処理を施したもの、石英、セラミ
ック、ステンレス鋼等が使用されていた。2. Description of the Related Art Aluminum (Al), anodized aluminum surface, quartz, ceramic, stainless steel, etc. have been used as a process chamber and component parts of a conventional dry etching apparatus.
【０００３】図５は従来のアルミドライエッチング装置
を構成するプロセスチャンバの断面構造図である。図５
のエッチング装置は、マグネトロン型ＲＩＥ装置であ
る。FIG. 5 is a sectional structural view of a process chamber constituting a conventional aluminum dry etching apparatus. FIG.
Is an magnetron type RIE apparatus.
【０００４】プロセスチャンバ１０は、アルミの内面を
アルマイト処理したものであり、チャンバウォール１０
ａと、チャンバベース１０ｂと、チャンバリッド１０ｃ
とにより構成されている。チャンバリッド１０ｃには、
Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 等のプロセスガスが供給されるガス供
給口５が設けられており、チャンバベース１０ｂには、
プロセスチャンバ内を排気する排気口６が設けられてい
る。The process chamber 10 is obtained by subjecting an inner surface of aluminum to alumite treatment.
a, a chamber base 10b, and a chamber lid 10c
It is composed of In the chamber lid 10c,
A gas supply port 5 to which a process gas such as Cl 2 or BCl 3 is supplied is provided.
An exhaust port 6 for exhausting the inside of the process chamber is provided.
【０００５】ＲＦ電圧が印加されるカソード１の外側面
には、石英パイプ２が設けられており、石英パイプ２の
外側面には、インシュレーティングパイプ３が設けられ
ている。インシュレーティングパイプ３は、アルミの表
面をアルマイト処理したものである。また、カソード１
の上面には、半導体ウエハ４０を固定するための石英製
のクランプリングが設けられている。A quartz pipe 2 is provided on an outer surface of the cathode 1 to which an RF voltage is applied, and an insulating pipe 3 is provided on an outer surface of the quartz pipe 2. The insulating pipe 3 is obtained by subjecting the surface of aluminum to alumite treatment. In addition, cathode 1
Is provided with a quartz clamp ring for fixing the semiconductor wafer 40.
【０００６】図５のアルミドライエッチング装置では、
プロセスガスと半導体ウエハ４０のアルミ膜との反応に
よるＡｌＣｌ3 等の反応生成物が雰囲気中の遊離し、チ
ャンバウォール１０ａ内面やインシュレーティングパイ
プ３外側面等に堆積する。この反応生成物（堆積物）５
０は、定期的なメンテナンスにより除去される。ＡｌＣ
ｌ3 等の堆積物５０を除去するには、水拭き（水洗）が
最も効果的である。In the aluminum dry etching apparatus shown in FIG.
A reaction product such as AlCl 3 due to the reaction between the process gas and the aluminum film of the semiconductor wafer 40 is released in the atmosphere, and is deposited on the inner surface of the chamber wall 10a, the outer surface of the insulating pipe 3, and the like. This reaction product (sediment) 5
0 is removed by regular maintenance. AlC
To remove deposits 50 of l 3, etc., water wipe (washing) it is most effective.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のエ
ッチング装置では、メンテナンスのときに、堆積物（反
応生成物）５０のＡｌＣｌ3 と水（Ｈ2 Ｏ）とが反応し
て塩酸（ＨＣｌ）を発生し、プロセスチャンバ１０およ
びインシュレーティングパイプ３等の構成部品のアルマ
イト層およびアルミを浸食するため、浸食部が発塵源と
なり、またプロセスチャンバおよび構成部品の耐久性が
悪いという問題があった。However, in the above-mentioned conventional etching apparatus, during maintenance, AlCl 3 of the deposit (reaction product) 50 reacts with water (H 2 O) to generate hydrochloric acid (HCl). To erode the alumite layer and the aluminum of the components such as the process chamber 10 and the insulating pipe 3, so that the eroded portion becomes a dust source, and the durability of the process chamber and the components is poor. .
【０００８】また、アルマイト層表面は、凹凸が大き
く、堆積物に対する滑り性が悪いので（堆積物の付着力
が強いので）、堆積物の除去に時間がかかり、アルマイ
ト層表面に水拭き布の布きれが残ってプロセスチャンバ
内の塵埃（ダスト、パーティクル）を増加させるという
問題があった。Further, since the surface of the alumite layer has large irregularities and poor slipperiness with respect to the sediment (since the adhesion of the sediment is strong), it takes a long time to remove the sediment and the surface of the alumite layer is covered with a water wiping cloth. There is a problem that the cloth remains and increases dust (dust, particles) in the process chamber.
【０００９】また、石英パイプ２等の石英またはセラミ
ック製の構成部品は、メンテナンスにおける取り外し、
水洗、取り付けという過程で割れ欠けができやすく、使
用できなくなったり、作業者が手を怪我することがあっ
た。石英パイプ２では、特に上部および下部の角が欠け
やすい。The quartz or ceramic components such as the quartz pipe 2 are removed during maintenance.
In the process of washing and mounting, cracks and chips tended to occur, making it unusable or causing injuries to workers. In the quartz pipe 2, particularly the upper and lower corners are easily chipped.
【００１０】クランプリング４等の半導体ウエハ４０に
接触する構成部品と半導体ウエハとが擦れ、あるいは構
成部品の接触面にフォトレジストが付着し、プロセスチ
ャンバ内の塵埃（ダスト、パーティクル）を増加させる
という問題があった。The components such as the clamp ring 4 that come into contact with the semiconductor wafer 40 rub against the semiconductor wafer, or the photoresist adheres to the contact surfaces of the components, thereby increasing dust (dust and particles) in the process chamber. There was a problem.
【００１１】プロセスチャンバ内の塵埃が半導体ウエハ
のＡｌ膜等の被エッチング膜上に付着すると、その部分
がエッチングされずに、パターン不良になってしまうこ
とがある。When dust in the process chamber adheres to a film to be etched such as an Al film on a semiconductor wafer, the portion may not be etched, resulting in a pattern defect.
【００１２】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、プロセスチャンバおよび装置構成部品に堆
積した反応生成物を容易に除去することができ、プロセ
スチャンバおよび装置構成部品の耐久性の向上を図るこ
とができ、プロセスチャンバ内の塵埃の減少を図ること
ができるエッチング装置を提供することを目的とするも
のである。The present invention solves such a conventional problem, and can easily remove a reaction product deposited on a process chamber and an apparatus component, thereby improving the durability of the process chamber and the apparatus component. It is an object of the present invention to provide an etching apparatus capable of improving the performance and reducing dust in a process chamber.
【００１３】また、エッチング工程におけるパターン不
良を低減することができる半導体デバイスの製造方法を
提供することを目的とするものである。It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing pattern defects in an etching step.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のエッチング装置は、エッチングチャンバ内
にプロセスガスを供給することにより、プロセスチャン
バ内に置かれた半導体ウエハをエッチング処理するエッ
チング装置において、プロセスガスと半導体ウエハとの
反応生成物を含む雰囲気に曝され、プロセスガスまたは
前記反応生成物が堆積するプロセスチャンバ内面または
装置構成部品表面に、コーティング膜を形成してあり、
前記コーティング膜が、被コーティング面よりも滑らか
であり、被コーティング面よりも堆積物に対する滑り性
が高いものであることを特徴とするものである。In order to achieve the above object, an etching apparatus according to the present invention supplies a process gas into an etching chamber to etch a semiconductor wafer placed in the processing chamber. In the apparatus, a coating film is formed on an inner surface of a process chamber or a surface of an apparatus component where the process gas or the reaction product is exposed to an atmosphere including a reaction product of the process gas and the semiconductor wafer,
The coating film is characterized by being smoother than the surface to be coated and having higher slipperiness against the deposit than the surface to be coated.
【００１５】また、本発明の他のエッチング装置は、プ
ロセスチャンバ内にプロセスガスを供給することによ
り、プロセスチャンバ内に置かれた半導体ウエハをエッ
チング処理するエッチング装置において、取り外し可能
な石英またはセラミックからなる装置構成部品の表面
に、コーティング膜を形成してあり、前記コーティング
膜が、衝撃による前記装置構成部品の割れ欠けを防止す
る保護膜となるものであることを特徴とするものであ
る。Another etching apparatus according to the present invention is an etching apparatus for etching a semiconductor wafer placed in a process chamber by supplying a process gas into the process chamber. A coating film is formed on the surface of the device component, and the coating film serves as a protective film for preventing cracking of the device component due to impact.
【００１６】また、本発明のさらに他のエッチング装置
は、プロセスチャンバ内にプロセスガスを供給すること
により、プロセスチャンバ内に置かれた半導体ウエハを
エッチング処理するエッチング装置において、半導体ウ
エハをプロセスチャンバ内に搬送し、エッチング処理時
に半導体ウエハを固定し、またはエッチング処理が済ん
だ半導体ウエハをプロセスチャンバ外に搬送するための
装置構成部品の半導体ウエハと接触する面に、コーティ
ング膜を形成してあり、前記コーティング膜が、被コー
ティング面よりも半導体ウエハに対する滑り性が高いも
のであることを特徴とするものである。Still another aspect of the present invention is an etching apparatus for etching a semiconductor wafer placed in a process chamber by supplying a process gas into the process chamber. The coating film is formed on a surface of a device component for transporting the semiconductor wafer fixed during the etching process or the semiconductor wafer after the etching process to the outside of the process chamber and in contact with the semiconductor wafer, The coating film has a higher sliding property to a semiconductor wafer than a surface to be coated.
【００１７】本発明の半導体デバイスの製造方法は、半
導体ウエハ上に被エッチング膜を形成し、その上にフォ
トレジストパターンを形成する工程と、本発明のエッチ
ング装置において、ハロゲン化合物を含むプロセスガス
により、前記被エッチング膜をドライエッチングする工
程とを含むことを特徴とするものである。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a film to be etched is formed on a semiconductor wafer, and a photoresist pattern is formed thereon. In the etching apparatus of the present invention, a process gas containing a halogen compound is used. And a step of dry-etching the film to be etched.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態のアル
ミドライエッチング装置を構成するプロセスチャンバの
断面構造図である。また、図２は、本発明の実施の形態
のアルミドライエッチング装置の上面構造図である。さ
らに、図３はプロセスチャンバ内に設けられた石英パイ
プおよびインシュレーティングパイプの断面構造図であ
り、図４はプロセスチャンバ内に設けられたクランプリ
ングの断面構造図である。FIG. 1 is a sectional structural view of a process chamber constituting an aluminum dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top structural view of the aluminum dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of a quartz pipe and an insulating pipe provided in the process chamber, and FIG. 4 is a sectional view of a clamp ring provided in the process chamber.
【００１９】図２のアルミドライエッチング装置は、マ
グネトロン型ＲＩＥ装置であり、４個のプロセスチャン
バ１０と、ロードロックチャンバ２０と、カセットハン
ドラ３０とを備えている。カセットハンドラ３０には、
ドライエッチング処理される半導体ウエハ４０を所定枚
数（例えば２５枚。以下、この単位をバッチと称する）
収納したウエハカセット３１がセットされる。プロセス
チャンバ１０は、半導体ウエハ４０上に形成されたアル
ミ膜をドライエッチングするチャンバである。The aluminum dry etching apparatus shown in FIG. 2 is a magnetron type RIE apparatus and includes four process chambers 10, a load lock chamber 20, and a cassette handler 30. In the cassette handler 30,
A predetermined number of semiconductor wafers 40 to be dry-etched (for example, 25 wafers; this unit is hereinafter referred to as a batch)
The stored wafer cassette 31 is set. The process chamber 10 is a chamber for dry etching an aluminum film formed on the semiconductor wafer 40.
【００２０】ロードロックチャンバ２０内には、ロボッ
トプレート２１と、ウエハストレージエレベータ２２と
が設けられている。ロボットプレート２１は、真空吸着
等により半導体ウエハ４０をハンドリングし、ウエハカ
セット３１に収納された半導体ウエハ４０をウエハスト
レージエレベータ２２に全て移載し、この半導体ウエハ
４０を１枚ずつプロセスチャンバ１０内にロードし、ド
ライエッチング処理された半導体ウエハ４０をプロセス
チャンバ１０からウエハストレージエレベータ２２にア
ンロードし、１バッチの半導体ウエハ４０をウエハスト
レージエレベータ２２にアンロードしてから、このドラ
イエッチングされた１バッチ分の半導体ウエハ４０をウ
エハカセット３１に収納する。In the load lock chamber 20, a robot plate 21 and a wafer storage elevator 22 are provided. The robot plate 21 handles the semiconductor wafers 40 by vacuum suction or the like, transfers all the semiconductor wafers 40 stored in the wafer cassette 31 to the wafer storage elevator 22, and places the semiconductor wafers 40 one by one into the process chamber 10. The loaded and dry-etched semiconductor wafer 40 is unloaded from the process chamber 10 to the wafer storage elevator 22, one batch of the semiconductor wafers 40 is unloaded to the wafer storage elevator 22, and then the dry-etched batch is removed. Semiconductor wafers 40 are stored in the wafer cassette 31.
【００２１】図１および図２に示すように、エッチング
チャンバ１０は、側壁に相当するチャンバウォール１０
ａと、チャンバウォール１０ａの底部に一体成形された
チャンバベース１０ｂと、チャンバウォール１０ａの天
部に載置されたチャンバリッド１０ｃとにより構成され
る。As shown in FIGS. 1 and 2, the etching chamber 10 has a chamber wall 10 corresponding to a side wall.
a, a chamber base 10b integrally formed on the bottom of the chamber wall 10a, and a chamber lid 10c mounted on the top of the chamber wall 10a.
【００２２】チャンバリッド１０ｃには、プロセスガス
をチャンバ１０内に供給するためのガス供給口５が設け
られている。また、チャンバベース１０ｂには、チャン
バ１０内のガスを排気するためのガス排気口６が設けら
れている。チャンバウォール１０ａは、エッチングプロ
セス時に、所定温度に加熱される。The chamber lid 10c is provided with a gas supply port 5 for supplying a process gas into the chamber 10. The chamber base 10b is provided with a gas exhaust port 6 for exhausting gas in the chamber 10. The chamber wall 10a is heated to a predetermined temperature during the etching process.
【００２３】プロセスチャンバ１０は、内面がアルマイ
ト処理されたアルミからなる。チャンバウォール１０ａ
内面およびチャンバベース１０ｃ内面のアルマイト層
は、コーティング膜７Ａによりコーティングされてい
る。The process chamber 10 is made of aluminum whose inner surface is anodized. Chamber wall 10a
The alumite layer on the inner surface and the inner surface of the chamber base 10c is coated with the coating film 7A.
【００２４】チャンバベース１０ｂには、カソード（ウ
エハステージ）１と、石英パイプ２と、インシュレーテ
ィングパイプ３とが設置されている。略円筒の石英パイ
プ２が、その内側面で略円柱のカソード１の外側面を取
り囲むように設置されており、さらに略円筒のインシュ
レータパイプ３が、その内側面で石英パイプ２の外側面
を取り囲むように設置されている。A cathode (wafer stage) 1, a quartz pipe 2, and an insulating pipe 3 are provided on the chamber base 10b. A substantially cylindrical quartz pipe 2 is installed so as to surround the outer surface of the substantially cylindrical cathode 1 on its inner surface, and a substantially cylindrical insulator pipe 3 further surrounds the outer surface of the quartz pipe 2 on its inner surface. It is installed as follows.
【００２５】カソード１は、チャンバベース１０ｂに固
設されている。プロセスチャンバ１０内にロードされた
半導体ウエハ４０は、カソード１上に配置される。エッ
チングプロセス時に、カソード１にはＲＦ電圧が印加さ
れる。また、エッチングプロセス時に、カソード１は所
定温度に加熱される。カソード１は、表面がアルマイト
処理されたアルミからなる。The cathode 1 is fixed to the chamber base 10b. The semiconductor wafer 40 loaded in the process chamber 10 is disposed on the cathode 1. During the etching process, an RF voltage is applied to the cathode 1. During the etching process, the cathode 1 is heated to a predetermined temperature. The cathode 1 is made of aluminum whose surface is anodized.
【００２６】石英パイプ２およびインシュレーティング
パイプ３は、カソード１の側面とチャンバウォール１０
ａとの間にプラズマを発生させないようにし、半導体ウ
エハ４０にかかるプラズマ（エネルギ）の低下を防止す
るために設けられている。チャンバ１０はアースされて
いるため、エッチングプロセス時に（カソードにＲＦ電
圧が印加されたときに）、カソード１の側面とチャンバ
ウォール１０ｂとの間にＲＦ電圧印加による電界が形成
されていると、この間でもプラズマが発生し、半導体ウ
エハ４０にかかるプラズマ（エネルギ）が低下してしま
う。The quartz pipe 2 and the insulating pipe 3 are connected to the side of the cathode 1 and the chamber wall 10.
This is provided so as not to generate plasma between the semiconductor wafer 40 and the plasma (energy) applied to the semiconductor wafer 40. Since the chamber 10 is grounded, if an electric field is generated between the side surface of the cathode 1 and the chamber wall 10b during the etching process (when an RF voltage is applied to the cathode), the electric field is generated during this time. However, plasma is generated, and the plasma (energy) applied to the semiconductor wafer 40 is reduced.
【００２７】石英パイプ２の表面には、図３に示すよう
に、コーティング膜７Ｂがコーティングされている。石
英パイプ２は、装置メンテナンス時等に取り外し可能で
ある。The surface of the quartz pipe 2 is coated with a coating film 7B as shown in FIG. The quartz pipe 2 can be removed at the time of maintenance of the apparatus.
【００２８】インシュレーティングパイプ３の表面に
は、図３に示すように、コーティング膜７Ｃがコーティ
ングされている。インシュレーティングパイプ３は、表
面がアルマイト処理されたアルミからなる。インシュレ
ーティングパイプ３は、チャンバベース１０ｃに固設さ
れ、アースされており、装置メンテナンス時等に取り外
し可能である。As shown in FIG. 3, the surface of the insulating pipe 3 is coated with a coating film 7C. The insulating pipe 3 is made of aluminum whose surface is anodized. The insulating pipe 3 is fixed to the chamber base 10c and grounded, and can be removed at the time of maintenance of the apparatus.
【００２９】カソード１上には、ロードされた半導体ウ
エハ４０をカソード上に固定するためのクランプリング
４と、クランプリング４を上下動させるためのクランプ
リング作動機構（図示省略）と、ロボットブレード２１
と半導体ウエハ４０の受け渡しをするためのウエハ支持
機構（図示省略）とが設けられている。On the cathode 1, a clamp ring 4 for fixing the loaded semiconductor wafer 40 on the cathode, a clamp ring operating mechanism (not shown) for vertically moving the clamp ring 4, and a robot blade 21
And a wafer support mechanism (not shown) for transferring the semiconductor wafer 40.
【００３０】上記の機構は、まずクランプリング４を上
昇させ、次にロボットブレード２１によりロードされた
半導体ウエハ４０をカソード１上に載置し、次にクラン
プリング４を降下させてクランプリング４の下面４ａを
半導体ウエハ４０の表面周部に接触させ、半導体ウエハ
４０をカソード上に固定する。The above mechanism first raises the clamp ring 4, then places the semiconductor wafer 40 loaded by the robot blade 21 on the cathode 1, and then lowers the clamp ring 4 to move the clamp ring 4. The lower surface 4a is brought into contact with the surface periphery of the semiconductor wafer 40, and the semiconductor wafer 40 is fixed on the cathode.
【００３１】クランプリング４の半導体ウエハ４０に接
触する表面４ａには、図４に示すように、コーティング
膜７Ｄがコーティングされている。クランプリング４
は、石英からなる。The surface 4a of the clamp ring 4 which contacts the semiconductor wafer 40 is coated with a coating film 7D as shown in FIG. Clamp ring 4
Is made of quartz.
【００３２】以下に、半導体ウエハ４０のエッチングプ
ロセスについて説明する。まず、アルミ膜を成膜し、そ
の上にフォトレジスタパターンを形成した半導体ウエハ
４０をそれぞれのプロセスチャンバ１０内にロードす
る。つまり、アルミ膜を成膜し、その上にフォトレジス
タパターンを形成した１バッチの半導体ウエハ４０を収
納したウエハカセット３１が、カセットハンドラ３０上
にセットされると、ロードロックチャンバ２０を大気圧
に開放し、カセットハンドラ３０側のゲートを開け、ロ
ボットブレード２１により上記の１バッチの半導体ウエ
ハ４０をウエハストレージエレベータ２２に移載し、カ
セットハンドラ３０側のゲートを閉じる。次に、ロード
ロックチャンバ２０を減圧し、それぞれのプロセスチャ
ンバ１０との間のロード／アンロードゲートを順次開
け、ロボットブレード２１により、半導体ウエハ４０を
それぞれのプロセスチャンバ１０内のカソード１上に１
枚ずつ順次ロードする。ロードされた半導体ウエハ４０
の表面周部にクランプリング４を近接または接触させる
ことにより、半導体ウエハ４０はカソード１上に固定さ
れる。Hereinafter, the etching process of the semiconductor wafer 40 will be described. First, a semiconductor wafer 40 having an aluminum film formed thereon and a photoresist pattern formed thereon is loaded into each process chamber 10. That is, when a wafer cassette 31 containing a batch of semiconductor wafers 40 on which an aluminum film is formed and a photoresist pattern is formed is set on the cassette handler 30, the load lock chamber 20 is brought to atmospheric pressure. Then, the gate on the cassette handler 30 side is opened, and the one batch of semiconductor wafers 40 is transferred to the wafer storage elevator 22 by the robot blade 21, and the gate on the cassette handler 30 side is closed. Next, the pressure in the load lock chamber 20 is reduced, the load / unload gates between the respective process chambers 10 are sequentially opened, and the semiconductor wafer 40 is placed on the cathode 1 in the respective process chambers 10 by the robot blade 21.
Load them one by one. Loaded semiconductor wafer 40
The semiconductor wafer 40 is fixed on the cathode 1 by bringing the clamp ring 4 close to or in contact with the surface periphery of the semiconductor wafer 40.
【００３３】次に、プロセスチャンバ１０において、半
導体ウエハ４０のアルミ膜をドライエッチングする。つ
まり、カソード１にＲＦ電圧を印加して電界を生成する
とともに、コイル（図示省略）に電圧を印加して磁界を
生成し、同時にガス供給口５からプロセスチャンバ１０
内にプロセスガスを供給するとともに、所定の圧力にな
るようにプロセスチャンバ１０内をガス排気口６から排
気することにより、プロセスチャンバ１０内にプラズマ
を発生させる。これにより、ラジカル化されたプロセス
ガスと半導体ウエハ４０のＡｌ膜とが反応し、フォトレ
ジストパターンをマスクにしてアルミ膜がドライエッチ
ングされる。このとき、カソード１およびチャンバウォ
ール１０ａは所定の温度に加熱しておく。Next, in the process chamber 10, the aluminum film of the semiconductor wafer 40 is dry-etched. That is, an RF voltage is applied to the cathode 1 to generate an electric field, and a voltage is applied to a coil (not shown) to generate a magnetic field.
A process gas is supplied into the chamber, and the inside of the process chamber 10 is evacuated from the gas exhaust port 6 to a predetermined pressure to generate plasma in the process chamber 10. As a result, the radicalized process gas reacts with the Al film on the semiconductor wafer 40, and the aluminum film is dry-etched using the photoresist pattern as a mask. At this time, the cathode 1 and the chamber wall 10a are heated to a predetermined temperature.
【００３４】上記のエッチング条件の一例は、ＲＦパワ
ー：７００［Ｗ］、プロセスガスおよびその流量：ＢＣ
ｌ3 ＝６０［ｓｃｃｍ］，Ｃｌ2 ＝３０［ｓｃｃｍ］，
Ｎ2＝２５［ｓｃｃｍ］、チャンバ内圧力：１５０［ｍ
Ｔｏｒｒ］、カソード温度：６５［℃］、ウォール温
度：７０［℃］である。ＢＣｌ3 およびＮ2 は、アルミ
膜と反応し、アルミ膜上に堆積する反応生成物を生成す
るデポジションガスである。また、Ｃｌ2 は、上記の堆
積反応生成物中のアルミと反応し、アルミ膜からプロセ
スガス雰囲気中に遊離する反応生成物ＡｌＣｌ3 を生成
するエッチングガスである。An example of the above etching conditions is as follows: RF power: 700 [W], process gas and its flow rate: BC
l 3 = 60 [sccm], Cl 2 = 30 [sccm],
N 2 = 25 [sccm], chamber pressure: 150 [m]
Torr], cathode temperature: 65 [° C.], and wall temperature: 70 [° C.]. BCl 3 and N 2 are deposition gases that react with the aluminum film to generate a reaction product deposited on the aluminum film. Cl 2 is an etching gas that reacts with aluminum in the deposition reaction product to generate a reaction product AlCl 3 released from the aluminum film into a process gas atmosphere.
【００３５】アルミ膜からプロセスガス雰囲気中に遊離
したＡｌＣｌ3 は、ガス排気口６からプロセスチャンバ
１０外に排気されるとともに、プロセスチャンバ１０内
面およびプロセスチャンバ１０内の構成部品表面に堆積
する。ＡｌＣｌ3 が主に堆積するのは、チャンバウォー
ル１０ａ内面、インシュレーティングパイプ３の外側
面、およびチャンバベース１０ｂ内面である。なお、プ
ロセスチャンバ１０内面等における堆積物には、ＡｌＣ
ｌ3 の他にフォトレジストの構成元素であるＣ、Ｓ、Ｈ
等も含まれている。AlCl 3 released from the aluminum film into the process gas atmosphere is exhausted from the gas exhaust port 6 to the outside of the process chamber 10, and is deposited on the inner surface of the process chamber 10 and the surface of the components in the process chamber 10. AlCl 3 is mainly deposited on the inner surface of the chamber wall 10a, the outer surface of the insulating pipe 3, and the inner surface of the chamber base 10b. The deposits on the inner surface of the process chamber 10 and the like include AlC
In addition to l 3 , C, S, H
Etc. are also included.
【００３６】次に、アルミ膜のドライエッチングが終了
した半導体ウエハ４０をプロセスチャンバ１０からアン
ロードする。つまり、ドライエッチングが終了すると、
ロード／アンロードゲートを開け、ロボットブレード２
１により、プロセスチャンバ１０内の半導体ウエハ４０
をウエハストレージエレベータ２２にアンロードする。
１バッチの半導体ウエハ４０のドライエッチングが終了
し、この１バッチの半導体ウエハ４０をウエハストレー
ジエレベータ２２にアンロードしたら、ロードロックチ
ャンバ２０を大気圧に開放し、カセットハンドラ３０側
のゲートを開け、ロボットブレード２１により上記の１
バッチの半導体ウエハ４０をウエハカセット３１に移載
する。次に、カセット３１に移載された半導体ウエハ４
０上に残っているフォトレジストを他の装置で除去す
る。以上により、半導体ウエハ４０にアルミパターンが
形成される。Next, the semiconductor wafer 40 having been subjected to the dry etching of the aluminum film is unloaded from the process chamber 10. In other words, when dry etching ends,
Open the load / unload gate and set the robot blade 2
1, the semiconductor wafer 40 in the process chamber 10
To the wafer storage elevator 22.
After the dry etching of one batch of semiconductor wafers 40 is completed and the one batch of semiconductor wafers 40 is unloaded into the wafer storage elevator 22, the load lock chamber 20 is opened to the atmospheric pressure, and the gate of the cassette handler 30 is opened. The above-mentioned 1 by the robot blade 21
The batch semiconductor wafers 40 are transferred to the wafer cassette 31. Next, the semiconductor wafer 4 transferred to the cassette 31
The photoresist remaining on 0 is removed by another apparatus. Thus, an aluminum pattern is formed on the semiconductor wafer 40.
【００３７】上記のドラエッチングごとに、プロセスチ
ャンバ１０内には、ＡｌＣｌ3 等の反応生成物が堆積す
るので、プロセスチャンバ１０を定期的にメンテナンス
し、体積物を除去する必要がある。Since a reaction product such as AlCl 3 is deposited in the process chamber 10 every time the dry etching is performed, it is necessary to periodically maintain the process chamber 10 and remove the volume.
【００３８】以下に、プロセスチャンバ１０のメンテナ
ンス手順について説明する。まず、チャンバリッド１０
ｃを開け、これを取り外す。次に、クランプリング４を
カソード１から取り外す。次に、石英パイプ２およびイ
ンシュレーティングパイプ３をチャンバベース１０ｂか
ら取り外す。Hereinafter, a maintenance procedure of the process chamber 10 will be described. First, the chamber lid 10
Open c and remove it. Next, the clamp ring 4 is removed from the cathode 1. Next, the quartz pipe 2 and the insulating pipe 3 are removed from the chamber base 10b.
【００３９】次に、取り外したチャンバリッド１０ｃ、
クランプリング４、石英パイプ２、およびインシュレー
ティングパイプ３を水洗し、ＡｌＣｌ3 等の堆積物を除
去する。Next, the removed chamber lid 10c,
The clamp ring 4, the quartz pipe 2, and the insulating pipe 3 are washed with water to remove deposits such as AlCl 3 .
【００４０】次に、チャンバウォール１０ａ内面、チャ
ンバベース１０ｂ内面、およびカソード１表面を、水拭
きし、ＡｌＣｌ3 等の堆積物を除去し、そのあとアルコ
ール拭きする。Next, the inner surface of the chamber wall 10a, the inner surface of the chamber base 10b, and the surface of the cathode 1 are wiped with water to remove deposits such as AlCl 3 and then wiped with alcohol.
【００４１】次に、上記の取り外した部品が乾燥した
ら、これらの部品を上記と逆の手順で取り付け、所定の
真空度になるまでプロセスチャンバ１０内を真空引きす
る。このあと、エッチングレート等を確認する。Next, when the above-mentioned removed parts are dried, these parts are attached in the reverse order, and the inside of the process chamber 10 is evacuated until a predetermined degree of vacuum is reached. Thereafter, the etching rate and the like are checked.
【００４２】本実施の形態のエッチング装置では、コー
ティング膜７は、チャンバウォール１０ａ内面およびチ
ャンバベース１０ｂ内面に形成されたコーティング膜７
ａと、石英パイプ２表面に形成されたコーティング膜７
ｂと、インシュレーティングパイプ３表面に形成された
コーティング膜７ｃと、クランプリング４の半導体ウエ
ハ４０と接触する面４ａに形成されたコーティング膜７
ｄからなる。In the etching apparatus of the present embodiment, the coating film 7 is formed on the inner surface of the chamber wall 10a and the inner surface of the chamber base 10b.
a, coating film 7 formed on the surface of quartz pipe 2
b, the coating film 7c formed on the surface of the insulating pipe 3, and the coating film 7 formed on the surface 4a of the clamp ring 4 which contacts the semiconductor wafer 40.
d.
【００４３】コーティング膜７は、いずれもＣｌ2 等の
プロセスガスと半導体ウエハ４０のＡｌ膜における反応
により生成されるＡｌＣｌ3 等の反応生成物とを含む雰
囲気に曝されるので、プロセスガスおよび堆積物に浸食
されないものでなければならない。また、エッチング処
理時にプロセスチャンバ１０内面およびプロセスチャン
バ１０内の構成部品は高温になるので、コーティング膜
７は、被コーティング面の温度よりも耐熱温度の高いも
のでなければならない。The coating film 7 is exposed to an atmosphere containing a process gas such as Cl 2 and a reaction product such as AlCl 3 generated by a reaction in the Al film of the semiconductor wafer 40. It must not be eroded by objects. In addition, since the temperature of the inner surface of the process chamber 10 and the components inside the process chamber 10 becomes high during the etching process, the coating film 7 must have a higher heat-resistant temperature than the temperature of the surface to be coated.
【００４４】ＡｌＣｌ3 等の反応生成物は、主にチャン
バウォール１０ａ内面、チャンバベース１０ｂ内面、イ
ンシュレーティングパイプ３外側面に堆積し、この堆積
物は定期的なメンテナンスにおいて水拭きあるいは水洗
により除去される。コーティング膜７ａおよび７ｃは、
堆積物を容易に除去でき、被コーティング部材（アルマ
イト層）の浸食を防止し、さらに水拭き布の布きれがプ
ロセスチャンバ１０内の残らないようにしてプロセスチ
ャンバ１０内の塵埃を低減するためのものであり、上記
の水拭きあるいは水洗のときに生成されるＨＣｌ等の反
応生成物に浸食されず、また被コーティング面（アルマ
イト層表面）よりも滑らかであり、ＡｌＣｌ3 等の堆積
物に対する滑り性が被コーティング面よりも高い（堆積
物の付着力が被コーティング面よりも弱い）ものである
必要がある。Reaction products such as AlCl 3 are deposited mainly on the inner surface of the chamber wall 10a, the inner surface of the chamber base 10b, and the outer surface of the insulating pipe 3. These deposits are removed by wiping or washing with water during regular maintenance. You. The coating films 7a and 7c are
It is possible to easily remove the deposits, prevent erosion of the member to be coated (alumite layer), and prevent dust in the process chamber 10 from remaining in the process chamber 10 to reduce dust in the process chamber 10. It is not eroded by reaction products such as HCl generated during the above-mentioned wiping or washing, is smoother than the surface to be coated (alumite layer surface), and slides on deposits such as AlCl 3. It is necessary that the property is higher than the surface to be coated (the adhesion of the deposit is weaker than the surface to be coated).
【００４５】石英パイプ２は定期的なメンテナンスにお
ける取り外しおよび取り付けのときに割れ欠けを生じや
すく、コーティング膜７ｂは、石英パイプ２の破損を防
止するための保護膜となるものであり、被コーティング
部材（石英）よりも弾性に富んだものである必要があ
る。The quartz pipe 2 is liable to be cracked or broken at the time of removal and attachment during regular maintenance, and the coating film 7b is a protective film for preventing the quartz pipe 2 from being damaged. It must be more elastic than (quartz).
【００４６】コーティング膜７ｄは、半導体ウエハ４０
とクランプリング４の接触面４ａとの擦れおよび接触面
４に対するフォトレジスト付着を防止し、プロセスチャ
ンバ１０内の塵埃を低減するためのものであり、半導体
ウエハ４０表面に対する滑り性が被コーティング面（石
英表面）よりも高い（半導体ウエハ４０に対する付着力
が被コーティング面よりも弱い）ものである必要があ
る。The coating film 7d is formed on the semiconductor wafer 40
This is to prevent the friction between the semiconductor wafer 40 and the contact surface 4a of the clamp ring 4 and the adhesion of the photoresist to the contact surface 4 to reduce dust in the process chamber 10. (A quartz surface) (adhesion to the semiconductor wafer 40 is weaker than the surface to be coated).
【００４７】コーティング膜７ａ〜７ｄの上記条件を全
て満たすコーティング材としては、例えばポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）がある。もちろん、コーテ
ィングの目的、コーティングする構成部品の機能、被コ
ーティング部材等に応じて、それぞれ異なるコーティン
グ材を用いても良い。つまり、コーティング膜７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄにそれぞれ異なるコーティング材を用い
ても良い。As a coating material that satisfies all the above conditions of the coating films 7a to 7d, for example, there is polytetrafluoroethylene (PTFE). Of course, different coating materials may be used depending on the purpose of coating, the function of the component to be coated, the member to be coated, and the like. That is, the coating films 7a, 7
Different coating materials may be used for b, 7c and 7d.
【００４８】エッチング装置のコーティング材として
は、ＰＴＦＥ等のフッ素樹脂、エンジニアリングプラス
チック、またはフッ素樹脂とエンジニアリングプラスチ
ックとを混合したもの（以下、混合樹脂と称する）を用
いることができる。As a coating material for the etching apparatus, a fluororesin such as PTFE, an engineering plastic, or a mixture of a fluororesin and an engineering plastic (hereinafter, referred to as a mixed resin) can be used.
【００４９】エッチング装置において一般的に要求され
る耐熱温度の目安は１５０［℃］程度であり、耐熱温度
が１５０［℃］以上のフッ素樹脂には、例えばポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、またはテトラフルオロ
エチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等がある。ま
た、耐熱温度が１５０［℃］以上のエンジニアリングプ
ラスチックには、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエーテルサルホン、ポリサルホ
ン、ポリエーテル−エーテルケトン、ボリフェニルスル
ホン、液晶ポリマ等がある。The standard of the heat-resistant temperature generally required in the etching apparatus is about 150 ° C., and fluorine resins having a heat-resistant temperature of 150 ° C. or more include, for example, polytetrafluoroethylene (PTFE) and tetrafluoroethylene. Examples include an ethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), and a tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE). Examples of the engineering plastic having a heat resistance temperature of 150 ° C. or more include polyamide, polyimide, polyetherimide, polyethersulfone, polysulfone, polyether-etherketone, polyphenylsulfone, and liquid crystal polymer.
【００５０】フッ素樹脂は、一般的にエンジニアリング
プラスチックよりも滑り性に優れている。ただし、フッ
素樹脂は、被コーティング面に対する密着性が弱いた
め、被コーティング面との間に接着用のプライマ層を設
けた２層構造とする必要がある。エンジニアリングプラ
スチックは、一般的にフッ素樹脂よりも、被コーティン
グ面に対する密着性が良いので１層構造にすることがで
き、耐熱温度が高い。フッ素樹脂の耐熱温度は最高で２
６０［℃］程度だが、エンジニアリングプラスチックに
は耐熱温度３００［℃］以上のものがある。混合樹脂
は、１層構造にすることができ、エンジニアリングプラ
スチックよりも滑り性が良い。また、浸食されないプロ
セスガスおよび反応生成物、浸食されてしまうプロセス
ガスおよび反応生成物は、コーティング材によって異な
る。例えば、ＰＴＦＥは、フッ素または酸素を含むプラ
ズマには浸食されるが、これ以外のプラズマには浸食さ
れない。従って、上記の各種フッ素樹脂、各種エンジニ
アリングプラスチックおよびこれらの各種混合樹脂の中
から、コーティングの目的、コーティングする構成部品
の機能、被コーティング部材等に最適なコーティング材
を選択すれば良い。Fluororesins generally have better slipperiness than engineering plastics. However, since the fluororesin has low adhesion to the surface to be coated, it is necessary to have a two-layer structure in which a primer layer for adhesion is provided between the fluororesin and the surface to be coated. Engineering plastics generally have better adhesion to the surface to be coated than fluororesins, so they can have a one-layer structure and have a high heat-resistant temperature. The maximum heat resistance temperature of fluoropolymer is 2
Although it is about 60 ° C., some engineering plastics have a heat resistant temperature of 300 ° C. or more. The mixed resin can have a one-layer structure and has better slipperiness than engineering plastic. Further, the process gas and the reaction product that are not eroded and the process gas and the reaction product that are eroded differ depending on the coating material. For example, PTFE is eroded by plasma containing fluorine or oxygen, but not by other plasmas. Therefore, the most suitable coating material for the purpose of coating, the function of the component to be coated, the member to be coated, etc. may be selected from the above-mentioned various fluororesins, various engineering plastics, and various mixed resins thereof.
【００５１】フッ素樹脂と被コーティング面（アルマイ
ト表面、石英表面等）との密着性を強化するためのプラ
イマ層には、フッ素樹脂とエンジニアリングプラスチッ
クとの混合樹脂を用いる。For the primer layer for enhancing the adhesion between the fluororesin and the surface to be coated (alumite surface, quartz surface, etc.), a mixed resin of a fluororesin and an engineering plastic is used.
【００５２】コーティング材にフッ素樹脂を用いる場合
には、コーティング膜と被コーティング面との間に接着
用のプライマ層を設けた２層構造となる。プライマ層と
なる混合樹脂におけるフッ素樹脂とエンジニアリングプ
ラスチックとの混合比（重量比）は、［フッ素樹脂］：
［エンジニアリングプラスチック］＝１：９〜３：７と
する。プライマ層となる混合樹脂の最適な混合比は、
［フッ素樹脂］：［スーパエンジニアリングプラスチッ
ク］＝２：８である。混合樹脂からなるプライマ層の膜
厚は、５〜３０［μｍ］とする。プライマ層の膜厚が、
これより薄いと十分な接着性が得られず、これより厚い
とクラック等の原因で塗膜欠陥が起こりやすい。プライ
マ層の最適な膜厚は、１０［μｍ］程度である。また、
フッ素樹脂からなるコーティング膜の膜厚は、１０〜１
０００［μｍ］とする。コーティング膜の膜厚が、これ
より薄いと、プラズマに対する耐久性が乏しくなり、こ
れより厚いと熱収縮により密着力低下が起こりやすい。
最適な膜厚は、１０〜５００［μｍ］である。When a fluororesin is used as the coating material, it has a two-layer structure in which a primer layer for adhesion is provided between the coating film and the surface to be coated. The mixing ratio (weight ratio) between the fluororesin and the engineering plastic in the mixed resin to be the primer layer is [fluororesin]:
[Engineering plastic] = 1: 9 to 3: 7. The optimal mixing ratio of the mixed resin to be the primer layer is
[Fluorine resin]: [Super engineering plastic] = 2: 8. The thickness of the primer layer made of the mixed resin is 5 to 30 [μm]. When the thickness of the primer layer is
If the thickness is smaller than this, sufficient adhesiveness cannot be obtained, and if the thickness is larger than this, coating film defects tend to occur due to cracks or the like. The optimum thickness of the primer layer is about 10 [μm]. Also,
The coating thickness of the fluororesin is 10 to 1
000 [μm]. If the thickness of the coating film is thinner than this, the durability to plasma is poor, and if it is larger than this, the adhesive force is liable to decrease due to heat shrinkage.
The optimum film thickness is 10 to 500 [μm].
【００５３】コーティング材に混合樹脂を用いる場合に
は、プライマ層は不要であり、コーティング膜のみの１
層構造となる。コーティング膜となる混合樹脂における
フッ素樹脂とエンジニアリングプラスチックとの混合比
（重量比）は、［フッ素樹脂］：［エンジニアリングプ
ラスチック］＝２：３〜３：２とする。コーティング膜
となる混合樹脂の最適な混合比は、［フッ素樹脂］：
［エンジニアリングプラスチック］＝１：１である。混
合樹脂からなるコーティング膜の膜厚は、フッ素樹脂か
らなるコーティング膜と同様の理由により、１０〜１０
００［μｍ］とする。最適な膜厚は１０〜５００［μ
ｍ］である。When a mixed resin is used as a coating material, a primer layer is not required, and only a coating film is used.
It has a layer structure. The mixing ratio (weight ratio) between the fluororesin and the engineering plastic in the mixed resin to be the coating film is [fluorine resin]: [engineering plastic] = 2: 3 to 3: 2. The optimum mixing ratio of the mixed resin that becomes the coating film is [fluororesin]:
[Engineering plastic] = 1: 1. The thickness of the coating film made of the mixed resin is 10 to 10 for the same reason as the coating film made of the fluororesin.
00 [μm]. The optimal film thickness is 10 to 500 [μ
m].
【００５４】コーティング材にエンジニアリングプラス
チックを用いる場合には、混合樹脂を用いる場合と同様
に、プライマ層は不要であり、コーティング膜のみの１
層構造となる。エンジニアリングプラスチックからなる
コーティング膜の膜厚は、フッ素樹脂または混合樹脂か
らなるコーティング膜と同様の理由により、１０〜１０
００［μｍ］とする。最適な膜厚は１０〜５００［μ
ｍ］である。When an engineering plastic is used as the coating material, a primer layer is not required, as in the case of using a mixed resin.
It has a layer structure. The thickness of the coating film made of engineering plastic is 10 to 10 for the same reason as the coating film made of fluororesin or mixed resin.
00 [μm]. The optimal film thickness is 10 to 500 [μ
m].
【００５５】次に、フッ素樹脂、エンジニアリングプラ
スチック、混合樹脂のコーティング手順について説明す
る。コーティング手順は、被コーティング部材により多
少の違いはあるが、被コーティング面（アルマイト表
面、石英表面等）の表面処理し、この被コーティング面
にコーティング材を塗布し、塗布したコーティング材を
焼成するものである。Next, a procedure for coating a fluororesin, an engineering plastic, and a mixed resin will be described. The coating procedure is slightly different depending on the material to be coated, but the surface to be coated (alumite surface, quartz surface, etc.) is treated, the coating material is applied to the surface to be coated, and the applied coating material is baked. It is.
【００５６】以下に、被コーティング面がアルマイト面
である場合のコーティング手順を説明する。まず、アル
マイト表面を溶剤洗浄または２５０［℃］〜４００
［℃］に加熱し、付着している油脂分を除去または炭化
させる。そのあと、コーティングが不要なアルマイト表
面をマスキングし、コーティングするアルマイト表面
を、サンドペーパがけ、アルミナセラミック等によるブ
ラスト処理、セラミック溶射（アルミナセラミックをプ
ラズマで溶融照射し、アルマイト表面に吹き付ける処
理）、化成処理（化学的にアルマイト表面をエッチング
する処理）等により被コーティング面となるアルマイト
表面を表面処理する。The coating procedure when the surface to be coated is an alumite surface will be described below. First, the alumite surface was washed with a solvent or 250 [° C.] to 400 ° C.
Heat to [° C] to remove or carbonize adhering fats and oils. After that, the surface of the anodized aluminum that does not need to be coated is masked, the surface of the anodized aluminum to be coated is sanded, blasted with alumina ceramic, etc., ceramic spraying (melting and irradiating the alumina ceramic with plasma and spraying it onto the alumite surface), chemical treatment The surface of the alumite surface to be coated is subjected to a surface treatment by (treatment for chemically etching the alumite surface) or the like.
【００５７】次に、コーティング材をアルマイト表面に
塗布する。粒径１〜１０［μｍ］の粉体にしたコーティ
ング材を、界面活性剤、溶剤、または水に分散させ、こ
のコーティング材の分散液にアルマイト面をディッピン
グする。あるいは、上記のコーティング材の分散液をア
ルマイト面にハケ塗りまたはスプレーする。あるいは、
粒径１〜１０［μｍ］の粉体にしたコーティング材を静
電粉体塗装法によりアルマイト面に塗布する。Next, a coating material is applied to the alumite surface. A coating material having a particle size of 1 to 10 [μm] is dispersed in a surfactant, a solvent, or water, and the alumite surface is dipped in a dispersion of the coating material. Alternatively, the dispersion of the above coating material is brushed or sprayed on the alumite surface. Or,
A coating material formed into a powder having a particle size of 1 to 10 [μm] is applied to the alumite surface by an electrostatic powder coating method.
【００５８】最後に、塗布したコーティング材を焼成処
理し、アルマイト表面にコーティング膜を形成する。こ
のときに、コーティング膜中に気泡（ピンホール）を生
じない条件で焼成する。Finally, the applied coating material is baked to form a coating film on the surface of the alumite. At this time, firing is performed under conditions that do not generate bubbles (pinholes) in the coating film.
【００５９】本実施の形態のエッチング装置では、チャ
ンバウォール１０ａ内面およびチャンバベース１０ｂ内
面に、例えばＰＴＦＥからなるコーティング膜７Ａが形
成されている。また、インシュレーティングパイプ３表
面に、例えばＰＴＦＥからなるコーティング膜７Ｃが形
成されている。従って、ドライエッチングのときに、反
応生成物ＡｌＣｌ3 は、コーティング膜７Ａおよび７Ｃ
上に堆積する。In the etching apparatus of the present embodiment, a coating film 7A made of, for example, PTFE is formed on the inner surface of the chamber wall 10a and the inner surface of the chamber base 10b. A coating film 7C made of, for example, PTFE is formed on the surface of the insulating pipe 3. Therefore, at the time of dry etching, the reaction product AlCl 3 is applied to the coating films 7A and 7C.
Deposit on top.
【００６０】コーティング膜表面に対するＡｌＣｌ3 等
の反応生成物の付着力は、アルマイト層表面に対する付
着力よりも弱いため、上記のメンテナンスのときに、Ａ
ｌＣｌ3 等の反応生成物を容易に除去することができ
る。従って、チャンバウォール１０ａ内面、チャンバベ
ース１０ｂ内面、およびインシュレーティングパイプ３
表面のアルマイト層をコーティング膜７Ａおよび７Ｃで
コーティングすることにより、メンテナンスのときに、
ＡｌＣｌ3 等の反応生成物を容易に除去することがで
き、これによりメンテナンスの作業時間を短縮すること
ができる。The adhesion of a reaction product such as AlCl 3 to the surface of the coating film is weaker than the adhesion to the surface of the alumite layer.
Reaction products such as 1Cl 3 can be easily removed. Therefore, the inner surface of the chamber wall 10a, the inner surface of the chamber base 10b, and the insulating pipe 3
By coating the alumite layer on the surface with the coating films 7A and 7C, at the time of maintenance,
Reaction products such as AlCl 3 can be easily removed, thereby shortening the maintenance work time.
【００６１】また、コーティング膜７Ａおよび７Ｃの表
面は、アルマイト層表面よりも滑らかなため、メンテナ
ンスのときに水拭き布の布くずの残留をなくすことがで
きる。上記の布くずがエッチング前の半導体ウエハ４０
のＡｌ膜表面に付着すると、その部分がエッチングされ
ず、アルミパターン欠陥が発生してしまう。従って、チ
ャンバウォール１０ａ内面、チャンバベース１０ｂ内
面、およびインシュレーティングパイプ３表面のアルマ
イト層をコーティング膜７Ａおよび７Ｃでコーティング
することにより、プロセスチャンバ１０内の塵埃を減少
させ、半導体ウエハ４０のパターン欠陥の発生を低減で
きる。Further, since the surfaces of the coating films 7A and 7C are smoother than the surface of the alumite layer, it is possible to eliminate the residue of water wipes during maintenance. The semiconductor wafer 40 before the above-mentioned cloth waste is etched
When it adheres to the surface of the Al film, the portion is not etched, and an aluminum pattern defect occurs. Therefore, by coating the alumite layers on the inner surface of the chamber wall 10a, the inner surface of the chamber base 10b, and the surface of the insulating pipe 3 with the coating films 7A and 7C, dust in the process chamber 10 is reduced, and pattern defects of the semiconductor wafer 40 are reduced. Generation can be reduced.
【００６２】また、コーティング膜７Ａおよび７Ｃは、
耐酸性に優れているため、メンテナンスのときの水拭き
または水洗により、ＡｌＣｌ3 と水が反応し、塩酸（Ｈ
Ｃｌ）を生じても、コーティング膜はＨＣｌに浸食され
ない。このため、メンテナンスのときに生成されてしま
うＨＣｌにより、チャンバウォール１０ａ内面、チャン
バベース１０ｂ内面、およびインシュレーティングパイ
プ３表面のアルマイト層が浸食されることはない。上記
のアルマイト層が浸食されると、発塵源となり、プロセ
スチャンバ１０内の塵埃（ダスト、パーティクル）を増
加させる。上記の塵埃がエッチング前の半導体ウエハ４
０のアルミ膜表面に付着すると、その部分にパターン欠
陥が発生してしまう。従って、チャンバウォール１０ａ
内面、チャンバベース１０ｂ内面、およびインシュレー
ティングパイプ３表面のアルマイト層をコーティング膜
７Ａおよび７Ｃでコーティングすることにより、上記ア
ルマイト層の浸食を防止することができ、これによりチ
ャンバウォール１０ａ、チャンバベース１０ｂ、および
インシュレーティングパイプ３の耐久性を向上させるこ
とができ、また上記のアルマイト層が発塵源となること
を防止できる。The coating films 7A and 7C are
Due to its excellent acid resistance, AlCl 3 and water react with each other by wiping or washing with water during maintenance, and hydrochloric acid (H
Cl) does not erode the coating film into HCl. Therefore, the alumite layer on the inner surface of the chamber wall 10a, the inner surface of the chamber base 10b, and the surface of the insulating pipe 3 is not eroded by HCl generated at the time of maintenance. When the alumite layer is eroded, it becomes a dust source and increases dust (dust, particles) in the process chamber 10. The above dust is the semiconductor wafer 4 before etching.
When it adheres to the surface of the aluminum film of No. 0, a pattern defect occurs at that portion. Therefore, the chamber wall 10a
By coating the inner surface, the inner surface of the chamber base 10b, and the alumite layer on the surface of the insulating pipe 3 with the coating films 7A and 7C, the erosion of the alumite layer can be prevented, whereby the chamber wall 10a, the chamber base 10b, In addition, the durability of the insulating pipe 3 can be improved, and the alumite layer can be prevented from becoming a dust generating source.
【００６３】また、本実施の形態のエッチング装置で
は、チャンバリッド１０ｃ内面には、コーティング膜を
形成していない。これは以下の理由による。チャンバリ
ッド１０ｃは半導体ウエハ４０の上方に位置しているた
め、チャンバリッド１０ｃ内面にコーティング膜を形成
すると、堆積した反応生成物ＡｌＣｌ3 の粘着力が小さ
くなり、反応生成物ＡｌＣｌ3 の塊が落下し、半導体ウ
エハ４０表面に付着する危険性がある。ＡｌＣｌ3 の塊
がエッチング前の半導体ウエハ４０表面に付着すると、
その部分のアルミ膜がエッチングされずにパターン欠陥
になってしまう。また、ＡｌＣｌ3 の塊がエッチングの
済んだ半導体ウエハ４０表面に付着すると、大気中の水
分と反応してＨＣｌを生じ、このＨＣｌはアルミパター
ンを広範囲に腐食させてしまう。これらのことは、チャ
ンバリッド１０ｃ内面のアルマイト層が浸食され、発塵
源となることよりも危険である。Further, in the etching apparatus of the present embodiment, no coating film is formed on the inner surface of the chamber lid 10c. This is for the following reason. Since the chamber lid 10c is located above the semiconductor wafer 40, when a coating film is formed on the inner surface of the chamber lid 10c, the adhesion of the deposited reaction product AlCl 3 is reduced, and the lump of the reaction product AlCl 3 falls. However, there is a risk of adhering to the surface of the semiconductor wafer 40. When the mass of AlCl 3 adheres to the surface of the semiconductor wafer 40 before etching,
The portion of the aluminum film is not etched and becomes a pattern defect. Also, when the AlCl 3 mass adheres to the surface of the etched semiconductor wafer 40, it reacts with moisture in the atmosphere to generate HCl, and this HCl corrodes the aluminum pattern over a wide area. These are more dangerous than the alumite layer on the inner surface of the chamber lid 10c being eroded and becoming a source of dust.
【００６４】また、本実施の形態のエッチング装置で
は、カソード１表面には、コーティング膜を形成してい
ない。これは以下の理由による。カソード１は、上面に
ロードされた半導体ウエハ４０に熱を伝導させ、半導体
ウエハ４０を所定の温度に制御している。カソード１表
面にコーティング膜を形成すると、半導体ウエハ４０に
対する熱伝導率が低下し、これによりエッチング特性が
変化したり、エッチング特性のばらつきが大きくなって
しまう危険性がある。In the etching apparatus of the present embodiment, no coating film is formed on the surface of cathode 1. This is for the following reason. The cathode 1 conducts heat to the semiconductor wafer 40 loaded on the upper surface, and controls the semiconductor wafer 40 to a predetermined temperature. When a coating film is formed on the surface of the cathode 1, there is a danger that the thermal conductivity to the semiconductor wafer 40 is reduced, thereby changing the etching characteristics or increasing the variation in the etching characteristics.
【００６５】また、本実施の形態のエッチング装置で
は、石英パイプ２表面に、例えばＰＴＦＥからなるコー
ティング膜７Ｂが形成されている。コーティング膜７Ｂ
は、石英よりも弾性に富んでいるため耐衝撃性に優れて
おり、石英パイプ２をプロセスチャンバ１０の内面また
は他の部品にぶつけたときに、石英に対する保護膜とし
て機能する。これにより、上記の定期メンテナンスおい
て、石英パイプ２を取り外すときまたは取り付けるとき
に、石英パイプ２の上部および下部の角を他の部品等に
ぶつけても、割れたり欠けたりすることがなくなり、ま
た欠けた部分で作業者が手を怪我することがなくなる。
従って、石英パイプ２表面をコーティング膜７Ｂでコー
ティングすることにより、石英パイプ２の破損を防止
し、作業者の安全性を向上させることができる。In the etching apparatus of the present embodiment, a coating film 7B made of, for example, PTFE is formed on the surface of the quartz pipe 2. Coating film 7B
Is superior in impact resistance because it is more elastic than quartz, and functions as a protective film for quartz when the quartz pipe 2 is hit against the inner surface of the process chamber 10 or another component. Thereby, when the quartz pipe 2 is removed or attached in the above regular maintenance, the upper and lower corners of the quartz pipe 2 are not broken or chipped even if the upper and lower corners are hit against other parts. The worker will not be injured in the missing part.
Therefore, by coating the surface of the quartz pipe 2 with the coating film 7B, damage to the quartz pipe 2 can be prevented, and the safety of the worker can be improved.
【００６６】また、本実施の形態のエッチング装置で
は、石英からなるクランプリング４の半導体ウエハ４０
と接触する面４ａに、例えばＴＰＦＥからなるコーティ
ング膜７Ｄが形成されている。コーティング膜７Ｄ表面
は、石英表面よりも、半導体ウエハ４０のフォトレジス
トおよびアルミ膜に対する滑り性が高い（付着力が低
い）。これにより、クランプリング４が半導体ウエハ４
０と接触しても、発塵の原因となる擦れやクランプリン
グ４に対するレジスト付着をなくすことができる。従っ
て、クランプリング４の半導体ウエハ４０と接触する面
４ａをコーティング膜７Ｄでコーティングすることによ
り、プロセスチャンバ１０内の塵埃（ダスト、パーティ
クル）を減少させることができ、これにより半導体ウエ
ハ４０におけるアルミパターン欠陥の発生を低減するこ
とができる。In the etching apparatus of the present embodiment, the semiconductor wafer 40 of the clamp ring 4 made of quartz is used.
The coating film 7D made of, for example, TPFE is formed on the surface 4a that comes into contact with the substrate. The surface of the coating film 7D has a higher sliding property (lower adhesion) with respect to the photoresist and the aluminum film of the semiconductor wafer 40 than the quartz surface. As a result, the clamp ring 4 is
Even if it comes into contact with 0, rubbing that causes dust and adhesion of resist to the clamp ring 4 can be eliminated. Therefore, by coating the surface 4a of the clamp ring 4 which is in contact with the semiconductor wafer 40 with the coating film 7D, dust (dust, particles) in the process chamber 10 can be reduced. The occurrence of defects can be reduced.
【００６７】以上のように本発明の実施の形態によれ
ば、ＡｌＣｌ3 等の反応生成物が堆積するプロセスチャ
ンバ１０（チャンバウォール１０ａ、チャンバベース１
０ｂ）内面および構成部品（インシュレーティングパイ
プ３）のアルマイト層表面に、フッ素樹脂、エンジニア
リングプラスチック、またはこれらの混合樹脂からなる
コーティング膜７（７Ａ、７Ｃ）を形成したことによ
り、コーティング膜７は反応生成物に対する滑り性に優
れているため、メンテナンスのときに反応生成物を容易
に除去することができるようになり、これによりメンテ
ナンスの作業時間を短縮することができる。As described above, according to the embodiment of the present invention, the process chamber 10 (chamber wall 10a, chamber base 1) on which a reaction product such as AlCl 3 is deposited.
0b) The coating film 7 (7A, 7C) made of fluororesin, engineering plastic, or a mixed resin thereof is formed on the inner surface and the surface of the alumite layer of the component (insulating pipe 3), so that the coating film 7 reacts. Because of excellent slipperiness with respect to the product, the reaction product can be easily removed at the time of maintenance, thereby shortening the maintenance work time.
【００６８】また、コーティング膜７は、上記のアルマ
イト層表面よりも滑らかなため、メンテナンスのときに
拭き取り布の布くずの残留をなくすことができる。これ
により、プロセスチャンバ１０内の塵埃を減少させ、半
導体ウエハにおけるパターン欠陥の発生を低減できる。Further, since the coating film 7 is smoother than the surface of the alumite layer, the residue of the wiped cloth can be eliminated during maintenance. Thus, dust in the process chamber 10 can be reduced, and the occurrence of pattern defects on the semiconductor wafer can be reduced.
【００６９】また、コーティング膜７は、耐酸性に優れ
ているため、メンテナンスのときに水とＡｌＣｌ3 との
反応によりＨＣｌが生成されても、アルマイト層の浸食
を防止することができる。これにより、プロセスチャン
バ１０および構成部品の耐久性を向上させることがで
き、また上記のアルマイト層が発塵源となることを防止
できる。Further, since the coating film 7 is excellent in acid resistance, even if HCl is generated by the reaction between water and AlCl 3 during maintenance, erosion of the alumite layer can be prevented. Thereby, the durability of the process chamber 10 and the components can be improved, and the alumite layer can be prevented from becoming a dust generation source.
【００７０】また、石英からなる構成部品（石英パイプ
２）表面に、フッ素樹脂、エンジニアリングプラスチッ
ク、またはこれらの混合樹脂からなるコーティング膜７
（７Ｂ）を形成したことにより、コーティング膜７は、
石英よりも耐衝撃性に優れており、保護膜として機能す
るため、メンテナンスのときに上記の構成部品を他の部
品等にぶつけても、欠けたり割れたりすることがなくな
る。これにより、上記の構成部品の破損を防止して耐久
性を向上させることができ、、作業者の安全性を向上さ
せることができる。A coating film 7 made of fluororesin, engineering plastic, or a mixture of these resins is formed on the surface of a quartz component (quartz pipe 2) made of quartz.
By forming (7B), the coating film 7 becomes
Since it has better impact resistance than quartz and functions as a protective film, it does not break or break even when the above components are hit against other components during maintenance. Thereby, the above components can be prevented from being damaged, the durability can be improved, and the safety of the worker can be improved.
【００７１】また、構成部品（クランプリング４）の半
導体ウエハと接触する面に、フッ素樹脂、エンジニアリ
ングプラスチック、またはこれらの混合樹脂からなるコ
ーティング膜７（７Ｄ）を形成したことにより、コーテ
ィング膜７は、半導体ウエハのフォトレジストおよび被
エッチング膜（アルミ膜）に対する滑り性が高いため、
発塵の原因となる擦れやレジスト付着をなくすことがで
きる。これにより、プロセスチャンバ１０内の塵埃（ダ
スト、パーティクル）を減少させ、半導体ウエハにおけ
るパターン欠陥の発生を低減することができる。The coating film 7 (7D) made of fluororesin, engineering plastic, or a mixture of these resins is formed on the surface of the component (clamp ring 4) that contacts the semiconductor wafer. Because of the high slipperiness of the semiconductor wafer against the photoresist and the film to be etched (aluminum film),
Rubbing and resist adhesion that cause dust generation can be eliminated. Thus, dust (dust, particles) in the process chamber 10 can be reduced, and the occurrence of pattern defects on the semiconductor wafer can be reduced.
【００７２】なお、上記実施の形態では、アルミドライ
エッチング装置を例にして説明したが、本発明のエッチ
ング装置は、Ｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ等のハロゲン元素を含
むハロゲン化合物ガスを用いたエッチング装置にも適用
可能である。例えば、Ｃｌ2，ＢＣｌ3 ，Ｎ2 ，ＣＨＦ
3 ，ＳｉＣｌ4 等のプロセスガスを用いたアルミドライ
エッチング装置、ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，Ａｒ，Ｃ2 Ｆ6 ，
ＣＯ，Ｏ2 ，Ｎ2 等のプロセスガスを用いた酸化膜ドラ
イエッチング装置、ＳＦ6 ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ，ＣＦ4 ，
Ｏ2 ，Ｎ2 ，ＮＦ3 等のプロセスガスを用いたポリシリ
コンドライエッチング装置、ＳＦ6 ，ＣＨＦ3 ，Ｈｅ，
ＣＦ4 ，Ｏ2 ，Ｎ2 等のプロセスガスを用いた窒化膜ド
ライエッチング装置、ＳＦ6 ，Ｃｌ2 ，Ａｒ，Ｈｅ，Ｎ
2 等のプロセスガスを用いたタングステンドライエッチ
ング装置にも適用可能である。In the above embodiment, an aluminum dry etching apparatus has been described as an example. However, the etching apparatus of the present invention employs an etching method using a halogen compound gas containing a halogen element such as B, F, Cl, or Br. It is also applicable to devices. For example, Cl 2 , BCl 3 , N 2 , CHF
3, SiCl 4 aluminum dry etching apparatus using a process gas such as, CF 4, CHF 3, Ar , C 2 F 6,
Oxide film dry etching apparatus using process gas such as CO, O 2 , N 2 , SF 6 , Cl 2 , HBr, CF 4 ,
A polysilicon dry etching apparatus using a process gas such as O 2 , N 2 , NF 3 , SF 6 , CHF 3 , He,
A nitride film dry etching apparatus using a process gas such as CF 4 , O 2 , N 2 , SF 6 , Cl 2 , Ar, He, N
The present invention can also be applied to a tungsten dry etching apparatus using a process gas such as 2 .
【００７３】また、上記実施の形態では、被コーティン
グ面がアルマイト層表面および石英表面であったが、被
コーティング面は、セラミック表面またはステンレス鋼
表面であっても良い。In the above embodiment, the surface to be coated is the surface of the alumite layer and the surface of quartz, but the surface to be coated may be the surface of ceramic or the surface of stainless steel.
【００７４】また、上記実施の形態では、プロセスチャ
ンバ内面およびプロセスチャンバ内構成部品にコーティ
ング膜を形成したが、プロセスチャンバ外の構成部品に
コーティング膜を形成しても良い。例えば、ロードロッ
クチャンバにもプロセスガスおよび反応生成物を含む雰
囲気が流入するので、プロセスガスに構成部品を腐食さ
せるもの（腐食性ガス）が含まれている場合には、ロー
ドロックチャンバ内面や、ロードロックチャンバ内のネ
ジおよびスプリングにコーティング膜を形成すれば、腐
食を防止できる。In the above embodiment, the coating film is formed on the inner surface of the process chamber and on the components inside the process chamber. However, the coating film may be formed on components outside the process chamber. For example, since an atmosphere containing a process gas and a reaction product flows into the load lock chamber, if the process gas contains a component (corrosive gas) that corrodes a component, the inner surface of the load lock chamber or If a coating film is formed on screws and springs in the load lock chamber, corrosion can be prevented.
【００７５】[0075]
【発明の効果】以上説明したように本発明のエッチング
装置によれば、プロセスチャンバ内面および装置構成部
品表面に、滑らかで堆積物に対する滑り性が高いコーテ
ィング膜を形成したことにより、堆積した反応生成物を
容易に除去することができ、プロセスチャンバおよび装
置構成部品の耐久性の向上を図ることができるという効
果がある。As described above, according to the etching apparatus of the present invention, since the coating film which is smooth and has high slipperiness against deposits is formed on the inner surface of the process chamber and the surfaces of the components of the apparatus, the deposited reaction products are formed. An object can be easily removed, and the durability of the process chamber and the equipment components can be improved.
【００７６】また、取り外し可能な石英またはセラミッ
クからなる装置構成部品の表面に、コーティング膜を形
成したことにより、上記の構成部品の破損を防止して耐
久性を向上させることができ、メンテナンス作業者の安
全性を向上させることができるという効果がある。Also, by forming a coating film on the surface of the removable quartz or ceramic component, the above component can be prevented from being damaged and its durability can be improved. There is an effect that the safety of the vehicle can be improved.
【００７７】また、装置構成部品の半導体ウエハと接触
する面に、半導体ウエハに対する滑り性が高いコーティ
ング膜を形成したことにより、プロセスチャンバ内の塵
埃の減少を図ることができる。Further, since a coating film having high slipperiness with respect to the semiconductor wafer is formed on the surface of the device component which comes into contact with the semiconductor wafer, dust in the process chamber can be reduced.
【００７８】また、本発明の半導体デバイスの製造方法
によれば、エッチング工程におけるパターン不良を低減
することができるという効果がある。Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, there is an effect that pattern defects in the etching step can be reduced.
【図１】本発明の実施の形態のドライエッチング装置を
構成するプロセスチャンバの断面構造図である。FIG. 1 is a sectional structural view of a process chamber constituting a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態のドライエッチング装置の
上面構造図である。FIG. 2 is a top structural view of the dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態のドライエッチング装置を
構成するプロセスチャンバ内に設けられた石英パイプお
よびインシュレーティングパイプの断面構造図である。FIG. 3 is a sectional structural view of a quartz pipe and an insulating pipe provided in a process chamber constituting a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態のドライエッチング装置を
構成するプロセスチャンバ内に設けられたクランプリン
グの断面構造図である。FIG. 4 is a sectional structural view of a clamp ring provided in a process chamber constituting the dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図５】従来のドライエッチング装置を構成するプロセ
スチャンバの断面構造図である。FIG. 5 is a sectional structural view of a process chamber constituting a conventional dry etching apparatus.
１ カソード、 ２ 石英パイプ、 ３ インシュレー
ティングパイプ、 ４クランプリング、 ７，７Ａ，７
Ｂ，７Ｃ，７Ｄ コーティング膜、 １０プロセスチャ
ンバ、 ２０ ロードロックチャンバ、 ３０ カセッ
トハンドラ、 ４０ 半導体ウエハ。1 Cathode, 2 Quartz pipe, 3 Insulating pipe, 4 Clamp ring, 7, 7A, 7
B, 7C, 7D Coating film, 10 process chamber, 20 load lock chamber, 30 cassette handler, 40 semiconductor wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 俊司 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 (72)発明者 友成 節夫 熊本県玉名郡三加和町東吉地字高倉1034番 地 有限会社イワキコーティング工業内 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 AA16 BA04 BB13 BB21 BB30 DA04 DB09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shunji Hayashi 727 Kihara, Kiyotake-cho, Miyazaki-gun, Miyazaki Prefecture Inside Miyazaki Oki Electric Co., Ltd. Address F term in Iwaki Coating Industry Co., Ltd. (reference) 5F004 AA15 AA16 BA04 BB13 BB21 BB30 DA04 DB09
Claims (13)
供給することにより、プロセスチャンバ内に置かれた半
導体ウエハをエッチング処理するエッチング装置におい
て、 プロセスガスと半導体ウエハとの反応生成物を含む雰囲
気に曝され、プロセスガスまたは前記反応生成物が堆積
するプロセスチャンバ内面または装置構成部品表面に、
コーティング膜を形成してあり、 前記コーティング膜が、被コーティング面よりも滑らか
であり、被コーティング面よりも堆積物に対する滑り性
が高いものであることを特徴とするエッチング装置。An etching apparatus for etching a semiconductor wafer placed in a process chamber by supplying a process gas into the etching chamber is exposed to an atmosphere containing a reaction product between the process gas and the semiconductor wafer. , On the inner surface of the process chamber or on the surface of the equipment component where the process gas or the reaction product is deposited,
An etching apparatus, wherein a coating film is formed, wherein the coating film is smoother than a surface to be coated and has higher slipperiness to a deposit than a surface to be coated.
マイト、石英、セラミック、またはステンレス鋼である
ことを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。2. The etching apparatus according to claim 1, wherein the surface to be coated is aluminum, alumite, quartz, ceramic, or stainless steel.
たはこれを除去するときに生じる反応生成物に浸食され
ないものであることを特徴とする請求項１記載のエッチ
ング装置。3. The etching apparatus according to claim 1, wherein the coating film is not eroded by a deposit or a reaction product generated when removing the deposit.
アルマイトであり、前記堆積物を除去するときに生じる
反応生成物が、塩酸であることを特徴とする請求項３記
載のエッチング装置。4. The etching apparatus according to claim 3, wherein the surface to be coated is aluminum or alumite, and a reaction product generated when removing the deposit is hydrochloric acid.
バウォールと、底面となるチャンバベースと、天面とな
るチャンバリッドとにより構成され、 このプロセスチャンバ内に、 チャンバベースに固設され、上面に半導体ウエハが載置
され、ＲＦ電圧が印加されるカソードと、 内側面がカソードの外側面を取り囲むように設置された
インシュレーティングパイプとが設けられており、 チャンバウォール内面、チャンバベース内面、およびイ
ンシュレーティングパイプ表面に、前記コーティング膜
を形成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載のエッチング装置。5. A process chamber includes a chamber wall serving as a side surface, a chamber base serving as a bottom surface, and a chamber lid serving as a top surface. In the process chamber, the process chamber is fixed to the chamber base, and a semiconductor is provided on the upper surface. A cathode on which a wafer is mounted and to which an RF voltage is applied; and an insulating pipe provided such that an inner surface surrounds the outer surface of the cathode. 5. The etching apparatus according to claim 1, wherein the coating film is formed on a pipe surface.
給することにより、プロセスチャンバ内に置かれた半導
体ウエハをエッチング処理するエッチング装置におい
て、 取り外し可能な石英またはセラミックからなる装置構成
部品の表面に、コーティング膜を形成してあり、 前記コーティング膜が、衝撃による前記装置構成部品の
割れ欠けを防止する保護膜となるものであることを特徴
とするエッチング装置。6. An etching apparatus for etching a semiconductor wafer placed in a process chamber by supplying a process gas into the process chamber, wherein a surface of a removable quartz or ceramic device component is coated on the surface. An etching apparatus having a film formed thereon, wherein the coating film serves as a protective film for preventing cracking of the device component due to impact.
カソードと、 内側面がカソードの外側面を取り囲むように設置された
取り外し可能な石英パイプとが設けられており、 前記石英パイプの表面に、前記コーティング膜を形成し
たことを特徴とする請求項６記載のエッチング装置。7. A process chamber, comprising: a cathode on which a semiconductor wafer is mounted on an upper surface, to which an RF voltage is applied; and a detachable quartz pipe having an inner surface surrounding an outer surface of the cathode. The etching apparatus according to claim 6, wherein the coating film is formed on a surface of the quartz pipe.
給することにより、プロセスチャンバ内に置かれた半導
体ウエハをエッチング処理するエッチング装置におい
て、 半導体ウエハをプロセスチャンバ内に搬送し、エッチン
グ処理時に半導体ウエハを固定し、またはエッチング処
理が済んだ半導体ウエハをプロセスチャンバ外に搬送す
るための装置構成部品の半導体ウエハと接触する面に、
コーティング膜を形成してあり、 前記コーティング膜が、被コーティング面よりも半導体
ウエハに対する滑り性が高いものであることを特徴とす
るエッチング装置。8. An etching apparatus for etching a semiconductor wafer placed in a process chamber by supplying a process gas into the process chamber, wherein the semiconductor wafer is transferred into the process chamber and the semiconductor wafer is removed during the etching process. On the surface in contact with the semiconductor wafer of the device component for fixing, or transporting the semiconductor wafer after the etching process out of the process chamber,
An etching apparatus having a coating film formed thereon, wherein the coating film has a higher sliding property to a semiconductor wafer than a surface to be coated.
マイト、石英、セラミック、またはステンレス鋼である
ことを特徴とする請求項８記載のエッチング装置。9. The etching apparatus according to claim 8, wherein the surface to be coated is aluminum, alumite, quartz, ceramic, or stainless steel.
ドと、 カソード上面に配置され、半導体ウエハの表面周部に接
触して半導体ウエハをカソード上面に固定するクランプ
リングとが設けられており、 前記クランプリングの半導体ウエハと接触する面に、前
記コーティング膜を形成したことを特徴とする請求項８
または９に記載のエッチング装置。10. A semiconductor wafer is placed in a process chamber, and a cathode to which an RF voltage is applied and a cathode are disposed on the upper surface of the cathode, and the semiconductor wafer is fixed to the upper surface of the cathode by contacting the surface periphery of the semiconductor wafer. 9. A clamp ring is provided, and the coating film is formed on a surface of the clamp ring that contacts the semiconductor wafer.
Or the etching apparatus according to 9.
エンジニアリングプラスチック、またはフッ素樹脂とエ
ンジニアリングプラスチックとの混合樹脂からなること
を特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載のエ
ッチング装置。11. The method according to claim 11, wherein the coating film is a fluororesin,
11. The etching apparatus according to claim 1, comprising an engineering plastic or a mixed resin of a fluororesin and an engineering plastic.
成し、その上にフォトレジストパターンを形成する工程
と、 請求項１、３、または８に記載のエッチング装置におい
て、ハロゲン化合物を含むプロセスガスにより、前記被
エッチング膜をドライエッチングする工程とを含むこと
を特徴とする半導体デバイスの製造方法。12. The etching apparatus according to claim 1, wherein a film to be etched is formed on a semiconductor wafer and a photoresist pattern is formed thereon. And a step of dry-etching the film to be etched.
り、 前記プロセスガスが、塩素を含むことを特徴とする請求
項１２記載の半導体デバイスの製造方法。13. The method according to claim 12, wherein the film to be etched is an aluminum film, and the process gas contains chlorine.
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