JP2000181784A - Rewritable nonvolatile storage device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 頻繁に書き換えられる特定サイズのデータの
書き換え動作を簡易にし、また、フラッシュメモリチッ
プの寿命が短くなるのを防止する。
【解決手段】 ホスト処理装置21から指示される書き
込みのデータサイズが、1セクタサイズに等しい場合、
書き込みデータを、メモリブロックサイズが1セクタで
あるフラッシュメモリチップ13に格納する。ホスト処
理装置21から指示される書き込みのデータサイズが、
1セクタサイズ以外の場合、書き込みデータを、メモリ
ブロックサイズが4セクタであるフラッシュメモリチッ
プ14に格納する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To simplify the rewriting operation of frequently rewritten data of a specific size and to prevent the life of a flash memory chip from being shortened. When a write data size specified by a host processing device is equal to one sector size,
The write data is stored in the flash memory chip 13 having a memory block size of one sector. When the write data size specified by the host processing device 21 is
If the size is other than 1 sector size, the write data is stored in the flash memory chip 14 having a memory block size of 4 sectors.
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、書き換え可能な不
揮発性記憶媒体を利用した記憶装置に関し、特に、書き
換え回数に上限がある不揮発性半導体メモリを利用した
記憶装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage device using a rewritable nonvolatile storage medium, and more particularly to a storage device using a nonvolatile semiconductor memory having an upper limit on the number of rewrites.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、デジタルスチルカメラのデータス
トレージ装置としてや、ハンドヘルドPC等の携帯情報
機器の外部記憶装置として不揮発性半導体メモリを利用
した記憶装置が使用されるようになった。その代表的な
ものがフラッシュメモリカードである。フラッシュメモ
リカードは、記憶媒体としてフラッシュメモリを搭載し
たカード形状の小型記憶装置であり、一般にPCカード
サイズ、またはそれ以下のサイズのものである。2. Description of the Related Art In recent years, a storage device using a nonvolatile semiconductor memory has been used as a data storage device of a digital still camera or as an external storage device of a portable information device such as a handheld PC. A typical example is a flash memory card. A flash memory card is a card-shaped small storage device equipped with a flash memory as a storage medium, and is generally a PC card size or smaller.
【0003】ここで記憶媒体として使われるフラッシュ
メモリは、動作電源を切ってもデータが消失することが
なく書き換え可能な不揮発性半導体メモリである。フラ
ッシュメモリは、(a)電気的に消去・書き込みを行う
ためオンボードでの書き換えが可能、(b)セル面積が
小さく大容量化に適している、等の特長を備えている。
しかし、その一方で、消去/書き込みの繰り返しにより
メモリセルの特性が劣化するので、消去/書き込みの回
数に上限が存在する。このようなフラッシュメモリを使
用した記憶装置の例は、例えば、特開平6−4399号
公報に記載されている。The flash memory used as a storage medium is a rewritable non-volatile semiconductor memory without losing data even when the operation power is turned off. The flash memory has the following features: (a) on-board rewriting is possible because of electrical erasing and writing; and (b) the cell area is small and suitable for large capacity.
However, on the other hand, the characteristics of the memory cell are degraded due to repetition of erasing / writing, so that there is an upper limit on the number of erasing / writing. An example of a storage device using such a flash memory is described in, for example, JP-A-6-4399.
【0004】また、フラッシュメモリは、フラッシュメ
モリセルの特性上、データの書き換え操作として既に書
き込まれているデータに新しいデータを上書きすること
は通常できない。そのために、所定サイズ(例えば、5
12バイト)のメモリブロック単位で一旦古いデータを
消去した後に新しいデータを書き込む必要がある。ここ
でメモリブロックとは、不揮発性半導体メモリチップ内
でデータが一括に消去される最小単位であり、一般に、
NAND型、NOR型といったフラッシュメモリのセル
方式により異なるサイズをもつ。[0004] In the flash memory, due to the characteristics of the flash memory cell, it is usually not possible to overwrite data that has already been written with new data as a data rewriting operation. Therefore, a predetermined size (for example, 5
It is necessary to write new data after erasing old data once in units of memory blocks (12 bytes). Here, a memory block is a minimum unit in which data is collectively erased in a nonvolatile semiconductor memory chip.
It has a different size depending on the flash memory cell system such as NAND type or NOR type.
【0005】また、従来のフラッシュメモリセルにおい
ては、その動作点を意味するしきい値電圧が高い領域に
ある場合を「0」、低い領域にある場合を「1」とし
て、1トランジスタセルに1ビットを記憶させていた。
これに対して、近年、多値技術、すなわち、フローティ
ングゲートに注入する電荷量を精密に制御し、しきい値
電圧領域を細分化することで、1トランジスタセルに複
数ビットを記憶させる技術が開発された。この多値技術
により、大容量で、メモリブロックのサイズが多様なフ
ラッシュメモリが実現できるようになった。Further, in the conventional flash memory cell, if the threshold voltage, which indicates the operating point, is in a high region, it is set to "0", and if it is in a low region, it is set to "1". Bits were stored.
On the other hand, in recent years, a multivalued technology, that is, a technology of storing multiple bits in one transistor cell by precisely controlling the amount of charge injected into the floating gate and subdividing the threshold voltage region has been developed. Was done. This multi-level technology has made it possible to realize a flash memory having a large capacity and various memory block sizes.
【0006】これまでのフラッシュメモリのなかには、
メモリブロックの大きさを、ハードディスク装置の一般
的なデータ管理単位であるセクタ(512バイト)と一
致させていたものがあった。しかし、このようなフラッ
シュメモリでも、最近では、メモリブロックの容量を増
大させたものが開発されている。例えば、メモリブロッ
クのサイズが2Kバイト(4セクタサイズ)のフラッシ
ュメモリが開発されている。[0006] Some conventional flash memories include:
In some cases, the size of a memory block is matched with a sector (512 bytes), which is a general data management unit of a hard disk device. However, even in such flash memories, those in which the capacity of a memory block is increased have recently been developed. For example, a flash memory having a memory block size of 2 Kbytes (four sector size) has been developed.
【0007】上述したようなフラッシュメモリを使った
フラッシュメモリカードは、パーソナルコンピュータ
(以下、PCという)の代表的な外部記憶装置であるハ
ードディスクと比較して、ビット単価やデータの書き換
え上限回数の点で劣る。その一方で、フラッシュメモリ
カードは、(a)小型・軽量であり持ち運びが容易で、
(b)機械的駆動部分がないため衝撃や振動に対して強
く、(c)低消費電力であり、電池での使用に好都合、
等の特長をもち、携帯情報機器等の外部記憶装置に適し
ている。[0007] A flash memory card using a flash memory as described above has a lower unit cost per bit and an upper limit number of times of data rewriting as compared with a hard disk which is a typical external storage device of a personal computer (hereinafter referred to as PC). Inferior. On the other hand, flash memory cards are (a) small and lightweight, easy to carry,
(B) strong against shock and vibration because there is no mechanical drive part, (c) low power consumption, convenient for use in batteries,
It is suitable for an external storage device such as a portable information device.
【0008】フラッシュメモリカードをPCの外部記憶
装置として使用する場合、フラッシュメモリに格納する
ファイルは、PCのオペレーティング・システムで広く
採用されているFAT(File Allocation Table)ファ
イルシステムで管理することが多い。When a flash memory card is used as an external storage device of a PC, a file stored in the flash memory is often managed by a FAT (File Allocation Table) file system widely used in an operating system of the PC. .
【0009】図13は、FATファイルシステムにおけ
る論理的なメモリマップを示す図である。同図に示すよ
うに、メモリマップは、ブートセクタ、FAT領域1、
ルートディレクトリ領域2、通常データ領域3に分けら
れる。FIG. 13 is a diagram showing a logical memory map in the FAT file system. As shown in the figure, the memory map includes a boot sector, a FAT area 1,
It is divided into a root directory area 2 and a normal data area 3.
【0010】FAT領域1には、ファイルを構成するク
ラスタのつながりを示すデータが格納される。クラスタ
とは、ファイルをディスク等の記憶装置に割り当てる単
位であり、複数(例えば、4つ)のセクタから構成され
る。[0010] The FAT area 1 stores data indicating the connection of clusters constituting a file. The cluster is a unit for allocating a file to a storage device such as a disk, and is composed of a plurality of (for example, four) sectors.
【0011】ルートディレクトリ領域2には、ルートデ
ィレクトリにあるファイルのファイル情報が格納され
る。また、通常データ領域3には、ファイルを構成する
通常のデータが格納される。The root directory area 2 stores file information of files in the root directory. The normal data area 3 stores normal data constituting a file.
【0012】そして、FAT領域1及びルートディレク
トリ領域2のデータは、1セクタサイズ(512バイ
ト)で頻繁に書き換えが行われ、通常データ領域3のデ
ータは、クラスタ単位で書き換えが行われる。The data in the FAT area 1 and the root directory area 2 are frequently rewritten with one sector size (512 bytes), and the data in the normal data area 3 are rewritten in cluster units.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】メモリブロックのサイ
ズが複数セクタ分に該当するフラッシュメモリの場合、
効率的な格納をするためには、一つのメモリブロック
に、複数のセクタを割り当てることになる。この場合
に、外部記憶装置に格納されるファイルをFATファイ
ルシステムで管理することとすると、FAT領域等のデ
ータを格納したメモリブロックに対して、1セクタデー
タの書き換えが頻繁に発生することになり、その結果、
フラッシュメモリチップの寿命が必要以上に短くなるお
それがある。In the case of a flash memory in which the size of a memory block corresponds to a plurality of sectors,
For efficient storage, a plurality of sectors are allocated to one memory block. In this case, if the file stored in the external storage device is managed by the FAT file system, one-sector data is frequently rewritten to the memory block storing the data such as the FAT area. ,as a result,
The life of the flash memory chip may be shortened more than necessary.
【0014】例えば、1つのメモリブロックに4つのセ
クタデータを格納するようにした場合を考える。この場
合、その4つのセクタのうちの一つのセクタの書き換え
が発生すると、そのメモリブロック全体が一旦消去され
た後に書き込み処理が行われる。すなわち、当該メモリ
ブロックの消去回数は、1つのメモリブロックに1セク
タが割り当てられている場合に比べて、4倍に増大しう
る。その結果、1セクタサイズで頻繁に書き換えられる
FAT領域等のデータを格納した一部のメモリブロック
の劣化が極度に進行し、フラッシュメモリチップ全体の
寿命が必要以上に短くなるおそれがある。For example, consider a case where four sector data are stored in one memory block. In this case, when rewriting of one of the four sectors occurs, the writing process is performed after the entire memory block is once erased. That is, the number of erasures of the memory block can be increased four times as compared with the case where one sector is allocated to one memory block. As a result, there is a possibility that the deterioration of some of the memory blocks storing data such as the FAT area which is frequently rewritten in one sector size is extremely advanced, and the life of the entire flash memory chip is shortened more than necessary.
【0015】また、消去単位となるメモリブロックに対
して、複数のセクタを割り当てるようにすると、複数の
セクタデータを格納したメモリブロック内の1セクタデ
ータの書き換えを行う場合の処理も煩雑なものとなる。
すなわち、同一メモリブロック内に他のセクタデータが
書き込まれている場合には、まず、当該メモリブロック
内のすべてのデータを、バッファメモリ等へ退避させ、
当該バッファメモリ内において、書き換え対象の1セク
タデータを新しい1セクタデータに入れ替える。そし
て、書き換え対象のセクタを含むメモリブロックを消去
し、その後に、バッファメモリ内のデータを当該メモリ
ブロックへ転送して、書き込みを行う。以上のように、
複数のセクタデータを格納したメモリブロック内の1セ
クタデータの書き換えは、他のセクタデータの消失を防
ぐため、煩雑な処理が必要になる。Further, when a plurality of sectors are allocated to a memory block serving as an erasing unit, processing for rewriting one sector data in a memory block storing a plurality of sector data is complicated. Become.
That is, when another sector data is written in the same memory block, first, all data in the memory block is saved to a buffer memory or the like,
In the buffer memory, one sector data to be rewritten is replaced with new one sector data. Then, the memory block including the sector to be rewritten is erased, and thereafter, the data in the buffer memory is transferred to the memory block for writing. As mentioned above,
Rewriting of one sector data in a memory block storing a plurality of sector data requires complicated processing to prevent loss of other sector data.
【0016】一方、外部記憶装置に対して読み書きを行
うホスト処理装置におけるデータ管理単位のサイズが、
メモリブロックのサイズより大きい場合は、当該データ
管理単位は、複数のメモリブロックを使って格納される
ことになる。このような記憶装置に対して、ホスト処理
装置がデータ管理単位での書き込みを行うと、記憶装置
では、当該データ管理単位のデータを格納するのに必要
なメモリブロック数分だけ、消去処理を行わなければな
らない。ひとつのメモリブロックを消去するのにかかる
時間は、そのサイズにかかわらず、ほぼ一定なので、消
去処理を行うメモリブロック数に比例して消去時間が長
くなる。つまり、メモリブロックより大きいデータ管理
単位で頻繁に書き換えを行うホスト処理装置において
は、当該データ管理単位を格納するのに必要なメモリブ
ロック数に比例して、書き換え速度が低下することにな
る。On the other hand, the size of the data management unit in the host processing device that reads / writes from / to the external storage device is:
If the size is larger than the size of the memory block, the data management unit is stored using a plurality of memory blocks. When the host processing device writes data to such a storage device in data management units, the storage device performs erasure processing for the number of memory blocks necessary to store the data of the data management unit. There must be. The time required for erasing one memory block is almost constant regardless of its size, so that the erasing time becomes longer in proportion to the number of memory blocks to be erased. That is, in a host processing device that frequently rewrites data in a data management unit larger than the memory block, the rewrite speed is reduced in proportion to the number of memory blocks required to store the data management unit.
【0017】本発明の目的は、特定サイズのデータ書き
換えが頻繁に起こる場合に、特定のメモリブロックの劣
化によって、フラッシュメモリチップ全体の寿命が短く
なるのを防止することにある。また、本発明の他の目的
は、書き換えが頻繁に起こる特定サイズのデータ書き換
え動作を高速化することにある。It is an object of the present invention to prevent the life of the entire flash memory chip from being shortened due to deterioration of a specific memory block when data of a specific size is frequently rewritten. It is another object of the present invention to speed up the operation of rewriting data of a specific size in which rewriting frequently occurs.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明に係る記憶装置
は、ホスト処理装置から書き込まれるデータを記憶する
記憶装置である。そして、第1のサイズを有し、当該サ
イズで書き換え可能な第1のデータ格納ブロックと、第
2のサイズを有し、当該サイズで書き換え可能な第2の
データ格納ブロックと、ホスト処理装置が指示する書き
込みデータのサイズに応じて、第1及び第2のデータ格
納ブロックのいずれか一方に書き込みデータを格納する
制御手段とを備えることを特徴とする。A storage device according to the present invention is a storage device for storing data written from a host processing device. A first data storage block having a first size and rewritable with the size; a second data storage block having a second size and rewritable with the size; Control means for storing the write data in one of the first and second data storage blocks according to the size of the write data to be instructed is provided.
【0019】この場合において、前記制御手段は、前記
第1のデータ格納ブロックには、前記第1のサイズで書
き込みが指示されたデータを格納し、前記第2のデータ
格納ブロックには、前記第1のサイズ以外のサイズで書
き込みが指示されたデータを格納するようにしてもよ
い。In this case, the control means stores the data instructed to be written in the first size in the first data storage block, and stores the data in the second data storage block in the second data storage block. Data for which writing has been instructed may be stored in a size other than the size of 1.
【0020】また、本発明に係る第2の記憶装置は、第
1のサイズを有するブロック単位で書き換え可能な第1
の記憶手段と、第2のサイズを有するブロック単位で書
き換え可能な第2の記憶手段とを備え、ホスト処理装置
から指示された書き込みデータのサイズが、前記第1の
サイズであった場合は、当該データを前記第1の記憶手
段に格納し、ホスト処理装置から指示された書き込みデ
ータのサイズが、前記第1のサイズ以外であった場合
は、当該データを前記第2の記憶手段に格納することを
特徴とする。Further, the second storage device according to the present invention comprises a first storage device which can be rewritten in units of blocks having a first size.
And a second storage unit that can be rewritten in block units having a second size, and when the size of the write data specified by the host processing device is the first size, The data is stored in the first storage unit, and if the size of the write data specified by the host processing device is other than the first size, the data is stored in the second storage unit. It is characterized by the following.
【0021】以上の場合において、前記第2のサイズ
は、前記第1のサイズの2倍以上であるようにしてもよ
い。この場合、第2のサイズを有する第2のデータ格納
ブロック等は、第1のサイズを有するデータを複数格納
できることになる。しかしながら、本発明においては、
第1のサイズで書き込みが指示されたデータは、第1の
サイズを有する第1のデータ格納ブロック等に格納され
るので、第1のサイズでの書き込みが頻繁に発生する場
合に、第1のサイズを有するデータを複数、第2のデー
タ格納ブロック等に格納する場合に比べて、第2のデー
タ格納ブロック等の書き換え回数の増大を抑えることが
できる。In the above case, the second size may be twice or more the first size. In this case, the second data storage block or the like having the second size can store a plurality of data having the first size. However, in the present invention,
Since the data instructed to be written in the first size is stored in a first data storage block or the like having the first size, the first data is frequently written in the first data storage block or the like. An increase in the number of times of rewriting of the second data storage block or the like can be suppressed as compared with a case where a plurality of data having a size are stored in the second data storage block or the like.
【0022】また、前記第1のサイズは、前記第2のサ
イズの2倍以上であるようにしてもよい。この場合、第
1のサイズを有するデータは、第2のサイズを有するデ
ータ格納ブロックを複数使って格納することできる。し
かしながら、本発明においては、第1のサイズで書き込
みが指示されたデータは、第1のサイズを有する第1の
データ格納ブロック等に格納されるので、第1のサイズ
を有するデータを複数の第2のデータ格納ブロックを使
って格納する場合に比べて、書き換え対象となるブロッ
クの数を減らすことができる。The first size may be at least twice as large as the second size. In this case, the data having the first size can be stored using a plurality of data storage blocks having the second size. However, in the present invention, since the data instructed to be written in the first size is stored in the first data storage block or the like having the first size, the data having the first size is stored in a plurality of first data storage blocks. The number of blocks to be rewritten can be reduced as compared with the case where data is stored using the second data storage block.
【0023】本発明に係る情報処理装置は、上述したよ
うな記憶装置を備えたことを特徴とする。情報処理装置
には、例えば、通常のPCやワークステーション(W
S)等が該当する。An information processing apparatus according to the present invention is provided with the storage device described above. The information processing apparatus includes, for example, a normal PC or a workstation (W
S) and the like.
【0024】本発明に係るホスト処理装置は、第1のサ
イズを有するブロック単位で書き換え可能な第1の記憶
手段と、第2のサイズを有するブロック単位で書き換え
可能な第2の記憶手段とを備えた記憶装置にデータを書
き込むホスト処理装置である。ホスト処理装置には、例
えば、通常のPCやWS、デジタルスチルカメラ等が該
当する。また、記憶装置には、例えば、小型フラッシュ
メモリカードが該当する。The host processing apparatus according to the present invention comprises a first storage means which can be rewritten in block units having a first size and a second storage means which can be rewritten in block units having a second size. This is a host processing device that writes data to a storage device provided. For example, a normal PC, WS, digital still camera, or the like corresponds to the host processing device. The storage device corresponds to, for example, a small flash memory card.
【0025】そして、書き込みデータのサイズが、前記
第1のサイズであった場合は、当該データを前記第1の
記憶手段に格納し、書き込みデータのサイズが、前記第
1のサイズ以外であった場合は、当該データを前記第2
の記憶手段に格納することを特徴とする。If the size of the write data is the first size, the data is stored in the first storage means, and the size of the write data is other than the first size. In this case, the data is
Is stored in the storage means.
【0026】この場合において、ホスト処理装置は、前
記第1のサイズでのデータ書き込みを、第1のサイズ以
外のサイズでのデータ書き込みより、頻繁に行うもので
あってもよい。In this case, the host processing device may perform the data writing at the first size more frequently than the data writing at a size other than the first size.
【0027】本発明に係るデータ格納方法は、ホスト処
理装置から転送されるデータを記憶媒体に格納する方法
である。そして、ホスト処理装置が指示する書き込みデ
ータのサイズを判定し、第1のサイズで書き込みが指示
されたデータは、第1のサイズを有する第1のデータ格
納ブロックに格納し、前記第1のサイズ以外のサイズで
書き込みが指示されたデータは、第2のサイズを有する
第2のデータ格納ブロックに格納することを特徴とす
る。A data storage method according to the present invention is a method for storing data transferred from a host processing device in a storage medium. Then, the size of the write data instructed by the host processing device is determined, and the data instructed to be written in the first size is stored in a first data storage block having a first size, and the first size is stored in the first data storage block. Data that is instructed to be written in a size other than the above is stored in a second data storage block having a second size.
【0028】以上の場合において、書き込みデータのサ
イズは、ホスト処理装置より転送された命令コードに基
づいて判断するようにしてもよい。In the above case, the size of the write data may be determined based on the instruction code transferred from the host processor.
【0029】また、第1及び第2のデータ格納ブロック
は、それぞれ、別々の不揮発性半導体メモリに設けるよ
うにしてもよいし、1つの不揮発性半導体メモリに混在
させて設けるようにしてもよい。The first and second data storage blocks may be provided in separate nonvolatile semiconductor memories, or may be provided in a single nonvolatile semiconductor memory.
【0030】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0031】まず、ホスト処理装置から転送される1セ
クタサイズのデータを1セクタサイズのメモリブロック
に格納し、それ以外は、4セクタサイズのメモリブロッ
クに格納するフラッシュメモリカードについて説明す
る。First, a description will be given of a flash memory card in which data of one sector size transferred from the host processor is stored in a memory block of one sector size, and other than that, the data is stored in a memory block of four sector sizes.
【0032】図1は、本発明による記憶装置であるフラ
ッシュメモリカード11及びその記憶装置に対してデー
タの読み書きを行うホスト処理装置21の構成を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a flash memory card 11 which is a storage device according to the present invention and a host processing device 21 which reads and writes data from and to the storage device.
【0033】ホスト処理装置21は、フラッシュメモリ
カード11が接続されて、フラッシュメモリカード11
に対してデータの読み書きを行う。ホスト処理装置21
は、例えば、PCカードを格納するためのスロットを装
備したノート型PCやデスクトップPC等の計算機シス
テムである。The host processing unit 21 is connected to the flash memory card 11 and
Read and write data to Host processing unit 21
Is a computer system such as a notebook PC or a desktop PC equipped with a slot for storing a PC card.
【0034】フラッシュメモリカード11は、ホスト処
理装置21の外部記憶装置として用いられるPCカード
サイズのATAカードである。フラッシュメモリカード
11は、ATA(AT Attachment)インタフェースをサ
ポートしており、セクタ単位でデータの読み出しや書き
込みが行われる。The flash memory card 11 is an ATA card of a PC card size used as an external storage device of the host processor 21. The flash memory card 11 supports an ATA (AT Attachment) interface, and data is read and written in sector units.
【0035】同図に示すように、フラッシュメモリカー
ド11は、フラッシュメモリチップ13及び14、コン
トローラ17、マイクロプロセッサ18並びにバッファ
メモリ19を備える。As shown in FIG. 1, the flash memory card 11 includes flash memory chips 13 and 14, a controller 17, a microprocessor 18, and a buffer memory 19.
【0036】フラッシュメモリチップ13は、メモリブ
ロックサイズ:1セクタ、総セクタ数:16384(=
4000h)セクタ、データ容量:64Mビットの半導
体メモリチップである。なお、数字の後のhは数字が1
6進数であることを示す。The flash memory chip 13 has a memory block size of 1 sector and a total number of sectors of 16384 (=
4000h) A semiconductor memory chip having a sector and a data capacity of 64 Mbits. Note that h after the number is 1
Indicates a hexadecimal number.
【0037】また、フラッシュメモリチップ14は、メ
モリブロックサイズ:4セクタ、総セクタ数:6553
6(=10000h)セクタ、データ容量:256Mビ
ット、の半導体メモリチップである。The flash memory chip 14 has a memory block size of 4 sectors and a total number of sectors of 6553.
The semiconductor memory chip has 6 (= 10000h) sectors and a data capacity of 256 Mbits.
【0038】コントローラ17は、ホスト処理装置21
とのインタフェース制御やフラッシュメモリチップとの
インタフェース制御等を行う。コントローラ17は、ホ
ストインタフェースとして、ATAインタフェースをサ
ポートしており、ホスト処理装置21から転送される
(a)命令コード、(b)アクセス開始の論理セクタア
ドレス、(c)データ転送するセクタ数、等の情報を格
納するレジスタ群を備えている。The controller 17 includes a host processor 21
Interface control with the flash memory chip and the like. The controller 17 supports an ATA interface as a host interface, and (a) an instruction code transferred from the host processing device 21, (b) an access start logical sector address, (c) the number of sectors to be transferred, and the like. Register group for storing the information of
【0039】マイクロプロセッサ18は、主に、(a)
フラッシュメモリチップ13または14からホスト処理
装置21へのデータの読み出し、(b)フラッシュメモ
リチップ13または14のメモリブロック単位での消
去、(c)ホスト処理装置21からフラッシュメモリチ
ップ13または14へのデータの書き込み、の制御を行
う。The microprocessor 18 mainly comprises (a)
Reading data from the flash memory chip 13 or 14 to the host processing device 21; (b) erasing the flash memory chip 13 or 14 in memory block units; and (c) reading data from the host processing device 21 to the flash memory chip 13 or 14. Data writing is controlled.
【0040】バッファメモリ19は、データの読み出
し、メモリブロックの消去、データの書き込み等の動作
において、データを一時的に保持するために使用され
る。バッファメモリ19のサイズは、実装条件等によっ
て適当なものが選択される。ここでは、フラッシュメモ
リカード11が備えるフラッシュメモリチップの最大の
メモリブロックサイズと等しい4セクタサイズ(2K
B)とする。The buffer memory 19 is used to temporarily hold data in operations such as reading data, erasing a memory block, and writing data. An appropriate size of the buffer memory 19 is selected depending on mounting conditions and the like. Here, a 4-sector size (2K) equal to the maximum memory block size of the flash memory chip provided in the flash memory card 11 is used.
B).
【0041】図2は、フラッシュメモリカード11内の
物理的なアドレスマップを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a physical address map in the flash memory card 11.
【0042】フラッシュメモリチップ13および14
は、各セクタごとに、セクタデータを記憶するデータ領
域(512バイト)と当該データ領域の管理情報を記憶
する管理領域(16バイト)を有している。例えば、フ
ラッシュメモリチップ13は、64Mビットのデータ領
域に対応して、2Mビットの管理領域を有している。Flash memory chips 13 and 14
Has a data area (512 bytes) for storing sector data and a management area (16 bytes) for storing management information of the data area for each sector. For example, the flash memory chip 13 has a 2 Mbit management area corresponding to a 64 Mbit data area.
【0043】図2に示すように、フラッシュメモリカー
ド11の物理セクタアドレス00000h〜03FFF
hには、フラッシュメモリチップ13が割り当てられて
おり、物理セクタアドレス04000h〜13FFFh
には、フラッシュメモリチップ14が割り当てられてい
る。As shown in FIG. 2, physical sector addresses 000000h to 03FFF of the flash memory card 11
h, a flash memory chip 13 is allocated, and physical sector addresses 04000h to 13FFFFh
Is assigned a flash memory chip 14.
【0044】なお、フラッシュメモリチップ13のメモ
リブロックサイズは、1セクタであり、フラッシュメモ
リチップ14のメモリブロックサイズは、4セクタであ
るので、以下では、フラッシュメモリチップ13が割り
当てられている物理アドレス領域を、1セクタ領域とい
い、フラッシュメモリチップ14が割り当てられている
物理アドレス領域を、4セクタ領域という。Since the memory block size of the flash memory chip 13 is one sector and the memory block size of the flash memory chip 14 is four sectors, the physical address to which the flash memory chip 13 is assigned will be described below. The area is called one sector area, and the physical address area to which the flash memory chip 14 is assigned is called four sector area.
【0045】また、物理セクタアドレス00000h〜
13E1Fhの81440(=13E20h)個のセク
タは、ユーザデータ領域として使われ、通常のデータ、
例えば、図13の各領域のデータが格納される。また、
物理セクタアドレス13E20h〜13FFFhの48
0個のセクタは、アドレス変換テーブルとして使われ、
論理セクタアドレスと物理セクタアドレスとの間でのア
ドレス変換情報が格納される。The physical sector address 00000h to
81440 (= 13E20h) sectors of 13E1Fh are used as user data areas, and include normal data,
For example, data of each area in FIG. 13 is stored. Also,
48 of physical sector addresses 13E20h to 13FFFh
Zero sectors are used as an address translation table,
Address conversion information between a logical sector address and a physical sector address is stored.
【0046】図3は、フラッシュメモリチップの管理領
域の構成例を示す図である。同図に示すように、管理領
域には、(a)対応するデータ領域に格納されているセ
クタデータの論理セクタアドレス401、(b)当該セ
クタデータを含むメモリブロックの物理的な消去回数4
02、(c)データ領域のECC(Error CorrectingCo
de)403、および(d)当該セクタの消去/書き込み
状態を示すフラグ404、等の情報が格納される。FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a management area of a flash memory chip. As shown in the figure, the management area includes (a) the logical sector address 401 of the sector data stored in the corresponding data area, and (b) the number of physical erasures 4 of the memory block including the sector data.
02, (c) ECC (Error CorrectingCo
de) 403 and (d) a flag 404 indicating the erase / write state of the sector.
【0047】セクタの消去/書き込み状態を示すフラグ
404とは、例えば、「1」の時、対応するセクタは消
去状態であり、「0」の時、対応するセクタに有効なデ
ータが書き込まれていることを表すフラグである。当該
フラグ404を参照することにより、対応するセクタに
有効なデータが書き込まれているか否かを判別すること
ができる。The flag 404 indicating the erase / write state of the sector is, for example, when "1", the corresponding sector is in the erase state, and when "0", valid data is written in the corresponding sector. Is a flag indicating that the By referring to the flag 404, it is possible to determine whether valid data is written in the corresponding sector.
【0048】図4は、フラッシュメモリカード11にお
けるセクタの論理アドレスと物理アドレスとの間のアド
レス変換情報を格納するアドレス変換テーブルの構成例
を示す図である。同図に示すように、アドレス変換テー
ブルは、全論理セクタに対して、各論理セクタアドレス
に対応する物理セクタアドレス(3バイト)を記録して
いる。例えば、物理アドレス13FFFhの物理セクタ
には、論理アドレス0000h〜000A9hの論理ア
ドレスに対応する物理アドレスが格納されている。な
お、フラッシュメモリカード11の使用開始時において
は、アドレス変換テーブルは、例えば、論理アドレスと
物理アドレスが等しくなるように、初期化されている。FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of an address conversion table for storing address conversion information between a logical address and a physical address of a sector in the flash memory card 11. As shown in the figure, the address conversion table records a physical sector address (3 bytes) corresponding to each logical sector address for all logical sectors. For example, a physical address corresponding to a logical address of logical addresses 0000h to 000A9h is stored in a physical sector with a physical address of 13FFFFh. When the use of the flash memory card 11 is started, the address conversion table is initialized so that, for example, the logical address and the physical address are equal.
【0049】次に、フラッシュメモリカード11の基本
的な動作について説明する。Next, the basic operation of the flash memory card 11 will be described.
【0050】フラッシュメモリカード11は、ホスト処
理装置21からデータ読み出しが指示されると、リード
アクセス指定された論理セクタの物理アドレスを、アド
レス変換テーブルを参照して求め、求めた物理アドレス
を使って、必要なセクタデータをフラッシュメモリチッ
プ13、14から読み出して、ホスト処理装置21に渡
す。When the data reading is instructed from the host processor 21, the flash memory card 11 obtains the physical address of the logical sector designated for read access by referring to the address conversion table, and uses the obtained physical address. The necessary sector data is read from the flash memory chips 13 and 14 and passed to the host processor 21.
【0051】また、フラッシュメモリカード11は、ホ
スト処理装置21から1セクタサイズのデータ書き込み
が指示されると、ライトアクセス指定された論理セクタ
が、1セクタ領域(すなわち、フラッシュメモリチップ
13)に格納されている場合には、そのまま、同じ物理
セクタに対して書き換えを行う。一方、ライトアクセス
指定された論理セクタが4セクタ領域(すなわち、フラ
ッシュメモリ14)に格納されている場合には、1セク
タ領域の未使用(消去状態)のメモリブロックに格納先
を替える。When the host processor 21 instructs the flash memory card 11 to write data of one sector size, the logical sector designated for write access is stored in one sector area (that is, the flash memory chip 13). If it is, the same physical sector is rewritten as it is. On the other hand, when the logical sector for which the write access is specified is stored in the 4-sector area (that is, the flash memory 14), the storage destination is changed to an unused (erased) memory block of the 1-sector area.
【0052】また、複数セクタサイズのデータ書き込み
が指示されると、ライトアクセス指定された論理セクタ
の中に、1セクタ領域のメモリブロックに格納されてい
る論理セクタがある場合には、当該論理セクタの格納先
を、4セクタ領域のメモリブロックに変える。以上の動
作はマイクロプロセッサ18内のプログラムによって行
われる。When data writing of a plurality of sector sizes is instructed, if there is a logical sector stored in a memory block of one sector area among the logical sectors designated for write access, the logical sector Is changed to the memory block of the 4-sector area. The above operation is performed by a program in the microprocessor 18.
【0053】上記のようにして、1セクタサイズで書き
込みが指示されるデータは、1セクタ領域のメモリブロ
ックに格納され、それ以外のデータは、4セクタ領域の
メモリブロックに格納される。従って、書き換え頻度が
高いFAT領域等のセクタデータは、例えば、初期化時
に4セクタ領域にマッピングされていたとしても、1セ
クタ領域に格納されるようになる。As described above, data for which writing is instructed in one sector size is stored in a memory block of one sector area, and the other data is stored in a memory block of four sector areas. Therefore, sector data such as the FAT area, which is frequently rewritten, is stored in one sector area even if it is mapped to four sector areas at the time of initialization.
【0054】以下、ホスト処理装置21がフラッシュメ
モリカード11へデータを書き込む場合の、フラッシュ
メモリカード11における処理について詳細に説明す
る。Hereinafter, processing in the flash memory card 11 when the host processor 21 writes data to the flash memory card 11 will be described in detail.
【0055】図5〜図7は、ホスト処理装置21からの
データ書き込み時のフラッシュメモリカード11におけ
る処理の流れを示す図である。FIGS. 5 to 7 are diagrams showing the flow of processing in the flash memory card 11 when data is written from the host processing device 21.
【0056】ホスト処理装置21がフラッシュメモリ1
1にデータ書き込みを行う場合、ホスト処理装置21
は、コントローラ17内のレジスタ群に、(a)ライト
命令コード、(b)ライトアクセスを開始する論理セク
タアドレス、(c)ライトするデータセクタ数、を設定
する(S601)。The host processor 21 is the flash memory 1
1 when writing data to the host processor 21
Sets (a) a write instruction code, (b) a logical sector address to start a write access, and (c) the number of data sectors to be written in a register group in the controller 17 (S601).
【0057】すると、マイクロプロセッサ18は、ま
ず、設定されたライトセクタ数が1に等しいか否かを判
定する(S602)。そして、ライトセクタ数が1であ
るか否かによって、以後の処理内容を変える。Then, the microprocessor 18 first determines whether or not the set number of write sectors is equal to 1 (S602). Then, the contents of subsequent processing are changed depending on whether or not the number of write sectors is one.
【0058】まず、ライトセクタ数が1であった場合に
ついて説明する。図6は、ライトセクタ数が1の場合の
フラッシュメモリカード11における処理の流れを示す
図である。First, the case where the number of write sectors is 1 will be described. FIG. 6 is a diagram showing a flow of processing in the flash memory card 11 when the number of write sectors is one.
【0059】マイクロプロセッサ18は、まず、フラッ
シュメモリチップ14内のアドレス変換テーブルを参照
して、ライトアクセス指定された論理セクタが格納され
ている物理セクタアドレスを取得する(S701)。First, the microprocessor 18 refers to the address conversion table in the flash memory chip 14 to acquire the physical sector address where the logical sector designated for the write access is stored (S701).
【0060】そして、マイクロプロセッサ18は、取得
した物理セクタアドレスが1セクタ領域の物理セクタア
ドレスであるか、4セクタ領域の物理セクタアドレスで
あるかを判定する(S702)。1セクタ領域にあるか
4セクタ領域にあるかの判定は、例えば、両領域の境界
アドレス(04000h)と取得された物理セクタアド
レスとを比較することで行う。Then, the microprocessor 18 determines whether the obtained physical sector address is a physical sector address of one sector area or a physical sector address of four sector area (S702). The determination as to whether the area is in the one-sector area or the four-sector area is performed, for example, by comparing the boundary address (04000h) of both areas with the acquired physical sector address.
【0061】判定の結果、書き換え対象の物理セクタア
ドレスが、1セクタ領域にある場合(S702:Ye
s)、マイクロプロセッサ18は、当該物理セクタアド
レスに対応するメモリブロックの消去を行う。それと並
行して、ホスト処理装置21からは、1セクタ分のライ
トデータがバッファメモリ19へ転送される(S70
3)。As a result of the determination, when the physical sector address to be rewritten is in one sector area (S702: Ye
s) The microprocessor 18 erases the memory block corresponding to the physical sector address. At the same time, the host processor 21 transfers the write data for one sector to the buffer memory 19 (S70).
3).
【0062】そして、マイクロプロセッサ18は、1セ
クタ分のライトデータを、バッファメモリ19から消去
したメモリブロックへ転送し、書き込みを行って(S7
04)、書き込み処理を終了する。Then, the microprocessor 18 transfers the write data for one sector from the buffer memory 19 to the erased memory block, and performs writing (S7).
04), the write process ends.
【0063】一方、ステップS701で取得した物理セ
クタアドレスが、4セクタ領域にあった場合は(S70
2:No)、まず、ライトアクセス対象のセクタを、消
去状態、すなわち、未使用状態にする(S705)。ラ
イトアクセス対象セクタの消去は、例えば、書き込み対
象セクタを含むメモリブロック内のすべてのデータをバ
ッファメモリ19に退避させ、当該メモリブロックの消
去を行い、その後、ライトアクセス対象外の論理セクタ
データを当該メモリブロックへ転送し、書き込むことで
行う。On the other hand, if the physical sector address obtained in step S701 is in the 4-sector area (S70
2: No) First, the write access target sector is set to an erased state, that is, an unused state (S705). For erasing the write access target sector, for example, all data in the memory block including the write target sector is evacuated to the buffer memory 19 and the memory block is erased. This is done by transferring and writing to a memory block.
【0064】なお、メモリブロック内のデータをバッフ
ァメモリ19に退避させる前に、同一メモリブロック内
にライトアクセス対象外の論理セクタデータが書き込ま
れているか否かを判定して、同一メモリブロック内にア
クセス対象外の論理セクタデータが書き込まれていなけ
れば、バッファメモリ19への退避を行わずに、直ちに
メモリブロックを消去するようにしてもよい。Before the data in the memory block is saved in the buffer memory 19, it is determined whether or not logical sector data not to be subjected to write access is written in the same memory block. If the logical sector data to be accessed is not written, the memory block may be immediately erased without saving to the buffer memory 19.
【0065】次に、マイクロプロセッサ18は、1セク
タ領域にある物理セクタの管理領域のフラグ404を参
照して、消去状態の物理セクタを検索する(S70
6)。それと並行して、ホスト処理装置21から転送さ
れてくる1セクタ分のライトデータがバッファメモリ1
9に格納される。Next, the microprocessor 18 searches for an erased physical sector by referring to the flag 404 of the management area of the physical sector in one sector area (S70).
6). In parallel with this, write data for one sector transferred from the host processor 21 is stored in the buffer memory 1.
9 is stored.
【0066】そして、マイクロプロセッサ18は、消去
状態の物理セクタが1セクタ領域から検索できたか否か
を判定し(S707)、消去状態の物理セクタが検索で
きた場合は(S707:Yes)、当該物理セクタへ1
セクタ分のライトデータをバッファメモリ19から転送
し、書き込みを行う(S708)。Then, the microprocessor 18 determines whether or not the erased physical sector has been retrieved from the one sector area (S707). If the erased physical sector has been retrieved (S707: Yes), the microprocessor 18 determines 1 to physical sector
The write data for the sector is transferred from the buffer memory 19 and writing is performed (S708).
【0067】そして、マイクロプロセッサ18は、検索
された物理セクタアドレスを、今回のライトアクセス対
象の論理セクタに割り当てるようアドレス変換テーブル
の更新を行う(S709)。この場合、検索された消去
状態の物理セクタに割り当てられていた論理セクタに
は、今回のライトアクセス対象の論理セクタに割り当て
られていた物理セクタが割り当てられる。すなわち、消
去状態(未使用)の論理セクタとライトアクセス対象の
論理セクタとの間で、割り当てられる物理セクタの交換
が行われる。Then, the microprocessor 18 updates the address conversion table so as to allocate the searched physical sector address to the current logical sector to be write-accessed (S709). In this case, the logical sector assigned to the searched physical sector in the erased state is assigned the physical sector assigned to the current logical access target logical sector. That is, the physical sector to be assigned is exchanged between the erased (unused) logical sector and the write-access target logical sector.
【0068】一方、消去状態の物理セクタを1セクタ領
域から検索できなかった場合は(S707:No)、1
セクタ領域に、交換対象となる未使用の物理セクタがな
いことになるので、マイクロプロセッサ18は、1セク
タ分のライトデータを、元の4セクタ領域の物理セクタ
へ転送し、書き込みを行う(S710)。On the other hand, if the physical sector in the erased state cannot be retrieved from the one sector area (S707: No), 1
Since there is no unused physical sector to be replaced in the sector area, the microprocessor 18 transfers the write data of one sector to the physical sector of the original four-sector area and performs writing (S710). ).
【0069】以上のようにして、ライトセクタ数が1の
ときのデータ書き込み動作が行われる。次に、ライトセ
クタ数が2以上のときのデータ書き込み動作について説
明する。As described above, the data write operation when the number of write sectors is 1 is performed. Next, a data write operation when the number of write sectors is two or more will be described.
【0070】図7は、ライトセクタ数が2以上の場合の
フラッシュメモリカード11における処理の流れを示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing the flow of processing in the flash memory card 11 when the number of write sectors is two or more.
【0071】まず、マイクロプロセッサ18は、フラッ
シュメモリチップ14内のアドレス変換テーブルを参照
して、ライトアクセス指定された各論理セクタを格納し
ている物理セクタアドレスを取得する(S801)。First, the microprocessor 18 refers to the address conversion table in the flash memory chip 14 and obtains a physical sector address storing each logical sector designated for write access (S801).
【0072】次に、マイクロプロセッサ18は、取得さ
れた物理セクタアドレスの中に、1セクタ領域内のもの
があるか否かを判定する(S802)。Next, the microprocessor 18 determines whether or not one of the acquired physical sector addresses is within one sector area (S802).
【0073】判定の結果、書き換え対象となる物理セク
タアドレスがすべて4セクタ領域にある場合(S80
2:No)、マイクロプロセッサ18は、ステップS7
05の場合と同様にライトアクセス指定されたすべての
物理セクタを消去する(S803)。それと並行して、
ホスト処理装置21から転送されてくるライトデータの
うち4セクタ分のデータがバッファメモリ19へ格納さ
れる。なお、ライトセクタ数が2または3のときは、2
セクタ分または3セクタ分のライトデータがバッファメ
モリ19に格納される。As a result of the determination, when all the physical sector addresses to be rewritten are in the 4-sector area (S80)
2: No), the microprocessor 18 proceeds to step S7.
All the physical sectors designated for write access are erased in the same manner as in the case of S05 (S803). In parallel,
Data of four sectors out of the write data transferred from the host processor 21 is stored in the buffer memory 19. When the number of write sectors is 2 or 3, 2
Write data for one sector or three sectors is stored in the buffer memory 19.
【0074】次に、マイクロプロセッサ18は、バッフ
ァメモリ19から消去した物理セクタへライトデータを
転送し、書き込みを行う(S804)。残りのライトデ
ータがある場合は、それと並行して、ホスト処理装置2
1からバッファメモリ19へライトデータが転送され
る。そして、この処理を、ホスト処理装置が指定したラ
イトセクタ数分だけ繰り返し、データ書き込み処理を終
了する。Next, the microprocessor 18 transfers the write data from the buffer memory 19 to the erased physical sector and performs writing (S804). If there is remaining write data, the host processor 2
1 is transferred to the buffer memory 19. Then, this process is repeated by the number of write sectors specified by the host processing device, and the data write process ends.
【0075】一方、ステップS802における判定の結
果、書き換え対象となる物理セクタアドレスに、1セク
タ領域の物理アドレスが含まれる場合(S802:Ye
s)、マイクロプロセッサ18は、まず、ステップS7
05の場合と同様に、ライトアクセス指定されたすべて
の物理セクタを消去する(S805)。それと並行し
て、ホスト処理装置21から転送されてくるライトデー
タのうち4セクタ分のデータがバッファメモリ19に格
納される。なお、ライトセクタ数が2または3のとき
は、それぞれ、2セクタ分または3セクタ分のライトデ
ータがバッファメモリ19へ格納される。On the other hand, if the result of determination in step S802 is that the physical sector address to be rewritten includes the physical address of one sector area (S802: Ye
s), the microprocessor 18 firstly proceeds to step S7
As in the case of S05, all physical sectors designated for write access are erased (S805). In parallel with this, data of four sectors out of the write data transferred from the host processor 21 is stored in the buffer memory 19. When the number of write sectors is 2 or 3, write data for 2 or 3 sectors is stored in the buffer memory 19, respectively.
【0076】以下では、簡単のため、書き換え対象とな
る物理セクタアドレスがすべて1セクタ領域にある場合
について説明する。In the following, for the sake of simplicity, a case will be described in which the physical sector addresses to be rewritten are all in one sector area.
【0077】次に、マイクロプロセッサ18は、4セク
タ領域内にある物理セクタの管理領域を参照して、ライ
トセクタ数分の消去状態の物理セクタを検索し(S80
6)、ライトセクタ数分の消去状態の物理セクタが検索
できたか否かを判定する(S807)。Next, the microprocessor 18 searches the erased physical sectors for the number of write sectors by referring to the management area of the physical sector in the four sector area (S80).
6) It is determined whether or not the erased physical sectors for the number of write sectors have been searched (S807).
【0078】判定の結果、ライト転送セクタ数分の消去
状態の物理セクタを検索できた場合(S807:Ye
s)、マイクロプロセッサ18は、バッファメモリ19
から検索した物理セクタへライトデータを転送し、書き
込みを行う(S808)。未転送のライトデータがある
場合は、それと並行して、ホスト処理装置21から転送
されてくるライトデータがバッファメモリ19へ格納さ
れる。そして、この処理を、ホスト処理装置が指定した
ライトセクタ数分だけ繰り返す。As a result of the determination, when the erased physical sectors for the number of write transfer sectors can be searched (S807: Ye)
s), the microprocessor 18 has a buffer memory 19
Then, the write data is transferred to the physical sector searched for and written (S808). If there is untransferred write data, the write data transferred from the host processor 21 is stored in the buffer memory 19 in parallel with the write data. This process is repeated for the number of write sectors specified by the host processing device.
【0079】そして、最後に、マイクロプロセッサ18
は、物理セクタアドレスの交換にあわせて、アドレス変
換テーブルの必要な更新を行い(S809)、データ書
き込み動作を終了する。Finally, the microprocessor 18
Performs necessary updating of the address conversion table in accordance with the exchange of the physical sector address (S809), and ends the data write operation.
【0080】一方、ライト転送セクタ分の消去状態の物
理セクタを検索できなかった場合は(S807:N
o)、1セクタ領域のメモリブロックにあったライトア
クセス対象の論理セクタデータの格納先を、4セクタ領
域の物理セクタへ変えることができないとみなして、マ
イクロプロセッサ18は、バッファメモリ19から、元
の物理セクタへライトデータを転送して、書き込みを行
う(S810)。ライトデータに残りがある場合は、そ
れと並行して、ホスト処理装置21から転送されてくる
ライトデータがバッファメモリ19へ格納される。そし
て、この処理を、ホスト処理装置が指定したライトセク
タ数分だけ繰り返し、データ書き込み動作を終了する。On the other hand, when the erased physical sectors for the write transfer sectors cannot be searched (S807: N
o) The microprocessor 18 determines from the buffer memory 19 that the storage destination of the write access logical sector data in the memory block in the one sector area cannot be changed to the physical sector in the four sector area. Then, the write data is transferred to the physical sector for writing (S810). If there is any remaining write data, the write data transferred from the host processing device 21 is stored in the buffer memory 19 in parallel. Then, this process is repeated by the number of write sectors specified by the host processing device, and the data write operation ends.
【0081】以上では、簡単のため、書き換え対象とな
る物理セクタアドレスがすべて1セクタ領域にある場合
について説明したが、書き換え対象となる物理セクタア
ドレスに1セクタ領域のものと4セクタ領域のものが混
在する場合は、1セクタ領域のものについては上と同様
の処理を行い、既に4セクタ領域にあるものについて
は、そのまま元の物理セクタに対して書き込みを行う。In the above, for the sake of simplicity, a case has been described where all the physical sector addresses to be rewritten are in one sector area. However, the physical sector addresses to be rewritten are one sector area and four sector areas. If there is a mixture, the same processing as described above is performed for the one sector area, and for the one already in the four sector area, writing is directly performed on the original physical sector.
【0082】本実施形態により、1セクタサイズで書き
換えられるFAT領域1やルートディレクトリ領域2の
データは、当初、4セクタサイズのメモリブロックに割
り当てられていたとしても、1セクタサイズのメモリブ
ロックに格納されるようになる。よって、他のセクタデ
ータの書き換えによるメモリブロックの消去回数の累積
を防止することができ、フラッシュメモリチップの寿命
を長くすることができる。また、1セクタサイズで頻繁
に書き換えられるFAT領域等のデータの書き換え処理
において他のセクタデータの退避等が不要になる。According to the present embodiment, the data in the FAT area 1 and the root directory area 2 which can be rewritten in one sector size are stored in the one sector size memory block even if they are initially allocated to the four sector size memory block. Will be done. Therefore, it is possible to prevent the number of erasures of the memory block from being accumulated due to rewriting of other sector data, and to prolong the life of the flash memory chip. Further, it is not necessary to save other sector data in the rewriting process of data such as the FAT area which is frequently rewritten with one sector size.
【0083】以上説明したフラッシュメモリカードにお
いては、メモリブロックのサイズが1セクタのフラッシ
ュメモリチップ13と、メモリブロックのサイズが4セ
クタのフラッシュメモリチップ14とを利用していた。
しかし、FATファイルシステムにおいて、パーティシ
ョンを作らなければ(すなわち、全体をひとつのパーテ
ィションとして使う場合は)、FAT領域1やルートデ
ィレクトリ領域2に使われるセクタ数は限られるので、
必要となる1セクタサイズのメモリブロックも限られて
くる。In the flash memory card described above, the flash memory chip 13 having a memory block size of 1 sector and the flash memory chip 14 having a memory block size of 4 sectors are used.
However, in the FAT file system, unless a partition is created (that is, when the whole is used as one partition), the number of sectors used for the FAT area 1 and the root directory area 2 is limited.
The required memory block of one sector size is also limited.
【0084】そこで、次に、1セクタサイズのメモリブ
ロックで構成されるフラッシュメモリチップ13の代わ
りに、1セクタサイズのメモリブロックと4セクタサイ
ズのメモリブロックが混在しているフラッシュメモリチ
ップを用いたフラッシュメモリカードについて説明す
る。Therefore, instead of the flash memory chip 13 composed of memory blocks of one sector size, a flash memory chip in which memory blocks of one sector size and four sector sizes are mixed is used. The flash memory card will be described.
【0085】図8は、本発明による第2のフラッシュメ
モリカード11bの内部構成を示す図である。同図に示
すように、図1に示したフラッシュメモリカード11と
の違いは、フラッシュメモリチップ13の代わりにフラ
ッシュメモリチップ15を備えていることである。FIG. 8 is a diagram showing the internal configuration of the second flash memory card 11b according to the present invention. As shown in the figure, the difference from the flash memory card 11 shown in FIG. 1 is that a flash memory chip 15 is provided instead of the flash memory chip 13.
【0086】フラッシュメモリチップ15は、1セクタ
サイズのメモリブロックと4セクタサイズのメモリブロ
ックが混在する半導体メモリチップである。フラッシュ
メモリチップ15は、1セクタサイズのメモリブロック
を、FAT領域1やルートディレクトリ領域2のデータ
を格納するのに必要十分な数だけ有している。The flash memory chip 15 is a semiconductor memory chip in which a memory block of one sector size and a memory block of four sector sizes are mixed. The flash memory chip 15 has a sufficient number of memory blocks of one sector size to store data in the FAT area 1 and the root directory area 2.
【0087】1セクタサイズで書き込みが指示されたデ
ータは、1セクタサイズのメモリブロックへ格納し、そ
れ以外のデータは、4セクタサイズのメモリブロックへ
選択的に格納する処理は、前述したフラッシュメモリカ
ード11の場合と同様にして行われる。The process of storing data instructed to be written in one sector size in a memory block of one sector size and selectively storing other data in a memory block of four sector size is performed in the flash memory described above. This is performed in the same manner as in the case of the card 11.
【0088】前述したように、FATファイルシステム
で管理する場合、一般に、通常データ領域3は、2のべ
き乗個のセクタで構成されるクラスタ単位でアクセスさ
れる。例えば、100Mバイト程度の容量をもつ外部記
憶装置の場合、ホスト処理装置は、4セクタを1クラス
タとしてアクセスを行うことが多い。As described above, in the case of management by the FAT file system, the normal data area 3 is generally accessed in cluster units composed of power-of-two sectors. For example, in the case of an external storage device having a capacity of about 100 Mbytes, the host processing device often accesses four sectors as one cluster.
【0089】そこで、次に、1セクタサイズのデータに
加え、16セクタサイズのデータを選択的に、それぞれ
1セクタサイズのメモリブロックおよび16セクタサイ
ズのメモリブロックに格納するフラッシュメモリカード
11cについて説明する。それ以外のサイズのデータ
は、4セクタサイズのメモリブロックに格納する。Therefore, a flash memory card 11c for selectively storing 16 sector size data in addition to 1 sector size data in a 1 sector size memory block and a 16 sector size memory block will be described. . Data of other sizes is stored in a memory block of 4 sector size.
【0090】図9は、本発明による第3のフラッシュメ
モリカード11cの内部構成を示す図である。同図に示
すように、図1に示したフラッシュメモリカード11と
の違いは、フラッシュメモリチップ13及び14に加え
て、更に、フラッシュメモリチップ16を備えているこ
とである。また、マイクロプロセッサ18及びバッファ
メモリ19は、コントローラ17に内蔵され、1チップ
化による省スペース化が図られている。FIG. 9 is a diagram showing the internal configuration of the third flash memory card 11c according to the present invention. As shown in the figure, the difference from the flash memory card 11 shown in FIG. 1 is that a flash memory chip 16 is further provided in addition to the flash memory chips 13 and 14. Further, the microprocessor 18 and the buffer memory 19 are built in the controller 17, and space saving is achieved by integrating into one chip.
【0091】フラッシュメモリチップ16は、16セク
タサイズのメモリブロックで構成されたデータ容量が5
12Mビットの半導体メモリチップである。フラッシュ
メモリカード11全体の記憶容量は、104Mバイトに
なる。The flash memory chip 16 has a data capacity of 5 composed of memory blocks of 16 sector size.
It is a 12 Mbit semiconductor memory chip. The storage capacity of the entire flash memory card 11 is 104 Mbytes.
【0092】ここでは、1クラスタを4セクタとし、ホ
スト処理装置は、フラッシュメモリカード11cに対し
て、1セクタのデータ以外に、4クラスタ(16セク
タ)のデータを、頻繁に書き込むものとする。Here, one cluster has four sectors, and the host processor frequently writes data of four clusters (16 sectors) in addition to data of one sector to the flash memory card 11c.
【0093】図10は、フラッシュメモリカード11c
において、ホスト処理装置が指定したライトデータのサ
イズを特定するまでの手順を示す図である。FIG. 10 shows a flash memory card 11c.
FIG. 4 is a diagram showing a procedure until the host processor specifies the size of the write data specified by the host processor.
【0094】まず、ホスト処理装置によって、コントロ
ーラ17内のレジスタ群に、(a)ライト命令コード、
(b)ライトアクセスを開始する論理セクタアドレス、
(c)ライト転送するデータのセクタ数が設定される
(S1101)。First, the host processing device stores (a) a write instruction code in a group of registers in the controller 17;
(B) a logical sector address at which to start write access,
(C) The number of sectors of data to be write-transferred is set (S1101).
【0095】すると、マイクロプロセッサ18は、ま
ず、設定されたライトセクタ数が1に等しいか否かを判
定する(S1102)。Then, the microprocessor 18 first determines whether or not the set number of write sectors is equal to 1 (S1102).
【0096】判定の結果、ライトセクタ数が1に等しけ
れば(S1102:Yes)、ライトデータをフラッシ
ュメモリチップ13内のメモリブロックに格納する処理
へと進む(S1103)。If the result of the determination is that the number of write sectors is equal to 1 (S1102: Yes), the process proceeds to a process of storing write data in a memory block in the flash memory chip 13 (S1103).
【0097】一方、ライトセクタ数が1と異なっていれ
ば(S1102:No)、マイクロプロセッサ18は、
次に、ライトセクタ数が16に等しいか否かを判定する
(S1104)。On the other hand, if the number of write sectors is different from 1 (S1102: No), the microprocessor 18
Next, it is determined whether or not the number of write sectors is equal to 16 (S1104).
【0098】判定の結果、ライトセクタ数が16に等し
ければ(S1104:Yes)、ライトデータをフラッ
シュメモリチップ16内のメモリブロックに格納する処
理へと進む(S1105)。As a result of the determination, if the number of write sectors is equal to 16 (S1104: Yes), the process proceeds to a process of storing write data in a memory block in the flash memory chip 16 (S1105).
【0099】一方、ライトセクタ数が16とも異なれば
(S1104:No)、ライトデータをフラッシュメモ
リチップ14内のメモリブロックに格納する処理へと進
む(S1106)。On the other hand, if the number of write sectors is different from 16 (S1104: No), the process proceeds to a process of storing write data in a memory block in the flash memory chip 14 (S1106).
【0100】以上のようにして、ホスト処理装置によっ
て指示されたライトデータのサイズが特定された後の処
理は、前述したフラッシュメモリカード11の場合と同
様にして行われる。As described above, the process after the size of the write data specified by the host processing device is performed is performed in the same manner as in the case of the flash memory card 11 described above.
【0101】フラッシュメモリカード11cにおいて
は、頻繁に発生する4クラスタ(16セクタサイズ)の
データ書き込みに対して、ライトデータを16セクタサ
イズのメモリブロックに格納するようにしているので、
当該16セクタサイズのデータ書き換え処理での消去時
間等を、メモリブロック1個分の消去時間等に抑えるこ
とができる。1つのメモリブロックの消去時間等は、そ
のサイズに関係なくほぼ一定なので、16セクタサイズ
のデータを4セクタサイズのメモリブロックを4つ使っ
て格納した場合に比べて、書き換え処理の高速化が実現
できる。In the flash memory card 11c, write data is stored in a 16-sector-size memory block in response to frequently occurring 4-cluster (16-sector-size) data writing.
The erasing time and the like in the data rewriting process of the 16-sector size can be suppressed to the erasing time and the like for one memory block. Since the erasing time of one memory block is almost constant irrespective of its size, the rewriting process can be speeded up as compared with the case where 16 sector size data is stored using four 4 sector size memory blocks. it can.
【0102】なお、当然の事ながら、ホスト処理装置に
よって指示されるライトデータのサイズの中に、頻繁に
書き込みが発生する特定のサイズが3種類以上ある場合
も前述した実施形態と同様にして実施することができ
る。Of course, the case where there are three or more types of specific sizes in which frequent writing occurs among the sizes of the write data specified by the host processing apparatus is performed in the same manner as in the above-described embodiment. can do.
【0103】前述した実施形態では、ホスト処理装置と
コントローラ17間のインタフェースとしてATAイン
タフェースを採用している。この場合、ライト転送動作
においては、その転送セクタサイズに拘わらず、命令コ
ードとしては、同じライト命令コードが使われるので、
マイクロプロセッサ18は、コントローラ17のレジス
タから別途、ライトセクタ数を読み出して、それが、特
定サイズのセクタ数であるか否かを判定する。In the above-described embodiment, an ATA interface is employed as an interface between the host processing device and the controller 17. In this case, in the write transfer operation, the same write instruction code is used as the instruction code regardless of the transfer sector size.
The microprocessor 18 reads the number of write sectors separately from the register of the controller 17 and determines whether or not the number is the number of sectors of a specific size.
【0104】これに対して、ホスト処理装置・コントロ
ーラ17間のデータ転送において、特定サイズのデータ
とそれ以外のサイズのデータとで異なるライト命令コー
ドを設けたインタフェースを使用するようにしてもよ
い。その場合、マイクロプロセッサ18は命令コードを
識別するだけで、ライトデータを特定サイズのメモリブ
ロックに格納するか否かを判定することができる。On the other hand, in data transfer between the host processing device and the controller 17, an interface provided with different write instruction codes for data of a specific size and data of other sizes may be used. In that case, the microprocessor 18 can determine whether to store the write data in a memory block of a specific size only by identifying the instruction code.
【0105】また、以上説明した実施形態においては、
フラッシュメモリカード11等の記憶装置は、記憶媒体
としてのフラッシュメモリチップ13〜16のほかに、
コントローラ17、マイクロプロセッサ18、バッファ
メモリ19を内蔵していたが、これらの構成要素が物理
的に分離できるようにしてもよい。In the embodiment described above,
The storage device such as the flash memory card 11 includes flash memory chips 13 to 16 as storage media,
Although the controller 17, the microprocessor 18, and the buffer memory 19 are built in, these components may be physically separated.
【0106】図11は、記憶媒体部と制御部とが分離可
能な記憶装置を示す図である。同図に示すように、本装
置は、PCカードアダプタ20と、それに結合される小
型フラッシュメモリカード12とから構成される。小型
フラッシュメモリカード12には、フラッシュメモリチ
ップ13および14を搭載する。また、PCカードアダ
プタ20には、コントローラ17、マイクロプロセッサ
18、バッファメモリ19を搭載する。小型フラッシュ
メモリカード12とPCカードアダプタ20とは結合さ
れて、ホスト処理装置21(例えば、ノート型PCのス
ロット)へ装着される。FIG. 11 is a diagram showing a storage device in which the storage medium unit and the control unit can be separated. As shown in the figure, the present device is composed of a PC card adapter 20 and a small flash memory card 12 coupled to the PC card adapter. On the small flash memory card 12, flash memory chips 13 and 14 are mounted. The PC card adapter 20 has a controller 17, a microprocessor 18, and a buffer memory 19 mounted thereon. The small flash memory card 12 and the PC card adapter 20 are connected and mounted on a host processing device 21 (for example, a slot of a notebook PC).
【0107】図12は、本発明を適用したデジタルスチ
ルカメラ22の構成を示す図である。同図に示すよう
に、デジタルスチルカメラ22は、コントローラ17、
マイクロプロセッサ18、バッファメモリ19を備え
る。また、外部記憶装置として、小型フラッシュメモリ
カード12が装着される。小型フラッシュメモリカード
12は、メモリブロックサイズが1セクタのフラッシュ
メモリチップ13と、メモリブロックサイズが4セクタ
のフラッシュメモリチップ14とを備える。このよう
に、フラッシュメモリチップを含む記憶媒体部をコント
ローラ等を含む他の部分から分離可能とすれば、メモリ
容量が不足した場合は小型フラッシュメモリカード12
のみを買い換えればよいので経済的である。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a digital still camera 22 to which the present invention is applied. As shown in the figure, the digital still camera 22 includes a controller 17,
A microprocessor 18 and a buffer memory 19 are provided. A small flash memory card 12 is mounted as an external storage device. The small flash memory card 12 includes a flash memory chip 13 having a memory block size of one sector and a flash memory chip 14 having a memory block size of four sectors. As described above, if the storage medium section including the flash memory chip can be separated from other sections including the controller and the like, the small flash memory card 12 can be used when the memory capacity is insufficient.
It is economical because you only need to buy a new one.
【0108】以上の説明では、記憶媒体としてフラッシ
ュメモリを用いた場合について説明したが、他の不揮発
性半導体記憶媒体、例えば、FRAM(Ferro-electric
RAM)やEEPROM(Electrically Erasable Progra
mmable ROM)を使用してもよい。In the above description, the case where the flash memory is used as the storage medium has been described. However, another nonvolatile semiconductor storage medium, for example, FRAM (Ferro-electric
RAM) and EEPROM (Electrically Erasable Progra)
mmable ROM) may be used.
【0109】[0109]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、特定サイズで書き込みが指示されたデータについ
ては、同じサイズのメモリブロックに格納するので、特
定サイズのデータを書き換える場合は、データの退避等
を行うことなく直ちにメモリブロックを消去することが
できる。また、特定サイズのデータの消去時間を1メモ
リブロックの消去時間に抑えることができる。その結
果、特定サイズのデータの書き換え速度の高速化を図る
ことができる。As described above in detail, according to the present invention, data instructed to be written at a specific size is stored in a memory block of the same size. The memory block can be erased immediately without saving the data. Further, the erasing time of data of a specific size can be suppressed to the erasing time of one memory block. As a result, the speed of rewriting data of a specific size can be increased.
【0110】また、特定サイズのデータについては、同
じサイズのメモリブロックに格納するので、他のデータ
の書き換えに起因するメモリブロックの消去が発生する
こともないので、特定サイズのデータの書き換え頻度が
高い場合であっても、メモリチップ全体の寿命の短縮化
を抑制することができる。Also, since data of a specific size is stored in a memory block of the same size, erasure of a memory block due to rewriting of other data does not occur. Even if it is high, shortening of the life of the entire memory chip can be suppressed.
【図1】 本発明による第1のフラッシュメモリカード
及びホスト処理装置の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a first flash memory card and a host processing device according to the present invention.
【図2】 第1のフラッシュメモリカード内の物理的な
メモリマップの概要を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an outline of a physical memory map in a first flash memory card.
【図3】 第1のフラッシュメモリカードにおける管理
領域の概要を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an outline of a management area in a first flash memory card.
【図4】 第1のフラッシュメモリカードにおけるアド
レス変換テーブルの概要を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an outline of an address conversion table in the first flash memory card.
【図5】 第1のフラッシュメモリカードにおいて、ホ
スト処理装置によって指定されたライトデータのサイズ
を特定する処理の流れを示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a flow of processing for specifying the size of write data specified by the host processing device in the first flash memory card.
【図6】 1セクタサイズのデータ書き込み動作を示す
フローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a data write operation of one sector size.
【図7】 2セクタサイズ以上のデータのデータ書き込
み動作を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a data write operation of data having a size of two sectors or more.
【図8】 本発明による第2のフラッシュメモリカード
の内部構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an internal configuration of a second flash memory card according to the present invention.
【図9】 本発明による第3のフラッシュメモリカード
の内部構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an internal configuration of a third flash memory card according to the present invention.
【図10】 第3のフラッシュメモリカードにおいて、
ホスト処理装置によって指定されたライトデータのサイ
ズを特定するまでのフローチャートである。FIG. 10 shows a third flash memory card.
9 is a flowchart until the size of write data specified by the host processing device is specified.
【図11】 小型フラッシュメモリーカード、PCカー
ドアダプタ及びホスト処理装置の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a small flash memory card, a PC card adapter, and a host processing device.
【図12】 本発明を適用したデジタルスチルカメラの
構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a digital still camera to which the present invention has been applied.
【図13】 FATファイルシステムにおける論理的な
メモリマップを示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a logical memory map in the FAT file system.
11 フラッシュメモリカード 13 フラッシュメモリチップ(メモリブロックサイ
ズ:1セクタ) 14 フラッシュメモリチップ(メモリブロックサイ
ズ:4セクタ) 17 コントローラ 18 マイクロプロセッサ 19 バッファメモリ 21 ホスト処理装置11 Flash memory card 13 Flash memory chip (memory block size: 1 sector) 14 Flash memory chip (memory block size: 4 sectors) 17 Controller 18 Microprocessor 19 Buffer memory 21 Host processing unit
フロントページの続き (72)発明者 田村 隆之 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株 式会社日立製作所システム開発研究所内 (72)発明者 片山 国弘 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株 式会社日立製作所システム開発研究所内 Fターム(参考) 5B025 AD01 AD04 AD08 5B060 AA06 AA12 AC11 5B065 BA05 CC03 Continued on the front page (72) Inventor Takayuki Tamura 1099 Ozenji Temple, Aso-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd.System Development Laboratory (72) Inventor Kunihiro Katayama 1099 Ozenji Temple, Aso-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. F term in system development laboratory (reference) 5B025 AD01 AD04 AD08 5B060 AA06 AA12 AC11 5B065 BA05 CC03
Claims (5)
を記憶する記憶装置であって、 第1のサイズを有し、当該サイズで書き換え可能な第1
のデータ格納ブロックと、 第2のサイズを有し、当該サイズで書き換え可能な第2
のデータ格納ブロックと、 ホスト処理装置が指示する書き込みデータのサイズに応
じて、第1及び第2のデータ格納ブロックのいずれか一
方に書き込みデータを格納する制御手段とを備えること
を特徴とする記憶装置。1. A storage device for storing data written from a host processing device, the storage device having a first size and being rewritable in the size.
A second data storage block having a second size and rewritable with the size.
And a control means for storing the write data in one of the first and second data storage blocks in accordance with the size of the write data specified by the host processing device. apparatus.
で書き込みが指示されたデータを格納し、 前記第2のデータ格納ブロックには、前記第1のサイズ
以外のサイズで書き込みが指示されたデータを格納する
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。2. The control means stores, in the first data storage block, data designated to be written at the first size, and the second data storage block stores the first data in the first data storage block. 2. The storage device according to claim 1, wherein data for which writing is instructed in a size other than the size is stored.
を記憶する記憶装置であって、 第1のサイズを有するブロック単位で書き換え可能な第
1の記憶手段と、 第2のサイズを有するブロック単位で書き換え可能な第
2の記憶手段とを備え、 ホスト処理装置から指示された書き込みデータのサイズ
が、前記第1のサイズであった場合は、当該データを前
記第1の記憶手段に格納し、 ホスト処理装置から指示された書き込みデータのサイズ
が、前記第1のサイズ以外であった場合は、当該データ
を前記第2の記憶手段に格納することを特徴とする記憶
装置。3. A storage device for storing data to be written from a host processing device, comprising: first storage means capable of rewriting in units of a block having a first size; and rewriting in units of a block having a second size. When the size of the write data specified by the host processing device is the first size, the data is stored in the first storage means. If the size of the write data specified by the device is other than the first size, the data is stored in the second storage means.
き換え可能な第1の記憶手段と、 第2のサイズを有するブロック単位で書き換え可能な第
2の記憶手段とを備えた記憶装置にデータを書き込むホ
スト処理装置であって、 書き込みデータのサイズが、前記第1のサイズであった
場合は、当該データを前記第1の記憶手段に格納し、 書き込みデータのサイズが、前記第1のサイズ以外であ
った場合は、当該データを前記第2の記憶手段に格納す
ることを特徴とするホスト処理装置。4. A storage device comprising: a first storage means rewritable in block units having a first size; and a second storage means rewritable in block units having a second size. A host processing device for writing, wherein when the size of the write data is the first size, the data is stored in the first storage means, and the size of the write data is other than the first size. If so, the host processing device stores the data in the second storage unit.
記憶媒体に格納する方法であって、 ホスト処理装置が指示する書き込みデータのサイズを判
定し、 第1のサイズで書き込みが指示されたデータは、第1の
サイズを有する第1のデータ格納ブロックに格納し、 前記第1のサイズ以外のサイズで書き込みが指示された
データは、第2のサイズを有する第2のデータ格納ブロ
ックに格納することを特徴とするデータ格納方法。5. A method for storing data transferred from a host processing device in a storage medium, the method comprising: determining a size of write data specified by the host processing device; , Storing in a first data storage block having a first size, and storing data designated to be written in a size other than the first size in a second data storage block having a second size. A data storage method characterized by the following.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36107098A JP2000181784A (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Rewritable nonvolatile storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP36107098A JP2000181784A (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Rewritable nonvolatile storage device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000181784A true JP2000181784A (en) | 2000-06-30 |
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| JP36107098A Pending JP2000181784A (en) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | Rewritable nonvolatile storage device |
Country Status (1)
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