JP2000162640A - Reflection type liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光拡散層を備えた
反射型液晶表示装置及びその製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device having a light diffusion layer and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、観察方向から入射した光を反
射させて表示を見るいわゆる反射型液晶表示装置が提案
されている。2. Description of the Related Art Heretofore, there has been proposed a so-called reflection type liquid crystal display device for displaying a display by reflecting light incident from an observation direction.
【０００３】図３に、従来の反射型液晶表示装置の断面
図を示す。FIG. 3 is a sectional view of a conventional reflection type liquid crystal display device.
【０００４】同図に示すように、従来の反射型液晶表示
装置は、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、スイッチング素子である薄膜トランジ
スタ（以下、「ＴＦＴ」と称する。）を形成する。ま
ず、絶縁性基板（ＴＦＴ基板）１０上に、クロム（Ｃ
ｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲ
ート電極１１、ゲート絶縁膜１２、及び多結晶シリコン
膜からなる能動層１３を順に形成する。As shown in FIG. 1, a conventional reflection type liquid crystal display device has a thin film transistor (hereinafter, referred to as "TFT") as a switching element on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass or the like. To form First, chromium (C) is placed on an insulating substrate (TFT substrate) 10.
r), a gate electrode 11 made of a refractory metal such as molybdenum (Mo), a gate insulating film 12, and an active layer 13 made of a polycrystalline silicon film are sequentially formed.
【０００５】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース１３ｓ及びドレイン１
３ｄが設けられている。The active layer 13 has a channel 13c above the gate electrode 11, and a source 13s and a drain 1 formed on both sides of the channel 13c by ion implantation using the stopper insulating film 14 on the channel 13c as a mask.
3d is provided.
【０００６】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにアルミニウム（Ａｌ）等の金属を充填してドレイン
電極１６を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成
り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そし
て、その平坦化絶縁膜１７のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトしたアルミニウム
（Ａｌ）から成りソース電極１８を兼ねた反射電極であ
る反射表示電極１９を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
そしてその反射表示電極１９上にポリイミド等の有機樹
脂からなり液晶２１を配向させる配向膜２２を形成す
る。Then, an SiO 2 film, a SiN film, and the like are formed on the entire surface of the gate insulating film 12, the active layer 13, and the stopper insulating film 14.
An interlayer insulating film 15 is formed by laminating a film and an SiO 2 film in this order, and a contact hole provided corresponding to the drain 13 d is filled with a metal such as aluminum (Al) to form a drain electrode 16. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is formed on the entire surface. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 13 s of the planarization insulating film 17, and a reflection electrode which is made of aluminum (Al) contacted with the source 13 s via the contact hole and also serves as the source electrode 18. The display electrode 19 is formed on the flattening insulating film 17.
Then, an alignment film 22 made of an organic resin such as polyimide for aligning the liquid crystal 21 is formed on the reflective display electrode 19.
【０００７】また、ＴＦＴ基板１０に対向し、石英ガラ
ス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板である対向
電極基板３０には、ＴＦＴ基板１０側に、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各色及び遮光機能を有するブラック
マトリックス３２を備えたカラーフィルタ３１、その上
に形成された樹脂から成る保護膜３３、その保護膜３３
の全面に形成された光拡散層３４、対向電極３５及び配
向膜３６を備えており、またその反対側の面には位相差
板４４及び偏光板４５が配置されている。そして、対向
電極基板３０とＴＦＴ基板１０の周辺をシール接着材
（図示せず）により接着し、形成された空隙にツイステ
ィッドネマティック（ＴＮ）液晶２３を挟持する。A counter electrode substrate 30, which is an insulating substrate made of quartz glass, non-alkali glass, or the like, which faces the TFT substrate 10, has red (R), green (G), and blue on the TFT substrate 10 side. (B) A color filter 31 including a black matrix 32 having each color and a light shielding function, a protective film 33 made of resin formed thereon, and the protective film 33
A light diffusing layer 34, a counter electrode 35, and an alignment film 36 are formed on the entire surface of the device, and a retardation plate 44 and a polarizing plate 45 are disposed on the opposite surface. Then, the periphery of the counter electrode substrate 30 and the periphery of the TFT substrate 10 are adhered by a seal adhesive (not shown), and a twisted nematic (TN) liquid crystal 23 is sandwiched in the formed gap.
【０００８】外部から入射される自然光１００は、実線
矢印で示すように、観察者１０１側の偏光板４５から入
射し、位相差板４４、対向電極基板３０、カラーフィル
タ３１、保護膜３３、光拡散層３４に到達し、その光が
この光拡散層３４にて拡散され、その拡散された光は対
向電極３５、配向膜３６、ＴＮ液晶２３、ＴＦＴ基板１
０上の配向膜２０を透過し、反射表示電極１９にて反射
され、その後、入射と逆の方向に各層を透過して対向電
極基板３０上の偏光板４５から出射し観察者の目１０１
に入る。[0008] Natural light 100 incident from the outside is incident from the polarizing plate 45 on the observer 101 side as shown by the solid line arrow, and the retardation plate 44, the counter electrode substrate 30, the color filter 31, the protective film 33, the light The light reaches the diffusion layer 34 and is diffused by the light diffusion layer 34, and the diffused light is transmitted to the counter electrode 35, the alignment film 36, the TN liquid crystal 23, and the TFT substrate 1.
0, and is reflected by the reflective display electrode 19, then passes through each layer in the direction opposite to the incident direction, exits from the polarizing plate 45 on the counter electrode substrate 30, and exits from the observer's eye 101.
to go into.
【０００９】このように、対向電極基板３０の保護膜３
３上に光拡散層３４を設けると、入射した光はこの光拡
散層３４にて拡散される。そして、その拡散された光
は、入射された方向以外にも進んで反射表示電極１９に
よって反射された後、観察者１０１の目に到達すること
になる。As described above, the protection film 3 of the counter electrode substrate 30 is formed.
When a light diffusion layer 34 is provided on the light diffusion layer 3, incident light is diffused by the light diffusion layer 34. Then, the diffused light travels in a direction other than the incident direction, is reflected by the reflective display electrode 19, and reaches the eyes of the observer 101.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示す
ように、光拡散層３４が対向電極基板３０上に設けられ
た場合、光拡散層３４に入射した光は全てが前方、即ち
反射表示電極１９方向に進むのではなく、一部は破線矢
印に示すように光拡散層３４にて後方に散乱されてしま
う光もある。このため、入射された光の全てはＴＦＴ基
板に到達しない。従って、一部の光は液晶層の光の透過
又は遮蔽による表示への寄与をしないことになるので、
入射される光を効率良く利用できず、またそれによって
均一で明るい表示を観察者１０１が観察できないという
欠点があった。However, as shown in FIG. 3, when the light diffusion layer 34 is provided on the counter electrode substrate 30, all of the light incident on the light diffusion layer 34 is forward, that is, the reflection display. Some light does not travel in the direction of the electrode 19 but is partially scattered backward by the light diffusion layer 34 as shown by a dashed arrow. Therefore, all of the incident light does not reach the TFT substrate. Therefore, some light does not contribute to the display by transmitting or blocking the light of the liquid crystal layer,
There is a drawback that the incident light cannot be used efficiently and that the observer 101 cannot observe a uniform and bright display.
【００１１】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、光拡散層に入射された光のうち
光拡散層にて後方に散乱される一部の光も表示に寄与さ
せて観察者側に均一で明るい表示を供給することが可能
な反射型液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and some of the light incident on the light diffusion layer, which is scattered backward by the light diffusion layer, is also displayed. It is an object of the present invention to provide a reflective liquid crystal display device capable of providing a uniform and bright display to the observer side by making a contribution and a method of manufacturing the same.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、互いに対向して配置された第１及び第２の基板
間に液晶を挟持しており、前記第１の基板にはスイッチ
ング素子、該スイッチング素子に接続された反射表示電
極、該反射表示電極上に光拡散層、及び該光拡散層に設
けたコンタクトホールを介して前記反射表示電極に接続
された透明電極を備え、前記第２の基板には前記反射表
示電極に対向した対向電極を備えたものである。A reflection type liquid crystal display device according to the present invention has a liquid crystal sandwiched between first and second substrates disposed opposite to each other, and the first substrate has a switching device. An element, a reflective display electrode connected to the switching element, a light diffusion layer on the reflective display electrode, and a transparent electrode connected to the reflective display electrode through a contact hole provided in the light diffusion layer, The second substrate includes a counter electrode facing the reflective display electrode.
【００１３】また、互いに対向して配置された第１及び
第２の基板間に液晶を挟持した反射型液晶表示装置の製
造方法であって、前記第１の基板上にスイッチング素子
を形成する工程と、該スイッチング素子を含む全面を覆
った平坦化絶縁膜を形成する工程と、該平坦化絶縁膜に
設けたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子
に接続され前記平坦化絶縁膜上に反射表示電極を形成す
る工程と、該反射表示電極上に光拡散層、及び該光拡散
層に設けたコンタクトホールを介して前記反射表示電極
と接続された透明電極を形成する工程と、前記第２の基
板上に前記反射表示電極に対向した対向電極を形成する
工程とを備えたものである。A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between first and second substrates disposed opposite to each other, wherein a switching element is formed on the first substrate Forming a planarizing insulating film covering the entire surface including the switching element; and a reflective display electrode connected to the switching element via a contact hole provided in the planarizing insulating film, on the planarizing insulating film. Forming a light diffusion layer on the reflective display electrode and a transparent electrode connected to the reflective display electrode via a contact hole provided in the light diffusion layer; and forming the second substrate Forming a counter electrode facing the reflective display electrode.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の反射型液晶表示装置につ
いて、以下に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The reflection type liquid crystal display of the present invention will be described below.
【００１５】図１に本発明の反射型液晶表示装置の断面
図を示す。FIG. 1 is a sectional view of a reflection type liquid crystal display device of the present invention.
【００１６】同図に示すように、本実施の形態の場合、
一方の絶縁性基板１０上にＣｒ、Ｍｏ等の高融点金属か
らなるゲート電極１１の形成から平坦化絶縁膜１７の形
成までは前述の構造と同じであるので説明を省略する。As shown in FIG. 1, in the case of this embodiment,
The steps from the formation of the gate electrode 11 made of a high melting point metal such as Cr and Mo to the formation of the planarization insulating film 17 on one of the insulating substrates 10 are the same as those described above, and therefore the description is omitted.
【００１７】平坦化絶縁膜１７上には、多結晶シリコン
膜からなる能動層１３のソース１３ｓに接続されたＡ
ｌ、銀（Ａｇ）等の導電性反射材料からなる反射表示電
極１９を形成する。またこの反射表示電極１９上には光
を拡散する光拡散層３４を全面に形成する。その上には
ＩＴＯ等の透明導電性材料からなり、光拡散層３４に設
けたコンタクトホールを介して反射表示電極１９にコン
タクトしている透明電極２１を形成する。On the flattening insulating film 17, A is connected to the source 13s of the active layer 13 made of a polycrystalline silicon film.
1. A reflective display electrode 19 made of a conductive reflective material such as silver (Ag) is formed. A light diffusion layer 34 for diffusing light is formed on the entire surface of the reflective display electrode 19. A transparent electrode 21 made of a transparent conductive material such as ITO and in contact with the reflective display electrode 19 via a contact hole provided in the light diffusion layer 34 is formed thereon.
【００１８】なお、反射表示電極１９上に光拡散層３４
を設けることにより、液晶２３と反射表示電極との間隔
が大きくなってしまい、本来液晶２３に印加されるべき
電圧が反射表示電極１９では液晶に印加できないため、
光拡散層３４上に透明電極２１を設ける。この透明電極
２１は光拡散層３４に設けたコンタクトホールを介して
反射表示電極３４と接続しているため、反射表示電極１
９によって電圧を印加する際の電圧降下が生じることな
く反射表示電極１９に印加された電圧が印加され、液晶
２３にその電圧が印加されることになる。The light diffusion layer 34 is provided on the reflective display electrode 19.
Is provided, the distance between the liquid crystal 23 and the reflective display electrode is increased, and a voltage that should be applied to the liquid crystal 23 cannot be applied to the liquid crystal at the reflective display electrode 19.
The transparent electrode 21 is provided on the light diffusion layer 34. Since the transparent electrode 21 is connected to the reflective display electrode 34 via a contact hole provided in the light diffusion layer 34, the reflective display electrode 1
9, the voltage applied to the reflective display electrode 19 is applied without causing a voltage drop when the voltage is applied, and the voltage is applied to the liquid crystal 23.
【００１９】また、透明電極２１は、反射表示電極１９
とほぼ同じ大きさ若しくは反射表示電極１９よりも大き
く形成する。そうすることにより、液晶２３に印加する
電圧が充分液晶２３に印加することができる。そして、
透明電極２１を含む全面にポリイミド等からなり液晶２
３を配向させる配向膜２２を形成する。Further, the transparent electrode 21 is connected to the reflective display electrode 19.
, Or larger than the reflective display electrode 19. By doing so, the voltage applied to the liquid crystal 23 can be sufficiently applied to the liquid crystal 23. And
The entire surface including the transparent electrode 21 is made of polyimide or the like.
An alignment film 22 for orienting 3 is formed.
【００２０】他方の石英ガラス、無アルカリガラス等か
らなる対向電極基板３０は、液晶２３を設ける側には、
Ｒ、Ｇ、Ｂを呈する各色及び遮光機能を有するブラック
マトリックス３２を備えたカラーフィルタ３１、そのカ
ラーフィルタ３１を保護するアクリル樹脂等から成る保
護膜３３を設ける。その保護膜３３の上には各表示電極
１９に対向した対向電極３５が全面に設けられている。
更にその全面にはポリイミドから成る配向膜３６が形成
されている。A counter electrode substrate 30 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like has a liquid crystal 23 on its side.
A color filter 31 having a black matrix 32 having each color of R, G, and B and a light shielding function, and a protective film 33 made of acrylic resin or the like for protecting the color filter 31 are provided. On the protective film 33, a counter electrode 35 facing each display electrode 19 is provided on the entire surface.
Further, an alignment film 36 made of polyimide is formed on the entire surface.
【００２１】また、対向電極基板３０の液晶を設けない
側、即ち観察側には、位相差（λ／４）板４４及び偏光
板４５が対向電極基板３０側から順に設けられている。On the side of the opposing electrode substrate 30 where no liquid crystal is provided, that is, on the observation side, a phase difference (λ / 4) plate 44 and a polarizing plate 45 are provided in this order from the opposing electrode substrate 30 side.
【００２２】更に、液晶２３としては、例えばＴＮ液晶
を用いる。Further, as the liquid crystal 23, for example, a TN liquid crystal is used.
【００２３】ここで、外部から入射した光の進み方につ
いて説明する。Here, how the light incident from the outside proceeds will be described.
【００２４】外部から入射される自然光１００は、図１
中に実線矢印で示すように、観察者１０１側の偏光板４
５から入射し、位相差板４４、対向電極基板３０、カラ
ーフィルタ３１を透過し、保護膜３４、対向電極３５、
配向膜３６、液晶２１、ＴＦＴ基板１０上の配向膜２２
を透過して、透明電極２１、光拡散層３４に達する。光
拡散層３４によって光は拡散され、その拡散された光は
反射表示電極１９に到達する。その到達した光は反射表
示電極１９によって反射される。反射した光は、光拡散
層３４に達して再び拡散されて入射の光路とは逆方向に
進み位相差板４３及び偏光板４５を通過して観察者１０
１に観察される。Natural light 100 incident from the outside is shown in FIG.
As shown by the solid arrow therein, the polarizing plate 4 on the observer 101 side is shown.
5, the light passes through the phase difference plate 44, the counter electrode substrate 30, and the color filter 31, and passes through the protective film 34, the counter electrode 35,
Alignment film 36, liquid crystal 21, alignment film 22 on TFT substrate 10
To reach the transparent electrode 21 and the light diffusion layer 34. The light is diffused by the light diffusion layer 34, and the diffused light reaches the reflective display electrode 19. The arriving light is reflected by the reflective display electrode 19. The reflected light reaches the light diffusion layer 34 and is diffused again, travels in the opposite direction to the incident optical path, passes through the phase difference plate 43 and the polarizing plate 45, and
1 is observed.
【００２５】このとき、ＴＦＴ基板１０上の透明電極２
１を透過して光拡散層３４に入射した光は、この光拡散
層３４にて拡散されるが、その一部は破線矢印に示すよ
うに光拡散層３４にて後方に散乱されてしまう光もあ
る。At this time, the transparent electrode 2 on the TFT substrate 10
1 is incident on the light diffusion layer 34 and is diffused by the light diffusion layer 34, but a part of the light is scattered backward by the light diffusion layer 34 as shown by a broken arrow. There is also.
【００２６】しかし、その光拡散層３４にて後方に散乱
された光は、反射表示電極１９で反射した光と同様に液
晶２３層を通って観察者１０１側に進んでいく。即ち、
観察者１０１側から入射された光はＴＦＴ基板１０側に
達した後、全て液晶２３層を通って観察者１０１側に出
射することになる。従って、観察者１０１側から入射し
ＴＦＴ基板１０側の透明電極２１及び反射表示電極１９
に達した光は、全て液晶２３層によって透過又は遮断さ
れ表示に寄与することになるため、効率よく光を利用す
ることができ、それによって明るい表示を得ることがで
きる。However, the light scattered backward by the light diffusion layer 34 proceeds to the observer 101 through the liquid crystal 23 layer similarly to the light reflected by the reflective display electrode 19. That is,
All the light incident from the observer 101 side reaches the TFT substrate 10 side and then exits to the observer 101 side through the liquid crystal 23 layer. Accordingly, the light enters from the observer 101 side and the transparent electrode 21 and the reflective display electrode 19 on the TFT substrate 10 side.
Is transmitted or blocked by the liquid crystal layer 23 and contributes to the display, so that the light can be used efficiently and a bright display can be obtained.
【００２７】次に、絶縁性基板１０上のＴＦＴ、反射表
示電極１９、光拡散層３４及び配向膜２２の形成方法に
ついて説明する。Next, a method of forming the TFT, the reflective display electrode 19, the light diffusion layer 34, and the alignment film 22 on the insulating substrate 10 will be described.
【００２８】図２に絶縁性基板上のＴＦＴ等の製造方法
の工程断面図を示す。FIG. 2 is a process sectional view of a method of manufacturing a TFT or the like on an insulating substrate.
【００２９】同図（ａ）に示すように、絶縁性基板（Ｔ
ＦＴ基板）１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）などの高融点金属からなるゲート電極１１、ゲート
絶縁膜１２、及び多結晶シリコン膜からなる能動層１３
を順に形成する。As shown in FIG. 1A, an insulating substrate (T
Chromium (Cr), molybdenum (M)
o), a gate electrode 11 made of a refractory metal such as a metal, a gate insulating film 12, and an active layer 13 made of a polycrystalline silicon film.
Are formed in order.
【００３０】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース１３ｓ及びドレイン１
３ｄが設けられている。The active layer 13 has a channel 13c above the gate electrode 11, and a source 13s and a drain 1 formed on both sides of the channel 13c by ion implantation using the stopper insulating film 14 on the channel 13c as a mask.
3d is provided.
【００３１】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにアルミニウム（Ａｌ）等の金属を充填してドレイン
電極１６を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成
り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そし
て、その平坦化絶縁膜１７のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成する。Then, an SiO 2 film, a SiN film, and the like are formed on the entire surface of the gate insulating film 12, the active layer 13, and the stopper insulating film 14.
An interlayer insulating film 15 is formed by laminating a film and an SiO 2 film in this order, and a contact hole provided corresponding to the drain 13 d is filled with a metal such as aluminum (Al) to form a drain electrode 16. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is formed on the entire surface. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 13s of the planarizing insulating film 17.
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、このコン
タクトホールを介してソース１３ｓとコンタクトしたア
ルミニウム（Ａｌ）をスパッタ法を用いて堆積し、Ａｌ
を残存させる領域、即ち反射表示電極１９形成領域に開
口部を有するレジストパターンを形成し、そのレジスト
パターンによってＡｌをエッチングしてソース電極１８
を兼ねた反射電極である反射表示電極１９を平坦化絶縁
膜１７上に形成する。Next, as shown in FIG. 2B, aluminum (Al) in contact with the source 13s through this contact hole is deposited by a sputtering method.
A resist pattern having an opening in a region where the pattern is left, that is, a region where the reflective display electrode 19 is formed, is etched by the resist pattern to remove the source electrode 18.
The reflective display electrode 19, which is also a reflective electrode, is formed on the flattening insulating film 17.
【００３３】この反射表示電極１９を含む全面に光拡散
層３４を形成する。光拡散層３４は、ビーズを混入させ
たアクリル樹脂をスピンナーにて塗布することによって
形成できる。The light diffusion layer 34 is formed on the entire surface including the reflective display electrode 19. The light diffusion layer 34 can be formed by applying an acrylic resin mixed with beads using a spinner.
【００３４】そして、図２（ｃ）に示すように、光拡散
層３４に反射表示電極１９まで到達するコンタクトホー
ルを設ける。このとき、コンタクトホールを設ける位置
は反射表示電極１９のどの位置に形成しても良いが、コ
ンタクトホールによる光の散乱等発生の影響を極力抑え
るために反射表示電極１９の周辺に設けることが好まし
い。Then, as shown in FIG. 2C, a contact hole reaching the reflective display electrode 19 is provided in the light diffusion layer 34. At this time, the contact hole may be provided at any position on the reflective display electrode 19, but is preferably provided around the reflective display electrode 19 in order to minimize the influence of light scattering or the like caused by the contact hole. .
【００３５】そして、そのコンタクトホールを含む全面
にＩＴＯ等の透明材料をスパッタ等により堆積し、その
上にレジストパターンを形成した後、エッチングを行っ
て反射表示電極１９と概ね同じ大きさ若しくは大きい透
明電極２１を形成する。ここで、反射表示電極１９上に
光拡散層３４を介して透明電極２１を設ける理由は、反
射表示電極１９上に形成した光拡散層３４で容量を持っ
てしまい、反射表示電極に印加した本来液晶に印加すべ
き電圧がドロップしてしまい、印加すべき電圧が液晶に
印加されなくなってしまうことを防止するためである。Then, a transparent material such as ITO is deposited on the entire surface including the contact hole by sputtering or the like, and a resist pattern is formed thereon, followed by etching to obtain a transparent material having substantially the same size or a large size as the reflective display electrode 19. An electrode 21 is formed. Here, the reason that the transparent electrode 21 is provided on the reflective display electrode 19 via the light diffusion layer 34 is that the light diffusion layer 34 formed on the reflective display electrode 19 has a capacitance, This is to prevent the voltage to be applied to the liquid crystal from dropping and preventing the voltage to be applied from being applied to the liquid crystal.
【００３６】そして透明電極２１を形成後、その反射表
示電極１９を含む全面にポリイミド等の有機樹脂からな
り液晶２３を配向させる配向膜２２を形成する。After the formation of the transparent electrode 21, an alignment film 22 made of an organic resin such as polyimide and orienting the liquid crystal 23 is formed on the entire surface including the reflective display electrode 19.
【００３７】こうして、絶縁性基板１０、即ちＴＦＴ基
板１０が完成する。Thus, the insulating substrate 10, that is, the TFT substrate 10 is completed.
【００３８】なお、上述の実施の形態においては、カラ
ーフィルタを用いた場合を示したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、図１においてカラーフィルタを
設けない場合にも、本発明を採用することは可能であ
り、本願特有の効果を奏するものである。In the above-described embodiment, the case where a color filter is used has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to the case where a color filter is provided in FIG. It is possible to adopt it, and it has an effect unique to the present application.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明によれば、光拡散層に入射された
光のうち光拡散層にて後方に散乱される一部の光も表示
に寄与させて観察者側に均一で明るい表示を供給するこ
とが可能な反射型液晶表示装置及びその製造方法を提供
することができる。According to the present invention, of the light incident on the light diffusion layer, a part of the light scattered backward by the light diffusion layer also contributes to the display, thereby providing a uniform and bright display on the observer side. A reflective liquid crystal display device that can be supplied and a method for manufacturing the same can be provided.
【図１】本発明の反射型液晶表示装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a reflection type liquid crystal display device of the present invention.
【図２】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程断面図
である。FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing process of the reflective liquid crystal display device of the present invention.
【図３】従来の反射型液晶表示装置の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional reflective liquid crystal display device.
１０ ＴＦＴ基板 １３ 能動層 １５ 層間絶縁膜 １７ 平坦化絶縁膜 １９ 反射表示電極 ２１ 透明電極 ２２，３６ 配向膜 ３３ 保護膜 ３４ 光拡散層 ３５ 対向電極 ４４ 位相差板 ４５ 偏光板 Reference Signs List 10 TFT substrate 13 Active layer 15 Interlayer insulating film 17 Flattening insulating film 19 Reflective display electrode 21 Transparent electrode 22, 36 Alignment film 33 Protective film 34 Light diffusion layer 35 Counter electrode 44 Phase difference plate 45 Polarizing plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11Z FA14Y FA31Y FA35Y FC02 FC26 FD04 FD06 GA02 GA03 GA07 GA13 GA16 HA07 LA03 LA15 LA17 2H092 GA17 HA05 HA28 JA26 JB07 JB16 JB52 JB58 KA04 KA18 KB13 KB22 KB23 KB25 MA05 MA10 MA15 MA17 MA37 PA02 PA08 PA10 PA11 PA12 QA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11Z FA14Y FA31Y FA35Y FC02 FC26 FD04 FD06 GA02 GA03 GA07 GA13 GA16 HA07 LA03 LA15 LA17 2H092 GA17 HA05 HA28 JA26 JB07 JB16 JB52 JB58 KA04 KB23 KB13 KB13 KB MA15 MA17 MA37 PA02 PA08 PA10 PA11 PA12 QA07
Claims (2)
の基板間に液晶を挟持しており、前記第１の基板にはス
イッチング素子、該スイッチング素子に接続された反射
表示電極、該反射表示電極上に光拡散層、及び該光拡散
層に設けたコンタクトホールを介して前記反射表示電極
に接続された透明電極を備え、前記第２の基板には前記
反射表示電極に対向した対向電極を備えたことを特徴と
する反射型液晶表示装置。1. A first and a second arrangement arranged opposite to each other.
A liquid crystal is interposed between the substrates, and the first substrate is provided with a switching element, a reflective display electrode connected to the switching element, a light diffusion layer on the reflective display electrode, and the light diffusion layer. A reflective liquid crystal display device, comprising: a transparent electrode connected to the reflective display electrode via a contact hole; and a counter electrode facing the reflective display electrode on the second substrate.
の基板間に液晶を挟持した反射型液晶表示装置の製造方
法であって、 前記第１の基板上にスイッチング素子を形成する工程
と、該スイッチング素子を含む全面を覆った平坦化絶縁
膜を形成する工程と、該平坦化絶縁膜に設けたコンタク
トホールを介して前記スイッチング素子に接続され前記
平坦化絶縁膜上に反射表示電極を形成する工程と、該反
射表示電極上に光拡散層、及び該光拡散層に設けたコン
タクトホールを介して前記反射表示電極と接続された透
明電極を形成する工程と、前記第２の基板上に前記反射
表示電極に対向した対向電極を形成する工程とを備えた
ことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。2. A first and a second, arranged opposite to each other.
Forming a switching element on the first substrate, and forming a flattened insulating film covering the entire surface including the switching element. And a step of forming a reflective display electrode on the planarized insulating film connected to the switching element via a contact hole provided in the planarized insulating film; and a light diffusion layer on the reflective display electrode, and Forming a transparent electrode connected to the reflective display electrode via a contact hole provided in the light diffusion layer; and forming a counter electrode facing the reflective display electrode on the second substrate. A method for manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10335872A JP2000162640A (en) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | Reflection type liquid crystal display device and its manufacture |
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| JP10335872A JP2000162640A (en) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | Reflection type liquid crystal display device and its manufacture |
Publications (1)
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|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000162640A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053819A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335872A patent/JP2000162640A/en not_active Withdrawn
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