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JP2000151329A - High frequency device - Google Patents

High frequency device

Info

Publication number
JP2000151329A
JP2000151329A JP32540698A JP32540698A JP2000151329A JP 2000151329 A JP2000151329 A JP 2000151329A JP 32540698 A JP32540698 A JP 32540698A JP 32540698 A JP32540698 A JP 32540698A JP 2000151329 A JP2000151329 A JP 2000151329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
signal
detection circuit
matching
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32540698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kato
藤 努 加
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP32540698A priority Critical patent/JP2000151329A/en
Publication of JP2000151329A publication Critical patent/JP2000151329A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波出力の立ち上がり時にミスマッチング
動作をさせないようにした。 【解決手段】 変調信号発生回路12からのパルス信号
は、ダイオードDの働きにより、パルス信号と同期して
急峻に上がり、高周波出力の立ち上がりと同期して立ち
下がり始め、抵抗R1とコンデンサC1に基づく時定数で
立ち下がる信号になり、トランジスタTrのベースに入
力される。トランジスタTrはこのパルス信号のオン期
間Q1にわたってオンの状態となり、次の立ち上がりま
での期間Q2オフの状態となる。変換回路22Aのダイ
オードDに入力された高周波信号はトランジスタTr側
に流れ、直流変換回路28には流れず、負荷変動がなけ
れば、直流変換回路28の入力信号及び出力信号は0と
なる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To prevent a mismatching operation when a high-frequency output rises. A pulse signal from the modulation signal generation circuit 12, by the action of the diode D, up sharply in synchronism with the pulse signal, the falling start in synchronization with the rising edge of the high-frequency output, the resistor R 1 and capacitor C 1 , And the signal falls at a time constant based on the time constant, and is input to the base of the transistor Tr. Transistor Tr becomes on-state over the on period to Q 1 this pulse signal, the period Q 2 off condition until the next rising edge. The high-frequency signal input to the diode D of the conversion circuit 22A flows to the transistor Tr side, does not flow to the DC conversion circuit 28, and if there is no load change, the input signal and the output signal of the DC conversion circuit 28 become zero.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、インピーダンスのマッ
チングを正確且つ短時間に行うことが出来る高周波スパ
ッタリング装置や高周波エッチング等の高周波装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency device such as a high-frequency sputtering device and a high-frequency etching device capable of performing impedance matching accurately and in a short time.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波スパッタリング装置では、2枚の
電極間に高周波を印加する事により両電極間に放電を発
生させることにより、一方の電極(材料)をスパッタリ
ングし、該スパッタされた粒子を電極に接近して配置さ
れた基板上に付着させるようにしている。
2. Description of the Related Art In a high frequency sputtering apparatus, one electrode (material) is sputtered by applying a high frequency between two electrodes to generate a discharge between the two electrodes, and the sputtered particles are used as an electrode. On a substrate placed close to the substrate.

【0003】図1は、この様な高周波装置の概略を示し
ており、1は高周波発振器である。高周波発振器1から
の高周波は、検出回路2を介してマッチングボックス3
に供給される。マッチングボックス3はマッチング可変
コンデンサ4,チューニング可変コンデンサ5及びコイ
ル6から構成されている。マッチングボックス3からの
高周波は負荷7に供給される。尚、検出回路2は、マッ
チングボックス3に入力する高周波のインピーダンス、
及び該電圧と電流の位相差をそれぞれ高周波信号として
求め、内蔵するダイオードとコンデンサから成る直流変
換回路(図示せず)によりそれぞれ求めた高周波信号を
直流信号に変換している。
FIG. 1 schematically shows such a high-frequency device, and 1 is a high-frequency oscillator. The high frequency from the high frequency oscillator 1 passes through the detection circuit 2 to the matching box 3
Supplied to The matching box 3 includes a matching variable capacitor 4, a tuning variable capacitor 5, and a coil 6. The high frequency from the matching box 3 is supplied to the load 7. Note that the detection circuit 2 includes a high-frequency impedance input to the matching box 3,
The phase difference between the voltage and the current is determined as a high-frequency signal, and the high-frequency signal determined by a DC conversion circuit (not shown) including a built-in diode and a capacitor is converted into a DC signal.

【0004】この様な構成において、検出回路2によっ
て検出された高周波電圧と高周波電流に基づいてインピ
ーダンスと位相差を求め、該求めたインピーダンスの信
号と位相差の信号を一旦直流信号に変換してから、該イ
ンピーダンスの値に基づいてマッチングボックス3内の
マッチング可変コンデンサ4の容量を変え、該位相差に
基づいてチューニング可変コンデンサ5の容量を変えて
いる。
In such a configuration, an impedance and a phase difference are obtained based on the high-frequency voltage and the high-frequency current detected by the detection circuit 2, and the obtained signal of the impedance and the signal of the phase difference are temporarily converted into a DC signal. Thus, the capacity of the matching variable capacitor 4 in the matching box 3 is changed based on the value of the impedance, and the capacity of the tuning variable capacitor 5 is changed based on the phase difference.

【0005】即ち、検出回路2からのインピーダンスZ
に応じた直流信号Vzは、比較増幅器8に供給され基準
電圧と比較される。比較増幅器8の出力は、マッチング
可変コンデンサ4を駆動するモータ9に供給される。そ
の結果、インピーダンスZの値が基準電圧と等しくなる
ようにモータ9によりマッチング可変コンデンサ4が調
整される。
That is, the impedance Z from the detection circuit 2
Is supplied to a comparison amplifier 8 and compared with a reference voltage. The output of the comparison amplifier 8 is supplied to a motor 9 that drives the matching variable capacitor 4. As a result, the matching variable capacitor 4 is adjusted by the motor 9 so that the value of the impedance Z becomes equal to the reference voltage.

【0006】又、検出回路2からの位相差θに応じた直
流信号Vθは、比較増幅器10に供給され基準電圧と比
較される。比較増幅器10の出力は、チューニング可変
コンデンサ5を駆動するモータ11に供給される。その
結果、位相差θの値が基準電圧(0)と等しくなるよう
にモータ11によりチューニング可変コンデンサ5が調
整される。
The DC signal corresponding to the phase difference θ from the detection circuit 2 is supplied to a comparison amplifier 10 and compared with a reference voltage. The output of the comparison amplifier 10 is supplied to a motor 11 that drives the tuning variable capacitor 5. As a result, the tuning variable capacitor 5 is adjusted by the motor 11 so that the value of the phase difference θ becomes equal to the reference voltage (0).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】さて、このような高周
波装置においては、負荷7において、例えば、スパッタ
リングすべき材料上でアーク放電が発生すると、スパッ
タリングすべき材料から大きい粒子が基板上に落下して
しまい、基板上の形成される膜の質が悪化する。そこ
で、前記高周波発振器1からの高周波出力を、変調信号
発生回路12らのパルス信号(図2の(a))により変
調を掛け、パルス的にオン、オフを繰り返す信号(図2
の(b))にすることにより、譬え高周波出力の或るオ
ン期間にアーク放電が発生しても、次のオフ期間に消滅
するようにしている。
In such a high-frequency device, when, for example, an arc discharge occurs on the material to be sputtered under the load 7, large particles fall from the material to be sputtered onto the substrate. As a result, the quality of the film formed on the substrate deteriorates. Therefore, the high-frequency output from the high-frequency oscillator 1 is modulated by a pulse signal ((a) in FIG. 2) from the modulation signal generating circuit 12 and a signal that repeatedly turns on and off in a pulsed manner (FIG. 2).
(B)), even if an arc discharge occurs during a certain on-period of the high-frequency output, it disappears in the next off-period.

【0008】所で、通常、高周波出力が投入されてから
安定なプラズマ放電に達するまでの短期間Aに、高周波
出力は過渡的に変化するために、その短期間の間、マッ
チング状態が崩れて大きな反射電力(図2の(c))が
発生する。尚、高周波出力の立ち下がり時(オフ時)に
無視できるほどの小さな反射電力が発生するが、前記大
きな反射電力が発生するのは高周波出力投入時の短期間
Aのみで、その後においては、負荷変動がない限り発生
しない。
In general, the high-frequency output changes transiently during a short period A from when the high-frequency output is turned on until a stable plasma discharge is reached, so that the matching state is broken during the short period. Large reflected power (FIG. 2C) is generated. Incidentally, when the high-frequency output falls (off), reflected power that is negligibly small is generated. However, the large reflected power is generated only for a short period A when the high-frequency output is turned on. Does not occur unless there is a change.

【0009】その為、前記のように高周波出力をパルス
的にオン、オフを繰り返す信号にすると、高周波出力が
オンする度に大きな反射電力が発生する。この際、各反
射電力発生期間において、検出回路2で検出されたイン
ピーダンス信号及び位相差信号(説明の便宜上、検出高
周波信号と称す、その信号波形の一例を図2の(d)に
示す)は、前記した様に、検出回路2においてダイオー
ドとコンデンサとから成る直流変換回路(図示せず)に
よって直流信号に変換され筈である。しかし、実際に
は、コンデンサに充電された検出高周波信号に基づく電
圧が完全に放電しない間に、次の反射電力が発生してし
まうので、検出回路2の出力信号は図2の(e)に示す
様に、高周波出力の各立ち上がり同士の間において、0
に達しない、僅かな右上がりと長い右下がりから成る波
形の信号となり、譬えBの期間(高周波出力のオンの期
間で、Aの期間を除いた期間)で本来のマッチングが取
れていても(即ち、負荷変動に基づくマッチングずれを
なくすこと)、恰もマッチングが取れていない信号とな
る。その為に、高周波出力オン期間において、マッチン
グボックス3の各モータ9,11が回転してしまい、こ
の期間に負荷変動によるマッチングずれが発生しない場
合や、譬え負荷変動によるマッチングずれが発生した後
にマッチングが取られていても、マッチングがずれてし
まうことになる。
Therefore, if the high-frequency output is turned into a signal that repeatedly turns on and off as described above, a large reflected power is generated every time the high-frequency output is turned on. At this time, during each reflected power generation period, the impedance signal and the phase difference signal detected by the detection circuit 2 (for convenience of description, referred to as a detected high-frequency signal, an example of a signal waveform thereof is shown in FIG. 2D). As described above, in the detection circuit 2, the signal should be converted into a DC signal by a DC conversion circuit (not shown) including a diode and a capacitor. However, actually, while the voltage based on the detected high-frequency signal charged in the capacitor is not completely discharged, the next reflected power is generated. Therefore, the output signal of the detection circuit 2 is shown in FIG. As shown, between each rising edge of the high-frequency output, 0
, And a signal having a waveform rising slightly to the right and falling downward to the right. Even if the original matching is obtained in the period B (the period in which the high-frequency output is on and the period A is excluded) ( That is, the matching deviation based on the load fluctuation is eliminated), and the signal is as if the matching has not been achieved. Therefore, during the high-frequency output ON period, the motors 9 and 11 of the matching box 3 rotate, and during this period, matching does not occur due to load fluctuation, or matching occurs after the matching deviation due to load fluctuation occurs. , The matching will be deviated.

【0010】本発明は、この様な問題点を解決する為に
なされたもので、新規な高周波装置を提供することを目
的とするものである。
The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a novel high-frequency device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】 第1の発明に基づく高
周波装置は、高周波電源、高周波電源からの高周波出力
を変調する変調回路、変調された高周波出力が供給され
る負荷、高周波電源と負荷との間に配置され、マッチン
グ可変コンデンサとチューニング可変コンデンサとから
成るマッチングボックス、及び、高周波電源とマッチン
グボックスとの間に設けられ、入力インピーダンスと、
入力高周波の電圧と電流の位相とを求める検出回路を備
え、検出回路により求められたインピーダンスに応じて
マッチング可変コンデンサの容量を調整し、検出回路に
より求められた位相に応じてチューニング可変コンデン
サの容量を調整するように構成した高周波装置であっ
て、検出回路は求められたインピーダンスに対応した高
周波信号と求められた位相に対応した高周波信号をそれ
ぞれ直流信号に変換するように成してあり、該直流信号
に基づいてマッチングを行う際、高周波出力の立ち上が
り時に検出された反射電力に基づくマッチング動作をさ
せないように成したことを特徴とする。
A high-frequency device according to a first invention includes a high-frequency power supply, a modulation circuit for modulating a high-frequency output from the high-frequency power supply, a load to which the modulated high-frequency output is supplied, a high-frequency power supply and a load. And a matching box including a matching variable capacitor and a tuning variable capacitor, and an input impedance provided between the high-frequency power supply and the matching box.
Equipped with a detection circuit that calculates the phase of the input high-frequency voltage and current, adjusts the capacitance of the matching variable capacitor according to the impedance determined by the detection circuit, and adjusts the capacitance of the tuning variable capacitor according to the phase determined by the detection circuit. A high-frequency device configured to adjust a high-frequency signal corresponding to the determined impedance and a high-frequency signal corresponding to the determined phase, respectively, into a DC signal. When performing the matching based on the DC signal, the matching operation based on the reflected power detected when the high-frequency output rises is not performed.

【0012】第2の発明に基づく高周波装置は、高周波
電源、高周波電源からの高周波出力を変調する変調回
路、変調された高周波出力が供給される負荷、高周波電
源と負荷との間に配置され、マッチング可変コンデンサ
とチューニング可変コンデンサとから成るマッチングボ
ックス、及び、高周波電源とマッチングボックスとの間
に設けられ、入力インピーダンスと、入力高周波の電圧
と電流の位相とを求める検出回路を備え、検出回路によ
り求められたインピーダンスに応じてマッチング可変コ
ンデンサの容量を調整し、検出回路により求められた位
相に応じてチューニング可変コンデンサの容量を調整す
るように構成した高周波装置であって、前記検出回路
は、反射電力に基づく高周波信号を整流する整流回路、
整流回路の出力を直流信号に変換する直流変換回路、高
周波出力の立ち上がり時に発生する反射電力に基づく高
周波信号が前記直流変換回路に入力されるのを遮断する
トランジスタ回路を備えており、該検出回路の出力信号
に基づいてマッチングを行うように成したことを特徴と
する。
A high-frequency device according to a second aspect of the present invention includes a high-frequency power source, a modulation circuit for modulating a high-frequency output from the high-frequency power source, a load to which the modulated high-frequency output is supplied, and a high-frequency power source and a load. A matching box comprising a matching variable capacitor and a tuning variable capacitor, and a detection circuit provided between the high-frequency power supply and the matching box, for determining the input impedance and the phase of the input high-frequency voltage and current are provided. A high-frequency device configured to adjust the capacitance of the matching variable capacitor according to the determined impedance and adjust the capacitance of the tuning variable capacitor according to the phase determined by the detection circuit, wherein the detection circuit includes a reflection circuit. A rectifier circuit that rectifies high-frequency signals based on electric power,
A DC conversion circuit that converts the output of the rectifier circuit into a DC signal; and a transistor circuit that cuts off input of a high-frequency signal based on reflected power generated at the time of rising of the high-frequency output to the DC conversion circuit. The matching is performed on the basis of the output signal.

【0013】第3の発明に基づく高周波装置は、変調回
路が、高周波電源からの高周波出力をパルス状に変調す
るものあることを特徴とする。
A high-frequency device according to a third aspect of the present invention is characterized in that the modulation circuit modulates a high-frequency output from a high-frequency power supply into a pulse.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図3は本発明の高周波装置の一例を示して
いる。図中、前記図1と同一番号の付されたものは同一
構成要素である。この実施の形態では、検出回路の構成
が図1の装置のものと異なる。
FIG. 3 shows an example of the high-frequency device according to the present invention. In the figure, components denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same components. In this embodiment, the configuration of the detection circuit is different from that of the device of FIG.

【0016】即ち、この検出回路20は、従来(第1図
に示す装置)と同じ様に、検出した高周波電圧と高周波
電流に基づいてインピーダンスと位相差を求める演算回
路21、該求めたインピーダンスを表す高周波信号と位
相差を表す高周波信号をそれぞれ直流信号に変換する変
換回路22A,22Bから成るが、これらの変換回路の
構成が図1の検出回路2を成す直流変換回路(図示せ
ず)と異なる。以下に、変換回路について説明する。
That is, the detection circuit 20 comprises an arithmetic circuit 21 for obtaining an impedance and a phase difference based on the detected high-frequency voltage and high-frequency current, as in the prior art (the apparatus shown in FIG. 1). The conversion circuits 22A and 22B convert the high-frequency signal representing the phase difference and the high-frequency signal representing the phase difference into DC signals, respectively. The configuration of these conversion circuits is the same as that of the DC conversion circuit (not shown) forming the detection circuit 2 in FIG. different. Hereinafter, the conversion circuit will be described.

【0017】図4は変換回路の一例を示したもので、ダ
イオード23、ダイオード26とコンデンサ27から成
る直流変換回路28、及び、トランジスタTr,抵抗R
1,コンデンサC1,ダイオードD及び抵抗R2から成る
トランジスタ回路29から成る。前記トランジスタ回路
29のダイオードDと抵抗R2の+側接続点には変調信
号発生回路12からのパルス信号(図5の(a))が入
力されている。又、該トランジスタ回路のダイオードD
は、入力されるパルス信号が急峻に上がり、前記抵抗R
1とコンデンサC1に基づく時定数で立ち下がる様に作動
するものである。しかして、検出回路20において、演
算回路21は検出された高周波電圧と高周波電流に基づ
いてインピーダンスと位相差を求める。これらのインピ
ーダンスと位相差は共に高周波信号で、インピーダンス
を表す高周波信号22Aにより直流信号に変換され、位
相差を表す高周波信号は変換回路22Bにより直流信号
に変換される。該検出回路20からのインピーダンスに
応じた直流信号Vzは、比較増幅器8に供給され基準電
圧と比較される。比較増幅器8の出力は、マッチング可
変コンデンサ4を駆動するモータ9に供給される。その
結果、インピーダンスZの値が基準電圧と等しくなるよ
うにモータ9によりマッチング可変コンデンサ4が調整
される。又、検出回路20からの位相差θに応じた直流
信号Vθは、比較増幅器10に供給され基準電圧と比較
される。比較増幅器10の出力は、チューニング可変コ
ンデンサ5を駆動するモータ11に供給される。その結
果、位相差θの値が基準電圧(0)と等しくなるように
モータ11によりチューニング可変コンデンサ5が調整
される。
FIG. 4 shows an example of a conversion circuit, which includes a diode 23, a DC conversion circuit 28 comprising a diode 26 and a capacitor 27, a transistor Tr and a resistor R.
1 , a transistor circuit 29 comprising a capacitor C 1 , a diode D and a resistor R 2 . A pulse signal ((a) in FIG. 5) from the modulation signal generating circuit 12 is input to a positive connection point between the diode D of the transistor circuit 29 and the resistor R2. The diode D of the transistor circuit
Means that the input pulse signal rises sharply and the resistance R
1 and is intended to operate as falls with a time constant based on the capacitor C 1. Thus, in the detection circuit 20, the arithmetic circuit 21 calculates the impedance and the phase difference based on the detected high-frequency voltage and high-frequency current. Both the impedance and the phase difference are high-frequency signals, and are converted into DC signals by the high-frequency signal 22A representing the impedance, and the high-frequency signals representing the phase difference are converted into DC signals by the conversion circuit 22B. The DC signal Vz corresponding to the impedance from the detection circuit 20 is supplied to the comparison amplifier 8 and compared with a reference voltage. The output of the comparison amplifier 8 is supplied to a motor 9 that drives the matching variable capacitor 4. As a result, the matching variable capacitor 4 is adjusted by the motor 9 so that the value of the impedance Z becomes equal to the reference voltage. The DC signal corresponding to the phase difference θ from the detection circuit 20 is supplied to the comparison amplifier 10 and compared with a reference voltage. The output of the comparison amplifier 10 is supplied to a motor 11 that drives the tuning variable capacitor 5. As a result, the tuning variable capacitor 5 is adjusted by the motor 11 so that the value of the phase difference θ becomes equal to the reference voltage (0).

【0018】さて、高周波発振器1からの高周波出力
は、変調信号発生回路12らのパルス信号(図5の
(a))により、パルス的にオン、オフを繰り返す信号
(図5の(b))に変調されている。この時、各高周波
出力の立ち上がり期間Aに、マッチング状態が崩れて大
きな反射電力(図5の(c))が発生する。
A high-frequency output from the high-frequency oscillator 1 is a signal (FIG. 5 (b)) which repeatedly turns on and off in a pulsed manner by a pulse signal (FIG. 5 (a)) from the modulation signal generating circuit 12. Is modulated. At this time, during the rising period A of each high-frequency output, the matching state is broken and large reflected power ((c) in FIG. 5) is generated.

【0019】この際、各反射電力発生期間において、演
算回路21からのインピーダンス信号及び位相差信号は
それぞれ前記変換回路22A,22Bにより次の様にな
る。尚、これらの変換回路は同じ動作を行うので、説明
の便宜上、演算回路21からのインピーダンス信号及び
位相差信号を検出高周波信号と称し(その信号波形の一
例を図5の(d)に示す)、何れか一方(この場合、イ
ンピーダンスを表す高周波信号について説明する)の回
路の動作を説明する。
At this time, during each reflected power generation period, the impedance signal and the phase difference signal from the arithmetic circuit 21 are converted by the conversion circuits 22A and 22B as follows. Since these conversion circuits perform the same operation, for convenience of explanation, the impedance signal and the phase difference signal from the arithmetic circuit 21 are referred to as detected high-frequency signals (an example of the signal waveform is shown in FIG. 5D). The operation of one of the circuits (in this case, a high-frequency signal representing impedance) will be described.

【0020】前記トランジスタ回路29のダイオードD
と抵抗R2の+側接続点に入力されているに変調信号発
生回路12からのパルス信号(図5の(a))は、ダイ
オードDの働きにより、パルス信号(図5の(a))と
同期して急峻に上がり、高周波出力(図5の(b))の
立ち上がりと同期して立ち下がり始め、抵抗R1とコン
デンサC1に基づく時定数で立ち下がる信号(図5の
(e))になり、トランジスタTrのベースに入力され
る。尚、この立ち下がり期間は高周波電力の立ち下がり
期間Aに等しくなるように前記抵抗R1の抵抗値とコン
デンサC1の容量値が選択されている。
The diode D of the transistor circuit 29
The pulse signal ((a) in FIG. 5) from the modulation signal generating circuit 12 which is input to the positive side connection point of the resistor R2 and the pulse signal ((a) in FIG. synchronization with rising steeply, the high-frequency output in synchronization with the rising (in (b) FIG. 5) of the beginning falling, resistors R 1 and falls at the time constant based on the capacitor C 1 (in FIG. 5 (e)) And input to the base of the transistor Tr. Incidentally, the fall period is the capacitance value of the resistance value and the capacitor C 1 of the resistor R 1 to be equal to the fall period A of the high frequency power is selected.

【0021】この様なパルス信号(図5の(e))がベ
ースに入力されることによりにより、このトランジスタ
Trはこのパルス信号のオン期間Q1にわたってオンの
状態となり、次の立ち上がりまでの期間Q2でオフの状
態となる。
[0021] By By such pulse signal (in FIG. 5 (e)) is input to the base, the transistor Tr becomes ON state over the on period to Q 1 this pulse signal, the period until the next rising the state of off Q 2.

【0022】従って、変換回路22AのダイオードDに
入力された高周波信号は(図5の(d))は、トランジ
スタTr側に流れ、直流変換回路28には流れず、負荷
変動がなければ、直流変換回路28の入力信号及び出力
信号は0となる(図5の(f),(g))。その結果、
高周波出力の立ち上がり時に発生する反射電力がカット
されることになり、該高周波出力の立ち上がり期間に発
生する反射電力に基づく、マッチングボックス3の各モ
ータ9,11の回転は無くなり、該回転に基づくマッチ
ングがずれがなくなる。
Accordingly, the high-frequency signal (FIG. 5 (d)) input to the diode D of the conversion circuit 22A flows to the transistor Tr side and does not flow to the DC conversion circuit 28. The input signal and the output signal of the conversion circuit 28 become 0 ((f) and (g) in FIG. 5). as a result,
The reflected power generated when the high-frequency output rises is cut off, and the rotation of each of the motors 9 and 11 of the matching box 3 based on the reflected power generated during the high-frequency output rising period is lost. Is not lost.

【0023】尚、高周波出力の立ち上がり期間Aを除く
オン期間Bにおいて負荷変動による反射電力(図5の
(h)のH)が発生した場合には、トランジスタTrが
期間Bにおいてはオフの状態にあるので、この反射電力
(図5の(h)のH)に基づく検出高周波信号(図5の
(i)のS)はダイオードDを通じて直流変換回路28
に入力され、該入力信号(第5図(j))は直流変換回
路28により直流信号(第5図(k))に変換される。
この信号が比較増幅器8及び10に送られ、前記の如き
通常のマッチングが行われる。
When the reflected power (H in FIG. 5 (h)) due to the load fluctuation occurs in the on period B except the rising period A of the high frequency output, the transistor Tr is turned off in the period B. The detected high-frequency signal (S in FIG. 5 (i)) based on the reflected power (H in FIG. 5 (h))
The input signal (FIG. 5 (j)) is converted by the DC converter 28 into a DC signal (FIG. 5 (k)).
This signal is sent to the comparison amplifiers 8 and 10, and the normal matching as described above is performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 従来の高周波装置の概略を示している。FIG. 1 schematically shows a conventional high-frequency device.

【図2】 各信号の波形を示している。FIG. 2 shows a waveform of each signal.

【図3】 本発明のを実施するための高周波装置の一例
を示している。
FIG. 3 shows an example of a high-frequency device for implementing the present invention.

【図4】 図3に示すの装置の一部詳細を示す。FIG. 4 shows some details of the device shown in FIG.

【図5】 図3に示す装置における信号の波形を示して
いる。
FIG. 5 shows a signal waveform in the device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高周波発振器 3 マッチングボックス 4 マッチング可変コンデンサ 5 チューニング可変コンデンサ 6 コイル 7 負荷 8,10 比較増幅器 9,11 モータ 12 変調信号発生回路 20 検出回路 21 演算回路 22A,22B 変換回路 25,26 ダイオード 27 コンデンサ 28 直流変換回路 Tr トランジスタ D ダイオード R1,R2 抵抗 C1 コンデンサDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High frequency oscillator 3 Matching box 4 Matching variable capacitor 5 Tuning variable capacitor 6 Coil 7 Load 8,10 Comparison amplifier 9,11 Motor 12 Modulation signal generation circuit 20 Detection circuit 21 Arithmetic circuit 22A, 22B Conversion circuit 25,26 Diode 27 Capacitor 28 DC conversion circuit Tr transistor D diode R 1 , R 2 resistor C 1 capacitor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高周波電源、高周波電源からの高周波出
力を変調する変調回路、変調された高周波出力が供給さ
れる負荷、高周波電源と負荷との間に配置され、マッチ
ング可変コンデンサとチューニング可変コンデンサとか
ら成るマッチングボックス、及び、高周波電源とマッチ
ングボックスとの間に設けられ、入力インピーダンス
と、入力高周波の電圧と電流の位相とを求める検出回路
を備え、検出回路により求められたインピーダンスに応
じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検出回
路により求められた位相に応じてチューニング可変コン
デンサの容量を調整するように構成した高周波装置であ
って、検出回路は求められたインピーダンスに対応した
高周波信号と求められた位相に対応した高周波信号をそ
れぞれ直流信号に変換するように成してあり、該直流信
号に基づいてマッチングを行う際、高周波出力の立ち上
がり時に検出された反射電力に基づくマッチング動作を
させないように成したことを特徴とする高周波装置。
1. A high-frequency power supply, a modulation circuit for modulating a high-frequency output from the high-frequency power supply, a load to which the modulated high-frequency output is supplied, and a matching variable capacitor and a tuning variable capacitor disposed between the high-frequency power supply and the load. And a detection circuit provided between the high-frequency power supply and the matching box, the detection circuit obtaining the input impedance and the voltage and current phases of the input high-frequency power, and matching in accordance with the impedance obtained by the detection circuit. A high-frequency device configured to adjust the capacity of a variable capacitor and adjust the capacity of a tuning variable capacitor according to a phase obtained by a detection circuit, wherein the detection circuit obtains a high-frequency signal corresponding to the obtained impedance. Converts high-frequency signals corresponding to the specified phases to DC signals respectively A high-frequency device that performs a matching operation based on the reflected power detected when the high-frequency output rises when performing matching based on the DC signal.
【請求項2】 高周波電源、高周波電源からの高周波出
力を変調する変調回路、変調された高周波出力が供給さ
れる負荷、高周波電源と負荷との間に配置され、マッチ
ング可変コンデンサとチューニング可変コンデンサとか
ら成るマッチングボックス、及び、高周波電源とマッチ
ングボックスとの間に設けられ、入力インピーダンス
と、入力高周波の電圧と電流の位相とを求める検出回路
を備え、検出回路により求められたインピーダンスに応
じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検出回
路により求められた位相に応じてチューニング可変コン
デンサの容量を調整するように構成した高周波装置であ
って、前記検出回路は、反射電力に基づく高周波信号を
整流する整流回路、整流回路の出力を直流信号に変換す
る直流変換回路、高周波出力の立ち上がり時に発生する
反射電力に基づく高周波信号が前記直流変換回路に入力
されるのを遮断するトランジスタ回路を備えており、該
検出回路の出力信号に基づいてマッチングを行うように
成したことを特徴とする高周波装置。
2. A high-frequency power supply, a modulation circuit for modulating a high-frequency output from the high-frequency power supply, a load to which the modulated high-frequency output is supplied, and a matching variable capacitor and a tuning variable capacitor disposed between the high-frequency power supply and the load. And a detection circuit provided between the high-frequency power supply and the matching box, the detection circuit obtaining the input impedance and the voltage and current phases of the input high-frequency power, and matching in accordance with the impedance obtained by the detection circuit. A high-frequency device configured to adjust a capacity of a variable capacitor and adjust a capacity of a tuning variable capacitor according to a phase obtained by a detection circuit, wherein the detection circuit rectifies a high-frequency signal based on reflected power. Rectifier circuit, DC converter circuit that converts the output of the rectifier circuit into a DC signal, high frequency A high frequency signal based on the reflected power generated at the time of rising of the wave output, comprising a transistor circuit for blocking input to the DC conversion circuit, and performing matching based on an output signal of the detection circuit. A high-frequency device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 前記変調回路は、高周波電源からの高周
波出力をパルス状に変調するものあることを特徴とする
請求項1又は請求項2記載の高周波装置。
3. The high-frequency device according to claim 1, wherein the modulation circuit modulates a high-frequency output from a high-frequency power supply in a pulse shape.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010288285A (en) * 2003-10-23 2010-12-24 Ulvac Japan Ltd High frequency device
JP2013125892A (en) * 2011-12-15 2013-06-24 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus

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KR20140105467A (en) * 2011-12-15 2014-09-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma-treatment apparatus
KR101993880B1 (en) 2011-12-15 2019-06-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma-treatment apparatus

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