JP2000151049A - Metal substrate for circuit, method of manufacturing the same, and semiconductor device - Google Patents
Metal substrate for circuit, method of manufacturing the same, and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等の電子
・電気部品を搭載して用いられる回路用金属基板及びそ
の製造方法及び前記回路用金属基板を用いた半導体装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit metal substrate used for mounting electronic and electric parts such as semiconductor elements, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device using the circuit metal substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】インバータ,コンバータ,サーボ等の電
子機器では、通常、搭載されているダイオード,トラン
ジスタ,IGBT,MOSFET等パワー系半導体素子の高発
熱性を考慮し、金属板上に高熱伝導性の絶縁層を設けた
金属基板を回路用基板として用いるのが一般的である。
搭載部品の発熱量に応じて、前記絶縁層の材料が選択さ
れている。発熱量の大きな大,中容量品では、主とし
て、アルミナセラミックス,窒化アルミニウムセラミッ
クス等が絶縁層として用いられているが、容量が小さな
ものでは樹脂絶縁層を用いたものが一般的である。2. Description of the Related Art In electronic devices such as inverters, converters, and servos, high heat conductivity is usually provided on a metal plate in consideration of the high heat generation of power semiconductor elements such as diodes, transistors, IGBTs, and MOSFETs. Generally, a metal substrate provided with an insulating layer is used as a circuit substrate.
The material of the insulating layer is selected according to the heat value of the mounted component. Alumina ceramics, aluminum nitride ceramics, and the like are mainly used as insulating layers in large- and medium-capacity products having a large calorific value. However, those with a small capacity generally use a resin insulating layer.
【0003】本発明が対象とする樹脂絶縁層を用いた回
路用金属基板は、通常、次の方法で作製されている。金
属板に、無機系充填材を高充填した高熱伝導性樹脂を塗
布してから、導電性金属箔を該樹脂層の上に配置し、こ
れらを加熱加圧成型により一体化し金属板/高熱伝導性
樹脂層/導電性金属箔積層構造体を得る。この後、導電
性金属箔をエッチングして電気回路パターンを形成する
ことにより、回路用金属基板が得られる。A circuit metal substrate using a resin insulating layer to which the present invention is directed is usually manufactured by the following method. After applying a high thermal conductive resin highly filled with an inorganic filler to a metal plate, a conductive metal foil is disposed on the resin layer, and these are integrated by heating and pressing to form a metal plate / high thermal conductivity. To obtain a conductive resin layer / conductive metal foil laminated structure. Thereafter, the conductive metal foil is etched to form an electric circuit pattern, thereby obtaining a circuit metal substrate.
【0004】ダイオード,トランジスタ,IGBT,MO
SFET等のパワー系半導体素子をこの回路用金属基板に搭
載するに当たっては、多くの場合、これら素子の発熱を
有効に放散するため、素子と電気回路パターンとの間
に、銅,モリブデン等から構成される熱拡散板を介して
いる。[0004] Diode, transistor, IGBT, MO
When mounting power semiconductor elements such as SFETs on this circuit metal substrate, in many cases, copper, molybdenum, etc. are used between the elements and the electric circuit pattern to effectively dissipate the heat generated by these elements. Via a heat diffusion plate.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述の方法で得られる
回路用金属基板は、搭載部品の発熱が比較的小さい場合
には、使用に耐える放熱性と絶縁特性を有するため、各
種用途に適用されている。前述の如く、多くの場合、素
子は熱拡散板を介して間接的に前記回路用金属基板に搭
載されているが、これは回路用金属基板の電気回路パタ
ーンがエッチングにより形成されるため、このパターン
の厚さをあまり厚くできないことが一因となっている。
通常、このパターンの厚さは100μm程度が一般的で
あるが、これを300μm以上にできれば、前記熱拡散
板無しで素子を回路パターン上に直接搭載できる設計の
自由度が大きくなる。前記熱拡散板を不要とすること
は、部品,組み立て工程の簡略化のみならず、接合界面
が減ることにより、製品信頼性の確保及び管理の面でも
大きなメリットがある。そのため、各種特性を確保しつ
つ、回路パターン形状を有する厚さが大きな電気回路パ
ターンを樹脂絶縁層上に形成する技術が強く求められて
いる。電気回路パターンを金属箔のエッチングに依らず
に形成する技術としては、例えば特開平10−173097号公
報に開示されているものがある。The circuit metal substrate obtained by the above-described method has a heat radiation property and an insulating property that can withstand use when the heat generated by the mounted components is relatively small, so that it is applied to various uses. ing. As described above, in many cases, the element is indirectly mounted on the circuit metal substrate via a heat diffusion plate. However, this is because the electric circuit pattern of the circuit metal substrate is formed by etching. One reason is that the thickness of the pattern cannot be made too large.
Normally, the thickness of this pattern is generally about 100 μm. However, if the thickness can be increased to 300 μm or more, the degree of freedom in designing the element to be directly mounted on the circuit pattern without the heat diffusion plate is increased. Eliminating the need for the heat diffusion plate not only simplifies the parts and assembly process, but also has a great merit in terms of securing and controlling product reliability by reducing the number of bonding interfaces. Therefore, there is a strong demand for a technique of forming a thick electric circuit pattern having a circuit pattern shape on a resin insulating layer while securing various characteristics. As a technique for forming an electric circuit pattern without depending on etching of a metal foil, for example, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-173097.
【0006】本発明の目的は、従来の回路用金属基板が
有していた各種特性を犠牲にすること無く、しかも簡易
な方法で作製される、電気回路パターンの厚さが大きな
回路用金属基板及びその製造方法及び該回路用金属基板
を用いた半導体装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a circuit metal substrate having a large thickness of an electric circuit pattern which is manufactured by a simple method without sacrificing various characteristics of a conventional circuit metal substrate. And a method of manufacturing the same and a semiconductor device using the circuit metal substrate.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の特徴は以下の点にある。In order to achieve the above object, the present invention has the following features.
【0008】本発明の回路用金属基板の特徴は、第一の
金属板に絶縁層を介して電気回路パターン状に形成され
た導電性金属板(以下、第二の金属板と記す)が積層さ
れて構成される回路用金属基板において、第一の金属板
と第二の金属板との間の絶縁層が、2層以上の樹脂層か
ら構成され、且つ第二の金属板に接する前記樹脂層が該
第二の金属板の側面の少なくとも一部を覆っていること
にある。さらに、第一の金属板上の前記絶縁層上に、前
記第二の金属板と共に、有機プリント回路基板が搭載さ
れていることにある。The feature of the circuit metal substrate of the present invention is that a conductive metal plate (hereinafter, referred to as a second metal plate) formed in an electric circuit pattern is laminated on the first metal plate via an insulating layer. In the circuit metal substrate configured as described above, the insulating layer between the first metal plate and the second metal plate is composed of two or more resin layers, and the resin in contact with the second metal plate The layer may cover at least a part of the side surface of the second metal plate. Further, an organic printed circuit board is mounted on the insulating layer on the first metal plate together with the second metal plate.
【0009】本発明の回路用金属基板の製造方法の特徴
は、第一の金属板に1層あるいは複数層の樹脂層を塗布
あるいは樹脂フィルム張り付けで形成後、前記樹脂層の
露出面に樹脂を塗布し、該樹脂が硬化する前に、電気回
路パターン状に形成された導電性金属板、及び場合によ
り更に有機プリント回路基板を前記樹脂上に載置し、加
熱加圧成型により該電気回路パターン状に形成された導
電性金属板、及び前記有機プリント回路基板を前記樹脂
層を介して前記第一の金属板と一体化させることにあ
る。A feature of the method for manufacturing a metal substrate for a circuit according to the present invention is that one or more resin layers are applied to a first metal plate or formed by pasting a resin film, and then a resin is applied to an exposed surface of the resin layer. Applying, before the resin is cured, a conductive metal plate formed into an electric circuit pattern, and optionally an organic printed circuit board are further placed on the resin, and the electric circuit pattern is formed by heating and pressing. An object of the present invention is to integrate a conductive metal plate formed in a shape and the organic printed circuit board with the first metal plate via the resin layer.
【0010】本発明の半導体装置の特徴は、前記本発明
の回路用金属基板の電気回路パターン上に、ダイオー
ド,トランジスタ,IGBT,MOSFET等のパワー系半導
体素子及び各種電子・電気部品を搭載して構成されてい
ることにある。The semiconductor device of the present invention is characterized in that a power semiconductor element such as a diode, a transistor, an IGBT, a MOSFET, etc. and various electronic / electric components are mounted on an electric circuit pattern of the circuit metal substrate of the present invention. It is composed.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明をさらに
詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
【0012】図6は本発明による回路用金属基板の組み
立て工程を模式的に示したものである。第一の金属板1
4は、材質,厚さを含め通常の回路用金属基板に用いら
れているものをそのまま使用できる。厚さ1.5 〜3mm
のアルミニウム,銅製の金属板を用いるのが一般的であ
る。必要に応じて、金属表面に酸化被膜を形成したり、
各種メッキ処理を施してもよい。FIG. 6 schematically shows a process of assembling a circuit metal substrate according to the present invention. First metal plate 1
The material 4 can be the same as that used for the ordinary circuit metal substrate, including the material and thickness. 1.5 to 3mm thick
Generally, a metal plate made of aluminum or copper is used. If necessary, form an oxide film on the metal surface,
Various plating processes may be performed.
【0013】まず、工程(a)に示すように、第一の金
属板14の表面に樹脂層15を形成する。この手法とし
ては、液状樹脂を塗布する方法,フィルム状の樹脂(樹
脂プリプレグも含める)を加熱加圧成型あるいはローラ
を用いて張り付ける等の方法があるが、何れの方法を用
いてもよい。本発明による回路用金属基板では、ここで
形成する樹脂層に絶縁特性と共に高熱伝導性の機能を担
わせているため、ここで用いる樹脂は、アルミナ,シリ
カ,窒化アルミニウム,窒化ホウ素等の無機充填材が添
加されていることが必要である。無機充填材の添加量
は、有効な熱伝導性を確保するためには50重量%以上
添加する必要があるが、添加量が多くなると配合樹脂系
の粘度が上昇して塗膜性が悪化し、良好な樹脂層を形成
できなくなるおそれがある。この場合には、各種溶剤を
添加して用いることで対処できる。用いる樹脂系として
は、接着性の面で、エポキシ樹脂,フェノール樹脂等の
熱硬化性樹脂系が有利であるが、ポリアミドイミド,ポ
リアミドエーテル系を含めた熱可塑性樹脂系を用いるこ
とも可能である。ここで形成した樹脂層は、その後の加
熱工程で軟化しない程度に硬化反応を進行させておくこ
とが望ましい。First, as shown in step (a), a resin layer 15 is formed on the surface of the first metal plate 14. As this method, there are a method of applying a liquid resin, a method of applying a film-like resin (including a resin prepreg) by heat and pressure molding, or attaching using a roller, but any method may be used. In the circuit metal substrate according to the present invention, since the resin layer formed here has a function of high thermal conductivity as well as insulating properties, the resin used here is made of an inorganic filler such as alumina, silica, aluminum nitride, and boron nitride. Material must be added. In order to ensure effective thermal conductivity, it is necessary to add 50% by weight or more of the inorganic filler. However, if the amount is too large, the viscosity of the compounded resin system is increased, and the coating property is deteriorated. There is a possibility that a good resin layer cannot be formed. In this case, it can be dealt with by adding and using various solvents. As a resin system to be used, a thermosetting resin system such as an epoxy resin and a phenol resin is advantageous in terms of adhesiveness, but a thermoplastic resin system including a polyamideimide and a polyamide ether system can also be used. . It is desirable that the resin layer formed here is allowed to undergo a curing reaction to such an extent that it does not soften in the subsequent heating step.
【0014】次に工程(b)に示すように電気回路パタ
ーン状に形成された導電性金属板(以下、第二の金属板
と記す)を接合するための樹脂層16を形成する。尚、
図6では、この樹脂層が形成される前記樹脂層は一層で
あるが、必要に応じて(a)の工程を繰り返すことにより
(樹脂の種類,厚さを変えながらでもよい)複数層とす
ることも可能である。Next, as shown in step (b), a resin layer 16 for joining a conductive metal plate (hereinafter referred to as a second metal plate) formed in an electric circuit pattern is formed. still,
In FIG. 6, the resin layer is formed as a single layer, but if necessary, the step (a) may be repeated to form a plurality of layers (the resin type and thickness may be changed). It is also possible.
【0015】本発明による回路用金属基板では、ここで
形成する樹脂層16には、主として第二の金属板17と
の接着機能を担わせている。但し、第二の金属板との接
着性が良好であっても、この接着界面にボイド等の欠陥
が発生すると、発熱部品が搭載される第二の金属板から
の熱放散性が大きく損なわれるため、第二の金属板の接
着はボイド等を極力抑えて行うことが必要である。そこ
で、本発明では、本工程で使用する樹脂として、第二の
金属板を該樹脂上に載置して加熱加圧成型する際、十分
な変形能を有し、さらに該樹脂の一部がはみ出して第二
の金属板の側面の少なくとも一部を濡らすことができる
ものを使用する。このように変形能が大きな樹脂系を用
いることにより、第二の金属板17との接着界面に取り
込まれたボイドは加熱加圧成型時に排除されると共に、
該樹脂層の厚さを小さくできるため該樹脂層が熱伝導性
に及ぼす影響を最小限に抑えることが可能で、さらに第
二の金属板の側面の少なくとも一部を濡らすことによ
り、第二の金属板の接着固定を強固なものにすることが
できる。In the circuit metal substrate according to the present invention, the resin layer 16 formed here mainly has a function of bonding to the second metal plate 17. However, even if the adhesion to the second metal plate is good, if a defect such as a void occurs at this adhesion interface, the heat dissipation from the second metal plate on which the heat-generating component is mounted is greatly impaired. Therefore, it is necessary to bond the second metal plate while minimizing voids and the like. Therefore, in the present invention, as a resin used in this step, when a second metal plate is placed on the resin and molded by heating and pressing, the resin has a sufficient deformability, and a part of the resin is The one that can protrude and wet at least a part of the side surface of the second metal plate is used. By using a resin system having a large deformability as described above, voids taken into the bonding interface with the second metal plate 17 are eliminated during the heat and pressure molding, and
Since the thickness of the resin layer can be reduced, the effect of the resin layer on the thermal conductivity can be minimized, and further by wetting at least a part of the side surface of the second metal plate, The metal plate can be firmly bonded and fixed.
【0016】本工程で用いる樹脂系としては、工程
(a)で用いる樹脂系と同一なものでもよいが、液状樹
脂系が望ましい。変形能が十分でない場合には、無機充
填材の添加量を減らすか、あるいは溶剤添加量を増加さ
せればよい。The resin used in this step may be the same as the resin used in step (a), but a liquid resin is preferred. If the deformability is not sufficient, the amount of the inorganic filler added may be reduced or the amount of the solvent added may be increased.
【0017】工程(a)で形成した樹脂層の上に、液状
樹脂系をスクリーン印刷,ドクターブレード法,コータ
法等で塗布する。この場合、樹脂層全面に液状樹脂系を
塗布しても、あるいは第二の金属板17のパターン状に
塗布してもよい。尚、場合によっては、工程(a)で形
成した樹脂層の上ではなく、第二の金属板の樹脂接着さ
れる面に液状樹脂を塗布することも可能である。A liquid resin system is applied on the resin layer formed in the step (a) by screen printing, doctor blade method, coater method or the like. In this case, a liquid resin system may be applied to the entire surface of the resin layer, or may be applied in a pattern of the second metal plate 17. In some cases, it is also possible to apply the liquid resin not to the resin layer formed in the step (a) but to the resin-bonded surface of the second metal plate.
【0018】溶剤を添加した樹脂系を用いた場合には、
この後、樹脂系の硬化反応が完全には進まない温度で溶
剤を飛散させて除去する。When using a resin system to which a solvent is added,
Thereafter, the solvent is scattered and removed at a temperature at which the curing reaction of the resin system does not completely proceed.
【0019】次に工程(c)に示すように第二の金属板
を工程(b)で形成した樹脂層の上に載置し、加熱加圧
成型する。該樹脂層は初期の段階では十分に軟らかいた
め、工程(d)に示すように加熱加圧成型時にはみ出し
てフィレット形状5を形成して硬化することになる。こ
のフィレット形状は、液状樹脂塗布厚さ,第二の金属板
の厚さ,加熱温度,加圧圧力等を調節することにより制
御できる。液状樹脂塗布厚さについては特に注意が必要
で、厚すぎるとはみ出し樹脂が第二の金属板17の露出
面を汚染し、部品搭載時の支障となる。Next, as shown in step (c), a second metal plate is placed on the resin layer formed in step (b), and is subjected to heat and pressure molding. Since the resin layer is sufficiently soft at the initial stage, the resin layer protrudes at the time of the heat and pressure molding to form the fillet shape 5 and harden as shown in step (d). The fillet shape can be controlled by adjusting the thickness of the liquid resin application, the thickness of the second metal plate, the heating temperature, the pressure and the like. Particular attention must be paid to the thickness of the liquid resin application. If the thickness is too large, the protruding resin contaminates the exposed surface of the second metal plate 17 and hinders the mounting of components.
【0020】本発明の内容を実施例でさらに詳細に説明
する。The contents of the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
【0021】〔実施例1〕本実施例の内容を図1を用い
て説明する。[Embodiment 1] The contents of this embodiment will be described with reference to FIG.
【0022】まず、工程(a)に示すように、厚さ2mm
のアルミニウム基板1上に、アルミナフィラを82wt
%含有したエポキシ樹脂にシクロヘキサノンを溶剤とし
て添加して粘度400Pに調整したワニスをスクリーン
印刷で塗布し、厚さ130μmの樹脂塗膜2を形成し
た。それから、ホットプレート上で工程(b)に示す8
0℃/30分+160℃/1時間の加熱処理を行い、厚
さ111μmの樹脂被膜付きアルミニウム基板を作製し
た。次に、工程(c)に示すように上記樹脂被膜上に、
上記エポキシ樹脂ワニスをスクリーン印刷で塗布し、新
たに厚さ80μmの樹脂塗膜3を形成した。それから、
ホットプレート上で工程(d)に示す80℃/30分の
加熱処理を行い、溶剤を概略乾燥させ、粘着性のある樹
脂塗膜を得た。この樹脂塗膜上に、工程(e)に示すよ
うに厚さ0.7mm のニッケルメッキ付き銅製のリードフ
レーム4を載置してから、工程(f)に示すように温度
160℃,圧力3kgf/cm2の条件で加熱加圧処理を30
分間行い、工程(g)に示すように上記リードフレーム
を接着した。リードフレーム接着完了後、リードフレー
ムの側面には加熱加圧時に流れ出た樹脂によりフィレッ
ト形状5が形成された。リードフレーム4とアルミニウ
ム基板1との間の樹脂の厚さは119μmであった。First, as shown in step (a), a thickness of 2 mm
Alumina filler is 82 wt.
% Of epoxy resin was added as a solvent to a varnish adjusted to a viscosity of 400 P by screen printing to form a resin coating film 2 having a thickness of 130 μm. Then, as shown in step (b) 8 on a hot plate
A heat treatment of 0 ° C./30 minutes + 160 ° C./1 hour was performed to manufacture an aluminum substrate with a resin coating having a thickness of 111 μm. Next, as shown in step (c), on the resin coating,
The epoxy resin varnish was applied by screen printing to form a new resin coating film 3 having a thickness of 80 μm. then,
The heat treatment at 80 ° C./30 minutes shown in step (d) was performed on a hot plate, and the solvent was roughly dried to obtain a sticky resin coating film. A nickel-plated copper lead frame 4 having a thickness of 0.7 mm is placed on the resin coating film as shown in step (e), and then at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 3 kgf as shown in step (f). / Cm 2 under heat and pressure
After that, the lead frame was bonded as shown in step (g). After the bonding of the lead frame was completed, a fillet shape 5 was formed on the side surface of the lead frame by the resin flowing out during heating and pressing. The thickness of the resin between the lead frame 4 and the aluminum substrate 1 was 119 μm.
【0023】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム接着界面の接着状態を調べた。
その結果、1000回後においても、上記接着界面にボ
イド,剥離等の劣化の兆候は見られず、優れた接着性を
有することが分かった。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the lead frame bonding interface was examined by an ultrasonic flaw detector at predetermined times.
As a result, even after 1,000 times, no signs of deterioration such as voids and peeling were observed at the adhesive interface, and it was found that the adhesive interface had excellent adhesiveness.
【0024】〔実施例2〕本実施例の内容を図2を用い
て説明する。[Embodiment 2] The contents of this embodiment will be described with reference to FIG.
【0025】まず、アルミナフィラを高充填した接着性
樹脂シート6を次の方法で作製した。ポリエステルフィ
ルム7上に、アルミナフィラを86wt%含有したエポ
キシ樹脂に溶剤としてN−メチル−2−ピロリドンを添
加して粘度750Pに調整したワニスをドクターブレー
ド法で塗布した後、80℃/1時間の加熱処理で溶剤を
乾燥させて、厚さ80μmの樹脂塗膜をポリエステルフ
ィルム上に形成した。次に、厚さ2mmのアルミニウム基
板1上に、工程(a)に示すように上記接着性樹脂シー
ト6を塗膜面がアルミニウム基板1に接するように載置
した。その後、ポリエステルフィルム7ごと工程(b)
に示すように温度170℃,圧力40kgf/cm2の条件で
30分間加熱加圧処理を行った。それから工程(c)に
示すようにポリエステルフィルム7を剥離して、アルミ
ニウム基板1上に樹脂膜を形成した。この後、実施例1
の図1(c)以降の工程と同様にして、リードフレーム
を接着した。この工程を(d)〜(h)に示す。リードフ
レーム接着完了後、リードフレーム4の側面には加熱加
圧時に流れ出た樹脂によりフィレット形状5が形成され
た。リードフレーム4とアルミニウム基板1との間の樹
脂の厚さは87μmであった。First, an adhesive resin sheet 6 highly filled with alumina filler was produced by the following method. A varnish adjusted to a viscosity of 750 P by adding N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent to an epoxy resin containing 86 wt% of alumina filler as a solvent is applied on the polyester film 7 by a doctor blade method, and then the varnish is treated at 80 ° C. for 1 hour. The solvent was dried by a heat treatment to form a resin coating film having a thickness of 80 μm on the polyester film. Next, the adhesive resin sheet 6 was placed on the aluminum substrate 1 having a thickness of 2 mm so that the coating film surface was in contact with the aluminum substrate 1 as shown in step (a). Then, the polyester film 7 and the step (b)
As shown in Fig. 7, a heating and pressurizing treatment was performed at a temperature of 170 ° C and a pressure of 40 kgf / cm 2 for 30 minutes. Then, as shown in step (c), the polyester film 7 was peeled off to form a resin film on the aluminum substrate 1. Thereafter, the first embodiment
The lead frame was bonded in the same manner as in FIG. This step is shown in (d) to (h). After the bonding of the lead frame was completed, a fillet shape 5 was formed on the side surface of the lead frame 4 by the resin flowing out during heating and pressing. The thickness of the resin between the lead frame 4 and the aluminum substrate 1 was 87 μm.
【0026】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム接着界面の接着状態を調べた。
その結果、1000回後においても、上記接着界面にボ
イド,剥離等の劣化の兆候は見られず、優れた接着性を
有することが分かった。With respect to the substrate manufactured in this example, the conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the lead frame bonding interface was examined by an ultrasonic flaw detector at predetermined times.
As a result, even after 1,000 times, no signs of deterioration such as voids and peeling were observed at the adhesive interface, and it was found that the adhesive interface had excellent adhesiveness.
【0027】〔実施例3〕本実施例の内容を図3を用い
て説明する。Embodiment 3 The contents of this embodiment will be described with reference to FIG.
【0028】実施例1と同様にして、工程(a)〜(d)
に示すようにアルミニウム基板1上に樹脂塗膜を形成し
た。その後、工程(e)に示すように厚さ0.7mm のニ
ッケルメッキ付き銅製リードフレーム4及び厚さ1mmの
ガラスエポキシ板両面プリント基板8を樹脂塗膜上に載
置した。この後、上記リードフレーム及びプリント基板
上にシリコーンゴム製シートを断差吸収材として載置し
てから、図1(f)および(g)の工程と同様にして、
リードフレーム及びプリント基板を接着した。この工程
を図3(f)および(g)に示す。接着完了後、リード
フレーム及びプリント基板の側面には加熱加圧時に流れ
出た樹脂によりフィレット形状5が形成された。Steps (a) to (d) are performed in the same manner as in Example 1.
As shown in (1), a resin coating film was formed on the aluminum substrate 1. Thereafter, as shown in step (e), a 0.7 mm thick nickel-plated copper lead frame 4 and a 1 mm thick glass epoxy plate double-sided printed board 8 were placed on the resin coating. Thereafter, a silicone rubber sheet is mounted on the lead frame and the printed circuit board as a difference absorbing material, and then, similarly to the steps of FIGS. 1 (f) and 1 (g),
The lead frame and the printed circuit board were bonded. This step is shown in FIGS. 3 (f) and 3 (g). After the bonding was completed, a fillet shape 5 was formed on the side surfaces of the lead frame and the printed circuit board by the resin flowing out during heating and pressing.
【0029】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム及びプリント基板接着界面の接
着状態を調べた。その結果、1000回後においても、
上記接着界面にボイド,剥離等の劣化の兆候は見られ
ず、優れた接着性を有することが分かった。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the bonding interface between the lead frame and the printed circuit board was examined by the ultrasonic flaw detector at predetermined times. As a result, even after 1000 times,
No signs of deterioration such as voids and peeling were observed at the bonding interface, indicating that the bonding interface had excellent adhesion.
【0030】〔実施例4〕実施例2と同様にして、図2
(e)までの工程でアルミニウム基板1上に樹脂塗膜を
形成した。この後、実施例3(e)以降の工程と同様に
して、リードフレーム及びプリント基板を接着した。接
着完了後、リードフレーム及びプリント基板の側面には
加熱加圧時に流れ出た樹脂によりフィレット形状が形成
された。[Embodiment 4] As in Embodiment 2, FIG.
In the steps up to (e), a resin coating film was formed on the aluminum substrate 1. Thereafter, the lead frame and the printed circuit board were bonded in the same manner as in the steps after Example 3 (e). After the bonding was completed, a fillet shape was formed on the side surfaces of the lead frame and the printed circuit board by the resin flowing out during heating and pressing.
【0031】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム及びプリント基板接着界面の接
着状態を調べた。その結果、1000回後においても、
上記接着界面にボイド,剥離等の劣化の兆候は見られ
ず、優れた接着性を有することが分かった。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the bonding interface between the lead frame and the printed circuit board was examined by the ultrasonic flaw detector at predetermined times. As a result, even after 1000 times,
No signs of deterioration such as voids and peeling were observed at the bonding interface, indicating that the bonding interface had excellent adhesion.
【0032】〔実施例5〕本実施例の内容を図4を用い
て説明する。Embodiment 5 The contents of this embodiment will be described with reference to FIG.
【0033】実施例2と同様にして、アルミニウム基板
1上に樹脂シート6を接着した(工程(a))。次に、
工程(b)に示すように樹脂シート6上の概略リードフ
レーム接着部分に、実施例1で用いたものと同じエポキ
シ樹脂ワニスをスクリーン印刷で塗布して、樹脂塗膜3
を形成した。それから、実施例2の(e)〜(h)と同
様にして、リードフレーム4を接着した(工程(c)〜
(f))。その後、工程(g)に示すように裏面に上記
エポキシ樹脂ワニスを塗布し、80℃/30分の加熱処
理で溶剤を乾燥させたプリント基板8を、樹脂シート6
上に載置し、温度160℃,圧力3kgf/cm2の条件で加
熱加圧処理を30分間行い、プリント基板を接着した。
接着完了後、リードフレーム及びプリント基板の側面に
は加熱加圧時に流れ出た樹脂によりフィレット形状5が
形成された。In the same manner as in Example 2, the resin sheet 6 was bonded onto the aluminum substrate 1 (step (a)). next,
As shown in step (b), the same epoxy resin varnish as used in Example 1 was applied to the general lead frame bonding portion on the resin sheet 6 by screen printing, and the resin coating 3 was formed.
Was formed. Then, the lead frame 4 was bonded in the same manner as in (e) to (h) of Example 2 (steps (c) to (c)).
(F)). Thereafter, as shown in step (g), the epoxy resin varnish is applied to the back surface, and the printed circuit board 8 obtained by drying the solvent by heating at 80 ° C. for 30 minutes is applied to the resin sheet 6
The printed circuit board was mounted thereon, and heated and pressed at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 3 kgf / cm 2 for 30 minutes.
After the bonding was completed, a fillet shape 5 was formed on the side surfaces of the lead frame and the printed circuit board by the resin flowing out during heating and pressing.
【0034】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム及びプリント基板接着界面の接
着状態を調べた。その結果、1000回後においても、
上記接着界面にボイド,剥離等の劣化の兆候は見られ
ず、優れた接着性を有することが分かった。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the bonding interface between the lead frame and the printed circuit board was examined by the ultrasonic flaw detector at predetermined times. As a result, even after 1000 times,
No signs of deterioration such as voids and peeling were observed at the bonding interface, indicating that the bonding interface had excellent adhesion.
【0035】〔実施例6〕本実施例の内容を図5を用い
て説明する。[Embodiment 6] The contents of this embodiment will be described with reference to FIG.
【0036】実施例4と同様な工程で、リードフレーム
4及びプリント基板8を接着した基板を作製した。但
し、本実施例では、基板面上周辺部は樹脂シート6が露
出するように、リードフレーム4及びプリント基板8を
接着する樹脂塗膜3を形成した。この状態を工程(a)
に示す。次に、工程(b)に示すようにリードフレーム
を上方に立ち上げた。そして、工程(c)に示すように
リードフレーム及びプリント基板上に、半導体素子9,
電子部品10を半田を用いて搭載し、Alよりなるボン
ディングワイヤ11で電気的接続を行った。それから、
工程(d)に示すように樹脂製ケース12をシリコーン
系接着剤で接着した。その後、ケース内部にエポキシ樹
脂を注入し、135℃/2時間の加熱で硬化して工程
(e)に示す半導体装置を作製した。In the same process as in Example 4, a substrate was prepared in which the lead frame 4 and the printed circuit board 8 were bonded. However, in this embodiment, the resin coating film 3 for bonding the lead frame 4 and the printed board 8 was formed so that the resin sheet 6 was exposed at the peripheral portion on the substrate surface. This state is referred to as step (a).
Shown in Next, the lead frame was raised upward as shown in step (b). Then, as shown in step (c), the semiconductor elements 9 and
The electronic component 10 was mounted using solder, and was electrically connected with the bonding wire 11 made of Al. then,
As shown in step (d), the resin case 12 was bonded with a silicone adhesive. Thereafter, an epoxy resin was injected into the case and cured by heating at 135 ° C. for 2 hours to produce a semiconductor device shown in step (e).
【0037】本実施例で作製した半導体装置について、
条件:−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/
30分の温度サイクル試験及び85℃/85%RHでの
高温高湿試験を行った。温度サイクル500回及び吸湿
時間1000時間後においても、上記半導体装置の諸特
性及びアルミニウム基板とリードフレームとの絶縁特性
に変化は見られず、本実施例で得られた半導体装置が優
れた信頼性を有することが分かった。With respect to the semiconductor device manufactured in this embodiment,
Conditions: -40 ° C / 30 minutes @ 25 ° C / 30 minutes @ 125 ° C /
A 30 minute temperature cycle test and a high temperature and high humidity test at 85 ° C./85% RH were performed. Even after 500 temperature cycles and 1000 hours of moisture absorption, there was no change in the characteristics of the semiconductor device and the insulation characteristics between the aluminum substrate and the lead frame, and the semiconductor device obtained in this example had excellent reliability. It was found to have
【0038】〔比較例1〕実施例1と同様にして、アル
ミニウム基板上に、厚さ130μmの樹脂塗膜を形成し
た。それから、80℃/30分の加熱処理で、溶剤を概
略乾燥させた。次に、この樹脂塗膜上に、厚さ0.7mm
のニッケルメッキ付き銅製リードフレームを載置してか
ら、温度160℃,圧力1kgf/cm2の条件で加熱加圧処
理を30分間行い、上記リードフレームを接着した。接
着完了後、リードフレームの側面には加熱加圧時に流れ
出た樹脂によりフィレット形状が形成された。Comparative Example 1 A resin film having a thickness of 130 μm was formed on an aluminum substrate in the same manner as in Example 1. Then, the solvent was substantially dried by a heat treatment at 80 ° C./30 minutes. Next, on this resin coating film, a thickness of 0.7 mm
After the nickel-plated copper lead frame was mounted, a heat and pressure treatment was performed at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 1 kgf / cm 2 for 30 minutes to bond the lead frame. After the completion of the bonding, a fillet shape was formed on the side surface of the lead frame by the resin flowing out during heating and pressing.
【0039】本比較例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。その結果、1000回後
においても、リードフレーム接着部に外観上剥離等の劣
化の兆候は見られなかった。しかし、本比較例で作製し
た基板を温度サイクル試験後分解調査した所、リードフ
レームとアルミニウム基板との間の樹脂の厚さにばらつ
きの有ることが分かった。少数ながら厚さが3μm以下
の部分もあり、この領域にはクラック状欠陥が発生して
おり、絶縁特性を確保できないことが分かった。With respect to the substrate manufactured in this comparative example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. As a result, even after 1000 times, no signs of deterioration such as peeling were observed in the appearance of the bonded portion of the lead frame. However, when the substrate manufactured in this comparative example was disassembled and inspected after the temperature cycle test, it was found that there was variation in the thickness of the resin between the lead frame and the aluminum substrate. Although there were a few portions with a thickness of 3 μm or less, crack-like defects occurred in these regions, and it was found that insulation properties could not be secured.
【0040】〔比較例2〕実施例2で用いた、ポリエス
テルフィルム上に形成した樹脂シートを、厚さ2mmのア
ルミニウム基板上に載置し、ポリエステルフィルムごと
温度100℃,圧力30kgf/cm2の条件で30分間加熱
加圧処理を行い、アルミニウム基板上に樹脂シートを仮
接着した。それから、厚さ0.7mm のニッケルメッキ付
き銅製リードフレームを載置し、温度170℃,圧力4
0kgf/cm2の条件で30分間加熱加圧処理を行い、リー
ドフレームを接着した。本比較例の場合には、リードフ
レーム側面に樹脂フィレットの形成は無かった。Comparative Example 2 The resin sheet formed on a polyester film used in Example 2 was placed on an aluminum substrate having a thickness of 2 mm, and the entire polyester film was subjected to a temperature of 100 ° C. and a pressure of 30 kgf / cm 2 . Heat and pressure treatment was performed for 30 minutes under the conditions, and a resin sheet was temporarily bonded to the aluminum substrate. Then, a copper lead frame with a thickness of 0.7 mm with nickel plating was placed thereon, and the temperature was 170 ° C. and the pressure was 4 mm.
Heat and pressure treatment was performed for 30 minutes under the condition of 0 kgf / cm 2 to bond the lead frame. In the case of this comparative example, no resin fillet was formed on the side surface of the lead frame.
【0041】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム接着界面の接着状態を調べた。
その結果、300回付近から、上記接着界面に剥離の兆
候が見られ、この欠陥は回数と共に成長した。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the lead frame bonding interface was examined by an ultrasonic flaw detector at predetermined times.
As a result, at about 300 times, signs of peeling were observed at the bonding interface, and the defects grew with the number of times.
【0042】〔比較例3〕実施例1と同様な工程で、リ
ードフレームの接着を行った。但し、本比較例の場合に
は、リードフレーム側面に樹脂フィレットの形成が無い
ように、リードフレーム載置後の加圧条件を0.3kgf/
cm2とした。Comparative Example 3 A lead frame was bonded in the same process as in Example 1. However, in the case of this comparative example, the pressing condition after mounting the lead frame was set to 0.3 kgf / so that no resin fillet was formed on the side surface of the lead frame.
cm 2 .
【0043】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム接着界面の接着状態を調べた。
その結果、200回付近から、上記接着界面に剥離の兆
候が見られ、この欠陥は回数と共に成長した。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the lead frame bonding interface was examined by an ultrasonic flaw detector at predetermined times.
As a result, from around 200 times, signs of peeling were observed at the bonding interface, and this defect grew with the number of times.
【0044】〔比較例4〕実施例2と同様な工程で、リ
ードフレームの接着を行った。但し、本比較例の場合に
は、リードフレーム側面に樹脂フィレットの形成が無い
ように、リードフレーム載置後の加圧条件を0.3kgf
/cm2とした。Comparative Example 4 A lead frame was adhered in the same process as in Example 2. However, in the case of this comparative example, the pressing condition after mounting the lead frame was set to 0.3 kgf so that no resin fillet was formed on the side surface of the lead frame.
/ Cm 2 .
【0045】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置でリードフレーム接着界面の接着状態を調べた。
その結果、200回付近から、上記接着界面に剥離の兆
候が見られ、この欠陥は回数と共に成長した。With respect to the substrate manufactured in this example, conditions were as follows:
A temperature cycle test was performed at −40 ° C./30 minutes⇔25 ° C./30 minutes⇔125 ° C./30 minutes. The bonding state of the lead frame bonding interface was examined by an ultrasonic flaw detector at predetermined times.
As a result, from around 200 times, signs of peeling were observed at the bonding interface, and this defect grew with the number of times.
【0046】[0046]
【発明の効果】上述の如く、本発明による回路用金属基
板においては、エッチングに依らずに電気回路パターン
を形成するため、電気回路パターンの厚さに制約を受け
ず、従来製作困難であった厚さの電気回路パターンを容
易に形成することが可能である。さらに、従来の単一樹
脂層に熱伝導性と電気回路パターンとの接着を担わせて
きた構成では、樹脂を高熱伝導化すると樹脂中にボイド
取り込み等が発生し易くなったり、電気回路パターンと
の接着性が低下するなどして、熱伝導性,絶縁特性,温
度サイクル特性を含めた各種特性を同時に満たすことは
容易ではなかったが、本発明による回路用金属基板にお
いては、複数の樹脂層に熱伝導性と電気回路パターンと
の接着を分担させるように構成しているため、上記各種
特性を同時に満たす上で有利である。As described above, in the circuit metal substrate according to the present invention, since the electric circuit pattern is formed without depending on the etching, the thickness of the electric circuit pattern is not restricted, and it has been conventionally difficult to manufacture. It is possible to easily form an electric circuit pattern having a thickness. Further, in the conventional configuration in which the single resin layer is made to adhere to the thermal conductivity and the electric circuit pattern, if the resin is made to have high thermal conductivity, it becomes easy for voids to be taken into the resin or the electric circuit pattern. It has not been easy to simultaneously satisfy various properties including thermal conductivity, insulation properties, and temperature cycling properties due to a decrease in adhesiveness of the resin. Since it is configured to share the thermal conductivity and the adhesion with the electric circuit pattern, it is advantageous in simultaneously satisfying the various characteristics described above.
【図1】本発明による回路用金属基板の組み立て工程の
一例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of an assembling process of a circuit metal substrate according to the present invention.
【図2】本発明による回路用金属基板の組み立て工程の
他の例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing another example of an assembling process of the circuit metal substrate according to the present invention.
【図3】本発明による回路用金属基板の組み立て工程の
別の例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing another example of the assembling process of the circuit metal substrate according to the present invention.
【図4】本発明による回路用金属基板の組み立て工程の
別の例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing another example of the assembling process of the circuit metal substrate according to the present invention.
【図5】本発明による半導体装置の組み立て工程を示す
模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing an assembling process of the semiconductor device according to the present invention.
【図6】本発明による回路用金属基板の組み立て工程の
他の例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing another example of the assembling process of the circuit metal substrate according to the present invention.
1…アルミニウム基板、2,3…樹脂塗膜、4…リード
フレーム、5…フィレット形状、6…樹脂シート、7…
ポリエステルフィルム、8…プリント基板、9…半導体
素子、10…電子部品、11…ボンディングワイヤ、1
2…樹脂製ケース、13…エポキシ樹脂、14…第一の
金属板、15,16…樹脂層、17…第二の金属板。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Aluminum board, 2, 3 ... Resin coating, 4 ... Lead frame, 5 ... Fillet shape, 6 ... Resin sheet, 7 ...
Polyester film, 8: printed circuit board, 9: semiconductor element, 10: electronic component, 11: bonding wire, 1
2: resin case, 13: epoxy resin, 14: first metal plate, 15, 16: resin layer, 17: second metal plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 直人 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 平井 強 茨城県日立市幸町三丁目1番1号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 鴨志田 陸男 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐々木 康二 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 岩中 光文 茨城県日立市幸町三丁目1番1号 株式会 社日立製作所日立工場内 (72)発明者 小林 稔幸 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Fターム(参考) 5E315 AA03 AA13 BB03 BB14 CC01 DD25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Naoto Saito 502 Kandachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref. Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. Hitachi, Ltd. Hitachi Plant (72) Inventor Rikuo Kamoshida 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi, Ltd. (72) Inventor Mitsufumi Iwanaka 3-1-1, Sachimachi, Hitachi-shi, Ibaraki Pref. Hitachi, Ltd.Hitachi Plant (72) Toshiyuki Kobayashi Toshiyuki Kobayashi Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki F-term (reference) in Hitachi Research Laboratories, Hitachi Ltd. 5E315 AA03 AA13 BB03 BB14 CC01 DD25
Claims (4)
ターン状に形成された導電性金属板よりなる第二の金属
板が積層されて構成される回路用金属基板において、前
記第一の金属板と前記第二の金属板の間の前記絶縁層
が、2層以上の樹脂層から構成され、且つ前記第二の金
属板に接する樹脂層が該第二の金属板の側面の少なくと
も一部を覆っていることを特徴とする回路用金属基板。1. A circuit metal substrate formed by laminating a second metal plate made of a conductive metal plate formed in an electric circuit pattern on an insulating layer on a first metal plate. The insulating layer between one metal plate and the second metal plate is composed of two or more resin layers, and the resin layer in contact with the second metal plate is at least one side surface of the second metal plate. A metal substrate for a circuit, which covers a part.
て、前記第一の金属板上の前記絶縁層上に、前記第二の
金属板と共に、有機プリント回路基板が搭載されている
ことを特徴とする回路用金属基板。2. The circuit metal substrate according to claim 1, wherein an organic printed circuit board is mounted on the insulating layer on the first metal plate together with the second metal plate. Characteristic metal substrates for circuits.
層を塗布あるいは樹脂フィルム張り付けで形成後、前記
樹脂層の露出面に樹脂を塗布し、該樹脂が硬化する前
に、電気回路パターン状に形成された導電性金属板、及
び場合により更に有機プリント回路基板を前記樹脂上に
載置し、加熱加圧成型により前記電気回路パターン状に
形成された導電性金属板、及び前記有機プリント回路基
板を樹脂層を介して前記第一の金属板と一体化させるこ
とを特徴とする回路用金属基板の製造方法。3. A method according to claim 1, wherein one or more resin layers are formed on the first metal plate by applying or laminating a resin film, and then a resin is applied to an exposed surface of the resin layer. A conductive metal plate formed in a circuit pattern, and optionally an organic printed circuit board placed on the resin, and a conductive metal plate formed in the electric circuit pattern by heating and pressing; and A method of manufacturing a circuit metal substrate, comprising: integrating an organic printed circuit board with the first metal plate via a resin layer.
に半導体素子等の電子・電気部品を搭載して構成される
ことを特徴とする半導体装置。4. A semiconductor device comprising an electronic / electrical component such as a semiconductor element mounted on the circuit metal substrate according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31866798A JP2000151049A (en) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | Metal substrate for circuit, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31866798A JP2000151049A (en) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | Metal substrate for circuit, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151049A true JP2000151049A (en) | 2000-05-30 |
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ID=18101699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31866798A Pending JP2000151049A (en) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | Metal substrate for circuit, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151049A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210920A (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermally conductive substrate, manufacturing method thereof, and circuit module |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP31866798A patent/JP2000151049A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210920A (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermally conductive substrate, manufacturing method thereof, and circuit module |
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