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JP2000150360A - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

Info

Publication number
JP2000150360A
JP2000150360A JP10330227A JP33022798A JP2000150360A JP 2000150360 A JP2000150360 A JP 2000150360A JP 10330227 A JP10330227 A JP 10330227A JP 33022798 A JP33022798 A JP 33022798A JP 2000150360 A JP2000150360 A JP 2000150360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
humidity
cooling
unit
air supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10330227A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatoshi Kaneda
正利 金田
Masami Akumoto
正己 飽本
Nobuyuki Jinnai
信幸 陣内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP10330227A priority Critical patent/JP2000150360A/en
Publication of JP2000150360A publication Critical patent/JP2000150360A/en
Priority to US09/916,342 priority patent/US20020014084A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P72/0602

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来よりも省エネルギ、省スペースの下で温
湿度の制御が可能で、しかも所定の温湿度に到達するま
での時間が従来よりも短い、基板処理装置を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布装置30のカップCPに所
定の温湿度のエアを供給するエア供給装置81には、ペ
ルチェ素子を利用した冷却減湿部86、加熱部87、加
湿部88、送風機89が設けられている。エア供給装置
81の出口84側に第2の温湿度センサ92、入口83
側に第3の温湿度センサ93が設けられ、出口84の箇
所で設定した温湿度と第3の温湿度センサ93によって
検出された温湿度との差に基づいて、制御装置94が冷
却減湿部86、加熱部87、加湿部88を制御する。
(57) [Problem] To provide a substrate processing apparatus capable of controlling temperature and humidity with less energy consumption and space saving than in the past, and having a shorter time to reach a predetermined temperature and humidity than in the past. I do. SOLUTION: An air supply device 81 for supplying air of a predetermined temperature and humidity to a cup CP of a resist coating device 30 includes a cooling and dehumidifying unit 86 using a Peltier element, a heating unit 87, a humidifying unit 88, and a blower 89. Is provided. A second temperature / humidity sensor 92 and an inlet 83 are provided on the outlet 84 side of the air supply device 81.
A third temperature / humidity sensor 93 is provided on the side, and based on the difference between the temperature / humidity set at the point of the outlet 84 and the temperature / humidity detected by the third temperature / humidity sensor 93, the control device 94 performs cooling and dehumidification. The unit 86, the heating unit 87, and the humidifying unit 88 are controlled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の処理装置に
関するものである。
The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体ウエハ(以下、「ウエハ」
という)のフォトリソ工程においては、ウエハに対して
レジストを塗布し、次いでパターンの露光を行い、その
後現像を行う処理が行われている。従来からこのような
一連の処理を行うにあたっては、各処理を個別に行う処
理ユニットが集約配置された塗布現像処理装置が使用さ
れている。
2. Description of the Related Art For example, a semiconductor wafer (hereinafter, "wafer")
In the photolithography process, a process of applying a resist to a wafer, exposing a pattern, and then performing development is performed. Conventionally, in performing such a series of processing, a coating and developing processing apparatus in which processing units for individually performing each processing are collectively arranged has been used.

【0003】かかる塗布現像処理装置中で例えばレジス
ト塗布処理についていうと、処理容器内で基板を回転さ
せて基板上のレジストを遠心力によって拡散させ、基板
上に所定の厚さのレジスト膜を形成する処理が行われ
る。レジスト膜の厚さは、温度、湿度に対して極めて敏
感であるから、処理容器内には所定の温湿度に設定され
たエアが供給されている。
In such a coating and developing apparatus, for example, in regard to resist coating processing, a substrate is rotated in a processing vessel to diffuse resist on the substrate by centrifugal force to form a resist film of a predetermined thickness on the substrate. Is performed. Since the thickness of the resist film is extremely sensitive to temperature and humidity, air set at a predetermined temperature and humidity is supplied into the processing container.

【0004】前記エアは付設のエア供給装置から供給さ
れるが、従来のエア供給装置は、例えばクリーンルーム
内の雰囲気を導入し、該導入エアに対して冷却減湿する
冷却減湿部と、加熱する加熱部、加湿する加湿部と、レ
ジスト塗布処理を行う処理容器にエアを供給するための
ファンとを備えている。そして冷却減湿部は、冷凍機に
よって露点温度近傍、例えば4℃にまで一旦冷却し、そ
の後所定の温度と相対湿度を実現するために加熱し、最
後に前記所定の相対湿度に必要な水分を加湿器によって
加湿する。
The air is supplied from an attached air supply device. A conventional air supply device introduces, for example, an atmosphere in a clean room and cools and dehumidifies the introduced air, A heating unit, a humidifying unit for humidifying, and a fan for supplying air to a processing container for performing a resist coating process. The cooling and dehumidifying unit is once cooled by a refrigerator to a temperature close to the dew point temperature, for example, 4 ° C., and then heated to achieve a predetermined temperature and relative humidity. Finally, water required for the predetermined relative humidity is removed. Humidify with a humidifier.

【0005】既述したように、レジストの膜厚は、温湿
度に敏感であるため、当然のことながら供給されるエア
は所定の温湿度に制御されているが、従来は処理容器内
に温湿度を検出する温湿度センサを設置し、この温湿度
センサによって検出された温湿度に基づいて、所定の温
湿度、例えば23℃、45%(RH)となるようにフィ
ードバック制御され、制御装置によって加熱部と加湿部
を制御するようにしていた。
As described above, since the resist film thickness is sensitive to temperature and humidity, the supplied air is naturally controlled to a predetermined temperature and humidity. A temperature / humidity sensor for detecting humidity is installed, and based on the temperature / humidity detected by the temperature / humidity sensor, feedback control is performed to a predetermined temperature / humidity, for example, 23 ° C. and 45% (RH). The heating section and the humidifying section were controlled.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の技術では、冷凍機を使用している関係上、常時冷凍機
を所定の出力で稼働させている。したがって、例えば湿
度が不足し、加湿しなければならない場合でも、一旦減
湿冷却した後、加熱し、次いで所定湿度まで加湿するよ
うになっている。そのため消費エネルギが多く無駄があ
った。その他冷凍機の使用によって設置スペースの肥大
化も招いていた。さらにまたレジスト塗布処理を行う処
理容器に設けている温湿度センサの温湿度信号のみによ
って制御していたので、所定の温湿度に到達するまでに
時間がかかっていた。その他、従来この種の装置に使用
されている冷凍機は、フロンを冷媒として使用している
ため、地球環境にとって好ましくなかった。
However, in the prior art, the refrigerator is always operated at a predetermined output because the refrigerator is used. Therefore, for example, even when the humidity is insufficient and humidification is required, the humidification is performed after dehumidifying and cooling, and then humidification to a predetermined humidity. As a result, energy consumption is large and wasteful. In addition, the use of refrigerators has led to an increase in installation space. Furthermore, since the control is performed only by the temperature and humidity signal of the temperature and humidity sensor provided in the processing container for performing the resist coating process, it takes time to reach a predetermined temperature and humidity. In addition, a refrigerator conventionally used in this type of apparatus is not preferable for the global environment because it uses Freon as a refrigerant.

【0007】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、従来よりも省エネルギ、省スペースの下で温湿
度の制御が可能で、しかも所定の温湿度に到達するまで
の時間が従来よりも短い、新規な基板処理装置を提供し
て、前記問題の解決を図ることをその目的としている。
[0007] The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to control the temperature and humidity with less energy and space than before, and to reduce the time required to reach a predetermined temperature and humidity. It is an object of the present invention to provide a new and shorter substrate processing apparatus to solve the above problem.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1によれば、処理容器内で基板を処理する装
置であって、該処理容器にエアを供給するためのエア供
給装置と、前記処理容器内の温湿度を検出する第1の温
湿度センサと、前記エア供給装置の出口側に設けられた
第2の温湿度センサと、前記エア供給装置の入口側に設
けられた第3の温湿度センサと、前記入口側から導入さ
れたエアに対してペルチェ素子を用いて冷却減湿を行う
冷却減湿部と、冷却減湿部で冷却減湿されたエアに対し
て加熱を行う加熱部と、前記加熱部で加熱されたエアに
対して加湿する加湿部と、前記加湿部で加湿されたエア
を前記処理容器に送風するための送風機と、前記各冷却
減湿部、加熱部及び加湿部を制御する制御装置とを備
え、前記制御装置は、第2の温湿度センサの箇所に設定
した、すなわちエア供給装置の出口に設定した温湿度と
第3の温湿度センサによって検出される温湿度との差に
基づいて、少なくとも前記冷却減湿部、加熱部又は加湿
部を制御するように構成されていることを特徴とする、
基板処理装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, there is provided an apparatus for processing a substrate in a processing container, comprising: an air supply device for supplying air to the processing container; A first temperature / humidity sensor for detecting temperature / humidity in the processing container, a second temperature / humidity sensor provided on an outlet side of the air supply device, and a second temperature / humidity sensor provided on an inlet side of the air supply device. 3, a cooling and dehumidifying unit for cooling and dehumidifying the air introduced from the inlet side using a Peltier element, and heating the air cooled and dehumidified by the cooling and dehumidifying unit. A heating unit for performing, a humidifying unit for humidifying the air heated by the heating unit, a blower for blowing the air humidified by the humidifying unit to the processing container, the cooling and dehumidifying units, and heating. And a control device for controlling the humidification unit, the control device, 2 based on the difference between the temperature and humidity set at the location of the temperature and humidity sensor 2, that is, the temperature and humidity set at the outlet of the air supply device and the temperature and humidity detected by the third temperature and humidity sensor. Characterized in that it is configured to control the unit or the humidifying unit,
A substrate processing apparatus is provided.

【0009】この請求項1の基板処理装置では、エア供
給装置の出口側に設定した温湿度と、エア供給装置の入
口側に設けられた第3の温湿度センサによって検出され
る温湿度との差に基づいて冷却減湿部、加熱部及び加湿
部を制御するようになっている。したがって、例えば処
理容器内の温湿度を23℃、45%(RH)にする場合
には、原則としてエア供給装置の出口側の温湿度を23
℃、45%(RH)に設定し、必要な制御を行う。この
場合、冷却減湿部、加熱部及び加湿部の制御は、エア供
給装置の入口側との差に基づいて制御する。すなわち、
例えばエア供給装置の入口側から導入されるエアが、2
4℃、50%(RH)の場合には、結果的に1℃の冷
却、5%の減湿処理を行うのであるが、冷却減湿部はペ
ルチェ素子を用いて冷却減湿を行うようになっているか
ら、前記設定目標値に必要な水分量にまで減湿処理を行
うことが可能である。したがって、必要最小限のエネル
ギで済む。
In the substrate processing apparatus according to the first aspect, the temperature and humidity set at the outlet side of the air supply device and the temperature and humidity detected by the third temperature and humidity sensor provided at the inlet side of the air supply device. The cooling and dehumidifying section, the heating section and the humidifying section are controlled based on the difference. Therefore, for example, when the temperature and humidity in the processing container are set to 23 ° C. and 45% (RH), the temperature and humidity on the outlet side of the air supply device are set to 23% in principle.
C., 45% (RH), and perform necessary control. In this case, the control of the cooling and dehumidifying unit, the heating unit, and the humidifying unit is controlled based on the difference from the inlet side of the air supply device. That is,
For example, the air introduced from the inlet side of the air supply device is 2
In the case of 4 ° C. and 50% (RH), cooling at 1 ° C. and dehumidification of 5% are performed as a result, but the cooling and dehumidifying unit performs cooling and dehumidification using a Peltier element. Therefore, it is possible to perform the dehumidification process to the amount of water required for the set target value. Therefore, only the minimum necessary energy is required.

【0010】ところでエア供給装置が処理容器から離れ
たところに設置され、エア供給装置の出口側からのエア
を処理容器に供給する際にダクトを用いて供給されるこ
とがあるが、その場合、ダクトを流れる間に周囲の環境
によって温湿度が変化する場合がある。この場合には、
かかる外乱によって処理容器内の温湿度が所定の温湿度
にならない場合がある。しかしながら処理容器内の温湿
度を検出する第1の温湿度センサによって処理容器内の
温湿度が監視されているから、そのようにエア供給装置
の出口側の温湿度と処理容器内の温湿度との間に差が生
じた場合には、エア供給装置の出口側の温湿度の設定を
変えて、処理容器内の温湿度を調整する。このように、
制御ポイントをエア供給装置の出口側に設定すると共
に、処理容器及びエア供給装置の入口側に温湿度センサ
を設置して、設定目標値との差に基づいて制御を実施す
ることで、処理容器内の温湿度を所定の値にするまでの
時間を従来よりも短縮することができる。
In some cases, the air supply device is installed at a position distant from the processing container, and air is supplied from the outlet side of the air supply device to the processing container using a duct. Temperature and humidity may change depending on the surrounding environment while flowing through the duct. In this case,
Due to such disturbance, the temperature and humidity in the processing container may not reach the predetermined temperature and humidity. However, since the temperature and humidity in the processing container are monitored by the first temperature and humidity sensor that detects the temperature and humidity in the processing container, the temperature and humidity on the outlet side of the air supply device, the temperature and humidity in the processing container, If there is a difference between them, the temperature and humidity in the processing container are adjusted by changing the setting of the temperature and humidity on the outlet side of the air supply device. in this way,
A control point is set on the outlet side of the air supply device, and a temperature / humidity sensor is installed on the inlet side of the processing container and the air supply device, and control is performed based on a difference from a set target value. It is possible to shorten the time until the temperature and humidity in the inside reach a predetermined value as compared with the conventional case.

【0011】またエア供給装置の冷却減湿部は、ペルチ
ェ素子を用いて冷却する構成であるから、従来の冷凍機
を用いた構成と比べるとコンパクト化が可能であり、従
来よりも省スペース化が図れる。もちろんフロンレスで
あるから、地球環境にとって好ましい。
Further, since the cooling and dehumidifying section of the air supply device is configured to cool using a Peltier element, the cooling and dehumidifying section can be made more compact as compared with the configuration using a conventional refrigerator, and can save more space than before. Can be achieved. Of course, since it is Freonless, it is preferable for the global environment.

【0012】請求項2によれば、処理容器内で基板に対
して所定の処理を行う装置であって、相対的に低湿度の
クリーンルーム内に設置されると共に、相対的に高湿度
の処理容器内で基板を処理する装置として構成され、前
記処理容器にエアを供給するためのエア供給装置と、前
記処理容器内の温湿度を検出する第1の温湿度センサ
と、エア供給装置の出口側側に設けられた第2の温湿度
センサと、エア供給装置の入口側から導入された前記ク
リーンルーム内のエアに対して冷却及び加熱を行う冷却
加熱部と、前記冷却加熱部で冷却又は加熱されたエアに
対して加湿を行う加湿部と、前記加湿部で加湿されたエ
アを前記処理容器に送風するための送風機と、前記冷却
加熱部び加湿部を制御する制御装置とを備え、前記制御
装置は、第2の温湿度センサによって検出される温湿度
に基づいて、少なくとも前記冷却加熱部又は加湿部を制
御するように構成されていることを特徴とする、基板処
理装置が提供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for performing a predetermined process on a substrate in a processing vessel, wherein the apparatus is installed in a relatively low humidity clean room and has a relatively high humidity processing vessel. An air supply device configured to supply air to the processing container, a first temperature / humidity sensor configured to detect temperature / humidity in the processing container, and an outlet side of the air supply device. A second temperature and humidity sensor provided on the side, a cooling and heating unit for cooling and heating the air in the clean room introduced from the inlet side of the air supply device, and cooled or heated by the cooling and heating unit. A humidifying unit that humidifies the heated air, a blower that blows the air humidified by the humidifying unit to the processing container, and a control device that controls the cooling and heating unit and the humidifying unit. The device is a second hot and humid Based on the temperature and humidity detected by the sensor, characterized in that it is configured to control at least the cooling and heating unit or humidifier, the substrate processing apparatus is provided.

【0013】この請求項2の基板処理装置では、相対的
に低湿度のクリーンルーム内に設置されると共に、相対
的に高湿度、すなわちクリーンルーム内の雰囲気よりも
高い湿度雰囲気の処理容器内で基板を処理する装置であ
って、付設のエア供給装置には、相対的に低湿度の前記
クリーンルーム内のエアが導入される。したがって基本
的にエア供給装置では減湿処理を行わない。そしてこの
請求項2の基板処理装置によれば、エア供給装置の出口
側に設けられた第2の温湿度センサによって検出される
温湿度に基づいて、冷却加熱部又は加湿部を制御する。
したがって、例えばクリーンルーム内の温湿度が24
℃、40%(RH)で、処理容器内の温湿度を23℃、
45%(RH)にする場合には、エア供給装置の出口側
の温湿度を23℃、45%(RH)に設定して、必要な
冷却、加湿制御を行う。したがって従来の冷凍機を使用
しての露点温度まで減湿していた方式に比べると格段に
省エネルギが図れる。また必要な冷却、加湿制御のみを
行うので、所定の温湿度雰囲気に到達する時間が短い。
In the substrate processing apparatus according to the second aspect, the substrate is installed in a clean room having a relatively low humidity, and the substrate is processed in a processing container having a relatively high humidity, that is, a higher humidity atmosphere than the atmosphere in the clean room. An apparatus for processing, in which air in the clean room having a relatively low humidity is introduced into an attached air supply apparatus. Therefore, basically, the air supply device does not perform the dehumidification process. According to the substrate processing apparatus of the second aspect, the cooling / heating unit or the humidifying unit is controlled based on the temperature and humidity detected by the second temperature / humidity sensor provided on the outlet side of the air supply device.
Therefore, for example, if the temperature and humidity in the clean room are 24
℃, 40% (RH), the temperature and humidity in the processing vessel is 23 ℃,
In the case of 45% (RH), the temperature and humidity on the outlet side of the air supply device are set to 23 ° C. and 45% (RH), and necessary cooling and humidification control is performed. Therefore, it is possible to remarkably save energy as compared with a system in which the humidity is reduced to the dew point temperature using a conventional refrigerator. Further, since only necessary cooling and humidification control is performed, the time required to reach a predetermined temperature and humidity atmosphere is short.

【0014】もちろんこの請求項2の基板処理装置にお
いても、請求項3に記載したように、エア供給装置の入
口側にさらに第3の温湿度センサを備え、前記制御装置
を第2の温湿度センサの箇所に設定される温湿度と第3
の温湿度センサによって検出される温湿度との差に基づ
いて、前記冷却加熱部や加湿部を制御するように構成す
れば、請求項1の場合と同様、より省エネ効果が高く、
所定の温湿度への到達時間が短い制御を実施することが
できる。
Of course, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, as described in the third aspect, a third temperature / humidity sensor is further provided on the inlet side of the air supply device, and the control device is provided with the second temperature / humidity sensor. Temperature and humidity set at sensor location and 3rd
If the cooling and heating unit and the humidifying unit are configured to be controlled based on the difference between the temperature and the humidity detected by the temperature and humidity sensor, the energy saving effect is higher as in the case of claim 1,
It is possible to perform control in which the time required to reach a predetermined temperature and humidity is short.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の好ましい実施の形態について説明する。図1〜3は
本実施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観を示して
おり、図1は平面、図2は正面、図3は背面の様子を各
々示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 show the appearance of the coating and developing apparatus according to the present embodiment. FIG. 1 shows a plan view, FIG. 2 shows a front view, and FIG. 3 shows a back view.

【0016】この塗布現像処理装置1は図1に示すよう
に、例えば25枚のウエハWを収納したカセットCを外
部から塗布現像処理装置1に対して搬入出したり、カセ
ットCに対してウエハWを搬入出したりするためのカセ
ットステーション2と、ウエハWに対する所定の処理を
施す枚葉式の各種処理装置を配置してなる処理ステーシ
ョン3と、処理ステーション3と露光装置(図示せず)
の間でウエハWの受け取り、受け渡しを行うインターフ
ェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the coating and developing apparatus 1 carries a cassette C containing, for example, 25 wafers W into and out of the coating and developing apparatus 1 from outside, and transfers wafers W to and from the cassette C. Station 2 for loading and unloading wafers, processing station 3 in which various single-wafer processing apparatuses for performing predetermined processing on wafers W are arranged, processing station 3 and exposure apparatus (not shown)
And an interface unit 4 for receiving and transferring the wafer W between them.

【0017】カセットステーション2では、カセット載
置台10上の所定の位置に複数のカセットCがウエハW
の出入口を処理ステーション3側に向けてX方向(図1
中の上下方向)一列に載置自在である。そして、このカ
セット配列方向(X方向)及びカセットCに収容された
ウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に移動
可能なウエハ搬送体11が搬送路12に沿って移動自在
であり、各カセットCに選択的にアクセスできるように
なっている。
In the cassette station 2, a plurality of cassettes C are placed at predetermined positions on the cassette mounting table 10.
1 with the entrance facing the processing station 3 in the X direction (FIG. 1).
It can be placed in a line in the vertical direction. A wafer carrier 11 movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C is movable along the transfer path 12. Each cassette C can be selectively accessed.

【0018】ウエハ搬送体11はθ方向にも回転自在に
構成されており、後述する処理ステーション3側の第3
の処理装置群G3の多段ユニットに属するアライメント
装置52及びエクステンション装置53にもアクセスし
てウエハの授受が可能なように構成されている。
The wafer carrier 11 is also rotatable in the θ direction.
And it is configured to allow transfer of the wafer to access alignment device 52 and the extension unit 53 belonging to the multi-stage unit of the processing unit group G 3 in.

【0019】処理ステーション3では、その中心部にウ
エハWを保持する3本のピンセット20、21、22を
上下三段に有する主搬送装置23が配置されており、そ
の周囲にはユニットとしての各種処理装置が多段に積み
重ねられて配置された処理装置群を構成している。本実
施の形態にかかる塗布現像処理装置1においては、5つ
の処理装置群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能であ
り、第1及び第2の処理装置群G1、G2は塗布現像処理
装置1の正面側に配置されており、第3の処理装置群G
3はカセットステーション2側に配置されており、第4
の処理装置群G4はインターフェイス部4側に配置され
ている。さらに破線で示した第5の処理装置群G5が塗
布現像処理装置1の背面側に配置可能である。
In the processing station 3, a main transfer device 23 having three tweezers 20, 21, and 22 for holding a wafer W in three stages in the upper and lower stages is disposed at a central portion thereof. The processing apparatuses constitute a processing apparatus group in which the processing apparatuses are stacked and arranged in multiple stages. In the coating and developing processing apparatus 1 according to the present embodiment, five processing apparatus groups G 1 , G 2 , G 3 , G 4 and G 5 can be arranged, and the first and second processing apparatus groups G 1 , G 2 is disposed on the front side of the coating and developing apparatus 1, the third processing unit group G
3 is located on the cassette station 2 side,
Processing unit group G 4 of the are arranged in the interface unit 4 side. Further the fifth processing unit group G 5 shown by the broken line can be arranged on the rear side of the coating and developing apparatus 1.

【0020】第1の処理装置群G1では図2に示すよう
に、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う2台のスピンナ型処理装置、例えばレ
ジスト塗布装置30及び現像処理装置31が下から順に
2段に重ねられている。また第2の処理装置群G2
も、レジスト塗布装置40及び現像処理装置41が下か
ら順に2段に重ねられている。
As shown in FIG. 2 in the first processing unit group G 1, 2 single spinner type processing apparatus for performing predetermined processing by placing the wafer W on a spin chuck in a cup CP, for example, a resist coating unit 30 and The developing devices 31 are stacked in two stages from the bottom. Even the second processing unit group G 2, a resist coating unit 40 and the developing unit 41 are two-tiered from the bottom in order.

【0021】第3の処理装置群G3では図3に示すよう
に、ウエハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の処理ユニット、例えばウエハWを冷却するクーリ
ング装置50、レジストの定着性を向上させるための疎
水化処理を行うアドヒージョン処理装置51、ウエハW
の位置合わせを行うアライメント装置52、ウエハWを
待機させるエクステンション装置53、レジスト液塗布
後のウエハWを加熱処理するプリベーキング装置54、
55、現像処理後のウエハWを加熱処理するポストベー
キング装置56、57が下から順に、例えば8段に積み
重ねられている。第4の処理装置群G4では、クーリン
グ装置60、待機したウエハWを冷却するエクステンシ
ョンクーリング装置61、エクステンション装置62、
クーリング装置63、露光処理後のウエハWを加熱処理
するポストエクスポージャベーキング装置64、65、
ポストベーキング装置66、67が下から順に、例えば
8段に積み重ねられている。これらの各処理ユニットの
組み合わせ及び積層の順番は任意に設定できる。
As shown in the third processing unit group G 3 in FIG. 3, a cooling unit 50 for cooling the oven type processing units, for example, a wafer W to perform a predetermined process placed on a mounting table of the wafer W, the resist Adhesion processing device 51 for performing hydrophobic treatment for improving fixability, wafer W
An alignment device 52 for performing the alignment of the wafer W, an extension device 53 for holding the wafer W on standby, a pre-baking device 54 for heating the wafer W after applying the resist liquid,
55, post-baking apparatuses 56 and 57 for heating the wafer W after the development processing are stacked, for example, in eight stages from the bottom. In the fourth processing unit group G 4 , a cooling device 60, an extension cooling device 61 for cooling the waiting wafer W, an extension device 62,
A cooling device 63, post-exposure baking devices 64 and 65 for heating the exposed wafer W,
Post baking devices 66 and 67 are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages. The combination of these processing units and the order of lamination can be set arbitrarily.

【0022】インターフェイス部4の中央部にはウエハ
搬送体71が設けられている。ウエハ搬送体71は、前
記ウエハ搬送体11と同様に、搬送路72に沿ってのX
方向の移動とZ方向(垂直方向)への移動及びθ方向の
回転とが自在となるように構成されており、第4の処理
装置群G4に属する前記エクステンションクーリング装
置61、エクステンション装置62との間でウエハの授
受可能であり、さらにインターフェイス部4における背
面側に設けられている、ウエハの周辺部のレジスト膜を
除去する周辺露光装置73との間でウエハの授受が可能
である。
A wafer carrier 71 is provided at the center of the interface section 4. The wafer transfer body 71, like the wafer transfer body 11, has an X along the transfer path 72.
Is configured such that rotation of the moving and θ direction in the direction of movement and the Z direction (vertical direction) is freely, the extension cooling unit 61 belonging to the fourth processing unit group G 4, and the extension device 62 The wafer can be exchanged with a peripheral exposure device 73 provided on the back surface side of the interface unit 4 for removing the resist film at the peripheral portion of the wafer.

【0023】前記塗布現像処理装置1は、図2に示した
ように、通常クリーンルーム内の床面を構成するグレー
チング74上に設置されるが、このグレーチング74の
下方の床下空間に、エア供給装置81が設置されてい
る。
As shown in FIG. 2, the coating and developing treatment apparatus 1 is usually installed on a grating 74 constituting a floor in a clean room, and an air supply device is provided in an underfloor space below the grating 74. 81 are installed.

【0024】エア供給装置81は、図4、図5に示した
構成を有している。すなわち、チャンバ82内の入口8
3側から出口84側へと順に、パーティクルを捕集する
フィルタ85、フィルタ85を通過して清浄化されたエ
アに対して冷却減湿を行う冷却減湿部86、冷却減湿さ
れたエアに対して加熱処理を行う加熱部87、加熱され
たエアに対して加湿する加湿部88、そして加湿後のエ
アを出口84から、例えばレジスト塗布装置30へと供
給するための送風機89が、チャンバ82内に設けられ
ている。
The air supply device 81 has the structure shown in FIGS. That is, the inlet 8 in the chamber 82
In order from the 3 side to the outlet 84 side, a filter 85 for collecting particles, a cooling and dehumidifying section 86 for cooling and dehumidifying the air that has passed through the filter 85, and a cooling and dehumidifying air. A heating unit 87 for performing a heating process, a humidifying unit 88 for humidifying the heated air, and a blower 89 for supplying the humidified air from the outlet 84 to, for example, the resist coating device 30 are provided in the chamber 82. It is provided within.

【0025】冷却減湿部86は、図6にその詳細を示し
たように、チャンバ82内に設置されているケーシング
86a内に多数のフィン86bを有している。これらフ
ィン86bは、ケーシング86aの両側に各々取り付け
られているペルチェ素子を使用した冷却体86cと熱的
に伝導するように取り付けられている。そして冷却体8
6cの外側には、冷却体86cの放熱部を冷却するため
の水冷板86dが取り付けられている。この水冷板86
dには、例えば水道水等の冷却水が循環して冷却される
ようになっている。そして減湿制御は、ペルチェ素子の
電気的制御、例えば電源の出力制御などによって細かい
制御が可能なようになっている。
The cooling and dehumidifying section 86 has a large number of fins 86b in a casing 86a installed in the chamber 82, as shown in detail in FIG. These fins 86b are attached so as to thermally conduct with a cooling body 86c using a Peltier element attached to both sides of the casing 86a. And cooling body 8
A water cooling plate 86d for cooling the heat radiating portion of the cooling body 86c is attached to the outside of 6c. This water cooling plate 86
Cooling water such as tap water is circulated and cooled in d. In the dehumidification control, fine control can be performed by electrical control of the Peltier element, for example, output control of a power supply.

【0026】加熱部87は、電気ヒータを使用したもの
である。また加湿部88は、電気ヒータによって純水を
加熱蒸発させる形式のものが使用されている。加湿部8
7、加熱部88とも、例えば電源の出力制御など電気的
制御によって細かい調整が可能である。
The heating section 87 uses an electric heater. The humidifying section 88 is of a type in which pure water is heated and evaporated by an electric heater. Humidifier 8
7. Both the heating unit 88 and the heating unit 88 can be finely adjusted by electrical control such as output control of a power supply.

【0027】そして例えばレジスト塗布装置30のカッ
プCPの近傍には、該カップCP内の温湿度を検出する
第1の温湿度センサ91が設けられている。またエア供
給装置81の出口84には、出口を通過するエアの温湿
度を検出する第2の温湿度センサ92が設けられ、エア
供給装置81の入口83の下流側のフィルタ85の下流
側には、入口を通過したエアの温湿度を検出する第3の
温湿度センサ93が設けられている。これら各第2の温
湿度センサ92、第3の温湿度センサ93によって検出
した温湿度は制御装置94へと送られる。また第1の温
湿度センサ9からの温湿度信号は、一旦塗布現像処理装
置1本体の制御装置99へと送られ、必要に応じて、該
制御装置99は、エア供給装置81側の前記制御装置9
4へとフィードバック制御信号を出力するようになって
いる。なお出口84から出たエアは、ダクト95を通じ
てレジスト塗布装置30のカップCPへと供給され、ま
たレジスト塗布装置30内の雰囲気は、排気ダクト96
を通じて、例えば工場集中排気系(図示せず)へと排気
される。
For example, a first temperature / humidity sensor 91 for detecting the temperature / humidity in the cup CP is provided near the cup CP of the resist coating device 30. At the outlet 84 of the air supply device 81, a second temperature / humidity sensor 92 for detecting the temperature and humidity of the air passing through the outlet is provided, and a second temperature sensor 92 is provided downstream of the filter 85 downstream of the inlet 83 of the air supply device 81. Is provided with a third temperature / humidity sensor 93 for detecting the temperature / humidity of the air passing through the entrance. The temperature and humidity detected by the second temperature and humidity sensor 92 and the third temperature and humidity sensor 93 are sent to the control device 94. The temperature / humidity signal from the first temperature / humidity sensor 9 is once sent to a control device 99 of the main body of the coating and developing treatment device 1, and, if necessary, the control device 99 controls the air supply device 81. Device 9
4 to output a feedback control signal. The air exiting from the outlet 84 is supplied to the cup CP of the resist coating device 30 through a duct 95, and the atmosphere in the resist coating device 30 is changed to an exhaust duct 96.
Through the exhaust gas, for example, to a factory centralized exhaust system (not shown).

【0028】前記制御装置94は、第2の温湿度センサ
92の箇所に設定した目標温湿度と第3の温湿度センサ
によって検出したエア供給装置81に導入される温湿度
との差に基づいて、冷却減湿部86、加熱部87及び加
湿部88を制御するように構成されている。また前記制
御装置94は、制御装置99からの信号によっても冷却
減湿部86、加熱部87及び加湿部88を制御するよう
に構成されている。もちろん前記第2の温湿度センサ9
2、第3の温湿度センサ93によって検出された温湿度
信号は、常時制御装置94へと送られる。また第1の温
湿度センサ91からの温湿度信号も必要に応じて、ある
いは常時制御装置94へと直接送るように構成してもよ
い。
The controller 94 is based on the difference between the target temperature and humidity set at the second temperature and humidity sensor 92 and the temperature and humidity introduced into the air supply device 81 detected by the third temperature and humidity sensor. , The cooling and dehumidifying unit 86, the heating unit 87, and the humidifying unit 88. The control device 94 is configured to control the cooling and dehumidifying unit 86, the heating unit 87, and the humidifying unit 88 also by a signal from the control device 99. Of course, the second temperature / humidity sensor 9
2. The temperature / humidity signal detected by the third temperature / humidity sensor 93 is sent to the control device 94 at all times. Further, the temperature / humidity signal from the first temperature / humidity sensor 91 may be directly transmitted to the control device 94 as needed or constantly.

【0029】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置1
は以上のように構成されており、次にその作用等につい
て説明すると、まずカセットステーション2において、
カセット載置台10上のカセットCに収納されている未
処理のウエハWは、まずウエハ搬送体11によって取り
出され、第3の処理装置群G3に属するアライメント装
置52に搬入される。所定のアライメントが終了したウ
エハWは、主搬送装置23によって取り出されてアドヒ
ージョン処理装置51に搬入され、そこで疎水化処理さ
れた後、今度は第3の処理装置群G4に属するクーリン
グ装置50へと搬送され、所定温度にまで冷却される。
その後該ウエハWは、第1の処理装置群G1に属するレ
ジスト塗布装置30に搬送され、スピンコート方式によ
って表面に所定の膜厚のレジスト膜が形成される。
The coating and developing apparatus 1 according to the present embodiment
Is configured as described above. Next, the operation and the like will be described. First, in the cassette station 2,
Unprocessed wafer W housed in the cassette C on the cassette mounting table 10 is first taken out by the wafer transfer body 11 is carried into the alignment device 52 included in the third processing unit group G 3. Wafer W which predetermined alignment has been completed is taken out by the main carrier unit 23 is carried into the adhesion processing unit 51, where it is hydrophobized, turn to the cooling unit 50 included in the third processing unit group G 4 And cooled to a predetermined temperature.
Then the wafer W is transferred to the resist coating unit 30 belonging to the first processing unit group G 1, a resist film of predetermined thickness on the surface by a spin coating method is formed.

【0030】ところでレジスト膜の膜厚は、温湿度に対
して敏感であるから、カップCP内の温度雰囲気は所定
の温湿度となるように厳格に制御される必要がある。こ
の点、本実施の形態においては、エア供給装置81か
ら、所定の温湿度に制御されたエアが供給されているの
で、所望の膜厚のレジスト膜を形成することができる。
Since the thickness of the resist film is sensitive to temperature and humidity, the temperature atmosphere in the cup CP must be strictly controlled so as to have a predetermined temperature and humidity. In this regard, in the present embodiment, since air controlled at a predetermined temperature and humidity is supplied from the air supply device 81, a resist film having a desired film thickness can be formed.

【0031】しかもこのエア供給装置81での温湿度の
制御は、既述したように、第2の温湿度センサ92によ
って検出した温湿度、すなわちエア供給装置81の出口
84に設定したエアの温湿度と、第3の温湿度センサに
よって検出した温湿度、すなわちエア供給装置81に導
入される温湿度との差に基づいて行われるから、省エネ
効果の高い制御が実施されている。
As described above, the temperature and humidity of the air supply device 81 are controlled by the temperature and humidity detected by the second temperature and humidity sensor 92, that is, the temperature of the air set at the outlet 84 of the air supply device 81. Since the control is performed based on the difference between the humidity and the temperature and humidity detected by the third temperature and humidity sensor, that is, the temperature and humidity introduced into the air supply device 81, control with high energy saving effect is performed.

【0032】すなわち、カップCP内の温湿度を23
℃、45%(RH)にする場合には、第2の温湿度セン
サ92で検出される値が23℃、45%(RH)となる
ように目標設定し必要な制御を行うが、この場合の冷却
減湿部96、加熱部87及び加湿部88の制御は、エア
供給装置81の入口側との差に基づいて制御される。す
なわち、例えばエア供給装置の入口側から導入されるエ
アが、24℃、50%(RH)の場合には、結果的に1
℃の冷却、5%の減湿処理を行うのであるが、冷却減湿
部はペルチェ素子を用いて冷却減湿を行うようになって
いるから、従来の冷凍機のように露点温度まで下げる必
要はなく、目標値に必要な水分量にまで減湿処理を行う
ことが可能である。したがって必要最小限のエネルギで
済む。
That is, the temperature and humidity in the cup CP are set to 23
When the temperature and the temperature are set to 45 ° C. and 45% (RH), necessary control is performed by setting a target so that the value detected by the second temperature and humidity sensor 92 becomes 23 ° C. and 45% (RH). The control of the cooling and dehumidifying unit 96, the heating unit 87, and the humidifying unit 88 is controlled based on the difference from the inlet side of the air supply device 81. That is, for example, when the air introduced from the inlet side of the air supply device is at 24 ° C. and 50% (RH), 1
Cooling and dehumidification of 5% are performed by cooling at 5 ° C. Since the cooling and dehumidifying unit uses a Peltier element to cool and dehumidify, it is necessary to lower the temperature to the dew point as in the conventional refrigerator. However, it is possible to perform the dehumidification process to the moisture amount required for the target value. Therefore, only the minimum necessary energy is required.

【0033】そして例えば湿度について着目してみて
も、従来のように一旦露点温度近傍まで冷却減湿処理を
行うのではなく、エア供給装置81の入口側と出口側の
差に基づいて行う制御であるから、従来よりも所定の目
標値に到達する時間が短く、いわゆる「立ち上がり」が
速くなっている。装置全体をみても、従来のような冷凍
機を用いていないので、コンパクト化が可能であり、設
置スペースの節約を図ることが可能である。
For example, if attention is paid to humidity, instead of performing the cooling and dehumidifying process to the vicinity of the dew point temperature as in the related art, the control is performed based on the difference between the inlet side and the outlet side of the air supply device 81. Therefore, the time required to reach a predetermined target value is shorter than that of the related art, and so-called “rise” is faster. Even if the entire apparatus is viewed, since a conventional refrigerator is not used, the apparatus can be made compact and the installation space can be saved.

【0034】ところで、レイアウトの関係上エア供給装
置81とレジスト塗布装置30とが離れて設置され、出
口84を出た温湿度処理済みのエアがダクト95を流れ
ている途中で温度が変化するなどして、結果的にカップ
CP内の温湿度が所定の値にならない場合も考えられ
る。このことは、第1の温度センサ91が常時カップC
P内の温湿度を検出して制御装置99に送っているので
その確認ができる。またそのように差が生じた場合に、
適宜の報知信号を外部に出力するようにしてもよい。い
ずれにしろ、かかる場合には、第2の温度センサ92の
ところで、設定目標値をオフセットして、カップCP内
の温湿度が所定の値となるように、設定し直せばよい。
かかる制御については、制御装置99によって自動的に
行われるように構成してもよい。もちろん前記した制御
装置99の機能を全て制御装置94で担うように構成し
てもよい。
By the way, due to the layout, the air supply device 81 and the resist coating device 30 are installed separately from each other, and the temperature of the air subjected to the temperature and humidity treatment that has exited the outlet 84 changes in the course of flowing through the duct 95. Then, as a result, the temperature and humidity in the cup CP may not reach a predetermined value. This means that the first temperature sensor 91 always has the cup C
Since the temperature and humidity in P are detected and sent to the control device 99, it can be confirmed. Also, if such a difference occurs,
An appropriate notification signal may be output to the outside. In any case, in such a case, the set target value may be offset at the second temperature sensor 92 and reset so that the temperature and humidity in the cup CP become a predetermined value.
The control may be performed automatically by the control device 99. Of course, the control device 94 may be configured so that all the functions of the control device 99 are performed by the control device 94.

【0035】前記エア供給装置81は、導入したエアに
対して冷却減湿、加熱及び加湿の各処理を行うものであ
ったが、導入するエアよりも高い湿度の下でレジスト塗
布処理などの基板処理を実施する場合には、図7、図8
に示したエア供給装置101を用いてもよい。すなわち
減湿処理が不要な条件の下では、より簡素化された前記
エア供給装置101を用いることで、なお一層の省エ
ネ、省スペース化を図ることができる。
The air supply device 81 performs cooling, dehumidification, heating, and humidification on the introduced air. However, the substrate such as a resist coating process is performed under a higher humidity than the introduced air. When performing the processing, FIGS. 7 and 8
May be used. That is, under the condition that the dehumidification process is not required, further energy saving and space saving can be achieved by using the simplified air supply device 101.

【0036】図7、図8に示したエア供給装置101
は、チャンバ102内の入口103側から出口104側
へと順に、パーティクルを捕集するフィルタ105、こ
のフィルタ105を通過して清浄化されたエアに対して
冷却/加熱を行う冷却加熱部106、冷却又は加熱され
たエアに対して加湿する加湿部107、そして加湿後の
エアを出口104から、例えばレジスト塗布装置30へ
と供給するためのDCファンなどの送風機108が、チ
ャンバ102内に設けられている。
The air supply device 101 shown in FIGS.
Is a filter 105 for collecting particles in order from the inlet 103 side to the outlet 104 side in the chamber 102, a cooling / heating unit 106 for cooling / heating the air that has been cleaned through the filter 105, A humidifying unit 107 for humidifying the cooled or heated air, and a blower 108 such as a DC fan for supplying the humidified air from the outlet 104 to, for example, the resist coating device 30 are provided in the chamber 102. ing.

【0037】冷却加熱部106は冷却部106aと加熱
部106bとからなり、冷却部106aは、前出冷却減
湿部86と同様、ペルチェ素子を利用した構成を有して
いる。加熱部106bは、給電によって発熱する電気ヒ
ータを使用している。
The cooling and heating unit 106 includes a cooling unit 106a and a heating unit 106b. The cooling unit 106a has a configuration using a Peltier element, like the cooling and dehumidifying unit 86 described above. The heating unit 106b uses an electric heater that generates heat by power supply.

【0038】このエア供給装置101を使用する場合、
温湿度センサは、例えばレジスト塗布装置30のカップ
CPの近傍に、該カップCP内の温湿度を検出する第1
の温湿度センサ111が設けられ、エア供給装置101
の出口104に、出口を通過するエアの温湿度を検出す
る第2の温湿度センサ112が設けられる。第1の温湿
度センサ111によって検出した温湿度、第2の温湿度
センサ112によって検出した温湿度は各々制御装置1
13へと送られる。なお出口104から出たエアは、ダ
クト115を通じてレジスト塗布装置30のカップCP
へと供給され、またレジスト塗布装置30内の雰囲気
は、排気ダクト116を通じて、工場集中排気系(図示
せず)へと排気される。
When this air supply device 101 is used,
The temperature / humidity sensor detects a temperature / humidity inside the cup CP, for example, near the cup CP of the resist coating device 30.
Of the air supply device 101
Is provided with a second temperature / humidity sensor 112 for detecting the temperature / humidity of the air passing through the outlet. The temperature and humidity detected by the first temperature and humidity sensor 111 and the temperature and humidity detected by the second temperature and humidity sensor 112 are respectively determined by the controller 1
It is sent to 13. The air that has exited from the outlet 104 passes through the duct 115 through the cup CP of the resist coating device 30.
And the atmosphere in the resist coating apparatus 30 is exhausted through an exhaust duct 116 to a factory centralized exhaust system (not shown).

【0039】前記制御装置113は、第2の温湿度セン
サ112によって検出されるエア供給装置101の出口
104からのエアの温湿度が、設定した目標温湿度とな
るようにフィードバック制御で冷却加熱部106、加湿
部107を制御するように構成されている。もちろん第
1の温湿度センサ111、第2の温湿度センサ112か
らの温湿度信号は、常時制御装置113へと送られる。
The controller 113 controls the cooling and heating unit by feedback control so that the temperature and humidity of the air from the outlet 104 of the air supply device 101 detected by the second temperature and humidity sensor 112 become the set target temperature and humidity. The humidifying unit 106 is controlled. Of course, the temperature / humidity signals from the first temperature / humidity sensor 111 and the second temperature / humidity sensor 112 are always sent to the control device 113.

【0040】かかる構成のエア供給装置101によれ
ば、前提としてカップCP内の湿度は、入口103から
導入されるエアよりも湿度が高いから元々減湿処理自体
は不要である。そしてこのエア供給装置101によれ
ば、冷却加熱部106における冷却部106aが、ペル
チェ素子を利用した冷却方式であるから、必要最小限の
冷却が実施でき、従来の冷凍機を使用していた場合より
も、省エネルギ効果が高く、また目標温湿度にまで達す
る時間が短い。もちろん装置全体もコンパクト化でき
る。
According to the air supply apparatus 101 having such a configuration, since the humidity in the cup CP is higher than the air introduced from the inlet 103, the dehumidification process itself is not necessary. According to the air supply device 101, since the cooling unit 106a in the cooling and heating unit 106 is a cooling method using a Peltier element, it is possible to perform the minimum necessary cooling and use a conventional refrigerator. The energy saving effect is higher than that of the first embodiment, and the time to reach the target temperature and humidity is shorter. Of course, the entire device can be made compact.

【0041】なおこのエア供給装置101を使用する場
合でも、前記エア供給装置81の場合と同様に、エア供
給装置101の入口103側に第3の温湿度センサを設
置し、前記エア供給装置81の場合と同様に、第2の温
湿度センサ112の箇所に設定される温湿度との差に基
づいて、制御装置113が冷却加熱部106、加湿部1
07を制御するように構成してもよい。またさらに、前
記エア供給装置81の場合と同様に、第1の温湿度セン
サ111からの信号を一旦、塗布現像処理装置1側の制
御装置へと送るようにし、当該塗布現像処理装置1側の
制御装置が最終目標値、すなわちカップCP内の目標温
湿度との差を検出した場合に、制御装置113に必要な
制御信号を出力するように構成してもよい。
When the air supply device 101 is used, a third temperature / humidity sensor is installed on the inlet 103 side of the air supply device 101, as in the case of the air supply device 81. As in the case of (1), the control device 113 controls the cooling and heating unit 106 and the humidifying unit 1 based on the difference from the temperature and humidity set at the location of the second temperature and humidity sensor 112.
07 may be configured to be controlled. Further, similarly to the case of the air supply device 81, the signal from the first temperature / humidity sensor 111 is once sent to the control device of the coating and developing processing device 1 so that the signal of the coating and developing processing device 1 is When the control device detects the difference from the final target value, that is, the target temperature and humidity in the cup CP, the control device 113 may be configured to output a necessary control signal.

【0042】前記実施の形態は、塗布現像処理装置にお
けるレジスト塗布装置にエアを供給する場合に即して説
明したが、これに限らず所定の温湿度制御を伴う他の処
理、例えば現像装置に対してエアを供給する場合にもも
ちろん適用がある。また基板にはウエハを使用した例を
挙げて説明したが、本発明はかかる例には限定されず、
例えばLCD基板や他の基板にも応用することが可能で
ある。
Although the above embodiment has been described in connection with the case where air is supplied to the resist coating device in the coating and developing processing device, the present invention is not limited to this. Of course, there is an application when supplying air. In addition, although an example using a wafer as the substrate has been described, the present invention is not limited to such an example.
For example, it can be applied to an LCD substrate or another substrate.

【0043】[0043]

【発明の効果】請求項1〜3の基板処理装置によれば、
従来の冷凍機を使用しての減湿冷却を行う方式のものと
比べて、省エネルギ効果が高く、しかも処理容器内を所
定の温湿度に到達させるまでの時間が短い。その上、従
来よりも装置をコンパクトにかることが可能であり、省
スペース効果も高いものである。そして地球環境にとっ
ても好ましい。
According to the substrate processing apparatus of claims 1 to 3,
Compared with the conventional system of performing dehumidification cooling using a refrigerator, the energy saving effect is high, and the time until the inside of the processing container reaches a predetermined temperature and humidity is short. In addition, the apparatus can be made more compact than before, and the space saving effect is high. It is also favorable for the global environment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置
の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の塗布現像処理装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図3】図1の塗布現像処理装置の背面図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図4】図1の塗布現像処理装置に用いたエア供給装置
の断面を模式的に示した説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing a cross section of an air supply device used in the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図5】図5のエア供給装置の構成を示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a configuration of the air supply device of FIG. 5;

【図6】図5のエア供給装置に用いた冷却減湿部の斜視
図である。
FIG. 6 is a perspective view of a cooling and dehumidifying unit used in the air supply device of FIG.

【図7】他のエア供給装置の断面を模式的に示した説明
図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram schematically showing a cross section of another air supply device.

【図8】図7のエア供給装置の構成を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a configuration of the air supply device of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 30、40 レジスト塗布装置 81 エア供給装置 83 入口 84 出口 86 冷却減湿部 87 加熱部 88 加湿部 89 送風機 91 第1の温湿度センサ 92 第2の温湿度センサ 93 第3の温湿度センサ 94 制御装置 CP カップ W ウエハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing device 30, 40 resist coating device 81 air supply device 83 inlet 84 outlet 86 cooling / dehumidifying unit 87 heating unit 88 humidifying unit 89 blower 91 first temperature / humidity sensor 92 second temperature / humidity sensor 93 third Temperature / humidity sensor 94 Controller CP Cup W Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 陣内 信幸 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Fターム(参考) 2H096 AA25 CA14 CA20 GA29 GA60 5F046 CD01 CD06 JA07 JA22 JA24 JA27 LA01 LA13 LA18 LA19 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Nobuyuki Jinnai 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto Office F-term (reference) LA01 LA13 LA18 LA19

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理容器内で基板を処理する装置であっ
て、該処理容器にエアを供給するためのエア供給装置
と、前記処理容器内の温湿度を検出する第1の温湿度セ
ンサと、前記エア供給装置の出口側に設けられた第2の
温湿度センサと、前記エア供給装置の入口側に設けられ
た第3の温湿度センサと、前記入口側から導入されたエ
アに対してペルチェ素子を用いて冷却減湿を行う冷却減
湿部と、冷却減湿部で冷却減湿されたエアに対して加熱
を行う加熱部と、前記加熱部で加熱されたエアに対して
加湿する加湿部と、前記加湿部で加湿されたエアを前記
処理容器に送風するための送風機と、前記各冷却減湿
部、加熱部及び加湿部を制御する制御装置とを備え、前
記制御装置は、第2の温湿度センサの箇所に設定した温
湿度と第3の温湿度センサによって検出される温湿度と
の差に基づいて、少なくとも前記冷却減湿部、加熱部又
は加湿部を制御するように構成されていることを特徴と
する、基板処理装置。
1. An apparatus for processing a substrate in a processing container, comprising: an air supply device for supplying air to the processing container; and a first temperature and humidity sensor for detecting temperature and humidity in the processing container. A second temperature / humidity sensor provided on an outlet side of the air supply device, a third temperature / humidity sensor provided on an inlet side of the air supply device, and an air introduced from the inlet side. A cooling and dehumidifying unit that performs cooling and dehumidifying using a Peltier element, a heating unit that heats the air that has been cooled and dehumidified by the cooling and dehumidifying unit, and humidifies the air that is heated by the heating unit A humidifying unit, a blower for blowing air humidified by the humidifying unit to the processing container, and a control device for controlling each of the cooling and dehumidifying units, a heating unit and a humidifying unit, and the control device includes: The temperature and humidity set at the location of the second temperature and humidity sensor and the third temperature and humidity sensor A substrate processing apparatus configured to control at least the cooling and dehumidifying unit, the heating unit, or the humidifying unit based on a difference between the temperature and the humidity detected by the cooling unit.
【請求項2】 処理容器内で基板に対して所定の処理を
行う装置であって、相対的に低湿度のクリーンルーム内
に設置されると共に、相対的に高湿度の処理容器内で基
板を処理する装置として構成され、前記処理容器にエア
を供給するためのエア供給装置と、前記処理容器内の温
湿度を検出する第1の温湿度センサと、エア供給装置の
出口側に設けられた第2の温湿度センサと、エア供給装
置の入口側から導入された前記クリーンルーム内のエア
に対して冷却及び加熱を行う冷却加熱部と、前記冷却加
熱部で冷却又は加熱されたエアに対して加湿を行う加湿
部と、前記加湿部で加湿されたエアを前記処理容器に送
風するための送風機と、前記冷却加熱部び加湿部を制御
する制御装置とを備え、前記制御装置は、第2の温湿度
センサによって検出される温湿度に基づいて、少なくと
も前記冷却加熱部又は加湿部を制御するように構成され
ていることを特徴とする、基板処理装置。
2. An apparatus for performing a predetermined process on a substrate in a processing container, wherein the device is installed in a relatively low humidity clean room and processes the substrate in a relatively high humidity processing container. An air supply device for supplying air to the processing container, a first temperature and humidity sensor for detecting the temperature and humidity in the processing container, and a second air supply device provided at an outlet side of the air supply device. 2, a cooling / heating unit for cooling and heating the air in the clean room introduced from the inlet side of the air supply device, and humidifying the air cooled or heated by the cooling / heating unit. A humidifying unit for performing the following, a blower for blowing the air humidified by the humidifying unit to the processing container, and a control device for controlling the cooling and heating unit and the humidifying unit, the control device, the second Detected by temperature and humidity sensor A substrate processing apparatus configured to control at least the cooling / heating unit or the humidifying unit based on the temperature and humidity to be performed.
【請求項3】 エア供給装置の入口側に第3の温湿度セ
ンサを備え、前記制御装置は、第2の温湿度センサの箇
所に設定した温湿度と第3の温湿度センサによって検出
される温湿度との差に基づいて、少なくとも前記冷却加
熱部又は加湿部を制御するように構成されていることを
特徴とする、請求項2に記載の基板処理装置。
3. A third temperature / humidity sensor is provided on the inlet side of the air supply device, and the control device detects the temperature / humidity set at the location of the second temperature / humidity sensor and the third temperature / humidity sensor. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein at least the cooling / heating unit or the humidifying unit is controlled based on a difference between the temperature and the humidity. 4.
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