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JP2000149788A - Manufacture of vacuum airtight container - Google Patents

Manufacture of vacuum airtight container

Info

Publication number
JP2000149788A
JP2000149788A JP10321623A JP32162398A JP2000149788A JP 2000149788 A JP2000149788 A JP 2000149788A JP 10321623 A JP10321623 A JP 10321623A JP 32162398 A JP32162398 A JP 32162398A JP 2000149788 A JP2000149788 A JP 2000149788A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
vacuum
getter
attached
getter box
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10321623A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Ito
茂生 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Futaba Corp filed Critical Futaba Corp
Priority to JP10321623A priority Critical patent/JP2000149788A/en
Publication of JP2000149788A publication Critical patent/JP2000149788A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a vacuum airtight container by which residual gases are sufficiently exhausted and a getter is stored therein for maintaining high vacuum. SOLUTION: A getter box 3 is provided for partially convering an outer surface of a cathode substrate 2 and a projecting portion of an anode substrate 1. A getter housing chamber for housing a getter 5 therein is provided between the getter box 3 and an under surface of the cathode substrate 2. The getter box 3 is sealingly attached to the cathode substrate 2 with a first frit seal 4 while the getter box 3 and cathode substrate 2 are sealingly attached to the anode substrate 1 with second frit seals 6. As a first seal material for the first frit seal 4, a material is used having a working temperature higher than that of a second seal material for the second frit seal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、内部を真空に保持
する真空気密容器に関するものである。特に、電界放出
素子等の冷陰極を内蔵する真空気密容器に適用して好適
なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum hermetic container for keeping the inside of a vacuum chamber. In particular, the present invention is suitably applied to a vacuum hermetic container containing a cold cathode such as a field emission device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ガラス等の真空気密容器に冷陰極
を内蔵しミクロンサイズの真空微細構造を集積した真空
マイクロエレクトロニクスが注目を集めている。この真
空マイクロエレクトロニクスの応用として、能動素子、
磁気等を検出する各種センサ、撮像管やリソグラフィー
用電子ビーム装置、薄型フラットパネル表示装置などに
用いる冷陰極内蔵真空気密容器が研究開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, vacuum microelectronics in which a cold cathode is built in a vacuum hermetic container such as glass and a microscopic vacuum microstructure is integrated has attracted attention. Applications of this vacuum microelectronics include active devices,
Various sensors for detecting magnetism and the like, vacuum airtight containers with built-in cold cathodes used for imaging tubes, electron beam devices for lithography, thin flat panel display devices, and the like have been researched and developed.

【0003】薄型フラットパネル表示装置では、1つの
画素に複数の微小冷陰極を対応させており、この微小冷
陰極としては、電界放出素子、MIM型電子放出素子、
表面伝導型電子放出素子、PN接合型電子放出素子など
を用いた各種のものが提案されている。これらのうち、
最も代表的なものは、日経エレクトロニクス,No.6
54(1996.1.29)p.89−98で知られて
いるような、電界放出素子を用いたものである。その一
例として、カソード基板のカソード電極上にコーン状の
エミッタが形成されたスピント(Spindt)型の電界放出
素子が知られている。電界放出素子を用いた表示装置
は、フィールド・エミッション・ディスプレイ(FE
D:Field Emission Display)と呼ばれている。
In a thin flat panel display device, a plurality of micro cold cathodes correspond to one pixel, and the micro cold cathodes include a field emission device, an MIM type electron emission device,
Various devices using a surface conduction electron-emitting device, a PN junction electron-emitting device, and the like have been proposed. Of these,
The most typical one is Nikkei Electronics, No. 6
54 (1996.1.29) p. This uses a field emission device as known from No. 89-98. As one example, a Spindt-type field emission device in which a cone-shaped emitter is formed on a cathode electrode of a cathode substrate is known. A display device using a field emission device is a field emission display (FE).
D: Field Emission Display).

【0004】図8は、従来の電界放出素子を用いた表示
装置の外観図である。図中、71はアノード基板、72
はカソード基板、73はゲッターボックス、74はフリ
ットシール、75はチップカットされた排気管である。
アノード基板71には、ガラス基板上に、アノード電極
や蛍光体層がすでに形成されている。カソード基板72
は、ガラス基板上に、カソード電極、ゲート電極、電界
放出エミッタ等がすでに形成されている。アノード基板
71とカソード基板72とは、約200μm〜500μ
mの微少間隙をおいて、かつ、平行にずらされて対向し
ている。カソード基板72の左辺端部には、カソード基
板72の上面およびアノード基板71のはみ出し部分を
部分的に覆うようにゲッターボックス73が設けられて
いる。ゲッターボックス73内には、排気工程後の管内
残留ガスを吸着させ高真空を維持するためのゲッターが
収納されている。アノード基板71、カソード基板7
2、および、ゲッターボックス73は、フリットシール
74により封着されている。アノード基板71およびカ
ソード基板72の内面側であって、露出した端部には、
電極端子が設けられている。ゲッターボックス73から
は、チップカットされた排気管75が突き出ている。
FIG. 8 is an external view of a display device using a conventional field emission device. In the figure, 71 is an anode substrate, 72
Is a cathode substrate, 73 is a getter box, 74 is a frit seal, and 75 is a chip-cut exhaust pipe.
On the anode substrate 71, an anode electrode and a phosphor layer are already formed on a glass substrate. Cathode substrate 72
In this method, a cathode electrode, a gate electrode, a field emission emitter and the like are already formed on a glass substrate. The anode substrate 71 and the cathode substrate 72 are approximately 200 μm to 500 μm.
They are opposed to each other with a small gap of m and shifted in parallel. A getter box 73 is provided at the left edge of the cathode substrate 72 so as to partially cover the upper surface of the cathode substrate 72 and the protruding portion of the anode substrate 71. The getter box 73 accommodates a getter for adsorbing residual gas in the tube after the evacuation process and maintaining a high vacuum. Anode substrate 71, cathode substrate 7
2 and the getter box 73 are sealed with a frit seal 74. On the inner surface side of the anode substrate 71 and the cathode substrate 72 and at the exposed ends,
An electrode terminal is provided. A tip-cut exhaust pipe 75 protrudes from the getter box 73.

【0005】従来のFEDの製造方法では、フリットシ
ール74により封着後、ベーキング排気時に、排気管を
通して真空ポンプでガスを引き抜くことによって、内部
を真空状態にする。しかし、アノード基板71とカソー
ド基板72との間隙が非常に狭いため、気体のコンダク
タンスが悪い。その結果、内部の壁面等に付着した残留
ガスの排気を短時間では十分に行えないという問題があ
った。
In a conventional method of manufacturing an FED, the interior is evacuated by drawing out gas with a vacuum pump through an exhaust pipe at the time of baking exhaust after sealing with a frit seal 74. However, since the gap between the anode substrate 71 and the cathode substrate 72 is very narrow, gas conductance is poor. As a result, there is a problem that it is not possible to sufficiently exhaust the residual gas attached to the inner wall surface or the like in a short time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、排気管を用いた
脱ガスに比べて、残留ガスの排気を十分に行えるととも
に、高真空を維持するためのゲッターを収納できる真空
気密容器の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to sufficiently exhaust residual gas as compared with degassing using an exhaust pipe and to achieve high vacuum. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a vacuum-tight container capable of storing a getter for maintaining the pressure.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
おいては、第1の基板、該第1の基板に対し間隙を隔て
て設けられる第2の基板、および、該第2の基板の外面
との間にゲッター収納室を形成するゲッターボックスを
有し、前記第1,第2の基板、および前記ゲッターボッ
クスがフリットシールにより封着された真空気密容器の
製造方法であって、前記ゲッターボックスを前記第2の
基板に第1のフリットシール材により付着し、真空チャ
ンバー内に、前記第1の基板、および、前記ゲッターボ
ックスが付着された前記第2の基板を収容し、前記第1
の基板、および、前記ゲッターボックスが付着された前
記第2の基板を、真空ベーキング脱ガス処理に十分なコ
ンダクタンスを持てる程度に離間させた状態でベーキン
グおよび排気を行い、前記第1の基板、および、前記ゲ
ッターボックスが付着された前記第2の基板を、前記第
1のフリットシール材よりも作業温度が低い第2のフリ
ットシール材により、封着するものである。したがっ
て、製造時に残留ガスの排気を十分に行えるとともに、
ゲッターにより高真空を維持することができる真空気密
容器を製造することができる。また、完全なチップレス
構造であるため、突き出し部分がなく、全体形状を小さ
くすることができる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a first substrate, a second substrate provided with a gap from the first substrate, and a second substrate. A method for manufacturing a vacuum-tight container having a getter box forming a getter storage chamber between the getter box and an outer surface, wherein the first and second substrates and the getter box are sealed by a frit seal. A box is attached to the second substrate with a first frit sealing material, and the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are housed in a vacuum chamber,
The substrate and the second substrate to which the getter box is attached are baked and evacuated while keeping the conductance sufficient for vacuum baking degassing to perform the first substrate, and The second substrate to which the getter box is attached is sealed with a second frit seal material having a lower working temperature than the first frit seal material. Therefore, the residual gas can be exhausted sufficiently during manufacturing,
A vacuum-tight container capable of maintaining a high vacuum by the getter can be manufactured. In addition, since it has a complete chipless structure, there is no protruding portion, and the overall shape can be reduced.

【0008】請求項2に記載の発明においては、請求項
1に記載の真空気密容器の製造方法において、前記真空
チャンバー外において、前記第1の基板、および、前記
ゲッターボックスが付着された前記第2の基板を、前記
真空チャンバーに収容する前に、水平方向に位置合わせ
をした上で、前記第1の基板、および、前記ゲッターボ
ックスが付着された前記第2の基板に、それぞれ、第
1,第2の基準部を加工形成し、前記真空チャンバー内
においては、位置合わせ治具を用いて前記第1,第2の
基準部を水平方向に位置規制することにより、前記第1
の基板、および、前記ゲッターボックスが付着された前
記第2の基板を水平方向に位置合わせするものである。
したがって、限られた空間であって、かつ、外部から自
由に操作することができない真空チャンバー内におい
て、第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着
された前記第2の基板を高精度に位置決めした上で封着
することができる。
According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the first aspect, the first substrate and the getter box to which the getter box is attached are provided outside the vacuum chamber. Before accommodating the second substrate in the vacuum chamber, the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are respectively aligned with the first substrate after being aligned in the horizontal direction. , A second reference portion is processed and formed, and in the vacuum chamber, the first and second reference portions are horizontally regulated by using a positioning jig, so that the first and second reference portions are controlled.
And the second substrate to which the getter box is attached is aligned in the horizontal direction.
Therefore, the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are positioned with high precision in a limited space and in a vacuum chamber that cannot be freely operated from the outside. After sealing, it can be sealed.

【0009】請求項3に記載の発明においては、請求項
1に記載の真空気密容器の製造方法において、それぞれ
第1,第2の基準部が形成され、前記第1,第2の基板
を水平方向に移動および固定させる第1,第2の固定治
具を用い、前記真空チャンバーに収容する前に、前記第
1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着された
前記第2の基板を、それぞれ、前記第1,第2の固定治
具に装着させた状態で移動させることにより位置合わせ
を行い、前記第1,第2の固定治具に固定し、前記真空
チャンバー内において、位置合わせ治具を用いて前記第
1,第2の基準部を水平方向に位置規制することによ
り、前記第1の基板、および、前記ゲッターボックスが
付着された前記第2の基板を位置合わせするものであ
る。したがって、限られた空間であって、かつ、外部か
ら自由に操作することができない真空チャンバー内にお
いて、第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付
着された前記第2の基板を高精度に位置決めした上で封
着することができる。また、第1の基板、および、前記
ゲッターボックスが付着された前記第2の基板に対し、
位置合わせの基準部を加工形成する必要がない。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a vacuum hermetic container according to the first aspect, first and second reference portions are formed, respectively, and the first and second substrates are horizontally moved. Using the first and second fixing jigs for moving and fixing in the directions, before being accommodated in the vacuum chamber, the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached, respectively. The positioning is performed by moving the apparatus while being mounted on the first and second fixing jigs, and is fixed to the first and second fixing jigs. The position of the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are aligned by restricting the positions of the first and second reference portions in the horizontal direction by using. Therefore, the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are positioned with high precision in a limited space and in a vacuum chamber that cannot be freely operated from the outside. After sealing, it can be sealed. Further, for the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached,
There is no need to process and form the alignment reference part.

【0010】請求項4に記載の発明においては、請求項
1に記載の真空気密容器の製造方法において、前記第1
の基板、および、前記ゲッターボックスが付着された前
記第2の基板の一方に凸状の第1の基準部が形成され、
前記真空チャンバーに収容する前に、前記第1の基板、
および、前記ゲッターボックスが付着された前記第2の
基板を、水平方向に位置合わせをした上で、前記凸状の
第1の基準部に対向する面に凹状の第2の基準部を形成
し、前記真空チャンバー内においては、前記第1,第2
の基準部を用いて水平方向に位置規制することにより、
前記第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着
された前記第2の基板を水平方向に位置合わせするもの
である。したがって、限られた空間であって、外部から
自由に操作することができない真空チャンバー内におい
て、第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着
された前記第2の基板を高精度に位置決めした上で封着
することができる。また、第1,第2の基準部を水平方
向に位置規制するための位置合わせ治具を必要としな
い。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the first aspect, the first method comprises:
And a convex first reference portion is formed on one of the substrate and the second substrate to which the getter box is attached,
Before accommodating in the vacuum chamber, the first substrate;
And positioning the second substrate to which the getter box is attached in a horizontal direction, and then forming a concave second reference portion on a surface opposed to the convex first reference portion. , In the vacuum chamber, the first and second
By regulating the position in the horizontal direction using the reference part of
The first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are aligned in a horizontal direction. Therefore, the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are positioned with high accuracy in a limited space and in a vacuum chamber that cannot be freely operated from the outside. Can be sealed. Further, there is no need for a positioning jig for regulating the positions of the first and second reference portions in the horizontal direction.

【0011】請求項5に記載の発明においては、請求項
1ないし4のいずれか1項に記載の真空気密容器の製造
方法において、前記真空気密容器は冷陰極を内蔵するも
のである。したがって、薄型フラットパネル表示装置等
に好適な冷陰極内蔵真空気密容器を製造することができ
る。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a vacuum-tight container according to any one of the first to fourth aspects, the vacuum-tight container has a built-in cold cathode. Therefore, it is possible to manufacture a vacuum-tight container with a built-in cold cathode suitable for a thin flat panel display device or the like.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の真空気密容器の
製造方法の実施の一形態により製造される真空気密容器
の第1の具体例の断面構造図である。図中、1はアノー
ド基板、2はカソード基板、3はゲッターボックス、4
は第1のフリットシール、5はゲッター、6は第2のフ
リットシールである。
FIG. 1 is a sectional structural view of a first specific example of a vacuum-tight container manufactured by one embodiment of the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the present invention. In the figure, 1 is an anode substrate, 2 is a cathode substrate, 3 is a getter box, 4
Denotes a first frit seal, 5 denotes a getter, and 6 denotes a second frit seal.

【0013】この真空気密容器においては、カソード基
板2に対し、アノード基板1が、微少間隙をおいて、か
つ、横方向にずれて対向している。カソード基板2の外
面およびアノード基板1のはみ出し部分を部分的に覆う
ようにゲッターボックス3が設けられている。ゲッター
ボックス3には、図8に示した従来のゲッターボックス
73に比べ、チップカットされた排気管75がない。
In this vacuum-tight container, the anode substrate 1 is opposed to the cathode substrate 2 with a small gap and laterally shifted. A getter box 3 is provided so as to partially cover the outer surface of the cathode substrate 2 and the protruding portion of the anode substrate 1. The getter box 3 does not have a chip-cut exhaust pipe 75 as compared with the conventional getter box 73 shown in FIG.

【0014】ゲッターボックス3とカソード基板2の下
面との間に、蒸発型およびまたは非蒸発型のゲッター5
が収納されたゲッター収納室がある。このゲッター収納
室は、カソード基板2の左端とゲッターボックス3との
間にできた通路を介して、アノード基板1とカソード基
板2との隙間空間に連通している。蒸発型ゲッターとし
ては、Baゲッターがある。非蒸発型ゲッター5として
は、例えば、Zr、Ti、ZrとAlの合金あるいはV
(バナジウム)の粉末を焼結させてペレット状にしたも
のがある。最初は窒化膜で覆われているが、収納後、一
度高温で加熱することによって活性化させると、窒化物
が表面から拡散して内部に取り込まれ、表面に合金面が
露出すると、残留ガスが内部に取り込まれるようにな
る。
An evaporable and / or non-evaporable getter 5 is provided between the getter box 3 and the lower surface of the cathode substrate 2.
There is a getter storage room where is stored. The getter storage chamber communicates with a gap between the anode substrate 1 and the cathode substrate 2 through a passage formed between the left end of the cathode substrate 2 and the getter box 3. As an evaporable getter, there is a Ba getter. Examples of the non-evaporable getter 5 include Zr, Ti, an alloy of Zr and Al or Vr.
There is a material obtained by sintering (vanadium) powder to form a pellet. Initially, it is covered with a nitride film, but after storage, once activated by heating at a high temperature, the nitride diffuses from the surface and is taken in, and when the alloy surface is exposed on the surface, residual gas is removed. It will be taken inside.

【0015】ゲッターボックス3は、カソード基板2に
第1のフリットシール4により封着され、ゲッターボッ
クス3およびカソード基板2は、第2のフリットシール
6によりアノード基板1に封着されている。第2のフリ
ットシール6の第2のシール材には、図8に示した従来
のフリットシール74と同様に、作業温度の低いものを
用いるが、第1のフリットシール4には、後述するよう
に、これよりも作業温度の高い第1のシール材を用い
る。
The getter box 3 is sealed to the cathode substrate 2 by a first frit seal 4, and the getter box 3 and the cathode substrate 2 are sealed to the anode substrate 1 by a second frit seal 6. As the second sealing material of the second frit seal 6, a material having a low working temperature is used as in the case of the conventional frit seal 74 shown in FIG. 8, but the first frit seal 4 will be described later. First, a first sealing material having a higher working temperature is used.

【0016】上述した真空気密容器の製造方法を説明す
る。第1の工程として、第1のフリットシール4となる
第1のシール材を加熱してカソード基板2にゲッター5
を収納したゲッターボックス3を付着しておく。ゲッタ
ーボックス3が付着されたカソード基板2の重ね合わせ
面の周辺部に、第2のフリットシール6となる第2のシ
ール材を形成しておく。第2の工程として、真空チャン
バー内に、アノード基板1、および、ゲッターボックス
3が付着されたカソード基板2を収容する。両者のアノ
ード面、カソード面を対向させ、十分な真空脱ガスベー
キング処理を行えるに十分なコンダクタンスが持てる距
離だけ離した状態で、真空ベーキングを行いながら真空
チャンバー内を真空に引いて脱ガスを行う。
A method for manufacturing the above-described vacuum hermetic container will be described. As a first step, a first sealant to be a first frit seal 4 is heated to get a getter 5 on the cathode substrate 2.
Is attached to the getter box 3 containing. A second seal material to be the second frit seal 6 is formed around the superposed surface of the cathode substrate 2 to which the getter box 3 is attached. As a second step, the anode substrate 1 and the cathode substrate 2 with the getter box 3 attached are housed in a vacuum chamber. With the anode surface and the cathode surface facing each other and separated by a distance that has sufficient conductance to perform sufficient vacuum degassing baking processing, degassing is performed by pulling a vacuum inside the vacuum chamber while performing vacuum baking. .

【0017】第3の工程として、真空チャンバー内で、
アノード基板1、および、ゲッターボックス3が付着さ
れたカソード基板2を、両基板の水平方向の位置合わせ
行い、互いの基板面を平行状態に保ちながら接近させ、
第2のシール材を作業温度にまで真空加熱する。アノー
ド基板またはカソード基板の一方には、面上に多数の支
柱が設けられている。また、必要に応じて、第2のシー
ル材を形成する際に、支柱を設けたり、ガラススペーサ
を載置しておく。アノード基板、および、ゲッターボッ
クス3が付着されたカソード基板を上下から圧着しなが
ら、加熱された第2のシール材により、アノード基板と
カソード基板の間に、所定幅の間隙を有する真空気密容
器が形成された状態で封着される。
As a third step, in a vacuum chamber,
The anode substrate 1 and the cathode substrate 2 to which the getter box 3 has been attached are aligned in the horizontal direction of the two substrates, and approached while keeping the substrate surfaces parallel to each other.
The second sealant is vacuum heated to the working temperature. A large number of columns are provided on one of the anode substrate and the cathode substrate. In addition, when forming the second sealing material, a support is provided or a glass spacer is placed as needed. While pressing the anode substrate and the cathode substrate to which the getter box 3 is attached from above and below, a vacuum-tight container having a gap of a predetermined width between the anode substrate and the cathode substrate is formed by the heated second sealing material. It is sealed in the formed state.

【0018】上述した方法では、アノード基板1とカソ
ード基板2とを十分間隙をあけて配置して真空ベーキン
グ処理を行って排気できるため、十分な脱ガス効果が得
られる。しかし、第2のフリットシール6となる第2の
シール材を加熱する際に、第1のフリットシール4が溶
融してしまうと、ゲッターボックス3を含めた封止が困
難になる。そこで、第2のフリットシール6の第2のシ
ール材については、作業温度の低いものを用いるが、第
1のフリットシール4の第1のシール材としては、これ
よりも作業温度の高いものを用いるようにして、第1の
フリットシール4を形成するための作業温度は、第2の
シール材の作業温度より高い温度に選ぶ。第1,第2の
フリットシール4,6に用いるシール材の一例を示す。
第1のフリットシール4の第1のシール材としては、作
業温度が550゜Cの結晶化ガラスを用い、第2のフリ
ットシール6の第2のシール材としては、従来と同様な
作業温度が480゜Cのフリットガラスを用いる。
In the above-described method, since the anode substrate 1 and the cathode substrate 2 can be disposed with a sufficient gap therebetween and evacuated by performing a vacuum baking process, a sufficient degassing effect can be obtained. However, if the first frit seal 4 is melted when heating the second sealing material to be the second frit seal 6, sealing including the getter box 3 becomes difficult. Therefore, as the second sealing material of the second frit seal 6, a material having a lower working temperature is used, but as the first sealing material of the first frit seal 4, a material having a higher working temperature is used. The working temperature for forming the first frit seal 4 to be used is selected to be higher than the working temperature of the second sealing material. An example of a sealing material used for the first and second frit seals 4 and 6 is shown.
As the first sealing material of the first frit seal 4, crystallized glass having a working temperature of 550 ° C. is used, and as the second sealing material of the second frit seal 6, the same working temperature as the conventional one is used. 480 ° C frit glass is used.

【0019】図2は、本発明の真空気密容器の製造方法
の実施の一形態により製造される真空気密容器の第2の
具体例の断面構造図である。図中、図1と同様な部分に
は同じ符号を付して説明を省略する。11はカソード基
板、11aは貫通孔、12はゲッターボックスである。
この真空気密容器においては、カソード基板11に対
し、アノード基板1が、微少間隙をおいて対向し、カソ
ード基板2の外面を部分的に覆うようにゲッターボック
ス12が設けられている。ゲッターボックス12とカソ
ード基板11の下面との間には、ゲッター5が収納され
るゲッター収納室を備える。このゲッター収納室は、カ
ソード基板2の貫通孔11aを介して、アノード基板1
とカソード基板11との隙間に連通している。
FIG. 2 is a sectional structural view of a second specific example of a vacuum-tight container manufactured by one embodiment of the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 11 is a cathode substrate, 11a is a through hole, and 12 is a getter box.
In this vacuum-tight container, a getter box 12 is provided so that the anode substrate 1 faces the cathode substrate 11 with a small gap therebetween and partially covers the outer surface of the cathode substrate 2. A getter storage chamber for storing the getter 5 is provided between the getter box 12 and the lower surface of the cathode substrate 11. The getter storage chamber is connected to the anode substrate 1 through the through hole 11a of the cathode substrate 2.
And the gap between the cathode substrate 11.

【0020】ゲッターボックス12は、カソード基板1
1に第1のフリットシール4により封着され、カソード
基板2は、第1のフリットシール6によりアノード基板
1に封着されている。この真空気密容器の製造方法とし
ては、図1を参照して説明した第1の具体例のものと同
様である。
The getter box 12 is used for the cathode substrate 1
1 is sealed by a first frit seal 4, and the cathode substrate 2 is sealed to the anode substrate 1 by a first frit seal 6. The method of manufacturing the vacuum-tight container is the same as that of the first specific example described with reference to FIG.

【0021】図3は、本発明の真空気密容器の製造方法
の実施の一形態を説明するための真空気密容器の第3の
具体例の断面構造図である。図3(a)は真空気密容器
の分解斜視図、図3(b)は部分拡大図、図3(c)は
変形例の部分拡大図である。図中、図1と同様な部分に
は同じ符号を付して説明を省略する。21カソード基
板、22は段差材、23は底板、24は第2のシール
材、25はカソード基板、25aは貫通孔である。
FIG. 3 is a sectional structural view of a third example of the vacuum-tight container for explaining one embodiment of the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the present invention. FIG. 3A is an exploded perspective view of a vacuum-tight container, FIG. 3B is a partially enlarged view, and FIG. 3C is a partially enlarged view of a modification. In the figure, the same parts as those in FIG. 21 is a cathode substrate, 22 is a step member, 23 is a bottom plate, 24 is a second sealing material, 25 is a cathode substrate, and 25a is a through hole.

【0022】図3(a),図3(b)に示すように、こ
の真空気密容器においては、カソード基板21を削るな
どして、カソード基板21の左端に角形の切り欠き部を
設け、この切り欠き部に、カソード基板21と同じ厚み
でL字状の段差材22を配置する。カソード基板21お
よび段差材22に対し、アノード基板1が微少間隙をお
いて対向している。カソード基板21と段差材22によ
り凹部が形成され、この凹部に蓋をするようにカソード
基板21および段差材22の外面に底板23が設けられ
ている。この段差材22および底板23によりゲッター
ボックスが形成され、蓋をされた凹部が、ゲッター収納
室となり、直接的に、アノード基板1とカソード基板2
1との隙間に連通している。
As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), in this vacuum-tight container, a rectangular notch is provided at the left end of the cathode substrate 21 by shaving the cathode substrate 21 or the like. An L-shaped step member 22 having the same thickness as the cathode substrate 21 is arranged in the notch. The anode substrate 1 faces the cathode substrate 21 and the step member 22 with a small gap. A concave portion is formed by the cathode substrate 21 and the step member 22, and a bottom plate 23 is provided on the outer surfaces of the cathode substrate 21 and the step member 22 so as to cover the concave portion. A getter box is formed by the step member 22 and the bottom plate 23, and the capped recess serves as a getter storage chamber, and is directly connected to the anode substrate 1 and the cathode substrate 2.
1 and communicates with the gap.

【0023】カソード基板21、段差材22および底板
23は、第1のフリットシール4により封着される。そ
れぞれの接合面のみにフリットシール4が形成されても
よいが、図3(b)では、カソード基板21の切り欠き
面の全面にフリットシール4が形成されている。カソー
ド基板21および段差材22は、第2のフリットシール
6によりアノード基板1に封着されている。このような
構造により、ゲッターボックスの厚みを薄くすることが
できる。変形例として、図3(c)に示すように、段差
材22を用いることなく、カソード基板25に貫通孔2
5aを開孔し、カソード基板25の外面側に底板23を
設けて第1のシール材を用いて第1のフリットシール4
を形成して蓋をすることにより、ゲッターボックスと
し、ゲッター5が収納されるゲッター収納室を形成して
もよい。
The cathode substrate 21, the step member 22 and the bottom plate 23 are sealed by the first frit seal 4. The frit seal 4 may be formed only on each joint surface, but in FIG. 3B, the frit seal 4 is formed on the entire cutout surface of the cathode substrate 21. The cathode substrate 21 and the step member 22 are sealed to the anode substrate 1 by the second frit seal 6. With such a structure, the thickness of the getter box can be reduced. As a modification, as shown in FIG. 3C, the through hole 2 is formed in the cathode substrate 25 without using the step member 22.
5a, a bottom plate 23 is provided on the outer surface side of the cathode substrate 25, and a first frit seal 4 is formed using a first seal material.
May be formed as a getter box, and a getter storage chamber in which the getter 5 is stored may be formed.

【0024】この真空気密容器の製造方法としては、図
1,図2を参照して説明した第1,第2の具体例と同様
に、あらかじめゲッターボックスを第1のシール材を用
いて第1のフリットシール4を形成した後、真空チャン
バーに入れ、第2のシール材24により、第2のフリッ
トシール6を形成して、アノード基板1、および、ゲッ
ターボックス3が付着されたカソード基板2を封着す
る。
As a method of manufacturing this vacuum-tight container, as in the first and second specific examples described with reference to FIGS. After the frit seal 4 is formed, the frit seal 4 is placed in a vacuum chamber, the second frit seal 6 is formed by the second sealant 24, and the anode substrate 1 and the cathode substrate 2 to which the getter box 3 is attached are formed. Seal.

【0025】上述した各具体例の真空気密容器を製造す
るためには、真空チャンバー内でアノード基板側とカソ
ード基板側とを水平(基板面)方向および垂直方向に精
密に対向配置させる必要がある。しかし、真空チャンバ
ー内では両者を外部から自由に移動させることができな
い。そのため、あらかじめ、真空チャンバー外で両者の
位置決めをしておき、真空チャンバー内では簡単に両者
を精密に位置決めできるような機構が必要である。図4
〜図7は、真空チャンバー内でアノード基板およびカソ
ード基板とを精密面付するための、水平(基板面)方向
の位置合わせの概要説明図である。なお、垂直方向の位
置合わせについては、図示を省略するが、アノード基板
およびカソード基板を互いの基板面を平行状態にして接
近させる機構を設ければよい。なお、図面では、両者を
ずらせない状態で位置決めする場合を示している。しか
し、両者を平行にずらせて位置決めする場合でも、同様
であり、真空チャンバー外で位置決めをする際に、ずら
せた状態で位置合わせをしておけばよい。カソード基板
に付着されたゲッターボックスは図示を省略した。
In order to manufacture the vacuum-tight containers of the above-described embodiments, the anode substrate side and the cathode substrate side must be precisely opposed to each other in the horizontal (substrate surface) direction and the vertical direction in the vacuum chamber. . However, both cannot be freely moved from outside in the vacuum chamber. For this reason, a mechanism is required in which both are positioned in advance outside the vacuum chamber, and the two can be easily and precisely positioned inside the vacuum chamber. FIG.
FIG. 7 to FIG. 7 are schematic explanatory diagrams of horizontal (substrate surface) direction alignment for precisely placing an anode substrate and a cathode substrate in a vacuum chamber. Although the illustration of the vertical alignment is omitted, a mechanism may be provided for bringing the anode substrate and the cathode substrate closer to each other with the substrate surfaces in a parallel state. Note that the drawings show a case where the positioning is performed without displacing the two. However, the same applies to the case where both are shifted in parallel to perform positioning. When positioning is performed outside the vacuum chamber, the positioning may be performed in a shifted state. The getter box attached to the cathode substrate is not shown.

【0026】図4は、水平方向の位置合わせの第1の例
の説明図である。31はアノード基板、31aは貫通
孔、32はカソード基板、32aは貫通孔、33は貫通
ピンである。真空チャンバー外において、精密な位置合
わせ機構を用い、アノード基板31とカソード基板32
とを精密に位置合わせする。この状態で、アノード基板
31、および、ゲッターボックス3が付着されたカソー
ド基板32に対し、表示画面に影響しない場所の少なく
とも1カ所に、レーザまたは超音波ドリルにより貫通孔
31a,32aを開ける。このような加工がなされたア
ノード基板31、および、ゲッターボックス3が付着さ
れたカソード基板32を真空チャンバー内に収容する。
真空チャンバー内で、両貫通孔31a,32aに、貫通
ピン33を挿入して、両貫通孔31a,32aを貫通ピ
ン33により水平方向の位置規制をする。このようにし
て、両貫通孔31a,32aにより、真空中で簡単な位
置決めが行える。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a first example of horizontal alignment. 31 is an anode substrate, 31a is a through hole, 32 is a cathode substrate, 32a is a through hole, and 33 is a through pin. Outside the vacuum chamber, the anode substrate 31 and the cathode substrate 32
And are precisely aligned. In this state, through holes 31a and 32a are formed in the anode substrate 31 and the cathode substrate 32 to which the getter box 3 is attached by laser or ultrasonic drill at at least one place where the display screen is not affected. The anode substrate 31 thus processed and the cathode substrate 32 to which the getter box 3 is attached are housed in a vacuum chamber.
In the vacuum chamber, a through-pin 33 is inserted into both through-holes 31a and 32a, and the positions of the through-holes 31a and 32a in the horizontal direction are regulated by the through-pin 33. In this way, simple positioning can be performed in a vacuum by the two through holes 31a and 32a.

【0027】図5は、水平方向の位置合わせの第2の例
の説明図である。図5(a)は斜視図、図5(b)は凹
部の拡大図である。41はアノード基板、41aは凹
部、42はカソード基板、42aは凹部、43は第1の
ピン、44は第2のピンである。真空チャンバー外にお
いて、アノード基板41とカソード基板42とを位置合
わせする。アノード基板41に対し、表示に影響しない
場所の少なくとも1カ所に、レーザまたは超音波ドリル
により凹部41aを開ける。カソード基板42において
も、凹部42aを開ける。加工されたアノード基板4
1、および、カソード基板42を真空チャンバー内に収
容し、両凹部41a,42aに、それぞれ第1,第2の
ピン43,44を挿入して、両凹部41a,42aを水
平方向に位置規制することにより、アノード基板41お
よびカソード基板42を位置合わせする。その結果、両
凹部41a,42aが位置合わせの基準点となる。な
お、凹部41a,42aは、図5(b)に示すように、
先端がコーン型であることが望ましい。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a second example of horizontal alignment. FIG. 5A is a perspective view, and FIG. 5B is an enlarged view of a concave portion. 41 is an anode substrate, 41a is a recess, 42 is a cathode substrate, 42a is a recess, 43 is a first pin, and 44 is a second pin. Outside the vacuum chamber, the anode substrate 41 and the cathode substrate 42 are aligned. A concave portion 41a is formed in the anode substrate 41 in at least one place where the display is not affected by a laser or an ultrasonic drill. The concave portion 42a is also opened in the cathode substrate 42. Processed anode substrate 4
1 and the cathode substrate 42 are accommodated in a vacuum chamber, and the first and second pins 43 and 44 are inserted into the concave portions 41a and 42a, respectively, to restrict the positions of the concave portions 41a and 42a in the horizontal direction. Thus, the anode substrate 41 and the cathode substrate 42 are aligned. As a result, the concave portions 41a and 42a serve as reference points for positioning. The recesses 41a and 42a are formed as shown in FIG.
The tip is desirably cone-shaped.

【0028】図6は、水平方向の位置合わせの第3の例
の説明図である。図中、51はアノード基板、52はカ
ソード基板、53はアノード基板側固定治具、53aは
枠体、53bは桟、53cは長孔、53dは基板保持
板、53eは突き当て部、53fは長孔、53gは貫通
孔、54は弾性体、55はカソード基板側固定治具、5
5aは枠体、55bは桟、55dは基板保持板、55e
は突き当て部、55gは貫通孔、56は弾性体、57は
貫通ピン、58はビスである。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a third example of horizontal alignment. In the figure, 51 is an anode substrate, 52 is a cathode substrate, 53 is an anode substrate side fixing jig, 53a is a frame, 53b is a bar, 53c is a long hole, 53d is a substrate holding plate, 53e is an abutting portion, and 53f is A long hole, 53 g is a through hole, 54 is an elastic body, 55 is a fixing jig on the cathode substrate side, 5
5a is a frame, 55b is a bar, 55d is a substrate holding plate, 55e
Is an abutting portion, 55g is a through hole, 56 is an elastic body, 57 is a through pin, and 58 is a screw.

【0029】アノード基板側固定治具53においては、
桟53bの左右の長孔53cにビス58がはめ込まれて
枠体53aにねじ込まれることにより、桟53bが枠体
53aに対して取り付けられている。桟53bには2個
の基板保持板53dが設けられている。また、突き当て
部53eの長孔53eにビス58がはめ込まれて枠体5
3aの後部にねじ込まれることにより、突き当て部53
eが枠体53aに対して取り付けられている。枠体53
aの前部には圧縮コイルばね等を用いた弾性体54が取
り付けられている。
In the fixing jig 53 on the anode substrate side,
The screw 58 is fitted into the left and right long holes 53c of the bar 53b and screwed into the frame 53a, whereby the bar 53b is attached to the frame 53a. The bar 53b is provided with two substrate holding plates 53d. The screw 58 is fitted into the long hole 53e of the butting portion 53e, and the frame 5
3a is screwed into the rear part, so that the abutting part 53
e is attached to the frame 53a. Frame 53
An elastic body 54 using a compression coil spring or the like is attached to the front part of a.

【0030】カソード基板側固定治具55においても、
同様に、桟55bの左右の長孔にビス58がはめ込まれ
て枠体55aにねじ込まれることにより、桟55bが枠
体55aに対して取り付けられている。桟55bには2
個の基板保持板55dが設けられている。また、突き当
て部55eの長孔にビス58がはめ込まれて枠体55a
の後部にねじ込まれることにより、突き当て部55eが
枠体55aに対して取り付けられている。枠体55aの
前部には圧縮コイルばね等を用いた弾性体56が取り付
けられている。アノード側固定治具53の貫通孔53
g,カソード側固定治具55の貫通孔55gの中心軸は
一致している。
In the fixing jig 55 on the cathode substrate side,
Similarly, a screw 58 is fitted into the left and right long holes of the bar 55b and screwed into the frame 55a, whereby the bar 55b is attached to the frame 55a. It is 2 in bar 55b
55 d of substrate holding plates are provided. The screw 58 is fitted into the long hole of the butting portion 55e, and the frame 55a
By being screwed into the rear part, the butting portion 55e is attached to the frame 55a. An elastic body 56 using a compression coil spring or the like is attached to a front portion of the frame 55a. Through hole 53 of anode-side fixing jig 53
g, the central axes of the through holes 55g of the cathode-side fixing jig 55 coincide with each other.

【0031】真空チャンバーの外において、アノード基
板51を基板保持板53dに保持させ、突き当て部53
eと弾性体54とで押圧することにより、アノード基板
51をアノード基板側固定治具53に取り付ける。カソ
ード基板52も同様にして、カソード基板側固定治具5
5に取り付ける。アノード基板51およびカソード基板
52は、それぞれ、ビス58を緩めることにより、アノ
ード基板側固定治具53およびカソード基板側固定治具
55に対して水平方向に位置を微調整して固定すること
ができる。したがって、精密な位置合わせ機構を用い、
アノード基板31とカソード基板32とを水平方向に精
密に位置合わせして、ビス58で固定する。
Outside the vacuum chamber, the anode substrate 51 is held by the substrate holding plate 53d,
The anode substrate 51 is attached to the anode substrate side fixing jig 53 by pressing with the e and the elastic body 54. Similarly, the cathode substrate 52 is fixed to the cathode substrate side fixing jig 5.
Attach to 5. The anode substrate 51 and the cathode substrate 52 can be fixed to the anode substrate-side fixing jig 53 and the cathode substrate-side fixing jig 55 by finely adjusting their positions in the horizontal direction by loosening the screws 58, respectively. . Therefore, using a precise alignment mechanism,
The anode substrate 31 and the cathode substrate 32 are precisely aligned in the horizontal direction and fixed with screws 58.

【0032】アノード基板側固定治具53に固定された
アノード基板41およびカソード基板側固定治具55に
固定されたカソード基板42とを真空チャンバー内に収
容し、アノード側固定治具53の貫通孔53g,カソー
ド側固定治具55の貫通孔55gにピン57を挿入し
て、貫通孔53g,55gを水平方向に位置規制するこ
とにより、アノード側固定治具53およびカソード側固
定治具55を位置合わせする。したがって、貫通孔53
g,55gが位置合わせの基準点となる。その結果、ア
ノード基板51およびカソード基板52に何ら加工をす
ることなく、真空チャンバー内において、アノード基板
51およびカソード基板52の精密な位置合わせを行う
ことが可能となる。上述した貫通孔53g,55gに代
えて、アノード基板側固定治具53およびカソード側固
定治具55に凹部を設けて、図5と同様に、上下からピ
ン43,44をはめ込むことにより位置合わせを行うよ
うにしてもよい。すなわち、真空外であらかじめ一定精
度の位置決めをして、真空封止時に最終精度の位置決め
を行っていく。
The anode substrate 41 fixed to the anode substrate side fixing jig 53 and the cathode substrate 42 fixed to the cathode substrate side fixing jig 55 are housed in a vacuum chamber, and the through holes of the anode side fixing jig 53 are provided. By inserting a pin 57 into the through-hole 55g of the cathode fixing jig 55 and the through-holes 55g and 55g in the horizontal direction, the anode-side fixing jig 53 and the cathode-side fixing jig 55 are positioned. Match. Therefore, the through hole 53
g and 55g are reference points for positioning. As a result, the anode substrate 51 and the cathode substrate 52 can be precisely positioned in the vacuum chamber without any processing on the anode substrate 51 and the cathode substrate 52. Instead of the through holes 53g and 55g described above, recesses are provided in the anode substrate-side fixing jig 53 and the cathode-side fixing jig 55, and positioning is performed by fitting the pins 43 and 44 from above and below as in FIG. It may be performed. That is, positioning with a certain precision is performed in advance outside the vacuum, and positioning with a final precision is performed at the time of vacuum sealing.

【0033】図7は、水平方向の位置合わせの第4の例
の説明図である。61はアノード基板、61aは凹部、
62はカソード基板、63は金属球である。アノード基
板61またはカソード基板62のいずれか一方、図示の
例では、カソード基板62に金属球63を仮固定または
固定しておく。真空チャンバー外において、アノード基
板61とカソード基板62とを精密に位置合わせすると
ともに、アノード基板61を金属球63に押し付けた状
態とする。アノード基板61の外側からレーザまたは赤
外線を金属球63に照射して金属球63を加熱すること
により、金属球63の対面のアノード基板61を溶融さ
せて凹部61aを形成する。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a fourth example of horizontal alignment. 61 is an anode substrate, 61a is a concave portion,
62 is a cathode substrate and 63 is a metal sphere. A metal ball 63 is temporarily fixed or fixed to one of the anode substrate 61 and the cathode substrate 62, in the illustrated example, to the cathode substrate 62. Outside the vacuum chamber, the anode substrate 61 and the cathode substrate 62 are precisely positioned, and the anode substrate 61 is pressed against the metal sphere 63. By irradiating the metal sphere 63 with laser or infrared rays from outside the anode substrate 61 to heat the metal sphere 63, the anode substrate 61 facing the metal sphere 63 is melted to form the concave portion 61 a.

【0034】加工されたアノード基板61およびカソー
ド基板62を分離して、真空チャンバー内に収容し、ア
ノード基板61およびカソード基板62を互いの基板面
を平行状態にして接近させるとともに、両基板を水平面
上で相対的に動かすことにより、金属球63と凹部61
aとが水平方向に一致するところで、凹部61aが金属
球63にはまりこみ、位置規制されることにより、カソ
ード基板62とアノード基板61とが位置合わせされ
る。したがって、凹部61aおよび金属球63が最初の
位置合わせの基準点となる。
The processed anode substrate 61 and cathode substrate 62 are separated and housed in a vacuum chamber, and the anode substrate 61 and the cathode substrate 62 are brought close to each other with their substrate surfaces parallel to each other. The metal ball 63 and the recess 61 are moved relatively to each other.
When the position a coincides with the horizontal direction, the concave portion 61a fits into the metal ball 63, and the position is regulated, whereby the cathode substrate 62 and the anode substrate 61 are aligned. Therefore, the concave portion 61a and the metal sphere 63 are reference points for the first alignment.

【0035】上述した説明では、ゲッターとして非蒸発
型ゲッターを用いたが、蒸発型ゲッターを用いてもよ
い。蒸発型ゲッターは、例えば、BaAl4 の粉末がリ
ング状の金属ケースに入れられたもので、真空気密容器
の外側から金属リングを高周波加熱し、BaAl4 から
Baを蒸発させ、ゲッターボックス内部壁面およびアノ
ード基板の外面にゲッターミラー(鏡面)を蒸着させ
る。また、上述した説明では、ゲッターボックスをカソ
ード基板の外面に設けている。そのため、薄型フラット
パネル表示装置として用いる場合に、アノード基板側の
表示画面に制約を与えることがない。しかし、アノード
基板側に制約のない用途によっては、アノード基板側に
ゲッターボックスを設けてもよい。
In the above description, a non-evaporable getter is used as a getter, but an evaporable getter may be used. The evaporable getter is, for example, one in which BaAl 4 powder is put in a ring-shaped metal case, heats the metal ring from the outside of the vacuum-tight container with high frequency, evaporates Ba from BaAl 4 , A getter mirror (mirror surface) is deposited on the outer surface of the anode substrate. In the above description, the getter box is provided on the outer surface of the cathode substrate. Therefore, when used as a thin flat panel display device, there is no restriction on the display screen on the anode substrate side. However, a getter box may be provided on the anode substrate side depending on the application in which there is no restriction on the anode substrate side.

【0036】[0036]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、本発
明は、真空排気前のカソード基板およびアノード基板の
ベーキングが封着前の状態で行えるため、理想的なベー
キングができる。そのため、製造時に残留ガスの排気を
十分に行えるとともに、高真空を維持するためのゲッタ
ーを収納できるという効果がある。また、完全チップレ
ス型であるため、外形形状に出っ張りがなく形状を小さ
くすることができるという効果がある。
As is clear from the above description, according to the present invention, since the baking of the cathode substrate and the anode substrate before evacuation can be performed before sealing, ideal baking can be performed. Therefore, there is an effect that the residual gas can be sufficiently exhausted at the time of manufacturing, and a getter for maintaining a high vacuum can be stored. In addition, since it is a completely chipless type, there is an effect that the outer shape has no protrusion and the shape can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の真空気密容器の製造方法の実施の一形
態により製造される真空気密容器の第1の具体例の断面
構造図である。
FIG. 1 is a sectional structural view of a first specific example of a vacuum-tight container manufactured by one embodiment of a method for manufacturing a vacuum-tight container according to the present invention.

【図2】本発明の真空気密容器の製造方法の実施の一形
態により製造される真空気密容器の第2の具体例の断面
構造図である。
FIG. 2 is a sectional structural view of a second specific example of a vacuum-tight container manufactured by one embodiment of the method for manufacturing a vacuum-tight container according to the present invention.

【図3】 本発明の真空気密容器の製造方法の実施の一
形態を説明するための真空気密容器の第3の具体例の断
面構造図である。
FIG. 3 is a sectional structural view of a third specific example of the vacuum-tight container for explaining one embodiment of the method for manufacturing a vacuum-tight container of the present invention.

【図4】水平方向の位置合わせの第1の例の説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a first example of horizontal alignment.

【図5】水平方向の位置合わせの第2の例の説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a second example of horizontal alignment.

【図6】水平方向の位置合わせの第3の例の説明図であ
る。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a third example of horizontal alignment.

【図7】水平方向の位置合わせの第4の例の説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a fourth example of horizontal alignment.

【図8】従来の電界放出素子を用いた表示装置の外観図
である。
FIG. 8 is an external view of a display device using a conventional field emission device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,31,41,51,61 アノード基板、61a
凹部、2,11,21,25,32,42,52,62
カソード基板、11a 貫通孔,3,12ゲッターボ
ックス、4 第1のフリットシール、5 ゲッター、6
第2のフリットシール、22 段差材、23 底板、
24 第2のシール材、43 第1のピン、44 第2
のピン、53 アノード基板側固定治具、54,56
弾性体、55 カソード基板側固定治具、57 貫通ピ
ン、58 ビス、63 金属球
1, 31, 41, 51, 61 Anode substrate, 61a
Recesses, 2, 11, 21, 25, 32, 42, 52, 62
Cathode substrate, 11a through hole, 3, 12 getter box, 4th frit seal, 5 getter, 6
2nd frit seal, 22 steps, 23 bottom plate,
24 second sealing material, 43 first pin, 44 second
Pin, 53 Anode substrate side fixing jig, 54, 56
Elastic body, 55 cathode substrate side fixing jig, 57 through pin, 58 screw, 63 metal ball

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板、該第1の基板に対し間隙を
隔てて設けられる第2の基板、および、該第2の基板の
外面との間にゲッター収納室を形成するゲッターボック
スを有し、前記第1,第2の基板、および前記ゲッター
ボックスがフリットシールにより封着された真空気密容
器の製造方法であって、 前記ゲッターボックスを前記第2の基板に第1のフリッ
トシール材により付着し、 真空チャンバー内に、前記第1の基板、および、前記ゲ
ッターボックスが付着された前記第2の基板を収容し、 前記第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着
された前記第2の基板を十分なコンダクタンスを持てる
程度に離間させた状態でベーキングおよび排気を行い、 前記第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着
された前記第2の基板を、前記第1のフリットシール材
よりも作業温度が低い第2のフリットシール材により、
封着することを特徴とする真空気密容器の製造方法。
A first substrate, a second substrate provided at a distance from the first substrate, and a getter box forming a getter storage chamber between the first substrate and an outer surface of the second substrate. A method for manufacturing a vacuum-tight container in which the first and second substrates and the getter box are sealed by a frit seal, wherein the getter box is provided on the second substrate with a first frit seal material. The first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are accommodated in a vacuum chamber, and the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are attached. Baking and evacuation are performed in a state where the two substrates are separated to have sufficient conductance, and the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are attached. And the working temperature than the first frit seal material due to the low second frit sealing material,
A method for producing a vacuum-tight container, characterized by sealing.
【請求項2】 前記真空チャンバー外において、前記第
1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着された
前記第2の基板を、前記真空チャンバーに収容する前
に、水平方向に位置合わせをした上で、前記第1の基
板、および、前記ゲッターボックスが付着された前記第
2の基板に、それぞれ、第1,第2の基準部を加工形成
し、 前記真空チャンバー内においては、位置合わせ治具を用
いて前記第1,第2の基準部を水平方向に位置規制する
ことにより、前記第1の基板、および、前記ゲッターボ
ックスが付着された前記第2の基板を水平方向に位置合
わせする、 ことを特徴とする請求項1に記載の真空気密容器の製造
方法。
2. The horizontal alignment of the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached outside the vacuum chamber before being accommodated in the vacuum chamber. Forming first and second reference portions on the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached, respectively; and a positioning jig in the vacuum chamber. The first substrate and the second substrate to which the getter box is attached are horizontally aligned by regulating the position of the first and second reference portions in the horizontal direction using The method for producing a vacuum-tight container according to claim 1, wherein:
【請求項3】それぞれ第1,第2の基準部が形成され、
前記第1,第2の基板を水平方向に移動および固定させ
る第1,第2の固定治具を用い、 前記真空チャンバーに収容する前に、前記第1の基板、
および、前記ゲッターボックスが付着された前記第2の
基板を、それぞれ、前記第1,第2の固定治具に装着さ
せた状態で移動させることにより位置合わせを行い、前
記第1,第2の固定治具に固定し、 前記真空チャンバー内において、位置合わせ治具を用い
て前記第1,第2の基準部を水平方向に位置規制するこ
とにより、前記第1の基板、および、前記ゲッターボッ
クスが付着された前記第2の基板を位置合わせする、 ことを特徴とする請求項1に記載の真空気密容器の製造
方法。
3. A first reference portion and a second reference portion are formed, respectively.
Before using the first and second fixing jigs for moving and fixing the first and second substrates in the horizontal direction, the first substrate is stored in the vacuum chamber.
And performing positioning by moving the second substrate to which the getter box is attached while attaching the second substrate to the first and second fixing jigs, respectively. The first substrate and the getter box are fixed to a fixing jig, and the first and second reference portions are horizontally positioned in the vacuum chamber using an alignment jig. The method for manufacturing a vacuum-tight container according to claim 1, wherein the second substrate to which is adhered is aligned.
【請求項4】 前記第1の基板、および、前記ゲッター
ボックスが付着された前記第2の基板の一方に凸状の第
1の基準部が形成され、前記真空チャンバーに収容する
前に、前記第1の基板、および、前記ゲッターボックス
が付着された前記第2の基板を、水平方向に位置合わせ
をした上で、前記凸状の第1の基準部に対向する面に凹
状の第2の基準部を形成し、 前記真空チャンバー内においては、前記第1,第2の基
準部を用いて水平方向に位置規制することにより、前記
第1の基板、および、前記ゲッターボックスが付着され
た前記第2の基板を水平方向に位置合わせする、 ことを特徴とする請求項1に記載の真空気密容器の製造
方法。
4. A first reference portion having a convex shape is formed on one of the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached, and before being accommodated in the vacuum chamber, After aligning the first substrate and the second substrate to which the getter box is attached in the horizontal direction, a second concave substrate is formed on a surface facing the first convex reference portion. A reference portion is formed, and in the vacuum chamber, the first substrate and the getter box to which the getter box is attached are regulated by horizontally regulating the position using the first and second reference portions. The method for manufacturing a vacuum-tight container according to claim 1, wherein the second substrate is aligned in a horizontal direction.
【請求項5】 前記真空気密容器は冷陰極を内蔵するも
のであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか
1項に記載の真空気密容器の製造方法。
5. The method for manufacturing a vacuum-tight container according to claim 1, wherein the vacuum-tight container has a built-in cold cathode.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000054304A1 (en) * 1999-03-10 2000-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing flat panel displays
CN112820614A (en) * 2020-12-31 2021-05-18 深圳泰德半导体装备有限公司 Plasma cleaning equipment
CN115020742A (en) * 2022-07-07 2022-09-06 北京亿华通科技股份有限公司 Gas sealing structure for cathode and anode of bipolar plate

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