JP2000039702A - 微細パタ―ンの転写加工方法 - Google Patents
微細パタ―ンの転写加工方法Info
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含
めた微細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パ
ターンの転写加工方法を提供する。 【解決手段】 微細な凹凸パターン１２を備えた転写体
１１を準備し、被転写体１３に半固体材料１５を塗布
し、転写体１１の凹凸パターン１２を半固体材料１５に
加圧して密着させることにより、該半固体材料に凹凸パ
ターン１５ａを転写し、エネルギービームを該半固体材
料の凹凸パターン１５ａに照射することにより、被転写
体１３に半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パター
ン１３ａを転写する。
めた微細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パ
ターンの転写加工方法を提供する。 【解決手段】 微細な凹凸パターン１２を備えた転写体
１１を準備し、被転写体１３に半固体材料１５を塗布
し、転写体１１の凹凸パターン１２を半固体材料１５に
加圧して密着させることにより、該半固体材料に凹凸パ
ターン１５ａを転写し、エネルギービームを該半固体材
料の凹凸パターン１５ａに照射することにより、被転写
体１３に半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パター
ン１３ａを転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンの転
写加工方法に係り、特に光の波長限界以下を含む微細な
凹凸パターンを大量に、且つ簡単に被転写体に形成する
ことができる微細パターンの転写加工方法に関する。
写加工方法に係り、特に光の波長限界以下を含む微細な
凹凸パターンを大量に、且つ簡単に被転写体に形成する
ことができる微細パターンの転写加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細加工の代表例として、半導体基板上
に微細パターンを形成するには、通常以下に述べる方法
が一般的に用いられている。即ち、半導体基板上に感光
性材料（ホトレジスト）を塗布し、縮小投影露光法によ
りマスクパターンに従った投影パターンの光線を感光性
材料上に照射して露光する。このような露光方法によれ
ば、最小線幅は光の回折現象により制限され、光の波長
程度までの寸法の転写パターンを形成することが限界で
ある。このため、パターンの微細化には使用する光線の
波長を短波長化することが必要であり、現在水銀ランプ
等によるｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６
５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長：２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長：１９３ｎｍ）等
が用いられ、微細な線幅の要求に従って使用する光の波
長が短くなる傾向に進んでいる。しかしながら、このよ
うな光露光法を用いる限りにおいては、光の波長以下の
寸法の線幅のパターンを転写することは、上述したよう
に原理的に困難である。
に微細パターンを形成するには、通常以下に述べる方法
が一般的に用いられている。即ち、半導体基板上に感光
性材料（ホトレジスト）を塗布し、縮小投影露光法によ
りマスクパターンに従った投影パターンの光線を感光性
材料上に照射して露光する。このような露光方法によれ
ば、最小線幅は光の回折現象により制限され、光の波長
程度までの寸法の転写パターンを形成することが限界で
ある。このため、パターンの微細化には使用する光線の
波長を短波長化することが必要であり、現在水銀ランプ
等によるｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６
５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長：２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長：１９３ｎｍ）等
が用いられ、微細な線幅の要求に従って使用する光の波
長が短くなる傾向に進んでいる。しかしながら、このよ
うな光露光法を用いる限りにおいては、光の波長以下の
寸法の線幅のパターンを転写することは、上述したよう
に原理的に困難である。
【０００３】そこで、最近エバネッセント場（近接場）
を利用した微細パターンの形成方法が研究されている。
エバネッセント場とは、光を透過する材料の表面に光の
波長以下の微細な凹凸を設け、この凹凸表面に例えば感
光性材料を塗布した基板を、その表面が前述の凹凸パタ
ーンの凸部に対して光の波長以下の位置に近接して配置
することにより、その部分にエバネッセント場と呼ばれ
る電磁場が形成され、この電磁場を介して光が伝達され
る。このエバネッセント場は、凹凸部の表面から光の波
長程度以上に離れると指数関数的に急激に弱くなるの
で、凹凸の段差を例えば数十ｎｍ程度にしておくことに
より、主として凹凸パターンの凸部のみから感光性材料
に光を伝達し、その光の伝達部分を露光することができ
る。このようなエバネッセント場によれば、露光される
感光性材料の線幅はマスクに設けられた凹凸部である微
細パターンの寸法により決まってきて、光の波長に依存
しない。このため、光の波長の限界を超えた微細なパタ
ーンを転写することが可能となる。
を利用した微細パターンの形成方法が研究されている。
エバネッセント場とは、光を透過する材料の表面に光の
波長以下の微細な凹凸を設け、この凹凸表面に例えば感
光性材料を塗布した基板を、その表面が前述の凹凸パタ
ーンの凸部に対して光の波長以下の位置に近接して配置
することにより、その部分にエバネッセント場と呼ばれ
る電磁場が形成され、この電磁場を介して光が伝達され
る。このエバネッセント場は、凹凸部の表面から光の波
長程度以上に離れると指数関数的に急激に弱くなるの
で、凹凸の段差を例えば数十ｎｍ程度にしておくことに
より、主として凹凸パターンの凸部のみから感光性材料
に光を伝達し、その光の伝達部分を露光することができ
る。このようなエバネッセント場によれば、露光される
感光性材料の線幅はマスクに設けられた凹凸部である微
細パターンの寸法により決まってきて、光の波長に依存
しない。このため、光の波長の限界を超えた微細なパタ
ーンを転写することが可能となる。
【０００４】このようなエバネッセント場を利用した微
細パターンの形成方法として、光ファイバの先端部を光
の波長以下に尖鋭化したものを用いることが知られてい
る。先端を光の波長以下に尖鋭化した光ファイバにレー
ザ光線を供給し、その先端を感光性材料を塗布した基板
の表面に密着又は光の波長以下に極めて近接して配置す
ることにより、その部分に近接場が生じ、光がその近接
場を通して伝達し、感光性材料が露光される。従って、
光ファイバの先端部を光の波長以下の寸法に予め加工し
ておくことにより、光の波長以下の線幅のパターンを基
板表面の感光性材料に露光することができる。そして感
光性材料を現像して、感光性材料の露光部分をマスクと
してエッチングすることにより、基板上に光の波長以下
の線幅の線を形成することが可能である。
細パターンの形成方法として、光ファイバの先端部を光
の波長以下に尖鋭化したものを用いることが知られてい
る。先端を光の波長以下に尖鋭化した光ファイバにレー
ザ光線を供給し、その先端を感光性材料を塗布した基板
の表面に密着又は光の波長以下に極めて近接して配置す
ることにより、その部分に近接場が生じ、光がその近接
場を通して伝達し、感光性材料が露光される。従って、
光ファイバの先端部を光の波長以下の寸法に予め加工し
ておくことにより、光の波長以下の線幅のパターンを基
板表面の感光性材料に露光することができる。そして感
光性材料を現像して、感光性材料の露光部分をマスクと
してエッチングすることにより、基板上に光の波長以下
の線幅の線を形成することが可能である。
【０００５】しかしながら、係る加工方法によれば、近
接場が形成されるのは光ファイバのプローブの先端部の
みの点であるので、その露光パターンは一筆書きとなら
ざるを得ない。このため、半導体集積回路等に使用され
る二次元パターンの形成に応用しようとすると、プロー
ブの先端を走査する必要があり、膨大な時間と複雑な機
構を必要とすることになり、実質的に不可能である。
接場が形成されるのは光ファイバのプローブの先端部の
みの点であるので、その露光パターンは一筆書きとなら
ざるを得ない。このため、半導体集積回路等に使用され
る二次元パターンの形成に応用しようとすると、プロー
ブの先端を走査する必要があり、膨大な時間と複雑な機
構を必要とすることになり、実質的に不可能である。
【０００６】このため、微細パターンを有するマスクを
用いて、二次元パターンを転写することが試みられてい
る。即ち、ガラス材等の光透過性材料からなるプリズム
を用いて、その下面に光の波長以下の微細な凹凸を有す
る微細パターンを形成したマスクを装着する。そして、
この微細パターンのマスク部分のプリズム下面で光線が
全反射するような角度で光を入射させ、プリズム下面に
より光を反射させる。そして、この微細パターンに光の
波長以下に極めて近接して感光性材料を表面に塗布した
基板を配置することにより、エバネッセント場が形成さ
れ、微細パターンに従った二次元パターンの露光を行う
ことができる。即ち、レーザ光をプリズムの一斜面から
入射して、微細パターンを有する面で入射光を全反射さ
せ、プリズムのもう一つの斜面からレーザ光を大気中に
取り出すように構成した光照射系を備え、この微細パタ
ーン面に基板表面の感光性材料を密着し、これによりエ
バネッセント場を生じさせ、露光パターンに従った光線
を感光性材料に伝搬させて、光の波長以下の微細パター
ンを形成するようにしたものである。
用いて、二次元パターンを転写することが試みられてい
る。即ち、ガラス材等の光透過性材料からなるプリズム
を用いて、その下面に光の波長以下の微細な凹凸を有す
る微細パターンを形成したマスクを装着する。そして、
この微細パターンのマスク部分のプリズム下面で光線が
全反射するような角度で光を入射させ、プリズム下面に
より光を反射させる。そして、この微細パターンに光の
波長以下に極めて近接して感光性材料を表面に塗布した
基板を配置することにより、エバネッセント場が形成さ
れ、微細パターンに従った二次元パターンの露光を行う
ことができる。即ち、レーザ光をプリズムの一斜面から
入射して、微細パターンを有する面で入射光を全反射さ
せ、プリズムのもう一つの斜面からレーザ光を大気中に
取り出すように構成した光照射系を備え、この微細パタ
ーン面に基板表面の感光性材料を密着し、これによりエ
バネッセント場を生じさせ、露光パターンに従った光線
を感光性材料に伝搬させて、光の波長以下の微細パター
ンを形成するようにしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法によれば、
エバネッセント場を利用して光の波長以下の微細パター
ンを二次元的に基板の感光性材料に転写することが可能
となる。しかしながら、この露光方法においては微細パ
ターンを感光性材料に密着させるか、または光の波長以
下に近接して配置する必要があり、微細パターンに汚れ
が付着する等の問題がある。ところが微細パターンは、
光の波長以下の微細な線幅の二次元的なパターンであ
り、そのオリジナルマスクは、電子線露光を用いて直接
描画するか、又はＸ線露光を用いてレチクルから描画す
る必要がある。このため、オリジナルマスクは量産には
使用できず、安価な使い捨ても可能な量産用の微細パタ
ーンを備えたマスクが必要であった。
エバネッセント場を利用して光の波長以下の微細パター
ンを二次元的に基板の感光性材料に転写することが可能
となる。しかしながら、この露光方法においては微細パ
ターンを感光性材料に密着させるか、または光の波長以
下に近接して配置する必要があり、微細パターンに汚れ
が付着する等の問題がある。ところが微細パターンは、
光の波長以下の微細な線幅の二次元的なパターンであ
り、そのオリジナルマスクは、電子線露光を用いて直接
描画するか、又はＸ線露光を用いてレチクルから描画す
る必要がある。このため、オリジナルマスクは量産には
使用できず、安価な使い捨ても可能な量産用の微細パタ
ーンを備えたマスクが必要であった。
【０００８】又、このような用途に限らず、オリジナル
の光の波長以下を含む微細なサイズのパターンに基づい
て、微細な凹凸を有する被転写体を大量に複製する必要
がある場合が考えられる。例えば、レーザディスク等の
製品は、現状では光の波長よりはるかに長い多数の凹凸
が盤面に形成されているが、この凹凸を光の波長以下又
はその近傍にすることにより格段に情報密度を向上させ
ることができる。
の光の波長以下を含む微細なサイズのパターンに基づい
て、微細な凹凸を有する被転写体を大量に複製する必要
がある場合が考えられる。例えば、レーザディスク等の
製品は、現状では光の波長よりはるかに長い多数の凹凸
が盤面に形成されているが、この凹凸を光の波長以下又
はその近傍にすることにより格段に情報密度を向上させ
ることができる。
【０００９】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含む微
細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パターン
の転写加工方法を提供することを目的とする。
ので、安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含む微
細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パターン
の転写加工方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、微細な凹凸パターンを備えた転写体を準備し、被転
写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹凸パターン
を前記半固体材料に加圧して密着させることにより、該
半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネルギービ
ームを該半固体材料の凹凸パターンに照射することによ
り、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パターンに沿
った凹凸パターンを転写することを特徴とするものであ
る。
は、微細な凹凸パターンを備えた転写体を準備し、被転
写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹凸パターン
を前記半固体材料に加圧して密着させることにより、該
半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネルギービ
ームを該半固体材料の凹凸パターンに照射することによ
り、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パターンに沿
った凹凸パターンを転写することを特徴とするものであ
る。
【００１１】上記本発明によれば、被転写体の表面に形
成された半固体材料に、微細パターンを押圧することに
より微細パターンの転写を行い、均一なエネルギービー
ムの照射を行うことにより、その微細パターンに基づい
て被転写体に微細な凹凸を形成できる。従って、微小寸
法の位置合わせを行う必要もなく、高価な露光設備等を
必要とすることもなく、安価に且つ大量生産が可能な微
細パターンの転写が行える。
成された半固体材料に、微細パターンを押圧することに
より微細パターンの転写を行い、均一なエネルギービー
ムの照射を行うことにより、その微細パターンに基づい
て被転写体に微細な凹凸を形成できる。従って、微小寸
法の位置合わせを行う必要もなく、高価な露光設備等を
必要とすることもなく、安価に且つ大量生産が可能な微
細パターンの転写が行える。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記転写体は、
ローラであり、該ローラを回転押圧することにより前記
半固体材料に前記凹凸パターンの転写を行うことを特徴
とするものである。
ローラであり、該ローラを回転押圧することにより前記
半固体材料に前記凹凸パターンの転写を行うことを特徴
とするものである。
【００１３】上記本発明によれば、転写体をローラと
し、その外周面に沿って、又は回転軸方向に沿って微細
な凹凸パターンを備えることで、ローラを被転写体の半
固体材料等に押圧しつつ回転させることで、転写体の微
細パターンを被転写体の半固体材料に転写することがで
きる。従って、被転写体が波型のようなものに対して
も、微細パターンの転写が可能となる。
し、その外周面に沿って、又は回転軸方向に沿って微細
な凹凸パターンを備えることで、ローラを被転写体の半
固体材料等に押圧しつつ回転させることで、転写体の微
細パターンを被転写体の半固体材料に転写することがで
きる。従って、被転写体が波型のようなものに対して
も、微細パターンの転写が可能となる。
【００１４】請求項３に記載の発明は、前記転写体は可
撓体であり、前記被転写体の半固体材料表面から離隔し
て配置され、ローラで回転押圧することにより前記転写
体を半固体材料に密着させ、前記半固体材料に前記凹凸
パターンの転写を行うことを特徴とするものである。
撓体であり、前記被転写体の半固体材料表面から離隔し
て配置され、ローラで回転押圧することにより前記転写
体を半固体材料に密着させ、前記半固体材料に前記凹凸
パターンの転写を行うことを特徴とするものである。
【００１５】上記本発明によれば、転写体として可撓体
を用い、ローラにより部分的に押圧しつつ、ローラを回
転させることにより被転写体の全面に微細な凹凸パター
ンを転写することができる。これにより、一般に被転写
体の表面は完全に平坦でないが、このような歪みのある
面に対しても、微細パターンの転写が行える。
を用い、ローラにより部分的に押圧しつつ、ローラを回
転させることにより被転写体の全面に微細な凹凸パター
ンを転写することができる。これにより、一般に被転写
体の表面は完全に平坦でないが、このような歪みのある
面に対しても、微細パターンの転写が行える。
【００１６】請求項４に記載の発明は、微細な凹凸パタ
ーンを備えた転写体を準備し、被転写体となる材料を加
熱により溶融している状態で前記転写体の凹凸パターン
上に流し込み、その後冷却することにより被転写体とな
る材料を固化すると共に前記凹凸パターンを転写し、そ
の後前記転写体から分離して被転写体として取り出すこ
とを特徴とするものである。
ーンを備えた転写体を準備し、被転写体となる材料を加
熱により溶融している状態で前記転写体の凹凸パターン
上に流し込み、その後冷却することにより被転写体とな
る材料を固化すると共に前記凹凸パターンを転写し、そ
の後前記転写体から分離して被転写体として取り出すこ
とを特徴とするものである。
【００１７】これにより、溶融状態の被転写体材料を流
し込むだけで、光の波長以下の微細パターンを有する被
転写体を製造できるので、量産性及び製造コストの低減
に極めて有用である。
し込むだけで、光の波長以下の微細パターンを有する被
転写体を製造できるので、量産性及び製造コストの低減
に極めて有用である。
【００１８】請求項５に記載の発明は、転写体となる基
板にレジストを塗布し、該レジストに微細なパターンを
電子線又はＸ線露光と現像により形成し、該レジストパ
ターンをマスクとして高速原子線ビームを照射すること
により、前記転写体上に微細な転写用の凹凸パターンを
形成することを特徴とするものである。
板にレジストを塗布し、該レジストに微細なパターンを
電子線又はＸ線露光と現像により形成し、該レジストパ
ターンをマスクとして高速原子線ビームを照射すること
により、前記転写体上に微細な転写用の凹凸パターンを
形成することを特徴とするものである。
【００１９】これにより、電子線又はＸ線露光を用いる
ことで、光の回折の問題が生ぜず、光の波長以下を含め
た微細パターンをレジスト膜上に形成できる。そして、
このレジスト膜パターンをマスクとして高速原子線を照
射することにより、高速原子線は直進性が高く電荷によ
る反発、或いは被照射体のチャージアップ等の問題がな
く、アスペクト比の高いエッチング加工を転写体自体に
行うことができる。これにより、アスペクト比の高い光
の波長以下を含めた微細な転写用のパターンを転写体に
形成できる。
ことで、光の回折の問題が生ぜず、光の波長以下を含め
た微細パターンをレジスト膜上に形成できる。そして、
このレジスト膜パターンをマスクとして高速原子線を照
射することにより、高速原子線は直進性が高く電荷によ
る反発、或いは被照射体のチャージアップ等の問題がな
く、アスペクト比の高いエッチング加工を転写体自体に
行うことができる。これにより、アスペクト比の高い光
の波長以下を含めた微細な転写用のパターンを転写体に
形成できる。
【００２０】総じて上記本発明によれば、光の波長限界
以下を含めた微細パターンの転写加工に大変有利であ
り、簡便で効率的で、低コストの転写加工方法を実現で
きる。被転写体として、エバネッセント場を利用した光
露光のマスクとして用いれば、これにより超微細パター
ンの半導体集積回路を量産することが可能となる。又、
光ディスク装置等に用いることにより、これらの情報蓄
積密度の飛躍的な向上が期待できる。
以下を含めた微細パターンの転写加工に大変有利であ
り、簡便で効率的で、低コストの転写加工方法を実現で
きる。被転写体として、エバネッセント場を利用した光
露光のマスクとして用いれば、これにより超微細パター
ンの半導体集積回路を量産することが可能となる。又、
光ディスク装置等に用いることにより、これらの情報蓄
積密度の飛躍的な向上が期待できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照しながら説明する。
て添付図面を参照しながら説明する。
【００２２】図１は、本発明の第１実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す。図１（ａ）に示すように、光
の波長より小さいサイズの微細パターン１２を備えた転
写体１１を準備する。この転写体１１は例えば金属で構
成されており、転写の対象となる凹凸のパターンは、光
の波長以下の例えば数十ｎｍの幅及び数十ｎｍの深さを
有する凹凸パターンである。被転写体１３には、その表
面にレジスト膜１５が塗布されている。ここで被転写体
１３は、例えばＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ
ＵＳ、黄銅等の金属、又はＳｉ、ＳｉＯ２、Ｎｉ−Ｐ、
ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ガラス、石英
ガラス等の無機材料、プラスチック、フッ素含有プラス
チック、ポリイミド、ＰＭＭＡ等の樹脂材料である。
ンの転写加工方法を示す。図１（ａ）に示すように、光
の波長より小さいサイズの微細パターン１２を備えた転
写体１１を準備する。この転写体１１は例えば金属で構
成されており、転写の対象となる凹凸のパターンは、光
の波長以下の例えば数十ｎｍの幅及び数十ｎｍの深さを
有する凹凸パターンである。被転写体１３には、その表
面にレジスト膜１５が塗布されている。ここで被転写体
１３は、例えばＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ
ＵＳ、黄銅等の金属、又はＳｉ、ＳｉＯ２、Ｎｉ−Ｐ、
ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ガラス、石英
ガラス等の無機材料、プラスチック、フッ素含有プラス
チック、ポリイミド、ＰＭＭＡ等の樹脂材料である。
【００２３】そして、図１（ｂ）に示すように、転写体
１１の凹凸のパターン１２を、被転写体１３の表面に塗
布されたレジスト膜１５に密着させ、加圧する。これに
より微細な凹凸パターン１２に対応した転写パターンで
ある凹凸パターンがレジスト膜１５に形成される。レジ
スト等の高分子材料においては、転写時にはその材料の
粘度或いは硬度が大きく加工精度に影響する。例えば粘
度が低すぎると転写形状が崩れやすく、又高すぎると角
部が丸くなり、アスペクト比の高い加工が困難になり、
適切な状態に制御することが微細パターンの形成には重
要である。
１１の凹凸のパターン１２を、被転写体１３の表面に塗
布されたレジスト膜１５に密着させ、加圧する。これに
より微細な凹凸パターン１２に対応した転写パターンで
ある凹凸パターンがレジスト膜１５に形成される。レジ
スト等の高分子材料においては、転写時にはその材料の
粘度或いは硬度が大きく加工精度に影響する。例えば粘
度が低すぎると転写形状が崩れやすく、又高すぎると角
部が丸くなり、アスペクト比の高い加工が困難になり、
適切な状態に制御することが微細パターンの形成には重
要である。
【００２４】図１（ｃ）は、転写体１１をレジスト膜１
５から分離した状態を示す。そしてポストベイク等の処
理を行い、レジストの加工耐性を高める。そして、図１
（ｄ）に示すように、高速原子線の照射を行う。高速原
子線は、電気的に中性な粒子線であり、特に平行平板型
の高速電子線源を用いることにより直進性の高いビーム
が得られ、高いアスペクト比で被転写体１３のエッチン
グ加工を行うことができる。
５から分離した状態を示す。そしてポストベイク等の処
理を行い、レジストの加工耐性を高める。そして、図１
（ｄ）に示すように、高速原子線の照射を行う。高速原
子線は、電気的に中性な粒子線であり、特に平行平板型
の高速電子線源を用いることにより直進性の高いビーム
が得られ、高いアスペクト比で被転写体１３のエッチン
グ加工を行うことができる。
【００２５】図２は、この実施例の変形例を示す図であ
る。この例においては、（ｂ）に示す転写体１１を加圧
するのにローラ１７を用いて行っている。これにより被
転写体が凸型をなしていても、被転写体の面に微細パタ
ーンを形成できる。その他の（ａ）、（ｃ）、（ｄ）の
工程は、図１の実施例と同様である。
る。この例においては、（ｂ）に示す転写体１１を加圧
するのにローラ１７を用いて行っている。これにより被
転写体が凸型をなしていても、被転写体の面に微細パタ
ーンを形成できる。その他の（ａ）、（ｃ）、（ｄ）の
工程は、図１の実施例と同様である。
【００２６】図３は、本発明の第２実施例の微細パター
ンの転写方法を示す図である。この実施例においては、
転写体２０として可撓性のある材料を用いている。そし
て、（ａ）に示すように、被転写体１３の表面に塗布さ
れたレジスト膜１５から離隔した位置に転写体２０の微
細な凹凸パターン１２の面が配置されている。そして、
（ｂ）に示すように、ローラ１７で回転押圧することに
より転写体２０の凹凸パターン１２をレジスト膜１５に
密着加圧し、レジスト膜１５に微細な凹凸パターンの転
写を行う。（ｃ）に示すように、これによってレジスト
パターン１５ａが形成される。これをマスクとして高速
原子線の照射を行い被転写体１３のエッチング加工を行
い、（ｄ）に示すように、その表面に微細な凹凸パター
ン１３ａを形成することは、上述の実施例と同様であ
る。この実施例においては、転写体２０が可撓性を有す
るので、例えば被転写体１３が平坦な加工面を有さず、
うねりを有するものであっても、微細パターンの転写加
工が可能である。
ンの転写方法を示す図である。この実施例においては、
転写体２０として可撓性のある材料を用いている。そし
て、（ａ）に示すように、被転写体１３の表面に塗布さ
れたレジスト膜１５から離隔した位置に転写体２０の微
細な凹凸パターン１２の面が配置されている。そして、
（ｂ）に示すように、ローラ１７で回転押圧することに
より転写体２０の凹凸パターン１２をレジスト膜１５に
密着加圧し、レジスト膜１５に微細な凹凸パターンの転
写を行う。（ｃ）に示すように、これによってレジスト
パターン１５ａが形成される。これをマスクとして高速
原子線の照射を行い被転写体１３のエッチング加工を行
い、（ｄ）に示すように、その表面に微細な凹凸パター
ン１３ａを形成することは、上述の実施例と同様であ
る。この実施例においては、転写体２０が可撓性を有す
るので、例えば被転写体１３が平坦な加工面を有さず、
うねりを有するものであっても、微細パターンの転写加
工が可能である。
【００２７】図４は、本発明の第３実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、転写体として外周面に微細な凹凸パターンを有する
ローラ２１を用いている。即ち、（ａ）に示すように、
上述の例と同様に表面にレジスト膜１５を塗布した被転
写体１３を準備する。そして、（ｂ）に示すように、微
細な凹凸パターンを外周面に備えたローラを押圧しなが
ら回転することにより、レジスト膜１５に微細な凹凸の
転写パターンを形成する。そして、以降の工程（ｃ）、
（ｄ）は上述の各実施例と同様である。この転写加工方
法によれば、被転写体１３が例えば波形を有する表面形
状のものであっても、ローラを用いることにより正確に
微細な凹凸パターンを転写することが可能となる。
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、転写体として外周面に微細な凹凸パターンを有する
ローラ２１を用いている。即ち、（ａ）に示すように、
上述の例と同様に表面にレジスト膜１５を塗布した被転
写体１３を準備する。そして、（ｂ）に示すように、微
細な凹凸パターンを外周面に備えたローラを押圧しなが
ら回転することにより、レジスト膜１５に微細な凹凸の
転写パターンを形成する。そして、以降の工程（ｃ）、
（ｄ）は上述の各実施例と同様である。この転写加工方
法によれば、被転写体１３が例えば波形を有する表面形
状のものであっても、ローラを用いることにより正確に
微細な凹凸パターンを転写することが可能となる。
【００２８】図５は、本発明の第４実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、（ａ）に示すように、転写体として軸方向に微細な
凹凸パターンを有するローラ２１ａを用いている。そし
て上述の例と同様に、表面にレジスト膜１５を塗布した
被転写体１３を準備する。この場合には被転写体として
石英ガラスが用いられる。ローラ２１ａを回転しながら
押圧することにより、（ｂ）に示すように、レジスト膜
１５に微細な凹凸の転写パターンが形成される。そして
（ｃ）に示すように、高速原子線の照射を行い、レジス
ト膜１５及びその下面の被転写体１３をエッチング加工
する。この結果、（ｄ）に示すように、被転写体１３に
はレジスト膜１５に形成された凹凸パターン（（ｂ）参
照）がそのまま転写して形成される。
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、（ａ）に示すように、転写体として軸方向に微細な
凹凸パターンを有するローラ２１ａを用いている。そし
て上述の例と同様に、表面にレジスト膜１５を塗布した
被転写体１３を準備する。この場合には被転写体として
石英ガラスが用いられる。ローラ２１ａを回転しながら
押圧することにより、（ｂ）に示すように、レジスト膜
１５に微細な凹凸の転写パターンが形成される。そして
（ｃ）に示すように、高速原子線の照射を行い、レジス
ト膜１５及びその下面の被転写体１３をエッチング加工
する。この結果、（ｄ）に示すように、被転写体１３に
はレジスト膜１５に形成された凹凸パターン（（ｂ）参
照）がそのまま転写して形成される。
【００２９】この場合、凹凸パターンのピッチＡを０．
１μｍ〜１００μｍ程度に、その深さＢを０．１μｍ〜
１００μｍ程度の寸法に形成することができる。そして
石英ガラス表面に設けられたこのような凹凸パターン
は、回折、ピックアップ用レンズ、フレネルレンズ等に
好適に用いることができる。そして、高速原子線による
加工の条件としては、例えばＳＦ６ガスを用い、放電電
圧３ｋｖ、放電電流３０〜５０ｍＡ、ビーム径８０ｍｍ
φ、基板の冷却温度−３０〜−５０℃程度が好適であ
り、加工速度としては、１００〜３００Å／ｍｉｎが得
られる。又、ローラとしては、一体型として製作したも
のでもよく、又、凹凸部分を個別に製造し、これらを組
み合わせて製作したものでもよい。そしてレジスト膜１
５の凹凸は適当な治具を用いて一定圧力でローラを加圧
しながら回転することで形成することができる。
１μｍ〜１００μｍ程度に、その深さＢを０．１μｍ〜
１００μｍ程度の寸法に形成することができる。そして
石英ガラス表面に設けられたこのような凹凸パターン
は、回折、ピックアップ用レンズ、フレネルレンズ等に
好適に用いることができる。そして、高速原子線による
加工の条件としては、例えばＳＦ６ガスを用い、放電電
圧３ｋｖ、放電電流３０〜５０ｍＡ、ビーム径８０ｍｍ
φ、基板の冷却温度−３０〜−５０℃程度が好適であ
り、加工速度としては、１００〜３００Å／ｍｉｎが得
られる。又、ローラとしては、一体型として製作したも
のでもよく、又、凹凸部分を個別に製造し、これらを組
み合わせて製作したものでもよい。そしてレジスト膜１
５の凹凸は適当な治具を用いて一定圧力でローラを加圧
しながら回転することで形成することができる。
【００３０】図６は、上記第４実施例の変形例を示す図
である。この場合は、（ａ）に示すようにローラ２１ｂ
の回転軸方向に沿った凹凸パターンのピッチに変化を設
けたものである。これによって、（ｄ）に示すように被
転写体１３に形成された凹凸パターンにも（ａ）に示す
ローラの凹凸パターンに従ったパターンが転写される。
である。この場合は、（ａ）に示すようにローラ２１ｂ
の回転軸方向に沿った凹凸パターンのピッチに変化を設
けたものである。これによって、（ｄ）に示すように被
転写体１３に形成された凹凸パターンにも（ａ）に示す
ローラの凹凸パターンに従ったパターンが転写される。
【００３１】図７は、本発明の第５実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、上述の実施例のレジスト膜に換えて、重合性高分子
膜２２を用いたものである。即ち、（ａ）に示すよう
に、表面に光の波長以下の微細な凹凸パターン１２を備
えた転写体１１を準備すると共に、半固体状態の重合性
高分子膜（ＳｉＯ２）を表面に配設した被転写体１３を
準備する。そして（ｂ）に示すように、転写体１１を重
合性高分子膜２２に押圧する。そして転写体１１を分離
することにより、（ｃ）に示すように重合性高分子膜に
転写パターン２２ａを形成する。そして、この半固体状
態の重合性高分子膜を加熱することにより、（ｄ）に示
すように重合性高分子膜をＳｉＯ２膜２２ｂに変質させ
る。重合性高分子膜２２は、加熱によりその変質状態を
制御するため、熱制御機構を用いて温度管理を行うこと
が重要である。このＳｉＯ２膜２２ｂは、高速原子線等
のエネルギービームに対して十分な加工耐性を有するの
で、（ｅ）に示すように、高速原子線によるエッチング
加工に際して、十分な強度を有するマスクとして機能す
る。これにより被転写体にアスペクト比の高い加工を行
うことが可能となる。
ンの転写加工方法を示す図である。この実施例において
は、上述の実施例のレジスト膜に換えて、重合性高分子
膜２２を用いたものである。即ち、（ａ）に示すよう
に、表面に光の波長以下の微細な凹凸パターン１２を備
えた転写体１１を準備すると共に、半固体状態の重合性
高分子膜（ＳｉＯ２）を表面に配設した被転写体１３を
準備する。そして（ｂ）に示すように、転写体１１を重
合性高分子膜２２に押圧する。そして転写体１１を分離
することにより、（ｃ）に示すように重合性高分子膜に
転写パターン２２ａを形成する。そして、この半固体状
態の重合性高分子膜を加熱することにより、（ｄ）に示
すように重合性高分子膜をＳｉＯ２膜２２ｂに変質させ
る。重合性高分子膜２２は、加熱によりその変質状態を
制御するため、熱制御機構を用いて温度管理を行うこと
が重要である。このＳｉＯ２膜２２ｂは、高速原子線等
のエネルギービームに対して十分な加工耐性を有するの
で、（ｅ）に示すように、高速原子線によるエッチング
加工に際して、十分な強度を有するマスクとして機能す
る。これにより被転写体にアスペクト比の高い加工を行
うことが可能となる。
【００３２】図８は、本発明の第６実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す。この実施例においては、
（ａ）に示すように、レジスト又は重合性高分子膜１５
の表面に水溶性の薄膜２４を塗布している。この薄膜２
４の膜厚は、例えば１０〜５０ｎｍ程度であり、レジス
ト又は重合性高分子膜１５の厚さ１０〜１００ｎｍに対
して十分に薄い。そして（ｂ）に示すように、転写体１
１による加圧を行い、レジスト膜１５等に微細パターン
を転写する。そして、（ｃ）に示すように水中に浸漬す
る。これにより水溶性の薄膜２４が水に溶け、転写体１
１を容易にレジストパターン側から引き抜くことができ
る。即ち、離型が容易となり、レジスト等に形成した微
細な凹凸パターンが離型に際して損傷することを防止す
ることができる。その後の工程（ｄ）、（ｅ）は上述の
各実施例と同様である。
ンの転写加工方法を示す。この実施例においては、
（ａ）に示すように、レジスト又は重合性高分子膜１５
の表面に水溶性の薄膜２４を塗布している。この薄膜２
４の膜厚は、例えば１０〜５０ｎｍ程度であり、レジス
ト又は重合性高分子膜１５の厚さ１０〜１００ｎｍに対
して十分に薄い。そして（ｂ）に示すように、転写体１
１による加圧を行い、レジスト膜１５等に微細パターン
を転写する。そして、（ｃ）に示すように水中に浸漬す
る。これにより水溶性の薄膜２４が水に溶け、転写体１
１を容易にレジストパターン側から引き抜くことができ
る。即ち、離型が容易となり、レジスト等に形成した微
細な凹凸パターンが離型に際して損傷することを防止す
ることができる。その後の工程（ｄ）、（ｅ）は上述の
各実施例と同様である。
【００３３】図９は、本発明の第７実施例の微細パター
ンの転写加工方法を示す。図９（ａ）に示すように、微
細パターン１２を備えた転写体１１を準備する。この転
写体は金属材より構成されている。図９（ｂ）に示すよ
うに、ガラス、樹脂（ＰＭＭＡ）、プラスチック材等の
被転写体材料を加熱により溶融している状態１３ｘで転
写体１１上に流し込む。次に図９（ｃ）に示すように、
加力発生器２６を用いて、被転写体材料１３ｘに圧力を
加える。これにより、被転写体の溶融状態での材料１３
ｘが、転写体の微細な凹凸である微細パターンの隅々ま
で行き渡り、冷却することにより転写体の微細パターン
１２を正確に転写することが可能である。
ンの転写加工方法を示す。図９（ａ）に示すように、微
細パターン１２を備えた転写体１１を準備する。この転
写体は金属材より構成されている。図９（ｂ）に示すよ
うに、ガラス、樹脂（ＰＭＭＡ）、プラスチック材等の
被転写体材料を加熱により溶融している状態１３ｘで転
写体１１上に流し込む。次に図９（ｃ）に示すように、
加力発生器２６を用いて、被転写体材料１３ｘに圧力を
加える。これにより、被転写体の溶融状態での材料１３
ｘが、転写体の微細な凹凸である微細パターンの隅々ま
で行き渡り、冷却することにより転写体の微細パターン
１２を正確に転写することが可能である。
【００３４】次に図９（ｄ）に示すように、冷却された
材料１３ｃを転写体１１から分離することにより転写さ
れた微細パターン１２ａを備えた被転写体１３ｃが完成
する。離型に際しては、転写体が金属材料であり、被転
写体材料がガラス又は樹脂であると、これらは熱膨張率
が異なり、特に被転写体材料が加熱状態で転写体に流し
込まれ、その後冷却により固化するので、容易に離型す
ることができる。
材料１３ｃを転写体１１から分離することにより転写さ
れた微細パターン１２ａを備えた被転写体１３ｃが完成
する。離型に際しては、転写体が金属材料であり、被転
写体材料がガラス又は樹脂であると、これらは熱膨張率
が異なり、特に被転写体材料が加熱状態で転写体に流し
込まれ、その後冷却により固化するので、容易に離型す
ることができる。
【００３５】図１０は、本発明の第８実施例の微細パタ
ーンの転写加工方法を示す。この実施例においては、微
細パターン１２を備えた金属材からなる転写体１１の表
面に溶解性の薄膜２８を被着する。この溶解性の薄膜２
８は水溶性であり、後の離型のために被着する。そして
図１０（ｂ）に示すように、加熱して溶融している状態
の材料１３ｘを流し込む。次に図１０（ｃ）に示すよう
に、ローラ１７を用いて加圧することにより、被転写体
の材料である光透過性の材料１３ｘを微細パターン１２
の隅々まで行き渡らせる。そして冷却することにより、
固形の微細パターン１２の転写パターン１３ｃが被転写
体の材料１３ｘ上に形成される。
ーンの転写加工方法を示す。この実施例においては、微
細パターン１２を備えた金属材からなる転写体１１の表
面に溶解性の薄膜２８を被着する。この溶解性の薄膜２
８は水溶性であり、後の離型のために被着する。そして
図１０（ｂ）に示すように、加熱して溶融している状態
の材料１３ｘを流し込む。次に図１０（ｃ）に示すよう
に、ローラ１７を用いて加圧することにより、被転写体
の材料である光透過性の材料１３ｘを微細パターン１２
の隅々まで行き渡らせる。そして冷却することにより、
固形の微細パターン１２の転写パターン１３ｃが被転写
体の材料１３ｘ上に形成される。
【００３６】そして図１０（ｄ）に示すように、容器１
９中に入れられた水３０に浸漬することにより、溶解性
の材料２８が水３０中に溶解し、これにより被転写体１
３ｃが転写体１１から分離される。これにより、図１０
（ｅ）に示すように、転写体から転写された微細パター
ンを備えた被転写体１３ｃが完成する。
９中に入れられた水３０に浸漬することにより、溶解性
の材料２８が水３０中に溶解し、これにより被転写体１
３ｃが転写体１１から分離される。これにより、図１０
（ｅ）に示すように、転写体から転写された微細パター
ンを備えた被転写体１３ｃが完成する。
【００３７】図１１は、転写体の製造方法の一例を示
す。図１１（ａ）に示すように、金属材１１にレジスト
３１を塗布する。金属材１１としては、例えばステンレ
ス鋼（Ns-P/SUS）等が好適である。次に図１１（ｂ）に
示すように、電子線の直接露光を行い、電子線による露
光パタ−ン３１ａを形成する。この電子線の直接露光法
によれば、電子線は光線のような波長限界の影響がない
ため、光の波長以下の微細なパターンの形成が容易に可
能である。次に図１１（ｃ）に示すように、現像を行
い、レジスト膜３１中の露光部分３１ａを残して他を除
去することにより、レジストパターン３１ｂを形成す
る。このレジストパターン３１ｂは、電子線で直接描画
した微細パターンである。
す。図１１（ａ）に示すように、金属材１１にレジスト
３１を塗布する。金属材１１としては、例えばステンレ
ス鋼（Ns-P/SUS）等が好適である。次に図１１（ｂ）に
示すように、電子線の直接露光を行い、電子線による露
光パタ−ン３１ａを形成する。この電子線の直接露光法
によれば、電子線は光線のような波長限界の影響がない
ため、光の波長以下の微細なパターンの形成が容易に可
能である。次に図１１（ｃ）に示すように、現像を行
い、レジスト膜３１中の露光部分３１ａを残して他を除
去することにより、レジストパターン３１ｂを形成す
る。このレジストパターン３１ｂは、電子線で直接描画
した微細パターンである。
【００３８】そして、現像後のリンス及びポストベイク
を行い、レジストパターン３１ｂの加工耐性を高め、次
に図１１（ｄ）に示すように、レジストパターン３１ｂ
をマスクとして金属材１１のエッチング加工を行う。こ
のエッチング加工は高速原子線（ＦＡＢ）を用いること
が好適である。特に平行平板型のＦＡＢ源により照射さ
れる高速原子線は直進性が高く、又電荷によるビームの
拡散という問題が生じないため、レジストパターン３１
ｂをマスクとして、極めてアスペクト比の高いエッチン
グ加工を金属材料１１に対して行うことができる。これ
により微細パターン１２を備えた金属材からなる転写体
１１を形成することができる。
を行い、レジストパターン３１ｂの加工耐性を高め、次
に図１１（ｄ）に示すように、レジストパターン３１ｂ
をマスクとして金属材１１のエッチング加工を行う。こ
のエッチング加工は高速原子線（ＦＡＢ）を用いること
が好適である。特に平行平板型のＦＡＢ源により照射さ
れる高速原子線は直進性が高く、又電荷によるビームの
拡散という問題が生じないため、レジストパターン３１
ｂをマスクとして、極めてアスペクト比の高いエッチン
グ加工を金属材料１１に対して行うことができる。これ
により微細パターン１２を備えた金属材からなる転写体
１１を形成することができる。
【００３９】尚、上記実施例は一例を示したもので、例
えば電子線露光に代えてＸ線露光を用いてもよく、又、
高速原子線によるエッチングに代えてプラズマエッチン
グを用いてもよい。又、転写体の材料も金属に代えてシ
リコン材、セラミクス、又は樹脂材料等を用いてもよ
い。このように本発明の趣旨を逸脱することなく、種々
の変形実施例が可能である。
えば電子線露光に代えてＸ線露光を用いてもよく、又、
高速原子線によるエッチングに代えてプラズマエッチン
グを用いてもよい。又、転写体の材料も金属に代えてシ
リコン材、セラミクス、又は樹脂材料等を用いてもよ
い。このように本発明の趣旨を逸脱することなく、種々
の変形実施例が可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
微細パターンを備えた被転写体を容易に且つ低コストで
製造することができる。これによりエバネッセント場を
利用した微細パターンのホトレジスト等への転写を量産
用マスクを用いて行うことができ、従って、光の波長限
界以下を含めた微細パターンの転写を半導体ＬＳＩの製
造等に利用することが可能となる。又、光ディスク装置
等への応用も可能である。
微細パターンを備えた被転写体を容易に且つ低コストで
製造することができる。これによりエバネッセント場を
利用した微細パターンのホトレジスト等への転写を量産
用マスクを用いて行うことができ、従って、光の波長限
界以下を含めた微細パターンの転写を半導体ＬＳＩの製
造等に利用することが可能となる。又、光ディスク装置
等への応用も可能である。
【図１】本発明の第１実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】図１に示す微細パターンの転写加工方法の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図５】本発明の第４実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図６】第４実施例の変形例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図７】本発明の第５実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図８】本発明の第６実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図９】本発明の第７実施例の微細パターンの転写加工
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図１０】本発明の第８実施例の微細パターンの転写加
工方法を示す図である。
工方法を示す図である。
【図１１】本発明の転写体の製造方法の一例を示す図で
ある。
ある。
１１ 転写体 １２ 微細パターン １３ 被転写体 １３ａ 被転写体に転写された微細パターン １５ レジスト膜（半固体材料） １５ａ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｚ (72)発明者 一木 克則 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 佐竹 徹 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 畑村 洋太郎 東京都文京区小日向２−12−11 (72)発明者 中尾 政之 千葉県松戸市新松戸４−272 Ｄ−805
Claims (5)
- 【請求項１】 微細な凹凸パターンを備えた転写体を準
備し、被転写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹
凸パターンを前記半固体材料に密着して加圧することに
より、該半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネ
ルギービームを該半固体材料の凹凸パターンに照射する
ことにより、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パタ
ーンに沿った凹凸パターンを転写することを特徴とする
微細パターンの転写加工方法。 - 【請求項２】 前記転写体は、ローラであり、該ローラ
を回転押圧することにより前記半固体材料に前記凹凸パ
ターンの転写を行うことを特徴とする請求項１に記載の
微細パターンの転写加工方法。 - 【請求項３】 前記転写体は可撓体であり、前記被転写
体の半固体材料表面から離隔して配置され、ローラで回
転押圧することにより前記転写体を半固体材料に密着加
圧し、前記半固体材料に前記凹凸パターンの転写を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の微細パターンの転写
加工方法。 - 【請求項４】 微細な凹凸パターンを備えた転写体を準
備し、被転写体となる材料を加熱により溶融している状
態で前記転写体の凹凸パターン上に流し込み、その後冷
却することにより被転写体となる材料を固化すると共に
前記凹凸パターンを転写し、その後前記転写体から分離
して被転写体として取り出すことを特徴とする微細パタ
ーンの転写加工方法。 - 【請求項５】 転写体となる基板にレジストを塗布し、
該レジストに微細なパターンを電子線又はＸ線露光と現
像により形成し、該レジストパターンをマスクとして高
速原子線ビームを照射することにより、前記転写体上に
微細な転写用の凹凸パターンを形成することを特徴とす
る転写体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237199A JP2000039702A (ja) | 1998-04-30 | 1999-04-28 | 微細パタ―ンの転写加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-136150 | 1998-04-30 | ||
| JP13615098 | 1998-04-30 | ||
| JP12237199A JP2000039702A (ja) | 1998-04-30 | 1999-04-28 | 微細パタ―ンの転写加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000039702A true JP2000039702A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=26459512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12237199A Pending JP2000039702A (ja) | 1998-04-30 | 1999-04-28 | 微細パタ―ンの転写加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000039702A (ja) |
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- 1999-04-28 JP JP12237199A patent/JP2000039702A/ja active Pending
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