JP2000038685A - 基板をコ―ティングする方法 - Google Patents
基板をコ―ティングする方法Info
- Publication number
- JP2000038685A JP2000038685A JP11180813A JP18081399A JP2000038685A JP 2000038685 A JP2000038685 A JP 2000038685A JP 11180813 A JP11180813 A JP 11180813A JP 18081399 A JP18081399 A JP 18081399A JP 2000038685 A JP2000038685 A JP 2000038685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- deposited
- palladium
- laterally beyond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 44
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 16
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
- C23C14/588—Removal of material by mechanical treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板をコーティングする新規方法を提供す
る。 【解決手段】 基板の表面の部分領域に、基板表面自体
よりも良好な付着性を有する少なくとも１つの構造
（４）を設け、層（５）を基板の表面に被着し、かつ、
構造（４）を越えて側方に突出した層（５）の部分を機
械的に除去し、その際構造（４）の材料は構造（４）上
に被着した層（５）が有していない又は構造（４）の材
料よりわずかな濃度で有する少なくとも１種の化学元素
又は化合物を含有しており、次いで表面に被着した第１
の層（５）上に、少なくとも１つの第２の層（７）を被
着し、その際第２の層（７）は構造（４）の材料内に含
まれる化学元素又は化合物を有していないか又は構造
（４）の材料よりもわずかな濃度でのみ有するようにす
る。
る。 【解決手段】 基板の表面の部分領域に、基板表面自体
よりも良好な付着性を有する少なくとも１つの構造
（４）を設け、層（５）を基板の表面に被着し、かつ、
構造（４）を越えて側方に突出した層（５）の部分を機
械的に除去し、その際構造（４）の材料は構造（４）上
に被着した層（５）が有していない又は構造（４）の材
料よりわずかな濃度で有する少なくとも１種の化学元素
又は化合物を含有しており、次いで表面に被着した第１
の層（５）上に、少なくとも１つの第２の層（７）を被
着し、その際第２の層（７）は構造（４）の材料内に含
まれる化学元素又は化合物を有していないか又は構造
（４）の材料よりもわずかな濃度でのみ有するようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面の部分
領域に少なくとも１つの構造を製造し、その際該構造に
は基板の表面上に被着すべき層が構造の外側にある基板
の表面領域におけるよりも良好に付着し、構造を製造し
た後に層を基板の表面に被着し、かつ、構造を越えて側
方に突出した層の部分を機械的に除去し、その際構造の
材料は構造上に被着した層が有していない又は構造の材
料よりわずかな濃度で有する少なくとも１種の化学元素
又は化合物を含有する、基板をコーティングする方法、
とくにセンサを製造する方法に関する。
領域に少なくとも１つの構造を製造し、その際該構造に
は基板の表面上に被着すべき層が構造の外側にある基板
の表面領域におけるよりも良好に付着し、構造を製造し
た後に層を基板の表面に被着し、かつ、構造を越えて側
方に突出した層の部分を機械的に除去し、その際構造の
材料は構造上に被着した層が有していない又は構造の材
料よりわずかな濃度で有する少なくとも１種の化学元素
又は化合物を含有する、基板をコーティングする方法、
とくにセンサを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６
４１７７７号明細書によれば、ＭＯＳ装置において金属
電極を有するセンサを製造するために、前記のような方
法を使用することはすでに公知である。この方法は、実
際に基板の構造化したコーティングを可能にし、しかも
その際、基板上に被着したコーティングをフォトリソグ
ラフィープロセス又はエッチングプロセスによって構造
化する必要がないので有利であることが立証されてい
る。それにより、基板上に被着するべき金属電極材料に
よるＭＯＳ半導体製造のために使用される製造装置の汚
染は避けられる。このような汚染は、例えばフォトリソ
グラフィー構造化プロセスの際、フォトレジストの溶解
の際又は構造化すべき金属層のエッチングの際に生じる
ことがある。製造装置の金属汚染は、とりわけゲート酸
化物の絶縁破壊強さ、ひいては製造装置によって製造さ
れる半導体の信頼度を低下するので、不都合である。
４１７７７号明細書によれば、ＭＯＳ装置において金属
電極を有するセンサを製造するために、前記のような方
法を使用することはすでに公知である。この方法は、実
際に基板の構造化したコーティングを可能にし、しかも
その際、基板上に被着したコーティングをフォトリソグ
ラフィープロセス又はエッチングプロセスによって構造
化する必要がないので有利であることが立証されてい
る。それにより、基板上に被着するべき金属電極材料に
よるＭＯＳ半導体製造のために使用される製造装置の汚
染は避けられる。このような汚染は、例えばフォトリソ
グラフィー構造化プロセスの際、フォトレジストの溶解
の際又は構造化すべき金属層のエッチングの際に生じる
ことがある。製造装置の金属汚染は、とりわけゲート酸
化物の絶縁破壊強さ、ひいては製造装置によって製造さ
れる半導体の信頼度を低下するので、不都合である。
【０００３】しかしながらなお、従来公知のコーティン
グ方法の欠点は、比較的わずかな厚さを有する層しか被
着できないという点にある。それというのもさもなけれ
ば、構造を越えて側方に突出した層部分が機械的な手段
によっては除去できないからである。したがって、冒頭
に挙げた方法にしたがって製造された層は、比較的わず
かな温度安定性を有するにすぎない、すなわち、基板の
構造化された領域にある化合物又は元素、例えばシリコ
ンは、基板からその上に被着された層内に拡散し、かつ
場合によってはこの層の表面にまで到達することがあ
る。しかもその際、基板から層内に拡散された物質が、
層内に含まれる物質と化学的結合を起こしかつ／又はこ
れと混合し、かつ例えば腐食耐性のようなその化学的及
び／又は物理的な特性を変化させることがある。このよ
うな基板からその上に被着された層への物質の好ましく
ない拡散は、とくに高い温度において、例えば１００°
Ｃ以上において生じる。しかしながら、このような温度
は半導体製造において避けることができず、かつ例えば
基板上にあるレジスト層の硬化のための熱処理の際、又
は基板におけるボンディング結合の取付けの際に生じる
ことがある。
グ方法の欠点は、比較的わずかな厚さを有する層しか被
着できないという点にある。それというのもさもなけれ
ば、構造を越えて側方に突出した層部分が機械的な手段
によっては除去できないからである。したがって、冒頭
に挙げた方法にしたがって製造された層は、比較的わず
かな温度安定性を有するにすぎない、すなわち、基板の
構造化された領域にある化合物又は元素、例えばシリコ
ンは、基板からその上に被着された層内に拡散し、かつ
場合によってはこの層の表面にまで到達することがあ
る。しかもその際、基板から層内に拡散された物質が、
層内に含まれる物質と化学的結合を起こしかつ／又はこ
れと混合し、かつ例えば腐食耐性のようなその化学的及
び／又は物理的な特性を変化させることがある。このよ
うな基板からその上に被着された層への物質の好ましく
ない拡散は、とくに高い温度において、例えば１００°
Ｃ以上において生じる。しかしながら、このような温度
は半導体製造において避けることができず、かつ例えば
基板上にあるレジスト層の硬化のための熱処理の際、又
は基板におけるボンディング結合の取付けの際に生じる
ことがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、基板上に被着された層の表面に近い領域におけ
る化学的及び／又は物理的な特性が基板の熱処理に対し
て十分に安定である、冒頭に記載した形式の方法を提供
することである。
課題は、基板上に被着された層の表面に近い領域におけ
る化学的及び／又は物理的な特性が基板の熱処理に対し
て十分に安定である、冒頭に記載した形式の方法を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は、冒頭に記載
した形式の方法において、表面に被着した第１の層上に
少なくとも１つの第２の層を被着し、その際第２の層は
構造の材料内に含有される化学元素又は化合物を有して
いないか又は構造の材料よりもわずかな濃度でのみ有す
ることにより解決される。
した形式の方法において、表面に被着した第１の層上に
少なくとも１つの第２の層を被着し、その際第２の層は
構造の材料内に含有される化学元素又は化合物を有して
いないか又は構造の材料よりもわずかな濃度でのみ有す
ることにより解決される。
【０００６】したがって、見掛け上不必要な方式で、す
でに構造化された第１の層上に、これに結合されかつ第
１の層と同じ構造を有する第２の層を被着する。それに
より、一方において一層大きな層厚が達成されるので、
基板内にある化学元素又は化合物は一番上の層の表面に
到達するために一層大きな行程を進まなければならず、
しかしながらまた他方において第１及び第２の層の間に
境界面が提供され、この境界面はおそらく基板から第２
の層への物質の通過拡散を困難にする。したがって、本
発明による方法は、フォトリソグラフィー又はエッチン
グプロセスを使用することなく、ひいてはコーティング
に含まれる化学的元素又は化合物でのセンサの製造のた
めに使用される製造装置の相互汚染を回避しながら、基
板の表面の部分領域における構造化された層の被着を可
能にし、しかも層は少なくとも表面に近い領域におい
て、その化学的組成及びその物理的特性に関して、熱処
理の際に生じる温度に対して十分に安定である。場合に
よっては、この層上に少なくとも１つの別の層を被着す
ることができる。
でに構造化された第１の層上に、これに結合されかつ第
１の層と同じ構造を有する第２の層を被着する。それに
より、一方において一層大きな層厚が達成されるので、
基板内にある化学元素又は化合物は一番上の層の表面に
到達するために一層大きな行程を進まなければならず、
しかしながらまた他方において第１及び第２の層の間に
境界面が提供され、この境界面はおそらく基板から第２
の層への物質の通過拡散を困難にする。したがって、本
発明による方法は、フォトリソグラフィー又はエッチン
グプロセスを使用することなく、ひいてはコーティング
に含まれる化学的元素又は化合物でのセンサの製造のた
めに使用される製造装置の相互汚染を回避しながら、基
板の表面の部分領域における構造化された層の被着を可
能にし、しかも層は少なくとも表面に近い領域におい
て、その化学的組成及びその物理的特性に関して、熱処
理の際に生じる温度に対して十分に安定である。場合に
よっては、この層上に少なくとも１つの別の層を被着す
ることができる。
【０００７】本発明の実施態様によれば、第１の層の、
構造を越えて側方に突出した部分を、第２の層の被着す
る前に、とくに超音波によって除去する。したがって、
第２の層は第１の層よりも後の製造工程において被着さ
れるので、第１及び第２の層の被着の間に行なわれる熱
処理中に、基板から第１の層に拡散する化学元素又は化
合物は、まず第１の層の表面を越えて外に達することは
ない。第１の層の表面において達成される基板から拡散
する化学元素又は化合物の濃度は、基板内におけるこれ
らの元素又は化合物の濃度に対してわずかであり、これ
は次いで第２の層を被着した後に、この層の表面へのこ
れらの元素又は化合物の場合によるさらなる拡散に対す
る出発点を形成するので、元素又は化合物はそこへ相応
してわずかな濃度でしか到達することができない。
構造を越えて側方に突出した部分を、第２の層の被着す
る前に、とくに超音波によって除去する。したがって、
第２の層は第１の層よりも後の製造工程において被着さ
れるので、第１及び第２の層の被着の間に行なわれる熱
処理中に、基板から第１の層に拡散する化学元素又は化
合物は、まず第１の層の表面を越えて外に達することは
ない。第１の層の表面において達成される基板から拡散
する化学元素又は化合物の濃度は、基板内におけるこれ
らの元素又は化合物の濃度に対してわずかであり、これ
は次いで第２の層を被着した後に、この層の表面へのこ
れらの元素又は化合物の場合によるさらなる拡散に対す
る出発点を形成するので、元素又は化合物はそこへ相応
してわずかな濃度でしか到達することができない。
【０００８】第１の層の、構造を越えて側方に突出した
部分は、有利には超音波によって除去され、その際、構
造化されていない基板表面に比較して一層良好な構造の
付着特性により、第１の層は構造だけに付着したままで
あるが、一方この層の、構造を越えて突出した部分は基
板から剥離されることが達成される。しかし、第１の層
の突出した部分は、別の機械的な処理方法によって、例
えばブラッシングによって除去することもできる。
部分は、有利には超音波によって除去され、その際、構
造化されていない基板表面に比較して一層良好な構造の
付着特性により、第１の層は構造だけに付着したままで
あるが、一方この層の、構造を越えて突出した部分は基
板から剥離されることが達成される。しかし、第１の層
の突出した部分は、別の機械的な処理方法によって、例
えばブラッシングによって除去することもできる。
【０００９】第２の層を、電気的な又は外部電流なしの
金属、とくに貴金属の堆積によって導電性の第１の層上
に被着するのが有利である。その際、金属堆積は外部電
流なしで行なうのが有利である。
金属、とくに貴金属の堆積によって導電性の第１の層上
に被着するのが有利である。その際、金属堆積は外部電
流なしで行なうのが有利である。
【００１０】本発明の有利な実施態様によれば、構造を
越えて側方に突出した第１の層の部分を除去した後に、
第２の層を基板の表面に被着し、かつ、第１の層を有し
ない基板の表面領域におけるよりも良好に第１の層に付
着するように、第２の層の付着特性を選定し、かつ、第
２の層を被着した後に、第１の層を越えて側方に突出し
た第２の層の部分を機械的に、とくに超音波によって除
去する。その際、第２の層の付着特性は、第１の層の表
面の相応する構成によって、例えば微細粗さによってか
つ／又は例えば不飽和の化学結合の存在のような層の化
学的特性によって達成することができる。したがって驚
くべきことに、第１の層の付着特性の相応する選択によ
って、この層上に第２の層を被着し、かつ第２の層を同
様に構造又は第１の層の縁を越えて突出した部分を機械
的に除去することによって構造化することが可能であ
る。したがって、全体として比較的大きな厚さを有する
コーティングを製造することができ、かつそれでもなお
構造を越えて突出した部分を基板から除去することがで
き、しかもその際同時に構造上にあるコーティングの領
域は基板から剥離されない。
越えて側方に突出した第１の層の部分を除去した後に、
第２の層を基板の表面に被着し、かつ、第１の層を有し
ない基板の表面領域におけるよりも良好に第１の層に付
着するように、第２の層の付着特性を選定し、かつ、第
２の層を被着した後に、第１の層を越えて側方に突出し
た第２の層の部分を機械的に、とくに超音波によって除
去する。その際、第２の層の付着特性は、第１の層の表
面の相応する構成によって、例えば微細粗さによってか
つ／又は例えば不飽和の化学結合の存在のような層の化
学的特性によって達成することができる。したがって驚
くべきことに、第１の層の付着特性の相応する選択によ
って、この層上に第２の層を被着し、かつ第２の層を同
様に構造又は第１の層の縁を越えて突出した部分を機械
的に除去することによって構造化することが可能であ
る。したがって、全体として比較的大きな厚さを有する
コーティングを製造することができ、かつそれでもなお
構造を越えて突出した部分を基板から除去することがで
き、しかもその際同時に構造上にあるコーティングの領
域は基板から剥離されない。
【００１１】本発明の別の有利な実施態様によれば、ま
ず第１の層、次いでこの上に第２の層、並びに場合によ
ってはその上に少なくとも１つの別の層を被着し、かつ
その後これらの層の、構造を越えて側方に突出した部分
を同時に機械的に、とくに超音波によって除去する。し
かもその際には、第２の及び／又は別のこの上に間接的
に又は直接被着される層のために、構造の外側にある基
板の表面領域とほぼ同じく良好に又はそれどころかそれ
より粗悪に構造に対して付着する材料を使用し、かつこ
れらの材料からなる層を、基板表面上に直接被着した第
１の層の媒介によって構造化することが可能である。し
かもこのようにして、別の方法では構造化できないか又
は粗悪にしか構造化することができない別の層を、簡単
に第１の層の媒介によって構造化することができる。そ
の際、第１の層は、構造に対する付着能力と、構造を有
しない基板表面に対する付着力との間の、第１の層上の
別の層よりもさらに大きな相違を有する。したがって、
媒介して構造化すべき別の層においては、付着の相違が
問題になるのではなく、これが第１の層に十分に良好に
付着すれば十分である。したがって、第１の層の付着特
性の相応する選択によって、実質的にあらゆる任意の材
料からなる別の層を構造化できる。
ず第１の層、次いでこの上に第２の層、並びに場合によ
ってはその上に少なくとも１つの別の層を被着し、かつ
その後これらの層の、構造を越えて側方に突出した部分
を同時に機械的に、とくに超音波によって除去する。し
かもその際には、第２の及び／又は別のこの上に間接的
に又は直接被着される層のために、構造の外側にある基
板の表面領域とほぼ同じく良好に又はそれどころかそれ
より粗悪に構造に対して付着する材料を使用し、かつこ
れらの材料からなる層を、基板表面上に直接被着した第
１の層の媒介によって構造化することが可能である。し
かもこのようにして、別の方法では構造化できないか又
は粗悪にしか構造化することができない別の層を、簡単
に第１の層の媒介によって構造化することができる。そ
の際、第１の層は、構造に対する付着能力と、構造を有
しない基板表面に対する付着力との間の、第１の層上の
別の層よりもさらに大きな相違を有する。したがって、
媒介して構造化すべき別の層においては、付着の相違が
問題になるのではなく、これが第１の層に十分に良好に
付着すれば十分である。したがって、第１の層の付着特
性の相応する選択によって、実質的にあらゆる任意の材
料からなる別の層を構造化できる。
【００１２】第２の層及び／又はその上に間接的に又は
直接被着した少なくとも１つの別の層を第１の層よりも
わずかな厚さを有するように被着すると、とくに有利で
ある。それにより、第２の層及び／又はその上に被着し
た別の層は、第１の層の媒介によって一層良好に構造化
できる。とくに、基板の表面にある構造を越えて側方に
突出した第２の層又は別の層の部分は、一層容易に機械
的に除去することができる。
直接被着した少なくとも１つの別の層を第１の層よりも
わずかな厚さを有するように被着すると、とくに有利で
ある。それにより、第２の層及び／又はその上に被着し
た別の層は、第１の層の媒介によって一層良好に構造化
できる。とくに、基板の表面にある構造を越えて側方に
突出した第２の層又は別の層の部分は、一層容易に機械
的に除去することができる。
【００１３】第１及び／又は第２の層及び／又は第２の
層上に被着した少なくとも１つの別の層に、構造を越え
て突出した部分を除去する前に、異種原子を導入ことに
よって機械的に歪みを与えると、とくに有利である。次
いで、構造を越えて側方に突出した突出部は、容易に、
例えば超音波によって除去することができる。例えば水
素原子を導入することによって水素を含有する雰囲気に
層をさらすことができる。異種原子を導入する別の可能
性は、層内にイオン又は類似の粒子を注入することにあ
る。
層上に被着した少なくとも１つの別の層に、構造を越え
て突出した部分を除去する前に、異種原子を導入ことに
よって機械的に歪みを与えると、とくに有利である。次
いで、構造を越えて側方に突出した突出部は、容易に、
例えば超音波によって除去することができる。例えば水
素原子を導入することによって水素を含有する雰囲気に
層をさらすことができる。異種原子を導入する別の可能
性は、層内にイオン又は類似の粒子を注入することにあ
る。
【００１４】本発明の実施態様によれば、第１及び第２
の層、及び場合によっては第２の層上に被着した少なく
とも１つの別の層のために、同じ材料を使用する。この
時に該方法はとくに簡単に実施することができる。例え
ばポリシリコンからなる構造上に配置された金属層上
に、金属の表面におけるシリコン化物形成に反作用させ
るために、同じ金属からなる層を被着することができ
る。
の層、及び場合によっては第２の層上に被着した少なく
とも１つの別の層のために、同じ材料を使用する。この
時に該方法はとくに簡単に実施することができる。例え
ばポリシリコンからなる構造上に配置された金属層上
に、金属の表面におけるシリコン化物形成に反作用させ
るために、同じ金属からなる層を被着することができ
る。
【００１５】もう１つの実施態様によれば、異なった層
のために異なった材料を使用する。その際、これらの層
のために場合によっては、例えば異なった金属のような
同種の材料を使用してもよい。例えばパラジウムからな
る層上にイリジウムからなる別の層を被着することがで
きる。場合によっては、基板の表面上に直接被着した層
のために、廉価な材料を使用し、その後より高価な材料
によってコーティングすることもできる。その際、廉価
な材料は、基板内に存在する化学元素又は物質のために
拡散バリアとして利用することができる。
のために異なった材料を使用する。その際、これらの層
のために場合によっては、例えば異なった金属のような
同種の材料を使用してもよい。例えばパラジウムからな
る層上にイリジウムからなる別の層を被着することがで
きる。場合によっては、基板の表面上に直接被着した層
のために、廉価な材料を使用し、その後より高価な材料
によってコーティングすることもできる。その際、廉価
な材料は、基板内に存在する化学元素又は物質のために
拡散バリアとして利用することができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面によって詳細に
説明する。
説明する。
【００１７】センサ１を製造する１つの方法では、シリ
コンからなる基礎部材３を有する基板のシリコン酸化物
層２の表面の部分領域上に、マスク技術によってポリシ
リコンからなる構造４を被着する（図１）。構造４の付
着特性は、パラジウムからなるその上に被着すべき第１
の層５が構造４に対して、シリコン酸化物層２の表面に
対するよりも良好に付着するように選定されている。構
造４を被着した後に、基板及び構造４の表面上に全面的
に、パラジウムからなる第１の層５を被着する（図
２）。この被着は、例えば、基板をパラジウム溶融るつ
ぼとともに真空中に配置し、それによりパラジウムから
生じた蒸気を基板に凝結させる形式で行なうことができ
る。コーティングの別の可能性は、スパッタリングによ
りパラジウム層５を被着することにある。その際は、パ
ラジウムターゲットに高エネルギーのビームを衝突させ
る。その際、ターゲットからパラジウムが生じ、このパ
ラジウムが基板をコーティングする。
コンからなる基礎部材３を有する基板のシリコン酸化物
層２の表面の部分領域上に、マスク技術によってポリシ
リコンからなる構造４を被着する（図１）。構造４の付
着特性は、パラジウムからなるその上に被着すべき第１
の層５が構造４に対して、シリコン酸化物層２の表面に
対するよりも良好に付着するように選定されている。構
造４を被着した後に、基板及び構造４の表面上に全面的
に、パラジウムからなる第１の層５を被着する（図
２）。この被着は、例えば、基板をパラジウム溶融るつ
ぼとともに真空中に配置し、それによりパラジウムから
生じた蒸気を基板に凝結させる形式で行なうことができ
る。コーティングの別の可能性は、スパッタリングによ
りパラジウム層５を被着することにある。その際は、パ
ラジウムターゲットに高エネルギーのビームを衝突させ
る。その際、ターゲットからパラジウムが生じ、このパ
ラジウムが基板をコーティングする。
【００１８】第１の層５の被着後に、構造の外にありか
つこれを越えて側方に突出した層５の部分６を機械的に
除去する。そのためには、第１の層５を全面的にブラッ
シングすることができ、その際、シリコン酸化物層２に
直接結合した層５の部分６はそこでは極くわずかな付着
量のためにシリコン酸化物層２から剥離されるが、一方
構造４と結合した層５の領域は構造４の一層良好な付着
特性に基づいてここに付着したまま残る。
つこれを越えて側方に突出した層５の部分６を機械的に
除去する。そのためには、第１の層５を全面的にブラッ
シングすることができ、その際、シリコン酸化物層２に
直接結合した層５の部分６はそこでは極くわずかな付着
量のためにシリコン酸化物層２から剥離されるが、一方
構造４と結合した層５の領域は構造４の一層良好な付着
特性に基づいてここに付着したまま残る。
【００１９】構造を越えて側方に突出した層５の部分６
を除去する別の可能性は、層５を超音波処理することに
あり、その際、構造４上に配置された層５の領域だけが
付着したままであるが、一方その他の、シリコン酸化物
層２に結合した層５の部分６は基板から剥離される。そ
れにより全体的に図３に示された部材が生じ、この部材
はシリコン酸化物層２上に構造化されたポリシリコン層
４、及びその上に構造４に相応して構造化されたパラジ
ウム層５を有する。
を除去する別の可能性は、層５を超音波処理することに
あり、その際、構造４上に配置された層５の領域だけが
付着したままであるが、一方その他の、シリコン酸化物
層２に結合した層５の部分６は基板から剥離される。そ
れにより全体的に図３に示された部材が生じ、この部材
はシリコン酸化物層２上に構造化されたポリシリコン層
４、及びその上に構造４に相応して構造化されたパラジ
ウム層５を有する。
【００２０】その後の製造工程の過程において、図３に
示された基板を熱処理し、その際基板を２５０°Ｃの温
度のほぼ１時間にわたってにさらす。このような熱処理
は、例えば基板の表面に被着したフォトレジスト層を除
去するために行うことができる。しかし、相応する温度
は、基板にボンディング結合を取付ける際にも生じるこ
とがある。
示された基板を熱処理し、その際基板を２５０°Ｃの温
度のほぼ１時間にわたってにさらす。このような熱処理
は、例えば基板の表面に被着したフォトレジスト層を除
去するために行うことができる。しかし、相応する温度
は、基板にボンディング結合を取付ける際にも生じるこ
とがある。
【００２１】図１０は、層５及び構造４の深さプロファ
イル解析を示している。この場合には、構造４上にある
層の領域内でほぼ７００秒の期間にわたってスパッタリ
ングにより基板の表面における材料を除去し、その際そ
の都度除去された物質の濃度を検出した。一方ではシリ
コンがポリシリコンからなる構造４からパラジウム層の
表面にまで拡散しているが、しかしまた他方ではパラジ
ウムが層５から構造４内に拡散していることを、はっき
りと認識できる。したがって、熱処理の間に層５内に含
有されるパラジウム及びシリコンの相互拡散が行なわ
れ、その際引き続いて金属パラジウムよりもわずかな腐
食耐性を有するパラジウムシリコン化物が形成される。
構造４及び層５が互いに拡散することをはっきりさせる
ために、構造４と層５の間の境界面は図４〜８にそれぞ
れ破線で示されている。
イル解析を示している。この場合には、構造４上にある
層の領域内でほぼ７００秒の期間にわたってスパッタリ
ングにより基板の表面における材料を除去し、その際そ
の都度除去された物質の濃度を検出した。一方ではシリ
コンがポリシリコンからなる構造４からパラジウム層の
表面にまで拡散しているが、しかしまた他方ではパラジ
ウムが層５から構造４内に拡散していることを、はっき
りと認識できる。したがって、熱処理の間に層５内に含
有されるパラジウム及びシリコンの相互拡散が行なわ
れ、その際引き続いて金属パラジウムよりもわずかな腐
食耐性を有するパラジウムシリコン化物が形成される。
構造４及び層５が互いに拡散することをはっきりさせる
ために、構造４と層５の間の境界面は図４〜８にそれぞ
れ破線で示されている。
【００２２】今や、基板の表面上に金属パラジウムから
なる第２の層７を被着し、この層は第１の層５及びシリ
コン酸化物層２の露出した表面領域を覆い、かつそれぞ
れ層５又はシリコン酸化物層２と結合される。第２の層
７は第１の層５と同様に、例えば蒸着又はスパッタリン
グにより被着することができる。第２の層７の付着特性
は、第２の層７がシリコン酸化物層２に対するよりも良
好に第１の層５に付着するように選定されている。それ
により、第２の層７を第１の層と同様に、すなわち第１
の層５及び構造４を越えて側方に突出しかつシリコン酸
化物層２に結合された部分８を機械的に除去することに
よって構造化することが可能である。層７の部分８の除
去は、例えばブラッシングにより又は超音波によって行
なうことができ、その際、シリコン酸化物２に結合され
た部分８は基板から切離されるが、一方第１の層５に結
合された第２の層７の領域は第１の層に付着したまま残
る。
なる第２の層７を被着し、この層は第１の層５及びシリ
コン酸化物層２の露出した表面領域を覆い、かつそれぞ
れ層５又はシリコン酸化物層２と結合される。第２の層
７は第１の層５と同様に、例えば蒸着又はスパッタリン
グにより被着することができる。第２の層７の付着特性
は、第２の層７がシリコン酸化物層２に対するよりも良
好に第１の層５に付着するように選定されている。それ
により、第２の層７を第１の層と同様に、すなわち第１
の層５及び構造４を越えて側方に突出しかつシリコン酸
化物層２に結合された部分８を機械的に除去することに
よって構造化することが可能である。層７の部分８の除
去は、例えばブラッシングにより又は超音波によって行
なうことができ、その際、シリコン酸化物２に結合され
た部分８は基板から切離されるが、一方第１の層５に結
合された第２の層７の領域は第１の層に付着したまま残
る。
【００２３】図９は、層系列２、４、５、７の領域にお
ける前記の方法によって製造された図６に示すセンサ１
の深さプロファイル分析を示す。この場合、それぞれ第
２の層７を被着した直後のパラジウム及びシリコンの濃
度経過が実線でマークされている。追加的に、２５０°
Ｃでセンサ１を１時間熱処理した後の相応する濃度経過
が線図に破線で記入されている。シリコンは熱処理の際
に第２のパラジウム層７の表面（図９において左）から
比較的遠く離れた比較的狭い領域においてのみパラジウ
ムを有する両方の層４、５及び７内に拡散し、かつ熱処
理の後に一番上の層７の表面にほぼ１００％のパラジウ
ム濃度を有する十分に幅広い領域が残ることをはっきり
と認識することができる。したがって、両方の層５及び
７によって形成されるセンサ１のパラジウム接点の表面
に近い領域における化学的及び物理的な特性は、熱処理
工程に対して十分に安定である。
ける前記の方法によって製造された図６に示すセンサ１
の深さプロファイル分析を示す。この場合、それぞれ第
２の層７を被着した直後のパラジウム及びシリコンの濃
度経過が実線でマークされている。追加的に、２５０°
Ｃでセンサ１を１時間熱処理した後の相応する濃度経過
が線図に破線で記入されている。シリコンは熱処理の際
に第２のパラジウム層７の表面（図９において左）から
比較的遠く離れた比較的狭い領域においてのみパラジウ
ムを有する両方の層４、５及び７内に拡散し、かつ熱処
理の後に一番上の層７の表面にほぼ１００％のパラジウ
ム濃度を有する十分に幅広い領域が残ることをはっきり
と認識することができる。したがって、両方の層５及び
７によって形成されるセンサ１のパラジウム接点の表面
に近い領域における化学的及び物理的な特性は、熱処理
工程に対して十分に安定である。
【００２４】図１０と図９を比較すれば認識できるよう
に、すでに存在するパラジウム層５上への第２のパラジ
ウム層７の見掛け上不必要な被着によって、センサ１の
表面におけるパラジウムシリコン化物の濃度は、ほぼ１
５％からほぼ０に低下することができ、それによりとく
にパラジウム層７の腐食耐性も改善される。前記の方法
によれば、金属層上へのフォトマスク又は補助マスクの
被着及び／又は金属層のエッチングを行なう必要なく、
基板に構造化された金属層をコーティングすることがで
きる。したがって、金属による製造装置の相互汚染が避
けられる。それ故に、該方法はＭＯＳ半導体回路の製造
にとくに適している。
に、すでに存在するパラジウム層５上への第２のパラジ
ウム層７の見掛け上不必要な被着によって、センサ１の
表面におけるパラジウムシリコン化物の濃度は、ほぼ１
５％からほぼ０に低下することができ、それによりとく
にパラジウム層７の腐食耐性も改善される。前記の方法
によれば、金属層上へのフォトマスク又は補助マスクの
被着及び／又は金属層のエッチングを行なう必要なく、
基板に構造化された金属層をコーティングすることがで
きる。したがって、金属による製造装置の相互汚染が避
けられる。それ故に、該方法はＭＯＳ半導体回路の製造
にとくに適している。
【００２５】図７による実施例では、図５による装置の
第２のパラジウム層７の上になお、パラジウム層７に結
合しかつここに付着するイリジウムからなる第３の金属
層９を被着する。その後、構造４を越えて側方に突出し
た層７及び９の部分を同時に機械的に除去する。この除
去は例えばイリジウム層９のブラッシングにより又は超
音波の適用により行なうことができる。その際、シリコ
ン酸化物層２に結合された領域におけるパラジウム層７
は該領域から剥離され、その際同時に層７の前記領域に
あるイリジウム層９も基板から除去される。しかしなが
ら、第１のパラジウム層５に結合された第２のパラジウ
ム層７の領域は、これらの領域に固定されたイリジウム
層９の部分領域とともにパラジウム層５に付着したまま
残る。したがって、イリジウム層９は第２のパラジウム
層７によって媒介して構造化され、かつ構造４を越えて
側方に突出した部分６を除去した後に構造４に相当する
構造を有する（図８）。
第２のパラジウム層７の上になお、パラジウム層７に結
合しかつここに付着するイリジウムからなる第３の金属
層９を被着する。その後、構造４を越えて側方に突出し
た層７及び９の部分を同時に機械的に除去する。この除
去は例えばイリジウム層９のブラッシングにより又は超
音波の適用により行なうことができる。その際、シリコ
ン酸化物層２に結合された領域におけるパラジウム層７
は該領域から剥離され、その際同時に層７の前記領域に
あるイリジウム層９も基板から除去される。しかしなが
ら、第１のパラジウム層５に結合された第２のパラジウ
ム層７の領域は、これらの領域に固定されたイリジウム
層９の部分領域とともにパラジウム層５に付着したまま
残る。したがって、イリジウム層９は第２のパラジウム
層７によって媒介して構造化され、かつ構造４を越えて
側方に突出した部分６を除去した後に構造４に相当する
構造を有する（図８）。
【００２６】それにより、例えばエッチングによるよう
な別の方法では粗悪にしか構造化することができないイ
リジウム層を簡単に構造化することができる。
な別の方法では粗悪にしか構造化することができないイ
リジウム層を簡単に構造化することができる。
【００２７】イリジウム層９に結合された第２のパラジ
ウム層７、及びこれらの層の間にある境界面は、構造４
及び第１のパラジウム層５内にあるシリコンのための拡
散バリアとして作用する。それにより、イリジウムシリ
コン化物の形成がかなりの程度まで防止される。また、
パラジウム及び／又はイリジウムによる製造装置の汚染
も避けられる。
ウム層７、及びこれらの層の間にある境界面は、構造４
及び第１のパラジウム層５内にあるシリコンのための拡
散バリアとして作用する。それにより、イリジウムシリ
コン化物の形成がかなりの程度まで防止される。また、
パラジウム及び／又はイリジウムによる製造装置の汚染
も避けられる。
【００２８】図７及び８から明らかなように、イリジウ
ム層９はパラジウム層５よりもわずかな厚さで基板上に
被着する。それにより、構造４を越えて側方に突出した
層７及び９の部分は良好に除去することができる。
ム層９はパラジウム層５よりもわずかな厚さで基板上に
被着する。それにより、構造４を越えて側方に突出した
層７及び９の部分は良好に除去することができる。
【００２９】なお言及すれば、前記の両実施例では、そ
れぞれ構造４を越えて側方に突出した第２のパラジウム
層７及び／又はイリジウム層９の部分を除去する前に、
これらの層７、９に異種原子の導入によって歪みを与え
ることができる。次いで、構造４を越えて側方に突出し
た前記層７、９の部分８は、容易に機械的に除去するこ
とができる。
れぞれ構造４を越えて側方に突出した第２のパラジウム
層７及び／又はイリジウム層９の部分を除去する前に、
これらの層７、９に異種原子の導入によって歪みを与え
ることができる。次いで、構造４を越えて側方に突出し
た前記層７、９の部分８は、容易に機械的に除去するこ
とができる。
【００３０】異種原子は、例えばパラジウム層７又はイ
リジウム層９の表面を水素の雰囲気にさらすことによっ
て、パラジウム層７及び／又はイリジウム層９内に導入
することができる。異種原子を層７、９内に導入する別
の手段は、これらの層７、９にイオンを衝突させ、その
際イオンを層７、９に導入することよりなる。しかし、
異種原子を構造４及び／又は基礎部材３内に組み込み、
それにより層を被着した後に、場合によっては熱を作用
させて、これらの層７、９内に拡散させることもでき
る。
リジウム層９の表面を水素の雰囲気にさらすことによっ
て、パラジウム層７及び／又はイリジウム層９内に導入
することができる。異種原子を層７、９内に導入する別
の手段は、これらの層７、９にイオンを衝突させ、その
際イオンを層７、９に導入することよりなる。しかし、
異種原子を構造４及び／又は基礎部材３内に組み込み、
それにより層を被着した後に、場合によっては熱を作用
させて、これらの層７、９内に拡散させることもでき
る。
【００３１】総括すれば、次のとおりである：基板をコ
ーティングする方法で、基板の表面の部分領域に少なく
とも１つの構造４を設け、その際該該構造には基板の表
面上に被着すべき第１の層５は構造４の外側にある基板
の表面領域におけるよりも良好に付着する。引き続き、
層５を基板の表面に被着し、次いで構造４を越えて側方
に突出した層の部分を機械的に除去する。構造４の材料
は、層５が有していない又は構造４の材料よりわずかな
濃度で有する少なくとも１種の化学元素又は化合物を含
有する。次いで、第１の層５上に、構造４の材料内に含
まれる化学元素又は化合物を有していないか又は構造４
の材料よりもわずかな濃度でのみ有する少なくとも１つ
の第２の層７を被着する。該方法は、表面特性が熱処理
の際に殆ど変化せずに維持される構造化した層を被着す
ることを可能にする。
ーティングする方法で、基板の表面の部分領域に少なく
とも１つの構造４を設け、その際該該構造には基板の表
面上に被着すべき第１の層５は構造４の外側にある基板
の表面領域におけるよりも良好に付着する。引き続き、
層５を基板の表面に被着し、次いで構造４を越えて側方
に突出した層の部分を機械的に除去する。構造４の材料
は、層５が有していない又は構造４の材料よりわずかな
濃度で有する少なくとも１種の化学元素又は化合物を含
有する。次いで、第１の層５上に、構造４の材料内に含
まれる化学元素又は化合物を有していないか又は構造４
の材料よりもわずかな濃度でのみ有する少なくとも１つ
の第２の層７を被着する。該方法は、表面特性が熱処理
の際に殆ど変化せずに維持される構造化した層を被着す
ることを可能にする。
【図１】表面にシリコン酸化物層を有し、その上に１つ
の構造が設けられている基板の部分断面図である。
の構造が設けられている基板の部分断面図である。
【図２】パラジウム層を被着した後の、図１に示した装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図３】シリコン酸化物層に結合されたパラジウム層の
部分を除去した後の、図２に示した装置の断面図であ
る。
部分を除去した後の、図２に示した装置の断面図であ
る。
【図４】熱処理後の、図３に示した装置の断面図であ
る。
る。
【図５】別のパラジウム層を被着した後の、図４に示し
た装置の断面図である。
た装置の断面図である。
【図６】パラジウムシリコン化物層を越えて側方に突出
したパラジウム層の部分を除去した後の、図５に示した
装置の断面図である。
したパラジウム層の部分を除去した後の、図５に示した
装置の断面図である。
【図７】追加的になおパラジウム層上にイリジウム層を
被着した、図５に相応する図である。
被着した、図５に相応する図である。
【図８】構造を越えて側方に突出したパラジウム及びイ
リジウム層の部分を除去した後の、図７に示した装置の
断面図である。
リジウム層の部分を除去した後の、図７に示した装置の
断面図である。
【図９】図４に示したセンサのコーティングからスパッ
タリングによりコーティング材料を除去した深さプロフ
ァイル分析を示す図であり、その際横軸に除去時間及び
縦軸にそれぞれ除去されたコーティング材料内に含まれ
る成分の濃度がプロットされている。
タリングによりコーティング材料を除去した深さプロフ
ァイル分析を示す図であり、その際横軸に除去時間及び
縦軸にそれぞれ除去されたコーティング材料内に含まれ
る成分の濃度がプロットされている。
【図１０】図６によるセンサに対する相応する深さプロ
ファイル分析を示す図である。
ファイル分析を示す図である。
１ センサ、 ２ シリコン酸化物層、 ３ 基礎部
材、 ４ 構造、 ５第１の層、 ７ 第２の層、 ９
別の層
材、 ４ 構造、 ５第１の層、 ７ 第２の層、 ９
別の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨアヒム クルムレイ ドイツ連邦共和国 フライブルク クララ シュトラーセ 20
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の表面の部分領域に少なくとも１つ
の構造（４）を設け、その際該構造には基板の表面上に
被着すべき層（５）が構造（４）の外側にある基板の表
面領域におけるよりも良好に付着し、構造（４）を製造
した後に層（５）を基板の表面に被着し、かつ、構造
（４）を越えて側方に突出した層（５）の部分を機械的
に除去し、その際構造（４）の材料は構造（４）上に被
着した層（５）が有していない又は構造（４）の材料よ
りわずかな濃度で有する少なくとも１種の化学元素又は
化合物を含有している、基板をコーティングする方法に
おいて、表面に被着した第１の層（５）上に少なくとも
１つの第２の層（７）を被着し、その際第２の層（７）
は構造（４）の材料内に含有される化学元素又は化合物
を有していないか又は構造（４）の材料よりもわずかな
濃度でのみ有することを特徴とする、基板をコーティン
グする方法。 - 【請求項２】 構造（４）を越えて側方に突出した第１
の層（５）の部分を第２の層（７）の被着前に除去す
る、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 第２の層（７）を電気的又は外部電流な
しの金属メッキによって導電性の第１の層（５）上に被
着する、請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 構造（４）を越えて側方に突出した第１
の層（５）の部分を除去した後に、第２の層（７）を基
板の表面に被着し、第１の層（５）を有しない基板の表
面領域におけるよりも良好に第１の層（５）に付着する
ように、第２の層（７）の付着特性を選定し、かつ第２
の層（７）を被着した後に、第２の層（７）の、第１の
層（５）を越えて側方に突出した部分を機械的に除去す
る、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 まず第１の層（５）、次いでこの上に第
２の層（７）、並びに場合によってはその上に少なくと
も１つの別の層（９）を被着し、かつその後これらの層
（５，７，９）の、構造（４）を越えて側方に突出した
部分を同時に機械的に除去する、請求項１から４までの
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 第２の層（７）及び／又はその上に間接
的に又は直接被着した少なくとも１つの別の層を第１の
層よりもわずかな厚さを有するように被着する、請求項
１から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 第１の層（５）及び／又は第２の層
（７）及び／又は第２の層（７）上に被着した少なくと
も１つの別の層（９）に、該層の、構造（４）を越えて
側方に突出した部分を除去する前に、異種原子を導入す
ることによって機械的に歪みを与える、請求項１から６
までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 第１の層（５）及び第２の層（７）、及
び場合によっては第２の層（７）上に被着した少なくと
も１つの別の層（９）のために同じ材料を使用する、請
求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 異なった層（５，７，９）のために異な
った材料を使用する、請求項１から７までのいずれか１
項記載の方法。 - 【請求項１０】 少なくとも一番上の層として少なくと
も１つの貴金属層を被着する、請求項１から９までのい
ずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19828846.8 | 1998-06-27 | ||
| DE19828846A DE19828846C2 (de) | 1998-06-27 | 1998-06-27 | Verfahren zum Beschichten eines Substrats |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038685A true JP2000038685A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=7872308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180813A Ceased JP2000038685A (ja) | 1998-06-27 | 1999-06-25 | 基板をコ―ティングする方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6294218B1 (ja) |
| EP (1) | EP0967296B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000038685A (ja) |
| DE (2) | DE19828846C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005524100A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | シピックス・イメージング・インコーポレーテッド | パターン形成された薄膜導体を基材上に形成する方法 |
| US8002948B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7261920B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-08-28 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| US7156945B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-01-02 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| DE10311031B4 (de) * | 2003-03-13 | 2005-04-21 | Siemens Ag | Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620192A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-25 | Toshiba Corp | Plating method for thick film paste |
| US5645976A (en) * | 1993-10-14 | 1997-07-08 | Matsushita Electronics Corporation | Capacitor apparatus and method of manufacture of same |
| JPH10135147A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE634311A (ja) * | 1962-06-29 | |||
| US3642528A (en) * | 1968-06-05 | 1972-02-15 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device and method of making same |
| GB1307667A (en) * | 1970-06-29 | 1973-02-21 | Rca Corp | Method of forming ohmic contacts on an insulated gate field effect transistor devices |
| DE2059175A1 (de) * | 1970-12-02 | 1972-07-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Schaltdioden mit hoher Schaltgeschwindigkeit |
| US3753774A (en) * | 1971-04-05 | 1973-08-21 | Rca Corp | Method for making an intermetallic contact to a semiconductor device |
| DE2163176A1 (de) | 1971-12-20 | 1973-07-05 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum herstellen von kontaktschichten |
| DE2538907A1 (de) * | 1975-09-02 | 1977-03-10 | Licentia Gmbh | Verfahren zum kontaktieren eines siliziumkoerpers durch ein fenster in einer auf der halbleiteroberflaeche befindlichen isolierschicht |
| JPS5835986A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ドおよびその製造法 |
| JPS5835985A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ドおよびその製造法 |
| EP0201250B1 (en) * | 1985-04-26 | 1992-01-29 | Fujitsu Limited | Process for making a contact arrangement for a semiconductor device |
| GB2180991B (en) * | 1985-08-28 | 1988-11-23 | Mitsubishi Electric Corp | Method for forming silicide electrode in semiconductor device |
| GB2186423A (en) * | 1985-11-29 | 1987-08-12 | Plessey Co Plc | Integrated circuit transistor and method for producing same |
| US5591321A (en) * | 1993-11-02 | 1997-01-07 | Electric Power Research Institute | Detection of fluids with metal-insulator-semiconductor sensors |
| US5520753A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | PDTI metal alloy as a hydrogen or hydrocarbon sensitive metal |
| US5693545A (en) * | 1996-02-28 | 1997-12-02 | Motorola, Inc. | Method for forming a semiconductor sensor FET device |
| DE19641777C2 (de) * | 1996-10-10 | 2001-09-27 | Micronas Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung |
| US6127268A (en) * | 1997-06-11 | 2000-10-03 | Micronas Intermetall Gmbh | Process for fabricating a semiconductor device with a patterned metal layer |
-
1998
- 1998-06-27 DE DE19828846A patent/DE19828846C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-16 DE DE59907992T patent/DE59907992D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-16 EP EP99111633A patent/EP0967296B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-25 JP JP11180813A patent/JP2000038685A/ja not_active Ceased
- 1999-06-25 US US09/339,898 patent/US6294218B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620192A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-25 | Toshiba Corp | Plating method for thick film paste |
| US5645976A (en) * | 1993-10-14 | 1997-07-08 | Matsushita Electronics Corporation | Capacitor apparatus and method of manufacture of same |
| JPH10135147A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005524100A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | シピックス・イメージング・インコーポレーテッド | パターン形成された薄膜導体を基材上に形成する方法 |
| US8002948B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19828846C2 (de) | 2001-01-18 |
| EP0967296A2 (de) | 1999-12-29 |
| DE59907992D1 (de) | 2004-01-22 |
| EP0967296B1 (de) | 2003-12-10 |
| EP0967296A3 (de) | 2000-12-27 |
| US6294218B1 (en) | 2001-09-25 |
| DE19828846A1 (de) | 1999-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3472855B1 (en) | Depositing a passivation layer on a graphene sheet | |
| JP4011688B2 (ja) | Ｍｏｓ構造中の金属電極を有するセンサの製造方法 | |
| US20170365562A1 (en) | Patterning graphene with a hard mask coating | |
| WO2017218835A1 (en) | Providing a temporary protective layer on a graphene street | |
| JPH0418702B2 (ja) | ||
| KR102646859B1 (ko) | 백금 합금을 합금하고 에칭하는 것에 의한 백금 패터닝 | |
| CN106133887B (zh) | 半导体装置、半导体装置的制造方法 | |
| JP2000038685A (ja) | 基板をコ―ティングする方法 | |
| US6867134B2 (en) | Adherent all-gold electrode structure for lithium niobate based devices and the method of fabrication | |
| US10297497B2 (en) | Sacrificial layer for platinum patterning | |
| JPH02253628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206301A (ja) | 金属の埋め込み構造およびその製造方法 | |
| TWI305585B (en) | A wiring substrate and method using the same | |
| JP2001052979A (ja) | レジストの形成方法及び基体の加工方法、並びにフィルター構造 | |
| US6127268A (en) | Process for fabricating a semiconductor device with a patterned metal layer | |
| US20200075317A1 (en) | Method Of Reducing Lift-Off Related Redeposit Defects On Semiconductor Wafers | |
| US20090243107A1 (en) | Novel approach to high temperature wafer processing | |
| KR970008260A (ko) | 전계방출소자 제조방법 | |
| JPS58194345A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07221108A (ja) | 半導体装置の電極構造およびその電極形成方法 | |
| JP2874033B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6193629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6046825B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001345326A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH0327526A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080709 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081212 |
|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20090116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090310 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
| A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20101020 |