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JP2000035830A - Clock adjusting circuit for synchronous memory, and clock adjusting method for synchronous memory - Google Patents

Clock adjusting circuit for synchronous memory, and clock adjusting method for synchronous memory

Info

Publication number
JP2000035830A
JP2000035830A JP10201820A JP20182098A JP2000035830A JP 2000035830 A JP2000035830 A JP 2000035830A JP 10201820 A JP10201820 A JP 10201820A JP 20182098 A JP20182098 A JP 20182098A JP 2000035830 A JP2000035830 A JP 2000035830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clock
delay
synchronous memory
output
processor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10201820A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideto Takano
秀人 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10201820A priority Critical patent/JP2000035830A/en
Publication of JP2000035830A publication Critical patent/JP2000035830A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately read and write data from/to a synchronous memory and to accurately read and write the data even in a synchronous memory shared by two or more processors especially. SOLUTION: Clock delay selection circuits 9 delay clocks 14 which are outputted by processors 1 and 2 to a synchronous memory 4, and then the data is read and write to/from the memory 4. The circuit 9 is controlled by a host CPU 3 so as to give optimum delay quantity for data reading.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、同期式メモリのク
ロック調整回路、及び同期式メモリのクロック調整方法
に関し、特に2以上のプロセッサで同期式メモリを共有
する場合に適用して好適な、同期式メモリのクロック調
整回路、及び同期式メモリのクロック調整方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock adjusting circuit for a synchronous memory and a clock adjusting method for a synchronous memory, and more particularly to a synchronous adjusting circuit suitable for application when two or more processors share the synchronous memory. The present invention relates to a clock adjusting circuit for a synchronous memory and a clock adjusting method for a synchronous memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、半導体集積回路の需要の増大に伴
い、その性能の向上も望まれている。この半導体集積回
路の性能は、例えば動作速度等の点で、半導体集積回路
に入力するクロック信号の精度に大きく依存している。
2. Description of the Related Art At present, with the increase in demand for semiconductor integrated circuits, it is desired to improve the performance thereof. The performance of this semiconductor integrated circuit greatly depends on the accuracy of a clock signal input to the semiconductor integrated circuit, for example, in terms of operation speed and the like.

【0003】そのため、従来、半導体集積回路における
クロック信号を調整する技術として、様々なものが開発
されている。
For this reason, various techniques for adjusting a clock signal in a semiconductor integrated circuit have been conventionally developed.

【0004】ここで、従来の、半導体集積回路における
クロック調整技術の第1例として、特開平2−6189
4号公報に開示された「非同期式メモリ」について、図
8を参照して説明する。図8に、従来の、半導体集積回
路におけるクロック調整技術の第1例の構成のブロック
図を示す。
Here, as a first example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-6189.
The “asynchronous memory” disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 4 (Kokai) No. 4 will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows a block diagram of a configuration of a first example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit.

【0005】図8に示される従来の半導体集積回路は、
外部からのクロック信号を用いずに、メモリブロック内
部よりクロック信号を発生させてメモリを動作させる、
いわゆる非同期式メモリの一例の半導体集積回路であ
る。
The conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG.
Operating a memory by generating a clock signal from inside the memory block without using an external clock signal,
This is a semiconductor integrated circuit as an example of a so-called asynchronous memory.

【0006】図8に示される従来の半導体集積回路にお
けるクロック調整技術の第1例は、この第1例の従来技
術以前の技術では、アドレス信号が変化してから、内部
クロックが発生するまでのスキュー時間が固定であるた
め、周囲のシステムのタイミングを非同期メモリのスキ
ュー時間内におさまるように設計しなければならないと
いう問題点を解決するために提案されたものである。
FIG. 8 shows a first example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit. In the prior art of the first example, prior to the prior art, the time from the change of the address signal until the generation of the internal clock is generated. It is proposed to solve the problem that the skew time is fixed, and the timing of the surrounding system must be designed to be within the skew time of the asynchronous memory.

【0007】そのため、図8に示される従来の半導体集
積回路におけるクロック調整技術の第1例は、アドレス
入力端子1000からアドレスを取り込み、EX−OR
3000からの出力信号により変化する信号に対して、
所望するクロック幅に合わせた遅延量分の遅延量を与え
る遅延回路700を具備させている。
Therefore, a first example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 8 is to take in an address from an address input terminal 1000 and perform an EX-OR operation.
For a signal that changes with the output signal from 3000,
A delay circuit 700 for providing a delay amount corresponding to a delay amount corresponding to a desired clock width is provided.

【0008】そして、この遅延回路700から出力され
た信号は、ラッチ回路900や、インバータ800によ
り反転された後にAND回路1200に入力し、AND
回路1200の出力は、RAMセルアレイ1400のワ
ード信号となる。ここで、遅延回路700は、一定の遅
延量を与える単体の遅延回路を複数直列に接続した構成
となっており、その遅延量を任意に調整可能である。
The signal output from the delay circuit 700 is input to an AND circuit 1200 after being inverted by a latch circuit 900 and an inverter 800.
The output of the circuit 1200 becomes a word signal of the RAM cell array 1400. Here, the delay circuit 700 has a configuration in which a plurality of single delay circuits that provide a fixed delay amount are connected in series, and the delay amount can be arbitrarily adjusted.

【0009】従って、図8に示される従来の半導体集積
回路におけるクロック調整技術の第1例によれば、非同
期式メモリにおいても、アドレスが変化してから、クロ
ック信号が変化するまでの時間を、遅延回路700にお
ける遅延量を変化させることにより可変とすることで、
非同期式メモリのスキュー時間内にあわせたシステムの
タイミングの設定が必要なくなり、システムのタイミン
グにあわせた非同期メモリの設計期間を短縮することが
できるとしている。
Therefore, according to the first example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 8, even in the asynchronous memory, the time from the address change to the clock signal change is reduced. By making the delay circuit 700 variable by changing the delay amount,
It is no longer necessary to set the system timing within the skew time of the asynchronous memory, and the design period of the asynchronous memory according to the system timing can be shortened.

【0010】次に、従来の、半導体集積回路におけるク
ロック調整技術の第2例として、特開平8−23709
1号公報において開示された「遅延回路装置」につい
て、図9を参照して説明する。図9に、従来の、半導体
集積回路におけるクロック調整技術の第2例の構成のブ
ロック図を示す。
Next, as a second example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
The “delay circuit device” disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a second example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit.

【0011】図9に示される従来の半導体集積回路にお
けるクロック調整技術の第2例は、外部クロックに対し
て位相差が無い内部クロックを、少ない周期、広い周波
数範囲、及び電源電圧範囲にわたって、生成することを
可能にする技術である。
A second example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 9 is to generate an internal clock having no phase difference with respect to an external clock over a small cycle, a wide frequency range, and a power supply voltage range. Technology that allows you to

【0012】半導体集積回路が外部から受信したクロッ
ク信号は、その増幅過程等において、所定の遅延を伴っ
てしまうが、図9に示される技術以前の技術において
は、その遅延を位相同期ループ(Phase-Locked Loop 、
以下、PLLと記す。)を用いて是正することとしてい
た。
A clock signal received from outside by a semiconductor integrated circuit is accompanied by a predetermined delay in the amplification process or the like. However, in the prior art shown in FIG. 9, the delay is applied to a phase locked loop (Phase Locked Loop). -Locked Loop,
Hereinafter, it is described as PLL. ) To correct it.

【0013】しかし、PLLを用いて位相同期を図った
場合、この位相同期に多大な時間がかかってしまうとい
う問題点等が発生していたため、図9に示される、従来
の半導体集積回路におけるクロック調整技術の第2例に
おいては、PLLを用いずに、外部クロック信号に対し
て、遅延のないクロック信号を生成することを目的とし
ている。
However, when phase synchronization is achieved by using a PLL, there has been a problem that this phase synchronization takes a long time. For example, the clock in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. The second example of the adjustment technique aims at generating a clock signal without delay with respect to an external clock signal without using a PLL.

【0014】そのために、この従来の半導体集積回路に
おけるクロック調整技術の第2例においては、図9に示
されるように、信号の伝達経路の任意の位置から出力を
取り出し得る遅延回路列10111と、信号の伝達経路
の任意の位置から入力を入れ得る遅延回路列10211
と、信号の入出力の制御端子10911を具備する制御
回路10311を有する。遅延回路列10111と遅延
回路列10211がそれぞれ信号の伝達経路が逆向きに
なるように並べて配置され、遅延回路列10111の出
力と、遅延回路列10211の入力が制御回路1031
1を介して、それぞれ遅延回路列10111の入力に近
い側、遅延回路列10211の出力に近い側から、順次
接続され、遅延回路列10111に第1の信号を入力
し、任意の時間の後、制御回路10311に第2の信号
を出力し、遅延回路列10111上の第1の信号を遅延
回路列10211に転送する。
For this purpose, in the second example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit, as shown in FIG. 9, a delay circuit array 10111 capable of extracting an output from an arbitrary position on a signal transmission path, A delay circuit array 10211 capable of receiving an input from an arbitrary position in a signal transmission path
And a control circuit 10311 including a signal input / output control terminal 10911. The delay circuit array 10111 and the delay circuit array 10211 are arranged side by side so that the signal transmission paths are opposite to each other, and the output of the delay circuit array 10111 and the input of the delay circuit array 10211 are controlled by the control circuit 1031.
1 are sequentially connected from the side near the input of the delay circuit array 10111 and the side near the output of the delay circuit array 10211, and the first signal is input to the delay circuit array 10111, and after an arbitrary time, A second signal is output to the control circuit 10311, and the first signal on the delay circuit row 10111 is transferred to the delay circuit row 10211.

【0015】従って、図9に示される、従来の半導体集
積回路におけるクロック調整技術の第2例においては、
外部クロックと内部クロックの位相差を内部増幅の遅延
より縮め、所望の位相差を有する内部クロックを最短2
周期で得ることができる等の効果を発揮することができ
るとしている。
Therefore, in the second example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG.
The phase difference between the external clock and the internal clock is made shorter than the delay of the internal amplification, and the internal clock having the desired phase
It is stated that effects such as being able to be obtained periodically can be exhibited.

【0016】次に、従来の、半導体集積回路におけるク
ロック調整技術の第3例として、特開平8−31694
4号公報において開示された「位相調整回路」につい
て、図10を参照して説明する。図10に、従来の、半
導体集積回路におけるクロック調整技術の第3例の構成
のブロック図を示す。
Next, as a third example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Laid-Open No. 8-31694 is disclosed.
The "phase adjustment circuit" disclosed in Japanese Patent Publication No. 4 (JP-A) No. 4 will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows a block diagram of a configuration of a third example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit.

【0017】図10に示される、従来の半導体集積回路
におけるクロック調整技術の第3例は、入力データ信号
の位相を適宜遅延させ、クロック信号に同期したデータ
信号を出力させる技術に関するものである。
The third example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 10 relates to a technique for appropriately delaying the phase of an input data signal and outputting a data signal synchronized with the clock signal.

【0018】この従来の技術の第3例以前の技術では、
位相遅延量を変更する毎に出力線を変更しなければなら
ず、操作性が悪いといった問題点や、位相遅延のための
専用の回路が必要なため、回路規模が増大するという問
題点が発生していた。
In the prior art of the third prior art,
The output line must be changed every time the amount of phase delay is changed, resulting in problems such as poor operability and a problem that the circuit scale increases due to the need for a dedicated circuit for phase delay. Was.

【0019】そのため、図10に示される従来の半導体
集積回路におけるクロック調整技術の第3例において
は、外部からの制御データにより入力データの位相遅延
制御が可能な簡易構成の位相調整回路を提供することを
目的としている。
Therefore, in the third example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 10, a phase adjustment circuit having a simple configuration capable of controlling the phase delay of input data by external control data is provided. It is intended to be.

【0020】そこで、この従来技術の第3例において
は、図10に示されるように、入力クロック22022
を計数する同期式自己ロードカウンタ10022と、外
部からの遅延量制御データ20022、及び遅延量制御
データラッチ信号21022を入力するラッチ回路12
022と、ラッチ回路12022から出力された遅延量
制御データと、同期式自己ロードカウンタ10022か
ら出力されたデータとを比較して、遅延量と、カウント
値が一致した場合に、比較結果信号25022をFIF
Oメモリ13022に出力する比較器11022と、比
較器11022からの比較結果信号25022に基づ
き、入力データ26022を遅延させて出力データ27
022として出力するFIFOメモリ13022とから
構成される。
Therefore, in the third example of the prior art, as shown in FIG.
Self-load counter 10022 for counting the delay time, and a latch circuit 12 for inputting delay amount control data 22022 and delay amount control data latch signal 21022 from outside.
022, the delay amount control data output from the latch circuit 12022, and the data output from the synchronous self-load counter 10022, and when the delay amount matches the count value, the comparison result signal 25022 is output. FIF
The input data 26022 is delayed based on the comparator 11022 output to the O memory 13022 and the comparison result signal 25022 from the comparator
022 as the output.

【0021】このように、図10に示される従来の半導
体集積回路におけるクロック調整技術の第3例において
は、外部から任意の遅延量xを設定し、この遅延量xと
クロックに対して同期動作する同期式自己ロードカウン
タ10022の計数データとを比較することで、任意の
周期の比較結果信号25022を生成し、この比較結果
25022とFIFOメモリ13022とを用いて入出
力データの遅延量を制御するようにしたので、多段シフ
トレジスタを必要とした従来回路のように位相遅延量を
変える度に出力線を変更したり、位相遅延量に応じて回
路規模を変える必要がなくなるとしている。
As described above, in the third example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 10, an arbitrary delay amount x is externally set, and a synchronous operation is performed on the delay amount x and the clock. A comparison result signal 25022 of an arbitrary cycle is generated by comparing the count data of the synchronous self-load counter 10022 to be executed, and a delay amount of input / output data is controlled using the comparison result 25022 and the FIFO memory 13022. With this configuration, it is not necessary to change the output line every time the phase delay amount is changed as in a conventional circuit that requires a multi-stage shift register, or to change the circuit scale in accordance with the phase delay amount.

【0022】次に、従来の、半導体集積回路におけるク
ロック調整技術の第4例として、特開平9−16511
号公報において開示された「CPUバスとローカルバス
の変換方式」について、図11を参照して説明する。図
11に、従来の、半導体集積回路におけるクロック調整
技術の第4例の構成のブロック図を示す。
Next, as a fourth example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-16511
The "conversion system between CPU bus and local bus" disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-115,878 will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of a fourth example of the conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit.

【0023】図11に示されるように、この従来の半導
体集積回路におけるクロック調整技術の第4例において
は、高速動作CPU10033と、CPUコントロール
ゲートアレイ10533と、VLバス13033とを主
要部材として備え、CPUコントロールゲートアレイ1
0533に、同期化回路、及びディレイ調整回路(共に
不図示)を設けることにより、CPUコントロールゲー
トアレイ10533のピン数を増大させずに、高速動作
CPU10033のバスサイクルと、VLバス1303
3との間というように、異なるバス間の同期をとること
ができるとしている。
As shown in FIG. 11, in the fourth example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit, a high-speed operation CPU 10033, a CPU control gate array 10533, and a VL bus 13033 are provided as main members. CPU control gate array 1
By providing a synchronization circuit and a delay adjustment circuit (both not shown) in 0533, the bus cycle of the high-speed operation CPU 10033 and the VL bus 1303 can be performed without increasing the number of pins of the CPU control gate array 10533.
It is stated that synchronization between different buses can be achieved, for example, between three buses.

【0024】次に、従来の、半導体集積回路におけるク
ロック調整技術の第5例として、特開平9−30448
4号公報において開示された「半導体記憶装置」につい
て、図12を参照して説明する。図12に、従来の、半
導体集積回路におけるクロック調整技術の第5例の構成
のブロック図を示す。
Next, as a fifth example of the conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-30448 is disclosed.
The "semiconductor memory device" disclosed in Japanese Patent Publication No. 4 (JP-A) No. 4 will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a fifth example of a conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit.

【0025】図12に示される、従来の半導体集積回路
におけるクロック調整技術の第5例は、半導体集積回路
の製造時のプロセスの変動によるディレイ値の変動を、
初期設定のモードレジスタセット時に自動的に最適な値
とすることを目的とする技術である。
A fifth example of the conventional clock adjustment technique in a semiconductor integrated circuit shown in FIG. 12 is a method of controlling a delay value caused by a change in a process at the time of manufacturing a semiconductor integrated circuit.
This is a technique for automatically setting an optimum value at the time of setting an initial mode register.

【0026】そのために、この従来技術の第5例は、図
12に示されるように、基準ディレイ11155を具備
するディレイ制御ブロック11055と、メインディレ
イ10255を具備するディレイブロック10055と
を主要部材として構成される。
For this purpose, as shown in FIG. 12, the fifth example of the prior art comprises a delay control block 11055 having a reference delay 11155 and a delay block 10055 having a main delay 10255 as main members. Is done.

【0027】そして、モードレジスタセット時に基準デ
ィレイ値と外部クロックのサイクルとを比較して内部デ
ィレイ値を最適化することにより、製造時にプロセスが
変動してその結果ディレイブロック10055のディレ
イ値が変わった場合でも、モードレジスタセット時に外
部クロックのサイクルを基準に自動でディレイブロック
10055のディレイ値を最適化することができるの
で、歩留まり、特性がプロセスの変動に依存することな
く常に一定になるため、安定的な生産が可能であるとし
ている。
By optimizing the internal delay value by comparing the reference delay value with the cycle of the external clock when the mode register is set, the process fluctuates at the time of manufacturing, resulting in a change in the delay value of the delay block 10055. Even in this case, the delay value of the delay block 10055 can be automatically optimized based on the cycle of the external clock when the mode register is set, so that the yield and the characteristics are always constant without depending on the process fluctuation, so that the stability is stable. Production is possible.

【0028】このように、半導体集積回路において、ク
ロック信号を調整する技術には、様々なものが開発され
ている。
As described above, various techniques for adjusting a clock signal in a semiconductor integrated circuit have been developed.

【0029】一方、半導体集積回路において、1つのメ
モリを2つ以上のプロセッサにより共有するメモリ共有
型の半導体集積回路が開発されている。
On the other hand, in a semiconductor integrated circuit, a shared memory type semiconductor integrated circuit in which one memory is shared by two or more processors has been developed.

【0030】このメモリ共有型の半導体集積回路は、半
導体集積回路のコストを削減するために特に有効であ
る。
This shared memory type semiconductor integrated circuit is particularly effective for reducing the cost of the semiconductor integrated circuit.

【0031】ここで、従来の、メモリ共有型の半導体集
積回路について、図13を参照して説明する。図13
に、従来のメモリ共有型の半導体集積回路の構成の一例
のブロック図を示す。
Here, a conventional shared memory type semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of a conventional memory sharing type semiconductor integrated circuit.

【0032】図13に示すように、この従来のメモリ共
有型の半導体集積回路は、プロセッサ11とプロセッサ
12というように2つのプロセッサと、これらに共有さ
れる同期式メモリ4と、ホストCPU3と、同期式メモ
リ4に入力するアドレス13と、クロック14と、制御
信号15とを、プロセッサ11から出力されたものか、
プロセッサ12から出力されたものかを選択するセレク
タ83、84、及び85とで構成される。
As shown in FIG. 13, this conventional memory-sharing type semiconductor integrated circuit comprises two processors such as a processor 11 and a processor 12, a synchronous memory 4 shared by these processors, a host CPU 3, The address 13, the clock 14, and the control signal 15 input to the synchronous memory 4 are output as signals from the processor 11.
It is composed of selectors 83, 84, and 85 for selecting whether the output is from the processor 12.

【0033】ここで、図13にも示されるように、プロ
セッサ11とプロセッサ12とは、データバス5、及び
ホストバス6を介してそれぞれ接続されている。また、
データバス5は、同期式メモリ4にも接続されている。
また、ホストバス6を介して、各プロセッサの動作を制
御するためのホストCPU3が、プロセッサ11、及び
プロセッサ12に接続されている。
Here, as shown in FIG. 13, the processor 11 and the processor 12 are connected via the data bus 5 and the host bus 6, respectively. Also,
The data bus 5 is also connected to the synchronous memory 4.
Further, a host CPU 3 for controlling the operation of each processor is connected to the processors 11 and 12 via the host bus 6.

【0034】次に、図13に示される従来のメモリ共有
型の半導体集積回路の動作について説明する。同期式メ
モリ4に対して、データの読み書きを実行する場合、プ
ロセッサ11と、プロセッサ12とは同時に動作しない
ので、ホストCPU3はプロセッサ11が動作時には同
期式メモリ4にプロセッサ11からのアドレス、クロッ
ク、制御信号が入力されるようにセレクタ83、84、
及び85を制御し、プロセッサ12が動作時には同期式
メモリ4にプロセッサ12からのアドレス、クロック、
及び制御信号が入力されるようにセレクタ83、84、
及び85を制御する。
Next, the operation of the conventional memory sharing type semiconductor integrated circuit shown in FIG. 13 will be described. When reading / writing data from / to the synchronous memory 4, the processor 11 and the processor 12 do not operate at the same time. Therefore, when the processor 11 operates, the host CPU 3 stores the address, clock, The selectors 83, 84,
And 85, and when the processor 12 is operating, the synchronous memory 4 stores the address, clock,
And selectors 83, 84,
And 85.

【0035】このように、セレクタを制御することによ
り、図13に示されるような半導体集積回路において
は、1つの同期式メモリ4を、2つのプロセッサで共有
することができ、そのコストを削減することができると
している。
As described above, by controlling the selector, in the semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 13, one synchronous memory 4 can be shared by two processors, and the cost is reduced. I can do it.

【0036】[0036]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図13
に示されるような、従来のメモリ共有型の半導体集積回
路の一例においては、プロセッサ11、若しくはプロセ
ッサ12と、同期式メモリ4との間のデータ転送処理が
正確に行えないという問題点を有する。
However, FIG.
In the example of the conventional memory-sharing type semiconductor integrated circuit as shown in (1), there is a problem that data transfer processing between the processor 11 or the processor 12 and the synchronous memory 4 cannot be performed accurately.

【0037】この問題点が発生する理由について以下に
説明する。一般的に、プロセッサ11、及びプロセッサ
12から出力されるクロックは、プロセッサ11、及び
プロセッサ12の内部クロックに対して、固定された遅
延を伴って出力され、このクロックの遅延値は、装置基
板上のプロセッサのすぐ近くに同期式メモリを配置し、
クロックを直接接続するのに適した遅延量になってい
る。
The reason why this problem occurs will be described below. Generally, the clocks output from the processors 11 and 12 are output with a fixed delay with respect to the internal clocks of the processors 11 and 12, and the delay value of this clock is Place synchronous memory in the immediate vicinity of the processor
The delay amount is suitable for directly connecting a clock.

【0038】しかし、図13に示されるように同期式メ
モリ4を、2つ以上のプロセッサで共有する場合には、
クロック14は通常100MHz以上と高速なため、セ
レクタ回路や、基板上の配線長の増加による遅延の増加
により、内部動作クロックと同期式メモリ4に入力され
るクロック14の位相差が同期式メモリ4の特性を満た
すことが困難となる。
However, when the synchronous memory 4 is shared by two or more processors as shown in FIG.
Since the clock 14 is usually as fast as 100 MHz or more, the phase difference between the internal operation clock and the clock 14 input to the synchronous memory 4 is increased by the increase in the delay due to the increase in the length of the wiring on the selector circuit and the substrate. It is difficult to satisfy the characteristics of

【0039】ここで、図13に示されるメモリ共有型の
半導体集積回路の動作のタイミングについて、図7、及
び図14を参照して説明する。図7、及び図14に、図
13に示される従来のメモリ共有型の半導体集積回路の
動作のタイミングチャートを示す。ただし、図7に示さ
れるタイミングチャートは、図13に示される従来のメ
モリ共有型の半導体集積回路の動作のタイミングチャー
トであると共に、本発明に係る同期式メモリのクロック
調整回路において、同期式メモリからデータを読み出す
際のタイミングチャートでもある。
Here, the operation timing of the shared memory type semiconductor integrated circuit shown in FIG. 13 will be described with reference to FIGS. 7 and 14. 7 and 14 show timing charts of the operation of the conventional memory-shared semiconductor integrated circuit shown in FIG. However, the timing chart shown in FIG. 7 is the timing chart of the operation of the conventional memory sharing type semiconductor integrated circuit shown in FIG. 13, and in the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention, It is also a timing chart when data is read from the memory.

【0040】図7に示されるタイミングチャートは、同
期式メモリ4から出力されたデータがプロセッサにより
正確に読み取れる場合のタイミングチャートの例である
が、図7に示すように、同期式メモリ4から出力された
データバス5上のデータを読み取れるためには、セット
アップ時間Tsとホールド時間Thを満たすためにクロ
ック14より所定範囲の量の位相が進んだ内部クロック
が必要となる。これらの特性を満たせないと、同期式メ
モリ4の出力をプロセッサ11またはプロセッサ12で
正常に受けとることができなくなる。
The timing chart shown in FIG. 7 is an example of a timing chart when the data output from the synchronous memory 4 can be accurately read by the processor. As shown in FIG. In order to read the data on the data bus 5, an internal clock whose phase is advanced by a predetermined range from the clock 14 to satisfy the setup time Ts and the hold time Th is required. If these characteristics cannot be satisfied, the output of the synchronous memory 4 cannot be normally received by the processor 11 or the processor 12.

【0041】例えば、図14に示される、同期式メモリ
から出力されたデータがプロセッサにより正確に読み込
めない場合のタイミングチャートの例のように、図14
の(a)の場合は、内部クロックの位相が早すぎるた
め、データバス5上のデータが、ホールド時間Thを満
たしておらず、図14の(b)に示される場合は、内部
クロックの位相が遅すぎるため、データバス5上のデー
タが、セットアップ時間Tsとホールド時間Thとを満
たしておらず、プロセッサにおいて、データを正確に読
み取れるなくなっている。
For example, as shown in the timing chart of FIG. 14 when the data output from the synchronous memory cannot be accurately read by the processor, FIG.
14A, the phase of the internal clock is too early, so that the data on the data bus 5 does not satisfy the hold time Th. In the case shown in FIG. Is too slow, the data on the data bus 5 does not satisfy the setup time Ts and the hold time Th, and the processor cannot read the data accurately.

【0042】このように、図13に示される従来のメモ
リ共有型の半導体集積回路においては、各プロセッサか
ら出力されるクロックの遅延が固定であるため、例えば
プロセッサの特性や、その途中の負荷容量等によりクロ
ック14の遅延量が変化した場合は、プロセッサ11、
若しくはプロセッサ12と、同期式メモリ4との間のデ
ータ転送処理が正確に行えなくなるという問題点を有す
ることとなる。
As described above, in the conventional memory-integrated semiconductor integrated circuit shown in FIG. 13, since the delay of the clock output from each processor is fixed, for example, the characteristics of the processor and the load capacity in the middle thereof When the delay amount of the clock 14 changes due to the above, the processor 11,
Alternatively, there is a problem that the data transfer process between the processor 12 and the synchronous memory 4 cannot be performed accurately.

【0043】ここで、前述の、図8に示される、従来の
半導体集積回路におけるクロック調整技術の第1例にお
いては、クロックが発生するまでの時間を可変とするこ
とができる技術に関するものであるが、発生するクロッ
クとしては内部クロックであり、従って、非同期メモリ
に関してのみ適用可能な技術であり、同期メモリ共有型
の半導体集積回路に適用可能な技術ではない。
Here, the first example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 8 described above relates to a technique capable of making the time until a clock is variable. However, the generated clock is an internal clock, and therefore, is a technology applicable only to an asynchronous memory, and is not a technology applicable to a semiconductor integrated circuit of a synchronous memory sharing type.

【0044】また、前述の、図9に示される、従来の半
導体集積回路におけるクロック調整技術の第2例におい
ては、外部クロック信号と位相差がない内部クロック信
号をPLLを用いずに、高速に発生させることを可能と
する技術であるが、同期メモリに入力させるクロックの
遅延を制御するものではない。
In the second example of the conventional clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 9, the internal clock signal having no phase difference from the external clock signal is processed at high speed without using the PLL. Although it is a technique that enables generation, it does not control the delay of a clock input to a synchronous memory.

【0045】また、前述の、図10に示される、従来の
半導体集積回路におけるクロック調整技術の第3例にお
いては、外部からの制御データによって、入力データの
位相を容易に制御可能とする技術であるが、例えばFI
FO等に入出力するデータの位相を制御するのみであっ
て、FIFOの動作を制御するためのクロック信号の位
相を制御するものではない。
In the third example of the clock adjusting technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 10 described above, the phase of input data can be easily controlled by external control data. There are, for example, FI
It only controls the phase of data input to and output from the FO, and does not control the phase of a clock signal for controlling the operation of the FIFO.

【0046】また、前述の、図11に示される、従来の
半導体集積回路におけるクロック調整技術の第4例にお
いては、高速CPUとローカルバスとの間の信号タイミ
ングを切り換えることが可能な半導体集積回路における
クロック調整技術であるが、これは、例えばCPUバス
と、VLバスというように異なるバス間を接続するため
の技術であり、同期式メモリに出力されるクロックに適
用されるものではない。
In the above-described fourth example of the clock adjustment technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 11, a semiconductor integrated circuit capable of switching the signal timing between a high-speed CPU and a local bus. Is a technique for connecting between different buses such as a CPU bus and a VL bus, and is not applied to a clock output to a synchronous memory.

【0047】さらに、前述の、図12に示される、従来
の半導体集積回路におけるクロック調整技術の第5例に
おいては、製造時のプロセスの変動によるディレイ値の
変動を、基準ディレイ値と外部クロックのサイクルを比
較して最適化することを目的とするものであり、同期式
メモリに出力されるクロックを最適化するものではな
い。
Further, in the above-described fifth example of the clock adjusting technique in the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. The purpose is to optimize by comparing the cycles, but not to optimize the clock output to the synchronous memory.

【0048】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
同期式メモリに対する読み出し、書き込みを正確に実行
し、特に、2つ以上のプロセッサで共有している同期式
メモリにおいても、読み出し、書き込みを正確に実行す
ることが可能な同期式メモリのクロック調整回路、及び
同期式メモリのクロック調整方法を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
A clock adjustment circuit for a synchronous memory that can accurately execute reading and writing to the synchronous memory, and particularly can execute reading and writing accurately even in a synchronous memory shared by two or more processors. And a clock adjusting method for a synchronous memory.

【0049】[0049]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
同期式メモリに対してデータの読み出し、及び書き込み
を行う第1のプロセッサと、前記同期式メモリに対して
データの読み出し、及び書き込みを行う第2のプロセッ
サとを有し、前記第1のプロセッサが、前記同期式メモ
リに出力するクロック信号を遅延させて出力する第1の
クロック遅延選択回路を有し、前記第2のプロセッサ
が、前記同期式メモリに出力するクロック信号を遅延さ
せて出力する第2のクロック遅延選択回路を有すること
を特徴とする。
According to the first aspect of the present invention,
A first processor that reads and writes data from and to a synchronous memory; and a second processor that reads and writes data to and from the synchronous memory. A first clock delay selection circuit that delays and outputs a clock signal output to the synchronous memory, and wherein the second processor delays and outputs a clock signal output to the synchronous memory. It has two clock delay selection circuits.

【0050】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記第1のクロック遅延選択回路、及び前
記第2のクロック遅延選択回路が、少なくとも1以上
の、それぞれが直列に接続された、入力したクロック信
号に所定の遅延を与えて出力する遅延素子と、前記遅延
素子から出力されたクロック信号を出力するか、前記第
1のクロック遅延選択回路、若しくは前記第2のクロッ
ク遅延選択回路に入力したクロック信号を出力するかを
選択する、前記遅延素子のそれぞれの出力側に設けられ
たセレクタと、前記セレクタの動作を制御する制御レジ
スタとを有することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, at least one or more of the first clock delay selection circuit and the second clock delay selection circuit are connected in series. A delay element that applies a predetermined delay to the input clock signal and outputs the clock signal, and outputs the clock signal output from the delay element, the first clock delay selection circuit, or the second clock delay selection circuit. A selector is provided on each output side of the delay element for selecting whether to output a clock signal input to a circuit, and a control register for controlling an operation of the selector.

【0051】請求項3記載の発明は、請求項1又は2に
記載の発明において、前記第1のクロック遅延選択回
路、及び前記第2のクロック遅延選択回路の動作を制御
するホストCPUを有することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, a host CPU for controlling an operation of the first clock delay selection circuit and the second clock delay selection circuit is provided. It is characterized by.

【0052】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、前記第1のクロック遅延選択回路に具備さ
れる遅延素子の個数が、m1を1以上の任意の正の整数
として、m1個である場合に、k1を、0以上m1以下
までの値をとる整数として、前記ホストCPUが、前記
遅延素子のk1個分の遅延を与えた第k1の遅延クロッ
ク信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、及び
読み出しを前記第1のプロセッサに行わせ、該書き込ん
だ値と、該読み出した値とが一致しているか否かを判定
する第k1番目の判定動作を、順次、第0番目の判定動
作から第m1番目の判定動作まで行って、前記一致して
いる値を与える遅延量の平均の遅延量を算出し、該平均
の遅延量に最も近い遅延量を、前記第1のクロック遅延
選択回路における遅延量であるとした場合に、該第1の
クロック遅延選択回路から出力されるクロック信号を前
記第1のクロック遅延選択回路から遅延されて出力され
るクロック信号とし、前記第2のクロック遅延選択回路
に具備される遅延素子の個数が、m2を1以上の任意の
正の整数として、m2個である場合に、k2を、0以上
m2以下までの値をとる整数として、前記ホストCPU
が、前記遅延素子のk2個分の遅延を与えた第k2の遅
延クロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込
み、及び読み出しを前記第2のプロセッサに行わせ、該
書き込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか否
かを判定する第k2番目の判定動作を、順次、第0番目
の判定動作から第m2番目の判定動作まで行って、前記
一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算出
し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、前記第2のク
ロック遅延選択回路における遅延量であるとした場合
に、該第2のクロック遅延選択回路から出力されるクロ
ック信号を前記第2のクロック遅延選択回路から遅延さ
れて出力されるクロック信号とすることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the number of delay elements provided in the first clock delay selecting circuit is defined as m1 where m1 is an arbitrary positive integer of 1 or more. In the case where the number is 1, the host CPU sets k1 as an integer having a value of 0 or more and m1 or less, and based on the k1th delayed clock signal given by the delay of k1 of the delay elements, the host CPU The first processor performs writing and reading to and from the memory, and performs a k-th determination operation to determine whether the written value matches the read value. From the j-th determination operation to the m-th determination operation, an average delay amount of the delay amounts giving the coincident values is calculated, and the delay amount closest to the average delay amount is calculated as the first delay amount. Clock delay selection circuit If the delay is assumed, the clock signal output from the first clock delay selection circuit is used as the clock signal delayed and output from the first clock delay selection circuit; When the number of delay elements provided in the circuit is m2, where m2 is an arbitrary positive integer of 1 or more, and when the number of delay elements is m2, k2 is an integer having a value of 0 to m2.
Causes the second processor to perform writing and reading to and from the synchronous memory based on a k2th delayed clock signal to which a delay of k2 of the delay elements has been given, and writes the written value and The k-th determination operation for determining whether or not the read value is consistent is sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th determination operation to provide the matched value. The average delay amount is calculated, and when the delay amount closest to the average delay amount is determined to be the delay amount in the second clock delay selection circuit, the output from the second clock delay selection circuit is determined. The clock signal to be output is a clock signal delayed and output from the second clock delay selection circuit.

【0053】請求項5記載の発明は、請求項1から4の
いずれかに記載の発明において、前記第1のプロセッサ
から前記同期式メモリに出力される、第1のアドレス、
第1のクロック信号、及び第1の制御信号と、前記第2
のプロセッサから前記同期式メモリに出力される、第2
のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の制御信号
とのうちのいずれか一方を選択して前記同期式メモリに
出力する選択手段を有することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first address, the first address, the output from the first processor to the synchronous memory,
A first clock signal, a first control signal, and the second
Output from the processor to the synchronous memory.
And selecting means for selecting any one of the address, the second clock signal, and the second control signal and outputting the selected signal to the synchronous memory.

【0054】請求項6記載の発明は、請求項5記載の発
明において、前記選択手段が、セレクタにより構成され
ていることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the present invention, the selecting means comprises a selector.

【0055】請求項7記載の発明は、請求項6記載の発
明において、前記セレクタが、前記第1のプロセッサか
ら前記同期式メモリに出力される、前記第1のアドレス
と、前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力
される、前記第2のアドレスとが入力する第1のセレク
タと、前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出
力される、前記第1のクロック信号と、前記第2のプロ
セッサから前記同期式メモリに出力される、前記第2の
クロック信号とが入力する第2のセレクタと、前記第1
のプロセッサから前記同期式メモリに出力される、前記
第1の制御信号と、前記第2のプロセッサから前記同期
式メモリに出力される、前記第2の制御信号とが入力す
る第3のセレクタと、により構成され、前記第1のプロ
セッサから前記同期式メモリに出力される、第1のアド
レス、第1のクロック信号、及び第1の制御信号を前記
同期式メモリに出力する場合は、前記第1のセレクタ、
前記第2のセレクタ、及び前記第3のセレクタ、を前記
第1のプロセッサから出力された信号を選択するように
制御し、前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに
出力される、第2のアドレス、第2のクロック信号、及
び第2の制御信号を前記同期式メモリに出力する場合
は、前記第1のセレクタ、前記第2のセレクタ、及び前
記第3のセレクタ、を前記第2のプロセッサから出力さ
れた信号を選択するように制御して、前記同期式メモリ
に出力される信号を選択することを特徴とする。
The invention according to claim 7 is the invention according to claim 6, wherein the selector outputs the first address and the second processor which are output from the first processor to the synchronous memory. A first selector, to which the second address is input, which is output from the first processor to the synchronous memory; a first clock signal, which is output from the first processor to the synchronous memory; A second selector to which the second clock signal output from the second processor to the synchronous memory is input;
A third selector to which the first control signal output from the processor to the synchronous memory and the second control signal output to the synchronous memory from the second processor are input; The first address, the first clock signal, and the first control signal output from the first processor to the synchronous memory are output from the first processor to the synchronous memory. A selector of 1,
A second selector that controls the second selector and the third selector to select a signal output from the first processor, and that is output from the second processor to the synchronous memory. When outputting an address, a second clock signal, and a second control signal to the synchronous memory, the first selector, the second selector, and the third selector are connected to the second processor. And selecting a signal output to the synchronous memory by controlling so as to select a signal output from the synchronous memory.

【0056】請求項8記載の発明は、請求項5記載の発
明において、前記選択手段が、3ステートバッファによ
り構成されていることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the present invention, the selecting means comprises a three-state buffer.

【0057】請求項9記載の発明は、請求項8記載の発
明において、前記3ステートバッファが、前記第1のプ
ロセッサから前記同期式メモリに出力される、前記第1
のアドレスが入力する第1の3ステートバッファと、前
記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のクロック信号が入力する第2の3ステー
トバッファと、前記第1のプロセッサから前記同期式メ
モリに出力される、前記第1の制御信号が入力する第3
の3ステートバッファと、前記第2のプロセッサから前
記同期式メモリに出力される、前記第2のアドレスが入
力する第4の3ステートバッファと、前記第2のプロセ
ッサから前記同期式メモリに出力される、前記第2のク
ロック信号が入力する第5の3ステートバッファと、前
記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2の制御信号が入力する第6の3ステートバ
ッファと、により構成され、前記第1のプロセッサから
前記同期式メモリに出力される、第1のアドレス、第1
のクロック信号、及び第1の制御信号を前記同期式メモ
リに出力する場合は、前記第4の3ステートバッファ
と、前記第5の3ステートバッファと、前記第6の3ス
テートバッファと、をハイ・インピーダンス状態にし、
前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、前記第
1の3ステートバッファと、前記第2の3ステートバッ
ファと、前記第3の3ステートバッファと、をハイ・イ
ンピーダンス状態にして、前記同期式メモリに出力され
る信号を選択することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the three-state buffer is output from the first processor to the synchronous memory.
A first three-state buffer to which the first clock signal is inputted, a second three-state buffer to which the first clock signal is inputted, which is outputted from the first processor to the synchronous memory, and the first processor And the third control signal is input to the synchronous memory.
A third state buffer output from the second processor to the synchronous memory, a fourth three state buffer to which the second address is input, and an output from the second processor to the synchronous memory. A fifth three-state buffer to which the second clock signal is input, and a sixth three-state buffer to be output from the second processor to the synchronous memory and to which the second control signal is input. , And a first address, a first address, which is output from the first processor to the synchronous memory.
When outputting the clock signal and the first control signal to the synchronous memory, the fourth three-state buffer, the fifth three-state buffer, and the sixth three-state buffer are set to high.・ In the impedance state,
When outputting a second address, a second clock signal, and a second control signal from the second processor to the synchronous memory to the synchronous memory, the first three-state buffer And setting the second three-state buffer and the third three-state buffer in a high impedance state to select a signal to be output to the synchronous memory.

【0058】請求項10記載の発明は、同期式メモリに
対して、データの読み出し、及び書き込みを行う少なく
とも1以上のプロセッサを有し、該プロセッサが、前記
同期式メモリに出力するクロック信号を遅延させて出力
するクロック遅延選択回路を有することを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided at least one processor for reading and writing data from and to the synchronous memory, and the processor delays a clock signal output to the synchronous memory. And a clock delay selection circuit for outputting the output.

【0059】請求項11記載の発明は、請求項10記載
の発明において、前記クロック遅延選択回路が、少なく
とも1以上の、それぞれが直列に接続された、入力した
クロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延素子
と、前記遅延素子から出力されたクロック信号を出力す
るか、前記入力したクロック信号を出力するかを選択す
る、前記遅延素子のそれぞれの出力側に設けられたセレ
クタと、前記セレクタの動作を制御する制御レジスタと
を有することを特徴とする。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the invention according to the tenth aspect, the clock delay selecting circuit applies a predetermined delay to at least one or more input clock signals which are connected in series. A delay element to be output, a selector provided on each output side of the delay element, for selecting whether to output the clock signal output from the delay element or to output the input clock signal, and the selector And a control register for controlling the operation of (1).

【0060】請求項12記載の発明は、請求項10又は
11に記載の発明において、前記クロック遅延選択回路
の動作を制御するホストCPUを有することを特徴とす
る。
According to a twelfth aspect of the present invention, in accordance with the tenth or eleventh aspect, a host CPU for controlling the operation of the clock delay selecting circuit is provided.

【0061】請求項13記載の発明は、請求項12記載
の発明において、前記遅延素子の個数が、mを1以上の
任意の正の整数として、m個である場合に、kを、0以
上m以下までの値をとる整数として、前記ホストCPU
が、前記遅延素子のk個分の遅延を与えた第kの遅延ク
ロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、
及び読み出しを前記プロセッサに行わせ、該書き込んだ
値と、該読み出した値とが一致しているか否かを判定す
る第k番目の判定動作を、順次、第0番目の判定動作か
ら第m番目の判定動作まで行って、前記一致している値
を与える遅延量の平均の遅延量を算出し、該平均の遅延
量に最も近い遅延量を、前記クロック遅延選択回路にお
ける遅延量であるとした場合に、該クロック遅延選択回
路から出力されるクロック信号を前記クロック遅延選択
回路から遅延されて出力されるクロック信号とすること
を特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the invention of the twelfth aspect, when the number of the delay elements is m, where m is an arbitrary positive integer of 1 or more, k is set to 0 or more. the host CPU as an integer taking a value up to m or less.
Is written to the synchronous memory based on a k-th delayed clock signal obtained by delaying k delay elements.
And the k-th determination operation to determine whether the written value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th To determine the average delay amount of the delay amount that gives the matching value, and assume that the delay amount closest to the average delay amount is the delay amount in the clock delay selection circuit. In this case, the clock signal output from the clock delay selection circuit is a clock signal delayed and output from the clock delay selection circuit.

【0062】請求項14記載の発明は、同期式メモリに
対してデータの読み出し、及び書き込みを行う第1のプ
ロセッサから前記同期式メモリに出力されるクロック信
号を遅延させる第1のクロック遅延選択工程と、前記同
期式メモリに対してデータの読み出し、及び書き込みを
行う第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
るクロック信号を遅延させる第2のクロック遅延選択工
程とを有することを特徴とする。
According to a fourteenth aspect of the present invention, a first clock delay selecting step of delaying a clock signal output from the first processor for reading and writing data to and from the synchronous memory to the synchronous memory. And a second clock delay selecting step of delaying a clock signal output to the synchronous memory from a second processor that reads and writes data to and from the synchronous memory. .

【0063】請求項15記載の発明は、請求項14記載
の発明において、前記第1のクロック遅延選択工程、及
び前記第2のクロック遅延選択工程が、少なくとも1以
上の、それぞれが直列に接続された、入力したクロック
信号に所定の遅延を与えて出力する遅延素子により、入
力したクロック信号を遅延させて出力する遅延工程と、
前記遅延工程から出力されたクロック信号を出力する
か、前記第1のクロック遅延選択工程、若しくは前記第
2のクロック遅延選択工程に入力したクロック信号を出
力するかを選択する、クロック信号選択工程と、前記ク
ロック信号選択工程の動作を制御レジスタにより制御す
るクロック信号選択制御工程とを有することを特徴とす
る。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the invention of the fourteenth aspect, the first clock delay selecting step and the second clock delay selecting step each include at least one or more connected in series. A delay step of delaying and outputting the input clock signal by a delay element that applies a predetermined delay to the input clock signal and outputs the delayed clock signal;
A clock signal selecting step of selecting whether to output a clock signal output from the delay step, or to output a clock signal input to the first clock delay selecting step or the second clock delay selecting step. And a clock signal selection control step of controlling the operation of the clock signal selection step by a control register.

【0064】請求項16記載の発明は、請求項14又は
15に記載の発明において、ホストCPUにより、前記
第1のクロック遅延選択工程、及び前記第2のクロック
遅延選択工程の動作を制御するクロック遅延選択制御工
程を有することを特徴とする。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the invention according to the fourteenth or fifteenth aspect, a clock for controlling an operation of the first clock delay selecting step and the second clock delay selecting step by a host CPU. It has a delay selection control step.

【0065】請求項17記載の発明は、請求項16記載
の発明において、前記第1のクロック遅延選択工程にお
いて用いられる遅延素子の個数が、m1を1以上の任意
の正の整数として、m1個である場合に、k1を、0以
上m1以下までの値をとる整数として、前記ホストCP
Uが、前記遅延素子のk1個分の遅延を与えた第k1の
遅延クロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き
込み、及び読み出しを前記第1のプロセッサに行わせ、
該書き込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか
否かを判定する第k1番目の判定動作を、順次、第0番
目の判定動作から第m1番目の判定動作まで行って、前
記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算出
し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、前記第1のク
ロック遅延選択工程における遅延量であるとした場合
に、該第1のクロック遅延選択工程から出力されるクロ
ック信号を前記第1のクロック遅延選択工程から遅延さ
れて出力されるクロック信号とし、前記第2のクロック
遅延選択工程において用いられる遅延素子の個数が、m
2を1以上の任意の正の整数として、m2個である場合
に、k2を、0以上m2以下までの値をとる整数とし
て、前記ホストCPUが、前記遅延素子のk2個分の遅
延を与えた第k2の遅延クロック信号に基づき、前記同
期式メモリへの書き込み、及び読み出しを前記第2のプ
ロセッサに行わせ、該書き込んだ値と、該読み出した値
とが一致しているか否かを判定する第k2番目の判定動
作を、順次、第0番目の判定動作から第m2番目の判定
動作まで行って、前記一致している値を与える遅延量の
平均の遅延量を算出し、該平均の遅延量に最も近い遅延
量を、前記第2のクロック遅延選択工程における遅延量
であるとした場合に、該第2のクロック遅延選択工程か
ら出力されるクロック信号を前記第2のクロック遅延選
択工程から遅延されて出力されるクロック信号とするこ
とを特徴とする。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the invention of the sixteenth aspect, the number of delay elements used in the first clock delay selecting step is such that m1 is an arbitrary positive integer of 1 or more. Where k1 is an integer having a value of 0 or more and m1 or less, the host CP
U causes the first processor to perform writing and reading to and from the synchronous memory based on a k1th delayed clock signal that is delayed by k1 delay elements,
The k-th determination operation for determining whether the written value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th determination operation. Calculating an average delay amount of the delay amounts giving the matched values, and assuming that the delay amount closest to the average delay amount is the delay amount in the first clock delay selecting step, The clock signal output from the clock delay selecting step is a clock signal delayed and output from the first clock delay selecting step, and the number of delay elements used in the second clock delay selecting step is m
If 2 is an arbitrary positive integer of 1 or more and m2, and if k2 is an integer having a value of 0 or more and m2 or less, the host CPU gives a delay of k2 of the delay elements. The second processor writes and reads data to and from the synchronous memory based on the k2th delayed clock signal and determines whether the written value matches the read value. The k-th determination operation is sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th determination operation to calculate an average delay amount of the delay amounts that give the coincident values. Assuming that the delay amount closest to the delay amount is the delay amount in the second clock delay selecting step, the clock signal output from the second clock delay selecting step is changed to the second clock delay selecting step. Is delayed from Characterized by a clock signal output.

【0066】請求項18記載の発明は、請求項14から
17のいずれかに記載の発明において、前記第1のプロ
セッサから前記同期式メモリに出力される、第1のアド
レス、第1のクロック信号、及び第1の制御信号と、前
記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号とのうちのいずれか一方を選択して前記同期式
メモリに出力する出力信号選択工程を有することを特徴
とする。
The invention according to claim 18 is the invention according to any one of claims 14 to 17, wherein the first address and the first clock signal are output from the first processor to the synchronous memory. And a first control signal, and one of a second address, a second clock signal, and a second control signal output from the second processor to the synchronous memory. And outputting an output signal to the synchronous memory.

【0067】請求項19記載の発明は、請求項18記載
の発明において、前記出力信号選択工程が、セレクタを
用いてプロセッサからの出力信号を選択する工程である
ことを特徴とする。
The invention of claim 19 is characterized in that, in the invention of claim 18, the output signal selecting step is a step of selecting an output signal from the processor using a selector.

【0068】請求項20記載の発明は、請求項19記載
の発明において、前記セレクタが、前記第1のプロセッ
サから前記同期式メモリに出力される、前記第1のアド
レスと、前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに
出力される、前記第2のアドレスとが入力する第1のセ
レクタと、前記第1のプロセッサから前記同期式メモリ
に出力される、前記第1のクロック信号と、前記第2の
プロセッサから前記同期式メモリに出力される、前記第
2のクロック信号とが入力する第2のセレクタと、前記
第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力される、
前記第1の制御信号と、前記第2のプロセッサから前記
同期式メモリに出力される、前記第2の制御信号とが入
力する第3のセレクタと、により構成され、前記出力信
号選択工程において、前記第1のプロセッサから前記同
期式メモリに出力される、第1のアドレス、第1のクロ
ック信号、及び第1の制御信号を前記同期式メモリに出
力する場合は、前記第1のセレクタ、前記第2のセレク
タ、及び前記第3のセレクタ、を前記第1のプロセッサ
から出力された信号を選択するように制御し、前記第2
のプロセッサから前記同期式メモリに出力される、第2
のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の制御信号
を前記同期式メモリに出力する場合は、前記第1のセレ
クタ、前記第2のセレクタ、及び前記第3のセレクタ、
を前記第2のプロセッサから出力された信号を選択する
ように制御することを特徴とする。
According to a twentieth aspect, in the invention according to the nineteenth aspect, the selector outputs the first address and the second processor which are output from the first processor to the synchronous memory. A first selector, to which the second address is input, which is output from the first processor to the synchronous memory; a first clock signal, which is output from the first processor to the synchronous memory; A second selector, to which the second clock signal is input, which is output from the second processor to the synchronous memory, and which is output to the synchronous memory from the first processor;
The first control signal and a third selector, which is output from the second processor to the synchronous memory and receives the second control signal, is configured by the output signal selecting step. When outputting a first address, a first clock signal, and a first control signal from the first processor to the synchronous memory to the synchronous memory, the first selector, the first selector, Controlling a second selector and the third selector to select a signal output from the first processor;
Output from the processor to the synchronous memory.
When outputting the address, the second clock signal, and the second control signal to the synchronous memory, the first selector, the second selector, and the third selector,
Is controlled to select a signal output from the second processor.

【0069】請求項21記載の発明は、請求項18記載
の発明において、前記出力信号選択工程が、3ステート
バッファを用いてプロセッサからの出力信号を選択する
工程であることを特徴とする。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the eighteenth aspect, the output signal selecting step is a step of selecting an output signal from a processor using a three-state buffer.

【0070】請求項22記載の発明は、請求項21記載
の発明において、前記3ステートバッファが、前記第1
のプロセッサから前記同期式メモリに出力される、前記
第1のアドレスが入力する第1の3ステートバッファ
と、前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力
される、前記第1のクロック信号が入力する第2の3ス
テートバッファと、前記第1のプロセッサから前記同期
式メモリに出力される、前記第1の制御信号が入力する
第3の3ステートバッファと、前記第2のプロセッサか
ら前記同期式メモリに出力される、前記第2のアドレス
が入力する第4の3ステートバッファと、前記第2のプ
ロセッサから前記同期式メモリに出力される、前記第2
のクロック信号が入力する第5の3ステートバッファ
と、前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力
される、前記第2の制御信号が入力する第6の3ステー
トバッファと、により構成され、前記出力信号選択工程
において、前記第1のプロセッサから前記同期式メモリ
に出力される、第1のアドレス、第1のクロック信号、
及び第1の制御信号を前記同期式メモリに出力する場合
は、前記第4の3ステートバッファと、前記第5の3ス
テートバッファと、前記第6の3ステートバッファと、
をハイ・インピーダンス状態にし、前記第2のプロセッ
サから前記同期式メモリに出力される、第2のアドレ
ス、第2のクロック信号、及び第2の制御信号を前記同
期式メモリに出力する場合は、前記第1の3ステートバ
ッファと、前記第2の3ステートバッファと、前記第3
の3ステートバッファと、をハイ・インピーダンス状態
にして、プロセッサからの出力を選択することを特徴と
する。
According to a twenty-second aspect of the present invention, in the twenty-first aspect, the three-state buffer is provided with the first state buffer.
A first three-state buffer, to which the first address is input, which is output from the processor to the synchronous memory, and a first clock signal, which is output to the synchronous memory from the first processor. A second three-state buffer to be input, a third three-state buffer to be output from the first processor to the synchronous memory, to which the first control signal is input, and the synchronization from the second processor. A fourth three-state buffer, to which the second address is input, which is output to an expression memory; and a second, which is output to the synchronous memory from the second processor.
A fifth three-state buffer to which the clock signal is inputted, and a sixth three-state buffer to which the second control signal is outputted, which is outputted from the second processor to the synchronous memory, In the output signal selecting step, a first address, a first clock signal, and a second clock are output from the first processor to the synchronous memory.
And outputting the first control signal to the synchronous memory, the fourth three-state buffer, the fifth three-state buffer, the sixth three-state buffer,
To a high impedance state and output a second address, a second clock signal, and a second control signal output from the second processor to the synchronous memory to the synchronous memory, The first three-state buffer, the second three-state buffer, and the third
And a high-impedance state of the three-state buffer to select an output from the processor.

【0071】請求項23記載の発明は、同期式メモリに
対してデータの読み出し、及び書き込みを行う少なくと
も1以上のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
るクロック信号を遅延させるクロック遅延選択工程を有
することを特徴とする。
According to a twenty-third aspect of the present invention, there is provided a clock delay selecting step of delaying a clock signal output from at least one processor for reading and writing data to and from the synchronous memory to the synchronous memory. It is characterized by the following.

【0072】請求項24記載の発明は、請求項23記載
の発明において、前記クロック遅延選択工程が、少なく
とも1以上の、それぞれが直列に接続された、入力した
クロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延素子に
よりクロック信号を遅延させる遅延工程と、前記遅延工
程から出力されたクロック信号を出力するか、前記クロ
ック遅延選択工程に入力したクロック信号を出力するか
を選択する、クロック信号選択工程と、前記クロック信
号選択工程の動作を制御レジスタにより制御するクロッ
ク信号選択制御工程とを有することを特徴とする。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, in the twenty-third aspect of the present invention, the clock delay selecting step includes a step of giving a predetermined delay to at least one or more input clock signals connected in series. A delay step of delaying a clock signal by a delay element to output, and a clock signal selecting step of selecting whether to output the clock signal output from the delay step or to output the clock signal input to the clock delay selecting step And a clock signal selection control step of controlling the operation of the clock signal selection step by a control register.

【0073】請求項25記載の発明は、請求項23又は
24に記載の発明において、ホストCPUにより、前記
クロック遅延選択工程の動作を制御するクロック遅延選
択制御工程を有することを特徴とする。
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, in the twenty-third aspect or the twenty-fourth aspect, a host CPU has a clock delay selection control step of controlling the operation of the clock delay selection step.

【0074】請求項26記載の発明は、請求項25記載
の発明において、前記クロック遅延選択工程において用
いられる前記遅延素子の個数が、mを1以上の任意の正
の整数として、m個である場合に、kを、0以上m以下
までの値をとる整数として、前記ホストCPUが、前記
遅延素子のk個分の遅延を与えた第kの遅延クロック信
号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、及び読み
出しを前記プロセッサに行わせ、該書き込んだ値と、該
読み出した値とが一致しているか否かを判定する第k番
目の判定動作を、順次、第0番目の判定動作から第m番
目の判定動作まで行って、前記一致している値を与える
遅延量の平均の遅延量を算出し、該平均の遅延量に最も
近い遅延量を、前記クロック遅延選択工程における遅延
量であるとした場合に、該クロック遅延選択工程から出
力されるクロック信号を前記クロック遅延選択工程から
遅延されて出力されるクロック信号とするクロック信号
選択工程を有することを特徴とする。
The invention according to claim 26 is the invention according to claim 25, wherein the number of the delay elements used in the clock delay selecting step is m, where m is an arbitrary positive integer of 1 or more. In this case, the host CPU sets k to an integer having a value of 0 or more and m or less based on a k-th delayed clock signal provided with k delays of the delay elements and transfers the data to the synchronous memory. Writing and reading are performed by the processor, and the k-th determining operation for determining whether the written value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determining operation to the k-th determining operation. Perform the steps up to the m-th determination operation, calculate the average delay amount of the delay amounts that give the coincident values, and determine the delay amount closest to the average delay amount in the clock delay selecting step. Place In, and having a clock signal selection step of the clock signal output is delayed a clock signal output from the clock delay selection process from the clock delay selection step.

【0075】[0075]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る同期式メモリ
のクロック調整回路、及び同期式メモリのクロック調整
方法の実施形態について、図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a clock adjusting circuit for a synchronous memory and a clock adjusting method for a synchronous memory according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0076】まず、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第1の実施形態について、図1を参照して
説明する。図1に、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第1の実施形態の構成のブロック図を示
す。ただし、以下に説明する、本発明に係る同期式メモ
リのクロック調整回路の第1の実施形態の説明は、本発
明に係る同期式メモリのクロック調整方法の第1の実施
形態の説明も兼ねるものである。また、図1に示される
部材において、図13に示される部材と同様な部材に
は、同じ番号を付す。
First, a first embodiment of a clock adjusting circuit for a synchronous memory according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of a clock adjusting circuit of a synchronous memory according to the present invention. However, the description of the first embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention described below also serves as the description of the first embodiment of the clock adjustment method of the synchronous memory according to the present invention. It is. Further, in the members shown in FIG. 1, the same members as those shown in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals.

【0077】図1に示すように、本発明に係る同期式メ
モリのクロック調整回路の第1の実施形態は、プロセッ
サ1と、プロセッサ2と、これらに共有される同期式メ
モリ4と、ホストCPU3と、各プロセッサ内部にあり
同期式メモリ4に対するクロックの遅延を選択するクロ
ック遅延選択回路9と、プロセッサ1から出力されたア
ドレス、若しくはプロセッサ2から出力されたアドレス
のいずれか一方を選択するセレクタ83と、プロセッサ
1から出力されたクロック、若しくはプロセッサ2から
出力されたクロックのいずれか一方を選択するセレクタ
84と、プロセッサ1から出力された制御信号、若しく
はプロセッサ2から出力された制御信号のいずれか一方
を選択するセレクタ85とから構成される。
As shown in FIG. 1, the first embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention comprises a processor 1, a processor 2, a synchronous memory 4 shared by these, And a clock delay selection circuit 9 inside each processor for selecting a clock delay for the synchronous memory 4, and a selector 83 for selecting one of an address output from the processor 1 and an address output from the processor 2 A selector 84 for selecting either the clock output from the processor 1 or the clock output from the processor 2; and a control signal output from the processor 1 or a control signal output from the processor 2. And a selector 85 for selecting one.

【0078】プロセッサ1から出力されたアドレス、若
しくはプロセッサ2から出力されたアドレスのうちのい
ずれか一方は、セレクタ83において選択された後、ア
ドレス13として、同期式メモリ4に出力される。同様
に、プロセッサ1から出力されたクロック、若しくはプ
ロセッサ2から出力されたクロックのうちのいずれか一
方は、セレクタ84において選択された後、クロック1
4として、同期式メモリ4に出力され、プロセッサ1か
ら出力された制御信号、若しくはプロセッサ2から出力
された制御信号のうちのいずれか一方は、セレクタ85
において選択された後、制御信号15として、同期式メ
モリ4に出力される。
One of the address output from the processor 1 and the address output from the processor 2 is selected by the selector 83 and then output to the synchronous memory 4 as the address 13. Similarly, after one of the clock output from the processor 1 and the clock output from the processor 2 is selected by the selector 84, the clock 1
4, one of the control signal output to the synchronous memory 4 and output from the processor 1 or the control signal output from the processor 2
Is selected and output to the synchronous memory 4 as the control signal 15.

【0079】ここで、図1にも示されるように、プロセ
ッサ1とプロセッサ2とは、データバス5、及びホスト
バス6を介してそれぞれ接続されている。また、データ
バス5は、同期式メモリ4にも接続されている。また、
ホストバス6を介して、各プロセッサの動作を制御する
ためのホストCPU3が、プロセッサ1、及びプロセッ
サ2に接続されている。
Here, as shown in FIG. 1, the processor 1 and the processor 2 are connected via a data bus 5 and a host bus 6, respectively. The data bus 5 is also connected to the synchronous memory 4. Also,
A host CPU 3 for controlling the operation of each processor is connected to the processors 1 and 2 via a host bus 6.

【0080】なお、データバス5、及びホストバス6の
転送速度は、本発明において特に限定するものではな
く、適宜、任意の転送速度のデータバス5、及びホスト
バス6を用いることができる。
The transfer speeds of the data bus 5 and the host bus 6 are not particularly limited in the present invention, and the data bus 5 and the host bus 6 having any transfer speed can be appropriately used.

【0081】次に、図1に示される、プロセッサ1、及
びプロセッサ2に具備される、クロック遅延選択回路9
について、図2を参照して説明する。図2に、図1に示
されるクロック遅延選択回路9の構成のブロック図を示
す。ただし、図1に示される例では、プロセッサ1に具
備されるクロック遅延選択回路9と、プロセッサ2に具
備されるクロック遅延選択回路9とは、同様のものとし
て同じ番号が付されているが、以下に説明するように、
プロセッサ1に具備されるクロック遅延選択回路9と、
プロセッサ2に具備されるクロック遅延選択回路9と
は、例えばクロック遅延選択回路9内部の遅延素子の個
数等において、各々独立の構成となっていても良い。
Next, the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 1 and the processor 2 shown in FIG.
Will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a block diagram of the configuration of the clock delay selection circuit 9 shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 1, the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 1 and the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 2 are given the same numbers as the same, As explained below,
A clock delay selection circuit 9 provided in the processor 1;
The clock delay selection circuit 9 included in the processor 2 may have a configuration independent of, for example, the number of delay elements inside the clock delay selection circuit 9.

【0082】クロック遅延選択回路9は図2に示すよう
に、内部クロック101を遅延させてクロック106と
して出力する遅延素子102を、例えば4つ直列に接続
したものである。
As shown in FIG. 2, the clock delay selection circuit 9 has, for example, four serially connected delay elements 102 which delay the internal clock 101 and output it as a clock 106.

【0083】また、各遅延素子102の出力側には、セ
レクタ103が設けられ、このセレクタ103は、内部
クロック101、若しくは遅延素子102の出力のいず
れか一方を選択して出力する。
A selector 103 is provided on the output side of each delay element 102. This selector 103 selects and outputs either the internal clock 101 or the output of the delay element 102.

【0084】また、各セレクタ103は、制御レジスタ
100によりその選択が制御される。図2に示される例
では、遅延素子102を4つを直列に接続しているた
め、遅延素子102が全て同じ遅延時間とすると、遅延
素子が0から4個まで選択された場合に対応して、5種
類の遅延時間が制御レジスタ100により選択できるこ
とになる。また、制御レジスタ100は、ホストバス6
を介して、ホストCPU3によりその動作が制御され
る。
The selection of each selector 103 is controlled by the control register 100. In the example shown in FIG. 2, since four delay elements 102 are connected in series, if all the delay elements 102 have the same delay time, the case where 0 to 4 delay elements are selected corresponds to 5 types of delay times can be selected by the control register 100. Further, the control register 100 stores the host bus 6
The operation is controlled by the host CPU 3 via the.

【0085】ただし、図2に示されるクロック遅延選択
回路9の構成は一例であり、本発明に係る同期式メモリ
のクロック調整回路の第1の実施形態が具備するクロッ
ク遅延選択回路9は、図2に示されるような場合に限定
されるものではなく、例えば、遅延素子の個数は、4つ
以外の任意の個数であって良い。
However, the configuration of the clock delay selection circuit 9 shown in FIG. 2 is an example, and the clock delay selection circuit 9 included in the first embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention is The number of delay elements is not limited to the case shown in FIG. 2, and may be any number other than four, for example.

【0086】さらに、図2に示される、遅延素子から出
力される信号を選択する部材としては、セレクタが用い
られているが、これを、内部クロック101と、遅延素
子からの出力とを選択する2つの3ステートバッファに
置き換えても良い。
Further, as shown in FIG. 2, a selector is used as a member for selecting a signal output from the delay element. The selector selects the internal clock 101 and the output from the delay element. It may be replaced with two three-state buffers.

【0087】次に、図1に示される本発明に係る同期式
メモリのクロック調整回路の第1の実施形態の動作につ
いて、図1、図2、及び図3を参照して説明する。図3
に、図1に示される本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第1の実施形態の動作のフローチャートを
示す。
Next, the operation of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 3. FIG.
FIG. 3 shows a flowchart of the operation of the first embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG.

【0088】図3にも示されるように、ホストCPU3
は、まず、プロセッサ1を動作させるのか、プロセッサ
2を動作させるのかを判断する(ステップS1)。この
判断において、プロセッサ1を動作させる場合には(Y
ES)、ステップS3に移行し、プロセッサ2を動作さ
せる場合には(NO)、ステップS11に移行する。
As shown in FIG. 3, the host CPU 3
First determines whether to operate the processor 1 or the processor 2 (step S1). In this determination, when the processor 1 is operated, (Y
ES), the process proceeds to step S3. If the processor 2 is to be operated (NO), the process proceeds to step S11.

【0089】ステップS1においてプロセッサ1が動作
されることが選択された場合は、ステップS3におい
て、プロセッサ1を処理可能状態にするために、まず、
ホストCPU3は、同期式メモリ4にプロセッサ1から
のアドレス、クロック、及び制御信号が入力されるよう
にセレクタ83、セレクタ84、及びセレクタ85を制
御する。
If it is determined in step S1 that the processor 1 is to be operated, in step S3, in order to make the processor 1 processable,
The host CPU 3 controls the selector 83, the selector 84, and the selector 85 so that the address, the clock, and the control signal from the processor 1 are input to the synchronous memory 4.

【0090】一方、ステップS1においてプロセッサ2
が動作されることが選択された場合は、ステップS11
において、プロセッサ2を処理可能状態にするために、
ホストCPU3は、同期式メモリ4にプロセッサ2から
のアドレス、クロック、及び制御信号が入力されるよう
にセレクタ83、セレクタ84、及びセレクタ85を制
御する。
On the other hand, in step S1, the processor 2
Is selected to be operated, step S11 is performed.
In order to put the processor 2 into a processable state,
The host CPU 3 controls the selector 83, the selector 84, and the selector 85 so that the address, the clock, and the control signal from the processor 2 are input to the synchronous memory 4.

【0091】次に、ホストCPU3は、上記選択された
動作させるプロセッサの、クロック遅延選択回路9に具
備される制御レジスタ100に対して、選択される遅延
素子数が0になるように設定し、この遅延時間に基づく
クロックにより、選択されたプロセッサに対して、同期
式メモリ4に対して書き込み、読み出し処理を行なわ
せ、書き込んだ値と同じ値が読み出されたかどうかを判
断する。
Next, the host CPU 3 sets the control register 100 included in the clock delay selection circuit 9 of the selected processor to be operated so that the number of selected delay elements becomes zero. The clock based on the delay time causes the selected processor to write and read the synchronous memory 4, and determines whether the same value as the written value has been read.

【0092】そして、クロック遅延選択回路9において
選択される遅延素子数を1〜4まで順次増加させてい
き、この場合も同様にして、同期式メモリ4への書き込
み、読み出しが正常に行えたかの判断を行う(ステップ
S5)。
Then, the number of delay elements selected in the clock delay selection circuit 9 is sequentially increased from 1 to 4, and in this case, similarly, it is determined whether the writing and reading to the synchronous memory 4 have been normally performed. Is performed (step S5).

【0093】ここで、図7に示されるように、同期式メ
モリ4への書き込み、読み出しを正常に行うためには、
クロック14の位相に同期しているデータバス5上のデ
ータが、プロセッサの内部クロックのセットアップ時間
Tsとホールド時間Thとを満たす必要(以下、条件と
もいう。)があるが、このような、セットアップ時間T
sとホールド時間Thとを満たすクロック14の位相範
囲は、一定の幅をもっている。
Here, as shown in FIG. 7, in order to perform writing and reading to and from the synchronous memory 4 normally,
It is necessary that data on the data bus 5 synchronized with the phase of the clock 14 satisfy the setup time Ts and the hold time Th of the internal clock of the processor (hereinafter, also referred to as a condition). Time T
The phase range of the clock 14 that satisfies s and the hold time Th has a certain width.

【0094】従って、クロック遅延選択回路9において
選択される遅延素子数が、0から4まで順次変化した場
合、例えば、遅延値が0の場合は条件を満たさず、遅延
値が1から3の場合は条件を満し、遅延値が4の場合は
条件を満たさないという状況が起こりえる。もちろん、
条件を満たす遅延値は、このような組合わせに限定され
るものではなく、その他の組合わせである場合もある。
この場合、最適な遅延値を、これら条件を満たす遅延値
の間の平均値とすることができる。
Therefore, when the number of delay elements selected in the clock delay selection circuit 9 sequentially changes from 0 to 4, for example, when the delay value is 0, the condition is not satisfied, and when the delay value is 1 to 3, Satisfies the condition, and when the delay value is 4, the condition may not be satisfied. of course,
The delay value that satisfies the condition is not limited to such a combination, but may be another combination.
In this case, the optimum delay value can be an average value between the delay values satisfying these conditions.

【0095】そのため、ホストCPU3は内部クロック
101に対する、上記各遅延時間が正常動作を確認でき
た遅延値の平均値(この平均値は非整数の場合もあ
る。)を算出し(ステップS7)、この平均値に最も近
くなるように、遅延制御レジスタ100で遅延値を設定
する(ステップS9)。以上で、動作することが選択さ
れたプロセッサは、同期式メモリ4から正常にデータの
読み書きを行い得る状態で、処理可能状態になる。
For this reason, the host CPU 3 calculates the average value of the delay values for which the above-mentioned delay times have been confirmed to be normal operation with respect to the internal clock 101 (this average value may be a non-integer number) (step S7). The delay value is set in the delay control register 100 so as to be closest to the average value (step S9). As described above, the processor selected to operate is in a processable state in a state where data can be read and written from the synchronous memory 4 normally.

【0096】ここで、プロセッサ1とプロセッサ2は同
時に動作しないので、同時に同期式メモリ4にアクセス
することはない。
Since the processor 1 and the processor 2 do not operate at the same time, there is no simultaneous access to the synchronous memory 4.

【0097】従って、図1に示される、本発明に係る同
期式メモリのクロック調整回路の第1の実施形態、及び
本発明に係る同期式メモリのクロック調整方法の第1の
実施形態によれば、2つのプロセッサにより同期式メモ
リを共有した場合であっても、それぞれのプロセッサに
おいて、同期式メモリ4に出力されるクロック14の遅
延値を、各プロセッサが正常にデータの読み書きを行い
得る遅延値に調整することができ、同期式メモリを介し
たデータ転送を確実に行えると共に、1つの同期式メモ
リ4をプロセッサ1、及びプロセッサ2というように2
つのプロセッサで共有しているため、本発明を適用した
半導体集積回路の製造コストの大幅な削減が可能とな
る。
Therefore, according to the first embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention and the first embodiment of the clock adjusting method of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. Even when the synchronous memory is shared by the two processors, the delay value of the clock 14 output to the synchronous memory 4 in each processor is set to the delay value at which each processor can normally read and write data. And the data transfer via the synchronous memory can be reliably performed, and one synchronous memory 4 is used as a processor 1 and a processor 2,
Since the processors are shared, the manufacturing cost of the semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied can be significantly reduced.

【0098】次に、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第2の実施形態について、図4を参照して
説明する。図4に、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第2の実施形態の構成のブロック図を示
す。ただし、以下に説明する、本発明に係る同期式メモ
リのクロック調整回路の第2の実施形態の説明は、本発
明に係る同期式メモリのクロック調整方法の第2の実施
形態の説明も兼ねるものである。また、図4において、
図1に示される部材と同様な部材には、図4において、
図1と同じ番号を付す。
Next, a second embodiment of the clock adjusting circuit for a synchronous memory according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a second embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention. However, the description of the second embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention described below also serves as the description of the second embodiment of the clock adjustment method of the synchronous memory according to the present invention. It is. Also, in FIG.
In FIG. 4, members similar to those shown in FIG.
The same numbers as in FIG. 1 are assigned.

【0099】図4に示されるように、本発明に係る同期
式メモリのクロック調整回路の第2の実施形態は、プロ
セッサ1と、プロセッサ2と、これらに共有される同期
式メモリ4と、ホストCPU3と、各プロセッサ内部に
あり同期式メモリ4に対するクロックの遅延を選択する
クロック遅延選択回路9と、プロセッサ1の制御信号出
力に対してハイ・インピーダンス状態にする3ステート
バッファ20と、プロセッサ1のクロック信号出力に対
してハイ・インピーダンス状態にする3ステートバッフ
ァ21と、プロセッサ1のアドレス出力に対してハイ・
インピーダンス状態にする3ステートバッファ22と、
プロセッサ2の制御信号出力に対してハイ・インピーダ
ンス状態にする3ステートバッファ23と、プロセッサ
2のクロック信号出力に対してハイ・インピーダンス状
態にする3ステートバッファ24と、プロセッサ2のア
ドレス出力に対してハイ・インピーダンス状態にする3
ステートバッファ25と、で構成される。
As shown in FIG. 4, the second embodiment of the clock adjusting circuit for a synchronous memory according to the present invention comprises a processor 1, a processor 2, a synchronous memory 4 shared by these processors, A CPU 3, a clock delay selection circuit 9 inside each processor for selecting a clock delay for the synchronous memory 4, a three-state buffer 20 for setting a control signal output of the processor 1 to a high impedance state, A three-state buffer 21 for setting a high impedance state to the clock signal output;
A three-state buffer 22 for setting an impedance state;
A three-state buffer 23 for setting a high impedance state to the control signal output of the processor 2, a three-state buffer 24 for setting a high impedance state to the clock signal output of the processor 2, and a three-state buffer 24 for the address output of the processor 2. Put into high impedance state 3
And a state buffer 25.

【0100】ここで、図4にも示されるように、プロセ
ッサ1とプロセッサ2とは、データバス5、及びホスト
バス6を介してそれぞれ接続されている。また、データ
バス5は、同期式メモリ4にも接続されている。また、
ホストバス6を介して、各プロセッサの動作を制御する
ためのホストCPU3が、プロセッサ1、及びプロセッ
サ2に接続されている。
Here, as shown in FIG. 4, the processor 1 and the processor 2 are connected via a data bus 5 and a host bus 6, respectively. The data bus 5 is also connected to the synchronous memory 4. Also,
A host CPU 3 for controlling the operation of each processor is connected to the processors 1 and 2 via a host bus 6.

【0101】また、同期式メモリ4には、3ステートバ
ッファ22、及び3ステートバッファ25の動作により
選択された、プロセッサ1からのアドレス、若しくはプ
ロセッサ2からのアドレスである、アドレス7が出力さ
れている。
The synchronous memory 4 outputs an address 7 selected by the operation of the three-state buffer 22 and the three-state buffer 25, which is the address from the processor 1 or the address from the processor 2. I have.

【0102】また、同期式メモリ4には、3ステートバ
ッファ21、及び3ステートバッファ24の動作により
選択された、プロセッサ1からのクロック、若しくはプ
ロセッサ2からのクロックである、クロック8が出力さ
れている。
The synchronous memory 4 outputs the clock 8 selected by the operation of the three-state buffer 21 and the three-state buffer 24, which is the clock from the processor 1 or the clock from the processor 2. I have.

【0103】また、同期式メモリ4には、3ステートバ
ッファ20、及び3ステートバッファ23の動作により
選択された、プロセッサ1からの制御信号、若しくはプ
ロセッサ2からの制御信号である、制御信号10が出力
されている。
The synchronous memory 4 stores a control signal 10 from the processor 1 or the control signal 10 from the processor 2 selected by the operation of the three-state buffer 20 and the three-state buffer 23. Has been output.

【0104】また、図4に示されるクロック遅延選択回
路9の構成については、前述の本発明に係る同期式メモ
リのクロック調整回路の第1の実施形態において、図2
を参照して説明した場合と同様なので、その説明を省略
する。
The structure of the clock delay selecting circuit 9 shown in FIG. 4 is the same as that of the first embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention.
, And the description is omitted.

【0105】ただし、図4に示される、本発明に係る同
期式メモリのクロック調整回路の第2の実施形態におい
ても、前述の本発明に係る同期式メモリのクロック調整
回路の第1の実施形態と同様に、プロセッサ1に具備さ
れるクロック遅延選択回路9と、プロセッサ2に具備さ
れるクロック遅延選択回路9とは、同様のものとして同
じ番号が付されているが、プロセッサ1に具備されるク
ロック遅延選択回路9と、プロセッサ2に具備されるク
ロック遅延選択回路9とは、例えばクロック遅延選択回
路9内部の遅延素子の個数等において、各々独立の構成
となっていても良い。
However, in the second embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. 4, the first embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention described above. Similarly to the above, the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 1 and the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 2 are given the same numbers as the same, but are provided in the processor 1. The clock delay selection circuit 9 and the clock delay selection circuit 9 provided in the processor 2 may have independent configurations, for example, in the number of delay elements inside the clock delay selection circuit 9 and the like.

【0106】次に、図4に示される本発明に係る同期式
メモリのクロック調整回路の第2の実施形態の動作につ
いて、図4、及び図5を参照して説明する。図5に、図
4に示される本発明に係る同期式メモリのクロック調整
回路の第2の実施形態の動作の一例のフローチャートを
示す。
Next, the operation of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 5 shows a flowchart of an example of the operation of the second embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG.

【0107】図5にも示されるように、ホストCPU3
は、まず、プロセッサ1を動作させるのか、プロセッサ
2を動作させるのかを判断する(ステップS31)。こ
の判断において、プロセッサ1を動作させる場合には
(YES)、ステップS33に移行し、プロセッサ2を
動作させる場合には(NO)、ステップS41に移行す
る。
As shown in FIG. 5, the host CPU 3
First, it is determined whether to operate the processor 1 or the processor 2 (step S31). In this determination, when the processor 1 is operated (YES), the process proceeds to step S33, and when the processor 2 is operated (NO), the process proceeds to step S41.

【0108】ステップS31の判断においてプロセッサ
1を動作させることが選択された場合は、ステップS3
3において、プロセッサ1を処理可能状態にするため
に、ホストCPU3は、同期式メモリ4にプロセッサ1
からのアドレス、クロック、制御信号が入力されるよう
に3ステートバッファをハイ・インピーダンス状態に制
御する。
If it is determined in step S31 that the processor 1 is to be operated, step S3
3, the host CPU 3 stores the processor 1 in the synchronous memory 4 so that the processor 1 can be processed.
The three-state buffer is controlled to a high impedance state so that an address, a clock, and a control signal are input from the CPU.

【0109】具体的には、図4に示されるように、プロ
セッサ1を動作させる場合には、3ステートバッファ2
3、3ステートバッファ24、及び3ステートバッファ
25をハイ・インピーダンス状態に制御する。
More specifically, as shown in FIG. 4, when operating the processor 1, the three-state buffer 2
The three-state buffer 24 and the three-state buffer 25 are controlled to a high impedance state.

【0110】一方、ステップS31の判断においてプロ
セッサ2を動作させることが選択された場合は、ステッ
プS41において、プロセッサ2を処理可能状態にする
ために、ホストCPU3は、同期式メモリ4にプロセッ
サ2からのアドレス、クロック、制御信号が入力される
ように3ステートバッファをハイ・インピーダンス状態
に制御する。
On the other hand, if it is determined in step S31 that the processor 2 is to be operated, in step S41, the host CPU 3 sends the synchronous memory 4 to the synchronous memory 4 in order to make the processor 2 ready for processing. The three-state buffer is controlled to a high impedance state so that the address, clock, and control signal of FIG.

【0111】具体的には、図4に示されるように、プロ
セッサ2を動作させる場合には、3ステートバッファ2
0、3ステートバッファ21、及び3ステートバッファ
22をハイ・インピーダンス状態に制御する。
More specifically, as shown in FIG. 4, when operating the processor 2, the three-state buffer 2
The 0, 3-state buffer 21 and 3-state buffer 22 are controlled to a high impedance state.

【0112】次に、ホストCPU3は、上記選択された
動作させるプロセッサの、クロック遅延選択回路9に具
備される制御レジスタ100に対して、選択される遅延
素子数が0になるように設定し、この遅延時間に基づく
クロックにより、選択されたプロセッサに対して、同期
式メモリ4に対して書き込み、読み出し処理を行なわ
せ、書き込んだ値と同じ値が読み出されたかどうかを判
断する。
Next, the host CPU 3 sets the control register 100 provided in the clock delay selection circuit 9 of the selected processor to be operated so that the number of selected delay elements becomes zero. The clock based on the delay time causes the selected processor to write and read the synchronous memory 4, and determines whether the same value as the written value has been read.

【0113】そして、選択される遅延素子数を1〜4ま
で順次増加させていき、この場合も同様にして、同期式
メモリ4への書き込み、読み出しが正常に行えたかの判
断を行う。(ステップS35)。
Then, the number of delay elements to be selected is sequentially increased from 1 to 4, and in this case as well, it is determined whether writing to and reading from the synchronous memory 4 has been normally performed. (Step S35).

【0114】そして、ホストCPU3は内部クロック1
01に対する、上記各遅延時間が正常動作を確認できた
遅延値の平均値を算出し(ステップS37)、この平均
値に最も近くなるように遅延制御レジスタ100で遅延
値を設定する(ステップS39)。以上で、選択された
プロセッサは処理可能状態になる。
Then, the host CPU 3 sets the internal clock 1
The average value of the delay values for which the above-mentioned delay times have been confirmed to be normal operation with respect to 01 is calculated (step S37), and the delay control register 100 sets the delay value so as to be closest to this average value (step S39). . Thus, the selected processor is in a processable state.

【0115】ここで、プロセッサ1とプロセッサ2とは
同時に動作しないので、同時に同期式メモリ4にアクセ
スすることはない。
Here, since the processor 1 and the processor 2 do not operate at the same time, the synchronous memory 4 is not accessed at the same time.

【0116】従って、図4に示される、本発明に係る同
期式メモリのクロック調整回路の第2の実施形態、及び
本発明に係る同期式メモリのクロック調整方法の第2の
実施形態によれば、前述の第1の実施形態と同様に、デ
ータの転送処理を正確に実行可能になるので、2つのプ
ロセッサによる同期式メモリの共有が容易となり、装置
コストの大幅な削減が可能となる。
Therefore, according to the second embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention and the second embodiment of the clock adjusting method of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. As in the first embodiment, since the data transfer processing can be executed accurately, the sharing of the synchronous memory between the two processors becomes easy, and the apparatus cost can be greatly reduced.

【0117】また、図4に示される、本発明に係る同期
式メモリのクロック調整回路の第2の実施形態、及び本
発明に係る同期式メモリのクロック調整方法の第2の実
施形態によれば、前述の第1の実施形態に比べ、セレク
タを3ステートバッファに置き換えることにより、3ス
テートバッファをプロセッサと同じLSI内部に構成で
きるようになり、プロセッサの外部にセレクタを置く必
要がある前述の第1の実施形態に対して部品点数が少な
くすることができる。
Further, according to the second embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention and the second embodiment of the clock adjusting method of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. By replacing the selector with a three-state buffer as compared with the first embodiment, the three-state buffer can be configured in the same LSI as the processor, and the selector must be placed outside the processor. The number of parts can be reduced compared to the first embodiment.

【0118】また、LSI内部に3ステートバッファを
置くことにより、同期式メモリまでの遅延時間が減少
し、クロック遅延選択回路で調整できる期間を前倒しで
きるので、遅延時間の選択幅が拡げることができ、より
最適な遅延時間の選択ができるようになる。
Further, by arranging a three-state buffer inside the LSI, the delay time to the synchronous memory is reduced, and the period adjustable by the clock delay selection circuit can be advanced, so that the range of selection of the delay time can be expanded. Thus, a more optimal delay time can be selected.

【0119】次に、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第3の実施形態について、図6を参照して
説明する。図6に、本発明に係る同期式メモリのクロッ
ク調整回路の第3の実施形態の構成のブロック図を示
す。ただし、図6において、図1に示される部材と同様
な部材には、同じ番号を付す。また、以下に述べる、本
発明に係る同期式メモリのクロック調整回路の第3の実
施形態の説明は、本発明に係る同期式メモリのクロック
調整方法の第3の実施形態の説明も兼ねるものである。
Next, a third embodiment of the clock adjusting circuit for a synchronous memory according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a third embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention. However, in FIG. 6, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Further, the description of the third embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention described below also serves as the description of the third embodiment of the clock adjustment method of the synchronous memory according to the present invention. is there.

【0120】図6に示される、本発明に係る同期式メモ
リのクロック調整回路の構成が、図1に示される本発明
に係る同期式メモリのクロック調整回路の第1の実施形
態の構成と異なる点は、図6に示されるように、この第
3の実施形態においては、プロセッサがプロセッサ1の
1つしかない点である。従って、プロセッサからの出力
を選択する必要がなくなるため、図1に示されるような
セレクタや、若しくは図4に示されるような3ステート
バッファを具備する必要がない。
The configuration of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. 6 is different from that of the first embodiment of the clock adjusting circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. The point is that there is only one processor 1 in the third embodiment, as shown in FIG. Therefore, there is no need to select an output from the processor, and there is no need to provide a selector as shown in FIG. 1 or a three-state buffer as shown in FIG.

【0121】即ち、図6に示される同期式メモリのクロ
ック調整回路は、非メモリ共有型の同期式メモリのクロ
ック調整回路である。
That is, the clock adjustment circuit of the synchronous memory shown in FIG. 6 is a clock adjustment circuit of a non-memory sharing type synchronous memory.

【0122】ここで、図6に示される各部材の動作、特
に、クロック遅延選択回路9の動作については、前述の
図1に示される本発明に係る同期式メモリのクロック調
整回路の第1の実施形態におけるクロック遅延選択回路
9の動作と同様なのでその説明を省略する。
Here, the operation of each member shown in FIG. 6, particularly the operation of the clock delay selection circuit 9, will be described with reference to the first clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention shown in FIG. Since the operation is the same as that of the clock delay selection circuit 9 in the embodiment, the description is omitted.

【0123】従って、図6に示される、本発明に係る同
期式メモリのクロック調整回路の第3の実施形態におい
ては、1つのプロセッサ1で、同期式メモリ4を用いる
場合においても、クロック遅延選択回路9を用いること
により、例えば図7に示されるように、内部クロック
と、同期式メモリ4に入力されるクロックのタイミング
をプロセッサ1においてデータの読み書きに最適に合わ
せることができるので、同期式メモリ4に対して、正確
にデータの読み出し、及び書き込みを実行することがで
きる。
Accordingly, in the third embodiment of the clock adjusting circuit for a synchronous memory according to the present invention shown in FIG. 6, even when the synchronous memory 4 is used by one processor 1, the clock delay selection circuit can be used. By using the circuit 9, for example, as shown in FIG. 7, the timing of the internal clock and the clock input to the synchronous memory 4 can be optimally adjusted in the processor 1 to read and write data. 4 can accurately read and write data.

【0124】ここで、本発明に係る同期式メモリのクロ
ック調整回路の実施形態、及び本発明に係る同期式メモ
リのクロック調整方法の実施形態は上記実施形態に限定
されるものではなく、種々の変形実施が可能である。
Here, the embodiment of the clock adjusting circuit for the synchronous memory according to the present invention and the embodiment of the clock adjusting method for the synchronous memory according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, but may be variously modified. Modifications are possible.

【0125】例えば、前述の各実施形態においては、プ
ロセッサの個数を1つ、若しくは2つとして説明した
が、本発明に係る同期式メモリのクロック調整回路、及
び同期式メモリのクロック調整方法においては、プロセ
ッサの個数としてこのような個数に限定されるものでは
なく、その他、任意の個数をとることができる。
For example, in each of the above-described embodiments, the number of processors has been described as one or two. However, in the clock adjusting circuit for a synchronous memory and the clock adjusting method for a synchronous memory according to the present invention, The number of processors is not limited to such a number, but may be any number.

【0126】また、上述の実施形態の説明においては、
同期式メモリについては特に限定はしていなかったが、
本発明に係る半導体集積回路及びそのクロック分配方法
が適用される同期式メモリとしては、ダイナミック型R
AM(DRAM)や、S−DRAMや、ROMや、高速
インタフェースを備えるDRAMであるRambusD
RAM等、その他のクロック信号に同期して動作するメ
モリを含ませることができる。ここで、Rambus
DRAMには、Base Rambus DRAM、C
oncurrent Rambus DRAM、及びD
irectRambus DRAMが含まれる。
In the above description of the embodiment,
Although there was no particular limitation on the synchronous memory,
As the synchronous memory to which the semiconductor integrated circuit and the clock distribution method according to the present invention are applied, a dynamic R
AM (DRAM), S-DRAM, ROM, RambusD which is a DRAM having a high-speed interface
A memory such as a RAM that operates in synchronization with another clock signal can be included. Here, Rambus
Base Rambus DRAM, C
once Rambus DRAM and D
directRambus DRAM.

【0127】また、上述の本発明に係る半導体集積回路
及びそのクロック分配方法の第1の実施形態において
は、各プロセッサから出力される、アドレス、クロッ
ク、及び制御信号を選択するためにセレクタを用い、本
発明に係る半導体集積回路及びそのクロック分配方法の
第2の実施形態においては、各プロセッサから出力され
る、アドレス、クロック、及び制御信号を選択するため
に3ステートバッファを用いたが、本発明の主な要旨
は、プロセッサにクロック遅延選択回路を具備させて、
同期式メモリに出力されるクロックの位相を最適なもの
にすることであるため、各プロセッサから出力される信
号を選択する部材としては、セレクタや3ステートバッ
ファに限定するものではなく、その他の信号の選択手段
として用いることができるものを任意に利用することが
できる。
In the above-described first embodiment of the semiconductor integrated circuit and the clock distribution method according to the present invention, a selector is used to select an address, a clock, and a control signal output from each processor. In the second embodiment of the semiconductor integrated circuit and the clock distribution method according to the present invention, a three-state buffer is used to select an address, a clock, and a control signal output from each processor. The main gist of the present invention is to provide a processor with a clock delay selection circuit,
Since the phase of the clock output to the synchronous memory is to be optimized, the member for selecting the signal output from each processor is not limited to the selector or the three-state buffer. Any of those that can be used as the selection means can be used.

【0128】さらに、上述の実施形態の説明において
は、同期式メモリがクロック信号に同期して動作する場
合としては、クロック信号の立ち上がりエッジ、降下エ
ッジのいずれで動作するのかは限定していなかったが、
本発明に係る半導体集積回路及びそのクロック分配方法
の半導体集積回路において用いられるエッジとしては、
クロック信号の立ち上がりエッジを用いても良いし、降
下エッジを用いても良いし、両エッジを用いても良い。
Furthermore, in the description of the above-described embodiment, the case where the synchronous memory operates in synchronization with the clock signal is not limited to whether the synchronous memory operates at the rising edge or the falling edge of the clock signal. But,
The edge used in the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit of the clock distribution method according to the present invention includes:
A rising edge of the clock signal, a falling edge, or both edges may be used.

【0129】[0129]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、プロセッサから出力されるクロックに対し
て、同期式メモリに最適な遅延を与えてから出力するこ
とができるので、特に2つ以上のプロセッサによる同期
式メモリの共有が容易となり、同期式メモリに対してデ
ータの読み出し、及び書き込みを正確に行いつつ、装置
コストの大幅な削減が可能となる同期式メモリのクロッ
ク調整回路、及び同期式メモリのクロック調整方法を提
供することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the clock output from the processor can be output after giving an optimum delay to the synchronous memory, so A synchronous memory clock adjustment circuit that facilitates sharing of a synchronous memory by two or more processors, accurately reads data from and writes data to the synchronous memory, and enables a significant reduction in device cost. And a method for adjusting the clock of the synchronous memory.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る同期式メモリのクロック調整回路
の第1の実施形態の構成のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a configuration of a first embodiment of a clock adjustment circuit of a synchronous memory according to the present invention.

【図2】図1に示される同期式メモリのクロック調整回
路が具備するクロック遅延選択回路の構成のブロック図
である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a clock delay selection circuit included in a clock adjustment circuit of the synchronous memory illustrated in FIG. 1;

【図3】図1に示される同期式メモリのクロック調整回
路の動作の一例のフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of an operation of the clock adjustment circuit of the synchronous memory illustrated in FIG. 1;

【図4】本発明に係る同期式メモリのクロック調整回路
の第2の実施形態の構成のブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a configuration of a clock adjusting circuit of a synchronous memory according to a second embodiment of the present invention;

【図5】図4に示される同期式メモリのクロック調整回
路の動作の一例のフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of an operation of the clock adjustment circuit of the synchronous memory illustrated in FIG. 4;

【図6】本発明に係る同期式メモリのクロック調整回路
の第3の実施形態の構成のブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram of a configuration of a third embodiment of the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention.

【図7】本発明に係る同期式メモリのクロック調整回
路、及び従来のメモリ共有型の半導体集積回路におけ
る、同期式メモリのデータ出力のタイミングチャートの
一例である。
FIG. 7 is an example of a timing chart of the data output of the synchronous memory in the clock adjustment circuit of the synchronous memory according to the present invention and the conventional memory integrated type semiconductor integrated circuit.

【図8】従来の半導体集積回路におけるクロック調整技
術の第1例の構成を示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a first example of a clock adjustment technique in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図9】従来の半導体集積回路におけるクロック調整技
術の第2例の構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of a second example of a clock adjustment technique in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図10】従来の半導体集積回路におけるクロック調整
技術の第3例の構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a third example of a clock adjustment technique in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図11】従来の半導体集積回路におけるクロック調整
技術の第4例の構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a fourth example of a clock adjustment technique in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図12】従来の半導体集積回路におけるクロック調整
技術の第5例の構成を示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of a fifth example of a clock adjustment technique in a conventional semiconductor integrated circuit.

【図13】従来のメモリ共有型の半導体集積回路の構成
の一例のブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a conventional memory-shared semiconductor integrated circuit.

【図14】従来のメモリ共有型の半導体集積回路におけ
る、同期式メモリのデータ出力のタイミングチャートの
一例である。
FIG. 14 is an example of a timing chart of data output of a synchronous memory in a conventional memory sharing type semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 プロセッサ 3 ホストCPU 4 同期式メモリ 5 データバス 6 ホストバス 7 アドレス 8 クロック 9 クロック遅延選択回路 10 制御信号 13 アドレス 14 クロック 15 制御信号 20,21,22,23,24,25 3ステートバッ
ファ 83,84,85 セレクタ 100 制御レジスタ 101 内部クロック 102 遅延素子 103 セレクタ 106 クロック
1, 2 processor 3 host CPU 4 synchronous memory 5 data bus 6 host bus 7 address 8 clock 9 clock delay selection circuit 10 control signal 13 address 14 clock 15 control signal 20, 21, 22, 23, 24, 25 3-state buffer 83, 84, 85 selector 100 control register 101 internal clock 102 delay element 103 selector 106 clock

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同期式メモリに対してデータの読み出
し、及び書き込みを行う第1のプロセッサと、 前記同期式メモリに対してデータの読み出し、及び書き
込みを行う第2のプロセッサとを有し、 前記第1のプロセッサが、 前記同期式メモリに出力するクロック信号を遅延させて
出力する第1のクロック遅延選択回路を有し、 前記第2のプロセッサが、 前記同期式メモリに出力するクロック信号を遅延させて
出力する第2のクロック遅延選択回路を有することを特
徴とする同期式メモリのクロック調整回路。
A first processor that reads and writes data from and to a synchronous memory; and a second processor that reads and writes data to and from the synchronous memory; A first processor having a first clock delay selection circuit for delaying and outputting a clock signal output to the synchronous memory; and a second processor delaying a clock signal output to the synchronous memory. A clock adjusting circuit for a synchronous memory, comprising: a second clock delay selecting circuit for outputting a clock signal.
【請求項2】 前記第1のクロック遅延選択回路、及び
前記第2のクロック遅延選択回路が、 少なくとも1以上の、それぞれが直列に接続された、入
力したクロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延
素子と、 前記遅延素子から出力されたクロック信号を出力する
か、前記第1のクロック遅延選択回路、若しくは前記第
2のクロック遅延選択回路に入力したクロック信号を出
力するかを選択する、前記遅延素子のそれぞれの出力側
に設けられたセレクタと、 前記セレクタの動作を制御する制御レジスタとを有する
ことを特徴とする請求項1記載の同期式メモリのクロッ
ク調整回路。
2. The method according to claim 1, wherein the first clock delay selection circuit and the second clock delay selection circuit provide a predetermined delay to at least one or more input clock signals, each of which is connected in series, and output the clock signal. And selecting whether to output a clock signal output from the delay element or to output a clock signal input to the first clock delay selection circuit or the second clock delay selection circuit. 2. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to claim 1, further comprising: a selector provided on each output side of said delay element; and a control register for controlling an operation of said selector.
【請求項3】 前記第1のクロック遅延選択回路、及び
前記第2のクロック遅延選択回路の動作を制御するホス
トCPUを有することを特徴とする請求項1又は2に記
載の同期式メモリのクロック調整回路。
3. The clock of a synchronous memory according to claim 1, further comprising a host CPU for controlling an operation of said first clock delay selection circuit and said second clock delay selection circuit. Adjustment circuit.
【請求項4】 前記第1のクロック遅延選択回路に具備
される遅延素子の個数が、m1を1以上の任意の正の整
数として、m1個である場合に、 k1を、0以上m1以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk1個分の遅延を与えた第k1の遅延ク
ロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、
及び読み出しを前記第1のプロセッサに行わせ、該書き
込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか否かを
判定する第k1番目の判定動作を、順次、第0番目の判
定動作から第m1番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記第1のクロック遅延選択回路における遅延量である
とした場合に、該第1のクロック遅延選択回路から出力
されるクロック信号を前記第1のクロック遅延選択回路
から遅延されて出力されるクロック信号とし、 前記第2のクロック遅延選択回路に具備される遅延素子
の個数が、m2を1以上の任意の正の整数として、m2
個である場合に、 k2を、0以上m2以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk2個分の遅延を与えた第k2の遅延ク
ロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、
及び読み出しを前記第2のプロセッサに行わせ、該書き
込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか否かを
判定する第k2番目の判定動作を、順次、第0番目の判
定動作から第m2番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記第2のクロック遅延選択回路における遅延量である
とした場合に、該第2のクロック遅延選択回路から出力
されるクロック信号を前記第2のクロック遅延選択回路
から遅延されて出力されるクロック信号とすることを特
徴とする請求項3記載の同期式メモリのクロック調整回
路。
4. When the number of delay elements provided in the first clock delay selection circuit is m1 where m1 is an arbitrary positive integer of 1 or more, k1 is set to 0 or more and m1 or less. The host CPU writes to the synchronous memory based on a k1th delayed clock signal that is delayed by k1 delay elements,
And the k-th determination operation for determining whether or not the written value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determination operation. By performing up to the m1th determination operation, an average delay amount of the delay amounts giving the coincident values is calculated, and the delay amount closest to the average delay amount is calculated by the first clock delay selection circuit. When the delay amount is assumed to be a delay amount, the clock signal output from the first clock delay selection circuit is used as a clock signal output after being delayed from the first clock delay selection circuit; When the number of delay elements included in the circuit is m2, where m2 is an arbitrary positive integer of 1 or more.
If k2 is an integer having a value of 0 or more and m2 or less, the host CPU determines the synchronous type based on a k2th delayed clock signal that is delayed by k2 delay elements. Writing to memory,
And the k-th determination operation for determining whether or not the written value matches the read value is performed sequentially from the 0-th determination operation. The second clock delay selecting circuit calculates the average delay amount of the delay amounts giving the coincident values by performing the operation up to the m2th determination operation, and calculates the delay amount closest to the average delay amount in the second clock delay selection circuit. The clock signal output from the second clock delay selection circuit is a clock signal output after being delayed from the second clock delay selection circuit when the delay amount is assumed to be the delay amount. 3. The clock adjusting circuit of the synchronous memory according to 3.
【請求項5】 前記第1のプロセッサから前記同期式メ
モリに出力される、第1のアドレス、第1のクロック信
号、及び第1の制御信号と、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号とのうちのいずれか一方を選択して前記同期式
メモリに出力する選択手段を有することを特徴とする請
求項1から4のいずれかに記載の同期式メモリのクロッ
ク調整回路。
5. A first address, a first clock signal, and a first control signal, which are output from the first processor to the synchronous memory, and from the second processor to the synchronous memory. And a selecting means for selecting any one of a second address, a second clock signal, and a second control signal to be output and outputting the selected signal to the synchronous memory. 5. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to any one of 1 to 4.
【請求項6】 前記選択手段が、 セレクタにより構成されていることを特徴とする請求項
5記載の同期式メモリのクロック調整回路。
6. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to claim 5, wherein said selecting means comprises a selector.
【請求項7】 前記セレクタが、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のアドレスと、前記第2のプロセッサから
前記同期式メモリに出力される、前記第2のアドレスと
が入力する第1のセレクタと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のクロック信号と、前記第2のプロセッサ
から前記同期式メモリに出力される、前記第2のクロッ
ク信号とが入力する第2のセレクタと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1の制御信号と、前記第2のプロセッサから
前記同期式メモリに出力される、前記第2の制御信号と
が入力する第3のセレクタと、により構成され、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第1のアドレス、第1のクロック信号、及び第1の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1のセレクタ、前記第2のセレクタ、及び前記第
3のセレクタ、を前記第1のプロセッサから出力された
信号を選択するように制御し、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1のセレクタ、前記第2のセレクタ、及び前記第
3のセレクタ、を前記第2のプロセッサから出力された
信号を選択するように制御して、 前記同期式メモリに出力される信号を選択することを特
徴とする請求項6記載の同期式メモリのクロック調整回
路。
7. The method according to claim 7, wherein the selector outputs the first address output from the first processor to the synchronous memory and the second address output from the second processor to the synchronous memory. A first selector to which an address is input; the first clock signal output from the first processor to the synchronous memory; and the first clock signal output from the second processor to the synchronous memory. A second selector to which a second clock signal is input; a first control signal output from the first processor to the synchronous memory; and an output from the second processor to the synchronous memory. And a third selector to which the second control signal is inputted, wherein a first address, a first address, and a first address are outputted from the first processor to the synchronous memory. When outputting a lock signal and a first control signal to the synchronous memory, the first selector, the second selector, and the third selector output signals from the first processor. And selecting a second address, a second clock signal, and a second control signal, which are output from the second processor to the synchronous memory, to the synchronous memory. Controlling the first selector, the second selector, and the third selector so as to select a signal output from the second processor; and outputting a signal output to the synchronous memory. 7. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to claim 6, wherein said clock adjusting circuit is selected.
【請求項8】 前記選択手段が、 3ステートバッファにより構成されていることを特徴と
する請求項5記載の同期式メモリのクロック調整回路。
8. The clock adjustment circuit for a synchronous memory according to claim 5, wherein said selection means comprises a three-state buffer.
【請求項9】 前記3ステートバッファが、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のアドレスが入力する第1の3ステートバ
ッファと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のクロック信号が入力する第2の3ステー
トバッファと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1の制御信号が入力する第3の3ステートバ
ッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2のアドレスが入力する第4の3ステートバ
ッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2のクロック信号が入力する第5の3ステー
トバッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2の制御信号が入力する第6の3ステートバ
ッファと、により構成され、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第1のアドレス、第1のクロック信号、及び第1の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第4の3ステートバッファと、前記第5の3ステー
トバッファと、前記第6の3ステートバッファと、をハ
イ・インピーダンス状態にし、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1の3ステートバッファと、前記第2の3ステー
トバッファと、前記第3の3ステートバッファと、をハ
イ・インピーダンス状態にして、 前記同期式メモリに出力される信号を選択することを特
徴とする請求項8記載の同期式メモリのクロック調整回
路。
9. The first three-state buffer, wherein the first address is input to the first three-state buffer, the first three-state buffer being output from the first processor to the synchronous memory; A second three-state buffer, to which the first clock signal is input, which is output to an expression memory; and a third, to which the first control signal is output, which is output from the first processor to the synchronous memory. A three-state buffer, a fourth three-state buffer to which the second address is input, which is output from the second processor to the synchronous memory, and which is output to the synchronous memory, from the second processor. A fifth three-state buffer to which the second clock signal is input; A first address, a first clock signal, and a first control signal output from the first processor to the synchronous memory. When outputting to the synchronous memory, the fourth three-state buffer, the fifth three-state buffer, and the sixth three-state buffer are set to a high-impedance state; When outputting the second address, the second clock signal, and the second control signal output to the synchronous memory to the synchronous memory, the first three-state buffer and the second A three-state buffer and the third three-state buffer are set to a high impedance state, and a signal output to the synchronous memory is selected. Clock adjustment circuit of a synchronous memory of claim 8, wherein.
【請求項10】 同期式メモリに対して、データの読み
出し、及び書き込みを行う少なくとも1以上のプロセッ
サを有し、 該プロセッサが、 前記同期式メモリに出力するクロック信号を遅延させて
出力するクロック遅延選択回路を有することを特徴とす
る同期式メモリのクロック調整回路。
10. A clock delay that includes at least one processor that reads and writes data from and to a synchronous memory, wherein the processor delays and outputs a clock signal output to the synchronous memory. A clock adjustment circuit for a synchronous memory, comprising a selection circuit.
【請求項11】 前記クロック遅延選択回路が、 少なくとも1以上の、それぞれが直列に接続された、入
力したクロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延
素子と、 前記遅延素子から出力されたクロック信号を出力する
か、前記入力したクロック信号を出力するかを選択す
る、前記遅延素子のそれぞれの出力側に設けられたセレ
クタと、 前記セレクタの動作を制御する制御レジスタとを有する
ことを特徴とする請求項10記載の同期式メモリのクロ
ック調整回路。
11. A clock delay selecting circuit comprising: at least one or more delay elements connected in series, each of which applies a predetermined delay to an input clock signal and outputs the clock signal; and a clock output from the delay element. A selector provided on each output side of the delay element, for selecting whether to output a signal or output the input clock signal, and a control register for controlling an operation of the selector. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to claim 10.
【請求項12】 前記クロック遅延選択回路の動作を制
御するホストCPUを有することを特徴とする請求項1
0又は11に記載の同期式メモリのクロック調整回路。
12. The system according to claim 1, further comprising a host CPU for controlling an operation of said clock delay selection circuit.
12. The clock adjusting circuit for a synchronous memory according to 0 or 11.
【請求項13】 前記遅延素子の個数が、mを1以上の
任意の正の整数として、m個である場合に、 kを、0以上m以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk個分の遅延を与えた第kの遅延クロッ
ク信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、及び
読み出しを前記プロセッサに行わせ、該書き込んだ値
と、該読み出した値とが一致しているか否かを判定する
第k番目の判定動作を、順次、第0番目の判定動作から
第m番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記クロック遅延選択回路における遅延量であるとした
場合に、該クロック遅延選択回路から出力されるクロッ
ク信号を前記クロック遅延選択回路から遅延されて出力
されるクロック信号とすることを特徴とする請求項12
記載の同期式メモリのクロック調整回路。
13. When the number of the delay elements is m, where m is an arbitrary positive integer of 1 or more, and k is an integer having a value of 0 or more and m or less, the host CPU Based on a k-th delayed clock signal that is delayed by k delay elements, causes the processor to perform writing and reading to and from the synchronous memory, and writes the written value and the read value. Are sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th determination operation to determine whether or not are equal to each other. Calculating a delay amount, and assuming that the delay amount closest to the average delay amount is the delay amount in the clock delay selection circuit, the clock signal output from the clock delay selection circuit is converted to the clock delay selection circuit Delayed from Claim, characterized in that the clock signal output on 12
A clock adjustment circuit for a synchronous memory as described in the above.
【請求項14】 同期式メモリに対してデータの読み出
し、及び書き込みを行う第1のプロセッサから前記同期
式メモリに出力されるクロック信号を遅延させる第1の
クロック遅延選択工程と、 前記同期式メモリに対してデータの読み出し、及び書き
込みを行う第2のプロセッサから前記同期式メモリに出
力されるクロック信号を遅延させる第2のクロック遅延
選択工程とを有することを特徴とする同期式メモリのク
ロック調整方法。
14. A first clock delay selecting step for delaying a clock signal output from the first processor to the synchronous memory to read and write data from and to the synchronous memory; And a second clock delay selecting step of delaying a clock signal output from the second processor to the synchronous memory for reading and writing data to the synchronous memory. Method.
【請求項15】 前記第1のクロック遅延選択工程、及
び前記第2のクロック遅延選択工程が、 少なくとも1以上の、それぞれが直列に接続された、入
力したクロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延
素子により、入力したクロック信号を遅延させて出力す
る遅延工程と、 前記遅延工程から出力されたクロック信号を出力する
か、前記第1のクロック遅延選択工程、若しくは前記第
2のクロック遅延選択工程に入力したクロック信号を出
力するかを選択する、クロック信号選択工程と、 前記クロック信号選択工程の動作を制御レジスタにより
制御するクロック信号選択制御工程とを有することを特
徴とする請求項14記載の同期式メモリのクロック調整
方法。
15. The first clock delay selecting step and the second clock delay selecting step, wherein at least one or more, respectively, serially connected input clock signals are given a predetermined delay and output. A delay element for delaying an input clock signal by a delay element to be output, and outputting the clock signal output from the delay step, selecting the first clock delay, or selecting the second clock delay. 15. A clock signal selecting step of selecting whether to output a clock signal input to the step, and a clock signal selecting control step of controlling an operation of the clock signal selecting step by a control register. Clock adjustment method for synchronous memory.
【請求項16】 ホストCPUにより、 前記第1のクロック遅延選択工程、及び前記第2のクロ
ック遅延選択工程の動作を制御するクロック遅延選択制
御工程を有することを特徴とする請求項14又は15に
記載の同期式メモリのクロック調整方法。
16. The method according to claim 14, further comprising a clock delay selection control step of controlling operations of the first clock delay selection step and the second clock delay selection step by a host CPU. The clock adjustment method of the synchronous memory described in the above.
【請求項17】 前記第1のクロック遅延選択工程にお
いて用いられる遅延素子の個数が、m1を1以上の任意
の正の整数として、m1個である場合に、 k1を、0以上m1以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk1個分の遅延を与えた第k1の遅延ク
ロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、
及び読み出しを前記第1のプロセッサに行わせ、該書き
込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか否かを
判定する第k1番目の判定動作を、順次、第0番目の判
定動作から第m1番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記第1のクロック遅延選択工程における遅延量である
とした場合に、該第1のクロック遅延選択工程から出力
されるクロック信号を前記第1のクロック遅延選択工程
から遅延されて出力されるクロック信号とし、 前記第2のクロック遅延選択工程において用いられる遅
延素子の個数が、m2を1以上の任意の正の整数とし
て、m2個である場合に、 k2を、0以上m2以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk2個分の遅延を与えた第k2の遅延ク
ロック信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、
及び読み出しを前記第2のプロセッサに行わせ、該書き
込んだ値と、該読み出した値とが一致しているか否かを
判定する第k2番目の判定動作を、順次、第0番目の判
定動作から第m2番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記第2のクロック遅延選択工程における遅延量である
とした場合に、該第2のクロック遅延選択工程から出力
されるクロック信号を前記第2のクロック遅延選択工程
から遅延されて出力されるクロック信号とすることを特
徴とする請求項16記載の同期式メモリのクロック調整
方法。
17. When the number of delay elements used in the first clock delay selecting step is m1 where m1 is an arbitrary positive integer of 1 or more, k1 is set to 0 to m1 or less. As an integer taking a value, the host CPU writes to the synchronous memory based on a k1th delayed clock signal obtained by delaying k1 delay elements,
And the k-th determination operation for determining whether or not the written value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determination operation. By performing the operations up to the m-th determination operation, an average delay amount of the delay amounts giving the coincident values is calculated, and the delay amount closest to the average delay amount is calculated in the first clock delay selecting step. When it is assumed that the delay amount is the delay amount, the clock signal output from the first clock delay selecting step is a clock signal delayed and output from the first clock delay selecting step; When the number of delay elements used in the process is m2, where m2 is an arbitrary positive integer of 1 or more, and k2 is an integer having a value of 0 to m2, the host CPU Based on the k2 delayed clock signal gave k2 pieces of delay of the delay element, writing to the synchronous memory,
And the k-th determination operation for determining whether or not the written value matches the read value is performed sequentially from the 0-th determination operation. By performing up to the m2th determination operation, an average delay amount of the delay amounts giving the coincident values is calculated, and the delay amount closest to the average delay amount is calculated in the second clock delay selecting step. The clock signal output from the second clock delay selecting step is a clock signal output after being delayed from the second clock delay selecting step when the delay amount is assumed to be the delay amount. A method for adjusting a clock of a synchronous memory according to claim 16.
【請求項18】 前記第1のプロセッサから前記同期式
メモリに出力される、第1のアドレス、第1のクロック
信号、及び第1の制御信号と、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号とのうちのいずれか一方を選択して前記同期式
メモリに出力する出力信号選択工程を有することを特徴
とする請求項14から17のいずれかに記載の同期式メ
モリのクロック調整方法。
18. A first address, a first clock signal, and a first control signal output from the first processor to the synchronous memory, and from the second processor to the synchronous memory. An output signal selecting step of selecting any one of a second address, a second clock signal, and a second control signal to be output and outputting the selected signal to the synchronous memory. A method for adjusting a clock of a synchronous memory according to any one of claims 14 to 17.
【請求項19】 前記出力信号選択工程が、 セレクタを用いてプロセッサからの出力信号を選択する
工程であることを特徴とする請求項18記載の同期式メ
モリのクロック調整方法。
19. The method according to claim 18, wherein the output signal selecting step is a step of selecting an output signal from a processor using a selector.
【請求項20】 前記セレクタが、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のアドレスと、前記第2のプロセッサから
前記同期式メモリに出力される、前記第2のアドレスと
が入力する第1のセレクタと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のクロック信号と、前記第2のプロセッサ
から前記同期式メモリに出力される、前記第2のクロッ
ク信号とが入力する第2のセレクタと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1の制御信号と、前記第2のプロセッサから
前記同期式メモリに出力される、前記第2の制御信号と
が入力する第3のセレクタと、により構成され、 前記出力信号選択工程において、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第1のアドレス、第1のクロック信号、及び第1の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1のセレクタ、前記第2のセレクタ、及び前記第
3のセレクタ、を前記第1のプロセッサから出力された
信号を選択するように制御し、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1のセレクタ、前記第2のセレクタ、及び前記第
3のセレクタ、を前記第2のプロセッサから出力された
信号を選択するように制御することを特徴とする請求項
19記載の同期式メモリのクロック調整方法。
20. The selector according to claim 20, wherein the selector outputs the first address output from the first processor to the synchronous memory, and the second address output from the second processor to the synchronous memory. A first selector to which an address is input; the first clock signal output from the first processor to the synchronous memory; and the first clock signal output from the second processor to the synchronous memory. A second selector to which a second clock signal is input; a first control signal output from the first processor to the synchronous memory; and an output from the second processor to the synchronous memory. And a third selector to which the second control signal is inputted. In the output signal selecting step, the signal is output from the first processor to the synchronous memory. When outputting the first address, the first clock signal, and the first control signal to the synchronous memory, the first selector, the second selector, and the third selector, Is controlled to select a signal output from the first processor, and a second address, a second clock signal, and a second control, which are output from the second processor to the synchronous memory. When outputting a signal to the synchronous memory, controlling the first selector, the second selector, and the third selector to select a signal output from the second processor. 20. The method for adjusting a clock of a synchronous memory according to claim 19, wherein:
【請求項21】 前記出力信号選択工程が、 3ステートバッファを用いてプロセッサからの出力信号
を選択する工程であることを特徴とする請求項18記載
の同期式メモリのクロック調整方法。
21. The method according to claim 18, wherein said output signal selecting step is a step of selecting an output signal from a processor using a three-state buffer.
【請求項22】 前記3ステートバッファが、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のアドレスが入力する第1の3ステートバ
ッファと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1のクロック信号が入力する第2の3ステー
トバッファと、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第1の制御信号が入力する第3の3ステートバ
ッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2のアドレスが入力する第4の3ステートバ
ッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2のクロック信号が入力する第5の3ステー
トバッファと、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、前記第2の制御信号が入力する第6の3ステートバ
ッファと、により構成され、 前記出力信号選択工程において、 前記第1のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第1のアドレス、第1のクロック信号、及び第1の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第4の3ステートバッファと、前記第5の3ステー
トバッファと、前記第6の3ステートバッファと、をハ
イ・インピーダンス状態にし、 前記第2のプロセッサから前記同期式メモリに出力され
る、第2のアドレス、第2のクロック信号、及び第2の
制御信号を前記同期式メモリに出力する場合は、 前記第1の3ステートバッファと、前記第2の3ステー
トバッファと、前記第3の3ステートバッファと、をハ
イ・インピーダンス状態にして、プロセッサからの出力
を選択することを特徴とする請求項21記載の同期式メ
モリのクロック調整方法。
22. The three-state buffer, comprising: a first three-state buffer to which the first address is input, the first three-state buffer being output from the first processor to the synchronous memory; A second three-state buffer, to which the first clock signal is input, which is output to an expression memory; and a third, to which the first control signal is output, which is output from the first processor to the synchronous memory. A three-state buffer, a fourth three-state buffer to which the second address is input, which is output from the second processor to the synchronous memory, and which is output to the synchronous memory, from the second processor. A fifth three-state buffer to which the second clock signal is input; and a second output from the second processor to the synchronous memory. A first address, a first clock signal, a first clock signal output from the first processor to the synchronous memory in the output signal selecting step. And outputting the first control signal to the synchronous memory, setting the fourth three-state buffer, the fifth three-state buffer, and the sixth three-state buffer to a high impedance state. Outputting a second address, a second clock signal, and a second control signal from the second processor to the synchronous memory to the synchronous memory, the first three states; A buffer, the second three-state buffer, and the third three-state buffer in a high impedance state to select an output from the processor. Clock adjustment method of a synchronous memory of claim 21, characterized in that the.
【請求項23】 同期式メモリに対してデータの読み出
し、及び書き込みを行う少なくとも1以上のプロセッサ
から前記同期式メモリに出力されるクロック信号を遅延
させるクロック遅延選択工程を有することを特徴とする
同期式メモリのクロック調整方法。
23. Synchronization comprising a clock delay selecting step of delaying a clock signal output from at least one processor for reading and writing data to and from the synchronous memory to the synchronous memory. How to adjust the clock of an expression memory.
【請求項24】 前記クロック遅延選択工程が、 少なくとも1以上の、それぞれが直列に接続された、入
力したクロック信号に所定の遅延を与えて出力する遅延
素子によりクロック信号を遅延させる遅延工程と、 前記遅延工程から出力されたクロック信号を出力する
か、前記クロック遅延選択工程に入力したクロック信号
を出力するかを選択する、クロック信号選択工程と、 前記クロック信号選択工程の動作を制御レジスタにより
制御するクロック信号選択制御工程とを有することを特
徴とする請求項23記載の同期式メモリのクロック調整
方法。
24. The clock delay selecting step, comprising: a delaying step of delaying the clock signal by at least one or more delay elements that are connected in series and output a predetermined delay to the input clock signal. A clock signal selecting step of selecting whether to output the clock signal output from the delay step or the clock signal input to the clock delay selecting step, and control the operation of the clock signal selecting step by a control register 24. The method of claim 23, further comprising the step of:
【請求項25】 ホストCPUにより、 前記クロック遅延選択工程の動作を制御するクロック遅
延選択制御工程を有することを特徴とする請求項23又
は24に記載の同期式メモリのクロック調整方法。
25. The synchronous memory clock adjusting method according to claim 23, further comprising a clock delay selecting control step of controlling an operation of the clock delay selecting step by a host CPU.
【請求項26】 前記クロック遅延選択工程において用
いられる前記遅延素子の個数が、mを1以上の任意の正
の整数として、m個である場合に、 kを、0以上m以下までの値をとる整数として、 前記ホストCPUが、 前記遅延素子のk個分の遅延を与えた第kの遅延クロッ
ク信号に基づき、前記同期式メモリへの書き込み、及び
読み出しを前記プロセッサに行わせ、該書き込んだ値
と、該読み出した値とが一致しているか否かを判定する
第k番目の判定動作を、順次、第0番目の判定動作から
第m番目の判定動作まで行って、 前記一致している値を与える遅延量の平均の遅延量を算
出し、該平均の遅延量に最も近い遅延量を、 前記クロック遅延選択工程における遅延量であるとした
場合に、該クロック遅延選択工程から出力されるクロッ
ク信号を前記クロック遅延選択工程から遅延されて出力
されるクロック信号とするクロック信号選択工程を有す
ることを特徴とする請求項25記載の同期式メモリのク
ロック調整方法。
26. When the number of the delay elements used in the clock delay selecting step is m, where m is an arbitrary positive integer of 1 or more, k is set to a value from 0 to m. As an integer to be taken, the host CPU causes the processor to perform writing and reading to and from the synchronous memory based on a k-th delayed clock signal obtained by delaying k delay elements. The k-th determination operation for determining whether the value matches the read value is sequentially performed from the 0-th determination operation to the m-th determination operation. The average delay amount of the delay amount giving the value is calculated, and if the delay amount closest to the average delay amount is the delay amount in the clock delay selecting step, the delay amount is output from the clock delay selecting step. Clock Clock adjustment method of a synchronous memory of claim 25, characterized in that it comprises a clock signal selection step of the clock signal output signal is delayed from the clock delay selection step.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007241441A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Seiko Epson Corp Data output device, controller, and clock delay amount setting method
JP2022103646A (en) * 2020-12-28 2022-07-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

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