JP2000034568A - 回転基板ホルダー - Google Patents
回転基板ホルダーInfo
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- JP2000034568A JP2000034568A JP10200517A JP20051798A JP2000034568A JP 2000034568 A JP2000034568 A JP 2000034568A JP 10200517 A JP10200517 A JP 10200517A JP 20051798 A JP20051798 A JP 20051798A JP 2000034568 A JP2000034568 A JP 2000034568A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板の固着を防止できる回転基板ホル
ダーを提供する。 【解決手段】 被処理基板Ｓを保持すると共に保持した
被処理基板Ｓと一体に回転する基板保持部材２１を備え
た回転基板ホルダー２０である。被処理基板Ｓを填め込
み得る形状の凹部２４が基板保持部材２１の上面２３に
形成されている。凹部２４の側周面２７は、回転中の被
処理基板Ｓの側端部Ｓａを支持して被処理基板Ｓの水平
方向の動きを規制する水平方向支持面を構成する。被処
理基板Ｓの裏面Ｓｂを下方から部分的に支持する支持部
材２６が凹部２４の底面２５に突設されている。
ダーを提供する。 【解決手段】 被処理基板Ｓを保持すると共に保持した
被処理基板Ｓと一体に回転する基板保持部材２１を備え
た回転基板ホルダー２０である。被処理基板Ｓを填め込
み得る形状の凹部２４が基板保持部材２１の上面２３に
形成されている。凹部２４の側周面２７は、回転中の被
処理基板Ｓの側端部Ｓａを支持して被処理基板Ｓの水平
方向の動きを規制する水平方向支持面を構成する。被処
理基板Ｓの裏面Ｓｂを下方から部分的に支持する支持部
材２６が凹部２４の底面２５に突設されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転基板ホルダー
に係わり、特に、被処理基板の表面を成膜処理する成膜
装置に使用される回転基板ホルダーに関する。
に係わり、特に、被処理基板の表面を成膜処理する成膜
装置に使用される回転基板ホルダーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造用のシリコンウエハや
コンパクトディスク（ＣＤ）、ミニディスク（ＭＤ）等
の基板（以下「被処理基板」と総称する。）の表面に、
ＣＶＤやスパッタリング等によって成膜処理を施すため
に成膜装置が使用されている。
コンパクトディスク（ＣＤ）、ミニディスク（ＭＤ）等
の基板（以下「被処理基板」と総称する。）の表面に、
ＣＶＤやスパッタリング等によって成膜処理を施すため
に成膜装置が使用されている。
【０００３】図３は、従来の成膜装置の一例としてＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示した縦断面図である。図３に示し
たようにこのＣＶＤ装置は、内部を真空排気可能な真空
容器１を備え、この真空容器１の内部は、ノズル板２に
よって処理室３とガス貯留室４との上下に区画されてい
る。ノズル板２には複数のガス噴出孔５が形成されてい
る。
Ｄ装置の概略構成を示した縦断面図である。図３に示し
たようにこのＣＶＤ装置は、内部を真空排気可能な真空
容器１を備え、この真空容器１の内部は、ノズル板２に
よって処理室３とガス貯留室４との上下に区画されてい
る。ノズル板２には複数のガス噴出孔５が形成されてい
る。
【０００４】真空容器１の天壁６には、プロセスガスを
導入するためのガス導入口７が形成されており、このガ
ス導入口７には、プロセスガスを輸送するためのガス輸
送配管８の一端が接続されている。ガス輸送配管８の他
端はプロセスガスが充填されたガスボンベ（図示せず）
に接続されている。一方、真空容器１の底壁９には、排
気管１０の一端が接続された排気口１１が形成されてお
り、排気管１０の他端は真空ポンプ（図示せず）に接続
されている。
導入するためのガス導入口７が形成されており、このガ
ス導入口７には、プロセスガスを輸送するためのガス輸
送配管８の一端が接続されている。ガス輸送配管８の他
端はプロセスガスが充填されたガスボンベ（図示せず）
に接続されている。一方、真空容器１の底壁９には、排
気管１０の一端が接続された排気口１１が形成されてお
り、排気管１０の他端は真空ポンプ（図示せず）に接続
されている。
【０００５】処理室３の内部には、被処理基板を保持し
て回転させるための回転基板ホルダー１２が設けられて
おり、この回転基板ホルダー１２は、被処理基板を保持
する基板保持部材１３及びこの基板保持部材１３の下面
に取り付けられた回転軸１４を備えている。回転軸１４
は駆動モータ（図示せず）からの動力によって回転され
る。基板保持部材１３には被処理基板を加熱するための
電気ヒータ等からなる加熱手段１５が埋設されている。
て回転させるための回転基板ホルダー１２が設けられて
おり、この回転基板ホルダー１２は、被処理基板を保持
する基板保持部材１３及びこの基板保持部材１３の下面
に取り付けられた回転軸１４を備えている。回転軸１４
は駆動モータ（図示せず）からの動力によって回転され
る。基板保持部材１３には被処理基板を加熱するための
電気ヒータ等からなる加熱手段１５が埋設されている。
【０００６】図４は、図３に示した従来の成膜装置の回
転基板ホルダー１２を示した縦断面図であり、図４に示
したようにこの回転基板ホルダー１２は、被処理基板Ｓ
を填め込み得る形状の凹部１６が形成されており、この
凹部１６の底面１７に被処理基板Ｓを直接載置するよう
に構成されている。
転基板ホルダー１２を示した縦断面図であり、図４に示
したようにこの回転基板ホルダー１２は、被処理基板Ｓ
を填め込み得る形状の凹部１６が形成されており、この
凹部１６の底面１７に被処理基板Ｓを直接載置するよう
に構成されている。
【０００７】そして、凹部１６の側周面１８は、回転中
の被処理基板Ｓの側端部Ｓａを支持して、回転時の被処
理基板Ｓの水平方向の動きを規制し、被処理基板Ｓの飛
び出しを防止する。
の被処理基板Ｓの側端部Ｓａを支持して、回転時の被処
理基板Ｓの水平方向の動きを規制し、被処理基板Ｓの飛
び出しを防止する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図４に示した従来の回
転基板ホルダー１２においては、被処理基板Ｓを凹部１
６の底面１７に直接載置するようにしているので、被処
理基板Ｓの裏面Ｓｂの全体が凹部１６の底面１７に接触
する。
転基板ホルダー１２においては、被処理基板Ｓを凹部１
６の底面１７に直接載置するようにしているので、被処
理基板Ｓの裏面Ｓｂの全体が凹部１６の底面１７に接触
する。
【０００９】このため、被処理基板Ｓの裏面Ｓｂと凹部
１６の底面１７との間の僅かな隙間にプロセスガスが回
り込み、両面Ｓｂ、１７の間に反応生成物や堆積物等が
発生する。また、被処理基板Ｓの側端部Ｓａと凹部１６
の側周面１８との間の僅かな間隙にも反応生成物や堆積
物等が発生する。
１６の底面１７との間の僅かな隙間にプロセスガスが回
り込み、両面Ｓｂ、１７の間に反応生成物や堆積物等が
発生する。また、被処理基板Ｓの側端部Ｓａと凹部１６
の側周面１８との間の僅かな間隙にも反応生成物や堆積
物等が発生する。
【００１０】そして、被処理基板Ｓと回転基板ホルダー
１２との間に発生した反応生成物や堆積物等によって、
被処理基板Ｓが回転基板ホルダー１２に固着されてしま
う。このため、例えば処理済の被処理基板Ｓを回転基板
ホルダー１２から取り出せなくなったり、或いは、取り
出し時に搬送用ロボット（図示せず）が被処理基板Ｓを
正しくつかめず、取り出した被処理基板Ｓの受け渡しが
できなくなるという問題があった。また、取り出し時又
は受け渡し時に被処理基板Ｓを破損してしまう場合もあ
った。
１２との間に発生した反応生成物や堆積物等によって、
被処理基板Ｓが回転基板ホルダー１２に固着されてしま
う。このため、例えば処理済の被処理基板Ｓを回転基板
ホルダー１２から取り出せなくなったり、或いは、取り
出し時に搬送用ロボット（図示せず）が被処理基板Ｓを
正しくつかめず、取り出した被処理基板Ｓの受け渡しが
できなくなるという問題があった。また、取り出し時又
は受け渡し時に被処理基板Ｓを破損してしまう場合もあ
った。
【００１１】さらに、処理済の被処理基板Ｓを回転基板
ホルダー１２から取り出せたとしても、回転基板ホルダ
ー１２の凹部１６の表面に残った反応生成物・堆積物等
のために、未処理の被処理基板Ｓを凹部１６に填め込む
ことができなくなることがあった。
ホルダー１２から取り出せたとしても、回転基板ホルダ
ー１２の凹部１６の表面に残った反応生成物・堆積物等
のために、未処理の被処理基板Ｓを凹部１６に填め込む
ことができなくなることがあった。
【００１２】本発明は、上述した種々の問題点に鑑みて
なされたものであって、被処理基板の固着を防止できる
回転基板ホルダーを提供することを目的とする。
なされたものであって、被処理基板の固着を防止できる
回転基板ホルダーを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による回転基板ホ
ルダーは、被処理基板を保持すると共に保持した被処理
基板と一体に回転する基板保持部材を備えた回転基板ホ
ルダーにおいて、被処理基板を填め込み得る形状の凹部
が前記基板保持部材の上面に形成されており、前記凹部
の側周面は、回転中の被処理基板の側端部を支持して被
処理基板の水平方向の動きを規制する水平方向支持面を
構成し、被処理基板の裏面を下方から部分的に支持する
支持部材が前記凹部の底面に突設されていることを特徴
とする。
ルダーは、被処理基板を保持すると共に保持した被処理
基板と一体に回転する基板保持部材を備えた回転基板ホ
ルダーにおいて、被処理基板を填め込み得る形状の凹部
が前記基板保持部材の上面に形成されており、前記凹部
の側周面は、回転中の被処理基板の側端部を支持して被
処理基板の水平方向の動きを規制する水平方向支持面を
構成し、被処理基板の裏面を下方から部分的に支持する
支持部材が前記凹部の底面に突設されていることを特徴
とする。
【００１４】また、好ましくは、前記支持部材は、前記
凹部の底面の周縁部に突設された複数の支持片である。
凹部の底面の周縁部に突設された複数の支持片である。
【００１５】また、好ましくは、前記凹部に填め込まれ
た被処理基板の裏面側の空間に不活性ガスを供給するた
めのガス供給機構をさらに有し、前記裏面側の空間に供
給された不活性ガスを前記裏面側の空間から排出するた
めの排気孔が、前記凹部を内側に形成する側周壁に貫通
形成されている。
た被処理基板の裏面側の空間に不活性ガスを供給するた
めのガス供給機構をさらに有し、前記裏面側の空間に供
給された不活性ガスを前記裏面側の空間から排出するた
めの排気孔が、前記凹部を内側に形成する側周壁に貫通
形成されている。
【００１６】また、好ましくは、前記支持部材は周方向
に等角度間隔で複数配設されており、前記排気孔は隣り
合う前記支持部材同士の間に位置するようにして周方向
に等角度間隔で複数配設されている。
に等角度間隔で複数配設されており、前記排気孔は隣り
合う前記支持部材同士の間に位置するようにして周方向
に等角度間隔で複数配設されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
回転基板ホルダーについて図１及び図２を参照して説明
する。なお、本実施形態による回転基板ホルダーは、図
３に示した成膜装置に装着することができるものであ
る。
回転基板ホルダーについて図１及び図２を参照して説明
する。なお、本実施形態による回転基板ホルダーは、図
３に示した成膜装置に装着することができるものであ
る。
【００１８】図１は本実施形態による回転基板ホルダー
２０の概略構成を示した縦断面図であり、図２は同平面
図である。
２０の概略構成を示した縦断面図であり、図２は同平面
図である。
【００１９】図１及び図２に示したように本実施形態に
よる回転基板ホルダー２０は、被処理基板Ｓを受け入れ
て保持し、保持した被処理基板Ｓと一体に回転する基板
保持部材２１と、基板保持部材２１の下面に取り付けら
れ、基板保持部材２１を回転駆動する回転軸２２と、を
備えている。回転軸２２は、駆動モータ（図示せず）か
らの動力によって回転される。
よる回転基板ホルダー２０は、被処理基板Ｓを受け入れ
て保持し、保持した被処理基板Ｓと一体に回転する基板
保持部材２１と、基板保持部材２１の下面に取り付けら
れ、基板保持部材２１を回転駆動する回転軸２２と、を
備えている。回転軸２２は、駆動モータ（図示せず）か
らの動力によって回転される。
【００２０】また、基板保持部材２１の内部には、被処
理基板Ｓを加熱するための電気ヒータ等よりなる加熱手
段（図示せず）が設けられている。
理基板Ｓを加熱するための電気ヒータ等よりなる加熱手
段（図示せず）が設けられている。
【００２１】基板保持部材２１の上面２３には、被処理
基板Ｓを填め込み得る形状の凹部２４が形成されてい
る。凹部２４の直径は被処理基板Ｓの直径よりも僅かに
大きい。凹部２４の底面２５の周縁部には複数の支持片
２６が突設されており、これらの支持片２６によって、
被処理基板Ｓの裏面Ｓｂを下方から部分的に支持する支
持部材が構成されている。複数の支持片２６は周方向に
等角度間隔で配設されている。
基板Ｓを填め込み得る形状の凹部２４が形成されてい
る。凹部２４の直径は被処理基板Ｓの直径よりも僅かに
大きい。凹部２４の底面２５の周縁部には複数の支持片
２６が突設されており、これらの支持片２６によって、
被処理基板Ｓの裏面Ｓｂを下方から部分的に支持する支
持部材が構成されている。複数の支持片２６は周方向に
等角度間隔で配設されている。
【００２２】凹部２４の側周面２７は、回転中の被処理
基板Ｓの側端部Ｓａを支持して被処理基板Ｓの水平方向
の動きを規制する水平方向支持面を構成している。
基板Ｓの側端部Ｓａを支持して被処理基板Ｓの水平方向
の動きを規制する水平方向支持面を構成している。
【００２３】また、本実施形態による回転基板ホルダー
２０は、凹部２４に填め込まれた被処理基板Ｓの裏面側
の空間２８に不活性ガスＧを供給するためのガス供給機
構をさらに備え、このガス供給機構は回転軸２２に形成
されたガス導入流路２９を有している。このガス導入流
路２９のガス放出側端部は、被処理基板Ｓの裏面側の空
間２８に開口している。
２０は、凹部２４に填め込まれた被処理基板Ｓの裏面側
の空間２８に不活性ガスＧを供給するためのガス供給機
構をさらに備え、このガス供給機構は回転軸２２に形成
されたガス導入流路２９を有している。このガス導入流
路２９のガス放出側端部は、被処理基板Ｓの裏面側の空
間２８に開口している。
【００２４】さらに、凹部２４を内側に形成する側周壁
３０には、被処理基板Ｓの裏面側の空間２８に供給され
た不活性ガスＧを裏面側空間２８から排出するための排
気孔３１が貫通形成されている。排気孔３１は、隣り合
う支持片２６同士の間に位置するようにして周方向に等
角度間隔で配設されている。
３０には、被処理基板Ｓの裏面側の空間２８に供給され
た不活性ガスＧを裏面側空間２８から排出するための排
気孔３１が貫通形成されている。排気孔３１は、隣り合
う支持片２６同士の間に位置するようにして周方向に等
角度間隔で配設されている。
【００２５】本実施形態の回転基板ホルダー２０を図３
に示した成膜装置に装着して被処理基板Ｓを成膜処理す
る際には、凹部２４内に被処理基板Ｓを填め込んだ後、
駆動モータによって回転基板ホルダー２０を回転させな
がら、プロセスガスを被処理基板Ｓの表面に供給し、Ｃ
ＶＤにて基板表面に所定の膜を形成する。
に示した成膜装置に装着して被処理基板Ｓを成膜処理す
る際には、凹部２４内に被処理基板Ｓを填め込んだ後、
駆動モータによって回転基板ホルダー２０を回転させな
がら、プロセスガスを被処理基板Ｓの表面に供給し、Ｃ
ＶＤにて基板表面に所定の膜を形成する。
【００２６】また、成膜処理中は、ガス供給機構のガス
導入流路２９を介して被処理基板Ｓの裏面側の空間２８
に不活性ガスが供給される。
導入流路２９を介して被処理基板Ｓの裏面側の空間２８
に不活性ガスが供給される。
【００２７】凹部２４の側周面２７は、回転中の被処理
基板Ｓの側端部Ｓａを支持して水平方向の動きを規制
し、これによって被処理基板Ｓの飛び出しが防止され
る。
基板Ｓの側端部Ｓａを支持して水平方向の動きを規制
し、これによって被処理基板Ｓの飛び出しが防止され
る。
【００２８】そして、上述したように本実施形態による
回転基板ホルダー２０は、凹部２４の底面２５の周縁部
に突設した複数の支持片２６によって被処理基板Ｓの裏
面Ｓｂを部分的に支持するようにしたので、被処理基板
Ｓの裏面Ｓｂと回転基板ホルダー２０との接触面積が極
めて小さく、このため、成膜プロセスによる生成物・堆
積物等に起因する被処理基板Ｓと回転基板ホルダー２０
との固着を防止することができる。
回転基板ホルダー２０は、凹部２４の底面２５の周縁部
に突設した複数の支持片２６によって被処理基板Ｓの裏
面Ｓｂを部分的に支持するようにしたので、被処理基板
Ｓの裏面Ｓｂと回転基板ホルダー２０との接触面積が極
めて小さく、このため、成膜プロセスによる生成物・堆
積物等に起因する被処理基板Ｓと回転基板ホルダー２０
との固着を防止することができる。
【００２９】さらに、ガス供給機構のガス導入流路２９
を介して被処理基板Ｓの裏面側の空間２８に供給された
不活性ガスは、一部は排気孔３１を介して排気され、一
部は被処理基板Ｓの側端部Ｓａと凹部２４の側周面２７
との間隙から上方に向かって放出される。これらの不活
性ガスの流れによって基板裏面側への成膜の回り込み等
を防止でき、成膜プロセス中における被処理基板Ｓと回
転基板ホルダー２０との固着が防止される。
を介して被処理基板Ｓの裏面側の空間２８に供給された
不活性ガスは、一部は排気孔３１を介して排気され、一
部は被処理基板Ｓの側端部Ｓａと凹部２４の側周面２７
との間隙から上方に向かって放出される。これらの不活
性ガスの流れによって基板裏面側への成膜の回り込み等
を防止でき、成膜プロセス中における被処理基板Ｓと回
転基板ホルダー２０との固着が防止される。
【００３０】また、被処理基板Ｓの裏面側の空間２８に
供給された不活性ガスは、図示を省略した加熱手段によ
る被処理基板Ｓの加熱効率を高めると共に、加熱の面内
均一性を向上させる。ここで、複数の支持片２６及び複
数の排気孔３１は周方向に等角度間隔で配設されている
ので、不活性ガスの流れは裏面側の空間２８の内部で全
体として均一となり、加熱の面内均一性がさらに高ま
る。
供給された不活性ガスは、図示を省略した加熱手段によ
る被処理基板Ｓの加熱効率を高めると共に、加熱の面内
均一性を向上させる。ここで、複数の支持片２６及び複
数の排気孔３１は周方向に等角度間隔で配設されている
ので、不活性ガスの流れは裏面側の空間２８の内部で全
体として均一となり、加熱の面内均一性がさらに高ま
る。
【００３１】さらに、不活性ガスは、成膜装置を構成す
る部材の冷却用ガスとしても機能し、過熱による部材の
損傷を防止することができる。
る部材の冷却用ガスとしても機能し、過熱による部材の
損傷を防止することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明による回転基板
ホルダーによれば、基板保持部材の上面に形成した凹部
の側周面によって回転中の被処理基板の水平方向の動き
を規制すると共に、凹部の底面に突設した支持部材によ
って被処理基板の裏面を下方から部分的に支持するよう
にしたので、被処理基板の裏面と回転基板ホルダーとの
接触面積が小さくなり、成膜プロセスによる被処理基板
と回転基板ホルダーとの固着を防止することができる。
ホルダーによれば、基板保持部材の上面に形成した凹部
の側周面によって回転中の被処理基板の水平方向の動き
を規制すると共に、凹部の底面に突設した支持部材によ
って被処理基板の裏面を下方から部分的に支持するよう
にしたので、被処理基板の裏面と回転基板ホルダーとの
接触面積が小さくなり、成膜プロセスによる被処理基板
と回転基板ホルダーとの固着を防止することができる。
【図１】本発明の一実施形態による回転基板ホルダーの
概略構成を示した縦断面図。
概略構成を示した縦断面図。
【図２】本発明の一実施形態による回転基板ホルダーの
概略構成を示した平面図。
概略構成を示した平面図。
【図３】成膜装置の一例を示した縦断面図。
【図４】従来の回転基板ホルダーの概略構成を示した縦
断面図。
断面図。
１ 真空容器 ２ ノズル板 ３ 処理室 ２０ 回転基板ホルダー ２１ 基板保持部材 ２２ 回転軸 ２３ 基板保持部材の上面 ２４ 凹部 ２５ 凹部の底面 ２６ 支持部材（支持片） ２７ 凹部の側周面（水平方向支持面） ２８ 被処理基板の裏面側空間 ２９ ガス導入流路 ３０ 凹部を内側に形成する側周壁 ３１ 排気孔 Ｓ 被処理基板 Ｓａ 被処理基板の側端部 Ｓｂ 被処理基板の裏面
Claims (4)
- 【請求項１】被処理基板を保持すると共に保持した被処
理基板と一体に回転する基板保持部材を備えた回転基板
ホルダーにおいて、 被処理基板を填め込み得る形状の凹部が前記基板保持部
材の上面に形成されており、前記凹部の側周面は、回転
中の被処理基板の側端部を支持して被処理基板の水平方
向の動きを規制する水平方向支持面を構成し、 被処理基板の裏面を下方から部分的に支持する支持部材
が前記凹部の底面に突設されていることを特徴とする回
転基板ホルダー。 - 【請求項２】前記支持部材は、前記凹部の底面の周縁部
に突設された複数の支持片であることを特徴とする請求
項１記載の回転基板ホルダー。 - 【請求項３】前記凹部に填め込まれた被処理基板の裏面
側の空間に不活性ガスを供給するためのガス供給機構を
さらに有し、 前記裏面側の空間に供給された不活性ガスを前記裏面側
の空間から排出するための排気孔が、前記凹部を内側に
形成する側周壁に貫通形成されていることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の回転基板ホルダー。 - 【請求項４】前記支持部材は周方向に等角度間隔で複数
配設されており、前記排気孔は隣り合う前記支持部材同
士の間に位置するようにして周方向に等角度間隔で複数
配設されていることを特徴とする請求項３記載の回転基
板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200517A JP2000034568A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 回転基板ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200517A JP2000034568A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 回転基板ホルダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000034568A true JP2000034568A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16425638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10200517A Withdrawn JP2000034568A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 回転基板ホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000034568A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273037A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Wacker Siltronic Ag | Ｃｖｄ反応器中で半導体ウェーハの表側をエピタキシャル被覆する方法、この種の被覆された半導体ウェーハおよびｃｖｄ反応器用サセプタ |
| JP2007019350A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Nuflare Technology Inc | エピタキシャル成長装置 |
| JP2018095916A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム |
| JP2018125449A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社日立国際電気 | リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
| KR101924055B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2018-11-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증착 프로세스를 위한 방법들 및 장치 |
-
1998
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