JP2000031367A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アウターリードの成形が複雑になる。 【解決手段】 平面が方形状の封止体と、前記封止体の
内部に位置し、表裏面のうちの回路形成面に複数個の電
極が形成された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在し、前記半導体チップの電極に電気的に接続さ
れる複数本のリードとを有する半導体装置であって、前
記複数本のリードのうち、所定のリードのインナー部の
先端部分は他のリードのインナー部上に互いに絶縁され
た状態で積層され、前記所定のリード及び前記他のリー
ドの夫々のアウター部は前記封止体の辺に沿って配列さ
れている。前記所定のリードのインナー部の先端部分
は、前記他のリードのインナー部の先端部分よりも前記
半導体チップから遠距離となるように積層されている。
前記所定のリード及び前記他のリードの夫々のインナー
部の先端部分は、前記半導体チップの電極に導電性のワ
イヤを介して電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、リードフレームを用いて製造される半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多端子(多ピン)化に好適な半導体装置の
一つとして、例えばＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage）型
半導体装置が知られている。このＱＦＰ型半導体装置に
おいては、リードフレームを用いた製造プロセスで製造
される。具体的には、リードフレームの枠体に支持リー
ドを介して支持されたタブのチップ塔載面上に接着剤を
介在して半導体チップを塔載し、その後、半導体チップ
の回路形成面に形成された電極(ボンディングパッド)と
リードフレームの枠体に支持されたリードのインナー部
の先端部分とを導電性のワイヤで電気的に接続し、その
後、半導体チップ、タブ、支持リード、リードのインナ
ー部及びワイヤ等を絶縁性の樹脂からなる封止体で封止
し、その後、リードフレームの枠体から支持リード及び
リードのアウター部を切断すると共に、リード間からの
樹脂の洩れを防止する目的で設けられたダムバー(タイ
バー)を切断し、その後、リードのアウター部をガルウ
ィング形状に成形することによって製造される。

【０００３】近年、半導体チップに塔載される回路シス
テムの高集積化や多機能化によるリード本数の増加に伴
い、ＱＦＰ型半導体装置の平面サイズは大型化してい
る。そこで、リード本数の増加に伴う半導体装置の大型
化を抑制する技術が例えば特開平４−９１４６２号公報
（１９９２年、３月２４日公開）に開示されている。こ
の技術では、インナー部の先端部分が段違いとなるよう
に絶縁性フィルムを介在して二本のリードを重ね合わせ
て積層することにより、封止体の内部においてリードが
占有する面積を縮小し、リード本数の増加に伴う半導体
装置の大型化を抑制している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
技術では以下の問題が生じる。 （１）前述の技術では、下段に位置するリードのアウタ
ー部と上段に位置するリードのアウター部とを重ね合わ
せて積層しているため、面実装リード形状として例えば
ガルウィング形状にリードのアウター部を成形する際、
下段に位置するリードのアウター部をその先端部分が封
止体の内側に向く形状に成形し、上段に位置するリード
のアウター部をその先端部分が封止体の外側に向く形状
に成形しなければならない。即ち、下段に位置するリー
ドのアウター部と上段に位置するリードのアウター部と
を異なる形状で成形しなければならないので、リードの
アウター部の成形が複雑になる。

【０００５】また、封止体の一辺に沿って配列されたリ
ードのアウター部の先端部分におけるリード配列が二列
配列になるため、半導体装置を実装する実装基板の電極
パッド配列も二列配列にしなければならず、これに伴っ
て実装基板の配線の引き回しが複雑になるので、標準化
には適さない。

【０００６】（２）前述の技術では、下段に位置するリ
ードのインナー部と上段に位置するリードのインナー部
との間に絶縁性フィルムを介在しているため、熱圧着に
超音波振動を併用したボンディング法を使用し、半導体
チップの電極と上段に位置するリードのインナー部の先
端部分とを導電性のワイヤで電気的に接続する際、上段
に位置するリードのインナー部の先端部分にヒートステ
ージの熱が絶縁性フィルムによって有効に伝わらず、ま
た、上段に位置するリードのインナー部の先端部分に与
えるボンディング加重及び超音波振動が絶縁性フィルム
に吸収されてしまい、ワイヤとリードのインナー部の先
端部分との接続強度が低下し、ワイヤの接続不良が発生
する。このワイヤの接続不良は半導体装置の電気的信頼
性を低下させる。

【０００７】本発明の目的は、リード本数の増加に伴う
半導体装置の大型化を抑制すると共に、リードのアウタ
ー部の成形を容易に行うことが可能な技術を提供するこ
とにある。

【０００８】また、本発明の他の目的は、リード本数の
増加に伴う半導体装置の大型化を抑制すると共に、半導
体装置の標準化を図ることが可能な技術を提供すること
にある。

【０００９】本発明の他の目的は、半導体装置の電気的
信頼性を高めることが可能な技術を提供することにあ
る。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになる
であろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。 （１）平面が方形状の封止体と、前記封止体の内部に位
置し、表裏面のうちの回路形成面に複数個の電極が形成
された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在
し、前記半導体チップの電極に電気的に接続される複数
本のリードとを有する半導体装置であって、前記複数本
のリードのうち、所定のリードのインナー部の先端部分
は他のリードのインナー部上に互いに絶縁された状態で
積層され、前記所定のリード及び前記他のリードの夫々
のアウター部は前記封止体の辺に沿って配列されてい
る。前記所定のリードのインナー部の先端部分は、前記
他のリードのインナー部の先端部分よりも前記半導体チ
ップから遠距離となるように積層されている。前記所定
のリード及び前記他のリードの夫々のインナー部の先端
部分は、前記半導体チップの電極に導電性のワイヤを介
して電気的に接続されている。

【００１１】（２）半導体装置の製造方法であって、支
持体及び複数本のリードを有し、前記複数本のリードの
うち、所定のリードのインナー部の先端部分は、他のリ
ードのインナー部の先端部分よりも前記支持体から遠距
離となるように前記他のリードのインナー部上にその表
面から離間した状態で積層され、前記所定のリード及び
前記他のリードの夫々のアウター部はそのリード幅方向
に沿って配列されている積層リードフレームを準備する
工程と、前記積層リードフレームの支持体に半導体チッ
プを塔載する工程と、前記積層リードフレームをヒート
ステージに装着し、前記所定のリードのインナー部の先
端部分を前記他のリードのインナー部に押し付けた状態
で前記半導体チップの電極と前記所定のリードのインナ
ー部の先端部分とを導電性のワイヤで電気的に接続する
と共に、前記半導体チップの電極と前記他のリードのイ
ンナー部の先端部分とを導電性のワイヤで電気的に接続
する工程と、前記半導体チップ、前記支持体、前記複数
本のリードの夫々のインナー部及び前記ワイヤを絶縁性
樹脂からなる封止体で封止する工程とを備える。

【００１２】上述した手段（１）によれば、複数のリー
ドのうち、所定のリードのインナー部の先端部分は他の
リードのインナー部上に互いに絶縁された状態で積層さ
れていることから、所定のリードの本数に相当する分、
封止体の内部においてリードのインナー部が占有する面
積を縮小することができるので、リード本数の増加に伴
う半導体装置の大型化を抑制することができる。

【００１３】また、所定のリード及び他のリードの夫々
のアウター部は封止体の辺に沿って配列されていること
から、面実装リード形状として例えばガルウィング形状
にリードのアウター部を成形する際、全てのリードのア
ウター部を同一形状で成形することができるので、リー
ドのアウター部の成形を容易に行うことができる。

【００１４】また、全てのリードのアウター部を同一の
形状で成形することができるので、封止体の辺に沿って
配列されたリードのアウター部の先端部分におけるリー
ド配列が一列配列になる。従って、通常の実装基板に半
導体装置を実装することができるので、半導体装置の標
準化を図ることができる。

【００１５】上述した手段（２）によれば、熱圧着に超
音波振動を併用したボンディング法を使用し、半導体チ
ップの電極と所定のリードのインナー部の先端部分とを
導電性のワイヤで電気的に接続する際、所定のリードの
インナー部の先端部分にヒートステージの熱が有効に伝
わり、また、所定のリードのインナー部の先端部分にボ
ンディング加重及び超音波振動が有効に伝わるので、ワ
イヤと所定のリードのインナー部の先端部分との接続強
度を高めることができ、ワイヤの接続不良を抑制するこ
とができる。この結果、半導体装置の電気的信頼性を高
めることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成について、Ｑ
ＦＰ型半導体装置に本発明を適用した実施の形態ととも
に説明する。なお、実施の形態を説明するための図面に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。

【００１７】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
であるＱＦＰ型半導体装置の封止体の上部を除去した状
態の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図
であり、図３は前記半導体装置の要部斜視図である。

【００１８】図１及び図２に示すように、本実施形態の
ＱＦＰ型半導体装置５０は、支持体であるタブ１２のチ
ップ塔載面上に半導体チップ１を塔載し、この半導体チ
ップ１を封止体４で封止した構成になっている。半導体
チップ１はタブ１２のチップ塔載面上に接着剤２を介在
して接着固定されている。

【００１９】前記半導体チップ１は例えば単結晶珪素か
らなる半導体基板及びこの半導体基板上に形成された配
線層を主体とする構成になっており、その平面形状は方
形状で形成されている。本実施形態において、半導体チ
ップ１の平面形状は正方形で形成されている。

【００２０】前記半導体チップ１には、回路システムと
して例えば論理回路システムが塔載されている。この論
理回路システムは、半導体基板の主面に形成された半導
体素子及び配線層に形成された配線によって構成されて
いる。

【００２１】前記半導体チップ１の表裏面のうちの回路
形成面には、半導体チップ１の外周囲の各辺に沿って複
数個の電極(ボンディングパッド)ＢＰが形成されてい
る。この複数個の電極ＢＰの夫々は、半導体チップ１の
配線層のうちの最上層の配線層に形成され、回路システ
ムを構成する半導体素子に配線を介して電気的に接続さ
れている。複数個の電極ＢＰの夫々は、例えばアルミニ
ウム(Ａｌ)膜又はアルミニウム合金膜で形成されてい
る。

【００２２】前記封止体４の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては正方形で形成されている。封
止体４は、低応力化を図る目的として、例えば、フェノ
ール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加さ
れたビフェニール系の絶縁性樹脂で形成されている。こ
の種の封止体４は、大量生産に好適なトランスファモー
ルディング法によって形成される。トランスファモール
ディング法は、ポット、ランナー、流入ゲート及びキャ
ビティ等を備えた成形金型を使用し、ポットからランナ
ー及び流入ゲートを通してキャビティ内に絶縁性樹脂を
加圧注入して封止体を形成する方法である。

【００２３】前記タブ１２の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては正方形で形成されている。こ
のタブ１２は、半導体チップ１の外形サイズよりも一回
り大きい外形サイズで形成されている。

【００２４】前記半導体チップ１の外周囲の外側には、
四本の支持リード１３が配置されている。この四本の支
持リード１３の夫々は、封止体４の内部に位置してい
る。四本の支持リード１３の夫々は、タブ１２の四つの
角部の夫々に一体化され、封止体４の四つの角部の夫々
に向って延在している。四本の支持リード１３の夫々に
は、タブ１２をリード１１Ａよりも下方に位置させるた
めの曲げ加工が施されている。

【００２５】前記半導体チップ１の外周囲の外側には、
封止体４の内外に亘って延在する複数本のリード１１が
配置されている。複数本のリード１１の夫々は、封止体
４の内部に位置するインナー部の先端部分が半導体チッ
プ１の外周囲の各辺に沿って配列され、封止体４の外部
に位置するアウター部が封止体４の外周囲の各辺に沿っ
て配列されている。複数本のリード１１の夫々のアウタ
ー部は、面実装リード形状として例えばカルウィング形
状に成形されている。

【００２６】前記複数本のリード１１の夫々は、半導体
チップ１の回路形成面に形成された複数個の電極ＢＰの
夫々に導電性のワイヤ３を介して電気的に接続されてい
る。ワイヤ３は、一端側が半導体チップ１の電極ＢＰに
接続され、他端側がリード１１のインナー部の先端部分
に接続されている。ワイヤ３としては、例えば金（Ａ
ｕ）ワイヤを用いている。また、ワイヤ３の接続方法と
しては、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディ
ング法を用いている。

【００２７】前記複数本のリード１１のうち、所定のリ
ードであるリード１１Ｂのインナー部の先端部分は、他
のリードであるリード１１Ａのインナー部の先端部分よ
りも半導体チップ１から遠距離となるように、リード１
１Ａのインナー部上に互いに絶縁された状態で積層され
ている。本実施形態において、リード１１Ｂのインナー
部の先端部分はリード１１Ａのインナー部の上面から離
間した状態で積層されており、リード１１Ｂのインナー
部の先端部分とリード１１Ａのインナー部との間に絶縁
性フィルムは介在されていない。

【００２８】前記リード１１Ｂのインナー部には、その
先端部分をリード１１Ａのインナー部よりも上方に位置
させるための曲げ加工が施されている。この曲げ加工に
より、リード１１Ａのインナー部上にその上面から離間
した状態でリード１１Ｂのインナー部の先端部分を積層
することができる。

【００２９】前記リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々
のアウター部は、互いに積層されることなく、封止体４
の外周囲の辺に沿って配列されている。本実施形態にお
いて、リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々のアウター
部は、封止体４の外周囲の辺に沿って交互に配列されて
いる。また、リード１１Ｂ及びリード１１Ａは、封止体
４の内外に亘って一本のリード部材で構成されている。
また、リード１１Ｂ及びリード１１Ａは、図３に示すよ
うに、封止体４から突出する突出部分の位置が同一平面
に位置している。

【００３０】このように構成されたＱＦＰ型半導体装置
５０において、複数本のリード１１のうち、所定のリー
ドであるリード１１Ｂのインナー部の先端部分は他のリ
ードであるリード１１Ａのインナー部上に互いに絶縁さ
れた状態で積層されていることから、リード１１Ｂの本
数に相当する分、封止体４の内部においてリード１１が
占有する面積を縮小することができるので、リード本数
の増加に伴うＱＦＰ型半導体装置５０の大型化を抑制す
ることができる。

【００３１】また、所定のリードであるリード１１Ｂ及
び他のリードであるリード１１Ａの夫々のアウター部
は、互いに積層されることなく、封止体４の辺に沿って
配列されていることから、面実装リード形状であるガル
ウィング形状に成形する際、全てのリード１１のアウタ
ー部を同一形状で成形することができるので、リード１
１のアウター部の成形を容易に行うことができる。

【００３２】また、全てのリード１１のアウター部を同
一の形状で成形することができるので、封止体４の辺に
沿って配列されたリード１１のアウター部の先端部分に
おけるリード配列が一列配列になる。従って、通常の実
装基板にＱＦＰ型半導体装置５０を実装することができ
るので、ＱＦＰ型半導体装置５０の標準化を図ることが
できる。

【００３３】次に、前記ＱＦＰ型半導体装置５０の製造
に用いられる積層リードフレームの構成について、図４
乃至図９を用いて説明する。図４は積層リードフレーム
の平面図であり、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図で
あり、図６は前記積層リードフレームを構成する下段リ
ードフレームの平面図であり、図７は図６のＣ−Ｃ線に
沿う断面図であり、図８は前記積層リードフレームを構
成する上段リードフレームの平面図であり、図９は図８
のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

【００３４】図６及び図７に示すように、下段リードフ
レーム１０Ａは、平面が方形状の枠体１５Ａで周囲を規
定された領域内において、複数本のリード１１Ａ、タブ
１２、四本の支持リード１３等を有する構成になってい
る。四本の支持リード１３は、一端側がタブ１２と一体
化され、他端側が枠体１５Ａと一体化されている。タブ
１２は四本の支持リード１３を介して枠体１５Ａに支持
されている。タブ１２の平面形状は方形状で形成され、
本実施形態においては正方形で形成されている。

【００３５】前記複数本のリード１１Ａの夫々は四つの
リード群に分割され、四つのリード群の夫々はタブ１２
を囲むようにして枠体１５Ａの各辺毎に設けられてい
る。各リード群のリード１１Ａは枠体１５Ａの各辺に沿
って配列されている。また、各リード群のリード１１Ａ
は、封止体(４)の内部に配置されるインナー部と封止体
(４)の外部に配置されるアウター部とを有し、一本のリ
ード部材で構成されている。また、各リード群のリード
１１Ａは、インナー部の先端部分である一端側がタブ１
２に近接して配置され、アウター部の先端部分となる他
端側が枠体１５Ａの各辺毎に設けられた支持リード１４
Ａと一体化されている。支持リード１４Ａは、枠体１５
Ａの辺に沿って延在し、枠体１５Ａと一体化されてい
る。

【００３６】前記四本の支持リード１３の夫々には、タ
ブ１２をリード１１Ａよりも下方に位置させるための曲
げ加工が施されている。

【００３７】前記下段リードフレーム１０Ａは、例えば
鉄(Ｆｅ)−ニッケル(Ｎｉ)系合金又は銅(Ｃｕ)若しくは
銅系合金からなる平板材にエッチング加工又はプレス加
工を施し、所定のリードパターンを形成した後、タブ１
２をリード１１Ａよりも下方に位置させるための曲げ加
工を四本の支持リード１３の夫々に施すことによって形
成される。

【００３８】図８及び図９に示すように、上段リードフ
レーム１０Ｂは、平面が方形状の枠体１５Ｂで周囲を規
定された領域内において、複数本のリード１１Ｂ等を有
する構成になっている。

【００３９】前記複数本のリード１１Ｂの夫々は四つの
リード群に分割され、四つのリード群の夫々は、下段リ
ードフレーム１０Ａのタブ(１２)が配置される中央領域
を囲むようにして枠体１５Ｂの各辺毎に設けられてい
る。各リード群のリード１１Ｂは枠体１５Ｂの各辺に沿
って配列されている。また、各リード群のリード１１Ｂ
は、封止体(４)の内部に配置されるインナー部と封止体
(４)の外部に配置されるアウター部とを有し、一本のリ
ード部材で構成されている。また、各リード群のリード
１１Ｂは、インナー部の先端部分である一端側が中央領
域に近接して配置され、アウター部の先端部分となる他
端側が枠体１５Ｂの各辺毎に設けられた支持リード１４
Ｂと一体化されている。支持リード１４Ｂは、枠体１５
Ｂの辺に沿って延在し、枠体１５Ｂと一体化されてい
る。

【００４０】前記リード１１Ｂは、下段リードフレーム
１０Ａ上に上段リードフレーム１０Ｂを重ね合わせて積
層した際、インナー部の先端部分が下段リードフレーム
１０Ａのリード１１Ａのインナー部の先端部分よりもタ
ブ１２から遠距離となるようにリード１１Ａのインナー
部上に位置し、かつアウター部の先端部分が下段リード
フレーム１０Ａのリード１１Ａのアウター部間に位置す
るパターン形状で形成されている。

【００４１】前記リード１１Ｂには、下段リードフレー
ム１０Ａ上に上段リードフレーム１０Ｂを重ね合わせて
積層した際、そのインナー部の先端部分を下段リードフ
レーム１０Ａのリード１１Ａのインナー部よりも上方に
位置させるための曲げ加工が施されていると共に、その
アウター部を下段リードフレーム１０Ａのリード１１Ａ
のアウター部と同一平面に位置させるための曲げ加工が
施されている。

【００４２】前記上段リードフレーム１０Ｂは、例えば
鉄(Ｆｅ)−ニッケル(Ｎｉ)系合金又は銅(Ｃｕ)若しくは
銅系合金からなる平板材にエッチング加工又はプレス加
工を施し、所定のリードパターンを形成した後、リード
１１Ｂのインナー部の先端部分をリード１１Ａのインナ
ー部よりも上方に位置させ、かつリード１１Ｂのアウタ
ー部をリード１１Ａのアウター部と同一平面に位置させ
るための曲げ加工をリード１１Ｂに施すことによって形
成される。

【００４３】図４及び図５に示すように、積層リードフ
レーム１０は、下段リードフレーム１０Ａ上に上段リー
ドフレーム１０Ｂを重ね合わせて積層した二枚フレーム
構成になっている。即ち、積層リードフレーム１０は、
平面が方形状の枠体（１５Ａ，１５Ｂ）で周囲を規定さ
れた領域内において、複数本のリード１１、タブ１２、
四本の支持リード１３、四本の支持リード１４Ａ及び四
本の支持リード１４Ｂ等を有する構成になっている。

【００４４】前記複数本のリード１１のうち、所定のリ
ードであるリード１１Ｂのインナー部の先端部分は、他
のリードであるリード１１Ａのインナー部の先端部分よ
りもタブ１２から遠距離となるように、リード１１Ａの
インナー部上に互いに絶縁された状態で積層されてい
る。本実施形態において、リード１１Ｂのインナー部の
先端部分はリード１１Ａのインナー部の上面から離間し
た状態で積層されており、リード１１Ｂのインナー部の
先端部分とリード１１Ａのインナー部との間には絶縁性
フィルムが介在されていない。

【００４５】前記リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々
のアウター部は、互いに積層されることなく、枠体(１
５Ａ，１５Ｂ)の辺に沿って配列されている。本実施形
態において、リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々のア
ウター部は、枠体（１５Ａ，１５Ｂ）の辺に沿って交互
に配列されている。また、リード１１Ｂ及びリード１１
Ａは、封止体４の内外に亘って一本のリード部材で構成
されている。また、リード１１Ｂ及びリード１１Ａは、
封止体(４)から突出する突出部分の位置が同一平面に位
置している。

【００４６】前記下段リードフレーム１０Ａ、上段リー
ドフレーム１０Ｂの夫々は、半導体装置の製造工程での
取り扱いを容易にするため、枠体(１５Ａ，１５Ｂ)の領
域において、接着剤又は溶着によって互いに接着固定さ
れている。

【００４７】なお、本実施形態の積層リードフレーム１
０では、リード間からの樹脂の洩れを防止するダムバー
の代わりに、絶縁性樹脂からなるテープダム１６を用い
ている。テープダム１６は、樹脂封止部と非樹脂封止部
との間の領域に配置され、リ隣合うード１１間を連結す
るように延在している。

【００４８】次に、前記ＱＦＰ型半導体装置５０の製造
方法について、図１０乃至図１９を用いて説明する。ま
ず、図４に示す積層リードフレーム１０を準備する。

【００４９】次に、前記積層リードフレーム１０のタブ
１２のチップ塔載面上に接着剤２を介在して半導体チッ
プ１を塔載する。ここまでの工程を図１０(平面図)及び
図１１(図１０のＥ−Ｅ線に沿う断面図)に示す。

【００５０】次に、図１６(ａ)に示すように、ヒートス
テージ１７とウインドクランパ（リード押え治具）１８
との間に前記積層リードフレーム１０を搬送し、その
後、ヒートステージ１７に積層リードフレーム１０を装
着する。積層リードフレーム１０のタブ１２が装着され
るヒートステージ１７の領域には、リード１１Ａよりも
タブ１２を下方に位置させた下げ量に相当する段差が設
けられている。

【００５１】次に、前記積層リードフレーム１０のリー
ド１１Ａのインナー部にリード１１Ｂのインナー部の先
端部分をウインドクランパ１８で押し付ける。この時、
リード１１Ａのインナー部とリード１１Ｂのインナー部
の先端部分との間に絶縁性フィルムを介在していないの
で、リード１１Ａのインナー部にリード１１Ｂのインナ
ー部の先端部分が直に接触し、ヒートステージ１８の熱
がリード１１Ｂのインナー部の先端部分に有効に伝わ
る。

【００５２】次に、前記半導体チップ１の電極ＢＰとリ
ード１１Ａのインナー部の先端部分とを導電性のワイヤ
３で電気的に接続すると共に、半導体チップ１の電極Ｂ
Ｐとリード１１Ｂのインナー部の先端部分とを導電性の
ワイヤ３で電気的に接続する。具体的には、まず、半導
体チップ１の電極ＢＰにワイヤ３の一端側をボンディン
グツール（キャピラリ）１９で熱圧着して接続し、次
に、図１６(ｂ)に示すように、リード１１Ａのインナー
部の先端部分にワイヤ３の他端側をボンディングツール
１９で熱圧着して接続し、次に、半導体チップ１の電極
ＢＰにワイヤ３の一端側をボンディングツール１９で熱
圧着して接続し、次に、図１７(ｃ)に示すように、リー
ド１１Ｂのインナー部の先端部分にワイヤ３の他端側を
ボンディングツール１９で熱圧着して接続する。このワ
イヤ３の接続は超音波振動を与えながら行う。この工程
において、リード１１Ａのインナー部とリード１１Ｂの
インナー部の先端部分との間に絶縁性フィルムを介在し
ていないので、接続時のボンディング加重及び超音波振
動がリード１１Ｂのインナー部の先端部分に有効に伝わ
る。この後、ウインドクランパ１８を取り外すことによ
り、図１７(ｄ)に示すように、リード１１Ｂのインナー
部の先端部分は、その弾性力によってスプリングバック
する。ここまでの工程を図１２(平面図)及び図１３（図
１２のＦ−Ｆ線に沿う断面図）に示す。なお、図１８
(平面図)にウインドクランパ１８で押さえる部分１８Ａ
を示している。

【００５３】次に、図１９(ａ)に示すように、成形金型
２０の上型２０Ａと下型２０Ｂとで形成されるキャビテ
ィ２１内に前記半導体チップ１、ワイヤ３、リード１１
のインナー部等が配置されるように、上型２０Ａと下型
２０Ｂとの間に前記積層リードフレーム１０を配置し、
その後、図１９(ｂ)に示すように、上型２０Ａと下型２
０Ｂとで積層リードフレーム１０を挾み込む(クランプ
する)。この時、成型金型２０のクランプ力により、テ
ープダム１６はリード１１間に押し込められ、リード間
からの樹脂の洩れを防止するダムバーとして作用する。

【００５４】次に、前記成形金型２０のポットに樹脂タ
ブレットを投入し、その後、樹脂タブレットをトランス
ファモールド装置のプランジャで加圧し、キャビティ２
１内に樹脂を供給して封止体４を形成する。この工程に
おいて、半導体チップ１、ワイヤ３、リード１１のイン
ナー部、タブ１２及び支持リード１３等は封止体４で封
止される。この後、前記成形金型２０から積層リードフ
レーム１０を取り出す。ここまでの工程を図１４(平面
図)及び図１５(図１４のＧ−Ｇ線に沿う断面図)に示
す。

【００５５】次に、前記封止体４の外部に位置するテー
プダム１６を除去し、その後、メッキ処理を施し、その
後、前記積層リードフレーム１０の支持リード(１４
Ａ，１４Ｂ)からリード１１を切断し、その後、リード
１１のアウター部を面実装リード形状として例えばガル
ウィング形状に成形する。この時、リード１１のアウタ
ー部は封止体４の辺に沿って配列されているので、全て
のリード１１のアウター部を同一形状で成形することが
でき、リード１１のアウター部の成形を容易に行うこと
ができる。

【００５６】次に、前記積層リードフレーム１０の枠体
１５Ａから支持リード１３を切断することにより、図
１、図２及び図３に示すＱＦＰ型半導体装置５０がほぼ
完成する。

【００５７】このように、本実施形態によれば、以下の
効果が得られる。 （１）複数本のリード１１のうち、所定のリード１１Ｂ
のインナー部の先端部分は他のリード１１Ａのインナー
部上に互いに絶縁された状態で積層され、所定のリード
１１Ｂ及び他のリード１１Ａの夫々のアウター部は封止
体４の辺に沿って配列されている。このことから、所定
のリード１１Ｂの本数に相当する分、封止体４の内部に
おいてリード１１のインナー部が占有する面積を縮小す
ることができるので、リード本数の増加に伴うＱＦＰ型
半導体装置５０の大型化を抑制することができる。

【００５８】また、所定のリード１１Ｂ及び他のリード
１１Ａの夫々のアウター部は封止体４の辺に沿って配列
されていることから、面実装リード形状として例えばガ
ルウィング形状にリード１１のアウター部を成形する
際、全てのリード１１のアウター部を同一形状で成形す
ることができるので、リード１１のアウター部の成形を
容易に行うことができる。

【００５９】また、全てのリード１１のアウター部を同
一の形状で成形することができるので、封止体４の辺に
沿って配列されたリード１１のアウター部の先端部分に
おけるリード配列が一列配列になる。従って、通常の実
装基板にＱＦＰ型半導体装置５０を実装することができ
るので、ＱＦＰ型半導体装置５０の標準化を図ることが
できる。

【００６０】また、リードフレーム加工の制限、例えば
リードの幅、間隔を板厚以上にする必要がある等のため
に制限されていたリードのインナー部の引き回しが簡便
になるので、多ピン化、狭ピッチ化に対応できる。

【００６１】（２）ＱＦＰ型半導体装置の製造方法であ
って、タブ(支持体)１２及び複数本のリード１１を有
し、複数本のリード１１のうち、所定のリード１１Ｂの
インナー部の先端部分は、他のリード１１Ａのインナー
部の先端部分よりもタブ１２から遠距離となるように他
のリード１１Ｂのインナー部上にその上面から離間した
状態で積層され、所定のリード１１Ａ及び他のリード１
１Ｂの夫々のアウター部はそのリード幅方向に沿って配
列されている積層リードフレーム１０を準備する工程
と、積層リードフレーム１０のタブ１２に半導体チップ
１を塔載する工程と、積層リードフレーム１０をヒート
ステージ１７に装着し、所定のリード１１Ｂのインナー
部の先端部分を他のリード１１Ａのインナー部に押し付
けた状態で半導体チップ１の電極ＢＰと所定のリード１
１のインナー部の先端部分とを導電性のワイヤ３で電気
的に接続すると共に、半導体チップ１の電極ＢＰと他の
リード１１Ａのインナー部の先端部分とを導電性のワイ
ヤ３で電気的に接続する工程とを備える。

【００６２】このことから、熱圧着に超音波振動を併用
したボンディング法を使用し、半導体チップ１の電極Ｂ
Ｐと所定のリード１１Ａのインナー部の先端部分とを導
電性のワイヤ３で電気的に接続する際、所定のリード１
１Ｂのインナー部の先端部分にヒートステージ１７の熱
が有効に伝わり、また、所定のリード１１Ｂのインナー
部の先端部分にボンディング加重及び超音波振動が有効
に伝わるので、ワイヤ３と所定のリード１１Ｂのインナ
ー部の先端部分との接続強度を高めることができ、ワイ
ヤ３の接続不良を抑制することができる。この結果、Ｑ
ＦＰ型半導体装置５０の電気的信頼性を高めることがで
きる。

【００６３】（実施形態２）図２０は本発明の実施形態
２であるＱＦＰ型半導体装置の封止体の上部を除去した
状態の平面図であり、図２１は図２０のＨ−Ｈ線に沿う
断面図であり、図２２は前記半導体装置の要部斜視図で
ある。

【００６４】図１及び図２に示すように、本実施形態の
ＱＦＰ型半導体装置５１は、支持体であるタブ１２のチ
ップ塔載面上に半導体チップ１を塔載し、この半導体チ
ップ１を封止体４で封止した構成になっている。

【００６５】前記半導体チップ１の外周囲の外側には、
封止体４の内外に亘って延在する複数本のリード１１が
配置されている。複数本のリード１１の夫々は、封止体
４の内部に位置するインナー部の先端部分が半導体チッ
プ１の外周囲の各辺に沿って配列され、封止体４の外部
に位置するアウター部が封止体４の外周囲の各辺に沿っ
て配列されている。複数本のリード１１の夫々のアウタ
ー部は、面実装リード形状として例えばカルウィング形
状に成形されている。

【００６６】前記複数本のリード１１の夫々は、半導体
チップ１の回路形成面に形成された複数個の電極ＢＰの
夫々に導電性のワイヤ３を介して電気的に接続されてい
る。複数本のリード１１のうち、所定のリードであるリ
ード１１Ｂのインナー部の先端部分は、他のリードであ
るリード１１Ａのインナー部の先端部分よりも半導体チ
ップ１から遠距離となるように、リード１１Ａのインナ
ー部上に互いに絶縁された状態で積層されている。本実
施形態において、リード１１Ｂのインナー部の先端部分
はリード１１Ａのインナー部の上面から離間した状態で
積層されており、リード１１Ｂのインナー部の先端部分
とリード１１Ａのインナー部との間に絶縁性フィルムは
介在されていない。

【００６７】前記リード１１Ｂのインナー部には、その
先端部分をリード１１Ａのインナー部よりも上方に位置
させるための曲げ加工が施されている。この曲げ加工に
より、リード１１Ａのインナー部上にその上面から離間
した状態でリード１１Ｂのインナー部の先端部分を積層
することができる。

【００６８】前記リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々
のアウター部は、互いに積層されることなく、封止体４
の外周囲の辺に沿って配列されている。本実施形態にお
いて、リード１１Ｂ及びリード１１Ａの夫々のアウター
部は、封止体４の外周囲の辺に沿って交互に配列されて
いる。また、リード１１Ｂ及びリード１１Ａは、封止体
４の内外に亘って一本のリード部材で構成されている。
また、リード１１Ｂ及びリード１１Ａは、図２２に示す
ように、封止体４から突出する突出部分の位置が異なる
平面に位置している。なお、図２２において、４Ａはダ
ム内樹脂部であり、２５Ａ１はダムバー(２５Ａ)を切断
する時に残存した残存部であり、２５Ｂ１はダムバー
(２５Ｂ)を切断する時に残存した残存部である。

【００６９】次に、前記ＱＦＰ型半導体装置５１の製造
に用いられる積層リードフレームの構成について、図２
３乃至図２８を用いて説明する。図２３は積層リードフ
レームの平面図であり、図２４は図２３のＩ−Ｉ線に沿
う断面図であり、図２５は前記積層リードフレームを構
成する下段リードフレームの平面図であり、図２６は図
２５のＪ−Ｊ線に沿う断面図であり、図２７は前記積層
リードフレームを構成する上段リードフレームの平面図
であり、図２８は図２７のＫ−Ｋ線に沿う断面図であ
る。

【００７０】図２５及び図２６に示すように、下段リー
ドフレーム３０Ａは、平面が方形状の枠体１５Ａで周囲
を規定された領域内において、複数本のリード１１Ａ、
タブ１２、四本の支持リード１３等を有する構成になっ
ている。

【００７１】前記複数本のリード１１Ａの夫々は四つの
リード群に分割され、四つのリード群の夫々はタブ１２
を囲むようにして枠体１５Ａの各辺毎に設けられてい
る。各リード群のリード１１Ａは枠体１５Ａの各辺に沿
って配列されている。また、各リード群のリード１１Ａ
は、封止体(４)の内部に配置されるインナー部と封止体
(４)の外部に配置されるアウター部とを有し、一本のリ
ード部材で構成されている。また、各リード群のリード
１１Ａは、インナー部の先端部分である一端側がタブ１
２に近接して配置され、アウター部の先端部分となる他
端側が枠体１５Ａの各辺毎に設けられた支持リード１４
Ａと一体化されている。また、各リード群のリード１１
Ａは、リード間からの樹脂の洩れを防止するダムバー２
５Ａを介して隣合うリード１１Ａと一体化されている。

【００７２】図２７及び図２８に示すように、上段リー
ドフレーム３０Ｂは、平面が方形状の枠体１５Ｂで周囲
を規定された領域内において、複数本のリード１１Ｂ等
を有する構成になっている。

【００７３】前記複数本のリード１１Ｂの夫々は四つの
リード群に分割され、四つのリード群の夫々は、下段リ
ードフレーム１０Ａのタブ(１２)が配置される中央領域
を囲むようにして枠体１５Ｂの各辺毎に設けられてい
る。各リード群のリード１１Ｂは枠体１５Ｂの各辺に沿
って配列されている。また、各リード群のリード１１Ｂ
は、封止体(４)の内部に配置されるインナー部と封止体
(４)の外部に配置されるアウター部とを有し、一本のリ
ード部材で構成されている。また、各リード群のリード
１１Ｂは、インナー部の先端部分である一端側が中央領
域に近接して配置され、アウター部の先端部分となる他
端側が枠体１５Ｂの各辺毎に設けられた支持リード１４
Ｂと一体化されている。また、各リード群のリード１１
Ｂは、リード間からの樹脂の洩れを防止するダムバー２
５Ｂを介して隣合うリード１１Ａと一体化されている。
ダムバー２５Ｂは、下段リードフレーム３０Ａ上に上段
リードフレーム３０Ｂを重ね合わせて積層した際、下段
リードフレーム３０Ａのダムバー２５Ａと重なる位置に
配置されている。

【００７４】図２３及び図２４に示すように、積層リー
ドフレーム３０は、下段リードフレーム３０Ａ上に上段
リードフレーム３０Ｂを重ね合わせて積層した二枚フレ
ーム構成になっている。即ち、積層リードフレーム１０
は、平面が方形状の枠体（１５Ａ，１５Ｂ）で周囲を規
定された領域内において、複数本のリード１１、タブ１
２、四本の支持リード１３、四本の支持リード１４Ａ、
四本の支持リード１４Ｂ、ダムバー２５Ａ及びダムバー
２５Ｂ等を有する構成になっている。

【００７５】前記下段リードフレーム３０Ａ、上段リー
ドフレーム３０Ｂの夫々は、半導体装置の製造工程での
取り扱いを容易にするため、枠体(１５Ａ，１５Ｂ)の領
域において、接着剤又は溶着によって互いに接着固定さ
れている。

【００７６】次に、前記ＱＦＰ型半導体装置５１の製造
方法について、図２９乃至図３３を用いて説明する。

【００７７】まず、図２３に示す積層リードフレーム３
０を準備する。次に、前記積層リードフレーム３０のタ
ブ１２のチップ塔載面上に接着剤２を介在して半導体チ
ップ１を塔載する。

【００７８】次に、ヒートステージに前記積層リードフ
レーム３０を装置し、その後、前述の実施形態と同様
に、前記積層リードフレーム３０のリード１１Ａのイン
ナー部にリード１１Ｂのインナー部の先端部分をウイン
ドクランパで押し付ける。この時、リード１１Ａのイン
ナー部とリード１１Ｂのインナー部の先端部分との間に
絶縁性フィルムを介在していないので、リード１１Ａの
インナー部にリード１１Ｂのインナー部の先端部分が直
に接触し、ヒートステージの熱がリード１１Ｂのインナ
ー部の先端部分に有効に伝わる。

【００７９】次に、前記半導体チップ１の電極ＢＰとリ
ード１１Ａのインナー部の先端部分とを導電性のワイヤ
３で電気的に接続すると共に、半導体チップ１の電極Ｂ
Ｐとリード１１Ｂのインナー部の先端部分とを導電性の
ワイヤ３で電気的に接続する。このワイヤ３の接続は、
熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法で行う。
この工程において、リード１１Ａのインナー部とリード
１１Ｂのインナー部の先端部分との間に絶縁性フィルム
を介在していないので、接続時のボンディング加重及び
超音波振動がリード１１Ｂのインナー部の先端部分に有
効に伝わる。この後、ウインドクランパを取り外すこと
により、リード１１Ｂのインナー部の先端部分はその弾
性力によってスプリングバックする。ここまでの工程を
図２９（平面図）及び図３０（図２９のＬ−Ｌ線に沿う
断面図）に示す。

【００８０】次に、成形金型２０の上型２０Ａと下型２
０Ｂとで形成されるキャビティ２１内に前記半導体チッ
プ１、ワイヤ３、リード１１のインナー部等が配置され
るように、上型２０Ａと下型２０Ｂとの間に前記積層リ
ードフレーム３０を配置し、その後、図３３に示すよう
に、上型２０Ａと下型２０Ｂとで積層リードフレーム１
０を挾み込む(クランプする)。この時、成型金型２０の
クランプ力により、ダムバー２５Ａとダムバー２５Ｂが
密着する。なお、ダムバー２５Ａ、２５Ｂの夫々は、積
層リードフレーム３０を形成する段階において、接着剤
で接着しておいてもよい。

【００８１】次に、リード１１Ａと一体化されたダムバ
ー２５Ａ及びリード１１Ｂと一体されたダムバー２５Ｂ
を一括して切断する。この工程において、ダムバーの切
断はリード２５Ｂとリード２５Ａとの間において行なわ
れるので、ダムバー２５Ａとダムバー２５Ｂとが接着剤
で接着されている場合、封止体４から突出するリード１
１Ａの突出部分にダムバー２５Ｂの一部が残存(残存部
２５Ｂ１)し、封止体４から突出するリード１１Ｂの突
出部分にダムバー２５Ａの一部が残存（残存部２５Ａ
１)する。

【００８２】次に、メッキ処理を施し、その後、前記積
層リードフレーム３０の支持リード(１４Ａ，１４Ｂ)か
らリード１１を切断し、その後、リード１１のアウター
部を面実装リード形状として例えばガルウィング形状に
成形する。この時、リード１１のアウター部は封止体４
の辺に沿って配列されているので、全てのリード１１の
アウター部を同一形状で成形することができ、リード１
１のアウター部の成形を容易に行うことができる。

【００８３】次に、前記積層リードフレーム３０の枠体
１５Ａから支持リード１３を切断することにより、図２
０、図２１及び図２２に示すＱＦＰ型半導体装置５１が
ほぼ完成する。このように、本実施形態によれば前述の
実施形態１と同様の効果が得られる。

【００８４】（実施形態３）図３４は本発明の実施形態
３であるＱＦＰ型半導体装置の封止体の上部を除去した
状態の平面図であり、図３５は図３４のＮ−Ｎ線に沿う
断面図であり、図３６は前記半導体装置の要部斜視図で
あり、図３７は前記半導体装置の製造に用いられる積層
リードフレームの平面図であり、図３８は図３７のＰ−
Ｐ線に沿う断面図であり、図３９は前記積層リードフレ
ームを構成する下段リードフレームの平面図であり、図
４０は図３９に示すＱ−Ｑ線に沿う断面図であり、図４
１は前記積層リードフレームを構成する上段リードフレ
ームの平面図であり、図４２は図４１のＲ−Ｒ線に沿う
断面図である。

【００８５】図３４、図３５及び図３６に示すように、
本実施形態のＱＦＰ型半導体装置５２は、複数本のリー
ド１１のうち、所定のリードであるリード１１Ｂがイン
ナーリード部材２６Ａとアウターリード部材２６Ｂとで
構成され、他のリードであるリード１１Ａが一本のリー
ド部材で構成されている。インナーリード部材２６Ａは
一部が封止体４の外部に位置しており、このインナーリ
ード部材２６Ａの一部とアウターリード部材２６Ｂの一
部が積層された状態で溶着によって電気的にかつ機械的
に接合されている。即ち、リード１１Ａ及びリード１１
Ｂは、封止体４から突出する突出部分の位置が異なる平
面に位置している。

【００８６】前記アウターリード部材２６Ｂは、リード
フレームの段階において、図３９及び図４０に示すよう
に、下段リードフレーム４０Ａに設けられている。前記
インナーリード部材２６Ａは、リードフレームの段階に
おいて、図４１及び図４２に示すように、上段リードフ
レーム４０Ｂに設けられている。リード１１Ｂは、下段
リードフレーム４０Ａと上段リードフレーム４０Ｂとを
互いに重ね合わせて図３７及び図２８に示す積層リード
フレーム４０を形成する際、インナーリード部材２６Ａ
の一部とアウターリード部材２６Ｂの一部とを接合する
ことによって形成される。

【００８７】次に、前記ＱＦＰ型半導体装置５２の製造
方法について簡単に説明する。まず、前記積層リードフ
レーム４０のタブ１２のチップ塔載面上に接着剤２を介
在して半導体チップ１を塔載し、その後、ヒートステー
ジに前記積層リードフレーム４０を装置し、その後、前
述の実施形態と同様に、前記積層リードフレーム４０の
リード１１Ａのインナー部にリード１１Ｂのインナー部
の先端部分をウインドクランパで押し付ける。この時、
リード１１Ａのインナー部とリード１１Ｂのインナー部
の先端部分との間に絶縁性フィルムを介在していないの
で、ヒートステージの熱がリード１１Ｂのインナー部の
先端部分に有効に伝わる。

【００８８】次に、前記半導体チップ１の電極ＢＰとリ
ード１１Ａのインナー部の先端部分とを導電性のワイヤ
３で電気的に接続すると共に、半導体チップ１の電極Ｂ
Ｐとリード１１Ｂのインナー部の先端部分とを導電性の
ワイヤ３で電気的に接続する。このワイヤ３の接続は、
熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法で行う。
この工程において、リード１１Ａのインナー部とリード
１１Ｂのインナー部の先端部分との間に絶縁性フィルム
を介在していないので、接続時のボンディング加重及び
超音波振動がリード１１Ｂのインナー部の先端部分に有
効に伝わる。

【００８９】次に、成形金型の上型と下型とで形成され
るキャビティ内に前記半導体チップ１、ワイヤ３、リー
ド１１のインナー部等が配置されるように、上型と下型
Ｂとの間に前記積層リードフレーム４０を配置し、その
後、上型と下型とで積層リードフレーム４０を挾み込
む。

【００９０】次に、リード１１Ａと一体化されたダムバ
ー２５Ａ及びリード１１Ｂと一体されたダムバー２５Ｂ
を一括して切断する。この工程において、ダムバーの切
断はリード間において行なわれるので、封止体４から突
出するリード１１Ａの突出部分にダムバー２５Ｂの一部
が残存(残存部２５Ｂ１)する。

【００９１】次に、メッキ処理を施し、その後、前記積
層リードフレーム３０の支持リード(１４Ａ，１４Ｂ)か
らリード１１を切断し、その後、リード１１のアウター
部を面実装リード形状として例えばガルウィング形状に
成形する。この時、リード１１のアウター部は封止体４
の辺に沿って配列されているので、全てのリード１１の
アウター部を同一形状で成形することができ、リード１
１のアウター部の成形を容易に行うことができる。

【００９２】次に、前記積層リードフレーム４０の枠体
１５Ａから支持リード１３を切断することにより、図３
４、図３５及び図３６に示すＱＦＰ型半導体装置５２が
ほぼ完成する。このように、本実施形態によれば前述の
実施形態１と同様の効果が得られる。

【００９３】なお、実施形態１〜実施形態３では、リー
ド１１Ａとリード１１Ｂとを交互に配列した例について
説明したが、必ずしも規則的に配列する必要はない。ま
た、下段のリード本数と上段のリード本数とを同一にす
る必要もない。

【００９４】また、実施形態１〜実施形態３では、リー
ドを二段重ねにした例について説明したが、リードの重
ね段数は三段以上であってもよい。

【００９５】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。

【００９６】例えば、本発明は、半導体チップを支持す
る支持体としてヒートスプレッダを有する半導体装置に
適用できる。また、本発明は、セラミック封止型半導体
装置に適用できる。また、本発明は、ＺＩＰ型、ＳＩＰ
型等の一方向リード配列構造やＴＳＯＰ型等の二方向リ
ード配列構造の半導体装置に適用できる。

【００９７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。リード本数の増加に伴う半導体装置
の大型化を抑制することができる共に、リードのアウタ
ー部の成形を容易に行うことができる。また、リード本
数の増加に伴う半導体装置の大型化を抑制することがで
きると共に、半導体装置の標準化を図ることができる。
また、半導体装置の電気的信頼性を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態１である半導体装置の封止
体の上部を除去した状態の平面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図３】 前記半導体装置の要部斜視図である。

【図４】 前記半導体装置の製造に用いられる積層リー
ドフレームの平面図である。

【図５】 図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図６】 前記積層リードフレームを構成する下段リー
ドフレームの平面図である。

【図７】 図６のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

【図８】 前記積層リードフレームを構成する上段リー
ドフレームの平面図である。

【図９】 図８のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

【図１０】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図１１】 図１０のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【図１２】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図１３】 図１２のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。

【図１４】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図１５】 図１４のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。

【図１６】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図１７】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図１８】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図１９】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図２０】 本発明の実施形態２である半導体装置の封
止体の上部を除去した状態の平面図である。

【図２１】 図２０に示すＨ−Ｈ線に沿う断面図であ
る。

【図２２】 前記半導体装置の要部斜視図である。

【図２３】 前記半導体装置の製造に用いられる積層リ
ードフレームの平面図である。

【図２４】 図２３に示すＩ−Ｉ線に沿う断面図であ
る。

【図２５】 前記積層リードフレームを構成する下段リ
ードフレームの平面図である。

【図２６】 図２５に示すＪ−Ｊ線に沿う断面図であ
る。

【図２７】 前記積層リードフレームを構成する上段リ
ードフレームの平面図である。

【図３８】 図２７に示すＫ−Ｋ線に沿う断面図であ
る。

【図２９】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図３０】 図２９に示すＬ−Ｌ線に沿う断面図であ
る。

【図３１】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の平面図である。

【図３２】 図３２に示すＭ−Ｍ線に沿う断面図であ
る。

【図３３】 前記半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図３４】 本発明の実施形態３である半導体装置の封
止体の上部を除去した状態の平面図である。

【図３５】 図３４のＮ−Ｎ線に沿う断面図である。

【図３６】 前記半導体装置の要部斜視図である。

【図３７】 前記半導体装置の製造に用いられ積層リー
ドフレームの平面図である。

【図３８】 図３７のＰ−Ｐ線に沿う断面図である。

【図３９】 前記積層リードフレームを構成する下段リ
ードフレームの平面図である。

【図４０】 図３９のＱ−Ｑ線の沿う断面図である。

【図４１】 前記積層リードフレームを構成する上段リ
ードフレームの平面図である。

【図４２】 図４１に示すＲ−Ｒ線に沿う断面図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体チップ、２…接着剤、３…ワイヤ、４…封止
体、１０，３０，４０…積層リードフレーム、１０Ａ，
３０Ａ，４０Ａ…下段リードフレーム、１０Ｂ，３０
Ｂ，４０Ｂ…上段リードフレーム、１１リード、１２…
タブ、１３…支持リード、１４Ａ，１４Ｂ…支持リー
ド、１５Ａ，１５Ｂ…枠体、１６…テープダム、１７…
ヒートステージ、１８…ウインドクランパ、１９…ボン
ディングツール、２０…成型金型、２０Ａ…上型、２０
Ｂ…下型、２１…キャビティ、２５Ａ，２５Ｂ…ダムバ
ー、５０，５１，５２…ＱＦＰ型半導体装置。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平面が方形状の封止体と、前記封止体の
   内部に位置し、表裏面のうちの回路形成面に複数個の電
   極が形成された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
   って延在し、前記半導体チップの電極に電気的に接続さ
   れる複数本のリードとを有する半導体装置であって、 前記複数本のリードのうち、所定のリードのインナー部
   の先端部分は他のリードのインナー部上に互いに絶縁さ
   れた状態で積層され、 前記所定のリード及び前記他のリードの夫々のアウター
   部は前記封止体の辺に沿って配列されていることを特徴
   とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記所定のリードのインナー部の先端部
   分は、前記他のリードのインナー部の先端部分よりも前
   記半導体チップから遠距離となるように積層されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記所定のリード及び前記他のリードの
   夫々のインナー部の先端部分は、前記半導体チップの電
   極に導電性のワイヤを介して電気的に接続されているこ
   とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装
   置。
4. 【請求項４】 前記所定のリードのインナー部の先端部
   分は、前記他のリードのインナー部の上面から離間した
   状態で積層されていることを特徴とする請求項１乃至請
   求項３のうち何れか一項に記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記所定のリードのインナー部には、そ
   の先端部分を前記他のリードのインナー部よりも上方に
   位置させる曲げ加工が施されていることを特徴とする請
   求項１乃至請求項４のうち何れか一項に記載の半導体装
   置。
6. 【請求項６】 前記所定のリード及び前記他のリード
   は、前記封止体から外部に突出する突出部分が同一平面
   に位置していることを特徴とする請求項１乃至請求項５
   のうち何れか一項に記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記所定のリード及び前記他のリード
   は、前記封止体から外部に突出する突出部分が異なる平
   面に位置していることを特徴とする請求項１乃至請求項
   ５のうち何れか１項に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記所定のリード及び他のリードは、一
   本のリード部材で構成されていることを特徴とする請求
   項６又は請求項７に記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記所定のリードは、一部が前記封止体
   の外部に突出するインナーリード部材と、一部が前記イ
   ンナーリード部材の一部に固定されたアウターリード部
   材とで構成され、前記他のリードは一本のリード部材で
   構成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導
   体装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体チップは支持体のチップ塔
    載面上に塔載され、前記封止体は絶縁性の樹脂で形成さ
    れていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のうち
    何れか一項に記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 支持体及び複数本のリードを有し、前
    記複数本のリードのうち、所定のリードのインナー部の
    先端部分は、他のリードのインナー部の先端部分よりも
    前記支持体から遠距離となるように前記他のリードのイ
    ンナー部上に互いに絶縁された状態で積層され、前記所
    定のリード及び前記他のリードの夫々のアウター部はそ
    のリード幅方向に沿って配列されている積層リードフレ
    ームを準備する工程と、 前記積層リードフレームの支持体に半導体チップを塔載
    する工程と、 前記半導体チップの電極と前記リードのインナー部の先
    端部分とを導電性のワイヤで電気的に接続する工程と、 前記半導体チップ、前記支持体、前記複数本のリードの
    夫々のインナー部及び前記ワイヤを絶縁性樹脂からなる
    封止体で封止する工程とを備えたことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 支持体及び複数本のリードを有し、前
    記複数本のリードのうち、所定のリードのインナー部の
    先端部分は、他のリードのインナー部の先端部分よりも
    前記支持体から遠距離となるように前記他のリードのイ
    ンナー部上にその表面から離間した状態で積層され、前
    記所定のリード及び前記他のリードの夫々のアウター部
    はそのリード幅方向に沿って配列されている積層リード
    フレームを準備する工程と、 前記積層リードフレームの支持体に半導体チップを塔載
    する工程と、 前記積層リードフレームをヒートステージに装着し、前
    記所定のリードのインナー部の先端部分を前記他のリー
    ドのインナー部に押し付けた状態で前記半導体チップの
    電極と前記所定のリードのインナー部の先端部分とを導
    電性のワイヤで電気的に接続すると共に、前記半導体チ
    ップの電極と前記他のリードのインナー部の先端部分と
    を導電性のワイヤで電気的に接続する工程と、 前記半導体チップ、前記支持体、前記複数本のリードの
    夫々のインナー部及び前記ワイヤを絶縁性樹脂からなる
    封止体で封止する工程とを備えたことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。