JP2000031228A

JP2000031228A - 半導体装置の製造方法及び検査方法

Info

Publication number: JP2000031228A
Application number: JP10195510A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Miura; 博三浦
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1998-07-10
Filing date: 1998-07-10
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】 OBIRCH法に基づいて、プラグ欠陥の発生原因
を究明する方法を提供する。【解決手段】２端子抵抗測定法でチェーン抵抗Ｒを求
めた後、レーザービームを走査しながらチェーンパター
ンでの電流波形を観測し、電流波形が正負に変化した回
数から欠陥数ｘを求める。基板内任意箇所についてチェ
ーン抵抗Ｒと欠陥数ｘを調べる。図６に示すように、サ
ンプルＡ，Ｂ，Ｃの欠陥数ｘとチェーン抵抗Ｒの関係か
ら、それぞれ近似線Ｒ＝ｍｘ＋ｂを求める。切片ｂから
無欠陥状態のチェーン抵抗が推定できる。さらに、傾き
ｍが大きいサンプルではヴィアホールの側壁に不具合が
あるために上面が平坦な形状のボイドが存在し、一方、
傾きｍが小さいサンプルではＡｌを流動させるための温
度や保持時間が不足し、流動途中でプロセスが終了した
ためにドーム形状のボイドが存在すると推定できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の検査
方法及びその検査方法を取り入れた半導体装置の製造方
法に関し、特に、多数存在するコンタクトやヴィアホー
ルの抵抗バラツキの原因を究明する検査方法及びその検
査方法を取り入れた半導体装置の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置においては、上下配線を接続
孔(以下ヴィアホールと記載する)で連結する。近年、プ
ロセスコスト低減やヴィアホールの低抵抗化の要求か
ら、配線と同一材料であるＡｌでヴィアホールを埋め込
むＡｌプラグが採用されている。Ａｌプラグは、高温も
しくは高温高圧を併用した雰囲気で、ホール内へのＡｌ
材料流動性を促進させて形成する。このプロセスは、雰
囲気中の残留ガス、ホール側壁の状態、ホール形状、Ａ
ｌ材質自体等々、多くの要因に影響を受けやすく、プロ
セスマージンが制限される。デザインルール縮小に伴
い、アスペクト比が増加するにつれて歩留まりを維持す
ることが益々困難になってくる。今後、配線材料の主流
になると考えられるＣｕプラグ形成技術についてもＡｌ
と同様の課題がある。

【０００３】安定したＡｌもしくはＣｕの埋め込みを実
現し、製品の歩留まりを維持するには、検査技術が益々
重要になる。コンタクトもしくはヴィアホール抵抗のバ
ラツキをモニターし、製品が許容値内に収まっているか
否かを把握する検査や歩留まりが低下した際に原因を迅
速に把握し製造工程にフィードバックをかけるインライ
ン検査が必要になる。

【０００４】従来、何らかの工程異常が発生し、ホール
抵抗及び均一性が規格値から外れた場合、ホール部分を
へき開し走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)で観察し、その原因
を調べてきた。しかし、その手法では観察ホール数に限
界があり、多数存在するヴィアホールの状態を数個〜数
百個のホールを観察し推測することになる。そのため、
確実な埋込状態検査方法とは言えない。また、ホールの
微細化により、ボイド等の欠陥も微小になりＳＥＭ等の
断面観察で得られる情報が少なくなってきた。

【０００５】この様な問題の解決方法が特開平８−２５
５８１８号公報や特開平９−１４５７９５号公報に開示
されている。これらの手法は、一般的にNB-OBIC(Non Bi
as Optical Beam Induced Current)法とOBIRCH(Optical
Beam Induced Resistance Change;光加熱抵抗変化検出
法)法と呼ばれている。以後の説明では、両者を区別せ
ずにOBIRCH法と記載する。

【０００６】OBIRCH法による金属配線もしくはヴイアホ
ールの不良検出方法について説明する。OBIRCH法では、
配線中に存在するボイド等の欠陥近傍での熱伝導性の変
化を利用して欠陥位置を同定する。レーザービームで配
線もしくはホールチェーンを加熱した場合、欠陥部分と
正常部分とで熱伝導性が異なり、温度差が生じる。温度
により配線抵抗が変化することから、電流波形をモニタ
ーし、レーザービームの走査との同期をとることによ
り、欠陥の発生箇所が特定できる。現状ではOBIRCH法
は、信頼性試験などを実施して故障に至ったサンプルに
ついて、故障個所を同定するのに用いられている。

【０００７】図１に上下配線をＡｌプラグで連結したチ
ェーンパターンのOBIRCH観察結果を示す。１０１はレー
ザー顕微鏡によるチェーンパターンの上方視、１０２は
同じ位置のOBIRCH像である。OBIRCH法では、欠陥部がコ
ントラスト変化として検知する。像の中で例えば１０２
１に示す白黒の点が欠陥部に対応する。１０２では視野
内に１５個の白黒点が認められることから、この領域に
は１５個の欠陥(ボイド)が存在する。通常は、図１のデ
ータをもとに欠陥の位置を判定し、ＳＥＭやＦＩＢ(Foc
used Ion Beam)など断面観察の手法を併用して不良原因
を調べる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】OBIRCH法が半導体製造
工程においてインライン検査的な使われ方をされない理
由が幾つかあげられる。（１）得られる情報が少ない。データはコントラスト
変化による画像であるので、欠陥の位置情報に限られて
いる。欠陥の発生原因を推定するための情報が得られな
い。（２）結果の判定に時間が掛かる。データはコントラ
スト変化による画像であるので、画像処置や、欠陥と正
常部の判別など人手による作業が必要であり、多数のサ
ンプルを短時間に評価できない。（３）サンプル間の比較が難しい。同一サンプル内で
欠陥部と正常部を判別することは容易であるが、基準が
設定しにくいためにサンプル間の比較が難しい。

【０００９】上記の問題点は、具体的に数値化された定
量的なデータが得られないために生じる。本発明の第１
の目的は、OBIRCH法に基づいて、欠陥の発生原因を究明
する方法を提供することである。本発明の第２の目的
は、製造プロセスに本方法によるインライン検査を取り
入れ、製造工程における不具合を早期発見しフィードバ
ックする半導体装置の製造方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置を
構成する配線又は配線間を連結するメタルプラグの欠陥
発生状況を調べる半導体装置の検査方法である。上下配
線を接続孔で連結したチェーンパターンを基板内に複数
個形成し、少なくとも２個以上のチェーンパターンの検
査対象において、最初に２端子抵抗測定法を用いて検査
対象の抵抗値Ｒを求め、次に検査対象の電流密度を所定
の範囲に設定した状態で、レーザービームを検査対象に
走査しながら電流変化を検出し、電流値が基準値に対し
て増減した回数を欠陥数ｘとして求める。複数箇所にお
ける検査対象の抵抗値Ｒと欠陥数ｘの関係から、直線性
があればメタルプラグの欠陥が抵抗バラツキの原因であ
ると判断し、直線性がなければ他の原因であると判断す
る。複数個のチェーンパターンにおける抵抗値Ｒ及び欠
陥数ｘから欠陥数ｘと抵抗値Ｒの関係を表す直線Ｒ＝ｍ
ｘ＋ｂを求め、ｍ値から欠陥の発生原因を推定し、ｂ値
から無欠陥状態の抵抗値を推定する。本発明では、具体
的に数値化された定量的なデータを得ることができ、欠
陥の発生原因を究明することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】半導体装置を構成する金属配線、
及び層間膜で隔てられて上下配線を連結する接続孔の製
造工程において、配線形状に加工した後に、本発明によ
る半導体装置の検査方法を製造工程に取り入れることが
好ましく、さらに、その検査の後に接続孔への金属配線
材料の埋込処理を再び行う追加処理を取り入れることが
好ましい。欠陥の発生原因によっては、追加処理により
欠陥を解消することができる。

【００１２】本発明による検査方法にかかる検査対象へ
の印加電圧は、検査対象の電流密度が１×１０³Ａ/ｃｍ
²〜２×１０⁵Ａ/ｃｍ²の範囲内となるものであることが
好ましい。図１０に、印加電圧を変化させた場合のOBIR
CH像でのコントラスト変化の様子を示す。印加電圧を０
Ｖから増加させた場合の白黒点の強度変化を示してい
る。０Ｖでは、ボイドの存在を示す強い白黒点１１１
と、欠陥の有無に関わらずヴィアチェーン全体に若干弱
い白黒点１１２が認められる。印加電圧を増加させる
と、チェーン全体に見られた弱い白黒点のうちノイズ成
分１１２の強度が減少し消失する。電圧値Ｘ以上では、
ボイドの存在を示す白黒点１１１とボイド以外の微弱な
欠陥情報である弱い白黒点１１３が認められる。電圧値
ＸＸ以上では、弱い白黒点１１３も消失し、ボイドを示
す白黒点１１１は黒点のみの像になる。ノイズ成分を除
去して、ボイド１１１と微弱な欠陥情報３１３が検知で
きる条件の範囲は、印加電圧ＸからＸＸの範囲に限られ
ている。そのため、測定電圧はＸ以上ＸＸ以下に設定し
なければならない。１１３に示す微弱な欠陥情報とは、
結晶粒界が存在するＡｌプラグを示している。具体的な
数値を示すと、印加電圧Ｘは電流密度が１×１０³Ａ/ｃ
ｍ²となる電圧、印加電圧ＸＸは２×１０⁵Ａ/ｃｍ²とな
る電圧である。

【００１３】

【実施例】Ａｌプラグヴィアホールチェーンの製造工程
を例として、本発明の構成動作を説明する。 (実施例１)図２に一実施例としての半導体装置の製造工
程を示す。ヴィアホール開口(２０１)からパッシベーシ
ョン成膜(２０５)までの工程を示す。（２０１）半導体基板上にトランジスタなどの素子や
下層配線を形成し、半導体基板上の全面に絶縁性の層間
膜を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチング
により、層間膜にヴィアホールを形成する。（２０２）半導体基板上の全面にＡｌを成膜するとと
もに、ヴィアホールにＡｌを埋め込む。（２０３）成膜したＡｌをパターニングして上層配線
を形成する。（２０４） OBIRCH法に基づいた検査方法により、ヴィ
アホールの埋込状態を検査する。（２０５）半導体基板上の全面にパッシベーション膜
を成膜する。本製造方法では上層メタルエッチング(２０３)後にヴィ
アホールの検査工程(２０４)を取り入れている。

【００１４】図３に、図２のヴィアホールの検査工程
(２０４)で用いる検査方法の一実施例を示す。３０１
は、その実施例の構成を表し、３０２は、検出される電
流波形を表す。３０１１〜３０１５は検査対象であるヴ
ィアチェーンを示す。３０１１は上層Ａｌ配線、３０１
２は下層Ａｌ配線、３０１３は上下配線を接続するヴィ
アホール、３０１４及び３０１５はパッドである。パッ
ド３０１４側に定電圧源３０１６を接続し、パッド３０
１５側には電流変化を検出する電流計３０１７を接続す
る。３０１８は配線を加熱するレーザービームである。
観察に用いるＨｅ−Ｎｅレーザーは波長６３３ｎｍ、出
力１７ｍＷである。レーザービーム３０１８は上層Ａｌ
配線３０１１上を走査する。

【００１５】ウエハでは半導体装置を構成する製品形成
領域と、この検査用のヴィアチェーンの領域３０１とを
ともに形成しておく。そして、ヴィアホールのアスペク
ト比は、製品形成領域よりもこの検査用ヴィアチェーン
の方が大きくなるように形成しておく。OBIRCH観察では
ボイド等の欠陥が存在すると電流変化が起こる。従っ
て、得られる電流波形３０２は、基準値３０２１に対し
て、正側３０２２、負側３０２３に変化する。ここで、
レーザービーム走査と同期をとり、チェーンパターン内
で波形が何回正負に変化したかを数え、欠陥数ｘとす
る。

【００１６】本実施例の検査手順を図４に示す。本方法
は４０１〜４０６の手順で行う。手順４０１では、２端
子抵抗測定法でチェーン抵抗Ｒを求める。手順４０２〜
４０３では、レーザービームを走査しながらチェーンパ
ターンでの電流波形を観測する。観察の際は、電流密度
が５×１０⁴Ａ/ｃｍ²になるように印加電圧を設定す
る。手順４０４では欠陥数ｘを求める。OBIRCH像のもと
になるデータは電流波形である。電流波形を輝度変換し
画像を形成することもできる。従って、欠陥数は図１の
ような画像から求めてもよく、又は図３中３０２に示す
電流波形から直接求めてもかまわない。必要とするデー
タは一定領域における欠陥の数である。

【００１７】手順４０５では、基板内の任意箇所につい
てチェーン抵抗Ｒと欠陥数ｘを調べる。図５は手順４０
５の説明図であり、(Ａ)は基板(ウェハー)５０１の上方
視を示し、(Ｂ)は測定点と欠陥数及び抵抗値を表す表で
ある。基板５０１上に形成された面内の任意箇所１、２
…ｎのチェーンパターン５０２に対して手順４０１から
４０４に示した観測を同じ条件で行い、チェーン抵抗Ｒ
１、Ｒ２…Ｒｎと、各々の欠陥数ｘ１、ｘ２…ｘｎを求
める。手順４０６では、上記観測で得られたチェーン抵
抗Ｒと欠陥数ｘから、ウェハー面内における抵抗バラツ
キの原因を解析する。

【００１８】図６は、抵抗バラツキがあるウェハー(サ
ンプル)の観察結果を表すグラフである。上記に記載し
た方法によるウェハー面内の数点のチェーン抵抗値Ｒ
と、欠陥数ｘの関係を示している。ここで検査したチェ
ーンパターンは、ヴィアホール径０.４μｍ、上下配線
の配線幅は０.９μｍ、配線間スペースは０.５μｍであ
り、ホール数は３６００個である。サンプルＡ，Ｂ，Ｃ
の欠陥数ｘとチェーン抵抗Ｒの関係を表した近似線Ｒ＝
ｍｘ＋ｂにおける傾きｍ、切片ｂの値を図中に示す。

【００１９】切片ｂから無欠陥状態のチェーン抵抗が推
定できる。切片ｂの値をサンプル間で比較することによ
り、例えばヴィアホールの仕上がり径の変化、メタル配
線の抵抗変化などの情報が引き出せる。欠陥がなけれ
ば、図中サンプルＢは２.９ｋΩのチェーン抵抗を示す
と推測され、サンプルＣは３.７ｋΩを示すと推測され
る。ＢとＣとでは、ヴィアホールエッチングのオーバー
エッチング量が異なっている。ＢはＣよりもホール径が
拡がり、抵抗が低く、その差が切片ｂに現れている。

【００２０】図６に示す直線の傾きｍは、欠陥１個当た
りの抵抗への影響度を表す。傾きｍの値(ｍ値)はホール
中に存在するボイドの形状を間接的に示している。図７
にヴィアチェーンの断面形状を示す。７０１は上層Ａｌ
配線、７０２は下層Ａｌ配線、７０３ａ，７０３ｂはヴ
ィアホール７０４底部に存在するボイドを示している。
７０５は層間膜である。

【００２１】傾きｍが大きいサンプルには、(Ａ)に示す
様に、上面が平坦な形状を示すボイド７０３ａが存在す
る。(Ａ)に示すボイド形状は、ヴィアホール７０４の側
壁に不具合がある場合に発生する。この場合はＡｌのホ
ール内への流動が完全に阻害されている。一方、傾きｍ
が小さいサンプルでは、(Ｂ)に示す様に、ボイド７０３
ｂはドーム形状を示す。(Ｂ)に示すボイド形状は、ヴィ
アホール７０４内にＡｌを流動させるための温度や保持
時間が不足し、流動途中でプロセスが終了したことを示
している。この場合、ホール側壁には問題がない。

【００２２】この様に、Ａｌ埋込では発生原因によりボ
イド形状が異り、ボイド形状をモニターすることにより
発生原因が推定できる。ここで示したチェーン構成で
は、ｍ≒０.１が判定基準になる。ｍ値が０.１より大き
いサンプルＡ及びＢではホール側壁の不具合に起因し
て、ボイドが発生していると考えられる。ｍ値が０.１
より小さいサンプルＣは、ホール側壁には問題はない
が、埋込温度が低いためにボイドが発生したと考えられ
る。この様に、ｍ値を調べることにより、不良発生原因
を非破壊検査で把握することができる。

【００２３】不良は発生していないが、現状の処理条件
がどのような状態にあるかをモニターする場合、つまり
定常的な検査方法として使用する場合には、埋込処理条
件を変更する。通常の条件に対して、埋込の温度を下げ
るか、保持時間を短くして埋込不良が存在するモニター
用のサンプルを作成する。モニターサンプルについてこ
の発明の検査を行い、傾きｍを求める。ｍ値を基準値
(例えばｍ＝０.１)と比較し、現行プロセスのマージン
を確認する。

【００２４】（実施例２）実施例１に示した検査方法の
製造工程への適用方法を示す。配線工程ではリソグラフ
ィー工程のような再処理ができない。不良が発生したサ
ンプルは破棄される。配線工程は半導体製造の最終工程
に当たり、破棄した場合には工程費用や原材料費など多
大な損失を受けることになる。本実施例では、この様な
問題を解決するために実施例１に示した検査方法と組み
合わせて再処理を行い、不良を改善する方法を示す。ヴ
ィアホールの埋込不良は、原因によっては再処理で回復
する場合もある。プロセス途中で非破壊検査を行い、不
良状況を明らかにし、状況に見合った再処理を行う方法
を提供する。

【００２５】実施例２としての製造方法のプロセスフロ
ーを図８に示す。手順８０１にてチェーン構造形成後
に、手順８０２にてヴイアホールの状態を調べる。欠陥
がない場合は製品化として次の工程に移す。欠陥がある
場合は、手順８０３にて実施例１に記載の方法で傾きｍ
を求め、ｍ値から追加処理を行うか否かを決定する。ｍ
値が基準値以内であれば高圧リフロー法による再処理
(追加処理)を行う。実施例１に示したチェーン構成の場
合は、基準値をｍ≒０.１とする。ｍが基準値０.１より
も大きなサンプルでは、ヴィアホール側壁に不具合があ
りＡｌの流動が完全に停止しており、追加処理を行って
も欠陥は完全にはなくならないので廃棄する。ｍが基準
値０.１よりも小さいサンプルに対して追加処理の効果
が現れる。追加処理後、欠陥が解消された場合は製品化
として次の工程に移す。

【００２６】図９は追加処理前後における欠陥数の変化
を示している。サンプルＤは、高圧リフロー法により作
成したヴィアホールチェーンである。チェーン構造は実
施例１と同様である。Ａｌ埋込は、基板温度４１０℃、
７００ｋｇ/ｃｍ²のアルゴンガス雰囲気にウェハーを９
０秒間保持で行った。この条件では図９に示すようにボ
イドが発生し、傾きｍは０.０９であった。Ｄ’はこの
サンプルに対して追加処理を行った結果である。追加処
理には高圧リフロー装置を用い、４５０℃、７００ｋｇ
/ｃｍ²のアルゴンガス雰囲気に９０秒間サンプルを保持
した。サンプルＤ’では、ウェハー内における何のチェ
ーンパターンにおいてもボイドは認められなかった。こ
のように、ｍ値が基準値以内のサンプルでは、追加処理
を行うことで不良が改善できる。

【００２７】追加処理を行う装置は、例えばウェハー加
熱用のヒーター、ウェハーを処理するチャンバーにアル
ゴン高圧雰囲気を形成する昇圧機構、ウェハー搬送機
構、処理室を真空排気する排気系で構成されている。ま
た、ウェハーを複数枚同時処理でき、バッチ処理により
スループットを向上させることもできる構成とすること
が好ましい。この装置は、単独で設置してもよく、マル
チスパッタ装置の一つのモジュールとして設置してもよ
い。欠陥数が少ない場合は、検査装置のレーザー加熱で
追加処理を行うことが好ましい。図１に示したOBIRCH像
により欠陥位置を求め、その位置にレーザービームを移
動し、検査時よりもレーザーの出力を大きく、またパル
ス幅を長く設定することにより、ボイドが存在するホー
ル上部のＡｌ配線を加熱しホール内に流動させる。この
方法を採用することにより、不良の検査と追加処理によ
る不良の改善を同一装置内で行うこともできる。

【００２８】

【発明の効果】本発明では、配線及びヴィアホールの検
査方法を示した。この方法では、欠陥の情報を定量的に
取り扱うことができ、サンプル間の比較、不良原因の究
明が従来法と比較して、簡便に行えるようになる。さら
に、この方法を配線形成工程のインライン検査に用い
て、さらに追加処理工程を設けることにより、ヴィアホ
ールの埋込不良が改善でき、従来の製造方法と比較し
て、製品の歩留まりが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】上下配線をＡｌプラグで連結したチェーンパ
ターンのOBIRCH観察結果を示す図である。

【図２】一実施例としての半導体装置の製造工程を示
す図である。

【図３】検査方法の一実施例を示す図である。

【図４】同実施例の検査手順を示す図である。

【図５】同実施例の手順４０５の説明図である。

【図６】抵抗バラツキがあるウェハーにおける欠陥数
とチェーン抵抗の関係を表すグラフである。

【図７】ボイド形状を表すヴィアチェーンの断面図で
ある。

【図８】本発明を適用した製造方法のプロセスフロー
を示す図である。

【図９】欠陥数とチェーン抵抗の関係を表す図であ
り、追加処理前後における欠陥数の変化を示す図であ
る。

【図１０】印加電圧を変化させた場合のOBIRCH像での
コントラスト変化の様子を示す図である。

【符号の説明】

３０１機器配置図３０１１上層Ａｌ配線３０１２下層Ａｌ配線３０１３ヴィアホール３０１４，４０１５パッド３０１６定電圧電源３０１７電流計３０１８レーザービーム３０２検出される電流波形３０２１基準レベル３０２２正側に変化３０２３負側に変化

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置を構成する配線又は配線間を
連結するメタルプラグの欠陥発生状況を調べる半導体装
置の検査方法において、上下配線を接続孔で連結したチェーンパターンを基板内
に複数個形成し、少なくとも２個以上の前記チェーンパ
ターンの検査対象において、最初に２端子抵抗測定法を
用いて前記検査対象の抵抗値Ｒを求め、次に前記検査対
象の電流密度を所定の範囲に設定した状態で、レーザー
ビームを前記検査対象に走査しながら電流変化を検出
し、電流値が基準値に対して増減した回数を欠陥数ｘと
して求め、複数箇所における前記検査対象の抵抗値Ｒと
欠陥数ｘの関係から、直線性があればメタルプラグの欠
陥が抵抗バラツキの原因であると判断し、直線性がなけ
れば他の原因であると判断することを特徴とする半導体
装置の検査方法。
【請求項２】各チェーンパターンにおける抵抗値Ｒ及
び欠陥数ｘを求め、複数個の中から抵抗値が異なる２点
以上での値を抽出して欠陥数ｘと抵抗値Ｒの関係を表す
直線Ｒ＝ｍｘ＋ｂを求め、ｂ値から無欠陥状態のチェー
ン抵抗を推定する請求項１に記載の半導体装置の検査方
法。
【請求項３】各チェーンパターンにおける抵抗値Ｒ及
び欠陥数ｘを求め、複数個の中から抵抗値が異なる２点
以上での値を抽出して欠陥数ｘと抵抗値Ｒの関係を表す
直線Ｒ＝ｍｘ＋ｂを求め、ｍ値から欠陥の発生原因を推
定する請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】半導体装置を構成する金属配線、及び層
間膜で隔てられて上下配線を連結する接続孔の製造工程
において、配線形状に加工した後に配線もしくは接続孔
の状態を調べる検査工程を取り入れ、かつその検査工程
が、上下配線を接続孔で連結したチェーンパターンを基
板内に複数個形成し、少なくとも２個以上の前記チェー
ンパターンの検査対象において、最初に２端子抵抗測定
法を用いて前記検査対象の抵抗値Ｒを求め、次に前記検
査対象の電流密度を所定の範囲に設定した状態で、レー
ザービームを前記検査対象に走査しながら電流変化を検
出し、電流値が基準値に対して増減した回数を欠陥数ｘ
として求め、複数箇所における前記検査対象の抵抗値Ｒ
と欠陥数ｘの関係から、直線性があればメタルプラグの
欠陥が抵抗バラツキの原因であると判断し、直線性がな
ければ他の原因であると判断するものであることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記検査工程で回復可能な欠陥であると
判断されたときは、接続孔への金属配線材料の埋込処理
を再び行う追加処理を取り入れた請求項４に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項６】前記検査工程において、各チェーンパタ
ーンにおける抵抗値Ｒ及び欠陥数ｘを求め、複数個の中
から抵抗値が異なる２点以上での値を抽出して欠陥数ｘ
と抵抗値Ｒの関係を表す直線Ｒ＝ｍｘ＋ｂを求め、ｍ値
が所定値以下のときに追加処理を行う請求項５に記載の
半導体装置の製造方法。