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JP2000031101A - Semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus and method, and medium recording program thereof - Google Patents

Semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus and method, and medium recording program thereof

Info

Publication number
JP2000031101A
JP2000031101A JP10200921A JP20092198A JP2000031101A JP 2000031101 A JP2000031101 A JP 2000031101A JP 10200921 A JP10200921 A JP 10200921A JP 20092198 A JP20092198 A JP 20092198A JP 2000031101 A JP2000031101 A JP 2000031101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
polishing
unit
cleaning
procedure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10200921A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
公大 ▲高▼杉
Kimihiro Takasugi
Taiyu Tei
戴勇 鄭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP10200921A priority Critical patent/JP2000031101A/en
Publication of JP2000031101A publication Critical patent/JP2000031101A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の半導体ウェーハ研磨装置及び半導体ウ
ェーハ洗浄装置は、独立しており、クリーンルームを含
めた設備が大掛かりになるとともに、研磨装置と洗浄装
置間の距離が長くなり、ウェーハが移動する間に、塵等
の付着が発生する確率が高くなる問題があった。 【解決手段】 研磨装置と洗浄装置を一体化するととも
に、研磨装置と洗浄装置間に、開閉部を備える遮断壁を
有し、装置間のウェーハの搬送を開閉部を通して行な
う。また、これらの装置を制御する制御装置は、ロット
番号、研磨条件、洗浄条件等を保持し、条件に応じて研
磨・洗浄を実行させる。
(57) [Problem] A conventional semiconductor wafer polishing apparatus and a semiconductor wafer cleaning apparatus are independent, the equipment including a clean room becomes large, and the distance between the polishing apparatus and the cleaning apparatus becomes long. During the movement of the wafer, there is a problem that the probability of adhesion of dust or the like increases. SOLUTION: The polishing apparatus and the cleaning apparatus are integrated, and a blocking wall provided with an opening / closing section is provided between the polishing apparatus and the cleaning apparatus, and the transfer of the wafer between the apparatuses is performed through the opening / closing section. A control device that controls these devices holds a lot number, polishing conditions, cleaning conditions, and the like, and executes polishing and cleaning according to the conditions.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
研磨装置および洗浄・乾燥装置に関し、特に研磨装置と
洗浄・乾燥装置を一体化させた半導体ウェーハ研磨・洗
浄装置および半導体ウェーハ研磨・洗浄方法に関する。
The present invention relates to a semiconductor wafer polishing apparatus and a cleaning / drying apparatus, and more particularly to a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus and a semiconductor wafer polishing / cleaning method in which a polishing apparatus and a cleaning / drying apparatus are integrated. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体ウェーハの製造ラインにあ
っては、半導体ウェーハ研磨装置および半導体ウェーハ
洗浄・乾燥装置が、それぞれ独立した装置として設置さ
れている。したがって半導体ウェーハを研磨した後洗浄
・乾燥する場合、まず、人ないしロボットが、研磨装置
のあるクリーンルームまで半導体ウェーハを運び、研磨
装置に装填し、研磨した後、研磨装置から取り出す。次
に、人ないしロボットが、洗浄装置のあるクリーンルー
ムまで研磨後の半導体ウェーハを運び、洗浄装置に装填
し、洗浄した後、洗浄装置から取り出し、さらに、半導
体ウェーハを乾燥装置に装填し、乾燥させた後、乾燥装
置から取り出すという工程が順次行われていた。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor wafer manufacturing line, a semiconductor wafer polishing apparatus and a semiconductor wafer cleaning / drying apparatus are installed as independent apparatuses. Therefore, when cleaning and drying after polishing a semiconductor wafer, first, a person or a robot carries the semiconductor wafer to a clean room having a polishing apparatus, loads the semiconductor wafer into the polishing apparatus, polishes the semiconductor wafer, and then removes the semiconductor wafer from the polishing apparatus. Next, a person or a robot carries the polished semiconductor wafer to a clean room where the cleaning device is located, loads the polished semiconductor wafer into the cleaning device, cleans the semiconductor wafer, removes the semiconductor wafer from the cleaning device, further loads the semiconductor wafer into the drying device, and allows the semiconductor wafer to dry. After that, the process of taking out from the drying device was sequentially performed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のように、半導体
ウェーハ研磨装置と半導体ウェーハ洗浄・乾燥装置が独
立している場合、各装置間で半導体ウェーハを搬送しな
ければならないため、半導体ウェーハの移動距離が長く
なり、ウェーハが移動する間に、塵等の付着が発生する
確率が高くなる問題があった。
When the semiconductor wafer polishing apparatus and the semiconductor wafer cleaning / drying apparatus are independent from each other as in the prior art, the semiconductor wafer must be transported between the apparatuses. There has been a problem that the distance becomes longer and the probability of adhesion of dust or the like increases during the movement of the wafer.

【0004】また、半導体ウェーハ研磨装置と半導体ウ
ェーハ洗浄・乾燥装置を単純に一体化させた場合、研磨
時に研磨装置から発生する飛散物が洗浄・乾燥装置側に
侵入してしまう問題がある。
Further, when the semiconductor wafer polishing apparatus and the semiconductor wafer cleaning / drying apparatus are simply integrated, there is a problem that scattered matter generated from the polishing apparatus at the time of polishing enters the cleaning / drying apparatus side.

【0005】また、半導体ウェーハ研磨装置と半導体ウ
ェーハ洗浄・乾燥装置には、それぞれの装置における処
理工程にノウハウがあり、これらを一体化する場合、そ
れぞれの装置を独立に開発した後2つの装置を結合させ
るか、既存の2つの装置を結合させることが、開発コス
トを下げることになる。
[0005] Further, the semiconductor wafer polishing apparatus and the semiconductor wafer cleaning / drying apparatus have know-how in the processing steps of each apparatus. When integrating them, after developing each apparatus independently, two apparatuses are required. Combining or combining two existing devices will reduce development costs.

【0006】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、半導体ウェーハ研磨装置と洗浄装置と乾燥装置を一
体化させるとともに、研磨時に研磨装置から発生する飛
散物が洗浄・乾燥装置に侵入しない構成をとる半導体ウ
ェーハ研磨・洗浄装置及び半導体ウェーハ研磨・洗浄方
法を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above points, and integrates a semiconductor wafer polishing apparatus, a cleaning apparatus, and a drying apparatus, and scatters generated from the polishing apparatus during polishing enter the cleaning / drying apparatus. An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus and a semiconductor wafer polishing / cleaning method having a configuration not to use.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
研磨・洗浄装置は、半導体ウェーハの洗浄および乾燥を
する洗浄部と、半導体ウェーハの研磨をする研磨部と、
前記洗浄部に接続され、該洗浄部を制御する洗浄制御部
と、前記研磨部に接続され、該研磨部を制御する研磨制
御部と、前記洗浄制御部と前記研磨制御部に接続され、
該洗浄制御部と該研磨制御部を制御する制御端末とから
なり、前記制御端末は、前記洗浄部と前記研磨部の動作
条件を設定でき、前記洗浄制御部と前記研磨制御部は、
相互に接続され、連動して前記洗浄部と前記研磨部を制
御する。
According to the present invention, there is provided a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus, comprising: a cleaning section for cleaning and drying a semiconductor wafer; a polishing section for polishing a semiconductor wafer;
Connected to the cleaning unit, a cleaning control unit for controlling the cleaning unit, connected to the polishing unit, a polishing control unit for controlling the polishing unit, connected to the cleaning control unit and the polishing control unit,
The cleaning control unit and a control terminal that controls the polishing control unit, the control terminal can set operating conditions of the cleaning unit and the polishing unit, the cleaning control unit and the polishing control unit,
The cleaning unit and the polishing unit are connected to each other and operate in conjunction with each other.

【0008】本発明の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置
は、半導体ウェーハの洗浄および乾燥をする洗浄部と、
半導体ウェーハの研磨をする研磨部と、前記洗浄部と前
記研磨部間の空気の流通を遮断する遮断壁に備えられた
1つないし複数の開閉部と、前記洗浄部および前記研磨
部および前記開閉部に接続され、該洗浄部および該研磨
部および該開閉部を制御する制御部とからなり、前記洗
浄部と前記研磨部間の半導体ウェーハの移送を、前記開
閉部を通して行なう。
A semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to the present invention comprises a cleaning unit for cleaning and drying a semiconductor wafer;
A polishing section for polishing a semiconductor wafer; one or more opening / closing sections provided on a blocking wall for blocking air flow between the cleaning section and the polishing section; a cleaning section, the polishing section, and the opening / closing section A cleaning unit connected to the cleaning unit; a polishing unit; and a control unit for controlling the opening / closing unit. The transfer of the semiconductor wafer between the cleaning unit and the polishing unit is performed through the opening / closing unit.

【0009】前記制御部は、前記洗浄部および前記研磨
部の動作条件を入力または選択する少なくとも1つの制
御端末を備える。
The control unit has at least one control terminal for inputting or selecting operating conditions of the cleaning unit and the polishing unit.

【0010】前記制御部は、さらに、前記制御端末に接
続され前記洗浄部を制御する洗浄制御部と、前記制御端
末に接続され前記研磨部を制御する研磨制御部を備え、
前記洗浄制御部と前記研磨制御部は、相互に接続され、
連動して前記洗浄部と前記研磨部を制御する。
The control unit further includes a cleaning control unit connected to the control terminal for controlling the cleaning unit, and a polishing control unit connected to the control terminal for controlling the polishing unit,
The cleaning control unit and the polishing control unit are connected to each other,
The cleaning unit and the polishing unit are controlled in conjunction with each other.

【0011】前記洗浄部は、半導体ウェーハを搬送する
のに用いられる1つないし複数から構成される第1の搬
送手段と、前記半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段と、
前記半導体ウェーハを乾燥する乾燥手段とからなり、ま
た、前記研磨部は、半導体ウェーハを搬送するのに用い
られる1つないし複数から構成される第2の搬送手段
と、前記半導体ウェーハを研磨する研磨手段とからな
る。
[0011] The cleaning unit includes a first transport unit configured to transport one or more semiconductor wafers, and a cleaning unit configured to clean the semiconductor wafer.
A polishing unit for drying the semiconductor wafer; and a polishing unit, wherein the polishing unit includes one or more second conveyance units used for conveying the semiconductor wafer, and a polishing unit for polishing the semiconductor wafer. Means.

【0012】前記洗浄部は、さらに、前記半導体ウェー
ハを一時格納する1つないし複数の一時格納部を備え
る。
The cleaning section further includes one or more temporary storage sections for temporarily storing the semiconductor wafer.

【0013】半導体ウェーハ研磨・洗浄方法は、前記第
1搬送手段に、半導体ウェーハを取入れ口より取入れさ
せる工程と、前記開閉部を開き、前記半導体ウェーハ
を、前記第1搬送手段から前記第2搬送手段へ移載させ
る工程と、前記開閉部を閉じ、前記第2搬送手段に、前
記半導体ウェーハを前記研磨手段へ移載させる工程と、
前記研磨手段に、前記半導体ウェーハを研磨させる工程
と、前記第2搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記研
磨手段より取り出させる工程と、前記開閉部を開き、前
記第1搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記第2搬送
手段から移載させる工程と、前記開閉部を閉じ、前記第
1搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記洗浄部へ移載
させる工程と、前記洗浄部に前記半導体ウェーハを洗浄
させる工程と、前記第1搬送手段に、前記半導体ウェー
ハを前記洗浄部より前記乾燥部へ移載させる工程と、前
記乾燥部に、前記半導体ウェーハを乾燥させる工程と、
前記第1搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記乾燥部
より前記取入れ口に戻させる工程とからなる。
The semiconductor wafer polishing / cleaning method comprises the steps of: allowing the first transfer means to take in a semiconductor wafer from an inlet; opening the opening / closing portion; and transferring the semiconductor wafer from the first transfer means to the second transfer means. Transferring the semiconductor wafer to the polishing means, closing the opening and closing section, and transferring the semiconductor wafer to the polishing means,
A step of causing the polishing means to polish the semiconductor wafer; a step of allowing the second transport means to remove the semiconductor wafer from the polishing means; opening the opening / closing section; Transferring the semiconductor wafer to the cleaning unit, closing the opening / closing unit, and transferring the semiconductor wafer to the cleaning unit, and causing the cleaning unit to clean the semiconductor wafer. A step of transferring the semiconductor wafer from the cleaning unit to the drying unit on the first transport unit; and a step of drying the semiconductor wafer on the drying unit.
Returning the semiconductor wafer from the drying unit to the intake port by the first transport unit.

【0014】本発明の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置
は、半導体ウェーハを取入れ口から搬送する手順と、前
記研磨部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判断
する手順と、前記洗浄部が前記研磨部に対し、半導体ウ
ェーハの受取りを要求する手順と、前記開閉部の1つが
開かれているか判断する手順と、前記洗浄部から前記研
磨部へ半導体ウェーハを搬送する手順と、前記研磨部が
半導体ウェーハを待つ待機状態でないか判断する手順
と、前記洗浄部が前記研磨部に対する半導体ウェーハの
受取り要求を停止する手順と、前記洗浄部が前記研磨部
に対し、半導体ウェーハを待つ待機状態であることを通
知する手順と、前記研磨部が前記洗浄部に対し半導体ウ
ェーハの受取り要求をしているか判断する手順と、前記
開閉部の1つが開かれているか判断する手順と、前記研
磨部から前記洗浄部へ半導体ウェーハを搬送する手順
と、前記洗浄部が前記研磨部に対し、半導体ウェーハを
待つ待機状態でないことを通知する手順と、前記半導体
ウェーハを前記洗浄手段へ移載する手順と、前記洗浄手
段に半導体ウェーハを洗浄させる手順と、半導体ウェー
ハを前記乾燥手段へ移載する手順と、前記乾燥手段に半
導体ウェーハを乾燥させる手順と、前記取入れ口に半導
体ウェーハを戻す手順とをコンピュータに実行させるた
めのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な
記録媒体を備える。
According to the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of the present invention, a procedure for transferring a semiconductor wafer from an inlet, a procedure for determining whether or not the polishing section is in a standby state waiting for a semiconductor wafer, A procedure for requesting reception of a semiconductor wafer, a procedure for determining whether one of the open / close sections is open, a procedure for transporting a semiconductor wafer from the cleaning section to the polishing section, and a step for polishing the semiconductor wafer A procedure for determining whether the cleaning section is not in a standby state, a procedure in which the cleaning section stops a request for receiving a semiconductor wafer with respect to the polishing section, and a step in which the cleaning section is in a standby state for waiting for a semiconductor wafer with respect to the polishing section. A step of notifying, a step of determining whether the polishing section has requested the cleaning section to receive the semiconductor wafer, and one of the opening / closing sections being opened. The procedure of determining whether or not, the procedure of transporting the semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit, the cleaning unit, the polishing unit, the procedure of notifying that the standby state is not waiting for the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer Transferring the semiconductor wafer to the cleaning means, cleaning the semiconductor wafer by the cleaning means, transferring the semiconductor wafer to the drying means, drying the semiconductor wafer by the drying means, And a computer-readable recording medium on which a program for causing a computer to execute a procedure of returning a semiconductor wafer to a computer is recorded.

【0015】本発明の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置
は、前記研磨部が前記洗浄部に対し、半導体ウェーハを
待つ待機状態であることを通知する手順と、前記洗浄部
が前記研磨部に対し半導体ウェーハの受取り要求をして
いるか判断する手順と、前記開閉部の1つを開く手順
と、前記研磨部が、前記洗浄部からの半導体ウェーハの
受取りを完了したか判断する手順と、前記研磨部が半導
体ウェーハを待つ待機状態でないことを通知する手順
と、前記研磨部が前記洗浄部に対する半導体ウェーハの
受取り要求を停止する手順と、前記洗浄部が前記研磨部
に対し半導体ウェーハの受取り要求を停止しているか判
断する手順と、前記開閉部を閉じる手順と、半導体ウェ
ーハを前記研磨手段へ移載する手順と、前記ウェーハ研
磨ユニットに半導体ウェーハを研磨させる手順と、前記
洗浄部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判断す
る手順と、前記研磨部が前記洗浄部に対し、半導体ウェ
ーハの受取りを要求する手順と、前記開閉部の1つを開
く手順と、前記研磨部が、前記洗浄部への半導体ウェー
ハの引き渡しを完了したか判断する手順と、前記洗浄部
が半導体ウェーハを待つ待機状態でないか判断する手順
と、前記研磨部が前記洗浄部に対する半導体ウェーハの
受取り要求を停止する手順と、前記開閉部を閉じる手順
とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録
したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備える。
In the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of the present invention, the polishing unit notifies the cleaning unit that the semiconductor wafer is in a standby state waiting for the semiconductor wafer, and the cleaning unit transmits the semiconductor wafer to the polishing unit. A procedure for determining whether a request has been received, a procedure for opening one of the opening / closing sections, a procedure for the polishing section to determine whether or not reception of a semiconductor wafer from the cleaning section has been completed, A procedure for notifying that the semiconductor wafer is not in a standby state waiting for a semiconductor wafer, a procedure in which the polishing unit stops a request for receiving a semiconductor wafer with respect to the cleaning unit, and the cleaning unit stops a request for receiving a semiconductor wafer with respect to the polishing unit. A procedure for determining whether or not the semiconductor wafer is in contact, a procedure for closing the opening / closing section, a procedure for transferring a semiconductor wafer to the polishing means, and a procedure for transferring the semiconductor wafer to the wafer polishing unit. A procedure for polishing the wafer; a procedure for determining whether the cleaning unit is in a standby state waiting for a semiconductor wafer; a procedure for the polishing unit to request the cleaning unit to receive a semiconductor wafer; A procedure to open one, a step in which the polishing unit determines whether the delivery of the semiconductor wafer to the cleaning unit has been completed, a step in which the cleaning unit is in a standby state waiting for the semiconductor wafer, and a step in which the polishing unit There is provided a computer-readable recording medium storing a program for causing a computer to execute a procedure for stopping a request for receiving a semiconductor wafer from the cleaning section and a procedure for closing the opening / closing section.

【0016】本発明の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置
は、前記研磨部が半導体ウェーハを待つ待機状態である
か判断する手順と、前記洗浄部から前記研磨部への半導
体ウェーハが存在するか判断する手順と、半導体ウェー
ハの個別情報を取り出す手順と、半導体ウェーハの個別
情報に対応する研磨条件を取り出す手順と、前記研磨制
御部に半導体ウェーハの個別情報および前記研磨条件を
設定する手順と、前記洗浄部が半導体ウェーハの引き渡
しを完了したか判断する手順と、前記研磨部が半導体ウ
ェーハの受取りを完了したか判断する手順と、さらに、
前記洗浄部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判
断する手順と、前記研磨部から前記洗浄部への半導体ウ
ェーハが存在するか判断する手順と、半導体ウェーハの
個別情報を取り出す手順と、半導体ウェーハの個別情報
に対応する洗浄・乾燥条件を取り出す手順と、前記洗浄
制御部に前記半導体ウェーハの個別情報および前記洗浄
・乾燥条件を設定する手順と、前記研磨部が半導体ウェ
ーハの引き渡しを完了したか判断する手順と、前記洗浄
部が半導体ウェーハの受取りを完了したか判断する手順
とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録
したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備える。
In the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of the present invention, a procedure for determining whether the polishing section is in a standby state waiting for a semiconductor wafer, and a procedure for determining whether there is a semiconductor wafer from the cleaning section to the polishing section. A step of extracting individual information of the semiconductor wafer, a step of extracting polishing conditions corresponding to the individual information of the semiconductor wafer, a step of setting the individual information of the semiconductor wafer and the polishing condition in the polishing control unit, and the cleaning unit A procedure to determine whether the delivery of the semiconductor wafer has been completed, and a procedure to determine whether the polishing unit has completed the reception of the semiconductor wafer, and further,
A procedure for determining whether the cleaning unit is in a standby state waiting for a semiconductor wafer, a procedure for determining whether there is a semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit, a procedure for extracting individual information of the semiconductor wafer, A procedure for extracting the cleaning / drying conditions corresponding to the individual information, a procedure for setting the individual information of the semiconductor wafer and the cleaning / drying conditions in the cleaning control unit, and whether the polishing unit has completed the delivery of the semiconductor wafer. A computer-readable recording medium that records a program for causing a computer to execute a determining step and a step of determining whether the cleaning unit has completed receiving the semiconductor wafer is provided.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明の一実施形態である半導体
ウェーハ研磨・洗浄装置の構成を示すブロック図であ
り、図2は、制御装置と被制御装置の接続関係を示す図
であるある。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the connection relationship between a control device and a controlled device.

【0019】本実施形態の半導体ウェーハ研磨・洗浄装
置は、洗浄部と、研磨部と、洗浄部を制御する洗浄制御
部1と、研磨部を制御する研磨制御部2と、洗浄制御部
1と研磨制御部2を制御する制御端末3とからなる。な
お、洗浄制御部1は洗浄部に、研磨制御部2は研磨部に
含まれてもよい。
The semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of this embodiment includes a cleaning section, a polishing section, a cleaning control section 1 for controlling the cleaning section, a polishing control section 2 for controlling the polishing section, and a cleaning control section 1. And a control terminal 3 for controlling the polishing control unit 2. The cleaning control unit 1 may be included in the cleaning unit, and the polishing control unit 2 may be included in the polishing unit.

【0020】洗浄部は、半導体ウェーハを搬送する搬送
手段としてのウェーハ搬送ユニット4〜8と、半導体ウ
ェーハを一時格納する一時格納部としてのバッファカセ
ット9、10と、半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段と
してのウェーハ洗浄ユニット11と、半導体ウェーハを
乾燥する乾燥手段としてのウェーハ乾燥ユニット12
と、取入れ口としてのカセットとからなる。研磨部は、
ウェーハ搬送ユニット13、14と、ウェーハ研磨ユニ
ット15とからなる。洗浄部と研磨部は、遮断壁により
遮断され、この遮断壁にドア16、17が備えられる。
The cleaning section includes wafer transport units 4 to 8 as transport means for transporting semiconductor wafers, buffer cassettes 9 and 10 as temporary storage sections for temporarily storing semiconductor wafers, and cleaning means for cleaning semiconductor wafers. Wafer cleaning unit 11 and a wafer drying unit 12 as a drying unit for drying a semiconductor wafer
And a cassette as an intake. The polishing unit is
It comprises a wafer transport unit 13, 14 and a wafer polishing unit 15. The cleaning unit and the polishing unit are blocked by a blocking wall, and doors 16 and 17 are provided on the blocking wall.

【0021】なお、本実施形態の場合、ドア16、17
は、研磨部にあり、研磨制御部2により制御されるもの
とするが、その配置は洗浄部にあってもよく、また洗浄
制御部1により制御を受けてもよい。また、洗浄制御部
1と研磨制御部2と制御端末3は、一体化されたもので
もよく、それぞれが専用の装置で構成されてもよく、パ
ーソナルコンピュータ等を用いて構成されてもよい。ま
た、制御端末3は、GUI(Graphical Us
er Interface)をもち、データ入力のため
にタッチパネル等を利用してもよい。
In this embodiment, the doors 16 and 17
Is located in the polishing section and is controlled by the polishing control section 2, but its arrangement may be in the cleaning section or may be controlled by the cleaning control section 1. Further, the cleaning control unit 1, the polishing control unit 2, and the control terminal 3 may be integrated, each may be configured by a dedicated device, or may be configured by using a personal computer or the like. In addition, the control terminal 3 uses a GUI (Graphical Us).
er Interface), and a touch panel or the like may be used for data input.

【0022】次に、このように構成された本実施形態の
半導体ウェーハ研磨・洗浄装置の全体の動作を、図3の
フローチャートを用いて説明する。
Next, the overall operation of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of the present embodiment configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0023】ウェーハ搬送ユニット4が、ウェーハを取
入れ口のカセットからバッファカセット9へ移載する
(ステップS301)。
The wafer transfer unit 4 transfers the wafer from the cassette at the inlet to the buffer cassette 9 (step S301).

【0024】ウェーハ搬送ユニット5が、ウェーハをバ
ッファカセット9から取り出す(ステップS302)。
The wafer transfer unit 5 takes out the wafer from the buffer cassette 9 (step S302).

【0025】ドア16が開き、ウェーハ搬送ユニット1
3がドア16へ移動する(ステップS303)。
The door 16 is opened and the wafer transfer unit 1 is opened.
3 moves to the door 16 (step S303).

【0026】ウェーハ搬送ユニット5がドア16へ移動
する(ステップS304)。
The wafer transfer unit 5 moves to the door 16 (Step S304).

【0027】ウェーハ搬送ユニット5が、ウェーハをウ
ェーハ搬送ユニット13へ移載する(ステップS30
5)。
The wafer transfer unit 5 transfers the wafer to the wafer transfer unit 13 (step S30).
5).

【0028】ウェーハ搬送ユニット5が、ドア16から
移動し、ドア16が閉じる(ステップS306)。
The wafer transfer unit 5 moves from the door 16, and the door 16 closes (step S306).

【0029】ウェーハ搬送ユニット13が、ウェーハを
ウェーハ研磨ユニット15へ移載する(ステップS30
7)。
The wafer transfer unit 13 transfers the wafer to the wafer polishing unit 15 (step S30).
7).

【0030】ウェーハ研磨ユニット15が、ウェーハを
研磨する(ステップS308)。
The wafer polishing unit 15 polishes the wafer (step S308).

【0031】ウェーハ搬送ユニット14が、ウェーハを
ウェーハ研磨ユニット15から移載する(ステップS3
09)。
The wafer transfer unit 14 transfers the wafer from the wafer polishing unit 15 (step S3).
09).

【0032】ドア17が開き、ウェーハ搬送ユニット1
4がドア17へ移動する(ステップS310)。
The door 17 is opened and the wafer transfer unit 1 is opened.
4 moves to the door 17 (step S310).

【0033】ウェーハ搬送ユニット6が、ドア17へ移
送する(ステップS311)。
The wafer transfer unit 6 transfers to the door 17 (step S311).

【0034】ウェーハ搬送ユニット6が、ウェーハをウ
ェーハ搬送ユニット14から移載する(ステップS31
2)。
The wafer transfer unit 6 transfers the wafer from the wafer transfer unit 14 (step S31).
2).

【0035】ウェーハ搬送ユニット6がドア17から移
動し、ドア17が閉じる(ステップS313)。
The wafer transfer unit 6 moves from the door 17, and the door 17 closes (step S313).

【0036】ウェーハ搬送ユニット6が、ウェーハをバ
ッファカセット10に移載する(ステップS314)。
The wafer transfer unit 6 transfers the wafer to the buffer cassette 10 (Step S314).

【0037】ウェーハ搬送ユニット7が、バッファカセ
ット10のウェーハをウェーハ洗浄ユニット11へ移載
する(ステップS315)。
The wafer transfer unit 7 transfers the wafer in the buffer cassette 10 to the wafer cleaning unit 11 (Step S315).

【0038】ウェーハ洗浄ユニット11が、ウェーハを
洗浄する(ステップS316)。
The wafer cleaning unit 11 cleans the wafer (Step S316).

【0039】ウェーハ搬送ユニット8が、ウェーハ洗浄
ユニット11のウェーハをウェーハ乾燥ユニット12へ
移載する(ステップS317)。
The wafer transfer unit 8 transfers the wafer from the wafer cleaning unit 11 to the wafer drying unit 12 (Step S317).

【0040】ウェーハ乾燥ユニット12が、ウェーハを
乾燥させる(ステップS318)。
The wafer drying unit 12 dries the wafer (step S318).

【0041】ウェーハ搬送ユニット4が、ウェーハ乾燥
ユニット12のウェーハを取り出し、取入れ口のカセッ
トに戻す(ステップS319)。
The wafer transport unit 4 takes out the wafer from the wafer drying unit 12 and returns it to the cassette at the inlet (step S319).

【0042】次に、洗浄制御部1の制御による各部の動
作を、図4のフローチャートを用いて説明する。
Next, the operation of each unit under the control of the cleaning control unit 1 will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0043】ウェーハ搬送ユニット4が、ウェーハを取
入れ口のカセットからバッファカセット9に移載する
(ステップS401)。
The wafer transfer unit 4 transfers the wafer from the cassette at the inlet to the buffer cassette 9 (step S401).

【0044】ウェーハ搬送ユニット5が、ウェーハをバ
ッファカセット9から取り出す(ステップS402)。
The wafer transfer unit 5 takes out the wafer from the buffer cassette 9 (Step S402).

【0045】洗浄制御部1は、信号bがONになるま
で、信号bがONであるか判定を繰り返す(ステップS
403)。なお信号bは、研磨部がウェーハを待ってい
る状態のとき、研磨制御部2により、ON状態にされる
信号である。
The cleaning controller 1 repeats the determination whether the signal b is ON until the signal b is turned ON (step S).
403). The signal b is a signal that is turned on by the polishing control unit 2 when the polishing unit is waiting for the wafer.

【0046】ステップS403において信号bがONの
場合、洗浄制御部1は、信号eをONにする(ステップ
S404)。なお信号eは、研磨部に対し、ウェーハを
受け取るように要求するとき、洗浄制御部1により、O
N状態にされる信号である。
If the signal b is ON in step S403, the cleaning control unit 1 turns ON the signal e (step S404). Note that when the polishing unit requests the polishing unit to receive a wafer, the cleaning control unit 1 outputs the signal e.
This signal is set to the N state.

【0047】洗浄制御部1は、信号cがOPENになる
まで、信号cがOPENであるか判定を繰り返す(ステ
ップS405)。なお信号cは、研磨制御部2により、
ドア16が開かれるときOPENに設定され、ドア16
が閉じられるときCLOSEに設定される。
The cleaning control unit 1 repeatedly determines whether or not the signal c is OPEN until the signal c becomes OPEN (step S405). The signal c is obtained by the polishing control unit 2.
When the door 16 is opened, it is set to OPEN.
Is set to CLOSE when is closed.

【0048】ステップS405で信号cがOPENであ
る場合、ウェーハ搬送ユニット5がドア16へ移動する
(ステップS406)。
If the signal c is OPEN in step S405, the wafer transfer unit 5 moves to the door 16 (step S406).

【0049】ウェーハ搬送ユニット5がウェーハをウェ
ーハ搬送ユニット13に移載する(ステップS40
7)。
The wafer transfer unit 5 transfers the wafer to the wafer transfer unit 13 (step S40).
7).

【0050】ウェーハ搬送ユニット5が、ドア16から
移動する(ステップS408)。
The wafer transfer unit 5 moves from the door 16 (step S408).

【0051】洗浄制御部1は、信号bがOFFになるま
で、信号bがOFFであるか判定を繰り返す(ステップ
S409)。
The cleaning controller 1 repeats the determination whether the signal b is OFF until the signal b is turned OFF (step S409).

【0052】ステップS409で信号bがOFFである
場合、洗浄制御部1は、信号eをOFFにする(ステッ
プS410)。
If the signal b is OFF in step S409, the cleaning control unit 1 turns off the signal e (step S410).

【0053】次に、洗浄制御部1は、信号aをONにす
る(ステップS411)。なお信号aは、洗浄部がウェ
ーハを待っているとき、洗浄制御部1によりON状態に
される信号である。
Next, the cleaning control section 1 turns on the signal a (step S411). The signal a is a signal that is turned on by the cleaning control unit 1 when the cleaning unit is waiting for the wafer.

【0054】洗浄制御部1は、信号fがONになるま
で、信号fがONであるか判定を繰り返す(ステップS
412)。なお信号fは、洗浄部に対し、ウェーハを受
け取るように要求するとき、研磨制御部2により、ON
状態にされる信号である。
The cleaning control section 1 repeatedly determines whether or not the signal f is ON until the signal f is turned ON (step S).
412). The signal f is turned on by the polishing control unit 2 when requesting the cleaning unit to receive the wafer.
This is the signal to be set.

【0055】ステップS412で信号fがONである場
合、洗浄制御部1は、信号dがOPENになるまで、信
号dがOPENであるか判定を繰り返す(ステップS4
13)。なお信号dは、研磨制御部2により、ドア17
が開かれるときOPENに設定され、ドア17が閉じら
れるときCLOSEに設定される。
If the signal f is ON in step S412, the cleaning controller 1 repeats the determination whether the signal d is OPEN until the signal d becomes OPEN (step S4).
13). Note that the signal d is transmitted from the polishing control unit 2 to the door 17.
Is set to OPEN when is opened, and set to CLOSE when the door 17 is closed.

【0056】ステップS413で信号dがOPENであ
る場合、ウェーハ搬送ユニット6がドア17へ移動する
(ステップS414)。
If the signal d is OPEN in step S413, the wafer transfer unit 6 moves to the door 17 (step S414).

【0057】ウェーハ搬送ユニット6が、ウェーハをウ
ェーハ搬送ユニット14から移載する(ステップS41
5)。
The wafer transfer unit 6 transfers the wafer from the wafer transfer unit 14 (step S41).
5).

【0058】ウェーハ搬送ユニット6が、ドア17から
移動する(ステップS416)。
The wafer transfer unit 6 moves from the door 17 (step S416).

【0059】次に、洗浄制御部1は、信号aをOFFに
する(ステップS417)。
Next, the cleaning controller 1 turns off the signal a (step S417).

【0060】ウェーハ搬送ユニット6がウェーハをバッ
ファカセット10に移載する(ステップS418)。
The wafer transfer unit 6 transfers the wafer to the buffer cassette 10 (Step S418).

【0061】ウェーハ搬送ユニット7は、バッファカセ
ット10のウェーハをウェーハ洗浄ユニット11へ移載
する(ステップS419)。
The wafer transfer unit 7 transfers the wafer in the buffer cassette 10 to the wafer cleaning unit 11 (Step S419).

【0062】ウェーハ洗浄ユニット11がウェーハを洗
浄する(ステップS420)。
The wafer cleaning unit 11 cleans the wafer (Step S420).

【0063】ウェーハ搬送ユニット8が、ウェーハ洗浄
ユニット11のウェーハをウェーハ乾燥ユニット12へ
移載する(ステップS421)。
The wafer transfer unit 8 transfers the wafer from the wafer cleaning unit 11 to the wafer drying unit 12 (Step S421).

【0064】ウェーハ乾燥ユニット12が、ウェーハを
乾燥する(ステップS422)。
The wafer drying unit 12 dries the wafer (step S422).

【0065】ウェーハ搬送ユニット4が、ウェーハ乾燥
ユニット12のウェーハを取入れ口のカセットに戻す
(ステップS423)。
The wafer transport unit 4 returns the wafer of the wafer drying unit 12 to the cassette at the inlet (step S423).

【0066】次に、研磨制御部2の制御による各部の動
作を、図5のフローチャートを用いて説明する。
Next, the operation of each unit under the control of the polishing control unit 2 will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0067】ウェーハ搬送ユニット13が、ドア16へ
移動する(ステップS501)。
The wafer transfer unit 13 moves to the door 16 (Step S501).

【0068】次に、研磨制御部2は、信号bをONにす
る(ステップS502)。
Next, the polishing controller 2 turns on the signal b (step S502).

【0069】研磨制御部2は、信号eがONになるま
で、信号eがONであるか判定を繰り返す(ステップS
503)。
The polishing control unit 2 repeatedly determines whether or not the signal e is ON until the signal e is turned ON (step S).
503).

【0070】ステップS503で信号eがONである場
合、ドア16を開く(ステップS504)。
If the signal e is ON in step S503, the door 16 is opened (step S504).

【0071】研磨制御部2は、ウェーハ搬送ユニット1
3がウェーハ搬送ユニット5からのウェーハの受け取り
を完了するまで、ウェーハの受け取りが完了したかどう
かの判定を繰り返す(ステップS505)。
The polishing control unit 2 includes the wafer transfer unit 1
Until the completion of the reception of the wafer from the wafer transfer unit 5, the determination of whether the reception of the wafer is completed is repeated (step S505).

【0072】ステップS505でウェーハ搬送ユニット
13が、ウェーハの受け取りを完了したと判断された場
合、研磨制御部2は、信号bをOFFにする(ステップ
S506)。
When it is determined in step S505 that the wafer transfer unit 13 has completed receiving the wafer, the polishing control unit 2 turns off the signal b (step S506).

【0073】次に、研磨制御部2は、信号eがOFFに
なるまで、信号eがOFFであるか判定を繰り返す(ス
テップS507)。
Next, the polishing control unit 2 repeatedly determines whether or not the signal e is OFF until the signal e is turned OFF (step S507).

【0074】ステップ507で信号eがOFFであると
判断された場合、ドア16を閉じる(ステップS50
8)。
If it is determined in step 507 that the signal e is OFF, the door 16 is closed (step S50).
8).

【0075】ウェーハ搬送ユニット13が、ウェーハを
ウェーハ研磨ユニット15へ移載する(ステップS50
9)。
The wafer transfer unit 13 transfers the wafer to the wafer polishing unit 15 (step S50).
9).

【0076】ウェーハ搬送ユニット13が、ドア16へ
戻る(ステップS510)。
The wafer transfer unit 13 returns to the door 16 (Step S510).

【0077】ウェーハ研磨ユニット15が、ウェーハを
研磨する(ステップS511)。
The wafer polishing unit 15 polishes the wafer (Step S511).

【0078】ウェーハ搬送ユニット14が、ウェーハを
ウェーハ研磨ユニット15から移載する(ステップS5
12)。
The wafer transfer unit 14 transfers the wafer from the wafer polishing unit 15 (step S5).
12).

【0079】ウェーハ搬送ユニット14が、ドア17へ
移動する(ステップS513)。
The wafer transfer unit 14 moves to the door 17 (Step S513).

【0080】研磨制御部2は、信号aがONになるま
で、信号aがONであるか判定を繰り返す(ステップS
514)。
The polishing control unit 2 repeats the determination whether the signal a is ON until the signal a is turned ON (Step S).
514).

【0081】ステップS514で信号aがONである場
合、研磨制御部2は、信号fをONにする(ステップS
515)。
If the signal a is ON in step S514, the polishing control unit 2 turns on the signal f (step S514).
515).

【0082】次に、ドア17を開く(ステップS51
6)。
Next, the door 17 is opened (step S51).
6).

【0083】研磨制御部2は、ウェーハ搬送ユニット1
4がウェーハ搬送ユニット6へのウェーハの引き渡しが
完了するまで、ウェーハの引き渡しが完了したかどうか
判定を繰り返す(ステップS517)。
The polishing control unit 2 includes the wafer transfer unit 1
Until the transfer of the wafer to the wafer transfer unit 6 is completed, the determination as to whether the transfer of the wafer is completed is repeated (step S517).

【0084】ステップS517でウェーハの引き渡しが
完了したと判断された場合、研磨制御部2は、信号aが
OFFになるまで、信号aがOFFであるか判定を繰り
返す(ステップS518)。
If it is determined in step S517 that the transfer of the wafer has been completed, the polishing control unit 2 repeats the determination whether the signal a is OFF until the signal a is turned OFF (step S518).

【0085】ステップS518で信号aがOFFである
と判断された場合、研磨制御部2は、信号fをOFFに
する(ステップS519)。
If it is determined in step S518 that the signal a is OFF, the polishing control unit 2 turns off the signal f (step S519).

【0086】次に、ドア17を閉じる(ステップS52
0)。
Next, the door 17 is closed (step S52).
0).

【0087】ウェーハ搬送ユニット14が、ウェーハ研
磨ユニット15へ移動する(ステップ521)。
The wafer transfer unit 14 moves to the wafer polishing unit 15 (Step 521).

【0088】次に、制御端末3の動作を説明する。なお
制御端末3は、半導体ウェーハのロット番号に応じて、
研磨条件、洗浄条件等を保持するデータベースを備え、
これらの条件は、制御端末3を用いて操作者により入力
されているものとする。
Next, the operation of the control terminal 3 will be described. In addition, the control terminal 3 responds to the lot number of the semiconductor wafer,
Equipped with a database to hold polishing conditions, cleaning conditions, etc.
These conditions are assumed to have been input by the operator using the control terminal 3.

【0089】まず、制御端末3の洗浄制御部1に対する
制御を図6のフローチャートを用いて説明する。
First, control of the cleaning controller 1 of the control terminal 3 will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0090】制御端末3は、研磨部がウェーハを待つ状
態になるまで、待ち状態かどうかの判定を繰り返す(ス
テップS601)。
The control terminal 3 repeats the determination as to whether the polishing terminal is in the waiting state until the polishing unit waits for the wafer (step S601).

【0091】ステップS601で研磨部がウェーハを待
っている場合、制御端末3は、洗浄部から研磨部へのウ
ェーハが存在するかどうかの判定をし、洗浄部から研磨
部へのウェーハが存在しない場合、ステップS601へ
戻る(ステップS602)。
If the polishing unit is waiting for a wafer in step S601, the control terminal 3 determines whether there is a wafer from the cleaning unit to the polishing unit, and there is no wafer from the cleaning unit to the polishing unit. In this case, the process returns to step S601 (step S602).

【0092】ステップS602で洗浄部から研磨部への
ウェーハが存在する場合、洗浄部に存在するウェーハの
ロット番号を取り出す(ステップS603)。なお洗浄
部は、内部に存在するウェーハのロットよりロット番号
を取り出せるか、あらかじめ制御端末3よりロット番号
が入力されデータベースに保存されているものとする。
If there is a wafer from the cleaning unit to the polishing unit in step S602, the lot number of the wafer existing in the cleaning unit is extracted (step S603). It is assumed that the cleaning unit can take out the lot number from the lot of the wafer existing therein, or the lot number is inputted in advance from the control terminal 3 and stored in the database.

【0093】ステップS603で取り出したロット番号
をもとに、制御端末3は、データベースよりロット番号
に対応する研磨条件を取り出す(ステップS604)。
Based on the lot number extracted in step S603, the control terminal 3 extracts polishing conditions corresponding to the lot number from the database (step S604).

【0094】次に、制御端末3は、ロット番号と研磨条
件を研磨制御部2に設定する(ステップS605)。
Next, the control terminal 3 sets the lot number and the polishing conditions in the polishing control unit 2 (step S605).

【0095】次に、制御端末3は、洗浄部が研磨部への
ウェーハの引き渡しが完了するまで、ウェーハの引き渡
しが完了したかどうかの判定を繰り返す(ステップS6
06)。
Next, the control terminal 3 repeats the determination as to whether or not the transfer of the wafer is completed until the cleaning unit completes the transfer of the wafer to the polishing unit (step S6).
06).

【0096】ステップS606でウェーハの引き渡しが
完了した場合、制御端末3は、研磨部が洗浄部からのウ
ェーハの引き受けを完了するまで、ウェーハの引き受け
が完了したかどうかの判定を繰り返す(ステップS60
7)。
When the delivery of the wafer is completed in step S606, the control terminal 3 repeats the determination of whether or not the delivery of the wafer is completed until the polishing unit completes the delivery of the wafer from the cleaning unit (step S60).
7).

【0097】次に、制御端末3の研磨制御部2に対する
制御を図7のフローチャートを用いて説明する。
Next, control of the polishing controller 2 of the control terminal 3 will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0098】制御端末3は、洗浄部がウェーハを待つ状
態になるまで、待ち状態かどうかの判定を繰り返す(ス
テップS701)。
The control terminal 3 repeats the determination as to whether or not the cleaning unit is in a waiting state until the cleaning unit enters a state of waiting for a wafer (step S701).

【0099】ステップS701で洗浄部がウェーハを待
つ待ち状態の場合、制御端末3は、研磨部から洗浄部へ
のウェーハが存在するかどうかの判定をし、研磨部から
洗浄部へのウェーハが存在しない場合、ステップS70
1へ戻る(ステップS702)。
If the cleaning unit waits for a wafer in step S701, the control terminal 3 determines whether there is a wafer from the polishing unit to the cleaning unit, and determines whether there is a wafer from the polishing unit to the cleaning unit. If not, step S70
The process returns to 1 (step S702).

【0100】ステップS702で研磨部から洗浄部への
ウェーハが存在する場合、研磨部に存在するウェーハの
ロット番号を取り出す(ステップS703)。なお研磨
部は、内部に存在するウェーハのロットより、ロット番
号を取り出せるか、あらかじめ制御端末3よりロット番
号が入力されデータベースに保存されているものとす
る。
If there is a wafer from the polishing section to the cleaning section in step S702, the lot number of the wafer existing in the polishing section is extracted (step S703). It is assumed that the polishing unit can extract the lot number from the lot of the wafer existing inside, or the lot number is input in advance from the control terminal 3 and stored in the database.

【0101】ステップS703で取り出したロット番号
をもとに、制御端末3は、データベースよりロット番号
に対応する洗浄・乾燥条件を取り出す(ステップS70
4)。
Based on the lot number taken out in step S703, the control terminal 3 takes out the washing / drying conditions corresponding to the lot number from the database (step S70).
4).

【0102】次に、制御端末3は、ロット番号と洗浄・
乾燥条件を洗浄制御部1に設定する(ステップS70
5)。
Next, the control terminal 3 checks the lot number and the
The drying conditions are set in the cleaning controller 1 (Step S70)
5).

【0103】制御端末3は、研磨部が洗浄部へのウェー
ハの引き渡しが完了するまで、ウェーハの引き渡しが完
了したかどうかの判定を繰り返す(ステップS70
6)。
The control terminal 3 repeats the determination as to whether or not the wafer has been delivered until the polishing section has completed the delivery of the wafer to the cleaning section (step S70).
6).

【0104】さらに、制御端末3は、洗浄部が研磨部か
らのウェーハの引き受けを完了するまで、ウェーハの引
き受けが完了したかどうかの判定を繰り返す(ステップ
S707)。
Further, the control terminal 3 repeats the determination as to whether or not the wafer has been accepted until the cleaning section has completed the acceptance of the wafer from the polishing section (step S707).

【0105】制御端末3の洗浄制御部1および研磨制御
部2に対する制御は、上記手順を繰り返すことにより、
本実施形態の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置の連続運転
を行なう。
The control of the cleaning controller 1 and the polishing controller 2 of the control terminal 3 is performed by repeating the above procedure.
The continuous operation of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus of the present embodiment is performed.

【0106】なお、制御端末3において、研磨部におけ
る前の研磨工程の結果を保持し、ロット番号から研磨条
件や洗浄条件を取り出す際に、前の研磨工程の結果や、
現研磨工程の結果を利用して、研磨条件および洗浄条件
を修正するようにしてもよい。この場合、研磨条件およ
び洗浄条件を修正するために、研磨工程の結果と、修正
前の研磨条件および洗浄条件と、修正後の研磨条件およ
び洗浄条件の対応関係を保持するテーブル等が別途備え
られるものとする。
The control terminal 3 holds the result of the previous polishing step in the polishing section, and when extracting the polishing conditions and cleaning conditions from the lot number, the result of the previous polishing step,
The polishing condition and the cleaning condition may be modified using the result of the current polishing process. In this case, in order to correct the polishing condition and the cleaning condition, a table or the like is separately provided to hold a correspondence relationship between the result of the polishing process, the polishing condition and the cleaning condition before the correction, and the polishing condition and the cleaning condition after the correction. Shall be.

【0107】なお、以上説明した動作を実行するプログ
ラムは、フロッピーディスク、 CD−ROM等の可搬
媒体や、ハードディスク等の記憶装置に、その全体ある
いは一部が記録され、あるいは記憶されている。そのプ
ログラムはコンピュータにより読み取られて、動作の全
部あるいは一部が実行される。
The program for executing the above-described operation is recorded or stored in whole or in part on a portable medium such as a floppy disk, a CD-ROM, or a storage device such as a hard disk. The program is read by a computer, and all or a part of the operation is executed.

【0108】なお、本発明でいう記録媒体は、前述した
光ディスクや磁気ディスク等のようにプログラムを静的
に記録しているものに限らず、インターネットの専用
線、電話回線等の通信回線を通してプログラムを送信す
る場合の通信回線のように、短時間の間、動的にプログ
ラムを保持しているもの、その場合のサーバやコンピュ
ータ内部メモリのように、一定時間プログラムを保持し
ているものも含むものとする。
The recording medium according to the present invention is not limited to a medium in which a program is statically recorded, such as the above-mentioned optical disk or magnetic disk, but may be a program recorded through a communication line such as a dedicated line of the Internet or a telephone line. In this case, there is a communication line that transmits programs, which dynamically stores programs for a short period of time, and a server or computer internal memory that stores programs for a certain period of time. Shall be considered.

【0109】[0109]

【発明の効果】半導体ウェーハを、半導体ウェーハ研磨
・洗浄装置に装填すると、装置内部で研磨、洗浄、乾燥
の一連の工程がなされ、乾燥した状態で回収できるの
で、処理後の塵等の付着を防ぐことができる。
When a semiconductor wafer is loaded into a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus, a series of steps of polishing, cleaning, and drying are performed inside the apparatus, and the semiconductor wafer can be recovered in a dry state. Can be prevented.

【0110】洗浄部と研磨部を遮断壁で分離したことに
より、研磨時にでる飛散物の洗浄部への侵入を防ぐこと
ができる。
Since the cleaning section and the polishing section are separated from each other by the blocking wall, it is possible to prevent the scattered matter generated during polishing from entering the cleaning section.

【0111】また、装置の制御に関し、洗浄部および洗
浄制御部と、研磨部および研磨制御部とを分けたことに
より、それぞれを独立して開発できる点や、既存の装置
を流用することにより開発コストを下げることができ
る。
Further, regarding the control of the apparatus, the cleaning section and the cleaning control section are separated from the polishing section and the polishing control section, so that they can be independently developed. Costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の制御装置と被制御装置の接続関係を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a connection relationship between a control device and a controlled device of a semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の全体の動作過程を示すフローチャートで
ある。
FIG. 3 is a flowchart showing an overall operation process of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention;

【図4】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の洗浄制御部の動作を示すフローチャート
である。
FIG. 4 is a flowchart showing an operation of a cleaning control unit of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の研磨制御部の動作を示すフローチャート
である。
FIG. 5 is a flowchart showing an operation of a polishing control unit of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の制御端末の洗浄制御部に対する制御過程
を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a control process for a cleaning control unit of a control terminal of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の一実施形態である半導体ウェーハ研
磨・洗浄装置の制御端末の研磨制御部に対する制御過程
を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a control process for a polishing control unit of a control terminal of the semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 洗浄制御部 2 研磨制御部 3 制御端末 4〜8 ウェーハ搬送ユニット 9、10 バッファカセット 11 ウェーハ洗浄ユニット 12 ウェーハ乾燥ユニット 13、14 ウェーハ搬送ユニット 15 ウェーハ研磨ユニット 16、17 ドア SCR 洗浄部 CMP 研磨部 a SCRウェーハ待ち信号 b CMPウェーハ待ち信号 c ドア16OPEN/CLOSE信号 d ドア17OPEN/CLOSE信号 e 対CMPウェーハ受け要求信号 f 対SCRウェーハ受け要求信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning control part 2 Polishing control part 3 Control terminal 4-8 Wafer transfer unit 9, 10 Buffer cassette 11 Wafer cleaning unit 12 Wafer drying unit 13, 14 Wafer transfer unit 15 Wafer polishing unit 16, 17 Door SCR cleaning part CMP polishing part a SCR wafer waiting signal b CMP wafer waiting signal c Door 16 OPEN / CLOSE signal d Door 17 OPEN / CLOSE signal e CMP wafer receiving request signal f SCR wafer receiving request signal

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハの洗浄および乾燥をする
洗浄部と、 半導体ウェーハの研磨をする研磨部と、 前記洗浄部に接続され、該洗浄部を制御する洗浄制御部
と、 前記研磨部に接続され、該研磨部を制御する研磨制御部
と、 前記洗浄制御部と前記研磨制御部に接続され、該洗浄制
御部と該研磨制御部を制御する制御端末とからなり、 前記制御端末は、前記洗浄部と前記研磨部の動作条件を
設定でき、 前記洗浄制御部と前記研磨制御部は、相互に接続され、
連動して前記洗浄部と前記研磨部を制御することを特徴
とする半導体ウェーハ研磨・洗浄装置。
A cleaning unit for cleaning and drying the semiconductor wafer; a polishing unit for polishing the semiconductor wafer; a cleaning control unit connected to the cleaning unit for controlling the cleaning unit; and a connection to the polishing unit. A polishing control unit that controls the polishing unit, and a control terminal that is connected to the cleaning control unit and the polishing control unit and controls the cleaning control unit and the polishing control unit. The operating conditions of the cleaning unit and the polishing unit can be set, the cleaning control unit and the polishing control unit are interconnected,
An apparatus for polishing and cleaning a semiconductor wafer, wherein the cleaning unit and the polishing unit are controlled in conjunction with each other.
【請求項2】 半導体ウェーハの洗浄および乾燥をする
洗浄部と、 半導体ウェーハの研磨をする研磨部と、 前記洗浄部と前記研磨部間の空気の流通を遮断する遮断
壁に備えられた1つないし複数の開閉部と、 前記洗浄部および前記研磨部および前記開閉部に接続さ
れ、該洗浄部および該研磨部および該開閉部を制御する
制御部とからなり、 前記洗浄部と前記研磨部間の半導体ウェーハの移送を、
前記開閉部を通して行なうことを特徴とする半導体ウェ
ーハ研磨・洗浄装置。
2. A cleaning section for cleaning and drying a semiconductor wafer, a polishing section for polishing a semiconductor wafer, and one provided on a blocking wall for blocking air flow between the cleaning section and the polishing section. A plurality of opening / closing sections, and a control section connected to the cleaning section, the polishing section, and the opening / closing section, and controlling the cleaning section, the polishing section, and the opening / closing section. Semiconductor wafer transfer
An apparatus for polishing and cleaning a semiconductor wafer, wherein the processing is performed through the opening / closing section.
【請求項3】 前記制御部は、前記洗浄部および前記研
磨部の動作条件を入力または選択する少なくとも1つの
制御端末を備えることを特徴とする請求項2記載の半導
体ウェーハ研磨・洗浄装置。
3. The semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to claim 2, wherein the control unit includes at least one control terminal for inputting or selecting operating conditions of the cleaning unit and the polishing unit.
【請求項4】 前記制御部は、さらに、前記制御端末に
接続され前記洗浄部を制御する洗浄制御部と、前記制御
端末に接続され前記研磨部を制御する研磨制御部を備
え、 前記洗浄制御部と前記研磨制御部は、相互に接続され、
連動して前記洗浄部と前記研磨部を制御することを特徴
とする請求項3記載の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置。
4. The cleaning control unit further includes: a cleaning control unit connected to the control terminal to control the cleaning unit; and a polishing control unit connected to the control terminal to control the polishing unit. The unit and the polishing control unit are connected to each other,
4. The semiconductor wafer polishing and cleaning apparatus according to claim 3, wherein the cleaning unit and the polishing unit are controlled in conjunction with each other.
【請求項5】 前記洗浄部は、 半導体ウェーハを搬送するのに用いられる1つないし複
数から構成される第1の搬送手段と、 前記半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段と、 前記半導体ウェーハを乾燥する乾燥手段とからなり、ま
た、 前記研磨部は、 半導体ウェーハを搬送するのに用いられる1つないし複
数から構成される第2の搬送手段と、 前記半導体ウェーハを研磨する研磨手段とからなること
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
の半導体ウェーハ研磨・洗浄装置。
5. The cleaning unit includes: a first transfer unit configured to transfer one or more semiconductor wafers; a cleaning unit configured to clean the semiconductor wafer; and a drying unit configured to dry the semiconductor wafer. Drying means, and the polishing section comprises: one or more second transfer means used for transferring a semiconductor wafer; and a polishing means for polishing the semiconductor wafer. The semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein:
【請求項6】 前記洗浄部は、さらに、 前記半導体ウェーハを一時格納する1つないし複数の一
時格納部を備えることを特徴とする請求項5記載の半導
体ウェーハ研磨・洗浄装置。
6. The apparatus for polishing and cleaning a semiconductor wafer according to claim 5, wherein the cleaning unit further includes one or more temporary storage units for temporarily storing the semiconductor wafer.
【請求項7】 前記第1搬送手段に、半導体ウェーハを
取入れ口より取入れさせる工程と、 前記開閉部を開き、前記半導体ウェーハを、前記第1搬
送手段から前記第2搬送手段へ移載させる工程と、 前記開閉部を閉じ、前記第2搬送手段に、前記半導体ウ
ェーハを前記研磨手段へ移載させる工程と、 前記研磨手段に、前記半導体ウェーハを研磨させる工程
と、 前記第2搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記研磨手
段より取り出させる工程と、 前記開閉部を開き、前記第1搬送手段に、前記半導体ウ
ェーハを前記第2搬送手段から移載させる工程と、 前記開閉部を閉じ、前記第1搬送手段に、前記半導体ウ
ェーハを前記洗浄部へ移載させる工程と、 前記洗浄部に前記半導体ウェーハを洗浄させる工程と、 前記第1搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記洗浄部
より前記乾燥部へ移載させる工程と、 前記乾燥部に、前記半導体ウェーハを乾燥させる工程
と、 前記第1搬送手段に、前記半導体ウェーハを前記乾燥部
より前記取入れ口に戻させる工程とからなることを特徴
とする半導体ウェーハ研磨・洗浄方法。
7. A step of allowing the first transfer means to take in a semiconductor wafer from an inlet, and a step of opening the opening / closing section and transferring the semiconductor wafer from the first transfer means to the second transfer means. Closing the opening / closing section and transferring the semiconductor wafer to the polishing means on the second transport means; polishing the semiconductor wafer on the polishing means; Removing the semiconductor wafer from the polishing means, opening the opening / closing section, and transferring the semiconductor wafer from the second carrying means to the first transfer means; closing the opening / closing section; A step of transferring the semiconductor wafer to the cleaning unit in one transport unit; a step of cleaning the semiconductor wafer in the cleaning unit; Transferring the wafer from the cleaning unit to the drying unit; drying the semiconductor wafer in the drying unit; returning the semiconductor wafer from the drying unit to the intake port in the first transport unit; And a method of polishing and cleaning a semiconductor wafer.
【請求項8】 半導体ウェーハを取入れ口から搬送する
手順と、 前記研磨部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判
断する手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対し、半導体ウェーハの受取
りを要求する手順と、 前記開閉部の1つが開かれているか判断する手順と、 前記洗浄部から前記研磨部へ半導体ウェーハを搬送する
手順と、 前記研磨部が半導体ウェーハを待つ待機状態でないか判
断する手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対する半導体ウェーハの受取
り要求を停止する手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対し、半導体ウェーハを待つ
待機状態であることを通知する手順と、 前記研磨部が前記洗浄部に対し半導体ウェーハの受取り
要求をしているか判断する手順と、 前記開閉部の1つが開かれているか判断する手順と、 前記研磨部から前記洗浄部へ半導体ウェーハを搬送する
手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対し、半導体ウェーハを待つ
待機状態でないことを通知する手順と、 前記半導体ウェーハを前記洗浄手段へ移載する手順と、 前記洗浄手段に半導体ウェーハを洗浄させる手順と、 半導体ウェーハを前記乾燥手段へ移載する手順と、 前記乾燥手段に半導体ウェーハを乾燥させる手順と、 前記取入れ口に半導体ウェーハを戻す手順とをコンピュ
ータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュ
ータ読み取り可能な記録媒体。
8. A procedure for transferring a semiconductor wafer from an inlet, a procedure for determining whether the polishing unit is in a standby state waiting for the semiconductor wafer, and a step for requesting the cleaning unit to receive the semiconductor wafer from the polishing unit. A procedure for determining whether one of the opening and closing sections is open; a procedure for transferring a semiconductor wafer from the cleaning section to the polishing section; and a procedure for determining whether the polishing section is not in a standby state waiting for the semiconductor wafer. A procedure in which the cleaning unit stops receiving a semiconductor wafer reception request to the polishing unit; a procedure in which the cleaning unit notifies the polishing unit that the semiconductor wafer is in a standby state waiting for a semiconductor wafer; and A step of determining whether a request for receiving a semiconductor wafer is sent to the cleaning unit; a step of determining whether one of the opening / closing units is open; A procedure of transferring a semiconductor wafer from the cleaning unit to the cleaning unit, a procedure of notifying that the cleaning unit is not in a standby state waiting for the semiconductor wafer to the polishing unit, and a procedure of transferring the semiconductor wafer to the cleaning unit. A step of cleaning the semiconductor wafer by the cleaning unit; a step of transferring the semiconductor wafer to the drying unit; a step of drying the semiconductor wafer by the drying unit; and a step of returning the semiconductor wafer to the inlet. A computer-readable recording medium on which a program to be executed by a computer is recorded.
【請求項9】 前記研磨部が前記洗浄部に対し、半導体
ウェーハを待つ待機状態であることを通知する手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対し半導体ウェーハの受取り
要求をしているか判断する手順と、 前記開閉部の1つを開く手順と、 前記研磨部が、前記洗浄部からの半導体ウェーハの受取
りを完了したか判断する手順と、 前記研磨部が半導体ウェーハを待つ待機状態でないこと
を通知する手順と、 前記研磨部が前記洗浄部に対する半導体ウェーハの受取
り要求を停止する手順と、 前記洗浄部が前記研磨部に対し半導体ウェーハの受取り
要求を停止しているか判断する手順と、 前記開閉部を閉じる手順と、 半導体ウェーハを前記研磨手段へ移載する手順と、 前記ウェーハ研磨ユニットに半導体ウェーハを研磨させ
る手順と、 前記洗浄部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判
断する手順と、 前記研磨部が前記洗浄部に対し、半導体ウェーハの受取
りを要求する手順と、 前記開閉部の1つを開く手順と、 前記研磨部が、前記洗浄部への半導体ウェーハの引き渡
しを完了したか判断する手順と、 前記洗浄部が半導体ウェーハを待つ待機状態でないか判
断する手順と、 前記研磨部が前記洗浄部に対する半導体ウェーハの受取
り要求を停止する手順と、 前記開閉部を閉じる手順とをコンピュータに実行させる
ためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能
な記録媒体。
9. A procedure in which the polishing unit notifies the cleaning unit that the semiconductor wafer is in a standby state waiting for a semiconductor wafer, and determines whether the cleaning unit has requested the polishing unit to receive a semiconductor wafer. A procedure, a procedure for opening one of the opening / closing sections, a procedure for determining whether the polishing section has completed reception of the semiconductor wafer from the cleaning section, and a procedure in which the polishing section is not in a standby state waiting for the semiconductor wafer. A step of notifying, a step in which the polishing unit stops receiving a semiconductor wafer from the cleaning unit, a step of determining whether the cleaning unit stops receiving a semiconductor wafer from the polishing unit, and Closing the unit, transferring the semiconductor wafer to the polishing means, polishing the semiconductor wafer by the wafer polishing unit, and cleaning Is a waiting state for waiting for a semiconductor wafer, a procedure for determining whether or not the polishing section requests the cleaning section to receive a semiconductor wafer, a procedure for opening one of the opening / closing sections, A procedure for determining whether the delivery of the semiconductor wafer to the cleaning unit has been completed, a procedure for determining whether the cleaning unit is not in a standby state waiting for the semiconductor wafer, and a step in which the polishing unit receives a semiconductor wafer reception request for the cleaning unit. A computer-readable recording medium recording a program for causing a computer to execute a procedure of stopping and a procedure of closing the opening / closing unit.
【請求項10】 前記研磨部が半導体ウェーハを待つ待
機状態であるか判断する手順と、 前記洗浄部から前記研磨部への半導体ウェーハが存在す
るか判断する手順と、半導体ウェーハの個別情報を取り
出す手順と、 半導体ウェーハの個別情報に対応する研磨条件を取り出
す手順と、 前記研磨制御部に半導体ウェーハの個別情報および前記
研磨条件を設定する手順と、 前記洗浄部が半導体ウェーハの引き渡しを完了したか判
断する手順と、 前記研磨部が半導体ウェーハの受取りを完了したか判断
する手順と、さらに、 前記洗浄部が半導体ウェーハを待つ待機状態であるか判
断する手順と、 前記研磨部から前記洗浄部への半導体ウェーハが存在す
るか判断する手順と、 半導体ウェーハの個別情報を取り出す手順と、 半導体ウェーハの個別情報に対応する洗浄・乾燥条件を
取り出す手順と、 前記洗浄制御部に前記半導体ウェーハの個別情報および
前記洗浄・乾燥条件を設定する手順と、 前記研磨部が半導体ウェーハの引き渡しを完了したか判
断する手順と、 前記洗浄部が半導体ウェーハの受取りを完了したか判断
する手順とをコンピュータに実行させるためのプログラ
ムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
10. A procedure for determining whether the polishing section is in a standby state waiting for a semiconductor wafer, a procedure for determining whether a semiconductor wafer exists from the cleaning section to the polishing section, and extracting individual information of the semiconductor wafer. A procedure, a procedure for extracting polishing conditions corresponding to the individual information of the semiconductor wafer, a procedure for setting the individual information of the semiconductor wafer and the polishing conditions in the polishing control unit, and whether the cleaning unit has completed the delivery of the semiconductor wafer. A step of determining, a step of determining whether the polishing unit has completed receiving the semiconductor wafer, and a step of determining whether the cleaning unit is in a standby state waiting for the semiconductor wafer, and from the polishing unit to the cleaning unit. To determine whether there is any semiconductor wafer, to retrieve the individual information of the semiconductor wafer, and to retrieve the individual information of the semiconductor wafer A procedure for extracting cleaning / drying conditions corresponding to the above, a procedure for setting the individual information of the semiconductor wafer and the cleaning / drying conditions in the cleaning control unit, and a procedure for determining whether the polishing unit has completed delivery of the semiconductor wafer. And a computer-readable recording medium recording a program for causing a computer to execute a procedure for determining whether the cleaning unit has completed receiving the semiconductor wafer.
JP10200921A 1998-07-15 1998-07-15 Semiconductor wafer polishing / cleaning apparatus and method, and medium recording program thereof Withdrawn JP2000031101A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059828A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Ebara Corp Polishing method and polishing apparatus

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