JP2000022077A

JP2000022077A - 半導体集積回路

Info

Publication number: JP2000022077A
Application number: JP10183594A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Murota; 和明室田
Original assignee: Denso Ten Ltd
Current assignee: Denso Ten Ltd
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の外付け抵抗の役目を果たす抵抗をＩＣ
の中に形成し、しかも寄生ダイオ−ドを生じさせず、Ｅ
ＭＩ対策としても十分に機能させ得る抵抗を有した半導
体集積回路を提供すること。【解決手段】ボンディングパッド１１とグランドＧＮ
Ｄとの間に直列的に複数個のポリシリコン抵抗Ｒ２、ポ
リシリコン抵抗Ｒ３を介装し、これらポリシリコン抵抗
Ｒ２とポリシリコン抵抗Ｒ３との接続点ｊ１を内部回路
及び静電保護ダイオ−ド１３、１４の接続点ｊ２に接続
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、より詳細にはＰ型基板上等に構成される半導体集積
回路（以下、ＩＣとも記す）に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にＩＣにおける素子間は、ＰＮ接合
の逆バイアスにより分離されている。一般のＩＣはＰ型
基板（サブスレ−ト）上に構成されるため、ＩＣへの入
力電圧が基板電圧以下の電圧、より正確には基板電圧−
ダイオ−ドの順方向電圧、になると寄生ダイオ−ドが動
作し、ＩＣの破壊や誤動作を生じさせる。

【０００３】また、静電気ノイズ等からＩＣ内部回路を
保護するため、通常、ボンディングパッド周辺には静電
保護ダイオ−ドと呼ばれる複数個の素子が電源と接地
（ＧＮＤ）間に直列的に配置され、前記ボンディングパ
ッドにその接続点が直接的に接続される構成が採用され
ている。前記静電保護ダイオ−ドは、一般に、ボンディ
ングパッド−ＧＮＤ（ＩＣ基板電圧）間と、ボンディン
グパッド−電源間に接続されるため、ボンディングパッ
ドには、（ＧＮＤ−ダイオ−ド電圧）以下の電圧、（電
源電圧＋ダイオ−ド電圧）以上の電圧信号を入力するこ
とはできない。

【０００４】しかしながら、ボンディングパッド（Ｉ
Ｃ）にはハ−ネスを介して±数百Ｖのサ−ジノイズが作
用することもあれば、電磁波ノイズ（以下、ＥＭＩと記
す）が作用することもある。ＥＭＩ対策のためには、通
常、数ｋ〜数十ｋオ−ムの抵抗が必要である。そこで、
従来は図９に示したように、ＩＣのボンディングパッド
１１に数ｋ〜数十ｋオ−ムの外付け抵抗Ｒ１を接続して
いた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣの
外側に外付け抵抗Ｒ１を接続することは、製作に手間を
要し、また部品点数も多くなり、望ましいことではなか
った。他方、外付け抵抗Ｒ１の接続をやめてＩＣの内側
に抵抗を配置し、ボンディングパッド１１に接続するこ
とも考えられるが、この抵抗を拡散抵抗で構成すると以
下のような課題があった。すなわち、拡散抵抗はＮ型の
エピタキシャル層の中にＰ型の拡散を行って形成される
ため、抵抗自身（Ｐ型）とエピタキシャル層（Ｎ型）と
の間に寄生ダイオ−ドが存在する。そのため、通常、エ
ピタキシャル層を拡散抵抗にかかる電圧よりも高い電位
に接続し、寄生ダイオ−ドが動作しないようにしなけれ
ばならない。一方、エピタキシャル層にかけることがで
きる電圧はＩＣの耐圧以下に制限されるため、前記拡散
抵抗にはＩＣの耐圧以上の電圧をかけることはできな
い。従って、前記拡散抵抗で従来の外付け抵抗Ｒ１を代
用させるのは困難であるといった課題があった。

【０００６】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、従来の外付け抵抗の役目を果たす抵抗を半導体集
積回路の中に形成し、しかも寄生ダイオ−ドを生じさせ
ず、ＥＭＩ対策としても十分に機能させ得る抵抗を有し
た半導体集積回路を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る半導体集積回路（１）は、
ボンディングパッドと接地との間に直列的に複数個のポ
リシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗が介装され、これら抵
抗の分割点が内部回路と１個以上の静電保護ダイオ−ド
との接続点に接続されていることを特徴としている。

【０００８】半導体集積回路において実現可能な抵抗と
しては、ベ−ス拡散抵抗や高抵抗用拡散抵抗の他に、Ｍ
ＯＳＦＥＴのゲ−ト電極等に使用されているポリシリコ
ン抵抗、タンタルやニクロム等を材料として真空蒸着等
の方法で形成される薄膜抵抗等が挙げられる。上記した
ように前記拡散抵抗には半導体集積回路の耐圧以上の電
圧をかけることができないが、前記ポリシリコン抵抗や
薄膜抵抗には、その構造上、寄生ダイオ−ドが存在せ
ず、ディスクリ−ト抵抗等と同様に取り扱うことができ
る。そのため、前記ポリシリコン抵抗や薄膜抵抗に半導
体集積回路の基板電圧以下の電圧や半導体集積回路の耐
圧以上の電圧がかかっても、これらの抵抗が破壊される
ことはない。

【０００９】従って、上記半導体集積回路（１）によれ
ば、適切な値を有する前記ポリシリコン抵抗あるいは薄
膜抵抗を形成することにより、前記ボンディングパッド
に半導体集積回路の耐圧以上の電圧を有する信号を入力
できることとなり、外付け抵抗を省略しても、十分ＥＭ
Ｉ対策を図ることも可能となる。また、前記ポリシリコ
ン抵抗あるいは薄膜抵抗は、従来の外付け抵抗と相違
し、半導体集積回路の形成過程において同時的に形成で
きるものであるため、製作が容易で、外付けする手間を
要しない。従って、電子機器全体として見れば、部品点
数の削減、製造工数の削減により、コストダウンを図る
ことができる。

【００１０】また、本発明に係る半導体集積回路（２）
は、ボンディングパッドと正の電圧源との間に直列的に
複数個のポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗が介装さ
れ、これら抵抗の分割点が内部回路と１個以上の静電保
護ダイオ−ドとの接続点に接続されていることを特徴と
している。

【００１１】上記半導体集積回路（２）によれば、適切
な値を有する前記ポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗を
形成することにより、前記ボンディングパッドに負の電
圧あるいは半導体集積回路の基板電圧以下の電圧を有す
る信号を入力できることとなる。また、前記ポリシリコ
ン抵抗あるいは薄膜抵抗は、従来の外付け抵抗と相違
し、半導体集積回路の形成過程において同時的に形成で
きるものであるため、製作が容易で、外付けする手間を
要しない。従って、電子機器全体として見れば、部品点
数の削減、製造工数の削減により、コストダウンを図る
ことができる。

【００１２】また、本発明に係る半導体集積回路（３）
は、ボンディングパッドと１個以上の静電保護ダイオ−
ドの接続点との間にポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗
が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部回路との間
にサ−ジ吸収用のクランプ回路が介装されていることを
特徴としている。

【００１３】上記半導体集積回路（３）によれば、前記
ボンディングパッドに正あるいは負の過大な電圧が作用
しても、前記内部回路には誤動作を生じさせる電圧や回
路が破壊されるような電圧が作用することはない。

【００１４】また、本発明に係る半導体集積回路（４）
は、上記半導体集積回路（１）又は（２）において、前
記静電保護ダイオ−ドの接続点と前記内部回路との間に
サ−ジ吸収用のクランプ回路が介装されていることを特
徴としている。

【００１５】上記半導体集積回路（４）によれば、前記
ボンディングパッドに正あるいは負の過大な電圧が作用
しても、前記内部回路には誤動作を生じさせる電圧や回
路が破壊されるような電圧が作用することはない。

【００１６】また、本発明に係る半導体集積回路（５）
は、ボンディングパッドと静電保護ダイオ−ドとの間に
ポリシリコンあるいは薄膜からなる一のゲイン設定抵抗
が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部回路との間
にポリシリコンあるいは薄膜からなる他のゲイン設定抵
抗が介装され、反転オペアンプの反転入力端子が前記静
電保護ダイオ−ドと前記他のゲイン設定抵抗との接続点
に接続され、非反転入力端子が接地され、出力端子が前
記内部回路と前記他のゲイン設定抵抗との接続点に接続
されていることを特徴としている。

【００１７】上記半導体集積回路（５）によれば、抵抗
を外付けすることなく、前記ボンディングパッドに作用
する負又は半導体集積回路の基板電圧以下の電圧を正の
所望の電圧に変換できることとなる。

【００１８】また、本発明に係る半導体集積回路（６）
は、ボンディングパッドと静電保護ダイオ−ドとの間に
ポリシリコンあるいは薄膜からなる一のゲイン設定抵抗
が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部回路との間
にポリシリコンあるいは薄膜からなる他のゲイン設定抵
抗が介装され、反転オペアンプの反転入力端子が前記静
電保護ダイオ−ドと前記他のゲイン設定抵抗との接続点
に接続され、非反転入力端子が正の基準電圧源に接続さ
れ、出力端子が前記内部回路と前記他のゲイン設定抵抗
との接続点に接続されていることを特徴としている。

【００１９】上記半導体集積回路（６）によれば、抵抗
を外付けすることなく、前記ボンディングパッドに作用
する半導体集積回路の電源電圧以上の高電圧を前記電源
電圧以下の正の所望の電圧に変換できることとなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体集積回
路の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は実施
の形態（１）に係る半導体集積回路を示す回路図であ
り、図中ＢＡＴはバッテリ電源を示しており、バッテリ
電源ＢＡＴはボンディングパッド１１を介して半導体集
積回路ＩＣに接続されている。ボンディングパッド１１
とグランドＧＮＤとの間にはポリシリコン抵抗Ｒ２、Ｒ
３が直列接続されており、これらポリシリコン抵抗Ｒ２
とポリシリコン抵抗Ｒ３との接続点ｊ１がダイオ−ド１
３とダイオ−ド１４との接続点ｊ２、及びコンパレ−タ
１５の反転入力端子−に接続されている。コンパレ−タ
１５の非反転入力端子＋は基準電圧を与える電源Ｖｒｅ
ｆの＋側に接続され、電源Ｖｒｅｆの−側はグランドＧ
ＮＤに接続され、コンパレ−タ１５の出力端子Ｖｏｕｔ
は内部回路（図示せず）に接続されている。ダイオ−ド
１３のカソ−ドは電源Ｖｃｃに接続され、ダイオ−ド１
４のアノ−ドはグランドＧＮＤに接続されている。

【００２１】車載用の電子制御機器では、バッテリ電源
ＢＡＴの電圧をモニタし、制御を行う必要があるものが
多い。上記したように構成された実施の形態（１）に係
る半導体集積回路の場合、分圧抵抗がポリシリコン抵抗
Ｒ２、Ｒ３で構成されているため、ボンディングパッド
１１に、電源Ｖｃｃの電圧、例えば５Ｖよりも高いバッ
テリ電源ＢＡＴの電圧、例えば８Ｖを印加しても、ポリ
シリコン抵抗Ｒ２、Ｒ３が破壊されることはない。また
バッテリ電源ＢＡＴの電圧をポリシリコン抵抗Ｒ２とポ
リシリコン抵抗Ｒ３とで分圧したもの（適切な値にまで
落したもの）をコンパレ−タ１５の反転入力端子−に入
力することができるため、コンパレ−タ１５の電源Ｖｃ
ｃの電圧（５Ｖ）がバッテリ電源ＢＡＴの電圧（８Ｖ）
よりも低くても抵抗を外付けすることなく、バッテリ電
源ＢＡＴの電圧をモニタすることができる。

【００２２】また、ポリシリコン抵抗Ｒ２、ポリシリコ
ン抵抗Ｒ３は、従来の外付け抵抗と相違し、半導体集積
回路の形成過程において同時的に形成できるものである
ため、製作が容易で、外付けする手間を要しない。従っ
て、電子制御機器全体として見れば、部品点数の削減、
製造工数の削減となり、コストダウンを図ることができ
る。

【００２３】図２は実施の形態（２）に係る半導体集積
回路を示す回路図であり、図中ＢＡＴはバッテリ電源を
示しており、バッテリ電源ＢＡＴはボンディングパッド
２０を介して半導体集積回路ＩＣに接続されている。ま
たバッテリ電源ＢＡＴからの出力ラインがボンディング
パッド１１を介して半導体集積回路ＩＣに接続されてお
り、ボンディングパッド１１とグランドＧＮＤとの間に
はポリシリコン抵抗Ｒ４、Ｒ５が直列接続され、これら
ポリシリコン抵抗Ｒ４とポリシリコン抵抗Ｒ５との接続
点ｊ１がダイオ−ド１３とダイオ−ド１４との接続点ｊ
２、及びエラ−アンプ１６の非反転入力端子＋に接続さ
れている。エラ−アンプ１６の反転入力端子−は基準電
圧を与える電源Ｖｒｅｆの＋側に接続され、電源Ｖｒｅ
ｆの−側はグランドＧＮＤに接続され、エラ−アンプ１
６の出力端子ＶｏｕｔはＰＷＭコンパレ−タ１７の反転
入力端子−に接続されている。ＰＷＭコンパレ−タ１７
の非反転入力端子＋には発振器１８が接続され、ＰＷＭ
コンパレ−タ１７の出力端子ＶｏｕｔはＮＰＮトランジ
スタＴＲ１のベ−スに接続されている。ＮＰＮトランジ
スタＴＲ１のエミッタはグランドＧＮＤに接続され、コ
レクタはボンディングパッド１９に接続されている。ダ
イオ−ド１３のカソ−ドは電源Ｖｃｃに接続され、ダイ
オ−ド１４のアノ−ドはグランドＧＮＤに接続されてい
る。

【００２４】また、バッテリ電源ＢＡＴの出力ラインに
はコイル２１とダイオ−ド２２が介装され、コイル２１
とダイオ−ド２２との接続点ｊ３にはボンディングパッ
ド１９が接続され、ダイオ−ド２２のカソ−ドにはコン
デンサ２３の一端が接続され、コンデンサ２３の他端は
グランドＧＮＤに接続されている。

【００２５】車載用の電子制御機器では、バッテリ電源
ＢＡＴの電圧、例えば１４Ｖよりも高い電圧を必要とす
るものがある。エアバッグシステムなどでは３０Ｖ程度
の電圧を必要とする。上記したように構成されたスイッ
チングレギュレ−タ（ステップアップレギュレ−タ）で
ある実施の形態（２）に係る半導体集積回路の場合、分
圧抵抗がポリシリコン抵抗Ｒ４、Ｒ５で構成されている
ため、ボンディングパッド１１にはバッテリ電源ＢＡＴ
の電圧（例えば１４Ｖ程度）がステップアップされた、
例えば３０Ｖよりも高い電圧であっても問題なくこれを
印加することができる。またステップアップされた電圧
をポリシリコン抵抗Ｒ４とポリシリコン抵抗Ｒ５とで分
圧したもの（適切な値にまで落したもの）をエラ−アン
プ１６の非反転入力端子＋に入力することができるた
め、エラ−アンプ１６の電源Ｖｃｃの電圧がステップア
ップされた電圧よりも低くても抵抗を外付けすることな
く、ステップアップされた電圧をモニタすることができ
る。

【００２６】また、ポリシリコン抵抗Ｒ４、ポリシリコ
ン抵抗Ｒ５は、従来の外付け抵抗と相違し、半導体集積
回路の形成過程において同時的に形成できるものである
ため、製作が容易で、外付けする手間を要しない。従っ
て、電子制御機器全体として見れば、部品点数の削減、
製造工数の削減となり、コストダウンを図ることができ
る。

【００２７】図３は実施の形態（３）に係る半導体集積
回路を示す回路図であり、負の電源電圧がボンディング
パッド１１を介して半導体集積回路ＩＣに印加されてい
る。ボンディングパッド１１と電源Ｖｃｃとの間にはポ
リシリコン抵抗Ｒ６、Ｒ７が直列接続されており、これ
らポリシリコン抵抗Ｒ６とポリシリコン抵抗Ｒ７との接
続点ｊ１がダイオ−ド１３とダイオ−ド１４との接続点
ｊ２、及びコンパレ−タ３０の反転入力端子−に接続さ
れている。コンパレ−タ３０の非反転入力端子＋は基準
電圧を与える、電源Ｖｃｃの抵抗Ｒ８と抵抗Ｒ９とによ
る分割点ｊ４に接続され、抵抗Ｒ８の一端は電源Ｖｃｃ
に接続され、抵抗Ｒ９の一端はグランドＧＮＤに接続さ
れ、コンパレ−タ３０の出力端子Ｖｏｕｔは内部回路
（図示せず）に接続されている。ダイオ−ド１３のカソ
−ドは電源Ｖｃｃに接続され、ダイオ−ド１４のアノ−
ドはグランドＧＮＤに接続されている。

【００２８】車載用の電子制御機器のうち、ミリ波レ−
ダの受信回路等に用いられるＧａＡｓ半導体集積回路を
用いたＲＦアンプ等では正負２電源駆動であり、負の電
源電圧を必要とする。上記したように構成された実施の
形態（３）に係る半導体集積回路の場合、分圧抵抗がポ
リシリコン抵抗Ｒ６、Ｒ７で構成されているため、負の
電圧が作用しても破壊されることはなく、ボンディング
パッド１１には負の電圧であってもこれを印加すること
ができる。また負の電源電圧をポリシリコン抵抗Ｒ６と
ポリシリコン抵抗Ｒ７とで分圧したもの（適切な値に調
整したもの）をコンパレ−タ３０の反転入力端子−に入
力することができるため、コンパレ−タ３０の電源Ｖｃ
ｃの電圧が正であっても抵抗を外付けすることなく、負
の電圧をモニタすることができる。

【００２９】また、ポリシリコン抵抗Ｒ６、Ｒ７は、従
来の外付け抵抗と相違し、半導体集積回路の形成過程に
おいて同時的に形成できるものであるため、製作が容易
で、外付けする手間を要しない。従って、電子制御機器
全体として見れば、部品点数の削減、製造工数の削減と
なり、コストダウンを図ることができる。

【００３０】図４は実施の形態（４）に係る半導体集積
回路を示す回路図であり、入力側のボンディングパッド
１１にはポリシリコン抵抗Ｒ１０の一端が接続されてお
り、ポリシリコン抵抗Ｒ１０の他端はダイオ−ド１３と
ダイオ−ド１４との接続点ｊ２、及びコンパレ−タ４０
の反転入力端子−に接続されている。コンパレ−タ４０
の非反転入力端子＋は、基準電圧を与える、電源Ｖｃｃ
の抵抗Ｒ８と抵抗Ｒ９とによる分割点ｊ４に接続され、
抵抗Ｒ８の一端は電源Ｖｃｃに接続され、抵抗Ｒ９の一
端はグランドＧＮＤに接続され、コンパレ−タ４０の出
力端子Ｖｏｕｔは内部回路（図示せず）に接続されてい
る。ダイオ−ド１３のカソ−ドは電源Ｖｃｃに接続さ
れ、ダイオ−ド１４のアノ−ドはグランドＧＮＤに接続
されている。

【００３１】また、接続点ｊ２と反転入力端子−との間
にはクランプ回路ＣＬが介装されている。クランプ回路
ＣＬはＮＰＮトランジスタＴＲ２、ＰＮＰトランジスタ
ＴＲ３を含んで構成され、ＮＰＮトランジスタＴＲ２の
コレクタは電源Ｖｃｃに接続され、エミッタは接続点ｊ
５を介してＰＮＰトランジスタＴＲ３のエミッタに接続
され、ベ−スは抵抗Ｒ１１とダイオ−ド４２との接続点
ｊ７に接続されている。ＰＮＰトランジスタＴＲ３のコ
レクタはグランドＧＮＤに接続され、ベ−スは抵抗Ｒ１
１とダイオ−ド４１との接続点ｊ６に接続されている。
ダイオ−ド４１のアノ−ドは電源Ｖｃｃに接続され、ダ
イオ−ド４２のカソ−ドはグランドＧＮＤに接続されて
いる。これらＮＰＮトランジスタＴＲ２、ＰＮＰトラン
ジスタＴＲ３、ダイオ−ド４１、ダイオ−ド４２、抵抗
Ｒ１１を含んでクランプ回路ＣＬが構成されている。

【００３２】車載用の電子制御機器の半導体集積回路に
は、外部からの電磁波ノイズ等、正負の過大な信号が入
力されることがあるが、上記したように構成された実施
の形態（４）に係る半導体集積回路の場合、ノイズ除去
用の抵抗がポリシリコン抵抗Ｒ１０で構成されているた
め、ボンディングパッド１１に正負の過大な電圧が作用
してもポリシリコン抵抗Ｒ１０が破壊されることはな
い。しかもコンパレ−タ４０の反転入力端子−への入力
はクランプ回路ＣＬを介して行われるため、ボンディン
グパッド１１に正負の過大な電圧が作用しても、コンパ
レ−タ４０の反転入力端子−へはＧＮＤ電圧以下、電源
Ｖｃｃの電圧以上の電圧が入力されることはなくなり、
コンパレ−タ４０の誤動作の発生を防止することができ
る。

【００３３】また、ポリシリコン抵抗Ｒ１０は、従来の
外付け抵抗と相違し、半導体集積回路の形成過程におい
て同時的に形成できるものであるため、製作が容易で、
外付けする手間を要しない。従って、電子制御機器全体
として見れば、部品点数の削減、製造工数の削減とな
り、コストダウンを図ることができる。

【００３４】図５は実施の形態（５）に係る半導体集積
回路を示す回路図であり、負の電源電圧がボンディング
パッド１１を介して半導体集積回路ＩＣに印加されてい
る。ボンディングパッド１１にはポリシリコン抵抗Ｒ１
２の一端が接続されており、ポリシリコン抵抗Ｒ１２の
他端はダイオ−ド１３とダイオ−ド１４との接続点ｊ
２、及び反転アンプ５０の反転入力端子−に接続されて
いる。反転アンプ５０の非反転入力端子＋はグランドＧ
ＮＤに接続され、出力端子Ｖｏｕｔはポリシリコン抵抗
Ｒ１３とコンパレ−タ３０の反転入力端子−との接続点
ｊ９に接続されている。コンパレ−タ３０の非反転入力
端子＋は比較電圧を与える、電源Ｖｃｃの抵抗Ｒ１４と
抵抗Ｒ１５とによる分割点ｊ１０に接続され、抵抗Ｒ１
４の一端は電源Ｖｃｃに接続され、抵抗Ｒ１５の一端は
グランドＧＮＤに接続され、コンパレ−タ３０の出力端
子Ｖｏｕｔは内部回路（図示せず）および抵抗Ｒ１６を
介して電源Ｖｃｃに接続されている。ダイオ−ド１３の
カソ−ドは電源Ｖｃｃに接続され、ダイオ−ド１４のア
ノ−ドはグランドＧＮＤに接続されている。

【００３５】車載用の電子制御機器のうち、ミリ波レ−
ダの受信回路等に用いられるＧａＡｓ半導体集積回路を
用いたＲＦアンプ等では正負２電源駆動であり、負の電
源電圧を必要とする。上記したように構成された実施の
形態（５）に係る半導体集積回路の場合、反転アンプ５
０のゲインを決定するゲイン設定抵抗がポリシリコン抵
抗Ｒ１２、Ｒ１３で構成されているため、ボンディング
パッド１１には負の電圧であってもこれを印加すること
ができる。また負の電圧が反転アンプ５０で反転出力さ
れてコンパレ−タ３０の反転入力端子−に入力されるた
め、コンパレ−タ３０の電源Ｖｃｃの電圧が前記負の電
圧の絶対値より小さくても抵抗を外付けすることなく、
負の電圧をモニタすることができる。

【００３６】例えば、接続点ｊ１０における比較電圧が
２Ｖとなるように抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１５との抵抗値が
設定され、反転アンプ５０のゲインが５分の１となるよ
うにポリシリコン抵抗Ｒ１２とポリシリコン抵抗Ｒ１３
との抵抗値が設定されていると、図６に示したように、
ボンディングパッド１１から入力される負の電圧が−１
０Ｖの時に、反転アンプ５０から出力される接続点ｊ９
における電圧が２Ｖとなり、コンパレ−タ３０の出力端
子Ｖｏｕｔから出力される電圧がハイからロ−に切り換
わる。したがって、ボンディングパッド１１から入力さ
れる−１０Ｖの電圧をモニタすることができる。

【００３７】実施の形態（５）に係る半導体集積回路に
よれば、これらポリシリコン抵抗Ｒ１２、ポリシリコン
抵抗Ｒ１３、抵抗Ｒ１４及び抵抗Ｒ１５の値を所望の値
に設定することにより、かなり広い範囲における負の入
力電圧をモニタすることができる。

【００３８】また、ポリシリコン抵抗Ｒ１２、Ｒ１３
は、従来の外付け抵抗と相違し、半導体集積回路の形成
過程において同時的に形成できるものであるため、製作
が容易で、外付けする手間を要しない。従って、電子制
御機器全体として見れば、部品点数の削減、製造工数の
削減となり、コストダウンを図ることができる。

【００３９】図７は実施の形態（６）に係る半導体集積
回路を示す回路図であり、図７に示した半導体集積回路
が、図５に示した半導体集積回路と相違している点は反
転アンプ５０の非反転入力端子＋がグランドＧＮＤにで
はなく、基準電圧を与える電源Ｖｒｅｆに接続されてい
る点である。したがって、ここではその他の詳しい構成
の説明は省略することとする。

【００４０】実施の形態（６）に係る半導体集積回路に
よれば、例えば、接続点ｊ１０における比較電圧が３Ｖ
となるように抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１５との抵抗値が設定
され、反転アンプ５０のゲインが５分の１となるように
ポリシリコン抵抗Ｒ１２とポリシリコン抵抗Ｒ１３との
抵抗値が設定され、基準電源Ｖｒｅｆの電圧が５Ｖに設
定されていると、図８に示したように、ボンディングパ
ッド１１から入力される正の電圧が１５Ｖになると、コ
ンパレ−タ３０の出力端子Ｖｏｕｔから出力される信号
がロ−からハイに切り換わることとなり、電源Ｖｃｃの
電圧（５Ｖ）よりも高い入力電圧（１５Ｖ）をモニタで
きる。

【００４１】実施の形態（６）に係る半導体集積回路に
よれば、これらポリシリコン抵抗Ｒ１２、ポリシリコン
抵抗Ｒ１３、抵抗Ｒ１４及び抵抗Ｒ１５の値を所望の値
に設定することにより、かなり広い範囲における正の入
力電圧をモニタすることができる。

【００４２】また、ポリシリコン抵抗Ｒ１２、Ｒ１３
は、従来の外付け抵抗と相違し、半導体集積回路の形成
過程において同時的に形成できるものであるため、製作
が容易で、外付けする手間を要しない。従って、電子制
御機器全体として見れば、部品点数の削減、製造工数の
削減となり、コストダウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態（１）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図２】本発明の実施の形態（２）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図３】本発明の実施の形態（３）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図４】本発明の実施の形態（４）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図５】本発明の実施の形態（５）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図６】図５に示した半導体集積回路の作動を説明す
るためのコンパレ−タからの出力電圧を示すグラフであ
る。

【図７】本発明の実施の形態（６）に係る半導体集積
回路を示す回路図である。

【図８】図７に示した半導体集積回路の作動を説明す
るためのコンパレ−タからの出力電圧を示すグラフであ
る。

【図９】従来の半導体集積回路を示す回路図である。

【符号の説明】

ＢＡＴバッテリ電源１１ボンディングパッド１３ダイオ−ド１４ダイオ−ド１５コンパレ−タＲ２ポリシリコン抵抗Ｒ３ポリシリコン抵抗ｊ１接続点ｊ２接続点Ｖｏｕｔ出力端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ボンディングパッドと接地との間に直列
的に複数個のポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗が介装
され、これら抵抗の分割点が内部回路と１個以上の静電
保護ダイオ−ドとの接続点に接続されていることを特徴
とする半導体集積回路。
【請求項２】ボンディングパッドと正の電圧源との間
に直列的に複数個のポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵抗
が介装され、これら抵抗の分割点が内部回路と１個以上
の静電保護ダイオ−ドとの接続点に接続されていること
を特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】ボンディングパッドと１個以上の静電保
護ダイオ−ドとの間にポリシリコン抵抗あるいは薄膜抵
抗が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部回路との
間にサ−ジ吸収用のクランプ回路が介装されていること
を特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】前記静電保護ダイオ−ドの接続点と前記
内部回路との間にサ−ジ吸収用のクランプ回路が介装さ
れていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
半導体集積回路。
【請求項５】ボンディングパッドと静電保護ダイオ−
ドとの間にポリシリコンあるいは薄膜からなる一のゲイ
ン設定抵抗が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部
回路との間にポリシリコンあるいは薄膜からなる他のゲ
イン設定抵抗が介装され、反転オペアンプの反転入力端
子が前記静電保護ダイオ−ドと前記他のゲイン設定抵抗
との接続点に接続され、非反転入力端子が接地され、出
力端子が前記内部回路と前記他のゲイン設定抵抗との接
続点に接続されていることを特徴とする半導体集積回
路。
【請求項６】ボンディングパッドと静電保護ダイオ−
ドとの間にポリシリコンあるいは薄膜からなる一のゲイ
ン設定抵抗が介装され、前記静電保護ダイオ−ドと内部
回路との間にポリシリコンあるいは薄膜からなる他のゲ
イン設定抵抗が介装され、反転オペアンプの反転入力端
子が前記静電保護ダイオ−ドと前記他のゲイン設定抵抗
との接続点に接続され、非反転入力端子が正の基準電圧
源に接続され、出力端子が前記内部回路と前記他のゲイ
ン設定抵抗との接続点に接続されていることを特徴とす
る半導体集積回路。