JP2000021745A - Exposure equipment - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照明系容器内の不活性ガスへの置換効率を高
いものにし大気から不活性ガスへの置換にかかる時間を
最小限にする。
【解決手段】 露光光源からの露光光により照明光学系
を介してマスクを照明し、前記マスクに形成されたパタ
ーンを投影光学系を介して感光基板上に投影露光する露
光装置であって、前記露光光源から前記マスクに至る露
光光の光路上に配置される光学系を容器内に密閉し、該
容器内に特定ガスを供給するものにおいて、該容器内に
気体攪拌用のファンを設け、ガス供給時に該攪拌用ファ
ンを駆動する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To increase the efficiency of replacement with an inert gas in a lighting system container and minimize the time required for replacement of the atmosphere with an inert gas. An exposure apparatus that illuminates a mask via an illumination optical system with exposure light from an exposure light source and projects and exposes a pattern formed on the mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system. An optical system disposed on the optical path of exposure light from the exposure light source to the mask is sealed in a container, and a specific gas is supplied into the container. The stirring fan is driven during supply.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、強力な光束をもち
雰囲気ガスを活性化しやすい紫外線やエキシマレーザ光
を照明光とする露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus that uses an ultraviolet ray or an excimer laser beam, which has a strong light flux and easily activates an atmospheric gas, as illumination light.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体の製造に用いられている露光装置
において、近年、パターン線幅の微細化のため、スルー
プットおよび解像度の向上が要求されるようになってい
る。これに伴い、露光光としてはますます高照度なもの
が要求されると同時に、露光光の短波長化が進んでい
る。2. Description of the Related Art In an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor, improvement in throughput and resolution has recently been demanded in order to make a pattern line width finer. Along with this, as the exposure light, an even higher illuminance is required, and the wavelength of the exposure light has been shortened.
【0003】しかし、i線(波長λ=365nm)を露
光光とする露光装置およびi線より短波長の露光光を用
いる露光装置においては、短波長の露光光が空気中の不
純物を酸素と光化学反応をさせることが知られており、
かかる反応による生成物(曇り物質)がガラス部材に付
着し、ガラス部材に不透明な「曇り」が生じるという不
都合があった。ここで曇り物質としては、例えば亜硫酸
(SO2 )が光のエネルギーを吸収して励起状態となり
空気中の酸素と反応(酸化)することによって生じる硫
酸アンモニウム(NH4 )2 SO4 が代表的に挙げられ
る。この硫酸アンモニウムは白色を帯びており、レンズ
やミラー等の光学部材の表面に付着すると前記「曇り」
状態となる。そして、露光光は硫酸アンモニウムで散
乱、吸収される結果、前記光学系の透過率が減少するこ
ととなる。However, in an exposure apparatus that uses i-line (wavelength λ = 365 nm) as exposure light and an exposure apparatus that uses exposure light having a shorter wavelength than i-line, the short-wavelength exposure light converts impurities in air into oxygen and photochemically. Is known to cause a reaction,
A product (cloudy substance) by such a reaction adheres to the glass member, and there is a disadvantage that opaque “clouding” occurs in the glass member. Here, as the cloudy substance, for example, ammonium sulfate (NH 4 ) 2 SO 4, which is generated when sulfurous acid (SO 2 ) absorbs light energy to be in an excited state and reacts (oxidizes) with oxygen in the air, is exemplified. Can be This ammonium sulfate has a white tinge, and when adhered to the surface of an optical member such as a lens or a mirror, the above-mentioned "cloudy"
State. Then, the exposure light is scattered and absorbed by the ammonium sulfate, so that the transmittance of the optical system is reduced.
【0004】特に、KrFエキシマレーザのように露光
光がi線より波長が短い248nm以下になる短波長領
域では、露光光がより強い光化学反応を起こさせ、前記
「曇り」を生じるばかりでなく、同時に露光光がさらに
空気中の酸素を反応させてオゾンを発生し、残存酸素と
生成オゾンが共に露光光を吸収してしまう現象がある。In particular, in a short wavelength region where the exposure light has a wavelength of 248 nm or less, which is shorter than the i-line, such as a KrF excimer laser, the exposure light causes a stronger photochemical reaction, and not only the above-mentioned "cloudiness" occurs, At the same time, there is a phenomenon in which the exposure light further reacts oxygen in the air to generate ozone, and both the residual oxygen and the generated ozone absorb the exposure light.
【0005】そこで、光源のレンズ系や投影レンズ系等
の光学系を容器内に収容し、該容器の空気を窒素ガス等
の不活性なガスや不純物を取り除いた他のガスにより置
換することで各光学部材の汚染を防ぐ方法が開発されて
いる。Therefore, an optical system such as a lens system or a projection lens system of a light source is housed in a container, and the air in the container is replaced with an inert gas such as nitrogen gas or another gas from which impurities have been removed. Methods for preventing contamination of each optical member have been developed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
その多様な照明条件や変形照明を実現するために露光装
置の照明系は複雑化してメンテナンスが欠かせないもの
となっており、作業のために不活性ガス充填空間が度々
外気に曝されることとなる。また、不活性ガスとして使
用されるものにはN2 やHe2 のように人体に有害なも
のが少なくない。そのためメンテナンス作業の間、不活
性ガスの供給をストップするなどして安全性の確保が必
要となる。よって、メンテナンス作業の間に容器内は大
気で満たされてしまう。したがって、作業後には、再度
不活性ガスに置換することが必要となる。また長期にわ
たり露光装置を休止した場合にも同様に不活性ガスへの
置換が必要となる。However, in recent years,
The illumination system of the exposure equipment is complicated and maintenance is indispensable to realize various illumination conditions and deformed illumination, and the space filled with inert gas is frequently exposed to outside air for work. Becomes In addition, many substances used as an inert gas are harmful to the human body, such as N 2 and He 2 . Therefore, it is necessary to ensure the safety by stopping the supply of the inert gas during the maintenance work. Therefore, the inside of the container is filled with the atmosphere during the maintenance work. Therefore, after the operation, it is necessary to replace the inert gas again. Similarly, when the exposure apparatus is stopped for a long period of time, replacement with an inert gas is required.
【0007】しかし、現状では照明系内の不活性ガス充
填エリア内の構造が複雑化しており、大気から不活性ガ
スへの置換の際に不活性ガスが流れ込みにくい「よど
み」が多数存在する。このよどみに空気が溜まり、この
空気が少量ずつ流出するため、容器内が完全に不活性ガ
スヘ置換されるまでの時間が著しく引き伸ばされてしま
う。However, at present, the structure in the inert gas filling area in the illumination system is complicated, and there are many "stagnations" in which the inert gas is difficult to flow when the atmosphere is replaced with the inert gas. Since air accumulates in the stagnation and flows out little by little, the time until the inside of the container is completely replaced with the inert gas is significantly prolonged.
【0008】本発明は、上記従来の技術の未解決の課題
に鑑みてなされたものであり、照明系容器内の不活性ガ
ス等の特定ガスへの置換効率を高いものにし大気から特
定ガスへの置換にかかる時間を最小限にすることを目的
としたものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned unresolved problems of the prior art, and has been made to increase the efficiency of replacing a specific gas such as an inert gas in an illumination system container with a specific gas from the atmosphere. The purpose of the present invention is to minimize the time required for the replacement.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、露光光源からの露光光により照明光学系を介して
マスクを照明し、前記マスクに形成されたパターンを投
影光学系を介して感光基板上に投影露光する露光装置で
あって、前記露光光源から前記マスクに至る露光光の光
路上に配置される光学系を密閉する容器と、該容器内に
特定ガスを供給する手段と、該容器内の気体攪拌用のフ
ァンと、ガス供給時に該攪拌用ファンを駆動する手段と
を有することを特徴とする。In order to achieve the above object, a mask is illuminated by an exposure light from an exposure light source via an illumination optical system, and a pattern formed on the mask is projected via a projection optical system. An exposure apparatus that performs projection exposure on a photosensitive substrate, a container that seals an optical system disposed on an optical path of exposure light from the exposure light source to the mask, and a unit that supplies a specific gas into the container, It is characterized by having a fan for stirring the gas in the container and means for driving the stirring fan when supplying gas.
【0010】[0010]
【作用】照明系のガス充填空間にファンを設け、大気な
どから特定ガスへの置換時にこれを駆動することによ
り、容器内の気体の流速が高まる。これにより、容器内
の全域に特定ガスが流れ込み、空気だまりが無くなり、
置換しようとする特定ガスとそれ以前に存在していた気
体(大気等)が容器内全域においてムラなく混ざる。混
ざった気体は容器内から排出口を通って排出され、新た
に純粋な特定ガスが次々に供給口から供給されるため、
空間内全域で均一に特定ガス濃度が上り短時間に特定ガ
スへの置換が進む。By providing a fan in the gas filling space of the illumination system and driving it when replacing a specific gas from the atmosphere or the like, the flow velocity of the gas in the container is increased. As a result, the specific gas flows into the entire area inside the container, eliminating the air pool,
The specific gas to be replaced and the gas (atmosphere, etc.) that existed before that are mixed evenly in the entire region of the container. The mixed gas is discharged from the container through the discharge port, and a new pure specific gas is supplied from the supply port one after another,
The specific gas concentration uniformly rises throughout the space, and the replacement with the specific gas proceeds in a short time.
【0011】[0011]
【実施例】(第1の実施例)本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図1は第1実施例を説明する説明図で
あって、本実施例の露光装置E1はエキシマレーザ(K
rF,ArF,F2など)を有する光源1と、光源1か
ら発せられた照明光であるレーザ光L1を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系2と、該光源
レンズ系2によって所定の形状に形成されたレーザ光L
1をレチクルR1を経て基板であるウエハW1に結像さ
せる投影レンズ系6からなる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view for explaining a first embodiment. An exposure apparatus E1 according to the present embodiment uses an excimer laser (K).
rF, ArF, F 2, etc.), a light source lens system 2 as an optical system for shaping a laser beam L1 as illumination light emitted from the light source 1 into a light beam of a predetermined shape, and the light source lens system Laser light L formed into a predetermined shape by
1 comprises a projection lens system 6 for forming an image on a wafer W1 as a substrate via a reticle R1.
【0012】光源レンズ系2は多数のレンズおよびミラ
ー4a,4b等の光学要素を含んで構成され、光源1か
らのレーザ光L1によりレチクル上の照明領域を均一な
照度で照明する。この光源レンズ系2にはコリメータレ
ンズ5a,5b、オプティカルインテグレータとしての
フライアイレンズ8、コンデンサレンズ7a,7b,7
c、レチクルR1上の照明領域の形状を規定するブライ
ンド部9等のサブユニットによって構成される。これら
の光源レンズ系2は容器3の内部に配置され、容器3内
部は、不活性なガスである窒素ガスを供給する窒素ガス
供給装置11と窒素ガス供給ライン12と該窒素ガス供
給ライン12に設けられた開閉弁である電磁弁13を介
して接続される。さらに、容器3内のガスを排気するガ
ス排気装置14にガス排気ライン15および電磁弁16
を介して接続される。電磁弁の替わりに絞り弁を設けて
もよい。The light source lens system 2 includes a number of lenses and optical elements such as mirrors 4a and 4b, and illuminates an illumination area on the reticle with a uniform illuminance by the laser light L1 from the light source 1. The light source lens system 2 includes collimator lenses 5a and 5b, a fly-eye lens 8 as an optical integrator, and condenser lenses 7a, 7b and 7
c, constituted by subunits such as a blind unit 9 for defining the shape of the illumination area on the reticle R1. These light source lens systems 2 are disposed inside a container 3, and the inside of the container 3 is connected to a nitrogen gas supply device 11, a nitrogen gas supply line 12, and a nitrogen gas supply line 12 for supplying nitrogen gas which is an inert gas. It is connected via an electromagnetic valve 13 which is an on-off valve provided. Further, a gas exhaust line 15 and a solenoid valve 16 are connected to a gas exhaust device 14 for exhausting gas in the container 3.
Connected via A throttle valve may be provided instead of the solenoid valve.
【0013】これら、窒素ガス供給装置11およびガス
排気装置14の作動するタイミングはコントローラ10
に設定されたプログラムにより行なわれる。The operation timing of the nitrogen gas supply device 11 and the gas exhaust device 14 is determined by the controller 10.
This is performed by the program set in.
【0014】露光装置の通常の作動時には窒素ガス供給
ライン12とガス排気ライン15に設けられた電磁弁が
連続してあるいは、断続的に開き窒素ガスヘの置換が常
に行なわれているように設定される。以上のように光学
部品が配置された場合l7a〜17eの様に窒素が流れ
込みにくい場所が存在する。18が気体攪拌用のファン
で、19がファン駆動用回路でコントローラ10により
駆動制御されている。メンテナンスなどの理由で容器3
を開放して作業した場合、容器3内に大気が流入する。
再び露光装置を稼動する場合、容器3内を大気から不活
性ガスヘ再置換する必要がある。この場合容器3を密閉
した上で気体攪拌用ファン18を回しながら窒素を供給
する。これにより、窒素が流れ込みにくい17a〜17
eの部位にも強制的に流れを作り出し大気と窒素を混ざ
り易くする。During normal operation of the exposure apparatus, the solenoid valves provided in the nitrogen gas supply line 12 and the gas exhaust line 15 are set to be open continuously or intermittently so that the nitrogen gas is always replaced. You. When the optical components are arranged as described above, there are places such as 17a to 17e where nitrogen hardly flows. Reference numeral 18 denotes a gas stirring fan, and 19 denotes a fan driving circuit, which is driven and controlled by the controller 10. Container 3 for maintenance or other reasons
When the air conditioner is opened, the atmosphere flows into the container 3.
When operating the exposure apparatus again, it is necessary to replace the atmosphere in the container 3 from the atmosphere with an inert gas. In this case, nitrogen is supplied while the container 3 is sealed and the gas stirring fan 18 is rotated. This makes it difficult for nitrogen to flow in 17a-17.
A flow is forcibly created also at the portion e, and the atmosphere and nitrogen are easily mixed.
【0015】なお、不活性ガスとしては窒素に限らず、
ヘリウムなどであっても良い。また不活性ガスに限らず
クリーンドライエアや光学部材洗浄用のオゾン等の特定
の活性ガスであっても良い。The inert gas is not limited to nitrogen,
Helium or the like may be used. In addition, a specific active gas such as clean dry air or ozone for cleaning optical members may be used instead of the inert gas.
【0016】(第2の実施例)次に、本発明の第2実施
例を図2に基づいて説明する。ここで、前述した第1実
施例と共通の部位には同一の符号を付すと共にその説明
を省略するものとする。実施例1が1箇所にファンを設
けて、容器内全体の気体の流速を高めているのに対し
て、実施例2では、空気だまりができると予想される場
所17a〜17eに直接1個または複数の気体攪拌用フ
ァン18を配置し、より確実に空気だまりの除去を行な
う。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In the first embodiment, a fan is provided at one location to increase the flow rate of gas in the entire container, whereas in the second embodiment, one or one fan is directly provided at places 17a to 17e where air pools are expected to be formed. A plurality of gas stirring fans 18 are arranged to more reliably remove air pools.
【0017】(第3の実施例)次に、本発明の第3実施
例を図3に基づいて説明する。ここで、前述した第1お
よび第2実施例と共通の部位には同一の符号を付すと共
にその説明を省略するものとする。この第3の実施例は
実施例1の気体攪拌用ファン18の前に風向制御板20
をとりつけてこれを制御ユニット21により一定周期ま
たはランダム周期で動かすことにより、大気と窒素がよ
り均一に攪拌されるのを促す。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same parts as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In the third embodiment, a wind direction control plate 20 is provided in front of the gas stirring fan 18 of the first embodiment.
By moving the control unit 21 at a fixed cycle or a random cycle by the control unit 21, the atmosphere and the nitrogen can be more uniformly stirred.
【0018】(第4の実施例)次に、本発明の第4実施
例を図4に基づいて説明する。ここで、前述した第1〜
第3実施例と共通の部位には同一の符号を付すと共にそ
の説明を省略するものとする。この第4の実施例は実施
例3の気体攪拌用ファン18の前につけた風向制御板2
0を複数の位置に複数個設置した酸素濃度計22の値に
応じて制御ユニット21を通して制御し、より積極的に
均一に大気と窒素が混ざるのをうながす。(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the above-mentioned first to first
Parts common to the third embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The fourth embodiment is different from the third embodiment in that the wind direction control plate 2 attached in front of the gas stirring fan 18 is used.
0 is controlled through the control unit 21 in accordance with the values of the oximeters 22 installed at a plurality of positions to encourage more positive and uniform mixing of the atmosphere and nitrogen.
【0019】(第5の実施例)次に、本発明の第5実施
例を図5に基づいて説明する。ここで、前述した第1〜
第4実施例と共通の部位には同一の符号を付すと共にそ
の説明を省略するものとする。この第5実施例は第1〜
第4実施例の気体攪拌用ファン18を駆動時以外は光学
部品が存在する窒素充填空間から隔壁23によって隔離
したものである。モーターやケーブル自体が汚染物質の
発生源になり得るためレーザが通る空間から隔離したも
のである。(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the above-mentioned first to first
The same parts as in the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The fifth embodiment is the first to fifth embodiments.
Except when the gas agitating fan 18 of the fourth embodiment is being driven, the gas agitating fan 18 is isolated from the nitrogen-filled space in which the optical components are present by a partition 23. The motors and cables themselves can be sources of contaminants and are isolated from the space through which the laser passes.
【0020】(デバイス生産方法の実施例)次に上記説
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。図6は微小デバイス(ICやLSI等の半
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。(Embodiment of Device Production Method) Next, an embodiment of a device production method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 6 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). Step 1
In (Circuit Design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0021】図7は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明したガス置換機構を有す
る露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジ
スト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。FIG. 7 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus having the gas replacement mechanism described above to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0022】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a highly integrated device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガス充填
空間を大気等から特定ガスに置換する際、気体攪拌用フ
ァンにより容器内の気体を攪拌し容器内の全空間の気体
を均一に混合して排出するようにしたため、空気だまり
を残すことなく確実な置換をより短時間で行なうことが
できる。これにより、メンテナンス等でガス充填空間を
大気に曝した後などでも、より早く特定ガスへの置換が
終了し、露光装置を運転可能状態に早く復帰させること
ができるため、生産量低下を最小限に押さえることがで
きる。As described above, according to the present invention, when the gas filling space is replaced with a specific gas from the atmosphere or the like, the gas in the container is agitated by the gas agitating fan and the gas in the entire space in the container is made uniform. As a result, it is possible to perform reliable replacement in a shorter time without leaving air pockets. As a result, even after exposing the gas-filled space to the atmosphere for maintenance or the like, the replacement with the specific gas is completed earlier, and the exposure apparatus can be quickly returned to the operable state. Can be held down.
【図1】 第1実施例の露光装置の全体構成を概略的に
示す図である。FIG. 1 is a view schematically showing an overall configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment.
【図2】 第2実施例の露光装置の全体構成を概略的に
示す図である。FIG. 2 is a view schematically showing an overall configuration of an exposure apparatus according to a second embodiment.
【図3】 第3実施例の露光装置のメンテナンス空間の
具体的な構成の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a specific configuration of a maintenance space of an exposure apparatus according to a third embodiment.
【図4】 第4実施例の露光装置のメンテナンス空間の
具体的な構成の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a specific configuration of a maintenance space of an exposure apparatus according to a fourth embodiment.
【図5】 第5実施例の露光装置のメンテナンス空間の
具体的な構成の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a specific configuration of a maintenance space of an exposure apparatus according to a fifth embodiment.
【図6】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.
【図7】 図6におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 6;
E1:エキシマレーザステッパ、L1:レーザ光、R
1:レチクル、W1:ウエハ、1:光源、2:光源レン
ズ系、3:容器、4a,4b:ミラー、5a,5b:コ
リメータレンズ、6:投影レンズ系、7a〜7c:コン
デンサレンズ、8:フライアイレンズ、9:ブラインド
部、10:コントローラ、11:窒素ガス供給装置、1
2:窒素ガス供給ライン、13:電磁弁、14:ガス排
気装置、15:ガス排気ライン、16:電磁弁、17a
〜17e:窒素が流れ込みにくい場所、18:気体攪拌
用ファン、19:ファン駆動用電源ユニット、20:風
向制御板、21:風向制御板制御ユニット、22:酸素
濃度計、23:隔壁。E1: Excimer laser stepper, L1: Laser beam, R
1: reticle, W1: wafer, 1: light source, 2: light source lens system, 3: container, 4a, 4b: mirror, 5a, 5b: collimator lens, 6: projection lens system, 7a to 7c: condenser lens, 8: Fly-eye lens, 9: blind part, 10: controller, 11: nitrogen gas supply device, 1
2: nitrogen gas supply line, 13: solenoid valve, 14: gas exhaust device, 15: gas exhaust line, 16: solenoid valve, 17a
17e: a place where nitrogen hardly flows, 18: a gas stirring fan, 19: a fan drive power supply unit, 20: a wind direction control plate, 21: a wind direction control plate control unit, 22: an oxygen concentration meter, 23: a partition wall.
Claims (7)
を介してマスクを照明し、前記マスクに形成されたパタ
ーンを投影光学系を介して感光基板上に投影露光する露
光装置であって、前記露光光源から前記マスクに至る露
光光の光路上に配置される光学系を密閉する容器と、該
容器内に特定ガスを供給する手段と、該容器内の気体攪
拌用のファンと、ガス供給時に該攪拌用ファンを駆動す
る手段とを有することを特徴とする露光装置。An exposure apparatus that illuminates a mask via an illumination optical system with exposure light from an exposure light source and projects and exposes a pattern formed on the mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system. A container for enclosing an optical system disposed on an optical path of exposure light from the exposure light source to the mask, a unit for supplying a specific gas into the container, a fan for stirring gas in the container, and a gas supply Means for driving the stirring fan at times.
活性ガスであることを特徴とする請求項1に記載の露光
装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the specific gas is an inert gas or a specific active gas.
制御機構と、該風向制御機構を一定あるいはランダムな
周期で動かす手段とをさらに備えたことを特徴とする請
求項1または2に記載の露光装置。3. The exposure according to claim 1, further comprising a wind direction control mechanism attached to the stirring fan, and means for moving the wind direction control mechanism at a constant or random cycle. apparatus.
度計を持ち、前記風向制御機構を動かす手段は該ガス濃
度計により計測された濃度の値および計測位置に応じて
風向を制御することを特徴とする請求項3に記載の露光
装置。4. A gas concentration meter having a plurality of gas meters at a plurality of positions in the container, and means for moving the wind direction control mechanism controls a wind direction according to a concentration value measured by the gas concentration meter and a measurement position. The exposure apparatus according to claim 3, wherein:
は、光学部品が存在する空間から隔離する手段をさらに
有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに
記載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a unit that isolates the gas stirring fan from a space where the optical component exists except during operation. .
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の露光
装置。6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure light source includes an excimer laser.
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。7. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the exposure apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198107A JP2000021745A (en) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Exposure equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198107A JP2000021745A (en) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Exposure equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021745A true JP2000021745A (en) | 2000-01-21 |
Family
ID=16385607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198107A Pending JP2000021745A (en) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | Exposure equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021745A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847431B2 (en) | 2003-03-10 | 2005-01-25 | Nikon Corporation | Method and device for controlling fluid flow in an optical assembly |
| JP2009134777A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic disk drive and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10198107A patent/JP2000021745A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847431B2 (en) | 2003-03-10 | 2005-01-25 | Nikon Corporation | Method and device for controlling fluid flow in an optical assembly |
| JP2009134777A (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic disk drive and manufacturing method thereof |
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