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JP2000019121A - Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, recording medium recording pattern inspection program, and recording medium recording pattern inspection data - Google Patents

Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, recording medium recording pattern inspection program, and recording medium recording pattern inspection data

Info

Publication number
JP2000019121A
JP2000019121A JP18277598A JP18277598A JP2000019121A JP 2000019121 A JP2000019121 A JP 2000019121A JP 18277598 A JP18277598 A JP 18277598A JP 18277598 A JP18277598 A JP 18277598A JP 2000019121 A JP2000019121 A JP 2000019121A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
data
contact hole
storage device
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18277598A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Tsuchiya
英雄 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP18277598A priority Critical patent/JP2000019121A/en
Publication of JP2000019121A publication Critical patent/JP2000019121A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】マクロには擬似欠陥の誤検出がなく、ミクロに
は欠陥検出精度が高いパターン検査装置を提供する。 【解決手段】被測定試料1からの検出パターンデータS
22を生成する観測データ生成部(6,4,2,5,7,
14,21)と、この検出パターンデータS22を記憶す
る第1の記憶装置55と、検査基準となる参照データを
生成する参照データ生成部13,19と、この参照デー
タを記憶する第2の記憶装置56と、第1の記憶装置5
5の出力を受け、検出パターンデータS22中にコンタク
トホール状パターンの有無を検出し、その光量や寸法を
検定するコンタクトホール検査・調査手段16と、理想
的な光量値や寸法値を保存する第3の記憶装置57と、
第1および第2の記憶装置55,56の出力と、コンタ
クトホール検査・調査手段16の出力とを入力する比較
回路11とを備える。
(57) [Problem] To provide a pattern inspection apparatus in which a macro has no false detection of a pseudo defect and a micro has a high defect detection accuracy. Kind Code: A1 Detection pattern data S from a sample 1 to be measured.
Observation data generator for generating 22 (6,4,2,5,7,
14 , 21 ), a first storage device 55 for storing the detected pattern data S22, reference data generators 13, 19 for generating reference data serving as inspection standards, and a second storage device for storing the reference data. The storage device 56 and the first storage device 5
Receiving an output of 5 to detect the presence or absence of the contact hole pattern in the detected pattern data S 22, to store the contact hole inspection and survey means 16 to test the amount and size, the ideal light intensity values and dimension value A third storage device 57,
A comparison circuit 11 is provided for inputting the outputs of the first and second storage devices 55 and 56 and the output of the contact hole inspection / investigation means 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パターンの欠陥を
検査する技術に係り、特に大規模集積回路(LSI)等
を製造するときに使用するフォトマスクパターン上に設
けられた2次元形状のパターンの欠陥を検査するパター
ン検査装置、パターン検査方法、この検査方法を実行す
るプログラムを記録した記録媒体、及びこの検査方法を
実行する際に用いる特定構造を有したデータを記録した
記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for inspecting a pattern for defects, and more particularly to a two-dimensional pattern provided on a photomask pattern used when manufacturing a large-scale integrated circuit (LSI) or the like. The present invention relates to a pattern inspection apparatus, a pattern inspection method, a recording medium on which a program for executing the inspection method is recorded, and a recording medium on which data having a specific structure used for executing the inspection method is recorded.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIの製造歩留まりの低下の原因の一
つとして、微細なLSIパターンをフォトリソグラフィ
技術で半導体ウェハ上に描画する際に使用されるフォト
マスク(またはレチクル)に生じているマスクパターン
の欠陥があげられる。最近では、LSIチップの高集積
密度化に従って半導体ウェハ上に形成されるパターンの
最小寸法もサブ・クォータミクロン乃至ナノメータレベ
ルへと移行しつつある。パターンの最小寸法の微細化に
伴って、このような微細寸法を有したパターンの欠陥を
高精度・高効率に検査するパターン検査装置が要求さ
れ、この種のパターン検査装置の開発が盛んに行われて
いる。
2. Description of the Related Art One of the causes of a decrease in LSI manufacturing yield is a mask pattern generated on a photomask (or reticle) used when drawing a fine LSI pattern on a semiconductor wafer by photolithography. Defects. Recently, as the integration density of LSI chips has increased, the minimum size of a pattern formed on a semiconductor wafer has been shifting to the sub-quarter micron to nanometer level. With the miniaturization of the minimum dimensions of patterns, pattern inspection equipment that inspects defects of patterns having such fine dimensions with high accuracy and high efficiency is required, and the development of this type of pattern inspection equipment is actively pursued. Have been done.

【0003】従来のパターン検査装置には大きく分け
て、 ・同じパターンが描かれた2つの被測定試料をそれぞれ
別の検出手段で観察し、その両者の違いを適当な欠陥検
出アルゴリズムによって比較し検出する方法と、 ・パターンが描かれた被測定試料を検出手段で観察し、
これとパターンの設計パターンデータとを適当な欠陥検
出アルゴリズムによって比較して欠陥を検出する方法
(データベース比較) とがある。前者の場合、同じパターンが描かれた2つの
被測定試料をそれぞれ観察しているため、同じ欠陥が2
つの被測定試料上に存在した場合、その欠陥部を検出で
きない欠点がある。
[0003] Conventional pattern inspection apparatuses are roughly divided into two types: (1) two measurement samples on which the same pattern is drawn are observed by different detection means, and the difference between the two is compared and detected by an appropriate defect detection algorithm. And observing the sample to be measured on which the pattern is drawn by the detecting means,
There is a method (database comparison) of comparing this with the design pattern data of the pattern using an appropriate defect detection algorithm to detect a defect. In the former case, the same defect is detected because two samples to be measured on which the same pattern is drawn are observed.
When it is present on one sample to be measured, there is a disadvantage that the defective portion cannot be detected.

【0004】後者の場合、設計パターンデータとの比較
を行っているため、このような問題は生じない。設計パ
ターンデータを用いて検査を行う装置として例えば、文
献(超LSI用高精度全自動レチクル検査装置、電子材
料、1983年9月、p47)で示されたパターン検査
装置、あるいは特公平1−40489号公報で示された
パターン検査装置などが挙げられる。レチクルを製造す
る(描画する)時に使用された設計パターンデータと、
パターン検査装置に入力して検査を実行する場合に用い
られる設計パターンデータとは一致していることが望ま
しく、このような思想で設計・製作された描画装置、パ
ターン検査装置は対で使用することによって効率の良い
システムを構築することができる。
In the latter case, such a problem does not occur because the comparison with the design pattern data is performed. As an apparatus for performing inspection using design pattern data, for example, a pattern inspection apparatus shown in a document (high-precision fully automatic reticle inspection apparatus for super LSI, electronic materials, September 1983, p. 47), or Japanese Patent Publication No. 140489/1989. And a pattern inspection apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-260,086. Design pattern data used when manufacturing (drawing) the reticle,
It is desirable that the design pattern data used when performing the inspection by inputting to the pattern inspection apparatus is matched. The drawing apparatus and the pattern inspection apparatus designed and manufactured based on such an idea should be used in pairs. Thus, an efficient system can be constructed.

【0005】ところで、最近のLSIチップは多層配線
が採用されている。複数層からなる各パターン面を導通
する目的で形成されるコンタクトホールは、パターンの
面積が設計値を下回ったり、コンタクトホール形成位置
がずれると異なる配線層間の抵抗値が大きくなったり、
コンタクトホールを異なる配線層間に導通させることが
できなくなる。
Incidentally, recent LSI chips employ multilayer wiring. A contact hole formed for the purpose of conducting each pattern surface composed of a plurality of layers has a pattern area smaller than a design value, or a difference in a contact hole formation position increases a resistance value between different wiring layers,
Contact holes cannot be conducted between different wiring layers.

【0006】また、フォトマスクやレチクルは石英ガラ
ス等の基板上に形成されたクロム(Cr)膜等からなる
パターンを形成しているのが一般的である。このCr膜
のパターンを形成するためには、次のような工程が必要
である: i)まず、石英ガラス等の基板と、この上に形成されたC
r膜とからなるマスクブランクを用意する。そして、こ
のマスクブランク上にフォトレジスト(以下において単
に「レジスト」という)を塗布し、光、電子線、X線等
を用いて露光する; ii)その後、露光されたマスクブランクを現像、洗浄
(リンス)等して、レジストのマスクを作成する; iii)そしてさらに、このレジストのマスクを用いて、下
地のCr膜をRIE等で選択的にエッチングする; iv)最後にレジストを除去し、更に残滓等を洗浄する。
A photomask or a reticle generally has a pattern formed of a chromium (Cr) film or the like formed on a substrate such as quartz glass. In order to form the pattern of the Cr film, the following steps are required: i) First, a substrate such as quartz glass and a C
A mask blank composed of an r film is prepared. Then, a photoresist (hereinafter simply referred to as “resist”) is applied on the mask blank and exposed using light, an electron beam, X-rays or the like; ii) Thereafter, the exposed mask blank is developed and washed ( Rin)) to create a resist mask; iii) and further, using this resist mask, selectively etch the underlying Cr film by RIE or the like; iv) Finally, remove the resist, Wash residue etc.

【0007】このような一連の工程を経て、フォトマス
クやレチクルは完成する。しかし、これらの一連の工程
で製造されたパターンの形状や位置に欠陥があったり、
レジスト膜の洗浄残りのように、ほぼ透明の付着物が石
英ガラス等の基板上にある場合には、半導体ウェハ上に
ステッパ等を用いた正常な露光が行えなくなる。このよ
うに、コンタクトホール状パターンの面積(ミスサイ
ズ)・位置ずれ誤差、透明膜の付着はマスクの品質、及
びこれを用いたLSI製造技術に大きく関わる問題であ
る。
Through such a series of steps, a photomask and a reticle are completed. However, there are defects in the shape and position of the pattern manufactured in these series of processes,
When substantially transparent deposits are present on a substrate such as quartz glass as in the case where the resist film is left unwashed, normal exposure using a stepper or the like cannot be performed on a semiconductor wafer. As described above, the area (missize) / position shift error of the contact hole pattern and the adhesion of the transparent film are problems that largely affect the quality of the mask and the LSI manufacturing technology using the same.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のパターン検査装置では、このコンタクトホールのミ
スサイズ、位置ずれ誤差を見逃す恐れがある。すなわ
ち、たとえば、前者の被測定試料比較方式ではパターン
の反復再現性を利用しているため、同時に観測したコン
タクトホールが同様にミスサイズや位置ずれを起こして
いる場合には検出できない。
However, in the above-mentioned conventional pattern inspection apparatus, there is a risk that the contact hole may be missed in size or misplaced. That is, for example, in the former method of comparison of the sample to be measured, since the repetitive reproducibility of the pattern is used, it cannot be detected when the contact hole observed at the same time similarly has a missize or displacement.

【0009】また、後者のデータベース比較方式でも、
擬似欠陥を避けるために、基準となるデータベースと観
測パターンとの間で、ある程度のパターンエッジ位置ず
れを許容し合わせ込むアルゴリズムを採用しているた
め、コンタクトホールに位置ずれが有っても、エッジ部
に段差などの欠陥がない限り検出は困難である。ここで
「擬似欠陥」とは所定の仕上がり規格を満足して、実用
上は差し支えない程度の欠陥を言う。
In the latter database comparison method,
In order to avoid false defects, an algorithm is used that allows a certain amount of pattern edge misalignment between the reference database and the observed pattern. Detection is difficult unless there is a defect such as a step in the portion. Here, the “pseudo-defect” means a defect that satisfies a predetermined finish standard and is practically acceptable.

【0010】さらに、従来の装置ではコンタクトホール
1つ分全体を認識するほどの広範囲な検出アルゴリズム
を組んでいないため、コンタクトホール部分は各エッジ
やコーナ部分として個々に観測判定されている。このよ
うな局所的な観測の場合には、コンタクトホールのミス
サイズが起きていたとしても、結果的にコンタクトホー
ルを構成する各エッジの位置ずれとして取り扱うため、
面積の誤差を検出できないといった改善すべき課題があ
った。
[0010] Further, in the conventional apparatus, since a detection algorithm is not so extensive as to recognize the entire contact hole, the contact hole portion is individually observed and determined as each edge or corner portion. In the case of such a local observation, even if a contact hole missize occurs, it is treated as a displacement of each edge constituting the contact hole as a result.
There is a problem to be improved such that an error in the area cannot be detected.

【0011】このようなコンタクトホール状パターンの
ミスサイズ欠陥や位置ずれ欠陥を精度よく検出するた
め、特開平7−128248号公報で示されるように参
照パターンと被検査パターンのそれぞれのコンタクトホ
ール状パターンを抽出してその面積および位置を比較す
る方式が提案されている。しかし、特公平1−4048
9号公報に記載の装置と特開平7−128248号公報
記載の技術を組み合わせたとしても、最近使用されるフ
ォトマスク又はレチクルに対しては不具合が見えて来る
ようになってきた。この一つの理由は、LSIの高集積
化に伴い、単位チップサイズは大型化し、単位露光領域
の面積もますます大きくなってきているという事情によ
る。こうして、フォトマスクやレチクルの基板サイズの
大型化が進む一方で、この基板上に形成されるパターン
の形状は複雑・高密度化し、その寸法の微細化が進んで
いる。このため、最近のフォトマスクやレチクルは、一
枚のマスクの全面にわたってのパターン仕上がり精度を
均一にするのがだんだん困難になりつつあり、現実のマ
スクにおいてはこの面内均一性の不足が問題となるよう
な状況が発生するようになってきたからである。
In order to accurately detect such a missize defect or a position shift defect of the contact hole pattern, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-128248, each of the contact hole pattern of the reference pattern and the pattern to be inspected is contacted. A method has been proposed in which an area is extracted and the area and position are compared. However, 1-4048
Even when the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-128904 and the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-128248 are combined, problems have recently become apparent with respect to recently used photomasks or reticles. One of the reasons is that the unit chip size has become larger and the area of the unit exposure region has become larger as the integration degree of the LSI increases. As described above, while the size of the substrate of the photomask or the reticle is increasing, the shape of the pattern formed on the substrate is becoming more complicated and denser, and the size thereof is becoming finer. For this reason, it is becoming increasingly difficult for recent photomasks and reticles to achieve uniform pattern finish accuracy over the entire surface of a single mask, and in actual masks, this lack of in-plane uniformity poses a problem. This is because such a situation has begun to occur.

【0012】つまり、コンタクトホール部分のミスサイ
ズ欠陥や位置ずれ欠陥を、一枚のマスクのうちある部分
では精度良く検出できたとしても、面内均一性が不足し
ている場合には、そのマスク上の別な部分のパターンで
は、パターン仕上がり寸法と位置ずれの傾向とが異なっ
てくる。このため、従来のデータベース比較方式の検査
装置では、ある部分で擬似欠陥を誤検出しないように検
査装置を調整したとしても、そのマスクの別な部分のパ
ターンではこれらの寸法誤差のために擬似欠陥の誤検出
を多発してしまう事が起きる。
In other words, even if a missize defect or a position shift defect in a contact hole portion can be detected with high accuracy in a certain portion of one mask, if the in-plane uniformity is insufficient, the mask is used. In the pattern of the above another portion, the pattern finished dimension and the tendency of positional deviation differ. For this reason, in the conventional database comparison type inspection apparatus, even if the inspection apparatus is adjusted so that a false defect is not erroneously detected in a certain part, the pattern in another part of the mask has a pseudo defect due to these dimensional errors. Erroneous detection occurs frequently.

【0013】この擬似欠陥を生じてしまう原因は、
(1)常に設計パターンデータから求めた参照データに
対して被検査パターンを比較するデータベース比較方式
であること、(2)ある部分で擬似欠陥を誤検出しない
ように検査装置を調整する手段は、主に設計パターンデ
ータから求める参照データ側のパターン形状を微調整し
て観測される被検査パターンに合わせる方法で行ってい
ること、(3)このため、面内均一性が不足しているマ
スクの場合には先に検査装置を被検査マスクごとに合わ
せて調整した部分領域以外ではパターン不一致となるこ
と、という組み合わせの現象のためである。
The cause of the pseudo defect is as follows.
(1) A database comparison method in which a pattern to be inspected is always compared with reference data obtained from design pattern data. (2) Means for adjusting an inspection apparatus so as not to erroneously detect a pseudo defect in a certain portion includes: The method is mainly performed by finely adjusting the pattern shape on the reference data side obtained from the design pattern data so as to match the observed pattern to be observed. (3) For this reason, for a mask having insufficient in-plane uniformity. In this case, the pattern mismatch occurs in a region other than the partial region in which the inspection apparatus is previously adjusted for each inspection target mask.

【0014】LSIの進歩に従ってパターンの最小寸法
は、ますます微細化している。これにともない、パター
ン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さ
いものとなっている。一方、上述した面内均一性が不足
したマスクのように、わずかな位置ずれ等の欠陥は実用
上は差し支えない程度の欠陥であり、擬似欠陥となる。
このような事情から、 ・局所的な観点での微細な欠陥を検出できる能力と、 ・大局的な観点での、面内均一性が不足しているマスク
の場合であっても、擬似欠陥を誤検出しない冗長性のあ
る判定能力との両方を兼ね備えたパターン検査装置やパ
ターン検査方法が求められている。
As the LSI advances, the minimum size of a pattern has become smaller and smaller. As a result, the dimensions that must be detected as pattern defects are also extremely small. On the other hand, a defect such as a slight displacement, such as a mask with insufficient in-plane uniformity described above, is a defect that is practically acceptable and is a pseudo defect.
Under these circumstances, the ability to detect minute defects from a local viewpoint, and the possibility of pseudo defects even in the case of a mask with insufficient in-plane uniformity from a global viewpoint. There is a need for a pattern inspection apparatus and a pattern inspection method that have both a redundant determination capability that does not cause erroneous detection.

【0015】上記問題点を鑑み、本発明は、大局的には
冗長性を有し、擬似欠陥の誤検出がなく、かつ、局所的
には欠陥検出精度が高いパターン検査装置を提供するこ
とを目的とする。
In view of the above problems, the present invention is to provide a pattern inspection apparatus which has redundancy on a global basis, does not detect false defects erroneously, and has high local defect detection accuracy. Aim.

【0016】本発明の他の目的は、擬似欠陥の誤検出が
なく、欠陥検出精度が高いパターン検査方法を提供する
ことである。
Another object of the present invention is to provide a pattern inspection method in which false defects are not erroneously detected and the defect detection accuracy is high.

【0017】本発明のさらに他の目的は、大局的には冗
長性を有し、局所的には欠陥検出精度が高いパターン検
査を行うために必要なパターン検査用プログラムを記録
した記録媒体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a recording medium on which a pattern inspection program necessary for performing a pattern inspection having a global redundancy and a high local defect detection accuracy is recorded. It is to be.

【0018】本発明のさらに他の目的は、大局的には冗
長性を有し、局所的には欠陥検出精度が高いパターン検
査に用いるパターン検査用データを記録した記録媒体を
提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a recording medium on which pattern inspection data used for pattern inspection which has redundancy on a global scale and has high local defect detection accuracy is recorded. .

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の特徴は被測定試料のパターンに対応
した検出パターンデータを生成する観測データ生成部
と、この検出パターンデータを記憶する第1の記憶装置
と、検査基準となる参照データを生成する参照データ生
成部と、この参照データを記憶する第2の記憶装置と、
第1の記憶装置の出力を受け、検出パターンデータ中に
コンタクトホール状パターンの有無を検出し、その光量
及び寸法の少なくとも一方を検定するコンタクトホール
検査・調査手段と、理想的な光量値及び寸法値の少なく
とも一方を保存する第3の記憶装置と、第1および第2
の記憶装置の出力と、前述のコンタクトホール検査・調
査手段の出力とを入力する比較回路とを備えるパターン
検査装置であることである。
In order to achieve the above object, a first feature of the present invention is that an observation data generating section for generating detection pattern data corresponding to a pattern of a sample to be measured, and storing the detection pattern data. A first storage device for performing the operation, a reference data generation unit for generating reference data serving as an inspection reference, a second storage device for storing the reference data,
A contact hole inspection / inspection means for receiving the output of the first storage device, detecting the presence or absence of a contact hole pattern in the detected pattern data, and verifying at least one of the light amount and the size; A third storage device for storing at least one of the values;
And a comparison circuit for inputting the output of the storage device described above and the output of the above-described contact hole inspection / investigation means.

【0020】本発明の第1の特徴における観測データ生
成部は、被測定試料に光を照射して、被測定試料のパタ
ーンに対応した光学像を取得する取得する光学像取得
部、光学像を電気信号に変換する光電変換部、光電変換
されたアナログ電気信号をディジタル電気信号からなる
検出パターンデータに変換するセンサ回路等から構成さ
れる。また、参照データ生成部は、ビットパターン発生
回路及び参照データ発生回路等から構成される。ビット
パターン発生回路は、被測定試料上にパターンを描画す
る際に用いた設計パターンデータを外部記憶装置等のデ
ータメモリから読み出し、ピクセル毎に展開し2値又は
多値のデータに変換する。また、参照データ発生回路
は、パターン検査装置の観測光学系(光学像取得部)や
センサ(光電変換部)の隣接画素干渉特性などを模擬し
たぼやけ関数を重畳して検査基準となる参照データを作
り出す。
The observation data generation unit according to the first aspect of the present invention includes an optical image acquisition unit that irradiates a sample to be measured with light and obtains an optical image corresponding to a pattern of the sample to be measured. The photoelectric conversion unit includes a photoelectric conversion unit that converts an electric signal into an electric signal, a sensor circuit that converts an analog electric signal obtained by the photoelectric conversion into detection pattern data including a digital electric signal, and the like. Further, the reference data generation unit includes a bit pattern generation circuit, a reference data generation circuit, and the like. The bit pattern generation circuit reads design pattern data used for drawing a pattern on a sample to be measured from a data memory such as an external storage device, develops the data for each pixel, and converts the data into binary or multivalued data. Also, the reference data generation circuit superimposes a blur function simulating an adjacent pixel interference characteristic of an observation optical system (optical image acquisition unit) or a sensor (photoelectric conversion unit) of the pattern inspection apparatus to generate reference data serving as an inspection reference. produce.

【0021】第3の記憶装置に格納されたデータは、コ
ンタクトホールの形状や寸法ごとに分類して別々に保存
されており、この分類に従って読み出しが可能である。
即ち、第3の記憶装置に格納されたデータは、分類ごと
に所定数の格納領域があり、新たにパターンを書き込む
際に所定数を超えた場合にはファーストイン・ファース
トアウトの方式で古いパターンデータを順次抹消し常時
最近のパターンを保持できる。この第3の記憶装置に保
存されるコンタクトホールの情報は、パターンデータの
みでなく、コンタクトホールの所定しきい値以上の明る
さの区間の寸法や、その光量のピーク値、その区間の明
るさの総和を求めた値、などを属性情報として保持でき
る。
The data stored in the third storage device is classified and stored separately according to the shape and size of the contact hole, and can be read out according to this classification.
That is, the data stored in the third storage device has a predetermined number of storage areas for each classification, and when a new pattern is written, when the number exceeds a predetermined number, the old pattern is stored in a first-in first-out manner. Data can be sequentially deleted and the most recent pattern can be kept at all times. The information of the contact hole stored in the third storage device includes not only the pattern data but also the dimension of a section of the contact hole having a brightness equal to or more than a predetermined threshold, the peak value of the light amount, and the brightness of the section. Can be stored as attribute information.

【0022】本発明の第1の特徴に係るパターン検査装
置のコンタクトホール検査・調査手段は、汎用のコンピ
ュターシステムを用いてソフトウェアで構成しても良
く、またコンタクトホール調整回路及びコンタクトホー
ル検出回路等のハードウェアを用意して実現しても良
い。ここで、コンタクトホール検出回路は、現在検査中
のマスクに存在するはずの、いく通りかのコンタクトホ
ール状パターンを所定の検出アルゴリズムを用い検出す
る。このため、コンタクトホール検出回路は、第1の記
憶装置に記憶されている検出パターンデータを読み出し
て、検出パターンデータ中にコンタクトホール状パター
ンの有無を検出する。その方法は、 (a)第1の記憶装置に記憶されている検出パターンデ
ータを2次元状に読み出せる構造としたバッファ手段を
備え、一定寸法(十数画素×十数画素以内程度)の構成
のテンプレートに取り込む。このテンプレート上で画素
ごとの輝度データ(光量レベル)の演算を行う。透過光
で観測した場合、輝度分布が周囲から凸状になっている
画素パターン(輝度分布が四角錐状になる場合)を検出
する; (b)第3の記憶装置に記憶しているコンタクトホール
状パターンと適当なアルゴリズムでパターンマッチング
を行なう方法;あるいは、 (c)テンプレート上でコンタクトホール形状の4つの
コーナ部分を検知する などの適当なアルゴリズムをインストールした処理回路
により実現する。
The contact hole inspection / investigation means of the pattern inspection apparatus according to the first aspect of the present invention may be constituted by software using a general-purpose computer system, and may include a contact hole adjustment circuit, a contact hole detection circuit and the like. May be realized by preparing the above hardware. Here, the contact hole detection circuit detects a certain number of contact hole-like patterns that should be present in the mask under inspection using a predetermined detection algorithm. For this reason, the contact hole detection circuit reads the detection pattern data stored in the first storage device and detects the presence or absence of a contact hole pattern in the detection pattern data. The method includes: (a) a buffer having a structure capable of reading out the detection pattern data stored in the first storage device in a two-dimensional manner, and having a fixed size (within about ten and several tens pixels). In the template. Calculation of luminance data (light amount level) for each pixel is performed on this template. When observed with transmitted light, a pixel pattern in which the luminance distribution is convex from the surroundings (when the luminance distribution has a quadrangular pyramid shape) is detected; (b) a contact hole stored in the third storage device A method of performing pattern matching with a shape pattern and an appropriate algorithm; or (c) A processing circuit in which an appropriate algorithm such as detecting four corner portions of a contact hole shape on a template is installed.

【0023】一方、コンタクトホール調査回路は、コン
タクトホール検出回路が検出したコンタクトホール状パ
ターンに類似の形状や寸法のいくつかの候補パターンと
適当な比較判定アルゴリズムを用いてパターン形状の正
否を判断する。この「いくつかの候補パターン」は、第
3の記憶装置から読み出した、コンタクトホール検出回
路が検出したコンタクトホール状パターンに類似の形状
や寸法の候補パターンである。そして、コンタクトホー
ル調査回路は、検出したコンタクトホール部分の面積、
寸法、光量の総和などの分析を行い、比較回路に即時出
力する。すなわち、比較回路に(a)コンタクトホール
を検出したことを示す情報、すなわち識別フラグ、
(b)その座標、(c)コンタクトホール調査回路で算
出した、パターンの正否の区別、光量のピーク値、およ
び、ピーク値周辺の一定範囲の光量の和、などの情報を
出力する。コンタクトホール調査回路は、検出パターン
データにコンタクトホール状のパターンが含まれている
ことを示すフラグ情報を、該当する画素パターンデータ
に属性ビットとして付加してもよい。
On the other hand, the contact hole investigating circuit judges the correctness of the pattern shape using some candidate patterns having shapes and dimensions similar to the contact hole pattern detected by the contact hole detecting circuit and an appropriate comparison judgment algorithm. . The “several candidate patterns” are candidate patterns read from the third storage device and having shapes and dimensions similar to the contact hole-like patterns detected by the contact hole detection circuit. Then, the contact hole investigation circuit detects the area of the detected contact hole portion,
Analysis such as total size and light quantity is performed and output immediately to the comparison circuit. That is, (a) information indicating that a contact hole has been detected, that is, an identification flag,
Information such as (b) the coordinates, (c) whether the pattern is correct or not, the peak value of the light amount, and the sum of the light amounts in a certain range around the peak value, which are calculated by the contact hole inspection circuit, are output. The contact hole investigating circuit may add flag information indicating that the contact pattern is included in the detected pattern data to the corresponding pixel pattern data as attribute bits.

【0024】第3の記憶装置に記憶されるコンタクトホ
ール形状のいくつかの候補パターンは、本来の検査に先
立って予め実際の被検査マスクを用いて検出パターンデ
ータを取得して、第1の記憶装置に一時的に記憶された
パターンから抜き出して、候補パターンとして保持する
方法が取れる。
Some candidate patterns of the contact hole shape stored in the third storage device are obtained by first obtaining detection pattern data using an actual inspection target mask prior to the original inspection, and performing first storage. A method of extracting from patterns temporarily stored in the apparatus and holding them as candidate patterns can be adopted.

【0025】本発明の第1の特徴に係るパターン検査装
置の比較回路は、コンタクトホール検査・調査手段の出
力に応じて、欠陥検出アルゴリズム、欠陥判定しきい
値、パターンエッジ位置ずれ許容の程度などをリアルタ
イムで変更し得る機能を有する。この比較回路は、欠陥
判定にコンタクトホール検査・調査手段の出力を採用
(反映)するか否かを、この装置を制御する上位概念の
計算機からのコマンドで指示できる。具体的には、従来
の比較回路では擬似欠陥の誤検出を避けるために、基準
となる参照データ(第2の記憶装置の出力)と検出パタ
ーンデータ(第1の記憶装置の出力)との間で、ある程
度のパターンエッジ位置ずれを許容し合わせ込むアルゴ
リズムを採用しているが、これを、コンタクトホールを
検出した旨の信号がアクティブである期間は、 (a)位置ずれを許容し合わせ込むことをやめて参照デ
ータと検出パターンデータとの間で厳密な位置ずれ量を
計測し、位置ずれ量が許容しうるかを厳しくチェックす
る; (b)コンタクトホール調査回路からの形状異状の有
無、ビッチ異常の有無などの分析結果をもとに欠陥判定
を行なう などの手段をとる。このようにして比較回路は、コンタ
クトホールを検出した旨の信号を用いて、通常の比較回
路に装備しているアルゴリズムはそのままで、必要な瞬
間だけしきい値を変更したり、判定アルゴリズムを変更
することで、より厳密なパターン検査が実施できるほ
か、コンタクトホール検査・調査手段が出力したコンタ
クトホール形状異常信号を使って欠陥パターンを指摘で
きるようになる。
The comparison circuit of the pattern inspection apparatus according to the first aspect of the present invention includes a defect detection algorithm, a defect determination threshold value, a degree of allowable pattern edge position shift, etc., according to the output of the contact hole inspection / investigation means. Has a function that can be changed in real time. The comparison circuit can instruct whether or not to employ (reflect) the output of the contact hole inspection / investigation means for defect determination by a command from a computer having a higher concept that controls the apparatus. Specifically, in the conventional comparison circuit, in order to avoid false detection of a pseudo defect, the reference data (output from the second storage device) and the detection pattern data (output from the first storage device) are used as references. Therefore, an algorithm is adopted in which a certain amount of pattern edge position shift is permitted and adjusted. However, this is performed while the signal indicating that a contact hole is detected is active. Then, the exact displacement between the reference data and the detection pattern data is measured, and it is strictly checked whether the displacement is allowable; (b) The presence or absence of a shape abnormality from the contact hole inspection circuit and the occurrence of a bitch abnormality Take measures such as making a defect judgment based on the analysis results such as presence / absence. In this way, the comparison circuit uses the signal indicating that a contact hole has been detected, changes the threshold value only at the necessary moment, or changes the judgment algorithm while maintaining the algorithm provided in the normal comparison circuit. By doing so, a more strict pattern inspection can be performed, and a defect pattern can be pointed out using a contact hole shape abnormality signal output by the contact hole inspection / investigation means.

【0026】本発明の第2の特徴は、(イ)被測定試料
のパターンを観測し、検出パターンデータを生成するス
テップ;(ロ)この検出パターンデータを第1の記憶装
置に格納するステップ;(ハ)検査基準となる参照デー
タを生成するステップ;(ニ)この参照データを第2の
記憶装置に格納するステップ;(ホ)第1の記憶装置の
出力データを調査し、検出パターンデータ中にコンタク
トホール状パターンの存在の有無を検出するステップ;
(ヘ)検出するステップにより得られたコンタクトホー
ル状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を測定す
るステップ;(ト)測定するステップにより得られたコ
ンタクトホール状パターンの光量及び寸法の少なくとも
一方と第3の記憶装置に格納されたデータとを比較・調
査するステップ;(チ)検出するステップにより得られ
た結果及び比較・調査するステップにより得られた結果
を参照して、第1および第2の記憶装置の出力を比較
し、被測定試料のパターンの欠陥を検出するステップ;
(リ)測定するステップにより得られたコンタクトホー
ル状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を、第3
の記憶装置に格納するステップを少なくとも有するパタ
ーン検査方法であることである。
The second feature of the present invention is that (a) a step of observing a pattern of a sample to be measured and generate detection pattern data; (b) a step of storing the detection pattern data in a first storage device; (C) a step of generating reference data serving as an inspection standard; (d) a step of storing the reference data in a second storage device; (e) examining output data of the first storage device; Detecting the presence or absence of a contact hole pattern at
(F) measuring at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the detecting step; (g) at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the measuring step and the third Comparing and examining the data stored in the storage device of (1); (h) referring to the result obtained by the detecting step and the result obtained by the comparing / investigating step, the first and second storages; Comparing the output of the device to detect a defect in the pattern of the measured sample;
(I) At least one of the light amount and the dimension of the contact hole pattern obtained by the measuring step is determined by a third method.
Is a pattern inspection method that includes at least a step of storing in a storage device.

【0027】本発明の第2の特徴によれば、コンタクト
ホール状パターンの存在を検出した旨の信号を用いて、
従来の検出パターンデータと参照データとを比較するア
ルゴリズムはそのままで、必要な瞬間だけしきい値を変
更したり、判定アルゴリズムを変更することができる。
このため、より厳密なパターン検査が実施できる。
According to a second feature of the present invention, a signal indicating that the presence of a contact hole pattern has been detected is
The conventional algorithm for comparing the detection pattern data with the reference data can be used as it is, and the threshold value can be changed or the determination algorithm can be changed only at the necessary moment.
Therefore, a more strict pattern inspection can be performed.

【0028】本発明の第3の特徴は、上記第2の特徴に
係るパターン検査方法を実行するプログラムを記録した
コンピュータ読取り可能な記録媒体であることである。
すなわち、上記第2の特徴に係る検査方法を実現するた
めのプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体
に保存し、この記録媒体に格納されたプログラムをコン
ピュータシステムによって読み込ませ、コンピュータシ
ステムの処理制御部(CPU)でこのプログラムを実行
して上記第2の特徴に係る検査方法を実現することもで
きる。ここで、記録媒体とは、例えば、RAM,ROM
等の半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気
ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録すること
ができるような媒体の意である。
A third feature of the present invention is a computer-readable recording medium on which a program for executing the pattern inspection method according to the second feature is recorded.
That is, a program for implementing the inspection method according to the second feature is stored in a computer-readable recording medium, and the program stored in the recording medium is read by a computer system. The inspection method according to the second feature can be realized by executing this program by the (CPU). Here, the recording medium is, for example, RAM, ROM
And other media such as a semiconductor memory, a magnetic disk, an optical disk, a magneto-optical disk, and a magnetic tape.

【0029】本発明の第3の特徴に係る記録媒体を用い
れば、従来の検出パターンデータと参照データとを比較
するアルゴリズムはそのままで、必要な瞬間だけしきい
値を変更したり、判定アルゴリズムを変更することがで
きる。このため、より厳密なパターン検査が実施でき
る。
If the recording medium according to the third aspect of the present invention is used, the conventional algorithm for comparing the detected pattern data with the reference data remains unchanged, and the threshold value is changed only at a necessary moment, or the judgment algorithm is changed. Can be changed. Therefore, a more strict pattern inspection can be performed.

【0030】本発明の第4の特徴は、パターン検査方法
を実行に必要な特定の構造を有したデータを記録したコ
ンピュータ読取り可能な記録媒体であることである。こ
のデータは、上記第1の特徴に係るパターン検査装置の
第3の記憶装置に記録されるデータに対応するものであ
る。すなわち、パターン検査は、検出パターンデータと
参照データとを比較回路において比較処理して行うので
あるが、比較回路において比較処理する際に、この比較
回路の動作モードを制御(若しくは変更)するための信
号(異常信号)が必要である。本発明の第4の特徴に係
る記録媒体は、この異常信号を生成する処理において読
み出され、利用されるパターン検査用データを記録して
いる。具体的には、このパターン検査用データは、 ・コンタクトホール状パターンの形状毎に分類されたデ
ータ領域、 ・コンタクトホール状パターンの寸法毎に分類されたデ
ータ領域、 ・コンタクトホール状パターンの光量毎に分類されたデ
ータ領域、 を少なくとも有する。このようにパターン検査用データ
は、分類ごとに所定数のデータ領域があり、「理想的な
寸法値」や「理想的な光量値」が保存されている。この
「理想的な寸法値若しくは光量値」は、最近の所定個数
分の平均値などのことで、検査の進行に伴い順次更新さ
れることになる。すなわち、所定のコンタクトホール調
査の動作が済むと、取り扱い中のコンタクトホール状パ
ターンのパターンデータや、光量値、所定の方向に沿っ
た寸法などは、本発明の第4の特徴に係る記録媒体に保
存される。新たにデータを記録媒体に書き込む際に所定
数を超えた場合にはファーストイン・ファーストアウト
の方式で古いパターン検査用データを順次抹消し常時最
近のパターン検査用データを保持できる。このようにし
て、「最近のコンタクトホール状パターン」を読み出
し、これと比較しながら欠陥を検出できる。このため、
マスク全面の仕上がり均一性が不足している場合でも、
対象としているパターンの近傍のパターンとの相対比較
を行なうことになるため、不均一性の影響を回避でき
る。そして、この場合は、参照データとの絶対的な比較
でないので特異なパターンのみを欠陥として指摘するこ
とができる。
A fourth feature of the present invention is that the computer-readable recording medium records data having a specific structure necessary for executing the pattern inspection method. This data corresponds to data recorded in the third storage device of the pattern inspection apparatus according to the first feature. That is, the pattern inspection is performed by comparing the detected pattern data with the reference data in the comparison circuit. When the comparison circuit performs the comparison processing, the operation mode for controlling (or changing) the operation mode of the comparison circuit is determined. A signal (abnormal signal) is required. The recording medium according to the fourth aspect of the present invention records pattern inspection data that is read and used in the process of generating the abnormal signal. Specifically, the pattern inspection data includes: a data area classified according to the shape of the contact hole pattern; a data area classified according to the dimension of the contact hole pattern; And at least a data area classified as As described above, the pattern inspection data has a predetermined number of data areas for each classification, and stores “ideal dimension values” and “ideal light amount values”. The “ideal dimension value or light amount value” is an average value of a predetermined number of pieces, and is updated sequentially as the inspection proceeds. That is, after the operation of the predetermined contact hole investigation is completed, the pattern data of the contact hole-like pattern being handled, the light amount value, the dimension along the predetermined direction, and the like are recorded on the recording medium according to the fourth aspect of the present invention. Will be saved. If a predetermined number is exceeded when new data is written to the recording medium, the old pattern inspection data can be sequentially deleted by the first-in first-out method, and the latest pattern inspection data can be always retained. In this manner, the “recent contact hole pattern” is read out, and a defect can be detected while comparing with this. For this reason,
Even when the finish uniformity of the entire mask is insufficient,
Since the relative comparison with the pattern in the vicinity of the target pattern is performed, the influence of the non-uniformity can be avoided. In this case, since it is not an absolute comparison with the reference data, only a peculiar pattern can be pointed out as a defect.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0032】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態に係るパターン検査装置の概略全体図を
示すものである(本発明のパターン検査装置は様々な構
成があり得るが、図1はその一例を示すものにすぎない
ことに留意すべきである)。
(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic overall view of a pattern inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention (the pattern inspection apparatus of the present invention has various configurations. It should be noted that, although possible, FIG. 1 is only an example).

【0033】図1に示すように、本発明の第1の実施の
形態に係るパターン検査装置は、被測定試料1のパター
ンに対応した検出パターンデータS22を生成する観測デ
ータ生成部(6,4,2,5,7,21,14)と、こ
の検出パターンデータS22を記憶する第1の記憶装置5
5と、検査基準となる参照データS31を生成する参照デ
ータ生成部(13,19)と、この参照データS31を記
憶する第2の記憶装置56と、第1の記憶装置55の出
力を受け、検出パターンデータS22中にコンタクトホー
ル状パターンの有無を検出し、その光量及び寸法の少な
くとも一方を検定するコンタクトホール検査・調査手段
16と、理想的な光量値及び寸法値の少なくとも一方を
保存する第3の記憶装置57と、第1および第2の記憶
装置の出力と、コンタクトホール検査・調査手段16の
出力とを入力する比較回路11とを少なくとも備えてい
る。
As shown in FIG. 1, a pattern inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention, observation data generator for generating a detection pattern data S 22 corresponding to the pattern of the measured sample 1 (6, and 4,2,5,7,21,14), the first storage device for storing the detected pattern data S 22 5
5, the reference data generating unit that generates reference data S 31 to be inspected reference (13, 19), and the second storage device 56 for storing the reference data S 31, the output of the first storage device 55 receiving, detecting the presence or absence of the contact hole pattern in the detected pattern data S 22, a contact hole inspection and survey means 16 for assaying at least one of the light intensity and size, at least one of the ideal light intensity values and dimension value It comprises at least a third storage device 57 for storing, a comparison circuit 11 for inputting the outputs of the first and second storage devices and the output of the contact hole inspection / investigation means 16.

【0034】観測データ生成部は、被測定試料1に光を
照射して、被測定試料1のパターンに対応した光学像を
取得する取得する光学像取得部(6,4,2,5)、光
学像を電気信号S9に変換する光電変換部7、光電変換
されたアナログ電気信号S9をディジタル電気信号から
なる検出パターンデータS22に変換するセンサ回路21
等から構成されている。
The observation data generation unit irradiates the sample 1 to be measured with light and obtains an optical image corresponding to the pattern of the sample 1 to be measured. A photoelectric conversion unit 7 for converting an optical image into an electric signal S 9 , and a sensor circuit 21 for converting a photoelectrically converted analog electric signal S 9 into detection pattern data S 22 composed of a digital electric signal.
And so on.

【0035】被測定試料としてのフォトマスク1を載置
する試料台2は、ホスト計算機(CPU)10から指令
を受けたテーブル制御回路3により、X方向、Y方向に
移動でき、θ方向に回転可能な3軸(X−Y−θ)マニ
ピュレータである。X方向にはXモータで、Y方向には
Yモータで、θ方向にはθで駆動制御される。Xモー
タ、Yモータ、θモータは公知のサーボモータやステッ
プモータ等を用いればよい。試料台2の位置座標は、例
えばレーザ測長システムにより測定され、その出力が位
置回路(図示省略)に送られる。位置回路から出力され
た位置座標はテーブル制御回路3にフィードバックされ
る。
A sample stage 2 on which a photomask 1 as a sample to be measured is placed can be moved in the X and Y directions and rotated in the θ direction by a table control circuit 3 which receives a command from a host computer (CPU) 10. A possible 3-axis (XY-θ) manipulator. The drive is controlled by an X motor in the X direction, by a Y motor in the Y direction, and by θ in the θ direction. As the X motor, the Y motor, and the θ motor, known servo motors and step motors may be used. The position coordinates of the sample stage 2 are measured by, for example, a laser length measuring system, and the output is sent to a position circuit (not shown). The position coordinates output from the position circuit are fed back to the table control circuit 3.

【0036】被測定試料(フォトマスク)1は図示を省
略したオートローダにより試料台2上に自動的に供給さ
れ、検査終了後に自動的に排出される。試料台2の上方
には、光源6及び集光レンズ4からなる光照射部が配置
されている。光源6からの光は集光レンズ4を介してフ
ォトマスク1を照射する。フォトマスク1の下方には、
集光レンズ5及び光電変換部(フォトダイオードアレ
イ)7からなる信号検出部が配置されている。そして、
フォトマスク1を透過した透過光が集光レンズ5を介し
て光電変換部(フォトダイオードアレイ)7の受光面に
結像照射される。集光レンズ5はピエゾ素子等の焦点調
整装置で自動的に焦点調整がなされる。この焦点調整装
置はCPUに接続されたオートフォーカス制御回路によ
り制御される。焦点調整は別途設けられた観察スコープ
でモニタリングしてもよい。
The sample to be measured (photomask) 1 is automatically supplied to the sample table 2 by an autoloader (not shown), and is automatically discharged after the inspection. Above the sample table 2, a light irradiating unit including a light source 6 and a condenser lens 4 is arranged. Light from the light source 6 irradiates the photomask 1 via the condenser lens 4. Below the photomask 1,
A signal detection unit including a condenser lens 5 and a photoelectric conversion unit (photodiode array) 7 is arranged. And
The transmitted light transmitted through the photomask 1 is imaged and irradiated on the light receiving surface of the photoelectric conversion unit (photodiode array) 7 via the condenser lens 5. The focus of the condenser lens 5 is automatically adjusted by a focus adjusting device such as a piezo element. This focus adjustment device is controlled by an auto focus control circuit connected to the CPU. Focus adjustment may be monitored by a separately provided observation scope.

【0037】光電変換部としてのフォトダイオードアレ
イ7は複数の光センサを配設したラインセンサもしくは
エリアセンサである。試料台2をX軸方向に連続的に移
動させることにより、フォトダイオードアレイ7はフォ
トマスク1の被検査パターンに対応した測定信号S9
検出する。この測定信号S9はセンサ回路21でデジタ
ルデータに変換され、さらにラインバッファ14で整列
された後、検出パターンデータS22として第1の記憶装
置55に入力される。第1の記憶装置55の出力は、コ
ンタクトホール検出・調査手段16を経由、若しくは直
接比較回路11に送られる。検出パターンデータS22
たとえば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明
るさを表現しているものとする。
The photodiode array 7 as a photoelectric conversion unit is a line sensor or an area sensor provided with a plurality of optical sensors. By moving the sample stage 2 continuously in the X-axis direction, the photodiode array 7 detects the measurement signal S 9 corresponding to the pattern to be inspected on the photomask 1. The measurement signal S 9 is converted into digital data by the sensor circuit 21, is arranged in the line buffer 14, and is input to the first storage device 55 as detection pattern data S 22 . The output of the first storage device 55 is sent to the comparison circuit 11 via the contact hole detection / investigation means 16 or directly. Detection pattern data S 22 is 8-bit unsigned data, for example, assumed to represent the brightness of each pixel.

【0038】この種のパターン検査装置は通常、これら
のパターンデータを10〜30MHz程度のクロック周
波数に同期してフォトダイオードアレイ7から読み出
し、適当なデータ並び替えを経て、ラスター走査された
2次元画像データとして取り扱われる。
This type of pattern inspection apparatus normally reads out these pattern data from the photodiode array 7 in synchronization with a clock frequency of about 10 to 30 MHz, rearranges the data appropriately, and raster-scans a two-dimensional image. Treated as data.

【0039】さらに、本発明の第1の実施の形態に係る
パターン検査装置は、操作者からのデータや命令などの
入力を受け付ける入力部(図示省略)、検査結果を出力
する出力部(図示省略)、設計パターンデータなどを格
納したデータメモリ12、及び検査プログラムなどを格
納したプログラムメモリ15等を有している。図示を省
略した入力部11はキーボード、マウス、ライトペンま
たはフロッピーディスク装置などで構成される。また出
力部はディスプレイ装置やプリンタ装置などにより構成
されている。
Further, the pattern inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention has an input unit (not shown) for receiving an input of data and instructions from an operator, and an output unit (not shown) for outputting an inspection result. ), A data memory 12 storing design pattern data and the like, and a program memory 15 storing an inspection program and the like. The input unit 11 not shown is composed of a keyboard, a mouse, a light pen, a floppy disk device, or the like. The output unit is configured by a display device, a printer device, or the like.

【0040】また、本発明の第1の実施の形態に係るパ
ターン検査装置の参照データ生成部は、ビットパターン
発生回路13及び参照データ発生回路19等から構成さ
れる。このビットパターン発生回路13及び参照データ
発生回路19は、ホスト計算機10のデータバスを介し
て外部記憶装置に接続されている。外部記憶装置として
のデータメモリ12およびプログラムメモリ15には、
磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装
置、磁気ドラム装置、磁気テープ装置などが含まれる。
データメモリ12内の設計パターンデータは、検査エリ
ア全体を短冊状のエリアに分けて格納されている。この
短冊状の設計パターンデータは、ホスト計算機のCPU
10に制御されてビットパターン発生回路13に順次転
送される。ビットパターン発生回路13で作られた設計
パターンイメージデータS30は参照データ発生回路19
でパターン検査装置の観測光学系やセンサの隣接画素干
渉特性などを模擬したぼやけ関数を重畳して検査基準と
なる参照データS31を作り出し、第2の記憶装置56に
一時的に記憶される。第2の記憶装置56から出力され
た参照データS31は比較回路11に送られ、第1の記憶
装置55から出力された測定信号(検出パターンデータ
22)と適当な比較アルゴリズムによって比較され参照
データ(設計パターンデータ)と異なった場合に欠陥と
判定される。この比較回路11での比較の際には、コン
タクトホール検査・調査手段16からの出力信号も用い
られる。
The reference data generator of the pattern inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention comprises a bit pattern generator 13, a reference data generator 19, and the like. The bit pattern generation circuit 13 and the reference data generation circuit 19 are connected to an external storage device via a data bus of the host computer 10. The data memory 12 and the program memory 15 as external storage devices include:
A magnetic disk device, an optical disk device, a magneto-optical disk device, a magnetic drum device, a magnetic tape device, and the like are included.
The design pattern data in the data memory 12 is stored by dividing the entire inspection area into strip-shaped areas. This strip-shaped design pattern data is stored in the CPU of the host computer.
10 and sequentially transferred to the bit pattern generation circuit 13. The design pattern image data S 30 generated by the bit pattern generation circuit 13 is
In creating a reference data S 31 that superimposes to the inspection standard blurred function was like simulating the adjacent pixels interference characteristics of the observation optical system and sensor of the pattern inspection device, is temporarily stored in the second storage device 56. Reference data S 31 output from the second storage device 56 is sent to the comparator circuit 11, reference is compared by a suitable comparison algorithm and output measurement signal (detection pattern data S 22) from the first storage device 55 If it is different from the data (design pattern data), it is determined to be a defect. At the time of comparison by the comparison circuit 11, an output signal from the contact hole inspection / investigation means 16 is also used.

【0041】図2は、図1に示した第1の記憶装置5
5,コンタクトホール検査・調査手段16の詳細および
これらの周辺を示す模式図である。本発明の第1の実施
の形態に係るパターン検査装置のコンタクトホール検査
・調査手段16は、コンタクトホール調整回路50及び
コンタクトホール検出回路51から構成されている。コ
ンタクトホール調査回路50は、コンタクトホール状パ
ターンの矩形寸法を測定する寸法検定回路53,検出パ
ターンデータS22のコンタクトホール状パターン部分の
透過光量を求める光量検定回路52、およびバッファ1
58を具備し、検出検査中に、第1の記憶装置55を介
して流れてくる検出パターンデータS22をリアルタイム
で処理できる。コンタクトホール検出回路51、光量検
定回路52、寸法検定回路53は、それぞれデータバス
122を介して第3の記憶装置57に接続されている。
第3の記憶装置57、光量検定回路52、寸法検定回路
53は、それぞれデータバス123及びバッファ156
を介して第1の記憶装置55に接続されている。第2の
記憶装置56と比較回路11とは、データバス125を
介して互いに接続されている。コンタクトホール検出回
路51と光量検定回路52、及びコンタクトホール検出
回路51と寸法検定回路53とは配線131,132を
介して互いに接続されている。コンタクトホール検出回
路51は、配線141,151,バッファ158を介し
て比較回路11に接続されている。光量検定回路52
は、配線142,152,バッファ158を介して、寸
法検定回路53は、配線143,153,バッファ15
8を介して比較回路11に接続されている。
FIG. 2 shows the first storage device 5 shown in FIG.
5 is a schematic diagram showing details of the contact hole inspection / investigation means 16 and the periphery thereof. The contact hole inspection / investigation means 16 of the pattern inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a contact hole adjustment circuit 50 and a contact hole detection circuit 51. Contact hole survey circuit 50, the light quantity detection circuit 52 for determining the amount of light transmitted through the contact hole pattern portion size detection circuit 53, the detected pattern data S 22 for measuring the rectangular dimensions of the contact hole pattern, and the buffer 1
The detection pattern data S 22 flowing through the first storage device 55 during the detection inspection can be processed in real time. The contact hole detection circuit 51, the light quantity verification circuit 52, and the dimension verification circuit 53 are connected to the third storage device 57 via the data bus 122, respectively.
The third storage device 57, the light quantity verification circuit 52, and the dimension verification circuit 53 are each composed of a data bus 123 and a buffer 156.
Is connected to the first storage device 55 via the. The second storage device 56 and the comparison circuit 11 are connected to each other via a data bus 125. The contact hole detection circuit 51 and the light amount verification circuit 52 are connected to each other, and the contact hole detection circuit 51 and the size verification circuit 53 are connected to each other via wirings 131 and 132. The contact hole detection circuit 51 is connected to the comparison circuit 11 via wirings 141, 151, and a buffer 158. Light intensity test circuit 52
Are transmitted through the wirings 142, 152 and the buffer 158, and the dimension verification circuit 53
8 is connected to the comparison circuit 11.

【0042】なお、本発明の第1の実施の形態に係るコ
ンタクトホール検査・調査手段16は、必ずしも図2に
示すようなハードウェア50,51から構成される必要
はない。つまり、コンタクトホール検査・調査手段16
は、汎用のコンピュターシステムを用いてソフトウェア
により実現し、以下に示す機能と等価な機能を持たせる
ことも可能であることに留意すべきである。
Note that the contact hole inspection / investigation means 16 according to the first embodiment of the present invention does not necessarily need to be constituted by hardware 50 and 51 as shown in FIG. That is, the contact hole inspection / investigation means 16
It should be noted that the functions can be realized by software using a general-purpose computer system and have functions equivalent to the following functions.

【0043】図2に示した第1の記憶装置55はセンサ
回路14から出力され、スキャンサイクル毎に整列され
た検出パターンデータS22を一時的に保持する。コンタ
クトホール調整回路50やコンタクトホール検出回路5
1からは2次元的に読み出せるバッファ156を介し
て、第1の記憶装置55から検出パターンデータS22
を常時読み出せる構成になっている。第3の記憶装置5
7の記録内容もコンタクトホール調査回路50やコンタ
クトホール検出回路51から随時読み出し可能である。
The first storage device 55 shown in FIG. 2 is output from the sensor circuit 14 temporarily holds the detected pattern data S 22 aligned in each scan cycle. Contact hole adjustment circuit 50 and contact hole detection circuit 5
From 1 through the buffer 156 can be read two-dimensionally, has a detection pattern data S 22 from the first storage device 55 to always read put out configure. Third storage device 5
7 can be read from the contact hole investigation circuit 50 and the contact hole detection circuit 51 at any time.

【0044】コンタクトホール検出回路51は現在検査
中のマスクに存在するはずの、いく通りかのコンタクト
ホール状パターンを検出する。この検出には、次に説明
する検出アルゴリズムを用いる。
The contact hole detecting circuit 51 detects some contact hole-like patterns which should be present in the mask under inspection. For this detection, a detection algorithm described below is used.

【0045】まず、図3(a)に示すようにa1〜e5
の25個の2次元マトリックス画素から成る5×5画素
のテンプレートを用意する。この5×5画素のテンプレ
ートで第1の記憶装置56から読み出した検出パターン
データS22を走査する。そして、センタの画素c3の明
るさと、内輪の画素(b2〜b4,c2,c4,d2〜
d4)の明るさの加算平均値と、外輪の画素(a1〜a
5,b1,b5,c1,c5,d1,d5,e1〜e
5)の明るさの加算平均値とを求めて、これらの関係
が、図3(b)に示すように、(外輪の平均値)<(内
輪の平均値)<(センサ値) …(1)という関係
になれば、求めるコンタクトホール状パターンの候補と
なる。ここで、「5×5画素」とは、例えばセンサ(フ
ォトダイオードアレイ)の一画素当たりの寸法が0.2
μm□(角)であれば、検出したいコンタクトホール状
パターンは1μm□(角)程度であることを想定してい
る。さらに、フォトダイオードアレイ7の一画素寸法に
比べて検出したいコンタクトホールの寸法が大きくなる
場合には、テンプレートを(十数画素)×(十数画素)
以内程度に大きくすればよい。すなわち、図3(a)に
示した内輪、外輪(第1の外輪)に続けて、さらに第
2,第3,・・・・・,の外輪にまで測定し、これらのより
外周の画素領域まで計算するようにテンプレートを組め
ば良い。
First, as shown in FIG.
A template of 5 × 5 pixels composed of 25 two-dimensional matrix pixels is prepared. It scans the detected pattern data S 22 read from the first storage device 56 at this 5 × 5 pixels templates. The brightness of the center pixel c3 and the inner ring pixels (b2 to b4, c2, c4, d2 to
d4) The brightness average value and the outer ring pixels (a1 to a
5, b1, b5, c1, c5, d1, d5, e1-e
5), and these relationships are determined as shown in FIG. 3B. (Average value of outer wheel) <(Average value of inner wheel) <(Sensor value) (1) ) Is a candidate for the desired contact hole pattern. Here, “5 × 5 pixels” means that, for example, the size of a sensor (photodiode array) per pixel is 0.2.
In the case of μm square, it is assumed that the contact hole pattern to be detected is about 1 μm square. Further, when the size of the contact hole to be detected is larger than the size of one pixel of the photodiode array 7, the template is set to (ten and several pixels) × (ten and several pixels).
What is necessary is just to make it large within. That is, following the inner ring and the outer ring (first outer ring) shown in FIG. 3A, the measurement is further performed on the outer rings of the second, third,... You just need to set up a template to calculate up to.

【0046】コンタクトホール検出回路51は、以上の
ような原理でコンタクトホール状パターンを検出でき
る。しかし、本発明の第1の実施の形態に係るコンタク
トホール検出回路51は、さらに、第3の記憶装置57
に格納された「手本となるコンタクトホール状パター
ン」についての同様な計算結果と比較して、コンタクト
ホール形状検出の確度を向上させることもできる。つま
り、第1の記憶装置55から取り出したパターンの(セ
ンサ値)−(内輪の平均値)の計算結果と、第3の記憶
装置57から取り出した「手本となるコンタクトホール
状パターン」の(センサ値)−(内輪の平均値)の計算
結果がほぼ同等で、かつ、第1の記憶装置から取り出し
たパターンの(内輪の平均値)−(外輪の平均値)と第
3の記憶装置57から取り出した「手本となるコンタク
トホール状パターン」の(内輪の平均値)−(外輪の平
均値)がほぼ同等であるか否かなどの判断を行なう。こ
のようなアルゴリズムでコンタクトホール状パターンを
検出すると、コンタクトホール検出回路51は、光量検
出回路52と寸法検定回路53にコンタクトホール状パ
ターンを検出した旨の信号を送る。このアルゴリズムで
あれば、一つのマスク内で何通りかのコンタクトホール
状パターンが使用された場合にも冗長的に検出できる。
The contact hole detection circuit 51 can detect a contact hole pattern based on the above principle. However, the contact hole detection circuit 51 according to the first embodiment of the present invention further includes a third storage device 57.
The accuracy of the contact hole shape detection can be improved as compared with the similar calculation result for the “contact hole shape pattern to be used as an example” stored in the above. That is, the calculation result of (sensor value) − (average value of the inner ring) of the pattern extracted from the first storage device 55 and the calculation result of the “contact hole-like pattern to be used as an example” extracted from the third storage device 57 The calculation results of (sensor value) − (average value of inner ring) are almost equal, and (average value of inner ring) − (average value of outer ring) of the pattern extracted from the first storage device and the third storage device 57 It is determined whether (average value of the inner ring) − (average value of the outer ring) of the “contact hole-like pattern to be used as an example” extracted from the above is substantially the same. When the contact hole pattern is detected by such an algorithm, the contact hole detection circuit 51 sends a signal to the light quantity detection circuit 52 and the dimension verification circuit 53 to the effect that the contact hole pattern has been detected. With this algorithm, even when several types of contact hole patterns are used in one mask, it can be redundantly detected.

【0047】寸法検定回路53はコンタクトホール検出
回路51から通知のあった画素区間で第1の記憶装置5
5から取り出したコンタクトホール状パターンの、予め
決めておいたしきい値以上の光量があるパターンについ
てその寸法を測定する。つまり、図4(e)に示したA
−A方向に沿った光量の変化やB−B方向に沿った光量
の変化を測定する。検出パターンデータS22の光量はピ
クセル(画素)単位にしか測定されない。したがって、
コンタクトホール状パターンの寸法がフォトダイオード
アレイ7の一画素の整数倍にならないような大きさの場
合であって、一画素以内において光量が変化するような
場合は、その光量値を補間して求める。そして、第3の
記憶装置57に分類して記憶されている幾通りかのコン
タクトホール形状のどれに最も近いかを判定する。
The dimension verification circuit 53 stores the first storage device 5 in the pixel section notified by the contact hole detection circuit 51.
The dimension of the contact hole pattern taken out from No. 5 having a light amount equal to or larger than a predetermined threshold is measured. That is, A shown in FIG.
-A change in the light amount along the A direction and a change in the light amount along the BB direction are measured. Quantity detection pattern data S 22 is not measured only units of pixels. Therefore,
If the size of the contact hole-shaped pattern does not become an integral multiple of one pixel of the photodiode array 7 and the light amount changes within one pixel, the light amount value is obtained by interpolation. . Then, it is determined which of several contact hole shapes stored in the third storage device 57 is closest to.

【0048】寸法検定回路53はさらに、取り扱い中の
コンタクトホール状パターン部分の所定の方向に沿った
寸法と、第3の記憶装置57に記憶されている該当する
コンタクトホール状パターンから求められる寸法値(理
想的な寸法値)とを比較判定する。「理想的な寸法値」
とは、後述するように、検査の進行に伴い順次更新され
る寸法値である。即ち、「理想的な寸法値」は、その検
査の進行に伴う一連の測定のうちの最近の測定から与え
られる所定個数分についての平均値などによって決定さ
れる。寸法検定回路53は寸法の誤差が規定値以内か否
か、どの程度規定値からはずれているかを求め、バッフ
ァ158を介して、比較回路11へ情報を出力する機能
がある。さらに、誤差が既定置以上であればエラーと判
断し、比較回路11に信号線143,153を通じて通
知する。
The dimension verification circuit 53 further includes a dimension along a predetermined direction of the contact hole pattern portion being handled and a dimension value obtained from the corresponding contact hole pattern stored in the third storage device 57. (Ideal dimension value). "Ideal dimensions"
Is a dimension value that is sequentially updated as the inspection proceeds, as described later. That is, the “ideal dimension value” is determined by an average value of a predetermined number given from the latest measurement in a series of measurements accompanying the progress of the inspection. The dimension verification circuit 53 has a function of determining whether or not the error of the dimension is within a specified value and how much the size is out of the specified value, and outputting the information to the comparison circuit 11 via the buffer 158. Further, if the error is equal to or greater than the predetermined value, it is determined that an error has occurred, and the comparison circuit 11 is notified through the signal lines 143 and 153.

【0049】光量検定回路52は検出パターンデータS
22の当該コンタクトホール状パターン部分の光量の総和
を計算し、第3の記憶装置に記憶されている理想的な光
量値と比較判定する。「理想的な光量値」とは、最近の
所定個数分の平均値などのことで、検査の進行に伴い順
次更新されることになる。光量検定回路52は光量の誤
差が規定値以内か否か、どの程度規定値からはずれてい
るかを求め、比較回路11へバッファ158を介して情
報を出力する機能がある。さらに、誤差が規定値以上で
あればエラーと判断し、比較回路11に信号線142,
152を通じて通知する。
The light quantity verification circuit 52 detects the detection pattern data S
The sum of the light amounts of the contact hole pattern portions 22 is calculated and compared with the ideal light amount value stored in the third storage device. The “ideal light amount value” is an average value of a predetermined number of recent times, and is sequentially updated as the inspection proceeds. The light quantity verification circuit 52 has a function of determining whether or not the error of the light quantity is within a specified value, and how much the light quantity deviates from the specified value, and outputs information to the comparison circuit 11 via the buffer 158. Further, if the error is equal to or more than the specified value, it is determined that an error has occurred, and the comparison circuit 11 supplies the signal line 142,
Notify through 152.

【0050】第3の記憶装置57にいく通りかのコンタ
クトホール状パターンを記憶するのは、一つのマスク内
で何通りかのコンタクトホールが使用された場合を想定
したためであり、被検査マスクによっては一通りかもし
れない。
The reason why some contact hole-like patterns are stored in the third storage device 57 is because it is assumed that several types of contact holes are used in one mask. May be one way.

【0051】以上のコンタクトホール調査回路50の動
作が済むと取り扱い中のコンタクトホール状パターンの
パターンデータや、光量検定回路52で計算した光量
値、寸法検定回路53で計算した所定の方向に沿った寸
法などを第3の記憶装置57に保存する。第3の記憶装
置57に記録されたデータは、図5に示すようなコンタ
クトホール形状毎に識別番号を付与されたデータ領域
に、それぞれ、分類・整理されている。つまり、コンタ
クトホール状パターンのパターンデータ(x,y,d
x,dy)や、光量値は、コンタクトホール状パターン
の該当する分類のデータ領域に保存される。この際、デ
ータの分量が所定の保存数を超える場合は古いものから
消去していくようにする。
When the operation of the contact hole inspection circuit 50 is completed, the pattern data of the contact hole pattern being handled, the light amount value calculated by the light amount verification circuit 52, and the predetermined direction calculated by the size verification circuit 53 are obtained. The dimensions and the like are stored in the third storage device 57. The data recorded in the third storage device 57 is classified and arranged in a data area provided with an identification number for each contact hole shape as shown in FIG. That is, the pattern data (x, y, d) of the contact hole pattern
x, dy) and the light amount value are stored in the data area of the corresponding classification of the contact hole pattern. At this time, if the amount of data exceeds a predetermined storage number, the oldest data is deleted.

【0052】本発明の第1の実施の形態に係るパターン
検査装置に用いる比較回路11は、従来技術と同様の欠
陥検出アルゴリズムを基礎技術として採用している。こ
の「欠陥検出アルゴリズム」は、検出パターンデータと
参照データを擬似欠陥を誤検出することなく効率よく欠
陥を指摘できるようにするため、検出パターンデータS
22と参照データS31のある程度の位置ずれを許容するア
ルゴリズムである。しかし、本発明の第1の実施の形態
は従来技術と異なり、コンタクトホール検出回路51か
らコンタクトホール検出中であることの信号が存在する
期間は、この、ある程度の位置ずれを許容する動作をや
めて、検出パターンデータS22と参照データS31の位置
ずれを厳密に測定するようにできる。
The comparison circuit 11 used in the pattern inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention employs the same defect detection algorithm as the prior art as a basic technology. This “defect detection algorithm” is used to detect the detected pattern data and the reference data efficiently without erroneously detecting a pseudo defect.
22 is an algorithm that allows a certain degree of positional deviation of the reference data S 31. However, the first embodiment of the present invention differs from the prior art in that during the period in which the signal indicating that the contact hole is being detected from the contact hole detection circuit 51 is present, the operation of allowing the displacement to some extent is stopped. can so closely to measure the positional deviation of the reference data S 31 and the detected pattern data S 22.

【0053】また、さらに、欠陥を指摘する条件に、上
述したコンタクトホール調査回路50の光量検定回路5
2が出力するエラー信号や寸法検定回路53が出力する
エラー信号も加味することもできる。このように、光量
検定回路52や寸法検定回路53が出力するエラー信号
を加味することで、例えばコンタクトホールに半透明膜
が付着して検出パターンデータの透過光量が低下してい
る場合など、従来のアルゴリズムでは検出できなかった
コンタクトホール部分の欠陥を指摘できるようになる。
Further, under the condition for pointing out a defect, the light quantity verification circuit 5 of the contact hole inspection circuit 50 described above is used.
2 and the error signal output from the dimension verification circuit 53 can also be taken into account. As described above, by taking into account the error signals output from the light quantity verification circuit 52 and the dimension verification circuit 53, for example, when a translucent film is attached to the contact hole and the transmitted light quantity of the detection pattern data is reduced, It is possible to point out a defect in the contact hole portion that could not be detected by the algorithm of the above.

【0054】このように、従来の「欠陥検出アルゴリズ
ム」を変更して比較回路11を動作させることは、図2
に示すようにコンタクトホール検出回路51から直接比
較回路11に通知する信号線141,151を設けるこ
とで実現できる。この信号は本来の検出パターンデータ
22と同期して比較回路11に与えるために、適当な遅
延量の遅延手段(バッファ)158を経て出力する。
As described above, changing the conventional “defect detection algorithm” to operate the comparison circuit 11 is as shown in FIG.
As shown in (1), this can be realized by providing signal lines 141 and 151 for notifying the comparison circuit 11 directly from the contact hole detection circuit 51. The signal to provide to the comparator circuit 11 in synchronism with the original detection pattern data S 22, and outputs via the delay means (buffer) 158 suitable delay.

【0055】比較回路11が欠陥検出した後の処理は従
来のパターン検査装置と変わらず、欠陥が存在する座
標、検出パターンデータS22、及び参照データS31をホ
スト計算機のCPU10に読み込んでデータメモリ12
に保存したり、出力装置の画面に表示したりすることが
できる。
The processing after the defect detection by the comparison circuit 11 is the same as that of the conventional pattern inspection apparatus. The coordinates at which the defect exists, the detected pattern data S 22 , and the reference data S 31 are read into the CPU 10 of the host computer, and the data is stored in the data memory. 12
Or output to a screen of an output device.

【0056】第3の記憶手段57に内蔵するコンタクト
ホール形状のいくつかの候補パターンは、以上の説明で
はすでに格納されているものとして説明した。しかし実
際には次の手順で、実際の被検査マスクを用いて、検出
パターンデータを取得し、これを格納することができ
る。
In the above description, some candidate patterns of the contact hole shape built in the third storage means 57 have been described as being already stored. However, actually, the detection pattern data can be acquired and stored by using the actual inspection target mask in the following procedure.

【0057】(イ)被検査マスクのサンプルとなるコン
タクトホール状パターン部分を座標指定する。そして、
座標指定されたコンタクトホール状パターン部分を実際
に検査して、第1の記憶装置55に、対応する検出パタ
ーンデータS22を一時的に格納させる; (ロ)本発明の第1の実施の形態に係るパターン検査装
置を制御するホスト計算機のCPU10に第1の記憶装
置55の格納データを読み出す; (ハ)候補となるパターン部分を読み出したパターンか
ら抜き出して第3の記憶装置57に書き込む; (ニ)候補パターンが何通りかの大きさ・形状がある場
合には以上を繰り返す。
(A) The coordinates of a contact hole pattern portion to be a sample of a mask to be inspected are designated. And
The coordinates given contact hole pattern portions actually examined, in the first storage device 55, and stores the corresponding detection pattern data S 22 temporarily; (b) a first embodiment of the present invention The storage data of the first storage device 55 is read out to the CPU 10 of the host computer that controls the pattern inspection apparatus according to (1). (C) A pattern portion that is a candidate is extracted from the read pattern and written into the third storage device 57; D) The above is repeated when the candidate pattern has several sizes and shapes.

【0058】なお、図2には第1の記憶装置55の格納
データをホスト計算機のCPU10に読み出すためのバ
スや、ホスト計算機のCPU10から第3の記憶装置5
7に書き込むためのバスの図示を省略している(これら
のバスの経路は図1に実線で示されている)。
FIG. 2 shows a bus for reading data stored in the first storage device 55 to the CPU 10 of the host computer, and a bus from the CPU 10 of the host computer to the third storage device 5.
7 are not shown (the paths of these buses are shown by solid lines in FIG. 1).

【0059】以上説明したように本発明の第1の実施の
形態によると、大局的には(マクロには)、従来の比較
回路のみではマスク全面の仕上がり均一性が不足してい
るマスクを検査した場合における許容しうる程度のパタ
ーン誤差、すなわち擬似欠陥を誤指摘してしまう現象を
回避できる。しかも本発明の第1の実施の形態によれ
ば、コンタクトホール状パターンの局所的な(ミクロ
な)位置ずれ誤差を指摘できるようになる。その原理
は、コンタクトホールのパターン形状誤差はコンタクト
ホール調査回路50により調査し、検出パターンデータ
22と参照データS31の位置ずれは比較回路11で厳密
な比較を行なうようにするからである。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, generally (in a macro), a mask in which the finished uniformity of the entire mask is insufficient with only the conventional comparison circuit is inspected. In this case, it is possible to avoid an allowable pattern error, that is, a phenomenon in which a pseudo defect is erroneously pointed out. Moreover, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to point out a local (micro) displacement error of the contact hole pattern. The principle is that the pattern error of the contact hole is investigated by the contact hole surveys circuit 50, positional deviation of the detected pattern data S 22 and the reference data S 31 is to carry out a rigorous comparison in the comparison circuit 11.

【0060】このように、本発明の第1の実施の形態の
コンタクトホール調査回路50は、常に、第3の記憶装
置57に保持された「最近のコンタクトホール状パター
ン」を読み出し、これと比較しながら欠陥を検出してい
る。このため、マスク全面の仕上がり均一性が不足して
いる場合でも、対象としているパターンの近傍のパター
ンとの相対比較を行なうことになるため、不均一性の影
響を回避できる。そして、この場合は、参照データとの
絶対的な比較でないので特異なパターンのみを欠陥とし
て指摘することができる。
As described above, the contact hole investigating circuit 50 according to the first embodiment of the present invention always reads the “recent contact hole pattern” held in the third storage device 57 and compares it with the read data. While detecting defects. Therefore, even when the finished uniformity of the entire surface of the mask is insufficient, the relative comparison with the pattern in the vicinity of the target pattern is performed, so that the influence of the non-uniformity can be avoided. In this case, since it is not an absolute comparison with the reference data, only a peculiar pattern can be pointed out as a defect.

【0061】比較回路11での検出パターンデータS22
と参照データS31とのある程度の位置ずれを許容する動
作は、コンタクトホール状パターン以外では擬似欠陥の
誤検出を低減するために有用である。しかし、このアル
ゴリズムでは、コンタクトホール状パターンの位置ずれ
を指摘できなくなる。したがって、本発明の第1の実施
の形態のようにコンタクトホール状パターン検出中の
み、位置ずれを許容する動作をやめるアルゴリズムが有
効である。
The detection pattern data S 22 in the comparison circuit 11
See operation to allow a degree of misalignment between the data S 31 A, except in the contact hole pattern is useful to reduce the erroneous detection of the false defects. However, this algorithm cannot point out the positional deviation of the contact hole pattern. Therefore, an algorithm that stops the operation of permitting the displacement only during the detection of the contact hole pattern as in the first embodiment of the present invention is effective.

【0062】なお、本発明の第1の実施形態に係る検査
方法を実現するためのプログラムは、コンピュータ読取
り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体に格納された
プログラムをホストのコンピュータシステムによってプ
ログラムメモリ15に読み込ませてもよい。そして、プ
ログラムメモリ15に格納された本発明の第1の実施形
態に係る検査方法のプログラムを、ホストの処理制御部
(CPU)10で実行して上記の検査方法を実現するこ
ともできる。ここで、記録媒体とは、例えば、RAM,
ROM等の半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、
光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録す
ることができるような媒体の意である。
A program for implementing the inspection method according to the first embodiment of the present invention is stored in a computer-readable recording medium, and the program stored in the recording medium is executed by a host computer system. The data may be read into the memory 15. Then, the program of the inspection method according to the first embodiment of the present invention stored in the program memory 15 can be executed by the processing control unit (CPU) 10 of the host to realize the above inspection method. Here, the recording medium is, for example, a RAM,
Semiconductor memory such as ROM, magnetic disk, optical disk,
A medium such as a magneto-optical disk or a magnetic tape on which a program can be recorded.

【0063】第1の実施の形態の変形例1 従来のパターン検査装置では、図4(d)に示すような
コンタクトホール状パターンの位置ずれ誤差も欠陥検出
が困難な欠陥である。そこで、第1の実施の形態の変形
例(変形例1)として検出パターンデータS22に図4
(d)のような位置ずれを生じている場合の欠陥検出方
法を説明する。
Modification Example 1 of First Embodiment In the conventional pattern inspection apparatus, the positional error of the contact hole pattern as shown in FIG. 4D is also a defect for which defect detection is difficult. Therefore, figure detection pattern data S 22 as a modification of the first embodiment (Modification 1) 4
A description will be given of a defect detection method in the case where a positional shift as shown in FIG.

【0064】図6に示すように、変形例1に係るコンタ
クトホール調査回路50は図2に示した光量検定回路5
2と寸法検定回路53に加えて、更にピッチ検定回路5
4を装備している。ピッチ検定回路54はコンタクトホ
ール状パターンの配置ピッチの誤差を検出して、誤差が
規定値以上であればエラーと判断し比較回路11に信号
線144,154を通じて通知する。
As shown in FIG. 6, the contact hole inspection circuit 50 according to the first modification is different from the light amount inspection circuit 5 shown in FIG.
2 and a dimension verification circuit 53 in addition to a pitch verification circuit 5
Equipped with four. The pitch test circuit 54 detects an error in the arrangement pitch of the contact hole pattern, and if the error is equal to or greater than a specified value, determines that the error is an error and notifies the comparison circuit 11 via the signal lines 144 and 154.

【0065】図6および図7を用いてピッチ検定回路5
4の動作を説明する。
Using FIG. 6 and FIG.
Operation 4 will be described.

【0066】(i)まず、寸法検定回路53と同様に、
コンタクトホール検出回路51から通知のあった画素区
間で第1の記憶装置55から取り出した検出パターンデ
ータS22中の所定の区間を認識する。「所定の区間」と
は、予め決めておいたしきい値以上の光量がある区間で
ある。
(I) First, similarly to the dimension verification circuit 53,
Recognizing a predetermined section of the detection pattern in the data S 22 taken out from the first storage device 55 in a pixel section from the contact hole detection circuit 51 of the notification. The “predetermined section” is a section in which the amount of light is equal to or greater than a predetermined threshold.

【0067】(ii)次に、図7に示す中心座標算出回路
59でコンタクトホール状パターンのx,y中心座標を
求める。中心座標算出回路59における中心の求め方
は、寸法検定回路53と同様に、予め決めておいたしき
い値以上の画素区間の寸法をX方向Y方向毎に求めて、
それぞれの中心座標を求めればよい。あるいは、各画素
の明るさと座標位置の積和をとり、総光量を求めてその
重心を算出する方法などを用いても中心座標を得ること
ができる。
(Ii) Next, the center coordinate calculation circuit 59 shown in FIG. 7 calculates the x, y center coordinates of the contact hole pattern. The method of obtaining the center in the center coordinate calculation circuit 59 is similar to the size verification circuit 53, in which the size of a pixel section that is equal to or larger than a predetermined threshold is obtained for each of the X and Y directions.
What is necessary is just to obtain each center coordinate. Alternatively, the center coordinates can also be obtained by using a method of calculating the product sum of the brightness of each pixel and the coordinate position, calculating the total light amount and calculating the center of gravity.

【0068】(iii)このように求めた中心座標は、座
標レジスタ60の1つに保持する。座標レジスタ60に
は順次検出されるコンタクトホールの中心座標が格納さ
れていく。コンタクトホール構成推定回路61は座標レ
ジスタ60の各座標を読み取り、コンタクトホールのピ
ッチを推定算出し、座標レジスタ60に格納された各座
標がマトリックス状になるかを判断する。一般的に、コ
ンタクトホールは単独で存在する(配置される)事は少
なく、大抵の場合はある程度の個数が一定間隔でまとま
って配置されたものである。変形例1に係るピッチを推
定算出する工程はこのコンタクトホールの配置の特性を
利用したものである。具体的には、 (イ)コンタクトホール構成推定回路61は座標レジス
タ60から第1,第2の中心座標データを読み出して、
これらのX座標またはY座標が同じかを検定する; (ロ)さらに、座標ピッチを算出する; (ハ)そして、第3の中心座標データを読み出して、先
の第1,第2の中心座標データ何れかと同じX座標また
はY座標がないか調べる; (ニ)さらに、先の第1,第2の中心座標データとのピ
ッチを算出し、先に算出していた“座標相互のピッチ”
のいずれかと同じピッチになるかを検定する。
(Iii) The center coordinates thus obtained are stored in one of the coordinate registers 60. The coordinate register 60 stores the center coordinates of the contact holes detected sequentially. The contact hole configuration estimating circuit 61 reads each coordinate of the coordinate register 60, estimates and calculates the pitch of the contact hole, and determines whether each coordinate stored in the coordinate register 60 becomes a matrix. In general, the contact holes rarely exist (are arranged) alone, and in most cases, a certain number of contact holes are arranged collectively at regular intervals. The step of estimating and calculating the pitch according to the first modification utilizes the characteristics of the arrangement of the contact holes. Specifically, (a) the contact hole configuration estimation circuit 61 reads the first and second center coordinate data from the coordinate register 60,
It is determined whether the X coordinate or the Y coordinate is the same. (B) Further, the coordinate pitch is calculated; (c) Then, the third center coordinate data is read out, and the first and second center coordinates are read. Check if there is the same X coordinate or Y coordinate as any of the data. (D) Further, calculate the pitch with the first and second center coordinate data, and calculate the "pitch between the coordinates" calculated earlier.
Test whether the pitch is the same as one of the above.

【0069】(iv)以上の検定を行なうことで、各座標
が、どのように隣接関係になっているかを推定する。そ
して、ある“まとまって配置される座標群”を推定する
ことができる。そして、ある“まとまって配置される座
標群”と異なる次の“まとまって配置される座標群”に
さしかかった時点で、先に勢揃いした“まとまって配置
される座標群”の各座標をピッチ誤差算出回路62に送
りエラー判定を行なう。
(Iv) By performing the above test, it is estimated how each coordinate has an adjacent relation. Then, a certain “coordinate group arranged collectively” can be estimated. Then, when the next “coordinate group that is arranged collectively”, which is different from the “coordinate group that is arranged collectively”, is approached, each coordinate of the “coordinate group that is arranged collectively” that has been arranged earlier is pitch error. A sending error determination is made to the calculation circuit 62.

【0070】(v)ピッチ誤差算出回路62はコンタクト
ホール構成推定回路61から通知された各座標データの
周期のばらつきを判断して許容値以上の誤差があったも
のについてエラー信号S64で指摘する。エラー信号S64
は信号線144,154およびバッファ158を通じて
比較回路11に通知される。
(V) The pitch error calculating circuit 62 judges the variation of the cycle of each coordinate data notified from the contact hole configuration estimating circuit 61, and indicates an error which is larger than an allowable value by an error signal S64 . . Error signal S 64
Is notified to the comparison circuit 11 through the signal lines 144 and 154 and the buffer 158.

【0071】(vi)比較回路11ではこのピッチエラー
が通知されたコンタクトホール部分の欠陥判定に際して
は、従来実施している微妙な位置ずれを許容する補正を
やめて厳密な位置ずれを検査するよう一種の動作モード
変更を行なう。するとこのコンタクトホール部分のエッ
ジずれを顕著に指摘できるようになり、コンタクトホー
ルのエラーを検出できる。
(Vi) In the comparison circuit 11, when the defect of the contact hole portion notified of the pitch error is determined, the conventional correction for allowing a fine positional deviation is stopped and a strict positional deviation is inspected. Operation mode is changed. Then, it is possible to remarkably point out the edge shift of the contact hole portion, and it is possible to detect an error in the contact hole.

【0072】変形例1によると、図4(d)のようにコ
ンタクトホール自体の穴寸法が正常であるが位置がずれ
ている場合のほか、図8(b)のように周期方向(連続
配置方向、x方向)のミスサイズも当該コンタクトホー
ルの中心座標がずれていると検出される。このため、ミ
スサイズも位置ずれと検出されることになるが、欠陥で
あることには変わりないので実用上は問題ない。
According to the first modification, in addition to the case where the hole size of the contact hole itself is normal but the position is shifted as shown in FIG. 4D, the periodic direction (continuous arrangement) as shown in FIG. The mis-size of the contact hole (direction, x direction) is also detected as a deviation of the center coordinates of the contact hole. For this reason, the missize is also detected as a displacement, but it is still a defect, so there is no practical problem.

【0073】座標レジスタ60は格納された座標データ
は、そのままでは使用済みのデータが累積してしまうの
で、・ピッチ誤差算出回路62がバッファ158を通じ
て比較回路11に通知した座標;・検査のスキャンが進
行して一定寸法以上通り過ぎたもの;のいずれかの条件
で消去してしまうようにする。
Since the coordinate data stored in the coordinate register 60 is used as it is, the used data is accumulated as it is. The coordinates notified by the pitch error calculation circuit 62 to the comparison circuit 11 through the buffer 158; It is erased under any of the following conditions;

【0074】第1の実施の形態の変形例2 図2および図6に示したコンタクトホール調査回路50
の判定結果は比較回路11にバッファ158を介して出
力している。このバッファ158は本来の検出パターン
データS22が比較回路11に入力するタイミングと参照
データS31が入力するタイミングとの同期を取るために
適当な遅延量を設定している。このバッファ158の代
わりに図9に示すように、本来の観測データ(検出パタ
ーンデータS22)d7〜d0に属性ビットd8,d9
10,d11を付加する方式がある。
Modification 2 of First Embodiment Contact hole investigation circuit 50 shown in FIGS. 2 and 6
Is output to the comparison circuit 11 via the buffer 158. The buffer 158 is set an appropriate delay to synchronize the timing of the original detection pattern data S 22 is inputted reference data S 31 and timing to be input to the comparison circuit 11. As shown in FIG. 9 in place of the buffer 158, the original observed data (detection pattern data S 22) d 7 ~d 0 in the attribute bits d 8, d 9,
there is a method of adding d 10, d 11.

【0075】つまり、観測データの画素毎の、本来の8
ビットデータd7〜d0に加えて、4ビットデータd8
9,d10,d11の付加情報を重畳させる。ビットデー
タd8はコンタクトホールを検出した時“1”となり、
それ以外は“0”となるビットである。ビットデータd
9,d10,d11は、それぞれ光量検定回路52,寸法検
定回路53,ピッチ検定回路54で異常を検出した時
“1”、正常ならば“0”となるビットである。そして
図9に示すd8ビットが立っていて、さらにd9〜d11
いずれかのビットが立っていたならば、その検出パター
ンデータの画素を含むコンタクトホール状パターンでコ
ンタクトホール調査回路50がエラーを検知しているこ
とを示すことになる。このエラー属性情報はそのコンタ
クトホール状パターンで一画素だけでなく数画素にわた
って立つ場合もある。
That is, the original 8 for each pixel of the observation data
In addition to the bit data d 7 to d 0 , the 4-bit data d 8 ,
The additional information of d 9 , d 10 , and d 11 is superimposed. Bit data d 8 becomes “1” when a contact hole is detected,
Other bits are "0". Bit data d
9 , d 10 , and d 11 are bits that are “1” when an abnormality is detected by the light amount inspection circuit 52, the dimension inspection circuit 53, and the pitch inspection circuit 54, respectively, and are “0” when they are normal. Then have standing d 8 bits shown in FIG. 9, if still any bit of d 9 to d 11 is stood, the contact hole surveys circuit 50 in the contact hole pattern including the pixel of the detected pattern data This indicates that an error has been detected. This error attribute information may stand for not only one pixel but also several pixels in the contact hole pattern.

【0076】図10は本発明の第1の実施の形態の変形
例2に係る第1の記憶装置55,コンタクトホール調査
回路50およびこれらの近傍の詳細を示す模式図であ
る。図2および図6に示したバッファ158の代わりに
図10に示すように、バッファ60を使って図9に示し
た本来の観測データd7〜d0に属性ビットd8,d9,d
10,d11を付加している。図10に示すバッファ60は
コンタクトホール調査回路50の信号出力と検出パター
ンデータd7〜d0からなる検出パターンデータS22との
同期を調整する機能がある。比較回路11はこれらの本
来の観測データd7〜d0および属性ビットd8,d9,d
10,d11の信号を欠陥判定に加味する。
FIG. 10 is a schematic diagram showing details of the first storage device 55, the contact hole investigation circuit 50, and the vicinity thereof according to Modification 2 of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10 in place of the buffer 158 shown in FIGS. 2 and 6, the attribute bits d 8 to the original observed data d 7 to d 0 as shown in FIG. 9 with a buffer 60, d 9, d
Are added to 10, d 11. Buffer 60 shown in FIG. 10 has the function of adjusting the synchronization of the detection pattern data S 22 composed of signal output and the detected pattern data d 7 to d 0 of the contact hole survey circuit 50. The comparison circuit 11 calculates the original observation data d 7 to d 0 and the attribute bits d 8 , d 9 , d
10, for consideration of the signal d 11 to defect determination.

【0077】(第2の実施の形態)第1の実施の形態で
の説明では、第3の記憶装置57には検出パターンデー
タS22がサンプルとして保存されていること、あるい
は、検出パターンデータS22ときわめて相似形であるデ
ータが保存されていることを想定した。さらに、コンタ
クトホール調査回路50の各回路52,53,(54)
は検出パターンデータS22を元に光量検定、寸法検定あ
るいは、さらに、ピッチ検定を行なった。本発明の第2
の実施の形態においてはこれらの判定に第2の記憶装置
56から読み出した参照データS31を使用する。
[0077] In the description in (Second Embodiment) In the first embodiment, it detects the pattern data S 22 in the third storage device 57 is stored as a sample, or the detection pattern data S It is assumed that data that is very similar to 22 is stored. Further, each circuit 52, 53, (54) of the contact hole investigation circuit 50
Based on the light quantity assay detected pattern data S 22, the dimensions assay or was further subjected to pitch assay. Second embodiment of the present invention
In the embodiment using the reference data S 31 read from the second storage device 56 to these determinations.

【0078】図11は、本発明の第2の実施の形態に係
るパターン検査装置の概略全体図を示すものである。図
11に示すように、本発明の第2の実施の形態に係るパ
ターン検査装置は、被測定試料1のパターンに対応した
検出パターンデータS22を生成する観測データ生成部
(6,4,2,5,7,21,14)と、この検出パタ
ーンデータS22を記憶する第1の記憶装置55と、検査
基準となる参照データS31を生成する参照データ生成部
(13,19)と、この参照データS31を記憶する第2
の記憶装置56と、第1の記憶装置55の出力を受け、
検出パターンデータS22中にコンタクトホール状パター
ンの有無を検出し、その光量及び寸法の少なくとも一方
を検定するコンタクトホール検査・調査手段16と、理
想的な光量値及び寸法値の少なくとも一方を保存する第
3の記憶装置57と、第1および第2の記憶装置の出力
と、コンタクトホール検査・調査手段16の出力とを入
力する比較回路11とを少なくとも備えている。
FIG. 11 is a schematic overall view of a pattern inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, the second pattern inspection apparatus according to the embodiment of the observed data generation unit for generating a detection pattern data S 22 corresponding to the pattern of the measured sample 1 of the present invention (6,4,2 , and 5,7,21,14), a first memory device 55 for storing the detected pattern data S 22, the reference data generating unit that generates reference data S 31 to be inspected reference (13, 19), second storing this reference data S 31
Receiving the output of the storage device 56 and the output of the first storage device 55,
To detect the presence or absence of a contact hole pattern in the detected pattern data S 22, to store the contact hole inspection and survey means 16 for assaying at least one of the light intensity and size, at least one of the ideal light intensity values and dimension value It comprises at least a third storage device 57 and a comparison circuit 11 for inputting the outputs of the first and second storage devices and the output of the contact hole inspection / investigation means 16.

【0079】観測データ生成部は、被測定試料1に光を
照射して、被測定試料1のパターンに対応した光学像を
取得する取得する光学像取得部(6,4,2,5)、光
学像を電気信号S9に変換する光電変換部7、光電変換
されたアナログ電気信号S9をディジタル電気信号から
なる検出パターンデータS22に変換するセンサ回路21
等から構成されている。
The observation data generation unit irradiates the sample 1 to be measured with light and obtains an optical image corresponding to the pattern of the sample 1 to be measured. A photoelectric conversion unit 7 for converting an optical image into an electric signal S 9 , and a sensor circuit 21 for converting a photoelectrically converted analog electric signal S 9 into detection pattern data S 22 composed of a digital electric signal.
And so on.

【0080】被測定試料としてのフォトマスク1を載置
する試料台2は、ホスト計算機(CPU)10に接続さ
れたテーブル制御回路3により、X方向、Y方向等の所
定の方向に移動若しくは回転できる。試料台2の上方に
は、光源6及び集光レンズ4からなる光照射部が配置さ
れている。フォトマスク1の下方には、集光レンズ5及
び光電変換部(フォトダイオードアレイ)7からなる信
号検出部が配置されている。光電変換部としてのフォト
ダイオードアレイ7は複数の光センサを配設したライン
センサもしくはエリアセンサである。フォトダイオード
アレイ7はセンサ回路21に接続され、センサ回路21
はラインバッファ14に接続されている。ラインバッフ
ァ14は第1の記憶装置55に接続され、第1の記憶装
置55は、コンタクトホール検出・調査手段16を介し
て、及び直接の経路で比較回路11に接続されている。
コンタクトホール検出・調査手段16は、第2の記憶装
置56及び第3の記憶装置57に接続されている。
The sample stage 2 on which the photomask 1 as the sample to be measured is mounted is moved or rotated in a predetermined direction such as the X direction or the Y direction by the table control circuit 3 connected to the host computer (CPU) 10. it can. Above the sample table 2, a light irradiating unit including a light source 6 and a condenser lens 4 is arranged. Below the photomask 1, a signal detection unit including a condenser lens 5 and a photoelectric conversion unit (photodiode array) 7 is arranged. The photodiode array 7 as a photoelectric conversion unit is a line sensor or an area sensor provided with a plurality of optical sensors. The photodiode array 7 is connected to the sensor circuit 21,
Are connected to the line buffer 14. The line buffer 14 is connected to the first storage device 55, and the first storage device 55 is connected to the comparison circuit 11 via the contact hole detection / investigation means 16 and via a direct path.
The contact hole detection / investigation means 16 is connected to the second storage device 56 and the third storage device 57.

【0081】さらに、本発明の第2の実施の形態に係る
パターン検査装置は、操作者からのデータや命令などの
入力を受け付ける入力部(図示省略)、検査結果を出力
する出力部(図示省略)、設計パターンデータなどを格
納したデータメモリ12、及び検査プログラムなどを格
納したプログラムメモリ15等を有している。外部記憶
装置としてのデータメモリ12およびプログラムメモリ
15には、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気
ディスク装置、磁気ドラム装置、磁気テープ装置などが
含まれる。
Further, the pattern inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention has an input unit (not shown) for receiving input of data and instructions from an operator, and an output unit (not shown) for outputting inspection results. ), A data memory 12 storing design pattern data and the like, and a program memory 15 storing an inspection program and the like. The data memory 12 and the program memory 15 as external storage devices include a magnetic disk device, an optical disk device, a magneto-optical disk device, a magnetic drum device, a magnetic tape device, and the like.

【0082】ホスト計算機のCPU10にバスを介して
接続されたビットパターン発生回路13の出力側は、参
照データ発生回路19に接続されている。参照データ発
生回路19は、パターン検査装置の観測光学系やセンサ
の隣接画素干渉特性などを模擬したぼやけ関数を重畳し
て検査基準となる参照データS31を作り出す回路であ
る。参照データ発生回路19は、第2の記憶装置56に
接続され、第2の記憶装置56は、比較回路11及びコ
ンタクトホール検出・調査手段16に接続されている。
The output side of the bit pattern generation circuit 13 connected to the CPU 10 of the host computer via a bus is connected to the reference data generation circuit 19. Reference data generating circuit 19 is a circuit to produce a reference data S 31 that superimposes to the inspection standard observation optical system and blurring function was like simulating the adjacent pixels interference characteristics of the sensor pattern inspection apparatus. The reference data generation circuit 19 is connected to the second storage device 56, and the second storage device 56 is connected to the comparison circuit 11 and the contact hole detection / investigation means 16.

【0083】図12は、図11に示した第1の記憶装置
55,コンタクトホール検査・調査手段16の詳細およ
びこれらの周辺を示す模式図である。本発明の第2の実
施の形態に係るパターン検査装置のコンタクトホール検
査・調査手段16は、コンタクトホール調整回路50及
びコンタクトホール検出回路51から構成されている。
コンタクトホール調査回路50は、コンタクトホール状
パターンの矩形寸法を測定する寸法検定回路53,検出
パターンデータのコンタクトホール状パターン部分の透
過光量を求める光量検定回路52、およびバッファ15
8を具備している。コンタクトホール検出回路51、光
量検定回路52、寸法検定回路53はそれぞれデータバ
ス126を介して第2の記憶装置56に接続されてい
る。また、第2の記憶装置56と比較回路11とは、デ
ータバス125を介して互いに接続されている。そし
て、コンタクトホール検出回路51、光量検定回路5
2、寸法検定回路53は、それぞれデータバス122を
介して第3の記憶装置57に接続されている。第3の記
憶装置57、光量検定回路52、寸法検定回路53は、
それぞれデータバス123及びバッファ156を介して
第1の記憶装置55に接続されている。コンタクトホー
ル検出回路51と光量検定回路52、及びコンタクトホ
ール検出回路51と寸法検定回路53とは配線131,
132を介して互いに接続されている。コンタクトホー
ル検出回路51は、配線141,151,バッファ15
8を介して比較回路11に接続されている。光量検定回
路52は、配線142,152,バッファ158を介し
て、寸法検定回路53は、配線143,153,バッフ
ァ158を介して比較回路11に接続されている。
FIG. 12 is a schematic diagram showing the details of the first storage device 55 and the contact hole inspection / investigation means 16 shown in FIG. 11 and the periphery thereof. The contact hole inspection / investigation means 16 of the pattern inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention includes a contact hole adjustment circuit 50 and a contact hole detection circuit 51.
The contact hole inspection circuit 50 includes a dimension verification circuit 53 for measuring a rectangular dimension of the contact hole pattern, a light intensity verification circuit 52 for determining the amount of transmitted light in the contact hole pattern portion of the detection pattern data, and the buffer 15.
8 is provided. The contact hole detection circuit 51, the light quantity verification circuit 52, and the dimension verification circuit 53 are connected to the second storage device 56 via the data bus 126, respectively. The second storage device 56 and the comparison circuit 11 are connected to each other via a data bus 125. Then, a contact hole detection circuit 51 and a light amount verification circuit 5
2. The dimension verification circuit 53 is connected to the third storage device 57 via the data bus 122, respectively. The third storage device 57, the light quantity verification circuit 52, and the dimension verification circuit 53
Each is connected to the first storage device 55 via the data bus 123 and the buffer 156. The contact hole detection circuit 51 and the light amount verification circuit 52, and the contact hole detection circuit 51 and the size verification circuit 53
132 are connected to each other. The contact hole detection circuit 51 includes wirings 141, 151, and a buffer 15.
8 is connected to the comparison circuit 11. The light amount verification circuit 52 is connected to the comparison circuit 11 via wirings 142, 152, and a buffer 158, and the dimension verification circuit 53 is connected to the comparison circuit 11 via wirings 143, 153, and a buffer 158.

【0084】図12に示す構成において、コンタクトホ
ール検出回路51は、コンタクトホールを検知したこと
を光量検定回路52と寸法検定回路53に通知する。光
量検定回路52はその部分の検出パターンデータS22
第1の記憶装置55から読み込んで当該コンタクトホー
ル部分の光量の総和を計算する一方、第2の記憶装置5
6から読み込んだ参照データS31の当該コンタクトホー
ル部分の光量の総和を計算し、それらを比較判定する。
こうすることで、設計寸法から求めた理想的な光量と実
際の観測光量を比較することになるので設計パターン通
りに製作できているかの判定がより厳密に行なえるよう
になる。
In the configuration shown in FIG. 12, the contact hole detection circuit 51 notifies the light quantity verification circuit 52 and the dimension verification circuit 53 that a contact hole has been detected. While calculating the sum of the amount of the contact hole portion of the detection pattern data S 22 of the light quantity detection circuit 52 to the part that is read from the first storage device 55, the second storage device 5
The sum of the amount of the contact hole portion of the reference data S 31 read from 6 calculates, determines compare them.
By doing so, the ideal light quantity obtained from the design dimensions is compared with the actual observed light quantity, so that it is possible to more strictly determine whether the device is manufactured according to the design pattern.

【0085】また寸法検定回路53も、その部分の検出
パターンデータS22を第1の記憶装置55から読み込ん
で当該コンタクトホール部分の予め決めておいたしきい
値以上の光量がある区間の寸法を測定する一方、第2の
記憶装置56から読み込んだ参照データS31の当該コン
タクトホール部分の予め定めておいたしきい値以上の光
量がある区間の寸法を測定し、それらを比較判定する。
こうすることで、設計パターンデータから求めた理論上
のパターン寸法と実際の観測パターンの寸法を比較する
ことになるので設計パターンデータ通りに製作できてい
るかの判定がより厳密に行なえるようになる。
[0085] The size detection circuit 53 also measures the dimensions of the section there is a pre-determined threshold value or more light intensity had the detected pattern data S 22 first the contact hole portion reads from the storage device 55 of the part to one, the dimensions of the section there is a pre-determined threshold or the amount of light had of the contact hole portion of the reference data S 31 read from the second storage device 56 is measured to determine compare them.
In this way, the theoretical pattern size obtained from the design pattern data is compared with the size of the actual observation pattern, so that it is possible to more strictly determine whether or not the product is manufactured according to the design pattern data. .

【0086】第2の実施の形態の変形例1 図13は、本発明の第2の実施の形態の変形例(変形例
1)に係るコンタクトホール検査・調査手段16の詳細
を示す模式図である。本発明の第2の実施の形態に係る
コンタクトホール検査・調査手段16は、必ずしも図1
2に示すようなハードウェア51,52,53から構成
される必要はない。つまり、コンタクトホール検査・調
査手段16は、汎用のマイクロコンピュータ等のコンピ
ュターシステムを用いてソフトウェアにより実現し、上
記と等価な機能を持たせることも可能である。
Modification 1 of Second Embodiment FIG. 13 is a schematic diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit 16 according to a modification (Modification 1) of the second embodiment of the present invention. is there. The contact hole inspection / investigation means 16 according to the second embodiment of the present invention is
2 does not need to be constituted by the hardware 51, 52, 53 as shown in FIG. In other words, the contact hole inspection / investigation means 16 can be realized by software using a computer system such as a general-purpose microcomputer, and can have a function equivalent to the above.

【0087】図13に示すように第2の実施の形態の変
形例1に係るコンタクトホール検査・調査手段16は、
マイコンバス79を介して、ホスト計算機(CPU)へ
のインターフェイス(I/F)71,RAM72,プロ
グラムメモリ73,マイクロコンピュタのCPU74,
第2の記憶装置へのインターフェイス(I/F)75,
比較回路へのインターフェイス(I/F)76,第3の
記憶装置57へのインターフェイス(I/F)76,第
1の記憶装置へのインターフェイス(I/F)78が互
いに接続されている。そして、ホスト計算機(CPU)
10,第2の記憶装置56,比較回路11,第1の記憶
装置55及び第3の記憶装置57とは、それぞれインタ
ーフェイス(I/F)71,75,76,77、78を
介して接続されている。第3の記憶装置57は、コンタ
クトホール検査・調査手段16の内部に設けてもかまわ
ない。
As shown in FIG. 13, the contact hole inspection / investigation means 16 according to the first modification of the second embodiment includes:
Via a microcomputer bus 79, an interface (I / F) 71 to a host computer (CPU), a RAM 72, a program memory 73, a CPU 74 of a microcomputer,
An interface (I / F) 75 to the second storage device,
An interface (I / F) 76 to the comparison circuit, an interface (I / F) 76 to the third storage device 57, and an interface (I / F) 78 to the first storage device are connected to each other. And a host computer (CPU)
10, the second storage device 56, the comparison circuit 11, the first storage device 55, and the third storage device 57 are connected via interfaces (I / F) 71, 75, 76, 77, 78, respectively. ing. The third storage device 57 may be provided inside the contact hole inspection / investigation means 16.

【0088】プログラムメモリ73は、 ・第2の記憶装置56から参照データS31を読み込む処
理; ・コンタクトホールの検知処理; ・コンタクトホール部分の光量の総和の計算、及び参照
データS31の当該コンタクトホール部分の光量の総和と
の比較判定処理; ・所定の区間の寸法の測定、及び参照データS31の当該
コンタクトホール部分の寸法との比較判定処理、等の上
述した本発明の第2の実施の形態の所定の処理のプログ
ラムを格納している。そして、ホスト計算機からのコマ
ンドに従って、プログラムメモリ73に記録された所定
のプログラムを実行し、図12に示したハードウェア構
成と等価な機能を実現する。
[0088] The program memory 73 is, the second storage device 56 reads the reference data S 31 from the process; the contact of the contact calculation of the light amount of the sum of the hole portion, and reference data S 31; contact hole detection processing comparison determination processing with the sum of the amount of the hole portion; measurement of dimensions, predetermined interval, and comparison processing for determining whether the size of the contact hole portion of the reference data S 31, second embodiment of the aforementioned invention of equal The program of the predetermined processing of the form is stored. Then, a predetermined program recorded in the program memory 73 is executed according to a command from the host computer, and a function equivalent to the hardware configuration shown in FIG. 12 is realized.

【0089】図13に示したコンタクトホール検査・調
査手段16を動作させるための所定のプログラムは、コ
ンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒
体に格納されたプログラムをプログラムメモリ73に読
み込ませてもよい。そして、プログラムメモリ73に格
納されたプログラムを、マイクロコンピュタのCPUで
実行すればよい。ここで、記録媒体とは、例えば、RA
M,ROM等の半導体メモリ、磁気ディスク、光ディス
ク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記
録することができるような媒体の意である。プログラム
メモリ73は、図15に示したプログラムメモリ15と
同一のハードウェアを用いても良く、記録媒体もプログ
ラムメモリ15と共通の媒体でもよい。
A predetermined program for operating the contact hole inspection / investigation means 16 shown in FIG. 13 is stored in a computer-readable recording medium, and the program stored in the recording medium is read into a program memory 73. You may. Then, the program stored in the program memory 73 may be executed by the CPU of the microcomputer. Here, the recording medium is, for example, RA
A medium such as a semiconductor memory such as an M or ROM, a magnetic disk, an optical disk, a magneto-optical disk, a magnetic tape, or the like, on which a program can be recorded. The program memory 73 may use the same hardware as the program memory 15 shown in FIG. 15, and the recording medium may be a medium common to the program memory 15.

【0090】第2の実施の形態の変形例2 図14は本発明の第2の実施の形態の他の変形例(変形
例2)に係るパターン検査装置のコンタクトホール検査
・調査手段16、第1の記憶装置55およびこれらの周
辺を示す模式図である。
Modification 2 of Second Embodiment FIG. 14 shows a contact hole inspection / investigation unit 16 of a pattern inspection apparatus according to another modification (modification 2) of the second embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram showing one storage device 55 and its periphery.

【0091】図14に示すように、変形例2に係るコン
タクトホール検査・調査手段16は、コンタクトホール
調整回路50及びコンタクトホール検出回路51から構
成されている。コンタクトホール調査回路50は、コン
タクトホール状パターンの矩形寸法を測定する寸法検定
回路53,検出パターンデータのコンタクトホール状パ
ターン部分の透過光量を求める光量検定回路52、コン
タクトホールのピッチ誤差についても判定するピッチ検
定回路54、およびバッファ158を具備している。
As shown in FIG. 14, the contact hole inspecting / investigating means 16 according to the second modification includes a contact hole adjusting circuit 50 and a contact hole detecting circuit 51. The contact hole investigating circuit 50 also determines a dimension verification circuit 53 for measuring the rectangular dimension of the contact hole pattern, a light amount verification circuit 52 for obtaining the amount of light transmitted through the contact hole pattern portion of the detection pattern data, and a pitch error of the contact hole. A pitch test circuit 54 and a buffer 158 are provided.

【0092】ピッチ検定回路54は、第1の実施の形態
の変形例1および変形例2と同様に、動作する。すなわ
ち、コンタクトホール検出回路51が第2の記憶装置5
6から読み込んだ参照データS31をもとにコンタクトホ
ール位置をピッチ検定回路54に通知し、参照データS
31に基づいた理想的なピッチを算出する。一方、第1の
記憶装置55から読み込んだ検出パターンデータS22
基づいた実際のピッチを求め、これらを比較判定する。
こうすることで、参照データS31から求めた理想ピッチ
通りに検出パターンデータS22が存在するか否かの判定
ができるようになり、設計パターンデータ通りに製作で
きているか否かの判定がより厳密に行なえるようにな
る。
The pitch test circuit 54 operates similarly to the first and second modifications of the first embodiment. That is, the contact hole detection circuit 51 is connected to the second storage device 5
A contact hole located notifies the pitch detection circuit 54 on the basis of the reference data S 31 read from 6, reference data S
Calculate the ideal pitch based on 31 . On the other hand, we obtain the actual pitch based on the first read from the storage device 55 detected pattern data S 22, determines compare them.
In this way, it will be able to determine whether or not the detected pattern data S 22 present in the ideal pitch as obtained from the reference data S 31, more determination of whether can be manufactured as designed pattern data You can do it strictly.

【0093】(その他の実施の形態)上記のように、本
発明は第1および第2の実施の形態によって記載した
が、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を
限定するものであると理解すべきではない。この開示か
ら当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用
技術が明らかとなろう。
(Other Embodiments) As described above, the present invention has been described with reference to the first and second embodiments. However, the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. It should not be understood that there is. From this disclosure, various alternative embodiments, examples, and operation techniques will be apparent to those skilled in the art.

【0094】たとえば、第2の実施の形態で説明した、
第2の記憶装置56から読み出した参照データS31を使
用する方法と、第1の実施の形態の変形例2で説明した
コンタクトホール調査回路50の判定結果を、バッファ
160を使って本来の検出パターンデータdn〜doに属
性ビットd8,d9,d10,d10を付加する方式を組み合
わせて構成することも可能である。
For example, as described in the second embodiment,
A method of using the reference data S 31 read from the second storage device 56, the determination result of the contact hole survey circuit 50 described in the second modification of the first embodiment, the original detected using buffer 160 It is also possible to configure by combining a method of adding attribute bits d 8 , d 9 , d 10 , and d 10 to the pattern data d n -d o .

【0095】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲の記載に係る発明特定事項によってのみ
限定されるものである。
As described above, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described herein. Therefore, the present invention is limited only by the matters specifying the invention described in the claims that are reasonable from this disclosure.

【0096】[0096]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
従来では検出が困難であったコンタクトホール部の半透
明膜状の透過率不良欠陥や、ミスサイズの不良を検出で
きるようになる。
As described in detail above, according to the present invention,
It becomes possible to detect a transmissivity defect defect in the form of a semi-transparent film in a contact hole portion and a defect of a missize, which were conventionally difficult to detect.

【0097】従って、本発明によれば、欠陥検出精度が
高いパターン検査装置を提供することが可能となる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a pattern inspection apparatus having high defect detection accuracy.

【0098】本発明によれば、欠陥検出精度が高いパタ
ーン検査方法を提供することが可能となる。
According to the present invention, it is possible to provide a pattern inspection method with high defect detection accuracy.

【0099】また、本発明によれば、欠陥検出精度が高
いパターン検査を行うに際し必要なパターン検査用プロ
グラムを記録した記録媒体を提供することが可能とな
る。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a recording medium on which a pattern inspection program necessary for performing a pattern inspection with high defect detection accuracy is recorded.

【0100】さらに、本発明によれば、欠陥検出精度が
高いパターン検査に用いるパターン検査用データを記録
した記録媒体を提供することが可能となる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a recording medium on which pattern inspection data used for pattern inspection with high defect detection accuracy is recorded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るパターン検査
装置の概略を示す模式的全体図である。
FIG. 1 is a schematic overall view schematically showing a pattern inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のコンタクトホール検査・調査手段の詳
細、およびその周辺回路を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit of FIG. 1 and a peripheral circuit thereof.

【図3】図3(a)はコンタクトホール検出用テンプレ
ートの例を示す図で、図3(b)はこのテンプレートを
用いて明るさの加算平均値を求めた結果を示すグラフで
ある。
FIG. 3A is a diagram illustrating an example of a contact hole detection template, and FIG. 3B is a graph illustrating a result obtained by calculating an average brightness value using the template.

【図4】コンタクトホールエラーの種類を示す概念図で
ある。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing types of contact hole errors.

【図5】第3の記憶装置に格納されたデータの構造を示
す模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a structure of data stored in a third storage device.

【図6】本発明の第1の実施の形態の変形例1に係るパ
ターン検査装置のコンタクトホール検査・調査手段の詳
細およびその周辺回路を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit of a pattern inspection apparatus and a peripheral circuit thereof according to a first modification of the first embodiment of the present invention.

【図7】図6に示したピッチ検定回路54の内部を示す
ブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing the inside of a pitch test circuit shown in FIG. 6;

【図8】連続配置方向ピッチ誤差を説明する概念図であ
る。
FIG. 8 is a conceptual diagram illustrating a pitch error in a continuous arrangement direction.

【図9】8ビットの本来の観測データ(検出パターンデ
ータ)を示すビットに4ビットの属性ビットを付加する
方式を説明する図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a method of adding 4-bit attribute bits to bits indicating 8-bit original observation data (detection pattern data).

【図10】本発明の第1の実施の形態の変形例2に係る
パターン検査装置のコンタクトホール検査・調査手段の
詳細およびその周辺回路を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit of a pattern inspection apparatus according to Modification 2 of the first embodiment of the present invention and peripheral circuits thereof.

【図11】本発明の第2の実施の形態に係るパターン検
査装置の概略を示す模式的全体図である。
FIG. 11 is a schematic overall view schematically showing a pattern inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図12】図11のコンタクトホール検査・調査手段の
詳細、及びその周辺回路を示すブロック図である。
12 is a block diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit of FIG. 11 and a peripheral circuit thereof.

【図13】本発明の第2の実施の形態の変形例1に係
り、コンタクトホール検出・調査手段を汎用のマイクロ
プロセッサを用いてソフトウェアで実現する場合の構造
を示すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a structure in a case where a contact hole detection / investigation unit is realized by software using a general-purpose microprocessor according to a first modification of the second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施の形態の変形例2に係る
パターン検査装置のコンタクトホール検査・調査手段の
詳細およびその周辺回路を示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing details of a contact hole inspection / investigation unit of a pattern inspection apparatus and a peripheral circuit thereof according to a second modification of the second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フォトマスク(被測定試料) 2 試料台 3 テーブル制御回路 4,5 集光レンズ 6 光源 7 フォトダイオードアレイ 10 ホスト計算機 11 比較回路 12 データメモリ 13 ビットパターン発生回路 14 ラインバッファ 15 プログラムメモリ 16 コンタクトホール検出・調査手段 19 参照データ発生回路 21 センサ回路 50 コンタクトホール調査回路 51 コンタクトホール検出回路 54 ピッチ検定回路 55 第1の記憶装置 56 第2の記憶装置 57 第3の記憶装置 59 中心座標算出回路 60 座標レジスタ 61 コンタクトホール構成推定回路 62 ピッチ誤差算出回路 71 ホストCPUインターフェイス 72 RAM 73 プログラムメモリ 74 マイコンCPU 75 第2の記憶装置インターフェイス 76 比較回路インターフェイス 77 第1の記憶装置インターフェイス 78 第3の記憶装置インターフェイス 79 マイコンバス 121〜126 データバス 131,132,141〜144,151〜154 配
線 156,157,158,160 バッファ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photomask (sample to be measured) 2 Sample table 3 Table control circuit 4,5 Condensing lens 6 Light source 7 Photodiode array 10 Host computer 11 Comparison circuit 12 Data memory 13 Bit pattern generation circuit 14 Line buffer 15 Program memory 16 Contact hole Detecting and investigating means 19 Reference data generating circuit 21 Sensor circuit 50 Contact hole investigating circuit 51 Contact hole detecting circuit 54 Pitch verification circuit 55 First storage device 56 Second storage device 57 Third storage device 59 Center coordinate calculation circuit 60 Coordinate register 61 Contact hole configuration estimating circuit 62 Pitch error calculation circuit 71 Host CPU interface 72 RAM 73 Program memory 74 Microcomputer CPU 75 Second storage device interface 76 Comparison circuit Interface 77 First storage device interface 78 Third storage device interface 79 Microcomputer bus 121-126 Data bus 131, 132, 141-144, 151-154 Wiring 156, 157, 158, 160 Buffer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被測定試料のパターンに対応した検出パタ
ーンデータを生成する観測データ生成部と、 前記検出パターンデータを記憶する第1の記憶装置と、 検査基準となる参照データを生成する参照データ生成部
と、 前記参照データを記憶する第2の記憶装置と、 前記第1の記憶装置の出力を受け、検出パターンデータ
中にコンタクトホール状パターンの有無を検出し、その
光量及び寸法の少なくとも一方を検定するコンタクトホ
ール検査・調査手段と、 理想的な光量値及び寸法値の少なくとも一方を保存する
第3の記憶装置と、 前記第1および第2の記憶装置の出力と、前記コンタク
トホール検査・調査手段の出力とを入力する比較回路と
を備えるパターン検査装置。
1. An observation data generation unit that generates detection pattern data corresponding to a pattern of a sample to be measured, a first storage device that stores the detection pattern data, and reference data that generates reference data serving as an inspection standard A generation unit, a second storage device for storing the reference data, and receiving an output of the first storage device, detecting the presence or absence of a contact hole pattern in the detected pattern data, and detecting at least one of the light amount and the size. A third storage device for storing at least one of an ideal light amount value and a dimension value; an output of the first and second storage devices; A pattern inspection apparatus comprising: a comparison circuit for inputting an output of the investigation means.
【請求項2】以下の各ステップを少なくとも有するパタ
ーン検査方法。 (イ)被測定試料のパターンを観測し、検出パターンデ
ータを生成するステップ (ロ)前記検出パターンデータを第1の記憶装置に格納
するステップ (ハ)検査基準となる参照データを生成するステップ (ニ)前記参照データを第2の記憶装置に格納するステ
ップ (ホ)前記第1の記憶装置の出力データを調査し、前記
検出パターンデータ中にコンタクトホール状パターンの
存在の有無を検出するステップ (ヘ)該検出するステップにより得られた前記コンタク
トホール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を
測定するステップ (ト)該測定するステップにより得られたコンタクトホ
ール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方と第3
の記憶装置に格納されたデータとを比較・調査するステ
ップ (チ)前記検出するステップにより得られた結果及び前
記比較・調査するステップにより得られた結果を参照し
て、前記第1および第2の記憶装置の出力を比較し、前
記被測定試料のパターンの欠陥を検出するステップ (リ)前記測定するステップにより得られたコンタクト
ホール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を、
前記第3の記憶装置に格納するステップ
2. A pattern inspection method having at least the following steps. (A) Step of observing the pattern of the sample to be measured and generating detection pattern data (B) Storing the detection pattern data in a first storage device (C) Generating reference data serving as an inspection standard (C) D) a step of storing the reference data in a second storage device; and (e) a step of examining output data of the first storage device and detecting the presence or absence of a contact hole pattern in the detection pattern data. F) measuring at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the detecting step; and (g) measuring at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the measuring step. 3
Comparing and examining the data stored in the storage device of (h) with reference to the result obtained in the detecting step and the result obtained in the comparing and investigating step, referring to the first and second Comparing the output of the storage device and detecting a defect in the pattern of the sample to be measured (i) determining at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the measuring step;
Storing in the third storage device
【請求項3】以下の各ステップを少なくとも有するパタ
ーン検査用プログラムを記録した記録媒体。 (イ)被測定試料のパターンを観測し、検出パターンデ
ータを生成するステップ (ロ)前記検出パターンデータを第1の記憶装置に格納
するステップ (ハ)検査基準となる参照データを生成するステップ (ニ)前記参照データを第2の記憶装置に格納するステ
ップ (ホ)前記第1の記憶装置の出力データを調査し、前記
検出パターンデータ中にコンタクトホール状パターンの
存在の有無を検出するステップ (ヘ)該検出するステップにより得られた前記コンタク
トホール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を
測定するステップ (ト)該測定するステップにより得られたコンタクトホ
ール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方と第3
の記憶装置に格納されたデータとを比較・調査するステ
ップ (チ)前記検出するステップにより得られた結果及び前
記比較・調査するステップにより得られた結果を参照し
て、前記第1および第2の記憶装置の出力を比較し、前
記被測定試料のパターンの欠陥を検出するステップ (リ)前記測定するステップにより得られたコンタクト
ホール状パターンの光量及び寸法の少なくとも一方を、
前記第3の記憶装置に格納するステップ
3. A recording medium on which a pattern inspection program having at least the following steps is recorded. (A) Step of observing the pattern of the sample to be measured and generating detection pattern data (B) Storing the detection pattern data in a first storage device (C) Generating reference data serving as an inspection standard (C) D) a step of storing the reference data in a second storage device; and (e) a step of examining output data of the first storage device and detecting the presence or absence of a contact hole pattern in the detection pattern data. F) measuring at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the detecting step; and (g) measuring at least one of the light quantity and the dimension of the contact hole pattern obtained by the measuring step. 3
Comparing and examining the data stored in the storage device in (h), referring to the result obtained in the detecting step and the result obtained in the comparing and examining step, referring to the first and second data. Comparing the output of the storage device and detecting a defect in the pattern of the sample to be measured. (Re) At least one of the light quantity and the size of the contact hole pattern obtained by the measuring step
Storing in the third storage device
【請求項4】検出パターンデータと参照データとを比較
処理する際に、コンタクトホール状パターンの光量及び
寸法の異常を検出し、前期比較処理を制御するために用
いるパターン検査用データを記録した記録媒体であっ
て、前記パターン検査用データは、前記コンタクトホー
ル状パターンの形状毎に分類されたデータ領域、前記コ
ンタクトホール状パターンの寸法毎に分類されたデータ
領域、前記コンタクトホール状パターンの光量毎に分類
されたデータ領域、を少なくとも有することを特徴とす
る記録媒体。
4. A recording device for detecting an abnormality in the light quantity and dimensions of a contact hole pattern when comparing the detected pattern data with reference data, and recording pattern inspection data used for controlling the comparison process. The medium, wherein the pattern inspection data includes a data area classified according to a shape of the contact hole pattern, a data area classified according to a dimension of the contact hole pattern, and a light amount of the contact hole pattern. A recording medium comprising at least a data area classified as:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7220969B2 (en) 2004-09-13 2007-05-22 Intel Corporation Mask blanks inspection tool
JP2007206487A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Toshiba Corp Pattern dimension measuring method and dimension measuring apparatus
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