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JP2000013001A - Manufacture of printed wiring board - Google Patents

Manufacture of printed wiring board

Info

Publication number
JP2000013001A
JP2000013001A JP10178355A JP17835598A JP2000013001A JP 2000013001 A JP2000013001 A JP 2000013001A JP 10178355 A JP10178355 A JP 10178355A JP 17835598 A JP17835598 A JP 17835598A JP 2000013001 A JP2000013001 A JP 2000013001A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical plating
insulating substrate
circuit
plating catalyst
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10178355A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunobu Morioka
一信 盛岡
Koji Takagi
光司 高木
Satoru Ogawa
悟 小川
Kiyoaki Ihara
清暁 井原
Shuji Maeda
修二 前田
Shoichi Fujimori
正一 藤森
Kaoru Mukai
薫 向井
Shinya Nishimoto
晋也 西本
Munetake Yamada
宗勇 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP10178355A priority Critical patent/JP2000013001A/en
Publication of JP2000013001A publication Critical patent/JP2000013001A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve insulating reliability between circuits, and to prevent the lack of a conductor circuit and circuit precision by removing the chemical plating of a part except for a part becoming a circuit and burying an unnecessary chemical plating catalyst left on the surface of a substrate in the surface of the insulating substrate. SOLUTION: A chemical plating catalyst 4 is applied to the surface of the insulating resin layer 3 of an insulating substrate 1, chemical plating is executed on the whole face of the insulating substrate 1 and a chemical plating layer 5 is formed. Plating resist 6 is applied on a part which does not become a circuit, the chemical plating layer 5 is conducted and the electric plating layer 7 of copper is formed on a part becoming the circuit by an electrolytic plating method. Then, plating resist 6 is removed, the exposed chemical plating layer 5 is dissolved/removed by etching and a conductor circuit 8 is obtained. The chemical plating catalyst 4 left between the conductor circuits 8 on the surface is buried in the insulating resin layer 3. Thus, the exposure of the chemical plating catalyst on the surface of the insulating substrate can be reduced and insulating reliability between the circuits is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路などに用
いられるプリント配線板の製造法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board used for electronic circuits and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器等に用いられるプリント配線板
は、板状の絶縁層の片面または両面に銅箔等の導電パタ
ーンを積層させて形成されるものである。近年の電子機
器の小型化、高機能化の要求に伴い、それに用いられる
プリント配線板も高密度化、薄型化が望まれるようにな
ってきた。
2. Description of the Related Art A printed wiring board used for an electronic device or the like is formed by laminating a conductive pattern such as a copper foil on one or both sides of a plate-shaped insulating layer. 2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for miniaturization and high performance of electronic devices, it has been desired that printed wiring boards used therein have higher density and thinner.

【0003】高密度化に対応する多層プリント配線板の
製造方法として、セミアディティブ法を挙げることがで
きる。セミアディティブ法の一例として以下のような手
順が示される。 基板全面に絶縁樹脂層を塗布等により形成させる。 絶縁樹脂層全面に化学メッキ触媒を付与した後、化学
銅メッキを行い、薄い銅メッキ層を形成させる。 回路とならない部分にメッキレジストを形成した後、
電解メッキを行いメッキレジストを付与してない化学銅
メッキ層の部分に、さらに銅メッキ層を積層する。 メッキレジストを除去する。 レジストにより電解メッキされていない薄い化学銅メ
ッキ層をエッチング液により溶解除去し、電解メッキさ
れた厚い銅層を残して導体回路を形成する。 このセミアディティブ法は、エッチングする銅層が薄い
ので、微細な回路を精度よく形成することができるとい
う特長があるものである。
As a method of manufacturing a multilayer printed wiring board corresponding to high density, a semi-additive method can be cited. The following procedure is shown as an example of the semi-additive method. An insulating resin layer is formed on the entire surface of the substrate by coating or the like. After applying a chemical plating catalyst to the entire surface of the insulating resin layer, chemical copper plating is performed to form a thin copper plating layer. After forming a plating resist on the part that does not become a circuit,
A copper plating layer is further laminated on a portion of the chemical copper plating layer to which electrolytic plating is performed and no plating resist is applied. The plating resist is removed. A thin chemical copper plating layer that has not been electrolytically plated with a resist is dissolved and removed with an etchant, and a conductive circuit is formed leaving a thick electrolytically plated copper layer. The semi-additive method has a feature that a fine circuit can be formed with high accuracy because the copper layer to be etched is thin.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
セミアディティブ法を用いるプリント配線板の製造法に
おいては、露出した化学銅メッキ層をエッチングにより
溶解除去した後に露出した絶縁樹脂層表面に化学メッキ
触媒が残存するという問題があった。この残存した化学
メッキ触媒は、化学メッキ触媒自体の導電性により形成
した導体回路間の絶縁信頼性を著しく劣化させる原因と
なることから、残存した化学メッキ触媒を絶縁樹脂ごと
エッチング除去する方法が提案されている(特開昭57
−167694号公報、特開平8−8513号公報)。
ところが、この方法では導体回路が微細である場合、絶
縁樹脂のエッチング量が過剰になると導体回路の下部の
絶縁樹脂まで溶解除去され、導体回路の脱落が発生して
しまうことからエッチング量の管理が非常に困難であっ
た。図2(a)にこのことを示す。図2(a)において
1は絶縁基板を示し、積層板などで形成される基板2に
絶縁樹脂層3を形成させたものである。絶縁樹脂層3の
上に化学メッキ触媒4を付与して化学メッキを行い、化
学メッキ層5が形成される。化学メッキ層5上にさらに
電解メッキを行い、電解メッキ層7が形成される。不要
な部分をエッチングした後の化学メッキ層5及び電解メ
ッキ層7を合わせて導体回路8となる。図2(a)に示
された状態では、導体回路8の下方の絶縁樹脂層3まで
除去されてしまい、導体回路8が不安定な状況にあり、
導体回路8が絶縁基板1より脱落することがあり得るも
のである。
However, in the method of manufacturing a printed wiring board using the above-described semi-additive method, the exposed chemical copper plating layer is dissolved and removed by etching, and then the exposed surface of the insulating resin layer is chemically removed. There is a problem that the plating catalyst remains. Since the remaining chemical plating catalyst causes remarkable deterioration of the insulation reliability between the conductor circuits formed due to the conductivity of the chemical plating catalyst itself, a method of etching and removing the remaining chemical plating catalyst together with the insulating resin has been proposed. (Japanese Unexamined Patent Publication No.
167694, JP-A-8-8513).
However, in this method, when the conductive circuit is fine, if the etching amount of the insulating resin becomes excessive, the insulating resin below the conductive circuit is dissolved and removed, and the conductive circuit falls off. It was very difficult. This is shown in FIG. In FIG. 2A, reference numeral 1 denotes an insulating substrate in which an insulating resin layer 3 is formed on a substrate 2 formed of a laminated plate or the like. Chemical plating is performed by applying a chemical plating catalyst 4 on the insulating resin layer 3 to form a chemical plating layer 5. Electroplating is further performed on the chemical plating layer 5 to form an electrolytic plating layer 7. The conductor circuit 8 is formed by combining the chemical plating layer 5 and the electrolytic plating layer 7 after etching unnecessary portions. In the state shown in FIG. 2A, the insulating resin layer 3 below the conductor circuit 8 is removed, and the conductor circuit 8 is in an unstable state.
The conductor circuit 8 may fall off from the insulating substrate 1.

【0005】また、残存した化学メッキ触媒を酸性溶液
にてエッチング除去する方法(特開昭61−55989
号公報、特公平4−19719号公報)が提案されてい
るが、化学メッキ触媒のエッチングと同時に導体回路も
溶解してしまい、回路精度が悪くなるという新たな課題
が発生する。つまり、図2(b)に示されたような状態
となる。図2(b)の符号は、図2(a)と共通であ
る。この図に示された状態では、導体回路8の一部が溶
解除去されており、断線等を起こして回路精度に悪影響
を与えるものである。
Further, a method of removing the remaining chemical plating catalyst by etching with an acidic solution (JP-A-61-55989)
Japanese Patent Application Publication No. 4-19719), however, a new problem arises in that the conductor circuit is dissolved at the same time as the etching of the chemical plating catalyst, and the circuit accuracy deteriorates. That is, the state is as shown in FIG. The reference numerals in FIG. 2B are the same as those in FIG. In the state shown in this figure, a part of the conductor circuit 8 is dissolved and removed, which causes a disconnection or the like and adversely affects the circuit accuracy.

【0006】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、回路間の絶縁信頼性に優れ、かつ、導体回路の脱
落及び回路精度の低下が生じないプリント配線板の製造
方法を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above points, and provides a method of manufacturing a printed wiring board which is excellent in insulation reliability between circuits and does not cause dropout of a conductor circuit and deterioration of circuit accuracy. The purpose is to do so.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプリント配
線板の製造法は、絶縁基板1表面に化学メッキを付与さ
せ化学メッキを行った後、回路となる部分以外にメッキ
レジスト6を施し、回路となる部分にさらにメッキを行
って導体回路8を形成し、次いでメッキレジスト6を除
去すると共に、回路となる部分以外の化学メッキを除去
した後、基板表面に残存する不要な化学メッキ触媒4を
絶縁基板1の表面に埋没させることを特徴とするもので
ある。
According to a method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention, a chemical plating is applied to the surface of an insulating substrate 1 and then a chemical plating is performed. A conductor circuit 8 is formed by further plating a part to be a circuit, then the plating resist 6 is removed, and after removing the chemical plating other than the part to be a circuit, the unnecessary chemical plating catalyst 4 remaining on the substrate surface is removed. Is buried in the surface of the insulating substrate 1.

【0008】請求項2に係るプリント配線板の製造法
は、絶縁基板1表面に残存する不要な化学メッキ触媒4
の全表面積の50%以上を絶縁基板1表面に埋没させる
ことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board, wherein an unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is used.
Is buried in the surface of the insulating substrate 1 at least 50% of the total surface area.

【0009】請求項3に係るプリント配線板の製造法
は、絶縁基板1表面に残存する不要な化学メッキ触媒4
の全重量の50%以上を絶縁基板1表面に埋没させるこ
とを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board, wherein an unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is used.
Is buried in the surface of the insulating substrate 1 at least 50% of the total weight.

【0010】請求項4に係るプリント配線板の製造法
は、絶縁基板1表面に残存する不要な化学メッキ触媒4
を絶縁基板1表面に埋没させる方法が熱処理によること
を特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board, wherein an unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is used.
Is embedded in the surface of the insulating substrate 1 by heat treatment.

【0011】請求項5に係るプリント配線板の製造法
は、前記熱処理で用いられる温度が絶縁基板1表面を形
成する樹脂のガラス転移温度以上であることを特徴とす
るものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a printed wiring board, the temperature used in the heat treatment is equal to or higher than the glass transition temperature of the resin forming the surface of the insulating substrate 1.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0013】絶縁基板1としては、積層板などで形成さ
れる基板2の表面に絶縁樹脂層3を積層したものを用い
ることができる。絶縁基板1の絶縁樹脂層3表面に化学
メッキ触媒4を付与し(図1(a))、次いで前記絶縁
基板1全面に化学メッキを施し、化学メッキ層5を形成
させる(図1(b))。この化学メッキに用いられる金
属は、銅またはニッケル等が例示できるが、特に銅が一
般的である。本例で用いられる絶縁樹脂層3は、化学メ
ッキ層5除去後の絶縁基板1の熱処理において、絶縁基
板1表面に残存する化学メッキ触媒4を絶縁基板1表面
の絶縁樹脂層3中に埋没させる必要があり、加熱により
軟化するものが望まれるものである。従って絶縁樹脂層
3を形成する樹脂としては、熱可塑性樹脂、又は半硬化
状態の熱硬化性樹脂が用いられ、例としては、半硬化状
態のエポキシ樹脂、あるいは感光性を付与した光硬化性
のエポキシ樹脂等を用いることができる。また絶縁樹脂
層3の形成の方法に関しても、特に限定はなく、印刷
法、カーテンコート法等を適用することができる。さら
に化学メッキ触媒4としては、銅、ニッケル等の化学メ
ッキにおける触媒作用を示す物質であれば特に限定され
ないが、パラジウム−錫コロイドが広く用いられる例と
して挙げることができる。
As the insulating substrate 1, a substrate in which an insulating resin layer 3 is laminated on a surface of a substrate 2 formed of a laminated plate or the like can be used. A chemical plating catalyst 4 is applied to the surface of the insulating resin layer 3 of the insulating substrate 1 (FIG. 1A), and then the entire surface of the insulating substrate 1 is chemically plated to form a chemical plating layer 5 (FIG. 1B). ). The metal used for the chemical plating can be exemplified by copper or nickel, but copper is particularly common. In the insulating resin layer 3 used in this example, the chemical plating catalyst 4 remaining on the surface of the insulating substrate 1 is buried in the insulating resin layer 3 on the surface of the insulating substrate 1 in the heat treatment of the insulating substrate 1 after the removal of the chemical plating layer 5. It is necessary that the material be softened by heating. Therefore, as the resin forming the insulating resin layer 3, a thermoplastic resin or a thermosetting resin in a semi-cured state is used. For example, a semi-cured epoxy resin or a photocurable An epoxy resin or the like can be used. The method for forming the insulating resin layer 3 is not particularly limited, and a printing method, a curtain coating method, or the like can be applied. Further, the chemical plating catalyst 4 is not particularly limited as long as it is a substance such as copper or nickel which has a catalytic action in chemical plating, but a palladium-tin colloid can be mentioned as an example widely used.

【0014】次いで、図1(c)に示すように、回路と
ならない部分にメッキレジスト6を積層した後、化学メ
ッキ層5に通電して電解メッキ法により回路となる部分
に銅等の電解メッキ層7を化学メッキ層5の上に積層す
る。電解メッキ層7と化学メッキ層5の積層により導体
回路8を形成するための金属層が形成される。本例で
は、化学メッキ層5にさらにメッキを行って導体回路8
を形成するための金属層を形成するのに電解メッキを用
いたが、他のメッキ法も用いてもかまわない。またメッ
キレジスト6としては、ドライフィルム又は液体レジス
ト等を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 1 (c), after a plating resist 6 is laminated on a portion that does not become a circuit, a current is applied to the chemical plating layer 5 and electrolytic plating such as copper is performed on a portion that becomes a circuit by an electrolytic plating method. Layer 7 is laminated on chemical plating layer 5. A metal layer for forming the conductor circuit 8 is formed by laminating the electrolytic plating layer 7 and the chemical plating layer 5. In this example, the chemical plating layer 5 is further plated to form a conductor circuit 8.
Although electroplating was used to form a metal layer for forming a metal layer, other plating methods may be used. As the plating resist 6, a dry film or a liquid resist can be used.

【0015】次いで、メッキレジスト6を除去(図1
(d))した後、露出した化学メッキ層5をエッチング
により溶解除去し(図1(e))、電解メッキされた部
分を残すことにより導体回路8を得る。エッチングに用
いるエッチング液は、特に限定しないが塩化第二銅溶液
又は過硫酸ナトリウムの酸性溶液等を用いることができ
る。このエッチング液には、パラジウム−錫コロイドな
どの化学メッキ触媒4はほとんど溶解されない。よっ
て、図1(e)に示すように、導体回路8間に化学メッ
キ触媒4であるパラジウム−錫コロイドなどが残存した
状態となり、絶縁信頼性の劣化を招く。
Next, the plating resist 6 is removed (FIG. 1).
After (d)), the exposed chemical plating layer 5 is dissolved and removed by etching (FIG. 1 (e)), and the conductor circuit 8 is obtained by leaving the electrolytically plated portion. The etchant used for the etching is not particularly limited, but a cupric chloride solution or an acidic solution of sodium persulfate can be used. The chemical plating catalyst 4 such as a palladium-tin colloid is hardly dissolved in this etching solution. Therefore, as shown in FIG. 1E, the palladium-tin colloid, which is the chemical plating catalyst 4, remains between the conductor circuits 8, and the insulation reliability is deteriorated.

【0016】そこで本発明では、図1(f)に示すよう
に、表面の導体回路8間に残存した化学メッキ触媒4を
絶縁樹脂層3に埋没させる。残存した化学メッキ触媒4
を絶縁樹脂層3に埋没させる方法としては、熱処理する
ことにより絶縁樹脂層3を軟化させて埋没させる方法
が、煩雑な工程が不要であることから好ましい。この熱
処理の際の加熱温度は、絶縁樹脂層3を形成する樹脂の
ガラス転移温度以上に設定するのが好ましく、短時間で
化学メッキ触媒を絶縁樹脂層に埋没させることができ
る。加熱温度の上限は特に限定されないが、ガラス転移
温度+20℃程度が好ましい。
Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 1 (f), the chemical plating catalyst 4 remaining between the conductor circuits 8 on the surface is buried in the insulating resin layer 3. The remaining chemical plating catalyst 4
As a method of burying the insulating resin layer 3 in the insulating resin layer 3, a method of softening the insulating resin layer 3 by heat treatment and burying the insulating resin layer 3 is preferable because a complicated process is not required. The heating temperature during this heat treatment is preferably set to be equal to or higher than the glass transition temperature of the resin forming the insulating resin layer 3, and the chemical plating catalyst can be buried in the insulating resin layer in a short time. The upper limit of the heating temperature is not particularly limited, but is preferably about glass transition temperature + 20 ° C.

【0017】また、この化学メッキ触媒4の絶縁樹脂層
3に埋没させる量は、化学メッキ触媒4の全表面積の5
0%以上が、あるいは化学メッキ触媒4の全重量の50
%以上が、絶縁信頼性を確保する上で好ましい。もちろ
ん、化学メッキ触媒4の全表面積の100%、全重量の
100%が埋没していることが理想的であり、これが上
限である。
The amount of the chemical plating catalyst 4 buried in the insulating resin layer 3 is 5% of the total surface area of the chemical plating catalyst 4.
0% or more, or 50% of the total weight of the chemical plating catalyst 4
% Or more is preferable from the viewpoint of securing insulation reliability. Of course, it is ideal that 100% of the total surface area and 100% of the total weight of the chemical plating catalyst 4 are buried, and this is the upper limit.

【0018】[0018]

【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。 (実施例1)銅張積層板で形成した基板2の表面に熱硬
化型のエポキシ樹脂をカーテンコート法により塗布し、
温度150℃で2時間硬化させて半硬化状態の絶縁樹脂
層3を設けた。このとき、絶縁樹脂層3のエポキシ樹脂
のガラス転移点をDSCを用いて測定すると145℃と
いう値が得られた。次に、化学メッキの密着性を高める
目的で、過マンガン酸溶液にて、絶縁樹脂層3表面を粗
面化した。次いで、パラジウム錫コロイドタイプの化学
メッキ触媒4を絶縁樹脂層3表面に付与した(図1
(a))。次に、化学銅メッキを行って絶縁樹脂層3の
表面に化学メッキ層5を形成した(図1(b))。この
後、化学メッキ層5の表面にメッキレジスト6である感
光性ドライフィルムをラミネートし、さらに露光及び現
像して回路にならない部分に感光性ドライフィルムを残
存させると共に、回路を形成する部分の感光性ドライフ
ィルムを除去した。次いで、電解銅メッキにより厚み2
5μmの電解メッキ層7を形成(図1(c))した後、
感光性ドライフィルムを剥離した(図1(d))。次い
で露出した化学メッキ層5を塩化第二銅エッチング液に
て、エッチング除去して導体回路8を形成した(図1
(e))。さらにこのように130℃で30分間、熱処
理し、図1(f)のようなプリント配線板を得た。 (実施例2)熱処理温度が150℃であること以外は、
実施例1と同様にしてプリント配線板を作製した。 (実施例3)熱処理温度が170℃であること以外は、
実施例1と同様にしてプリント配線板を作製した。 (比較例)実施例1で行う熱処理をしなかった以外は、
実施例1と同様にしてプリント配線板を作製した。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. (Example 1) A thermosetting epoxy resin was applied to the surface of a substrate 2 formed of a copper-clad laminate by a curtain coating method,
It was cured at a temperature of 150 ° C. for 2 hours to provide a semi-cured insulating resin layer 3. At this time, when the glass transition point of the epoxy resin of the insulating resin layer 3 was measured using DSC, a value of 145 ° C. was obtained. Next, the surface of the insulating resin layer 3 was roughened with a permanganic acid solution in order to enhance the adhesion of the chemical plating. Next, a palladium tin colloid type chemical plating catalyst 4 was applied to the surface of the insulating resin layer 3 (FIG. 1).
(A)). Next, chemical plating was performed to form a chemical plating layer 5 on the surface of the insulating resin layer 3 (FIG. 1B). Thereafter, a photosensitive dry film, which is a plating resist 6, is laminated on the surface of the chemical plating layer 5, and is exposed and developed to leave the photosensitive dry film in a portion where a circuit is not formed. The volatile dry film was removed. Then, by electrolytic copper plating, thickness 2
After forming a 5 μm electrolytic plating layer 7 (FIG. 1C),
The photosensitive dry film was peeled off (FIG. 1 (d)). Next, the exposed chemical plating layer 5 was removed by etching with a cupric chloride etching solution to form a conductor circuit 8 (FIG. 1).
(E)). Further, heat treatment was performed at 130 ° C. for 30 minutes to obtain a printed wiring board as shown in FIG. (Example 2) Except that the heat treatment temperature was 150 ° C,
A printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1. (Example 3) Except that the heat treatment temperature was 170 ° C,
A printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1. (Comparative Example) Except that the heat treatment performed in Example 1 was not performed,
A printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1.

【0019】さらに実施例1〜3及び比較例の熱処理に
おいて、化学メッキ触媒がどのくらいの割合で絶縁基板
3中に埋没しているかを評価するために、絶縁基板3上
の化学メッキ触媒4の埋没表面積率と埋没重量率を測定
した。
Further, in order to evaluate the percentage of the chemical plating catalyst buried in the insulating substrate 3 in the heat treatments of Examples 1 to 3 and the comparative example, the immersion of the chemical plating catalyst 4 on the insulating substrate 3 was carried out. The surface area ratio and the burial weight ratio were measured.

【0020】まず、実施例1と同様にして図1(a)の
ようにパラジウム錫コロイドタイプの化学メッキ触媒4
を絶縁樹脂層3表面に付与した。次いで、各実施例1〜
3と同一条件で熱処理を行った絶縁基板サンプルおよび
比較例に対応する熱処理を行っていない絶縁基板サンプ
ルを調製した。以下に埋没表面積率と埋没重量率の測定
方法を示した。 1.埋没表面積率 上記の実施例1〜3及び比較例に対応する各絶縁基板サ
ンプルについて、それぞれ化学銅メッキ処理を15秒間
施し、絶縁基板表面に析出した銅の重量を測定した。こ
の重量の測定は、化学銅メッキ処理後の各絶縁基板サン
プルを王水に浸漬して析出した銅を溶解させ、ICP発
光分析により王水中の銅の定量することによって行っ
た。絶縁基板サンプル表面に析出した銅の重量は絶縁基
板サンプル表面に残存しているメッキ触媒の表面積に比
例し、また、比較例に対応する絶縁基板サンプルは熱処
理していないので化学メッキ触媒の埋没表面積率は0%
である。従って、各実施例1〜3の条件で熱処理した絶
縁基板サンプルの銅の析出量をSE、熱処理を行ってい
ない比較例の絶縁基板サンプルの銅の析出量をScとす
ると埋没表面積率は、下記の式(1)で表される。結果
を表1に示す。 埋没表面積率(%)={(Sc−SE)/Sc}×100 (1) 2.埋没重量率 上記の各絶縁基板サンプルを前項とは異なり化学メッキ
を行う前の状態で、X線マイクロアナライザー(XM
A)により各絶縁基板サンプル表面に残存している化学
メッキ触媒中のパラジウムの定量分析を行った。分析し
た範囲は、絶縁基板上の1cm×1cmの部分である。
その定量値の比較により各実施例の基板の埋没重量率を
算出した。各実施例1〜3の条件で熱処理した絶縁基板
サンプルの化学メッキ触媒中のパラジウムの表面残存量
をWE、熱処理を行っていない比較例の絶縁基板サンプ
ルの化学メッキ触媒中のパラジウムの表面残存量をWc
とすると埋没重量率は、下記の式(2)で表される。結
果を表1に示す。 埋没重量率(%)={(Wc−WE)/Wc}×100 (2) 次に、実施例1〜3及び比較例で得られたプリント配線
板について導体回路間の絶縁抵抗を測定した。方法は以
下の通りである。導体回路は櫛形電極パターン(回路間
隔150μm、回路幅75μm)として形成してあり、
温度サイクル試験実施前と後の上記電極間の絶縁抵抗を
測定した。
First, in the same manner as in Example 1, as shown in FIG.
Was applied to the surface of the insulating resin layer 3. Then, each of Examples 1 to
An insulating substrate sample subjected to the heat treatment under the same conditions as in No. 3 and an insulating substrate sample not subjected to the heat treatment corresponding to the comparative example were prepared. The method of measuring the buried surface area ratio and the buried weight ratio is shown below. 1. Buried surface area ratio For each of the insulating substrate samples corresponding to the above Examples 1 to 3 and Comparative Example, a chemical copper plating treatment was performed for 15 seconds, and the weight of copper deposited on the surface of the insulating substrate was measured. The measurement of the weight was performed by immersing each of the insulating substrate samples after the chemical copper plating treatment in aqua regia to dissolve the precipitated copper, and quantifying the amount of copper in the aqua regia by ICP emission analysis. The weight of the copper deposited on the surface of the insulating substrate sample is proportional to the surface area of the plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate sample. The rate is 0%
It is. Therefore, assuming that the amount of copper deposition of the insulating substrate sample heat-treated under the conditions of Examples 1 to 3 is S E , and the amount of copper deposition of the insulating substrate sample of the comparative example not heat-treated is Sc, the buried surface area ratio is It is represented by the following equation (1). Table 1 shows the results. 1. Buried surface area ratio (%) = {(Sc−S E ) / Sc} × 100 (1) Buried weight ratio Unlike the previous section, each of the above insulating substrate samples was subjected to an X-ray microanalyzer (XM
According to A), quantitative analysis of palladium in the chemical plating catalyst remaining on the surface of each insulating substrate sample was performed. The analyzed area is a 1 cm × 1 cm portion on the insulating substrate.
The burial weight ratio of the substrate of each example was calculated by comparing the quantitative values. Surface residual amount W E of palladium electroless plating catalyst of the insulating substrate samples heat treated under the conditions of Examples 1 to 3, the surface residual palladium in the chemical plating catalyst insulating substrate samples of Comparative Examples not subjected to heat treatment Wc the amount
Then, the burial weight ratio is represented by the following equation (2). Table 1 shows the results. Buried weight ratio (%) = {(Wc- W E) / Wc} × 100 (2) was then measured insulation resistance between the conductor circuit for the printed wiring board obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples . The method is as follows. The conductor circuit is formed as a comb-shaped electrode pattern (circuit interval 150 μm, circuit width 75 μm)
The insulation resistance between the electrodes before and after the temperature cycle test was measured.

【0021】温度サイクル試験条件は、まず−65℃で
15分、次に常温で5分、次に150℃で15分、常温
に戻して5分、再び−65℃で15分として1サイクル
となる。これを300サイクル繰り返した。結果を表1
に示す。
The temperature cycle test conditions were as follows: first at −65 ° C. for 15 minutes, then at room temperature for 5 minutes, then at 150 ° C. for 15 minutes, returned to room temperature for 5 minutes, and again at −65 ° C. for 15 minutes. Become. This was repeated for 300 cycles. Table 1 shows the results
Shown in

【0022】[0022]

【表1】 表1で示される抵抗値において0サイクルと300サイ
クルの抵抗値があまり変わらないものが絶縁信頼性が良
いものである。比較例では0サイクルの場合に比べて抵
抗値が大きく減少し、絶縁信頼性がかなり劣ることが確
認された。
[Table 1] In the resistance values shown in Table 1, the resistance values of the 0 cycle and the 300 cycle that do not change so much are those having good insulation reliability. In the comparative example, it was confirmed that the resistance value was greatly reduced as compared with the case of 0 cycle, and the insulation reliability was considerably inferior.

【0023】絶縁基板表面の絶縁樹脂層をなすエポキシ
樹脂のガラス転移温度より低い温度で熱処理した実施例
1では化学メッキ触媒の埋没量も十分でなく、300サ
イクルの温度サイクル試験後、抵抗値は100分の1に
なり、絶縁信頼性はあまり良くないことがわかる。実施
例2及び3では、絶縁基板表面の絶縁樹脂層をなすエポ
キシ樹脂のガラス転移温度より高い温度で熱処理したの
で、化学メッキ触媒の埋没量も十分であり、絶縁信頼性
は改善されていることが確認された。
In Example 1 in which the heat treatment was performed at a temperature lower than the glass transition temperature of the epoxy resin forming the insulating resin layer on the surface of the insulating substrate, the amount of buried chemical plating catalyst was not sufficient. It becomes 1/100, which indicates that the insulation reliability is not very good. In Examples 2 and 3, since the heat treatment was performed at a temperature higher than the glass transition temperature of the epoxy resin forming the insulating resin layer on the insulating substrate surface, the buried amount of the chemical plating catalyst was sufficient, and the insulation reliability was improved. Was confirmed.

【0024】[0024]

【発明の効果】上記のように本発明に係るプリント配線
板の製造方法は、絶縁基板表面に化学メッキ触媒を付与
させ化学メッキを行った後、回路となる部分以外にメッ
キレジストを施し、回路となる部分に導体回路を形成
し、次いでメッキレジストを除去すると共に、回路とな
る部分以外の化学メッキを除去した後、基板表面に残存
する不要な化学メッキ触媒を絶縁基板表面に埋没させる
ので、化学メッキ触媒の絶縁基板表面での露出を小さく
することができ、回路間の絶縁信頼性を高めることがで
きるものであり、しかも化学メッキ触媒をエッチングで
除去する必要がなくなって、導体回路の脱落及び回路精
度の低下を生じないプリント配線板を製造することがで
きるものである。
As described above, in the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, a chemical plating catalyst is applied to the surface of an insulating substrate to perform chemical plating. After forming a conductor circuit in the part that becomes the part, then removing the plating resist and removing the chemical plating other than the part that becomes the circuit, unnecessary chemical plating catalyst remaining on the substrate surface is buried in the insulating substrate surface, The exposure of the chemical plating catalyst on the surface of the insulating substrate can be reduced, and the insulation reliability between circuits can be increased. In addition, there is no need to remove the chemical plating catalyst by etching, and the conductor circuit falls off. In addition, it is possible to manufacture a printed wiring board that does not cause a decrease in circuit accuracy.

【0025】また、本発明の請求項2に係る発明は、絶
縁基板表面に残存する不要な化学メッキ触媒の全表面積
の50%以上を絶縁基板表面に埋没させるので、回路間
の絶縁信頼性が高く確保されたプリント配線板を製造す
ることができるものである。
In the invention according to claim 2 of the present invention, 50% or more of the total surface area of the unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is buried in the surface of the insulating substrate. It is possible to manufacture a highly secured printed wiring board.

【0026】また、本発明の請求項3に係る発明は、絶
縁基板表面に残存する不要な化学メッキ触媒の全重量の
50%以上を絶縁基板表面に埋没させるので、回路間の
絶縁信頼性が高く確保されたプリント配線板を製造する
ことができるものである。
In the invention according to claim 3 of the present invention, 50% or more of the total weight of the unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is buried in the surface of the insulating substrate. It is possible to manufacture a highly secured printed wiring board.

【0027】また、本発明の請求項4に係る発明は、絶
縁基板表面に残存する不要な化学メッキ触媒を絶縁基板
表面に埋没させる方法が熱処理によるので、煩雑な工程
を必要とせず、回路間の絶縁信頼性が確保されたプリン
ト配線板を簡便に製造することができるものである。
In the invention according to claim 4 of the present invention, since the method of burying unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate on the surface of the insulating substrate is performed by heat treatment, a complicated process is not required, and Thus, it is possible to easily manufacture a printed wiring board having the above-mentioned insulation reliability.

【0028】また、本発明の請求項5に係る発明は、上
記の熱処理で用いられる温度が絶縁材のガラス転移温度
以上であるので、絶縁基板表面が十分に軟化し、基板表
面に残存する不要な化学メッキ触媒を絶縁基板表面によ
り短時間で埋没させることができ、回路間の絶縁信頼性
に優れたプリント配線板をより確実に製造することがで
きるものである。
In the invention according to claim 5 of the present invention, the temperature used in the heat treatment is equal to or higher than the glass transition temperature of the insulating material. It is possible to bury a chemical plating catalyst in the insulating substrate surface in a short time, and to more reliably manufacture a printed wiring board having excellent insulation reliability between circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
(a)〜(f)は断面図である。
FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention,
(A)-(f) is sectional drawing.

【図2】従来例を示すものであり、(a)及び(b)は
断面図である。
FIG. 2 shows a conventional example, and (a) and (b) are cross-sectional views.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 4 化学メッキ触媒 5 化学メッキ層 6 メッキレジスト 8 導体回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 4 Chemical plating catalyst 5 Chemical plating layer 6 Plating resist 8 Conductor circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 悟 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 井原 清暁 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 前田 修二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 藤森 正一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 向井 薫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 西本 晋也 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 山田 宗勇 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 5E343 AA02 BB24 BB44 BB67 CC73 DD33 DD43 ER11 ER26 ER33 ER39 GG11 GG14  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Satoru Ogawa 1048 Kadoma Kadoma, Osaka Pref.Matsushita Electric Works, Ltd. (72) Inventor Shuji Maeda 1048 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Works Co., Ltd. Matsushita Electric Works, Ltd., 1048, Kazuma, Kadoma, Osaka Prefecture (72) Inventor Shinya Nishimoto 1048, Kazuma, Kazuma, Kadoma, Osaka Pref. Address Matsushita Electric Works Co., Ltd. F-term (reference) 5E343 AA02 BB24 BB44 BB67 CC73 DD33 DD43 ER11 ER26 ER33 ER39 GG11 GG14

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板表面に化学メッキ触媒を付与さ
せ化学メッキを行った後、回路となる部分以外にメッキ
レジストを施し、回路となる部分にさらにメッキを行い
導体回路を形成し、次いでメッキレジストを除去すると
共に、回路となる部分以外の化学メッキを除去した後、
基板表面に残存する不要な化学メッキ触媒を絶縁基板表
面に埋没させることを特徴とするプリント配線板の製造
法。
After a chemical plating catalyst is applied to the surface of an insulating substrate to perform chemical plating, a plating resist is applied to a portion other than a portion to be a circuit, and a portion to be a circuit is further plated to form a conductor circuit. After removing the resist and removing the chemical plating other than the part that will become the circuit,
A method for manufacturing a printed wiring board, comprising burying an unnecessary chemical plating catalyst remaining on a substrate surface on an insulating substrate surface.
【請求項2】 絶縁基板表面に残存する不要な化学メッ
キ触媒の全表面積の50%以上を絶縁基板表面に埋没さ
せることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板
の製造法。
2. The method according to claim 1, wherein at least 50% of the total surface area of the unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is buried in the surface of the insulating substrate.
【請求項3】 絶縁基板表面に残存する不要な化学メッ
キ触媒の全重量の50%以上を絶縁基板表面に埋没させ
ることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の
製造法。
3. The method according to claim 1, wherein 50% or more of the total weight of the unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is buried in the surface of the insulating substrate.
【請求項4】 絶縁基板表面に残存する不要な化学メッ
キ触媒を絶縁基板表面に埋没させる方法が熱処理による
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線
板のプリント製造法。
4. The method according to claim 1, wherein the unnecessary chemical plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate is buried in the surface of the insulating substrate by heat treatment.
【請求項5】 前記熱処理で用いられる温度が絶縁基板
表面を形成する樹脂のガラス転移温度以上であることを
特徴とする請求項4に記載のプリント配線板の製造法。
5. The method according to claim 4, wherein a temperature used in the heat treatment is equal to or higher than a glass transition temperature of a resin forming a surface of the insulating substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104813752A (en) * 2012-11-27 2015-07-29 泰科电子公司 Electrical component and method of manufacturing electrical component

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