JP2000012619A - 異方導電性フィルム - Google Patents
異方導電性フィルムInfo
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- JP2000012619A JP2000012619A JP17565398A JP17565398A JP2000012619A JP 2000012619 A JP2000012619 A JP 2000012619A JP 17565398 A JP17565398 A JP 17565398A JP 17565398 A JP17565398 A JP 17565398A JP 2000012619 A JP2000012619 A JP 2000012619A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導通路の傾倒を防止して高密度の半導体素子
を回路基板に容易に接続できる異方導電性フィルムを提
供する。 【解決手段】 本発明は、接着性絶縁材料からなるフィ
ルム基板中に、導電性材料からなる複数の導通路が、互
いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向
に貫通した状態で配置され、フィルム基板の長手方向と
平行な導通路の断面における形状の外周上の2点間の最
大長の平均が10〜30μmであり、隣接する導通路の
間隔が、上記最大長の平均の0.5〜3倍である異方導
電性フィルムである。
を回路基板に容易に接続できる異方導電性フィルムを提
供する。 【解決手段】 本発明は、接着性絶縁材料からなるフィ
ルム基板中に、導電性材料からなる複数の導通路が、互
いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向
に貫通した状態で配置され、フィルム基板の長手方向と
平行な導通路の断面における形状の外周上の2点間の最
大長の平均が10〜30μmであり、隣接する導通路の
間隔が、上記最大長の平均の0.5〜3倍である異方導
電性フィルムである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方導電性フィル
ムに関し、より詳しくは半導体素子と回路基板との接続
に使用される異方導電性フィルムに関する。
ムに関し、より詳しくは半導体素子と回路基板との接続
に使用される異方導電性フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】近年の電子機器の多機能化、小型軽量化
に伴い、半導体分野においては配線回路のパターンが高
集積化され、多ピン、狭ピッチ化のファインパターンが
採用されている。このような回路のファインパターンに
対応するため、基板上に形成された複数の導体パターン
と、それと接続する導体パターンまたはIC、LSIと
の接続に異方導電性フィルムが使用されはじめている。
異方導電性フィルムとは、一定方向にのみ電気的導電性
を有するが他の方向には電気的に絶縁されているような
フィルムのことである。
に伴い、半導体分野においては配線回路のパターンが高
集積化され、多ピン、狭ピッチ化のファインパターンが
採用されている。このような回路のファインパターンに
対応するため、基板上に形成された複数の導体パターン
と、それと接続する導体パターンまたはIC、LSIと
の接続に異方導電性フィルムが使用されはじめている。
異方導電性フィルムとは、一定方向にのみ電気的導電性
を有するが他の方向には電気的に絶縁されているような
フィルムのことである。
【0003】異方導電性フィルムとしては、特願平9−
117244号では、導通路の端部がフィルム基板の表
面上に露出した異方導電性フィルム及びその製造方法が
提案されている。
117244号では、導通路の端部がフィルム基板の表
面上に露出した異方導電性フィルム及びその製造方法が
提案されている。
【0004】しかし、この異方導電性フィルムも、パタ
ーンピッチ50μmのファイン化に対応するためには、
導通路の平均直径を30μm以下にする必要がある。こ
のため、導通路の直径を細化することにより、接合の際
にフィルムが軟化し、導通路の傾倒を生ずるため、電気
的接続信頼性が低下することから、電気的接続信頼性を
高める必要がある。
ーンピッチ50μmのファイン化に対応するためには、
導通路の平均直径を30μm以下にする必要がある。こ
のため、導通路の直径を細化することにより、接合の際
にフィルムが軟化し、導通路の傾倒を生ずるため、電気
的接続信頼性が低下することから、電気的接続信頼性を
高める必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決し、導通路の傾倒を防止して高密度の半導体
素子を回路基板に容易に接続できる異方導電性フィルム
を提供することにある。
問題を解決し、導通路の傾倒を防止して高密度の半導体
素子を回路基板に容易に接続できる異方導電性フィルム
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、各導通路の最大長の
平均に対する導通路の間隔、およびフィルムの厚みを調
整することで、導通路の傾倒が防止できることが判明し
た。即ち、本発明は以下のとおりである。 接着性絶縁材料からなるフィルム基板中に、導電性
材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態
で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で配
置され、フィルム基板の長手方向と平行な導通路の断面
における形状の外周上の2点間の最大長の平均が10〜
30μmであり、隣接する導通路の間隔が、上記最大長
の平均の0.5〜3倍であることを特徴とする異方導電
性フィルム。 接着性絶縁材料からなるフィルム基板の厚みが、導
通路の最大長の平均の2〜5倍であることを特徴とする
に記載の異方導電性フィルム。 前記導電性材料からなる導通路が、絶縁材料からな
る被覆層を有することを特徴とするまたはに記載の
異方導電性フィルム。
題を解決すべく鋭意検討した結果、各導通路の最大長の
平均に対する導通路の間隔、およびフィルムの厚みを調
整することで、導通路の傾倒が防止できることが判明し
た。即ち、本発明は以下のとおりである。 接着性絶縁材料からなるフィルム基板中に、導電性
材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態
で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で配
置され、フィルム基板の長手方向と平行な導通路の断面
における形状の外周上の2点間の最大長の平均が10〜
30μmであり、隣接する導通路の間隔が、上記最大長
の平均の0.5〜3倍であることを特徴とする異方導電
性フィルム。 接着性絶縁材料からなるフィルム基板の厚みが、導
通路の最大長の平均の2〜5倍であることを特徴とする
に記載の異方導電性フィルム。 前記導電性材料からなる導通路が、絶縁材料からな
る被覆層を有することを特徴とするまたはに記載の
異方導電性フィルム。
【0007】
【作用】本発明は、上記手段を講じたので、接合の際に
フィルムが軟化しても、導通路の傾倒を生じないので、
半導体素子と回路基板とを電気的接続信頼性に優れたフ
ァインピッチ接続が可能となる。
フィルムが軟化しても、導通路の傾倒を生じないので、
半導体素子と回路基板とを電気的接続信頼性に優れたフ
ァインピッチ接続が可能となる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明による異方導電性フィルムの一例の厚み
方向の断面を示す模式図である。図1に示す態様では、
絶縁接着材料からなるフィルム基板1中に、導電性材料
からなる複数の円柱状の導通路2が、互いに絶縁された
状態で、かつ、このフィルム基板1を厚み方向に貫通し
た状態で配置されている。各導通路2は、当該フィルム
基板1の表裏面に両端面4が露出している。また、露出
した両端面を除いた導通路の表面、すなわち、導通路2
の胴体側面には、絶縁材料からなる被覆層3を有してい
る。なお、図1において、Xは導通路2のフィルム基板
の長手方向に平行な断面の形状の外周上の2点間の最大
長の平均であり、図1では断面形状は円形であるから該
最大長は直径である。本願発明において「フィルム基板
の長手方向と平行な導通路の断面における形状の外周上
の2点間の最大長の平均」とは、全導通路における最大
長の平均値Xである。Yは導通路と導通路との間隔、Z
はフィルム基板1の厚みをそれぞれ意味する。なお、本
明細書中で、全導通路間のフィルム基板の長手方向の断
面の形状の外周上の2点間の最大長の平均を単に、最大
長の平均という場合がある。
図1は、本発明による異方導電性フィルムの一例の厚み
方向の断面を示す模式図である。図1に示す態様では、
絶縁接着材料からなるフィルム基板1中に、導電性材料
からなる複数の円柱状の導通路2が、互いに絶縁された
状態で、かつ、このフィルム基板1を厚み方向に貫通し
た状態で配置されている。各導通路2は、当該フィルム
基板1の表裏面に両端面4が露出している。また、露出
した両端面を除いた導通路の表面、すなわち、導通路2
の胴体側面には、絶縁材料からなる被覆層3を有してい
る。なお、図1において、Xは導通路2のフィルム基板
の長手方向に平行な断面の形状の外周上の2点間の最大
長の平均であり、図1では断面形状は円形であるから該
最大長は直径である。本願発明において「フィルム基板
の長手方向と平行な導通路の断面における形状の外周上
の2点間の最大長の平均」とは、全導通路における最大
長の平均値Xである。Yは導通路と導通路との間隔、Z
はフィルム基板1の厚みをそれぞれ意味する。なお、本
明細書中で、全導通路間のフィルム基板の長手方向の断
面の形状の外周上の2点間の最大長の平均を単に、最大
長の平均という場合がある。
【0009】すなわち、本発明の異方導電性フィルム
は、導通路2の最大長の平均Xが10〜30μmであ
る。10μm未満では安定な電気的接続を得ることが困
難であり、30μmを越えると50μm以下のファイン
ピッチパターンに対応できないからである。また、導通
路と導通路との間隔YがXの0.5〜3倍、好ましくは
1〜2倍であることが必要である。YがXの0.5倍よ
り小さいと、半導体素子や回路基板との接着性が低下す
るという問題がある。また、YがXの3倍より大きい
と、接合の際、フィルムの軟化に伴い、導通路の傾倒を
生ずるという問題がある。
は、導通路2の最大長の平均Xが10〜30μmであ
る。10μm未満では安定な電気的接続を得ることが困
難であり、30μmを越えると50μm以下のファイン
ピッチパターンに対応できないからである。また、導通
路と導通路との間隔YがXの0.5〜3倍、好ましくは
1〜2倍であることが必要である。YがXの0.5倍よ
り小さいと、半導体素子や回路基板との接着性が低下す
るという問題がある。また、YがXの3倍より大きい
と、接合の際、フィルムの軟化に伴い、導通路の傾倒を
生ずるという問題がある。
【0010】また、本発明の異方導電性フィルムは、接
着性絶縁材料からなるフィルム基板1の厚みZは、導通
路2の最大長の平均Xの2〜5倍、好ましくは2.5〜
3.5倍であることが好適である。ZがXの2倍より小
さいと、半導体素子や回路基板との接着性が低下すると
いう問題がある。また、ZがXの5倍より大きいと、接
合の際、フィルムの軟化の程度が増大し、導通路の傾倒
が増加するおそれがあり、接続信頼性に劣るという問題
がある。
着性絶縁材料からなるフィルム基板1の厚みZは、導通
路2の最大長の平均Xの2〜5倍、好ましくは2.5〜
3.5倍であることが好適である。ZがXの2倍より小
さいと、半導体素子や回路基板との接着性が低下すると
いう問題がある。また、ZがXの5倍より大きいと、接
合の際、フィルムの軟化の程度が増大し、導通路の傾倒
が増加するおそれがあり、接続信頼性に劣るという問題
がある。
【0011】本発明の異方導電性フィルム基板1を構成
する接着性絶縁材料としては、異方導電性フィルムのフ
ィルム基板として使用できる材料であれば、特に制限は
なく、公知のものを使用すればよい。本発明の異方導電
性フィルムがプリント基板と半導体素子の接着に使用さ
れるため、接着性を有する材料を使用する必要がある。
また、異方導電性を発揮するため、接着性絶縁材料は、
十分な絶縁特性を有している必要もある。接着性を有す
る材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの公
知の接着性材料が挙げられる。具体的には、フェノール
系、ビフェニル系などのエポキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等の熱硬化
性樹脂や、フェノキシ樹脂、ナイロン6やナイロン6,
6などのポリアミド樹脂、PET系やPBT系などの飽
和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリイ
ミド樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられ、目的に応じて適
宜選択される。これらの樹脂は単独でも、2種以上混合
して使用してもよい。好ましくはガラス転移点が150
℃以上230℃以下の接着性材料である。ガラス転移点
が150℃以上であれば半導体素子と回路基板の接着信
頼性をより高めることができ、ガラス転移点が230℃
以下であれば作業性に優れるからである。具体的には、
ポリカルボジイミド樹脂(例えば、特開平9−1945
56号公報、特開平9−235341号公報、特開平1
0−30013号公報に記載されている芳香族ポリカル
ボジイミド樹脂など)が挙げられる。
する接着性絶縁材料としては、異方導電性フィルムのフ
ィルム基板として使用できる材料であれば、特に制限は
なく、公知のものを使用すればよい。本発明の異方導電
性フィルムがプリント基板と半導体素子の接着に使用さ
れるため、接着性を有する材料を使用する必要がある。
また、異方導電性を発揮するため、接着性絶縁材料は、
十分な絶縁特性を有している必要もある。接着性を有す
る材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの公
知の接着性材料が挙げられる。具体的には、フェノール
系、ビフェニル系などのエポキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等の熱硬化
性樹脂や、フェノキシ樹脂、ナイロン6やナイロン6,
6などのポリアミド樹脂、PET系やPBT系などの飽
和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリイ
ミド樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられ、目的に応じて適
宜選択される。これらの樹脂は単独でも、2種以上混合
して使用してもよい。好ましくはガラス転移点が150
℃以上230℃以下の接着性材料である。ガラス転移点
が150℃以上であれば半導体素子と回路基板の接着信
頼性をより高めることができ、ガラス転移点が230℃
以下であれば作業性に優れるからである。具体的には、
ポリカルボジイミド樹脂(例えば、特開平9−1945
56号公報、特開平9−235341号公報、特開平1
0−30013号公報に記載されている芳香族ポリカル
ボジイミド樹脂など)が挙げられる。
【0012】本発明の異方導電性基板の導通路2として
使用できる導電性材料としては、導電性を有するもので
あればいずれでも使用できる。導電性材料として例え
ば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、鉄、ハン
ダ、鉛、白金等の金属材料、及びこれらの材料とポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂等
の樹脂との混合物等が挙げられる。これらの導電性材料
は、単独で、または二種以上を組み合わせて使用でき
る。導電性材料は、本発明の基板の使用目的により適宜
選択できるが、好ましくは電気特性の点から金属材料で
あり、さらに好ましくは導電性の点から銅、金、アルミ
ニウムである。
使用できる導電性材料としては、導電性を有するもので
あればいずれでも使用できる。導電性材料として例え
ば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、鉄、ハン
ダ、鉛、白金等の金属材料、及びこれらの材料とポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂等
の樹脂との混合物等が挙げられる。これらの導電性材料
は、単独で、または二種以上を組み合わせて使用でき
る。導電性材料は、本発明の基板の使用目的により適宜
選択できるが、好ましくは電気特性の点から金属材料で
あり、さらに好ましくは導電性の点から銅、金、アルミ
ニウムである。
【0013】導通路の当該フィルム基板1の表裏面に表
れる両端面4は、例えば金やニッケルなどの、導電性が
高い金属材料や耐腐食性に優れる材料で被覆された形態
であってもよい。
れる両端面4は、例えば金やニッケルなどの、導電性が
高い金属材料や耐腐食性に優れる材料で被覆された形態
であってもよい。
【0014】本発明のフィルムが異方導電性を示すため
には、導通路が互いに絶縁された状態で、かつ導通路2
の長さが、フィルム基板1の厚み方向に貫通した状態で
配置されていることが必要であり、さらに各導通路2
は、フィルム基板1の表裏面に両方の端部4が露出して
いることが必要である。ここで「互いに絶縁された状
態」とは、各導通路2が互いに導通せずに、フィルム基
板1内で相互に絶縁されている状態をいう。
には、導通路が互いに絶縁された状態で、かつ導通路2
の長さが、フィルム基板1の厚み方向に貫通した状態で
配置されていることが必要であり、さらに各導通路2
は、フィルム基板1の表裏面に両方の端部4が露出して
いることが必要である。ここで「互いに絶縁された状
態」とは、各導通路2が互いに導通せずに、フィルム基
板1内で相互に絶縁されている状態をいう。
【0015】導通路2のフィルム基板の長手方向の断面
の形状は、上記の条件を満たせばどのような形状でもよ
く、円形であっても、三角形、四角形などの多角形であ
ってもよい。断面の形状が円形の場合の最大長は、直径
を意味する。断面の形状が多角形の場合は、その形状に
より、辺、高さ、または対角線のいずれかが最大長とな
る。また、本明細書中で、多角形の導通路を使用する場
合の各導通路の間隔とは、隣り合う導通路同士の辺およ
び/または角を結ぶ線で最短のものを意味する。
の形状は、上記の条件を満たせばどのような形状でもよ
く、円形であっても、三角形、四角形などの多角形であ
ってもよい。断面の形状が円形の場合の最大長は、直径
を意味する。断面の形状が多角形の場合は、その形状に
より、辺、高さ、または対角線のいずれかが最大長とな
る。また、本明細書中で、多角形の導通路を使用する場
合の各導通路の間隔とは、隣り合う導通路同士の辺およ
び/または角を結ぶ線で最短のものを意味する。
【0016】本発明の異方導電性フィルムの導通路2に
は、図1に示すように絶縁材料からなる被覆層3が形成
されていることが好ましい。絶縁材料は、絶縁特性が保
証されれば、種類は特に制限されないが、好ましくはガ
ラス転移点が200℃以上の材料である。絶縁材料の具
体例としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂等が挙げられる。被覆層の厚みは、通常0.5〜
3μm程度、好ましくは0.5〜1.5μm程度であ
る。
は、図1に示すように絶縁材料からなる被覆層3が形成
されていることが好ましい。絶縁材料は、絶縁特性が保
証されれば、種類は特に制限されないが、好ましくはガ
ラス転移点が200℃以上の材料である。絶縁材料の具
体例としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂等が挙げられる。被覆層の厚みは、通常0.5〜
3μm程度、好ましくは0.5〜1.5μm程度であ
る。
【0017】上記接着性絶縁材料や絶縁材料は、その用
途に応じて、各種の充填剤、可塑剤、ゴム材料を添加し
てもよい。充填剤としては、例えばSiO2 、Al2 O
3 、可塑剤としては、例えばTCP(リン酸トリクレシ
ル)、DOP(フタル酸ジオクチル)、ゴム材料として
は、例えばNBS(アクリロニトリルブタジエンゴ
ム)、SBS(ポリスチレン−ポリブチレン−ポリスチ
レン)等が挙げられる。
途に応じて、各種の充填剤、可塑剤、ゴム材料を添加し
てもよい。充填剤としては、例えばSiO2 、Al2 O
3 、可塑剤としては、例えばTCP(リン酸トリクレシ
ル)、DOP(フタル酸ジオクチル)、ゴム材料として
は、例えばNBS(アクリロニトリルブタジエンゴ
ム)、SBS(ポリスチレン−ポリブチレン−ポリスチ
レン)等が挙げられる。
【0018】以下に、本発明の異方導電性フィルムの製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【0019】先ず、金属材料からなる線材に、接着性絶
縁材料からなる被覆層を形成する。金属材料からなる導
通路が、絶縁材料からなる被覆層を形成している場合に
は、先に絶縁材料からなる被覆層を形成した後に、接着
性絶縁材料からなる被覆層を形成する。また、接着性絶
縁材料からなる被覆層は、必要に応じて何層としてもよ
い。被覆層を形成する方法としては、特に制限されず、
例えば、溶剤コーティング(湿式コーティング)、溶融
コーティング(乾式コーティング)などの公知の方法が
使用できる。被覆層の厚さは、所望する基板中の導通路
のピッチ、すなわち、単位面積当たりの導通路の数によ
り適宜選択されるが、通常、3〜50μm程度、好まし
くは5〜20μm程度である。被覆層の厚さをこの程度
の厚さにすることで、導通路2の最大長の平均Xに対す
る導通路と導通路との間隔Yを上記所定の間隔にするこ
とができる。この絶縁線材を芯材上に巻線して、ロール
状の巻線コイルを形成する。
縁材料からなる被覆層を形成する。金属材料からなる導
通路が、絶縁材料からなる被覆層を形成している場合に
は、先に絶縁材料からなる被覆層を形成した後に、接着
性絶縁材料からなる被覆層を形成する。また、接着性絶
縁材料からなる被覆層は、必要に応じて何層としてもよ
い。被覆層を形成する方法としては、特に制限されず、
例えば、溶剤コーティング(湿式コーティング)、溶融
コーティング(乾式コーティング)などの公知の方法が
使用できる。被覆層の厚さは、所望する基板中の導通路
のピッチ、すなわち、単位面積当たりの導通路の数によ
り適宜選択されるが、通常、3〜50μm程度、好まし
くは5〜20μm程度である。被覆層の厚さをこの程度
の厚さにすることで、導通路2の最大長の平均Xに対す
る導通路と導通路との間隔Yを上記所定の間隔にするこ
とができる。この絶縁線材を芯材上に巻線して、ロール
状の巻線コイルを形成する。
【0020】巻線は、リレー、トランスなどの電磁コイ
ルを製造するための公知技術、例えば、芯材を回転させ
るスピンドル方式や、線材を周回させるフライヤー方式
などを応用してもよい。巻線は、1本の絶縁導線を芯材
に巻き付ける一般的な方法や、複数本の絶縁導線を芯材
に巻き取る方法などが挙げられる。また、巻線は、荒い
送りピッチと高速回転による乱巻きや、送りピッチを線
材外径程度として比較的低速回転で密着巻きし、下層の
線材に対して俵積みのように細密に線材を積み重ねてい
く最密巻きが挙げられる。これらの巻線の態様は、線
径、コスト、用途などに応じて適宜選択できるが、好ま
しくは、品質の面から、最密巻きである。
ルを製造するための公知技術、例えば、芯材を回転させ
るスピンドル方式や、線材を周回させるフライヤー方式
などを応用してもよい。巻線は、1本の絶縁導線を芯材
に巻き付ける一般的な方法や、複数本の絶縁導線を芯材
に巻き取る方法などが挙げられる。また、巻線は、荒い
送りピッチと高速回転による乱巻きや、送りピッチを線
材外径程度として比較的低速回転で密着巻きし、下層の
線材に対して俵積みのように細密に線材を積み重ねてい
く最密巻きが挙げられる。これらの巻線の態様は、線
径、コスト、用途などに応じて適宜選択できるが、好ま
しくは、品質の面から、最密巻きである。
【0021】巻き幅(電磁コイルにおけるボビンの全長
であって、1層内のターン数に関係する)、厚み(層数
に関係する)などの巻線仕様は、目的の異方導電性フィ
ルムの寸法に応じて適宜決定することができる。
であって、1層内のターン数に関係する)、厚み(層数
に関係する)などの巻線仕様は、目的の異方導電性フィ
ルムの寸法に応じて適宜決定することができる。
【0022】次に、前記の巻線を行いながら形成中の巻
線コイル、または前記の巻線終了後の完成された巻線コ
イルに対して、加熱および/または加圧を施し、層内、
層間において隣接する絶縁導線どうしを接着性絶縁材料
からなる被覆層の部分で融着および/または圧着させて
一体化し、巻線コイルブロックを形成する。
線コイル、または前記の巻線終了後の完成された巻線コ
イルに対して、加熱および/または加圧を施し、層内、
層間において隣接する絶縁導線どうしを接着性絶縁材料
からなる被覆層の部分で融着および/または圧着させて
一体化し、巻線コイルブロックを形成する。
【0023】加熱および/または加圧は、巻線の際にあ
る程度のテンションを作用させているので、加熱だけを
施す加工や、加熱と加圧を同時に施す加工が好ましい。
加熱の温度は、最外層の被覆材の材料に応じて適宜選択
されるが、通常材料の軟化点〜軟化点+100℃程度で
あり、具体的には100〜300℃程度である。最外層
の被覆材の材料として熱硬化性樹脂を使用した場合に
は、硬化温度よりも低い温度で加熱するのがよい。ま
た、加圧する場合、好ましくは1〜40kg/cm2 、
より好ましくは10〜20kg/cm2 程度である。
る程度のテンションを作用させているので、加熱だけを
施す加工や、加熱と加圧を同時に施す加工が好ましい。
加熱の温度は、最外層の被覆材の材料に応じて適宜選択
されるが、通常材料の軟化点〜軟化点+100℃程度で
あり、具体的には100〜300℃程度である。最外層
の被覆材の材料として熱硬化性樹脂を使用した場合に
は、硬化温度よりも低い温度で加熱するのがよい。ま
た、加圧する場合、好ましくは1〜40kg/cm2 、
より好ましくは10〜20kg/cm2 程度である。
【0024】次に、前記巻線コイルブロックを薄くシー
ト状にスライスする。このとき、芯材を抜いてスライス
するか、または、芯材ごとスライスするか、芯材ごとス
ライスした後に芯材部分を分離する等、目的物の態様に
応じて自由に選択できる。このときのスライスは、巻き
つけられた線材と角度をなして交差する平面を断面と
し、上記所望のフィルム厚さとなるように切断する。
ト状にスライスする。このとき、芯材を抜いてスライス
するか、または、芯材ごとスライスするか、芯材ごとス
ライスした後に芯材部分を分離する等、目的物の態様に
応じて自由に選択できる。このときのスライスは、巻き
つけられた線材と角度をなして交差する平面を断面と
し、上記所望のフィルム厚さとなるように切断する。
【0025】切断用の刃物には全ての切断工具が含ま
れ、切断手段には全ての切断手段が含まれ、目的に応じ
て適宜選択できる。また、1つの巻線コイルブロックか
ら1枚の異方導電性基板を得るだけなら、両サイドから
の切削・研磨であってもよい。基板面の仕上げは、必要
に応じて行う。
れ、切断手段には全ての切断手段が含まれ、目的に応じ
て適宜選択できる。また、1つの巻線コイルブロックか
ら1枚の異方導電性基板を得るだけなら、両サイドから
の切削・研磨であってもよい。基板面の仕上げは、必要
に応じて行う。
【0026】また、この導通路の両端を導電性材料で被
覆する場合は、電気メッキや無電解メッキのようなメッ
キや気相分解法などによって、上記金属材料を積層する
ことにより行う。
覆する場合は、電気メッキや無電解メッキのようなメッ
キや気相分解法などによって、上記金属材料を積層する
ことにより行う。
【0027】また、上記厚みの導通路を確保できるので
あれば、基板あるいは樹脂フィルム上に導電性材料で配
線パターンを平行に形成し、これを各層の配線の方向が
同方向になるように複数個重ねて、単独で、あるいは接
着層を介して加熱および/あるいは加圧して積層成型し
たものを、配線の方向と直角にカットする方法などであ
ってもよい。
あれば、基板あるいは樹脂フィルム上に導電性材料で配
線パターンを平行に形成し、これを各層の配線の方向が
同方向になるように複数個重ねて、単独で、あるいは接
着層を介して加熱および/あるいは加圧して積層成型し
たものを、配線の方向と直角にカットする方法などであ
ってもよい。
【0028】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【0029】実施例1 図1に示す構造の異方導電性フィルムを作製した。接着
性絶縁材料としてポリカルボジイミド樹脂(ガラス転移
点 170℃)、絶縁材料としてポリアミドイミド樹脂
(ガラス転移点 270℃)を用いた。導通路2には最
大長の平均Xが18μmの円柱状の銅線を用い、導通路
2の両端4の表面には金を積層し、隣接する導通路間の
相互の距離Yは、35μm、フィルム厚みZは70μm
に設定した。
性絶縁材料としてポリカルボジイミド樹脂(ガラス転移
点 170℃)、絶縁材料としてポリアミドイミド樹脂
(ガラス転移点 270℃)を用いた。導通路2には最
大長の平均Xが18μmの円柱状の銅線を用い、導通路
2の両端4の表面には金を積層し、隣接する導通路間の
相互の距離Yは、35μm、フィルム厚みZは70μm
に設定した。
【0030】実施例2 図1に示す構造の異方導電性フィルムを作製した。接着
性絶縁材料としてポリアミドイミド樹脂(ガラス転移点
190℃)、絶縁材料としてポリイミド樹脂(ガラス
転移点 300℃)を用いた。導通路2には最大長の平
均Xが30μmの円柱状の銅線を用い、導通路2の両端
4の表面には金を積層し、隣接する導通路間の相互の距
離Yは、45μm、フィルム厚みZは100μmに設定
した。
性絶縁材料としてポリアミドイミド樹脂(ガラス転移点
190℃)、絶縁材料としてポリイミド樹脂(ガラス
転移点 300℃)を用いた。導通路2には最大長の平
均Xが30μmの円柱状の銅線を用い、導通路2の両端
4の表面には金を積層し、隣接する導通路間の相互の距
離Yは、45μm、フィルム厚みZは100μmに設定
した。
【0031】比較例1 隣接する導通路間の相互の距離Yを100μm、フィル
ム厚みZを100μmに設定した以外は、実施例1と同
様に異方導電性フィルムを作製した。
ム厚みZを100μmに設定した以外は、実施例1と同
様に異方導電性フィルムを作製した。
【0032】作製した実施例1、2、比較例1の異方導
電性フィルムを用いて、評価用半導体素子及び評価用回
路基盤を用いて接続し、その導通性を評価した。
電性フィルムを用いて、評価用半導体素子及び評価用回
路基盤を用いて接続し、その導通性を評価した。
【0033】なお、評価用半導体素子、評価用回路基
盤、接続条件は以下のとおりである。 評価用半導体素子 チップサイズ 10mm角 パッド数 320個(チップ周囲にペリフェラルに配置) パッドサイズ 60μm角 チップ表面 ポリイミド樹脂(3μm厚コート) ポリイミドのパッド部開口サイズ;50μm角 バンプ なし 評価用回路基板 基板 FR−4 1mm厚 回路幅 50μm、15μm厚 バンプ なし 接続条件 評価用半導体素子と評価用回路基板の間に、異方導電性
フィルムを挿み、フリップチップボンダーを使用して、
温度250℃、圧力30Kgf/チップで30秒間処理
して、接続した。
盤、接続条件は以下のとおりである。 評価用半導体素子 チップサイズ 10mm角 パッド数 320個(チップ周囲にペリフェラルに配置) パッドサイズ 60μm角 チップ表面 ポリイミド樹脂(3μm厚コート) ポリイミドのパッド部開口サイズ;50μm角 バンプ なし 評価用回路基板 基板 FR−4 1mm厚 回路幅 50μm、15μm厚 バンプ なし 接続条件 評価用半導体素子と評価用回路基板の間に、異方導電性
フィルムを挿み、フリップチップボンダーを使用して、
温度250℃、圧力30Kgf/チップで30秒間処理
して、接続した。
【0034】実施例1及び2は全点(320点)で導通
を確認できたが、比較例1は30%(90点)のみし
か、導通を確認できなかった。また、実施例1及び2、
比較例1の接合サンプルの断面観察を行った結果、比較
例1では導通路が傾いており、その結果としてチップ−
基板間の導通が得られないことが判った。それに対し、
本発明の異方導電性フィルムを使用した場合は、導通路
の最大長の平均に対する各導通路の間隔およびフィルム
厚みを調整することにより、導通路の傾倒が防止でき、
チップの接続を可能にすることができた。
を確認できたが、比較例1は30%(90点)のみし
か、導通を確認できなかった。また、実施例1及び2、
比較例1の接合サンプルの断面観察を行った結果、比較
例1では導通路が傾いており、その結果としてチップ−
基板間の導通が得られないことが判った。それに対し、
本発明の異方導電性フィルムを使用した場合は、導通路
の最大長の平均に対する各導通路の間隔およびフィルム
厚みを調整することにより、導通路の傾倒が防止でき、
チップの接続を可能にすることができた。
【0035】
【発明の効果】本発明の異方導電性フィルムは、各導通
路の最大長の平均に対する導通路の間隔、およびフィル
ムの厚みを調整しているので、接合の際にフィルムが軟
化しても、導通路の傾倒を生じないので、半導体素子と
回路基板とを電気的接続信頼性に優れたファインピッチ
接続が可能となる。
路の最大長の平均に対する導通路の間隔、およびフィル
ムの厚みを調整しているので、接合の際にフィルムが軟
化しても、導通路の傾倒を生じないので、半導体素子と
回路基板とを電気的接続信頼性に優れたファインピッチ
接続が可能となる。
【図1】本発明による異方導電性フィルムの一例を示す
模式図である。
模式図である。
1 フィルム基板 2 導通路 3 被覆層 4 導通路の端部
Claims (3)
- 【請求項1】 接着性絶縁材料からなるフィルム基板中
に、導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁さ
れた状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した
状態で配置され、フィルム基板の長手方向と平行な導通
路の断面における形状の外周上の2点間の最大長の平均
が10〜30μmであり、隣接する導通路の間隔が、上
記最大長の平均の0.5〜3倍であることを特徴とする
異方導電性フィルム。 - 【請求項2】 接着性絶縁材料からなるフィルム基板の
厚みが、導通路の最大長の平均の2〜5倍であることを
特徴とする請求項1に記載の異方導電性フィルム。 - 【請求項3】 前記導電性材料からなる導通路が、絶縁
材料からなる被覆層を有することを特徴とする請求項1
または2に記載の異方導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565398A JP2000012619A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 異方導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565398A JP2000012619A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 異方導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012619A true JP2000012619A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15999868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17565398A Pending JP2000012619A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 異方導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012619A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7231706B2 (en) | 2000-04-18 | 2007-06-19 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing an anisotropic conductive film |
| WO2009069350A1 (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Fujifilm Corporation | 微細構造体 |
| WO2009075198A1 (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Fujifilm Corporation | 異方導電性接合パッケージ |
| EP2075836A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| JP2009289730A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 構造体およびその製造方法 |
| WO2010004981A1 (ja) | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP2010033753A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
| WO2010095653A1 (ja) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性部材およびその製造方法 |
| US8524607B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-09-03 | Fujifilm Corporation | Anisotropically conductive member and method of manufacture |
| CN105305126A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-03 | 华为技术有限公司 | 电连接器及通信设备 |
| CN105867549A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-17 | 苏州益邦电子材料有限公司 | 一种新型的电脑主板绝缘片 |
| US20210104854A1 (en) * | 2017-05-18 | 2021-04-08 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP17565398A patent/JP2000012619A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8133578B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| EP2075836A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
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| CN105867549A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-17 | 苏州益邦电子材料有限公司 | 一种新型的电脑主板绝缘片 |
| CN105867549B (zh) * | 2016-04-28 | 2022-11-15 | 苏州益邦电子材料有限公司 | 一种电脑主板绝缘片 |
| US20210104854A1 (en) * | 2017-05-18 | 2021-04-08 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
| US11637406B2 (en) * | 2017-05-18 | 2023-04-25 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
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