JP2000012665A - セラミックス部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気絶縁性セラミックスから成る支持基材の
上に、発熱層あるいは電極となる導電性セラミックス層
を接合し、これに溝加工を施してヒータパターンあるい
は電極パターンを形成し、その上にセラミックス絶縁膜
を被覆したセラミックス部品を形成した場合に、昇降温
を繰り返しても、セラミックス絶縁膜が剥離しないと共
に、耐食性に優れ長寿命のセラミックス部品を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも電気絶縁性セラミックス支持
基材の上に導電性セラミックス層を接合し、該導電性セ
ラミックス層に溝加工を施してヒータパターンあるいは
電極パターンを形成し、その上にセラミックス絶縁膜を
接合したセラミックス部品において、前記導電性セラミ
ックス層の積層方向に対して垂直な方向の熱膨張係数Ａ
と前記セラミックス絶縁膜の積層方向に対して垂直な方
向の熱膨張係数Ｂとの関係が、 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０
^-6／℃ であるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程におけるＣＶＤ装置、スパッタ装置または生成
薄膜をエッチングするエッチング装置等に使用される、
ヒータ、静電チャックおよび静電チャック付きヒータ等
のセラミックス部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体のデバイスを作製する際に
は、半導体ウエーハ上にポリシリコン膜や酸化膜、導体
膜、誘電体膜等をＣＶＤ装置やスパッタ装置で形成した
り、逆にエッチング装置により、これらの薄膜をエッチ
ングしたりする技術はよく知られている。そして、これ
らの装置において、上記の薄膜の形成やエッチングの品
質を保持するには、被加熱物である半導体ウエーハを所
望の温度に一定に維持することが必要であり、この温度
調節を行うには半導体ウエーハを加熱するヒータが必要
とされる。

【０００３】従来から半導体プロセスに使用されるヒー
タとしては、熱分解窒化ほう素、窒化アルミニウム、窒
化けい素等の電気絶縁性セラミックス支持基材の上に、
発熱層として、熱分解黒鉛（熱分解グラファイト）、炭
化けい素等の導電性セラミックス薄膜から成る電気回路
を形成したセラミックスヒータが開発され、使用されて
いる。さらに、被加熱物との絶縁確保や放電防止のため
にセラミックスヒータ全体を電気絶縁性セラミックスか
ら成る絶縁膜で被覆したものも用いられている。

【０００４】また、減圧雰囲気下では、真空チャックが
使えないため、ヒータ上に半導体ウエーハを固定するた
めに静電チャックが使用されているが、その材質はプラ
スチックから耐プラズマ性に優れたセラミックスに変わ
ってきている。さらにセラミックスヒータとセラミック
ス静電チャックを一体化した静電チャック付きヒータも
提案されている（特開平４−３５８０７４号公報、同５
−１０９８７６号公報、同５−１２９２１０号公報、同
７−１０６６５号公報参照）。

【０００５】上記した材質の内、例えば、電気絶縁性セ
ラミックスとして熱分解窒化ほう素を用い、導電性セラ
ミックスとして熱分解グラファイトを用いたヒータ、静
電チャック、静電チャック付きヒータ等のセラミックス
部品は、熱分解窒化ほう素も熱分解グラファイトも共に
化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）で製造されるため、原料粉
末を焼結して成形する焼結法で製造されたものと比較し
てはるかに高純度なものとなる。従って、半導体ウエー
ハが重金属のような不純物によって汚染されることが殆
どなくなり、加熱ヒータあるいは静電チャックとして優
れたものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱分解
窒化ほう素と熱分解グラファイトから成るヒータ、静電
チャック、静電チャック付きヒータ等に絶縁膜として熱
分解窒化ほう素を被覆したセラミックス部品は、この絶
縁膜が剥離し易いという欠点がある。絶縁膜が剥離した
場合、半導体ウエーハに漏電してダメージを与えたり、
ヒータや静電チャックのパターン間あるいはパターンと
装置部材との間で放電が発生する恐れがあり、セラミッ
クス部品の信頼性が失われてしまう事態になりかねな
い。

【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、電気絶縁性セラミックスから成る
支持基材の上に、発熱層あるいは電極となる導電性セラ
ミックス層を接合し、これに溝加工を施してヒータパタ
ーンあるいは電極パターンを形成し、その上にセラミッ
クス絶縁膜を被覆したセラミックス部品を形成した場合
に、昇降温を繰り返しても、セラミックス絶縁膜が剥離
しないと共に、反り、かけ等の欠損がなく、耐食性に優
れ、長寿命のセラミックス部品を提供することを主目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に記載した発明は、少なくとも電
気絶縁性セラミックス支持基材の上に導電性セラミック
ス層を接合し、該導電性セラミックス層に溝加工を施し
てヒータパターンあるいは電極パターンを形成し、その
上にセラミックス絶縁膜を接合したセラミックス部品に
おいて、前記導電性セラミックス層の積層方向に対して
垂直な方向の熱膨張係数Ａと、前記セラミックス絶縁膜
の積層方向に対して垂直な方向の熱膨張係数Ｂとの関係
が、 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０^-6／℃ であることを特徴とするセラミックス部品である。

【０００９】このように、導電性セラミックス層の積層
方向に対して垂直な方向（以下、面方向ともいう）の熱
膨張係数Ａと、セラミックス絶縁膜の面方向の熱膨張係
数Ｂの値が、関係式 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０^-6／℃ を
満足する値とすれば、熱応力が集中し易いヒータパター
ン、電極パターンの溝部の垂直接合面において熱応力が
軽減され、昇降温を繰り返しても導電性セラミックス層
と絶縁膜との接合部で剥離することはなく、割れ、欠
け、反り等の欠損を生じることもない長寿命のセラミッ
クス部品を形成することができる。

【００１０】この場合、本発明の請求項２に記載したよ
うに、前記電気絶縁性セラミックス支持基材および／ま
たはセラミックス絶縁膜の材質を、熱分解窒化ほう素、
窒化アルミニウムまたは窒化けい素とした。

【００１１】このような電気絶縁性セラミックス支持基
材および／またはセラミックス絶縁膜の材質を選択すれ
ば、例えば面方向熱膨張係数Ａを有する発熱層あるいは
電極上に接合する絶縁膜を、ＣＶＤ法による成膜反応時
の反応温度、反応圧力、原料ガス供給量比等の反応条件
を適宜選択制御して成膜することにより、前記熱膨張係
数関係式を満足する面方向熱膨張係数Ｂを容易に得るこ
とができるので、両者の面方向熱膨張係数は近似したも
のとなり、発熱層あるいは電極と絶縁膜の垂直接合面に
おける熱応力は緩和され、剥離や反りの発生はなくな
り、高耐食性で、耐久性に優れたセラミックス部品とす
ることができる。

【００１２】そして本発明の請求項３に記載した発明
は、前記導電性セラミックス層の材質を、熱分解グラフ
ァイトまたは炭化けい素とした。このような導電性セラ
ミックス層の材質を選択すると、これらの材質によっ
て、ＣＶＤ法による成膜反応時の反応温度、反応圧力、
原料ガス供給量比等の反応条件を適宜選択制御して成膜
することにより、前記熱膨張係数関係式を満足する面方
向熱膨張係数Ａを容易に得ることができるので、上記面
方向熱膨張係数Ｂを持つ絶縁膜との間で面方向熱膨張係
数は近似したものとなり、発熱層あるいは電極と絶縁膜
の垂直接合面における熱応力は緩和され、剥離や反りの
発生はなくなり、高耐食性で、耐久性に優れたセラミッ
クス部品とすることができる。

【００１３】また、本発明の請求項４に記載した発明
は、前記セラミックス部品を、ヒータ、静電チャックま
たは静電チャック付きヒータとした。

【００１４】このように、本発明のセラミックス部品
を、ヒータ、静電チャックまたは静電チャック付きヒー
タとすれば、特に被加熱物あるいは被吸着物である半導
体ウエーハとの接触面となる絶縁膜に剥離がなく、全面
に反りがないので、半導体ウエーハとセラミックス部品
間の絶縁破壊や放電が防止されると共に、密着性、吸着
性に優れているので、セラミックス部品本来の機能を充
分発揮することが出来る。従って、半導体デバイス製造
工程において長期間安定して使用することができ、プロ
セスの安定操業が可能になると共に反応処理時のウエー
ハの歩留り低下を防ぐことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明者等は、特に半導体デバイス製造装置に使用
されるヒータ、静電チャック、静電チャック付きヒータ
等のセラミックス部品において、溝付きパターンを有す
る発熱層あるいは電極とこれを被覆する絶縁膜との間に
剥離が発生し、これが半導体ウエーハとの間の絶縁破壊
や短絡、放電事故につながるのを防止する対策を種々検
討した結果、これにはセラミックス部品を構成する絶縁
膜の面方向熱膨張係数と発熱層あるいは電極の面方向熱
膨張係数をできるだけ一致させればよいことに想到し、
条件を精査して本発明を完成させたものである。

【００１６】先ず、本発明のセラミックス部品の典型例
としてヒータを図１に平面図として示した。図１におい
て、ヒータは、円板状電気絶縁性セラミックスから成る
支持基材１とその表面に接合したヒータパターンを有す
る導電性セラミックス層２とから成り、ヒータパターン
の両端に外部電源接続端子４を備えている。ただし、該
支持基材と導電性発熱層を一体として被覆するセラミッ
クス絶縁膜は図示していない。

【００１７】図２は、図１のヒータの縦断面図で、特に
ヒータパターンの溝５の詳細図である。溝５の垂直接合
面６において、支持基材１上の発熱層２の積層面方向と
絶縁膜３の積層面方向が直交している状態を表してい
る。

【００１８】このようなセラミックス部品において、本
発明では、少なくとも電気絶縁性セラミックス支持基材
の上に導電性セラミックス層を接合し、該発熱層に溝加
工を施してヒータパターンを形成し、その上にセラミッ
クス絶縁膜を接合したセラミックス部品において、該導
電性セラミックス層の積層方向に対して垂直な方向の熱
膨張係数Ａと、該セラミックス絶縁膜の積層方向に対し
て垂直な方向の熱膨張係数Ｂとの関係が、次式で表され
るものとした。 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０^-6／℃

【００１９】このように、発熱層と絶縁膜の面方向熱膨
張係数の値を上記関係式を満足する値に設定すれば、ヒ
ータパターンの溝部の発熱層と絶縁膜との垂直接合面の
熱応力が緩和され、この接合面から絶縁膜が剥離するこ
とはなく、全面で反りの発生もなく、割れ、欠け等の欠
損を生じることもない長寿命のセラミックス部品とする
ことができる。

【００２０】もともとＣＶＤ法によって蒸着、成膜され
るセラミックス薄膜は熱膨張係数に異方性があり、絶縁
膜の剥離はこの異方性に起因している。例えば、上記ヒ
ータを構成する絶縁膜の材質を熱分解窒化ほう素（以
下、ＰＢＮともいう）とし、発熱層の材質を熱分解グラ
ファイト（以下、ＰＧともいう）とした場合、ＰＢＮや
ＰＧの積層方向の熱膨張係数は、それと垂直な方向（面
方向ともいう）の熱膨張係数の約１０倍の値を示す。す
なわち、ＰＢＮの積層方向の熱膨張係数は１〜３×１０
^-5／℃であるのに対して、面方向の熱膨張係数は１〜３
×１０^-6／℃と小さい。

【００２１】従って、ヒータパターン加工のため、発熱
層であるＰＧを切削して作った溝の側面と、そこに被覆
される絶縁膜のＰＢＮは、図２のヒータの縦断面図に示
したように、積層方向が互いに垂直になっており、垂直
接合面６において熱膨張係数に大きな差が生じるため、
ＰＢＮの蒸着温度から室温に冷却される間で熱応力が発
生し、その後、プロセスで昇降温を繰り返す内に絶縁膜
が剥離し、被加熱物あるいは被吸着物である半導体ウエ
ーハとの間で絶縁破壊、放電等のトラブルを起こすよう
になる。

【００２２】そこでこの熱応力を軽減するための対策を
調査、実験した結果、意外なことに、発熱層と絶縁膜の
材質が異方性のままでも、発熱層となるＰＧの面方向熱
膨張係数Ａの値と絶縁膜となるＰＢＮの面方向熱膨張係
数Ｂの値との関係が、式 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０^-6／℃
を満足するものであれば、剥離する程の熱応力に達せ
ず、絶縁膜の剥離が発生し難いことが判った。この関係
式は、種々のセラミックス部品を作製して実験的に実証
されたものである。

【００２３】このように、発熱層となるＰＧの面方向の
熱膨張係数Ａと、絶縁膜となるＰＢＮの面方向の熱膨張
係数Ｂとの関係を、上記の式を満足する関係にすること
によって、ＰＧに切削された溝の側面とそこに被覆され
るＰＢＮとの間の熱応力が軽減され、絶縁膜の剥離を防
止することが出来る。上記関係式において、Ａ＞Ｂの場
合は、熱応力軽減の効果が充分でなく、剥離が発生し易
い。また、Ｂ＞Ａ＋２×１０^-6の場合は、絶縁膜の被覆
後にセラミックス部品全面に発生する反りが大きくな
り、半導体ウエーハとの密着性が悪くなるため均一な加
熱が出来なくなり、また成膜装置に取り付けられない場
合があるので不適当である。

【００２４】この面方向熱膨張係数を調製する方法とし
ては、ＣＶＤ法の反応条件である反応温度、反応圧力、
原料ガスの流量比等を変化させればよい。例えば、絶縁
膜をＰＢＮとした場合、他の条件を固定して、温度を１
８９０℃を中心に１８４０℃、１９３０℃で反応させる
とＰＢＮの面方向熱膨張係数Ｂは、夫々２．０、１．
３、３．８（×１０^-6／℃）となり、低温側で小さく、
高温側で大きくなることが判る。

【００２５】そして、ＣＶＤ法により先ず所望の面方向
熱膨張係数Ａを有する発熱層を成膜し、溝を切ってヒー
タパターンを形成した後、上記関係式を満足する面方向
熱膨張係数Ｂとなるように反応条件を設定して絶縁膜を
発熱層上に成膜すればよい。

【００２６】本発明のセラミックス部品の材質について
は、電気絶縁性セラミックス支持基材および／またはセ
ラミックス絶縁膜の材質を、熱分解窒化ほう素（ＰＢ
Ｎ）、窒化アルミニウムまたは窒化けい素とした。

【００２７】これらの材質の前記熱膨張係数の関係式を
満足する面方向熱膨張係数Ｂは、ＣＶＤ法による成膜反
応時の反応温度、反応圧力、原料ガス供給量比等の反応
条件を適宜選択して調節することにより容易に得られる
ので、面方向熱膨張係数Ａを持つ発熱層上に接合して絶
縁膜とすれば、両者の面方向熱膨張係数は近似したもの
となり、従って、ヒータパターンの溝部の垂直接合面に
おける剥離やセラミックス部品全面の反り等の発生は殆
どなくなり、割れ、欠け等の欠損のないものが得られ
る。また、これらの材質は、ＣＶＤ法によって製造され
るので、極めて高純度であり、高温下高耐食性で長寿命
のセラミックス部品を形成することができる。

【００２８】そして導電性セラミックス層の材質につい
ては、熱分解グラファイト（ＰＧ）または炭化けい素と
した。これらの材質は、ＣＶＤ法による成膜反応時の反
応温度、反応圧力、原料ガス供給量比等の反応条件を適
宜選択して制御すれば、前記熱膨張係数関係式を満足す
る面方向熱膨張係数Ａを容易に得ることができるので、
面方向熱膨張係数Ｂを持つ絶縁膜が接合される溝付きヒ
ータパターンの発熱層とすれば、両者の面方向熱膨張係
数はほぼ近似したものとなり、熱応力の集中し易いヒー
タパターンの溝部の垂直接合面における剥離やセラミッ
クス部品全面の反り等の発生は殆どなくなり、割れ、欠
け等の欠損のないものが得られる。また、これらの材質
は、ＣＶＤ法によって製造されるので、極めて高純度で
あり、高温下高耐食性で長寿命のセラミックス部品を形
成することができる。

【００２９】本発明の特徴を有するセラミックス部品と
しては、特にヒータ、静電チャックまたは静電チャック
付きヒータとした。これらのセラミックス部品は、特に
セラミックス絶縁膜とヒータパターン付き導電性セラミ
ックス層の接合面あるいはセラミックス絶縁膜と電極パ
ターン付き導電性セラミックス電極層の接合面の面方向
熱膨張係数が、本発明の関係式 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０
^-6／℃を満足できる値になっていれば、絶縁膜の剥離や
セラミックス部品全面の反り等の発生が防止され、半導
体ウエーハとセラミックス部品間で絶縁破壊や放電が発
生する恐れがなくなり、電気絶縁性、高温耐食性に対し
て極めて信頼性の高いセラミックス部品を形成すること
ができる。従って、半導体デバイス製造工程において長
期間安定して使用することができ、プロセスの安定操業
が可能になると共に反応処理時のウエーハの歩留り低下
を防ぐことができる。

【００３０】ここで、本発明のセラミックス部品の一例
としてセラミックスヒータの製造方法を説明する。例え
ば、反応室にアンモニアガスと三塩化ほう素ガスを所望
の比率で供給し、所定の圧力下、温度１８５０℃でＣＶ
Ｄ反応させて、ヒータの支持基材としてＰＢＮ製円板を
作製する。次にこの円板上にメタンガスを導入し、所定
の圧力下、温度１７５０℃で熱分解させてＰＧ製発熱層
を成膜する。この発熱層に機械加工により溝を切り、ヒ
ータパターンを形成する。さらにこのヒータ上にアンモ
ニアガスと三塩化ほう素ガスを所望の比率で供給し、所
定の圧力下、温度１８９０℃で反応させてＰＢＮ製絶縁
膜で被覆し、セラミックスヒータを完成させる。そし
て、絶縁膜を成膜するに際しては、発熱層の面方向熱膨
張係数Ａの値を確認した後、絶縁膜の面方向熱膨張係数
Ｂが上記熱膨張係数関係式を満足する値になるように反
応条件を設定して絶縁膜を発熱層上に成膜すればよい。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例）アンモニア４ＳＬＭと三塩化ほう素２ＳＬＭ
を圧力１０Ｔｏｒｒ、温度１８５０℃でＣＶＤ反応させ
て直径１５０ｍｍ，厚さ１．５ｍｍのＰＢＮ製円板を作
製した。次にこの円板上にメタンガスを圧力５Ｔｏｒ
ｒ、温度１７５０℃で熱分解させて厚さ４０μｍのＰＧ
製発熱層を積層し、この発熱層に機械加工を施して溝を
切り、ヒータパターンを形成した。このＰＧの積層方向
と垂直な方向（面方向）の熱膨張係数Ａを測定したとこ
ろ、１．７×１０^-6／℃という値を得た。さらにこのセ
ラミックスヒータ上にアンモニア５ＳＬＭと三塩化ほう
素２ＳＬＭを圧力１０Ｔｏｒｒ、温度１８９０℃で反応
させてＰＢＮ製の絶縁膜で被覆し、セラミックスヒータ
を完成させた。

【００３２】絶縁膜であるＰＢＮの面方向熱膨張係数Ｂ
は２．０×１０^-6／℃であった。絶縁膜被覆後に０．４
ｍｍの反りが発生したが、ヒータ特性に影響を及ぼすこ
とはなかった。このセラミックスヒータを使用して真空
容器内で室温から１０００℃まで１００回の昇温、降温
を繰り返したが絶縁膜の剥離は全く発生しなかった。

【００３３】（比較例１）セラミックスヒータに絶縁膜
を被覆する際の反応温度を１８５０℃とした以外は、実
施例と同様にしてセラミックスヒータを完成させた。絶
縁膜であるＰＢＮの面方向熱膨張係数Ｂは１．３×１０
^-6／℃であった。絶縁膜被覆後に０．３ｍｍの反りが発
生した。このセラミックスヒータは、絶縁膜被覆を行っ
た後、反応炉から取り出した時点で、ヒータパターンを
形成するために溝加工を施した凹部分の絶縁膜が浮き上
がっており、さらにこのセラミックスヒータを真空容器
内で室温から１０００℃まで昇温したところ、１回目の
通電で絶縁膜が剥離し、発熱層であるＰＧが露出してし
まった。

【００３４】（比較例２）セラミックスヒータに絶縁膜
を被覆する際の反応温度を１９３０℃とした以外は、実
施例と同様にしてセラミックスヒータを完成させた。絶
縁膜であるＰＢＮの面方向熱膨張係数Ｂは３．８×１０
^-6／℃であった。絶縁膜被覆後に０．３ｍｍの反りが発
生した。このセラミックスヒータを使用して真空容器内
で室温から１０００℃まで１００回の昇温、降温を繰り
返したが絶縁膜の剥離は発生しなかった。しかし、絶縁
膜被覆を行った後に１．５ｍｍの反りが発生しており、
半導体ウエーハ加熱用のヒータとしては不適当なもので
あった。

【００３５】なお、上記実施例および比較例の熱膨張係
数の関係と結果を表１にまとめて示した。

【表１】

【００３６】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００３７】例えば、上記ではＣＶＤ法によりセラミッ
クスヒータを製造する際に面方向熱膨張係数を調製する
例を示したが、本発明はこれには限定されず、異種セラ
ミックスの堆積層が互いに直交している部分を有する部
材であれば、どのようなものにでも適用することが出来
る。

【００３８】また、本発明のセラミックス部品の使用用
途は、ドライエッチング装置をはじめ、半導体ウエーハ
上にポリシリコン膜、酸化膜、導電膜、誘電体膜等を形
成するＣＶＤ装置やスパッタ装置、又は、これらの生成
薄膜をエッチングするエッチング装置等各種半導体デバ
イス製造用装置に使用することが出来ることは言うまで
もない。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、被加熱物や被吸着物が
直接接触する絶縁膜が、その下の発熱層あるいは電極層
から剥離したり、セラミックス部品全面に反りが発生す
ることがなくなるので、半導体ウエーハに漏電してダメ
ージを与えたり、ヒータのヒータパターン間や静電チャ
ックの電極パターン間あるいはパターンと装置部材との
間で短絡、放電等が発生する恐れがなくなり、電気絶縁
性、高温耐食性に対して極めて信頼性の高いセラミック
ス部品を提供することができる。従って、半導体デバイ
ス製造工程において長期間安定して使用することがで
き、プロセスの安定操業が可能になると共に反応処理時
のウエーハの歩留り低下を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック部品の一例を示すヒータの
平面図である。

【図２】図１のヒータの縦断面図で、溝部の詳細図であ
る。

【符号の説明】

１…支持基材、 ２…発熱層（ヒータパターン）、 ３…絶縁膜、 ４…外部電源接続端子、 ５…ヒータパターンの溝、 ６…溝の垂直接合面。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 浩二 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内 Ｆターム(参考） 5F031 BB09 BC01 FF03 KK07

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも電気絶縁性セラミックス支持
   基材の上に導電性セラミックス層を接合し、該導電性セ
   ラミックス層に溝加工を施してヒータパターンあるいは
   電極パターンを形成し、その上にセラミックス絶縁膜を
   接合したセラミックス部品において、前記導電性セラミ
   ックス層の積層方向に対して垂直な方向の熱膨張係数Ａ
   と、前記セラミックス絶縁膜の積層方向に対して垂直な
   方向の熱膨張係数Ｂとの関係が、 Ａ＜Ｂ＜Ａ＋２×１０^-6／℃ であることを特徴とするセラミックス部品。
2. 【請求項２】 前記電気絶縁性セラミックス支持基材お
   よび／またはセラミックス絶縁膜の材質が、熱分解窒化
   ほう素、窒化アルミニウムまたは窒化けい素であること
   を特徴とする請求項１に記載したセラミックス部品。
3. 【請求項３】 前記導電性セラミックス層の材質が熱分
   解グラファイトまたは炭化けい素であることを特徴とす
   る請求項１または請求項２に記載したセラミックス部
   品。
4. 【請求項４】 前記セラミックス部品がヒータ、静電チ
   ャックまたは静電チャック付きヒータであることを特徴
   とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載し
   たセラミックス部品。