JP2000012515A - Plasma cleaning method for microwave plasma etching apparatus - Google Patents
Plasma cleaning method for microwave plasma etching apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミニウム(Al)、アルミニウム合金(Al-Si,A
l-Si-Cu)あるいはそれらと窒化チタン(TiN)の積層膜の
エッチング時に処理室内に堆積する堆積物を減少させる
ことにより堆積物の剥がれによる異物の発生を防止する
クリーニング方法を提供することにある。
【解決手段】エッチング終了後BCl3とCl2の混合ガスま
たはBCl3とHClの混合ガスをクリーニングガスとして用
いてクリーニング時の圧力を0.13〜1.3Paでクリーニン
グを行い、処理室内部に堆積する堆積物を減少させる。
【効果】エッチング時に処理室内に堆積する堆積物を減
少し堆積物の剥がれによる異物の発生を防止することが
できる。
(57) [Abstract] [Problem] Aluminum (Al), aluminum alloy (Al-Si, A
(l-Si-Cu) or titanium nitride (TiN) to provide a cleaning method that reduces the amount of deposits deposited in the processing chamber during the etching of the laminated film to prevent the generation of foreign substances due to the peeling of the deposits. is there. After the etching is completed, cleaning is performed at a cleaning pressure of 0.13 to 1.3 Pa using a mixed gas of BCl 3 and Cl 2 or a mixed gas of BCl 3 and HCl as a cleaning gas, and the deposition is deposited in a processing chamber. Reduce things. According to the present invention, it is possible to reduce the amount of deposits deposited in the processing chamber at the time of etching and to prevent the generation of foreign matters due to the separation of the deposits.
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム(A
l)、アルミニウム合金(Al-Si,Al-Si-Cu)あるいはそれら
と窒化チタン(TiN)の積層膜のエッチングを行うプラズ
マエッチング装置において、エッチング処理時にエッチ
ング装置内部に堆積した堆積物のクリーニングを行うの
に好適なプラズマクリーニング方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an aluminum (A)
l), an aluminum alloy (Al-Si, Al-Si-Cu) or a plasma etching system that etches a laminated film of them and titanium nitride (TiN), cleaning the deposits deposited inside the etching system during the etching process. The present invention relates to a plasma cleaning method suitable for performing.
【従来の技術】従来のエッチング装置は、特開平3-6252
0号号公報に記載のようにエッチング装置の処理室内をC
l2とBCl3の混合ガスプラズマを用いてクリーニングを行
っている。2. Description of the Related Art A conventional etching apparatus is disclosed in JP-A-3-6252.
As described in No. 0 publication, C
and after cleaning using a mixed gas plasma of l 2 and BCl 3.
【発明が解決しようとする課題】従来のクリーニング方
法では、エッチング時にアルミニウム(Al)、アルミニウ
ム合金(Al-Si,Al-Si-Cu)及びそれらと窒化チタン(TiN)
の積層膜あるいはレジストとエッチングガスのプラズマ
とによつて生成される反応生成物に起因する堆積物のク
リーニング速度への圧力条件の影響について考慮されて
おらず、圧力2.0Pa以上ではエッチング処理室下流の部
品に上流側で除去された堆積物が再付着し堆積物が増加
するという問題点があった。本発明の目的は、エッチン
グ時に処理室内に堆積する堆積物をエッチング処理室下
流側においても減少させることにより堆積物の剥がれに
よる異物の発生を防止するクリーニング方法を提供する
ことにある。In the conventional cleaning method, aluminum (Al), aluminum alloy (Al-Si, Al-Si-Cu) and titanium nitride (TiN) are used during etching.
The effect of pressure conditions on the cleaning rate of deposits caused by reaction products generated by the stacked film or resist and the etching gas plasma is not considered. There is a problem that the deposits removed on the upstream side reattach to the parts and the deposits increase. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a cleaning method for reducing the amount of deposits deposited in a processing chamber at the time of etching even on the downstream side of an etching processing chamber, thereby preventing generation of foreign matters due to peeling of the deposits.
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、エッチング終了後BCl3とCl2の混合ガスまたはBCl3
とHClの混合ガスをクリーニングガスとして用いてクリ
ーニング時の処理圧力を0.13〜1.3Paにしてクリーニン
グを行い、処理室内部に堆積する堆積物を減少させよう
としたものである。クリーニング時の堆積物の変化をエ
ッチング処理室下流で水晶振動子式の膜圧モニタで測定
した。アルミ、アルミ合金及びそれらと窒化チタンの積
層膜をエッチングした場合に堆積物をBCl3とCl2の混合
ガスをクリーニング時の圧力が高くなるにつれて下流で
の堆積物のクリーニング速度が減少し、2.0Pa以上では
堆積物が増加することがわかった。圧力が高くなるにつ
れて下流に堆積した堆積物に入射するイオン量が減少す
るためにクリーニング速度が低下する。また、上流側の
部品に堆積していた堆積物はクリーニングにより除去さ
れるが、除去された堆積物はサイド下流側の部品に再付
着する。2.0Pa以上では、イオン量の減少と除去された
堆積物の再付着の増加によりクリーニング時堆積量が増
加する。0.13〜1.3Paの低圧にすることにより下流に堆
積した堆積物に入射するイオンの量が増加し、除去され
た堆積物の再付着も減少するためエッチング室下流の部
品に堆積した堆積物を除去することができる。また、BC
l3とHClの混合ガスをクリーニングガスとして用いても
同様な効果が得られることを見いだした。In order to achieve the above object, a mixed gas of BCl 3 and Cl 2 or BCl 3 after etching is completed.
The cleaning is performed by using a mixed gas of HCl and HCl as a cleaning gas and the processing pressure at the time of cleaning is set to 0.13 to 1.3 Pa to reduce deposits deposited inside the processing chamber. Changes in the deposits during cleaning were measured downstream of the etching chamber using a quartz-crystal-type film pressure monitor. When the aluminum, aluminum alloy and the stacked film of titanium nitride and the nitride film are etched, the deposit is cleaned with a mixed gas of BCl 3 and Cl 2 as the pressure at the time of cleaning increases, and the rate of cleaning the deposit downstream decreases, and the It was found that sediments increased above Pa. As the pressure increases, the rate of cleaning decreases because the amount of ions incident on the deposits deposited downstream decreases. Further, the deposits deposited on the upstream component are removed by cleaning, but the removed deposits are re-attached to the components on the downstream side. When the pressure is 2.0 Pa or more, the amount of deposits during cleaning increases due to a decrease in the amount of ions and an increase in redeposition of the removed deposits. By reducing the pressure to 0.13 to 1.3 Pa, the amount of ions incident on the deposits deposited downstream increases, and the redeposition of the removed deposits also decreases, so that deposits deposited on parts downstream of the etching chamber are removed. can do. Also, BC
even using a mixed gas of l 3 and HCl as a cleaning gas has been found that the same effect can be obtained.
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図1により説
明する。図1は、マイクロ波プラズマエッチング装置の
概略図を示したものである。マグネトロン1から発振し
たマイクロ波は導波管2を伝播しベルジャー3を介してエ
ッチング処理室4に導かれる。エッチング処理室4はベル
ジャー3、載置電極5及びアース電極6によって構成され
ている。磁界発生用直流電源7からソレノイドコイル8に
供給される直流電流によって形成される磁界とマイクロ
波電界によってガス供給装置9から供給されるエッチン
グガス(BCl3,Cl2)、クリーニングガス(BCl3,Cl2)はプラ
ズマ化される。BCl3とCl2の混合ガスプラズマによりウ
エハ10のエッチングが行われる。エッチング終了後BCl3
とCl2との混合ガスによりエッチング処理室4のクリーニ
ングが行われる。クリーニング及びエッチング時の圧力
は真空排気装置11によって制御される。基板10に入射す
るイオンのエネルギは載置電極5に高周波電源12から供
給される高周波電力によって制御される。エッチング後
0.13〜1.3Paでクリーニングを行うことによりエッチン
グ時に堆積した堆積物をエッチング処理室下流減少でき
堆積物の剥がれによる異物の発生を防止でかる。本発明
によれば、クリーニング時にエッチング処理室下流に堆
積する堆積物も除去できにおいても堆積物の剥がれによ
る異物の発生を防止することがてぎる。本実施例ではBC
l3とCl2の混合ガスをクリーニングガスとして用いた場
合の効果について説明したが、BCl3とHClの混合ガスを
クリーニングガスとして用いることにより同様な効果が
得られる。本実施例ではマイクロ波プラズマエッチング
装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例え
ばプラズマエッチング(PE)、ヘリコン、TCPにおいても
同様な効果が得られる。本実施例ではクリーニングガス
の効果については説明していないが、クリーニングガス
のを増加させることによりエッチング処理室下流に堆積
している堆積物クリーニング速度が増加する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram of a microwave plasma etching apparatus. The microwave oscillated from the magnetron 1 propagates through the waveguide 2 and is guided to the etching chamber 4 via the bell jar 3. The etching chamber 4 includes a bell jar 3, a mounting electrode 5, and a ground electrode 6. Etching gas (BCl 3 , Cl 2 ) supplied from gas supply device 9 by a magnetic field and a microwave electric field formed by a DC current supplied to solenoid coil 8 from magnetic field generating DC power supply 7, cleaning gas (BCl 3 , Cl 2 ) is turned into plasma. The wafer 10 is etched by a mixed gas plasma of BCl 3 and Cl 2 . After etching, BCl 3
The etching chamber 4 is cleaned with a mixed gas of Cl 2 and Cl 2 . The pressure at the time of cleaning and etching is controlled by the vacuum exhaust device 11. The energy of ions incident on the substrate 10 is controlled by the high-frequency power supplied from the high-frequency power supply 12 to the mounting electrode 5. After etching
By performing cleaning at 0.13 to 1.3 Pa, deposits deposited during etching can be reduced downstream of the etching treatment chamber, thereby preventing generation of foreign substances due to peeling of deposits. According to the present invention, it is possible to prevent the generation of foreign matters due to the peeling of the deposits, even if the deposits deposited downstream of the etching chamber during cleaning can be removed. In this embodiment, BC
It has been described effect of using a mixed gas of l 3 and Cl 2 as the cleaning gas, the same effect can be obtained by using a mixed gas of BCl 3 and HCl as a cleaning gas. In the present embodiment, the effects of the microwave plasma etching apparatus have been described, but the same effects can be obtained in other discharge methods such as plasma etching (PE), helicon, and TCP. Although the effect of the cleaning gas is not described in this embodiment, increasing the amount of the cleaning gas increases the rate of cleaning the deposits deposited downstream of the etching chamber.
【発明の効果】本発明によれば、エッチング処理室の下
流に堆積している堆積物のクリーニング速度増加し堆積
物の剥がれによる異物の発生を防止することができる。According to the present invention, it is possible to increase the cleaning speed of the deposits deposited downstream of the etching processing chamber and to prevent the generation of foreign substances due to the detachment of the deposits.
【図１】マイクロ波プラズマエッチング装置の構成図で
ある。FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave plasma etching apparatus.
４…処理室、９…ガス供給装置。 4 processing chamber, 9 gas supply device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 薬師寺 守 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 BA14 BA20 DA00 DA04 DA11 DA29 DB09 DB12 FA08 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Mamoru Yakushiji 794 Higashi-Toyoi, Kazamatsu-shi, Yamaguchi Prefecture F-term in Kasado Plant, Hitachi, Ltd. 5F004 AA15 BA14 BA20 DA00 DA04 DA11 DA29 DB09 DB12 FA08
Claims (2)
スあるいは混合ガスをエッチングガスとして用い、マイ
クロ波電界と磁界の相互作用により該エッチングガスを
プラズマ化してアルミニウム(Al)、アルミニウム合金(A
l-Si,Al-Si-Cu)あるいはそれらと窒化チタン(TiN)の積
層膜のエッチングを行い、エッチング終了後，三塩化ホ
ウ素(BCl3)と塩素(Cl2)の混合ガスをクリーニングガス
として用い、マイクロ波電界と磁界の相互作用により該
クリーニングガスをプラズマ化してプラズマクリーニン
グを行うマイクロ波プラズマエッチング装置において、
プラズマクリーニング時の処理圧力が0.13〜1.3Paであ
ることを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置
のプラズマクリーニング方法。A single gas or a mixed gas of chlorine (Cl 2 ) and boron trichloride (BCl 3 ) is used as an etching gas, and the etching gas is turned into plasma by the interaction of a microwave electric field and a magnetic field to produce aluminum (Al). , Aluminum alloy (A
Etching of l-Si, Al-Si-Cu) or a laminated film of them and titanium nitride (TiN). After the etching is completed, a mixed gas of boron trichloride (BCl 3 ) and chlorine (Cl 2 ) is used as a cleaning gas. In a microwave plasma etching apparatus that performs plasma cleaning by converting the cleaning gas into plasma by the interaction of a microwave electric field and a magnetic field,
A plasma cleaning method for a microwave plasma etching apparatus, wherein a processing pressure during plasma cleaning is 0.13 to 1.3 Pa.
スあるいは混合ガスをエッチングガスとして用い、マイ
クロ波電界と磁界の相互作用により該エッチングガスを
プラズマ化してアルミニウム(Al)、アルミニウム合金(A
l-Si,Al-Si-Cu)あるいはそれらと窒化チタン(TiN)の積
層膜のエッチングを行い、エッチング終了後,三塩化ホ
ウ素(BCl3)と塩化水素(HCl)の混合ガスをクリーニング
ガスとして用い、マイクロ波電界と磁界の相互作用によ
り該クリーニングガスをプラズマ化してプラズマクリー
ニングを行うマイクロ波プラズマエッチング装置におい
て、プラズマクリーニング時の処理圧力が0.13〜1.3Pa
であることを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング
装置のプラズマクリーニング方法。2. A single gas or a mixed gas of chlorine (Cl 2 ) and boron trichloride (BCl 3 ) is used as an etching gas, and the etching gas is converted into plasma by the interaction of a microwave electric field and a magnetic field to produce aluminum (Al). , Aluminum alloy (A
l-Si, Al-Si-Cu) or a multilayer film of them and titanium nitride (TiN) is etched.After the etching is completed, a mixed gas of boron trichloride (BCl 3 ) and hydrogen chloride (HCl) is used as a cleaning gas. In a microwave plasma etching apparatus for performing plasma cleaning by converting the cleaning gas into plasma by the interaction of a microwave electric field and a magnetic field, the processing pressure during the plasma cleaning is 0.13 to 1.3 Pa.
A plasma cleaning method for a microwave plasma etching apparatus, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174349A JP2000012515A (en) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Plasma cleaning method for microwave plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP10174349A Pending JP2000012515A (en) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Plasma cleaning method for microwave plasma etching apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012515A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071790A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7662235B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of cleaning etching apparatus |
| US8591752B2 (en) | 2011-12-07 | 2013-11-26 | Hitachi High Technologies Corporation | Plasma processing method |
| JP2018011007A (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma etching method, plasma etching apparatus, and substrate mounting table |
| US9972776B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-05-15 | Hitachi High-Technologies Corporations | Plasma processing method |
| WO2023282190A1 (en) | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for cleaning chamber or component, substrate processing method and substrate processing apparatus |
| WO2024143125A1 (en) | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing device |
-
1998
- 1998-06-22 JP JP10174349A patent/JP2000012515A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071790A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-27 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7662235B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of cleaning etching apparatus |
| US8591752B2 (en) | 2011-12-07 | 2013-11-26 | Hitachi High Technologies Corporation | Plasma processing method |
| US9972776B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-05-15 | Hitachi High-Technologies Corporations | Plasma processing method |
| TWI642105B (en) * | 2016-01-04 | 2018-11-21 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | Plasma processing method |
| JP2018011007A (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma etching method, plasma etching apparatus, and substrate mounting table |
| WO2023282190A1 (en) | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for cleaning chamber or component, substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR20240032868A (en) | 2021-07-05 | 2024-03-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Cleaning method of chamber or part, substrate processing method and substrate processing device |
| WO2024143125A1 (en) | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing device |
| KR20250130325A (en) | 2022-12-28 | 2025-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing method and substrate processing device |
| EP4636489A1 (en) | 2022-12-28 | 2025-10-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing device |
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