JP2000011450A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライト特性の優れた相変化型光ディ
スクを提供する。 【解決手段】 透明基板１上に、第一誘電体保護層２、
相変化材料からなる記録層３、第二誘電体保護層４、反
射層５を積層してなり、ディスク面１ａ側からの書き込
みレーザー光の照射により記録層３を昇温液相化した後
に急冷非晶質化して反射率を変化させることにより情報
を記録する相変化型光学情報記録媒体ＤＤにおいて、第
二誘電体保護層４は、第一成分と第二成分との混合物か
らなり、前記第一成分はＺｎＳであり、前記第二成分は
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2
、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 のうちの少な
くとも一種類の酸化物であり、かつ、前記混合物は、前
記第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中心部ｂにおい
て、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する。
スクを提供する。 【解決手段】 透明基板１上に、第一誘電体保護層２、
相変化材料からなる記録層３、第二誘電体保護層４、反
射層５を積層してなり、ディスク面１ａ側からの書き込
みレーザー光の照射により記録層３を昇温液相化した後
に急冷非晶質化して反射率を変化させることにより情報
を記録する相変化型光学情報記録媒体ＤＤにおいて、第
二誘電体保護層４は、第一成分と第二成分との混合物か
らなり、前記第一成分はＺｎＳであり、前記第二成分は
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2
、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 のうちの少な
くとも一種類の酸化物であり、かつ、前記混合物は、前
記第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中心部ｂにおい
て、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光の照射
により情報の記録再生を行う相変化型の光学情報記録媒
体に関し、特に記録、再生、消去の繰り返し特性（オー
バーライト特性）が優れた高密度記録に適する光学情報
記録媒体に関する。
により情報の記録再生を行う相変化型の光学情報記録媒
体に関し、特に記録、再生、消去の繰り返し特性（オー
バーライト特性）が優れた高密度記録に適する光学情報
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光ディスクＤの構造は、図１に
示すように、書き込み又は読み出しレーザー光が照射さ
れるディスク面１ａを有する透明基板１上に、第一誘電
体保護層２、相変化材料からなる記録層３、第二誘電体
保護層４、反射層５、保護層６を順次積層した光ディス
クである。そして、記録層３の光学定数が結晶質状態と
非晶質状態との間で可逆的に変化することを利用して記
録、再生、消去を行う方式を利用する光ディスクであ
る。詳しくは、書き込みレーザー光の照射により、記録
層３を構成する相変化材料を昇温液相化させ、この後、
急速に冷却され非晶質化して光学定数が変化することに
より、情報の書き込み（記録）を行う。記録層３の光学
定数のこの変化を、読み出しレーザー光の照射により、
記録層３の反射率の変化として検出することによって、
情報の読み出し（再生）を行う。
示すように、書き込み又は読み出しレーザー光が照射さ
れるディスク面１ａを有する透明基板１上に、第一誘電
体保護層２、相変化材料からなる記録層３、第二誘電体
保護層４、反射層５、保護層６を順次積層した光ディス
クである。そして、記録層３の光学定数が結晶質状態と
非晶質状態との間で可逆的に変化することを利用して記
録、再生、消去を行う方式を利用する光ディスクであ
る。詳しくは、書き込みレーザー光の照射により、記録
層３を構成する相変化材料を昇温液相化させ、この後、
急速に冷却され非晶質化して光学定数が変化することに
より、情報の書き込み（記録）を行う。記録層３の光学
定数のこの変化を、読み出しレーザー光の照射により、
記録層３の反射率の変化として検出することによって、
情報の読み出し（再生）を行う。
【０００３】この相変化型光ディスクＤは、１本のレー
ザー光のパワーを２つのレベル間で変化させることによ
り、記録層３の結晶化、非晶質化を行う。すなわち、記
録層３を構成する相変化材料の融点以上に上昇させる高
パワーのレーザー光を記録層３に照射することにより、
記録層３はレーザー光のエネルギーを吸収し、溶融液相
化し、急速に冷却された後、非晶質状態となる。また、
記録層３を結晶化温度以上、融点以下の温度領域に達す
るような低パワーのレーザー光を照射したとき照射部
分、すなわち非晶質部は結晶状態になる。
ザー光のパワーを２つのレベル間で変化させることによ
り、記録層３の結晶化、非晶質化を行う。すなわち、記
録層３を構成する相変化材料の融点以上に上昇させる高
パワーのレーザー光を記録層３に照射することにより、
記録層３はレーザー光のエネルギーを吸収し、溶融液相
化し、急速に冷却された後、非晶質状態となる。また、
記録層３を結晶化温度以上、融点以下の温度領域に達す
るような低パワーのレーザー光を照射したとき照射部
分、すなわち非晶質部は結晶状態になる。
【０００４】従来、相変化型光ディスクＤの反射層５
は、記録層３を構成する相変化材料を結晶状態から溶融
状態を経て非晶質状態へ変化させる際の冷却速度を上げ
るための役割を担っており、また、記録層３上の第二誘
電体保護層４は断熱層として作用する。このため、断熱
層である第二誘電体保護層４の厚さ及び熱特性を最適に
設定することは、相変化型光ディスクＤの記録、再生、
消去特性を確保する上で極めて重要となる。
は、記録層３を構成する相変化材料を結晶状態から溶融
状態を経て非晶質状態へ変化させる際の冷却速度を上げ
るための役割を担っており、また、記録層３上の第二誘
電体保護層４は断熱層として作用する。このため、断熱
層である第二誘電体保護層４の厚さ及び熱特性を最適に
設定することは、相変化型光ディスクＤの記録、再生、
消去特性を確保する上で極めて重要となる。
【０００５】さて、相変化材料層である記録層３には、
カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｅ系などが用いられ、主にスパッタリン
グ法、電子ビーム真空蒸着法、もしくはそれらを組み合
わせた成層法で成膜される。また、第一及び第二誘電体
保護層２，４はＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物が同様の成膜
法で成膜される。しかし、一般的に生産性を考慮すると
スパッタリング法が多く利用されている。成膜直後の記
録層３の状態は、一種の非晶質状態であり、この記録層
３に記録を行って非晶質状態の記録部を形成するため
に、記録層３全体を結晶質状態にしておく初期化処理が
行われる。すなわち、記録はこの結晶質状態の中に非晶
質部分を形成することにより達成される。
カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｅ系などが用いられ、主にスパッタリン
グ法、電子ビーム真空蒸着法、もしくはそれらを組み合
わせた成層法で成膜される。また、第一及び第二誘電体
保護層２，４はＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物が同様の成膜
法で成膜される。しかし、一般的に生産性を考慮すると
スパッタリング法が多く利用されている。成膜直後の記
録層３の状態は、一種の非晶質状態であり、この記録層
３に記録を行って非晶質状態の記録部を形成するため
に、記録層３全体を結晶質状態にしておく初期化処理が
行われる。すなわち、記録はこの結晶質状態の中に非晶
質部分を形成することにより達成される。
【０００６】相変化型光ディスクＤでは、記録時に前記
のように記録層３が融点を越えて溶融し冷却される。従
って、記録層３を挟む第一及び第二誘電体保護層２，４
は記録層３の加熱、溶融、冷却というヒートモード記録
に際し、繰り返し熱的なストレスを受ける。このため、
第一及び第二誘電体保護層２，４は耐熱性が考慮されＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 が使用される。
のように記録層３が融点を越えて溶融し冷却される。従
って、記録層３を挟む第一及び第二誘電体保護層２，４
は記録層３の加熱、溶融、冷却というヒートモード記録
に際し、繰り返し熱的なストレスを受ける。このため、
第一及び第二誘電体保護層２，４は耐熱性が考慮されＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 が使用される。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】上述したように、
相変化型光ディスクＤは、書き込みレーザー光の照射に
よって記録層３が溶融、冷却非晶質化し記録マークが形
成され、その記録マークと記録マーク以外の部分との反
射率の違いを、読み出しレーザー光の照射によって信号
として検出する。従来、記録層３を挟む第一及び第二誘
電体保護膜２，４には耐熱性を備えたＺｎＳとＳｉＯ2
の混合物が用いられ、優れた記録、消去特性を示した。
相変化型光ディスクＤは、書き込みレーザー光の照射に
よって記録層３が溶融、冷却非晶質化し記録マークが形
成され、その記録マークと記録マーク以外の部分との反
射率の違いを、読み出しレーザー光の照射によって信号
として検出する。従来、記録層３を挟む第一及び第二誘
電体保護膜２，４には耐熱性を備えたＺｎＳとＳｉＯ2
の混合物が用いられ、優れた記録、消去特性を示した。
【０００８】しかし、繰り返しオーバーライトを行う
と、記録層３の溶融、冷却の繰り返しによって記録層３
自身の流動が引き起こされ、その結果、記録層３の膜厚
が変動し、反射率が低下するという現象が起こり、信号
振幅が低下した。また、溶融、冷却の繰り返しによって
第一及び第二誘電体保護膜２，４が熱的なダメージを受
けて変形し、記録層３にダメージを与えジッターが増大
する原因となっていた。以上の理由によって、相変化型
光ディスクＤは繰り返しオーバーライト特性が劣化する
という課題があった。
と、記録層３の溶融、冷却の繰り返しによって記録層３
自身の流動が引き起こされ、その結果、記録層３の膜厚
が変動し、反射率が低下するという現象が起こり、信号
振幅が低下した。また、溶融、冷却の繰り返しによって
第一及び第二誘電体保護膜２，４が熱的なダメージを受
けて変形し、記録層３にダメージを与えジッターが増大
する原因となっていた。以上の理由によって、相変化型
光ディスクＤは繰り返しオーバーライト特性が劣化する
という課題があった。
【０００９】本発明はの目的は、上記の課題を解決し、
繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変化型の光学
的情報記録媒体を提供することである。
繰り返しオーバーライト特性の優れた、相変化型の光学
的情報記録媒体を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は、下記する構成を有する光学的情報記
録媒体を提供する。
ために、本発明は、下記する構成を有する光学的情報記
録媒体を提供する。
【００１１】透明基板１上に、第一誘電体保護層２、相
変化材料からなる記録層３、第二誘電体保護層４、反射
層５を積層してなり、（ディスク面１ａ側からの）書き
込みレーザー光の照射により前記記録層３を昇温液相化
した後に急冷非晶質化して反射率を変化させることによ
り情報を記録する相変化型の光学情報記録媒体ＤＤにお
いて、前記第二誘電体保護層４は、第一成分と第二成分
との混合物からなり、前記第一成分はＺｎＳであり、前
記第二成分はＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前記
混合物は、前記第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中
心部ｂにおいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有す
ることを特徴とする光学情報記録媒体。
変化材料からなる記録層３、第二誘電体保護層４、反射
層５を積層してなり、（ディスク面１ａ側からの）書き
込みレーザー光の照射により前記記録層３を昇温液相化
した後に急冷非晶質化して反射率を変化させることによ
り情報を記録する相変化型の光学情報記録媒体ＤＤにお
いて、前記第二誘電体保護層４は、第一成分と第二成分
との混合物からなり、前記第一成分はＺｎＳであり、前
記第二成分はＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前記
混合物は、前記第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中
心部ｂにおいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有す
ることを特徴とする光学情報記録媒体。
【００１２】
【作用】前記した構成の第二誘電体保護層４の機械的強
度を上げることによって、記録層３の溶融、冷却の繰り
返しによって引き起こされる第二誘電体保護層４の変形
を抑え、またその熱伝導率を上げることによって放熱特
性を改善することにより、第二誘電体保護層４のダメー
ジ、さらには第二誘電体保護層４のダメージによる記録
層３自身へのダメージを抑制し、結果的にオーバーライ
ト時の信号振幅の減少、ジッターの増加を抑え、繰り返
しオーバーライト特性の向上を実現することができる。
度を上げることによって、記録層３の溶融、冷却の繰り
返しによって引き起こされる第二誘電体保護層４の変形
を抑え、またその熱伝導率を上げることによって放熱特
性を改善することにより、第二誘電体保護層４のダメー
ジ、さらには第二誘電体保護層４のダメージによる記録
層３自身へのダメージを抑制し、結果的にオーバーライ
ト時の信号振幅の減少、ジッターの増加を抑え、繰り返
しオーバーライト特性の向上を実現することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光学的情報記録媒
体の実施例について、図１、図２を用いて説明する。図
２は第二誘電体層を構成する混合物の組成勾配を説明す
るための図である。
体の実施例について、図１、図２を用いて説明する。図
２は第二誘電体層を構成する混合物の組成勾配を説明す
るための図である。
【００１４】本発明の相変化型光学的情報記録媒体（光
ディスク）ＤＤは、図１、図２に示すように、透明基板
１上に、第一誘電体保護層２、相変化材料からなる記録
層３、第二誘電体保護層４、反射層５を積層してなり、
ディスク面１ａ側からの書き込みレーザー光の照射によ
り記録層３を昇温液相化した後に急冷非晶質化して反射
率を変化させることにより情報を記録する相変化型の光
ディスクにおいて、第二誘電体保護層４は、第一成分と
第二成分との混合物からなり、第一成分はＺｎＳであ
り、第二成分はＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前
記混合物は、第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中心
部ｂにおいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する
光ディスクである。
ディスク）ＤＤは、図１、図２に示すように、透明基板
１上に、第一誘電体保護層２、相変化材料からなる記録
層３、第二誘電体保護層４、反射層５を積層してなり、
ディスク面１ａ側からの書き込みレーザー光の照射によ
り記録層３を昇温液相化した後に急冷非晶質化して反射
率を変化させることにより情報を記録する相変化型の光
ディスクにおいて、第二誘電体保護層４は、第一成分と
第二成分との混合物からなり、第一成分はＺｎＳであ
り、第二成分はＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2
のうちの少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前
記混合物は、第二誘電体保護層４の厚さ方向ａの略中心
部ｂにおいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する
光ディスクである。
【００１５】透明基板１は、同心円状又は螺旋状のグル
ーブ（溝）を有しており、材質としてはポリカーボネイ
ト系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、石
英、ガラス等が使用できる。記録層３は、例えばカルコ
ゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＧｅＴｅ系などの相変化
材料が使用可能であり、また、これらの相変化材料に金
属を添加した組成構成の材料も使用可能である。
ーブ（溝）を有しており、材質としてはポリカーボネイ
ト系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、石
英、ガラス等が使用できる。記録層３は、例えばカルコ
ゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＧｅＴｅ系などの相変化
材料が使用可能であり、また、これらの相変化材料に金
属を添加した組成構成の材料も使用可能である。
【００１６】第一及び第二誘電体保護層２，４は、主
に、第一成分であるＺｎＳと、Ａｌ2Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5
、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、
Ｙ2 Ｏ3、ＨｆＯ2 等の酸化物のうちの少なくとも一種
類の酸化物を第二成分とする混合物を含む誘電体材料が
使用可能である。望ましくは、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の混合
物が良い。さらに、第二誘電体保護層４は、図２に示す
ように、前記した混合物における第二成分の組成比が、
膜厚方向（誘電体保護層の厚さ方向）ａの略中心部ｂに
おいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する光ディ
スクである。
に、第一成分であるＺｎＳと、Ａｌ2Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5
、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、
Ｙ2 Ｏ3、ＨｆＯ2 等の酸化物のうちの少なくとも一種
類の酸化物を第二成分とする混合物を含む誘電体材料が
使用可能である。望ましくは、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の混合
物が良い。さらに、第二誘電体保護層４は、図２に示す
ように、前記した混合物における第二成分の組成比が、
膜厚方向（誘電体保護層の厚さ方向）ａの略中心部ｂに
おいて、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有する光ディ
スクである。
【００１７】反射層５には、照射レーザー光の反射率が
良好な金属膜、例えばＡｌを主成分とし、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属との混合物、あるいは、
Ａｕ等が使用可能である。保護層６としては、熱硬化も
しくは紫外線硬化樹脂を反射層５上に使用できる。
良好な金属膜、例えばＡｌを主成分とし、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属との混合物、あるいは、
Ａｕ等が使用可能である。保護層６としては、熱硬化も
しくは紫外線硬化樹脂を反射層５上に使用できる。
【００１８】以上のような構成を有する相変化型光ディ
スクＤＤの製作を、具体的な実施例によって詳細に説明
する。
スクＤＤの製作を、具体的な実施例によって詳細に説明
する。
【００１９】厚さ１．２ｍｍ、トラックピッチ１．６μ
ｍの連続溝を有するポリカーボネイト製ディスク透明基
板１上に第一誘電体保護層２、記録層３、第二誘電体保
護層４、反射層５を順次積層して、相変化型光ディスク
ＤＤを形成した。
ｍの連続溝を有するポリカーボネイト製ディスク透明基
板１上に第一誘電体保護層２、記録層３、第二誘電体保
護層４、反射層５を順次積層して、相変化型光ディスク
ＤＤを形成した。
【００２０】まず、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなる
ターゲット（組成比８０：２０、ｍｏｌ％）を用い、Ｒ
Ｆスパッタリング法により１００ｎｍの第一誘電体保護
層２を形成した。次に、この第一誘電体保護層２上に、
記録層３を構成する相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ系合
金をＤＣスパッタリング法で２０ｎｍ成膜した。次に、
ＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲット（組成比
８０：２０、ｍｏｌ％）と、ＳｉＯ2 ターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により組成勾配を有する第二
誘電体保護層４を２０ｎｍ形成した。
ターゲット（組成比８０：２０、ｍｏｌ％）を用い、Ｒ
Ｆスパッタリング法により１００ｎｍの第一誘電体保護
層２を形成した。次に、この第一誘電体保護層２上に、
記録層３を構成する相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ系合
金をＤＣスパッタリング法で２０ｎｍ成膜した。次に、
ＺｎＳ、ＳｉＯ2 の２成分よりなるターゲット（組成比
８０：２０、ｍｏｌ％）と、ＳｉＯ2 ターゲットを用意
し、ＲＦスパッタリング法により組成勾配を有する第二
誘電体保護層４を２０ｎｍ形成した。
【００２１】即ち、本実施例では、第二誘電体保護層４
の厚さ方向ａのほぼ中央ｂにＳｉＯ2 層を形成し、その
両側に組成勾配を持つＺｎＳ−ＳｉＯ2 層を形成した
（図２に図示）。形成方法としては、第二誘電体保護層
４の成膜開始時と終了時において、ＳｉＯ2 ターゲット
のＲＦ投入パワーが０となり、かつ層の厚さ方向ａのほ
ぼ中央ｂでＳｉＯ2 層のみが一定の膜厚形成されるよう
に、ＲＦ投入パワーを適宜コントロールし成膜を行う。
の厚さ方向ａのほぼ中央ｂにＳｉＯ2 層を形成し、その
両側に組成勾配を持つＺｎＳ−ＳｉＯ2 層を形成した
（図２に図示）。形成方法としては、第二誘電体保護層
４の成膜開始時と終了時において、ＳｉＯ2 ターゲット
のＲＦ投入パワーが０となり、かつ層の厚さ方向ａのほ
ぼ中央ｂでＳｉＯ2 層のみが一定の膜厚形成されるよう
に、ＲＦ投入パワーを適宜コントロールし成膜を行う。
【００２２】さらに、この第二誘電体保護層４上に、Ａ
ｌ合金の反射層５を１５０ｎｍ形成した。最後にこの反
射層５上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５
〜１０μｍ塗布し紫外線硬化させて保護層６を形成し
た。記録層３は成膜直後、一種の非晶質状態であるため
結晶状態にする初期化処理を行った。以上の経過を経
て、相変化型光ディスクＤＤを作製した。
ｌ合金の反射層５を１５０ｎｍ形成した。最後にこの反
射層５上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により５
〜１０μｍ塗布し紫外線硬化させて保護層６を形成し
た。記録層３は成膜直後、一種の非晶質状態であるため
結晶状態にする初期化処理を行った。以上の経過を経
て、相変化型光ディスクＤＤを作製した。
【００２３】このようにして作製した相変化型光ディス
クＤＤを回転し、動的な測定評価を行った。照射レーザ
ー光の波長は６８５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは
０．６０、線速６．０ｍ／ｓ、記録パワー１１．０ｍ
Ｗ、消去パワー４．５ｍＷとし８−１６変調のランダム
信号を記録した。再生パワーは１．０ｍＷとした。繰り
返しオーバーライト特性は多数回記録、消去を行った後
で最短マークである３Ｔ信号（Ｔ：チャンネルクロック
周期）のジッター（σ）を測定し、オーバーライト回数
による変化の様子を観測した。その結果、本実施例で作
製した相変化型光ディスクＤＤはオーバーライト回数が
１０5 回を越えてもジッターの増加が従来に較べ顕著に
少ない優れた特性を示した。
クＤＤを回転し、動的な測定評価を行った。照射レーザ
ー光の波長は６８５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは
０．６０、線速６．０ｍ／ｓ、記録パワー１１．０ｍ
Ｗ、消去パワー４．５ｍＷとし８−１６変調のランダム
信号を記録した。再生パワーは１．０ｍＷとした。繰り
返しオーバーライト特性は多数回記録、消去を行った後
で最短マークである３Ｔ信号（Ｔ：チャンネルクロック
周期）のジッター（σ）を測定し、オーバーライト回数
による変化の様子を観測した。その結果、本実施例で作
製した相変化型光ディスクＤＤはオーバーライト回数が
１０5 回を越えてもジッターの増加が従来に較べ顕著に
少ない優れた特性を示した。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、第二誘電体保護層を組
成勾配を有するＺｎＳと酸化物の混合物から構成し、か
つ第二誘電体保護層の厚さ方向の中央部にＺｎＳを含有
しない酸化物層を有する構成とすることによって、繰り
返しオーバーライト特性を向上させることができ、結果
として高い信頼性を備えた相変化型光ディスクを提供す
ることができる。
成勾配を有するＺｎＳと酸化物の混合物から構成し、か
つ第二誘電体保護層の厚さ方向の中央部にＺｎＳを含有
しない酸化物層を有する構成とすることによって、繰り
返しオーバーライト特性を向上させることができ、結果
として高い信頼性を備えた相変化型光ディスクを提供す
ることができる。
【図１】相変化型光ディスクの構造を説明するための図
である。
である。
【図２】第二誘電体層を構成する混合物の組成勾配を説
明するための図である。
明するための図である。
１ 透明基板 ２ 第一誘電体保護層 ３ 記録層 ４ 第二誘電体保護層 ５ 反射層 ａ 誘電体保護層の厚さ方向 ｂ 中心部 Ｄ，ＤＤ 相変化型光ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に、第一誘電体保護層、相変化
材料からなる記録層、第二誘電体保護層、反射層を積層
してなり、書き込みレーザー光の照射により前記記録層
を昇温液相化した後に急冷非晶質化して反射率を変化さ
せることにより情報を記録する相変化型の光学情報記録
媒体において、 前記第二誘電体保護層は、第一成分と第二成分との混合
物からなり、前記第一成分はＺｎＳであり、前記第二成
分はＡｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 のうちの
少なくとも一種類の酸化物であり、かつ、前記混合物
は、前記第二誘電体保護層の厚さ方向の略中心部におい
て、ＺｎＳを略含有しない組成勾配を有することを特徴
とする光学情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178460A JP2000011450A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178460A JP2000011450A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000011450A true JP2000011450A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16048917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178460A Pending JP2000011450A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000011450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632583B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and production method of the same |
| WO2004105010A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein |
| KR100472817B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2005-03-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 정보기록 매체와 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP10178460A patent/JP2000011450A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632583B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and production method of the same |
| KR100472817B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2005-03-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 정보기록 매체와 그 제조 방법 |
| WO2004105010A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein |
| US7435468B2 (en) | 2003-05-21 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein, optical disc master and method of fabricating the same using the multi-layer structure, and optical disc manufactured using the optical disc master |
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